JPH0862625A - Production of liquid crystal display substrate - Google Patents

Production of liquid crystal display substrate

Info

Publication number
JPH0862625A
JPH0862625A JP19235794A JP19235794A JPH0862625A JP H0862625 A JPH0862625 A JP H0862625A JP 19235794 A JP19235794 A JP 19235794A JP 19235794 A JP19235794 A JP 19235794A JP H0862625 A JPH0862625 A JP H0862625A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gate line
common
line
drain
liquid crystal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP19235794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazufumi Miyata
一史 宮田
Susumu Niwa
進 丹羽
Nobuyuki Suzuki
伸幸 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP19235794A priority Critical patent/JPH0862625A/en
Publication of JPH0862625A publication Critical patent/JPH0862625A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE: To exactly execute the decision of shorting points without errors. CONSTITUTION: This process for producing liquid crystal display substrate comprises forming gate line 11 groups which extend in a direction (y) and are juxtaposed in a direction (x) and drain line 12 groups which are insulated from these gate line 11 groups, extend in the direction (x) and are juxtaposed in the direction (y) on the liquid crystal side of at least one transparent substrate of the transparent substrates arranged to face each other via liquid crystals. Further, the gate line 11 groups and the drain line 12 groups are respectively commonly connected by common gate lines and common drain lines 12A within the regions of the transparent substrates to be cut and discarded in later stages. The process described above includes an inspection stage for deciding shorting of the gate line 11 groups and the drain line 12 groups by impressing voltage between the common gate lines and the common drain lines 12A and detecting the gate lines 11 and drain lines 12 which release IR rays. The respective gate lines 11 and the respective drain lines 12 are provided with high-resistance parts (11R) 12R in the parts in proximity to the respective common gate lines and common drain lines 12A.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、液晶表示基板の製造方
法に係り、特に、液晶表示基板にいわゆるゲート線群お
よびドレイン線群を形成した段階で、ゲート線とドレイ
ン線とがショートしているか否かの検査を行なう工程が
含まれる液晶表示基板の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a liquid crystal display substrate, and more particularly, when a so-called gate line group and drain line group are formed on the liquid crystal display substrate, the gate line and the drain line are short-circuited. The present invention relates to a method for manufacturing a liquid crystal display substrate including a step of inspecting whether or not there is any.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、アクティブ・マトリックス方
式の液晶表示基板は、液晶を介在して互いに対向配置さ
れる透明基板のうち、一方の透明基板の液晶側の面に、
y方向に延在しx方向に並設されるゲート線群と、この
ゲート線群と絶縁されてx方向に延在しy方向に並設さ
れるドレイン線群とが形成されている。
2. Description of the Related Art For example, an active matrix type liquid crystal display substrate has a liquid crystal side surface of one of the transparent substrates which are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween.
A gate line group extending in the y direction and arranged in parallel in the x direction and a drain line group insulated from the gate line group and extending in the x direction and arranged in the y direction are formed.

【0003】そして、これら互いに交差するゲート線群
とドレイン線群とで囲まれる各領域に、該ゲート線から
の走査信号によってオンするスイッチング素子と、該ド
レイン線からの映像信号が前記スイッチング素子を介し
て供給される画素電極とが形成されて、いわゆる画素が
構成されている。
Then, in each region surrounded by the gate line group and the drain line group intersecting with each other, a switching element which is turned on by a scanning signal from the gate line and a video signal from the drain line cause the switching element to operate. A so-called pixel is formed by forming a pixel electrode supplied through the pixel electrode.

【0004】ところで、このような構成の液晶表示基板
の製造において、少なくともゲート線群とドレイン線群
とを形成した段階で、ゲート線とドレイン線とがショー
トしているか否かの検査がなされる。
By the way, in the manufacture of the liquid crystal display substrate having such a structure, it is inspected whether or not the gate line and the drain line are short-circuited at least when the gate line group and the drain line group are formed. .

【0005】この検査では、たとえば、ゲート線群およ
びドレイン線群とが形成された同一の透明基板の周面
で、かつ後の工程で切断放棄される領域面に、該ゲート
線群を共通接続させたコモンゲート線、および該ドレイ
ン線群を共通接続させたコモンドレイン線を形成させて
おき、該コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電
圧を印加するとともに、赤外線を放出するゲート線とド
レイン線の有無をたとえば赤外線カメラで判定する方法
が知られている。
In this inspection, for example, the gate line group is commonly connected to the peripheral surface of the same transparent substrate on which the gate line group and the drain line group are formed and to the area surface to be cut off in a later step. A common drain line formed by commonly connecting the common gate line and the drain line group, and applying a voltage between the common gate line and the common drain line and emitting a infrared ray; There is known a method of determining the presence / absence of a drain line with, for example, an infrared camera.

【0006】このような検査は、たとえば特開平1−1
85454公報等で知られている。
Such an inspection is carried out, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 1-1.
It is known from, for example, 85454.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな検査は、ショート個所の判定に困難な場合があるこ
とが指摘されるに到った。
However, it has been pointed out that such an inspection may be difficult to determine a short-circuited portion.

【0008】すなわち、ショート個所からコモンゲート
線およびコモンドレイン線にまで到るゲート線およびド
レイン線を熱源とし、この熱源から比較的広範囲に及ん
で容易に熱の伝導がなされ隣接する他のゲート線あるい
はドレイン線にまで加熱することになり、結果として、
きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難であ
るということに原因していた。
That is, a gate line and a drain line extending from a short-circuited portion to a common gate line and a common drain line are used as heat sources, and heat is easily conducted over a relatively wide range from the heat source, and other adjacent gate lines are used. Or it will heat up to the drain wire, and as a result,
This was because it was difficult to detect the outstanding infrared radiation region.

【0009】それ故、本発明はこのような事情に基づい
てなされたものであり、その目的とするところのもの
は、ショート個所の判定を誤りなく正確に行なうことが
できる液晶表示基板の製造方法を提供することにある。
Therefore, the present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is a method of manufacturing a liquid crystal display substrate capable of accurately determining a shorted portion without error. To provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、次のような手段からなるものであ
る。
In order to achieve such an object, the present invention comprises the following means.

【0011】手段1.液晶を介して互いに対向配置され
る透明基板の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面
に、y方向に延在しx方向に並設されるゲート線群と、
このゲート線群と絶縁されてx方向に延在しy方向に並
設されるドレイン線群とが形成され、後の工程で切断放
棄される前記透明基板の領域内で前記ゲート線群および
ドレイン線群とがそれぞれコモンゲート線およびコモン
ドレイン線によって共通接続されたものであって、前記
コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電圧を印加
するとともに、赤外線を放出するゲート線とドレイン線
の検出によってそれらのゲート線とドレイン線とのショ
ートを判定する検査工程を含む液晶表示基板の製造方法
において、各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれの
コモンゲート線およびコモンドレイン線に近接する部分
に高抵抗の部分を設けてなることを特徴とするものであ
る。
Means 1. A group of gate lines extending in the y direction and juxtaposed in the x direction on the liquid crystal side surface of at least one of the transparent substrates arranged to face each other with the liquid crystal in between.
The gate line group and the drain are formed in a region of the transparent substrate which is insulated from the gate line group and extends in the x direction and is arranged in parallel in the y direction, and is cut and discarded in a later step. Line groups are commonly connected by a common gate line and a common drain line, respectively, and a voltage is applied between the common gate line and the common drain line, and infrared rays are emitted from the gate line and the drain line. In a method of manufacturing a liquid crystal display substrate, which includes an inspection step of determining a short circuit between the gate line and the drain line by detection, a high voltage is applied to a portion of each gate line and each drain line in the vicinity of the common gate line and the common drain line. It is characterized in that a resistance portion is provided.

【0012】手段2.手段1記載の構成において、ゲー
ト線およびドレイン線のうち少なくとも一方は、透明導
電層を含む積層体から構成され、前記高抵抗の部分は前
記透明導電層のみの一層構造となっていることを特徴と
するものである。
Means 2. In the configuration according to means 1, at least one of the gate line and the drain line is formed of a laminated body including a transparent conductive layer, and the high resistance portion has a single-layer structure including only the transparent conductive layer. It is what

【0013】[0013]

【作用】手段1記載の構成によれば、従来と同様、たと
えばあるゲート線とドレイン線との間にショートが存在
していた場合、そのショート個所からコモンゲート線に
到るゲート線およびコモンドレイン線に到るドレイン線
がジュール熱によって発熱し、赤外線を放射することに
なる。
According to the structure described in the means 1, when there is a short circuit between a certain gate line and the drain line, as in the conventional case, the gate line and the common drain which reach the common gate line from the short circuit point. The drain wire reaching the wire heats up due to Joule heat and emits infrared rays.

【0014】この赤外線をたとえば赤外線カメラ等で検
知することで、前記ショート個所を判定することができ
るようになる。
By detecting this infrared ray with, for example, an infrared camera or the like, it becomes possible to determine the short-circuited portion.

【0015】しかし、この場合、該ゲート線の高抵抗の
部分およびドレイン線の高抵抗の部分が特に発熱し、こ
この部分からの赤外線の放射量も多くなり、検知しよう
とするゲート線およびドレイン線の確認が極めて容易に
なる。
In this case, however, the high resistance part of the gate line and the high resistance part of the drain line generate heat particularly, and the amount of infrared radiation from this part also increases, and the gate line and the drain to be detected are detected. It is extremely easy to check the lines.

【0016】したがって、従来、熱源から比較的広範囲
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
Therefore, conventionally, the heat is easily conducted over a relatively wide range from the heat source and the adjacent gate line or drain line is heated, and as a result, a remarkable infrared radiation region is detected. It becomes possible to eliminate the adverse effect that it is difficult to perform.

【0017】このため、ショート個所の判定を誤りなく
正確に行なうことができるようになる。
Therefore, it becomes possible to accurately determine the short-circuited portion without any error.

【0018】また、手段2記載の構成によれば、積層体
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成できるので、製造工数を従来の
ままとし形成することができるようになる。
Further, according to the structure described in the means 2, since the other material layers other than the transparent conductive layer in the laminate can be formed in a pattern of cutting at the high resistance portion, the number of manufacturing steps is kept as it is. You will be able to.

【0019】[0019]

【実施例】図2は、液晶を介して互いに対向配置された
ガラス基板のうち一方のガラス基板を示す平面図であ
り、その製造過程の一工程におけるガラス基板を示した
ものである。
EXAMPLE FIG. 2 is a plan view showing one of the glass substrates arranged to face each other with a liquid crystal in between, and shows the glass substrate in one step of its manufacturing process.

【0020】同図において、ガラス基板10がある。こ
のガラス基板10の主表面には図中x方向に延在しかつ
y方向に並設されたゲート線11からなるゲート線群が
形成されている。このゲート線群を構成する各ゲート線
11はたとえばAl層とITO(Indium Tin Oxide)層
との順次積層体から形成されている。
In the figure, there is a glass substrate 10. A gate line group is formed on the main surface of the glass substrate 10 and includes gate lines 11 extending in the x direction and arranged in parallel in the y direction in the figure. Each gate line 11 forming this gate line group is formed of, for example, a sequentially laminated body of an Al layer and an ITO (Indium Tin Oxide) layer.

【0021】また、このゲート線群と交差するようにし
て、すなわちy方向に延在しかつx方向に並設されたド
レイン線12からなるドレイン線群が形成されている。
このドレイン線群を構成する各ドレイン線12もたとえ
ばAl層とITO層との順次積層体から形成されてい
る。
A drain line group is formed so as to cross the gate line group, that is, the drain line 12 extending in the y direction and juxtaposed in the x direction.
Each drain line 12 constituting this drain line group is also formed of, for example, a sequentially laminated body of an Al layer and an ITO layer.

【0022】各ゲート線11と各ドレイン線12とはそ
れぞれ層間絶縁膜(図示せず)によって絶縁され、これ
らは互いに接続されないものとなっている。
Each gate line 11 and each drain line 12 are insulated by an interlayer insulating film (not shown), and they are not connected to each other.

【0023】そして、これら各ゲート線11およびドレ
イン線12とで囲まれる領域には、ゲート線11からの
走査信号によってオンするスイッチング素子13と、ド
レイン線12からの映像信号が前記スイッチング素子1
3を介して供給される画素電極14とが形成されてい
る。
In the area surrounded by the gate line 11 and the drain line 12, a switching element 13 which is turned on by a scanning signal from the gate line 11 and a video signal from the drain line 12 are provided in the switching element 1.
3 and the pixel electrode 14 supplied via 3 are formed.

【0024】スイッチング素子13は、たとえば薄膜ト
ランジスタ(TFT)からなるもので、たとえばそのゲ
ート電極はゲート線11と同一工程で形成され、ゲート
絶縁膜は前記層間絶縁膜と同一工程で形成され、さらに
半導体層(Poly-Si)が形成された後に、ソースおよび
ドレイン電極はドレイン線12と同一工程で形成される
ようになっている。
The switching element 13 is composed of, for example, a thin film transistor (TFT), and its gate electrode is formed in the same step as the gate line 11, the gate insulating film is formed in the same step as the interlayer insulating film, and a semiconductor is further formed. After the layer (Poly-Si) is formed, the source and drain electrodes are formed in the same process as the drain line 12.

【0025】また、画素電極14はITO層から構成さ
れ、たとえばドレイン層12を構成するITO層と同一
工程で形成されるようになっている。
The pixel electrode 14 is composed of an ITO layer, and is formed in the same step as the ITO layer forming the drain layer 12, for example.

【0026】そして、このような表面加工がなされたガ
ラス基板10は、その周辺部において後の工程で切断放
棄される領域10A(点線で示す枠の外方)を備えてお
り、ゲート線11およびドレイン線12はそれぞれ該領
域にて形成されたコモンゲート線11Aおよびコモンド
レイン線12Aにまで延在され接続されている。
The surface-treated glass substrate 10 is provided with a region 10A (outside the frame indicated by a dotted line) which is cut and abandoned in a later step in the peripheral portion thereof, and the gate line 11 and The drain lines 12 extend and are connected to the common gate line 11A and the common drain line 12A formed in the respective regions.

【0027】なお、この実施例では、コモンドレイン線
12Aはx方向辺のそれぞれにおいて形成され、各ドレ
イン線12は一つ置きにそれぞれのコモンドレイン線1
2Aに接続されるようになっている。
In this embodiment, the common drain line 12A is formed on each of the x-direction sides, and every other drain line 12 is arranged on the common drain line 1 side.
It is designed to be connected to 2A.

【0028】ここで、コモンゲート線11Aに接続され
る各ゲート線11における該コモンゲート線11Aに近
接する部分には特に高抵抗となっている高抵抗部11R
が形成されている。同様に、それぞれのコモンドレイン
線12Aに接続される各ドレイン線12における該コモ
ンドレイン線12Aに近接する部分には特に高抵抗とな
っている高抵抗部12Rが形成されている。
Here, in each gate line 11 connected to the common gate line 11A, a high resistance portion 11R having a particularly high resistance in a portion close to the common gate line 11A.
Are formed. Similarly, a high resistance portion 12R having a particularly high resistance is formed in a portion of each drain line 12 connected to each common drain line 12A, which is close to the common drain line 12A.

【0029】これら高抵抗部11R、12Rは、ドレイ
ン線12の部分における高抵抗部12Rを拡大した図1
に示すように、比較的面積の大きなITO層のみで形成
されている。
These high resistance portions 11R and 12R are shown in an enlarged view of the high resistance portion 12R in the drain line 12 portion.
As shown in (4), it is formed only by an ITO layer having a relatively large area.

【0030】このITO層は、積層体からなるドレイン
線12を構成しているITO層と一体的に形成されてい
るものであり、たとえば次に示すように製造されてい
る。
This ITO layer is formed integrally with the ITO layer which constitutes the drain line 12 made of a laminated body, and is manufactured as follows, for example.

【0031】すなわち、ドレイン線12を形成する際
に、まず、Al層を前記高抵抗部の部分で切断されたパ
ターンで形成し、さらに、Al層と積層させて形成する
ITO層を前記高抵抗部12Rの部分で比較的面積を大
きくしたパターンで形成する。
That is, when forming the drain line 12, first, an Al layer is formed in a pattern cut at the high resistance portion, and an ITO layer formed by stacking with the Al layer is further formed into the high resistance. The portion 12R is formed in a pattern having a relatively large area.

【0032】この場合、高抵抗部12のパターンはどの
ような形状であってもよいが、図に示すように特殊な形
状とすることによって、後述のように赤外線をかいした
認識が容易になるという効果を奏するようになる。
In this case, the pattern of the high resistance portion 12 may be of any shape, but if it has a special shape as shown in the figure, it is easy to recognize the infrared rays as will be described later. The effect will come to be exhibited.

【0033】なお、図において、ゲート線11とドレイ
ン線12との交差部には層間絶縁膜15が配置され、こ
の層間絶縁膜15に形成されたピンホール等によってゲ
ート線11とドレイン線12との間にショートが生じて
しまう場合がある。
In the figure, an interlayer insulating film 15 is arranged at the intersection of the gate line 11 and the drain line 12, and the gate line 11 and the drain line 12 are connected to each other by a pinhole or the like formed in the interlayer insulating film 15. There may be a short circuit between them.

【0034】次に、このように構成された液晶表示基板
において、ゲート線とドレイン線との間にショートがあ
るか否かの検査について説明する。
Next, in the liquid crystal display substrate constructed as described above, the inspection for whether or not there is a short circuit between the gate line and the drain line will be described.

【0035】まず、この検査は、図1に示すように、コ
モンゲート線11Aとコモンドレイン線12Aにそれぞ
れプローブ20A、20Bを当接させることによって電
圧を印加する。
First, in this inspection, as shown in FIG. 1, a voltage is applied by bringing the probes 20A and 20B into contact with the common gate line 11A and the common drain line 12A, respectively.

【0036】これにより、たとえば、特に図3に示すゲ
ート線11とドレイン線12との間に層間絶縁膜を通し
てショートがなされている場合、電流の流れによって生
じるジュール熱が特に高抵抗となっているゲート線11
の高抵抗部11Rおよびドレイン線12の高抵抗部12
Rに発生することになる。このために、これら各高抵抗
部11R、12Rにおいて赤外線の放射が顕著となる。
Thus, for example, when a short circuit is made between the gate line 11 and the drain line 12 shown in FIG. 3 through the interlayer insulating film, the Joule heat generated by the current flow has a particularly high resistance. Gate line 11
High resistance portion 11R and the high resistance portion 12 of the drain wire 12
Will occur in R. For this reason, infrared radiation becomes remarkable in the high resistance portions 11R and 12R.

【0037】そして、この液晶表示基板は、図示しない
赤外線カメラで撮像され、その出力がディジタル化され
た映像情報は、図4に示すように、フレームメモリ30
に格納されるようになっている。
Then, the liquid crystal display substrate is imaged by an infrared camera (not shown), and the image information whose output is digitized is stored in the frame memory 30 as shown in FIG.
It is designed to be stored in.

【0038】フレームメモリ30に格納された情報は、
赤外線が放射された前記高抵抗部11R、12Rの位置
に対応するアドレス(x0、y0)に高輝度の情報が格納
されるようになっている。
The information stored in the frame memory 30 is
Information of high brightness is stored at addresses (x 0 , y 0 ) corresponding to the positions of the high resistance parts 11R and 12R from which infrared rays are emitted.

【0039】そして、このフレームメモリ30の情報か
らは、x方向に並設されたもの同士を加算して同図
(b)に示す信号を取り出すとともに、y方向に並設さ
れたもの同士を加算して同図(c)に示す信号を取り出
すようになっている。
Then, from the information in the frame memory 30, those arranged side by side in the x direction are added to obtain the signal shown in FIG. 7B, and those arranged side by side in the y direction are added. Then, the signal shown in FIG.

【0040】これらの各信号はシフトレジスタに入力さ
れ、そのピーク点を検出するとともに、そのピーク点に
おける前記フレームメモリのアドレス(x0、y0)を検
出するようになっている。
Each of these signals is input to the shift register, and the peak point thereof is detected and the address (x 0 , y 0 ) of the frame memory at the peak point is detected.

【0041】このアドレス(x0、y0)は、図3のゲー
ト線11とドレイン線12との交点の位置に対応し、こ
の点においてショートが生じていることが判定されるよ
うになる。
This address (x 0 , y 0 ) corresponds to the position of the intersection of the gate line 11 and the drain line 12 in FIG. 3, and it becomes possible to determine that a short circuit has occurred at this point.

【0042】このように構成した液晶表示基板の製造方
法によれば、ゲート線11の高抵抗部11Rの部分およ
びドレイン線12の高抵抗部12Rの部分が特に発熱
し、ここの部分からの赤外線の放射量も多くなり、たと
えば赤外線カメラによって検知しようとするゲート線1
1およびドレイン線12の確認が極めて容易になる。
According to the method of manufacturing a liquid crystal display substrate having such a structure, the high resistance portion 11R of the gate line 11 and the high resistance portion 12R of the drain line 12 generate heat particularly, and infrared rays from this portion are generated. The amount of radiation of the gate line 1 also increases, and for example, the gate line 1 to be detected by an infrared camera
1 and the drain wire 12 can be confirmed very easily.

【0043】したがって、従来、熱源から比較的広範囲
に及んで容易に熱の伝導がなされ隣接するゲート線ある
いはドレイン線にまで加熱することになり、結果とし
て、きわだった赤外線の放射領域を検出することが困難
であるといった弊害を除去できるようになる。
Therefore, conventionally, the heat is easily conducted over a relatively wide range from the heat source and the adjacent gate line or drain line is heated, and as a result, a remarkable infrared radiation region is detected. It becomes possible to eliminate the adverse effect that it is difficult to perform.

【0044】上述した実施例で説明すれば、図4
(b)、(c)に示すそれぞれの信号のピークが鮮明に
現れるようになり、従来に見られたようになだらかにな
ってしまうというようなことはなくなる。
The above embodiment will be described with reference to FIG.
The peaks of the respective signals shown in (b) and (c) come to appear clearly, and it is no longer the case that the peaks become smooth as in the past.

【0045】このため、ショート個所の判定を誤りなく
正確に行なうことができるようになる。
Therefore, it becomes possible to accurately determine the short-circuited portion without any error.

【0046】また、高抵抗部11R、12Rは、積層体
のうち透明導電層を除く他の材料層を該高抵抗の部分で
切断するパターンで形成していることから、製造工数を
従来のままとし形成することができるようになる。
Further, since the high resistance portions 11R and 12R are formed in a pattern in which the material layers other than the transparent conductive layer of the laminate are cut at the high resistance portions, the number of manufacturing steps is unchanged. And will be able to be formed.

【0047】[0047]

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示基板の製造方法によれば、そのゲ
ート線とドレイン線とのショート検査において、ショー
ト個所の判定を誤りなく正確に行なうことができるよう
になる。
As is apparent from the above description,
According to the method of manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention, it becomes possible to accurately and accurately determine a short-circuited portion in the short-circuit inspection between the gate line and the drain line.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す拡大平面図である。
FIG. 1 is an enlarged plan view showing an embodiment of a method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す全体平面図である。
FIG. 2 is an overall plan view showing an embodiment of a method of manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.

【図3】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す説明図である。
FIG. 3 is an explanatory view showing an example of a method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示基板の製造方法の一実施
例を示す説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing an example of a method for manufacturing a liquid crystal display substrate according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…………………ゲート線 11A………………コモンゲート線 11R………………高抵抗部 12…………………ドレイン線 12A………………コモンドレイン線 12R………………高抵抗部 11 …………………… Gate line 11A ……………… Common gate line 11R ……………… High resistance part 12 …………………… Drain line 12A ……………… Common drain line 12R ……………… High resistance part

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶を介して互いに対向配置される透明
基板の少なくとも一方の透明基板の液晶側の面に、y方
向に延在しX方向に並設されるゲート線群と、このゲー
ト線群と絶縁されてx方向に延在しy方向に並設される
ドレイン線群とが形成され、後の工程で切断放棄される
前記透明基板の領域内で前記ゲート線群およびドレイン
線群とがそれぞれコモンゲート線およびコモンドレイン
線によって共通接続されたものであって、 前記コモンゲート線とコモンドレイン線との間に電圧を
印加するとともに、赤外線を放出するゲート線とドレイ
ン線の検出によってそれらのゲート線とドレイン線との
ショートを判定する検査工程を含む液晶表示基板の製造
方法において、 各ゲート線および各ドレイン線のそれぞれのコモンゲー
ト線およびコモンドレイン線に近接する部分に高抵抗の
部分を設けてなることを特徴とする液晶表示基板の製造
方法。
1. A group of gate lines extending in the y direction and arranged side by side in the X direction on the liquid crystal side surface of at least one of the transparent substrates arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and the gate lines. A gate line group and a drain line group in a region of the transparent substrate, which is insulated from the group and extends in the x direction and is juxtaposed in the y direction, and is cut and abandoned in a later step. Are commonly connected by a common gate line and a common drain line, respectively, and a voltage is applied between the common gate line and the common drain line, and they are detected by detecting the gate line and the drain line emitting infrared rays. In the method of manufacturing a liquid crystal display substrate including the inspection step of determining a short circuit between the gate line and the drain line, the common gate line and the common The liquid crystal display method of manufacturing a substrate, characterized by comprising a portion of the high resistance provided in a portion close to the drain line.
【請求項2】 請求項1記載の発明において、ゲート線
およびドレイン線のうち少なくとも一方は、透明導電層
を含む積層体から構成され、前記高抵抗の部分は前記透
明導電層のみの一層構造となっていることを特徴とする
液晶表示基板の製造方法。
2. The invention according to claim 1, wherein at least one of the gate line and the drain line is composed of a laminated body including a transparent conductive layer, and the high resistance portion is a single layer structure including only the transparent conductive layer. A method for manufacturing a liquid crystal display substrate, which is characterized by:
JP19235794A 1994-08-16 1994-08-16 Production of liquid crystal display substrate Pending JPH0862625A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19235794A JPH0862625A (en) 1994-08-16 1994-08-16 Production of liquid crystal display substrate

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19235794A JPH0862625A (en) 1994-08-16 1994-08-16 Production of liquid crystal display substrate

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0862625A true JPH0862625A (en) 1996-03-08

Family

ID=16289938

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP19235794A Pending JPH0862625A (en) 1994-08-16 1994-08-16 Production of liquid crystal display substrate

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0862625A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100447459B1 (en) * 2000-09-28 2004-09-07 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Lcd device having scanning lines and common lines
US6812494B2 (en) * 2000-05-08 2004-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
JP2013178176A (en) * 2012-02-28 2013-09-09 Sharp Corp Defect detection method, defect detection device, and method of manufacturing semiconductor substrate
JP2014025902A (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Sharp Corp Method and apparatus for detecting defects, and method of manufacturing semiconductor substrates

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6812494B2 (en) * 2000-05-08 2004-11-02 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor device
KR100447459B1 (en) * 2000-09-28 2004-09-07 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. Lcd device having scanning lines and common lines
JP2013178176A (en) * 2012-02-28 2013-09-09 Sharp Corp Defect detection method, defect detection device, and method of manufacturing semiconductor substrate
JP2014025902A (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Sharp Corp Method and apparatus for detecting defects, and method of manufacturing semiconductor substrates

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4819038A (en) TFT array for liquid crystal displays allowing in-process testing
JP3161528B2 (en) LCD panel
JPH02254419A (en) Matrix display device
US20170010493A1 (en) Self-capacitance in-cell touch screen and method of manufacturing the same, liquid crystal display
US6191832B1 (en) Active matrix display device and methods for correcting defect thereof
CN105974705B (en) Array substrate, manufacturing method and repairing method thereof, display panel and display device
JPH04331922A (en) Active matrix display device
EP0539981B1 (en) Active matrix liquid crystal display panel
JP2002091342A (en) Matrix array board
US20190317632A1 (en) Display device with touch panel and repair method for the same
JP3205501B2 (en) Active matrix display device and repair method thereof
TW201209494A (en) Liquid crystal display (LCD) panel and repairing method thereof
JPH0862625A (en) Production of liquid crystal display substrate
JPH11305260A (en) Active matrix type liquid crystal display device and method for correcting defect of pixel
JP3973223B2 (en) Active substrate, display device and manufacturing method thereof
JP3102819B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JP2716108B2 (en) Line defect repair method for active matrix display device
JP2994905B2 (en) Modification method of active matrix display device
JP2004219706A (en) Display element and driving voltage detecting method of display element
JPH055896A (en) Active matrix display device
JP2760459B2 (en) Active matrix type substrate
JP2010165866A (en) Method of manufacturing thin film transistor
JPH02135320A (en) Liquid crystal display panel
JP2695424B2 (en) Liquid crystal display
JPH0317614A (en) Production of active matrix display device