JPH0864469A - Electrode material and chiplike electronic component using the same - Google Patents
Electrode material and chiplike electronic component using the sameInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電極材料及びこれを用
いた抵抗器、コンデンサ、発振子等のチップ状電子部品
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrode material and a chip-shaped electronic component such as a resistor, a capacitor and an oscillator using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般に、チップ状電子部品は、その側面
に側面電極層が形成されており、この側面電極層をプリ
ント基板等の配線にハンダ付けすることにより接続して
用いられる。この後のチップ状電子部品は、例えばチッ
プ抵抗器を例にとると、次のような構成からなるもので
ある。2. Description of the Related Art Generally, a chip-shaped electronic component has a side surface electrode layer formed on its side surface, and the side surface electrode layer is used by being connected to a wiring such as a printed circuit board by soldering. The subsequent chip-shaped electronic component has the following configuration, for example, in the case of a chip resistor.
【0003】すなわち、チップ抵抗器は、図5にその断
面図を示すように、セラミック等からなる直方体状の絶
縁基板21と、この絶縁基板21の上面においてその両
端部に対向するように形成された一対の上面電極層22
と、上記絶縁基板21の下面において上記上面電極層2
2と対向するように形成された一対の下面電極層23
と、上記上面電極層22に跨るように形成された抵抗層
24と、この抵抗層24上に形成された保護層25と、
上記絶縁基板21の両側面に上記上面電極層22と下面
電極層23とを接続するように形成された側面電極層2
6とを有するものである。That is, as shown in the sectional view of FIG. 5, the chip resistor is formed of a rectangular parallelepiped insulating substrate 21 made of ceramic or the like and an upper surface of the insulating substrate 21 facing both ends thereof. A pair of upper surface electrode layers 22
And the upper surface electrode layer 2 on the lower surface of the insulating substrate 21.
2 and a pair of lower surface electrode layers 23 formed so as to face each other.
A resistance layer 24 formed so as to straddle the upper surface electrode layer 22, a protective layer 25 formed on the resistance layer 24,
Side electrode layers 2 formed on both sides of the insulating substrate 21 so as to connect the upper electrode layer 22 and the lower electrode layer 23.
6 and.
【0004】上記側面電極層26は、ガラスをバインダ
ーとしてAg、Pd等の金属粉を混入させたAgペース
トまたはAg−Pdペーストを印刷し焼成するか、或い
はエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂をバインダーとして上
記金属粉を混入させた導電性樹脂ペーストを印刷し硬化
して形成されている。The side surface electrode layer 26 is formed by printing an Ag paste or an Ag-Pd paste mixed with a metal powder such as Ag or Pd using glass as a binder and firing it, or a thermosetting resin such as an epoxy resin as a binder. Is formed by printing and curing a conductive resin paste mixed with the above metal powder.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成を有するチップ状電子部品において、側面電極
層26は、Ag及びガラス、或いはAg及び熱硬化性樹
脂のペーストから形成されたものであるので、該側面電
極層26をそのままにガラス−エポキシ等からなるプリ
ント基板の配線上にハンダ付けを行っても、側面電極層
26とハンダとの間に満足な合金化が得られずに融着性
が不十分で接続不良を生じたり、チップ状電子部品がプ
リント基板の所定の位置から脱落したりする。これを防
止するためには、上記側面電極層26上にニッケル及び
/またはハンダメッキ層27を順次形成することによ
り、ハンダ付け性を得ることが必要である。However, in the chip-shaped electronic component having the above-mentioned conventional structure, the side surface electrode layer 26 is formed of Ag and glass, or Ag and thermosetting resin paste. Even if the side surface electrode layer 26 is directly soldered on the wiring of the printed circuit board made of glass-epoxy or the like, satisfactory alloying is not obtained between the side surface electrode layer 26 and the solder, and the fusion property is obtained. Is insufficient, connection failure may occur, or the chip-shaped electronic component may drop from a predetermined position on the printed board. In order to prevent this, it is necessary to obtain solderability by sequentially forming nickel and / or a solder plating layer 27 on the side surface electrode layer 26.
【0006】このようにメッキ層27を形成するための
メッキ工程を設けることは、製造装置が大型化する外、
工程が複雑化してしまうといった問題を招くものであっ
た。本発明は、以上のような状況下において考え出され
たもので、表面にメッキ層を形成することなく、ハンダ
付け性を良好にし電極材料およびこれを用いたチップ状
電子部品を提供することを目的とするものである。Providing the plating process for forming the plating layer 27 as described above not only increases the size of the manufacturing apparatus,
This causes a problem that the process becomes complicated. The present invention has been conceived under the circumstances as described above, and an object of the present invention is to provide an electrode material and a chip-shaped electronic component using the same, which has good solderability without forming a plating layer on the surface. It is intended.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、導電性粉末、熱硬化性樹脂及び溶剤を含
有する電極材料であって、前記熱硬化性樹脂は、フェノ
ール樹脂もしくはアクリル樹脂であることを特徴とする
電極材料を提供し得る。また、本発明は更に、上記の電
極材料を含有する電極層を備えたことを特徴とするチッ
プ状電子部品をも提供するものである。In order to solve the above problems, the present invention is an electrode material containing a conductive powder, a thermosetting resin and a solvent, wherein the thermosetting resin is a phenol resin or An electrode material characterized by being an acrylic resin can be provided. The present invention also provides a chip-shaped electronic component including an electrode layer containing the above electrode material.
【0008】本発明の電極材料は、導電性粉末、熱硬化
性樹脂及び溶剤を必須成分とし、上記熱硬化性樹脂とし
ては、フェノール樹脂、アクリル樹脂等が用いられる。
上記熱硬化性樹脂の配合率としては、全重量に対して1
0乃至30%程度、好ましくは15乃至25%程度であ
る。熱硬化性樹脂の配合率が10%を下回ると電極層と
したときの被塗着体に対する密着性が低くなり好ましく
なく、一方30%を上回ると電極層としたときの導電性
が低くなり好ましくない。The electrode material of the present invention contains conductive powder, a thermosetting resin and a solvent as essential components, and as the thermosetting resin, a phenol resin, an acrylic resin or the like is used.
The mixing ratio of the thermosetting resin is 1 based on the total weight.
It is about 0 to 30%, preferably about 15 to 25%. If the blending ratio of the thermosetting resin is less than 10%, the adhesion to the adherend when formed into an electrode layer is low, which is not preferable, while if it exceeds 30%, the conductivity when formed into an electrode layer is low, which is preferable. Absent.
【0009】本発明の導電性粉末としては、特に限定さ
れることなく、例えばAg、Ni、Au、Pt、Cu、
Al、Pd等の金属粉末、表面に金属の被覆層を有する
粉末等を広く使用することができ、これらの1種もしく
は2種以上を用いることができる。本発明において導電
性粉末にAu、Pt、AgとNiとの混合物、或いはA
gとPdとNiとの混合物を用いたときは、特に導電性
及びハンダ付け性を高める点で好ましい。上記金属粉末
を複数種用いるときは、導電性の高いAu、Pt、Ag
等とハンダ付け性の高いNi、Au、Pt、Pd等と
を、効果的に導電性及びハンダ付け性が得られるように
適宜組み合わせ配合して用いればよい。導電性粉末の形
態は、球状、樹枝状、フレーク状、不定形の何れであっ
てもよく、導電性を高める点で樹枝状が特に好ましい。
また、導電性粉末の平均粒径は、高密度とし導電性を高
め得る点で小さい程好ましく、30μm程度以下、より
好ましくは1乃至10μm程度である。本発明の電極材
料における上記導電性粉末の配合率としては、全重量に
対して50乃至80%程度、好ましくは55乃至70%
程度である。導電性粉末の配合率が50%を下回ると電
極層としたときの導電性が低くなり好ましくなく、一方
80%を上回ると電極層としたときの被塗着体に対する
密着性が低くなり好ましくない。The conductive powder of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include Ag, Ni, Au, Pt, Cu,
Metal powders such as Al and Pd and powders having a metal coating layer on the surface thereof can be widely used, and one kind or two or more kinds thereof can be used. In the present invention, the conductive powder is Au, Pt, a mixture of Ag and Ni, or A
When a mixture of g, Pd and Ni is used, it is particularly preferable in terms of enhancing conductivity and solderability. When a plurality of kinds of the above metal powders are used, Au, Pt, Ag having high conductivity are used.
Etc. and Ni, Au, Pt, Pd, etc. having high solderability may be appropriately combined and blended so as to effectively obtain conductivity and solderability. The form of the conductive powder may be spherical, dendritic, flake-shaped, or amorphous, and dendritic is particularly preferable in terms of enhancing conductivity.
In addition, the average particle diameter of the conductive powder is preferably as small as possible in order to achieve high density and enhance conductivity, and is preferably about 30 μm or less, more preferably about 1 to 10 μm. The content of the conductive powder in the electrode material of the present invention is about 50 to 80%, preferably 55 to 70% based on the total weight.
It is a degree. When the compounding ratio of the conductive powder is less than 50%, the conductivity of the electrode layer becomes low, which is not preferable, while when it is more than 80%, the adhesion to the adherend when the electrode layer becomes low is not preferable. .
【0010】上記導電性粉末及び熱硬化性樹脂は、溶剤
により粘度を調整し、ディスパー、ボールミル、3本ロ
ール等により十分に混練されてペースト状とされ電極材
料とされる。本発明の電極材料は、例えば被塗着物に塗
着され、一定時間加熱されて熱硬化性樹脂成分を硬化さ
せ、その後常温に戻され電極層とされる。本発明におい
て用いることのできる溶剤としては、上記熱硬化性樹脂
の樹脂成分を分散乃至溶解させ、電極材料を電極層とす
るための加熱時に蒸発するものであれば特に限定される
ことなく使用することができ、具体的には、例えばテル
ピネオール、ブチルカルビトールアセテート、エチレン
グリコールジメチルエーテル等の各種有機溶剤を挙げる
ことができる。本発明の電極材料における上記溶剤の配
合率としては、全重量に対して5乃至15%程度であ
る。但し、上記溶剤の配合量は、溶剤の種類、樹脂成分
の種類及び配合率、混練条件等により異なり、混練後の
電極材料が塗着可能な範囲の粘度になるように調整され
るのが好ましい。The conductive powder and the thermosetting resin are adjusted in viscosity with a solvent and sufficiently kneaded with a disper, a ball mill, a three-roll mill or the like to form a paste, which is used as an electrode material. The electrode material of the present invention is applied to, for example, an adherend, heated for a certain period of time to cure the thermosetting resin component, and then returned to room temperature to form an electrode layer. The solvent that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it disperses or dissolves the resin component of the thermosetting resin and evaporates when heated to form the electrode material into the electrode layer. Examples thereof include various organic solvents such as terpineol, butyl carbitol acetate, and ethylene glycol dimethyl ether. The compounding ratio of the solvent in the electrode material of the present invention is about 5 to 15% based on the total weight. However, the blending amount of the solvent varies depending on the type of the solvent, the type and blending ratio of the resin components, the kneading conditions, etc., and it is preferable that the electrode material after the kneading is adjusted to have a viscosity within a coatable range. .
【0011】また、本発明において、上記必須成分以外
に、上記導電性粉末の酸化を防止するための酸化防止
剤、フィラー、顔料等の各種添加剤を電極材料としての
導電性及びハンダとの融着性を低減させない範囲で用い
てもかまわない。さらに、本発明の電極材料を用いた電
極層を備えたチップ状電子部品において、電極層を形成
する際には、温度は150乃至250℃程度、より好ま
しくは180乃至230℃程度、また、時間は5乃至3
0分程度の範囲であり、より好ましくは10乃至20分
程度の範囲の、加熱条件で硬化させなければならない。In the present invention, in addition to the above-mentioned essential components, various additives such as antioxidants, fillers, pigments, etc. for preventing the oxidation of the above-mentioned conductive powder are used as an electrode material for the conductivity and melting with the solder. You may use it in the range which does not reduce stickiness. Furthermore, in the chip-shaped electronic component provided with the electrode layer using the electrode material of the present invention, when forming the electrode layer, the temperature is about 150 to 250 ° C., more preferably about 180 to 230 ° C., and the time Is 5 to 3
It should be cured under heating conditions for about 0 minutes, more preferably for about 10 to 20 minutes.
【0012】[0012]
【発明の作用及び効果】本発明によれば、電極材料中の
熱硬化性樹脂として、フェノール樹脂もしくはアクリル
樹脂を用いたので、例えばこの電極材料を、加熱温度が
150乃至250度程度、加熱時間が5乃至30分程度
の条件下で加熱硬化させることにより電極層を形成する
際に、上記加熱により電極材料中に含まれる溶剤が蒸発
するとともに、上記導電性粉末を覆うように存在する熱
硬化性樹脂がペースト状態から熱硬化するまでの僅かな
間に液化状態となり極めて流動的になるので、電極材料
表面には導電性粉末が部分的に露出した状態になる。こ
のような状態のまま硬化して形成される電極層上にハン
ダ付けを行う場合、露出した導電性粉末とハンダが合金
化して強固に融着されるのである。According to the present invention, since the phenol resin or the acrylic resin is used as the thermosetting resin in the electrode material, for example, this electrode material is heated at a heating temperature of about 150 to 250 degrees and a heating time. When the electrode layer is formed by heat-curing under the condition of about 5 to 30 minutes, the solvent contained in the electrode material is evaporated by the above-mentioned heating, and the heat-curing is present so as to cover the conductive powder. The conductive resin becomes a liquefied state and becomes extremely fluid in a short time from the paste state to the thermosetting, so that the conductive powder is partially exposed on the surface of the electrode material. When soldering is performed on the electrode layer formed by curing in such a state, the exposed conductive powder and the solder are alloyed and firmly fused.
【0013】このような本発明の電極材料をチップ抵抗
器の側面電極層として用い、このチップ抵抗器をプリン
ト基板の配線上にハンダ付けする場合、上述したように
ハンダと上記側面電極層の表面に露出した導電性粉末と
が合金化することにより、ハンダと上記側面電極層とは
充分強固に融着されるので、メッキ層を介することな
く、良好なハンダ付けを行うことが可能となる。When such an electrode material of the present invention is used as a side electrode layer of a chip resistor and this chip resistor is soldered onto the wiring of a printed circuit board, as described above, the solder and the surface of the side electrode layer are formed. Since the solder and the side surface electrode layer are sufficiently firmly fused by alloying with the conductive powder exposed on the surface, good soldering can be performed without the plating layer.
【0014】[0014]
【実施例】以下、本発明の一実施例を、図1乃至図4を
参照しつつ説明するが、本発明はこれら実施例に限定さ
れることはない。まず、本実施例に用いる電極材料およ
びこれと比較するための電極材料の調整を説明する。 (電極材料の調製) (実施例1)平均粒径5μmのCu粉末とAg粉末とを
Cu:Ag=9:5の重量比で混合した金属粉末57重
量%、フェノール樹脂28重量%及びテルピネオール1
5重量%をディスパーにより十分混練してペースト状の
電極材料を得た。EXAMPLES Examples of the present invention will now be described with reference to FIGS. 1 to 4, but the present invention is not limited to these examples. First, the electrode material used in this example and the adjustment of the electrode material for comparison therewith will be described. (Preparation of Electrode Material) (Example 1) Cu powder having an average particle diameter of 5 μm and Ag powder were mixed at a weight ratio of Cu: Ag = 9: 5, 57 wt% of metal powder, 28 wt% of phenol resin, and terpineol 1
5% by weight was sufficiently kneaded with a disper to obtain a paste-like electrode material.
【0015】(実施例2)平均粒径5μmのCu粉末と
Ag粉末とをCu:Ag=9:5の重量比で混合した金
属粉末78重量%、フェノール樹脂12重量%及びテル
ピネオール10重量%をディスパーにより十分混練して
ペースト状の電極材料を得た。 (実施例3)平均粒径5μmのCu粉末とAg粉末とを
Cu:Ag=9:5の重量比で混合した金属粉末62重
量%、フェノール樹脂23重量%及びテルピネオール1
5重量%をディスパーにより十分混練してペースト状の
電極材料を得た。(Example 2) Cu powder having an average particle diameter of 5 μm and Ag powder were mixed in a weight ratio of Cu: Ag = 9: 5 to obtain 78 wt% of metal powder, 12 wt% of phenol resin and 10 wt% of terpineol. The mixture was sufficiently kneaded with a disper to obtain a paste-like electrode material. (Example 3) 62% by weight of metal powder prepared by mixing Cu powder and Ag powder having an average particle diameter of 5 μm in a weight ratio of Cu: Ag = 9: 5, phenol resin 23% by weight and terpineol 1
5% by weight was sufficiently kneaded with a disper to obtain a paste-like electrode material.
【0016】(実施例4)平均粒径5μmのCu粉末と
Ag粉末とをCu:Ag=9:5の重量比で混合した金
属粉末73重量%、フェノール樹脂17重量%及びテル
ピネオール10重量%をディスパーにより十分混練して
ペースト状の電極材料を得た。 (比較例1)平均粒径5μmのAg粉末とNi粉末とを
Ag:Ni=9:5の重量比で混合した金属粉末77重
量%、フェノール樹脂8重量%及びテルピネオール15
重量%をディスパーにより十分混練してペースト状の電
極材料を得た。(Example 4) Cu powder having an average particle diameter of 5 μm and Ag powder were mixed in a weight ratio of Cu: Ag = 9: 5 to obtain 73 wt% of metal powder, 17 wt% of phenol resin and 10 wt% of terpineol. The mixture was sufficiently kneaded with a disper to obtain a paste-like electrode material. (Comparative Example 1) 77% by weight of a metal powder obtained by mixing Ag powder and Ni powder having an average particle diameter of 5 μm in a weight ratio of Ag: Ni = 9: 5, 8% by weight of a phenol resin and 15 of terpineol.
A paste-like electrode material was obtained by sufficiently kneading the weight% with a disper.
【0017】(比較例2)平均粒径5μmのAg粉末と
Ni粉末とをAg:Ni=9:5の重量比で混合した金
属粉末60重量%、フェノール樹脂32重量%及びテル
ピネオール8重量%をディスパーにより十分混練してペ
ースト状の電極材料を得た。 (比較例3)平均粒径5μmのAg粉末とNi粉末とを
Ag:Ni=9:5の重量比で混合した金属粉末70重
量%、エポキシ樹脂20重量%及びテルピネオール10
重量%をディスパーにより十分混練してペースト状の電
極材料を得た。 (電極層の形成方法)次に、上記実施例1乃至3及び比
較例1乃至3で得られた電極材料を用いてチップ抵抗器
の側面電極層を形成する方法を説明する。(Comparative Example 2) 60% by weight of metal powder, 32% by weight of phenol resin and 8% by weight of terpineol were prepared by mixing Ag powder and Ni powder having an average particle diameter of 5 μm in a weight ratio of Ag: Ni = 9: 5. The mixture was sufficiently kneaded with a disper to obtain a paste-like electrode material. (Comparative Example 3) 70% by weight of a metal powder obtained by mixing Ag powder and Ni powder having an average particle diameter of 5 μm in a weight ratio of Ag: Ni = 9: 5, 20% by weight of an epoxy resin and 10 of terpineol.
A paste-like electrode material was obtained by sufficiently kneading the weight% with a disper. (Method of Forming Electrode Layer) Next, a method of forming the side surface electrode layer of the chip resistor by using the electrode materials obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3 will be described.
【0018】まず、図1に斜視図、図2に断面図を示す
ように、矩形板状のアルミナ基板1の上面の両端部にA
g−ガラス系の上面電極層2を対向するように形成す
る。次いで、上記アルミナ基板1の下面に、上記上面電
極層2とアルミナ基板1を挟んで対向するようにAg−
ガラス系の下面電極層3を形成する。そして、アルミナ
基板1の上面に、上記上面電極層2に跨るように抵抗層
4を形成する。さらに、この抵抗層4上に、これを覆い
且つ上記上面電極層2のアルミナ基板1の端部側を露出
するようにガラス保護層5を形成する。First, as shown in a perspective view in FIG. 1 and a sectional view in FIG. 2, A is formed on both ends of the upper surface of a rectangular plate-shaped alumina substrate 1.
The g-glass type upper surface electrode layers 2 are formed so as to face each other. Then, Ag− is formed on the lower surface of the alumina substrate 1 so as to face the upper electrode layer 2 with the alumina substrate 1 interposed therebetween.
The glass-based lower surface electrode layer 3 is formed. Then, the resistance layer 4 is formed on the upper surface of the alumina substrate 1 so as to extend over the upper surface electrode layer 2. Further, a glass protective layer 5 is formed on the resistance layer 4 so as to cover the resistance layer 4 and expose the end portion side of the alumina substrate 1 of the upper surface electrode layer 2.
【0019】ここで、実施例及び比較例の電極材料のそ
れぞれを、上記アルミナ基板1の両側面に、上記上面電
極層2及び下面電極層3を部分的に覆うように塗着させ
る。そして、上記状態のチップ抵抗器を、熱風循環式ト
ンネル型加熱炉(加熱炉中において熱風を吹き出し循環
させた状態となっている)にてピーク温度200℃で1
5分間の条件で加熱する。Here, each of the electrode materials of Examples and Comparative Examples is applied to both side surfaces of the alumina substrate 1 so as to partially cover the upper surface electrode layer 2 and the lower surface electrode layer 3. Then, the chip resistor in the above-mentioned state is heated at a peak temperature of 200 ° C. in a hot air circulation type tunnel heating furnace (a state in which hot air is blown and circulated in the heating furnace).
Heat for 5 minutes.
【0020】この場合、側面電極層6中の状態は、これ
を上記熱硬化性樹脂7の硬化温度に加熱していくと、溶
剤が蒸発しつつ、熱硬化性樹脂8が硬化し始める。ここ
で、上記熱硬化性樹脂7がフェノール樹脂の場合には、
図3(a)に断面模式図を示すように、これがペースト
状態から硬化するまでの間において僅かの間ではあるが
液化して非常に流動性の高い状態になるために、電極材
料中の導電性粉末8がむき出しになって露出してしま
う。In this case, when the side electrode layer 6 is heated to the curing temperature of the thermosetting resin 7, the thermosetting resin 8 begins to cure while the solvent evaporates. Here, when the thermosetting resin 7 is a phenol resin,
As shown in the schematic cross-sectional view in FIG. 3 (a), since this is liquefied and has a very high fluidity for a short period from the paste state to the curing, the conductivity in the electrode material is reduced. The nature powder 8 is exposed and exposed.
【0021】しかし、上記熱硬化性樹脂7がエポキシ樹
脂の場合には、図3(b)に断面模式図を示すように、
溶剤が蒸発すると同時に硬化するので、電極材料中の導
電性粉末8は、エポキシ樹脂に覆われたそのままの状態
である。この後に、溶剤7はほぼ完全に蒸発し、熱硬化
性樹脂7はほぼ完全に硬化する。 さらに、上記加熱炉
から周辺温度が常温である環境下に取りだして、上面電
極層2と下面電極層3とを接続する側面電極層6を層厚
20μm程度として形成する。However, when the thermosetting resin 7 is an epoxy resin, as shown in the schematic sectional view of FIG.
Since the solvent evaporates and hardens at the same time, the conductive powder 8 in the electrode material remains covered with the epoxy resin. After this, the solvent 7 is almost completely evaporated and the thermosetting resin 7 is almost completely hardened. Further, it is taken out from the heating furnace in an environment where the ambient temperature is room temperature, and the side surface electrode layer 6 connecting the upper surface electrode layer 2 and the lower surface electrode layer 3 is formed with a layer thickness of about 20 μm.
【0022】本実施例においては、側面電極層6を形成
する際に、チップ抵抗器をピーク温度200℃で15分
間の条件で加熱しているが、これに限定するものでな
く、加熱温度を150乃至250度の範囲、加熱時間を
5乃至30分の範囲としてもよく、より好ましくは、加
熱温度を180乃至230度の範囲、加熱時間を10乃
至20分の範囲とすればよい。In the present embodiment, when forming the side surface electrode layer 6, the chip resistor is heated at a peak temperature of 200 ° C. for 15 minutes, but the heating temperature is not limited to this. The heating temperature may be in the range of 150 to 250 degrees and the heating time may be in the range of 5 to 30 minutes. More preferably, the heating temperature may be in the range of 180 to 230 degrees and the heating time may be in the range of 10 to 20 minutes.
【0023】また、本実施例においては、側面電極層6
を熱風循環式トンネル型加熱炉にて加熱することにより
硬化しているが、これに限定するものでなく、遠赤外線
式加熱炉、熱風循環式オーブン等、種々の方法により加
熱してもよい。さらに、本実施例においては、側面電極
層6の膜厚を20μm程度としているが、これに限定す
るものでなく、約10μm以上とするのが好ましい。 (電極層の比較)このようにして得られたチップ抵抗器
の側面電極層6のアルミナ基板1に対する密着性を調べ
たところ、実施例1乃至4及び比較例2乃び3の電極材
料を用いたものは何れも良好であったが、比較例1につ
いては、密着性の劣るものであった。In the present embodiment, the side surface electrode layer 6
Is cured by heating in a hot air circulation type tunnel type heating furnace, but it is not limited to this, and may be heated by various methods such as a far infrared heating furnace and a hot air circulation type oven. Further, although the thickness of the side surface electrode layer 6 is set to about 20 μm in this embodiment, the thickness is not limited to this, and it is preferably about 10 μm or more. (Comparison of electrode layers) When the adhesion of the side surface electrode layer 6 of the chip resistor thus obtained to the alumina substrate 1 was examined, the electrode materials of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 2 to 3 were used. All of them were good, but the adhesiveness of Comparative Example 1 was poor.
【0024】次に、実施例1乃至4及び比較例1乃至3
で得られた電極材料を用いたチップ抵抗器のそれぞれ
を、図4(a)および図4(b)に示すように、プリン
ト基板9の配線91に200乃至250℃でハンダ10
付けにより実装した(尚、図4(a)は実施例3を示
し、図4(b)は比較例3を示したものである)。その
結果は次の通りである。Next, Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3
As shown in FIGS. 4A and 4B, each of the chip resistors using the electrode material obtained in step 1 is soldered to the wiring 91 of the printed board 9 at 200 to 250 ° C.
4 (a) shows Example 3 and FIG. 4 (b) shows Comparative Example 3). The results are as follows.
【0025】実施例1乃至4を用いたチップ抵抗器は、
その側面電極層6とハンダ10との融着性に優れたもの
で、その中でも特に実施例3及び4のものが優れてい
た。しかし、比較例1乃至3を用いたチップ抵抗器にお
いてはハンダ10との融着性が低く好ましくなかった。
また、実施例1乃至4及び比較例1を用いたチップ抵抗
器は、その側面電極層6とハンダ10との導電性に優れ
たいた。しかし、比較例2および3を用いたチップ抵抗
器においては導電性が劣るものであった。The chip resistors using Examples 1 to 4 are
The adhesiveness between the side surface electrode layer 6 and the solder 10 was excellent, and those of Examples 3 and 4 were particularly excellent. However, the chip resistors using Comparative Examples 1 to 3 were not preferable because of poor fusion property with the solder 10.
Further, the chip resistors using Examples 1 to 4 and Comparative Example 1 were excellent in the conductivity between the side surface electrode layer 6 and the solder 10. However, the chip resistors using Comparative Examples 2 and 3 were inferior in conductivity.
【0026】以上のように、本発明の電極材料によれ
ば、メッキ層を形成しなくても良好なハンダ付け性を有
する電極層を得ることができる。従って、本発明の電極
材料を用いたチップ状電子部品は、外部接続用の端子と
なる電極層上にメッキ層を設ける必要なく良好にハンダ
付けを行うことができる。即ち、従来のチップ状電子部
品の側面電極層の形成工程後のメッキ工程を必要とせ
ず、チップ状電子部品の製造装置の小型化および製造工
程の簡素化を図れるのである。As described above, according to the electrode material of the present invention, an electrode layer having good solderability can be obtained without forming a plating layer. Therefore, the chip-shaped electronic component using the electrode material of the present invention can be satisfactorily soldered without the need to provide a plating layer on the electrode layer serving as a terminal for external connection. That is, it is possible to reduce the size of the manufacturing apparatus for a chip-shaped electronic component and simplify the manufacturing process without the need for a plating process after the step of forming the side electrode layer of the conventional chip-shaped electronic component.
【0027】本実施例においては、熱硬化性樹脂として
フェノール樹脂を用いているが、アクリル樹脂を用いた
場合であっても、上記と略同等の作用効果を得ることが
できる。また、本実施例においては、チップ状電子部品
としてチップ抵抗器を用いたが、本発明はこれに限定さ
れることなく、チップ型の積層セラミックコンデンサ、
固体電解コンデンサ、発振子等の、半田付けに供される
電極層を有するチップ状電子部品に広く適用されるもの
である。In the present embodiment, the phenol resin is used as the thermosetting resin, but even when the acrylic resin is used, it is possible to obtain substantially the same effects as the above. Further, in the present embodiment, the chip resistor is used as the chip-shaped electronic component, but the present invention is not limited to this, and a chip type multilayer ceramic capacitor,
It is widely applied to a chip-shaped electronic component having an electrode layer used for soldering, such as a solid electrolytic capacitor and an oscillator.
【図1】本発明の実施例におけるチップ抵抗器を示す斜
視図である。FIG. 1 is a perspective view showing a chip resistor according to an embodiment of the present invention.
【図2】図1のチップ抵抗器のX−X断面図である。2 is a cross-sectional view taken along the line XX of the chip resistor of FIG.
【図3】基板の側面に本発明の電極材料を塗着し、これ
を加熱したときの電極材料の状態を説明する断面の模式
図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining the state of the electrode material when the electrode material of the present invention is applied to the side surface of the substrate and the electrode material is heated.
【図4】図3により得られるチップ抵抗器をプリント基
板にハンダ付けした際の状態を説明する断面の模式図で
ある。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view illustrating a state when the chip resistor obtained in FIG. 3 is soldered to a printed board.
【図5】従来のチップ抵抗器を示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a conventional chip resistor.
1 アルミナ基板 2 上面電極層 3 下面電極層 4 抵抗層 5 保護層 6 側面電極層 7 熱硬化性樹脂 8 導電性粉末 9 プリント基板 10 ハンダ 1 Alumina substrate 2 Upper surface electrode layer 3 Lower surface electrode layer 4 Resistance layer 5 Protective layer 6 Side surface electrode layer 7 Thermosetting resin 8 Conductive powder 9 Printed circuit board 10 Solder
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 1/09 D 7726−4E Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H05K 1/09 D 7726-4E
Claims (2)
有する電極材料であって、前記熱硬化性樹脂は、フェノ
ール樹脂もしくはアクリル樹脂であることを特徴とする
電極材料。1. An electrode material containing an electrically conductive powder, a thermosetting resin and a solvent, wherein the thermosetting resin is a phenol resin or an acrylic resin.
極層を備えたことを特徴とするチップ状電子部品。2. A chip-shaped electronic component, comprising an electrode layer containing the electrode material according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20184994A JPH0864469A (en) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | Electrode material and chiplike electronic component using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP20184994A JPH0864469A (en) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | Electrode material and chiplike electronic component using the same |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0864469A true JPH0864469A (en) | 1996-03-08 |
Family
ID=16447911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP20184994A Pending JPH0864469A (en) | 1994-08-26 | 1994-08-26 | Electrode material and chiplike electronic component using the same |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0864469A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1994
- 1994-08-26 JP JP20184994A patent/JPH0864469A/en active Pending
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