JPH0837200A - Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and manufacture of liquid crystal display - Google Patents

Method and apparatus for manufacturing semiconductor device and manufacture of liquid crystal display

Info

Publication number
JPH0837200A
JPH0837200A JP7002950A JP295095A JPH0837200A JP H0837200 A JPH0837200 A JP H0837200A JP 7002950 A JP7002950 A JP 7002950A JP 295095 A JP295095 A JP 295095A JP H0837200 A JPH0837200 A JP H0837200A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
gas
semiconductor device
discharge
manufacturing
lead
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7002950A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3557682B2 (en
Inventor
Takuya Miyagawa
拓也 宮川
Yoshiaki Mori
義明 森
Yasuo Yamazaki
康男 山崎
Tokumasa Namima
徳方 波間
Yohei Kurashima
羊平 倉島
Makoto Anami
誠 阿南
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP00295095A priority Critical patent/JP3557682B2/en
Priority to KR1019950000627A priority patent/KR950034703A/en
Publication of JPH0837200A publication Critical patent/JPH0837200A/en
Priority to US09/040,326 priority patent/US6006763A/en
Priority to KR1020040013413A priority patent/KR100489156B1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3557682B2 publication Critical patent/JP3557682B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8591—Cleaning, e.g. oxide removal step, desmearing
    • H01L2224/85913—Plasma cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01018—Argon [Ar]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance adhesive properties and to improve reliability by enhancing bondability of an electric component to leads and improving wettability with molding resin in the case of manufacturing a semiconductor device in which the component is connected to the leads and which is sealed with resin. CONSTITUTION:A voltage is applied to electrodes 3 at the atmospheric pressure or a pressure near it, and a gas discharge is generated in gas to be supplied from a gas supply unit 4. Either an electronic component 6 or leads 7 is exposed with gas active species generated by the discharge. Accordingly, an apparatus can be reduced in size and movable without necessity of a pressure reducing environment, a treating capacity is enhanced with low cost, damage of a material to be treated is reduced, and a local surface treatment can be conducted as required.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造にお
いて、被処理材の表面をエッチングまたはアッシングし
て無機物や有機物を除去したり、改質してぬれ性を改善
する表面処理技術に関し、例えば実装工程の前処理また
は後処理として、または電子部品を樹脂封止するため、
もしくは半導体表面の成膜等のために使用される。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface treatment technology for improving the wettability by etching or ashing the surface of a material to be treated to remove inorganic substances and organic substances, or by modifying it in the manufacture of semiconductor devices. For example, as a pre-treatment or post-treatment of the mounting process, or for resin-sealing electronic components,
Alternatively, it is used for forming a film on the semiconductor surface.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体装置の製造において様
々な表面処理技術が使用されている。例えば、電子部品
類を実装する際にはんだ付けに使用するフラックスのよ
うな有機物を除去する方法として、有機溶剤によるウェ
ット洗浄法や、オゾン・紫外線等を照射し、有機物に化
学反応を生じさせて除去するドライ洗浄法がある。しか
し、ウェット法では、有機物の洗浄後に洗浄剤を除去す
るリンス工程と基板を乾燥させる工程、及びこれらを実
行するために固定された設備が必要であり、多大な時間
及び労力を要すると共に製造コストが高くなるという問
題があった。更に、ウェット法による洗浄では、洗浄剤
が電子部品に影響を与える虞がある。また、ドライ法で
は、特に分子量の大きい有機物の除去能力が低いため
に、十分な洗浄効果は期待できない。2. Description of the Related Art Conventionally, various surface treatment techniques have been used in the manufacture of semiconductor devices. For example, as a method of removing organic substances such as flux used for soldering when mounting electronic components, a wet cleaning method using an organic solvent, irradiation with ozone, ultraviolet rays, etc. is performed to cause a chemical reaction in the organic substances. There is a dry cleaning method to remove. However, the wet method requires a rinsing step of removing the cleaning agent after the cleaning of the organic substance, a step of drying the substrate, and fixed equipment for executing these steps, which requires a large amount of time and labor and is low in manufacturing cost. There was a problem that would be high. Further, in the cleaning by the wet method, the cleaning agent may affect the electronic parts. Further, in the dry method, a sufficient cleaning effect cannot be expected because the ability to remove organic substances having a particularly large molecular weight is low.

【０００３】このため、最近では、真空中でプラズマを
発生させ、これを用いて有機物及び無機物を除去する方
法が開発されている。例えば、特開昭５８−１４７１４
３号公報には、ＩＣチップをプラスチックパッケージす
る際に、減圧下でマイクロ波放電により活性化させた酸
素ガスによりリードフレームの表面を処理することによ
って、リードフレームと樹脂との密着性を改善し、信頼
性を向上させる方法が開示されている。また、特開平４
−１１６８３７号公報に記載される電子部品の表面実装
方法では、プラズマエッチング装置に１〜１０Torrの水
素ガスを導入して放電することによって、酸化物を除去
している。更に、特開平５−１６０１７０号公報には、
減圧した処理室内で電極に高周波電圧を印加し、アルゴ
ン酸素プラズマまたは水素還元プラズマを発生させるこ
とによってリードフレームをエッチングする方法が開示
されている。For this reason, recently, a method has been developed in which plasma is generated in a vacuum and organic and inorganic substances are removed using the plasma. For example, JP-A-58-14714
Japanese Patent Laid-Open No. 3 (1993) discloses that when the IC chip is packaged in a plastic, the surface of the lead frame is treated with oxygen gas activated by microwave discharge under reduced pressure to improve the adhesion between the lead frame and the resin. , A method of improving reliability is disclosed. In addition, JP-A-4
In the surface mounting method of an electronic component described in Japanese Patent No. 116837, the oxide is removed by introducing a hydrogen gas of 1 to 10 Torr into a plasma etching apparatus and discharging the hydrogen gas. Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 5-160170,
A method of etching a lead frame by applying a high frequency voltage to an electrode in a depressurized processing chamber to generate argon oxygen plasma or hydrogen reduction plasma is disclosed.

【０００４】また、希ガスと僅かな反応ガスとを大気圧
下で用いてプラズマを発生させることによって、プラズ
マＣＶＤ、アッシング、エッチング、表面処理が可能で
あることが知られている。これらは、多くの場合、高周
波電極と被処理材との間で放電を発生させる。これに対
し、電源電極と接地電極間で放電させるようにしたもの
として、特開平３−１３３１２５号公報には、ふっ化物
を含むガスを大気圧放電させ、基板に吹き付けたりオゾ
ン雰囲気下で暴露することによりアッシングする方法が
開示され、また特開平４−１４５１３９号公報には、フ
ッ素系部材の表面をヘリウムガス雰囲気下において大気
圧でプラズマ放電処理することによって、表面を親水化
させ、接着に適する表面に改質する方法が開示されてい
る。It is also known that plasma CVD, ashing, etching, and surface treatment are possible by generating plasma by using a rare gas and a slight reaction gas under atmospheric pressure. In many cases, these generate an electric discharge between a high frequency electrode and a processed material. On the other hand, as a device for discharging between the power supply electrode and the ground electrode, in JP-A-3-133125, a gas containing fluoride is discharged at atmospheric pressure, and is sprayed on a substrate or exposed in an ozone atmosphere. The method of ashing is disclosed in JP-A-4-145139, and the surface of the fluorine-based member is subjected to plasma discharge treatment at atmospheric pressure in a helium gas atmosphere to make the surface hydrophilic and suitable for adhesion. A method of modifying the surface is disclosed.

【０００５】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプラズマ放電を用いた表面処理技術において、
特開昭５８−１４７１４３号や特開平４−１１６８３７
号等のように減圧された環境下で放電させる場合には、
真空チャンバや真空ポンプ等の特別な設備が必要であ
り、そのために装置全体が大型化・複雑化し、しかも高
価でコストが上昇すると共に、現場での作業や局所的な
処理は困難であるという不都合があった。また、放電の
際にチャンバ内を所定の圧力まで減圧しかつ維持する必
要があり、１時間に２回程度しか処理できない等処理自
体にも長時間を要するので、作業が面倒な割りに処理能
力が低く、バッチ処理は可能だが枚葉処理が困難なため
にインライン化できない、という問題があった。更に、
真空中または減圧下のプラズマ放電では、励起種に比し
て電子とイオンが多いために、特に半導体装置の表面処
理に用いた場合には、電子部品に対するダメージが大き
くなる。However, in the above-mentioned conventional surface treatment technique using plasma discharge,
JP-A-58-147143 and JP-A-4-116837
When discharging under a depressurized environment such as
Special equipment such as vacuum chambers and vacuum pumps is required, which makes the entire device large and complicated, and it is expensive and costly, and it is difficult to perform on-site work and local treatment. was there. In addition, it is necessary to reduce and maintain the inside of the chamber to a predetermined pressure during discharge, and it takes a long time to perform the process, such as being able to perform the process only about twice per hour. However, there is a problem that batch processing is possible, but single-wafer processing is difficult, and thus it cannot be inlined. Furthermore,
In plasma discharge in vacuum or under reduced pressure, the number of electrons and ions is larger than that of excited species, so that the damage to electronic components becomes large especially when used for surface treatment of a semiconductor device.

【０００６】これに対し、大気圧下でプラズマ放電させ
る方法は、真空設備を必要としない点で有利であるが、
電極と被処理材との間で放電を発生させるものは、放電
状態が不均一になり易く、被処理材にダメージを生じさ
せる虞があり、そのために電極と被処理材間の距離や被
処理材の材質等が制限されることになる。特に、被処理
材の形状が複雑であったり凹凸が大きい場合には、それ
に対応して電極の形状が複雑になったり、放電が局在的
に生じたり、凹んだ部分は十分に処理できない等の問題
があった。On the other hand, the method of plasma discharge under atmospheric pressure is advantageous in that no vacuum equipment is required,
A device that causes an electric discharge between the electrode and the material to be processed is likely to have a non-uniform discharge state and may damage the material to be processed. Therefore, the distance between the electrode and the material to be processed and the material to be processed are The material of the material is limited. In particular, when the shape of the material to be treated is complicated or the unevenness is large, the shape of the electrode correspondingly becomes complicated, the discharge locally occurs, the recessed portion cannot be sufficiently treated, etc. There was a problem.

【０００７】電極間で放電させる場合でも、特開平３−
１３３１２５号の方法は、パターニング後の基板からレ
ジストを除去するためのものであり、被処理材を励起ガ
スに曝すために石英セル内に配置するので、処理作業が
面倒でインライン化や現場での処理は困難である。ま
た、局所的なアッシングやエッチングには適しておら
ず、特に電子部品を樹脂封止する場合や半導体装置から
不良チップを取り外して良品を再実装するような場合
に、実際上表面処理することができない。また、特開平
４−１４５１３９号の大気圧プラズマ放電では、電極を
対向させた処理室内に被処理材を収容し、高価なヘリウ
ムガスを常時供給して処理するため、多大なコストがか
かり、装置が大型化する。このため、インライン化が困
難であると共に、局所的な放電処理や現場での作業には
適していない。また、電極が放電を発生させる処理室内
に配置されているので、放電による損傷を受け易く、耐
久性に問題が生じ易い。Even in the case of discharging between electrodes, the method disclosed in
The method of No. 133125 is for removing the resist from the substrate after patterning, and since the material to be processed is arranged in the quartz cell to be exposed to the excitation gas, the processing work is troublesome, and in-line or on-site processing is required. Processing is difficult. In addition, it is not suitable for local ashing or etching, and in particular, it may be surface-treated when resin-encapsulating electronic components or when a defective chip is removed from a semiconductor device and a non-defective product is re-mounted. Can not. Further, in the atmospheric pressure plasma discharge disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 4-145139, the material to be processed is housed in the processing chamber with the electrodes facing each other, and expensive helium gas is constantly supplied for processing. Becomes larger. For this reason, it is difficult to use in-line, and it is not suitable for local electric discharge treatment or on-site work. In addition, since the electrodes are arranged in the processing chamber where the discharge is generated, the electrodes are easily damaged by the discharge and the durability is likely to be a problem.

【０００８】特に、テープキャリアにＩＣチップを接続
するＩＬＢ（インナリードボンディング）において、従
来のウェット洗浄法では、インナリード表面やチップ接
合面に付着した汚れを除去することが比較的面倒なた
め、これらを接合する前に清浄化する工程は一般に行わ
れていない。また、テープキャリアには、ポリイミド樹
脂の被膜が残存している場合がある。このため、インナ
リードとＩＣチップとが良好に接合できず、また後工程
で樹脂封止する際にモールド樹脂との密着性が悪く、歩
留りを低下させる原因の一つとなっていた。Particularly, in ILB (Inner Lead Bonding) for connecting an IC chip to a tape carrier, it is relatively troublesome to remove the dirt adhering to the inner lead surface and the chip bonding surface by the conventional wet cleaning method. The process of cleaning these before joining them is not generally performed. In addition, a polyimide resin coating may remain on the tape carrier. For this reason, the inner lead and the IC chip cannot be joined well, and the adhesion with the mold resin is poor at the time of resin sealing in a later step, which is one of the causes for lowering the yield.

【０００９】そこで、本発明の半導体装置の製造方法
は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであ
り、その目的とするところは、電子部品とリードとを接
続しかつこれらを樹脂で封入することによりパッケージ
化された半導体装置の製造において、真空や減圧のため
の設備を必要とせず、大気圧またはその近傍の圧力下で
アッシング、エッチング、ドライ洗浄やぬれ性改善の表
面処理をすることができ、被処理材を処理でき、装置を
簡単に構成しかつ小型化することができると共に、イン
ライン化及び枚葉処理が可能な低コストで処理能力が高
い表面処理を行うことができ、それによって、電子部品
とリードとの接合性を高め、また、これらとモールド樹
脂とのぬれ性を向上させて密着性を高めて、歩留りを向
上させ、かつ信頼性の高いパッケージ型半導体装置を製
造し得る方法を提供することにある。更に、本発明の目
的は、上述した方法を実現するための半導体装置の製造
装置を提供することにある。Therefore, the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to connect an electronic component and a lead and to connect them with resin. In the manufacturing of packaged semiconductor devices by encapsulation, ashing, etching, dry cleaning and surface treatment for improving wettability are performed under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity without requiring equipment for vacuuming or depressurizing. It is possible to process the material to be processed, the apparatus can be easily configured and downsized, and at the same time, it is possible to perform a surface treatment with a high processing capability at a low cost that enables in-line processing and single wafer processing, As a result, the bondability between the electronic components and the leads is improved, and the wettability between these and the mold resin is improved to improve the adhesiveness to improve the yield and improve the reliability. It is to provide a method capable of manufacturing a packaged semiconductor device are. Further, it is an object of the present invention to provide a semiconductor device manufacturing apparatus for realizing the above-mentioned method.

【００１０】また、本発明の別の目的は、電子部品やリ
ードの形状、寸法や材質に拘らずそれらに熱的または電
気的ダメージを与えることなく安全に表面処理すること
ができる半導体装置の製造方法及び装置を提供すること
にある。Another object of the present invention is to manufacture a semiconductor device capable of safely surface-treating electronic parts and leads irrespective of their shapes, sizes and materials without causing thermal or electrical damage to them. A method and apparatus are provided.

【００１１】また、半導体装置の製造において、複数の
電子部品を実装した後に不良品の電子部品を取り外して
良品の電子部品を実装し直す場合に、従来は部分的な表
面処理が難しいため、搭載されている全電子部品を取り
外して再実装しており、多大な手間及びコストを要して
いた。そこで、本発明の半導体装置の製造方法は、再接
合する部分のみを表面処理して、他の部分に搭載されて
いる電子部品等に影響を与えることなく、局所的に残存
する接着剤・ろう材等の汚れを確実にかつ簡単に除去
し、同時にぬれ性を向上させて良品の電子部品を良好に
接続でき、しかも処理速度が早くかつ現場での処理に適
しており、手間及びコストを大幅に削減することができ
る方法を提供することを目的とする。Further, in the manufacture of a semiconductor device, when a plurality of electronic components are mounted and then a defective electronic component is removed and a non-defective electronic component is remounted, it is difficult to partially mount the surface, so that the mounting is not performed. All the electronic components used are removed and remounted, which requires a great deal of labor and cost. Therefore, in the method for manufacturing a semiconductor device of the present invention, the surface treatment is applied only to the portion to be rejoined, and the adhesive / wax that remains locally without affecting the electronic parts mounted on other portions. It reliably and easily removes stains on materials, etc., and at the same time improves wettability and allows good electronic components to be connected satisfactorily, and the processing speed is fast and suitable for on-site processing, greatly reducing labor and cost. The aim is to provide a method that can be reduced to.

【００１２】更に、液晶ディスプレイの製造において
は、最大の課題である表示欠陥を引き起こすゴミを排除
するために、その製造工程中に何度か洗浄処理が行われ
る。洗浄方法には、洗剤によるウェット洗浄や、ＵＶ−
オゾン洗浄等のドライ洗浄が行われている。また、有機
溶剤を用いた場合の環境保護の観点から、上述した真空
中における酸素プラズマ放電によるドライ洗浄も採用さ
れている。しかしながら、上述したように、真空環境で
の処理は、装置の構造上及びコスト上の問題から枚葉処
理が困難であり、大型パネルの場合を除いて通常数百枚
単位のバッチ処理が行われ、しかも常にパネル全面が処
理される。また、一度の処理枚数が、ポットライフの問
題を含めて後工程を考慮して決定されるので、生産管理
が難しく、単に処理枚数を多くすることによりコストを
減少させることは困難である。そこで、本発明の更に別
の目的は、洗浄処理が比較的簡単かつ低コストで装置を
小型化することができ、処理速度が早く、枚葉処理が可
能であり、それにより後工程とのインライン化を実現で
きると共に、生産管理に柔軟性を与えることができ、し
かも現場で処理することができる方法を提供することに
ある。Further, in the manufacture of a liquid crystal display, in order to eliminate dust that causes a display defect, which is the biggest problem, a cleaning process is performed several times during the manufacturing process. Wet cleaning with detergent and UV-
Dry cleaning such as ozone cleaning is performed. Further, from the viewpoint of environmental protection when using an organic solvent, dry cleaning by oxygen plasma discharge in vacuum is also adopted. However, as described above, processing in a vacuum environment is difficult to perform single-wafer processing because of structural and cost problems of the apparatus, and batch processing of several hundreds is usually performed except for large panels. Moreover, the entire panel is always processed. Moreover, since the number of sheets processed at one time is determined in consideration of the post-process including the problem of the pot life, it is difficult to control production, and it is difficult to reduce the cost by simply increasing the number of sheets processed. Therefore, still another object of the present invention is to perform the cleaning process relatively easily and at a low cost, to downsize the apparatus, to have a high processing speed, and to enable the single-wafer processing. It is an object of the present invention to provide a method capable of realizing high efficiency, giving flexibility to production management, and capable of performing on-site processing.

【００１３】また、液晶セルに偏光板を貼り付ける際に
は、液晶セル表面から基板のパターニング時に飛散した
フラックスやスクライブの残滓、指紋による汚れ等を除
去する前処理が必要である。これらの処理は、従来、塩
素系溶剤を用いて洗浄していたが、洗浄後の溶剤が環境
に与える影響が大きく、そのためカッタやクリーニング
テープにより手作業で機械的に汚れを擦り落とす方法が
一般的であるが、液晶パネルに物理的ダメージを与える
虞がある。また、予め液晶パネルを保護フィルムで被覆
しておき、これを剥して偏光板を貼り付ける方法もある
が、コストが高くなる。そこで、本発明の別の目的は、
液晶パネルに偏光板を貼着するための前処理において、
比較的簡単かつ低コストで処理能力が高く、液晶パネル
に物理的ダメージを与える虞がない方法を提供すること
にある。When the polarizing plate is attached to the liquid crystal cell, it is necessary to carry out a pretreatment to remove the flux scattered from the surface of the liquid crystal cell during the patterning of the substrate, the residue of the scribes, the stains due to fingerprints and the like. Conventionally, these treatments were performed using a chlorine-based solvent, but the solvent after cleaning has a large effect on the environment, and therefore a method of mechanically scraping off the dirt manually with a cutter or a cleaning tape is generally used. However, the liquid crystal panel may be physically damaged. There is also a method in which the liquid crystal panel is covered with a protective film in advance, and the protective film is peeled off and a polarizing plate is attached, but this increases the cost. Therefore, another object of the present invention is to
In the pretreatment to attach the polarizing plate to the liquid crystal panel,
It is an object of the present invention to provide a method that is relatively simple and low-cost, has high processing capability, and does not cause physical damage to a liquid crystal panel.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述した目的
を達成するためのものであり、以下にその内容を図面に
示した実施例を用いて説明する。The present invention is to achieve the above-mentioned object, and the contents thereof will be described below with reference to the embodiments shown in the drawings.

【００１５】請求項１記載の半導体装置の製造方法は、
電子部品とリードとを接合し、樹脂で封入してパッケー
ジ型の半導体装置を製造する場合に、大気圧またはその
近傍の圧力下でガス中に気体放電を生じさせ、この気体
放電により生成されるガス活性種に、電子部品またはリ
ードの少なくともいずれか一方を曝露させる表面処理工
程を含むことを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1 is
When a package type semiconductor device is manufactured by joining an electronic component and a lead and encapsulating with a resin, a gas discharge is generated in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, and the gas discharge is generated. It is characterized by including a surface treatment step of exposing at least one of the electronic component and the lead to the gas activated species.

【００１６】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
上述した請求項１の特徴点に加え、電子部品及びリード
を接合した後樹脂封止する前に、表面処理工程を行うこ
とを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 2 is
In addition to the features of claim 1 described above, a surface treatment step is performed after the electronic component and the lead are joined and before the resin sealing.

【００１７】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
同じく上述した請求項１の特徴点に加え、電子部品及び
リードを接合する前に、表面処理工程を行うことを特徴
とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 3 is
In addition to the characteristic features of claim 1 described above, a surface treatment step is performed before joining the electronic component and the lead.

【００１８】また、請求項４記載の半導体装置の製造方
法は、高周波電圧を用いることによって気体放電を生じ
させることを特徴とする。The method of manufacturing a semiconductor device according to a fourth aspect is characterized in that a gas discharge is generated by using a high frequency voltage.

【００１９】請求項５記載の半導体装置の製造方法は、
表面処理を行う少なくとも一方の電子部品またはリード
を、ガスの放電領域に直接曝露させることを特徴とする
のに対し、請求項６記載の方法は、ガス活性種を含むガ
ス流を、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品また
はリードに当てるようにしたことを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 5 is
The method according to claim 6, wherein at least one of the electronic components or leads to be surface-treated is directly exposed to the discharge region of the gas, while the method according to claim 6 is used for surface-treating a gas stream containing a gas active species. It is characterized in that it is adapted to be applied to at least one electronic component or lead to be carried out.

【００２０】これに加え、請求項７記載の半導体装置の
製造方法は、金属メッシュを通してガス流を、表面処理
を行う少なくとも一方の電子部品またはリードに当てる
ことを特徴とする。In addition to the above, the method of manufacturing a semiconductor device according to a seventh aspect is characterized in that a gas flow is applied to at least one electronic component or lead to be surface-treated through a metal mesh.

【００２１】請求項８記載の半導体装置の製造方法は、
ガスがヘリウム、窒素、または圧縮空気のいずれかであ
ることを特徴とする。他方、請求項９記載の製造方法
は、ガスがヘリウムまたは窒素と、酸素とを含むことを
特徴とし、請求項１０記載の製造方法は、ガスがヘリウ
ムまたは圧縮空気と、フッ素化合物とを含むことを特徴
とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 8 is
It is characterized in that the gas is either helium, nitrogen or compressed air. On the other hand, the manufacturing method according to claim 9 is characterized in that the gas contains helium or nitrogen and oxygen, and in the manufacturing method according to claim 10, the gas contains helium or compressed air and a fluorine compound. Is characterized by.

【００２２】請求項１１記載の半導体装置の製造方法
は、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品またはリ
ード付近に、活性種を生成させるガスを強制的に導入す
ることを特徴とし、これに加え、請求項１２記載の方法
は、導入されるガスが、少なくとも気体放電の開始時に
希ガスを含むことを特徴とする。A method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11 is characterized in that a gas for generating an active species is forcibly introduced into the vicinity of at least one electronic component or lead to be surface-treated, and in addition to this, The method according to claim 12 is characterized in that the gas introduced comprises a noble gas at least at the start of the gas discharge.

【００２３】また、請求項１３記載の半導体装置の製造
方法は、表面処理を行う少なくとも一方の電子部品また
はリードを、水分の存在下で活性種に曝露させることを
特徴とする。A semiconductor device manufacturing method according to a thirteenth aspect of the present invention is characterized in that at least one of electronic components or leads to be surface-treated is exposed to active species in the presence of water.

【００２４】請求項１４記載の半導体装置の製造方法
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを移動させ
ながら表面処理を行うことを特徴とする。A semiconductor device manufacturing method according to a fourteenth aspect is characterized in that the surface treatment is performed while moving at least one electronic component or lead.

【００２５】本発明の別の側面によれば、請求項１５記
載の半導体装置の製造装置は、接合された電子部品とリ
ードとを樹脂で封入してパッケージ型の半導体装置を製
造するために、電子部品またはリードの少なくともいず
れか一方を表面処理するための表面処理部と、接合され
た電子部品及びリードを樹脂で封入するための樹脂封止
部とからなり、表面処理部が、大気圧またはその近傍の
圧力下でガス中に気体放電を発生させる手段と、放電発
生手段の近傍にガスを供給する手段と、放電により生成
されるガス活性種に少なくとも一方の電子部品またはリ
ードを曝露させる手段とからなることを特徴とする。According to another aspect of the present invention, in a semiconductor device manufacturing apparatus according to a fifteenth aspect, a packaged semiconductor device is manufactured by encapsulating the joined electronic components and leads with a resin. The surface treatment part for surface-treating at least one of the electronic component and the lead, and the resin sealing part for encapsulating the joined electronic component and lead with resin, the surface treatment part is at atmospheric pressure or Means for generating a gas discharge in the gas under a pressure in the vicinity thereof, means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, and means for exposing at least one electronic component or lead to the gas active species generated by the discharge It consists of and.

【００２６】請求項１６記載の半導体装置の製造装置
は、上述した請求項１５の特徴点に加え、表面処理部
が、接合された電子部品及びリードを、樹脂封止部にお
いて樹脂封止される前に表面処理を行うようになってい
ることを特徴とする。According to a sixteenth aspect of the semiconductor device manufacturing apparatus, in addition to the characteristic features of the fifteenth aspect, the surface treatment section seals the joined electronic component and lead with a resin sealing section. It is characterized in that surface treatment is performed before.

【００２７】これに対し、請求項１７記載の半導体装置
の製造装置は、同じく上述した請求項１５の特徴点に加
え、表面処理部が、電子部品及びリードが接合される前
に、表面処理を行うようになっていることを特徴とす
る。On the other hand, in the semiconductor device manufacturing apparatus according to the seventeenth aspect, in addition to the characteristic features of the fifteenth aspect described above, the surface treatment section performs the surface treatment before the electronic components and the leads are joined. It is characterized by being adapted to do.

【００２８】請求項１８記載の半導体装置の製造装置
は、放電発生手段が、電源に接続された電極からなり、
少なくとも一方の前記電子部品またはリードとの間で気
体放電を発生させることを特徴とする。In the semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 18, the discharge generating means comprises an electrode connected to a power source,
A gas discharge is generated between at least one of the electronic components and the leads.

【００２９】請求項１９記載の半導体装置の製造装置
は、放電発生手段が、電源に接続された電極と接地され
た電極とからなり、かつ曝露手段が、これら両電極間に
発生する気体放電により生成される活性種を、それを含
むガス流として少なくとも一方の電子部品またはリード
に当てる手段を備えることを特徴とする。更に、請求項
２０記載の製造装置は、曝露手段が、ガス流を少なくと
も一方の電子部品またはリード付近に案内する管路を有
することを特徴とする。According to a nineteenth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus in which the discharge generating means includes an electrode connected to a power source and an electrode grounded, and the exposing means uses a gas discharge generated between these electrodes. It is characterized by comprising means for applying the generated active species to at least one electronic component or lead as a gas stream containing the same. Furthermore, the manufacturing apparatus according to claim 20 is characterized in that the exposing means has a conduit for guiding the gas flow to the vicinity of at least one electronic component or lead.

【００３０】また、請求項２１記載の半導体装置の製造
装置は、曝露手段が、ガス流を通過させる金属メッシュ
を有することを特徴とする。これに加え、請求項２２記
載の製造装置は、金属メッシュが接地され、かつ電極と
金属メッシュとの間で気体放電を発生させることを特徴
とする。The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 21 is characterized in that the exposing means has a metal mesh that allows a gas flow to pass therethrough. In addition to this, the manufacturing apparatus according to claim 22 is characterized in that the metal mesh is grounded and a gas discharge is generated between the electrode and the metal mesh.

【００３１】請求項２３記載の半導体装置の製造装置
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを選択的に
活性種に曝露させるためのマスク手段を更に有すること
を特徴とする。An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a twenty-third aspect is characterized by further comprising mask means for selectively exposing at least one electronic component or lead to active species.

【００３２】請求項２４記載の半導体装置の製造装置
は、活性種を生成させるガスを、表面処理を行う少なく
とも一方の電子部品またはリード付近に導入するための
手段を更に有することを特徴とする。An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a twenty-fourth aspect is characterized by further comprising means for introducing a gas for generating an active species into the vicinity of at least one electronic component or a lead for which surface treatment is performed.

【００３３】請求項２５記載の半導体装置の製造装置
は、活性種を生成させるガスに水分を含ませるための手
段を更に有することを特徴とし、これに対し、請求項２
６記載の製造装置は、活性種に曝露させる少なくとも一
方の電子部品またはリードの表面に水分を供給する手段
を更に有することを特徴とする。According to a twenty-fifth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus further comprising means for allowing a gas for generating active species to contain water.
The manufacturing apparatus described in 6 further includes a means for supplying water to the surface of at least one electronic component or lead exposed to the active species.

【００３４】請求項２７記載の半導体装置の製造装置
は、少なくとも一方の電子部品またはリードを移動させ
る手段を更に有することを特徴とする。An apparatus for manufacturing a semiconductor device according to a twenty-seventh aspect is characterized by further comprising means for moving at least one electronic component or lead.

【００３５】請求項２８記載の半導体装置の製造方法
は、複数の電子部品を搭載した半導体装置の製造におい
て、不良品の電子部品を取り外して良品の電子部品に交
換して再実装する方法であり、不良品を取り外した後、
大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
じさせ、この放電により生成されるガス活性種に、良品
の電子部品、または不良品を取り外した半導体装置の接
続部の少なくともいずれか一方を曝露させる表面処理工
程を行い、その後に良品の電子部品を接続することを特
徴とする。A semiconductor device manufacturing method according to a twenty-eighth aspect is a method of removing a defective electronic component, replacing it with a non-defective electronic component, and re-mounting it in the production of a semiconductor device having a plurality of electronic components mounted thereon. , After removing the defective item,
A gas discharge is generated in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, and at least one of a good electronic component or a connection part of a semiconductor device from which a defective product is removed is added to the gas active species generated by this discharge. The surface treatment step of exposing the substrate is performed, and then a non-defective electronic component is connected.

【００３６】請求項２９記載の液晶ディスプレイの製造
方法は、液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆動用及び
電源用の回路を接続してモジュールを組み立てる製造工
程において、大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に
気体放電を生じさせ、この放電により生成されるガス活
性種に、基板を曝露させる表面処理工程が含まれること
を特徴とする。According to a twenty-ninth aspect of the present invention, in a method of manufacturing a liquid crystal display, a polarizing plate is attached to a liquid crystal cell, and then a circuit for driving and a power source is connected to assemble a module, so that the module is at or near atmospheric pressure. It is characterized by including a surface treatment step of causing a gas discharge in a gas under pressure and exposing the substrate to the gas activated species generated by this discharge.

【００３７】他方、請求項３０記載の液晶ディスプレイ
の製造方法は、同様に、液晶セルに偏光板を貼り付けた
後、駆動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組
み立てる製造工程において、液晶セルに偏光板を貼着す
る前に、大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体
放電を生じさせ、この放電により生成されるガス活性種
に、液晶セルを曝露させる表面処理工程を行うことを特
徴とする。On the other hand, in the manufacturing method of the liquid crystal display according to claim 30, in the same manner, after the polarizing plate is attached to the liquid crystal cell, the driving and power circuits are connected to assemble the module into the liquid crystal. Before attaching the polarizing plate to the cell, a surface treatment step is performed in which a gas discharge is generated in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, and the liquid crystal cell is exposed to the gas active species generated by this discharge. It is characterized by

【００３８】請求項３１に記載の半導体装置の製造方法
は、大気圧またはその近傍の圧力下でヘリウム及びフッ
化炭素化合物からなる混合ガス中に気体放電を生じさ
せ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に、前
記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方を曝
露させることにより、前記電子部品またはリードの少な
くともいずれか一方の表面に形成された半田の酸化膜
を、フッ化スズ化合物膜へ変化させることを特徴とする
表面処理工程を有することを特徴とする。In the method of manufacturing a semiconductor device according to a thirty-first aspect, a gas discharge is generated in a mixed gas composed of helium and a fluorocarbon compound under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, and the discharge is generated. By exposing at least one of the electronic component and the lead to the active species of gas, the oxide film of the solder formed on the surface of at least one of the electronic component and the lead is converted into a tin fluoride compound film. It is characterized by having a surface treatment step characterized by changing.

【００３９】請求項３２に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極の、前記被処理部材と対向している面に形成
された絶縁体を有することを特徴とする。According to a thirty-second aspect of the present invention, in the semiconductor device manufacturing apparatus, the surface treatment portions for surface-treating the treated member of at least one of the electronic component and the lead face each other with the treated member interposed therebetween. Two electrodes consisting of the first electrode and the second electrode, and high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof by applying high-frequency power to the two electrodes. And a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, which is formed on a surface of the first electrode for causing a discharge between the processing target member and the processing target member. It is characterized by having an insulating material.

【００４０】請求項３３に記載の半導体装置の製造装置
は、前記絶縁体が、放電が発生する部分よりも横方向に
広いウイング形状をしていることを特徴とする。A semiconductor device manufacturing apparatus according to a thirty-third aspect is characterized in that the insulator has a wing shape which is wider in a lateral direction than a portion where a discharge is generated.

【００４１】請求項３４に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記
ガスを供給する手段が設けられていることを特徴とす
る。According to a thirty-fourth aspect of the present invention, in the apparatus for manufacturing a semiconductor device, the surface treatment units for subjecting at least one of the electronic component and the lead to the surface treatment are opposed to each other through the treatment target member. Two electrodes consisting of the first electrode and the second electrode, and high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof by applying high-frequency power to the two electrodes. And a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, wherein the gas having a curved gas supply path in the middle of the first electrode for causing a discharge between the member to be processed It is characterized in that means for supplying is provided.

【００４２】請求項３５に記載の半導体装置の製造装置
は、前記ガス供給路が、前記ガス供給路へガスを供給す
るガス導入口と、前記被処理部材へガスを放出するガス
放出口からなり、前記ガス導入口は複数のスポット状で
あり、かつ前記ガス放出口はスリット状であることを特
徴とする。In the semiconductor device manufacturing apparatus according to a thirty-fifth aspect, the gas supply path includes a gas inlet for supplying gas to the gas supply path and a gas outlet for discharging gas to the member to be processed. The gas inlet is in the shape of a plurality of spots, and the gas outlet is in the shape of a slit.

【００４３】請求項３６に記載の半導体装置の製造装置
は、前記ガス放出口に、絶縁体からなる多孔質の多孔質
材が形成されていることを特徴とする。A semiconductor device manufacturing apparatus according to a thirty-sixth aspect is characterized in that a porous material made of an insulating material is formed at the gas outlet.

【００４４】請求項３７に記載の半導体装置の製造装置
は、前記多孔質材が、アルミナまたはセラミックスから
なることを特徴する。The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 37 is characterized in that the porous material is made of alumina or ceramics.

【００４５】請求項３８に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極と対向している前記被処理部材が載置される
前記第二の電極中に形成された凹部を有することを特徴
とする。In the semiconductor device manufacturing apparatus according to a thirty-eighth aspect of the present invention, the surface treatment section for surface-treating the treated member of at least one of the electronic component and the lead faces each other through the treated member. Two electrodes consisting of the first electrode and the second electrode, and high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof by applying high-frequency power to the two electrodes. A member for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, and the member to be processed facing the first electrode for causing an electric discharge between the member to be processed is placed. It is characterized in that it has a recess formed in the second electrode.

【００４６】請求項３９に記載の半導体装置の製造装置
は、前記凹部が前記被処理部材の下に形成されており、
前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであることを特徴
とする。According to a 39th aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus in which the recess is formed below the member to be processed.
The depth of the recess is 3 mm to 5 mm.

【００４７】請求項４０に記載の半導体装置の製造装置
は、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方の被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前
記被処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電
極とからなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電
力を印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前
記放電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とから
なり、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記
第一の電極の、前記被処理部材からはずれている部分の
長さをＸ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ
（Ｗ）とした場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特
徴とする。According to a 40th aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device manufacturing apparatus, wherein surface treatment portions for surface-treating a treated member of at least one of the electronic component and the lead face each other through the treated member. Two electrodes consisting of the first electrode and the second electrode, and high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof by applying high-frequency power to the two electrodes. And a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, the length of the portion of the first electrode for causing a discharge between the member to be processed, which is deviated from the member to be processed, X (mm) and the applied high frequency power is Y
In the case of (W), X and Y satisfy the following formula.

【００４８】「Ｘ ≧ ０．０９Ｙ」 請求項４１に記載の半導体装置の製造装置は、前記電子
部品またはリードの少なくともいずれか一方の被処理部
材を表面処理するための表面処理部が、前記被処理部材
を介して互いに対向した第一電極と第二電極とからなる
２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を印加する
ことにより大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気
体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放電発生手
段の近傍に前記ガスを供給する手段とからなり、単位面
積当たりの前記高周波電力を ０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすることを特徴とする。[X ≥ 0.09Y] In the semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 41, a surface treatment section for surface-treating a member to be treated of at least one of the electronic component and the lead has the surface treated portion. By applying high frequency power to the two electrodes, which are a first electrode and a second electrode facing each other through the processing member, and a high frequency power is applied to the two electrodes, a gas discharge is generated in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof. It is characterized by comprising high-frequency applying means for generating the gas and means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, and setting the high-frequency power per unit area to 0.3 to 100 W / cm 2 .

【００４９】[0049]

【作用】従って、請求項１記載の半導体装置の製造方法
によれば、大気圧近傍の圧力下で気体放電により生成さ
れた活性種を含むガスで表面処理することによって、比
較的簡単に高速度でかつ低コストで、電子部品に与える
ダメージが少なく、該電子部品またはリード、もしくは
これら双方の表面を改質し、これらに付着した有機物・
無機物を除去することができる。Therefore, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the first aspect, the surface treatment with the gas containing the active species generated by the gas discharge under the pressure near the atmospheric pressure can be performed relatively easily at a high speed. At a low cost, there is little damage to electronic parts, the surface of the electronic parts or leads, or both of them is modified, and organic substances attached to them are
Inorganic substances can be removed.

【００５０】請求項２記載の半導体装置の製造方法によ
れば、接合された電子部品またはリードとモールド樹脂
とのぬれ性を向上させ、これらを良好に密着させること
ができる。According to the method of manufacturing the semiconductor device of the second aspect, the wettability of the joined electronic component or lead and the mold resin can be improved and these can be satisfactorily adhered.

【００５１】請求項３記載の半導体装置の製造方法によ
れば、電子部品とリードとを良好に接合することがで
き、同時にモールド樹脂とのぬれ性を向上させて、後工
程においてこれらを良好に密着させることができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the third aspect, the electronic component and the lead can be bonded well, and at the same time, the wettability with the mold resin is improved so that they can be satisfactorily processed in the subsequent step. Can be closely attached.

【００５２】請求項４記載の半導体装置の製造方法によ
れば、高周波電源を用いることによって、放電をより均
一にし、かつ電子部品またはリードのダメージをより少
なくすることができる。According to the manufacturing method of the semiconductor device of the fourth aspect, by using the high frequency power source, the discharge can be made more uniform and the damage to the electronic parts or the leads can be further reduced.

【００５３】請求項５記載の半導体装置の製造方法によ
れば、より効果的にかつ高速度で表面処理することがで
きる。According to the semiconductor device manufacturing method of the fifth aspect, the surface treatment can be performed more effectively and at a high speed.

【００５４】請求項６記載の半導体装置の製造方法によ
れば、電子部品またはリードのダメージをより一層少な
くすることができ、しかも電子部品またはリードが複雑
な形状や大きな凹凸を有する場合、またはリードピッチ
が微細な場合にも、活性種を含むガス流を当てることに
よって必要な表面処理を有効かつ確実に行うことができ
る。According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, damage to the electronic component or the lead can be further reduced, and the electronic component or the lead has a complicated shape or large unevenness, or Even if the pitch is fine, the required surface treatment can be effectively and reliably performed by applying a gas flow containing active species.

【００５５】請求項７記載の半導体装置の製造方法によ
れば、気体放電により発生したイオンや電子がガス流に
含まれていても、これを金属メッシュによりトラップす
ることができ、電子部品またはリードのダメージをより
確実に少なくすることができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, even if ions or electrons generated by gas discharge are contained in the gas flow, they can be trapped by the metal mesh, and electronic parts or leads can be obtained. The damage of can be reduced more surely.

【００５６】請求項８記載の半導体装置の製造方法によ
れば、ヘリウムをベースにすれば、ぬれ性の向上、エッ
チング、アッシングが高処理速度で行われ、窒素または
圧縮空気を用いた場合には、比較的安価にぬれ性の向
上、アッシングを行うことができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the present invention, when helium is used as a base, improvement of wettability, etching and ashing are performed at a high processing speed, and when nitrogen or compressed air is used. The wettability can be improved and the ashing can be performed at a relatively low cost.

【００５７】請求項９記載の半導体装置の製造方法によ
れば、酸素濃度を適当に調節することによって、比較的
安価かつ効果的にアッシングし、またはぬれ性を向上さ
せることができる。According to the method for manufacturing a semiconductor device of the ninth aspect, by appropriately adjusting the oxygen concentration, it is possible to ash relatively effectively and improve the wettability.

【００５８】請求項１０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、フッ素化合物の存在によって、比較的安価かつ
効果的にエッチングすることができる。According to the manufacturing method of the semiconductor device of the tenth aspect, the presence of the fluorine compound enables relatively inexpensive and effective etching.

【００５９】請求項１１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、表面処理を行う電子部品またはリード付近で活
性種を生成させ、効果的に表面処理できると共に、導入
されるガスが周囲の環境に与える虞のある影響を少なく
することができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the eleventh aspect, active species can be generated in the vicinity of the electronic component or lead to be surface-treated, and the surface can be effectively surface-treated, and the introduced gas can be introduced into the surrounding environment. It is possible to reduce the influence that may have.

【００６０】請求項１２記載の半導体装置の製造方法に
よれば、希ガスの存在によって大気圧下における気体放
電の発生を容易にすることができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the twelfth aspect, it is possible to facilitate the generation of gas discharge under atmospheric pressure due to the presence of the rare gas.

【００６１】請求項１３記載の半導体装置の製造方法に
よれば、水分を加えて表面処理することによって、その
処理速度を早めることができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the thirteenth aspect, the processing speed can be increased by adding water to perform the surface treatment.

【００６２】請求項１４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品またはリードの寸法・形状や処理すべ
き部分の位置・大きさ等に対応して、フレキシブルにか
つ効率的に表面処理することができ、また複数の電子部
品またはリードを移動させながら順次表面処理すること
ができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the fourteenth aspect, the surface treatment is performed flexibly and efficiently in accordance with the size and shape of the electronic component or the lead, the position and size of the portion to be treated, and the like. Further, the surface treatment can be sequentially performed while moving a plurality of electronic components or leads.

【００６３】請求項１５記載の半導体装置の製造装置に
よれば、真空装置等を必要としない比較的簡単な構成に
より、装置全体の小型化することができ、しかも大気中
で簡単にかつ高速で表面処理することができるので、電
子部品の樹脂封止工程とのインライン化を容易に図るこ
とができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the fifteenth aspect, the size of the entire apparatus can be reduced by a relatively simple structure that does not require a vacuum apparatus or the like, and the apparatus can be easily and rapidly operated in the atmosphere. Since the surface treatment can be performed, it is possible to easily achieve in-line with a resin sealing process for electronic components.

【００６４】請求項１６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、接合された電子部品またはリードとモールド樹
脂とのぬれ性を向上させ、これらを良好に密着させるこ
とができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the sixteenth aspect, it is possible to improve the wettability of the joined electronic component or lead and the molding resin and to bring them into close contact with each other.

【００６５】請求項１７記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品とリードとを良好に接合することがで
き、同時にモールド樹脂とのぬれ性を向上させて、これ
らを良好に密着させることができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the seventeenth aspect, the electronic component and the lead can be satisfactorily bonded to each other, and at the same time, the wettability with the mold resin is improved so that these are satisfactorily adhered. You can

【００６６】請求項１８記載の半導体装置の製造装置に
よれば、表面処理する電子部品またはリードを活性種に
直接曝露させることができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the eighteenth aspect, the electronic component or the lead to be surface-treated can be directly exposed to the active species.

【００６７】請求項１９記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電源電極と電子部品またはリードとの間で直接
放電させないことによって、これらのダメージをより少
なくすることができ、しかも活性種をガス流として強制
的に送り込むことによって、被処理面が複雑な形状や大
きな凹凸を有する場合でも、あらゆる部分に対して確実
かつ有効に表面処理することができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the nineteenth aspect, the damage can be further reduced by not directly discharging between the power supply electrode and the electronic component or the lead, and the active species can be gasified. By forcibly sending in a flow, even if the surface to be processed has a complicated shape or large unevenness, it is possible to perform surface treatment reliably and effectively to all parts.

【００６８】請求項２０記載の半導体装置の製造方法に
よれば、気体放電発生手段から離隔した位置で電子部品
またはリードを表面処理することができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the twenty-first aspect, the electronic component or the lead can be surface-treated at a position separated from the gas discharge generating means.

【００６９】請求項２１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、放電により発生する電子やイオンを金属メッシ
ュがトラップすることによって、活性種を含むガス流か
ら有効に除去することができ、電子部品またはリードの
ダメージをより確実に解消することができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the twenty-first aspect, the electrons and ions generated by the discharge are trapped by the metal mesh, so that the gas can be effectively removed from the gas flow containing the active species, and the electronic component can be effectively removed. Alternatively, the lead damage can be eliminated more reliably.

【００７０】請求項２２記載の半導体装置の製造方法に
よれば、電子部品またはリードに比較的近い位置で放電
させることによって、処理速度及び効果を高めることが
できる。According to the semiconductor device manufacturing method of the twenty-second aspect, the processing speed and the effect can be enhanced by discharging at a position relatively close to the electronic component or the lead.

【００７１】請求項２３記載の半導体装置の製造方法に
よれば、電子部品またはリードを、もしくはそれらの部
分を局所的に容易に表面処理することができる。According to the semiconductor device manufacturing method of the twenty-third aspect, the electronic component or the lead, or a portion thereof can be locally and easily surface-treated.

【００７２】請求項２４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、表面処理を行う電子部品またはリード付近で気
体放電による活性種を生成させ、効果的に表面処理でき
ると共に、導入されるガスが周囲の環境に与える虞のあ
る影響を少なくすることができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the twenty-fourth aspect, active species can be effectively generated by gas discharge in the vicinity of the electronic component or the lead to be surface-treated, and the surface can be effectively treated, and the introduced gas is ambient. It is possible to reduce the influence that may have on the environment.

【００７３】請求項２５及び請求項２６記載半導体装置
の製造装置によれば、活性種に曝露する際に水分が存在
することによって表面処理速度を早めることができる。According to the twenty-fifth and twenty-sixth aspects of the semiconductor device manufacturing apparatus, the surface treatment rate can be increased by the presence of water when exposed to the active species.

【００７４】請求項２７記載の半導体装置の製造装置に
よれば、電子部品またはリード、もしくは双方を曝露手
段に対して相対的に移動させることによって、電子部品
またはリードの寸法、形状や処理の目的に応じて、その
全面を一様に、または部分的に選択して処理することが
でき、更に複数の電子部品またはリードを順次移動させ
ながら処理することができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the twenty-seventh aspect, by moving the electronic component or the lead, or both of them relative to the exposure means, the size, shape and processing purpose of the electronic component or the lead can be obtained. Accordingly, the entire surface can be uniformly or partially selected for processing, and further, the processing can be performed while sequentially moving a plurality of electronic components or leads.

【００７５】請求項２８記載の半導体装置の製造装置に
よれば、不良の電子部品を取り外した後、良品を再接合
するために必要な部分のみを選択して、他の部分に影響
を与えることなく比較的簡単に、しかも必要に応じて現
場でも表面処理することができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the twenty-eighth aspect, after removing a defective electronic component, only a portion necessary for rejoining a non-defective product is selected and other portions are affected. It can be surface-treated relatively easily and on-site if necessary.

【００７６】請求項２９記載の液晶ディスプレイの製造
方法によれば、比較的簡単な構成により、基板を高速で
ドライ洗浄することができ、コストを削減しかつ枚葉処
理が可能になる。According to the liquid crystal display manufacturing method of the twenty-ninth aspect, the substrate can be dry-cleaned at a high speed with a relatively simple structure, the cost can be reduced and the single-wafer processing can be performed.

【００７７】請求項３０記載の液晶ディスプレイの製造
方法によれば、液晶セルに付着した有機物・無機物の汚
れを、液晶パネル面に物理的に損傷させることなく、比
較的高速で簡単にかつ低コストで除去することができ、
偏光板を張付不良を有効に防止することができると共
に、枚葉処理及び現場での処理が可能になる。According to the method of manufacturing a liquid crystal display of the thirtieth aspect, a relatively high speed, simple and low cost can be achieved without physically damaging the organic / inorganic contaminants attached to the liquid crystal cell on the liquid crystal panel surface. Can be removed with
Poor sticking of the polarizing plate can be effectively prevented, and single-wafer processing and on-site processing become possible.

【００７８】請求項３１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、半田表面の酸化膜を濡れ性のよいフッ化スズ化
合物膜へ変化させることができるため、半田付けのより
一層の濡れ性向上が行える。According to the semiconductor device manufacturing method of the thirty-first aspect, since the oxide film on the solder surface can be changed to the tin fluoride compound film having good wettability, the wettability of soldering can be further improved. You can do it.

【００７９】請求項３２及び３３記載の半導体装置の製
造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の
異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とす
ることにより、使用ガスをより少なくできる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-second aspect and the thirty-third aspect, the presence of the insulating film can prevent abnormal discharge such as arc discharge, and the insulating film has a wing shape, so that the gas used can be reduced. Can be less.

【００８０】請求項３４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、ガスの濃度を均等化することができ、これによ
り、プラズマ処理の均等化が行える。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-fourth aspect, the gas concentrations can be equalized, and the plasma processing can be equalized.

【００８１】請求項３６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止する
ことができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-sixth aspect, the presence of the porous member can prevent abnormal discharge.

【００８２】請求項３８及び３９記載の半導体装置の製
造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリ
ードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませる
ことができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防
止できる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-eighth and thirty-ninth aspects, by providing the recess, it is possible to sufficiently circulate the plasma to the back side of the TCP or the lead frame, and in the case of the TCP processing. Abnormal discharge can be prevented.

【００８３】請求項４０及び４１記載の半導体装置の製
造装置によれば、安定な放電を発生することができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the 40th and 41st aspects, stable discharge can be generated.

【００８４】[0084]

【実施例】図１には、電子部品とリードとを接続しかつ
樹脂で封止して、パッケージ型の半導体装置を製造する
本発明の方法に使用するための表面処理装置が、概略的
に示されている。図１の表面処理装置１は、電源２に接
続された棒状の放電発生用電極３と、放電用のガスを供
給するガス供給装置４とから構成される。ガス供給装置
４は、電極３先端付近に前記ガスを吐出するための開口
５を有する。電極３先端の直ぐ下側には、被処理材とし
て、接合された電子部品６及びリード７が所定の間隔を
もって配置される。電子部品６及びリード７は、図２に
示すようなＤＩＰ（Dual Inline Package）型の半導体
装置を製造するためのものであり、ダイパッド８の上に
接着されたベアチップの電子部品６の各電極パッドと対
応するリード７とが、例えば金やアルミニウムのワイヤ
９でそれぞれ接続されている。FIG. 1 schematically shows a surface treatment apparatus for use in a method of the present invention for manufacturing a package-type semiconductor device by connecting an electronic component and a lead and sealing with a resin. It is shown. The surface treatment apparatus 1 of FIG. 1 is composed of a rod-shaped discharge generating electrode 3 connected to a power source 2 and a gas supply device 4 for supplying a discharge gas. The gas supply device 4 has an opening 5 near the tip of the electrode 3 for discharging the gas. Immediately below the tip of the electrode 3, the electronic component 6 and the lead 7 which are joined as a material to be processed are arranged at a predetermined interval. The electronic component 6 and the leads 7 are for manufacturing a DIP (Dual Inline Package) type semiconductor device as shown in FIG. 2, and each electrode pad of the bare chip electronic component 6 adhered on the die pad 8. And the corresponding lead 7 are connected by a wire 9 of gold or aluminum, for example.

【００８５】先ず、ガス供給装置４から前記放電用ガス
を供給し、電極３先端と電子部品６及びリード７との間
及びその近傍の雰囲気を該放電用ガスで置換する。次
に、電源２から電極３に所定の電圧を印加すると、電極
３先端部と電子部品６及びリード７との間で気体放電が
起こる。この放電状態にある電極３と電子部品６及びリ
ード７間の領域１０には、プラズマによる前記放電用ガ
スの解離、電離、励起等の種々の反応が存在する。これ
らの反応により前記ガス中に生成された活性種に電子部
品６及びリード７を所定の時間曝露して表面処理する。First, the discharge gas is supplied from the gas supply device 4, and the atmosphere between the tip of the electrode 3 and the electronic component 6 and the lead 7 and in the vicinity thereof is replaced with the discharge gas. Next, when a predetermined voltage is applied from the power source 2 to the electrode 3, gas discharge occurs between the tip of the electrode 3 and the electronic component 6 and the lead 7. In the region 10 between the electrode 3 and the electronic component 6 and the lead 7 in the discharge state, various reactions such as dissociation, ionization and excitation of the discharge gas due to plasma exist. The electronic component 6 and the leads 7 are exposed to the active species generated in the gas by these reactions for a predetermined time to perform surface treatment.

【００８６】次に、これらを周知の方法により、図２に
示すようにモールド樹脂１１で封入してパッケージ１２
を形成する。パッケージ１２は、前記表面処理により前
記電子部品及びリードの表面が改質されてぬれ性が大幅
に向上するので、モールド樹脂１１との接触角が小さく
なり、両者の密着性が向上する。モールド樹脂１１と電
子部品６またはリード７との界面に僅かでも隙間が存在
すると、パッケージ１２内に侵入した水分が前記隙間に
溜まって電子部品６を汚染したり、リフロー時の高温に
より膨張してパッケージにクラックを発生させる虞があ
る。本発明によりモールド樹脂の密着性を向上させるこ
とによって、これらの問題点が解消され、信頼性が著し
く向上すると共に、歩留りが向上する。Next, these are sealed with a mold resin 11 as shown in FIG.
To form. The surface treatment of the package 12 modifies the surfaces of the electronic components and the leads to significantly improve the wettability, so that the contact angle with the mold resin 11 is reduced and the adhesion between the two is improved. If there is even a slight gap at the interface between the mold resin 11 and the electronic component 6 or the lead 7, the moisture that has entered the package 12 is accumulated in the gap and contaminates the electronic component 6, or expands due to the high temperature during reflow. It may cause cracks in the package. By improving the adhesiveness of the mold resin according to the present invention, these problems are solved, the reliability is remarkably improved, and the yield is improved.

【００８７】また、モールド樹脂１１が、リード７との
密着性は良好だが電子部品６との密着性に問題がある場
合や、リード７が活性種を含むガスに腐食し易い場合に
は、図３に示すように、電極３の先端形状を電子部品６
と略同じ大きさに小さくする。このようにして電極３に
電圧を印加すると、前記気体放電は、実質的に電極３先
端と電子部品６のみとの間で発生する。従って、電子部
品６のみが活性種を含む前記ガスに曝露されて、前記表
面処理が行われる。この場合には、前記電子部品の表面
とモールド樹脂との密着性が向上する。他方、リード７
は、放電の影響で腐食したりする虞がない。If the mold resin 11 has good adhesion to the lead 7 but has a problem with the adhesion to the electronic component 6, or if the lead 7 is easily corroded by a gas containing active species, As shown in FIG.
To about the same size. When a voltage is applied to the electrode 3 in this manner, the gas discharge substantially occurs between the tip of the electrode 3 and the electronic component 6. Therefore, only the electronic component 6 is exposed to the gas containing the active species and the surface treatment is performed. In this case, the adhesion between the surface of the electronic component and the mold resin is improved. On the other hand, lead 7
Does not corrode under the influence of electric discharge.

【００８８】逆に、モールド樹脂１１が、電子部品６と
の密着性は良好だがリード７との密着性に問題がある場
合や、電子部品６が放電による電子やイオンの影響を受
け易い場合には、電極３の先端を、図４に示すようにリ
ード７の形状に合わせて２個の棒状部分に分岐させる。
このようにして電極３に電圧を印加すると、前記気体放
電は、実質的に電極３の分岐した２個の先端部分１３と
それに対応するリード７６のみとの間で発生する。従っ
て、リード７のみが活性種を含む前記ガスに曝露され
て、前記表面処理が行われる。この場合には、前記リー
ドとモールド樹脂との密着性は向上するが、電子部品６
が放電によるイオンや電子の影響でダメージを受けたり
する虞がない。On the contrary, when the mold resin 11 has good adhesiveness with the electronic component 6 but has a problem with the adhesiveness with the lead 7 or when the electronic component 6 is easily affected by electrons or ions due to discharge. Causes the tip of the electrode 3 to branch into two rod-shaped portions according to the shape of the lead 7 as shown in FIG.
When a voltage is applied to the electrode 3 in this manner, the gas discharge is substantially generated between the two branched tip portions 13 of the electrode 3 and the corresponding leads 76. Therefore, only the lead 7 is exposed to the gas containing the active species to perform the surface treatment. In this case, the adhesion between the lead and the molding resin is improved, but the electronic component 6
Is not likely to be damaged by the influence of ions or electrons due to discharge.

【００８９】本発明による半導体装置の製造方法の別の
実施例では、電子部品６とリード７とをワイヤボンディ
ングにより接続する前に、表面処理装置１を用いて表面
処理することができる。図５に示す表面処理装置１は、
電極３先端が、その下方に並べて配置される電子部品６
及び左右のリード７に合わせて、３個の棒状部分に分岐
されている。そして、電極３に電圧を印加することによ
って、その３個の先端部分１４と対応する電子部品６及
び左右のリード７との間でそれぞれ前記気体放電が発生
する。従って、電子部品６及びリード７を同時に表面処
理することができる。In another embodiment of the method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention, surface treatment can be performed using the surface treatment apparatus 1 before connecting the electronic component 6 and the lead 7 by wire bonding. The surface treatment apparatus 1 shown in FIG.
An electronic component 6 in which the tips of the electrodes 3 are arranged side by side under the electrodes 3
Also, it is branched into three rod-shaped portions in accordance with the left and right leads 7. Then, by applying a voltage to the electrode 3, the gas discharge is generated between the three tip portions 14 and the corresponding electronic component 6 and the left and right leads 7. Therefore, the electronic component 6 and the lead 7 can be surface-treated simultaneously.

【００９０】次に、これらを周知のボンディング方法に
より接続し、更にモールド樹脂で封入する。本実施例で
は、電子部品６及びリード７の表面がそれぞれ活性にな
っているため、両者の接合性が向上し、良好に接続する
ことができる。同時に、両者の表面は、改質されてぬれ
性が向上しているので、モールド樹脂１１で封入する際
に該樹脂との密着性が併せて向上する。Next, these are connected by a well-known bonding method and further sealed with a mold resin. In this embodiment, since the surfaces of the electronic component 6 and the leads 7 are active, the joining property between the two is improved and good connection can be achieved. At the same time, since both surfaces are modified and have improved wettability, the adhesiveness with the resin is also improved when the molding resin 11 is filled.

【００９１】また、当然ながら、電子部品６とリード７
とは、それぞれ別個に表面処理することもできる。この
場合、同じ表面処理装置を用いても良く、また別個の表
面処理装置を用いて表面処理することもできる。電子部
品６のみを表面処理する場合には、図３に示したような
先端の小さい電極を使用することができ、また、リード
フレームに結合された状態のリード７のみを表面処理す
る場合には、図４に示したように先端の分岐した電極を
使用すると好都合である。Further, as a matter of course, the electronic component 6 and the lead 7
And can be surface-treated separately. In this case, the same surface treatment apparatus may be used, or a separate surface treatment apparatus may be used for the surface treatment. When only the electronic component 6 is surface-treated, an electrode with a small tip as shown in FIG. 3 can be used, and when only the lead 7 bonded to the lead frame is surface-treated, It is convenient to use a branched electrode as shown in FIG.

【００９２】また、別の実施例では、上述したＤＩＰの
ようなパッケージでなく、テープキャリアの配線に接続
された電子部品を樹脂で封入し、ＴＣＰ型の半導体装置
を製造することができる。例えば、テープキャリアの電
極パッドにＩＣチップの電極をワイヤボンディングした
後トランファモールドにより樹脂封止する前に、または
テープキャリアのインナリードにＩＣチップを接続する
ＩＬＢ後ポッティングモールドにより樹脂封止する前
に、上述した活性種を含むガスによる表面処理を行い、
モールド樹脂との密着性を向上させることができる。ま
た、本発明の半導体の製造方法は、上記実施例のＤＩＰ
やＴＣＰだけでなく、ＳＩＰ、ＺＩＰ、ＭＦＰ、ＳＯＰ
等の様々な樹脂封止形パッケージの半導体装置につい
て、同様に適用することができる。In another embodiment, a TCP type semiconductor device can be manufactured by encapsulating an electronic component connected to the wiring of the tape carrier with resin instead of the package such as the DIP described above. For example, after wire bonding the electrode of the IC chip to the electrode pad of the tape carrier and before resin sealing by transfer molding, or after ILB connecting the IC chip to the inner lead of the tape carrier and before resin sealing by potting mold. The surface treatment with a gas containing the above-mentioned active species,
Adhesion with the molding resin can be improved. Further, the semiconductor manufacturing method of the present invention is the same as the DIP of the above embodiment.
SIP, ZIP, MFP, SOP as well as TCP and TCP
The same can be applied to various semiconductor devices in resin-sealed packages such as.

【００９３】ここで、使用するガス種については、ヘリ
ウム、アルゴン、酸素、窒素、水素、及びこれらの混合
ガスを用いて実験したところ、これら全てのガス種につ
いてモールド樹脂１１と電子部品６またはリード７との
密着性の向上が確認された。一般に、ヘリウム等の希ガ
スを大気圧又はその近傍の圧力下で用いて高周波数の電
圧を印加すると、気体放電を発生させ易く、かつその放
電が均一で曝露される部材に与えるダメージを少くでき
るが、ガス自体が高価なため、コストが増大する。そこ
で、放電開始時のみ、電極近傍の雰囲気を、放電を起こ
し易いヘリウムやアルゴン等の希ガスに置換しておき、
電圧を印加して放電を発生させた後は、他の適当な安価
なガスに変更することもできる。The gas species used here were tested by using helium, argon, oxygen, nitrogen, hydrogen, and a mixed gas of these, and the mold resin 11 and the electronic component 6 or the lead for all of these gas species were tested. It was confirmed that the adhesion with No. 7 was improved. In general, when a high frequency voltage is applied using a rare gas such as helium under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity of the atmospheric pressure, gas discharge is easily generated, and damage caused to the exposed member is uniform. However, since the gas itself is expensive, the cost increases. Therefore, only at the start of discharge, the atmosphere in the vicinity of the electrodes is replaced with a rare gas such as helium or argon, which easily causes discharge,
After applying a voltage to generate a discharge, it is possible to change to another suitable inexpensive gas.

【００９４】フラックスのような有機物を除去したい場
合は、ヘリウムと酸素との混合ガスをガス供給装置４か
ら供給する。これにより、酸素のイオン、励起種等の活
性種が生成され、これが有機物と反応して一酸化炭素、
二酸化炭素と水の蒸気となって除去される。放電用ガス
としてヘリウムと酸素との混合ガスに代えて、圧縮空
気、窒素と酸素との混合ガスを用いても、同様に有機物
を除去する効果即ちアッシング効果が得られる。When it is desired to remove organic substances such as flux, a mixed gas of helium and oxygen is supplied from the gas supply device 4. As a result, oxygen ions, active species such as excited species, are generated, and this reacts with organic matter, carbon monoxide,
Carbon dioxide and water vapor are removed. Even if compressed air or a mixed gas of nitrogen and oxygen is used as the discharge gas instead of the mixed gas of helium and oxygen, the effect of removing organic substances, that is, the ashing effect can be obtained.

【００９５】また、放電用ガスとして窒素、フッ素化合
物（ＣＦ4，Ｃ2Ｆ6，ＳＦ6等）、または有機物を含むガ
スを用いることによって、酸化物を除去することができ
る。この場合、酸化物は、窒素のイオン、励起種等の活
性種と反応して窒素酸化物になり、またはフッ素のイオ
ン、励起種等の活性種と反応してフッ化物となって除去
される。有機物を含むガスの場合、前記酸化物は、前記
有機物が解離、電離、励起して生成する有機物、炭素、
水素のイオン、励起種等の活性種と反応してヒドロキシ
化合物、オキソ化合物カルボン酸、二酸化炭素、水蒸気
等になって取り除かれる。前記有機物は、放電用ガスに
加える代わりに、被処理材の表面に塗布することもでき
る。この場合には、放電領域においてプラズマによりガ
スが解離、電離、励起してエネルギー状態が高くなる。
塗布された前記有機物は、一部が蒸発しかつ放電にさら
されて解離、電離、励起し、有機物、炭素、水素のイオ
ン、励起種等の活性種となる。また、他の一部は、エネ
ルギー状態の高いガスの活性種からエネルギーを受け取
り、解離、電離、励起して有機物、炭素、水素のイオ
ン、励起種等の活性種となる。The oxide can be removed by using a gas containing nitrogen, a fluorine compound (CF 4 , C 2 F 6 , SF 6 or the like) or an organic substance as the discharge gas. In this case, the oxides are removed by reacting with nitrogen ions, active species such as excited species to form nitrogen oxides, or by reacting with fluorine ions, active species such as excited species, to form fluorides. . In the case of a gas containing an organic substance, the oxide is an organic substance generated by dissociation, ionization, or excitation of the organic substance, carbon,
It reacts with hydrogen ions and active species such as excited species to become hydroxy compounds, oxo compounds carboxylic acid, carbon dioxide, water vapor, etc., and is removed. The organic substance may be applied to the surface of the material to be treated instead of being added to the discharge gas. In this case, the plasma dissociates, ionizes, and excites the gas in the discharge region to raise the energy state.
A part of the applied organic substance is evaporated and exposed to a discharge to be dissociated, ionized, and excited to become an active species such as an organic substance, carbon and hydrogen ions, and excited species. The other part receives energy from a gas active species having a high energy state, and dissociates, ionizes, or excites it to become an active species such as an organic substance, carbon or hydrogen ion, or an excited species.

【００９６】これらの活性種によって、放電用ガスに有
機物を添加した場合と同種の作用効果が得られる。しか
も、この活性種は、フラックスに含まれる塩素化合物の
ように被処理材の表面に残留しない。このように酸化物
を除去するエッチング効果が得られる放電用ガスとして
は、例えばヘリウムまたは圧縮空気と四フッ化炭素との
混合ガスがある。当然ながら、これらの混合ガス等では
放電を起こし難い場合には、上述したように放電開始時
のみヘリウム単体を導入してやればよい。また、圧縮空
気の代わりに酸素を用いてもよい。更に、本願発明者に
よれば、ヘリウムに対してフッ素化合物（例えば、ＣＦ
4）が０．５〜５％、好適には１％、酸素０．５〜５
％、好適には１％が含まれる混合ガス系であれば、エッ
チング効果が最大となることが確認された。With these active species, the same kind of action and effect as in the case where an organic substance is added to the discharge gas can be obtained. Moreover, this active species does not remain on the surface of the material to be treated like chlorine compounds contained in the flux. Examples of the discharge gas capable of obtaining the etching effect of removing oxides include helium or a mixed gas of compressed air and carbon tetrafluoride. As a matter of course, when it is difficult to cause the discharge with these mixed gases or the like, the helium simple substance may be introduced only at the start of the discharge as described above. Also, oxygen may be used instead of compressed air. Further, according to the inventor of the present application, a fluorine compound (for example, CF
4 ) 0.5 to 5%, preferably 1%, oxygen 0.5 to 5
%, Preferably 1%, it was confirmed that the etching effect is maximized if it is a mixed gas system.

【００９７】また、本発明の別の実施例によれば、上述
したガス供給装置からは希ガスのみを導入して放電を発
生させ、かつこれとは別個のガス供給手段を設けて、処
理目的に応じて窒素、フッ素化合物等の反応性ガスを放
電領域に供給する。これにより、前記反応性ガスの活性
種が生成されて、所望の表面処理が行われる。According to another embodiment of the present invention, only the rare gas is introduced from the above-mentioned gas supply device to generate an electric discharge, and a gas supply means separate from this is provided for the purpose of treatment. In response to this, a reactive gas such as nitrogen or a fluorine compound is supplied to the discharge region. As a result, active species of the reactive gas are generated and desired surface treatment is performed.

【００９８】また、電源については、１０ＫＨｚ、４０
０ＫＨｚ、１３．５６ＭＨｚの周波数で実験したとこ
ろ、これら全周波数で同様にモールド樹脂１１と電子部
品６またはリード７との密着性の向上が確認された。こ
れらの実験結果は、以下に示す通りである。Regarding the power source, 10 KHz, 40
When an experiment was performed at frequencies of 0 KHz and 13.56 MHz, it was confirmed that the adhesiveness between the mold resin 11 and the electronic component 6 or the lead 7 was improved at all frequencies. The results of these experiments are as shown below.

【００９９】先ず、本発明の表面処理によるぬれ性の改
善を確認した。この実験では、被処理材の表面に本発明
による表面処理を５秒間行い、液滴式接触角計を用いて
接触角を測定し、全く表面処理を行わなかったもの、及
び減圧下で活性化させた酸素ガスを用いる従来技術で１
５分間処理したものについて同様に接触角を測定し、本
発明と比較したところ、表１に示されるように、使用ガ
ス種により多少の差があるものの、本発明の著しい効果
を示す結果が得られた。First, the improvement of the wettability by the surface treatment of the present invention was confirmed. In this experiment, the surface of the material to be treated was subjected to the surface treatment according to the present invention for 5 seconds, the contact angle was measured using a droplet contact angle meter, the surface treatment was not performed at all, and activation was performed under reduced pressure. With the conventional technology using the oxygen gas
The contact angle of the sample treated for 5 minutes was measured in the same manner and compared with the present invention. As shown in Table 1, the results showing the remarkable effect of the present invention were obtained although there was some difference depending on the gas used. Was given.

【０１００】[0100]

【表１】 [Table 1]

【０１０１】次に、モールド樹脂と電子部品またはリー
ドとの密着性に起因するパッケージのクラック発生につ
いて実験した。両方とも本発明の表面処理を行った電子
部品及びリードの組と、両方とも上述した従来技術の表
面処理を行った電子部品及びリードの組と、両方とも全
く表面処理を行わなかった電子部品及びリードの組と
を、それぞれ接合した後樹脂封止した３組のパッケージ
について、１２５℃で１０時間乾燥させ、温度８５℃、
湿度８５％の雰囲気内で５０４時間吸湿させた後、２５
０℃で１０秒間リフロー処理を行い、クラックの発生率
を確認したところ、表２に示す結果が得られた。これに
より、本発明によれば、従来技術による場合と比較して
処理時間が僅か１／１８０であるにも拘らず、少なくと
も同程度以上に密着性向上の効果が認められた。Next, an experiment was conducted on the occurrence of package cracks due to the adhesion between the mold resin and the electronic components or leads. An electronic component and a set of leads both subjected to the surface treatment of the present invention, an electronic component and a set of leads both subjected to the surface treatment of the prior art described above, and an electronic component both not subjected to any surface treatment and The three sets of packages, in which the lead set and the lead set are respectively joined and then resin-sealed, are dried at 125 ° C. for 10 hours, and the temperature is 85 ° C.
After absorbing 504 hours in an atmosphere of 85% humidity,
When the reflow treatment was performed at 0 ° C. for 10 seconds and the incidence of cracks was confirmed, the results shown in Table 2 were obtained. As a result, according to the present invention, the effect of improving the adhesiveness was confirmed to be at least the same level or more, although the processing time was only 1/180 of that of the prior art.

【０１０２】[0102]

【表２】 [Table 2]

【０１０３】更に、放電により発生するイオンや電子が
電子部品に与えるダメージによって生じる素子破壊につ
いて、その不良品発生率を実験した。実験では、１０Ｋ
Ｈｚの電源を用いて本発明の表面処理を１時間行った電
子部品と、１３．５６ＭＨｚの電源を用いて同じく本発
明の表面処理を１時間行った電子部品と、上述した従来
技術の表面処理を１時間行った電子部品とについて、そ
れぞれの不良発生率を調べたところ、以下に示す表３の
結果が得られた。この実験結果によれば、１３．５６Ｍ
Ｈｚの電源を用いた本発明の表面処理の場合に、不良発
生率が最も低いことが分かる。これから、ＭＨｚオーダ
ーの周波数の方が、ダメージがより少ないと言える。し
かし、いずれの周波数の電源を用いても、実際に本発明
の表面処理に要する時間は５秒間程度であるから、どの
周波数でも実際上電子部品の不良は殆ど発生しないと考
えて良いと思われる。Further, with respect to device destruction caused by damage to electronic parts caused by ions and electrons generated by discharge, the defective product occurrence rate was tested. In the experiment, 10K
Electronic component that has been subjected to the surface treatment of the present invention for 1 hour using a power source of Hz, an electronic component that has also been subjected to the surface treatment of the present invention for 1 hour using a power source of 13.56 MHz, and the above-mentioned conventional surface treatment. When the defect occurrence rate of each of the electronic components after 1 hour was examined, the results shown in Table 3 below were obtained. According to the result of this experiment, 13.56M
It can be seen that the defect occurrence rate is the lowest in the case of the surface treatment of the present invention using a power source of Hz. From this, it can be said that the frequency of MHz order is less damaged. However, since it takes about 5 seconds to actually carry out the surface treatment of the present invention regardless of the frequency of the power source used, it can be considered that practically no defect of the electronic component occurs at any frequency. .

【０１０４】[0104]

【表３】 [Table 3]

【０１０５】以上の実験結果から、本発明の表面処理を
酸素または水素を含む雰囲気中で行った場合に、最良の
結果が得られることが分かる。但し、これらの場合に
は、当然ながら、酸素による処理を長時間行うとリード
の金属が酸化して腐食し、水素を長時間用いるとリード
の金属が水素化して脆化する虞があるので、実際には処
理条件を厳しく管理する必要がある。From the above experimental results, it can be seen that the best results are obtained when the surface treatment of the present invention is performed in an atmosphere containing oxygen or hydrogen. However, in these cases, of course, if the treatment with oxygen is carried out for a long time, the metal of the lead is oxidized and corroded, and if hydrogen is used for a long time, the metal of the lead may be hydrogenated and embrittled. In reality, it is necessary to strictly control the processing conditions.

【０１０６】図６には、本発明に適用される表面処理装
置の第２実施例が概略的に示されている。電源１５に接
続された細長い丸棒状の放電発生用電極１６が、接地さ
れかつ下方に開放された概ね円筒形をなす金属カバー１
７の中心に、絶縁取付具１８によって電気的に浮いた状
態にして垂直に保持されている。金属カバー１７の下端
から突出する電極１６先端の直ぐ下側には、図１の第１
実施例と同様に電子部品６及びリード７が所定の間隔を
もって配置されている。金属カバー１７の内部は、放電
用のガスを供給するガス供給装置１９に連通している。FIG. 6 schematically shows a second embodiment of the surface treatment apparatus applied to the present invention. An elongated cylindrical rod-shaped discharge generating electrode 16 connected to a power supply 15 is grounded and opened downward, and has a substantially cylindrical shape.
It is vertically held in the center of 7 by an insulating fixture 18 in an electrically floating state. Just below the tip of the electrode 16 protruding from the lower end of the metal cover 17, the first electrode of FIG.
Similar to the embodiment, the electronic component 6 and the lead 7 are arranged with a predetermined interval. The inside of the metal cover 17 communicates with a gas supply device 19 that supplies a discharge gas.

【０１０７】先ず、ガス供給装置１９から金属カバー１
７内に前記放電用ガスを供給し、電極１６と電子部品６
及びリード７との間及びその近傍の雰囲気を、前記放電
用ガスで置換する。次に、電極１６に電源１５から電圧
を印加すると、電極１６先端部と電子部品６及びリード
７との間で気体放電が起こり、第１実施例の場合と同様
に表面処理がなされる。また、この時に発生するに反応
ガスは、電極近傍に配設したダクト２０によって排気す
ることができる。First, from the gas supply device 19 to the metal cover 1
The discharge gas is supplied to the inside of the electrode 7, and the electrode 16 and the electronic component 6
The atmosphere between the lead 7 and the lead 7 and in the vicinity thereof is replaced with the discharge gas. Next, when a voltage is applied to the electrode 16 from the power source 15, gas discharge occurs between the tip of the electrode 16 and the electronic component 6 and the lead 7, and the surface treatment is performed as in the case of the first embodiment. Further, the reaction gas generated at this time can be exhausted by the duct 20 arranged near the electrode.

【０１０８】図７には、図６の第２実施例の表面処理装
置の変形例が示されている。本実施例では、金属カバー
１７の下端を電極１６の先端近傍まで、電極１６が金属
カバー１７内に完全に収容される位置まで延長させ、こ
れを電源電極１６に対する放電発生のための対電極２１
としている。そして、対電極２１によって形成される金
属カバー１７の下端開口２２の下方に電子部品６及びリ
ード７を配置する。また、電極１６は、冷却装置２３か
らパイプ２４を用いて冷却水を循環させることによっ
て、長時間に亘る放電処理により電極１６が過度に加熱
しないように冷却することができる。金属カバー１７の
下端開口には、電子部品６及びリード７との間に金属メ
ッシュ２５が配設されている。FIG. 7 shows a modification of the surface treatment apparatus of the second embodiment shown in FIG. In the present embodiment, the lower end of the metal cover 17 is extended to the vicinity of the tip of the electrode 16 to a position where the electrode 16 is completely housed in the metal cover 17, and this is counter electrode 21 for generating discharge to the power electrode 16.
And Then, the electronic component 6 and the lead 7 are arranged below the lower end opening 22 of the metal cover 17 formed by the counter electrode 21. Further, the electrode 16 can be cooled by circulating the cooling water from the cooling device 23 using the pipe 24 so that the electrode 16 is not excessively heated by the discharge treatment for a long time. At the lower end opening of the metal cover 17, a metal mesh 25 is arranged between the electronic component 6 and the lead 7.

【０１０９】ガス供給装置１９から放電用ガスを供給
し、該ガスで金属カバー１７内部を置換する。電極１６
に電源１５から電圧を印加すると、電極１６の先端部と
対電極２１との間で気体放電が生じる。ガス供給装置１
９からは前記放電用ガスが連続的に送給されているの
で、放電領域２６を前記ガスが通過する過程で、その一
部はイオン、励起種等の活性種となり、金属カバー１７
の下端開口２２より、反応性ガス流２７となって下方へ
噴出する。この反応性ガス流に含まれる前記活性種によ
って電子部品６及びリード７が表面処理される。A discharge gas is supplied from the gas supply device 19, and the inside of the metal cover 17 is replaced with the gas. Electrode 16
When a voltage is applied to the electrode 15 from the power source 15, gas discharge occurs between the tip of the electrode 16 and the counter electrode 21. Gas supply device 1
Since the discharge gas is continuously fed from 9, the part of the gas becomes active species such as ions and excited species in the process of passing the gas through the discharge region 26, and the metal cover 17
A reactive gas flow 27 is jetted downward from the lower end opening 22 of the. The electronic components 6 and the leads 7 are surface-treated by the active species contained in the reactive gas flow.

【０１１０】本実施例においても、ガス供給装置１９か
らヘリウム等の希ガスのみを導入して放電させ、かつ別
個のガス供給手段から処理目的に応じて窒素、フッ素化
合物等の反応性ガスを電子部品６及びリード７近傍に供
給することができる。これにより、前記放電により生成
されかつ開口２２からガス流となって噴出するヘリウム
ラジカルと、前記反応性ガスとのエネルギー変換によっ
て、反応活性種が生成され、これによって所望の表面処
理が行われる。Also in this embodiment, only a rare gas such as helium is introduced from the gas supply device 19 to cause electric discharge, and a reactive gas such as nitrogen or a fluorine compound is supplied as an electron from a separate gas supply means according to the purpose of treatment. It can be supplied near the component 6 and the lead 7. As a result, energy conversion between the helium radicals generated by the discharge and ejected as a gas flow from the opening 22 and the reactive gas generates reactive reactive species, thereby performing a desired surface treatment.

【０１１１】本実施例は、上述した反応性ガス流により
被処理材を曝露させるため、イオンの介在という意味に
おいて処理効果が幾分小さくなる。当然ながら、電子部
品６及びリード７を金属カバー１７の下端開口２２から
離隔する程にその傾向が強くなる。しかしながら、逆に
イオンの介在が電子部品６及びリード７にとって弊害を
もたらす場合は、上述したように、下端開口２２に設け
た金属メッシュ２５により反応性ガス流１７に含まれる
イオンをトラップしてニュウトライズし、噴出する反応
性ガスにイオンが含まれないようにすれば良い。In this embodiment, the material to be treated is exposed by the above-mentioned reactive gas flow, so that the treatment effect is somewhat reduced in the sense of the interposition of ions. Naturally, the tendency becomes stronger as the electronic component 6 and the lead 7 are separated from the lower end opening 22 of the metal cover 17. However, when the interposition of ions adversely affects the electronic component 6 and the leads 7, on the contrary, as described above, the metal mesh 25 provided in the lower end opening 22 traps the ions contained in the reactive gas flow 17 to cause a new problem. It is sufficient to tritize the reactive gas to be ejected so as not to contain ions.

【０１１２】また、電子部品６及びリード７は、放電自
体によりまたは電極１６の輻射熱により、条件によって
は２００℃以上に加熱される。そこで電子部品６及びリ
ード７を熱に対して保護することが必要な場合には、図
示されない冷却手段によって電子部品６及びリード７を
冷却しながら処理することができる。他方、電子部品６
及びリード７が熱に対する保護を必要としないときは、
逆に積極的に加熱を行うべきである。本発明は、化学反
応を利用した還元処理方法の一種であるから、加熱は反
応を促進させることが多いからである。Further, the electronic component 6 and the leads 7 are heated to 200 ° C. or higher depending on the conditions by the discharge itself or the radiant heat of the electrode 16. Therefore, when it is necessary to protect the electronic component 6 and the lead 7 against heat, the electronic component 6 and the lead 7 can be processed while being cooled by a cooling means (not shown). On the other hand, electronic component 6
And when the lead 7 does not require heat protection,
On the contrary, it should be actively heated. This is because the present invention is a kind of reduction treatment method utilizing a chemical reaction, and thus heating often promotes the reaction.

【０１１３】別の加熱方法としては、ハロゲンランプ等
の光源を用いることができる。この方法によれば、洗浄
すべき面を早く加熱することが可能であり、時間の損失
を少なくできるだけでなく、被処理材が凹凸の激しい複
雑な形状であっても比較的簡単に加熱できる。また、前
記光源を用いて短波長の光即ち紫外線を照射してもよ
い。この場合には、加熱効果だけでなく、有機物の化学
的結合を切断して、更に洗浄能力を向上させる効果も得
られる。As another heating method, a light source such as a halogen lamp can be used. According to this method, it is possible to quickly heat the surface to be cleaned, reduce the loss of time, and relatively easily heat the material to be processed even if it has a complicated shape with large irregularities. Moreover, you may irradiate short wavelength light, ie, ultraviolet rays, using the said light source. In this case, not only the heating effect but also the effect of cutting the chemical bond of the organic substance to further improve the cleaning ability can be obtained.

【０１１４】更に別の補助的な手段としては、ブロー装
置を用いて基板にガス流を噴射する方法がある。これに
より、被処理材表面の有機物を除去しつつ、該有機物に
覆われているまたは接着されている無機物のごみ等を、
前記ガス流で飛ばしてしまうことができる。これは、別
個のブロー装置を設けずに、金属カバー内に供給される
放電用ガスの流量を大きくすることによっても可能であ
る。また、前記ブロー装置によるガス流は、その温度を
調整することによって基板の冷却または加熱する手段と
して使用することも可能である。更に、使用条件によっ
て電極１６に水滴等が付着する恐れがある場合には、図
示していないが適当なヒータを用いて電極１６及び金属
カバー１７の周囲を加熱しても良い。As a further auxiliary means, there is a method of injecting a gas flow onto a substrate using a blower. Thereby, while removing the organic matter on the surface of the material to be treated, the dust of the inorganic matter covered or adhered to the organic matter,
It can be blown off by the gas flow. This can also be achieved by increasing the flow rate of the discharge gas supplied into the metal cover without providing a separate blowing device. The gas flow from the blower can also be used as a means for cooling or heating the substrate by adjusting its temperature. Furthermore, if water drops or the like may adhere to the electrode 16 depending on the use conditions, a suitable heater (not shown) may be used to heat the periphery of the electrode 16 and the metal cover 17.

【０１１５】図８及び図９には、図７の実施例を更に変
形させた表面処理装置の実施例が示されている。細長い
棒状をなす放電発生用電極１６が、金属カバー１７の内
部に絶縁取付具１８によって水平に保持されている。金
属カバー１７は、電極１６に対応する長さの細長い概ね
断面正方形の箱形をなし、その対角線がそれぞれ垂直・
水平をなす向きに配置されると共に、前記正方形の下側
の角部が全長に亘って所定の幅で切除されて下向きに細
長い開口２２が形成され、反応性ガス流を金属カバー１
７内から下方へ噴出できるようになっている。そして、
長手方向に沿って開口２２両側の辺縁部２８が対電極を
構成している。当然ながら、金属カバー１７の開口２２
の幅を相当拡大して電極１６を金属カバー１７の下端か
ら下方に突出させたり、または金属カバー１７自体を取
り外すことによって、電極１６と被処理材との間で直接
放電を発生させることもできる。FIGS. 8 and 9 show an embodiment of a surface treatment apparatus which is a modification of the embodiment of FIG. The discharge-generating electrode 16 in the form of an elongated rod is held horizontally inside the metal cover 17 by an insulating fixture 18. The metal cover 17 is in the shape of a box having a long and narrow square cross-section with a length corresponding to the electrode 16, and the diagonals thereof are vertical.
In addition to being arranged in a horizontal direction, the lower corners of the square are cut along the entire length with a predetermined width to form an elongated opening 22 downward so that the reactive gas flow can pass through the metal cover 1.
It is possible to eject downward from inside 7. And
The edge portions 28 on both sides of the opening 22 form a counter electrode along the longitudinal direction. Of course, the opening 22 of the metal cover 17
It is also possible to cause the electrode 16 to project downward from the lower end of the metal cover 17 by enlarging the width of the metal cover 17 or to remove the metal cover 17 itself to directly generate discharge between the electrode 16 and the material to be treated. .

【０１１６】本実施例では、電極１６に電源１５から電
圧を印加すると、電極１６の全長に亘って金属カバー１
７の対電極部２８との間で気体放電する。放電によって
生成された前記放電用ガスの活性種は、開口２２からそ
の略全長に亘って下向きに反応性ガス流２７となって噴
出される。このとき、上述した表面処理装置と電子部品
６及びリード７とを電極１６の横方向に相対的に移動さ
せることによって、多数の電子部品６及びリード７を同
時に一括して処理することができる。In this embodiment, when a voltage is applied to the electrode 16 from the power source 15, the metal cover 1 extends over the entire length of the electrode 16.
A gas discharge is generated between the No. 7 and the counter electrode unit 28. The active species of the discharge gas generated by the discharge are jetted downward from the opening 22 over almost the entire length thereof as a reactive gas flow 27. At this time, a large number of electronic components 6 and leads 7 can be processed simultaneously by moving the above-mentioned surface treatment apparatus and the electronic components 6 and leads 7 relatively in the lateral direction of the electrode 16.

【０１１７】図１０Ａ及び図１０Ｂには、上述した図８
の電極１６及び金属カバー１７の構造の変形例がそれぞ
れ示されている。いずれの実施例も、放電発生用電極１
６が、断面逆Ｔ字形の内部空腔２９を有する金属カバー
１７内に包まれるように構成されている。そして、金属
カバー１７の底面３０には、多数のガス噴出口３１が幅
方向及び長手方向に開設されている。FIGS. 10A and 10B show the above-mentioned FIG.
Modifications of the structure of the electrode 16 and the metal cover 17 are shown. In any of the examples, the discharge generating electrode 1
6 is configured to be enclosed within a metal cover 17 having an internal cavity 29 with an inverted T-shaped cross section. A large number of gas ejection ports 31 are opened in the width direction and the longitudinal direction on the bottom surface 30 of the metal cover 17.

【０１１８】図１０Ａの実施例では、電極１６が、金属
カバー１７の長手方向に沿って延長する断面Ｉ字形の板
状をなしているので、放電が発生するのは、電極１６と
その直ぐ下側に位置する金属カバー底面３０の中央部分
のみである。従って、中央付近の噴出口３１のみから反
応性ガス流２７が噴出する。これに対して図１０Ｂの実
施例では、電極１６が、金属カバー１７の内部空腔２９
の形状に対応する逆Ｔ字形の断面形状を有する。このた
め、電極１６の幅方向にフランジ状に延出する下端部３
２とそれに対面する金属カバー底面３０との間で、略全
面的に放電が発生する。従って、この場合には、略全て
の噴出口３１から反応性ガス流を噴射することができ
る。このように、放電を発生させる位置、その数、及び
ガス噴出口等は、使用条件や処理材に応じて適当にかつ
任意に変えることができる。また、このような構成にす
ることで、処理面積をより一層大きくして、処理能力を
高くすることが可能である。In the embodiment of FIG. 10A, since the electrode 16 has a plate shape having an I-shaped cross section extending along the longitudinal direction of the metal cover 17, the discharge is generated at the electrode 16 and immediately below it. Only the central portion of the bottom surface 30 of the metal cover located on the side. Therefore, the reactive gas flow 27 is ejected only from the ejection port 31 near the center. On the other hand, in the embodiment of FIG. 10B, the electrode 16 has the inner cavity 29 of the metal cover 17.
Has a reverse T-shaped cross-sectional shape corresponding to the shape of. Therefore, the lower end portion 3 extending like a flange in the width direction of the electrode 16 is formed.
Electric discharge is generated almost entirely between the metal plate 2 and the bottom surface 30 of the metal cover facing the metal plate 2. Therefore, in this case, the reactive gas flow can be injected from almost all the ejection ports 31. As described above, the positions at which the discharge is generated, the number thereof, the gas ejection ports, and the like can be appropriately and arbitrarily changed according to the use conditions and the processing material. Further, with such a configuration, it is possible to further increase the processing area and increase the processing capacity.

【０１１９】図１１は、表面処理を現場で必要に応じて
局所的にするための処理装置３３を概略的に示してい
る。処理装置３３は、必要に応じて作業者が手に持って
作業できるような所謂ガンタイプの構造を有し、その先
端に開口を有する円筒状のノズル３４の内部に、放電発
生部３５が設けられている。放電発生部３５は、その基
本構造が上述した各実施例の表面処理装置と同じであ
り、図示されないガス供給装置及び電源に接続されると
共に、放電により生成される活性種を含む反応性ガス流
が、放電発生部３５の下部から、ノズル３４の先端開口
３６に案内されて、被処理材に向けて噴出する。FIG. 11 schematically shows a processing apparatus 33 for localizing the surface treatment on-site as needed. The processing device 33 has a so-called gun-type structure that an operator can hold in his / her hand when necessary, and a discharge generating section 35 is provided inside a cylindrical nozzle 34 having an opening at its tip. Has been. The discharge generator 35 has the same basic structure as the surface treatment apparatus of each of the above-described embodiments, is connected to a gas supply device and a power source (not shown), and is a reactive gas flow containing active species generated by discharge. From the lower part of the discharge generating part 35 is guided to the tip end opening 36 of the nozzle 34 and is ejected toward the material to be processed.

【０１２０】図１２Ａには、放電発生部３７と反応性ガ
ス流を噴射するノズル部３８とを別個に設け、これらを
フレキシブルチューブ３９で連結した表面処理装置４０
が示されている。放電発生部３７は、図示されない電源
やガス供給装置等を一体に組み込んだ固定式または移動
式の本体４１に内蔵され、そこで発生させた反応性ガス
流が、フレキシブルチューブ３９を介して送給され、ノ
ズル部３８から被処理材に噴出させるようになってい
る。フレキシブルチューブ３９の長さは、活性種を有効
に前記被処理材に到達させることができる点から、最大
で約５ｍ、好ましくは２ｍ程度が望ましい。このように
ノズル部３８を別体にすることによって、作業性が向上
すると共に、装置４０の処理能力を必要に応じて高める
ことができる。In FIG. 12A, a surface treatment device 40 in which a discharge generating part 37 and a nozzle part 38 for injecting a reactive gas flow are separately provided and connected by a flexible tube 39.
It is shown. The discharge generating unit 37 is built in a fixed or movable main body 41 into which a power source, a gas supply device, and the like (not shown) are integrally incorporated, and the reactive gas flow generated there is fed through a flexible tube 39. The material to be processed is ejected from the nozzle portion 38. It is desirable that the flexible tube 39 has a maximum length of about 5 m, preferably about 2 m, in order that active species can effectively reach the material to be treated. By thus forming the nozzle portion 38 as a separate body, workability can be improved and the processing capacity of the device 40 can be increased as necessary.

【０１２１】ノズル部３８は、フレキシブルチューブ３
９の先端に取外可能に装着されている。図１２Ｂには、
このような交換可能なノズル部４２が示されている。図
１２Ａのノズル部３８が、比較的大きな円盤状をなし、
広い面積を一度に処理できるのに対し、図１２Ｂのノズ
ル部４２は、長方形をなし、比較的小さな部分を処理す
るのに適している。このようにノズル部を適当に交換す
ることによって、被処理物や使用条件の変化に容易に対
応することができ、作業上のフレキシビリティが向上す
る。The nozzle portion 38 is the flexible tube 3
It is detachably attached to the tip of 9. In FIG. 12B,
Such a replaceable nozzle portion 42 is shown. The nozzle portion 38 of FIG. 12A has a relatively large disc shape,
While a large area can be processed at one time, the nozzle portion 42 of FIG. 12B has a rectangular shape and is suitable for processing a relatively small portion. By properly exchanging the nozzle portion in this way, it is possible to easily cope with changes in the object to be processed and the use conditions, and the flexibility in operation is improved.

【０１２２】図１３乃至図１５には、それぞれ本発明に
よる放電処理の効果を高めるように水分を付加するため
の具体的な構成が示されている。図１３に示す実施例で
は、ガス供給装置４から表面処理装置４３にガスを供給
するパイプ４４の途中にバイパスを設けて分岐し、前記
ガスの一部を、バルブ４５により調節してタンク４６内
に送り込む。タンク４６内には、水、好適には純水４７
が貯留され、ヒータ４８によって加熱されて水蒸気を発
生させ易くしている。タンク４８内に導入されたガス
は、水蒸気を含んで再びパイプ４４に戻され、ガス供給
装置４から直接送給される前記ガスと混合して表面処理
装置４３に供給される。FIGS. 13 to 15 show specific structures for adding water so as to enhance the effect of the discharge treatment according to the present invention. In the embodiment shown in FIG. 13, a bypass is provided in the middle of a pipe 44 for supplying a gas from the gas supply device 4 to the surface treatment device 43, and a branch is made. Send to. Water, preferably pure water 47, is stored in the tank 46.
Are stored and heated by the heater 48 to facilitate generation of water vapor. The gas introduced into the tank 48 is returned to the pipe 44 containing water vapor again, and is mixed with the gas directly sent from the gas supply device 4 and supplied to the surface treatment device 43.

【０１２３】このように表面処理装置４３に送られるガ
ス中に水分を含ませることによって、被処理材に結露を
生じる虞れが無く、好都合である。また、添加する水分
の量は、バルブ４５の開度及びヒータ４８よりタンク４
８内の水４７の温度を調節することによって調整され
る。By thus containing the water in the gas sent to the surface treatment apparatus 43, there is no risk of dew condensation on the material to be treated, which is convenient. Further, the amount of water to be added depends on the opening degree of the valve 45 and the heater 48.
It is adjusted by adjusting the temperature of the water 47 in 8.

【０１２４】図１４に示す別の実施例では、ガス供給装
置４から前記表面処理装置へ通じるパイプ４４の途中に
霧化器４９を設け、これにタンク４６から水４７を供給
する。これにより、前記処理装置に送られるガスに水分
を付加することができる。この場合、タンク４６内に第
１３図の実施例と同様のヒータを設けて温水を霧化器４
９に供給することにより、水の微粒化を促進することも
できる。また、ガス供給装置４及びパイプ４４とは別個
に送風手段及び管路を設け、霧化器４９により霧化され
た水分を強制的に前記表面処理装置に直接に送給するこ
ともできる。In another embodiment shown in FIG. 14, an atomizer 49 is provided in the middle of a pipe 44 leading from the gas supply device 4 to the surface treatment device, and water 47 is supplied from a tank 46 to the atomizer 49. Thereby, moisture can be added to the gas sent to the processing apparatus. In this case, a heater similar to that of the embodiment of FIG.
It is also possible to accelerate the atomization of water by supplying the water to No. 9. It is also possible to provide a blowing means and a pipe line separately from the gas supply device 4 and the pipe 44 to forcibly feed the water atomized by the atomizer 49 directly to the surface treatment device.

【０１２５】図１５の実施例では、タンク４６内の水４
７をヒータ４８で加熱して水蒸気を発生させ、パイプ５
０によって放電処理が行われる被処理材の表面付近に直
接供給することができる。この場合、比較的温度の低い
被処理材の表面で結露を生じる可能性があるが、結露に
より前記被処理材に好ましくない影響を及ぼす虞れがあ
る場合には、パイプ５０を前記表面処理装置にまたはパ
イプ４４の途中に接続して放電を生じる以前に前記ガス
に添加することもできる。In the embodiment of FIG. 15, the water 4 in the tank 46 is
7 is heated by the heater 48 to generate steam, and the pipe 5
It can be directly supplied to the vicinity of the surface of the material to be treated, which is subjected to the electric discharge treatment. In this case, there is a possibility that dew condensation may occur on the surface of the material to be treated having a relatively low temperature. Alternatively, the gas can be added to the gas before the discharge by connecting to the middle of the pipe 44.

【０１２６】図１６は、テープキャリヤに電子部品を接
続するＩＬＢ（インナリードボンディング）において本
発明により表面処理を行うことができる装置の実施例を
概略的に示している。このＩＬＢ装置５１は、テープキ
ャリア５２を送り出す巻出しリール５３と、ボンディン
グを行うボンディング部５４と、ボンディングを終了し
たテープキャリア５２を収納する巻取りリール５５とか
らなる周知の構成に加えて、ボンディング部５４の手前
にテープキャリア５２を表面処理するための表面処理装
置５６が配設されている。テープキャリア５２は、モー
タ５７により搬送され、複数のガイドローラ５８に案内
されて、巻出しリール５３から表面処理装置５６及びボ
ンディング部５４を通過して巻取りリール５５に送られ
る。ボンディング部５４は、よく知られるように加圧シ
リンダで上下に駆動されるボンディングツール５９を有
し、チップステージ６０上に位置決めされたＩＣチップ
６１に、テープキャリア５２の開孔部に突出するインナ
リード６２を加圧加熱して接続する。FIG. 16 schematically shows an embodiment of an apparatus capable of performing surface treatment according to the present invention in ILB (Inner Lead Bonding) for connecting electronic parts to a tape carrier. The ILB device 51 has a well-known configuration including a take-up reel 53 that sends out a tape carrier 52, a bonding section 54 that performs bonding, and a take-up reel 55 that accommodates the tape carrier 52 that has been bonded, in addition to the known structure. A surface treatment device 56 for surface-treating the tape carrier 52 is arranged in front of the portion 54. The tape carrier 52 is conveyed by a motor 57, guided by a plurality of guide rollers 58, and sent from a take-up reel 53 to a take-up reel 55 through a surface treatment device 56 and a bonding section 54. As is well known, the bonding section 54 has a bonding tool 59 that is vertically driven by a pressure cylinder, and has an IC chip 61 positioned on a chip stage 60 and an inner protrusion projecting into an opening of the tape carrier 52. The lead 62 is pressurized and heated to be connected.

【０１２７】表面処理装置５６は、上述したいずれかの
表面処理装置例えば図１の表面処理装置１と同一の構成
からなり、ガス供給装置４から送られたガスに、電源２
から高周波電圧を印加することによって、大気圧近傍の
圧力下で電極３とテープキャリア５２との間で気体放電
させる。放電により発生した活性種に曝露することによ
って、インナリード６２及びテープキャリア５２の表面
から有機物・無機物の汚れが除去される。これにより、
インナリード６２とＩＣチップ６１との接合性が大幅に
向上する。この場合、別個の表面処理装置を用いてＩＣ
チップ６１の接合面を同様に表面処理しておくと、両者
の接合性が更に向上する。また、前記表面処理により、
同時にインナリード６２及びテープキャリア５２の表面
が改質されてぬれ性が向上する。従って、後工程でこれ
らを樹脂封止する際に、モールド樹脂との密着性が向上
する。これにより、最終的にＴＣＰ（Tape Carrier Pac
kage）の歩留りが向上する。The surface treatment device 56 has the same structure as any one of the above-mentioned surface treatment devices, for example, the surface treatment device 1 of FIG. 1, and supplies the gas sent from the gas supply device 4 with the power supply 2
By applying a high-frequency voltage from above, a gas discharge is generated between the electrode 3 and the tape carrier 52 under a pressure near atmospheric pressure. By exposing to the active species generated by the discharge, organic / inorganic contaminants are removed from the surfaces of the inner leads 62 and the tape carrier 52. This allows
The bondability between the inner lead 62 and the IC chip 61 is significantly improved. In this case, a separate surface treatment device is used to
When the bonding surface of the chip 61 is similarly surface-treated, the bonding property between the two is further improved. Also, by the surface treatment,
At the same time, the surfaces of the inner leads 62 and the tape carrier 52 are modified to improve the wettability. Therefore, when these are resin-sealed in a later step, the adhesion with the mold resin is improved. As a result, finally TCP (Tape Carrier Pac
kage) yield is improved.

【０１２８】また、本発明の表面処理方法は、液晶ディ
スプレイの製造におけるドライ洗浄に用いることができ
る。液晶ディスプレイの製造工程は、図１７に示すよう
に、工程順にパターン基板作製工程、セル作製工程、液
晶モジュールの作製工程に大きく分けられる。先ず、パ
ターン基板作製工程では、透明電極基板を洗浄した後必
要な電極、配線を、周知の真空蒸着法やＣＶＤ法を用い
てパターニングして、パターン基板を形成する。次に、
セル作製工程において、前記パターン基板を洗浄した後
配向膜を形成し、更に洗浄した後液晶セルを形成する。
所定寸法の前記液晶セルに偏光板を貼り付けて、液晶パ
ネルを形成する。検査を通過した前記液晶パネルは、最
後にモジュール作製工程において、駆動用のＩＣチップ
や実装基板を接続し、筐体に組み立てられて、液晶ディ
スプレイが完成する。The surface treatment method of the present invention can be used for dry cleaning in the production of liquid crystal displays. As shown in FIG. 17, the manufacturing process of a liquid crystal display is roughly divided into a pattern substrate manufacturing process, a cell manufacturing process, and a liquid crystal module manufacturing process in the order of processes. First, in the patterned substrate manufacturing process, after cleaning the transparent electrode substrate, necessary electrodes and wirings are patterned by using a well-known vacuum deposition method or CVD method to form a patterned substrate. next,
In the cell manufacturing process, after the patterned substrate is washed, an alignment film is formed, and then further washed to form a liquid crystal cell.
A polarizing plate is attached to the liquid crystal cell having a predetermined size to form a liquid crystal panel. Finally, in the module manufacturing process, the liquid crystal panel that has passed the inspection is connected to a driving IC chip and a mounting substrate and assembled in a housing to complete a liquid crystal display.

【０１２９】本実施例では、パターン基板作製工程中の
洗浄工程、及びセル作製工程中の２回の洗浄工程におい
て、上述した大気圧近傍下のプラズマ放電による表面処
理を基板の全面に対して行う。これにより、基板表面か
ら有機物・無機物の汚れを除去し、後工程のためにぬれ
性を改善することができる。本発明によれば、枚葉処理
による基板の洗浄が可能であるから、特にぬれ性につい
ては、バッチ処理の場合のようにポットライフに注意す
る必要がなく、後のパターニング工程、配向膜形成工程
等のスケジュール、各作業が行われる場所、それらの間
における運搬の問題等を考慮して、最適に生産管理する
ことができる。また、洗浄後の基板はリアルタイムで後
工程に送ることができるので、インライン化を容易に実
現することができる。更に、必要に応じて基板の一部分
のみを選択的に洗浄することもできる。In this embodiment, in the cleaning step in the patterned substrate manufacturing step and the two cleaning steps in the cell manufacturing step, the above-mentioned surface treatment by plasma discharge under atmospheric pressure is performed on the entire surface of the substrate. . This makes it possible to remove organic / inorganic contaminants from the surface of the substrate and improve wettability for a later step. According to the present invention, since it is possible to clean the substrate by the single-wafer processing, it is not necessary to pay attention to the pot life as in the case of the batch processing, especially regarding the wettability, and the subsequent patterning step and alignment film forming step. It is possible to optimally control the production in consideration of the schedule such as the above, the place where each work is performed, and the problem of transportation between them. In addition, since the substrate after cleaning can be sent to a subsequent process in real time, in-line can be easily realized. In addition, only a portion of the substrate can be selectively cleaned if desired.

【０１３０】更に、液晶セル表面に偏光板を貼り付ける
工程の前処理として、同様に本発明による大気圧近傍下
での表面処理を行う。これにより、以前の工程において
液晶セル表面に付着したフラックス、スクライブの残滓
や指紋の汚れ等の有機物、無機物を、簡単に高速度でか
つ低コストで除去することができる。これにより、従来
の人手による汚れ落としの作業が不要となって、手間及
び処理時間を削減することができ、かつ液晶セル表面を
物理的に損傷させることがなく、液晶セルと偏光板との
間に気泡が残って映像不良等の表示欠陥を生じる虞を確
実に解消することができる。Further, as a pretreatment for the step of attaching the polarizing plate to the surface of the liquid crystal cell, the surface treatment under the atmospheric pressure according to the present invention is similarly performed. As a result, it is possible to easily remove the flux, the organic substances and the inorganic substances such as the residues of the scribes and the stains of the fingerprints, which have adhered to the surface of the liquid crystal cell in the previous step, at a high speed and at a low cost. This eliminates the need for the conventional manual work of removing stains, saves labor and processing time, and does not physically damage the liquid crystal cell surface. It is possible to surely eliminate the possibility that air bubbles will remain and the display defect such as a defective image will occur.

【０１３１】最後のモジュール作製工程において、筐体
組立後に最終検査を行い、液晶パネルに実装された半導
体チップに不良品が発見された場合には、これを取り除
いて良品のチップに交換する。例えば、図１８に示す液
晶パネル６３は、所謂ＣＯＧ（chip on glass）方式に
より液晶セル６４のガラス面に複数個の駆動用半導体チ
ップ６５が直接接続されている。本発明によれば、発見
された不良品の半導体チップ６６のみを、例えばその接
合部を加熱することによって取り除く。In the final module manufacturing process, a final inspection is performed after the housing is assembled, and if a defective semiconductor chip is found in the liquid crystal panel, it is removed and replaced with a good chip. For example, in the liquid crystal panel 63 shown in FIG. 18, a plurality of driving semiconductor chips 65 are directly connected to the glass surface of the liquid crystal cell 64 by a so-called COG (chip on glass) method. According to the present invention, only the defective semiconductor chip 66 found is removed, for example by heating its joint.

【０１３２】次に、良品の半導体チップを交換して実装
する前に、その接合領域６７に選択的に、本発明による
大気圧近傍下での放電による活性種を含むガスを曝露し
て表面処理を行う。この場合、表面処理装置６８と液晶
セル６４との間に、図１９に示すように接合領域６７に
対応する開孔６９を有するマスク７０を使用すると、簡
単に他の半導体チップ６５やその接合部に影響を与えな
いようにすることができるので、好都合である。従っ
て、従来の局所的な処理が困難なウェット洗浄や各種ド
ライ洗浄のように全部の半導体チップを取り外す必要が
ない。本願発明者が実験したところ、このようにして表
面処理することによって、接合領域６７から不良品６６
を除去した後に残存する接着剤、ろう材等が、他の部分
に搭載された良品の半導体チップ等に何ら影響を与える
ことなく除去された。同時に、接合領域６７のぬれ性が
改善されて、良品の半導体チップを良好に接続すること
ができた。また、接合部の洗浄において、前記表面処理
だけで指紋に含まれるアルカリ残渣を除去することは困
難であったが、表面処理の前または後に純水洗浄を組み
合わせて行うことによって、完全に清浄化できた。Next, before the non-defective semiconductor chip is replaced and mounted, the bonding region 67 is selectively exposed to a gas containing an active species by discharge according to the present invention near the atmospheric pressure for surface treatment. I do. In this case, if a mask 70 having an opening 69 corresponding to the bonding region 67 is used between the surface treatment device 68 and the liquid crystal cell 64 as shown in FIG. 19, another semiconductor chip 65 and its bonding portion can be easily formed. This is convenient because it can be prevented from affecting. Therefore, it is not necessary to remove all the semiconductor chips unlike the conventional wet cleaning or various dry cleaning, which is difficult to perform local treatment. As a result of an experiment conducted by the inventor of the present application, by performing the surface treatment in this way, the defective product 66 is removed from the bonding region 67.
The adhesive, brazing material, etc. remaining after the removal was removed without affecting the non-defective semiconductor chips mounted on other parts. At the same time, the wettability of the bonding region 67 was improved, and good semiconductor chips could be connected well. Further, in the cleaning of the joint portion, it was difficult to remove the alkaline residue contained in the fingerprints only by the surface treatment, but it is possible to completely clean the surface by combining the cleaning with pure water before or after the surface treatment. did it.

【０１３３】更に、本実施例では、ガンタイプの表面処
理装置６８を用いてインライン化することができ、これ
を半導体チップのボンディング装置と一体化することに
よって、洗浄機付きボンディング装置が得られた。ま
た、本発明は、当然ながら、ＣＯＧ方式以外の方法によ
り液晶セルと実装基板とを接続した液晶パネルについて
同様に適用することができ、また、液晶パネル以外に電
子部品を搭載したプリント基板等の半導体装置の製造に
おいても同様に適用することができる。Furthermore, in this embodiment, the gun type surface treatment device 68 can be used for in-line processing, and by integrating this with a semiconductor chip bonding device, a cleaning device-equipped bonding device was obtained. . Further, the present invention can naturally be similarly applied to a liquid crystal panel in which a liquid crystal cell and a mounting substrate are connected by a method other than the COG method, and a printed circuit board or the like having electronic components mounted thereon other than the liquid crystal panel. The same can be applied to the manufacture of semiconductor devices.

【０１３４】次に他の実施例として、前述の図１６に示
したテープキャリヤに電子部品を接続するＩＬＢ（イン
ナーリードボンディング）工程の後工程へ本願発明を適
用した例を説明する。つまり、テープキャリヤに電子部
品をＩＬＢ工程で接続したＴＣＰ（テープ・キャリヤ・
パッケージ）に対して、ポッティングまたはトランスフ
ァーモールディング等のパッケージをほどこした後に、
このＴＣＰをさらに回路基板へ接続するＯＬＢ（アウタ
ーリードボンデイング）工程の前処理へ、本願発明を適
用することにより、ＯＬＢ工程での濡れ性を向上させた
ものが本実施例である。As another embodiment, an example in which the present invention is applied to a step subsequent to the ILB (inner lead bonding) step for connecting electronic parts to the tape carrier shown in FIG. 16 will be described. In other words, TCP (tape carrier
After applying a package such as potting or transfer molding to the package),
In this embodiment, the wettability in the OLB process is improved by applying the present invention to the pretreatment of the OLB (outer lead bonding) process for connecting the TCP to the circuit board.

【０１３５】ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの
接続は、半田により行われる場合、異方性導電フィルム
により行われる場合等がある。The connection between the TCP lead and the pattern on the circuit board may be made by soldering, anisotropic conductive film, or the like.

【０１３６】半田により行われる場合は、ＴＣＰのリ−
ドのフィンガー部に半田コートを行い、かつ回路基板の
パターンに対しても半田メッキを行う。そしてそれらを
３５０〜４００℃程度で治具により加熱圧着して接合す
る。この加熱圧着前に、前述の本願発明のプラズマ処理
をＴＣＰ及び／または回路基板の半田部分にほどこし、
濡れ性を向上させることが本実施例である。次に、半田
により接続する場合の具体的な説明を行う。If soldering is used, the TCP
Solder coating is applied to the finger portions of the terminals, and solder plating is also applied to the circuit board pattern. Then, they are bonded by thermocompression bonding at a temperature of about 350 to 400 ° C. with a jig. Prior to this thermocompression bonding, the plasma treatment of the present invention described above is applied to the solder portion of the TCP and / or the circuit board,
This example is to improve the wettability. Next, a specific description will be given in the case of connecting with solder.

【０１３７】後述の図２２に示す上電極を持った図２１
に示す装置を用い、高周波電力２００Ｗ、処理ガスとし
てＨｅを流量２０リットル／分とＣＦ４を３００ｃｃ
ｍ、それと水蒸気等の水分が２％のものを用いる。する
と、半田上の自然酸化膜（ＳｎＯ）が、濡れ性向上のた
めに有効な材質（ＳｎＦ２）に以下のように変化する。FIG. 21 with the upper electrode shown in FIG. 22 described later.
High-frequency power of 200 W, He at a flow rate of 20 liter / min, and CF4 of 300 cc as a processing gas.
m, and water having a water content of 2% is used. Then, the natural oxide film (SnO) on the solder changes to a material (SnF2) effective for improving wettability as follows.

【０１３８】 ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ ２ＨＦ ＋ ＳｎＯ → Ｈ２Ｏ ＋ ＳｎＦ２ 次に、ＴＣＰのリードと回路基板のパターンとの接続
が、異方性導電フィルムにより行われる場合の実施例に
ついて述べる。ここで、ＴＣＰのリードもしくは回路基
板のパターンの両方もしくはどちらかに半田が形成され
ていれば上述と同様の処理を行えばよいものである。し
かし、例えばＴＣＰのリ−ドに半田が形成されておら
ず、しかもそのリ−ドが銅からなる場合も、上述と同様
の処理条件で行う。この時、銅上の接合に不都合な自然
酸化膜（ＣｕＯ）が、気体のガス（ＣｕＦ２）に以下の
ように変化し、銅の表面が露出し、濡れ性が向上する。CF4 + 2H2O → CO2 + 4HF 2HF + SnO → H2O + SnF2 Next, an example in which the connection between the TCP lead and the pattern of the circuit board is made by an anisotropic conductive film will be described. Here, if solder is formed on both or one of the TCP leads and / or the circuit board pattern, the same processing as described above may be performed. However, for example, when solder is not formed on the TCP lead and the lead is made of copper, the same processing conditions as described above are used. At this time, the natural oxide film (CuO), which is inconvenient for bonding on copper, is changed to a gas (CuF2) as follows, the surface of copper is exposed, and wettability is improved.

【０１３９】 ＣＦ４ ＋ ２Ｈ２Ｏ → ＣＯ２ ＋ ４ＨＦ ２ＨＦ ＋ ＣｕＯ → Ｈ２Ｏ ＋ ＣｕＦ２ 次に他の実施例として、図２０（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）
及び表４を参照してＴＡＢ（テープ・オートメーテッド
・ボンディング）、つまりＩＣ等の電子部品がＩＬＢ工
程により実装されたキヤリヤテープのＩＣ等の電子部品
に対して、その保護として行うポッティングの前処理に
本願発明を適用した例を説明する。ポッティング膜は、
ＩＣ等の電子部品を外界からの湿度や機械的なダメー
ジ、不純物の汚染、から保護するために設けられるもの
である。従って、このポッティング膜は、その目的を達
成するために、ＩＣ等の電子部品の周りに充分回り込ん
で形成する必要がある。このポッティング膜は、エポキ
シ樹脂等からなる。ポッティング膜を充分回り込ませる
ために、本願発明の処理を適用し、濡れ性を向上させる
のである。CF4 + 2H2O → CO2 + 4HF 2HF + CuO → H2O + CuF2 Next, as another example, FIGS. 20 (A), (B), and (C) are shown.
And referring to Table 4, TAB (Tape Automated Bonding), that is, pretreatment of potting performed as protection for electronic parts such as ICs of carrier tapes in which electronic parts such as ICs are mounted by the ILB process. An example to which the present invention is applied will be described. Potting film
It is provided in order to protect electronic components such as ICs from humidity, mechanical damage, and contamination of impurities from the outside. Therefore, in order to achieve the purpose, this potting film needs to be formed sufficiently around the electronic parts such as ICs. This potting film is made of epoxy resin or the like. The treatment of the present invention is applied to improve the wettability in order to allow the potting film to sufficiently wrap around.

【０１４０】図２０を用いて説明する。図２０におい
て、２０１０はポッティング樹脂を塗布するためのディ
スペンサー、２０１１はディスペンサー２０１０のノズ
ル、２０１２はテープキャリヤ、２０１３はテープキャ
リヤ上に印刷されたリード、２０１４はＩＣチップ、２
０１５はポッティング樹脂である。図２０（Ａ）を下側
からみた図が、図２０（Ｂ）である。図２０（Ａ）及び
（Ｂ）は、ポッティング樹脂２０１５を塗布する前の状
態を示し、図２０（Ｃ）は、ポッティング樹脂２０１５
を塗布した後の状態を示す。図２０（Ｃ）中の”α”
は、テープキャリヤ２０１２のＩＣチップ２０１４が設
けられている側のＩＣチップ２０１４の端部からポッテ
ィング樹脂２０１５の端部までの距離を示しているもの
である。これを、表４中では、回り込み量と表現した。
また、表４中の回り込み量αは、１つのＴＣＰ中での平
均値を表している。Description will be made with reference to FIG. In FIG. 20, 2010 is a dispenser for applying potting resin, 2011 is a nozzle of the dispenser 2010, 2012 is a tape carrier, 2013 is a lead printed on the tape carrier, 2014 is an IC chip, and 2 is a chip.
015 is a potting resin. FIG. 20 (B) is a view of FIG. 20 (A) seen from the lower side. 20A and 20B show a state before applying the potting resin 2015, and FIG. 20C shows the potting resin 2015.
The state after applying is shown. “Α” in FIG. 20 (C)
Shows the distance from the end of the IC chip 2014 on the side of the tape carrier 2012 where the IC chip 2014 is provided to the end of the potting resin 2015. In Table 4, this was expressed as the amount of wraparound.
In addition, the wraparound amount α in Table 4 represents an average value in one TCP.

【０１４１】具体的な処理条件を次に説明する。図２０
（Ａ）よりも前の状態で、図２２に示す上電極を持った
装置で、図２４に示すような状態で、大気圧プラズマ処
理を行う。使用ガスは、４リットル／分の流量のＨｅ
と、２００ｃｃｍのＯ２であり、印加電力は表４に示す
ように、各種値が適当であるが、１５０Ｗが好ましい。
表４中の本発明Ａから本発明Ｄはどれも本実施例であ
り、回り込み量αも、全てよい値を示す。これは、従来
例のプラズマ等、何の処理もほどこさずにポッティング
樹脂を塗布した従来Ａ及び従来Ｂの回り込み量αと比較
すれば明きらかである。従来Ａは、従来の処理のうち最
もよい値を示し、従来Ｂは従来の処理のうち不良品とし
たものの値を示す。Specific processing conditions will be described below. FIG.
In the state before (A), the atmospheric pressure plasma treatment is performed in the state shown in FIG. 24 with the apparatus having the upper electrode shown in FIG. The gas used is He with a flow rate of 4 l / min.
And O2 of 200 ccm, and the applied power has various values as shown in Table 4, but 150 W is preferable.
Invention A to Invention D in Table 4 are all Examples of the present invention, and the wraparound amount α also shows a good value. This is clear when compared with the wraparound amount α of the conventional A and the conventional B in which the potting resin was applied without performing any processing such as plasma of the conventional example. Conventional A shows the best value among the conventional processes, and Conventional B shows the value of the defective products among the conventional processes.

【０１４２】[0142]

【表４】 [Table 4]

【０１４３】さらに他の実施例を図２１から図２５を用
いて次に説明する。この実施例は電極と被処理部材（ワ
ーク）との間で放電及びプラズマの生成を行う電極構造
及びその電極を用いた各種ワークの処理方法に関するも
のであり、前述のＩＬＢ工程の前処理、モールド（樹脂
封止）工程の前処理、ＯＬＢ工程の前処理、ポッティン
グ樹脂の塗布工程の前処理及び液晶パネルに対する処理
等に適用可能なものである。Still another embodiment will be described below with reference to FIGS. 21 to 25. This embodiment relates to an electrode structure for generating discharge and plasma between an electrode and a member to be processed (work) and a method for processing various works using the electrode. It is applicable to the pretreatment of the (resin encapsulation) step, the pretreatment of the OLB step, the pretreatment of the application step of the potting resin, the treatment of the liquid crystal panel, and the like.

【０１４４】また、前述の図１，図３，図４，図５，図
６及び図１６は、処理装置を簡略化して示しているが、
これらの図の処理装置は、図２１から図２４までの処理
装置を用いて処理を行うこととしてもよいものである。Although the processing apparatus is simplified in FIGS. 1, 3, 4, 5, 6 and 16 described above,
The processing devices shown in these figures may perform processing using the processing devices shown in FIGS. 21 to 24.

【０１４５】図２１は、電極とワークとの間で放電する
タイプの電極構造の立体図（一部透視図）である。図２
１において、２１１０は上電極２１１１を処理装置へ接
続するための絶縁体からなるコネクター、２１１１は上
電極、２１１２はガスが通るガス流路、２１１３はアル
ミナまたはセラミックス等からなる絶縁体、２１１４は
被処理体であるワーク、２１１５は下電極、２１１６は
ガスをワーク２１１４へ噴射するためのスリット状の
孔、２１１７はワークの両面を一度に両側から処理する
ためのガスを放出するスリット状の孔である。FIG. 21 is a three-dimensional view (partially see-through view) of an electrode structure of a type that discharges between an electrode and a work. Figure 2
In FIG. 1, 2110 is a connector made of an insulator for connecting the upper electrode 2111 to the processing apparatus, 2111 is an upper electrode, 2112 is a gas passage through which a gas passes, 2113 is an insulator made of alumina or ceramics, etc. The workpiece 2115 is a lower electrode, 2116 is a slit-shaped hole for injecting gas to the workpiece 2114, and 2117 is a slit-shaped hole for discharging gas for treating both sides of the workpiece at once from both sides. is there.

【０１４６】Ｈｅ，Ｏ２，ＣＦ４，水蒸気等の使用ガス
は、上電極２１１１の上側のガス流路２１１２（図では
３箇所）から導入され、ワーク２１１４に対してはスポ
ット状ではなく、スリット状に噴射される。このよう
に、図の３箇所のガス流路２１１２は途中で全てつなが
っている構成とする。これは、ブラズマの発生の均等化
に有効である。The working gas such as He, O2, CF4, water vapor, etc. is introduced from the gas flow path 2112 above the upper electrode 2111 (three places in the figure), and is not in a spot shape for the work 2114 but in a slit shape. Is jetted. In this way, the three gas flow paths 2112 in the figure are all connected midway. This is effective in equalizing the occurrence of plasma.

【０１４７】ワーク２１１４は、ＴＡＢ，ＴＣＰに用い
られるポリイミド等からなるキャリヤテープ、リードフ
レーム、液晶パネル等からなり、ワーク２１１４の導電
体の部分と上電極２１１１、もしくは下電極２１１５と
上電極２１１１との間の空間で放電が起こり、そこでプ
ラズマが生成される。この放電は、正確には、上電極２
１１１の下方向へ凸型となった最下面、つまり、下に薄
く絶縁体２１１３が存在している部分の上電極２１１１
の面と、ワーク２１１４との間または下電極２１１５と
の間で行われる。この放電が起こる空間は、好ましくは
５ｍｍ以下で０ｍｍより大きいことがよい。また、ワー
ク２１１４は、２１１４の符号を引き出している方向へ
移動しながらのプラズマ処理が可能である。The work 2114 is composed of a carrier tape made of polyimide or the like used for TAB and TCP, a lead frame, a liquid crystal panel, etc., and the conductor portion of the work 2114 and the upper electrode 2111, or the lower electrode 2115 and the upper electrode 2111. A discharge occurs in the space between and a plasma is generated there. To be exact, this discharge is the upper electrode 2
111, the uppermost electrode 2111 that is the lowermost surface that is convex downward, that is, the portion where the insulator 2113 is thinly present below
Surface and the work 2114 or the lower electrode 2115. The space in which this discharge occurs is preferably 5 mm or less and greater than 0 mm. Further, the work 2114 can be subjected to plasma treatment while moving in the direction in which the reference numeral 2114 is pulled out.

【０１４８】下電極２１１５に設けられたスリット状の
孔２１１７も使用して、ワーク２１１４の裏面も表面と
同時にプラズマ処理を行う場合は、ワーク２１１４を図
示しない機構により、上電極２１１１と下電極２１１５
とに接しないように、それらの間に浮かせることが必要
である。ワーク２１１４の裏面の処理が必要なく、表面
の処理だけであれは、ワーク２１１４は、下電極２１１
５に接していてもよい。When the slit-shaped hole 2117 provided in the lower electrode 2115 is also used to perform the plasma treatment on the back surface of the work 2114 at the same time as the front surface, the work 2114 is processed by a mechanism (not shown) to the upper electrode 2111 and the lower electrode 2115.
It is necessary to float between them so as not to touch them. As long as the back surface of the work 2114 does not need to be processed and only the front surface of the work 2114 is processed, the work 2114 includes the lower electrode 211.
May be in contact with 5.

【０１４９】上電極２１１１の下面及び側面に形成され
た絶縁体２１１３は、厚さ０．５ｍｍ程度のアルミナま
たはセラミックス等からなり、上電極２１１１の放電に
寄与する部分と、ワーク２１１４との間もしくは下電極
２１１５との間で発生するアーク放電等の異常放電を防
止するために必要なものであり、本実施例の特徴の１つ
である。このアーク放電等の異常放電が発生すると、ワ
ークにＩＣチップ等の部品が搭載されている場合に、Ｉ
Ｃチップを破壊してしまうことになる。The insulator 2113 formed on the lower surface and the side surface of the upper electrode 2111 is made of alumina or ceramics having a thickness of about 0.5 mm and is provided between the work 2114 and the portion of the upper electrode 2111 that contributes to the discharge. It is necessary to prevent abnormal discharge such as arc discharge generated between the lower electrode 2115 and the lower electrode 2115, and is one of the features of this embodiment. When abnormal discharge such as arc discharge occurs, I
It will destroy the C chip.

【０１５０】この図２１は、上電極２１１１を図２２の
ものに変更したり、ガス流路２１１２を図２２及び図２
３のものに変更したり、または、下電極２１１５を図２
４または図２５のものに変更したりすることが可能であ
る。また、図２１から図２５の各構成部分は、各々どの
ような組み合わせでも可能である。In FIG. 21, the upper electrode 2111 is changed to that of FIG. 22, and the gas flow path 2112 is changed to that of FIG. 22 and FIG.
3 or change the lower electrode 2115 to FIG.
4 or that of FIG. 25 can be changed. Further, the respective constituent portions of FIGS. 21 to 25 can be combined in any combination.

【０１５１】次に上電極の他の構成を図２２及び図２３
を参照して説明する。この実施例は、少ない使用ガス量
で、均一で、かつ処理の際に正常なプラズマの発生を起
こさせるために有効なものである。図２２は、図２１の
ような処理装置の幅の狭い方向の上電極の断面図であ
る。Next, another structure of the upper electrode will be described with reference to FIGS.
Will be described with reference to. This embodiment is effective for causing a uniform and uniform plasma generation during processing with a small amount of gas used. FIG. 22 is a cross-sectional view of the upper electrode in the narrow width direction of the processing apparatus as shown in FIG.

【０１５２】図２２は、上電極の構造を示すものであ
り、２２１０は上電極２２１１を処理装置へ接続するた
めの絶縁体からなるコネクター、２２１１は上電極、２
２１２はガス流路、２２１３は必要に応じて上電極２２
１１を冷却するための冷却水路、２２１４は多孔質のア
ルミナまたはセラミックス等の絶縁物からなる多孔質
材、２２１５はアルミナまたはセラミックス等からなる
絶縁体、２２１６は空間、２２１７はガスを噴射するス
リット状の孔である。FIG. 22 shows the structure of the upper electrode. 2210 is a connector made of an insulator for connecting the upper electrode 2211 to the processing apparatus, 2211 is the upper electrode,
212 is a gas flow path, and 2213 is an upper electrode 22 as necessary.
A cooling water channel for cooling 11 is a porous material made of an insulating material such as porous alumina or ceramics, 2215 is an insulating material made of alumina or ceramics, 2216 is a space, and 2217 is a slit shape for injecting gas. It is a hole.

【０１５３】図２２のガス流路２２１２下に存在する多
孔質材２２１４は、ガス流路２２１２の金属部分と、図
示しないワークもしくは下電極との間のアーク放電等の
異常放電を防止するために設けたものである。The porous material 2214 existing below the gas flow path 2212 in FIG. 22 is for preventing abnormal discharge such as arc discharge between the metal portion of the gas flow path 2212 and a work (not shown) or the lower electrode. It is provided.

【０１５４】また、図２２の絶縁体２２１５は、図２１
の絶縁体２１１３と同様の役割を有するものである。つ
まり、空間２２１６とスリット状の孔２２１７とに挟ま
れている上電極２２１１の下面（金属）、つまり放電部
分と、図示しない下電極との間で発生するアーク放電等
の異常放電を防止するために、絶縁体２２１５を設けて
いる。これにより、ワークの破壊が発生しない。このと
き、上電極２２１１の放電部分下に存在する絶縁体２２
１５の厚さは、０．５ｍｍ程度である。In addition, the insulator 2215 of FIG.
And has a role similar to that of the insulator 2113. That is, in order to prevent abnormal discharge such as arc discharge that occurs between the lower electrode (not shown) and the lower surface (metal) of the upper electrode 2211 sandwiched between the space 2216 and the slit-shaped hole 2217, that is, the lower electrode (not shown). Further, an insulator 2215 is provided. As a result, the work is not destroyed. At this time, the insulator 22 existing under the discharge portion of the upper electrode 2211
The thickness of 15 is about 0.5 mm.

【０１５５】さらに、この図２２の絶縁体２２１５は、
下側を大きく左右に張りだしたウイング形状とした。こ
のウイング形状により、スリット状の孔２２１７から放
出されたガスを放電空間に閉じこめ易くできる。このウ
イング形状の絶縁体２２１５も本実施例の特徴の１つで
ある。ガスを放電空間に閉じこめ易いということは、同
じプラズマ処理を行うにあたって、ウイング形状がある
場合のほうが、無い場合に比較して、より使用ガスの消
費量が少なくて済むということを意味する。例えば、図
２１のような絶縁体２１１３を有する装置の場合は、放
電に必要なＨｅガスが２０リットル／分であるのにたい
して、図２２のようなウイング形状の絶縁体２２１５を
有する装置の場合は、放電に必要なＨｅガスが３リット
ル／分でよい。この絶縁体２２１５のウイング形状は、
必要に応じて左右への張りだし量を調整可能とする。ま
た、ウイング形状の絶縁体２２１５を有する装置では、
ワークを大気圧中のプラズマによりエッチングする際
に、エッチングした物質のワークへの再度の付着を防止
することができる。Further, the insulator 2215 shown in FIG.
The wing shape is such that the lower side is greatly extended to the left and right. With this wing shape, the gas discharged from the slit-shaped hole 2217 can be easily trapped in the discharge space. This wing-shaped insulator 2215 is also one of the features of this embodiment. The fact that the gas is easily confined in the discharge space means that when the same plasma treatment is performed, the consumption amount of the used gas is smaller when the wing shape is provided than when the wing shape is not provided. For example, in the case of the device having the insulator 2113 as shown in FIG. 21, the He gas required for discharge is 20 liters / minute, whereas in the device having the wing-shaped insulator 2215 as shown in FIG. The He gas required for discharge may be 3 l / min. The wing shape of this insulator 2215 is
The amount of protrusion to the left and right can be adjusted as required. Further, in a device having a wing-shaped insulator 2215,
It is possible to prevent re-adhesion of the etched substance to the work when the work is etched by plasma under atmospheric pressure.

【０１５６】次に図２２の空間２２１６について説明す
る。プラズマの発生に寄与する放電は、空間２２１６と
スリット状の孔２２１７とに挟まれている上電極２２１
１の下面（金属）、つまり放電部分と、図示しないワー
クまたは下電極との間で行われる。この際、放電面積を
広げるために、空間２２１６へ追加の金属を上電極２２
１１に接続する形で形成すればよい。従って、空間２２
１６は、放電面積を増減させるためのものである。Next, the space 2216 of FIG. 22 will be described. The discharge that contributes to the generation of plasma is generated by the upper electrode 221 sandwiched between the space 2216 and the slit-shaped hole 2217.
1 between the lower surface (metal), that is, the discharge part and a work (not shown) or the lower electrode. At this time, in order to increase the discharge area, additional metal is added to the space 2216 to form the upper electrode 22.
It may be formed so as to be connected to 11. Therefore, the space 22
16 is for increasing or decreasing the discharge area.

【０１５７】図２２のガス流路２２１２が、その途中で
曲がっているが、これは本実施例の特徴の１つである。The gas flow path 2212 in FIG. 22 is bent in the middle thereof, which is one of the features of this embodiment.

【０１５８】図２１のガス流路２１１２は直線であっ
た。図２１のようにガス流路２１１２が全体として直線
的な形状であると、スポット状に導入されたガスが下の
スリット状の孔２１１６から放出される際に、ガス濃度
にばらつきが生じ、プラズマの不均一化につながること
があった。つまり、ガス流路下に位置するスリット状の
孔の部分から、他のスリット状の孔の部分よりも多くガ
スが噴出し易いのである。プラズマの不均一化は、処理
の不均一化となり、信頼性上問題である。The gas flow path 2112 of FIG. 21 was a straight line. When the gas flow path 2112 has a linear shape as a whole as shown in FIG. 21, when the gas introduced in the spot shape is discharged from the lower slit-shaped hole 2116, the gas concentration varies, and plasma is generated. Could lead to non-uniformity. That is, more gas is likely to be ejected from the slit-shaped hole portion located under the gas flow path than from the other slit-shaped hole portions. Non-uniformity of plasma causes non-uniformity of processing, which is a problem in reliability.

【０１５９】そこで、図２１のガス流路２１１２を改良
したものが、図２２のガス流路２２１２である。図２３
も参照しながら、図２２のガス流路２２１２について説
明する。Therefore, a gas flow path 2212 shown in FIG. 22 is obtained by improving the gas flow path 2112 shown in FIG. FIG. 23
The gas flow path 2212 of FIG. 22 will be described with reference to FIG.

【０１６０】図２３は、図２２のガス流路２２１２のみ
を、立体的に取り出して記載したものである。図２３に
おいて、２３１０はスポット状のガス導入口、２３１１
はスリット状のガス放出口である。図２３では、ガス導
入口２３１０を省略して２箇所しか記載していないが、
実際のガス導入口は、図２１のように３箇所か、もしく
は４箇所程度が適当である。また、図２３には、図２２
に記載された多孔質のアルミナまたはセラミックス等の
絶縁物からなる多孔質材２２１４も省略して図示してい
ないが、実際には、多孔質材を図２３のスリット状のガ
ス放出口に沿って形成するものである。FIG. 23 shows the gas flow path 2212 of FIG. 22 only in three dimensions. In FIG. 23, 2310 is a spot-shaped gas introduction port, 2311
Is a slit-shaped gas discharge port. In FIG. 23, the gas inlet port 2310 is omitted and only two positions are shown.
It is appropriate that the actual gas inlets are provided at three locations or four locations as shown in FIG. In addition, in FIG.
Although the porous material 2214 made of an insulating material such as porous alumina or ceramics described in 1 is omitted and not shown, in reality, the porous material is provided along the slit-shaped gas discharge port of FIG. To form.

【０１６１】図２３のように、図２２のガス流路２２１
２を構成することにより、次のような効果がある。つま
り、ガス導入口２３１０から導入されたガスが、スリッ
ト状のガス放出口２３１１から放出されるまでに、充分
濃度的に均等化されるため、ワークに対して均等なプラ
ズマ処理が行える。As shown in FIG. 23, the gas flow channel 221 of FIG.
By configuring No. 2, the following effects are obtained. That is, the gas introduced from the gas introduction port 2310 is sufficiently equalized in concentration by the time it is released from the slit-shaped gas release port 2311, so that uniform plasma processing can be performed on the work.

【０１６２】次に図２４及び図２５を参照して、他の実
施例としてＴＣＰ及びリードフレームのプラズマ処理に
ついて説明する。Next, with reference to FIGS. 24 and 25, plasma processing of TCP and lead frame will be described as another embodiment.

【０１６３】まず、図２４を参照して、他の実施例を説
明する。図２４は、図２１のような処理装置の長手方向
の断面図である。First, another embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 24 is a longitudinal sectional view of the processing apparatus as shown in FIG.

【０１６４】図２４は、テープ状のＴＣＰが図の紙面に
対して垂直方向に移動しながらプラズマ処理を行うもの
である。また、ＴＣＰのＩＣチップをポッティングまた
はトランスファモールディングする前の大気圧プラズマ
処理を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の
条件は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるも
のがそのまま利用できる。例えば、上電極２４１０と下
電極２４１１に印加する高周波の周波数は、１３．５６
ＭＨｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒であ
る。In FIG. 24, a tape-like TCP performs plasma processing while moving in the direction perpendicular to the plane of the drawing. Further, it is an example showing the atmospheric pressure plasma treatment before potting or transfer molding of the TCP IC chip. Further, as the conditions of the plasma treatment, those detailed above as shown in Tables 1 and 2 can be used as they are. For example, the frequency of the high frequency applied to the upper electrode 2410 and the lower electrode 2411 is 13.56.
MHz, the gas used is He + O2, and the processing time is 5 seconds.

【０１６５】図２４は、図２１または図２２に比較して
各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上
電極については図２１及び図２２の構成を適用するもの
である。図２４において、２４１０は上電極、２４１１
は下電極、２４１２はＴＣＰのテープキャリヤ、２４１
３はＩＣチップ、２４１４はリード、２４１５は下電極
２４１１に設けられた凹部、２４１６は上電極２４１０
の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止
するための絶縁体である。In FIG. 24, the configuration of each part is omitted as compared with FIG. 21 or FIG. 22, but in practice, the configuration of FIG. 21 and FIG. 22 is applied especially to the upper electrode. . In FIG. 24, 2410 is an upper electrode, and 2411.
Is a lower electrode, 2412 is a TCP tape carrier, 241
3 is an IC chip, 2414 is a lead, 2415 is a recess provided in the lower electrode 2411, and 2416 is an upper electrode 2410.
Is an insulator provided on the side of the discharge part for preventing abnormal discharge such as arc discharge.

【０１６６】また、図２４中の凹部２４１５は、プラズ
マをＴＣＰの上電極からみて反対側（ＩＣチップが存在
しない側）へ回り込ませて、テープキャリヤの両側、リ
ード及びＩＣチップの表面のプラズマによる改質を充分
に行うためと、後述のように放電の集中を防止するため
に必要なものであり、本実施例の特徴の一つである。Further, the recess 2415 in FIG. 24 causes the plasma to wrap around to the opposite side (the side where the IC chip does not exist) when viewed from the upper electrode of the TCP, and is caused by the plasma on both sides of the tape carrier, the lead and the surface of the IC chip. This is one of the features of this embodiment, which is necessary for sufficient reforming and for preventing discharge concentration as described later.

【０１６７】図２４において、上電極２４１０の横幅は
８０ｍｍ程度であり、凹部２４１５の幅”ハ”は３０ｍ
ｍ程度であり、ＴＣＰの幅”ニ”は３５ｍｍ程度であ
り、凹部２４１５の深さ”イ”は３ｍｍ程度であり、Ｔ
ＣＰの厚さ”ロ”は１ｍｍ程度であり、上電極２４１０
の下面から、凹部２４１５の底部までの距離”ホ”は５
ｍｍ程度以下である。In FIG. 24, the horizontal width of the upper electrode 2410 is about 80 mm, and the width “c” of the recess 2415 is 30 m.
The TCP has a width "d" of about 35 mm and a recess 2415 has a depth "a" of about 3 mm.
The thickness “b” of CP is about 1 mm, and the upper electrode 2410
The distance "e" from the bottom surface of the to the bottom of the recess 2415 is 5
It is about mm or less.

【０１６８】前述したように、放電間間隔としては、最
大でも５ｍｍ程度であり、本実施例の場合は、その放電
間間隔は”ホ”となる。なぜならば、ＴＣＰは、主体的
にはポリイミド等の絶縁体のテープに、銅等の導電体の
リ−ドを印刷したものである。その導電体のリ−ド２４
１４が多く存在している部分では、上電極２４１０とＴ
ＣＰのリード２４１４との間で放電が生ずるが、リ−ド
２４１４がほとんど存在しない部分では、上電極２４１
０と下電極２４１５の凹部２４１５の底部との間で放電
することとなる。このとき、凹部２４１５の深さを４ｍ
ｍ程度以上に深くしてしまうと、上電極２４１０と凹部
２４１５との間が５ｍｍを越えた距離となり、これらの
間では有効に放電しなくなり、上電極と凹部２４１５以
外の下電極２４１１との間でしか放電が起こらなくな
る。すると、下側の放電面積縮小による放電の集中が発
生する。この放電の集中により、多くのパワーが狭い範
囲に集中するため、ＴＣＰ上のリードの断線が生じ、Ｔ
ＣＰの破壊につながってしまう。そのため、ＴＣＰのプ
ラズマ処理の場合は、凹部２４１５の深さ”イ”がポイ
ントとなり、その値は前述のように３ｍｍ程度が適当で
ある。As described above, the interval between discharges is about 5 mm at maximum, and in the case of this embodiment, the interval between discharges is "e". This is because the TCP is mainly an insulating tape of polyimide or the like on which a lead of a conductor such as copper is printed. The conductor lead 24
In the part where many 14 are present, the upper electrode 2410 and T
Electric discharge is generated between the CP lead 2414 and the upper electrode 241 in the portion where the lead 2414 is scarcely present.
0 and the bottom of the recess 2415 of the lower electrode 2415 are discharged. At this time, the depth of the recess 2415 is set to 4 m.
If the depth is increased to about m or more, the distance between the upper electrode 2410 and the recessed portion 2415 exceeds 5 mm, and discharge is not effectively performed between them, and the distance between the upper electrode and the lower electrode 2411 other than the recessed portion 2415 is reduced. Discharge only occurs. Then, discharge is concentrated due to the reduction of the discharge area on the lower side. Due to the concentration of this discharge, a large amount of power is concentrated in a narrow range, which leads to disconnection of the leads on the TCP and T
It leads to destruction of CP. Therefore, in the case of the plasma processing of TCP, the depth "a" of the concave portion 2415 is a key point, and the value is preferably about 3 mm as described above.

【０１６９】次に、図２５を参照して、他の実施例を説
明する。図２５（Ａ）は、図２１のような処理装置の幅
の狭い方向の断面図であり、図２５（Ｂ）は、図２１の
ような処理装置の長手方向の断面図である。Next, another embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 25 (A) is a cross-sectional view of the processing apparatus as shown in FIG. 21 in the narrow direction, and FIG. 25 (B) is a cross-sectional view of the processing apparatus as shown in FIG. 21 in the longitudinal direction.

【０１７０】図２５は、ＩＣチップが３つ搭載されたリ
ードフレームを下電極上に載置してプラズマ処理を行う
ものである。また、リードフレーム上のＩＣチップをト
ランスファモールディングする前の大気圧プラズマ処理
を示す実施例である。さらに、そのプラズマ処理の条件
は、表１及び表２のように先に詳細に示してあるものが
そのまま利用できる。例えば、上電極２５１０と下電極
２５１５に印加する高周波の周波数は、１３．５６ＭＨ
ｚ、使用ガスはＨｅ＋Ｏ２、処理時間は５秒である。FIG. 25 shows a case where a lead frame having three IC chips mounted thereon is placed on the lower electrode for plasma processing. Further, it is an example showing an atmospheric pressure plasma treatment before the transfer molding of the IC chip on the lead frame. Further, as the conditions of the plasma treatment, those detailed above as shown in Tables 1 and 2 can be used as they are. For example, the frequency of the high frequency applied to the upper electrode 2510 and the lower electrode 2515 is 13.56 MH.
z, the used gas is He + O2, and the processing time is 5 seconds.

【０１７１】図２５は、図２１または図２２に比較して
各部の構成を省略して示しているが、実際には、特に上
電極については図２１及び図２２の構成を適用するもの
である。図２５において、２５１０は上電極、２５１１
はガス流路であり、前述の図２２のガス流路２２１２と
同様に、ガスを均等化してスリット状のガス放出口から
放出する機能を有している、２５１２は上電極２５１０
の放電部側に設けられたアーク放電等の異常放電を防止
するための絶縁体、２５１３はリードフレーム、２５１
４はＩＣチップ、２５１５は下電極、２５１６は下電極
２５１５に設けられた凹部である。FIG. 25 omits the configuration of each part as compared with FIG. 21 or 22, but in practice, the configuration of FIGS. 21 and 22 is applied especially to the upper electrode. . In FIG. 25, 2510 is an upper electrode, 2511
Reference numeral 2512 denotes a gas flow path, which has a function of equalizing and discharging gas from a slit-shaped gas discharge port, like the gas flow path 2212 of FIG.
An insulator provided on the side of the discharge part for preventing abnormal discharge such as arc discharge, 2513 is a lead frame, 251
4 is an IC chip, 2515 is a lower electrode, and 2516 is a recess provided in the lower electrode 2515.

【０１７２】また、図２５中の凹部２５１６は、プラズ
マをリードフレーム２５１３の上電極からみて反対側
（ＩＣチップ２５１４が存在する側）へ回り込ませて、
リードフレームの両側及びＩＣチップの表面のプラズマ
による改質を充分に行うために必要なものであり、本実
施例の特徴の一つである。しかし、凹部２５１６につい
て、本実施例と図２４の実施例との異なる部分は、図２
４は放電の集中の防止を考慮して、凹部の深さを決めて
いたのに対して、本実施例は放電の集中を考慮する必要
が無いことである。なぜならば、本実施例のワークはリ
ードフレーム２５１３であり、リードフレーム２５１３
は金属である。そのため、リードフレーム２５１３は、
ＴＣＰのテープキャリヤのように部分的に導電リードが
多く存在していたり、いなかったりということはなく、
常に導電体である金属のリードフレーム２５１３が、上
電極２５１０と対向した場所に存在する。したがって、
本実施例は放電の集中が起こり得ない構造である。Further, the recess 2516 in FIG. 25 allows the plasma to wrap around to the opposite side (the side where the IC chip 2514 exists) from the upper electrode of the lead frame 2513,
This is one of the features of this embodiment, which is necessary for sufficiently modifying the both sides of the lead frame and the surface of the IC chip with plasma. However, in the recess 2516, the difference between this embodiment and the embodiment of FIG.
In No. 4, the depth of the recess is determined in consideration of prevention of discharge concentration, but in the present embodiment, it is not necessary to consider discharge concentration. This is because the work of this embodiment is the lead frame 2513, and the lead frame 2513
Is a metal. Therefore, the lead frame 2513 is
It does not mean that there are many conductive leads in some parts like the tape carrier of TCP, or not.
A metal lead frame 2513, which is always a conductor, exists at a position facing the upper electrode 2510. Therefore,
The present embodiment has a structure in which discharge concentration cannot occur.

【０１７３】図２５において、凹部２５１６の深さ”
ヘ”は５ｍｍ程度であり、上電極２５１０の下面から、
リードフレーム２５１３の上面までの距離”ト”は５ｍ
ｍ程度以下である。この”ト”の距離は、先に何回か説
明しているように、放電に必要な導電部材間の距離は、
最大５ｍｍ程度であることに起因している。もし、放電
させるための導電部材間の距離が５ｍｍを越えると、有
効な放電が起きなくなる。５ｍｍを越えても放電をさせ
ようとすると、過剰なガス量、過剰な高周波電力等が必
要となり、製造処理上好ましくない。In FIG. 25, the depth of the recess 2516 "
F ”is about 5 mm, and from the lower surface of the upper electrode 2510,
The distance "g" to the upper surface of the lead frame 2513 is 5 m
It is about m or less. This “g” distance is, as explained several times above, the distance between conductive members required for discharge
This is due to the maximum size of about 5 mm. If the distance between the conductive members for discharging exceeds 5 mm, effective discharging will not occur. If the discharge is attempted to exceed 5 mm, an excessive amount of gas, an excessive high frequency power, etc. are required, which is not preferable in the manufacturing process.

【０１７４】次に、異常放電の防止と、単位面積当たり
の高周波電力について考察する。Next, the prevention of abnormal discharge and the high frequency power per unit area will be considered.

【０１７５】まず、異常放電の防止について述べる。First, the prevention of abnormal discharge will be described.

【０１７６】図２２の形状の上電極を、図２１の処理装
置へ適用する場合に、異常放電を防止するための電極構
造と印加高周波電力との関係について、説明する。When the upper electrode having the shape shown in FIG. 22 is applied to the processing apparatus shown in FIG. 21, the relationship between the electrode structure for preventing abnormal discharge and the applied high frequency power will be described.

【０１７７】”Ｘ”をワーク外の放電部分の電極の長さ
（ｍｍ）とし、”Ｙ”を高周波電力（Ｗ）とすると、次
の関係式（式１）が成立する。When "X" is the length (mm) of the electrode in the discharge portion outside the work and "Y" is the high frequency power (W), the following relational expression (Equation 1) is established.

【０１７８】Ｘ ≧ ０．０９Ｙ ・・・（式１） ここで、このワーク外の放電部分の電極の長さ”Ｘ”と
は、例えば上電極と下電極とが重なった部分の、図２１
の処理装置の長手方向の上電極の長さのうち、ワークが
その下に存在しない部分の長さ（上電極の両側の長さの
和）を示す。X ≧ 0.09Y (Equation 1) Here, the electrode length “X” of the discharge portion outside the work is, for example, the portion where the upper electrode and the lower electrode overlap, as shown in FIG.
Among the lengths of the upper electrode in the longitudinal direction of the processing apparatus, the length of the portion where the work does not exist below (the sum of the lengths on both sides of the upper electrode) is shown.

【０１７９】この式１を満たすように、”Ｘ”及び”
Ｙ”を適切に設定すれば、異常放電が生じないことが、
本願発明者の実験により明きらかとなった。"X" and "
If Y ”is set appropriately, abnormal discharge will not occur.
It became clear by the experiment of the inventor of the present application.

【０１８０】次に、単位面積当たりの印加高周波電力に
ついて考察する。Next, the applied high frequency power per unit area will be considered.

【０１８１】本願発明者による実験の結果、次の値が好
ましいことがわかった。As a result of experiments conducted by the inventors of the present application, the following values were found to be preferable.

【０１８２】０．３〜１００Ｗ／ｃｍ２ このとき、高周波電力、つまりパワーを上げると、処理
時間が短くなるものである。また、Ｈｅをべースとした
使用ガス中に、混合する他のガス（”Ｚ”）の割合［Ｚ
／（Ｚ＋Ｈｅ）＊１００］は、０〜３０％が好ましく、
さらに好ましくは０〜１０％であることも実験により明
きらかとなった。Ｈｅ１００％の時と、Ｈｅに５％の酸
素（Ｏ２）を混ぜた時とで、放電を生じ、かつ異常放電
を生じさせない、上述の単位面積当たりの印加高周波電
力の値は次の通りである。0.3 to 100 W / cm 2 At this time, if the high frequency power, that is, the power is increased, the processing time is shortened. In addition, the ratio of other gas (“Z”) to be mixed in the used gas based on He [Z
/ (Z + He) * 100] is preferably 0 to 30%,
It was also clarified by experiments that the content was more preferably 0 to 10%. The value of the above-mentioned applied high frequency power per unit area that causes discharge and does not cause abnormal discharge when He is 100% and when He is mixed with 5% oxygen (O2) is as follows. .

【０１８３】 Ｈｅ：１００％ ・・・ ０．３〜２０Ｗ／ｃｍ２ ５％Ｏ２＋Ｈｅ ・・・ ５〜８０Ｗ／ｃｍ2 このように、ヘリウムガスが多いほど、小さなパワーで
放電が可能となり、酸素等の他のガスを混合するほど、
大きなパワーを印加できる。He: 100% ・ ・ ・ 0.3 to 20 W / cm 2 5% O 2 + He ・ ・ ・ 5 to 80 W / cm 2 As described above, the more helium gas, the smaller the power that can be discharged, and the oxygen and the like. The more you mix other gases,
Large power can be applied.

【０１８４】最後に、使用ガスについて追加の説明を行
う。Finally, an additional explanation will be given on the used gas.

【０１８５】大気圧中でプラズマを発生させるための放
電にタイプとして、大きく分けて２つのタイプが存在す
る。つまり、１つ目は、図１，図３，図４，図５，図
６，図１６や、図２１から図２５で説明したように、電
極と被処理部材（ワーク）との間で放電及びプラズマの
生成を行うタイプであり、２つ目は、図７，図８，図
９，図１０，図１１及び図１２で説明したように２つの
電極間で放電及びプラズマの生成を行い、そこで生成さ
れたプラズマを別の場所に置かれた被処理部材へ向けて
放出するタイプである。前者は、放電発生の場所と被処
理部材に対するプラズマ処理の場所が同じであり、ここ
でこれを直接放電タイプと表現する。また、後者は放電
発生の場所と被処理部材に対するプラズマ処理の場所が
異なり、ここでこれを間接放電タイプと表現する。There are roughly two types of discharges for generating plasma under atmospheric pressure. That is, the first is, as described in FIGS. 1, 3, 4, 5, 5, 6 and 16 and FIGS. 21 to 25, the discharge between the electrode and the member to be processed (work). And the type of performing plasma generation. The second is performing discharge and plasma generation between the two electrodes as described with reference to FIGS. 7, 8, 9, 10, 11 and 12. It is a type that discharges the plasma generated there toward a member to be processed placed in another place. In the former case, the place where the discharge is generated and the place where the plasma treatment is performed on the member to be treated are referred to as a direct discharge type. Further, the latter is different in the location of discharge generation and the location of plasma treatment on the member to be treated, and this is referred to as an indirect discharge type here.

【０１８６】直接放電タイプは、間接放電タイプに比較
して使用ガス量が少なくて済む。直接放電タイプの放電
の種類は、グロー放電であり、間接放電タイプのそれ
は、コロナ放電である。前述の各実施例で各種の使用ガ
スについて説明したが、実際には、各放電タイプにとっ
てより好ましい使用ガスが存在する。この好ましい使用
ガスについて説明する。The direct discharge type requires less gas than the indirect discharge type. The type of discharge of the direct discharge type is glow discharge, and that of the indirect discharge type is corona discharge. Although various working gases have been described in the above embodiments, there are actually more preferred working gases for each discharge type. This preferable used gas will be described.

【０１８７】ガスのコストは、圧縮空気が一番安い、こ
れは大気中の空気を単に圧縮して使用するだけなので当
然である。また、放電に有効なＨｅは、コストがかかっ
ている。また、窒素は、大気中から窒素のみを取り出し
て使用するため、比較的安く生成できる。したがって、
ヘリウム（Ｈｅ）のみ及びヘリウムをベ−スとするガ
ス、例えばＨｅ＋Ｏ２、Ｈｅ＋ＣＦ４等は、直接放電タ
イプに使用する方が好ましい。また、圧縮空気、窒素、
窒素と酸素の混合等は、間接放電タイプに使用する方が
好ましい。また、どちらのタイプとも窒素＋ＣＦ４は、
酸化させずにエッチングする場合に有効である。As for the cost of gas, compressed air is the cheapest, which is natural because the air in the atmosphere is simply compressed and used. In addition, He, which is effective for discharging, is costly. In addition, nitrogen can be generated relatively inexpensively because only nitrogen is extracted from the atmosphere and used. Therefore,
Only helium (He) or a gas containing helium as a base, such as He + O2 or He + CF4, is preferably used for the direct discharge type. Also, compressed air, nitrogen,
A mixture of nitrogen and oxygen is preferably used for the indirect discharge type. In addition, both types of nitrogen + CF4,
This is effective when etching is performed without oxidation.

【０１８８】さらに、金属メッシュは、間接放電タイプ
に使用する方が有効である。Furthermore, the metal mesh is more effective when used for the indirect discharge type.

【０１８９】以上、本発明の好適な実施例について詳細
に説明したが、本発明は、その技術的範囲内において上
記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することがで
きる。例えば、放電発生用の電極は、棒状、板状のもの
以外に球状、非球状湾曲形状等様々な形状とすることが
できる。これによって処理条件に適した放電状態を生じ
させることができる。また、本発明による放電処理は、
被処理材の向きに拘らず上下いずれの面に対しても行な
うことができる。Although the preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, the present invention can be implemented by making various modifications and changes to the above embodiments within the technical scope thereof. For example, the discharge generating electrode may have various shapes such as a spherical shape and a non-spherical curved shape, in addition to the rod shape and the plate shape. This makes it possible to generate a discharge state suitable for the processing conditions. Further, the discharge treatment according to the present invention,
It can be performed on either the upper or lower surface regardless of the orientation of the material to be processed.

【０１９０】[0190]

【発明の効果】本発明は、以上のように構成されている
ので、以下に記載されるような効果を奏する。Since the present invention is constituted as described above, it has the following effects.

【０１９１】本発明の半導体装置の製造方法によれば、
請求項１に記載されるように構成することによって、減
圧環境を必要としないので装置の構成を簡単にして小型
化することができ、大気圧近傍下の放電により高速度で
表面処理できるので、電子・イオンが励起種に比して少
なくなり、電子部品またはリードへのダメージが少な
く、低コストで電子部品とリードとの接合性を向上さ
せ、またはモールド樹脂との密着性を向上させることが
できるので、歩留りが向上し、かつ半導体装置の信頼性
を向上させることができる。しかも、枚葉処理が可能で
あり、電子部品とリードとを接合する工程またはこれら
を樹脂封止する工程とのインライン化を容易に達成する
ことができ、また装置を移動可能にして作業性を向上さ
せることができる。According to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention,
By configuring as described in claim 1, since the reduced pressure environment is not required, the configuration of the device can be simplified and downsized, and the surface treatment can be performed at a high speed by the discharge under the atmospheric pressure. The number of electrons and ions is smaller than that of excited species, and damage to electronic components or leads is small, and it is possible to improve the bondability between electronic components and leads at low cost or improve the adhesion with the molding resin. Therefore, the yield can be improved and the reliability of the semiconductor device can be improved. Moreover, single-wafer processing is possible, and it is possible to easily achieve in-line with the step of joining the electronic component and the lead or the step of resin-sealing these, and the workability by making the device movable. Can be improved.

【０１９２】そして、本発明の半導体装置の製造装置に
よれば、請求項１５記載のように構成することによっ
て、上述した半導体装置の製造方法を実現し、インライ
ン化した装置を実現することができる。According to the apparatus for manufacturing a semiconductor device of the present invention, by configuring as described in claim 15, the above-described method for manufacturing a semiconductor device can be realized and an in-line device can be realized. .

【０１９３】更に、本発明の半導体装置の製造方法によ
れば、請求項２８に記載されるように構成することによ
って、不良品の電子部品が一部存在する場合でも、従来
のように全部の電子部品を取り外す必要がなく、しかも
処理が高速度で簡単に行えるので、工数及び手間を大幅
に削減し、コストを低減することができる。Further, according to the method of manufacturing a semiconductor device of the present invention, by constructing as described in claim 28, even if a defective electronic component is partially present, all the conventional electronic devices can be manufactured. Since it is not necessary to remove the electronic component and the processing can be easily performed at a high speed, the number of steps and labor can be significantly reduced, and the cost can be reduced.

【０１９４】また、本発明の液晶モジュールの製造方法
によれば、請求項２９に記載されるように構成すること
によって、液晶パネルへの偏光板の貼付不良の発生が解
消され、歩留りを向上させると共に、液晶パネルに物理
的ダメージを生じることなく偏光板の貼付けを容易にす
ることができ、生産性の向上を図ることができる。Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal module of the present invention, by constructing as described in claim 29, the occurrence of defective sticking of the polarizing plate to the liquid crystal panel is eliminated, and the yield is improved. At the same time, it is possible to easily attach the polarizing plate without causing physical damage to the liquid crystal panel, and it is possible to improve the productivity.

【０１９５】更に、本発明の液晶モジュールの製造方法
によれば、請求項３０に記載されるように構成すること
によって、高い処理能力で液晶パネルを洗浄できるの
で、枚葉処理が可能であり、処理後のポットライフに大
きく制限されることなく余裕のある生産管理を行うこと
ができ、かつ後工程とのインライン化を達成することが
できる。Further, according to the method of manufacturing a liquid crystal module of the present invention, by constructing as described in claim 30, the liquid crystal panel can be washed with a high processing capacity, so that the single-wafer processing is possible, It is possible to perform production control with a margin without being largely limited to the pot life after the treatment, and to achieve in-line with the post-process.

【０１９６】請求項３１記載の半導体装置の製造方法に
よれば、半田表面の酸化膜を濡れ性のよいフッ化スズ化
合物膜へ変化させることができるため、半田付けのより
一層の濡れ性向上が行える。According to the semiconductor device manufacturing method of the thirty-first aspect, since the oxide film on the solder surface can be changed to the tin fluoride compound film having good wettability, the wettability can be further improved in soldering. You can do it.

【０１９７】請求項３２及び３３記載の半導体装置の製
造装置によれば、絶縁膜の存在により、アーク放電等の
異常放電が防止でき、また、絶縁膜をウイング形状とす
ることにより、使用ガスをより少なくできる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-second and thirty-third aspects, due to the presence of the insulating film, abnormal discharge such as arc discharge can be prevented, and by forming the insulating film into a wing shape, the used gas can be reduced. Can be less.

【０１９８】請求項３４記載の半導体装置の製造装置に
よれば、ガスの濃度を均等化することができ、これによ
り、プラズマ処理の均等化が行える。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-fourth aspect, the gas concentrations can be equalized, and the plasma processing can be equalized.

【０１９９】請求項３６記載の半導体装置の製造装置に
よれば、多孔質部材の存在により、異常放電を防止する
ことができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-sixth aspect, the presence of the porous member can prevent abnormal discharge.

【０２００】請求項３８及び３９記載の半導体装置の製
造装置によれば、凹部を設けることにより、ＴＣＰやリ
ードフレームの裏側まで充分にプラズマを回り込ませる
ことができ、また、ＴＣＰの処理の場合に異常放電を防
止できる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the thirty-eighth and thirty-ninth aspects, by providing the concave portion, the plasma can be sufficiently circulated to the back side of the TCP or the lead frame, and in the case of the TCP processing. Abnormal discharge can be prevented.

【０２０１】請求項４０及び４１記載の半導体装置の製
造装置によれば、安定な放電を発生することができる。According to the semiconductor device manufacturing apparatus of the 40th and 41st aspects, stable discharge can be generated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明による半導体装置の製造方法の第１実施
例に使用される表面処理装置の構成を示す模式図であ
る。FIG. 1 is a schematic view showing a configuration of a surface treatment apparatus used in a first embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.

【図２】樹脂封止されたパッケージ型半導体装置の断面
図である。FIG. 2 is a cross-sectional view of a resin-sealed package type semiconductor device.

【図３】本発明の第２実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram of a surface treatment apparatus used in a second embodiment of the present invention.

【図４】本発明の第３実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram of a surface treatment apparatus used in a third embodiment of the present invention.

【図５】本発明の第４実施例に使用される表面処理装置
の模式図である。FIG. 5 is a schematic diagram of a surface treatment apparatus used in a fourth embodiment of the present invention.

【図６】本発明に使用される表面処理装置の第２実施例
を示す模式図である。FIG. 6 is a schematic view showing a second embodiment of the surface treatment apparatus used in the present invention.

【図７】本発明に使用される表面処理装置の第３実施例
を示す模式図である。FIG. 7 is a schematic view showing a third embodiment of the surface treatment apparatus used in the present invention.

【図８】本発明に使用される表面処理装置の第４実施例
を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic view showing a fourth embodiment of the surface treatment apparatus used in the present invention.

【図９】図８のIX−IX線における断面図である。9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG.

【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂからなり、それぞれ表
面処理装置に使用するノズルの構造を示す断面図であ
る。FIG. 10 is a cross-sectional view showing the structure of a nozzle used in the surface treatment apparatus, which is composed of FIGS. 10A and 10B.

【図１１】現場で使用可能な表面処理装置に使用するノ
ズルを示す部分断面斜視図である。FIG. 11 is a partial cross-sectional perspective view showing a nozzle used in a surface treatment apparatus that can be used in the field.

【図１２】図７Ａは、放電発生部とノズルとを別個にし
た表面処理装置の構成を示す部分断面斜視図であり、図
７図はノズル部分の変形例を示す図である。FIG. 7A is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of a surface treatment apparatus in which a discharge generating section and a nozzle are separately provided, and FIG. 7 is a view showing a modified example of the nozzle section.

【図１３】反応性ガス中に水分を含ませるための構成を
示すブロック図である。FIG. 13 is a block diagram showing a configuration for allowing a reactive gas to contain water.

【図１４】図１３と異なる別の構成を示すブロック図で
ある。FIG. 14 is a block diagram showing another configuration different from that of FIG.

【図１５】図１３と異なる更に別の構成を示すブロック
図である。FIG. 15 is a block diagram showing still another configuration different from FIG.

【図１６】本発明による表面処理装置を用いてテープキ
ャリヤに電子部品をインナボンディングするための装置
を概略的に示す構成図である。FIG. 16 is a schematic diagram showing an apparatus for inner bonding electronic components to a tape carrier using the surface treatment apparatus according to the present invention.

【図１７】液晶ディスプレイを製造する工程を示すフロ
ー図である。FIG. 17 is a flowchart showing steps of manufacturing a liquid crystal display.

【図１８】液晶セルから不良品の電子部品を取り外す要
領を説明するための平面図である。FIG. 18 is a plan view for explaining how to remove a defective electronic component from the liquid crystal cell.

【図１９】マスクを用いて部分的に洗浄される液晶セル
を示す断面図である。FIG. 19 is a cross-sectional view showing a liquid crystal cell that is partially cleaned using a mask.

【図２０】図２０Ａ、図２０Ｂ及び図２０Ｃからなり、
それぞれＴＣＰ及びその表面処理装置の断面図及び平面
図である。FIG. 20 consists of FIGS. 20A, 20B and 20C,
It is sectional drawing and a top view of TCP and its surface treatment apparatus, respectively.

【図２１】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
模式図である。FIG. 21 is a schematic diagram of a surface treatment apparatus used in an example of the present invention.

【図２２】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
上電極の模式図である。FIG. 22 is a schematic diagram of an upper electrode of a surface treatment apparatus used in an example of the present invention.

【図２３】本発明の実施例に使用される表面処理装置の
上電極のガス流路の模式図である。FIG. 23 is a schematic diagram of a gas flow path of an upper electrode of a surface treatment apparatus used in an example of the present invention.

【図２４】本発明の実施例に使用されるＴＣＰの表面処
理装置の模式図である。FIG. 24 is a schematic diagram of a TCP surface treatment apparatus used in an example of the present invention.

【図２５】図２５Ａ及び図２５Ｂからなり、それぞれリ
ードフレームの表面処理装置の模式図である。FIG. 25 is a schematic view of a surface treatment apparatus for a lead frame, which is composed of FIGS. 25A and 25B.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 表面処理装置 ２ 電源 ３ 放電発生用電極 ４ ガス供給装置 ５ 開口 ６ 電子部品 ７ リード ８ ダイパッド ９ ワイヤ １０ 放電領域 １１ モールド樹脂 １２ パッケージ １３ 先端部分 １４ 先端部分 １５ 電源 １６ 放電発生用電極 １７ 金属カバー １８ 絶縁取付具 １９ ガス供給装置 ２０ ダクト ２１ 対電極 ２２ 下端開口 ２３、２４ パイプ ２５ 金属メッシュ ２６ 放電領域 ２７ 反応性ガス流 ２８ 辺縁部 ２９ 内部空腔 ３０ 底面 ３１ 噴出口 ３２ 下端部 ３３ 処理装置 ３４ ノズル ３５ 放電発生部 ３６ 先端開口 ３７ 放電発生部 ３８ ノズル部 ３９ フレキシブルチューブ ４０ 表面処理装置 ４１ 本体 ４２ ノズル部 ４３ 表面処理装置 ４４ パイプ ４５ バルブ ４６ タンク ４７ 純水 ４８ ヒータ ４９ 霧化器 ５０ パイプ ５１ ＩＬＢ装置 ５２ テープキャリア ５３ 巻出しリール ５４ ボンディング部 ５５ 巻取りリール ５６ 表面処理装置 ５７ モータ ５８ ガイドローラ ５９ ボンディングツール ６０ チップステージ ６１ ＩＣチップ ６２ インナリード ６３ 液晶パネル ６４ 液晶セル ６５ 駆動用半導体チップ ６６ 不良品の半導体チップ ６７ 接合領域 ６８ 表面処理装置 ６９ 開孔 ７０ マスク ２０１０ ディスペンサー ２０１１ ノズル ２０１２、２４１２ テープキャリヤ ２０１３、２４１４ リード ２０１４、２４１３、２５１４ ＩＣチップ ２０１５ ポッティング樹脂 ２１１０、２２１０ コネクター ２１１１、２２１１、２４１０、２５１０ 上電極 ２１１２、２２１２、２５１１ ガス流路 ２１１３、２２１５、２４１６、２５１２ 絶縁体 ２１１４ ワーク ２１１５、２４１１、２５１５ 下電極 ２１１６、２１１７、２２１７ スリット状の孔 ２２１３ 冷却水路 ２２１４ 多孔質材 ２２１６ 空間 ２３１０ ガス導入口 ２３１１ ガス放出口 ２４１５、２５１６ 凹部 ２５１３ リードフレーム DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Surface treatment device 2 Power source 3 Discharge generating electrode 4 Gas supply device 5 Opening 6 Electronic component 7 Lead 8 Die pad 9 Wire 10 Discharge area 11 Mold resin 12 Package 13 Tip part 14 Tip part 15 Power supply 16 Discharge generating electrode 17 Metal cover 18 Insulation Fixture 19 Gas Supply Device 20 Duct 21 Counter Electrode 22 Lower End Opening 23, 24 Pipe 25 Metal Mesh 26 Discharge Area 27 Reactive Gas Flow 28 Side Edge 29 Inner Cavity 30 Bottom 31 Spout 32 Lower End 33 Treatment Equipment 34 Nozzle 35 Discharge Generation Part 36 Tip Opening 37 Discharge Generation Part 38 Nozzle Part 39 Flexible Tube 40 Surface Treatment Device 41 Main Body 42 Nozzle Part 43 Surface Treatment Device 44 Pipe 45 Valve 46 Tank 47 Pure Water 48 Heater 49 Atomizer 50 Pipe 51 ILB Placement 52 Tape carrier 53 Unwinding reel 54 Bonding part 55 Take-up reel 56 Surface treatment device 57 Motor 58 Guide roller 59 Bonding tool 60 Chip stage 61 IC chip 62 Inner lead 63 Liquid crystal panel 64 Liquid crystal cell 65 Driving semiconductor chip 66 Defective product Semiconductor chip 67 Bonding area 68 Surface treatment device 69 Opening hole 70 Mask 2010 Dispenser 2011 Nozzle 2012, 2412 Tape carrier 2013, 2414 Lead 2014, 2413, 2514 IC chip 2015 Potting resin 2110, 2210 Connector 2111, 2211, 2410, 2510 Top Electrodes 2112, 2212, 2511 Gas flow paths 2113, 2215, 2416, 2512 Insulator 2114 Work 21 5,2411,2515 lower electrode 2116,2117,2217 slit-shaped hole 2213 cooling channel 2214 porous material 2216 space 2310 gas inlet 2311 gas outlet 2415,2516 recess 2513 leadframe

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 波間 徳方 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 倉島 羊平 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 (72)発明者 阿南 誠 長野県諏訪市大和３丁目３番５号 セイコ ーエプソン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tokukata Hama 3-3-5 Yamato, Suwa-shi, Nagano Seiko Epson Co., Ltd. (72) Inventor Kurashima Hitoshi 3-3 Yamato, Suwa-shi, Nagano Prefecture In Seiko Epson Corporation (72) Inventor Makoto Anan 3-3-5 Yamato, Suwa City, Nagano Prefecture In Seiko Epson Corporation

Claims (41)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 電子部品とリードとを接合し、樹脂で封
入してパッケージ型の半導体装置を製造する方法であっ
て、 大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種
に、前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一
方を曝露させる表面処理工程を含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。1. A method for manufacturing a package type semiconductor device by bonding an electronic component and a lead and encapsulating with a resin, wherein gas discharge is generated in a gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a surface treatment step of exposing at least one of the electronic component and the lead to an active species of the gas generated by the discharge. 【請求項２】 前記電子部品及びリードを接合した後樹
脂封止する前に、前記表面処理工程を行うことを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the surface treatment step is performed after the electronic component and the lead are joined and before resin sealing. 【請求項３】 前記電子部品及びリードを接合する前
に、前記表面処理工程を行うことを特徴とする請求項１
記載の半導体装置の製造方法。3. The surface treatment step is performed before joining the electronic component and the lead.
The manufacturing method of the semiconductor device described in the above. 【請求項４】 高周波電圧を用いることによって、前記
気体放電を生じさせることを特徴とする請求項１乃至請
求項３のいずれか記載の半導体装置の製造方法。4. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas discharge is generated by using a high frequency voltage. 【請求項５】 前記ガスの放電領域に、前記表面処理を
行う前記少なくとも一方の電子部品またはリードを直接
曝露させることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれか記載の半導体装置の製造方法。5. The manufacturing of a semiconductor device according to claim 1, wherein the at least one electronic component or the lead to be subjected to the surface treatment is directly exposed to the discharge region of the gas. Method. 【請求項６】 前記活性種を含む前記ガスのガス流を、
前記表面処理を行う前記少なくとも一方の電子部品また
はリードに当てることを特徴とする請求項１乃至請求項
４のいずれか記載の半導体装置の製造方法。6. A gas flow of the gas containing the active species,
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the method is applied to at least one of the electronic components or leads that are subjected to the surface treatment. 【請求項７】 前記ガス流を金属メッシュを通して、前
記表面処理を行う前記少なくとも一方の電子部品または
リードに当てることを特徴とする請求項６記載の半導体
装置の製造方法。7. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 6, wherein the gas flow is applied to the at least one electronic component or lead to be surface-treated through a metal mesh. 【請求項８】 前記ガスがヘリウム、窒素、または圧縮
空気のいずれかであることを特徴とする請求項１乃至請
求項７のいずれか記載の半導体装置の製造方法。8. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas is any one of helium, nitrogen, and compressed air. 【請求項９】 前記ガスが、ヘリウムまたは窒素と、酸
素とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のい
ずれか記載の半導体装置の製造方法。9. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas contains helium or nitrogen and oxygen. 【請求項１０】 前記ガスが、ヘリウムまたは圧縮空気
と、フッ素化合物とを含むことを特徴とする請求項１乃
至請求項７のいずれか記載の半導体装置の製造方法。10. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas contains helium or compressed air and a fluorine compound. 【請求項１１】 前記ガスを、前記表面処理を行う前記
少なくとも一方の電子部品またはリード付近に強制的に
導入することを特徴とする請求項１乃至請求項１０のい
ずれか記載の半導体装置の製造方法。11. The manufacturing of a semiconductor device according to claim 1, wherein the gas is forcibly introduced into the vicinity of the at least one electronic component or the lead on which the surface treatment is performed. Method. 【請求項１２】 前記ガスが、少なくとも前記気体放電
の開始時に希ガスを含むことを特徴とする請求項１１記
載の半導体装置の製造方法。12. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 11, wherein the gas contains a rare gas at least at the start of the gas discharge. 【請求項１３】 前記表面処理を行う前記少なくとも一
方の電子部品またはリードを、水分の存在下で前記活性
種に曝露させることを特徴とする請求項１乃至請求項１
２のいずれか記載の半導体装置の製造方法。13. The method according to claim 1, wherein the at least one electronic component or lead subjected to the surface treatment is exposed to the active species in the presence of moisture.
3. The method for manufacturing a semiconductor device according to any one of 2 above. 【請求項１４】 前記少なくとも一方の電子部品または
リードを移動させながら前記表面処理を行うことを特徴
とする請求項１乃至請求項１３のいずれか記載の半導体
装置の製造方法。14. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the surface treatment is performed while moving the at least one electronic component or the lead. 【請求項１５】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方を
表面処理するための表面処理部と、接合された前記電子
部品及びリードを樹脂で封入するための樹脂封止部とか
らなり、前記表面処理部が、大気圧またはその近傍の圧
力下でガス中に気体放電を発生させる手段と、前記放電
発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段と、前記放電
により生成される前記ガスの活性種に前記少なくとも一
方の前記電子部品またはリードを曝露させる手段とから
なることを特徴とする半導体装置の製造装置。15. An apparatus for manufacturing a package-type semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead is surface-treated. It consists of a surface treatment part and a resin encapsulation part for encapsulating the bonded electronic parts and leads with a resin, and the surface treatment part generates gas discharge in gas under atmospheric pressure or pressure close to it. Means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, and means for exposing the at least one electronic component or lead to the active species of the gas generated by the discharge. And a semiconductor device manufacturing apparatus. 【請求項１６】 前記表面処理部が、接合された前記電
子部品及びリードが前記樹脂封止部において樹脂封止さ
れる前に、表面処理するようになっていることを特徴と
する請求項１５記載の半導体装置の製造装置。16. The surface treatment section is adapted to perform a surface treatment before the joined electronic component and lead are resin-sealed in the resin sealing section. An apparatus for manufacturing a semiconductor device as described above. 【請求項１７】 前記表面処理部が、前記電子部品及び
リードが接合される前に、表面処理するようになってい
ることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造
装置。17. The apparatus for manufacturing a semiconductor device according to claim 15, wherein the surface treatment section is configured to perform a surface treatment before the electronic component and the lead are joined. 【請求項１８】 前記放電発生手段が、電源に接続され
た電極からなり、前記少なくとも一方の前記電子部品ま
たはリードとの間で前記気体放電を発生させることを特
徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか記載の半
導体装置の製造装置。18. The discharge generating means is composed of an electrode connected to a power source, and generates the gas discharge between the at least one of the electronic components and the lead. 18. The semiconductor device manufacturing apparatus according to any one of 17 above. 【請求項１９】 前記放電発生手段が、電源に接続され
た電極と接地された電極とからなり、かつ前記曝露手段
が、前記両電極間に発生する気体放電により生成される
前記活性種を、それを含むガス流として前記少なくとも
一方の前記電子部品またはリードに当てる手段を備える
ことを特徴とする請求項１５乃至請求項１７のいずれか
記載の半導体装置の製造装置。19. The discharge generation means comprises an electrode connected to a power source and an electrode grounded, and the exposure means generates the active species generated by a gas discharge generated between the electrodes, 18. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising means for applying a gas flow containing the gas to the at least one of the electronic components or the leads. 【請求項２０】 前記曝露手段が、前記ガス流を前記少
なくとも一方の前記電子部品またはリード付近に案内す
る管路を有することを特徴とする請求項１９記載の半導
体装置の製造装置。20. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 19, wherein said exposing means has a conduit for guiding said gas flow to the vicinity of said at least one of said electronic components or leads. 【請求項２１】 前記曝露手段が、前記ガス流を通過さ
せる金属メッシュを有することを特徴とする請求項１９
または請求項２０記載の半導体装置の製造装置。21. The exposing means comprises a metal mesh that allows the gas flow to pass therethrough.
21. A semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 20. 【請求項２２】 前記金属メッシュが接地されており、
前記電極と前記金属メッシュとの間で気体放電を発生さ
せることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製
造装置。22. The metal mesh is grounded,
22. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 21, wherein a gas discharge is generated between the electrode and the metal mesh. 【請求項２３】 前記少なくとも一方の前記電子部品ま
たはリードを選択的に前記活性種に曝露させるためのマ
スク手段を更に有することを特徴とする請求項１５乃至
請求項２２のいずれか記載の半導体装置の製造装置。23. The semiconductor device according to claim 15, further comprising a mask means for selectively exposing the at least one of the electronic components or leads to the active species. Manufacturing equipment. 【請求項２４】 前記ガスを前記少なくとも一方の前記
電子部品またはリード付近に導入するための手段を更に
有することを特徴とする請求項１５乃至請求項２３のい
ずれか記載の半導体装置の製造装置。24. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising means for introducing the gas near the at least one of the electronic components or leads. 【請求項２５】 前記ガスに水分を含ませるための手段
を更に有することを特徴とする請求項１５乃至請求項２
４のいずれか記載の半導体装置の製造装置。25. The method according to claim 15, further comprising means for making the gas contain water.
4. The semiconductor device manufacturing apparatus according to any one of 4 above. 【請求項２６】 前記活性種に曝露させる前記少なくと
も一方の前記電子部品またはリードの表面に水分を供給
する手段を更に有することを特徴とする請求項１５乃至
請求項２４のいずれか記載の半導体装置の製造装置。26. The semiconductor device according to claim 15, further comprising means for supplying water to the surface of the at least one of the electronic component or the lead exposed to the active species. Manufacturing equipment. 【請求項２７】 前記少なくとも一方の前記電子部品ま
たはリードを移動させる手段を更に有することを特徴と
する請求項１５乃至請求項２６のいずれか記載の半導体
装置の製造装置。27. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 15, further comprising means for moving the at least one of the electronic component and the lead. 【請求項２８】 複数の電子部品を搭載した後、不良品
の電子部品を取り外し、かつ良品の電子部品に交換して
再実装する工程からなる半導体装置の製造方法であっ
て、前記不良品の電子部品を取り外した後前記良品の電
子部品を接続する前に、大気圧またはその近傍の圧力下
でガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成さ
れる前記ガスの活性種に、前記電子部品または前記半導
体装置の接続部の少なくともいずれか一方を曝露させる
表面処理工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造
方法。28. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of mounting a plurality of electronic components, removing defective electronic components, replacing them with non-defective electronic components, and re-mounting them. After removing the electronic component and before connecting the non-defective electronic component, a gas discharge is generated in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof, and the active species of the gas generated by the discharge are added to the electron. A method of manufacturing a semiconductor device, which comprises performing a surface treatment step of exposing at least one of a component and a connection portion of the semiconductor device. 【請求項２９】 液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆
動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組み立て
ることにより、液晶ディスプレイを製造する方法であっ
て、 大気圧またはその近傍の圧力下でガス中に気体放電を生
じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に
前記基板を曝露させる表面処理工程を含むことを特徴と
する液晶モジュールの製造方法。29. A method of manufacturing a liquid crystal display by attaching a polarizing plate to a liquid crystal cell, connecting driving and power circuits, and assembling a module, wherein the pressure is at or near atmospheric pressure. A method for manufacturing a liquid crystal module, comprising a surface treatment step of causing a gas discharge in a gas below and exposing the substrate to an active species of the gas generated by the discharge. 【請求項３０】 液晶セルに偏光板を貼り付けた後、駆
動用及び電源用の回路を接続してモジュールを組み立て
ることにより、液晶ディスプレイを製造する方法であっ
て、 前記液晶セルに偏光板を貼着する前に、大気圧またはそ
の近傍の圧力下でガス中に気体放電を生じさせ、前記放
電により生成される前記ガスの活性種に前記液晶セルを
曝露させる表面処理工程を行うことを特徴とする液晶デ
ィスプレイの製造方法。30. A method for manufacturing a liquid crystal display by attaching a polarizing plate to a liquid crystal cell, connecting driving circuits and power supply circuits, and assembling a module. A characteristic of performing a surface treatment step of causing a gas discharge in the gas under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof and exposing the liquid crystal cell to the active species of the gas generated by the discharge before the attachment. And a method for manufacturing a liquid crystal display. 【請求項３１】 電子部品とリードとを接合し、樹脂で
封入してパッケージ型の半導体装置を製造する方法であ
って、 大気圧またはその近傍の圧力下でヘリウム及びフッ化炭
素化合物からなる混合ガス中に気体放電を生じさせ、前
記放電により生成される前記ガスの活性種に、前記電子
部品またはリードの少なくともいずれか一方を曝露させ
ることにより、前記電子部品またはリードの少なくとも
いずれか一方の表面に形成された半田の酸化膜を、フッ
化スズ化合物膜へ変化させることを特徴とする表面処理
工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。31. A method for manufacturing a package-type semiconductor device by bonding an electronic component and a lead and encapsulating the lead with a resin, which comprises mixing helium and a fluorocarbon compound under atmospheric pressure or a pressure in the vicinity thereof. The surface of at least one of the electronic component and the lead is produced by causing a gas discharge in the gas and exposing at least one of the electronic component and the lead to the active species of the gas generated by the discharge. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising a surface treatment step characterized in that the oxide film of the solder formed on the substrate is changed to a tin fluoride compound film. 【請求項３２】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
電極の、前記被処理部材と対向している面に形成された
絶縁体を有することを特徴とする半導体装置の製造装
置。32. An apparatus for manufacturing a package-type semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead has a surface to be treated. The surface treatment unit for treatment is two electrodes composed of a first electrode and a second electrode facing each other through the member to be treated, and high-frequency power is applied to the two electrodes so as to apply atmospheric pressure or the atmospheric pressure. A high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under a pressure in the vicinity, and a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, the first for generating a discharge between the member to be treated. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising an insulator formed on a surface of one electrode facing the member to be processed. 【請求項３３】 前記絶縁体は、放電が発生する部分よ
りも横方向に広いウイング形状をしていることを特徴と
する請求項３２記載の半導体装置の製造装置。33. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 32, wherein the insulator has a wing shape that is wider in a lateral direction than a portion where a discharge is generated. 【請求項３４】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
電極中に、途中で曲がったガス供給路を持つ前記ガスを
供給する手段が設けられていることを特徴とする半導体
装置の製造装置。34. An apparatus for manufacturing a package-type semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead has a surface to be processed. The surface treatment unit for treatment is two electrodes composed of a first electrode and a second electrode facing each other through the member to be treated, and high-frequency power is applied to the two electrodes so as to apply atmospheric pressure or the atmospheric pressure. A high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under a pressure in the vicinity, and a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, the first for generating a discharge between the member to be treated. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, characterized in that a means for supplying the gas having a gas supply path bent in the middle is provided in one electrode. 【請求項３５】 前記ガス供給路は、前記ガス供給路へ
ガスを供給するガス導入口と、前記被処理部材へガスを
放出するガス放出口からなり、前記ガス導入口は複数の
スポット状であり、かつ前記ガス放出口はスリット状で
あることを特徴とする請求項３３記載の半導体装置の製
造装置。35. The gas supply path comprises a gas inlet for supplying gas to the gas supply passage and a gas outlet for discharging gas to the member to be processed, and the gas inlet has a plurality of spots. 34. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 33, wherein the gas discharge port has a slit shape. 【請求項３６】 前記ガス放出口には、絶縁体からなる
多孔質の多孔質材が形成されていることを特徴とする請
求項３３または請求項３４記載の半導体装置の製造装
置。36. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 33, wherein the gas discharge port is formed with a porous material made of an insulating material. 【請求項３７】 前記多孔質材は、アルミナまたはセラ
ミックスからなることを特徴する請求項３５記載の半導
体装置の製造装置。37. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 35, wherein the porous material is made of alumina or ceramics. 【請求項３８】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
り、 前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第一の
電極と対向している前記被処理部材が載置される前記第
二の電極中に形成された凹部を有することを特徴とする
半導体装置の製造装置。38. An apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead has a surface to be processed. The surface treatment unit for treatment is two electrodes composed of a first electrode and a second electrode facing each other through the member to be treated, and high-frequency power is applied to the two electrodes so as to apply atmospheric pressure or the atmospheric pressure. A high-frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under a pressure in the vicinity, and a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, the first for generating a discharge between the member to be treated. An apparatus for manufacturing a semiconductor device, comprising: a recess formed in the second electrode on which the member to be processed facing the one electrode is placed. 【請求項３９】 前記凹部は前記被処理部材の下に形成
されており、前記凹部の深さは、３ｍｍから５ｍｍであ
ることを特徴とする請求項３６記載の半導体装置の製造
装置。39. The semiconductor device manufacturing apparatus according to claim 36, wherein the recess is formed under the member to be processed, and the depth of the recess is 3 mm to 5 mm. 【請求項４０】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
り、前記被処理部材との間で放電を起こすための前記第
一の電極の、前記被処理部材からはずれている部分の長
さをＸ（ｍｍ）とし、印加する前記高周波電力をＹ
（Ｗ）とした場合に、ＸとＹが次の式を満たすことを特
徴とする半導体装置の製造装置。 「Ｘ ≧ ０．０９Ｙ」40. An apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead has a surface to be processed. The surface treatment unit for treatment is two electrodes composed of a first electrode and a second electrode facing each other through the member to be treated, and high-frequency power is applied to the two electrodes so as to apply atmospheric pressure or the atmospheric pressure. The high frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under the pressure in the vicinity, and the means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, the first for generating a discharge between the member to be treated. Let X (mm) be the length of the part of one electrode that is off the member to be processed, and Y be the high-frequency power to be applied.
An apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein X and Y satisfy the following equation when (W) is satisfied. "X ≥ 0.09Y" 【請求項４１】 接合された電子部品とリードとを樹脂
で封入してパッケージ型の半導体装置を製造するための
装置であって、 前記電子部品またはリードの少なくともいずれか一方の
被処理部材を表面処理するための表面処理部が、前記被
処理部材を介して互いに対向した第一電極と第二電極と
からなる２つの電極と、前記２つの電極へ高周波電力を
印加することにより大気圧またはその近傍の圧力下でガ
ス中に気体放電を発生させる高周波印加手段と、前記放
電発生手段の近傍に前記ガスを供給する手段とからな
り、 単位面積当たりの前記高周波電力を ０．３〜１００Ｗ／ｃｍ2 とすることを特徴とする半導体装置の製造装置。41. An apparatus for manufacturing a package-type semiconductor device by encapsulating a joined electronic component and a lead with a resin, wherein at least one of the electronic component and the lead has a surface to be treated. The surface treatment unit for treatment is two electrodes composed of a first electrode and a second electrode facing each other through the member to be treated, and high-frequency power is applied to the two electrodes so as to apply atmospheric pressure or the atmospheric pressure. It is composed of a high frequency applying means for generating a gas discharge in the gas under a nearby pressure and a means for supplying the gas in the vicinity of the discharge generating means, and the high frequency power per unit area is 0.3 to 100 W / cm. 2. A semiconductor device manufacturing apparatus characterized in that
JP00295095A 1994-01-13 1995-01-11 Semiconductor device manufacturing method and apparatus, and liquid crystal display manufacturing method Expired - Fee Related JP3557682B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP00295095A JP3557682B2 (en) 1994-01-13 1995-01-11 Semiconductor device manufacturing method and apparatus, and liquid crystal display manufacturing method
KR1019950000627A KR950034703A (en) 1994-01-13 1995-01-13 Method for manufacturing semiconductor device, device therefor, and method for manufacturing liquid crystal display
US09/040,326 US6006763A (en) 1995-01-11 1998-03-16 Surface treatment method
KR1020040013413A KR100489156B1 (en) 1994-01-13 2004-02-27 Apparatus for manufacturing semiconductor apparatus

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP217994 1994-01-13
JP6-2179 1994-01-13
JP12425194 1994-05-14
JP6-124251 1994-05-14
JP00295095A JP3557682B2 (en) 1994-01-13 1995-01-11 Semiconductor device manufacturing method and apparatus, and liquid crystal display manufacturing method

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003141017A Division JP3835432B2 (en) 1994-01-13 2003-05-19 Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0837200A true JPH0837200A (en) 1996-02-06
JP3557682B2 JP3557682B2 (en) 2004-08-25

Family

ID=47846223

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP00295095A Expired - Fee Related JP3557682B2 (en) 1994-01-13 1995-01-11 Semiconductor device manufacturing method and apparatus, and liquid crystal display manufacturing method
JP2003141017A Expired - Fee Related JP3835432B2 (en) 1994-01-13 2003-05-19 Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003141017A Expired - Fee Related JP3835432B2 (en) 1994-01-13 2003-05-19 Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof

Country Status (3)

Country Link
JP (2) JP3557682B2 (en)
KR (1) KR950034703A (en)
TW (3) TW324851B (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11191576A (en) * 1997-12-25 1999-07-13 Seiko Epson Corp Method and device for mounting electronic component
JP2000286285A (en) * 1999-03-30 2000-10-13 Denso Corp Manufacture of semiconductor device
KR100464856B1 (en) * 2002-11-07 2005-01-05 삼성전자주식회사 Method for etching a surface of workpiece and a backside of silicon substrate
WO2014185325A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 東洋紡株式会社 Method for sealing electric/electronic component and sealed body
JP2020047751A (en) * 2018-09-19 2020-03-26 三菱電機株式会社 Method of mounting molded resin-sealed semiconductor device on control board

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4492629B2 (en) * 2007-03-22 2010-06-30 セイコーエプソン株式会社 Electronic element mounting method, electronic device manufacturing method, circuit board, electronic device
JP2013191687A (en) * 2012-03-13 2013-09-26 Sekisui Chem Co Ltd Method of manufacturing optical semiconductor device, and optical semiconductor device
JP5858010B2 (en) * 2013-07-30 2016-02-10 国立大学法人山梨大学 Multilayer polymer actuator and method for manufacturing the same

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11191576A (en) * 1997-12-25 1999-07-13 Seiko Epson Corp Method and device for mounting electronic component
JP2000286285A (en) * 1999-03-30 2000-10-13 Denso Corp Manufacture of semiconductor device
KR100464856B1 (en) * 2002-11-07 2005-01-05 삼성전자주식회사 Method for etching a surface of workpiece and a backside of silicon substrate
WO2014185325A1 (en) * 2013-05-16 2014-11-20 東洋紡株式会社 Method for sealing electric/electronic component and sealed body
JP2020047751A (en) * 2018-09-19 2020-03-26 三菱電機株式会社 Method of mounting molded resin-sealed semiconductor device on control board

Also Published As

Publication number Publication date
TW324850B (en) 1998-01-11
KR950034703A (en) 1995-12-28
JP3835432B2 (en) 2006-10-18
JP3557682B2 (en) 2004-08-25
JP2003338512A (en) 2003-11-28
TW324851B (en) 1998-01-11
TW345725B (en) 1998-11-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3147137B2 (en) Surface treatment method and device, semiconductor device manufacturing method and device, and liquid crystal display manufacturing method
JP3312377B2 (en) Method and apparatus for joining with brazing material
JP2003103361A (en) Apparatus and method for reforming surface
US7975901B2 (en) Bonding apparatus and wire bonding method
JP4460803B2 (en) Substrate surface treatment method
US20090039141A1 (en) Bonding wire cleaning unit and method of wire bonding using the same
US20090145546A1 (en) Electrode bonding method and part mounting apparatus
US5433371A (en) Wire bonding apparatus and method
JP3835432B2 (en) Semiconductor device manufacturing method and manufacturing apparatus thereof
KR100365898B1 (en) Plasma processing apparatus and processing method
US20150072473A1 (en) Die attachment apparatus and method utilizing activated forming gas
CN103889138B (en) Plasma discharge apparatus
JP3508789B2 (en) Substrate surface treatment method
US20060201910A1 (en) Methods for removing extraneous amounts of molding material from a substrate
JP2002144231A (en) Surface treatment method and surface treatment device
JP2002001253A (en) Plasma cleaning apparatus and method, and soldering system and method
US7176402B2 (en) Method and apparatus for processing electronic parts
JP3922003B2 (en) Method of joining circuit body to flat panel display panel
KR100489156B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor apparatus
Wood et al. Plasma cleaning of chip scale packages for improvement of wire bond strength
KR20040080580A (en) Wire bonder having air plasma cleaner
JP2008001101A (en) Removing method of surplus amount of forming material from substrate
JP2000117213A (en) Plasma washing method and device
JPS61101040A (en) Bonding device
JP3937711B2 (en) Flip chip mounting method

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040202

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20040212

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040427

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040510

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080528

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090528

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100528

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110528

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120528

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130528

Year of fee payment: 9

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees