JPH0857846A - Diamond-point scribing device - Google Patents

Diamond-point scribing device

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Publication number
JPH0857846A
JPH0857846A JP19507794A JP19507794A JPH0857846A JP H0857846 A JPH0857846 A JP H0857846A JP 19507794 A JP19507794 A JP 19507794A JP 19507794 A JP19507794 A JP 19507794A JP H0857846 A JPH0857846 A JP H0857846A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diamond
foreign matter
cutter
point scribing
strip
Prior art date
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Pending
Application number
JP19507794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Akihiko Sato
昭彦 佐藤
Takeshi Ogura
剛 小倉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP19507794A priority Critical patent/JPH0857846A/en
Publication of JPH0857846A publication Critical patent/JPH0857846A/en
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Abstract

PURPOSE: To remove instantly a foreign matter to be generated by diamond-point scribing, by possessing a foreign matter removing mechanism removing the foreign matter to be generated by hurting by a diamond cutter. CONSTITUTION: In a diamond-point scribing device, after fancy paper tablet bodies 1 are stuck to a tape 4 of a frame 3 by arranging, a frame 3 is fixed to a stage 2 by a vacuum suction. After an end fringe of the single fancy paper tablet body 1 is recognized and positioned by a microscope after that, hurts 21 having fixed lengths are put in order on the top of the fancy paper tablet body 1. The hurts 21 are placed so as to run along a boundary of a sphere of an adjoining semiconductor laser chip and put into the central part. On the occasion of hurting 21, a vacuum suction and discharge mechanism is operated, therefore, since scratch scraps to be generated at the time of hurting is vacuum-sucked and discharged outside by passing through within a cutter guide 18 simultaneously with generation, it becomes that the scratch scraps do not stick to the surface of the fancy paper tablet body 1, that is, the sides which become the top and a laser beam emitting surface.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、単結晶板等板状物の分
断に先立つ分断の案内となる傷を、先端にダイヤモンド
を取り付けけたダイヤモンドカッタによって板状物の主
面側に少なくとも一部入れるダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to at least a part of a scratch which serves as a guide for the cutting prior to the cutting of a plate-like object such as a single crystal plate on the main surface side of the plate-like object by a diamond cutter having a diamond attached to the tip thereof. Regarding diamond point scribe device to put.

【0002】[0002]

【従来の技術】シリコンからなる半導体基板(ウエハ)
を分断して矩形体からなる半導体チップを製造する技術
として、ダイシング技術が知られている。ダイシングに
ついては、たとえば、日経BP社発行「VLSIパッケ
ージング技術(下)」1993年5月15日発行、P14〜P16
や工業調査会発行「電子材料」1989年3月号、同年3月
1日発行、P31およびP32に記載されている。
2. Description of the Related Art A semiconductor substrate (wafer) made of silicon
A dicing technique is known as a technique for manufacturing a semiconductor chip having a rectangular body by dividing the substrate into pieces. Regarding dicing, for example, “VLSI packaging technology (below)” issued by Nikkei BP, May 15, 1993, P14 to P16
"Electronic Materials" published by the Industrial Research Institute, March 1989, March 1, 1989, P31 and P32.

【0003】前者の文献には、ダイシングは、ウエハか
ら1個1個のLSIチップを切り出すことであり、ダイ
シング法には、ダイヤモンドブレード・ダイシング法,
レーザ・スクライブ法,ダイヤモンド・ポイントスクラ
イブ法があることが記載されている。この文献には、
「ダイヤモンドブレード・ダイシングは、純水を研削液
として使う。研削液の比抵抗が高いと,研削したシリコ
ン屑が静電気を帯びてウエーハに付着しやすい。シリコ
ン屑が十分に洗浄されずに,後工程へ流れると,思わぬ
トラブルの原因になる。」旨記載されている。
In the former document, dicing is to cut out each LSI chip from a wafer, and dicing method includes diamond blade dicing method,
It is described that there are a laser scribe method and a diamond point scribe method. In this document,
"Diamond blade dicing uses pure water as a grinding fluid. If the grinding fluid has a high specific resistance, the ground silicon chips tend to be charged with static electricity and adhere to the wafer. If it flows to the process, it may cause unexpected trouble. ”

【0004】また、前記VLSIパッケージング技術
(下)の文献によるダイヤモンド・ポイントスクライブ
法については、ダイヤモンド・ポイント・カッタ(ダイ
ヤモンドカッタ)を使用して、ダイヤモンドの鋭い角で
個々のチップの境界に傷を付け、その後、ウエハに、た
とえばローラーで機械的な曲げ応力を与え、シリコンの
劈開性を利用して、個々のチップに分離(ブレイキン
グ)する旨記載されている。
In the diamond point scribing method according to the document of the VLSI packaging technology (below), a diamond point cutter (diamond cutter) is used to scratch the boundaries of individual chips with sharp corners of diamond. After that, the wafer is subjected to mechanical bending stress by, for example, a roller, and the cleavage of silicon is used to separate (break) into individual chips.

【0005】また、前記後者の文献によるダイヤモンド
・ポイントスクライブ装置においては、先端にダイヤモ
ンドを取り付けたダイヤモンドカッタには、バネによっ
て弾性力(バネ圧)が加えられ、このバネ圧によってウ
エハの主面(表面)に劈開用の引掻傷(以下単に傷と称
する)が入れられることが記載されている。
Further, in the diamond point scribing device according to the latter document, an elastic force (spring pressure) is applied by a spring to a diamond cutter having a diamond attached to its tip, and this spring pressure causes the main surface of the wafer ( It is described that scratches for cleavage (hereinafter simply referred to as scratches) are formed on the surface).

【0006】一方、半導体レーザは、化合物半導体から
なる基板(半導体基板)の両端の結晶面(劈開面)をレ
ーザ光を発光する出射面(ミラー面)としている。前記
劈開面は、化合物半導体インゴットをスライスして得ら
れた半導体基板(ウエハ)に半導体レーザ素子を形成し
た後、前記ウエハの一縁に傷を付け、その後、ダイヤモ
ンドカッタ等によって前記傷部分に外力を加えて前記傷
部分で劈開を行わせることによって形成される。前記ウ
エハの劈開によって、たとえば0.25〜0.4mm程
度の幅の細長い短冊体(半導体基板)が得られる。短冊
体は前記同様の劈開技術(すなわち、ダイヤモンド・ポ
イントスクライブによる傷入れとブレイキング)によっ
て、たとえば0.3mm程度の間隔で分断される。これ
によって矩形体からなる半導体レーザチップが製造され
る。なお、半導体レーザ製造用のウエハを劈開させる技
術としては、特開昭 62-133800号公報に記載された技術
が知られている。
On the other hand, in the semiconductor laser, crystal planes (cleavage planes) at both ends of a substrate (semiconductor substrate) made of a compound semiconductor are used as emission surfaces (mirror surfaces) for emitting laser light. The cleaved surface has a semiconductor laser element formed on a semiconductor substrate (wafer) obtained by slicing a compound semiconductor ingot, scratches one edge of the wafer, and then external force is applied to the scratched portion by a diamond cutter or the like. Is added to cause cleavage at the scratched portion. By cleaving the wafer, an elongated strip body (semiconductor substrate) having a width of, for example, about 0.25 to 0.4 mm is obtained. The strip body is divided at intervals of, for example, about 0.3 mm by the same cleavage technique as described above (that is, scratching and breaking by diamond point scribing). As a result, a semiconductor laser chip having a rectangular body is manufactured. As a technique for cleaving a wafer for manufacturing a semiconductor laser, a technique described in JP-A-62-133800 is known.

【0007】他方、化合物半導体ウエハをスクライブす
るスクライブ装置は、市販(ダイトロンテクノロジー株
式会社発行「INFORMATION 」の4頁に記載されている認
識装置付きポイントスクライブ装置)されている。
On the other hand, a scribing device for scribing compound semiconductor wafers is commercially available (a point scribing device with a recognition device described on page 4 of "INFORMATION" issued by Daitron Technology Co., Ltd.).

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】本出願人にあっては、
半導体レーザチップの製造において、ウエハを劈開させ
て短冊体を形成した後の短冊体の分断は、両側面の出射
面となる面を汚さないためにも、ダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置による傷付けと、その後のブレイキン
グとによって行っている。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Applicant
In the manufacture of semiconductor laser chips, the cutting of the strip after the wafer is cleaved to form the strip is not damaged by the diamond point scribing device in order to prevent the emission surfaces of both sides from being contaminated. It's done with breaking.

【0009】ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置
は、前記市販の装置も同様であるが、ウエハを真空吸着
によってステージ上に固定した後、顕微鏡でウエハを見
ながらチップサイズに合わせてダイヤモンドダイヤモン
ドカッタの移動ピッチを設定する構造となっている。こ
れによって自動的に一方向のスクライビングが行える。
また、本出願人にあっては、ダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置において、スクライブ箇所に空気を吹き付
け(エアーブロー)て、スクライブ時に発生する微小な
引掻屑(この明細書では異物とも称する)の除去を図っ
ている。
The diamond point scribing device is similar to the above-mentioned commercially available device, but after the wafer is fixed on the stage by vacuum suction, the movement pitch of the diamond diamond cutter is adjusted according to the chip size while observing the wafer with a microscope. It has a structure to set. This allows automatic one-way scribing.
In addition, the applicant of the present invention removes minute scratches (also referred to as foreign matter in this specification) generated at the time of scribing by blowing air (air blow) to the scribing site in the diamond point scribing device. I am trying.

【0010】しかし、ウエハの傷入れ時に発生する微小
な異物は、ウエハ表面に一度付着すると、エアーブロー
程度では除去できず、製品の品質低下を招くおそれがあ
る。特に、短冊体のスクライブでは、前述のように側面
(出射面となる面)の異物汚染は知命的な不良原因とな
る。
However, the minute foreign matter generated when the wafer is scratched cannot be removed by air blow once it adheres to the surface of the wafer, which may lead to deterioration of product quality. In particular, in the case of strip-shaped scribing, foreign matter contamination on the side surface (the surface that becomes the emission surface) causes a fatal defect as described above.

【0011】そこで、本発明者等はダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置によって短冊体の一部に傷入れを行
った後、短冊体を洗浄して短冊体に付着した異物を除去
する方法を検討したが、洗浄の場合には以下のような問
題点が発生することが判明した。
Therefore, the present inventors have examined a method of removing foreign matter adhering to the strip by cleaning the strip after scratching a part of the strip with a diamond point scribing device. It has been found that the following problems occur in the case of cleaning.

【0012】(1)短冊体の洗浄後の乾燥で洗浄液が染
み込んで汚れるいわゆるシミを生じる危険度が高まる。
このシミは導電性ともなる前記引掻屑(異物)を含むた
め、電気的短絡の原因になり易い。
(1) There is a high risk that the cleaning liquid permeates the cleaning liquid after the cleaning and then stains, that is, a so-called stain is generated.
Since this stain contains the above-mentioned scratching dust (foreign matter) which is also conductive, it easily causes an electrical short circuit.

【0013】(2)また、細い短冊体はテープに張り付
けられているため、洗浄液によってテープから簡単に剥
がれる可能性があり、後工程において支障を来すととも
に歩留り低下を引き起こす。
(2) Further, since the thin strip is attached to the tape, it may be easily peeled off from the tape by the cleaning liquid, which causes a trouble in the later process and causes a decrease in yield.

【0014】(3)また、一度半導体基板に付着した異
物を完全に除去することは非常に困難である。
(3) Further, it is very difficult to completely remove the foreign matter once attached to the semiconductor substrate.

【0015】本発明者等は、引掻屑(異物)が発生した
際、異物が半導体基板表面に付着する前に瞬時にその異
物を除去できる技術の開発を試み本発明をなした。
The present inventors have attempted to develop a technique capable of instantaneously removing foreign matter when scratches (foreign matter) occur, before the foreign matter adheres to the surface of a semiconductor substrate.

【0016】本発明の目的は、ダイヤモンド・ポイント
スクライブによって発生する異物を瞬時に除去できるダ
イヤモンド・ポイントスクライブ装置を提供することに
ある。
An object of the present invention is to provide a diamond point scribing apparatus capable of instantaneously removing foreign matter generated by diamond point scribing.

【0017】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明のダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置は、細長い板状物である化合物
半導体基板からなる短冊体の主面の一部にダイヤモンド
カッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタの傷付け
によって発生した引掻屑(異物)を除去する異物除去機
構を有する構造となっている。前記異物除去機構は、前
記ダイヤモンドカッタの周囲の一部または全部を取り囲
む管体(カッタガイド)と、前記管体内を真空排気化す
る排気機構とによって構成される真空吸引排気機構によ
って構成されている。
The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the diamond of the present invention
The point scribing device is a diamond point scribing device that scratches a part of the main surface of a strip made of a compound semiconductor substrate that is an elongated plate-like object with a diamond cutter, and scratches caused by the scratching of the diamond cutter. It has a structure having a foreign matter removing mechanism for removing dust (foreign matter). The foreign matter removing mechanism is configured by a vacuum suction / exhaust mechanism including a tubular body (cutter guide) that surrounds a part or the whole of the periphery of the diamond cutter and an exhaust mechanism that evacuates the tubular body. .

【0019】本発明の他の実施例による真空吸引排気機
構を有するダイヤモンド・ポイントスクライブ装置にお
いては、前記半導体基板に対面する前記管体(カッタガ
イド)の下面部分には、直接あるいは間接的にダイヤモ
ンドカッタの全周を囲むように可撓性の刷毛が設けられ
る構造となっている。
In a diamond point scribing apparatus having a vacuum suction / exhaust mechanism according to another embodiment of the present invention, a diamond is directly or indirectly formed on the lower surface of the tubular body (cutter guide) facing the semiconductor substrate. A flexible brush is provided so as to surround the entire circumference of the cutter.

【0020】本発明の他の実施例によるダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置においては、前記半導体基板か
らなる短冊体の主面の一部にダイヤモンドカッタによっ
て傷を付けるダイヤモンド・ポイントスクライブ装置で
あって、前記異物除去機構は前記ダイヤモンドカッタの
周囲に配設された前記異物を電気的に吸引する陽極電極
および陰極電極とによる静電気吸引除去機構で構成され
ている構造となっている。
A diamond according to another embodiment of the present invention
The point scribing device is a diamond point scribing device that scratches a part of the main surface of the strip made of the semiconductor substrate with a diamond cutter, and the foreign matter removing mechanism is arranged around the diamond cutter. It has a structure including an electrostatic attraction / removal mechanism including an anode electrode and a cathode electrode that electrically attract the foreign matter.

【0021】[0021]

【作用】上記した手段によれば、本発明のダイヤモンド
・ポイントスクライブ装置は、真空吸引排気機構による
異物除去機構を有していることから、半導体基板(短冊
体)の主面にダイヤモンドカッタによって傷を付ける際
発生した異物が真空吸引されて排気されることから、異
物が半導体基板の表面、特に出射面となる側面に付着し
難くなる。
According to the above means, since the diamond point scribing apparatus of the present invention has the foreign matter removing mechanism by the vacuum suction / exhaust mechanism, the main surface of the semiconductor substrate (rectangular body) is scratched by the diamond cutter. Since the foreign matter generated at the time of attachment is vacuumed and exhausted, it becomes difficult for the foreign matter to adhere to the surface of the semiconductor substrate, particularly to the side surface which becomes the emitting surface.

【0022】本発明の他の実施例による真空吸引排気機
構付きのダイヤモンド・ポイントスクライブ装置におい
ては、前記短冊体に対面する前記管体の下面側には、全
周に亘って可撓性の刷毛が設けられている構造となって
いることから、ダイヤモンドカッタによる傷付け時に発
生した異物が刷毛の外側に逃げ難くなり、真空吸引排気
による異物除去が確実となる。
In a diamond point scribing device with a vacuum suction / exhaust mechanism according to another embodiment of the present invention, a flexible brush is provided over the entire circumference on the lower surface side of the tube body facing the strip body. Since the structure is provided, it becomes difficult for foreign matter generated when scratched by the diamond cutter to escape to the outside of the brush, and removal of foreign matter by vacuum suction and exhaust becomes reliable.

【0023】本発明の他の実施例によるダイヤモンド・
ポイントスクライブ装置においては、ダイヤモンドカッ
タの傷付け時に発生した異物は帯電し、ダイヤモンドカ
ッタの近くに配置された陽極電極または陰極電極に吸引
されるため、ダイヤモンドカッタの傷付け時に発生した
異物が短冊体表面、特に出射面となる側面に付着し難く
なる。
A diamond according to another embodiment of the present invention
In the point scribing device, the foreign matter generated when scratching the diamond cutter is charged and is attracted to the anode electrode or the cathode electrode arranged near the diamond cutter, so that the foreign matter generated when scratching the diamond cutter is a strip surface, In particular, it becomes difficult to adhere to the side surface that becomes the emission surface.

【0024】[0024]

【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明の第1実施例によるダイヤモ
ンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す斜視図、図
2は同じくダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要
部を示す模式的正面図、図3は同じくテープに張り付け
られた短冊体を示す斜視図、図4は第1実施例のダイヤ
モンドカッタによる傷入れ状態を示す模式的断面図、図
5は同じく傷入れ状態の模式的な一部拡大断面図、図6
は同じく傷を入れられた短冊体を示す斜視図、図7は傷
入れ後ブレイキングされて形成された半導体レーザチッ
プを示す模式的斜視図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a perspective view showing an essential part of a diamond point scribing device according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic front view showing an essential part of the diamond point scribing device, and FIG. 3 is also attached to a tape. FIG. 4 is a perspective view showing the formed strip, FIG. 4 is a schematic sectional view showing a damaged state by the diamond cutter of the first embodiment, and FIG. 5 is a schematic partially enlarged sectional view showing the damaged state.
Is a perspective view showing a strip body similarly damaged, and FIG. 7 is a schematic perspective view showing a semiconductor laser chip formed by breaking after scratching.

【0025】本発明のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置は、図2および図1に示すように、被処理物であ
る細長い半導体基板からなる短冊体1を載置する試験台
(ステージ)2を有している。前記短冊体1は半導体レ
ーザ製造用のGaAs系あるいはIuP系の化合物半導
体であり、たとえば、幅が0.3mm程度、厚さが0.
1mm程度である。
The diamond point scribing apparatus of the present invention, as shown in FIGS. 2 and 1, has a test table (stage) 2 on which a strip 1 made of an elongated semiconductor substrate which is an object to be processed is placed. There is. The strip 1 is a GaAs-based or IuP-based compound semiconductor for manufacturing a semiconductor laser, and has a width of about 0.3 mm and a thickness of 0.
It is about 1 mm.

【0026】同図では、短冊体1は単にステージ2に載
置されているように記載されているが、実際には図3に
示すように、短冊体1はドーナツ状のフレーム3の一面
側に張り付けられたテープ4にテープの有する粘着力に
よって並んで複数張り付けられている。そして、図1に
示すように、前記テープ4部分が真空吸着によってステ
ージ2に固定されている。前記ステージ2は平面XY方
向に移動制御可能であるとともに、回転も可能となって
いる。
In the figure, the strip 1 is illustrated as being simply placed on the stage 2. However, as shown in FIG. 3, the strip 1 is actually one side of the donut-shaped frame 3. A plurality of tapes 4 are attached side by side by the adhesive force of the tape. Then, as shown in FIG. 1, the tape 4 portion is fixed to the stage 2 by vacuum suction. The stage 2 can be moved and controlled in the plane XY directions and can also be rotated.

【0027】前記ステージ2の側方にはフレーム10が
配設されている。このフレーム10の上面側には支持板
11が固定されているとともに、この支持板11には水
平方向に延在するホルダ12が支軸13を介して上下に
揺動可能に取り付けられている。また、前記ホルダ12
の先端(図中左端)にはアーム14が取り付けられてい
る。
A frame 10 is arranged on the side of the stage 2. A support plate 11 is fixed to the upper surface side of the frame 10, and a holder 12 extending in the horizontal direction is attached to the support plate 11 via a support shaft 13 so as to be vertically swingable. Also, the holder 12
An arm 14 is attached to the tip (left end in the figure) of the.

【0028】前記アーム14の先端は、カッタヘッド1
5となるとともに、このカッタヘッド15には、Y方向
に延在する調整軸16が回転可能に取り付けられてい
る。前記調整軸16には、図4に示すように、ダイヤモ
ンドカッタ17を案内する筒状のカッタガイド18が貫
通状態で固定されている。したがって、前記調整軸16
を左右に回転調整すれば、前記カッタガイド18の下端
がX方向に前後動する。これにより、ダイヤモンドカッ
タ17の角度を自由に設定できる。前記ダイヤモンドカ
ッタ17の先端(下端)には図示はしないがダイヤモン
ドの刃が取り付けられている。
The tip of the arm 14 is provided at the cutter head 1.
5, the adjustment head 16 extending in the Y direction is rotatably attached to the cutter head 15. As shown in FIG. 4, a cylindrical cutter guide 18 for guiding a diamond cutter 17 is fixed to the adjustment shaft 16 in a penetrating state. Therefore, the adjustment shaft 16
If the left and right are rotated and adjusted, the lower end of the cutter guide 18 moves back and forth in the X direction. Thereby, the angle of the diamond cutter 17 can be freely set. Although not shown, a diamond blade is attached to the tip (lower end) of the diamond cutter 17.

【0029】前記ダイヤモンドカッタ17は、カッタガ
イド18と同心円的に配置され、前記カッタガイド18
の内側に取り付けられる支持片19で固定されている。
すなわち、ダイヤモンドカッタ17の周囲の全周(全
部)がカッタガイド18によって囲まれることになる。
また、前記カッタガイド18の上端には、図示しない真
空ポンプ系に接続されるパイプ20(図4参照)が接続
されている。
The diamond cutter 17 is arranged concentrically with the cutter guide 18, and the cutter guide 18 is provided.
It is fixed by a support piece 19 attached to the inside of the.
That is, the entire circumference (entire circumference) of the diamond cutter 17 is surrounded by the cutter guide 18.
A pipe 20 (see FIG. 4) connected to a vacuum pump system (not shown) is connected to the upper end of the cutter guide 18.

【0030】そして、図示しない制御装置の操作盤のス
イッチの操作によって、カッタガイド18の先端(下
端)から空気を吸い込むようになっている。すなわち、
前記パイプ20は、工場内に敷設された真空系のパイプ
に接続されたり、あるいは真空ポンプに直接接続され、
前記スイッチの操作によってカッタガイド18内の真空
化とそれに付随する排気が行われるようになっている。
真空吸引排気機構は、前記カッタガイド18とパイプ2
0、および真空源等によって構成される。
Then, air is sucked from the tip (lower end) of the cutter guide 18 by operating a switch on an operation panel of a control device (not shown). That is,
The pipe 20 is connected to a vacuum pipe laid in the factory, or directly connected to a vacuum pump,
By operating the switch, the inside of the cutter guide 18 is evacuated and the associated exhaust is performed.
The vacuum suction / exhaust mechanism includes the cutter guide 18 and the pipe 2.
0, a vacuum source, etc.

【0031】これにより、図4および図5に示すよう
に、短冊体1の一部に、ダイヤモンドカッタ17で傷2
1を入れた場合、傷入れ時に発生した引掻屑(異物)2
2は、前記真空吸引排気機構によって発生と同時(瞬
時)に排気されるため、短冊体1の表面に付着しなくな
る。前記異物22は、図4においては点で示し、図5で
は小さな丸で示してある。なお、傷入れ時、ダイヤモン
ドカッタ17はステージ2に対して相対的に移動して傷
入れが行われる。
As a result, as shown in FIGS. 4 and 5, a part of the strip 1 is scratched by the diamond cutter 17.
When 1 is put in, scratches (foreign matter) generated when scratching 2
No. 2 is exhausted at the same time (instantaneously) as it is generated by the vacuum suction / exhaust mechanism, so that it does not adhere to the surface of the strip 1. The foreign material 22 is indicated by a dot in FIG. 4 and a small circle in FIG. During the scratching, the diamond cutter 17 is moved relative to the stage 2 to scratch it.

【0032】一方、前記ホルダ12の中間部分に対応す
るフレーム10部分には支台25が固定されている。こ
の支台25の下部には、前記ホルダ12を支える受部2
6が設けられ、先端を上下に揺動させるホルダ12を支
えるようになっている。また、前記支台25の上部には
カッタ荷重用バネ27が内蔵されるバネ収容部28が設
けられている。カッタ荷重用バネ27の下端は前記ホル
ダ12上に乗る構造となっている。また、前記バネ収容
部28の天井部分には、荷重調整ネジ29が設けられて
いて、この荷重調整ネジ29の調整によってダイヤモン
ドカッタ17の短冊体1に対する傷付け力(押し付け
力)が調整できるようになっている。
On the other hand, an abutment 25 is fixed to the portion of the frame 10 corresponding to the intermediate portion of the holder 12. At the lower part of this abutment 25, a receiving portion 2 that supports the holder 12
6 is provided to support the holder 12 which swings its tip up and down. Further, a spring accommodating portion 28 in which a cutter loading spring 27 is built-in is provided above the abutment 25. The lower end of the cutter loading spring 27 is structured so as to ride on the holder 12. Further, a load adjusting screw 29 is provided on the ceiling portion of the spring accommodating portion 28 so that the damage force (pressing force) of the diamond cutter 17 against the strip 1 can be adjusted by adjusting the load adjusting screw 29. Has become.

【0033】また、前記フレーム10の後端(図中右
端)は、機台35の一部に支持ピン36を介して揺動自
在に取り付けられている。前記フレーム10の上下揺動
は、前記機台35に取り付けられた、モータ37の回転
軸38に固定されたカム39の回転によって制御され
る。
The rear end (right end in the figure) of the frame 10 is swingably attached to a part of the machine base 35 via a support pin 36. The vertical swing of the frame 10 is controlled by the rotation of a cam 39 mounted on the machine base 35 and fixed to a rotation shaft 38 of a motor 37.

【0034】したがって、前記カム39の回転によっ
て、前記フレーム10の先端(左端)が下降すると、ダ
イヤモンドカッタ17の先端(下端)が短冊体1に接触
する。前記ダイヤモンドカッタ17の先端には、ダイヤ
モンドの刃が取り付けられていて、加わる荷重によっ
て、短冊体1の表面には傷が入れられる。すなわち、ダ
イヤモンドカッタ17の先端が短冊体1の表面に接触し
た後、フレーム10がさらに下降すると、前記下降分だ
け前記カッタ荷重用バネ27が撓み、カッタ荷重用バネ
27の復元力に相当する荷重がステージ2上の短冊体1
の表面(上面)に加えられることになる。なお、前記ダ
イヤモンドカッタの刃の形状は、特に限定されないが、
先端は円錐であるが、先端部分は3面となる円錐3面の
形状となっている。
Therefore, when the tip (left end) of the frame 10 is lowered by the rotation of the cam 39, the tip (lower end) of the diamond cutter 17 comes into contact with the strip 1. A diamond blade is attached to the tip of the diamond cutter 17, and the surface of the strip 1 is scratched by the applied load. That is, after the tip of the diamond cutter 17 comes into contact with the surface of the strip 1 and the frame 10 is further lowered, the cutter load spring 27 is bent by the amount of the lowering, and the load corresponding to the restoring force of the cutter load spring 27 is applied. Is strip 1 on stage 2
Will be added to the surface (top surface) of. The shape of the blade of the diamond cutter is not particularly limited,
The tip is conical, but the tip has a three-sided cone shape.

【0035】このような第1実施例のダイヤモンド・ポ
イントスクライブ装置においては、図3に示すようなフ
レーム3のテープ4に短冊体1を並べて張り付けた後、
フレーム3をステージ2に真空吸着によって固定する。
その後、図示しない顕微鏡によって単一の短冊体1の端
縁を認識し位置決めした後、自動的にピッチ送りしなが
ら、図1および図6に示すように、短冊体1の上面に所
定長さの傷21を順次入れる。
In the diamond point scribing apparatus of the first embodiment as described above, after the strips 1 are attached side by side to the tape 4 of the frame 3 as shown in FIG.
The frame 3 is fixed to the stage 2 by vacuum suction.
After that, after recognizing and positioning the edge of the single strip 1 by a microscope (not shown), while automatically feeding the pitch, as shown in FIG. 1 and FIG. Insert scratch 21 in sequence.

【0036】前記傷21は、図6に示されるように、隣
接する半導体レーザチップ領域の境界40に沿うよう
に、かつ中央部分に入れられる。この傷21の長さは、
たとえば0.1mm程度となる。また、短冊体1のダイ
ヤモンド・ポイントスクライブにおいては、短冊体1の
両側面はレーザ光発光に際して重要な面(出射面)とな
ることから、ダイヤモンド・ポイントスクライブによる
傷21は、短冊体1の中央に部分的に設けられる。
As shown in FIG. 6, the scratch 21 is formed along the boundary 40 between the adjacent semiconductor laser chip regions and in the central portion. The length of this scratch 21 is
For example, it is about 0.1 mm. Further, in the diamond point scribe of the strip 1, since both side surfaces of the strip 1 are important surfaces (emission surface) for emitting laser light, the scratch 21 due to the diamond point scribe is located at the center of the strip 1. Partially provided.

【0037】前記傷入れの際、前記真空吸引排気機構が
動作される。したがって、傷入れ(傷付け)時発生する
引掻屑(異物)22は、発生と同時にカッタガイド18
内を通って外部に真空吸引排気されるため、短冊体1の
表面、すなわち、上面およびレーザ光の出射面となる側
面には異物22が付着しなくなる。
At the time of scratching, the vacuum suction / exhaust mechanism is operated. Therefore, the scraps (foreign matter) 22 generated at the time of scratching (scratching) are generated simultaneously with the cutter guide 18.
Since it is vacuum-sucked and evacuated to the outside through the inside, the foreign matter 22 does not adhere to the surface of the strip 1, that is, the upper surface and the side surface serving as the laser light emitting surface.

【0038】傷入れが終了した短冊体1は、常用のブレ
イキングによって分断され、図7に示されるような半導
体レーザチップ42が製造される。図7は、半導体レー
ザチップ12の模式図であるが、図示しない上下の電極
に所定の電圧が印加されると、導波路43の両端、すな
わち、出射面44からレーザ光45を出射する。前記出
射面44は、結晶の劈開によって得られる劈開面であ
る。前記導波路43は半導体のpn接合部分によって形
成されていることから、導波路43の端となる出射面4
4に導電性の異物22が付着することは、電気的短絡を
生じさせることになる。したがって、ダイヤモンド・ポ
イントスクライブにおいて発生する異物22の出射面4
4への付着は特に避けなければならない。
The strip 1 which has been scratched is divided by regular breaking, and a semiconductor laser chip 42 as shown in FIG. 7 is manufactured. FIG. 7 is a schematic view of the semiconductor laser chip 12, but when a predetermined voltage is applied to the upper and lower electrodes (not shown), the laser light 45 is emitted from both ends of the waveguide 43, that is, the emission surface 44. The emission surface 44 is a cleavage plane obtained by cleaving the crystal. Since the waveguide 43 is formed by the pn junction portion of the semiconductor, the exit surface 4 which is the end of the waveguide 43 is formed.
Adhesion of the conductive foreign matter 22 to 4 causes an electrical short circuit. Therefore, the emission surface 4 of the foreign matter 22 generated in the diamond point scribe
Adhesion to 4 must be avoided especially.

【0039】第1実施例のダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置によれば、ダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ時に発生する異物22は発生と同時に短冊体1の表面
に付着する前に真空吸引排気機構によって排気されるの
で、出射面44への異物22の付着は防止できることに
なる。
According to the diamond point scribing apparatus of the first embodiment, the foreign matter 22 generated during diamond point scribing is exhausted by the vacuum suction / exhaust mechanism before adhering to the surface of the strip 1 at the same time as it is generated. The foreign matter 22 can be prevented from adhering to the emission surface 44.

【0040】ここで、半導体レーザチップ42の寸法の
一例について説明すると、導波路43に沿う長さが0.
25〜0.4mm、幅が0.3mm、高さが0.1mm
となる。したがって、このような半導体レーザチップ4
2を形成するための短冊体1は、微小であることと、短
冊体1がテープ4にテープ4が有する接着力によって接
着されていることからも、ダイヤモンドブレードによる
切断は無理となり、このようなダイヤモンド・ポイント
・スクライブとブレイキングによって半導体レーザチッ
プ化が図られる。
Here, an example of the dimensions of the semiconductor laser chip 42 will be described. The length along the waveguide 43 is 0.
25-0.4mm, width 0.3mm, height 0.1mm
Becomes Therefore, such a semiconductor laser chip 4
Since the strip 1 for forming 2 is minute and the strip 1 is adhered to the tape 4 by the adhesive force of the tape 4, cutting with a diamond blade becomes impossible, and A semiconductor laser chip is achieved by diamond point scribing and breaking.

【0041】図8は、GaAs系やInP系の板状物か
らなる化合物半導体基板(ウエハ50)の一縁に、劈開
用の傷21を入れる状態を示すものである。この例で
も、ダイヤモンド・ポイントスクライブ時に発生した図
示しない異物22は、真空吸引排気機構によって、ウエ
ハ50の表面に付着する以前に真空吸引排気される。前
記ウエハ50は、傷21がウエハ50の一縁に入れられ
た後は、下方から突出するダイヤモンドカッタによって
分断され、図6に示されるような短冊体1にされる。
FIG. 8 shows a state in which a cleavage scratch 21 is formed on one edge of a compound semiconductor substrate (wafer 50) made of a GaAs-based or InP-based plate-like material. Also in this example, the foreign matter 22 (not shown) generated during diamond point scribing is vacuum suctioned and exhausted by the vacuum suction / exhaust mechanism before being attached to the surface of the wafer 50. After the scratch 21 is placed on one edge of the wafer 50, the wafer 50 is divided by a diamond cutter protruding from below to form the strip 1 as shown in FIG.

【0042】第1実施例のダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置によれば、ダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ時に発生する異物は、発生と同時に真空吸引排気機構
によって外部に除去されるので、ウエハや短冊体等の板
状物の表面に異物が付着することがない。
According to the diamond point scribing apparatus of the first embodiment, the foreign substances generated during the diamond point scribing are removed to the outside by the vacuum suction / exhaust mechanism at the same time as they are generated. No foreign matter will adhere to the surface of the object.

【0043】また、第1実施例のダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置においては、ダイヤモンドカッタ17
はカッタガイド18と一体構造となっている。したがっ
て、ダイヤモンドカッタ17に対するカッタガイド18
の位置関係を調整する等の作業がなくなり便利である。
また、ダイヤモンドカッタ17が使用できなくなった場
合、カッタガイド18ごとに交換すれば良く、交換作業
も容易である。
Further, in the diamond point scribing apparatus of the first embodiment, the diamond cutter 17
Has an integrated structure with the cutter guide 18. Therefore, the cutter guide 18 for the diamond cutter 17
It is convenient because there is no need to adjust the positional relationship of.
Further, when the diamond cutter 17 becomes unusable, it is only necessary to replace each of the cutter guides 18, and the replacement work is easy.

【0044】図9は本発明の第1実施例の変形例であ
る。この構造では、カッタガイド18はダイヤモンドカ
ッタ17の全周(全部)を取り囲む構造となっている
が、ダイヤモンドカッタ17と一体型ではなく独立して
設けられている。このため、ダイヤモンドカッタ17
は、前記カッタガイド18の天井部分の穴51によって
限度はあるが、その位置を移動調整することができる。
FIG. 9 shows a modification of the first embodiment of the present invention. In this structure, the cutter guide 18 surrounds the entire circumference (entire) of the diamond cutter 17, but is not provided integrally with the diamond cutter 17 but provided independently. Therefore, the diamond cutter 17
Can be moved and adjusted, though there is a limit due to the hole 51 in the ceiling portion of the cutter guide 18.

【0045】図10は本発明の第1実施例の他の変形例
である。この構造では、カッタガイド18はダイヤモン
ドカッタ17の周囲の一部の領域から空気を取込み、ダ
イヤモンドカッタ17による傷入れ時に発生する異物2
2を真空吸引排気する構造となっている。この構造で
は、カッタガイド18が一部分にしか設けられていない
ことから、ダイヤモンドカッタ17の前後左右の調整が
自由自在となる。
FIG. 10 shows another modification of the first embodiment of the present invention. In this structure, the cutter guide 18 takes in air from a partial area around the diamond cutter 17, and the foreign matter 2 generated when the diamond cutter 17 scratches
2 has a structure for vacuum suction and exhaust. In this structure, since the cutter guide 18 is provided only in a part, the front, rear, left, and right of the diamond cutter 17 can be freely adjusted.

【0046】図11は本発明の第2実施例の要部を示す
断面図である。この実施例では、前記第1実施例のカッ
タガイド18に円形板55を設け、この円形板55の下
面にドーナツ状に柔らかい可撓性の刷毛(ブラシ)56
を設けた構造となっている。この刷毛56の先端は、傷
入れ時短冊体1の表面に弾力的に曲がりながら接触す
る。
FIG. 11 is a sectional view showing the main part of the second embodiment of the present invention. In this embodiment, a circular plate 55 is provided on the cutter guide 18 of the first embodiment, and a doughnut-shaped soft brush 56 is provided on the lower surface of the circular plate 55.
Has a structure. The tip of the brush 56 comes into contact with the surface of the strip body 1 while being elastically bent while being damaged.

【0047】この第2実施例によれば、ダイヤモンドカ
ッタ17の周囲は前記刷毛56によって囲まれているこ
とから、傷入れ時に発生した異物22が刷毛56の外に
出なくなる。また、短冊体1の表面に仮に付着した異物
22も、前記刷毛56によって擦られることもあり、擦
り取られかつ真空吸引排気される。
According to the second embodiment, since the diamond cutter 17 is surrounded by the brush 56, the foreign matter 22 generated at the time of scratching does not come out of the brush 56. Further, the foreign matter 22 temporarily attached to the surface of the strip 1 may also be rubbed by the brush 56, scraped off and vacuum-exhausted.

【0048】なお、第2実施例では、カッタガイド18
の下部分に円形板55を取り付けて刷毛56を取り付け
た構造となっているが、ダイヤモンドカッタ17の全周
を囲むカッタガイド18の下端面全周に刷毛56を設け
る構造でも前記第2実施例と同様に異物22を刷毛56
によって逃すことなく真空吸引排気できることになり、
確実な異物除去が可能となる。
In the second embodiment, the cutter guide 18
Although the circular plate 55 is attached to the lower portion of the diamond brush 17, and the brush 56 is attached to the lower portion, the brush 56 is provided on the entire lower end surface of the cutter guide 18 that surrounds the entire circumference of the diamond cutter 17. Brush the foreign material 22 with the brush 56
You can vacuum suction and exhaust without missing,
It is possible to reliably remove foreign matter.

【0049】図12は本発明の第3実施例の要部を示す
断面図である。前記第1・第2実施例の異物除去機構
は、ダイヤモンドカッタ17によって短冊体1に傷入れ
を行った時に発生する異物22を、真空によって異物を
吸引排気除去する真空吸引排気機構となっているが、第
3実施例の異物除去機構は、静電気による異物の吸着に
よって除去する静電気吸引除去機構となっている。
FIG. 12 is a sectional view showing the main part of the third embodiment of the present invention. The foreign matter removing mechanism of the first and second embodiments is a vacuum suction / exhaust mechanism that suctions and removes the foreign matter 22 generated when the rectangular cutter 1 is scratched by the diamond cutter 17 by vacuuming. However, the foreign matter removing mechanism of the third embodiment is an electrostatic attraction / removal mechanism that removes foreign matter by adsorption due to static electricity.

【0050】すなわち、第3実施例では、前記ダイヤモ
ンドカッタ17を取り囲むカッタガイド18を、絶縁性
のもので形成するとともに肉厚の構造とする。そして、
前記カッタガイド18の下面に複数の円錐窪み60を設
け、この円錐窪み60底に先端が突出する電極棒61が
貫通配設されている。前記電極棒61は、一方が陽極電
極61aであり、他方が陰極電極61bである。前記陽
極電極61aおよび陰極電極61bの上端には、図示し
ない制御部から延在する配線62が接続されている。陰
陽一対の陰極電極61bは複数対配置してもよい。な
お、前記カッタガイド18は、支持アーム63を介して
前記ホルダ12に固定されている。
That is, in the third embodiment, the cutter guide 18 surrounding the diamond cutter 17 is made of an insulating material and has a thick structure. And
A plurality of conical depressions 60 are provided on the lower surface of the cutter guide 18, and an electrode rod 61 having a tip protruding from the bottom of the conical depressions 60 is disposed through the conical depressions 60. One of the electrode rods 61 is an anode electrode 61a and the other is a cathode electrode 61b. A wiring 62 extending from a controller (not shown) is connected to the upper ends of the anode electrode 61a and the cathode electrode 61b. A plurality of pairs of negative and positive cathode electrodes 61b may be arranged. The cutter guide 18 is fixed to the holder 12 via a support arm 63.

【0051】この第3実施例のダイヤモンド・ポイント
スクライブ装置では、傷入れ時前記電極棒61を陽極電
極61aまたは陰極電極61bとしておく。半導体は、
ダイヤモンド・ポイントスクライブ時、帯電するため、
陽極電極61aか陰極電極61bに引き付けられて吸引
される。この結果、全周短冊体1の表面に異物22が付
着しなくなる。
In the diamond point scribing apparatus of the third embodiment, the electrode rod 61 is used as the anode electrode 61a or the cathode electrode 61b when the scratch is made. Semiconductors
At the diamond point scribe, it becomes charged,
It is attracted by being attracted to the anode electrode 61a or the cathode electrode 61b. As a result, the foreign matter 22 does not adhere to the surface of the entire circumference strip 1.

【0052】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前期実施例に
限定される物ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種
々変更可能である事はいうまでもない。たとえば、異物
除去機構としては、前記静電気吸引除去機構と真空吸引
排気機構を合わせ持つ構造としても前記実施例同様な効
果が得られる。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments described above, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say. For example, even if the foreign matter removing mechanism has a structure having both the electrostatic attraction / removal mechanism and the vacuum suction / exhaust mechanism, the same effect as in the above-described embodiment can be obtained.

【0053】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
レーザチップの製造におけるダイヤモンド・ポイントス
クライブ技術について説明したが、半導体集積回路装置
等半導体装置の製造におけるダイヤモンド・ポイントス
クライブ技術に適用できる。すなわち、一般のシリコン
基板による集積回路用等半導体チップ製造の場合は、ウ
エハの端から端までスクライブライン(傷)が入れられ
るとともに、前記スクライブラインはウエハの主面に格
子状に入れられる。この場合も、傷入れ時に発生した異
物は、真空吸引排気機構や陽極電極および陰極電極で構
成される異物除去機構によって発生と同時に除去され、
シリコンウエハの表面に付着しなくなる。
In the above description, the diamond point scribing technique in the manufacturing of semiconductor laser chips, which is the field of application of the invention made mainly by the present inventor, has been described, but the manufacturing of semiconductor devices such as semiconductor integrated circuit devices has been described. It can be applied to diamond point scribe technology in. That is, in the case of manufacturing a semiconductor chip for an integrated circuit or the like using a general silicon substrate, scribe lines (scratches) are formed from end to end of the wafer, and the scribe lines are formed in a lattice shape on the main surface of the wafer. Also in this case, the foreign matter generated at the time of scratching is removed at the same time as the foreign matter is removed by the vacuum suction / exhaust mechanism and the foreign matter removing mechanism including the anode electrode and the cathode electrode,
It will not adhere to the surface of the silicon wafer.

【0054】本発明は少なくとも板状物のブレイキング
に先立つダイヤモンド・ポイントスクライブ技術には適
用できる。
The present invention can be applied at least to the diamond point scribe technique prior to the breaking of the plate-like material.

【0055】[0055]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のダイヤモンド・ポイントス
クライブ装置は、真空吸引排気機構を有していることか
ら、ダイヤモンドカッタによって傷入れを行った際、傷
入れと同時に発生する異物が半導体レーザチップを形成
するための短冊体の表面や側面の出射面となる部分に付
着する前に外部に排気されることから、短冊体への異物
付着が防止できる。これにより、半導体レーザ製品の歩
留り向上や製品の信頼性の向上が達成できる。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. Since the diamond point scribing apparatus of the present invention has a vacuum suction / exhaust mechanism, when scratched by a diamond cutter, foreign matter generated at the same time as scratching forms a strip for forming a semiconductor laser chip. Since it is exhausted to the outside before adhering to the surface or side surface of the sheet which becomes the emission surface, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the strip. As a result, the yield of semiconductor laser products and the reliability of the products can be improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例によるダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置の要部を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a main part of a diamond point scribing apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例によるダイヤモンド・ポイントスク
ライブ装置の要部を示す模式的正面図である。
FIG. 2 is a schematic front view showing a main part of the diamond point scribing apparatus according to the first embodiment.

【図3】第1実施例における短冊体の張り付け状態を示
す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a pasted state of the strip body in the first embodiment.

【図4】第1実施例のダイヤモンドカッタによる傷入れ
状態を示す模式的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing a scratched state by the diamond cutter of the first embodiment.

【図5】第1実施例のダイヤモンドカッタによる傷入れ
状態を示す模式的な一部拡大断面図である。
FIG. 5 is a schematic partially enlarged cross-sectional view showing a scratched state by the diamond cutter of the first embodiment.

【図6】第1実施例のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置によって傷を入れられた短冊体を示す斜視図であ
る。
FIG. 6 is a perspective view showing a strip body scratched by the diamond point scribing apparatus of the first embodiment.

【図7】第1実施例のダイヤモンド・ポイントスクライ
ブ装置による傷入れと、その後のブレイキングによって
形成された半導体レーザチップを示す模式的斜視図であ
る。
FIG. 7 is a schematic perspective view showing a semiconductor laser chip formed by scratching by the diamond point scribing apparatus of the first embodiment and then breaking.

【図8】第1実施例のダイヤモンドカッタによってウエ
ハの周縁部分にスクライブによって傷を付ける状態を示
すダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す
模式的斜視図である。
FIG. 8 is a schematic perspective view showing a main part of a diamond point scribing apparatus showing a state in which a peripheral edge portion of a wafer is scratched by scribing with the diamond cutter according to the first embodiment.

【図9】本発明の第1実施例の変形例によるダイヤモン
ド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断面図であ
る。
FIG. 9 is a sectional view showing an essential part of a diamond point scribing apparatus according to a modification of the first embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第1実施例の他の変形例によるダイ
ヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断面図
である。
FIG. 10 is a cross-sectional view showing the main parts of a diamond point scribing device according to another modification of the first embodiment of the present invention.

【図11】本発明のスクライブ装置の第2実施例による
ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断
面図である。
FIG. 11 is a sectional view showing an essential part of a diamond point scribing device according to a second embodiment of the scribing device of the present invention.

【図12】本発明のスクライブ装置の第3実施例による
ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置の要部を示す断
面図である。
FIG. 12 is a sectional view showing a main part of a diamond point scribing device according to a third embodiment of the scribing device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…短冊体、2…ステージ、3…フレーム、4…テー
プ、10…フレーム、11…支持板、12…ホルダ、1
3…支軸、14…アーム、15…カッタヘッド、16…
調整軸、17…ダイヤモンドカッタ、18…カッタガイ
ド、19…支持片、20…パイプ、21…傷、22…異
物、25…支台、26…受部、27…カッタ荷重用バ
ネ、28…バネ収容部、29…荷重調整ネジ、35…機
台、36…支持ピン、37…モータ、38…回転軸、3
9…カム、40…境界、42…半導体レーザチップ、4
3…導波路、44…出射面、45…レーザ光、50…ウ
エハ、51…穴、55…円形板、56…刷毛、60…円
錐窪み、61…電極棒、61a…陽極電極、61b…陰
極電極、62…配線、63…支持アーム。
1 ... Strip body, 2 ... Stage, 3 ... Frame, 4 ... Tape, 10 ... Frame, 11 ... Support plate, 12 ... Holder, 1
3 ... Spindle, 14 ... Arm, 15 ... Cutter head, 16 ...
Adjustment shaft, 17 ... Diamond cutter, 18 ... Cutter guide, 19 ... Support piece, 20 ... Pipe, 21 ... Scratch, 22 ... Foreign material, 25 ... Abutment, 26 ... Receiving part, 27 ... Cutter load spring, 28 ... Spring Storage part, 29 ... Load adjusting screw, 35 ... Machine stand, 36 ... Support pin, 37 ... Motor, 38 ... Rotating shaft, 3
9 ... Cam, 40 ... Border, 42 ... Semiconductor laser chip, 4
3 ... Waveguide, 44 ... Emitting surface, 45 ... Laser light, 50 ... Wafer, 51 ... Hole, 55 ... Circular plate, 56 ... Brush, 60 ... Conical depression, 61 ... Electrode rod, 61a ... Anode electrode, 61b ... Cathode Electrodes, 62 ... Wiring, 63 ... Support arm.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 板状物の主面の少なくとも一部にダイヤ
モンドカッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタの
傷付けによって発生した異物を除去する異物除去機構を
有することを特徴とするダイヤモンド・ポイントスクラ
イブ装置。
1. A diamond point scribing apparatus for scratching at least a part of a main surface of a plate-like object with a diamond cutter, comprising a foreign matter removing mechanism for removing foreign matter generated by scratching the diamond cutter. Characteristic diamond point scribe device.
【請求項2】 前記請求項1記載のダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置であって、前記ダイヤモンドカッタ
の傷付けによって発生した異物を真空吸引して排気する
真空吸引排気機構を有することを特徴とするダイヤモン
ド・ポイントスクライブ装置。
2. The diamond point scribing apparatus according to claim 1, further comprising a vacuum suction / exhaust mechanism that vacuum-exhausts foreign matter generated by scratching the diamond cutter. Scribe device.
【請求項3】 前記請求項2記載のダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置であって、前記真空吸引排気機構は
前記ダイヤモンドカッタの少なくとも先端の周囲の一部
または全部を取り囲む管体と、前記管体内を真空排気化
する排気機構とによって構成されていることを特徴とす
るダイヤモンド・ポイントスクライブ装置。
3. The diamond point scribing device according to claim 2, wherein the vacuum suction / exhaust mechanism encloses a part or all of the periphery of at least the tip of the diamond cutter, and a vacuum inside the body. A diamond point scribing device characterized by being constituted by an exhaust mechanism for generating exhaust.
【請求項4】 前記請求項2記載のダイヤモンド・ポイ
ントスクライブ装置であって、前記板状物に対面する管
体の下面側には、全周ダイヤモンドカッタの全周を囲む
ような可撓性の刷毛が設けられていることを特徴とする
ダイヤモンド・ポイントスクライブ装置。
4. The diamond point scribing device according to claim 2, wherein the lower surface side of the tubular body facing the plate-shaped object is flexible and surrounds the entire circumference of the diamond cutter. A diamond point scribe device that is equipped with a brush.
【請求項5】 板状物の主面の少なくとも一部にダイヤ
モンドカッタによって傷を付けるダイヤモンド・ポイン
トスクライブ装置であって、前記異物除去機構は前記ダ
イヤモンドカッタの周囲に配設された前記異物を電気的
に吸引する陽極電極および陰極電極で構成されているこ
とを特徴とするダイヤモンド・ポイントスクライブ装
置。
5. A diamond point scribing apparatus for scratching at least a part of a main surface of a plate-like object with a diamond cutter, wherein the foreign matter removing mechanism electrically removes the foreign matter arranged around the diamond cutter. A diamond point scribing device comprising an anode electrode and a cathode electrode that are electrically attracted.
JP19507794A 1994-08-19 1994-08-19 Diamond-point scribing device Pending JPH0857846A (en)

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