JPH08340683A - Electrostatic chuck - Google Patents
Electrostatic chuckInfo
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- JPH08340683A JPH08340683A JP14373995A JP14373995A JPH08340683A JP H08340683 A JPH08340683 A JP H08340683A JP 14373995 A JP14373995 A JP 14373995A JP 14373995 A JP14373995 A JP 14373995A JP H08340683 A JPH08340683 A JP H08340683A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、被保持物を静電気力に
より吸着固定する静電チャックに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck for attracting and fixing an object to be held by electrostatic force.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、吸着対象物を静電気力により吸着
固定する静電チャックが、様々な分野で利用されるよう
になっている。例えば、静電チャックは、プロッタにお
ける用紙の固定に用いられたり、エッチング装置等の半
導体製造装置におけるシリコンウエハ等の固定に用いら
れている。2. Description of the Related Art In recent years, electrostatic chucks for attracting and fixing an object to be attracted by electrostatic force have been used in various fields. For example, an electrostatic chuck is used to fix a sheet on a plotter or a silicon wafer or the like in a semiconductor manufacturing apparatus such as an etching apparatus.
【０００３】従来の静電チャックの一例として、イオン
注入装置で用いられている静電チャックについて、図４
に基づいて説明すると以下の通りである。As an example of a conventional electrostatic chuck, an electrostatic chuck used in an ion implantation apparatus is shown in FIG.
The explanation is based on the following.
【０００４】基本的に静電チャックは、静電チャック本
体５１と該静電チャック本体５１に電力を供給する直流
電源５２とを備えており、該直流電源５２が、静電チャ
ック本体５１の有する誘電体５２内部に埋設された２枚
の金属電極５４ａ・５４ｂ間へ、直流電圧を印加するよ
うな構成となっている。Basically, the electrostatic chuck comprises an electrostatic chuck body 51 and a DC power source 52 for supplying electric power to the electrostatic chuck body 51, and the DC power source 52 has the electrostatic chuck body 51. The DC voltage is applied between the two metal electrodes 54a and 54b embedded inside the dielectric 52.
【０００５】上記構成の静電チャックでは、上記電極５
４ａ・５４ｂを披包する誘電体５３において誘電分極現
象が起こり、これにより被保持物であるウェハ５５との
間で静電気力が生じ、ウェハ５５が静電チャック本体５
１の表面である載置面５１ａに吸着される。静電チャッ
ク本体５１の吸着力Ｆ（Ｎ）は、このような誘電分極現
象により現れる分極電荷の量によって定まり、基本的に
は、次式（１）によって表される。In the electrostatic chuck having the above structure, the electrode 5
A dielectric polarization phenomenon occurs in the dielectric body 53 that covers the surfaces 4a and 54b, and an electrostatic force is generated between the dielectric body 53 and the wafer 55, which is an object to be held.
It is adsorbed to the mounting surface 51a, which is the surface of No. 1. The attracting force F (N) of the electrostatic chuck body 51 is determined by the amount of polarization charge that appears due to such a dielectric polarization phenomenon, and is basically expressed by the following equation (1).
【０００６】 Ｆ＝（Ｓ／２）・ε・（Ｖ／ｄ）2 ・・・（１） 但し、上式（１）中のεは、 ε＝ε0 ・εr である。ここで、Ｓは各電極５４ａ・５４ｂの面積（ｍ
2 ）、ε0 は真空の誘電率（8.８５×１０-12 Ｃ2 Ｎ-1
ｍ-2）、εr は誘電体５３の比誘電率、Ｖは電源５２の
印加電圧（Ｖ）、ｄは、金属電極５４ａ・５４ｂとウェ
ハ５５の表面との距離であり、静電チャック本体５１が
ウェハ５５を正常に吸着している場合には、誘電体５３
における表面の厚さ、即ち、電極５４ａ・５４ｂから載
置面５１ａまでの距離（ｍ）となる。F = (S / 2) · ε · (V / d) 2 (1) However, ε in the above formula (1) is ε = ε 0 · ε r . Here, S is the area of each electrode 54a, 54b (m
2 ), ε 0 is the dielectric constant of vacuum (8.85 × 10 -12 C 2 N -1)
m −2 ), ε r is the relative permittivity of the dielectric 53, V is the applied voltage (V) of the power source 52, d is the distance between the metal electrodes 54 a and 54 b and the surface of the wafer 55, and the electrostatic chuck body If the wafer 51 is normally attracted to the wafer 55, the dielectric 53
Is the thickness of the surface, that is, the distance (m) from the electrodes 54a and 54b to the mounting surface 51a.
【０００７】また、静電チャック本体５１は、誘電体５
３と該誘電体５３に接触するウェハ５５との間に電流が
流れることによって生じるジョンソン・ラーベック力に
よってもウェハ５５を保持する。The electrostatic chuck body 51 is made up of the dielectric 5
The wafer 55 is also held by the Johnson-Rahbek force generated by the current flowing between the wafer 3 and the wafer 55 that is in contact with the dielectric 53.
【０００８】この静電チャック本体５１は、イオン注入
処理中、高真空の処理室内で、載置面５１ａが略垂直に
なるように保持されることが多い。During the ion implantation process, the electrostatic chuck body 51 is often held in a high vacuum processing chamber so that the mounting surface 51a is substantially vertical.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の静電チャックにおいては、静電チャック本体５１の
載置面５１ａあるいはウェハ５５の裏面にゴミが付着し
ていた場合や、ウェハ５５を上記載置面５１ａ上の正し
い位置に載置できなかった場合に、上記載置面５１ａと
ウェハ５５との間に隙間を生じる。この結果、金属電極
５４ａ・５４ｂとウェハ５５との距離であるｄが増加し
て、静電チャックの吸着力が低下する。さらに、誘電体
５３とウェハ５５との接触面積が減少するので、ジョン
ソン・ラーベック力による静電チャックの吸着力も低下
する。上記のように、吸着力が低下すると、ウェハ５５
が脱落する虞れがある。また、脱落したウェハ５５を処
理室から取り除くためには、処理室をベントして処理室
内の気圧を大気圧に戻す必要があり非常に手間がかか
る。However, in the above-mentioned conventional electrostatic chuck, when dust is attached to the mounting surface 51a of the electrostatic chuck body 51 or the back surface of the wafer 55, or the wafer 55 is described above. When the placement surface 51a cannot be placed at the correct position, a gap is created between the placement surface 51a and the wafer 55. As a result, the distance d between the metal electrodes 54a and 54b and the wafer 55 increases, and the attraction force of the electrostatic chuck decreases. Further, since the contact area between the dielectric 53 and the wafer 55 is reduced, the attraction force of the electrostatic chuck due to the Johnson-Rahbek force is also reduced. As described above, when the suction force decreases, the wafer 55
May fall out. Further, in order to remove the dropped wafer 55 from the processing chamber, it is necessary to vent the processing chamber to return the atmospheric pressure in the processing chamber to the atmospheric pressure, which is very troublesome.
【００１０】加えて、イオン注入処理中にウェハ５５が
脱落すると、本来、ウェハ５５に照射されるべきイオン
ビームが静電チャックの載置面１ａへ照射される。これ
により、該載置面５１ａの電気的特性が大きく変化し
て、その機能が著しく損なわれる虞れもある。In addition, when the wafer 55 falls off during the ion implantation process, the ion beam that should be originally applied to the wafer 55 is applied to the mounting surface 1a of the electrostatic chuck. As a result, the electrical characteristics of the mounting surface 51a may change significantly, and the function thereof may be significantly impaired.
【００１１】本発明は、上記の問題点を鑑みてなされた
ものであり、その目的は、なんらかの理由により静電チ
ャックの吸着力が不所望に低下し、被保持物を保持でき
なくなった場合に、被保持物の脱落を防止できる静電チ
ャックを提供することにある。The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to hold an object to be held when it becomes impossible to hold an object to be held because the attraction force of an electrostatic chuck is undesirably reduced for some reason. An object of the present invention is to provide an electrostatic chuck that can prevent a held object from falling off.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る静
電チャックは、上記課題を解決するために、静電気力に
よって、シリコンウェハなどの被保持物を載置面上に吸
着保持する静電チャックであって、上記載置面の外周近
傍に配され、載置面上に吸着保持された被保持物の端縁
部の一部を当該被保持物とは非接触状態で覆う脱落防止
位置と、被保持物の載置面への着脱が可能となるように
載置面を開放する退避位置との間を変位自在に設けられ
た、複数の脱落防止用支持部材と、上記複数の脱落防止
用支持部材を、上記脱落防止位置と退避位置との間で切
り替えて移動させる駆動手段とを有する脱落防止機構を
備えたことを特徴としている。In order to solve the above-mentioned problems, an electrostatic chuck according to the invention of claim 1 is a static chuck for attracting and holding an object to be held such as a silicon wafer on a mounting surface by electrostatic force. An electric chuck, which is arranged near the outer periphery of the placing surface and covers a part of the edge of the held object sucked and held on the placing surface in a non-contact state with the held object. A plurality of fall-prevention supporting members provided displaceably between a position and a retracted position for opening the mounting surface so that the held object can be attached to and detached from the mounting surface; The present invention is characterized in that a fall prevention mechanism having a drive means for moving the fall prevention support member by switching between the fall prevention position and the retracted position is provided.
【００１３】[0013]
【作用】請求項１の発明の構成によれば、シリコンウェ
ハなどの被保持物を静電チャックの載置面に載置する
と、静電チャックは、静電気力により該ウェハを載置面
に吸着する。静電チャックは、イオン注入など、所定の
処理を行う間、該ウェハを吸着したまま保持する。駆動
手段は、上記載置面の外周近傍に設けられた各脱落防止
用支持部材を、載置面上に吸着保持された被保持物の端
縁部の一部を当該被保持物とは非接触状態で覆う脱落防
止位置に駐止する。ウェハが載置面に正常に吸着保持さ
れている状態では、ウェハと脱落防止用支持部材とは接
触しない。According to the structure of the invention of claim 1, when an object to be held such as a silicon wafer is mounted on the mounting surface of the electrostatic chuck, the electrostatic chuck attracts the wafer to the mounting surface by electrostatic force. To do. The electrostatic chuck holds the wafer as it is adsorbed during a predetermined process such as ion implantation. The drive means is configured such that each of the falling prevention support members provided in the vicinity of the outer periphery of the placing surface is a part of the end edge portion of the held object that is suction-held on the placing surface and is not different from the held object. It will be parked in the fall-prevention position that covers when in contact. When the wafer is normally suction-held on the mounting surface, the wafer does not come into contact with the drop-out preventing support member.
【００１４】上記所定の処理が終了すると、載置したウ
ェハは載置面より取り外される。ウェハを取り外す際、
上記駆動手段は、上記各脱落防止用支持部材を、被保持
物の載置面への着脱が可能となるように載置面を開放す
る退避位置まで退避させる。これにより、なんら支障な
くウェハを着脱できる。When the above-mentioned predetermined processing is completed, the mounted wafer is removed from the mounting surface. When removing the wafer,
The drive means retracts each of the drop-prevention support members to a retracted position that opens the mounting surface so that the held object can be attached to and detached from the mounting surface. As a result, the wafer can be attached and detached without any trouble.
【００１５】ところで、付着したゴミにより静電チャッ
クの載置面とウェハとの間に隙間ができた場合などに
は、静電チャックの吸着力が不所望に低下する。静電チ
ャックがウェハを吸着力によって保持できなくなると、
自重やその他の該ウェハに加えられる力によりウェハは
載置面の上方あるいは側方へ遊動する。遊動したウェハ
は、載置面の上方あるいは側方に僅かに遊動した後、該
ウェハの端縁部の一部を非接触状態で覆っている上記脱
落防止用支持部材と当接して係止される。By the way, when the attached dust creates a gap between the mounting surface of the electrostatic chuck and the wafer, the attraction force of the electrostatic chuck is undesirably reduced. If the electrostatic chuck can no longer hold the wafer due to the attractive force,
The wafer floats above or to the side of the mounting surface due to its own weight or other force applied to the wafer. The floating wafer slightly loosens above or on the side of the mounting surface, and then abuts on and is locked by the drop-prevention supporting member that covers a part of the edge portion of the wafer in a non-contact state. It
【００１６】このようにして、ウェハなどの被保持物が
静電チャックに載置されている間に、不所望に静電チャ
ックの吸着力が低下しても、脱落防止機構は、上記被保
持物を載置面上に保持することができる。それゆえ、例
えば、イオンビームを被保持物に照射して、イオン注入
やエッチング処理を行う場合に、被保持物の代わりに誤
って載置面を加工することがない。この結果、載置面の
汚損あるいは破損を防止することができる。In this way, even if an object to be held such as a wafer is placed on the electrostatic chuck, even if the attraction force of the electrostatic chuck is undesirably reduced, the drop-out preventing mechanism can prevent the object to be held. An object can be held on the mounting surface. Therefore, for example, when an object to be held is irradiated with an ion beam to perform ion implantation or etching, the mounting surface is not mistakenly processed in place of the object to be held. As a result, it is possible to prevent the mounting surface from being soiled or damaged.
【００１７】また、正常に吸着しているときと略同じ位
置に被保持物を保持することができるので、正常時と略
同じ動作で被保持物を取り外すことができる。さらに、
被保持物が脱落しないので、従来生じていた処理室ベン
トの手間や脱落した被保持物を探す手間が削減できる。
加えて、被保持物に脱落によるダメージを与えることが
ない。Further, since the held object can be held at substantially the same position as when it is normally adsorbed, the held object can be removed by substantially the same operation as in the normal operation. further,
Since the object to be held does not fall off, it is possible to reduce the labor of venting the processing chamber and the time to search for the dropped object to be held, which have conventionally occurred.
In addition, the object to be held is not damaged by falling off.
【００１８】また、被保持物が載置面の正常な位置に載
置されている場合、脱落防止機構は該被保持物と接触す
ることがない。それゆえ、被保持物をクリーンに保つこ
とができるという静電チャックの利点を損なうことがな
い。Further, when the held object is placed at a normal position on the placing surface, the drop-out preventing mechanism does not come into contact with the held object. Therefore, the advantage of the electrostatic chuck that the held object can be kept clean is not impaired.
【００１９】[0019]
【実施例】本発明の一実施例に係る静電チャックについ
て図１ないし図３に基づいて説明すると以下の通りであ
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.
【００２０】本実施例に係る静電チャックは、イオン注
入装置に適用されるものであり、図３に示すように、静
電チャック本体１と該静電チャック本体１に電力を供給
する直流電源２とを備えている。静電チャック本体１
は、誘電体３、および誘電体３内部に埋設された２枚の
金属電極４ａ・４ｂを有している。上記直流電源２は、
両金属電極４ａ・４ｂ間に、所定の直流電圧を印加する
ことができる。The electrostatic chuck according to this embodiment is applied to an ion implantation apparatus, and as shown in FIG. 3, the electrostatic chuck body 1 and a DC power source for supplying electric power to the electrostatic chuck body 1. 2 and. Electrostatic chuck body 1
Has a dielectric 3 and two metal electrodes 4a and 4b embedded in the dielectric 3. The DC power supply 2 is
A predetermined DC voltage can be applied between both metal electrodes 4a and 4b.
【００２１】誘電体３としては、例えば、アルミナ（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、およびチタン酸カ
ルシウム（ＣａＴｉＯ3 ）等のセラミック材料を使用す
ることができる。なお、本実施例では、炭化ケイ素から
なる誘電体３を使用している。As the dielectric 3, for example, alumina (A
Ceramic materials such as 1 2 O 3 ), silicon carbide (SiC), and calcium titanate (CaTiO 3 ) can be used. In this embodiment, the dielectric 3 made of silicon carbide is used.
【００２２】また、図２に示すように、静電チャック本
体１は、その一表面である載置面１ａが略円形状をなす
ように形成されている。載置面１ａ上に、被保持物であ
るウェハ５を載置した後、直流電源２により金属電極４
ａ・４ｂへ直流電圧を印加することによって、ウェハ５
を静電チャック本体１の載置面１ａに吸着することがで
きる。Further, as shown in FIG. 2, the electrostatic chuck body 1 is formed such that the mounting surface 1a, which is one surface thereof, has a substantially circular shape. After the wafer 5 as the object to be held is placed on the placing surface 1a, the metal electrode 4 is applied by the DC power source 2.
By applying a DC voltage to a.
Can be attracted to the mounting surface 1a of the electrostatic chuck body 1.
【００２３】静電チャック本体１は、ウェハ５を着脱す
る際には、その載置面１ａが略水平になるように保持さ
れ、イオン注入処理中は、その載置面１ａが地面に対し
て略垂直になるように保持される。以下では、説明の便
宜上、載置面１ａが略水平になるように保持されている
状態を基準として、載置面１ａ面に垂直かつ載置面１ａ
より離れる方向を上方、それとは逆の方向を下方と呼
ぶ。The electrostatic chuck body 1 is held so that the mounting surface 1a thereof is substantially horizontal when the wafer 5 is attached and detached, and the mounting surface 1a is held against the ground during the ion implantation process. It is held almost vertically. Below, for convenience of explanation, with reference to the state in which the mounting surface 1a is held so as to be substantially horizontal, the mounting surface 1a is perpendicular to the mounting surface 1a.
The direction further away is called the upper direction, and the opposite direction is called the lower direction.
【００２４】上記静電チャック本体１の載置面１ａに
は、図２に示すように、例えば４つの角穴１ｂ…が形成
されている。それぞれの角穴１ｂは、静電チャック本体
１を貫通して設けられていて、該角穴１ｂ内には、ウェ
ハ５を着脱するための持ち上げ機構の作用片であるロッ
ド６が進退可能に収納されている。各ロッド６は、図示
しないエアーシリンダにより、略同時に上下に直動させ
ることができる。この結果、図１に示すように、略Ｌ字
状に曲折されたロッド６の上端（以下では頭部と称す
る）が載置面１ａより没入あるいは突出する。なお、図
１は、脱落防止機構７近傍を示す、図２のＸ−Ｘ線矢視
断面図である。As shown in FIG. 2, the mounting surface 1a of the electrostatic chuck body 1 is provided with, for example, four square holes 1b. Each square hole 1b is provided so as to penetrate through the electrostatic chuck body 1, and a rod 6, which is a working piece of a lifting mechanism for attaching and detaching the wafer 5, is housed in the square hole 1b so as to be able to move forward and backward. Has been done. The rods 6 can be vertically moved substantially simultaneously by an air cylinder (not shown). As a result, as shown in FIG. 1, the upper end (hereinafter referred to as the head) of the rod 6 bent into a substantially L shape is recessed or protruded from the mounting surface 1a. Note that FIG. 1 is a cross-sectional view taken in the direction of arrows XX in FIG. 2, showing the vicinity of the fall prevention mechanism 7.
【００２５】各ロッド６の頭部が載置面１ａより突出す
ることにより、載置面１ａ上に載置されたウェハ５を持
ち上げることができる。また、載置面１ａより突出した
各ロッド６の頭部にウェハ５を載置し、その後、各ロッ
ド６の頭部を載置面１ａより没入させることにより、ウ
ェハ５を載置面１ａへ案内することができる。The head of each rod 6 projects from the mounting surface 1a, so that the wafer 5 mounted on the mounting surface 1a can be lifted. Further, the wafer 5 is placed on the heads of the rods 6 protruding from the placing surface 1a, and then the heads of the rods 6 are retracted from the placing surface 1a, whereby the wafers 5 are placed on the placing surface 1a. I can guide you.
【００２６】さらに、図２に示すように、静電チャック
本体１は、ウェハ５の脱落を防止するために、その載置
面１ａの外周近傍に、例えば４つの脱落防止機構７…を
備えている。各脱落防止機構７は、図１に示すように、
ウェハ５の脱落時に該ウェハ５を支持する脱落防止用支
持部材である爪部８と、爪部８に付勢する駆動手段であ
るバネ９と、ウェハ５の持ち上げ時に爪部８を邪魔にな
らない位置まで移動させるための駆動手段である動力伝
達軸１０とを有している。Further, as shown in FIG. 2, in order to prevent the wafer 5 from falling off, the electrostatic chuck body 1 is provided with, for example, four falling-off preventing mechanisms 7 ... In the vicinity of the outer periphery of the mounting surface 1a. There is. Each fall prevention mechanism 7, as shown in FIG.
When the wafer 5 falls off, the claw portion 8 serving as a fall-off preventing support member for supporting the wafer 5, the spring 9 serving as a driving means for urging the claw portion 8, and the claw portion 8 when the wafer 5 is lifted do not interfere. It has a power transmission shaft 10 which is a drive means for moving it to a position.
【００２７】上記爪部８は、図１に示すように、略コの
字形状をなしており、載置面１ａにウェハ５が載置され
ている状態では、上方突端部８ａと下方突端部８ｂとの
間に、ウェハ５の端縁付近と、脱落防止機構７の配設部
上端である静電チャック本体１の一部１ｃとが入るよう
に配置されている。このように、爪部８が脱落防止位置
にあるときには、前記上方突端部８ａの下面８ｃは、ウ
ェハ５の表面と対向かつ近接している。また、前記上方
突端部８ａの中央部は、先端にくらべて上下方向の厚み
を増して形成されており、上記下面８ｃと略垂直に形成
された段差を有している。爪部８が脱落防止位置にある
ときには、該段差の先端方向の端面８ｄは、ウェハ５の
外縁側端面と対向かつ近接している。As shown in FIG. 1, the claw portion 8 has a substantially U-shape, and when the wafer 5 is placed on the placing surface 1a, the upper projecting end portion 8a and the lower projecting end portion 8a are formed. 8b, the vicinity of the edge of the wafer 5 and the part 1c of the electrostatic chuck body 1 which is the upper end of the disposition preventing mechanism 7 are arranged. In this way, when the claw portion 8 is at the drop-out preventing position, the lower surface 8c of the upper projecting end portion 8a faces and is close to the surface of the wafer 5. Further, the central portion of the upper projecting end portion 8a is formed to have an increased thickness in the vertical direction as compared with the tip end, and has a step formed substantially perpendicular to the lower surface 8c. When the claw portion 8 is at the drop-out preventing position, the end surface 8d of the step in the front end direction faces and is close to the outer edge side end surface of the wafer 5.
【００２８】一方、爪部８の下方の角部は、載置面１ａ
の周方向に横架された軸により、回動可能なように軸支
されている。図１に示すように、爪部８の上方突端部８
ａが載置面１ａの径方向内側へ移動する方向をＡ方向と
呼ぶ。On the other hand, the lower corner portion of the claw portion 8 has a mounting surface 1a.
It is rotatably supported by a shaft extending in the circumferential direction. As shown in FIG. 1, the upper protruding end portion 8 of the claw portion 8 is
The direction in which a moves radially inward of the mounting surface 1a is called the A direction.
【００２９】爪部８がＡ方向に回動すると、爪部８の上
方突端部８ａは、載置面１ａの径方向内側かつ下方に回
動する。爪部８が最もＡ方向に回動した時点である脱落
防止位置に配されている場合、上記上方突端部８ａは、
載置面１ａに載置されたウェハ５の上面に数mm張り出し
ている。When the claw portion 8 rotates in the A direction, the upper projecting end portion 8a of the claw portion 8 rotates inward and downward in the radial direction of the mounting surface 1a. When the claw portion 8 is arranged at the fall prevention position at the time when the claw portion 8 is rotated most in the A direction, the upper projecting end portion 8a is
The wafer 5 mounted on the mounting surface 1a projects several mm on the upper surface.
【００３０】例えば、ウェハ５が直径２００mmの円盤状
であるとき、ウェハ５の側端面と上方突端部８ａの端面
８ｄとの距離は１．０mm、上方突端部８ａの下面８ｃと
ウェハ５の表面との距離は０．４８mm、かつ上方突端部
８のウェハ５の上方に張り出している部分の長さは２mm
などに設定される。For example, when the wafer 5 has a disk shape with a diameter of 200 mm, the distance between the side end surface of the wafer 5 and the end surface 8d of the upper protruding end portion 8a is 1.0 mm, the lower surface 8c of the upper protruding end portion 8a and the surface of the wafer 5. Is 0.48 mm, and the length of the portion of the upper tip 8 projecting above the wafer 5 is 2 mm.
Is set to.
【００３１】また、爪部８が逆Ａ方向に回動したとき、
上方突端部８ａは、前記ウェハ５の上方より外側に移動
する。この結果、上方突端部８ａは、ウェハ５を載置面
１ａの上方向に取り外す際に支障とならない退避位置へ
退避できる。When the claw portion 8 rotates in the reverse A direction,
The upper tip portion 8a moves outward from above the wafer 5. As a result, the upper projecting end portion 8a can be retracted to a retracted position that does not hinder the removal of the wafer 5 in the upward direction of the mounting surface 1a.
【００３２】下方突端部８ｂの上部と上記静電チャック
本体１の一部１ｃとの間にはバネ９が縮装されており、
爪部８は、図１に示すＡ方向に常に付勢されている。A spring 9 is contracted between the upper portion of the lower tip 8b and the part 1c of the electrostatic chuck body 1.
The claw portion 8 is always biased in the A direction shown in FIG.
【００３３】一方、下方突端部８ｂの下方には、動力伝
達軸１０が配置されている。動力伝達軸１０には、ロッ
ド６の図示しない駆動源であるエアーシリンダの動力
が、図示しない動力伝達部を介して伝えられる。これに
より、動力伝達軸１０は、ロッド６の上下と略同時に上
下方向に直動する。動力伝達軸１０が上方に直動する
と、動力伝達軸１０の上端は上記下方突端部８ｂの下部
と当接し、これを上方に押圧する。この結果、爪部８
は、逆Ａ方向に回動して、退避位置に移動する。On the other hand, the power transmission shaft 10 is arranged below the lower projecting end portion 8b. The power of the air cylinder, which is a drive source (not shown) of the rod 6, is transmitted to the power transmission shaft 10 via a power transmission unit (not shown). As a result, the power transmission shaft 10 linearly moves in the vertical direction substantially at the same time as the vertical direction of the rod 6. When the power transmission shaft 10 linearly moves upward, the upper end of the power transmission shaft 10 contacts the lower portion of the lower protruding end portion 8b and presses it upward. As a result, the claw portion 8
Rotates in the reverse A direction and moves to the retracted position.
【００３４】また、動力伝達軸１０は、下方に直動し
て、上記下方突端部８ｂの下方の待機位置まで移動する
ことができる。動力伝達軸１０が待機位置にあるときに
は、該動力伝達軸１０の上端は上記下方突端部８ｂの下
部と当接しない。この結果、爪部８は、バネ９の付勢に
よって図１に示すＡ方向に回動して脱落防止位置に移動
する。Further, the power transmission shaft 10 can be linearly moved downward and moved to a standby position below the lower projecting end 8b. When the power transmission shaft 10 is in the standby position, the upper end of the power transmission shaft 10 does not come into contact with the lower portion of the lower protruding end portion 8b. As a result, the pawl portion 8 is rotated in the direction A shown in FIG.
【００３５】このような構成の静電チャック本体１は、
高真空となる処理室内に設置されている。ウェハ５を着
脱する際、静電チャック本体１は、その載置面１ａが略
水平になるように保持される。また、ウェハ５が載置さ
れて静電チャック本体１に吸着保持された後は、その載
置面１ａが地面に対して略垂直になるように保持され
る。この状態で、吸着保持されたウェハ５に対してイオ
ンビームが照射される。The electrostatic chuck body 1 having such a structure is
It is installed in a high-vacuum processing chamber. When the wafer 5 is attached or detached, the electrostatic chuck body 1 is held so that the mounting surface 1a thereof is substantially horizontal. Further, after the wafer 5 is placed and sucked and held by the electrostatic chuck body 1, the wafer 1 is held so that the placing surface 1a thereof is substantially perpendicular to the ground. In this state, the attracted and held wafer 5 is irradiated with the ion beam.
【００３６】上記の構成において、静電チャック本体１
がウェハ５を正しく吸着保持した場合の動作を図１ない
し図３に基づいて説明すると、以下の通りである。In the above structure, the electrostatic chuck body 1
The operation when the wafer 5 is properly suction-held will be described below with reference to FIGS. 1 to 3.
【００３７】すなわち、図１に示すように、静電チャッ
ク本体１の載置面１ａにはウェハ５が載置されている。
この状態では、ロッド６は載置面１ａより没入してい
る。ロッド６と略同時に駆動される動力伝達軸１０も下
方に直動しているため、動力伝達軸１０の頭部が爪部８
とは当接しておらず、爪部８は、バネ９の付勢によりＡ
方向に回動して脱落防止位置にある。この結果、爪部８
の上方突端部８ａは、載置面１ａに載置されたウェハ５
の外縁部の上方に近接している。上記上方突端部８ａと
ウェハ５とは接触していないため、メカニカルクランプ
のようにウェハ５を挟持するものとくらべて、ウェハ５
をクリーンに保つことができるという静電チャックの利
点を損なわない。That is, as shown in FIG. 1, the wafer 5 is mounted on the mounting surface 1a of the electrostatic chuck body 1.
In this state, the rod 6 is recessed from the mounting surface 1a. Since the power transmission shaft 10 that is driven substantially at the same time as the rod 6 also linearly moves downward, the head of the power transmission shaft 10 has a claw portion 8.
Is not in contact with, and the claw portion 8 is
It rotates in the direction and is in the fall prevention position. As a result, the claw portion 8
The upper tip portion 8a of the wafer 5 is mounted on the mounting surface 1a.
Is close to above the outer edge of the. Since the upper tip portion 8a and the wafer 5 are not in contact with each other, the wafer 5 can be sandwiched as compared with a device that clamps the wafer 5 like a mechanical clamp.
The advantage of the electrostatic chuck that it can be kept clean is not impaired.
【００３８】この状態で、図３に示す直流電源２により
金属電極４ａ・４ｂ間に所定の電圧が印加されると、こ
れらの電極４ａ・４ｂを披包する誘電体３において誘電
分極現象が起こり、ウェハ５が、静電気力によって載置
面１ａに吸着保持される。In this state, when a predetermined voltage is applied between the metal electrodes 4a and 4b by the DC power supply 2 shown in FIG. 3, a dielectric polarization phenomenon occurs in the dielectric body 3 which covers these electrodes 4a and 4b. , The wafer 5 is adsorbed and held on the mounting surface 1a by electrostatic force.
【００３９】ウェハ５が吸着されると、静電チャック本
体１は、載置面１ａが地面に対して略垂直になるように
移動される。その後、上記略垂直に保持されたウェハ５
に、図示しないイオン源より引き出されて質量分析され
たイオンビームが照射される。爪部８の上方突端部８ａ
が張り出して、ウェハ５の上方にかかっている部分は数
mm角と小さいので、ウェハ５の上面の略全体にイオンビ
ームが照射される。When the wafer 5 is attracted, the electrostatic chuck body 1 is moved so that the mounting surface 1a is substantially vertical to the ground. After that, the wafer 5 held substantially vertically
Is irradiated with a mass-analyzed ion beam extracted from an ion source (not shown). Upper tip 8a of claw 8
Is overhanging and the number of parts above the wafer 5
Since it is as small as mm mm, the ion beam is irradiated to almost the entire upper surface of the wafer 5.
【００４０】イオンビームの照射が終了すると、静電チ
ャック本体１は、載置面１ａが水平になるように移動さ
れる。その後、ウェハ５が取り外される。When the irradiation of the ion beam is completed, the electrostatic chuck body 1 is moved so that the mounting surface 1a becomes horizontal. Then, the wafer 5 is removed.
【００４１】すなわち、ロッド６および動力伝達軸１０
の図示しない駆動源であるエアーシリンダの動力は、図
示しない動力伝達部を介して、各ロッド６、および各動
力伝達軸１０へ伝えられる。この結果、図１に示す各動
力伝達軸１０、および各ロッド６は、略同時に上方へ直
動する。That is, the rod 6 and the power transmission shaft 10
The power of the air cylinder, which is a drive source (not shown), is transmitted to each rod 6 and each power transmission shaft 10 via a power transmission unit (not shown). As a result, each power transmission shaft 10 and each rod 6 shown in FIG.
【００４２】動力伝達軸１０の直動により、該動力伝達
軸１０の上端部は、爪部８の下方突端部８ｂと当接し、
該端部８ｂを上方へ押圧する。これにより、爪部８は、
図１に示すＡ方向に加えられているバネ９の付勢力に逆
らって、逆Ａ方向へ回動する。これに伴い、爪部８の上
方突端部８ａは、載置面１ａに載置されているウェハ５
の外側へ回動して退避位置に移動する（図１中、２点鎖
線で示した状態）。この結果、前記上方突端部８ａは、
ウェハ５の上面にはかからない位置まで移動されるの
で、ウェハ５を取り外すためウェハ５を上昇させるにあ
たって何ら問題を生じない。Due to the linear movement of the power transmission shaft 10, the upper end portion of the power transmission shaft 10 comes into contact with the lower projecting end portion 8b of the claw portion 8,
The end 8b is pressed upward. Thereby, the claw portion 8 is
It rotates in the reverse A direction against the biasing force of the spring 9 applied in the A direction shown in FIG. Along with this, the upper projecting end portion 8a of the claw portion 8 has the wafer 5 mounted on the mounting surface 1a.
And moves to the retreat position (the state shown by the chain double-dashed line in FIG. 1). As a result, the upper tip 8a is
Since it is moved to a position where it does not reach the upper surface of the wafer 5, there is no problem in raising the wafer 5 to remove the wafer 5.
【００４３】一方、上記動力伝達軸１０の直動と略同時
に、図示しない駆動源によって駆動される各ロッド６も
上方へ直動する。この結果、ロッド６の頭部は、載置面
１ａより突出し、載置面１ａに載置されているウェハ５
を上方へ持ち上げる。上記のように、爪部８の上方突端
部８ａは、ウェハ５の上面にはかからない位置まで移動
しているので、ロッド６は、支障なくウェハ５を持ち上
げることができる。On the other hand, substantially simultaneously with the linear movement of the power transmission shaft 10, each rod 6 driven by a drive source (not shown) also linearly moves upward. As a result, the head of the rod 6 protrudes from the mounting surface 1a and the wafer 5 mounted on the mounting surface 1a.
Lift up. As described above, since the upper protruding end portion 8a of the claw portion 8 has moved to a position where it does not contact the upper surface of the wafer 5, the rod 6 can lift the wafer 5 without any trouble.
【００４４】ウェハ５が持ち上げられた後、ウェハ５
は、図示しない搬送ロボットによりウェハ５は静電チャ
ック本体１より取り外される。ウェハ５が取り外された
後は、ロッド６が下降し、その頭部が載置面１ａより没
入する。一方ロッド６の下降と略同時に動力伝達軸１０
も下降し、動力伝達軸１０の上端は、爪部８の下方突端
部８ｂとは接触しなくなる。この結果、爪部８は、圧縮
されていたバネ９の復元力により、図１に示すＡ方向へ
回動して脱落防止位置へ戻る。After the wafer 5 is lifted, the wafer 5
The wafer 5 is removed from the electrostatic chuck body 1 by a transfer robot (not shown). After the wafer 5 is removed, the rod 6 descends and the head of the rod 6 is recessed from the mounting surface 1a. On the other hand, almost simultaneously with the lowering of the rod 6, the power transmission shaft 10
Is also lowered, and the upper end of the power transmission shaft 10 does not come into contact with the lower protruding end portion 8b of the claw portion 8. As a result, the pawl portion 8 is rotated in the direction A shown in FIG. 1 by the restoring force of the compressed spring 9 to return to the fall prevention position.
【００４５】ウェハ５を静電チャック本体１の載置面１
ａに載置する際には、ウェハ５を取り外す動作とは逆の
順序で各動作が行われる。The wafer 5 is placed on the mounting surface 1 of the electrostatic chuck body 1.
When mounted on a, the respective operations are performed in the reverse order of the operation of removing the wafer 5.
【００４６】続いて、静電チャック本体１がウェハ５を
正しく吸着固定できなかったときの動作を図１および図
２にしたがって説明すると以下の通りである。Next, the operation when the electrostatic chuck body 1 cannot properly attract and fix the wafer 5 will be described with reference to FIGS. 1 and 2.
【００４７】例えば、ウェハ５の裏面、あるいは静電チ
ャック本体１の載置面１ａにゴミが付着している場合
や、ウェハ５を上記載置面１ａの所定の位置へ載置する
ことができなかった場合などにより、載置面１ａとウェ
ハ５の裏面との間に隙間が生じると、静電チャック本体
１の吸着力は低下し、ウェハ５を保持することができな
いことがある。For example, when dust adheres to the back surface of the wafer 5 or the mounting surface 1a of the electrostatic chuck body 1, the wafer 5 can be mounted at a predetermined position on the mounting surface 1a. If there is a gap between the mounting surface 1a and the back surface of the wafer 5 due to such a case, the attraction force of the electrostatic chuck body 1 may be reduced and the wafer 5 may not be held.
【００４８】上記のように、静電チャック本体１にウェ
ハ５が吸着固定されていない場合、イオンビームを照射
するために、静電チャック本体１を載置面１ａが地面と
略垂直になるように移動すると、ウェハ５は、自重によ
り載置面１ａから離れようとする。ところが、図２に示
すように、載置面１ａの外周近傍には例えば４つの脱落
防止機構７…が設けられており、前記各脱落防止機構７
の有する爪部８の端面８ｄはウェハ５の側端面に、前記
爪部８の上方突端部８ａの下面８ｃは、ウェハ５の表面
に、それぞれ近接している。これにより、その中の２つ
の脱落防止機構７の爪部８の端面８ｄにウェハ５の外縁
が当接して、ウェハ５の載置面１ａに沿った動きは抑止
される。また、ウェハ５が載置面１ａより離れる方向に
動いた場合は、ウェハ５の表面と、該ウェハ５の表面に
近接する上記爪部８の下面８ｃとが当接する。これによ
り、ウェハ５の裏面と載置面１ａとの距離は、所定の値
以下に抑えられる。As described above, when the wafer 5 is not adsorbed and fixed to the electrostatic chuck body 1, the mounting surface 1a of the electrostatic chuck body 1 is set to be substantially perpendicular to the ground in order to irradiate the ion beam. When moved to, the wafer 5 tends to separate from the mounting surface 1a by its own weight. However, as shown in FIG. 2, for example, four falling prevention mechanisms 7 ... Are provided near the outer periphery of the mounting surface 1a, and the respective falling prevention mechanisms 7 are provided.
The end surface 8d of the claw portion 8 has a side end surface of the wafer 5, and the lower surface 8c of the upper projecting end portion 8a of the claw portion 8 is close to the surface of the wafer 5. As a result, the outer edge of the wafer 5 comes into contact with the end surfaces 8d of the claw portions 8 of the two falling prevention mechanisms 7, and the movement of the wafer 5 along the mounting surface 1a is suppressed. Further, when the wafer 5 moves in a direction away from the mounting surface 1a, the surface of the wafer 5 and the lower surface 8c of the claw portion 8 close to the surface of the wafer 5 come into contact with each other. As a result, the distance between the back surface of the wafer 5 and the mounting surface 1a can be suppressed to a predetermined value or less.
【００４９】この結果、ウェハ５は載置面１ａ上に保持
される。これにより、イオンビームは、ウェハ５に照射
され、載置面１ａへは照射されない。イオンビームが載
置面１ａへ照射された場合は、載置面１ａの電気的特性
が大きく変化し、静電チャック本体１の吸着力が著しく
損なわれる虞れがあるが、イオンビームが載置面１ａに
照射されないため、この問題を生じることはない。ま
た、イオンビームが載置面１ａに照射されると、載置面
１ａの電気的特性が変化するため、静電チャック本体１
の寿命が短くなり、メンテナンスの機会が増えるが、本
実施例に係る静電チャックにおいては、この問題も生じ
ることがない。As a result, the wafer 5 is held on the mounting surface 1a. As a result, the ion beam is applied to the wafer 5 and is not applied to the mounting surface 1a. When the mounting surface 1a is irradiated with the ion beam, the electrical characteristics of the mounting surface 1a may change significantly, and the attraction force of the electrostatic chuck body 1 may be significantly impaired. Since the surface 1a is not irradiated, this problem does not occur. When the mounting surface 1a is irradiated with the ion beam, the electrical characteristics of the mounting surface 1a change, so the electrostatic chuck body 1
However, the electrostatic chuck according to the present embodiment does not cause this problem.
【００５０】イオンビームの照射後は、ウェハ５は静電
チャック本体１より取り外される。ウェハ５が正常動作
時と略同じ位置にあるため、静電チャック本体１は、正
常動作時と同じようにして、ウェハ５を取り外すことが
できる。ウェハ５が完全に脱落した場合は、一度、チャ
ンバをベントした後、処理室内に残されたウェハ５を取
り出す必要があるが、本実施例に係る静電チャックで
は、この手間を削減できる。After the ion beam irradiation, the wafer 5 is removed from the electrostatic chuck body 1. Since the wafer 5 is located at substantially the same position as during normal operation, the electrostatic chuck body 1 can be removed in the same manner as during normal operation. When the wafer 5 is completely removed, it is necessary to vent the chamber once and then take out the wafer 5 left in the processing chamber, but the electrostatic chuck according to the present embodiment can reduce this labor.
【００５１】ウェハ５を取り出すためにチャンバをベン
トする必要がないため、搬送ロボットの一時的不具合な
どにより、上記搬送ロボットがウェハ５を載置面１ａ上
へ載置するときの位置合わせに失敗した場合など、吸着
力低下の原因が以降の処理に影響をおよぼさない場合
は、次のウェハ５を載置して処理を続行できる。Since it is not necessary to vent the chamber to take out the wafer 5, the transfer robot fails to position the wafer 5 on the mounting surface 1a due to a temporary failure of the transfer robot. In the case where the cause of the decrease in the suction force does not affect the subsequent processing, the next wafer 5 can be placed and the processing can be continued.
【００５２】なお、本実施例に係る静電チャックは、図
２に示すように、４つの脱落防止機構７を備えている
が、これに限るものではない。吸着されなくなったウェ
ハ５が任意の方向に遊動する場合、これを係止するため
に、少なくとも３つの脱落防止機構７を備える必要があ
る。ウェハ５の遊動する方向が決まっている場合、例え
ば、載置面１ａの傾きが小さいため、ウェハ５の自重に
より該ウェハ５が載置面１ａに押圧されて載置面１ａよ
り離反しない場合は、脱落防止機構７は２つでもよい。Although the electrostatic chuck according to the present embodiment is provided with four drop-off preventing mechanisms 7 as shown in FIG. 2, the present invention is not limited to this. When the wafer 5 that is no longer adsorbed floats in any direction, it is necessary to provide at least three caps 7 to prevent the wafer 5 from moving. When the floating direction of the wafer 5 is determined, for example, when the mounting surface 1a has a small inclination, the wafer 5 is pressed against the mounting surface 1a by its own weight and is not separated from the mounting surface 1a. The number of drop-off prevention mechanisms 7 may be two.
【００５３】また、本実施例に係る静電チャックでは、
図２に示すように、脱落防止機構７とロッド６とが載置
面１ａの同一半径上に配置されているが、これに限るも
のではなく、互いにずれた位置に配置されていてもよ
い。なお、脱落防止機構７とロッド６との数は同じであ
る必要はなく、それぞれの目的に応じて個別に設定する
ことができる。Further, in the electrostatic chuck according to this embodiment,
As shown in FIG. 2, the falling prevention mechanism 7 and the rod 6 are arranged on the same radius of the mounting surface 1a, but the present invention is not limited to this, and they may be arranged at positions deviated from each other. Note that the number of drop-off prevention mechanisms 7 and the number of rods 6 need not be the same, and can be set individually according to their respective purposes.
【００５４】さらに、本実施例においては、静電チャッ
ク本体１の吸着力が低下した場合、脱落防止機構７の爪
部８によりウェハ５の側端面および上面を保持している
が、これに限らず、側端面のみを保持する脱落防止用支
持部材と、上面のみを保持する脱落防止用支持部材とを
それぞれ別に設けてもよい。これにより、例えば、載置
面１ａの上方よりウェハ５を載置する場合には、側端面
を保持するための脱落防止用支持部材を固定することが
できる。また、脱落防止機構７および持ち上げ機構の駆
動源としてエアーシリンダを用いているが、これに限ら
ず、モータやソレノイドなど他の駆動源を用いても同じ
効果が得られる。さらに、脱落防止機構７と持ち上げ機
構の駆動源をそれぞれ別に設けてもよい。これにより、
脱落防止機構の動作タイミングと持ち上げ機構の動作タ
イミングとをそれぞれ別に設定できる。Further, in the present embodiment, when the attraction force of the electrostatic chuck body 1 is reduced, the side end face and the upper face of the wafer 5 are held by the claw portion 8 of the drop-out prevention mechanism 7, but the invention is not limited to this. Alternatively, a fall prevention support member that holds only the side end surface and a fall prevention support member that holds only the upper surface may be separately provided. Thereby, for example, when the wafer 5 is mounted from above the mounting surface 1a, the drop-off preventing support member for holding the side end surface can be fixed. Further, although the air cylinder is used as a drive source for the drop-out prevention mechanism 7 and the lifting mechanism, the present invention is not limited to this, and the same effect can be obtained by using another drive source such as a motor or a solenoid. Further, the drive sources for the falling-off prevention mechanism 7 and the lifting mechanism may be separately provided. This allows
The operation timing of the dropout prevention mechanism and the operation timing of the lifting mechanism can be set separately.
【００５５】また、本実施例では、静電チャック本体１
として、静電チャックの誘電体内に２つの電極を有する
双極型の静電チャックを用いているが、これに限らず、
静電チャックの誘電体内に１つの電極を有する単極型の
静電チャックを用いてもよい。Further, in the present embodiment, the electrostatic chuck body 1
As the above, a bipolar electrostatic chuck having two electrodes in the dielectric body of the electrostatic chuck is used, but not limited to this.
A monopolar electrostatic chuck having one electrode in the dielectric of the electrostatic chuck may be used.
【００５６】なお、本発明に係る静電チャックは、上記
の実施例で示したようにイオン注入装置のみに適用され
るものではなく、静電チャックが用いられている様々な
装置に適用でき、特に、イオン注入装置やイオンビーム
エッチング装置などのビーム応用装置に対して有効であ
る。The electrostatic chuck according to the present invention can be applied not only to the ion implantation apparatus as shown in the above embodiment but also to various apparatuses using the electrostatic chuck. In particular, it is effective for a beam application device such as an ion implantation device or an ion beam etching device.
【００５７】[0057]
【発明の効果】請求項１の発明に係る静電チャックは、
以上のように、載置面の外周近傍に配され、上記載置面
上に吸着保持された被保持物の端縁部の一部を当該被保
持物とは非接触状態で覆う脱落防止位置と、被保持物の
載置面への着脱が可能となるように載置面を開放する退
避位置との間を変位自在に設けられた、複数の脱落防止
用支持部材と、上記複数の脱落防止用支持部材を、上記
脱落防止位置と退避位置との間で切り替えて移動させる
駆動手段とを有する脱落防止機構を備えている構成であ
る。The electrostatic chuck according to the invention of claim 1 is
As described above, the fall prevention position is arranged near the outer periphery of the placing surface and covers a part of the edge of the held object sucked and held on the placing surface in a non-contact state with the held object. And a plurality of fall-off preventing support members movably provided between the retracted position and the retracted position for opening the placement surface so that the held object can be attached to and detached from the placement surface. This is a configuration including a drop-out prevention mechanism having drive means for switching and moving the prevention support member between the drop-out prevention position and the retracted position.
【００５８】それゆえ、被保持物が静電チャックに載置
されている間に、不所望に静電チャックの吸着力が低下
しても、脱落防止機構は、上記被保持物を載置面上に保
持することができる。被保持物の脱落による汚損および
破損を防止すると共に、被保持物が載置面上にあるの
で、載置面の汚損および破損を防止できるという効果を
奏する。Therefore, even if the attraction force of the electrostatic chuck undesirably decreases while the object to be held is being placed on the electrostatic chuck, the drop-out prevention mechanism allows the object to be held to be placed on the mounting surface. Can be held on. The object to be held can be prevented from being soiled and damaged by falling off, and the object to be held can be prevented from being soiled and damaged because the object to be held is on the mounting surface.
【００５９】また、正常に吸着しているときと略同じ位
置に被保持物を保持することができるので、正常時と略
同じ動作で被保持物を取り外すことができ、脱落した被
保持物を探す手間を削減できるという効果を併せて奏す
る。Further, since the object to be held can be held at substantially the same position as when it is normally adsorbed, the object to be held can be removed by substantially the same operation as in the normal state, and the object to be held that has fallen off can be removed. It also has the effect of reducing the trouble of searching.
【００６０】加えて、静電チャックが正常に被保持物を
吸着している場合、脱落防止用支持部材は該被保持物と
接触しないので、被保持物をクリーンに保つことができ
るという効果を併せて奏する。In addition, when the electrostatic chuck normally adsorbs the object to be held, the supporting member for preventing falling does not come into contact with the object to be held, so that the object to be held can be kept clean. Play together.
【図１】本発明の一実施例を示すものであり、静電チャ
ックを示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing an electrostatic chuck according to an embodiment of the present invention.
【図２】上記静電チャックを示す平面図である。FIG. 2 is a plan view showing the electrostatic chuck.
【図３】上記静電チャックの要部を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a main part of the electrostatic chuck.
【図４】従来の静電チャックを示すものであり、静電チ
ャックの要部を示す説明図である。FIG. 4 illustrates a conventional electrostatic chuck, and is an explanatory diagram illustrating a main part of the electrostatic chuck.
１ 静電チャック本体（静電チャック） １ａ 載置面 ２ 直流電源 ３ 誘電体 ４ 金属電極 ５ ウェハ（被保持物） ６ ロッド ７ 脱落防止機構（脱落防止機構） ８ 爪部（脱落防止用支持部材） ９ バネ（駆動手段） １０ 動力伝達軸（駆動手段） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Electrostatic chuck body (electrostatic chuck) 1a Mounting surface 2 DC power supply 3 Dielectric 4 Metal electrode 5 Wafer (holding object) 6 Rod 7 Fall-out prevention mechanism (fall-out prevention mechanism) 8 Claw (fall-out prevention support member) ) 9 spring (driving means) 10 power transmission shaft (driving means)
Claims (1)
着保持する静電チャックにおいて、 上記載置面の外周近傍に配され、載置面上に吸着保持さ
れた被保持物の端縁部の一部を当該被保持物とは非接触
状態で覆う脱落防止位置と、被保持物の載置面への着脱
が可能となるように載置面を開放する退避位置との間を
変位自在に設けられた、複数の脱落防止用支持部材と、 上記複数の脱落防止用支持部材を、上記脱落防止位置と
退避位置との間で切り替えて移動させる駆動手段とを有
する脱落防止機構を備えたことを特徴とする静電チャッ
ク。1. An electrostatic chuck for attracting and holding an object to be held on a mounting surface by electrostatic force, the end of the object to be held being disposed near the outer periphery of the mounting surface and adsorbed and held on the mounting surface. Between the fall prevention position that covers a part of the edge portion in a non-contact state with the held object, and the retracted position that opens the mounting surface so that the held object can be attached to and detached from the mounting surface. A drop-out prevention mechanism including a plurality of drop-out prevention support members that are displaceably provided and a drive unit that moves the plurality of drop-out prevention support members by switching between the drop-out prevention position and the retracted position. An electrostatic chuck characterized by being provided.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP14373995A JP3586931B2 (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Electrostatic chuck |
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Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JP3586931B2 (en) |
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