JPH0837521A - Phase fluctuation absorbing circuit - Google Patents

Phase fluctuation absorbing circuit

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JPH0837521A
JPH0837521A JP6172794A JP17279494A JPH0837521A JP H0837521 A JPH0837521 A JP H0837521A JP 6172794 A JP6172794 A JP 6172794A JP 17279494 A JP17279494 A JP 17279494A JP H0837521 A JPH0837521 A JP H0837521A
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write
circuit
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直子 佐藤
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Abstract

PURPOSE:To suppress the amount of device side received data delayed from transmission line side received data at a minimum without generating even one time of slip concerning the phase fluctuation absorbing circuit provided by using an elastic store memory at a digital transmitter. CONSTITUTION:This circuit is provided with an elastic store 1, write reset pulse generating circuit 2 for outputting a write reset pulse (c) from a transmission line side received clock (b), read reset pulse generating circuit 3 for outputting a read reset pulse (h) from a device inside reference clock (d), and phase fluctuation amount measuring circuit 5 for inputting the transmission line side received clock (b) and the device inside reference clock (d), measuring the mutual phase fluctuation amount and outputting phase fluctuation amount data (e). Besides, a phase comparator circuit 4 is provided to input the write reset pulse (c), read reset pulse (h) and phase fluctuation amount data (e), to monitor the mutual timing relation and to output phase slip information (f) and window information (g).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は位相変動吸収回路に関
し、特にディジタル伝送装置においてエラスティックス
トアメモリを用いて実現する位相変動吸収回路に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a phase fluctuation absorbing circuit, and more particularly to a phase fluctuation absorbing circuit realized by using an elastic store memory in a digital transmission device.

【0002】[0002]

【従来の技術】ディジタル伝送路を通して対向する局か
ら伝送されてくる位相不確定のディジタル信号を受信す
る局側では、通常、受信ディジタル信号のフレーム位相
を揃えるための位相整列回路,フレームアライナ回路,
遅延挿脱回路あるいは位相変動吸収回路と呼称される回
路が用意され、温度変動等による伝送路の伸縮により発
生する位相変動(ワンダ)に対しヒステリシスを持たせ
たスリップ制御の機能を持たせている。
2. Description of the Related Art On the side of a station which receives a digital signal with an uncertain phase transmitted from a station which opposes through a digital transmission line, normally, a phase aligning circuit, a frame aligner circuit for aligning the frame phases of the received digital signals,
A circuit called a delay insertion / removal circuit or a phase fluctuation absorption circuit is prepared to provide a slip control function with hysteresis for phase fluctuations (wander) caused by expansion and contraction of the transmission line due to temperature fluctuations. .

【0003】これらの回路方式として、従来、ディジタ
ル伝送路からの受信信号のそのままの位相の第1の信号
と、その第1の信号に一定遅延を持たせた位相の第2の
信号の2種類の信号を用意し、この2種類の信号の一方
を選択して位相整列あるいは位相変動吸収のためのエラ
スティックストアメモリに書き込みを行うものである。
これら回路方式の従来技術として、例えば特開昭60−
254939号公報の第2図,特開平1−317039
号公報の第3図,特開平2−226929号公報の第2
図および特開平4−31120号公報の図5に示される
構成例がある。これら従来技術の回路方式を総称した位
相変動吸収回路としてのブロック図を図7に示す。この
従来の位相変動吸収回路は、ディジタル伝送路を通して
入力される入力ディジタル信号jからフレーム同期パタ
ーンを検出してフレーム同期を確立し入力ディジタル信
号jの書き込みリセットパルスkおよび書き込み位相比
較パルスmを出力するフレーム同期回路10と、同ディ
ジタル伝送路を通して入力される入力ディジタル信号j
を所定時間遅延して入力ディジタル信号nを出力するシ
フトレジスタあるいはRAM(ランダムアクセスメモ
リ)から構成される遅延回路11−1と、フレーム同期
回路10出力の書き込みリセットパルスkを入力ディジ
タル信号jと同じ所定時間遅延して書き込みリセットパ
ルスpを出力するシフトレジスタあるいはRAMから構
成される遅延回路11−2と、同フレーム同期回路10
出力の書き込み位相比較パルスmを入力ディジタル信号
jおよび書き込みリセットパルスkと同じ所定時間遅延
して書き込み位相比較パルスqを出力するシフトレジス
タあるいはRAMから構成される遅延回路11−3と、
セレクタ切替制御信号rに制御されてディジタル伝送路
を通して入力される入力ディジタル信号jまたは遅延回
路11−1出力の入力ディジタル信号nを選択して入力
ディジタル信号sとして出力するセレクタ12−1と、
セレクタ切替制御信号rに制御されてフレーム同期回路
10出力の書き込みリセットパルスkまたは遅延回路1
1−2出力の書き込みリセットパルスpを選択して書き
込みリセットパルスtとして出力するセレクタ12−2
と、セレクタ切替制御信号rに制御されてフレーム同期
回路10出力の書き込み位相比較パルスmまたは遅延回
路11−3出力の書き込み位相比較パルスqを選択して
書き込み位相比較パルスuとして出力するセレクタ12
−3と、装置内基準パルスvに同期して読み出しリセッ
トパルスxを発生出力するパルス生成回路13と、セレ
クタ12−3出力の書き込み位相比較パルスuとパルス
生成回路13出力の読み出しリセットパルスxとの位相
を比較してセレクタ切替制御信号rを出力しセレクタ1
2−1,セレクタ12−2およびセレクタ12−3へ供
給する位相比較回路14と、書き込みリセットパルスt
を基準として書き込みクロックwに同期しつつ入力ディ
ジタル信号sを順次書き込むとともに読み出しリセット
パルスxを基準として読み出しクロックzに同期しつつ
順次読み出して読み出しデータ信号yを出力するエラス
ティックストアメモリ15とから構成される。
Conventionally, there are two types of these circuit systems: a first signal having a phase as it is of a signal received from a digital transmission line, and a second signal having a phase with the first signal having a fixed delay. Are prepared, and one of the two types of signals is selected and written into an elastic store memory for phase alignment or phase fluctuation absorption.
As a conventional technique of these circuit systems, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 60-
FIG. 2 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 254939,
FIG. 3 of Japanese Unexamined Patent Publication No.
There is a configuration example shown in FIG. 5 and FIG. 5 of JP-A-4-31120. FIG. 7 shows a block diagram as a phase fluctuation absorbing circuit that generically names these conventional circuit systems. This conventional phase fluctuation absorbing circuit detects a frame synchronization pattern from an input digital signal j input through a digital transmission path, establishes frame synchronization, and outputs a write reset pulse k and a write phase comparison pulse m of the input digital signal j. A frame synchronization circuit 10 and an input digital signal j input through the digital transmission line.
And a delay circuit 11-1 composed of a shift register or a RAM (random access memory) for outputting an input digital signal n by delaying the input digital signal n, and a write reset pulse k output from the frame synchronization circuit 10 is set to the same value as the input digital signal j. A delay circuit 11-2 comprising a shift register or a RAM for outputting a write reset pulse p with a predetermined time delay;
A delay circuit 11-3 comprising a shift register or a RAM for delaying the output write phase comparison pulse m by the same predetermined time as the input digital signal j and the write reset pulse k and outputting a write phase comparison pulse q;
A selector 12-1, which is controlled by the selector switching control signal r and selects the input digital signal j input through the digital transmission line or the input digital signal n output from the delay circuit 11-1 and outputs it as the input digital signal s;
Under the control of the selector switching control signal r, the write reset pulse k of the output of the frame synchronization circuit 10 or the delay circuit 1
Selector 12-2 which selects 1-2 output write reset pulse p and outputs it as write reset pulse t
And a selector 12 that selects the write phase comparison pulse m output from the frame synchronization circuit 10 or the write phase comparison pulse q output from the delay circuit 11-3 under the control of the selector switching control signal r and outputs the selected pulse as the write phase comparison pulse u.
-3, a pulse generation circuit 13 for generating and outputting a read reset pulse x in synchronization with the internal reference pulse v, a write phase comparison pulse u of the output of the selector 12-3, and a read reset pulse x of the output of the pulse generation circuit 13. And outputs a selector switching control signal r to output the selector 1
2-1, phase comparison circuit 14 to be supplied to selector 12-2 and selector 12-3, and write reset pulse t
And an elastic store memory 15 which sequentially writes the input digital signal s in synchronization with the write clock w on the basis of the read clock pulse z and sequentially reads out the read data signal y in synchronization with the read clock z on the basis of the read reset pulse x. Is done.

【0004】ここで、パルス生成回路13から出力され
る読み出しリセットパルスxの位相はフレーム同期回路
10出力の書き込みリセットパルスkあるいは書き込み
位相比較パルスmの位相とは無関係であるため、エラス
ティックストアメモリ15の書き込みタイミングと読み
出しタイミングとが適正な状態にあるかどうかを判定す
る必要がある。このため、位相比較回路14を設けて読
み出しリセットパルスxと書き込み位相比較パルスuと
の位相を比較し、これらの位相差に応じてセレクタ12
−1〜12−3の選択状態を制御するセレクタ切替制御
信号rを出力している。つまり、書き込みリセットパル
スtと読み出しリセットパルスxとの位相が接近する
と、セレクタ12−1〜セレクタ12−3の各各はセレ
クタ切替制御信号rにより制御されて遅延回路11−1
〜遅延回路11−3各各の出力を選択するので書き込み
リセットパルスtと読み出しリセットパルスxの位相は
遅延回路11−1〜遅延回路11−3各各の遅延量分だ
けずれることになり、エラスティックストアメモリ15
の書き込みと読み出しの位相が一致しないで済む。ここ
で、遅延回路11−1〜遅延回路11−3の各各の遅延
量はディジタル伝送路の位相変動量に応じて予め決めら
れたほぼ同じ値に選ばれる。
Since the phase of the read reset pulse x output from the pulse generation circuit 13 is irrelevant to the phase of the write reset pulse k or the write phase comparison pulse m output from the frame synchronization circuit 10, the elastic store memory is used. It is necessary to determine whether the write timing and the read timing of No. 15 are in an appropriate state. For this reason, a phase comparison circuit 14 is provided to compare the phases of the read reset pulse x and the write phase comparison pulse u, and select the selector 12 according to the phase difference.
The selector switching control signal r for controlling the selection states of -1 to 12-3 is output. That is, when the phases of the write reset pulse t and the read reset pulse x come close to each other, each of the selectors 12-1 to 12-3 is controlled by the selector switching control signal r to be delayed by the delay circuit 11-1.
Since the output of each of the delay circuits 11-3 is selected, the phases of the write reset pulse t and the read reset pulse x are shifted by the respective delay amounts of the delay circuits 11-1 to 11-3. Stick store memory 15
The writing and reading phases do not have to match. Here, the respective delay amounts of the delay circuit 11-1 to the delay circuit 11-3 are selected to have substantially the same predetermined value according to the phase variation amount of the digital transmission line.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】この従来の位相変動吸
収回路では、位相比較回路14は、ディジタル伝送路の
位相変動により書き込み位相が読み出し位相に接近して
スリップが発生する直前に達した場合のみ位相関係が判
明、つまりセレクタ切替制御信号rを出力する構成とな
っているので、フレーム同期確立時点でエラスティック
ストアメモリ15への書き込み位相と読み出し位相とが
ディジタル伝送路の位相変動以下に接近していた場合に
は、後に必ず1回はスリップが発生して読み出しデータ
に誤りが生ずるとともに、入力ディジタル信号jに対す
る読み出しデータ信号yの遅延が必要以上に発生してし
まう。また、遅延回路11−1〜11−3の遅延量はデ
ィジタル伝送路の温度変動等による位相変化量を予め考
慮して決められる固定値となっているため、エラスティ
ックストアメモリ15に入力される入力ディジタル信号
jが例えばディジタル伝送網の網切替を経て入力される
場合には、網の経由する伝送系によっては、その網の伝
送系ごとに持つジッタ・ワンダに従って入力ディジタル
信号jの位相は遅延回路11−1〜11−3における予
め決められた固定の遅延量ではカバーしきれない程大小
に変化する。従って、網切替により入力される入力ディ
ジタル信号jに対応する位相変動吸収回路における遅延
回路11−1〜11−3の各各の遅延量は網切替の都度
変えなければならず、実用的ではない。
In this conventional phase fluctuation absorbing circuit, the phase comparison circuit 14 only operates when the write phase approaches the read phase due to the phase fluctuation of the digital transmission line and immediately before the slip occurs. Since the phase relationship is known, that is, the selector switching control signal r is output, the writing phase and the reading phase to the elastic store memory 15 approach the phase fluctuation of the digital transmission path or less at the time of establishing frame synchronization. In such a case, the slip always occurs once, the read data is erroneous, and the read data signal y is delayed more than necessary with respect to the input digital signal j. Further, the delay amounts of the delay circuits 11-1 to 11-3 are fixed values which are determined in advance in consideration of the amount of phase change due to temperature fluctuation or the like of the digital transmission line, and are therefore input to the elastic store memory 15. When the input digital signal j is input through, for example, network switching of a digital transmission network, the phase of the input digital signal j is delayed according to the jitter wander of each transmission system of the network depending on the transmission system through the network. The amount of change is too large to cover with a predetermined fixed delay amount in the circuits 11-1 to 11-3. Therefore, the delay amount of each of the delay circuits 11-1 to 11-3 in the phase fluctuation absorbing circuit corresponding to the input digital signal j input by the network switching must be changed every time the network is switched, which is not practical. .

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明による位相変動吸
収回路は、伝送路側から入力される伝送路側受信データ
を書き込みリセットパルスを基準として書き込みクロッ
ク信号としての前記伝送路側受信データと同じ前記伝送
路側から入力される伝送路側受信クロックに同期しつつ
順次書き込むとともに読み出しリセットパルスを基準と
して読み出しクロック信号としての受信側装置内基準ク
ロック信号に同期しつつ順次読み出して装置側受信デー
タを出力するエラスティックストアメモリと、前記伝送
路側受信クロックから前記書き込みリセットパルスを生
成出力する書き込みリセットパルス生成手段と、前記受
信側装置内基準クロック信号を基準として前記伝送路側
受信クロックの位相変動量を測定して位相変動量情報を
出力する位相変動量測定手段と、前記位相変動量測定手
段からの前記位相変動量情報にもとづき前記書き込みリ
セットパルスを起点として所定時間後に前記書き込みリ
セットパルスに対する前記読み出しリセットパルスの位
相差設定位置許容範囲を設定してウィンドウ情報として
出力するとともに前記読み出しリセットパルスが前記位
相差設定位置許容範囲から外れた場合は位相スリップ情
報を出力する位相比較手段と、前記位相比較手段から前
記位相スリップ情報が入力されないときは所定周期で自
走する前記読み出しリセットパルスを発生出力して前記
エラスティックストアメモリへ供給するとともに前記位
相比較手段から前記位相スリップ情報が入力されたとき
はそれまで自走して発生出力していた前記読み出しリセ
ットパルスをリセットして前記読み出しリセットパルス
を前記位相比較手段から入力される前記ウィンドウ情報
の前記位相差設定位置許容範囲内に入るように制御して
前記エラスティックストアメモリへ供給する読み出しリ
セットパルス生成手段と、を備える。
In the phase fluctuation absorbing circuit according to the present invention, the transmission line side received data inputted from the transmission line side is written to the transmission line side same as the transmission line side received data as a write clock signal with reference to a reset pulse. An elastic that sequentially writes in synchronization with the transmission-path-side reception clock input from the device and also sequentially reads out and outputs the reception data on the device side in synchronization with the reference clock signal in the reception-side device as a read clock signal based on the read reset pulse A store memory, a write reset pulse generating means for generating and outputting the write reset pulse from the transmission path side reception clock, and a phase variation amount of the transmission path side reception clock measured with reference to a reference clock signal in the reception side device. Phase fluctuation that outputs fluctuation amount information Based on the phase fluctuation amount information from the measuring means and the phase fluctuation amount measuring means, the write reset pulse is set as a starting point, and after a predetermined time, the phase difference setting position allowable range of the read reset pulse with respect to the write reset pulse is set and the window is set. Phase comparing means for outputting the information as phase slip information when the read reset pulse is out of the phase difference setting position allowable range, and at a predetermined cycle when the phase slip information is not input from the phase comparing means. The read reset pulse that is self-propelled is generated and output and supplied to the elastic store memory, and when the phase slip information is input from the phase comparison means, the read reset that has been self-propelled and generated and output until then. Reset the pulse and read the above The reset pulse and a read reset pulse generating means for supplying to said elastic store memory the controls to enter the phase difference setting position within the allowable range of the window information supplied from the phase comparing means.

【0007】また、本発明による位相変動吸収回路は、
前記読み出しリセットパルス生成手段が、前記位相比較
手段から前記ウィンドウ情報を入力したときの前記読み
出しリセットパルスの位置調整を前記位相差設定位置許
容範囲の中央になるように制御することを特徴とする。
Further, the phase fluctuation absorbing circuit according to the present invention comprises:
The read reset pulse generating means controls the position adjustment of the read reset pulse when the window information is input from the phase comparison means so that the read reset pulse is positioned at the center of the phase difference setting position allowable range.

【0008】[0008]

【実施例】ディジタル伝送網を通して入力端DIに入力
される伝送路側受信データaを入力端WRに入力される
書き込みリセットパルスcを基準として伝送路側受信デ
ータaと同じディジタル伝送網を通して入力端WCに入
力される書き込みクロック信号としての伝送路側受信ク
ロックbに同期しつつ順次書き込むとともに後述する読
み出しリセットパルス生成回路3出力の読み出しリセッ
トパルスhを基準として読み出しクロック信号としての
受信側装置内部基準クロックdに同期しつつ順次読み出
して装置側受信データiを出力するエラスティックスト
アメモリ1と、伝送路側受信クロックbから書き込みリ
セットパルスcを生成出力してエラスティックストアメ
モリ1の入力端WRおよび後述の読み出しリセットパル
ス生成回路3および位相比較回路4へ供給する書き込み
リセットパルス生成回路2と、受信側装置内部基準クロ
ックdを基準として伝送路側受信クロックbの位相変動
を測定して位相変動量データeとして例えば2進数のデ
ータを出力して後述の位相比較回路4へ供給する位相変
動量測定回路5と、位相変動量測定回路5からの位相変
動量データeにもとづき書き込みリセットパルスcに対
する読み出しリセットパルスhの位相差設定位置許容範
囲(以下、ウィンドウと呼称する)t2 を前記書き込み
リセットパルス生成回路2出力の前記書き込みリセット
パルスcの後縁を起点として設定しウィンドウ情報gと
して出力し後述の読み出しリセットパルス生成回路3へ
供給するとともに後述する読み出しリセットパルス生成
回路3から入力される読み出しリセットパルスhが位相
差設定位置許容範囲であるウィンドウ内にあるか否かを
判定して読み出しリセットパルスhの位置がウィンドウ
から外れた場合は位相スリップ情報fを出力して後述の
読み出しリセットパルス生成回路3へ供給する前述の位
相比較回路4と、位相比較回路4からの位相スリップ情
報fとウィンドウ情報gとを入力されかつ書き込みリセ
ットパルス生成回路2出力の書き込みリセットパルスc
と受信側装置内部基準クロックdとを入力されて読み出
しリセットパルスcの位置がウィンドウから外れて位相
比較回路4からウィンドウ情報gが入力されたときに読
み出しリセットパルスhの位置をウィンドウの中央つま
り基準位置に戻すように制御して出力しエラスティック
ストアメモリ1の入力端RRおよび位相比較回路4へ供
給する前述の読み出しリセットパルス生成回路3とから
構成される。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A transmission line side received data a inputted to an input terminal DI through a digital transmission network is inputted to an input terminal WC through the same digital transmission network as the transmission line side received data a with reference to a write reset pulse c inputted to an input terminal WR. The data is sequentially written in synchronization with the transmission line side reception clock b as an input write clock signal, and is used as a readout clock signal based on a readout reset pulse h output from a readout reset pulse generation circuit 3 to be described later. An elastic store memory 1 that sequentially reads out synchronously and outputs device-side received data i, and generates and outputs a write reset pulse c from a transmission line-side received clock b to output an input terminal WR of the elastic store memory 1 and a read reset described later. The pulse generation circuit 3 and The write reset pulse generation circuit 2 to be supplied to the phase comparison circuit 4 and the phase fluctuation of the transmission line side reception clock b are measured with reference to the reception side device internal reference clock d and, for example, binary data is output as the phase fluctuation amount data e. A phase variation measuring circuit 5 to be supplied to a phase comparing circuit 4 described later, and a permissible range of the phase difference setting position of the read reset pulse h with respect to the write reset pulse c based on the phase variation data e from the phase variation measuring circuit 5. (Hereinafter referred to as a window) t 2 is set with the trailing edge of the write reset pulse c output from the write reset pulse generation circuit 2 as a starting point, output as window information g, and supplied to a read reset pulse generation circuit 3 described later. And a read reset input from a read reset pulse generating circuit 3 described later. It is determined whether or not the read pulse h is within the window that is within the allowable range of the phase difference setting position, and when the position of the read reset pulse h is out of the window, the phase slip information f is output and a read reset pulse generation circuit to be described later. 3 and the phase slip information f and window information g from the phase comparator 4 and the write reset pulse c output from the write reset pulse generator 2
When the position of the read reset pulse c deviates from the window and the window information g is input from the phase comparison circuit 4, the position of the read reset pulse h is set to the center of the window, that is, the reference. It is composed of the read reset pulse generation circuit 3 which is controlled so as to return it to the position, outputs it, and supplies it to the input terminal RR of the elastic store memory 1 and the phase comparison circuit 4.

【0009】ここで、位相比較回路4におけるウィンド
ウの設定は位相変動量測定回路5出力の位相変動量デー
タeの大きさに応じて行われ、また、読み出しリセット
パルス生成回路3における読み出しリセットパルスhの
ウィンドウ中央への位置調整は、図2の場合のように位
相変動量が比較的小さい場合、図3の場合のように位相
変動量が中程度の場合、および図4の場合のように位相
変動量が比較的大きい場合のいずれにおいても、各各の
読み出しリセットパルスhをウィンドウα1 ,ウィンド
ウα2 およびウィンドウα3 各各の中央に位置するよう
に調整する。
Here, the setting of the window in the phase comparison circuit 4 is performed in accordance with the magnitude of the phase variation data e output from the phase variation measurement circuit 5, and the read reset pulse h in the read reset pulse generation circuit 3. The position adjustment to the center of the window is performed when the phase variation is relatively small as in FIG. 2, when the phase variation is medium as in FIG. 3, and when the phase variation is as in FIG. In any case where the amount of fluctuation is relatively large, each read reset pulse h is adjusted so as to be located at the center of each of the windows α 1 , α 2 and α 3 .

【0010】以上の構成によってエラスティックストア
メモリ1は書き込みリセットパルスcを基準としてディ
ジタル伝送網を通して入力される伝送路側受信データa
を同ディジタル伝送網を通して入力される伝送路側受信
クロックbに同期しつつ順次書き込むとともに、読み出
しリセットパルスhを基準として受信側装置内部基準ク
ロックdに同期しつつ順次読み出して装置側受信データ
iを出力する。
With the above configuration, the elastic store memory 1 stores the transmission line side received data a inputted through the digital transmission network on the basis of the write reset pulse c.
Is sequentially written in synchronization with the transmission line side reception clock b input through the same digital transmission network, and is sequentially read out in synchronization with the reception side device internal reference clock d based on the read reset pulse h to output the device side reception data i. I do.

【0011】次に、図5を参照して詳述すると、はエ
ラスティックストアメモリ1の入力端WCと書き込みリ
セットパルス生成回路2と位相変動量測定回路5とに入
力される伝送路側受信クロックbであり、この伝送路側
受信クロックbから書き込みリセットパルス生成回路2
において図5のに示される書き込みリセットパルスc
が生成出力され、エラスティックストアメモリ1の入力
端WRと位相比較回路4と読み出しリセットパルス生成
回路3とに供給される。また、伝送路側受信クロックb
は位相変動量測定回路5に供給されて受信側装置内部基
準クロックdに対する位相変動量が計測され、その結
果、位相変動量測定回路5から位相変動量データeとし
て例えば2進数のデータで位相比較回路4へ供給され
る。位相比較回路4は位相変動量測定回路5からの位相
変動データeの位相変動値に応じて書き込みリセットパ
ルスcに対する読み出しリセットパルスhの位相差設定
位置許容範囲、つまり図5のに示されるように、読み
出しリセットパルスhと同じ周期で繰り返される時間幅
2 のウィンドウを設定し、ウィンドウ情報gとして読
み出しリセットパルス生成回路3へ供給するとともに、
ウィンドウ情報gと読み出しリセットパルスhとを比較
して、読み出しリセットパルスhがその位相差設定位置
許容範囲である時間幅t2 のウィンドウを越えるとき
は、図5の−1あるいは図5の−2に示される位相
スリップ情報fを出力して読み出しリセットパルス生成
回路3へ供給する。ここで図5の−1に示される位相
スリップ情報fは図5の−2に示されるように読み出
しリセットパルスhがその位相差設定位置許容範囲の前
方でウィンドウから外れた場合を示し、また、図5の
−2に示される位相スリップ情報fは図5の−4に示
されるように読み出しリセットパルスhがその位相差設
定位置許容範囲の後方でウィンドウから外れた場合を示
している。
Next, a detailed description will be given with reference to FIG. 5. The transmission line side receiving clock b inputted to the input terminal WC of the elastic store memory 1, the write reset pulse generation circuit 2 and the phase fluctuation amount measurement circuit 5 From this transmission line side reception clock b, the write reset pulse generation circuit 2
At the write reset pulse c shown in FIG.
Is generated and supplied to the input terminal WR of the elastic store memory 1, the phase comparison circuit 4, and the read reset pulse generation circuit 3. Also, the transmission path side reception clock b
Is supplied to the phase fluctuation amount measuring circuit 5 to measure the phase fluctuation amount with respect to the internal reference clock d of the receiving side. As a result, the phase fluctuation amount measuring circuit 5 compares the phase fluctuation amount data e with, for example, binary data. It is supplied to the circuit 4. The phase comparison circuit 4 sets the permissible range of the phase difference setting position of the read reset pulse h with respect to the write reset pulse c according to the phase fluctuation value of the phase fluctuation data e from the phase fluctuation amount measuring circuit 5, that is, as shown in FIG. , A window having a time width t 2 that is repeated in the same cycle as the read reset pulse h is set and supplied to the read reset pulse generation circuit 3 as window information g.
By comparing the window information g and a read reset pulse h, when crossing a read reset pulse h the window of the phase difference setting position tolerance at a time width t 2 is -2 -1 or 5 in FIG. 5 And outputs it to the read reset pulse generation circuit 3. Here, the phase slip information f indicated by -1 in FIG. 5 indicates a case where the read reset pulse h deviates from the window in front of the phase difference setting position allowable range, as indicated by -2 in FIG. The phase slip information f indicated by -2 in FIG. 5 indicates a case where the read reset pulse h deviates from the window behind the phase difference setting position allowable range as indicated by -4 in FIG.

【0012】なお、図5のにおける書き込みリセット
パルスcの後縁と図5のにおけるウィンドウ情報gの
前縁との間の時間幅t1 は、エラスティックストアメモ
リ1のもともとの仕様により決定される固定値であり、
ほぼ書き込みリセットパルスcの数クロック周期分に相
当する値をもつ。
The time width t 1 between the trailing edge of the write reset pulse c in FIG. 5 and the leading edge of the window information g in FIG. 5 is determined by the original specifications of the elastic store memory 1. Is a fixed value,
It has a value substantially equivalent to several clock cycles of the write reset pulse c.

【0013】さらに、図6は読み出しリセットパルス生
成回路3の内部構成を示すブロック図であり、カウンタ
30とリセットパルス発生器31とから成る。ここで、
カウンタ30はクロック入力端CKに入力される受信側
装置内部基準クロックdを分周して通常時は一定周期の
例えば8KHzの読み出しリセットパルスhを出力して
自走する。また、リセットパルス発生器31は位相比較
回路4から位相スリップ情報fが入力されると、その後
に書き込みリセットパルス生成回路2から入力される最
初の1発目の書き込みリセットパルスcと位相比較回路
4から入力されるウィンドウ情報gとにより、カウンタ
30出力の読み出しリセットパルスhを基準位置である
ウィンドウの中央に戻すためにリセットパルスβを出力
してカウンタ30のリセット入力端Rへ供給する。
FIG. 6 is a block diagram showing the internal configuration of the read reset pulse generation circuit 3, which comprises a counter 30 and a reset pulse generator 31. here,
The counter 30 divides the frequency of the internal reference clock d of the receiving side input to the clock input terminal CK, and normally outputs a read reset pulse h of a constant period, for example, 8 KHz, and runs by itself. Further, when the phase slip information f is input from the phase comparison circuit 4, the reset pulse generator 31 receives the first first write reset pulse c input from the write reset pulse generation circuit 2 and the phase comparison circuit 4. With the window information g input from the counter 30, a reset pulse β is output to return the read reset pulse h output from the counter 30 to the center of the window which is the reference position, and is supplied to the reset input terminal R of the counter 30.

【0014】このようにして、例えば図5の−1の場
合のように、位相スリップ情報fがウィンドウ情報gの
前縁で発生した場合には、そのときの図5の−2に示
される読み出しリセットパルスhをリセットして図5の
−3に示されるように読み出しリセットパルスhをこ
のときのウィンドウ情報gの中央に位置する基準位置に
戻し、また、図5の−2の場合のように、位相スリッ
プ情報fがウィンドウ情報gの後縁で発生した場合に
は、そのときの図5の−4に示される読み出しリセッ
トパルスhをリセットして図5の−5に示されるよう
に読み出しリセットパルスhを次のウィンドウ情報gの
中央に位置する基準位置に戻す。
In this way, when the phase slip information f occurs at the leading edge of the window information g, as in the case of -1 in FIG. 5, for example, the reading indicated by -2 in FIG. 5 at that time. The reset pulse h is reset to return the read reset pulse h to the reference position located at the center of the window information g at this time as shown by -3 in FIG. 5, and as in the case of -2 in FIG. , If the phase slip information f occurs at the trailing edge of the window information g, the read reset pulse h shown at -4 in FIG. 5 at that time is reset to read reset as shown at -5 in FIG. The pulse h is returned to the reference position located at the center of the next window information g.

【0015】ここで、読み出しリセットパルスhをウィ
ンドウ情報gの中央に位置する基準位置に戻すのは、読
み出しリセットパルスhが基準位置からウィンドウの前
縁側あるいは後縁側のいずれの側にずれた場合でも、そ
のずれの余裕幅が両方共同じになるからである。
Here, the read reset pulse h is returned to the reference position located at the center of the window information g even if the read reset pulse h is shifted from the reference position to either the leading edge or the trailing edge of the window. This is because the margin of the deviation becomes the same for both.

【0016】このようにして、エラスティックストアメ
モリ1に入力される伝送路側受信データaおよび伝送路
側受信クロックbが伝送系ごとに異ったジッタ・ワンダ
を有する網を切替えられて入力される場合でも、その網
の伝送系ごとに持つジッタ・ワンダに対応して書き込み
リセットパルスcと読み出しリセットパルスhとの位相
差を適正制御、つまり読み出しリセットパルスhを常に
ウィンドウの中央に位置するように自動調整するので、
エラスティックストアメモリ1において1回のスリップ
をも発生することなく伝送路側受信データaを書き込み
および読み出して装置側受信データiを出力することが
できる。
In this manner, when the transmission path side reception data a and transmission path side reception clock b input to the elastic store memory 1 are input by switching networks having different jitter wanders for each transmission system. However, the phase difference between the write reset pulse c and the read reset pulse h is appropriately controlled in response to the jitter wander of each transmission system of the network, that is, the read reset pulse h is automatically controlled to always be located at the center of the window. To adjust,
The transmission line side received data a can be written and read out and the device side received data i can be output without generating a single slip in the elastic store memory 1.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、そ
のディジタル伝送網の伝送系ごとに持つジッタ・ワンダ
に対応して書き込みリセットパルスと読み出しリセット
パルスとの位相差を適正制御するので、1回のスリップ
をも発生させることなく伝送路側受信データを書き込み
および読み出して装置側受信データを出力することがで
きる。従って、伝送路側受信データに対する装置側受信
データの遅延量を最小限に抑えることができる。
As described above, according to the present invention, the phase difference between the write reset pulse and the read reset pulse is properly controlled in accordance with the jitter wander that is possessed by each transmission system of the digital transmission network. It is possible to write and read the transmission path side reception data and output the apparatus side reception data without causing a single slip. Therefore, it is possible to minimize the delay amount of the device-side received data with respect to the transmission-path-side received data.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例の位相変動吸収回路を示すブ
ロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a phase fluctuation absorbing circuit according to one embodiment of the present invention.

【図2】同実施例の位相変動吸収回路において位相変動
量が比較的小さい場合の動作を説明するための波形図で
ある。
FIG. 2 is a waveform chart for explaining an operation when the amount of phase fluctuation is relatively small in the phase fluctuation absorbing circuit of the embodiment.

【図3】同実施例の位相変動吸収回路において位相変動
量が中程度の場合の動作を説明するための波形図であ
る。
FIG. 3 is a waveform diagram for explaining an operation in the case where the amount of phase fluctuation is medium in the phase fluctuation absorbing circuit of the embodiment.

【図4】同実施例の位相変動吸収回路において位相変動
量が比較的大きい場合の動作を説明するための波形図で
ある。
FIG. 4 is a waveform chart for explaining an operation when the amount of phase fluctuation is relatively large in the phase fluctuation absorbing circuit of the embodiment.

【図5】同実施例の位相変動吸収回路の動作を説明する
ための波形図である。
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the phase fluctuation absorbing circuit of the same embodiment.

【図6】同実施例の位相変動吸収回路における読み出し
リセット生成回路の内部構成を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing an internal configuration of a read reset generation circuit in the phase fluctuation absorption circuit of the embodiment.

【図7】従来の位相変動吸収回路を示すブロック図であ
る。
FIG. 7 is a block diagram showing a conventional phase fluctuation absorbing circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 エラスティックストアメモリ 2 書き込みリセットパルス生成回路 3 読み出しリセットパルス生成回路 4 位相比較回路 5 位相変動量測定回路 a 伝送路側受信データ b 伝送路側受信クロック c 書き込みリセットパルス d 受信側装置内部基準クロック e 位相変動量データ f 位相スリップ情報 g ウィンドウ情報 h 読み出しリセットパルス i 装置側受信データ DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Elastic store memory 2 Write reset pulse generation circuit 3 Read reset pulse generation circuit 4 Phase comparison circuit 5 Phase fluctuation amount measurement circuit a Transmission line side received data b Transmission line side reception clock c Write reset pulse d Receiver side internal reference clock e Phase Fluctuation data f Phase slip information g Window information h Read reset pulse i Device-side received data

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 伝送路側から入力される伝送路側受信デ
ータを書き込みリセットパルスを基準として書き込みク
ロック信号としての前記伝送路側受信データと同じ前記
伝送路側から入力される伝送路側受信クロックに同期し
つつ順次書き込むとともに読み出しリセットパルスを基
準として読み出しクロック信号としての受信側装置内基
準クロック信号に同期しつつ順次読み出して装置側受信
データを出力するエラスティックストアメモリと、 前記伝送路側受信クロックから前記書き込みリセットパ
ルスを生成出力する書き込みリセットパルス生成手段
と、 前記受信側装置内基準クロック信号を基準として前記伝
送路側受信クロックの位相変動量を測定して位相変動量
情報を出力する位相変動量測定手段と、 前記位相変動量測定手段からの前記位相変動量情報にも
とづき前記書き込みリセットパルスを起点として所定時
間後に前記書き込みリセットパルスに対する前記読み出
しリセットパルスの位相差設定位置許容範囲を設定して
ウィンドウ情報として出力するとともに前記読み出しリ
セットパルスが前記位相差設定位置許容範囲から外れた
場合は位相スリップ情報を出力する位相比較手段と、 前記位相比較手段から前記位相スリップ情報が入力され
ないときは所定周期で自走する前記読み出しリセットパ
ルスを発生出力して前記エラスティックストアメモリへ
供給するとともに前記位相比較手段から前記位相スリッ
プ情報が入力されたときはそれまで自走して発生出力し
ていた前記読み出しリセットパルスをリセットして前記
読み出しリセットパルスを前記位相比較手段から入力さ
れる前記ウィンドウ情報の前記位相差設定位置許容範囲
内に入るように制御して前記エラスティックストアメモ
リへ供給する読み出しリセットパルス生成手段と、 を備えることを特徴とする位相変動吸収回路。
1. The transmission path side received data inputted from the transmission path side is written in sequence while synchronizing with the transmission path side received clock inputted from the same transmission path side reception data as a write clock signal with reference to a reset pulse. An elastic store memory for sequentially reading and outputting device-side received data in synchronization with a reference clock signal in the receiving side device as a read clock signal while writing and reading a reset pulse, and the write reset from the transmission side reception clock Write reset pulse generating means for generating and outputting a pulse, phase fluctuation amount measuring means for measuring phase fluctuation amount of the transmission path side reception clock with reference to the reference clock signal in the reception side device, and outputting phase fluctuation amount information, From the phase fluctuation amount measuring means Based on the phase variation information, a predetermined time after the write reset pulse is set as a starting point, a phase difference setting position allowable range of the read reset pulse with respect to the write reset pulse is set and output as window information, and the read reset pulse has the phase difference. A phase comparison unit that outputs phase slip information when the phase slip information is out of the set position allowable range; and a self-propelled read reset pulse that is generated and output in a predetermined cycle when the phase slip information is not input from the phase comparison unit. When the phase slip information is input from the phase comparing means and supplied to the elastic store memory, the read reset pulse which has been generated and output by itself is reset and the read reset pulse is compared with the phase comparison information. Input from the means Read-out reset pulse generation means for controlling the window information to be within the permissible range of the phase difference setting position and supplying the window information to the elastic store memory.
【請求項2】 前記読み出しリセットパルス生成手段
が、前記位相比較手段から前記ウィンドウ情報を入力し
たときの前記読み出しリセットパルスの位置調整を前記
位相差設定位置許容範囲の中央になるように制御するこ
とを特徴とする請求項1記載の位相変動吸収回路。
2. The read reset pulse generating means controls the position adjustment of the read reset pulse when the window information is input from the phase comparing means so that the read reset pulse is positioned at the center of the phase difference setting position allowable range. The phase fluctuation absorbing circuit according to claim 1, wherein:
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6693986B2 (en) 2000-02-28 2004-02-17 Fujitsu Limited Signal control apparatus, transmission system and signal resynchronization control method
US7039825B2 (en) 2001-06-08 2006-05-02 Nec Corporation Clock reproducing method and receiving clock producing apparatus allowing for absorption of transmission channel jitter

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