JPH0834279B2 - 樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法Info
- Publication number
- JPH0834279B2 JPH0834279B2 JP62082563A JP8256387A JPH0834279B2 JP H0834279 B2 JPH0834279 B2 JP H0834279B2 JP 62082563 A JP62082563 A JP 62082563A JP 8256387 A JP8256387 A JP 8256387A JP H0834279 B2 JPH0834279 B2 JP H0834279B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- resin substrate
- pga
- lower mold
- recess
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、下面に電極端子としてのコンタクトピンを
有する樹脂基板にICチップを搭載したマイクロコンピュ
ータ等の交換用メモリーとして機能するピングリッドア
レイ（以下、PGAという）等の樹脂封止型半導体装置の
保護カバー形成方法に関する。
有する樹脂基板にICチップを搭載したマイクロコンピュ
ータ等の交換用メモリーとして機能するピングリッドア
レイ（以下、PGAという）等の樹脂封止型半導体装置の
保護カバー形成方法に関する。
ICチップを搭載したPGAは一旦装置に装着した後それ
を交換すれば装置の機能を他の機能に変換することがで
きるため装置の応用範囲を広げるのに広く用いられてい
る。
を交換すれば装置の機能を他の機能に変換することがで
きるため装置の応用範囲を広げるのに広く用いられてい
る。
この用途のためのPGAの回路基板としてセラミック、
樹脂等が用いられているが、このうち、セラミック製の
基板は、絶縁性に優れ、従って製品としての信頼性が大
きい反面、配線パターンを印刷、焼付により形成するた
め収縮を伴ない、配線パターンを多くしたり、細密パタ
ーン化することが困難であり、配線の数を多くすると可
及的に大型化し、その単体での価格が高くなるという欠
点があった。
樹脂等が用いられているが、このうち、セラミック製の
基板は、絶縁性に優れ、従って製品としての信頼性が大
きい反面、配線パターンを印刷、焼付により形成するた
め収縮を伴ない、配線パターンを多くしたり、細密パタ
ーン化することが困難であり、配線の数を多くすると可
及的に大型化し、その単体での価格が高くなるという欠
点があった。
このセラミックに代わるものとして、近年PGAの回路
基板に樹脂基板が用いられるようになってきた。
基板に樹脂基板が用いられるようになってきた。
第８図に示すものは、その一例で、樹脂基板１に枠２
を取付けポッティング樹脂３を滴下し、ICチップ４を封
止するものである。ICチップ４と樹脂基板１上に印刷さ
れた端子パターン５とはリード線６により電気的に接続
される。
を取付けポッティング樹脂３を滴下し、ICチップ４を封
止するものである。ICチップ４と樹脂基板１上に印刷さ
れた端子パターン５とはリード線６により電気的に接続
される。
樹脂基板１の下面からはコンタクトピン７が伸び、下
面の外周近くからはPGAソケット８との脱着を容易にす
るための高さ規制用の段部を有するスタンドピン９が伸
びる。
面の外周近くからはPGAソケット８との脱着を容易にす
るための高さ規制用の段部を有するスタンドピン９が伸
びる。
しかし上記構成を有すをPGAは、封止樹脂３がICチッ
プ４に密着し、樹脂基板１上にエッチングにより回路パ
ターンを成形しているため細密パターン加工が可能とな
り、価格も満足のいくものであるが、その反面樹脂が湿
潤性を有するため製品の信頼性の点では必ずしも満足の
いくものではなかった。
プ４に密着し、樹脂基板１上にエッチングにより回路パ
ターンを成形しているため細密パターン加工が可能とな
り、価格も満足のいくものであるが、その反面樹脂が湿
潤性を有するため製品の信頼性の点では必ずしも満足の
いくものではなかった。
すなわち、ポッテイングによる樹脂封止は、封止部が
ポーラスとなり湿気が浸透しさらに樹脂基板１と封止用
ポッテイング樹脂３との界面Ａ及び基板周囲の破断面Ｂ
からの浸透も著しいという欠点を有する。このような湿
気の問題を解決するために、第９図に示すような樹脂基
板１上にICチップ４を載置し、樹脂３で封止した後、上
面全体を金属キャップ10により被覆したPGAが知られて
いる。この種のPGAは、湿気の問題はある程度改善され
るものの、製造上金属キャップ10を被覆する特別の工程
を必要とし、さらにこの金属キャップ10と樹脂基板１と
の間から湿気が浸透するという問題がなおあった。
ポーラスとなり湿気が浸透しさらに樹脂基板１と封止用
ポッテイング樹脂３との界面Ａ及び基板周囲の破断面Ｂ
からの浸透も著しいという欠点を有する。このような湿
気の問題を解決するために、第９図に示すような樹脂基
板１上にICチップ４を載置し、樹脂３で封止した後、上
面全体を金属キャップ10により被覆したPGAが知られて
いる。この種のPGAは、湿気の問題はある程度改善され
るものの、製造上金属キャップ10を被覆する特別の工程
を必要とし、さらにこの金属キャップ10と樹脂基板１と
の間から湿気が浸透するという問題がなおあった。
本発明は上記従来の欠点を除去したPGAの保護カバー
形成方法を提供することを目的とする。
形成方法を提供することを目的とする。
すなわち、本発明は、下面に複数の電極端子を有する
樹脂基板の上面に半導体チップを実装してなる樹脂封止
型半導体装置の保護カバー形成方法において、樹脂基板
を入れる凹部と、前記樹脂基板の側面の一部に当接する
ように前記凹部の周縁に設けられた突出部とを有する下
金型、該下金型の凹部側に搭載される上金型を有し、前
記下金型の凹部に前記樹脂基板を該下金型の上面より低
く且つ周囲にスペースを残すように配置し、前記突出部
により前記樹脂基板の側面を保持する工程と、前記下金
型の上面に前記上金型を搭載する工程と、前記上金型と
前記下金型とにより形成される空隙に熱硬化性樹脂を注
入し、前記樹脂基板の上面と側面とを樹脂封止するトラ
ンスファーモールド工程とから成る樹脂封止型半導体装
置の保護カバー形成方法を特徴とするものである。
樹脂基板の上面に半導体チップを実装してなる樹脂封止
型半導体装置の保護カバー形成方法において、樹脂基板
を入れる凹部と、前記樹脂基板の側面の一部に当接する
ように前記凹部の周縁に設けられた突出部とを有する下
金型、該下金型の凹部側に搭載される上金型を有し、前
記下金型の凹部に前記樹脂基板を該下金型の上面より低
く且つ周囲にスペースを残すように配置し、前記突出部
により前記樹脂基板の側面を保持する工程と、前記下金
型の上面に前記上金型を搭載する工程と、前記上金型と
前記下金型とにより形成される空隙に熱硬化性樹脂を注
入し、前記樹脂基板の上面と側面とを樹脂封止するトラ
ンスファーモールド工程とから成る樹脂封止型半導体装
置の保護カバー形成方法を特徴とするものである。
第３図は本発明により製造された樹脂封止型半導体装
置の一実施例であるPGAの外観を示しており、PGA12は上
面および側面が樹脂製保護カバー13で覆い包まれ下面か
らは電極端子であるコンタクトピン７とスタンドピン９
が下向きに伸びている。
置の一実施例であるPGAの外観を示しており、PGA12は上
面および側面が樹脂製保護カバー13で覆い包まれ下面か
らは電極端子であるコンタクトピン７とスタンドピン９
が下向きに伸びている。
第４図は第３図に示したPGAのＣ−Ｃ断面図、第５図
はPGAの底面図である。一方、第６図は封止前のPGAの断
面図を示す。
はPGAの底面図である。一方、第６図は封止前のPGAの断
面図を示す。
図において、第８図と同じ参照番号は同じ構成部分を
示しており、封止前のPGA14は樹脂基板１の上面にICチ
ップ４を実装するとともに上面に形成された端子パター
ン５にリード線６により配線されており、樹脂基板１の
下面からは複数のコンタクトピン７とスタンドピン９が
下向きに伸びている。
示しており、封止前のPGA14は樹脂基板１の上面にICチ
ップ４を実装するとともに上面に形成された端子パター
ン５にリード線６により配線されており、樹脂基板１の
下面からは複数のコンタクトピン７とスタンドピン９が
下向きに伸びている。
コンタクトピン７は樹脂基板１の内部で上面の端子パ
ターン５と電気的に接続されている。
ターン５と電気的に接続されている。
本発明で用いる下金型20は、第７図に示したように、
中央に凹部21を有し、上面には封止用樹脂注入用のゲー
ト22が形成されている。凹部21の底はPGAを支持するた
めの平坦な支持台23となり、この支持台23の周囲にはコ
ンタクトピン７およびスタンドピン９を逃げるための溝
24が形成され、この溝24の外周縁はPGAを支持するため
の平坦な支持縁25となっている。凹部21の内側縁26に
は、隅部近くに一組のガイド用突起27a、27a、27b、27
b、27c、27c、27d、27dが内方に突出するように形成さ
れている。この一組の突起は封止前のPGA14をこの凹部2
1に入れたとき樹脂基板１の四隅において側面に当り横
方向への移動を阻止するように機能する。
中央に凹部21を有し、上面には封止用樹脂注入用のゲー
ト22が形成されている。凹部21の底はPGAを支持するた
めの平坦な支持台23となり、この支持台23の周囲にはコ
ンタクトピン７およびスタンドピン９を逃げるための溝
24が形成され、この溝24の外周縁はPGAを支持するため
の平坦な支持縁25となっている。凹部21の内側縁26に
は、隅部近くに一組のガイド用突起27a、27a、27b、27
b、27c、27c、27d、27dが内方に突出するように形成さ
れている。この一組の突起は封止前のPGA14をこの凹部2
1に入れたとき樹脂基板１の四隅において側面に当り横
方向への移動を阻止するように機能する。
第10図は第７図に示す下金型20の部分拡大斜視図であ
る。
る。
さて、PGAを封止するには、予め樹脂基板１上にICチ
ップ４を実装した第６図に示すようなPGA14を用意して
おき、このPGA14を下金型20の凹部21に上から圧入す
る。PGA14はICチップ４の上面が下金型20の上面よりや
や低くなるようにして凹部21内に収め、樹脂基板１の四
隅の側面には突起27a、27a、27b、27b、27c、27c、27
d、27dが当接して位置決めされるとともに、コンタクト
ピン７とスタンドピン９は溝24に入る。
ップ４を実装した第６図に示すようなPGA14を用意して
おき、このPGA14を下金型20の凹部21に上から圧入す
る。PGA14はICチップ４の上面が下金型20の上面よりや
や低くなるようにして凹部21内に収め、樹脂基板１の四
隅の側面には突起27a、27a、27b、27b、27c、27c、27
d、27dが当接して位置決めされるとともに、コンタクト
ピン７とスタンドピン９は溝24に入る。
次に、下金型20上に上金型30をかぶせる。上金型30は
第７図からわかるように、下面が平坦である。この状態
において、第１図からわかるように、上金型20と下金型
30との間にPGA14の上面および側面に空隙Ｇが形成され
る。
第７図からわかるように、下面が平坦である。この状態
において、第１図からわかるように、上金型20と下金型
30との間にPGA14の上面および側面に空隙Ｇが形成され
る。
しかる後に第２図に示すごとく、ゲート22からガラス
フィラー入りエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を加圧し
て空隙Ｇに注入する。空隙Ｇ内の樹脂は硬化してICチッ
プ４を封止する。その後上金型30を持ち上げてPGA14を
取り出し、ゲート22の部分の余分な樹脂を切落せば、第
３図に示すような樹脂の保護カバー13により封止された
PGA12が得られる。
フィラー入りエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を加圧し
て空隙Ｇに注入する。空隙Ｇ内の樹脂は硬化してICチッ
プ４を封止する。その後上金型30を持ち上げてPGA14を
取り出し、ゲート22の部分の余分な樹脂を切落せば、第
３図に示すような樹脂の保護カバー13により封止された
PGA12が得られる。
前記下金型の実施例ではPGAの樹脂基板を位置決めす
るための突起は樹脂基板の四隅の位置に設けられている
が、対角的位置にある２つの隅部だけに設けてもよい
し、樹脂基板の一辺のどこかに当接する位置に設けても
よい。また、突起やピンの形に限らず他の形状でもよい
ことはもちろんである。尚、上記実施例では樹脂封止型
半導体装置としてPGAを例に説明したが、本発明はこのP
GAに限定されるものではなく、基板を樹脂基板にした樹
脂封止型半導体装置であれば、いかなるものにも適用で
きるものである。例えば電極端子がピンではなく、半田
バンプで構成されたBGA（ボールグリッドアレイ）等に
おいても同等の効果を発揮するものである。
るための突起は樹脂基板の四隅の位置に設けられている
が、対角的位置にある２つの隅部だけに設けてもよい
し、樹脂基板の一辺のどこかに当接する位置に設けても
よい。また、突起やピンの形に限らず他の形状でもよい
ことはもちろんである。尚、上記実施例では樹脂封止型
半導体装置としてPGAを例に説明したが、本発明はこのP
GAに限定されるものではなく、基板を樹脂基板にした樹
脂封止型半導体装置であれば、いかなるものにも適用で
きるものである。例えば電極端子がピンではなく、半田
バンプで構成されたBGA（ボールグリッドアレイ）等に
おいても同等の効果を発揮するものである。
上記のごとく本発明により得られるPGA12は、ICチッ
プ４を含む樹脂基板１の上面と側面が樹脂の保護カバー
13により覆い包まれるので、樹脂基板１の上面はもちろ
んのこと周囲の破断面からの湿気の侵入を完全に防止す
ることができ、ICチップはもとより配線パターンにも悪
影響が及ばないため製品の信頼性が向上する。
プ４を含む樹脂基板１の上面と側面が樹脂の保護カバー
13により覆い包まれるので、樹脂基板１の上面はもちろ
んのこと周囲の破断面からの湿気の侵入を完全に防止す
ることができ、ICチップはもとより配線パターンにも悪
影響が及ばないため製品の信頼性が向上する。
また、樹脂封止は圧力を伴なうトランスファモールド
によるので従来の樹脂封止に用いられるポッテイング技
術に比べて封止樹脂層がち密となり、湿気防止効果がす
ぐれている。さらに、樹脂封止の際樹脂基板を下金型に
圧入固定しているので、ゲートから封止樹脂を注入する
際PGAが注入圧力によりばたつくことがなくなり、製品
の歩留りが向上する。
によるので従来の樹脂封止に用いられるポッテイング技
術に比べて封止樹脂層がち密となり、湿気防止効果がす
ぐれている。さらに、樹脂封止の際樹脂基板を下金型に
圧入固定しているので、ゲートから封止樹脂を注入する
際PGAが注入圧力によりばたつくことがなくなり、製品
の歩留りが向上する。
第１および第２図は本発明による製造方法を説明する断
面図で、第１図は封止前、第２図は封止後の金型の状態
を示す。 第３図は本発明の方法により製造された樹脂封止型PGA
の斜視図、第４図は第３図に示したPGAのＣ−Ｃ断面
図、第５図は第３図に示したPGAの底面図、第６図は樹
脂封止前のPGAの断面図、第７図は本発明の方法に用い
る上金型および下金型の一実施例の斜視図、第８図は樹
脂基板を用いた従来のPGAの一封止態様を示す断面図、
第９図は樹脂基板を用いた従来のPGAの他の封止態様を
示す断面図、第10図は下金型の部分拡大斜視図である。 １……樹脂基板、 ４……ICチップ、 12……PGA、 20……下金型、 30……上金型。
面図で、第１図は封止前、第２図は封止後の金型の状態
を示す。 第３図は本発明の方法により製造された樹脂封止型PGA
の斜視図、第４図は第３図に示したPGAのＣ−Ｃ断面
図、第５図は第３図に示したPGAの底面図、第６図は樹
脂封止前のPGAの断面図、第７図は本発明の方法に用い
る上金型および下金型の一実施例の斜視図、第８図は樹
脂基板を用いた従来のPGAの一封止態様を示す断面図、
第９図は樹脂基板を用いた従来のPGAの他の封止態様を
示す断面図、第10図は下金型の部分拡大斜視図である。 １……樹脂基板、 ４……ICチップ、 12……PGA、 20……下金型、 30……上金型。
Claims (2)
- 【請求項１】下面に複数の電極端子を有する樹脂基板の
上面に半導体チップを実装してなる樹脂封止型半導体装
置の保護カバー形成方法において、樹脂基板を入れる凹
部と、前記樹脂基板の側面の一部に当接するように前記
凹部の周縁に設けられた突出部とを有する下金型、該下
金型の凹部側に搭載される上金型を有し、前記下金型の
凹部に前記樹脂基板を該下金型の上面より低く且つ周囲
にスペースを残すように配置し、前記突出部により前記
樹脂基板の側面を保持する工程と、前記下金型の上面に
前記上金型を搭載する工程と、前記上金型と前記下金型
とにより形成される空隙に熱硬化性樹脂を注入し、前記
樹脂基板の上面と側面とを樹脂封止するトランスファー
モールド工程とから成る樹脂封止型半導体装置の保護カ
バー形成方法。 - 【請求項２】前記下金型の凹部には複数の突出部が設け
られ、且つ該複数の突出部は前記樹脂基板に対して対照
的位置に配置されていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082563A JPH0834279B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62082563A JPH0834279B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63248153A JPS63248153A (ja) | 1988-10-14 |
| JPH0834279B2 true JPH0834279B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=13777954
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62082563A Expired - Lifetime JPH0834279B2 (ja) | 1987-04-03 | 1987-04-03 | 樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0834279B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4987038B2 (ja) * | 2009-06-30 | 2012-07-25 | 三菱電機株式会社 | 圧縮機用ターミナル保護カバー及び圧縮機及び空気調和機及び給湯機及び圧縮機用ターミナル保護カバーの製造方法 |
-
1987
- 1987-04-03 JP JP62082563A patent/JPH0834279B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63248153A (ja) | 1988-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4935581A (en) | Pin grid array package | |
| US4822550A (en) | Method of molding a protective cover on a pin grid array | |
| US6777789B1 (en) | Mounting for a package containing a chip | |
| US5677575A (en) | Semiconductor package having semiconductor chip mounted on board in face-down relation | |
| US5508556A (en) | Leaded semiconductor device having accessible power supply pad terminals | |
| US5557150A (en) | Overmolded semiconductor package | |
| US20020086500A1 (en) | Semiconductor package and fabricating method thereof | |
| US6967395B1 (en) | Mounting for a package containing a chip | |
| KR100237051B1 (ko) | 버텀리드 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| KR100237895B1 (ko) | 저가 수지 몰드 반도체 장치 | |
| JPH0834279B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置の保護カバー形成方法 | |
| US20050064630A1 (en) | Method for producing a protection for chip edges and system for the protection of chip edges | |
| JP2973506B2 (ja) | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 | |
| EP0285718B1 (en) | Method of forming protective cover of pin grid array | |
| JP2596750Y2 (ja) | プリント基板 | |
| JPH0888292A (ja) | 片面樹脂封止型半導体パッケージ並びに片面樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| KR100279252B1 (ko) | 세라믹패키지 | |
| KR100221918B1 (ko) | 칩 스케일 패키지 | |
| JP3073467B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| KR0173930B1 (ko) | 리드 프레임을 이용한 볼 그리드 어레이 패키지 | |
| KR100248202B1 (ko) | 칩 크기의 패키지 및 그의 형성방법 | |
| KR200169976Y1 (ko) | 반도체 패키지 | |
| KR100431315B1 (ko) | 반도체패키지및그제조방법 | |
| JPH08213418A (ja) | 半導体装置の製造方法およびその製造方法に用いるモールド金型 | |
| KR960000462Y1 (ko) | 기판 반도체 장치 |