JPH0834211B2 - Plating equipment - Google Patents

Plating equipment

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JPH0834211B2
JPH0834211B2 JP1113039A JP11303989A JPH0834211B2 JP H0834211 B2 JPH0834211 B2 JP H0834211B2 JP 1113039 A JP1113039 A JP 1113039A JP 11303989 A JP11303989 A JP 11303989A JP H0834211 B2 JPH0834211 B2 JP H0834211B2
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JP
Japan
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wafer
pallet
plating
opening
chamber
Prior art date
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JP1113039A
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Inventor
博 竹中
敦資 坂井田
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日本電装株式会社
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Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はめっき装置に関し、特に半導体ウエハ等のボ
ンディング電極にめっきを施す等に用途に使用するめっ
き装置に関する。
The present invention relates to a plating apparatus, and more particularly to a plating apparatus used for applications such as plating a bonding electrode of a semiconductor wafer or the like.

[従来の技術] かかる用途に使用する従来装置の概略構成を第6図で
説明すると、架台9に支持せしめてめっき液を内封した
循環タンク71が設けてあり、該循環タンク71には三方弁
72を介してポンプ7が接続してある。待機状態では、三
方弁72と管路73、74を経てめっき液が循環せしめらてて
いる。
[Prior Art] A schematic configuration of a conventional apparatus used for such an application will be described with reference to FIG. 6. A circulation tank 71, which is supported on a pedestal 9 and contains a plating solution therein, is provided, and the circulation tank 71 has three sides. valve
Pump 7 is connected via 72. In the standby state, the plating solution is being circulated through the three-way valve 72 and the conduits 73 and 74.

循環タンク71の密閉された上壁中央には、タンク71に
一体にめっきチャンバ4が設けてあり、該チャンバ4は
上方へ開口する筒体で、その筒底壁には周囲にアノード
電極44を設けた噴流ノズル41が形成され、筒側壁には排
出口42が形成されている。
At the center of the closed upper wall of the circulation tank 71, a plating chamber 4 is provided integrally with the tank 71. The chamber 4 is a cylindrical body that opens upward, and an anode electrode 44 is provided around the cylindrical bottom wall. The jet nozzle 41 provided is formed, and the discharge port 42 is formed on the side wall of the cylinder.

上記めっきチャンバ4の開口縁外周にはウエハWの径
よりもやや大きい径の周壁49が形成されて、ウエハ保持
部となっており、上記開口縁内周部に設けたシール17と
カソード電極18上に外周下面を接してウエハWが載置さ
れる。
A peripheral wall 49 having a diameter slightly larger than the diameter of the wafer W is formed on the outer periphery of the opening edge of the plating chamber 4 to serve as a wafer holding portion, and a seal 17 and a cathode electrode 18 provided on the inner peripheral portion of the opening edge. The wafer W is placed with the outer peripheral lower surface in contact therewith.

めっき処理をする場合には、上記ウエハWを、押圧シ
リンダ31によって下方へ移動する押圧板33により圧し、
上記シール17に密着せしめる。この後、上記アノード電
極44とカソード電極18間に電源8より直流電圧を印加
し、三方弁72を切替えて、ポンプ7より吐出するめっき
液を、管路75を経て噴流ノズル41に送って、めっきチャ
ンバ4内へ噴出せしめる。めっき液は上記噴流ノズル41
により正に帯電し、ウエハW下面の被めっき面に至って
めっき層を形成し、その後排出口42より循環タンク71内
へ戻る。
When performing the plating process, the wafer W is pressed by the pressing plate 33 which moves downward by the pressing cylinder 31,
Closely adhere to the seal 17. Thereafter, a DC voltage is applied from the power source 8 between the anode electrode 44 and the cathode electrode 18, the three-way valve 72 is switched, and the plating solution discharged from the pump 7 is sent to the jet nozzle 41 via the pipe line 75. It is ejected into the plating chamber 4. The plating solution is the jet nozzle 41 described above.
Is positively charged to reach the surface to be plated on the lower surface of the wafer W to form a plating layer, and then returns to the circulation tank 71 from the discharge port 42.

なお、上記ウエハ保持部49へのウエハWの供給および
めっき処理後の取出しは、同じく架台9上に設けたロボ
ットアーム54により行われる。
The supply of the wafer W to the wafer holder 49 and the removal after the plating process are performed by the robot arm 54 also provided on the pedestal 9.

[発明が解決しようとする課題] ところで、上記従来のめっき装置では、ウエハ保持部
がめっきチャンバと全く一体か、ボルト等により機械的
に結合されているため、異なる径のウエハに対して対応
不可能、ないし速やかな対応ができないという問題点が
あり、また、めっきチャンバ上で処理後のウエハを取出
すため、下方より押し出すような取出し方法は不可能で
あり、シールに張り付いたウエハをロボットアームの爪
等により上方へ引き剥がす等によりウエハが破損すると
いう問題があった。
[Problems to be Solved by the Invention] In the above-described conventional plating apparatus, since the wafer holding part is completely integrated with the plating chamber or mechanically connected by bolts or the like, it is incompatible with wafers having different diameters. There is a problem that it is possible or not possible to respond promptly, and because the wafer after processing is taken out in the plating chamber, it is not possible to take it out from below, and the wafer stuck to the seal is not possible. There is a problem that the wafer may be damaged by peeling it upward with a nail or the like.

本発明はかかる課題を解決するもので、異なる径のウ
エハに即座に対応することができて、生産効率の向上を
実現し、また、ウエハのハンドリングの自由度を増し
て、その破損を生じないハンドリングを可能としためっ
き装置を提供することを目的とする。
The present invention solves such a problem, and can immediately deal with wafers of different diameters, thereby improving the production efficiency, and increasing the degree of freedom in handling wafers without causing damage. An object is to provide a plating apparatus that enables handling.

[課題を解決するための手段] 本発明の構成を第1図で説明すると、めっき装置は、
ウエハWを載置し、載置状態で上記ウエハW下面の被め
っき面を露出せしめる開口1aを形成したパレット1と、
めっき液を貯蔵し、露出した上記被めっき面にめっき液
を供給する手段41を内接しためっきチャンバ4と、上記
パレット1を弾性的に支持し、上方へ開口するめっきチ
ャンバ4の開口直上位置と、めっきチャンバ4より離れ
た位置との間で移動するキャリア2と、キャリア2によ
り上記めっきチャンバ4直上位置へ移送されたウエハW
を上方より押圧して、ウエハWの下面外周をパレット開
口1a縁に、パレット1の外周下面をめっきチャンバ4の
開口縁に、それぞれ液密的に圧接せしめる押圧手段3
と、上記めっきチャンバ4から離れた位置に設けられ、
上記キャリア2により移送されてきたパレット1の上記
開口1a内を下方より通過して、上記ウエハWの下面内周
部を押し上げ、当該ウエハWの上記パレット1の上方へ
離脱させるウエハ取出し手段5とを具備している。
[Means for Solving the Problems] The structure of the present invention will be described with reference to FIG.
A pallet 1 on which a wafer W is placed, and an opening 1a is formed to expose the plated surface of the lower surface of the wafer W in the placed state;
A position directly above the opening of the plating chamber 4 which stores the plating solution and inscribes means 41 for supplying the plating solution to the exposed surface to be plated, and the plating chamber 4 which elastically supports the pallet 1 and opens upward. And the carrier 2 that moves between a position away from the plating chamber 4 and the wafer W transferred by the carrier 2 to a position directly above the plating chamber 4.
Is pressed from above so as to liquid-tightly press the outer periphery of the lower surface of the wafer W against the edge of the pallet opening 1a and the lower surface of the outer periphery of the pallet 1 against the opening edge of the plating chamber 4, respectively.
And provided at a position away from the plating chamber 4,
Wafer take-out means 5 for passing the inside of the opening 1a of the pallet 1 transferred by the carrier 2 from below and pushing up the inner peripheral portion of the lower surface of the wafer W to separate the wafer W above the pallet 1. It is equipped with.

[作用] 上記構造のめっき装置において、パレット1を介して
キャリア2に載置されたウエハWは、キャリア2によ
り、めっきチャンバ4直上位置へ移動せしめられて、押
圧手段3により下方へ押圧され、ウエハWおよびパレッ
ト1がそれぞれ液密的に圧接せしめられる。この状態
で、めっきチャンバ4内にめっき液を導入すると、パレ
ット開口1aを経て上記チャンバ4内に露出している上記
ウエハWの被めっき面にめっき層が形成される。
[Operation] In the plating apparatus having the above structure, the wafer W placed on the carrier 2 via the pallet 1 is moved to a position directly above the plating chamber 4 by the carrier 2, and is pressed downward by the pressing means 3. The wafer W and the pallet 1 are liquid-tightly pressed against each other. When a plating solution is introduced into the plating chamber 4 in this state, a plating layer is formed on the surface to be plated of the wafer W exposed in the chamber 4 through the pallet opening 1a.

めっき処理終了後は、押圧手段3による押圧は解消さ
れ、キャリア2はめっきチャンバ4より離れた位置へ移
動する。この時、押圧状態は解消されても、ウエハWの
下面外周は往々にしてパレット1の開口1aに密着してい
る。ここにおいて、ウエハ取出し手段5は、キャリア2
により移送されてきたパレット1の上記開口1a内を下方
より通過して、上記ウエハWの下面内周部を押し上げ、
当該ウエハWを上記パレット1の上方へ離脱させる。こ
の取り出しは、ウエハWの下面内周部を押し上げるもの
であるから、ウエハの外周縁を引き剥がして取り出すの
に比して、ウエハWの破損を生じることがない。
After the plating process is completed, the pressing by the pressing means 3 is released, and the carrier 2 moves to a position away from the plating chamber 4. At this time, even if the pressed state is released, the outer periphery of the lower surface of the wafer W is often in close contact with the opening 1a of the pallet 1. Here, the wafer unloading means 5 is the carrier 2
By passing through the opening 1a of the pallet 1 from below from above, and pushing up the inner peripheral portion of the lower surface of the wafer W,
The wafer W is released above the pallet 1. Since this take-out pushes up the inner peripheral portion of the lower surface of the wafer W, the wafer W is not damaged as compared with the case where the outer peripheral edge of the wafer is peeled off and taken out.

また、キャリア2に載置されるパレット1を交換する
ことにより、異なった径のウエハに即座に対応すること
ができ、さらに、異なるパレット1を載置したキャリア
2を複数設けて、所望のキャリア2をめっきチャンバ4
上に移動せしめるようになせば、即応性がより向上す
る。
Further, by exchanging the pallets 1 mounted on the carrier 2, it is possible to immediately deal with wafers having different diameters. Furthermore, by providing a plurality of carriers 2 on which different pallets 1 are mounted, a desired carrier can be provided. 2 plating chamber 4
If you can move it up, the responsiveness will be improved.

[実施例] 第1図において、架台9上に設けたベース91の左半部
には上方へ開口する循環タンク71が設けてあり、該タン
ク71内のめっき液は、三方弁72および管路73、74を経て
ポンプ7により循環せしめられている。上記循環タンク
71の開口はめっきチャンバ4により閉鎖されており、該
チャンバ4は中央が筒状に下方へ突出して、突出端面に
は噴流ノズル41が開口し、筒側壁の上部には排出口42が
形成してある。なお、上記噴流ノズル41開口縁のめっき
チャンバ4内壁にはアノード電極44が設けられ、これは
チャンバ4外の電源8に接続してある。また、上記噴流
ノズル41には上記三方弁72からの管路75が至っている。
[Embodiment] In FIG. 1, a circulation tank 71 opening upward is provided in the left half portion of a base 91 provided on a gantry 9, and the plating solution in the tank 71 is a three-way valve 72 and a pipe line. It is circulated by the pump 7 via 73 and 74. Circulation tank above
The opening of 71 is closed by the plating chamber 4. The center of the chamber 4 projects downward in a cylindrical shape, the jet nozzle 41 is opened at the projecting end face, and the discharge port 42 is formed at the upper part of the cylindrical side wall. There is. An anode electrode 44 is provided on the inner wall of the plating chamber 4 at the opening edge of the jet nozzle 41, which is connected to a power source 8 outside the chamber 4. Further, a pipe line 75 from the three-way valve 72 reaches the jet nozzle 41.

上記めっきチャンバ4の開口周縁上面にはシールリン
グ43が配設され、該シールリング43にはウエハWを載置
した詳細を後述するパレット1が圧接して位置するとと
もに、該パレット1はキャリア2上に載置されている
(第2図)。
A seal ring 43 is arranged on the upper surface of the opening edge of the plating chamber 4, and a pallet 1 on which a wafer W is placed, which will be described in detail later, is pressed against the seal ring 43. Mounted on top (Fig. 2).

上記キャリア2は後述する機構によりベース91の右半
部へ移動可能であり、第1図は、実際には一台のキャリ
ア2について、右移動端にある状態も示してある。この
右移動端には詳細を後述するウエハ取出し手段たるウエ
ハ昇降機構5が設けてある。
The carrier 2 can be moved to the right half portion of the base 91 by a mechanism described later, and FIG. 1 also shows a state in which one carrier 2 is actually at the right movement end. At the right moving end, a wafer elevating mechanism 5 which is a wafer taking-out means whose details will be described later is provided.

以下、上記パレット1とキャリア2の詳細構造を説明
する。
Hereinafter, detailed structures of the pallet 1 and the carrier 2 will be described.

パレット1は、長方形状の基板11(第3図)を有し、
基板11の中心には一部を直線とした略円形の開口12が形
成され、開口12縁の上面は一定幅で座ぐって(第4図)
板状シール13を面一に配設してある。上記開口12の形状
は、ウエハWに沿い、かつ、これよりもやや小径となっ
ており、ウエハWを載置した状態で、被めっき面たるウ
エハW下面が上記開口12に露出する。
The pallet 1 has a rectangular substrate 11 (Fig. 3),
A substantially circular opening 12 with a part of a straight line is formed in the center of the substrate 11, and the upper surface of the edge of the opening 12 is countersunk with a constant width (Fig. 4).
A plate-shaped seal 13 is arranged flush with each other. The shape of the opening 12 is along the wafer W and has a diameter slightly smaller than that, and the lower surface of the wafer W, which is the surface to be plated, is exposed in the opening 12 when the wafer W is placed.

上記基板11上には、開口12を挟んで対向位置にクラン
プ機構14が設けてあり、各クランプ機構14は、先端に把
持板141を固定しコイルバネ142により突出付勢されたシ
ャフト143を有し、該シャフト143は、直動軸受け146を
設けたブラケット145により支持されるとともに、シャ
フト後端大径部144がブラケット145に当接して突出端に
位置決めされている。
Clamping mechanisms 14 are provided on the substrate 11 at opposing positions with the opening 12 interposed therebetween. Each clamping mechanism 14 has a shaft 143 that is fixed to a grip plate 141 at its tip and is biased to project by a coil spring 142. The shaft 143 is supported by a bracket 145 provided with a linear motion bearing 146, and the shaft rear end large diameter portion 144 contacts the bracket 145 and is positioned at the projecting end.

上記各クランプ機構14より90度離れた対向位置には上
記開口12を挟んで、ボルト151と座金152よりなる受電接
点15が設けられ、これら受電接点15からは上記シール13
上に径方向へ延びて開口12へ至るカソード電極16が設け
てある。このカソード電極16は、ごく薄い(約50μm)
膜状で、シール表面に接着されている。
A power receiving contact 15 composed of a bolt 151 and a washer 152 is provided at an opposing position 90 degrees apart from each of the clamp mechanisms 14 with the opening 12 interposed therebetween.
A cathode electrode 16 extending upward in the radial direction and reaching the opening 12 is provided. This cathode electrode 16 is extremely thin (about 50 μm)
It is in the form of a film and adheres to the seal surface.

キャリア2は、上記パレット1よりもやや大径の長方
形フレーム21(第2図)を有し、該フレーム21には一対
の対向辺に、それぞれシャフト22が直動軸受けによって
上下動自在に支持されている。上記シャフト22はコイル
バネ23により上端位置に付勢されるとともに、その下端
には板状の爪体24が固定され、各シャフト22の爪体24が
フレーム21内に突出し、上記パレット1の側縁下面の段
付部を受けている。
The carrier 2 has a rectangular frame 21 (Fig. 2) having a diameter slightly larger than that of the pallet 1, and a pair of opposed sides of the frame 21 support shafts 22 which are vertically movable by linear bearings. ing. The shaft 22 is biased to the upper end position by a coil spring 23, and a plate-like pawl 24 is fixed to the lower end of the shaft 22, and the pawls 24 of the shafts 22 project into the frame 21 to form side edges of the pallet 1. It receives the stepped part on the bottom surface.

上記フレーム21の対向する一辺の下面はブラケット25
(第2図)を介して、ベース91上を左右方向へ延びるロ
ッドレスシリンダ26に連結され、他辺はベース91上に上
記シリンダ26と平行に配設したガイドシャフト27に摺動
自在に連結してある。しかして、キャリア2は上記シリ
ンダ26により、左端のめっきチャンバ4直上位置と、右
端のウエハ昇降機構5の直上位置との間で移動せしめら
れる。
The lower surface of the opposite side of the frame 21 is a bracket 25.
2 is connected to a rodless cylinder 26 extending in the left-right direction on the base 91, and the other side is slidably connected to a guide shaft 27 arranged on the base 91 in parallel with the cylinder 26. I am doing it. Then, the carrier 2 is moved by the cylinder 26 between the position immediately above the plating chamber 4 at the left end and the position immediately above the wafer elevating mechanism 5 at the right end.

昇降機構5は、シリンダ51(第1図)より延びて上下
動するピストンロッド52の先端に円形の受け板53を固定
したもので、キャリア2が右端位置に至った状態で、パ
レット開口1aの中心に一致し、上昇途中で上記パレット
1に載置されたウエハWを上方へ押し上げて取出し、下
降途中で上記ウエハWをパレット1上に載置する。な
お、上昇した上記受け台53へのウエハWの供給、これか
らのウエハWの取出しは旋回作動するロボットアーム54
で行なう。また、受け台53上のウエハWの存在は光電ス
イッチ55により確認される。
The elevating mechanism 5 has a circular receiving plate 53 fixed to the tip of a piston rod 52 which extends from a cylinder 51 (Fig. 1) and moves up and down. When the carrier 2 reaches the right end position, the pallet opening 1a The wafer W, which coincides with the center and is placed on the pallet 1 while being raised, is pushed up and taken out, and the wafer W is placed on the pallet 1 while being lowered. It should be noted that the supply of the wafer W to the pedestal 53 that has moved up and the taking-out of the wafer W from this point onward are performed by the robot arm 54 that is swung.
To do. The presence of the wafer W on the receiving table 53 is confirmed by the photoelectric switch 55.

上記めっきチャンバ4の直上位置には架台9に固定し
て押圧機構3が設けてあり、押圧機構3は、シリンダ31
より延びて上下動するピストンロッド32先端に、厚肉円
形(第2図)の押圧板33を設けたものであり、上記押圧
板33の上面に沿って設けた支持腕34の両端には、コイル
バネ35により下方へ付勢せしめて上下動自在に棒状の給
電接点36が設けてある。これら給電接点36は、左端位置
に至った上記パレット1の給電接点15に対向して位置
し、それぞれ上記電源8に接続されている。
Immediately above the plating chamber 4, a pressing mechanism 3 fixed to a pedestal 9 is provided, and the pressing mechanism 3 includes a cylinder 31.
A thick circular press plate 33 (FIG. 2) is provided at the tip of the piston rod 32 that extends further and moves up and down. At both ends of the support arm 34 provided along the upper surface of the press plate 33, A rod-shaped feed contact 36 is provided so as to be vertically movable by being urged downward by a coil spring 35. These power supply contacts 36 are located opposite to the power supply contacts 15 of the pallet 1 which have reached the left end position, and are respectively connected to the power source 8.

なお、上記各シリンダ26、31、51の作動端は、それぞ
れ位置センサ26a、26b、31a、31b、51a、51bにより検知
される。
The working ends of the cylinders 26, 31, 51 are detected by the position sensors 26a, 26b, 31a, 31b, 51a, 51b, respectively.

上記構造のめっき装置の作動を以下に説明する。 The operation of the plating apparatus having the above structure will be described below.

右端位置にあるキャリア2には爪体24にパレット1が
載置され、パレット上の各クランプ機構14は、シャフト
大径部144が図略の引張り機構により引張られて後退す
る。この状態で、上記パレット1の開口1a内を昇降機構
5の受け台53が上昇して、ロボットアーム54よりウエハ
Wを受け、下降途中で上記ウエハWの下面外周縁をパレ
ット1のシール13上へ載置する。引張り機構は上記シャ
フト大径部144の引張りを解消し、シャフト143がコイル
バネ142のばね力により進出せしめられて、把持板141が
ウエハWを両側より固定する。ウエハWは外周の一部が
直線となっているから、上記固定時に把持板141に馴染
むように回転し、正確に位置決めされる。ロッドレスシ
リンダ26によりキャリア2が左方へ移動せしめられ、め
っきチャンバ4の直上位置へ至る。
The pallet 1 is placed on the pawl 24 on the carrier 2 at the right end position, and the clamp mechanism 14 on the pallet is retracted by pulling the shaft large diameter portion 144 by a pulling mechanism (not shown). In this state, the pedestal 53 of the elevating mechanism 5 rises in the opening 1a of the pallet 1 to receive the wafer W from the robot arm 54, and while lowering the outer peripheral edge of the lower surface of the wafer W onto the seal 13 of the pallet 1. To place. The pulling mechanism releases the pull of the shaft large diameter portion 144, the shaft 143 is advanced by the spring force of the coil spring 142, and the grip plate 141 fixes the wafer W from both sides. Since the wafer W has a part of the outer circumference which is a straight line, the wafer W is rotated so as to fit into the grip plate 141 during the fixing and is accurately positioned. The carrier 2 is moved to the left by the rodless cylinder 26 and reaches a position directly above the plating chamber 4.

ここで、押圧機構3のロッド31が下降し、下降途中で
給電接点36がパレット1上の受電接点15に当接導通す
る。下降した押圧板33はウエハWの上面に当たり、該ウ
エハWおよびシール13を介してパレット基板11を、爪体
24の支持力に抗して押し下げる。これにより、基板11の
下面はめっきチャンバ4のシールリング43に密着して、
開口1aが上記チャンバ4の開口に一致し、同時に、被め
っき面たるウエハW下面がシール13に密着して、シール
13上のカソード電極16に導通する。
Here, the rod 31 of the pressing mechanism 3 descends, and the feeding contact 36 comes into contact with the receiving contact 15 on the pallet 1 and conducts while descending. The lowered pressing plate 33 hits the upper surface of the wafer W, and holds the pallet substrate 11 through the wafer W and the seal 13 so that
Push down against the bearing capacity of 24. As a result, the lower surface of the substrate 11 is brought into close contact with the seal ring 43 of the plating chamber 4,
The opening 1a coincides with the opening of the chamber 4, and at the same time, the lower surface of the wafer W, which is the surface to be plated, is brought into close contact with the seal 13 to form a seal.
The cathode electrode 16 on 13 is electrically connected.

三方弁72が作動し、ポンプ7より吐出されるめっき液
を管路75を経て噴流ノズル41に供給すると、めっき液は
アノード電極44より正電荷を受けてめっきチャンバ4内
に噴出し、ウエハWの下面に至ってめっき層を形成す
る。
When the three-way valve 72 operates and the plating solution discharged from the pump 7 is supplied to the jet nozzle 41 via the pipe line 75, the plating solution receives a positive charge from the anode electrode 44 and is jetted into the plating chamber 4 and the wafer W A plating layer is formed on the lower surface of the.

めっき処理終了後、押圧板33を上昇せしめると給電接
点36と受電接点15は分離遮断され、また、押圧板33の上
昇に伴って、パレット1は爪板24により上方へ引き上げ
られる。キャリア2は再び右端へ戻し移動せしめられ、
引張り機構により把持板141の間隔を拡げた後、昇降機
構5の受け台53が上昇して、ウエハW下面の内周部を押
し上げ、ウエハWをパレット1上より取り出す。
When the pressing plate 33 is raised after the plating process is completed, the feeding contact 36 and the receiving contact 15 are separated and cut off, and the pallet 1 is pulled upward by the claw plate 24 as the pressing plate 33 rises. Carrier 2 is moved back to the right end again,
After the gap between the grip plates 141 is expanded by the pulling mechanism, the pedestal 53 of the elevating mechanism 5 is lifted to push up the inner peripheral portion of the lower surface of the wafer W and take out the wafer W from the pallet 1.

本実施例によれば、ウエハWの形が変更された場合に
は、パレット1を取り替えることにより即座に対応する
ことができ、各ウエハWに対して専用設備を設ける必要
がないから、設備費が大幅に低減され、また、ウエウハ
Wの変更に対処する段取り時間も大幅に低減できる。
According to this embodiment, when the shape of the wafer W is changed, it can be dealt with immediately by replacing the pallet 1, and it is not necessary to provide dedicated equipment for each wafer W. Can be significantly reduced, and also the setup time for coping with the change of the wafer W can be significantly reduced.

そして、ウエハWの取出しを、めっきチャンバ4より
離れた位置で昇降機構5によりウエハWの内周部を下方
より押し上げて行うから、ウエハ破損を効果的に防止す
ることができる。
Since the wafer W is taken out at a position apart from the plating chamber 4 by pushing up the inner peripheral portion of the wafer W from below by the elevating mechanism 5, it is possible to effectively prevent the wafer from being damaged.

また、定期的な点検を必要とするカソード電極16をパ
レット1に設けたから、電極保守の際に装置全体を停止
せしめる必要がない。
Further, since the cathode electrode 16 that requires periodical inspection is provided on the pallet 1, it is not necessary to stop the entire apparatus during electrode maintenance.

上記実施例では、キャリア2を一台としたが、キャリ
ア2を複数台設けて順次めっきチャンバ4上へ移動する
ようになし、それぞれに径の異なるウエハW用のパレッ
ト1を予め設けておけば、ウエハW変更時の段取り時間
を短縮することができる。この場合には、パレット1は
必ずしもキャリア2と容易に分離される構造とする必要
はない。
In the above embodiment, one carrier 2 is provided, but a plurality of carriers 2 are provided so as to be sequentially moved onto the plating chamber 4, and pallets 1 for wafers W having different diameters may be provided in advance. The setup time when changing the wafer W can be shortened. In this case, the pallet 1 does not necessarily have to have a structure that can be easily separated from the carrier 2.

めっきチャンバの構造は、第5図に示す如きものでも
良い。図において、めっきチャンバ4内には下方よりめ
っき液の導入管46が挿入され、導入管46の先端には多孔
ノズル45が蒸着してある。上記チャンバ4の液密性は、
導入管46を挿通する貫通穴周縁と導入管46先端間を結ぶ
ベローズ47により確保されており、上記導入間46は、モ
ータ48に連結されて作動するリンク484、485とギア48
1、482、483によりほぼ90度の間で往復自転せしめられ
る。
The structure of the plating chamber may be as shown in FIG. In the figure, a plating solution introducing pipe 46 is inserted into the plating chamber 4 from below, and a porous nozzle 45 is vapor-deposited at the tip of the introducing pipe 46. The liquid tightness of the chamber 4 is
It is secured by a bellows 47 that connects the periphery of the through-hole through which the introduction pipe 46 is inserted and the tip of the introduction pipe 46. The above-mentioned introduction space 46 is linked to a motor 48 and operates links 484, 485 and a gear 48.
1,482,483 can reciprocate about 90 degrees.

この状態で、上記導入管46内に供給されためっき液
は、導入管46内に設けたアノード電極44の通孔を通って
上方の多孔ノズル45に至り、シャワー状に噴出せしめら
れる。
In this state, the plating solution supplied into the introduction pipe 46 passes through the through hole of the anode electrode 44 provided in the introduction pipe 46, reaches the upper porous nozzle 45, and is ejected in a shower shape.

[発明の効果] 以上の如く、本発明のめっき装置は、同一設備で異な
る径のウエハに対応できるとともに、その対応も速やか
になすことが可能であり、設備コストの低減と、作業効
率の大幅向上を実現するものである。
[Advantages of the Invention] As described above, the plating apparatus of the present invention can deal with wafers having different diameters with the same equipment, and can quickly deal with the same, which can reduce the equipment cost and significantly improve the work efficiency. It is an improvement.

また、ウエハの取出しをめっきチャンバ上で行う必要
がないから、ウエハを下方より押上げるような取出し方
法が可能であり、これにより、ウエハの破損を有効に防
止できる。
Further, since it is not necessary to take out the wafer on the plating chamber, it is possible to take out the wafer by pushing it up from below, and thereby effectively prevent the wafer from being damaged.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

第1図ないし第4図は本発明の一実施例を示し、第1図
は装置の要部断面全体側面図、第2図は装置要部の破断
斜視図、第3図はパレットの平面図、第4図は第3図の
IV−IV線断面図、第5図はめっきチャンバの他の例を示
す破断斜視図、第6図は従来装置の要部断面全体側面図
である。 1……パレット 1a……開口 2……キャリア 3……押圧機構(押圧手段) 4……めっきチャンバ 41……噴流ノズル(めっき液供給手段) 5……昇降機構(ウエハ取出し手段) 7……ポンプ 8……電源 W……ウエハ
1 to 4 show an embodiment of the present invention, FIG. 1 is an overall side view of an essential part of the device, FIG. 2 is a cutaway perspective view of the essential part of the device, and FIG. 3 is a plan view of a pallet. , Fig. 4 of Fig. 3
IV-IV line sectional drawing, FIG. 5 is a broken perspective view showing another example of the plating chamber, and FIG. 1 ... Pallet 1a ... Opening 2 ... Carrier 3 ... Pressing mechanism (pressing means) 4 ... Plating chamber 41 ... Jet nozzle (plating solution supply means) 5 ... Elevating mechanism (wafer taking-out means) 7 ... Pump 8 ... Power supply W ... Wafer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウエハを載置し、載置状態で上記ウエハ下
面の被めっき面を露出せしめる開口を形成したパレット
と、 めっき液を貯蔵し、露出した上記被めっき面にめっき液
を供給する手段を内設しためっきチャンバと、 上記パレットを弾性的に支持し、上方へ開口する上記め
っきチャンバの開口直上位置と、めっきチャンバより離
れた位置との間で移動するキャリアと、 上記キャリアにより上記めっきチャンバ直上位置へ移送
されたウエハを上方より押圧して、ウエハの下面外周を
パレット開口縁に、パレットの外周下面をめっきチャン
バ開口縁に、それぞれ液密的に圧接せしめる押圧手段
と、 上記めっきチャンバから離れた位置に設けられ、上記キ
ャリアにより移送されてきたパレットの上記開口内を下
方より通過して、上記ウエハの下面内周部を押し上げ、
当該ウエハを上記パレットの上方へ離脱させるウエハ取
出し手段と を具備するめっき装置。
1. A pallet on which a wafer is placed, an opening for exposing a surface to be plated on the lower surface of the wafer is formed, and a plating solution is stored, and the plating solution is supplied to the exposed surface to be plated. A plating chamber having means inside, a carrier that elastically supports the pallet and moves between a position directly above the opening of the plating chamber that opens upward, and a position separated from the plating chamber; Pressing means for pressing the wafer transferred to a position directly above the plating chamber from above so as to liquid-tightly contact the outer periphery of the lower surface of the wafer with the pallet opening edge and the outer peripheral lower surface of the pallet with the plating chamber opening edge, respectively; It is provided at a position away from the chamber and passes from below through the opening of the pallet transferred by the carrier, and is transferred to the bottom of the wafer. Push up the inner peripheral surface,
And a wafer take-out means for separating the wafer above the pallet.
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