JPH0836741A - 磁気記録媒体および新規クラウンエーテル系化合物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 新規なクラウンエーテル系化合物およびそれ
を使用した潤滑性・耐摩耗性に優れ、良好なトライボロ
ジー性能を有する磁気記録媒体を提供する。 【構成】 非磁性基板上に磁性層を有してなる磁気記録
媒体において、潤滑作用を担う分子骨格を有する有機基
を備えたクラウンエーテル系化合物を含有する潤滑層を
有することを特徴とする磁気記録媒体であって、吸着現
象（スティッキング）が抑制され、良好な耐久性を有す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、新規なクラウンエーテ
ル系化合物、およびこれを潤滑剤として用いることによ
り得られる、耐久性に優れた磁気記録媒体に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】薄膜型磁気記録媒体は通常、磁性金属ま
たはその合金をメッキ法、蒸着法、スパッタ法等によっ
て非磁性基板上に被着して製造される。実際の使用時に
おいては、磁気ヘッドと磁気記録媒体との摺動によって
摩耗損傷を受ける。この結果、摩擦係数の上昇や磁気特
性上の劣化を起こしたりする。上記の欠点を解決する方
法として磁性層上に保護膜や潤滑膜を設けることが提案
され、実行されている。保護膜としては炭素膜、酸化物
膜、炭化物膜、窒化物膜およびほう化物膜などが利用さ
れる。また潤滑膜としては液体潤滑剤と固体潤滑剤があ
り、例えばパーフルオロポリエーテルや高級脂肪酸また
はその金属塩などが用いられる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】磁気記録媒体の使用時
は、ディスク媒体は停止状態から急速に回転加速され、
これに伴い、浮上ヘッドスライダに浮力が与えられてヘ
ッドは浮上する。使用後に電源が切断されるとディスク
媒体を回転させているモータが停止し、ヘッドと媒体と
が物理的に接触を起こす。このような動作を繰り返しお
こさせて耐久性を調べる試験をコンタクト・スタート・
ストップ（以下ＣＳＳという）テストと呼ぶ。このＣＳ
Ｓテストにおいて従来の磁気記録媒体では、ＣＳＳの回
数を重ねるにつれて摩擦係数が増加し、摩耗により表面
に損傷を与えたり、なんらかの原因でヘッドスライダー
に浮力が働かず高速回転中でも摺動し、ヘッドおよび媒
体が破壊するヘッドクラッシュという現象を生ずる問題
がある。

【０００４】動摩擦係数を低減するために液体潤滑剤は
非常に有効であるが、液体潤滑剤膜を厚くしていくと、
ヘッドとディスクが静止時に吸着し、静摩擦係数が増加
する現象がみられる。この吸着現象は、ヘッドとディス
ク間に液体潤滑剤の表面張力によるメニスカスが形成さ
れるために起こると考えられ、その傾向は基板の平均粗
さが小さくなればなるほど顕著である。

【０００５】この現象を回避するために固体潤滑剤を用
いることが提案されている。高級脂肪酸やその金属塩は
優れた潤滑性を示すが、基板に対する親和性が弱く、耐
久性の面で問題が解決できていない。本発明は上記の問
題点を解決するためになされたものであり、長年月の使
用に耐える磁気記録媒体を得ることを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性基板上
に磁性層を有してなる磁気記録媒体において、潤滑作用
を担う分子骨格を有する有機基を備えたクラウンエーテ
ル系化合物を含有する潤滑層を有することを特徴とする
磁気記録媒体および該潤滑層に使用される新規なクラウ
ンエーテル系化合物に関するものであり、薄膜磁気記録
媒体表面に上記化合物を塗布することにより、従来問題
とされた吸着現象（スティッキング）を抑制し良好な耐
久性を有する磁気記録媒体を提供することを目的とす
る。

【０００７】上記クラウンエーテル系化合物としては、
クラウンエーテル骨格に、潤滑性を発現する長鎖炭素骨
格を有する有機基を置換基として有するものであればよ
いが、通常、下記一般式Ｉで示される化合物が使用され
る。

【０００８】

【化６】

【０００９】（式中、ｎは３〜１０の整数であり、構成
単位Ａは置換基を有していてもよいエチレン基またはフ
ェニレン基、好ましくは１，２−フェニレン基を表し、
かつＡのうち少なくとも１つは長鎖炭素骨格を有する有
機基を置換基として有する）更に好ましくは、一般式Ｉ
で示されるクラウンエーテル系化合物の構成単位Ａのう
ち少なくとも１つは下記式で示されるフェニレン基であ
るクラウンエーテル系化合物が挙げられる。

【００１０】

【化７】

【００１１】（式中、Ｒ₁ は長鎖炭素骨格を有する有機
基を表し、Ｒ₂ は長鎖炭素骨格を有する有機基または水
素を表し、ｍは１〜４の整数である） 一般式Ｉで示される化合物のクラウンエーテル系骨格の
具体例としては、ベンゾ−９−クラウン−３、ベンゾ−
１２−クラウン−４、ベンゾ−１５−クラウン−５、ベ
ンゾ−１８−クラウン−６、ジベンゾ−１２−クラウン
−４、ジベンゾ−１５−クラウン−５、ジベンゾ−１８
−クラウン−６、トリベンゾ−１８−クラウン−６、ト
リベンゾ−２１−クラウン−７、テトラベンゾ−２４−
クラウン−８等が挙げられる。

【００１２】構成単位Ａのうち少なくとも１つが置換基
として有する長鎖炭素骨格を有する有機基は、分岐構
造、不飽和結合、あるいはヘテロ原子の有無によらず選
択することができるが、直鎖部分の炭素原子数が１２〜
２４であるものが好ましい。直鎖部分の炭素原子数が１
２未満の場合は耐久性が不十分であり、逆に炭素原子数
が２４を超えると溶媒への溶解性が悪くなり、ディスク
に塗布することが困難になる。長鎖炭素骨格は、通常、
炭化水素により構成されるが、部分的にフッ素化されて
いてもよく、またパーフルオロポリエーテルから構成さ
れても良い。

【００１３】長鎖炭素骨格の具体例としては、Ｃ₁₂Ｈ₂₅
−、Ｃ₁₆Ｈ₃₃−、Ｃ₁₇Ｈ₃₅−、Ｃ₁₈Ｈ₃₇−、Ｃ₁₉Ｈ
₃₉−、Ｃ₂₀Ｈ₄₁−、Ｃ₂₂Ｈ₄₅−、Ｃ₂₄Ｈ₄₉−等の直鎖ア
ルキル基、Ｃ₁₄Ｈ₂₉Ｏ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₅Ｈ₃₁Ｏ（Ｃ
Ｈ₂ ）_n −、Ｃ₁₆Ｈ₃₃Ｏ（ＣＨ₂）_n −、Ｃ₁₇Ｈ₃₅Ｏ
（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₈Ｈ₃₇Ｏ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₉Ｈ₃₉
Ｏ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₂₀Ｈ₄₁Ｏ（ＣＨ₂ ）_n −等のＣ_m
Ｈ_(2m+1)Ｏ（ＣＨ₂ ）_n −で示されるアルコキシアルキ
ル基、Ｃ₁₁Ｈ₂₃ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＣＯＯ
（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₃Ｈ₂₇ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₄
Ｈ₂₉ＣＯＯ（ＣＨ₂ ） _n −、Ｃ₁₅Ｈ₃₁ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）
_n −等のＣ_m Ｈ_(2m+1)ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −で示される
アルキルカルボニルオキシアルキル基、Ｃ₁₆Ｈ₃₃ＮＨＣ
Ｏ（ＣＨ₂ ）_n−、Ｃ₁₇Ｈ₃₅ＮＨＣＯ（ＣＨ₂ ）_n −、
Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＮＨＣＯ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₉Ｈ₃₉ＮＨＣＯ
（ＣＨ₂ ）_n −等のＣ_m Ｈ_(2m+1)ＮＨＣＯ（ＣＨ₂ ）_n
−で示されるアルキルカルバモイルアルキル基、Ｃ₁₆Ｈ
₃₃ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ ₁₇Ｈ₃₅ＮＨＣＯＮＨ
（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂ ）
_n −、Ｃ ₁₉Ｈ₃₉ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂ ）_n −等のＣ_m Ｈ
_(2m+1)ＮＨＣＯＮＨ（ＣＨ₂ ）_n−で示されるアルキル
ウレイドアルキル基、Ｃ₁₆Ｈ₃₃ＮＨＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n
−、Ｃ₁₇Ｈ₃₅ＮＨＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＮＨ
ＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −、Ｃ ₁₉Ｈ₃₉ＮＨＣＯＯ（ＣＨ₂ ）
_n −等のＣ_m Ｈ_(2m+1)ＮＨＣＯＯ（ＣＨ₂ ）_n −で示さ
れるアルキルカルバモイルオキシアルキル基（ｍは１２
以上、好ましくは１２〜２４の整数、ｎは１以上、好ま
しくは１〜１１の整数である）、Ｃ₁₂Ｈ₂₅（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）
ＣＨ−、Ｃ₁₂Ｈ₂₅（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）ＣＨＣＨ₂ −、Ｃ₁₃Ｈ₂₇
（Ｃ₁₁Ｈ₂₃）ＣＨＣＨ₂ −、Ｃ₁₆Ｈ₃₃（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）ＣＨ
ＣＨ₂ −、Ｃ₁₈Ｈ₃₇（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）ＣＨＣＨ₂ −、Ｃ₁₈Ｈ
₃₇（Ｃ₁₈Ｈ₃₇）ＣＨＣＨ₂ −等のＣ_x Ｈ_(2x+1)（Ｃ_yＨ
_(2y+1)）ＣＨ（ＣＨ₂ ）_(z-1) −で示される分岐鎖状ア
ルキル基、Ｃ₁₂Ｈ₂₅（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）ＣＨＯ（ＣＨ₂ ）
_z −、Ｃ₁₂Ｈ₂₅（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）ＣＨＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）_z
−、Ｃ₁₃Ｈ₂₇（Ｃ₁₁Ｈ₂₃）ＣＨＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）
_z −、Ｃ₁₆Ｈ₃₃（Ｃ₁₆Ｈ₃₃）ＣＨＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）_z
−、Ｃ₁₈Ｈ₃₇（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）ＣＨＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）
_z −、Ｃ₁₈Ｈ₃₇（Ｃ₁₈Ｈ₃₇）ＣＨＣＨ₂ Ｏ（ＣＨ₂ ）_z
−等のＣ_x Ｈ_(2x+1)（Ｃ_y Ｈ_{(2 y+1)}）ＣＨ（ＣＨ₂ ）_n
Ｏ（ＣＨ₂ ）_z −で示される分岐鎖状アルキルオキシア
ルキル基、（Ｃ₁₆Ｈ₃₃ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯＣＨ₂ ＣＨ₂
−、（Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＯＣＨ₂）₂ ＣＨＯＣＨ₂ ＣＨ₂−、（Ｃ
₁₈Ｈ₃₇ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯ（ＣＨ₂ ）₆ −、（Ｃ₁₈Ｈ₃₇
ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯ（ＣＨ₂ ）₁₁−等の（Ｃ_x Ｈ_(2x+1)
ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯ（ＣＨ₂ ）_z −で示される（分岐鎖
状アルキルオキシアルキル）オキシアルキル基、（Ｃ₁₆
Ｈ₃₃）₂ ＮＣＯ（ＣＨ₂）₃ −、（Ｃ₁₈Ｈ₃₇）₂ ＮＣＯ
（ＣＨ₂）₃ −等のＣ_x Ｈ_(2x+1)（Ｃ_y Ｈ_(2y+1)）ＮＣ
Ｏ（ＣＨ₂ ）_z −で示されるジアルキルカルバモイルア
ルキル基（ｘは１２以上の整数、好ましくは１２〜２４
の整数、ｙは１以上の整数、ｚは１以上の整数、好まし
くは１〜１１の整数、ｎは０以上の整数、好ましくは０
〜１１の整数である）、（Ｃ₁₂Ｈ₂₅）₃ Ｃ−、（Ｃ ₁₆Ｈ
₃₃）₃ ＣＣＨ₂ −、（Ｃ₁₈Ｈ₃₇ＯＣＨ₂ ）₃ ＣＣＨ₂ −
等の３級炭素を有する分岐鎖状アルキル基、あるいは、
（ＣＦ₃ ＣＨ₂ ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯ（ＣＨ₂）₁₁−、
（ＣＦ₃ （ＣＦ₂ ）₅ ＣＨ₂ ＣＨ₂ ＯＣＨ₂ ）₂ ＣＨＯ
（ＣＨ₂ ）₁₁−、Ｆ（ＣＦ（ＣＦ₃ ）ＣＦ₂ Ｏ）_n ＣＦ
（ＣＦ₃ ）ＣＦ₂ ＣＨ₂ −、Ｆ（ＣＦ₂ＣＦ₂ ＣＦ
₂ Ｏ）_n ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＨ₂ −、Ｆ（ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ）
_p （ＣＦ₂ Ｏ）_q ＣＦ₂ ＣＨ₂ −（ｎ、ｐおよびｑは１
以上、好ましくは５〜５０の整数である）等の含フッ素
ポリエーテル置換基が挙げられる。

【００１４】具体的には、例えば下記の化合物が挙げら
れる。

【００１５】

【化８】

【００１６】

【化９】

【００１７】

【化１０】

【００１８】上記のクラウンエーテル系化合物は基板表
面と強い親和性を示すので、クラウンエーテル部が基板
に固着し、分子内の疎水性の部分である長鎖炭素骨格部
が大気側に配列しやすくなる特徴を持つ。例えば、カー
ボン表面上に４、４’−ジ（オクタデシルアミノ）ジベ
ンゾ−１８−クラウン−６をコーティングした場合、水
に対する接触角を測定すると９０度以上を示し溌水性が
高くなるとともに、分子内に有する長鎖炭素骨格によ
り、潤滑性に優れた膜を提供する。

【００１９】本発明のクラウンエーテル系化合物の具体
的な合成法の例として、Ｎ−アルキルアミノベンゾクラ
ウンエーテルについて以下に説明する。Ｎ−アルキルア
ミノベンゾクラウンエーテルの出発物質となるアミノベ
ンゾクラウンエーテルは、ベンゾクラウンエーテルをニ
トロ化し、次いで還元することにより合成される。これ
らは、W.M.Freigenbaum 等の方法（J.Polym.Sci.,PartA
-1,9,817(1971).）とE.Shchori 等の方法（J.Am.Chem.S
oc.,95,3842(1973). ）を参考にして合成することがで
きる。

【００２０】Ｎ−アルキルアミノベンゾクラウンエーテ
ルはアミノベンゾクラウンエーテルにステアリルブロミ
ド等のハロゲン化物あるいはスルホネート化合物、フォ
スフェート化合物等をアルキル化試薬として作用させる
ことにより合成するか、または、アルデヒド、ケトン等
を用い還元アミノ化反応によって合成することができ
る。アミノベンゾクラウンエーテルの１つのアミノ基に
対し、長鎖炭素骨格を１本だけ導入したい場合にはアル
カノイルアミノベンゾクラウンエーテルを中間化合物と
して合成する方法が優れている。具体的には、アミノベ
ンゾクラウンエーテルにステアロイルクロライド等の酸
塩化物あるいは無水ステアリン酸等の酸無水物などを作
用させてアルカノイルアミノベンゾクラウンエーテルを
得、次いで水素化物等で還元することにより目的のＮ−
アルキルアミノベンゾクラウンエーテルを合成すること
ができる。

【００２１】磁気記録媒体を製造する際に用いられる非
磁性基板としては、通常、無電解めっき法、スパッタ法
などにより形成したニッケル−リン層を設けたアルミニ
ウム合金板が用いられるが、その他、銅、チタン等の金
属基板、ガラス基板、セラミック基板、または樹脂基板
を用いることもできる。磁気記録層は、上記基板上に直
接形成することもできるが、Ｃｒなどの中間層を設けた
のち形成してもよく、無電解めっき法、電気めっき法、
スパッタ法、蒸着法等の方法によって形成される。磁性
層としては、Ｃｏ−Ｐ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ系、Ｃｏ−Ｎ
ｉ−Ｃｒ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ系、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ
系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｂ系、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ系合金等が使用され、膜厚は通常
１０〜７０ｎｍである。この磁気記録層の上に、保護層
として蒸着法、スパッタ法、プラズマＣＶＤ法、イオン
プレーティング法、湿式法等により、無定形カーボン、
水素化カーボン等の炭素質膜、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂ Ｏ₃ 、
ＺｒＯ₂ 等の酸化物膜、ＴｉＣ、ＳｉＣ等の炭化物膜、
Ｓｉ₃ Ｎ₄ 、ＴｉＮ等の窒化物膜等が形成される。この
保護層上に、先に説明したクラウンエーテル系化合物が
単独で、または、従来公知の固体潤滑剤または液体潤滑
剤とともに含有される潤滑剤を、アルコール、ケトン、
エステル、芳香族炭化水素あるいはハロゲン化炭化水素
等の有機溶媒に溶解させ、一般的に用いられるディップ
法、スピンコート法、スプレー法、ＬＢ法等で塗布する
ことにより、磁気記録媒体が得られる。

【００２２】潤滑層の膜厚は８ｎｍ程度までが望ましい
が、膜厚が小さいと潤滑性能が劣り、膜厚が大きいと摺
動中に汚れが発生することがあるので、１〜５ｎｍの範
囲内とすることが好ましい。

【００２３】

【実施例】次に本発明を実施例によりさらに具体的にに
説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の
実施例に限定されるものではない。実施例１ 市販のジベンゾ−１８−クラウン−６をW.M.Freigenbau
m 等の方法 (J.Polym.Sci., Part A-1, 9, 817(1971).)
を参考にして、ニトロ化することにより、８１％の単
離収率で４，４’−ジニトロジベンゾ−１８−クラウン
−６を得た。得られた４，４’−ジニトロジベンゾ−１
８−クラウン−６を、E.Shchori 等の方法 (J.Am.Chem.
Soc., 95, 3842 (1973)) を参考に、ヒドラジンを用い
て還元することにより、９０％の単離収率で４，４’−
ジアミノジベンゾ−１８−クラウン−６（以下ＤＡＢＣ
という）を得た。なお、何れの物質もトランス体とシス
体の混合物であった。

【００２４】メカニカルスターラーを備えたフラスコを
使用し、クロロホルム溶媒中でＤＡＢＣ０．００２６モ
ル（１．０ｇ）とトリエチルアミン０．０１モルに、ス
テアロイルクロリド０．００５７モル（１．７ｇ）を室
温で３時間作用させた。ついで内容物を水で洗浄後、減
圧濃縮にし粗生成物を得たのち、クロロホルムとテトラ
ヒドロフラン（以下ＴＨＦという）により再結晶を行
い、０．００２４モル（２．３ｇ、収率９４％）の下記
式で示される４，４’−ジ（オクタデカノイルアミノ）
ジベンゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００２５】

【化１１】

【００２６】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.88,t(J=6.6HZ),6H;1.26,m,56H;1.58,m,4H;2.33,t(J=
7.5),4H;3.99,m,8H;4.15,m,8H;6.8〜7.4,m,6H ＩＲ（ＫＢｒ）：ν（ｃｍ^-1） 3300,2900,2850,1640,1600,1510,1250,1220,1120,820 Ｍａｓｓ：923(M+1) 元素分析：Ｃ₅₆Ｈ₉₄Ｎ₂ Ｏ₈ 計算値（％）C,72.89:H,10.20:N,3.04 分析値（％）C,72.19:H,10.36:N,2.78 上記クラウン化合物０．００１４モル（１．３ｇ）を、
還流冷却器を備えたフラスコ内で、乾燥ＴＨＦ中、リチ
ウムアルミニウムハイドライド（以下ＬＡＨという）
０．０１１モル（０．４ｇ）と加熱還流下で４時間作用
させた。系内を冷却し、水３０ｍｌを滴下し過剰のＬＡ
Ｈを分解させた後、沈澱物をろ別し、ろ液を減圧乾固さ
せた。これをシリカゲルカラムクロマトグラフにより分
離し、０．０００６モル（０．５４ｇ、収率４３％）の
下記式で示される４，４’−ジ（オクタデシルアミノ）
ジベンゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００２７】

【化１２】

【００２８】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.88,t(J=6.6Hz),6H;1.26,m,60H;1.6,m,4H;3.03,t(J=7.
5Hz),4H;3.36,br,2H;3.99,m,8H;4.12,m,8H;6.13,m,2H;
6.22,m,2H;6.78,d(J=8.4Hz),2H ＩＲ（ＫＢｒ）：ν（ｃｍ^-1） 3400,2900,2850,1610,1520,1240,1140,780,720 Ｍａｓｓ：894(M+) 元素分析：Ｃ₅₆Ｈ₉₈Ｎ₂ Ｏ₆ 計算値（％）C,75.17:H,10.96:N,3.13 分析値（％）C,75.13:H,11.13:N,3.02

【００２９】実施例２ 実施例１で合成したＤＡＢＣ０．００２６モル（１．０
ｇ）を、還流冷却器を備えたフラスコ内で、ジヘキサデ
シルフォスフェート０．００５７モル（３．１ｇ）と１
５０℃で３時間反応させた。ついで２Ｎ水酸化ナトリウ
ム４０ｍｌを加え、１時間加熱還流した。冷却後クロロ
ホルムを加えよく撹拌した後に沈澱物をろ別し、ろ液を
分液後有機層を減圧乾固させた。これをシリカゲルカラ
ムクロマトグラフにより分離し、０．０００４モル
（０．２４ｇ、収率１５％）の下記式で示される４−ヘ
キサデシルアミノ−４’−アミノジベンゾ−１８−クラ
ウン−６を得た。

【００３０】

【化１３】

【００３１】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.88,t(J=6.6Hz),3H;1.26,m,26H;1.58,m,2H;3.03,t(J=
6.0Hz),2H;3.42,br,3H;3.99,m,8H;4.11,m,8H;6.1-6.3,
m,4H;6.7〜6.8,m,2H ＩＲ（ＫＢｒ）：ν（ｃｍ^-1） 3450,3370,2900,2850,1610,1510,1220,1130 Ｍａｓｓ：614(M+)

【００３２】実施例３ 窒素雰囲気のフラスコ内で２−ウンデシルペンタデカン
酸０．０１モル（４．０ｇ）を乾燥塩化メチレンに溶解
させ、塩化チオニル０．０５モルを室温下滴下した後、
３時間加熱還流した。ついで溶媒を留去した後にクロロ
ホルムを加え反応液を作成した。

【００３３】次に、メカニカルスターラーを備えたフラ
スコ内で、実施例１で合成したＤＡＢＣ０．００５モル
（２．０ｇ）とトリエチルアミン０．０１モルをクロロ
ホルム溶媒に溶解させ、室温下上記反応液を滴下した
後、３時間加熱還流した。ついで、内容物を減圧濃縮に
付し、水−メタノール中で懸濁洗浄を行い、０．００４
６モル（５．３ｇ、収率９２％）の下記式で示される
４，４’−ジ（２−ウンデシルペンタデカノイルアミ
ノ）ジベンゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００３４】

【化１４】

【００３５】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.87,t(J=6.5Hz),12H;1.24,m,80H;1.58,m,4H;2.27,m,2
H;4.00,m,8H;4.16,m,8H;6.8〜7.2,m,6H ＩＲ（ＫＢｒ）：ν（ｃｍ^-1） 3400,3250,2900,2850,1640,1600,1520,1130,800,720 上記クラウン化合物０．００３３モル（３．８ｇ）を、
還流冷却器を備えたフラスコ内で、乾燥ＴＨＦ中、ＬＡ
Ｈ０．０３２モル（１．２ｇ）と加熱還流下で１７時間
作用させた。系内を冷却し、水を滴下し過剰のＬＡＨを
分解させた後、沈澱物をろ別し、ろ液を減圧乾固させ
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフにより分離
し、０．００１８モル（１．９９ｇ、収率５４％）の下
記式で示される４，４’−ジ（２−ウンデシルペンタデ
シルアミノ）ジベンゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００３６】

【化１５】

【００３７】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.87,t(J=6.5Hz),12H;1.24,m,80H;1.58,m,4H;2.27,m,2
H;4.00,m,8H;4.16,m,8H;6.8〜7.2,m,6H ＩＲ（neat）：ν（ｃｍ^-1） 3400,2900,2850,1610,1510,1230,1130,800,780,720

【００３８】実施例４ 窒素雰囲気のフラスコ内で１１−（１，３−ジオクタデ
シルグリセロキシ）ウンデカン酸０．００２６モル
（２．０ｇ）を乾燥塩化メチレンに溶解させ、塩化チオ
ニル０．０１３モルを室温下滴下した後、２．５時間加
熱還流した。ついで溶媒を留去した後に乾燥ジメチルホ
ルムアミド（以下ＤＭＦという）と塩化メチレンを加え
反応液を作成した。

【００３９】メカニカルスターラーを備えたフラスコ内
で、実施例１で合成したＤＡＢＣ０．０１３モル（０．
５１ｇ）とトリエチルアミン０．００４モルを乾燥ＤＭ
Ｆ溶媒に溶解させ、室温下上記反応液を滴下した後、２
時間８０℃で作用させた。冷却後、析出した内容物をろ
別洗浄し、０．０００８モル（１．４８ｇ、収率５９
％）の下記式で示される４，４’−ジ（１１−（１，３
−ジオクタデシルグリセロキシ）ウンデカノイルアミ
ノ）ジベンゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００４０】

【化１６】

【００４１】生成物のＮＭＲ分析値は下記のとおりであ
った。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.88,t(J=6.5Hz),12H;1.26,m,144H;1.56,m,16H;2.32,t
(J=6.0Hz),4H;3.4 〜3.6,m,22H;4.0,m,8H;4.2,m,8H;6.8
〜7.2,m,6H 上記クラウン化合物０．０００８モル（１．４８ｇ）
を、還流冷却器を備えたフラスコ内で、乾燥ＴＨＦ中、
ＬＡＨ０．００８モル（０．３ｇ）と加熱還流下で６時
間作用させた。系内を冷却し、水を滴下し過剰のＬＡＨ
を分解させた後、沈澱物をろ別し、ろ液を減圧乾固させ
た。これをシリカゲルカラムクロマトグラフにより分離
し、０．０００２モル（０．４３ｇ、収率２９モル％）
の下記式で示される４，４’−ジ（１１−（１，３−ジ
オクタデシルグリセロキシ）ウンデシルアミノ）ジベン
ゾ−１８−クラウン−６を得た。

【００４２】

【化１７】

【００４３】生成物の各種分析値は下記のとおりであっ
た。 Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃ ）：δ（ｐｐｍ） 0.88,t(J=6.6Hz),12H;1.25,m,148H;1.6,m,16H;3.03,t(J
=6.0Hz),4H;3.4〜3.6,m,22H;3.9 〜4.2,m,16H;6.11〜6.
15,m,4H;6.77,d(J=9.0Hz),2H ＩＲ（ＫＢｒ）：ν（ｃｍ^-1） 3400,2900,2850,1600,1520,1460,1230,1120,720

【００４４】実施例５ 平均粗さが５〜６ｎｍの直径３．５インチのアルミニウ
ム合金の基板上にスパッター法によりクロムを２００ｎ
ｍ、コバルト合金の磁性薄膜を５０ｎｍおよび炭素保護
膜２５ｎｍを順次形成した磁気ディスク上に、４，４’
−ジ（オクタデシルアミノ）ジベンゾ−１８−クラウン
−６をクロロホルム溶媒に溶解し、ディップ塗布によっ
てディスクの表面に２．８ｎｍの厚みの潤滑層を形成し
た。

【００４５】得られたディスクを用いて、ＣＳＳ試験を
行なった。ＣＳＳ試験は周速８．７ｍ／ｓｅｃで７５ｎ
ｍ浮上する７０％の薄膜ヘッドスライダ（材質：Ａｌ₂
Ｏ₃ −ＴｉＣ、押付力６ｇｆ）を用いて行なった。スピ
ンドルへ３秒間通電した後、９秒間電源をオフする計１
２秒をＣＳＳ１サイクルとし、各サイクル毎にスピンド
ル回転開始時のトルクと摺動時のトルクを測定した。摺
動時のトルクはスピンドルへの通電後０．３秒から１秒
の間にヘッドに働く力の最大値から求めた。ＣＳＳサイ
クルを２万回行ない、回転開始時のトルクと摺動時のト
ルクそれぞれの値を高い方から１０点選び、その平均を
求めた。上記のＣＳＳ試験の結果、ディスク、ヘッドと
も汚れはなく、回転開始時トルクが２０ｇｆ・ｃｍ、摺
動時トルクは１０ｇｆ・ｃｍであった。

【００４６】比較例１ モンテジソン社製のパーフルオロポリエーテル、Fombli
n Z DOL （−（ＣＦ₂ＣＦ₂ Ｏ）_m （ＣＦ₂ Ｏ）_n −骨
格、ｍ，ｎは１以上の整数、両末端ＯＨ、平均分子量２
０００）を住友３Ｍ社製のＰＦ５０８０（代替フロン溶
剤）に溶解し、ディッピング法により実施例５で使用し
たものと同様のディスクの表面に１．７ｎｍの厚みの潤
滑層を形成した。実施例５と同様にＣＳＳ試験を行なっ
た結果、ディスク、ヘッドとも汚れはなかったが、回転
開始時トルクが７４ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは２２ｇ
ｆ・ｃｍであった。

【００４７】比較例２ 実施例５と同様に、ダイキン工業社製のパーフルオロポ
リエーテル、デムナムＳＨ（−（ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＦ
₂ Ｏ）_p −骨格、ｐは１以上の整数、片末端ＣＯＯＨ変
性品；平均分子量２４００）をＰＦ５０８０に溶解し、
ディッピング法により実施例５で使用したものと同様の
ディスクの表面に２．７ｎｍの厚みの潤滑層を形成し
た。実施例５と同様にＣＳＳ試験を行なった結果、ディ
スク、ヘッドとも汚れはなかったが、回転開始時トルク
が５０ｇｆ・ｃｍ、摺動時トルクは８ｇｆ・ｃｍであっ
た。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の一例を示す概念断面
図である。

【符号の説明】

１ 非磁性基板 ２ 磁性層 ３ 保護膜 ４ 潤滑層

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基板上に磁性層を有してなる磁気
   記録媒体において、潤滑作用を担う分子骨格を有する有
   機基を備えたクラウンエーテル系化合物を含有する潤滑
   層を有することを特徴とする磁気記録媒体
2. 【請求項２】 クラウンエーテル系化合物が下記一般式
   で示される化合物である請求項１記載の磁気記録媒体 【化１】 （式中、ｎは３〜１０の整数であり、構成単位Ａは置換
   基を有していてもよいエチレン基またはフェニレン基を
   表し、かつＡのうち少なくとも１つは長鎖炭素骨格を有
   する有機基を置換基として有する）
3. 【請求項３】 クラウンエーテル系化合物がアミノ基を
   有する請求項１または２記載の磁気記録媒体
4. 【請求項４】 クラウンエーテル系化合物の構成単位Ａ
   のうち少なくとも１つは下記式で示されるフェニレン基
   である請求項２記載の磁気記録媒体 【化２】 （式中、Ｒ₁ は長鎖炭素骨格を有する有機基を表し、Ｒ
   ₂ は長鎖炭素骨格を有する有機基または水素を表し、ｍ
   は１〜４の整数である）
5. 【請求項５】 クラウンエーテル系化合物が下記一般式
   で示される化合物である請求項１記載の磁気記録媒体 【化３】 （式中、Ｒは長鎖炭素骨格を有する有機基を表し、ｍは
   １〜３の整数、ｎは１〜９の整数であり、かつ、ｍ＝１
   の場合は、ｎ＝２〜９であり、ｍ＝２の場合は、ｎ＝１
   〜４であり、ｍ＝３の場合は、ｎ＝１〜２である）
6. 【請求項６】 下記一般式で示されるクラウンエーテル
   系化合物 【化４】 （式中、ｎは３〜１０の整数であり、構成単位Ａは置換
   基を有していてもよいエチレン基またはフェニレン基を
   表し、かつＡのうち少なくとも２つは下記式で示される
   フェニレン基である） 【化５】 （式中、Ｒ₁ は少なくとも直鎖部分の炭素原子数が１２
   である長鎖炭素骨格を有する有機基を表し、Ｒ₂ は炭素
   骨格を有する有機基または水素を表し、ｍは１〜４の整
   数である）