JPH0864863A - モノリシック発光ダイオードアレイ及びその製造方法 - Google Patents
モノリシック発光ダイオードアレイ及びその製造方法Info
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- JPH0864863A JPH0864863A JP19977794A JP19977794A JPH0864863A JP H0864863 A JPH0864863 A JP H0864863A JP 19977794 A JP19977794 A JP 19977794A JP 19977794 A JP19977794 A JP 19977794A JP H0864863 A JPH0864863 A JP H0864863A
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- light emitting
- emitting diode
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- diode array
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Abstract
(57)【要約】
【目的】同じ発光面積でも従来例よりも大きなｐｎ接合
面積をもたせることによって、より高い発光出力と信頼
性を得る。 【構成】ｐ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａ
ｓ活性層２、その上にｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド
層３を備え、クラッド層３の一部をエッチング溝１０で
分離して一列に並ぶ複数個の発光部をもつモノリシック
発光ダイオードアレイを作る。エッチング溝１０はドラ
イエッチングプロセスによって形成して、エッチング溝
１０の側壁１１と、クラッド層３の表面である発光面１
２とのなす角度をほぼ垂直の８０°〜１００°の範囲内
とする。これにより、発光面１２とｐｎ接合面９との幅
をほぼ等しくして、ｐｎ接合面積を大きくする。
面積をもたせることによって、より高い発光出力と信頼
性を得る。 【構成】ｐ型ＧａＡｓ基板１上にｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａ
ｓ活性層２、その上にｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド
層３を備え、クラッド層３の一部をエッチング溝１０で
分離して一列に並ぶ複数個の発光部をもつモノリシック
発光ダイオードアレイを作る。エッチング溝１０はドラ
イエッチングプロセスによって形成して、エッチング溝
１０の側壁１１と、クラッド層３の表面である発光面１
２とのなす角度をほぼ垂直の８０°〜１００°の範囲内
とする。これにより、発光面１２とｐｎ接合面９との幅
をほぼ等しくして、ｐｎ接合面積を大きくする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はモノリシック発光ダイオ
ードアレイ及びその製造方法、特に光プリンタ用光源と
して好適なものに関する。
ードアレイ及びその製造方法、特に光プリンタ用光源と
して好適なものに関する。
【０００２】
【従来の技術】モノリシック発光ダイオードアレイとし
て、不純物拡散によりｐｎ接合を形成するホモ接合型
（主にＧａＡｓＰ系）と、エピタキシャル成長によりｐ
ｎ接合を形成するヘテロ接合型（主にＧａＡｌＡｓ系）
の２種類が知られている。このうちＧａＡｌＡｓ系のヘ
テロ接合型発光ダイオードアレイは、高光出力であるた
め高速プリンタ用として用いられている。
て、不純物拡散によりｐｎ接合を形成するホモ接合型
（主にＧａＡｓＰ系）と、エピタキシャル成長によりｐ
ｎ接合を形成するヘテロ接合型（主にＧａＡｌＡｓ系）
の２種類が知られている。このうちＧａＡｌＡｓ系のヘ
テロ接合型発光ダイオードアレイは、高光出力であるた
め高速プリンタ用として用いられている。
【０００３】従来用いられてきたＧａＡｌＡｓ系のヘテ
ロ接合型発光ダイオードアレイの構造を図２に示す。
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であり、左側と右側は
それぞれ（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、Ｂ−Ｂ′線断面図
である。図２（ａ）に示すように発光部１３となる多数
のｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３が千鳥状に並
び、そのクラッド層３の一部を構成する発光面１２が一
列に並んでいる。
ロ接合型発光ダイオードアレイの構造を図２に示す。
（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図であり、左側と右側は
それぞれ（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、Ｂ−Ｂ′線断面図
である。図２（ａ）に示すように発光部１３となる多数
のｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３が千鳥状に並
び、そのクラッド層３の一部を構成する発光面１２が一
列に並んでいる。
【０００４】その構造は図２（ｂ）に示すように、ｐ型
ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ活性層
２、ｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３、ｎ+ 型Ｇａ
1-z Ａｌz Ａｓコンタクト層４が順次積層されており、
ウエットエッチングによりエッチング溝１０を形成して
素子間分離を図っている。
ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ活性層
２、ｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３、ｎ+ 型Ｇａ
1-z Ａｌz Ａｓコンタクト層４が順次積層されており、
ウエットエッチングによりエッチング溝１０を形成して
素子間分離を図っている。
【０００５】一般に、ＧａＡｌＡｓエピタキシャル層を
ウエットエッチングすると、エッチング溝の（０１１）
面で切ったときの断面形状は、図２（ｂ）に示すよう
に、約６０°の角度を持つ逆メサ形状になる。
ウエットエッチングすると、エッチング溝の（０１１）
面で切ったときの断面形状は、図２（ｂ）に示すよう
に、約６０°の角度を持つ逆メサ形状になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】近年、発光ダイオード
アレイを用いた光プリンタの分野では、印刷品質の向上
が望まれている。印刷品質を向上するための１つの手段
として発光ダイオードの集積度を上げ、印刷しようする
ドットサイズを小さくすることが行われている。発光ダ
イオードの集積度を上げていくと、当然各発光ダイオー
ドの大きさは小さくなっていく。
アレイを用いた光プリンタの分野では、印刷品質の向上
が望まれている。印刷品質を向上するための１つの手段
として発光ダイオードの集積度を上げ、印刷しようする
ドットサイズを小さくすることが行われている。発光ダ
イオードの集積度を上げていくと、当然各発光ダイオー
ドの大きさは小さくなっていく。
【０００７】例えば、８００ＤＰＩ（＝ｄｏｔ／ｉｎｃ
ｈｉ）の発光ダイオードアレイでは、１つの発光ダイオ
ード当たりの幅は、２５，４００／８００＝３１．８μ
ｍとなる。発光面の最大幅は、実装時の搭載精度±５μ
ｍ、チップ端の発光ダイオードの、チップ端からの距離
２．５μｍを考えて、３１．８−２×（５＋２．５）＝
約１７μｍ程度となる。
ｈｉ）の発光ダイオードアレイでは、１つの発光ダイオ
ード当たりの幅は、２５，４００／８００＝３１．８μ
ｍとなる。発光面の最大幅は、実装時の搭載精度±５μ
ｍ、チップ端の発光ダイオードの、チップ端からの距離
２．５μｍを考えて、３１．８−２×（５＋２．５）＝
約１７μｍ程度となる。
【０００８】この制約下で発光面１２の形状を設計する
と、例えば図２（ｂ）に示すような発光面幅１７μｍ、
ｐｎ接合幅１２μｍという寸法になる。すなわち、エッ
チング溝１０の形状が逆メサ形状であるため、ｐｎ接合
面９の幅が発光面幅よりも狭くなる。
と、例えば図２（ｂ）に示すような発光面幅１７μｍ、
ｐｎ接合幅１２μｍという寸法になる。すなわち、エッ
チング溝１０の形状が逆メサ形状であるため、ｐｎ接合
面９の幅が発光面幅よりも狭くなる。
【０００９】このように高集積化の下では、ｐｎ接合面
９の面積が狭くなるため、電流密度が高く、単位面積当
たりの発熱量が大きくなり、その結果、ｐｎ接合部の温
度が上がり、発光効率が落ち、また、素子の信頼性も低
くなるという欠点があった。
９の面積が狭くなるため、電流密度が高く、単位面積当
たりの発熱量が大きくなり、その結果、ｐｎ接合部の温
度が上がり、発光効率が落ち、また、素子の信頼性も低
くなるという欠点があった。
【００１０】本発明の目的は、同じ発光面積でも従来例
より大きなｐｎ接合面積をもたせることよって、前記し
た従来技術の問題点を解決し、より高い発光出力と信頼
性をもつモノリシック発光ダイオードアレイ及びその製
造方法を提供することにある。
より大きなｐｎ接合面積をもたせることよって、前記し
た従来技術の問題点を解決し、より高い発光出力と信頼
性をもつモノリシック発光ダイオードアレイ及びその製
造方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明のモノリシック発
光ダイオードアレイは、第１導電型基板上に少なくとも
第１導電型エピタキシャル層、その上に第２導電型のエ
ピタキシャル層を備え、第２導電型のエピタキシャル層
をエッチング溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部を
形成したモノリシック発光ダイオードアレイにおいて、
上記エッチング溝の側壁と、第２導電型のエピタキシャ
ル層の表面である発光面とのなす角度が８０°〜１００
°の範囲内にあるようにしたものである。
光ダイオードアレイは、第１導電型基板上に少なくとも
第１導電型エピタキシャル層、その上に第２導電型のエ
ピタキシャル層を備え、第２導電型のエピタキシャル層
をエッチング溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部を
形成したモノリシック発光ダイオードアレイにおいて、
上記エッチング溝の側壁と、第２導電型のエピタキシャ
ル層の表面である発光面とのなす角度が８０°〜１００
°の範囲内にあるようにしたものである。
【００１２】また、本発明のモノリシック発光ダイオー
ドアレイの製造方法は、第１導電型基板上に少なくとも
第１導電型エピタキシャル層、その上に第２導電型のエ
ピタキシャル層を形成し、第２導電型のエピタキシャル
層をエッチング溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部
をもつモノリシック発光ダイオードアレイを製造する方
法において、上記エッチング溝をドライエッチングによ
り形成したものである。
ドアレイの製造方法は、第１導電型基板上に少なくとも
第１導電型エピタキシャル層、その上に第２導電型のエ
ピタキシャル層を形成し、第２導電型のエピタキシャル
層をエッチング溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部
をもつモノリシック発光ダイオードアレイを製造する方
法において、上記エッチング溝をドライエッチングによ
り形成したものである。
【００１３】エッチング溝の側壁と発光面とのなす角度
は、８０°より小さいとエッチング溝が逆メサ形状とな
るため好ましくなく、また１００°より大きいと素子寸
法が大きくなるため好ましくない。
は、８０°より小さいとエッチング溝が逆メサ形状とな
るため好ましくなく、また１００°より大きいと素子寸
法が大きくなるため好ましくない。
【００１４】
【作用】エッチング溝をドライエッチングプロセスで形
成すると、エッチング溝の側壁が発光面に対してほぼ垂
直、すなわちエッチング溝の側壁と第２導電型のエピタ
キシャル層の表面である発光面とのなす角度が８０°〜
１００°の範囲内にはいる。
成すると、エッチング溝の側壁が発光面に対してほぼ垂
直、すなわちエッチング溝の側壁と第２導電型のエピタ
キシャル層の表面である発光面とのなす角度が８０°〜
１００°の範囲内にはいる。
【００１５】これにより発光面幅とｐｎ接合幅がほぼ同
じになり、逆メサエッチング溝のときのように発光面幅
よりもｐｎ接合幅が狭かったときに比して、ｐｎ接合面
の面積が大きくなる。そのためｐｎ接合での電流密度が
下がってｐｎ接合温度が下がるため、発光効率が上が
り、素子の信頼性も上がる。
じになり、逆メサエッチング溝のときのように発光面幅
よりもｐｎ接合幅が狭かったときに比して、ｐｎ接合面
の面積が大きくなる。そのためｐｎ接合での電流密度が
下がってｐｎ接合温度が下がるため、発光効率が上が
り、素子の信頼性も上がる。
【００１６】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に
説明する。図１は本実施例のＧａＡｌＡｓ系のヘテロ接
合型発光ダイオードアレイを示す図である。（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図であり左側と右側はそれぞれ
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、Ｂ−Ｂ′線断面図を示す。
説明する。図１は本実施例のＧａＡｌＡｓ系のヘテロ接
合型発光ダイオードアレイを示す図である。（ａ）は平
面図、（ｂ）は断面図であり左側と右側はそれぞれ
（ａ）のＡ−Ａ′線断面図、Ｂ−Ｂ′線断面図を示す。
【００１７】先ず、この実施例の構造を説明する。図１
（ａ）は先に説明した図２（ａ）と同じであるため説明
を省略する。図１（ｂ）に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基
板１の上にｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層２をエピタキ
シャル成長させる。その混晶比ｘの値はｘ＝０〜０．４
程度の範囲内で、希望する発光波長により適宜定められ
る。
（ａ）は先に説明した図２（ａ）と同じであるため説明
を省略する。図１（ｂ）に示すように、ｐ型ＧａＡｓ基
板１の上にｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層２をエピタキ
シャル成長させる。その混晶比ｘの値はｘ＝０〜０．４
程度の範囲内で、希望する発光波長により適宜定められ
る。
【００１８】ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層２上にｎ型
Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３をエピタキシャル成長
させる。この混晶比ｙをｘよりも高くすることにより、
ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ層２からの発光に対する透過性
と、電子注入効率の増加及びホールの閉じ込めを図って
いる。９は、ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層２とｎ型Ｇ
ａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３とのｐｎ接合面である。
Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３をエピタキシャル成長
させる。この混晶比ｙをｘよりも高くすることにより、
ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ層２からの発光に対する透過性
と、電子注入効率の増加及びホールの閉じ込めを図って
いる。９は、ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層２とｎ型Ｇ
ａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層３とのｐｎ接合面である。
【００１９】ｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓ層クラッド３上に
ｎ+ 型Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓコンタクト層４をエピタキシ
ャル成長させる。ｚを小さい値にして電極とのオーミッ
ク接合を容易にしている。
ｎ+ 型Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓコンタクト層４をエピタキシ
ャル成長させる。ｚを小さい値にして電極とのオーミッ
ク接合を容易にしている。
【００２０】ここで、素子間分離を行うために、ドライ
エッチングプロセスによりｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラ
ッド層３の一部をエッチングして残ったクラッド層３が
千鳥状配列になるようにする（図１（ａ）参照）。エッ
チング溝１０はｐ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ活性層２まで達
するように形成する。
エッチングプロセスによりｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラ
ッド層３の一部をエッチングして残ったクラッド層３が
千鳥状配列になるようにする（図１（ａ）参照）。エッ
チング溝１０はｐ型Ｇａ1-xＡｌx Ａｓ活性層２まで達
するように形成する。
【００２１】ｐ型ＧａＡｓ基板１の裏面にｐ側コンタク
ト電極５を設け、ｎ+ 型Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓコンタクト
層４上にｎ側コンタクト電極６を設け、さらにｎ側コン
タクト電極６上にｎ側ボンディング電極７を設ける。そ
して、電極部以外の結晶が露出している部分をＰＳＧパ
ッシベーション膜８で保護する。１１はエッチング溝の
側壁であり、１２は発光ダイオードの発光面である。
ト電極５を設け、ｎ+ 型Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓコンタクト
層４上にｎ側コンタクト電極６を設け、さらにｎ側コン
タクト電極６上にｎ側ボンディング電極７を設ける。そ
して、電極部以外の結晶が露出している部分をＰＳＧパ
ッシベーション膜８で保護する。１１はエッチング溝の
側壁であり、１２は発光ダイオードの発光面である。
【００２２】さて、エッチング溝１０の側壁１１と発光
面１２とのなす角度は、従来例ではエッチング溝をウエ
ットエッチングで形成していたため約６０°であった
が、本実施例では、図１（ｂ）に示すように、ドライエ
ッチングで形成しているため、ほぼ垂直の８０〜１００
°になっている。このため、発光面１２と、ｐｎ接合面
９との幅Ｌを、ほぼ同じにすることができる。
面１２とのなす角度は、従来例ではエッチング溝をウエ
ットエッチングで形成していたため約６０°であった
が、本実施例では、図１（ｂ）に示すように、ドライエ
ッチングで形成しているため、ほぼ垂直の８０〜１００
°になっている。このため、発光面１２と、ｐｎ接合面
９との幅Ｌを、ほぼ同じにすることができる。
【００２３】上述したように、本実施例の発光ダイオー
ドアレイは発光面１２とｐｎ接合面９との面積がほぼ同
じである。従来例では、図２（ｂ）から分かるように、
８００ＤＰＩリニア発光ダイオードアレイの場合、ｐｎ
接合面９の面積は、発光面１２の面積の１２／１７＝約
７０％となっている。このため、同じ量の電流を流した
場合、本実施例のリニアＬＥＤアレイの電流密度は、従
来例のリニア発光ダイオードアレイの電流密度と比べ約
７０％に減少する。このため、ｐｎ接合面９の温度がよ
り低くなり、より高い発光出力が得られる。また、より
高い信頼性が得られる。
ドアレイは発光面１２とｐｎ接合面９との面積がほぼ同
じである。従来例では、図２（ｂ）から分かるように、
８００ＤＰＩリニア発光ダイオードアレイの場合、ｐｎ
接合面９の面積は、発光面１２の面積の１２／１７＝約
７０％となっている。このため、同じ量の電流を流した
場合、本実施例のリニアＬＥＤアレイの電流密度は、従
来例のリニア発光ダイオードアレイの電流密度と比べ約
７０％に減少する。このため、ｐｎ接合面９の温度がよ
り低くなり、より高い発光出力が得られる。また、より
高い信頼性が得られる。
【００２４】なお、上述した実施例は、シングルヘテロ
構造のリニア発光ダイオードアレイについて説明した
が、本発明はホモ構造またはダブルヘテロ構造のリニア
発光ダイオードアレイにも適用できる。
構造のリニア発光ダイオードアレイについて説明した
が、本発明はホモ構造またはダブルヘテロ構造のリニア
発光ダイオードアレイにも適用できる。
【００２５】また、ドライエッチングプロセスを実現す
る装置は、特に限定されず、例えばプラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチング装置など任意である。
る装置は、特に限定されず、例えばプラズマエッチン
グ、反応性イオンエッチング装置など任意である。
【００２６】
【発明の効果】本発明のモノリシック発光ダイオードア
レイによれば、エッチング溝の側壁が発光面に対してほ
ぼ垂直になっているので、逆メサ溝を有する従来例に比
べ同じ発光面積でもより大きなｐｎ接合面積をもつこと
ができ、ｐｎ接合面に同じ量の電流を流した場合、従来
例のものよりも電流密度が少なくて済むため、ｐｎ接合
面の温度がより低くなる結果、より高い発光出力が得ら
れ、またより高い信頼性が得られる。
レイによれば、エッチング溝の側壁が発光面に対してほ
ぼ垂直になっているので、逆メサ溝を有する従来例に比
べ同じ発光面積でもより大きなｐｎ接合面積をもつこと
ができ、ｐｎ接合面に同じ量の電流を流した場合、従来
例のものよりも電流密度が少なくて済むため、ｐｎ接合
面の温度がより低くなる結果、より高い発光出力が得ら
れ、またより高い信頼性が得られる。
【００２７】本発明のモノリシック発光ダイオードアレ
イの製造方法によれば、エッチングプロセスからドライ
エッチングプロセスに変更するという簡単な方法によ
り、より高い発光出力と高い信頼性をもつ発光ダイオー
ドアレイを製造することができる。
イの製造方法によれば、エッチングプロセスからドライ
エッチングプロセスに変更するという簡単な方法によ
り、より高い発光出力と高い信頼性をもつ発光ダイオー
ドアレイを製造することができる。
【図１】本発明のモノリシック発光ダイオードアレイの
一実施例を説明するためのＧａＡｌＡｓ系のヘテロ接合
型発光ダイオードアレイの平面図及び断面図である。
一実施例を説明するためのＧａＡｌＡｓ系のヘテロ接合
型発光ダイオードアレイの平面図及び断面図である。
【図２】従来例のＧａＡｌＡｓ系のヘテロ接合型発光ダ
イオードアレイの平面図及び断面図である。
イオードアレイの平面図及び断面図である。
１ ｐ型ＧａＡｓ基板 ２ ｐ型Ｇａ1-x Ａｌx Ａｓ活性層 ３ ｎ型Ｇａ1-y Ａｌy Ａｓクラッド層 ４ ｎ+ Ｇａ1-z Ａｌz Ａｓコンタクト層 ９ ｐｎ接合面 １０ エッチング溝 １１ エッチング溝側壁 １２ 発光面 １３ 発光部
Claims (2)
- 【請求項１】第１導電型基板上に少なくとも第１導電型
エピタキシャル層、その上に第２導電型のエピタキシャ
ル層を備え、第２導電型のエピタキシャル層をエッチン
グ溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部を形成したモ
ノリシック発光ダイオードアレイにおいて、上記エッチ
ング溝の側壁と、第２導電型のエピタキシャル層の表面
である発光面とのなす角度が８０°〜１００°の範囲内
にあることを特徴とするモノリシック発光ダイオードア
レイ。 - 【請求項２】第１導電型基板上に少なくとも第１導電型
エピタキシャル層、その上に第２導電型のエピタキシャ
ル層を形成し、第２導電型のエピタキシャル層をエッチ
ング溝で分離して一列に並ぶ複数個の発光部をもつモノ
リシック発光ダイオードアレイを製造する方法におい
て、上記エッチング溝をドライエッチングにより形成し
たことを特徴とするモノリシック発光ダイオードアレイ
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977794A JPH0864863A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | モノリシック発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19977794A JPH0864863A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | モノリシック発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864863A true JPH0864863A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16413449
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19977794A Pending JPH0864863A (ja) | 1994-08-24 | 1994-08-24 | モノリシック発光ダイオードアレイ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864863A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050230A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 京セラ株式会社 | 光学素子および光学素子アレイ |
-
1994
- 1994-08-24 JP JP19977794A patent/JPH0864863A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015050230A (ja) * | 2013-08-30 | 2015-03-16 | 京セラ株式会社 | 光学素子および光学素子アレイ |
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