JPH0850848A - Fuse resistor - Google Patents

Fuse resistor

Info

Publication number
JPH0850848A
JPH0850848A JP20452794A JP20452794A JPH0850848A JP H0850848 A JPH0850848 A JP H0850848A JP 20452794 A JP20452794 A JP 20452794A JP 20452794 A JP20452794 A JP 20452794A JP H0850848 A JPH0850848 A JP H0850848A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
insulating substrate
resistor
heat storage
heat
storage material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP20452794A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshito Kasai
良人 河西
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Okaya Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Okaya Electric Industry Co Ltd filed Critical Okaya Electric Industry Co Ltd
Priority to JP20452794A priority Critical patent/JPH0850848A/en
Publication of JPH0850848A publication Critical patent/JPH0850848A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Fuses (AREA)

Abstract

PURPOSE:To surely explode a fuse resistor in a short time with an overcurrent so as to surely break a current by covering a part of the surface of an insulating substrate with a heat accumulating material, and forming a part, which indirectly contacts with a heat generating resistor through the heat accumulating part, and a part, which directly contacts with the heat generating resistor. CONSTITUTION:A rectangular heat accumulating material 28 is overlaid on the roughly center of the surface of an insulating substrate 12. Next, a heat- generating resistor is overlaid on the heat accumulating material 28 and the insulating substrate 12, thus a direct contact part beta between the insulating substrate 12 and the heat generating resistor 14 and an indirect contact part alphathrough the heat accumulating material 14 are made. Hereby, in case that an overcurrent is let flow between electrode patterns 16 and 16 connected to an external terminal, the direct contact part beta of an insulating substrate 12 is heated to high temperature, and the indirect part alpha is heated to low temperature, laying a time lag. Therefore, the temperature distribution of the insulating substrate 12 is unequal, which generates thermal distortion, and the insulating substrate 12 explodes. Accordingly, it surely breaks the current in a short time.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、絶縁基板上に被着し
た発熱抵抗体の、過電流の通電による発熱作用によって
上記絶縁基板を砕裂させ、以て通電路である発熱抵抗体
を切断することにより、過電流の通電を遮断するよう構
成したヒューズ抵抗器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention crushes the above-mentioned insulating substrate by the heating effect of the heating resistor adhered on the insulating substrate due to the passing of overcurrent, thereby cutting the heating resistor which is the current-carrying path. By doing so, the present invention relates to a fuse resistor configured to cut off the overcurrent energization.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、過電流から電子回路素子等を保護
するための過電流遮断手段として、図12に示すヒュー
ズ抵抗器60が用いられている。このヒューズ抵抗器60
は、アルミナやフォルステライト等の絶縁基板12の一面
に、酸化ルテニウム等の発熱抵抗体14を被着形成し、該
発熱抵抗体14の両側辺に取り出し用の電極パターン16,
16を形成し、該電極パターン16,16の下端に外部端子1
8,18をハンダ20,20や導電性接着剤を介して接続して
成る。また、絶縁基板の上辺12aの中央部にはベース型
の上部切欠部24が、絶縁基板の下辺12bの中央部には逆
ベース型の下部切欠部26がそれぞれ形成されている。さ
らに、上記発熱抵抗体14及び電極パターン16の表面に
は、沿面放電防止用のクロスオーバガラス22が被覆され
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a fuse resistor 60 shown in FIG. 12 has been used as an overcurrent interruption means for protecting an electronic circuit element or the like from an overcurrent. This fuse resistor 60
A heating resistor 14 such as ruthenium oxide is formed on one surface of an insulating substrate 12 such as alumina or forsterite, and electrode patterns 16 for extraction are provided on both sides of the heating resistor 14.
16 are formed, and external terminals 1 are formed on the lower ends of the electrode patterns 16 and 16.
8 and 18 are connected via solder 20, 20 and a conductive adhesive. Further, a base type upper notch 24 is formed in the center of the upper side 12a of the insulating substrate, and an inverted base type lower notch 26 is formed in the center of the lower side 12b of the insulating substrate. Further, the surfaces of the heating resistor 14 and the electrode pattern 16 are covered with a crossover glass 22 for preventing creeping discharge.

【0003】このヒューズ抵抗器60は、上記外部端子1
8,18を介して、電子回路や回路素子に接続される。例
えば、図示は省略するが、電子機器に通じる通信ライン
や電源ライン等の線路に直列接続され、或いは該線路間
に挿入接続されたガスアレスタ等に直列接続される。
This fuse resistor 60 has the above-mentioned external terminal 1
It is connected to an electronic circuit or a circuit element via 8 and 18. For example, although not shown in the figure, it is connected in series to a line such as a communication line or a power line leading to an electronic device, or connected in series to a gas arrester or the like inserted and connected between the lines.

【0004】しかして、電子機器をその定格を上回る電
源へ誤接続した場合や、過電圧試験の実施等により、上
記線路に定格以上の過電圧が連続して印加された場合に
は、該過電圧の印加による過電流によって上記発熱抵抗
体14が発熱する。そして、この発熱作用によって絶縁基
板12は熱歪みを起こし、上部切欠部24の頂点24a及び下
部切欠部26の頂点26aを結ぶ直線(イ)に沿って左右に
砕裂する。その結果、過電流の通路たる発熱抵抗体14自
身も切断されるため、連続過電流から上記電子機器或い
はガスアレスタ等が保護されるものである。
However, if an electronic device is erroneously connected to a power source exceeding its rating, or if an overvoltage exceeding the rating is continuously applied to the line due to an overvoltage test or the like, the overvoltage is applied. The heating resistor 14 generates heat due to the overcurrent. Then, due to this heat generation effect, the insulating substrate 12 causes thermal strain, and is ruptured to the left and right along a straight line (a) connecting the apex 24a of the upper cutout 24 and the apex 26a of the lower cutout 26. As a result, the heating resistor 14 itself, which is a path for overcurrent, is also cut, so that the electronic device or the gas arrester is protected from continuous overcurrent.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】したがって、過電流か
ら上記電子機器等を確実に保護するためには、上記発熱
抵抗体14に過電流が流れた際に、上記絶縁基板12が短時
間のうちに完全に砕裂する必要がある。ここで、絶縁基
板12の砕裂特性を向上させるには、先ず上記発熱抵抗体
14の抵抗値を高く設定し、その発熱量を増加させること
が考えられるが、発熱抵抗体14の抵抗値をあまり高く設
定すると、ヒューズ抵抗器60を上記線路に直列接続した
場合には電送損失が大きくなり、また、上記線路間に挿
入接続されたガスアレスタ等に直列接続した場合にはそ
の分高い電圧が電子機器側に加わることとなる。このた
め、発熱抵抗体14の抵抗値を高く設定して発熱量を増加
させることには、一定の限界がある。
Therefore, in order to reliably protect the electronic device and the like from overcurrent, when the overcurrent flows through the heating resistor 14, the insulating substrate 12 is kept in a short time. It must be completely shredded. Here, in order to improve the crushing property of the insulating substrate 12, first, the above heating resistor is used.
It is conceivable to set the resistance value of 14 high and increase the amount of heat generated.However, if the resistance value of the heating resistor 14 is set too high, when the fuse resistor 60 is connected in series to the above line, transmission loss will occur. Becomes large, and when connected in series to a gas arrester or the like inserted and connected between the lines, a correspondingly higher voltage is applied to the electronic device side. Therefore, there is a certain limit in increasing the amount of heat generation by setting the resistance value of the heating resistor 14 high.

【0006】つぎに、絶縁基板12の材質や厚さを調節し
たり、あるいは図13及びそのD−D’拡大部分断面図
である図14に示すように、絶縁基板12の表面(発熱抵
抗体14形成面)に直線(イ)に沿って延びる断面略V字
型の溝62を形成することにより、絶縁基板12自体を割れ
易くすることも考えられるが、その分製造時及び使用時
において破損し易くなるため、これにも一定の限界があ
る。
Next, the material and the thickness of the insulating substrate 12 are adjusted, or as shown in FIG. 13 and FIG. 14 which is an enlarged partial sectional view taken along line DD ′ of FIG. It may be possible to make the insulating substrate 12 itself easily cracked by forming a groove 62 having a substantially V-shaped cross-section extending along the straight line (a) on the (14 forming surface), but it is damaged during manufacturing and during use. There is a certain limit to this as well.

【0007】本発明は、上記した従来例の問題点に鑑み
てなされたものであり、発熱抵抗体の抵抗値を極端に高
く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くすることな
く、過電流が流れた場合には絶縁基板が短時間のうちに
完全に砕裂して、過電流の通電を確実に遮断することが
できるヒューズ抵抗器を実現することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the conventional example, and does not set the resistance value of the heating resistor to an extremely high value or make the insulating substrate extremely easy to crack without causing overcurrent. It is an object of the present invention to realize a fuse resistor which can completely break the insulating substrate in a short time when the current flows, and can reliably cut off the overcurrent.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るヒューズ抵抗器は、絶縁基板と、該絶
縁基板の少なくとも一面に被着された発熱抵抗体とを備
え、該発熱抵抗体に過電流が流れた場合に、その発熱作
用によって上記絶縁基板が砕裂し、以て上記発熱抵抗体
が切断されて過電流の通電を遮断するよう構成したヒュ
ーズ抵抗器において、上記絶縁基板表面の一部に蓄熱材
を配置して、該絶縁基板の表面に、該蓄熱材を介して上
記発熱抵抗体と間接的に接する間接接触部と、上記発熱
抵抗体と直接接する直接接触部とを設けたことを特徴と
する。
In order to achieve the above-mentioned object, a fuse resistor according to the present invention comprises an insulating substrate and a heating resistor attached to at least one surface of the insulating substrate. When an overcurrent flows through the resistor, the insulating substrate is crushed by the heat generation effect thereof, and the heating resistor is cut to cut off the overcurrent. A heat storage material is arranged on a part of the surface of the substrate, and an indirect contact portion that is in contact with the heating resistor through the heat storage material and a direct contact portion that is in direct contact with the heating resistor on the surface of the insulating substrate. And is provided.

【0009】例えば、上記絶縁基板の対向する二辺に切
欠部を形成すると共に、両切欠部を結ぶ線に沿って上記
蓄熱材は配置される。あるいは、上記絶縁基板の対向す
る二辺に切欠部を形成すると共に、両切欠部を結ぶ線の
両側に上記蓄熱材をそれぞれ配置してもよい。また、上
記蓄熱材を、上記絶縁基板の前面及び背面にそれぞれ配
置させてもよい。この場合、上記絶縁基板の対向する二
辺に切欠部を形成し、該絶縁基板の前面に両切欠部を結
ぶ線に沿って上記蓄熱材を配置すると共に、上記絶縁基
板の背面における両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材
をそれぞれ配置するのが望ましい。上記蓄熱材は、例え
ば高耐熱性アルカリ鉛フリーガラス等のガラスによって
構成される。
For example, notches are formed on two opposite sides of the insulating substrate, and the heat storage material is arranged along a line connecting the notches. Alternatively, notches may be formed on two opposite sides of the insulating substrate, and the heat storage materials may be arranged on both sides of a line connecting the notches. Further, the heat storage material may be arranged on the front surface and the back surface of the insulating substrate, respectively. In this case, notches are formed on two opposite sides of the insulating substrate, the heat storage material is arranged on a front surface of the insulating substrate along a line connecting the notches, and both notches on the back surface of the insulating substrate are formed. It is desirable to dispose the heat storage material on both sides of the line connecting the heat storage materials. The heat storage material is made of glass such as high heat resistant alkaline lead-free glass.

【0010】[0010]

【作用】絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置し、該絶縁
基板の表面に蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的に
接する間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直接
接触部とを設けると、過電流の通電によって発熱抵抗体
が発熱した場合、この熱は絶縁基板表面の直接接触部に
はそのままストレートに伝導されるが、絶縁基板の間接
接触部には蓄熱材を経由して伝導される。したがって、
絶縁基板の直接接触部は瞬時に極めて高温に加熱される
のに対し、間接接触部には一定の時間差をおいて温度が
ある程度低下した熱が伝導されるため、比較的低温を維
持することとなる。この結果、絶縁基板の表面において
は、高温に加熱される部分と低温に加熱される部分とが
分布することとなり、この温度分布の不均一性によっ
て、絶縁基板の熱歪みが助長される。このため、発熱抵
抗体の抵抗値を比較的低い値に抑えた場合であっても、
あるいは絶縁基板の機械的強度を比較的高く設定した場
合であっても、極めて短時間の中に絶縁基板を完全に砕
裂することが可能となる。
Operation: A heat storage material is disposed on a part of the surface of the insulating substrate, and an indirect contact portion that is in contact with the heating resistor via the heat storage material and a direct contact that is in direct contact with the heating resistor. When the heating resistor generates heat due to the application of overcurrent, this heat is directly transmitted to the direct contact part on the surface of the insulating substrate as it is, but the heat storage material is applied to the indirect contact part of the insulating substrate. Conducted via. Therefore,
The direct contact part of the insulating substrate is instantly heated to an extremely high temperature, while the indirect contact part conducts heat whose temperature has decreased to some extent with a certain time lag, so that it is possible to maintain a relatively low temperature. Become. As a result, on the surface of the insulating substrate, a portion heated to a high temperature and a portion heated to a low temperature are distributed, and the non-uniformity of the temperature distribution promotes thermal strain of the insulating substrate. Therefore, even if the resistance value of the heating resistor is suppressed to a relatively low value,
Alternatively, even when the mechanical strength of the insulating substrate is set to be relatively high, the insulating substrate can be completely shredded in an extremely short time.

【0011】[0011]

【実施例】以下に本発明を、図示の実施例に基づいて説
明する。図1は本発明に係る第1のヒューズ抵抗器10を
示すものであり、アルミナ、フォルステライト、ステア
タイト等のセラミックによって形成された絶縁基板12の
一面に、酸化ルテニウム等より成る矩形状の発熱抵抗体
14を被着形成すると共に、該発熱抵抗体14の両側辺にA
g・Pd系ペースト等より成る取り出し用の電極パター
ン16,16を被着形成し、該電極パターン16,16の下端部
に、第1の外部端子18,18をハンダ20,20を介して接続
して成る。上記発熱抵抗体14及び電極パターン16,16の
表面には、沿面放電防止のためのクロスオーバガラス22
が被覆されている。上記発熱抵抗体14は、絶縁基板12の
表面に、ルテニウム系ペーストを印刷等によって被着さ
せ、所定の温度で加熱することで焼成される。この発熱
抵抗体14の抵抗値は、一般に数Ω〜数十Ωの範囲内に設
定されるものであり、ここでは特に5Ωに設定されてい
る。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below based on the illustrated embodiments. FIG. 1 shows a first fuse resistor 10 according to the present invention, in which one surface of an insulating substrate 12 made of a ceramic such as alumina, forsterite, steatite, etc. has a rectangular heat generation of ruthenium oxide or the like. Resistor
14 is adhered and formed, and A is provided on both sides of the heating resistor 14.
Electrode patterns 16 and 16 for extraction made of g.Pd-based paste are adhered and formed, and first external terminals 18 and 18 are connected to the lower ends of the electrode patterns 16 and 16 via solders 20 and 20. It will be done. The surface of the heating resistor 14 and the electrode patterns 16, 16 has a crossover glass 22 for preventing creeping discharge.
Are covered. The heating resistor 14 is fired by depositing a ruthenium-based paste on the surface of the insulating substrate 12 by printing or the like and heating it at a predetermined temperature. The resistance value of the heating resistor 14 is generally set in the range of several Ω to several tens of Ω, and particularly set to 5 Ω here.

【0012】図2は、上記絶縁基板12を示すものであ
る。該絶縁基板12は、縦16mm、横9.86mmの長方形
状を成しており、その板厚は0.635mmに設定されて
いる。該絶縁基板12の上辺12aの中央にはベース型の上
部切欠部24が、また下辺12bの中央には逆ベース型の下
部切欠部26がそれぞれ形成されている。この上部切欠部
24と下部切欠部26は、略同一の形状及び寸法を備えてい
る。
FIG. 2 shows the insulating substrate 12. The insulating substrate 12 has a rectangular shape with a length of 16 mm and a width of 9.86 mm, and its plate thickness is set to 0.635 mm. A base type upper notch 24 is formed at the center of the upper side 12a of the insulating substrate 12, and an inverted base type lower notch 26 is formed at the center of the lower side 12b. This upper notch
The lower cutout portion 24 and the lower cutout portion 26 have substantially the same shape and size.

【0013】絶縁基板12における上記発熱抵抗体14を被
着する面の略中央には、矩形状の蓄熱材28が被着形成さ
れている。この蓄熱材28は、熱転写式プリンタのサーマ
ル・ヘッド等に使用されるグレーズガラス(高耐熱性ア
ルカリ鉛フリーガラス)よりなり、絶縁基板12を構成す
るセラミック材よりも格段に大きな比熱を備えている。
この蓄熱材28の横幅W1は、上部切欠部24及び下部切欠
部26の底辺の横幅W2よりも若干広く設定されており、
絶縁基板12の上部切欠部24の頂点24aと下部切欠部26の
頂点26aを結ぶ直線(以下「砕裂線(イ)」と称する)
に沿って配置されている。この絶縁基板12に上記発熱抵
抗体14を被着させると、図1のA−A’断面図である図
3に示すように、絶縁基板12の表面においては、蓄熱材
28を間に挟んで発熱抵抗体14と間接的に接する部分(以
下「間接接触部α」と称する)と、該間接接触部αの両
側に位置し、発熱抵抗体14と直接接する部分(以下「直
接接触部β」と称する)とが現れることとなる。なお、
図示の便宜上、図3は第1のヒューズ抵抗器10の厚さを
誇張して表している。
A rectangular heat storage material 28 is adhered and formed on the insulating substrate 12 substantially in the center of the surface on which the heating resistor 14 is adhered. The heat storage material 28 is made of glaze glass (high heat-resistant alkaline lead-free glass) used for a thermal head of a thermal transfer printer, and has a remarkably larger specific heat than the ceramic material forming the insulating substrate 12. .
The width W 1 of the heat storage material 28 is set to be slightly wider than the width W 2 of the bottom sides of the upper cutout portion 24 and the lower cutout portion 26.
A straight line connecting the apex 24a of the upper cutout 24 and the apex 26a of the lower cutout 26 of the insulating substrate 12 (hereinafter, referred to as "crushing line (a)").
Are arranged along. When the heating resistor 14 is adhered to the insulating substrate 12, as shown in FIG. 3 which is a sectional view taken along the line AA ′ of FIG. 1, a heat storage material is formed on the surface of the insulating substrate 12.
Portions that are indirectly contacted with the heating resistor 14 with 28 in between (hereinafter referred to as “indirect contact portions α”) and portions that are located on both sides of the indirect contact portion α and that are in direct contact with the heating resistor 14 (hereinafter “Direct contact part β”) will appear. In addition,
For convenience of illustration, FIG. 3 exaggerates the thickness of the first fuse resistor 10.

【0014】上記第1のヒューズ抵抗器10は、図示は省
略するが、上記第1の外部端子18,18を介して、被保護
素子や被保護回路に接続される。そして、第1の外部端
子18,18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が発
熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は熱
歪みを起こし、上記砕裂線(イ)に沿って左右に砕裂さ
れる。
Although not shown, the first fuse resistor 10 is connected to a protected element or a protected circuit via the first external terminals 18, 18. Then, when an overcurrent flows between the first external terminals 18, 18, the heating resistor 14 generates heat to heat the surface of the insulating substrate 12, causing thermal distortion of the insulating substrate 12 to cause the crushing wire. It is crushed to the left and right along (a).

【0015】上記絶縁基板12はセラミック材より成り、
その表面は微細な凹凸が多数存在する粗面と成されてい
る。このため、この絶縁基板12の表面に直接被着された
発熱抵抗体14の接触面も必然的に凹凸面を形成すること
となり、その抵抗値は比較的に高い値となるため、過電
流通電時の発熱量はその分多くなる。そして、この発熱
抵抗体14の高抵抗部分で発生した比較的高い熱は、その
まま絶縁基板12の表面に伝導されるため、絶縁基板12の
直接接触部βは、瞬時に極めて高温に加熱されることと
なる。
The insulating substrate 12 is made of a ceramic material,
The surface is a rough surface having many fine irregularities. Therefore, the contact surface of the heating resistor 14 directly attached to the surface of the insulating substrate 12 will inevitably form a concavo-convex surface, and its resistance value will be a relatively high value. The amount of heat generated at that time increases accordingly. Then, the relatively high heat generated in the high resistance portion of the heating resistor 14 is directly transferred to the surface of the insulating substrate 12, so that the direct contact portion β of the insulating substrate 12 is instantly heated to an extremely high temperature. It will be.

【0016】これに対し、上記蓄熱材28はグレーズガラ
スよりなり、その表面は極めて滑らかに形成されてい
る。このため、この蓄熱材28の表面に被着された発熱抵
抗体14の接触面は平滑面となり、その抵抗値は比較的に
低い値となるため、過電流通電時の発熱量はその分少な
くなる。そして、この発熱抵抗体14の低抵抗部分で発生
した比較的に低い熱は、一旦蓄熱材28に蓄えられた後に
絶縁基板12の表面に伝導されるため、絶縁基板12の間接
接触部αの加熱には所定の時間差(遅延)が生じると共
に、伝導される熱自体も著しく減殺されたものとなる。
On the other hand, the heat storage material 28 is made of glaze glass, and the surface thereof is extremely smooth. Therefore, the contact surface of the heating resistor 14 adhered to the surface of the heat storage material 28 is a smooth surface, and its resistance value is a relatively low value, so the amount of heat generated during overcurrent conduction is correspondingly small. Become. Since the relatively low heat generated in the low resistance portion of the heating resistor 14 is once stored in the heat storage material 28 and then conducted to the surface of the insulating substrate 12, the indirect contact portion α of the insulating substrate 12 A predetermined time difference (delay) occurs in heating, and the heat to be conducted itself is significantly reduced.

【0017】以上の結果、発熱抵抗体14に過電流が流れ
た場合、絶縁基板12の砕裂線(イ)に沿った間接接触部
αは比較的低温を維持すると共に、その左右両側に配さ
れた直接接触部βは極めて高温に達し、絶縁基板12の熱
歪みが砕裂線(イ)に集中するため、絶縁基板12は極め
て短時間の中に完全に砕裂可能となる。すなわち、この
第1のヒューズ抵抗器10は、絶縁基板12の同一面におい
て温度分布の不均一性を実現し、絶縁基板12の熱歪みを
促進させることで、その最小遮断電力の低減を図ってい
る。
As a result of the above, when an overcurrent flows through the heating resistor 14, the indirect contact portion α along the rupture line (a) of the insulating substrate 12 maintains a relatively low temperature and is arranged on both left and right sides thereof. The formed direct contact portion β reaches an extremely high temperature, and the thermal strain of the insulating substrate 12 concentrates on the rupture line (a), so that the insulating substrate 12 can be completely crushed within an extremely short time. That is, the first fuse resistor 10 realizes the non-uniformity of the temperature distribution on the same surface of the insulating substrate 12 and promotes the thermal distortion of the insulating substrate 12, thereby reducing the minimum breaking power thereof. There is.

【0018】図4〜図6は、第2のヒューズ抵抗器30を
示すものである。この第2のヒューズ抵抗器30は、絶縁
基板12の表面に被着形成した蓄熱材28の配置パターンに
特徴を有しており、それ以外の構成は上記第1のヒュー
ズ抵抗器10と実質的に等しいものである。すなわち、図
5に示すように、絶縁基板12の表面には、一対の蓄熱材
28,28が、絶縁基板12の上部切欠部24あるいは下部切欠
部26の底辺の幅W2に相当する間隔32を隔てて、砕裂線
(イ)の左右に配置されている。この結果、第2のヒュ
ーズ抵抗器30においては、図4のB−B’断面図である
図6に示すように、絶縁基板12表面の略中央部に、発熱
抵抗体14と直接接触する直接接触部βが現れると共に、
その左右両側に蓄熱材28を間に挟んで間接的に発熱抵抗
体14と接する間接接触部αが現れることとなる。
4-6 show a second fuse resistor 30. The second fuse resistor 30 is characterized by the arrangement pattern of the heat storage material 28 adhered and formed on the surface of the insulating substrate 12, and other configurations are substantially the same as those of the first fuse resistor 10. Is equal to. That is, as shown in FIG. 5, a pair of heat storage materials are formed on the surface of the insulating substrate 12.
28, 28 are arranged on the left and right sides of the rupture line (a) with an interval 32 corresponding to the width W 2 of the bottom side of the upper cutout 24 or the lower cutout 26 of the insulating substrate 12. As a result, in the second fuse resistor 30, as shown in FIG. 6 which is a sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 4, the second fuse resistor 30 is directly contacted with the heating resistor 14 at a substantially central portion of the surface of the insulating substrate 12. When the contact part β appears,
Indirect contact portions α that are in contact with the heating resistor 14 indirectly appear with the heat storage material 28 sandwiched therebetween on the left and right sides thereof.

【0019】この第2のヒューズ抵抗器30の第1の外部
端子18,18間に過電流が流れると、上記発熱抵抗体14が
発熱して絶縁基板12の表面が加熱され、該絶縁基板12は
熱歪みを起こし、上記砕裂線(イ)に沿って左右に砕裂
される。この際、絶縁基板12の表面における、砕裂線
(イ)に沿った直接接触部βは、セラミック材特有の粗
面を成しているため、これと接する発熱抵抗体14の抵抗
値が比較的に高くなっていること、及びこの発熱抵抗体
14の高抵抗部分からの比較的高い熱が直接伝導されるこ
とにより、極めて高温に加熱される。また、この直接接
触部βの両側に配された間接接触部α,αは、その表面
を覆う蓄熱材28,28の表面が平滑面を成しているため、
これと接する発熱抵抗体14の抵抗値が比較的に低くなっ
ていること、及びこの発熱抵抗体14の低抵抗部分からの
比較的低い熱が蓄熱材28,28を経由して伝導することに
より、比較的低温に維持されることとなる。すなわち、
この第2のヒューズ抵抗器30は、絶縁基板12の表面に現
れる高温加熱部と低温加熱部の配置こそ上記第1のヒュ
ーズ抵抗器10とは逆になっているが、絶縁基板12の同一
面において温度分布の不均一性を実現する点で共通して
おり、第1のヒューズ抵抗器10と同様、絶縁基板12の熱
歪みが促進されてヒューズ抵抗器の最小遮断電力が低減
されるという効果を奏することができる。
When an overcurrent flows between the first external terminals 18 and 18 of the second fuse resistor 30, the heating resistor 14 generates heat and the surface of the insulating substrate 12 is heated, and the insulating substrate 12 is heated. Causes thermal strain, and is fractured left and right along the fracture line (a). At this time, since the direct contact portion β on the surface of the insulating substrate 12 along the rupture line (a) forms a rough surface peculiar to the ceramic material, the resistance value of the heating resistor 14 in contact with this is compared. Higher, and this heating resistor
The relatively high heat from the high resistance part of 14 is directly conducted to heat it to an extremely high temperature. Further, the indirect contact portions α, α arranged on both sides of the direct contact portion β have the surfaces of the heat storage materials 28, 28 covering the surfaces thereof smooth,
The resistance value of the heating resistor 14 in contact with this is relatively low, and the relatively low heat from the low resistance portion of the heating resistor 14 is conducted via the heat storage materials 28, 28. , Will be maintained at a relatively low temperature. That is,
The second fuse resistor 30 is the same as the first fuse resistor 10 except that the arrangement of the high temperature heating portion and the low temperature heating portion appearing on the surface of the insulating substrate 12 is opposite to that of the first fuse resistor 10. In common with the first fuse resistor 10, thermal distortion of the insulating substrate 12 is promoted and the minimum breaking power of the fuse resistor is reduced. Can be played.

【0020】図7〜図9は、上記第1のヒューズ抵抗器
10及び第2のヒューズ抵抗器30の応用例たる第3のヒュ
ーズ抵抗器40を示すものである。この第3のヒューズ抵
抗器40は、図7に示すように、絶縁基板12の前面12cに
発熱抵抗体14を被着形成し、該発熱抵抗体14の両側辺に
電極パターン16,16を被着形成し、該電極パターン16,
16の下端部に第2の外部端子42,42の第1の分岐部42
a,42aをハンダ20,20を介して接続すると共に、図8
に示すように、絶縁基板12の背面12dにも発熱抵抗体14
を被着形成し、該発熱抵抗体14の両側辺に電極パターン
16,16を被着形成し、該電極パターン16,16の下端部に
第2の外部端子42,42の第2の分岐部42b,42bをハン
ダ20,20を介して接続し、両面の発熱抵抗体14及び電極
パターン16の表面をクロスオーバガラス22で被覆して成
る。絶縁基板の前面12c側の発熱抵抗体14と、背面12d
側の発熱抵抗体14とは、第2の外部端子42,42を介して
並列接続されている。
7 to 9 show the above-mentioned first fuse resistor.
10 shows a third fuse resistor 40 which is an application example of 10 and the second fuse resistor 30. As shown in FIG. 7, the third fuse resistor 40 has a heating resistor 14 formed on the front surface 12c of the insulating substrate 12 by coating electrode patterns 16, 16 on both sides of the heating resistor 14. And the electrode pattern 16,
At the lower end of 16, the second external terminals 42, the first branch 42 of the 42
a and 42a are connected via the solders 20 and 20, and
As shown in FIG.
And the electrode pattern is formed on both sides of the heating resistor 14.
16 and 16 are adhered and formed, and the second branch portions 42b and 42b of the second external terminals 42 and 42 are connected to the lower ends of the electrode patterns 16 and 16 via solders 20 and 20 to generate heat on both sides. The surface of the resistor 14 and the electrode pattern 16 is covered with a crossover glass 22. Heating resistor 14 on the front side 12c side of the insulating substrate and the back side 12d
Side heating resistor 14 is connected in parallel via the second external terminals 42, 42.

【0021】絶縁基板の前面12cには、図5と同様、一
対の蓄熱材28,28が所定の間隔32を隔てて砕裂線(イ)
の左右に配置されると共に、該絶縁基板の背面12d中央
にも、図2と同様、一つの蓄熱材28が砕裂線(イ)に沿
って配置されている。この結果、この第3のヒューズ抵
抗器40にあっては、図7のC−C’断面図である図9に
示すように、絶縁基板の前面12cにおける中央付近に発
熱抵抗体14と直接接する直接接触部βが現れると共に、
この両側に蓄熱材28を介して間接的に発熱抵抗体14と接
する間接接触部αが現れる。また、絶縁基板の背面12d
においては、その中央付近に蓄熱材28を介して間接的に
発熱抵抗体14と接する間接接触部αが現れると共に、そ
の両側に直接発熱抵抗体14と接する直接接触部βが現れ
る。この結果、第3のヒューズ抵抗器40における絶縁基
板の前面12cと背面12dとでは、過電流が流れて発熱抵
抗体14が発熱した場合における高温加熱部と低温加熱部
との配置が互い違いとなり、絶縁基板12の同一面におけ
る温度分布の不均一性のみならず、異なった面同士でも
温度分布の不均一性が実現できるため、絶縁基板12の両
面が同時に加熱されることとも相俟って、絶縁基板12の
熱歪みはさらに促進され、その最小遮断電力をより低減
することが可能となる。なお、絶縁基板の前面12cに形
成した蓄熱材28,28と背面12dに形成した蓄熱材28と
は、図9に示したように、絶縁基板12を介して各端辺同
士が一部重複しても構わないものである。
On the front surface 12c of the insulating substrate, as in FIG. 5, a pair of heat storage materials 28, 28 are separated by a predetermined space 32 and rupture (a).
As shown in FIG. 2, one heat storage material 28 is arranged along the rupture line (a) at the center of the back surface 12d of the insulating substrate. As a result, in the third fuse resistor 40, as shown in FIG. 9 which is a sectional view taken along the line CC ′ of FIG. 7, the heating resistor 14 is directly contacted with the central portion of the front surface 12c of the insulating substrate. Direct contact part β appears,
On both sides of this, indirect contact portions α that indirectly contact the heat generating resistor 14 via the heat storage material 28 appear. Also, the back surface 12d of the insulating substrate
In, in the vicinity of the center, an indirect contact portion α that indirectly contacts the heating resistor 14 via the heat storage material 28 appears, and a direct contact portion β that directly contacts the heating resistor 14 appears on both sides thereof. As a result, on the front surface 12c and the rear surface 12d of the insulating substrate in the third fuse resistor 40, the arrangement of the high-temperature heating unit and the low-temperature heating unit when the overheating current flows and the heating resistor 14 generates heat is staggered, Not only the non-uniformity of the temperature distribution on the same surface of the insulating substrate 12 but also the non-uniformity of the temperature distribution on different surfaces can be realized, so that both surfaces of the insulating substrate 12 are simultaneously heated, The thermal distortion of the insulating substrate 12 is further promoted, and the minimum cutoff power thereof can be further reduced. As shown in FIG. 9, the heat storage materials 28, 28 formed on the front surface 12c of the insulating substrate and the heat storage material 28 formed on the back surface 12d partially overlap each other via the insulating substrate 12. It doesn't matter.

【0022】上記第3のヒューズ抵抗器40にあっては、
絶縁基板の前面12c側の発熱抵抗体14と背面12d側の発
熱抵抗体14とを、先端が二股に分岐した第2の外部端子
42を介して並列接続しているが、両発熱抵抗体14,14を
直列接続しても同様の効果が得られることはいうまでも
ない。図10及び図11は、その一例としての第4のヒ
ューズ抵抗器50を示すものである。この第4のヒューズ
抵抗器50は、絶縁基板の前面12cに発熱抵抗体14を被着
形成すると共に、該絶縁基板の背面12dにも、前面12c
側の発熱抵抗体14よりも若干丈の短い発熱抵抗体14を被
着形成して成る。前面12c側の発熱抵抗体14の左側辺に
は取り出し用の電極パターン16が接続され、該電極パタ
ーン16の下端部にハンダ20を介して第1の外部端子18が
接続されると共に、該発熱抵抗体14の右側辺には連結パ
ターン52の第1の帯部52aが接続されている(図1
0)。また、背面12d側の発熱抵抗体14の左側辺にも取
り出し用の電極パターン16が接続され、該電極パターン
16の下端部にハンダ20を介して第1の外部端子18が接続
されると共に、該発熱抵抗体14の右側辺には、上記連結
パターン52の第2の帯部52bが接続されている(図1
1)。この連結パターン52の第1の帯部52aと第2の帯
部52bとは、絶縁基板12の側辺12eから背面12d上部を
横切るように引き回された連結帯52cを介して接続され
ているため、結果として前面12c側の発熱抵抗体14と背
面12d側の発熱抵抗体14は、この連結パターン52を介し
て直列接続されることとなる。なお、各発熱抵抗体14、
電極パターン16及び連結パターン52の表面には、沿面放
電防止用のクロスオーバガラス22が被覆されている。
In the third fuse resistor 40,
A second external terminal in which the extremity of the heat-generating resistor 14 on the front surface 12c side and the heat-generating resistor 14 on the rear surface 12d side of the insulating substrate is bifurcated.
Although they are connected in parallel via 42, it goes without saying that the same effect can be obtained by connecting both heating resistors 14, 14 in series. 10 and 11 show a fourth fuse resistor 50 as an example thereof. This fourth fuse resistor 50 has the heating resistor 14 formed on the front surface 12c of the insulating substrate by depositing it on the front surface 12c of the insulating substrate.
The heat generating resistor 14 slightly shorter than the heat generating resistor 14 on the side is adhered and formed. An electrode pattern 16 for taking out is connected to the left side of the heating resistor 14 on the front surface 12c side, a first external terminal 18 is connected to a lower end portion of the electrode pattern 16 via a solder 20, and The first strip portion 52a of the connection pattern 52 is connected to the right side of the resistor 14 (see FIG. 1).
0). An electrode pattern 16 for extraction is also connected to the left side of the heating resistor 14 on the back surface 12d side,
The first external terminal 18 is connected to the lower end of 16 via the solder 20, and the second strip portion 52b of the connecting pattern 52 is connected to the right side of the heating resistor 14 ( Figure 1
1). The first strip portion 52a and the second strip portion 52b of the connection pattern 52 are connected to each other via a connection strip 52c that is routed from the side edge 12e of the insulating substrate 12 across the upper portion of the rear surface 12d. Therefore, as a result, the heat generating resistor 14 on the front surface 12c side and the heat generating resistor 14 on the rear surface 12d side are connected in series via the connecting pattern 52. In addition, each heating resistor 14,
The surface of the electrode pattern 16 and the connection pattern 52 is covered with a crossover glass 22 for preventing creeping discharge.

【0023】絶縁基板12の前面12cには、図5と同様、
一対の蓄熱材28,28が所定の間隔32を隔てて砕裂線
(イ)の左右に配置されると共に、該絶縁基板の背面12
d中央にも、図2と同様、一つの蓄熱材28が配置されて
いる。この結果、この第4のヒューズ抵抗器50にあって
は、図9と同様、絶縁基板の前面12cにおける中央付近
に発熱抵抗体14と直接接する直接接触部βが現れると共
に、この両側に蓄熱材28を介して間接的に発熱抵抗体14
と接する間接接触部αが現れる。また、絶縁基板の背面
12dにおいては、その中央付近に蓄熱材28を介して間接
的に発熱抵抗体14と接する間接接触部αが現れると共
に、その両側に直接発熱抵抗体14と接する直接接触部β
が現れる。すなわち、この第4のヒューズ抵抗器50は、
上記第3のヒューズ抵抗器40と同様、過電流が流れて発
熱抵抗体14が発熱した場合における高温加熱部と低温加
熱部との配置が、絶縁基板の前面12cと背面12dとで互
い違いとなり、絶縁基板12の同一面における温度分布の
不均一性のみならず、異なった面同士でも温度分布の不
均一性が実現できるため、絶縁基板12の両面が同時に加
熱されることとも相俟って、絶縁基板12の熱歪みはさら
に促進され、その最小遮断電力をより低減することが可
能となる。
On the front surface 12c of the insulating substrate 12, as in FIG.
A pair of heat storage materials 28, 28 are arranged on the left and right of the rupture line (a) with a predetermined gap 32 therebetween, and the back surface 12 of the insulating substrate
Similarly to FIG. 2, one heat storage material 28 is also arranged in the center of d. As a result, in the fourth fuse resistor 50, as in FIG. 9, a direct contact portion β that directly contacts the heating resistor 14 appears near the center of the front surface 12c of the insulating substrate, and the heat storage material is provided on both sides of the direct contact portion β. Heating resistor 14 indirectly through 28
An indirect contact part α that comes into contact with appears. Also, the back of the insulating substrate
In 12d, an indirect contact portion α that indirectly contacts the heat generating resistor 14 via the heat storage material 28 appears near the center thereof, and a direct contact portion β that directly contacts the heat generating resistor 14 on both sides thereof.
Appears. That is, this fourth fuse resistor 50
Similar to the third fuse resistor 40, the arrangement of the high-temperature heating portion and the low-temperature heating portion when an overcurrent flows and the heating resistor 14 generates heat is staggered between the front surface 12c and the back surface 12d of the insulating substrate, Not only the non-uniformity of the temperature distribution on the same surface of the insulating substrate 12 but also the non-uniformity of the temperature distribution on different surfaces can be realized, so that both surfaces of the insulating substrate 12 are simultaneously heated, The thermal distortion of the insulating substrate 12 is further promoted, and the minimum cutoff power thereof can be further reduced.

【0024】[0024]

【発明の効果】本発明に係るヒューズ抵抗器にあって
は、絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置し、該絶縁基板
の表面に蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的に接す
る間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直接接触
部とを設けているため、過電流の通電によって発熱抵抗
体が発熱した場合、絶縁基板の表面において、高温に加
熱される部分と低温に加熱される部分とが分布すること
となり、この温度分布の不均一性によって、絶縁基板の
熱歪みが助長される。このため、発熱抵抗体の抵抗値を
極端に高く設定したり、絶縁基板を極端に割れ易くする
ことなく、極めて短時間のうちに絶縁基板を完全に砕裂
することができる。
In the fuse resistor according to the present invention, the heat storage material is disposed on a part of the surface of the insulating substrate, and the surface of the insulating substrate is indirectly contacted with the heating resistor via the heat storage material. Since the indirect contact part and the direct contact part that is in direct contact with the heat generating resistor are provided, when the heat generating resistor generates heat due to overcurrent, the surface of the insulating substrate is heated to a high temperature part and a low temperature part. The portion to be heated is distributed, and the non-uniformity of this temperature distribution promotes thermal strain of the insulating substrate. Therefore, the insulating substrate can be completely shredded in an extremely short time without setting the resistance value of the heating resistor to an extremely high value or making the insulating substrate extremely easy to crack.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る第1のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a first fuse resistor according to the present invention.

【図2】第1のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view showing an insulating substrate of a first fuse resistor.

【図3】図1のA−A’拡大断面図である。FIG. 3 is an enlarged cross-sectional view taken along the line A-A ′ of FIG.

【図4】本発明に係る第2のヒューズ抵抗器を示す斜視
図である。
FIG. 4 is a perspective view showing a second fuse resistor according to the present invention.

【図5】第2のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視図
である。
FIG. 5 is a perspective view showing an insulating substrate of a second fuse resistor.

【図6】図2のB−B’拡大断面図である。FIG. 6 is an enlarged cross-sectional view taken along the line B-B ′ of FIG.

【図7】本発明に係る第3のヒューズ抵抗器の前面側を
示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a front surface side of a third fuse resistor according to the present invention.

【図8】本発明に係る第3のヒューズ抵抗器の背面側を
示す斜視図である。
FIG. 8 is a perspective view showing a back side of a third fuse resistor according to the present invention.

【図9】図7のC−C’拡大断面図である。9 is an enlarged cross-sectional view taken along the line C-C ′ of FIG. 7.

【図10】本発明に係る第4のヒューズ抵抗器の前面側
を示す斜視図である。
FIG. 10 is a perspective view showing a front surface side of a fourth fuse resistor according to the present invention.

【図11】本発明に係る第4のヒューズ抵抗器の背面側
を示す斜視図である。
FIG. 11 is a perspective view showing the back side of the fourth fuse resistor according to the present invention.

【図12】従来のヒューズ抵抗器を示す斜視図である。FIG. 12 is a perspective view showing a conventional fuse resistor.

【図13】従来のヒューズ抵抗器の絶縁基板を示す斜視
図である。
FIG. 13 is a perspective view showing an insulating substrate of a conventional fuse resistor.

【図14】図13のD−D’拡大部分断面図である。FIG. 14 is an enlarged partial sectional view of D-D ′ in FIG. 13.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 第1のヒューズ抵抗器 12 絶縁基板 14 発熱抵抗体 24 上部切欠部 24a 上部切欠部の頂点 26 下部切欠部 26a 下部切欠部の頂点 28 蓄熱材 30 第2のヒューズ抵抗器 40 第3のヒューズ抵抗器 50 第4のヒューズ抵抗器 (イ) 砕裂線 α 間接接触部 β 直接接触部 10 First fuse resistor 12 Insulating substrate 14 Heating resistor 24 Upper notch 24a Top notch 26 Lower notch 26a Lower notch 28 Heat storage material 30 Second fuse resistor 40 Third fuse resistor Unit 50 Fourth fuse resistor (a) Fracture line α Indirect contact part β Direct contact part

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板と、該絶縁基板の少なくとも一
面に被着された発熱抵抗体とを備え、該発熱抵抗体に過
電流が流れた場合に、その発熱作用によって上記絶縁基
板が砕裂し、以て上記発熱抵抗体が切断されて過電流の
通電を遮断するよう構成したヒューズ抵抗器において、
上記絶縁基板表面の一部に蓄熱材を配置して、該絶縁基
板の表面に、該蓄熱材を介して上記発熱抵抗体と間接的
に接する間接接触部と、上記発熱抵抗体と直接接する直
接接触部とを設けたことを特徴とするヒューズ抵抗器。
1. An insulating substrate, comprising: a heating resistor attached to at least one surface of the insulating substrate; when an overcurrent flows through the heating resistor, the insulating substrate is crushed by the heating action thereof. Then, in the fuse resistor configured to cut off the heating current by cutting off the overcurrent,
A heat storage material is disposed on a part of the surface of the insulating substrate, and an indirect contact portion that indirectly contacts the heating resistor via the heat storage material on the surface of the insulating substrate, and a direct contact that directly contacts the heating resistor. A fuse resistor having a contact portion.
【請求項2】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
形成すると共に、両切欠部を結ぶ線に沿って上記蓄熱材
を配置したことを特徴とする請求項1に記載のヒューズ
抵抗器。
2. The fuse resistor according to claim 1, wherein notches are formed on two opposite sides of the insulating substrate, and the heat storage material is arranged along a line connecting the notches. .
【請求項3】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
形成すると共に、両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材
をそれぞれ配置したことを特徴とする請求項1に記載の
ヒューズ抵抗器。
3. The fuse resistor according to claim 1, wherein cutouts are formed on two opposite sides of the insulating substrate, and the heat storage material is arranged on both sides of a line connecting the cutouts. vessel.
【請求項4】 上記蓄熱材が、上記絶縁基板の前面及び
背面にそれぞれ配置されていることを特徴とする請求項
1乃至3の何れかに記載のヒューズ抵抗器。
4. The fuse resistor according to claim 1, wherein the heat storage material is arranged on the front surface and the back surface of the insulating substrate, respectively.
【請求項5】 上記絶縁基板の対向する二辺に切欠部を
形成し、該絶縁基板の前面に両切欠部を結ぶ線に沿って
上記蓄熱材を配置すると共に、上記絶縁基板の背面にお
ける両切欠部を結ぶ線の両側に上記蓄熱材をそれぞれ配
置したことを特徴とする請求項4に記載のヒューズ抵抗
器。
5. A notch is formed on two opposite sides of the insulating substrate, the heat storage material is arranged on a front surface of the insulating substrate along a line connecting the notches, and both sides of the insulating substrate are provided on a back surface of the insulating substrate. The fuse resistor according to claim 4, wherein the heat storage material is arranged on both sides of a line connecting the cutouts.
【請求項6】 上記蓄熱材が、ガラスよる成ることを特
徴とする請求項1乃至5の何れかに記載のヒューズ抵抗
器。
6. The fuse resistor according to claim 1, wherein the heat storage material is made of glass.
JP20452794A 1994-08-05 1994-08-05 Fuse resistor Pending JPH0850848A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20452794A JPH0850848A (en) 1994-08-05 1994-08-05 Fuse resistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP20452794A JPH0850848A (en) 1994-08-05 1994-08-05 Fuse resistor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0850848A true JPH0850848A (en) 1996-02-20

Family

ID=16492017

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP20452794A Pending JPH0850848A (en) 1994-08-05 1994-08-05 Fuse resistor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0850848A (en)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI390568B (en) Protection element
US3978443A (en) Fusible resistor
JP4110967B2 (en) Protective element
AU693152B2 (en) Flat PTC heater and resistance value regulating method for the same
EP1010190B1 (en) Electrical fuse element
TWI731050B (en) Protection element
JPH0850848A (en) Fuse resistor
EP0395231B1 (en) Protective arrangement for telecommunications line interface circuit
EP0608077B1 (en) Resistor network including telephone circuits
JPH0877911A (en) Fusing resistor
JP2000012305A (en) Chip type fuse resistor
JP2584370B2 (en) Overvoltage protection element
JP2666111B2 (en) Fuse resistor
US5581227A (en) Hybrid circuit having ceramic strip to increase loading capacity
JPH0636673A (en) Fuse resistor
JP2528404B2 (en) Open circuit element
JP4877390B2 (en) PTC device
JP2608031B2 (en) Chip type fuse resistor
JPH0855558A (en) Fuse resistor
JPH0877910A (en) Fusing resistor
JPH0733353Y2 (en) Fuse resistor
JPH10162714A (en) Chip fuse element
JPH0733352Y2 (en) Fuse resistor
JPH0817068B2 (en) Fuse resistor
JP2001351491A (en) Chip type fuse