JPH0860376A - Electroless plating method - Google Patents
Electroless plating methodInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】スズまたはスズ鉛合金の無電解め
っき方法に関する。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a method for electroless plating tin or a tin-lead alloy.
【0002】[0002]
【従来の技術】スズまたはスズ鉛合金である半田による
めっきは、工業的には電気めっき方法で行われるのが一
般的である。しかしながら電気めっき方法では、電流分
布などにより膜厚が一定にならないという問題がある。
また別のめっき方法である置換スズめっきは下地が銅も
しくは銅合金に限定される。2. Description of the Related Art Plating with solder, which is a tin or tin-lead alloy, is generally carried out industrially by electroplating. However, the electroplating method has a problem that the film thickness is not constant due to current distribution.
Substitution tin plating, which is another plating method, is limited to copper or copper alloy as the base.
【0003】均質な皮膜を得るためには、本出願人らが
特願平4−208750で明らかにしたような、無電解
半田めっき方法がある。In order to obtain a uniform film, there is an electroless solder plating method as disclosed by the present applicants in Japanese Patent Application No. 4-208750.
【0004】以下に従来の無電解半田めっき方法を説明
する。The conventional electroless solder plating method will be described below.
【0005】従来の無電解めっき方法に用いられる無電
解めっき浴は、金属イオンとしてスズの二価イオンおよ
び鉛の二価イオンと、錯化剤と、還元剤と含み、還元剤
として三塩化チタンを含むことを特徴としている。ここ
で三塩化チタンを還元剤として用いることにより、例え
ば銅またはニッケルなどの金属上、あるいは塩化第二ス
ズおよび塩化パラジウムにより活性化された絶縁基板上
に、自己触媒的に、半田めっき皮膜を析出させることが
できる。The electroless plating bath used in the conventional electroless plating method contains divalent ions of tin and divalent ions of lead as metal ions, a complexing agent and a reducing agent, and titanium trichloride as a reducing agent. It is characterized by including. Here, by using titanium trichloride as a reducing agent, a solder plating film is deposited autocatalytically on a metal such as copper or nickel or on an insulating substrate activated by stannic chloride and palladium chloride. Can be made.
【0006】従来の無電解はんだめっき浴を用いた無電
解めっき反応においては、還元剤である三価のチタンイ
オンの酸化反応により生じる電子が、浴中のスズイオン
および鉛イオンを還元し、これらスズおよび鉛イオンを
金属状態になるまで変化させるものと考えられる。この
変化を簡単に示すと以下のようになる。In the conventional electroless plating reaction using the electroless solder plating bath, the electrons generated by the oxidation reaction of the reducing agent trivalent titanium ion reduce the tin ion and the lead ion in the bath, and these tin ions And lead ions are considered to be changed to a metallic state. This change is briefly shown below.
【0007】 Sn2++2Ti3+→Sn+2Ti4+(TiO2+) Pb2++2Ti3+→Pb+2Ti4+(TiO2+) このめっき反応は、水素発生を伴わないので、セラミッ
ク電子部品においてはセラミックが還元されないという
特徴を有している。ここで、被めっき物上に析出される
半田めっき皮膜は、自己触媒的に反応を継続し、任意の
厚みのめっき皮膜を形成することができる。Sn 2+ + 2Ti 3+ → Sn + 2Ti 4+ (TiO 2+ ) Pb 2+ + 2Ti 3+ → Pb + 2Ti 4+ (TiO 2+ ) This plating reaction does not accompany hydrogen generation, so in a ceramic electronic component, It has the characteristic that the ceramic is not reduced. Here, the solder plating film deposited on the object to be plated can continue the reaction in an autocatalytic manner to form a plating film having an arbitrary thickness.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の無
電解半田めっき方法においては、めっき浴が不安定であ
った。However, in the conventional electroless solder plating method, the plating bath is unstable.
【0009】本発明は上記問題点を解決するためになさ
れたものであり、安定なめっき浴により、スズまたは半
田からなる皮膜を形成する無電解めっき方法を提供する
ものである。The present invention has been made to solve the above problems, and provides an electroless plating method for forming a film made of tin or solder in a stable plating bath.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1にかか
る無電解めっき方法は、二価のスズイオンもしくは二価
のスズイオンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調
整剤とを含む無電解めっき浴に、酸化防止剤を添加し、
不活性ガスを通気することを特徴とする。The electroless plating method according to claim 1 of the present invention comprises divalent tin ions or divalent tin ions and lead ions, a complexing agent, a reducing agent, and a pH adjusting agent. Add an antioxidant to the electroless plating bath,
It is characterized by venting an inert gas.
【0011】本発明の請求項2にかかる無電解めっき方
法は、酸化防止剤としてハイドロキノン、硫酸ヒドラジ
ン、レゾルシン、ソルビン酸ソ−ダ、L−アスコルビン
酸、ピロカテコ−ル、フェノ−ルスルホン酸、カテコ−
ルスルホン酸、ハイドロキノンスルホン酸、レゾルシン
スルホン酸、ピロガロ−ルスルホン酸のうちから選ばれ
る少なくとも一つを0〜0.01mol/L含む無電解
めっき浴を用いたことを特徴とする。In the electroless plating method according to claim 2 of the present invention, hydroquinone, hydrazine sulfate, resorcin, sodium sorbate, L-ascorbic acid, pyrocatechol, phenol sulfonic acid and catechol are used as antioxidants.
It is characterized by using an electroless plating bath containing 0 to 0.01 mol / L of at least one selected from the group consisting of sulfonic acid, hydroquinone sulfonic acid, resorcin sulfonic acid and pyrogallol sulfonic acid.
【0012】本発明の請求項3にかかる無電解めっき方
法は、不活性ガスを窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、
二酸化炭素のうちから選ばれる少なくとも一つを用い
て、その流量が10〜500ml/分/Lであることを
特徴とする。In the electroless plating method according to claim 3 of the present invention, the inert gas is nitrogen, argon, helium, hydrogen,
At least one selected from carbon dioxide is used, and the flow rate is 10 to 500 ml / min / L.
【0013】本発明の請求項4にかかる無電解めっき方
法は、錯化剤としてクエン酸が0.05〜0.5mol
/L、エチレンジアミン四酢酸が0.04〜0.2mo
l/L、ニトリロ三酢酸が0.05〜0.3mol/L
の濃度である無電解めっき浴を用いたことを特徴とす
る。In the electroless plating method according to claim 4 of the present invention, the complexing agent contains citric acid in an amount of 0.05 to 0.5 mol.
/ L, ethylenediaminetetraacetic acid 0.04 to 0.2mo
1 / L, nitrilotriacetic acid 0.05 to 0.3 mol / L
It is characterized by using an electroless plating bath having a concentration of.
【0014】本発明の請求項5にかかる無電解めっき方
法は、還元剤として三価のチタンイオンからなる、三塩
化チタン、硫酸チタン、シュウ化チタン、ヨウ化チタン
のうちから選ばれる少なくとも一つを0.02〜0.1
mol/L含む無電解めっき浴を用いたことを特徴とす
る。In the electroless plating method according to claim 5 of the present invention, at least one selected from titanium trichloride, titanium sulfate, titanium oxalate, and titanium iodide, which comprises trivalent titanium ions as a reducing agent. 0.02-0.1
It is characterized by using an electroless plating bath containing mol / L.
【0015】本発明の請求項6にかかる無電解めっき方
法は、pH調整剤として炭酸ナトリウム水溶液、アンモニ
ア水、塩酸からなり、pHが6.5〜11に調整された
無電解めっき浴を用いたことを特徴とする。The electroless plating method according to claim 6 of the present invention uses an electroless plating bath, which is composed of an aqueous solution of sodium carbonate, ammonia water, and hydrochloric acid as a pH adjuster, and whose pH is adjusted to 6.5 to 11. It is characterized by
【0016】[0016]
【作用】請求項1記載の無電解めっき方法は、二価のス
ズイオンもしくは二価のスズイオンと鉛イオン、錯化
剤、還元剤、酸化防止剤およびpH調整剤とを含む無電解
めっき浴に、不活性ガスを通気することを特徴とするの
で、めっき浴の劣化を防止する事ができる。According to the electroless plating method of claim 1, an electroless plating bath containing divalent tin ions or divalent tin ions and lead ions, a complexing agent, a reducing agent, an antioxidant and a pH adjusting agent, Since it is characterized by ventilating an inert gas, deterioration of the plating bath can be prevented.
【0017】請求項2記載の無電解めっき方法は、酸化
防止剤としてハイドロキノン、硫酸ヒドラジン、レドル
シン、ソルビン酸ソ−ダ、L−アスコルビン酸、ピロカ
テコ−ル、フェノ−ルスルホン酸、カテコ−ルスルホン
酸、ハイドロキノンスルホン酸、レゾルシンスルホン
酸、ピロガロ−ルスルホン酸のうちから選ばれる少なく
とも一つである無電解めっき浴を用いたことを特徴とす
るので、めっき浴の劣化を防止する事ができる。In the electroless plating method according to the second aspect, hydroquinone, hydrazine sulfate, ledrosine, sodium sorbate, L-ascorbic acid, pyrocatechol, phenol sulfonic acid, catechol sulfonic acid as an antioxidant, Since the electroless plating bath which is at least one selected from hydroquinone sulfonic acid, resorcin sulfonic acid and pyrogallol sulfonic acid is used, deterioration of the plating bath can be prevented.
【0018】請求項3記載の無電解めっき方法は、窒
素、アルゴン、ヘリウム、水素、二酸化炭素のうちから
選ばれる少なくとも一つの不活性ガスをめっき浴中に通
気することを特徴とする。従ってめっき浴に溶解する酸
素濃度を低減できると同時に、めっき浴表面を不活性ガ
スで覆うので、大気中の酸素がめっき浴に溶解すること
を妨げるので、めっき浴中の金属イオンの酸化を防止す
るように働き、めっき浴の劣化が防止できる。The electroless plating method according to a third aspect is characterized in that at least one inert gas selected from nitrogen, argon, helium, hydrogen and carbon dioxide is passed through the plating bath. Therefore, the concentration of oxygen dissolved in the plating bath can be reduced, and at the same time, the surface of the plating bath is covered with an inert gas, which prevents oxygen in the atmosphere from dissolving in the plating bath, preventing the oxidation of metal ions in the plating bath. It prevents the deterioration of the plating bath.
【0019】請求項4記載の無電解めっき方法は、錯化
剤としてクエン酸が0.05〜0.5mol/L、エチ
レンジアミン四酢酸が0.04〜0.2mol/L、ニ
トリロ三酢酸が0.05〜0.3mol/Lの濃度であ
る無電解めっき浴を用いたことを特徴とするので、めっ
き浴を安定化する事ができる。In the electroless plating method according to the fourth aspect, as a complexing agent, citric acid is 0.05 to 0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid is 0.04 to 0.2 mol / L, and nitrilotriacetic acid is 0. Since the electroless plating bath having a concentration of 0.05 to 0.3 mol / L is used, the plating bath can be stabilized.
【0020】請求項5記載の無電解めっき方法は、還元
剤として三価のチタンイオンからなる、三塩化チタン、
硫酸チタン、シュウ化チタン、ヨウ化チタンのうちから
選ばれる少なくとも一つを含む無電解めっき浴を用いた
ことを特徴とするので、スズまたはスズ鉛合金の無電解
めっきによる皮膜を析出させる事ができる。In the electroless plating method according to claim 5, titanium trichloride comprising trivalent titanium ions as a reducing agent,
Since it is characterized by using an electroless plating bath containing at least one selected from titanium sulfate, titanium oxalate and titanium iodide, it is possible to deposit a film by electroless plating of tin or tin-lead alloy. it can.
【0021】請求項6記載の無電解めっき方法は、pH調
整剤として炭酸ナトリウム水溶液、アンモニア水、塩酸
からなる無電解めっき浴を用いたことを特徴とするの
で、めっき浴を安定化することができる。The electroless plating method according to claim 6 is characterized in that an electroless plating bath consisting of an aqueous solution of sodium carbonate, ammonia water and hydrochloric acid is used as a pH adjuster, so that the plating bath can be stabilized. it can.
【0022】[0022]
(実施例1)以下に本発明にかかる第一の実施例を説明
する。(Example 1) A first example according to the present invention will be described below.
【0023】次のような組成の無電解はんだめっき浴を
準備した。An electroless solder plating bath having the following composition was prepared.
【0024】 クエン酸 0.34 mol/L エチレンジアミン四酢酸 0.08 mol/L ニトリロ三酢酸 0.10 mol/L ハイドロキノン 0.008mol/L 塩化第一スズ 0.07 mol/L 塩化鉛 0.01 mol/L 三塩化チタン 0.04 mol/L 上記組成のめっき液のpHは、20%炭酸ナトリウム溶液
および2%塩酸で7.0に調整し、浴温は60℃に設定
した。めっき液は塩化スズ、塩化鉛投入と同時に窒素ガ
スを200ml/分/Lの流量で通気を開始し、めっき
中も継続した。なおこの窒素ガス流量の単位はめっき液
1Lあたり一分間に流すガス量を示す。試験片には、セ
ンシタイジング・アクチベ−ション法およびキャタリス
ト・アクセラレ−タ法により、パラジウム核にて活性化
したアルミナ基板を用い、めっきに供した。45分間の
めっき処理により、厚みが3.3μmの半田めっき皮膜
を得た。Citric acid 0.34 mol / L Ethylenediaminetetraacetic acid 0.08 mol / L Nitrilotriacetic acid 0.10 mol / L Hydroquinone 0.008 mol / L Stannous chloride 0.07 mol / L Lead chloride 0.01 mol / L titanium trichloride 0.04 mol / L The pH of the plating solution having the above composition was adjusted to 7.0 with a 20% sodium carbonate solution and 2% hydrochloric acid, and the bath temperature was set to 60 ° C. Nitrogen gas was started to be aerated at a flow rate of 200 ml / min / L at the same time when tin chloride and lead chloride were charged, and the plating solution was continued during plating. The unit of the nitrogen gas flow rate indicates the amount of gas flowing per 1 L of plating solution for 1 minute. As the test piece, an alumina substrate activated with palladium nuclei was subjected to plating by a sensitizing activation method and a catalyst accelerator method. By a plating treatment for 45 minutes, a solder plating film having a thickness of 3.3 μm was obtained.
【0025】なお上記めっき浴組成はこの値に限定され
るものではなく、クエン酸(Citricacid)が0.05〜
0.5mol/L、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)が
0.04〜0.2mol/L、ニトリロ三酢酸( NTA)
が0.05〜0.3mol/L、ハイドロキノンが0〜
0.01mol/L、塩化第一スズが0.04〜0.1
mol/L、塩化鉛が0.001〜0.05mol/
L、三塩化チタンが0.02〜0.05mol/Lの範
囲であればいくらでも良い。また前記錯化剤は水溶性で
あれば良いので、例えばナトリウムやカリウムなどとの
化合物であっても良く、さらにはほかの金属塩であって
も良い。The composition of the plating bath is not limited to this value, and the content of citric acid is 0.05 to.
0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 0.04 to 0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid (NTA)
Is 0.05 to 0.3 mol / L, and hydroquinone is 0
0.01 mol / L, stannous chloride 0.04 to 0.1
mol / L, lead chloride 0.001-0.05 mol /
Any amount may be used as long as L and titanium trichloride are in the range of 0.02 to 0.05 mol / L. Further, since the complexing agent may be water-soluble, it may be a compound with, for example, sodium or potassium, or may be another metal salt.
【0026】より好ましくは、エチレンジアミン四酢酸
とスズイオンの比率すなわち(EDTA)/(Sn2+)の値が
1.0以上であれば良い。More preferably, the ratio of ethylenediaminetetraacetic acid and tin ions, that is, the value of (EDTA) / (Sn 2+ ) is 1.0 or more.
【0027】以下同様に( NTA)/(Ti3+)は1.0以
上が好ましく、さらには( Citric acid)/{(Ti3+)
+(Sn2+)}は0.6以上が好ましい。Similarly, (NTA) / (Ti 3+ ) is preferably 1.0 or more, and further (Citric acid) / {(Ti 3+ ).
+ (Sn 2+ )} is preferably 0.6 or more.
【0028】(実施例2)以下に本発明にかかる第二の
実施例を説明する。(Second Embodiment) A second embodiment according to the present invention will be described below.
【0029】次のような組成の無電解はんだめっき浴を
準備した。An electroless solder plating bath having the following composition was prepared.
【0030】 クエン酸 0.34 mol/L エチレンジアミン四酢酸 0.08 mol/L ニトリロ三酢酸 0.10 mol/L 塩化第一スズ 0.07 mol/L 塩化鉛 0.01 mol/L 三塩化チタン 0.04 mol/L 上記組成のめっき液のpHは、20%炭酸ナトリウム溶液
および2%塩酸で7.0に調整し、浴温は60℃に設定
した。めっき液は塩化スズ、塩化鉛投入と同時に窒素ガ
スを200ml/分/Lの流量で通気を開始し、めっき
中も継続した。試験片には、センシタイジング・アクチ
ベ−ション法およびキャタリスト・アクセラレ−タ法に
より、パラジウム核にて活性化したアルミナ基板を用
い、めっきに供した。45分間のめっき処理により、厚
みが3.2μmの半田めっき皮膜を得た。Citric acid 0.34 mol / L Ethylenediaminetetraacetic acid 0.08 mol / L Nitrilotriacetic acid 0.10 mol / L Stannous chloride 0.07 mol / L Lead chloride 0.01 mol / L Titanium trichloride 0.04 mol / L The pH of the plating solution having the above composition was adjusted to 7.0 with a 20% sodium carbonate solution and 2% hydrochloric acid, and the bath temperature was set to 60 ° C. Nitrogen gas was started to be aerated at a flow rate of 200 ml / min / L at the same time when tin chloride and lead chloride were charged, and the plating solution was continued during plating. As the test piece, an alumina substrate activated with palladium nuclei was subjected to plating by a sensitizing activation method and a catalyst accelerator method. By a plating treatment for 45 minutes, a solder plating film having a thickness of 3.2 μm was obtained.
【0031】なお上記めっき浴組成はこの値に限定され
るものではなく、クエン酸(Citricacid)が0.05〜
0.5mol/L、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)が
0.04〜0.2mol/L、ニトリロ三酢酸( NTA)
が0.05〜0.3mol/L、ハイドロキノンが0〜
0.01mol/L、塩化第一スズが0.04〜0.1
mol/L、塩化鉛が0.001〜0.05mol/
L、三塩化チタンが0.02〜0.05mol/Lの範
囲であればいくらでも良い。また前記錯化剤は水溶性で
あれば良いので、例えばナトリウムやカリウムなどとの
化合物であっても良く、さらにはほかの金属塩であって
も良い。The composition of the plating bath is not limited to this value, and the content of citric acid is 0.05 to.
0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 0.04 to 0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid (NTA)
Is 0.05 to 0.3 mol / L, and hydroquinone is 0
0.01 mol / L, stannous chloride 0.04 to 0.1
mol / L, lead chloride 0.001-0.05 mol /
Any amount may be used as long as L and titanium trichloride are in the range of 0.02 to 0.05 mol / L. Further, since the complexing agent may be water-soluble, it may be a compound with, for example, sodium or potassium, or may be another metal salt.
【0032】より好ましくは、エチレンジアミン四酢酸
とスズイオンの比率すなわち(EDTA)/(Sn2+)の値が
1.0以上であれば良い。More preferably, the ratio of ethylenediaminetetraacetic acid and tin ions, that is, the value of (EDTA) / (Sn 2+ ) should be 1.0 or more.
【0033】以下同様に( NTA)/(Ti3+)は1.0以
上が好ましく、さらには( Citric acid)/{(Ti3+)
+(Sn2+)}は0.6以上が好ましい。Similarly, (NTA) / (Ti 3+ ) is preferably 1.0 or more, and further (Citric acid) / {(Ti 3+ ).
+ (Sn 2+ )} is preferably 0.6 or more.
【0034】なお本実施例によるめっき浴は酸化防止剤
を添加しない場合について説明したが、このようなめっ
き浴によっても安定して無電解めっきを行う事ができ
る。Although the plating bath according to this embodiment has been described in the case where no antioxidant is added, the electroless plating can be stably performed even with such a plating bath.
【0035】(実施例3)以下に本発明にかかる第三の
実施例を説明する。(Embodiment 3) A third embodiment of the present invention will be described below.
【0036】次のような組成の無電解はんだめっき浴を
準備した。An electroless solder plating bath having the following composition was prepared.
【0037】 クエン酸 0.34 mol/L エチレンジアミン四酢酸 0.08 mol/L ニトリロ三酢酸 0.10 mol/L ハイドロキノン 0.008mol/L 塩化第一スズ 0.07 mol/L 塩化鉛 0.01 mol/L 三塩化チタン 0.04 mol/L 上記組成のめっき液のpHは、アンモニア水で9.0に調
整し、浴温は60℃に設定した。めっき液は塩化スズ、
塩化鉛投入と同時に窒素ガスを200ml/分/Lの流
量で通気を開始し、めっき中も継続した。試験片には、
センシタイジング・アクチベ−ション法およびキャタリ
スト・アクセラレ−タ法により、パラジウム核にて活性
化したアルミナ基板を用い、めっきに供した。45分間
のめっき処理により、厚みが3.3μmの半田めっき皮
膜を得た。Citric acid 0.34 mol / L Ethylenediaminetetraacetic acid 0.08 mol / L Nitrilotriacetic acid 0.10 mol / L Hydroquinone 0.008 mol / L Stannous chloride 0.07 mol / L Lead chloride 0.01 mol / L titanium trichloride 0.04 mol / L The pH of the plating solution having the above composition was adjusted to 9.0 with aqueous ammonia, and the bath temperature was set to 60 ° C. Plating solution is tin chloride,
Aeration of nitrogen gas was started at a flow rate of 200 ml / min / L simultaneously with the introduction of lead chloride, and was continued during plating. For the test piece,
The alumina substrate activated with palladium nuclei was subjected to plating by the sensitizing activation method and the catalyst accelerator method. By a plating treatment for 45 minutes, a solder plating film having a thickness of 3.3 μm was obtained.
【0038】なお上記めっき浴組成はこの値に限定され
るものではなく、クエン酸(Citricacid)が0.05〜
0.5mol/L、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)が
0.04〜0.2mol/L、ニトリロ三酢酸( NTA)
が0.05〜0.3mol/L、ハイドロキノンが0〜
0.01mol/L、塩化第一スズが0.04〜0.1
mol/L、塩化鉛が0.001〜0.05mol/
L、三塩化チタンが0.02〜0.05mol/Lの範
囲であればいくらでも良い。また前記錯化剤は水溶性で
あれば良いので、例えばナトリウムやカリウムなどとの
化合物であっても良く、さらにはほかの金属塩であって
も良い。The composition of the plating bath is not limited to this value, and the content of citric acid is 0.05 to.
0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 0.04 to 0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid (NTA)
Is 0.05 to 0.3 mol / L, and hydroquinone is 0
0.01 mol / L, stannous chloride 0.04 to 0.1
mol / L, lead chloride 0.001-0.05 mol /
Any amount may be used as long as L and titanium trichloride are in the range of 0.02 to 0.05 mol / L. Further, since the complexing agent may be water-soluble, it may be a compound with, for example, sodium or potassium, or may be another metal salt.
【0039】より好ましくは、エチレンジアミン四酢酸
二ナトリウムとスズイオンの比率すなわち(EDTA)/
(Sn2+)の値が1.0以上であれば良い。More preferably, the ratio of disodium ethylenediaminetetraacetate to tin ions, ie (EDTA) /
The value of (Sn 2+ ) should be 1.0 or more.
【0040】以下同様に( NTA)/(Ti3+)は5.0以
上が好ましく、さらには( Citric acid)/{(Ti3+)
+(Sn2+)}は2.8以上が好ましい。Similarly, (NTA) / (Ti 3+ ) is preferably 5.0 or more, and further (Citric acid) / {(Ti 3+ ).
+ (Sn 2+ )} is preferably 2.8 or more.
【0041】(実施例4)以下に本発明にかかる第四の
実施例を説明する。(Fourth Embodiment) A fourth embodiment according to the present invention will be described below.
【0042】次のような組成の無電解スズめっき浴を準
備した。An electroless tin plating bath having the following composition was prepared.
【0043】 クエン酸 0.34 mol/L エチレンジアミン四酢酸 0.08 mol/L ニトリロ三酢酸 0.10 mol/L ハイドロキノン 0.008mol/L 塩化第一スズ 0.08 mol/L 三塩化チタン 0.04 mol/L 上記組成のめっき液のpHは、20%炭酸ナトリウム溶液
および2%塩酸で7.0に調整し、浴温は60℃に設定
した。めっき液は塩化スズを投入すると同時に窒素ガス
を200ml/分の流量で通気を開始し、めっき中も継
続した。試験片には、センシタイジング・アクチベ−シ
ョン法およびキャタリスト・アクセラレ−タ法により、
パラジウム核にて活性化したアルミナ基板を用い、めっ
きに供した。45分間のめっき処理により、厚みが3.
0μmのスズめっき皮膜を得た。なお上記めっき浴組成
はこの値に限定されるものではなく、クエン酸(Citric
acid)が0.05〜0.5mol/L、エチレンジアミ
ン四酢酸(EDTA)が0.04〜0.2mol/L、ニト
リロ三酢酸( NTA)が0.05〜0.3mol/L、ハ
イドロキノンが0〜0.01mol/L、塩化第一スズ
が0.04〜0.1mol/L、塩化鉛が0.001〜
0.05mol/L、三塩化チタンが0.02〜0.0
5mol/Lの範囲であればいくらでも良い。また前記
錯化剤は水溶性であれば良いので、例えばナトリウムや
カリウムなどとの化合物であっても良く、さらにはほか
の金属塩であっても良い。Citric acid 0.34 mol / L Ethylenediaminetetraacetic acid 0.08 mol / L Nitrilotriacetic acid 0.10 mol / L Hydroquinone 0.008 mol / L Stannous chloride 0.08 mol / L Titanium trichloride 04 mol / L The pH of the plating solution having the above composition was adjusted to 7.0 with a 20% sodium carbonate solution and 2% hydrochloric acid, and the bath temperature was set to 60 ° C. At the same time when tin chloride was added to the plating solution, aeration of nitrogen gas was started at a flow rate of 200 ml / min, which was continued during plating. For the test piece, by the sensitizing activation method and the catalyst accelerator method,
An alumina substrate activated with a palladium nucleus was used for plating. By plating for 45 minutes, the thickness becomes 3.
A tin plating film of 0 μm was obtained. The plating bath composition is not limited to this value, and citric acid (Citric
acid) 0.05-0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 0.04-0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid (NTA) 0.05-0.3 mol / L, hydroquinone 0. -0.01 mol / L, stannous chloride 0.04-0.1 mol / L, lead chloride 0.001-
0.05 mol / L, titanium trichloride 0.02-0.0
Any number may be used within the range of 5 mol / L. Further, since the complexing agent may be water-soluble, it may be a compound with, for example, sodium or potassium, or may be another metal salt.
【0044】より好ましくは、エチレンジアミン四酢酸
二ナトリウムとスズイオンの比率すなわち(EDTA)/
(Sn2+)の値が1.0以上であれば良い。More preferably, the ratio of disodium ethylenediaminetetraacetate to tin ions, ie (EDTA) /
The value of (Sn 2+ ) should be 1.0 or more.
【0045】以下同様に( NTA)/(Ti3+)は1.0以
上が好ましく、さらには( Citric acid)/{(Ti3+)
+(Sn2+)}は0.6以上が好ましい。Similarly, (NTA) / (Ti 3+ ) is preferably 1.0 or more, and further (Citric acid) / {(Ti 3+ ).
+ (Sn 2+ )} is preferably 0.6 or more.
【0046】(実施例5)以下に本発明にかかる第五の
実施例を説明する。(Fifth Embodiment) A fifth embodiment according to the present invention will be described below.
【0047】次のような組成の無電解スズめっき浴を準
備した。An electroless tin plating bath having the following composition was prepared.
【0048】 クエン酸 0.34 mol/L エチレンジアミン四酢酸 0.08 mol/L ニトリロ三酢酸 0.10 mol/L ハイドロキノン 0.008mol/L 塩化第一スズ 0.08 mol/L 三塩化チタン 0.04 mol/L 上記組成のめっき液のpHは、アンモニア水で9.0に調
整し、浴温は60℃に設定した。めっき液は塩化スズ、
塩化鉛投入と同時に窒素ガスを200ml/分/Lの流
量で通気を開始し、めっき中も継続した。試験片には、
センシタイジング・アクチベ−ション法およびキャタリ
スト・アクセラレ−タ法により、パラジウム核にて活性
化したアルミナ基板を用い、めっきに供した。45分間
のめっき処理により、厚みが3.2μmのスズめっき皮
膜を得た。Citric acid 0.34 mol / L Ethylenediaminetetraacetic acid 0.08 mol / L Nitrilotriacetic acid 0.10 mol / L Hydroquinone 0.008 mol / L Stannous chloride 0.08 mol / L Titanium trichloride 04 mol / L The pH of the plating solution having the above composition was adjusted to 9.0 with aqueous ammonia, and the bath temperature was set to 60 ° C. Plating solution is tin chloride,
Aeration of nitrogen gas was started at a flow rate of 200 ml / min / L simultaneously with the introduction of lead chloride, and was continued during plating. For the test piece,
The alumina substrate activated with palladium nuclei was subjected to plating by the sensitizing activation method and the catalyst accelerator method. A tin plating film having a thickness of 3.2 μm was obtained by the plating treatment for 45 minutes.
【0049】なお上記めっき浴組成はこの値に限定され
るものではなく、クエン酸(Citricacid)が0.05〜
0.5mol/L、エチレンジアミン四酢酸(EDTA)が
0.04〜0.2mol/L、ニトリロ三酢酸( NTA)
が0.05〜0.3mol/L、ハイドロキノンが0〜
0.01mol/L、塩化第一スズが0.04〜0.1
mol/L、塩化鉛が0.001〜0.05mol/
L、三塩化チタンが0.02〜0.05mol/Lの範
囲であればいくらでも良い。また前記錯化剤は水溶性で
あれば良いので、例えばナトリウムやカリウムなどとの
化合物であっても良く、さらにはほかの金属塩であって
も良い。The composition of the plating bath is not limited to this value, and the content of citric acid is from 0.05 to.
0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid (EDTA) 0.04 to 0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid (NTA)
Is 0.05 to 0.3 mol / L, and hydroquinone is 0
0.01 mol / L, stannous chloride 0.04 to 0.1
mol / L, lead chloride 0.001-0.05 mol /
Any amount may be used as long as L and titanium trichloride are in the range of 0.02 to 0.05 mol / L. Further, since the complexing agent may be water-soluble, it may be a compound with, for example, sodium or potassium, or may be another metal salt.
【0050】より好ましくは、エチレンジアミン四酢酸
二ナトリウムとスズイオンの比率すなわち(EDTA)/
(Sn2+)の値が1.0以上であれば良い。More preferably, the ratio of disodium ethylenediaminetetraacetate to tin ions, ie (EDTA) /
The value of (Sn 2+ ) should be 1.0 or more.
【0051】以下同様に( NTA)/(Ti3+)は5.0以
上が好ましく、さらには( Citric acid)/{(Ti3+)
+(Sn2+)}は2.8以上が好ましい。Similarly, (NTA) / (Ti 3+ ) is preferably 5.0 or more, and further (Citric acid) / {(Ti 3+ ).
+ (Sn 2+ )} is preferably 2.8 or more.
【0052】なお以上の実施例では、酸化防止剤は一例
としてハイドロキノンを用いた例について説明したが、
電気スズめっきなどで公知の以下に示す酸化防止剤を用
いてもよい。すなわち特公昭47−2161に示す塩酸
ヒドラジン硫酸、次亜燐酸ソ−ダや、特開昭53−48
942に示すP−アミノアセトアニリドや、特公昭60
−9117に示す硫酸ヒドロキシルアミン、P−クレゾ
−ルスルホン酸、ホルマリン、ハイドロキノン、ブドウ
糖や、特公昭59−3555に示す硫酸ヒドラジン、レ
ゾルシン、ソルビン酸ソ−ダ、L−アスコルビン酸や、
特開昭62−196391に示すピロカテコ−ル、ピロ
ガロ−ルや、特開平1−156490に示す8−オキシ
キノリン、ジヒドロキシナフタレン、2−メチル−8−
ヒドロキシキノリンや、特広平5−27710に示す2
−ヒドロキシプロパンスルホン酸や、特開平2−166
290に示すヒドロキシアンモニウム塩や、特開平2−
194192に示すナフト−ルスルホン酸や、特開平3
−243788に示す2−ヒドロキシエタンスルホン
酸、2−ヒドロキシプロパンスルホン酸、メタンスルホ
ン酸、2−カルボキシエタンスルホン酸、スルホコハク
酸や、特開平3−36288に示すフェノ−ルスルホン
酸や、特開平5−44074に示すカテコ−ルスルホン
酸、ハイドロキノンスルホン酸、レゾルシンスルホン
酸、ピロガロ−ルスルホン酸、1,7−ジヒドロキシナ
フタレンスルホン酸などから選ばれる酸化防止剤が使用
可能である。In the above examples, the case where hydroquinone is used as the antioxidant has been described as an example.
The following known antioxidants for electrotin plating may be used. That is, hydrazine sulfuric acid hydrochloride, sodium hypophosphite described in JP-B-47-2161, and JP-A-53-48.
P-aminoacetanilide shown in 942 and Japanese Patent Publication Sho 60
Hydroxylamine sulfate, P-cresolsulfonic acid, formalin, hydroquinone and glucose shown in -9117, and hydrazine sulfate, resorcin, sodium sorbate, L-ascorbic acid shown in JP-B-59-3555.
Pyrocatechol and pyrogallol shown in JP-A-62-196391, 8-oxyquinoline, dihydroxynaphthalene and 2-methyl-8- shown in JP-A-1-156490.
Hydroxyquinoline and 2 as shown in Tokuhirohei 5-27710
-Hydroxypropane sulfonic acid and JP-A-2-166
And the hydroxyammonium salt shown in FIG.
Naphthol sulfonic acid shown in 194192, and JP
No. 2-243788, 2-hydroxyethanesulfonic acid, 2-hydroxypropanesulfonic acid, methanesulfonic acid, 2-carboxyethanesulfonic acid, sulfosuccinic acid, the phenolsulfonic acid shown in JP-A-3-36288, and JP-A-5-36288. An antioxidant selected from catechol sulfonic acid, hydroquinone sulfonic acid, resorcin sulfonic acid, pyrogallol sulfonic acid, 1,7-dihydroxynaphthalene sulfonic acid and the like shown in 44074 can be used.
【0053】なお以上の実施例では不活性化ガスとして
窒素ガスを用いた例を述べたが、不活性ガスは窒素ガス
だけに限定されるものではなく、アルゴン、ヘリウム、
水素、二酸化炭素などのガスでめっき浴に通気すること
によって、めっき浴中の溶解酸素量を減らせるものなら
何でもよい。さらにその通気量は前記実施例に示した値
に限定されないことは言うまでもない。In the above embodiments, an example in which nitrogen gas is used as the inert gas has been described, but the inert gas is not limited to nitrogen gas, and argon, helium,
Any gas can be used as long as the amount of dissolved oxygen in the plating bath can be reduced by ventilating the plating bath with a gas such as hydrogen or carbon dioxide. Further, it goes without saying that the ventilation amount is not limited to the value shown in the above embodiment.
【0054】(比較例1)実施例1と同一の組成および
同一の処理を施したアルミナ基板で、窒素ガスの通気を
行わずに、45分間のめっき処理をしたところ、2.7
μmの半田めっき皮膜を得た。これは実施例のめっき厚
みの80%にとどまる。Comparative Example 1 An alumina substrate having the same composition and the same treatment as in Example 1 was subjected to a plating treatment for 45 minutes without passing through a nitrogen gas.
A μm solder plating film was obtained. This is only 80% of the plating thickness of the example.
【0055】(比較例2)また実施例1の組成から酸化
防止剤であるハイドロキノンを除き、窒素ガスの通気を
行わずにアルミナ基板をめっきに供すると、45分間で
2.0μmの半田めっき皮膜を得た。これは実施例のめ
っき厚みの60%にとどまる。(Comparative Example 2) Further, except that hydroquinone, which is an antioxidant, was removed from the composition of Example 1 and an alumina substrate was subjected to plating without passing through nitrogen gas, a solder plating film of 2.0 μm in 45 minutes was obtained. Got This is only 60% of the plating thickness of the example.
【0056】[0056]
【発明の効果】スズまたはスズ鉛合金である半田の皮膜
を無電解めっきにより形成する方法において、めっき浴
の酸化を防止するために、酸化防止剤を使用し、めっき
浴に不活性ガスを通気するようにした。そのためにスズ
イオンや鉛イオンがめっき浴中で安定して存在できるよ
うになり、十分な品質のめっき皮膜が得られるようにな
ると共にめっき液の劣化が防止できる。[Effect of the Invention] In a method of forming a film of tin or tin-lead alloy solder by electroless plating, an antioxidant is used to prevent oxidation of the plating bath, and an inert gas is passed through the plating bath. I decided to do it. Therefore, tin ions and lead ions can exist stably in the plating bath, a plating film of sufficient quality can be obtained, and deterioration of the plating solution can be prevented.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千田 厚生 京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株式 会社村田製作所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kosei Senda No. 26-10 Tenjin Tenjin, Nagaokakyo City, Kyoto Prefecture Murata Manufacturing Co., Ltd.
Claims (6)
ンと鉛イオン、錯化剤、還元剤、およびpH調整剤とを含
む無電解めっき浴に、酸化防止剤を添加し、不活性ガス
を通気することを特徴とする無電解めっき方法。1. An antioxidant is added to an electroless plating bath containing divalent tin ions or divalent tin ions and lead ions, a complexing agent, a reducing agent, and a pH adjusting agent, and an inert gas is ventilated. An electroless plating method comprising:
ン、硫酸ヒドラジン、レゾルシン、ソルビン酸ソ−ダ、
L−アスコルビン酸、ピロカテコ−ル、フェノ−ルスル
ホン酸、カテコ−ルスルホン酸、ハイドロキノンスルホ
ン酸、レゾルシンスルホン酸、ピロガロ−ルスルホン酸
のうちから選ばれる少なくとも一つを0〜0.01mo
l/L含む無電解めっき浴を用いたことを特徴とする請
求項1記載の無電解めっき方法。2. The antioxidant according to claim 1, which is hydroquinone, hydrazine sulfate, resorcin, sodium sorbate,
At least one selected from L-ascorbic acid, pyrocatechol, phenol sulfonic acid, catechol sulfonic acid, hydroquinone sulfonic acid, resorcin sulfonic acid, and pyrogallol sulfonic acid is 0 to 0.01 mol.
The electroless plating method according to claim 1, wherein an electroless plating bath containing 1 / L is used.
ン、ヘリウム、水素、二酸化炭素のうちから選ばれる少
なくとも一つであり、その流量が10〜500ml/分
/Lであることを特徴とする請求項1記載の無電解めっ
き方法。3. The inert gas according to claim 1, which is at least one selected from nitrogen, argon, helium, hydrogen and carbon dioxide, and has a flow rate of 10 to 500 ml / min / L. The electroless plating method according to claim 1.
5〜0.5mol/L、エチレンジアミン四酢酸が0.
04〜0.2mol/L、ニトリロ三酢酸が0.05〜
0.3mol/Lの濃度である無電解めっき浴を用いた
ことを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。4. The complexing agent according to claim 1, wherein citric acid is 0.0
5 to 0.5 mol / L, ethylenediaminetetraacetic acid of 0.
04-0.2 mol / L, nitrilotriacetic acid 0.05-
The electroless plating method according to claim 1, wherein an electroless plating bath having a concentration of 0.3 mol / L is used.
ンからなる、三塩化チタン、硫酸チタン、シュウ化チタ
ン、ヨウ化チタンのうちから選ばれる少なくとも一つを
0.02〜0.1mol/L含む無電解めっき浴を用い
たことを特徴とする請求項1記載の無電解めっき方法。5. The reducing agent according to claim 1, wherein at least one selected from titanium trichloride, titanium sulfate, titanium oxalate and titanium iodide, which is composed of trivalent titanium ions, is used in an amount of 0.02 to 0. The electroless plating method according to claim 1, wherein an electroless plating bath containing 1 mol / L is used.
水溶液、アンモニア水、塩酸のうちから選ばれるすくな
くとも一つからなり、pHが6.5〜11に調整された
無電解めっき浴を用いたことを特徴とする請求項1記載
の無電解めっき方法。6. The pH adjusting agent according to claim 1 comprises at least one selected from an aqueous solution of sodium carbonate, aqueous ammonia and hydrochloric acid, and an electroless plating bath having a pH adjusted to 6.5 to 11 is used. The electroless plating method according to claim 1, wherein
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6190687A JPH0860376A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Electroless plating method |
Applications Claiming Priority (1)
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JP6190687A JPH0860376A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Electroless plating method |
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JP6190687A Pending JPH0860376A (en) | 1994-08-12 | 1994-08-12 | Electroless plating method |
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JP (1) | JPH0860376A (en) |
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-
1994
- 1994-08-12 JP JP6190687A patent/JPH0860376A/en active Pending
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