JPH0846273A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH0846273A JPH0846273A JP17538494A JP17538494A JPH0846273A JP H0846273 A JPH0846273 A JP H0846273A JP 17538494 A JP17538494 A JP 17538494A JP 17538494 A JP17538494 A JP 17538494A JP H0846273 A JPH0846273 A JP H0846273A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 画像信号に対してパルス幅再現性の良いレー
ザ光を出力せしめること。 【構成】 感光体上に潜像形成するために感光体を照射
する半導体レーザ６を駆動する半導体レーザ駆動装置１
は、潜像形成のための画像信号１０と半導体レーザを強
制発光するための強制点灯信号１２と半導体レーザの発
光量を指定するための光量制御信号１１とを入力し、画
像信号１０に基づいて半導体レーザ６を光量制御信号１
１で指定された発光量をもってオン／オフするとともに
強制点灯信号１２に基づいて画像信号１０の入力に関ら
ず半導体レーザ６をオンし、且つ、所定レベルの光量制
御信号１１の入力時は半導体レーザ６がオンとなること
を禁止する。
ザ光を出力せしめること。 【構成】 感光体上に潜像形成するために感光体を照射
する半導体レーザ６を駆動する半導体レーザ駆動装置１
は、潜像形成のための画像信号１０と半導体レーザを強
制発光するための強制点灯信号１２と半導体レーザの発
光量を指定するための光量制御信号１１とを入力し、画
像信号１０に基づいて半導体レーザ６を光量制御信号１
１で指定された発光量をもってオン／オフするとともに
強制点灯信号１２に基づいて画像信号１０の入力に関ら
ず半導体レーザ６をオンし、且つ、所定レベルの光量制
御信号１１の入力時は半導体レーザ６がオンとなること
を禁止する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子写真プロセスを用
いた画像形成装置の半導体レーザ駆動装置に関するもの
である。
いた画像形成装置の半導体レーザ駆動装置に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】従来より、半導体レーザは熱特性や戻り
光等により出力光量が変化するという問題点があり、こ
れは画像形成動作に悪影響を与える。この様な問題に対
して半導体レーザの発光時に、高速で出力光量を制御す
る広帯域閉ループ特性を有する半導体レーザ駆動回路が
大変有効である。
光等により出力光量が変化するという問題点があり、こ
れは画像形成動作に悪影響を与える。この様な問題に対
して半導体レーザの発光時に、高速で出力光量を制御す
る広帯域閉ループ特性を有する半導体レーザ駆動回路が
大変有効である。
【０００３】この様な半導体レーザ駆動回路を用いた場
合、画像信号に対する半導体レーザ出力光のパルス幅再
現性が重要な課題となる。特に高速機及び高精細画像を
要求される機種については、半導体レーザ出力光のパル
ス幅再現性が画像品質を左右することになる。
合、画像信号に対する半導体レーザ出力光のパルス幅再
現性が重要な課題となる。特に高速機及び高精細画像を
要求される機種については、半導体レーザ出力光のパル
ス幅再現性が画像品質を左右することになる。
【０００４】従来の半導体レーザ駆動回路の構成図を図
８に示す。
８に示す。
【０００５】図８において、８１は半導体レーザ駆動回
路、８２は半導体レーザ制御ＩＣ、８６は半導体レーザ
ダイオード、８７はフォトダイオードである。８３は画
像形成装置の駆動及び電子写真プロセスの制御をつかさ
どるシーケンスコントローラ、８４はシーケンスコント
ローラ８３のＣＰＵ、８５はホストコンピュータからの
キャラクタデータをドットデータに変換するイメージコ
ントローラである。
路、８２は半導体レーザ制御ＩＣ、８６は半導体レーザ
ダイオード、８７はフォトダイオードである。８３は画
像形成装置の駆動及び電子写真プロセスの制御をつかさ
どるシーケンスコントローラ、８４はシーケンスコント
ローラ８３のＣＰＵ、８５はホストコンピュータからの
キャラクタデータをドットデータに変換するイメージコ
ントローラである。
【０００６】制御ＩＣ８２は、広帯域閉ループ特性を持
ち、所定の光量で発光する様に半導体レーザダイオード
８６を画像信号９０の１パルス毎に光量制御する。
ち、所定の光量で発光する様に半導体レーザダイオード
８６を画像信号９０の１パルス毎に光量制御する。
【０００７】ホストコンピュータからのキャラクタデー
タはイメージコントローラ８５でドットデータに変換さ
れシーケンスコントローラ８３を介し、画像信号として
半導体レーザ駆動回路８１に入力される。この図８の構
成では、画像形成装置の用紙搬送及び、電子写真プロセ
ス制御をも行うシーケンスコントローラ８３で、画像信
号に対してマスクをかける、またスキャナ光学系の動作
を確認するために半導体レーザダイオード８６を強制的
に点灯する等の処理が必要となる。しかしながら、この
シーケンスコントローラ８３で行う画像信号への処理
は、通常汎用のゲートアレイ等で行われるためイメージ
コントローラ８５からの画像信号のパルス幅再現性は、
非常に困難な状態にあった。
タはイメージコントローラ８５でドットデータに変換さ
れシーケンスコントローラ８３を介し、画像信号として
半導体レーザ駆動回路８１に入力される。この図８の構
成では、画像形成装置の用紙搬送及び、電子写真プロセ
ス制御をも行うシーケンスコントローラ８３で、画像信
号に対してマスクをかける、またスキャナ光学系の動作
を確認するために半導体レーザダイオード８６を強制的
に点灯する等の処理が必要となる。しかしながら、この
シーケンスコントローラ８３で行う画像信号への処理
は、通常汎用のゲートアレイ等で行われるためイメージ
コントローラ８５からの画像信号のパルス幅再現性は、
非常に困難な状態にあった。
【０００８】一方、画像形成装置では、解像度切り替え
や出力画像の濃度変調等のため光量変調が必須の状態に
ある。したがって、半導体レーザダイオード８６の出力
光量を画像信号とは独立に制御する手段が必要になる。
や出力画像の濃度変調等のため光量変調が必須の状態に
ある。したがって、半導体レーザダイオード８６の出力
光量を画像信号とは独立に制御する手段が必要になる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従って、図８に示す構
成の従来例では、 １）画像信号をシーケンスコントローラで処理するの
で、パルス幅再現性が損なわれてしまう。
成の従来例では、 １）画像信号をシーケンスコントローラで処理するの
で、パルス幅再現性が損なわれてしまう。
【００１０】２）解像度切り替えや濃度変調を行うため
に、光量制御を画像信号と独立に制御する必要がある。
等の問題点があった。
に、光量制御を画像信号と独立に制御する必要がある。
等の問題点があった。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は以上の点に鑑み
てなされたもので、感光体上に潜像形成するために感光
体を照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
装置において、潜像形成のための画像信号と半導体レー
ザを強制発光するための強制点灯信号と半導体レーザの
発光量を指定するための光量制御信号とを入力し、画像
信号に基づいて半導体レーザを光量制御信号で指定され
た発光量をもってオン／オフするとともに強制点灯信号
に基づいて画像信号の入力に関らず半導体レーザをオン
し、且つ、所定レベルの光量制御信号の入力時は半導体
レーザがオンとなることを禁止する半導体レーザ駆動装
置を提供するものである。
てなされたもので、感光体上に潜像形成するために感光
体を照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
装置において、潜像形成のための画像信号と半導体レー
ザを強制発光するための強制点灯信号と半導体レーザの
発光量を指定するための光量制御信号とを入力し、画像
信号に基づいて半導体レーザを光量制御信号で指定され
た発光量をもってオン／オフするとともに強制点灯信号
に基づいて画像信号の入力に関らず半導体レーザをオン
し、且つ、所定レベルの光量制御信号の入力時は半導体
レーザがオンとなることを禁止する半導体レーザ駆動装
置を提供するものである。
【００１２】また、感光体上に潜像形成するために感光
体を照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
装置において、潜像形成のための画像信号と半導体レー
ザを強制発光するための強制点灯信号と画像信号をマス
クするマスク信号とを入力し、画像信号に基づいて半導
体レーザをオン／オフするとともに強制点灯信号に基づ
いて画像信号の入力に関らず半導体レーザをオンし、且
つ、マスク信号の入力時は半導体レーザがオンとなるこ
とを禁止する半導体レーザ駆動装置を提供するものであ
る。
体を照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動
装置において、潜像形成のための画像信号と半導体レー
ザを強制発光するための強制点灯信号と画像信号をマス
クするマスク信号とを入力し、画像信号に基づいて半導
体レーザをオン／オフするとともに強制点灯信号に基づ
いて画像信号の入力に関らず半導体レーザをオンし、且
つ、マスク信号の入力時は半導体レーザがオンとなるこ
とを禁止する半導体レーザ駆動装置を提供するものであ
る。
【００１３】これにより、半導体レーザ駆動光量のイン
タフェースとして画像信号とレーザ強制点灯信号と光量
制御信号又はマスク信号を設けることにより、半導体レ
ーザ駆動回路内で画像信号を処理できるため、画像信号
のパルス幅再現性を良好にでき、また、解像度切り替え
や濃度変調を行うために、最適な光量制御を行うことが
できる。
タフェースとして画像信号とレーザ強制点灯信号と光量
制御信号又はマスク信号を設けることにより、半導体レ
ーザ駆動回路内で画像信号を処理できるため、画像信号
のパルス幅再現性を良好にでき、また、解像度切り替え
や濃度変調を行うために、最適な光量制御を行うことが
できる。
【００１４】
（第１の実施例）以下に、本発明に関わる画像形成装置
を図面に即して更に説明していく。
を図面に即して更に説明していく。
【００１５】図１は本発明を適用した半導体レーザ駆動
回路の第１の実施例である。図１（ａ）において１は半
導体レーザ駆動回路、２は半導体レーザ制御ＩＣ、６は
半導体レーザダイオード、７はフォトダイオードであ
る。３は画像形成装置の駆動及び電子写真プロセスの制
御をつかさどるシーケンスコントローラ、４はシーケン
スコントローラ３のＣＰＵ、５はホストコンピュータか
らのキャラクタデータをドットデータに変換するイメー
ジコントローラである。また、１４は電源ライン、１５
はグラウンドラインである。
回路の第１の実施例である。図１（ａ）において１は半
導体レーザ駆動回路、２は半導体レーザ制御ＩＣ、６は
半導体レーザダイオード、７はフォトダイオードであ
る。３は画像形成装置の駆動及び電子写真プロセスの制
御をつかさどるシーケンスコントローラ、４はシーケン
スコントローラ３のＣＰＵ、５はホストコンピュータか
らのキャラクタデータをドットデータに変換するイメー
ジコントローラである。また、１４は電源ライン、１５
はグラウンドラインである。
【００１６】本実施例で制御ＩＣ２は図１（ｂ）に示す
ような構成をとっておりアンプ５０及び５１により広帯
域閉ループ特性を実現し、シーケンスコントローラ３か
らの光量制御信号１１で指定される光量に半導体レーザ
ダイオード６の発光量を画像信号の１パルス毎に光量制
御する。
ような構成をとっておりアンプ５０及び５１により広帯
域閉ループ特性を実現し、シーケンスコントローラ３か
らの光量制御信号１１で指定される光量に半導体レーザ
ダイオード６の発光量を画像信号の１パルス毎に光量制
御する。
【００１７】強制点灯信号１２または画像信号１０がオ
ン（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）するとａｎｄ回路５３とア
ンプ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下Ｌ
Ｄ）が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード
７（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１はＣＰＵ
４からアナログ出力される光量制御信号１１に基づきデ
ータ変換回路５２から出力される設定値とＰＤ７からの
光電流とを比較し、ＬＤ６の発光光量が目標光量になる
ように制御する。
ン（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）するとａｎｄ回路５３とア
ンプ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下Ｌ
Ｄ）が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード
７（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１はＣＰＵ
４からアナログ出力される光量制御信号１１に基づきデ
ータ変換回路５２から出力される設定値とＰＤ７からの
光電流とを比較し、ＬＤ６の発光光量が目標光量になる
ように制御する。
【００１８】図２は、第１の実施例における各信号の動
作を示す。３０は用紙であり、３１は用紙３０の印字領
域を示す。画像信号１０は、感光体上に潜像形成すべく
水平同期信号に従い印字領域３１でオン／オフする。こ
の時、光量制御信号１１はある所定の電圧（ＬＤ６の発
光光量が所望の値となる電圧値）にセットされている。
また、光量制御信号１１は、出力画像の解像度及び画像
濃度を変更する場合には、値を変更して（ＬＤ６の光量
を変更する）各々の状況に対応する。本実施例では光量
制御信号１１の電圧が小さいほどＬＤ６の発光光量が大
きくなる。従って、解像度を粗くしたい場合、画像濃度
を濃くしたい場合等は、光量制御信号１１の値を小さく
する。
作を示す。３０は用紙であり、３１は用紙３０の印字領
域を示す。画像信号１０は、感光体上に潜像形成すべく
水平同期信号に従い印字領域３１でオン／オフする。こ
の時、光量制御信号１１はある所定の電圧（ＬＤ６の発
光光量が所望の値となる電圧値）にセットされている。
また、光量制御信号１１は、出力画像の解像度及び画像
濃度を変更する場合には、値を変更して（ＬＤ６の光量
を変更する）各々の状況に対応する。本実施例では光量
制御信号１１の電圧が小さいほどＬＤ６の発光光量が大
きくなる。従って、解像度を粗くしたい場合、画像濃度
を濃くしたい場合等は、光量制御信号１１の値を小さく
する。
【００１９】印字領域３１の外では、光量制御信号１１
をオフし（本実施例では、ハイレベル）、画像信号１０
に対するマスク信号とする。これにより、イメージコン
トローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオンし
てもＬＤ６が発光することを防ぐ。
をオフし（本実施例では、ハイレベル）、画像信号１０
に対するマスク信号とする。これにより、イメージコン
トローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオンし
てもＬＤ６が発光することを防ぐ。
【００２０】画像形成装置においては、印字動作に入る
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時、シーケンスコントロ
ーラ３は強制点灯信号１２をオン（Ｌｏｗ）してＬＤ６
を画像信号の入力に関らず発光し、ＬＤ６を含めた光学
系の動作確認を行う。また、強制点灯信号１２をオンす
る時は光量制御信号１１は所定の値に設定しておく必要
がある。この様な構成の画像形成装置で、各ラインの同
期信号として用いられる水平同期信号（ＢＤ信号）は、
印字領域３１の手前でＬＤ６を発光しそのレーザ光を所
定の位置に設けられたセンサ（ＢＤセンサ）により光電
変換することにより得たものである。このＢＤ信号形成
時も強制点灯信号１２をオンするとともに光量制御信号
１１を所定の値に設定しておく。
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時、シーケンスコントロ
ーラ３は強制点灯信号１２をオン（Ｌｏｗ）してＬＤ６
を画像信号の入力に関らず発光し、ＬＤ６を含めた光学
系の動作確認を行う。また、強制点灯信号１２をオンす
る時は光量制御信号１１は所定の値に設定しておく必要
がある。この様な構成の画像形成装置で、各ラインの同
期信号として用いられる水平同期信号（ＢＤ信号）は、
印字領域３１の手前でＬＤ６を発光しそのレーザ光を所
定の位置に設けられたセンサ（ＢＤセンサ）により光電
変換することにより得たものである。このＢＤ信号形成
時も強制点灯信号１２をオンするとともに光量制御信号
１１を所定の値に設定しておく。
【００２１】この様に、印字領域外で画像信号に対して
マスクをかける処理及び半導体レーザダイオードを強制
点灯する処理を、シーケンスコントローラ３が画像信号
に対して処理を行なうことにより達成するのではなく、
半導体レーザ駆動回路１にシーケンスコントローラ３か
ら光量制御信号１１、強制点灯信号１２を与えることに
よって半導体レーザ駆動回路１側で実行する構成であ
る。
マスクをかける処理及び半導体レーザダイオードを強制
点灯する処理を、シーケンスコントローラ３が画像信号
に対して処理を行なうことにより達成するのではなく、
半導体レーザ駆動回路１にシーケンスコントローラ３か
ら光量制御信号１１、強制点灯信号１２を与えることに
よって半導体レーザ駆動回路１側で実行する構成であ
る。
【００２２】従って、シーケンスコントローラの処理負
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
【００２３】（第２の実施例）以下に、本発明の第２の
実施例を示す。
実施例を示す。
【００２４】図３は本発明の第２の実施例を示す構成図
である。図３において、図１と同じ符号を付してあるも
のは、図１と同様の機能、構成であって、説明の上で第
１の実施例と重複する箇所については、説明を省略す
る。
である。図３において、図１と同じ符号を付してあるも
のは、図１と同様の機能、構成であって、説明の上で第
１の実施例と重複する箇所については、説明を省略す
る。
【００２５】本実施例で制御ＩＣ８は図３（ｂ）に示す
ような構成をとっており、アンプ５０及び５１により広
帯域閉ループ特性を実現し、光量制御信号１１で指定さ
れる光量に半導体レーザダイオード６の発光量を画像信
号（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）の１パルス毎に光量制御す
る。
ような構成をとっており、アンプ５０及び５１により広
帯域閉ループ特性を実現し、光量制御信号１１で指定さ
れる光量に半導体レーザダイオード６の発光量を画像信
号（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）の１パルス毎に光量制御す
る。
【００２６】本実施例では図３の実施例に更に画像マス
ク信号１５（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）を追加し、画像信
号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）とｏｒ回路５４を介し
て次段に伝達される。
ク信号１５（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）を追加し、画像信
号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）とｏｒ回路５４を介し
て次段に伝達される。
【００２７】従って、強制点灯信号１２がオン（Ｌｏｗ
ａｃｔｉｖｅ）するかまたはマスク信号がオンした状
態で画像信号１０がオンすると、ａｎｄ回路５３とアン
プ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下ＬＤ）
が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード７
（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１は光量制御
信号１６に基づきデータ変換回路５５から出力される設
定値とＰＤ７からの光電流とを比較しＬＤ６の発光光量
が目標光量になるように制御する。データ変換回路５５
はＣＰＵ４から出力されるディジタル信号である光量制
御信号１６をデータ変換回路する。
ａｃｔｉｖｅ）するかまたはマスク信号がオンした状
態で画像信号１０がオンすると、ａｎｄ回路５３とアン
プ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下ＬＤ）
が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード７
（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１は光量制御
信号１６に基づきデータ変換回路５５から出力される設
定値とＰＤ７からの光電流とを比較しＬＤ６の発光光量
が目標光量になるように制御する。データ変換回路５５
はＣＰＵ４から出力されるディジタル信号である光量制
御信号１６をデータ変換回路する。
【００２８】本実施例では光量制御信号１６をディジタ
ル信号で伝送している。この方式で行うことにより第１
の実施例の様なアナログ信号で伝送した場合に比べノイ
ズ等による光量変動の可能性が軽減される。
ル信号で伝送している。この方式で行うことにより第１
の実施例の様なアナログ信号で伝送した場合に比べノイ
ズ等による光量変動の可能性が軽減される。
【００２９】図４は、第２の実施例における各信号の動
作を示す。画像信号１０は、水平同期信号に従い印字領
域３１でオン/オフする。この時、光量制御信号１６は
ある所定のディジタル値（ＬＤ６の発光光量が所望の値
となる設定値）にセットされている。
作を示す。画像信号１０は、水平同期信号に従い印字領
域３１でオン/オフする。この時、光量制御信号１６は
ある所定のディジタル値（ＬＤ６の発光光量が所望の値
となる設定値）にセットされている。
【００３０】光量制御信号１６は、出力画像の解像度及
び画像濃度を変更する場合には、値を変更して（ＬＤ６
の光量を変更する）各々の状況に対応する。従って、画
像形成装置が制御する光量レベルが多い場合には信号線
の本数が多くなる。
び画像濃度を変更する場合には、値を変更して（ＬＤ６
の光量を変更する）各々の状況に対応する。従って、画
像形成装置が制御する光量レベルが多い場合には信号線
の本数が多くなる。
【００３１】印字領域３１の外では、画像マスク信号１
５をオフし（本実施例では、ハイレベル）、イメージコ
ントローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオン
してもＬＤ６が発光することを防ぐ。
５をオフし（本実施例では、ハイレベル）、イメージコ
ントローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオン
してもＬＤ６が発光することを防ぐ。
【００３２】画像形成装置においては印字動作に入るま
えの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含め
た光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオン
（Ｌｏｗ）してＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光学系
の動作確認を行う。また、前記水平同期信号（ＢＤ信
号）は、印字領域３１の手前で強制点灯信号１２をオン
し（ＬＤ６を発光）、そのレーザ光を所定の位置に設け
られたセンサ（ＢＤセンサ）により光電変換することに
よって得られる。
えの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含め
た光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオン
（Ｌｏｗ）してＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光学系
の動作確認を行う。また、前記水平同期信号（ＢＤ信
号）は、印字領域３１の手前で強制点灯信号１２をオン
し（ＬＤ６を発光）、そのレーザ光を所定の位置に設け
られたセンサ（ＢＤセンサ）により光電変換することに
よって得られる。
【００３３】この様に、第２の実施例においても、印字
領域外で画像信号に対してマスクをかける処理及び半導
体レーザダイオードを強制点灯する処理を、シーケンス
コントローラ３が画像信号に対して処理を行なうことに
より達成するのではなく、半導体レーザ駆動回路１にシ
ーケンスコントローラ３から画像マスク信号１５、強制
点灯信号１２を与えることによって半導体レーザ駆動回
路１側で実行する構成である。
領域外で画像信号に対してマスクをかける処理及び半導
体レーザダイオードを強制点灯する処理を、シーケンス
コントローラ３が画像信号に対して処理を行なうことに
より達成するのではなく、半導体レーザ駆動回路１にシ
ーケンスコントローラ３から画像マスク信号１５、強制
点灯信号１２を与えることによって半導体レーザ駆動回
路１側で実行する構成である。
【００３４】従って、シーケンスコントローラの処理負
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
【００３５】（第３の実施例）以下に、本発明の第３の
実施例を示す。
実施例を示す。
【００３６】図５は本発明の第３の実施例を示す構成図
である。図５において、図１又は図３と同じ符号を付し
てあるものは、図１又は図３と同様の機能、構成であっ
て、説明の上で第１及び第２の実施例と重複する箇所に
ついては、説明を省略する。制御ＩＣ９は、光量制御信
号１７で指定される光量に半導体レーザダイオード６の
発光量を画像信号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）の１パ
ルス毎に光量制御する。
である。図５において、図１又は図３と同じ符号を付し
てあるものは、図１又は図３と同様の機能、構成であっ
て、説明の上で第１及び第２の実施例と重複する箇所に
ついては、説明を省略する。制御ＩＣ９は、光量制御信
号１７で指定される光量に半導体レーザダイオード６の
発光量を画像信号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉｖｅ）の１パ
ルス毎に光量制御する。
【００３７】本実施例では、画像信号１０と強制点灯信
号１２のほかに光量制御信号１７として２ビットのディ
ジタル信号を設け、この２ビットのビットマップに画像
マスク信号とその他の制御光量を割り付けたものであ
る。表１にその割り付けをしめす。００はＢＤ制御、０
１は３００ｄｐｉ、１０は６００ｄｐｉ、１１は画像マ
スク（オフ）である。尚、光量制御信号１７の上位ビッ
トを光量制御信号１、下位ビットを光量制御信号２とす
る。
号１２のほかに光量制御信号１７として２ビットのディ
ジタル信号を設け、この２ビットのビットマップに画像
マスク信号とその他の制御光量を割り付けたものであ
る。表１にその割り付けをしめす。００はＢＤ制御、０
１は３００ｄｐｉ、１０は６００ｄｐｉ、１１は画像マ
スク（オフ）である。尚、光量制御信号１７の上位ビッ
トを光量制御信号１、下位ビットを光量制御信号２とす
る。
【００３８】この方式で行うことにより第１の実施例の
様なアナログ信号で伝送した場合に比べノイズ等による
光量変動の可能性が軽減され、また第２の実施例の構成
よりも信号線の本数が少なく構成できる。
様なアナログ信号で伝送した場合に比べノイズ等による
光量変動の可能性が軽減され、また第２の実施例の構成
よりも信号線の本数が少なく構成できる。
【００３９】図６は、第３の実施例における各信号の動
作をしめす。画像信号１０は、水平同期信号（ＢＤ信
号）に従い印字領域３１でオン／オフする。この時、光
量制御信号１又は２は、ある所定のディジタル値（ＬＤ
６の発光光量が所望の値となる設定値）にセットされて
いる。図に示すように出力画像が６００ｄｐｉであれ
ば、実線のように光量制御信号１がＨｉｇｈ、光量制御
信号２がＬｏｗとなり、出力画像が３００ｄｐｉであれ
ば、点線のように光量制御信号１がＬｏｗ、光量制御信
号２がＨｉｇｈとなる。
作をしめす。画像信号１０は、水平同期信号（ＢＤ信
号）に従い印字領域３１でオン／オフする。この時、光
量制御信号１又は２は、ある所定のディジタル値（ＬＤ
６の発光光量が所望の値となる設定値）にセットされて
いる。図に示すように出力画像が６００ｄｐｉであれ
ば、実線のように光量制御信号１がＨｉｇｈ、光量制御
信号２がＬｏｗとなり、出力画像が３００ｄｐｉであれ
ば、点線のように光量制御信号１がＬｏｗ、光量制御信
号２がＨｉｇｈとなる。
【００４０】印字領域３１の外では、光量制御信号１及
び２をオフし（本実施例では、ハイレベル）、イメージ
コントローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオ
ンしてもＬＤ６が発光することを防ぐ。
び２をオフし（本実施例では、ハイレベル）、イメージ
コントローラ５が印字領域３１の外で画像信号１０をオ
ンしてもＬＤ６が発光することを防ぐ。
【００４１】画像形成装置においては、印字動作に入る
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオ
ン（Ｌｏｗ）して、ＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光
学系の動作確認を行う。この時光量設定信号１及び２は
画像出力の解像度により６００ｄｐｉか３００ｄｐｉの
どちらかに設定され、マスクを解除する必要がある。
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオ
ン（Ｌｏｗ）して、ＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光
学系の動作確認を行う。この時光量設定信号１及び２は
画像出力の解像度により６００ｄｐｉか３００ｄｐｉの
どちらかに設定され、マスクを解除する必要がある。
【００４２】また、前述の水平同期信号（ＢＤ信号）
は、印字領域３１の手前で強制点灯信号１２をオンし
（ＬＤ６を発光）、そのレーザ光を所定の位置に設けら
れたセンサ（ＢＤセンサ）により光電変換することによ
って得られる。本実施例では光量制御信号１７としてＢ
Ｄ制御用に別に設定している。これは、感光体に照射す
るレーザ光量とＢＤセンサの感度設定が異なる場合に有
効である。例えば、感光体の感度が高く照射するレーザ
光量が小さい場合には、ＢＤセンサの感度も上げなけれ
ばならない。しかし、本実施例のようにＢＤ制御用にレ
ーザ光量を独立設定可能とすると、ＢＤ制御の時のみＬ
Ｄ６の発光光量を大きくすることにより、ＢＤセンサの
感度を上げる必要は無くなる。従って、強制点灯信号１
２がオンすると同時に光量制御信号１及び２の両方をオ
ン（Ｌｏｗ）にすることにより、ＢＤ制御時のレーザ光
量を大とする。
は、印字領域３１の手前で強制点灯信号１２をオンし
（ＬＤ６を発光）、そのレーザ光を所定の位置に設けら
れたセンサ（ＢＤセンサ）により光電変換することによ
って得られる。本実施例では光量制御信号１７としてＢ
Ｄ制御用に別に設定している。これは、感光体に照射す
るレーザ光量とＢＤセンサの感度設定が異なる場合に有
効である。例えば、感光体の感度が高く照射するレーザ
光量が小さい場合には、ＢＤセンサの感度も上げなけれ
ばならない。しかし、本実施例のようにＢＤ制御用にレ
ーザ光量を独立設定可能とすると、ＢＤ制御の時のみＬ
Ｄ６の発光光量を大きくすることにより、ＢＤセンサの
感度を上げる必要は無くなる。従って、強制点灯信号１
２がオンすると同時に光量制御信号１及び２の両方をオ
ン（Ｌｏｗ）にすることにより、ＢＤ制御時のレーザ光
量を大とする。
【００４３】この様に、第３の実施例においても、印字
領域外で画像信号に対してマスクをかける処理及び半導
体レーザダイオードを強制点灯する処理を、シーケンス
コントローラ３が画像信号に対して処理を行なうことに
より達成するのではなく、半導体レーザ駆動回路１にシ
ーケンスコントローラ３から光量制御信号１７、強制点
灯信号１２を与えることによって半導体レーザ駆動回路
１側で実行する構成である。
領域外で画像信号に対してマスクをかける処理及び半導
体レーザダイオードを強制点灯する処理を、シーケンス
コントローラ３が画像信号に対して処理を行なうことに
より達成するのではなく、半導体レーザ駆動回路１にシ
ーケンスコントローラ３から光量制御信号１７、強制点
灯信号１２を与えることによって半導体レーザ駆動回路
１側で実行する構成である。
【００４４】従って、シーケンスコントローラの処理負
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
担が軽減するとともに、シーケンスコントローラにより
画像信号を処理することにより生じる不都合を除去で
き、これにより高速、且つ、高解像で、良好な画像形成
が可能となる。
【００４５】
【表１】
【００４６】（第４の実施例）図７は本発明の第４の実
施例を示す構成図である。図７において、図１、図３及
び図５と同じ条件を付したものは同様の機能、構成であ
って、説明の上で第１から第３の実施例と重複する箇所
については、説明を省略する。
施例を示す構成図である。図７において、図１、図３及
び図５と同じ条件を付したものは同様の機能、構成であ
って、説明の上で第１から第３の実施例と重複する箇所
については、説明を省略する。
【００４７】本実施例で、制御ＩＣ２０は図７（ｂ）に
示すような構成をとっておりアンプ５０及び５１により
光帯域閉ループ特性を実現し、光量制御信号１１で指定
される光量に半導体レーザダイオード６の発光量を画像
信号の１パルス毎に光量制御する。
示すような構成をとっておりアンプ５０及び５１により
光帯域閉ループ特性を実現し、光量制御信号１１で指定
される光量に半導体レーザダイオード６の発光量を画像
信号の１パルス毎に光量制御する。
【００４８】本実施例では画像マスク信号１５（Ｌｏｗ
ａｃｔｉｖｅ）が、画像信号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉ
ｖｅ）とｏｒ回路５４を介して次段に伝達される構成と
なっている。
ａｃｔｉｖｅ）が、画像信号１０（Ｌｏｗ ａｃｔｉ
ｖｅ）とｏｒ回路５４を介して次段に伝達される構成と
なっている。
【００４９】従って、強制点灯信号１２がオン（Ｌｏｗ
ａｃｔｉｖｅ）するか、または、マスク信号がオンし
た状態で画像信号１０がオンすると、ａｎｄ回路５３と
アンプ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下Ｌ
Ｄ）が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード
７（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１は光量制
御信号１１（アナログ信号）に基づきデータ変換回路５
８から出力される設定値とＰＤ７からの光電流とを比較
し、ＬＤ６の発光光量が目標光量になるように制御す
る。本実施例は、光量制御信号１１にノイズがのった場
合ＬＤ６の出力光量が変動する事に対する対策として、
光量制御信号１１のレベルを保持する手段としてコンデ
ンサ５６とスイッチ５７を設けたものである。これによ
り画像印刷中（イメージコントローラ５が画像信号出力
中）は光量制御信号１１をコンデンサに保持しノイズに
よる光量変動を防ぐものである。
ａｃｔｉｖｅ）するか、または、マスク信号がオンし
た状態で画像信号１０がオンすると、ａｎｄ回路５３と
アンプ５０を介して半導体レーザダイオード６（以下Ｌ
Ｄ）が発光する。ＬＤ６が発光するとフォトダイオード
７（以下ＰＤ）に光電流が流れる。アンプ５１は光量制
御信号１１（アナログ信号）に基づきデータ変換回路５
８から出力される設定値とＰＤ７からの光電流とを比較
し、ＬＤ６の発光光量が目標光量になるように制御す
る。本実施例は、光量制御信号１１にノイズがのった場
合ＬＤ６の出力光量が変動する事に対する対策として、
光量制御信号１１のレベルを保持する手段としてコンデ
ンサ５６とスイッチ５７を設けたものである。これによ
り画像印刷中（イメージコントローラ５が画像信号出力
中）は光量制御信号１１をコンデンサに保持しノイズに
よる光量変動を防ぐものである。
【００５０】画像信号１０は、水平同期信号に従い印字
領域でオン／オフする。この時、光量制御信号１１はあ
る所定の電圧（ＬＤ６の発光光量が所望の値となる電圧
値）にセットされている。また、光量制御信号１１は、
出力画像の解像度及び画像濃度を変更する場合には、値
を変更して（ＬＤ６の光量を変更する）各々の状況に対
応する。
領域でオン／オフする。この時、光量制御信号１１はあ
る所定の電圧（ＬＤ６の発光光量が所望の値となる電圧
値）にセットされている。また、光量制御信号１１は、
出力画像の解像度及び画像濃度を変更する場合には、値
を変更して（ＬＤ６の光量を変更する）各々の状況に対
応する。
【００５１】スイッチ５７は、画像マスク信号１５をト
リガにしてオン／オフされる。つまりマスク信号１５が
Ｌｏｗ（画像マスクが解除されている）の時だけスイッ
チ５７をオフし、光量制御信号１１を保持する。
リガにしてオン／オフされる。つまりマスク信号１５が
Ｌｏｗ（画像マスクが解除されている）の時だけスイッ
チ５７をオフし、光量制御信号１１を保持する。
【００５２】印字領域外では、画像マスク信号１１によ
り画像信号１０にマスクをし（Ｈｉｇｈ）、イメージコ
ントローラ５が印字領域外で画像信号１０をオンしても
ＬＤ６が発光することを防ぐ。
り画像信号１０にマスクをし（Ｈｉｇｈ）、イメージコ
ントローラ５が印字領域外で画像信号１０をオンしても
ＬＤ６が発光することを防ぐ。
【００５３】画像形成装置においては、印字動作に入る
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオ
ン（Ｌｏｗ）してＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光学
系の動作確認を行う。前述の水平同期信号（ＢＤ信号）
は、印字領域の手前でＬＤ６を発光しそのレーザ光を所
定の位置に設けられたセンサ（ＢＤセンサ）により光電
変換することにより得たものである。
まえの予備動作としてモータの駆動、半導体レーザを含
めた光学系の駆動を行う。この時強制点灯信号１２をオ
ン（Ｌｏｗ）してＬＤ６を発光し、ＬＤ６を含めた光学
系の動作確認を行う。前述の水平同期信号（ＢＤ信号）
は、印字領域の手前でＬＤ６を発光しそのレーザ光を所
定の位置に設けられたセンサ（ＢＤセンサ）により光電
変換することにより得たものである。
【００５４】本実施例では、画像マスク信号１５をトリ
ガにしたが、強制点灯信号１２を光量制御信号１１のサ
ンプルタイミングとして使用することも可能である。
ガにしたが、強制点灯信号１２を光量制御信号１１のサ
ンプルタイミングとして使用することも可能である。
【００５５】以上説明したように、以上の実施例構成に
よれば、本導体レーザ駆動回路のインタフェースとして
画像信号と強制点灯信号と光量制御信号或いは画像マス
ク信号を設けることにより、 １）画像信号のパルス幅再現性が良好となり、高品位な
出力画像を得ることができる。
よれば、本導体レーザ駆動回路のインタフェースとして
画像信号と強制点灯信号と光量制御信号或いは画像マス
ク信号を設けることにより、 １）画像信号のパルス幅再現性が良好となり、高品位な
出力画像を得ることができる。
【００５６】２）解像度切り替えや濃度変調を簡易に行
える。
える。
【００５７】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によると、感
光体上に潜像形成するために感光体を照射する半導体レ
ーザを駆動する半導体レーザ駆動装置において、潜像形
成のための画像信号と半導体レーザを強制発光するため
の強制点灯信号と半導体レーザの発光量を指定するため
の光量制御信号とを入力し、画像信号に基づいて半導体
レーザを光量制御信号で指定された発光量をもってオン
／オフするとともに強制点灯信号に基づいて画像信号の
入力に関らず半導体レーザをオンし、且つ、所定レベル
の光量制御信号の入力時は半導体レーザがオンとなるこ
とを禁止するものであり、また、感光体上に潜像形成す
るために感光体を照射する半導体レーザを駆動する半導
体レーザ駆動装置において、潜像形成のための画像信号
と半導体レーザを強制発光するための強制点灯信号と画
像信号をマスクするマスク信号とを入力し、画像信号に
基づいて半導体レーザをオン／オフするとともに強制点
灯信号に基づいて画像信号の入力に関らず半導体レーザ
をオンし、且つ、マスク信号の入力時は半導体レーザが
オンとなることを禁止するものである。
光体上に潜像形成するために感光体を照射する半導体レ
ーザを駆動する半導体レーザ駆動装置において、潜像形
成のための画像信号と半導体レーザを強制発光するため
の強制点灯信号と半導体レーザの発光量を指定するため
の光量制御信号とを入力し、画像信号に基づいて半導体
レーザを光量制御信号で指定された発光量をもってオン
／オフするとともに強制点灯信号に基づいて画像信号の
入力に関らず半導体レーザをオンし、且つ、所定レベル
の光量制御信号の入力時は半導体レーザがオンとなるこ
とを禁止するものであり、また、感光体上に潜像形成す
るために感光体を照射する半導体レーザを駆動する半導
体レーザ駆動装置において、潜像形成のための画像信号
と半導体レーザを強制発光するための強制点灯信号と画
像信号をマスクするマスク信号とを入力し、画像信号に
基づいて半導体レーザをオン／オフするとともに強制点
灯信号に基づいて画像信号の入力に関らず半導体レーザ
をオンし、且つ、マスク信号の入力時は半導体レーザが
オンとなることを禁止するものである。
【００５８】これにより、半導体レーザ駆動装置のイン
タフェースとして画像信号とレーザ強制点灯信号と光量
制御信号又はマスク信号を設けることにより、半導体レ
ーザ駆動装置内で画像信号を処理できるため、画像信号
のパルス幅再現性を良好にでき、また、解像度切り替え
や濃度変調を行うために、最適な光量制御を行うことが
でき、従って、高精細、高速機においても、高品質な像
形成を実行可能とすることができる。
タフェースとして画像信号とレーザ強制点灯信号と光量
制御信号又はマスク信号を設けることにより、半導体レ
ーザ駆動装置内で画像信号を処理できるため、画像信号
のパルス幅再現性を良好にでき、また、解像度切り替え
や濃度変調を行うために、最適な光量制御を行うことが
でき、従って、高精細、高速機においても、高品質な像
形成を実行可能とすることができる。
【図１】本発明を適用した半導体レーザ駆動回路の第１
の実施例の構成図。
の実施例の構成図。
【図２】第１の実施例の信号の動作説明図。
【図３】第２の実施例の構成図。
【図４】第２の実施例の信号の動作説明図。
【図５】第３の実施例の構成図。
【図６】第３の実施例の信号の動作説明図。
【図７】第４の実施例の構成図。
【図８】従来例の構成図。
１ 半導体レーザ駆動回路 ２ 制御ＩＣ ３ シーケンスコントローラ ４ ＣＰＵ ５ イメージコントローラ ６ 半導体レーザダイオード ７ フォトダイオード
Claims (9)
- 【請求項１】 感光体上に潜像形成するために感光体を
照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置
において、 潜像形成のための画像信号と半導体レーザを強制発光す
るための強制点灯信号と半導体レーザの発光量を指定す
るための光量制御信号とを入力し、画像信号に基づいて
半導体レーザを光量制御信号で指定された発光量をもっ
てオン／オフするとともに強制点灯信号に基づいて画像
信号の入力に関らず半導体レーザをオンし、且つ、所定
レベルの光量制御信号の入力時は半導体レーザがオンと
なることを禁止することを特徴とする半導体レーザ駆動
装置。 - 【請求項２】 光量制御信号は複数ビットのデジタル信
号からなり複数の光量レベル及び画像信号のマスクを指
定することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ
駆動装置。 - 【請求項３】 像形成動作を制御するシーケンスコント
ローラから強制点灯信号及び光量制御信号を入力するこ
とを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ駆動装
置。 - 【請求項４】 半導体レーザの発光量を検知し、検知光
量が光量制御信号で指定された発光量となる様に半導体
レーザの発光量を制御することを特徴とする請求項１に
記載の半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項５】 感光体上に潜像形成するために感光体を
照射する半導体レーザを駆動する半導体レーザ駆動装置
において、 潜像形成のための画像信号と半導体レーザを強制発光す
るための強制点灯信号と画像信号をマスクするマスク信
号とを入力し、画像信号に基づいて半導体レーザをオン
／オフするとともに強制点灯信号に基づいて画像信号の
入力に関らず半導体レーザをオンし、且つ、マスク信号
の入力時は半導体レーザがオンとなることを禁止するこ
とを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項６】 更に、半導体レーザの発光量を指定する
ための光量制御信号を入力し、画像信号に基づいて光量
制御信号で指定された発光量をもって半導体レーザをオ
ン／オフすることを特徴とする請求項５に記載の半導体
レーザ駆動装置。 - 【請求項７】 光量制御信号はアナログ信号からなり入
力した光量制御信号を保持することを特徴とする請求項
６に記載の半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項８】 像形成動作を制御するシーケンスコント
ローラから強制点灯信号及びマスク信号を入力すること
を特徴とする請求項５に記載の半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項９】 半導体レーザの発光量を検知し、検知光
量が光量制御信号で指定された発光量となる様に半導体
レーザの発光量を制御することを特徴とする請求項６に
記載の半導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17538494A JPH0846273A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17538494A JPH0846273A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0846273A true JPH0846273A (ja) | 1996-02-16 |
Family
ID=15995172
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17538494A Pending JPH0846273A (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0846273A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079548A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| JPH1079549A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| EP0933971A2 (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting element drive apparatus |
| JP2007320160A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17538494A patent/JPH0846273A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1079548A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| JPH1079549A (ja) * | 1996-07-12 | 1998-03-24 | Ricoh Co Ltd | 半導体レーザ制御装置 |
| EP0933971A2 (en) * | 1998-01-30 | 1999-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting element drive apparatus |
| EP0933971A3 (en) * | 1998-01-30 | 2000-10-18 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting element drive apparatus |
| JP2007320160A (ja) * | 2006-05-31 | 2007-12-13 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像形成装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040629 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20041116 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |