JPH0837191A - Bump forming method - Google Patents

Bump forming method

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JPH0837191A
JPH0837191A JP6191150A JP19115094A JPH0837191A JP H0837191 A JPH0837191 A JP H0837191A JP 6191150 A JP6191150 A JP 6191150A JP 19115094 A JP19115094 A JP 19115094A JP H0837191 A JPH0837191 A JP H0837191A
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JP
Japan
Prior art keywords
metal wire
wire
substrate
laser beam
forming method
Prior art date
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Pending
Application number
JP6191150A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Minoru Ishikawa
実 石川
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH0837191A publication Critical patent/JPH0837191A/en
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11Manufacturing methods
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/11Manufacturing methods

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)

Abstract

PURPOSE:To prevent the contact between adjacent bumps by substantially completely eliminating the dispersion in height between the bumps formed on pads on a board. CONSTITUTION:After a bump 7 is formed on pads 1 for an IC die 2 by a wire bonding method, the residual part 3a of a metal wire remained integrally with the bump 7 is emitted with laser light ray 9, thereby cutting the part 3a.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、バンプ形成方法に関
し、例えば、バンプ付き集積回路のバンプを形成するの
に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a bump forming method, and is suitable for application to, for example, forming bumps of an integrated circuit with bumps.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、集積回路(IC)ダイ(チップと
も呼ばれる)のパッド上にバンプを形成する場合には、
ワイヤーボンディング法を改良した次のような方法を用
いていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, when forming bumps on pads of an integrated circuit (IC) die (also called a chip),
The following method, which is an improvement of the wire bonding method, was used.

【0003】すなわち、この方法によれば、図5に示す
ように、図示省略した所定のワイヤーボンディング装置
の加熱可能な所定の基台上に、パッド101が複数設け
られたICダイ102を載置する。このICダイ102
の上方には、金ワイヤー103が通されたキャピラリー
104が設けられている。符号105はスパーク発生用
の電極を示す。
That is, according to this method, as shown in FIG. 5, an IC die 102 having a plurality of pads 101 is mounted on a heatable predetermined base of a predetermined wire bonding apparatus (not shown). To do. This IC die 102
A capillary 104 through which the gold wire 103 is passed is provided above the. Reference numeral 105 indicates an electrode for spark generation.

【0004】ワイヤーボンディングに先立って、電極1
05に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャ
ピラリー104から出ていた金ワイヤー103の先端部
を溶融させてボール状にした後、これを再凝固させるこ
とにより金ワイヤー103の先端に金ボール106を形
成しておく。
Prior to wire bonding, the electrode 1
05 is applied with a predetermined voltage to generate a spark, and the tip of the gold wire 103, which has come out of the capillary 104, is melted into a ball shape, which is then re-solidified so that the gold wire 103 has a gold tip. The ball 106 is formed.

【0005】次に、この金ボール106を超音波熱圧着
法によりICダイ102のパッド101上に圧着した
後、金ワイヤー103をクランプしたままキャピラリー
104を上方へ引き上げ、金ワイヤー103を引きちぎ
る。このようにして、図6に示すように、各パッド10
1上にバンプ107を形成する。
Next, after the gold ball 106 is pressure bonded onto the pad 101 of the IC die 102 by ultrasonic thermocompression bonding, the capillary 104 is pulled up while the gold wire 103 is clamped, and the gold wire 103 is torn off. Thus, as shown in FIG. 6, each pad 10
The bump 107 is formed on the surface 1.

【0006】このようにして各パッド101上に形成さ
れたバンプ107には、金ワイヤー103の残り部分1
03aがこれと一体に残される。この残り部分103a
の高さは通常、バンプ107ごとに異なるため、この残
り部分103aを含めたバンプ107の高さにはばらつ
きがある。そこで、図7に示すように、整形用の棒10
8により所定圧力でバンプ107の上部をたたいてバン
プ107の高さをそろえたり、あるいは、図8に示すよ
うに、金ワイヤー103をクランプしたままキャピラリ
ー104を横にずらした後、キャピラリー104を上方
に引き上げて金ワイヤー103を引きちぎることにより
バンプ107の高さをそろえたりしている。
In the bumps 107 thus formed on each pad 101, the remaining portion 1 of the gold wire 103 is formed.
03a remains with this. This remaining portion 103a
Since the height of the bump 107 is usually different for each bump 107, the height of the bump 107 including the remaining portion 103a varies. Therefore, as shown in FIG. 7, a shaping rod 10
8 hit the upper part of the bump 107 with a predetermined pressure to make the height of the bump 107 uniform, or, as shown in FIG. The height of the bumps 107 is made uniform by pulling the gold wires 103 upward and tearing them off.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
ように各パッド101上に形成されたバンプ107の高
さをそろえるために棒108によりバンプ107の上部
をたたく方法では、この棒108によりたたかれたバン
プ107の角が隣のバンプ107と接触してしまった
り、たたき方が不足または過多となったりするためにバ
ンプ107間の高さのばらつきを完全になくすことがで
きないという問題があった。
However, in the method of striking the upper portion of the bump 107 with the rod 108 in order to align the heights of the bumps 107 formed on the pads 101 as described above, the bumps 108 are struck by the rod 108. There is a problem that it is not possible to completely eliminate the variation in height between the bumps 107 because the corners of the bumps 107 contacted with the adjacent bumps 107 or the number of taps is insufficient or excessive. .

【0008】また、キャピラリー104を横にずらす方
法では、ずらした所でバンプ107に角が発生するた
め、バンプ107間の高さのばらつきを完全になくすこ
とができず、また、隣のバンプ107との接触が生じて
しまうなどの不都合が生じていた。
Further, in the method of laterally shifting the capillaries 104, corners are generated in the bumps 107 at the shifted positions, so that it is not possible to completely eliminate the height variation between the bumps 107, and the adjacent bumps 107 are not formed. There has been a problem such as contact with.

【0009】したがって、この発明の目的は、基板上の
各パッド上に形成されるバンプ間の高さのばらつきをほ
ぼ完全になくすことができ、かつ隣接するバンプ間の接
触を防止することができるバンプ形成方法を提供するこ
とにある。
Therefore, an object of the present invention is to almost completely eliminate the height variation between bumps formed on each pad on a substrate and to prevent contact between adjacent bumps. It is to provide a bump forming method.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、基板(2)の一主面に設けられたパッ
ド(1)上にワイヤーボンディング法によりバンプ
(7)を形成するようにしたバンプ形成方法において、
金属ワイヤー(3)の一端にこの金属ワイヤー(3)と
一体に形成された金属ボール(6)をパッド(1)上に
圧着し、金属ワイヤー(3)を基板(2)から離れる方
向に移動させることにより金属ワイヤー(3)を切断
し、切断後に金属ボール(6)と一体に残された金属ワ
イヤー(3)の残り部分(3a)にレーザー光線(9)
を照射することにより金属ワイヤー(3)の残り部分
(3a)を切断するようにしたことを特徴とするもので
ある。
In order to achieve the above object, the present invention forms bumps (7) on a pad (1) provided on one main surface of a substrate (2) by a wire bonding method. In the bump forming method as described above,
A metal ball (6) integrally formed with the metal wire (3) is crimped onto the pad (1) at one end of the metal wire (3), and the metal wire (3) is moved in a direction away from the substrate (2). The metal wire (3) is cut by making the laser beam (9) on the remaining portion (3a) of the metal wire (3) left integrally with the metal ball (6) after cutting.
It is characterized in that the remaining portion (3a) of the metal wire (3) is cut by irradiating with.

【0011】この発明においては、好適には、金属ワイ
ヤーを切断する際にこの金属ワイヤーが金属ボールの直
上で切断されない条件で金属ボールを形成する。
In the present invention, the metal ball is preferably formed under the condition that the metal wire is not cut right above the metal ball when the metal wire is cut.

【0012】この発明の好適な一実施形態においては、
金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する際に
基板の主面が下側になるように基板を保持する。
In a preferred embodiment of the present invention,
The substrate is held so that the main surface of the substrate faces downward when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam.

【0013】この発明の他の好適な一実施形態において
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分を基板の下方に設けられた吸引手段によ
り吸引する。
In another preferred embodiment of the present invention, when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam, the substrate is held so that the main surface of the substrate is on the lower side and the laser beam is irradiated. The remaining portion of the metal wire cut by is sucked by the suction means provided below the substrate.

【0014】この発明のさらに他の一実施形態において
は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射する
際に基板の主面が下側になるように基板を保持し、かつ
レーザー光線を照射することにより切断された金属ワイ
ヤーの残り部分をチャック手段により把持して基板から
離れる方向の力を加える。ここで、このチャック手段に
より加える力は、金属ワイヤーの残り部分にレーザー光
線を照射して加熱したときにこの金属ワイヤーの残り部
分が上方に引き込まれず、かつバンプが機械的破壊を起
こさない程度の力である。
In still another embodiment of the present invention, when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam, the substrate is held so that the main surface of the substrate is on the lower side, and the laser beam is irradiated. The remaining portion of the cut metal wire is gripped by the chuck means and a force in the direction of separating from the substrate is applied. Here, the force applied by the chuck means is such that the remaining portion of the metal wire is not pulled upward when the remaining portion of the metal wire is heated by being irradiated with a laser beam, and the bump does not cause mechanical destruction. Is.

【0015】この発明においては、レーザー光線は好適
には高出力のレーザーにより発生されたレーザー光線で
あり、具体的には、例えばYAGレーザーにより発生さ
れたレーザー光線である。
In the present invention, the laser beam is preferably a laser beam generated by a high power laser, specifically, a laser beam generated by, for example, a YAG laser.

【0016】この発明において、金属ワイヤーは、金ワ
イヤーのほか、スズワイヤー、はんだワイヤー、銅ワイ
ヤーなどである。また、基板は、例えば、集積回路ダイ
である。
In the present invention, the metal wire is a tin wire, a solder wire, a copper wire or the like in addition to a gold wire. Also, the substrate is, for example, an integrated circuit die.

【0017】[0017]

【作用】上述のように構成されたこの発明によるバンプ
形成方法によれば、金属ワイヤーをクランプしたままキ
ャピラリーを上方に引き上げたりすることによりこの金
属ワイヤーを切断した後に残される金属ワイヤーの残り
部分にレーザー光線を照射することによりこの金属ワイ
ヤーの残り部分を切断するようにしているので、各パッ
ド上のバンプの高さをレーザー光線の照射位置精度と同
等の精度でそろえることができる。このため、各パッド
上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全になくすこと
ができる。また、各パッド上のバンプ間の接触も防止す
ることができる。
According to the bump forming method of the present invention configured as described above, the remaining portion of the metal wire left after the metal wire is cut by pulling the capillary upward while clamping the metal wire is used. Since the remaining portion of the metal wire is cut by irradiating the laser beam, the height of the bump on each pad can be aligned with the same precision as the laser beam irradiation position precision. Therefore, the variation in height between the bumps on each pad can be almost completely eliminated. Further, contact between bumps on each pad can be prevented.

【0018】[0018]

【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In all the drawings of the embodiments, the same or corresponding parts are designated by the same reference numerals.

【0019】図1〜図3はこの発明の一実施例を示す。
この一実施例においては、図1に示すように、まず、図
示省略した所定のワイヤーボンディング装置の加熱可能
な所定の基台上に、パッド1が複数設けられたICダイ
2を載置する。このICダイ2の上方には、金ワイヤー
3が通されたキャピラリー4が設けられている。符号5
はスパーク発生用の電極を示す。
1 to 3 show an embodiment of the present invention.
In this embodiment, as shown in FIG. 1, first, an IC die 2 having a plurality of pads 1 is placed on a heatable predetermined base of a predetermined wire bonding apparatus (not shown). A capillary 4 through which a gold wire 3 is passed is provided above the IC die 2. Code 5
Indicates an electrode for generating a spark.

【0020】ワイヤーボンディングに先立って、電極5
に所定の電圧を印加してスパークを発生させ、キャピラ
リー4から出ていた金ワイヤー3の先端部を溶融させて
ボール状にした後、これを再凝固させることにより金ワ
イヤー3の先端に金ボール6を形成しておく。この一実
施例においては、金ワイヤー3として直径が30μmの
ものを用い、0.1μsのスパークを発生させて金ボー
ル6を形成する。
Prior to wire bonding, the electrode 5
A spark is generated by applying a predetermined voltage to the tip of the gold wire 3 that has come out of the capillary 4, and is made into a ball shape. 6 is formed. In this embodiment, a gold wire 3 having a diameter of 30 μm is used, and a spark of 0.1 μs is generated to form the gold ball 6.

【0021】ここで、スパーク電流を大きくすると、金
ワイヤー3の溶融により形成される金ボール6は大きく
なる。また、スパーク時間を長くすると、後述のように
金ワイヤー3を引きちぎったときの金ワイヤー3の残り
部分3aは長くなる。この一実施例においては、金ボー
ル6を形成する際のスパーク時間を長くすることによ
り、金ワイヤー3の残り部分3aを長めに設定する。
Here, if the spark current is increased, the gold ball 6 formed by melting the gold wire 3 becomes larger. Further, if the spark time is lengthened, the remaining portion 3a of the gold wire 3 when the gold wire 3 is torn off becomes longer as described later. In this embodiment, the remaining time 3a of the gold wire 3 is set longer by increasing the spark time when forming the gold ball 6.

【0022】次に、以上のようにして形成された金ボー
ル6を超音波熱圧着法によりICダイ2上のパッド1上
に圧着した後、金ワイヤー3をクランプしたままキャピ
ラリー4を上方へ引き上げ、金ワイヤー3を引きちぎ
る。このようにして、図2に示すように、各パッド1上
にバンプ7を形成する。この場合、これらのバンプ7の
上部には金ワイヤー3の残り部分3aが長めに残されて
いる。
Next, after the gold ball 6 formed as described above is pressure bonded onto the pad 1 on the IC die 2 by ultrasonic thermocompression bonding, the capillary 4 is pulled up while the gold wire 3 is clamped. , Tear off the gold wire 3. In this way, bumps 7 are formed on each pad 1, as shown in FIG. In this case, the remaining portion 3a of the gold wire 3 is left above the bumps 7 for a long time.

【0023】次に、図3に示すように、図示省略した反
転機構により、ICダイ2の上下を反転させてバンプ7
が下側になるようにし、この状態でICダイ2を保持す
る。このICダイ2の上下の反転は、具体的には、例え
ば次のようにして行われる。すなわち、例えば、ICダ
イ2のバンプ7側の主面の中央を真空チャックにより吸
着してICダイ2の上下を反転させた後、このICダイ
2のもう一方の主面を別の真空チャックにより吸着し、
その後、バンプ7側の主面の吸着を解除すればよい。
Next, as shown in FIG. 3, the IC die 2 is turned upside down by a turning mechanism (not shown) so that the bumps 7
Is on the lower side, and the IC die 2 is held in this state. The upside down of the IC die 2 is specifically performed as follows, for example. That is, for example, after the center of the main surface of the IC die 2 on the bump 7 side is attracted by a vacuum chuck and the IC die 2 is turned upside down, the other main surface of the IC die 2 is attached by another vacuum chuck. Adsorb,
After that, the suction of the main surface on the bump 7 side may be released.

【0024】次に、ワイヤーボンディング装置に備えら
れたYAGレーザー8を図3中矢印で示すようにICダ
イ2の辺に平行に移動させながら、このYAGレーザー
8から発生されたレーザー光線9を、ICダイ2の各パ
ッド1上に形成されたバンプ7の金ワイヤー3の残り部
分3aの根元に近い部分に照射し、この残り部分3aを
切断する。このとき、この切断された残り部分3aは、
そのまま下方に落下する。ここで、レーザー光線9の出
力は例えば1Wである。また、YAGレーザー8は、例
えば、ICダイ2が載置されている基台に取り付けられ
たガイド(図示せず)により、ICダイ2の辺に平行に
移動させる。
Next, the YAG laser 8 provided in the wire bonding apparatus is moved parallel to the side of the IC die 2 as shown by the arrow in FIG. Irradiation is applied to a portion of the bump 7 formed on each pad 1 of the die 2 near the root of the remaining portion 3a of the gold wire 3, and the remaining portion 3a is cut. At this time, the cut remaining portion 3a is
It falls down as it is. Here, the output of the laser beam 9 is 1 W, for example. The YAG laser 8 is moved parallel to the side of the IC die 2 by, for example, a guide (not shown) attached to a base on which the IC die 2 is placed.

【0025】図4は、以上のようにして各バンプ7の金
ワイヤー3の残り部分3aを切断した後のICダイ2を
示す。図4に示すように、各バンプ7の高さは、このバ
ンプ7の形成に用いた金ボール6の大きさによらず、ほ
ぼ一定となる。
FIG. 4 shows the IC die 2 after cutting the remaining portion 3a of the gold wire 3 of each bump 7 as described above. As shown in FIG. 4, the height of each bump 7 is substantially constant regardless of the size of the gold ball 6 used to form the bump 7.

【0026】以上のように、この一実施例によれば、ワ
イヤーボンディング法によりICダイ2上の各パッド1
上にバンプ7を形成した後、このバンプ7と一体に残さ
れた金ワイヤー3の残り部分3aをレーザー光線9の照
射により切断するようにしているので、各バンプ7の高
さをこのレーザー光線9の照射位置精度と同等の精度で
そろえることができ、それによってバンプ7間の高さの
ばらつきをほぼ完全になくすことができる。また、隣接
するバンプ7同士の接触を防止することもできる。そし
て、これによって、バンプ形成後の後工程で高歩留まり
の実装を行うことができる。
As described above, according to this embodiment, each pad 1 on the IC die 2 is formed by the wire bonding method.
After the bumps 7 are formed on the bumps 7, the remaining portion 3a of the gold wire 3 left integrally with the bumps 7 is cut by irradiating the laser beam 9, so that the height of each bump 7 is adjusted by the laser beam 9. It is possible to align with the same accuracy as the irradiation position accuracy, and thereby it is possible to almost completely eliminate the height variation between the bumps 7. It is also possible to prevent contact between the adjacent bumps 7. Thus, mounting with a high yield can be performed in a post process after bump formation.

【0027】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。
Although one embodiment of the present invention has been specifically described above, the present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention. .

【0028】例えば、上述の一実施例においては、IC
ダイ2の上下を反転させてバンプ7が下側になった状態
でレーザー光線9を金ワイヤー3の残り部分3aに照射
して切断することにより、この残り部分3aがICダイ
2上に落下しないようにしたが、ICダイ2の上下を反
転させずに、金ワイヤー3の残り部分3aをレーザー光
線9の照射により切断し、ICダイ2上に落下するこの
残り部分3aを例えばエアブローにより吹き飛ばすよう
にしてもよい。
For example, in the above-described embodiment, the IC
By turning the die 2 upside down and irradiating and cutting the remaining portion 3a of the gold wire 3 with the laser beam 9 in a state where the bump 7 is on the lower side, the remaining portion 3a does not drop onto the IC die 2. However, without turning the IC die 2 upside down, the remaining portion 3a of the gold wire 3 is cut by irradiation of the laser beam 9, and the remaining portion 3a falling on the IC die 2 is blown off by, for example, air blow. Good.

【0029】また、レーザー光線9の照射による金ワイ
ヤー3の残り部分3aの切断は、必ずしもワイヤーボン
ディング装置において行う必要はなく、例えば、ワイヤ
ーボンディング装置においてバンプ7を形成した後にI
Cダイ2をワイヤーボンディング装置とは別の所定のレ
ーザー光線照射装置に移し、このレーザー光線照射装置
においてレーザー光線の照射により金ワイヤー3の残り
部分3aの切断を行うようにしてもよい。
Further, the cutting of the remaining portion 3a of the gold wire 3 by the irradiation of the laser beam 9 does not necessarily have to be performed in the wire bonding apparatus. For example, after the bump 7 is formed in the wire bonding apparatus, I
The C die 2 may be moved to a predetermined laser beam irradiation device different from the wire bonding device, and the remaining portion 3a of the gold wire 3 may be cut by the irradiation of the laser beam in this laser beam irradiation device.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上述べたように、この発明によれば、
金属ボールと一体に残された金属ワイヤーの残り部分に
レーザー光線を照射して切断するようにしているので、
各パッド上のバンプ間の高さのばらつきをほぼ完全にな
くすことができ、かつ隣接するバンプ間の接触を防止す
ることができる。
As described above, according to the present invention,
Since the remaining part of the metal wire left integrally with the metal ball is irradiated with a laser beam to cut it,
Height variations between bumps on each pad can be almost completely eliminated, and contact between adjacent bumps can be prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view illustrating a bump forming method according to an embodiment of the present invention.

【図2】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view illustrating a bump forming method according to an embodiment of the present invention.

【図3】この発明の一実施例によるバンプ形成方法を説
明するための斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view illustrating a bump forming method according to an embodiment of the present invention.

【図4】この発明の一実施例によるバンプ形成方法によ
り形成されたバンプを示す略線図である。
FIG. 4 is a schematic diagram showing a bump formed by a bump forming method according to an embodiment of the present invention.

【図5】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
FIG. 5 is a perspective view for explaining a conventional bump forming method.

【図6】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
FIG. 6 is a perspective view for explaining a conventional bump forming method.

【図7】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
FIG. 7 is a perspective view for explaining a conventional bump forming method.

【図8】従来のバンプ形成方法を説明するための斜視図
である。
FIG. 8 is a perspective view for explaining a conventional bump forming method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パッド 2 ICダイ 3 金ワイヤー 3a 残り部分 4 キャピラリー 6 金ボール 7 バンプ 8 YAGレーザー 9 レーザー光線 1 Pad 2 IC Die 3 Gold Wire 3a Remaining Part 4 Capillary 6 Gold Ball 7 Bump 8 YAG Laser 9 Laser Beam

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の一主面に設けられたパッド上にワ
イヤーボンディング法によりバンプを形成するようにし
たバンプ形成方法において、 金属ワイヤーの一端にこの金属ワイヤーと一体に形成さ
れた金属ボールを上記パッド上に圧着し、 上記金属ワイヤーを上記基板から離れる方向に移動させ
ることにより上記金属ワイヤーを切断し、 上記切断後に上記金属ボールと一体に残された上記金属
ワイヤーの残り部分にレーザー光線を照射することによ
り上記金属ワイヤーの残り部分を切断するようにしたこ
とを特徴とするバンプ形成方法。
1. A bump forming method in which a bump is formed on a pad provided on one main surface of a substrate by a wire bonding method, wherein a metal ball integrally formed with the metal wire is provided at one end of the metal wire. Crimping onto the pad, cutting the metal wire by moving the metal wire in a direction away from the substrate, and irradiating the remaining portion of the metal wire left integrally with the metal ball after the cutting with a laser beam. The bump forming method is characterized in that the remaining portion of the metal wire is cut by doing so.
【請求項2】 上記金属ワイヤーを切断する際に上記金
属ワイヤーが上記金属ボールの直上で切断されない条件
で上記金属ボールを形成するようにしたことを特徴とす
る請求項1記載のバンプ形成方法。
2. The bump forming method according to claim 1, wherein, when the metal wire is cut, the metal ball is formed under the condition that the metal wire is not cut right above the metal ball.
【請求項3】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持するようにしたことを特徴とす
る請求項1または2記載のバンプ形成方法。
3. The substrate is held so that the main surface of the substrate faces downward when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam. The method for forming bumps as described above.
【請求項4】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持し、かつ上記レーザー光線を照
射することにより切断された上記金属ワイヤーの残り部
分を上記基板の下方に設けられた吸引手段により吸引す
るようにしたことを特徴とする請求項1または2記載の
バンプ形成方法。
4. The substrate is held so that the main surface of the substrate faces downward when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam, and is cut by irradiating the laser beam. The bump forming method according to claim 1 or 2, wherein the remaining portion of the metal wire is sucked by a suction means provided below the substrate.
【請求項5】 上記金属ワイヤーの残り部分に上記レー
ザー光線を照射する際に上記基板の上記主面が下側にな
るように上記基板を保持し、かつ上記レーザー光線を照
射することにより切断された上記金属ワイヤーの残り部
分をチャック手段により把持して上記基板から離れる方
向の力を加えるようにしたことを特徴とする請求項1ま
たは2記載のバンプ形成方法。
5. The substrate is held by holding the substrate so that the main surface of the substrate faces downward when the remaining portion of the metal wire is irradiated with the laser beam, and is cut by irradiating the laser beam. 3. The bump forming method according to claim 1, wherein the remaining portion of the metal wire is gripped by chucking means to apply a force in a direction away from the substrate.
【請求項6】 上記レーザー光線は高出力のレーザーに
より発生されたレーザー光線であることを特徴とする請
求項1または2記載のバンプ形成方法。
6. The bump forming method according to claim 1, wherein the laser beam is a laser beam generated by a high-power laser.
【請求項7】 上記レーザーはYAGレーザーであるこ
とを特徴とする請求項6記載のバンプ形成方法。
7. The bump forming method according to claim 6, wherein the laser is a YAG laser.
【請求項8】 上記金属ワイヤーは金ワイヤー、スズワ
イヤー、はんだワイヤーまたは銅ワイヤーであることを
特徴とする請求項1または2記載のバンプ形成方法。
8. The bump forming method according to claim 1, wherein the metal wire is a gold wire, a tin wire, a solder wire or a copper wire.
【請求項9】 上記基板は集積回路ダイであることを特
徴とする請求項1または2記載のバンプ形成方法。
9. The bump forming method according to claim 1, wherein the substrate is an integrated circuit die.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109396659A (en) * 2018-09-19 2019-03-01 力成科技(苏州)有限公司 Micro SD card abnormity frame cutting technique
CN116329830A (en) * 2023-05-29 2023-06-27 宁波尚进自动化科技有限公司 Welding method of chip pins

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