JPH08340131A - 窒化ガリウム系化合物半導体素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 能率よく高い歩留で多量生産でき、ｐ型層の
発光効率を高くでき、さらに、低い電圧で素子破壊する
のを有効に防止する。 【解決手段】 方形状の絶縁性基板１に、窒化ガリウム
系化合物半導体のｎ型層２およびｐ型層３を順番に設け
ている。ｐ型層３は、外周縁とひとつの隅部が連続する
同一面にエッチング除去されて、下層のｎ型層２を表出
させる外周エッチング部７Ｂとコーナーエッチング部７
Ａを設けている。コーナーエッチング部７Ａの表面にｎ
型電極４を、ｐ型層３の表面にｐ型電極５を接続して、
両電極を同一面側に設けてワイヤーボンドされて通電
し、ｐ型層３の表面に積層して補助電極６を設け、この
補助電極６をｐ型電極５に電気接続して、ｐ型電極５か
らｐ型層の表面に延長して設けている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は青色発光ダイオー
ド、青色レーザーダイオード等の青色発光デバイスに使
用される窒化ガリウム系化合物半導体素子に係り、特
に、発光輝度、及び信頼性に優れた半導体素子の構造に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】青色発光デバイスの材料として、色々な
化合物半導体素子が提唱されているが、最近、その中で
も窒化ガリウム系化合物半導体素子を有する青色発光ダ
イオードが発表され、注目されている。

【０００３】窒化ガリウム系化合物半導体素子は、一般
に厚さ数百μｍのサファイア基板上にＭＯＣＶＤ法、Ｍ
ＢＥ法等を用いて、ＧａｘAｌ１−ｘN（０≦Ｘ≦１）の
結晶をｎ型及びｐ型、あるいはｎ型及びｉ型に積層させ
た後、それぞれの層にＡｌ、Ａｕ等の電極材料を蒸着し
て電極を取り出すことによって得られる。

【０００４】一方、赤色発光デバイス、緑色発光デバイ
ス等においてはＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＧａＰ等の化
合物半導体素子を有することは知られている。これらＧ
ａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等が積層された化合物半導体素子
より、ｐ型およびｎ型の電極を取り出し発光デバイスと
する場合、基板が導電性を有するため、電極は上下から
取り出されるのが通常である。つまり、裏側基板とその
上に積層された半導体結晶層の最上層とから電極が設け
られている。

【０００５】しかしながら、上記のように窒化ガリウム
系化合物半導体素子においては、基板にサファイアとい
う絶縁性の材料を使用しているため、上下から電極を取
り出すことは不可能である。このため図３に示すような
構造として電極が取り出すことが提案されている（特開
昭５５−９４４２号公報）。

【０００６】図３は窒化ガリウム系化合物半導体素子の
構造を示す断面図であり、１’はサファイア基板、２’
はｎ型ＧａｘAｌ１−ＸN（０≦Ｘ≦１）層、３’はｉ型
ＧａｘAｌ１−ｘN（０≦Ｘ≦１）層、４’はｎ型電極、
５’はｉ型電極である。この図に示すようにｎ型電極
４’はｎ型層２’の側面に設けられ、ｉ型電極５’はｉ
型層３’の最上層に設けられており、これらの電極にワ
イヤーボンドして通電することにより、素子より発する
光を取り出す構造としている。

【０００７】このような構造の半導体素子においては次
のような問題点がある。 ｎ型層２’の側面に電極を形成することは、非常に
細かい作業を必要とするため、生産技術上非常に困難で
あり、歩留が悪い。 ｉ型層３’が高抵抗であるため、ｉ型電極５’の電
流がｉ型層３’全面に拡散せず、電界の集中が起こり、
発光する部分がｉ型電極５’の下付近に限られてしま
う。 同じく電界の集中のため、比較的小さい印加電圧で
素子の破壊が発生する。 電界の集中のため、局部的な結晶の劣化が起こり寿
命が短い。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような事
情を鑑み成されたものであり、その目的とするところは
サファイア基板等の絶縁性基板を有する窒化ガリウム系
化合物半導体素子において、能率よく高い歩留で多量生
産でき、ｐ型層の発光効率を高くでき、さらに、低い電
圧で素子破壊するのを有効に防止できる窒化ガリウム系
化合物半導体素子を提供するものであり、また他の目的
として生産技術にも優れた素子の構造を提供するもので
もある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の窒化ガリウム系
化合物半導体素子は、方形状の絶縁性基板１に、窒化ガ
リウム系化合物半導体であるｎ型層２およびｐ型層３を
順番に設けている。ｎ型層は、全体の形状を方形状とし
ている。ｐ型層３は、外周縁とひとつの隅部が連続する
同一面にエッチング除去されて、方形状からひとつの隅
部を除いた形状に形成されている。ｐ型層３のエッチン
グ除去部によって、下層のｎ型層２を表出させる外周エ
ッチング部７Ｂと周縁コーナーエッチング部７Ａとを設
けている。外周エッチング部７Ｂとコーナーエッチング
部７Ａで囲まれる内側に、ｐ型層３を形成している。コ
ーナーエッチング部７Ａは、表面にｎ型電極４を電気的
に接続している。さらに、ｐ型層３は、表面にｐ型電極
５を電気的に接続して設けて、ｐ型電極５とｎ型電極４
を、窒化ガリウム系化合物半導体素子の同一面側に設け
て、ｐ型電極５とｎ型電極４はワイヤーボンドされて通
電するようにしている。さらにまた、ｐ型電極５は、ｐ
型層３の表面に積層して補助電極６を設けている。この
補助電極６は、ｐ型電極５に電気接続されると共に、ｐ
型電極５からｐ型層３の表面に延長して設けられてい
る。この補助電極６でもって、ｐ型電極５に供給される
電流は、ｐ型層３に拡散して通電される。この構造の窒
化ガリウム系化合物半導体素子は、ｐ型電極５とｎ型電
極４とに電圧が印加されると、ｐ型層３には、ｐ型電極
５に供給される電流が、補助電極６でｐ型層３の広い面
積に拡散して供給される。

【００１０】本発明の一実施例を示す窒化ガリウム系化
合物半導体素子の平面図を図１に表す。この窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子はサファイア基板１上にｎ型層
２、およびｐ型層３を順に積層した後、エッチングによ
り、方形状からひとつの隅部を除いた形状のｐ型層３を
形成し、このｐ型層３は、ひとつの隅部と外周が同一面
に取り除かれて、ｎ型層２を露出させて、その隅部にコ
ーナーエッチング部７Ａを設け、その外周に外周エッチ
ング部７Ｂを設け、ｎ型層２が表出するコーナーエッチ
ング部７Ａと、ｐ型層３の上面とに電極を蒸着により設
けたものである。しかもｐ型層３のひとつの隅部を円弧
状にエッチングすることにより、図１に示すように、ｐ
型層３のコーナーエッチング部７Ａとの境界縁８に、ｎ
型電極４の外周に接触しないが、ｎ型電極４外周形状に
近似する円弧状部分を設け、この円弧状部分をｎ型電極
４の外周に接近させている。さらにｐ型層３の表面にｐ
型層３と電気的に接触した線状電極６を設けることによ
り、電流がｐ型層３に均一に広がる様になっている。

【００１１】ｐ型電極５と、ｎ型電極４の形状は、通常
は円に形成される。なぜなら、電極に金線をワイヤーボ
ンドする際、その金線の先端が熱により球状にカットさ
れるため、電極を不必要な形に形成すると、その部分の
発光が遮断されてしまうからである。そのため電極の大
きさも、金線の太さとほぼ同一か、またはそれよりやや
大きい程度の大きさで形成される。

【００１２】図１に示すこの発明の実施例の窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子は、補助電極６を、放射状に配設
してなる線状としている。この形状の補助電極６は、ｐ
型電極５と同一の材料で形成することができ、例えばＡ
ｕ、Ｐｔ、Ａｌ又はそれらの合金を使用することができ
る。

【００１３】ｐ型層３は、その下にあるｎ型層２の面積
の多くとも１／４以下、最も好ましくはｎ型電極４と接
触しない範囲でエッチングすることが好ましい。図１に
示すようにｐ型層３のコーナーエッチング部７Ａとの境
界縁８を円弧状にエッチングすることにより、ｎ型電極
４に接近する境界縁８の全長を長くすることができ、さ
らに、ｐ型層３を最大限確保できるので、発光面積、と
くに効率よく発光する面積が大きくなる。

【００１４】

【作用】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、
図２の断面図に示すように、絶縁性基板であるサファイ
ア基板１に、窒化ガリウム系化合物半導体のｎ型層２と
ｐ型層３とを順番に備えている。ｐ型層３は、外周縁と
ひとつの隅部が連続する同一面にエッチング除去され
て、方形状からひとつの隅部を除いた形状に形成され、
この形状のｐ型層３によって、ｐ型層３の外側に、同一
面のコーナーエッチング部７Ａと外周エッチング部７Ｂ
を設け、コーナーエッチング部７Ａにはｎ型電極４を設
けている。電極を設けるために、ｐ型層３の隅部をエッ
チングして除去するのと一緒に、ｐ型層３の外周もエッ
チングして除去している。すなわち、窒化ガリウム系化
合物半導体素子の外周を、外周エッチング部７Ｂでカッ
トしやすいように加工している。とくに、ｐ型層３の外
周をエッチング除去して、その外周に外周エッチング部
７Ｂを設け、ｐ型層３の形状を、方形状からひとつの隅
部を除いた形状としているので、たとえば、ペレットチ
エックをウェハー状態で行った後、外周エッチング部７
Ｂに沿ってダイシングソー等で簡単に方形状にカットし
て製造できる。さらに、カットしやすくする外周エッチ
ング部７Ｂは、電極を設けるエッチングと一緒に、すな
わち、コーナーエッチング部７Ａに連続してこれと同一
面に設けているので、外周エッチング部７Ｂを設けるた
めに特別な処理を必要としない。さらに、ｐ型層３の外
側に外周エッチング部７Ｂを設けているので、この外周
エッチング部７Ｂに沿ってウェハーをチップに切断する
ときに、この外周エッチング部７Ｂにはｐ−ｎ接合が存
在せず、ｎ型層２のみとなる。したがって、発光領域
が、外周エッチング部７Ｂに存在しないため、カット時
の機械的な応力により発生する界面の結晶の傷み、クラ
ックがｐ−ｎ接合面を有する発光領域に及ばず、信頼性
の高い素子を得ることができる。とくに、窒化ガリウム
系化合物半導体は結晶がサファイアと同じ程度に硬いの
で、カットした際にカット面にクラックが入り、そのク
ラックが発光面まで伝搬しやすい。ｐ型層３の外側に外
周エッチング部７Ｂのある本発明の窒化ガリウム系化合
物半導体素子は、クラックが発光面まで入り難くできる
特長がある。さらに、図１と図２に示す本発明の窒化ガ
リウム系化合物半導体素子は、ｐ型層３をより広い面積
で効率よく発光できる。それは、ｐ型層３の表面に補助
電極６を設け、ｐ型電極３から拡散するように設けられ
ている補助電極６を介して、高抵抗なｐ型層３に広い範
囲で効率よく電流を流すからである。ｎ型層２は低抵抗
な層であるため、この層を流れる電流は均一に広がるこ
とができる。しかしｐ型層３は高抵抗な層であるため、
従来のような電極とすると電流を均一に広げることが困
難である。そのため発光部分がｐ型電極５の下付近にの
み限られてしまい、ｐ型層３を有効に利用することがで
きない。本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子はｐ
型層３の上に、そのｐ型層３と電気的に接触した補助電
極６を設けることにより電流を均一に広げることができ
る。図１では補助電極６がｐ型電極６の中心より複数で
放射する線状に形成したが、この発明の窒化ガリウム系
化合物半導体素子は、補助電極をこの形状に特定しな
い。補助電極には、たとえば、図示しないが、一本の線
状電極を渦巻状に形成しても同様の効果が得られる。

【００１５】

【実施例】以下、一実施例に基づき、図面を参照しなが
ら本発明を詳説する。サファイア基板１上にＴＭＧ（ト
リメチルガリウム）−アンモニアを用いＭＯＣＶＤ法に
より、厚さ３μｍのｎ型ＧａＮ層２、および厚さ０．５
μｍのｐ型ＧａＮ層３を順に積層した。その断面図を図
４に示す。

【００１６】次にｐ型層３の上にプラズマＣＶＤ法を用
い、保護膜としてＳｉＯ２膜を厚さ１μｍで形成した。
その断面図を図５に示す。

【００１７】ＳｉＯ２層を形成した後、さらにフォトリ
ソグラフィーによりポジ型フォトレジストを形成し、露
光してバターニングを施した。その断面図を図６に示
す。

【００１８】次に、フォトレジストのバターニングが終
了したウエハーをフッ酸に浸潰し、ＳｉＯ２層をフォト
レジストと同様のバターンにエッチングした。ウエハー
を水洗した後、アセトンで洗浄することによりフォトレ
ジストを剥離した。その断面図を図７に示す。

【００１９】パターニングの施されたＳｉＯ２層が現れ
たウエハーのｐ型層３をドライエッチングした。その断
面図を図８に示す。

【００２０】残留するＳｉＯ２層を、前述のフッ酸溶液
に浸漬することによって除去した後、蒸着およびリフト
オフ法により、Ｐ型電極５（補助電極６）とｎ型電極４
を付け、ペレットチエックをウエハー状態で行った後、
ダイシングソーでカットして本発明の青色発光素子を得
た。なお、ｐ型電極５および補助電極６はフォトレジス
トをｐ型層上に形成した後、蒸着によって同時に形成し
た。

【００２１】

【発明の効果】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素
子は、優れた発光特性のものを能率よく高い歩留で多量
生産できる特長がある。それは、本発明の窒化ガリウム
系化合物半導体素子が、方形状の絶縁性基板の上に、窒
化ガリウム系化合物半導体のｎ型層とｐ型層を積層し、
ｐ型層の隅部とその周縁を一緒にエッチング除去して、
同一面のコーナーエッチング部と外周エッチング部を設
け、ｐ型層は、方形状からひとつの隅部を除いた形状と
して、コーナーエッチング部と外周エッチング部の内側
にｐ型層を配設し、コーナーエッチング部にｎ型電極
を、ｐ型層の表面にｐ型電極を設ける独特の構造をして
いるからである。とくに、本発明の窒化ガリウム系化合
物半導体素子は、ｎ型電極を設けるために、ｐ型層のひ
とつの隅部をエッチングして除去するのと一緒に、ｐ型
層の外周もエッチングして除去している、すなわち、窒
化ガリウム系化合物半導体素子の外周を外周エッチング
部でカットしやすいように加工している。この構造の窒
化ガリウム系化合物半導体素子は、大きなウェハーでペ
レットチェックをした後、外周エッチング部に沿ってダ
イシングソー等で簡単に方形状にカットしてチップに分
離して製造できる。さらに、カットしやすくする外周エ
ッチング部は、電極を設けるエッチングと一緒に、すな
わち、コーナーエッチング部に連続してこれと同一面に
設けているので、外周エッチング部を設けるために特別
な処理を必要としない。さらに、本発明の窒化ガリウム
系化合物半導体素子は、発光領域となるｐ型層を最大限
に大きくして、しかも、ウェハーをチップにカットする
ときに、外周に発生するクラックが発光領域を狭くする
のを有効に阻止して、発光領域を大きくして、全体とし
ての発光出力を大きくできる特長がある。それは、本発
明の窒化ガリウム系化合物半導体素子が、方形状からひ
とつの隅部を除いた形状に成形しているｐ型層の外周の
外周エッチング部に沿ってカットするときに、発光領域
であるｐ−ｎ接合にクラックが侵入するのを阻止できる
からである。すなわち、本発明の窒化ガリウム系化合物
半導体素子は、ｐ型層の外側に外周エッチング部を設け
ているので、ウェハーをチップに切断するための外周エ
ッチング部にはｐ−ｎ接合が存在しない。外周エッチン
グ部にｐ型層が積層されない。発光領域は、外周エッチ
ング部にないので、カット時の機械的な応力により発生
する界面の結晶の傷み、クラックは、ｐ−ｎ接合面を有
する発光領域に及ばない。このため、信頼性の高い素子
が製造できる。窒化ガリウム系化合物半導体の結晶は、
極めて硬くて、カットした際にカット面にクラックが入
り、そのクラックが発光領域まで伝搬しやすい性質があ
るが、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、方
形状からひとつの隅部を除いた形状とするｐ型層の外側
に、外周エッチング部を設けているので、クラックが発
光領域に侵入するのを有効に阻止できる特長がある。さ
らに、ｎ型電極とｐ型電極を窒化ガリウム系化合物半導
体素子の同一面側に設けて、ｐ型電極とｎ型電極にワイ
ヤーボンドして通電する構造とし、加えて、ｎ型電極
を、ｐ型層のひとつの隅部をエッチング除去して設けた
コーナーエッチング部に接続している。この構造の窒化
ガリウム系化合物半導体素子は、ｐ型層の外周にコーナ
ーエッチング部と外周エッチング部を設けていると共
に、コーナーエッチング部の外側に外周エッチング部を
設け、この外周エッチング部とコーナーエッチング部と
を同一面としている。この構造の窒化ガリウム系化合物
半導体素子は、コーナーエッチング部に金線等をワイヤ
ーボンドで接続するとき、コーナーエッチング部の外側
が外周エッチング部で開放されるので、ワイヤーボンド
する位置が外側にずれても、ｐ型層にショートすること
がなく、ワイヤーボンドも確実にできる特長がある。す
なわち、コーナーエッチング部の外側の面積が、外周エ
ッチング部で広げられるので、ワイヤーボンド不良に起
因する歩留の低下を防止できる。ワイヤーボンドで金線
等を確実に連結できることは、前記の窒化ガリウム系化
合物半導体素子を簡単にチップに分離できることと相乗
して、この発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、
高い歩留で能率よく多量生産できる特長を実現する。さ
らにまた、本発明の半導体素子は、均一に電流を流すの
が難しい、高抵抗なｐ型層に、より広い面積に分散して
電流を流し、ｐ型層をより広い面積で効率よく発光でき
る極めて優れた特長が実現できる。それは、高抵抗なｐ
型層の表面に、ワイヤーボンドするｐ型電極に電気接続
する補助電極を積層し、補助電極をｐ型層の表面に沿っ
て延長して設けることにより、補助電極を介しｐ型層に
より広い面積で電流を均一に分散して流すことができる
からである。窒化ガリウム系化合物半導体は、赤外、緑
の発光ダイオード等に使用されているＧａＡｓ、ＧａＡ
ｌＡｓ、ＧａＰ等の半導体素子に比較すると、キャリア
濃度を高くすることが難しく、電気抵抗が高くなる性質
がある。とくに、窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型層
は電気抵抗が大きくなる。ｎ型層にｐ型層を積層する窒
化ガリウム系化合物半導体素子は、ｐｎ接合部で電子と
ホールとが再結合して発光する。ｐ型層の一部に集中し
て電流が流れると、電流のよく流れる部分は強く発光す
るが、電流の流れ難い部分は発光出力が低くなる。すな
わち、ｐｎ接合部の電流密度の高い部分で発光出力が大
きく、電流密度の低い部分は発光出力が低くなる。ｐ型
層の表面に、局部的にｐ型電極を設けた窒化ガリウム系
化合物半導体素子は、ｐ型層の下面全面をｎ型層に積層
する構造としても、ｐ型層の下面全面を均一に効率よく
発光させることはできない。電流密度の高い部分は強
く、電流密度の低い領域は発光が弱くなる。ところで、
窒化ガリウム系化合物半導体のｐ型層は、全体的には電
気抵抗が大きいが、部分的に観察すると、表面の電気抵
抗は内部よりも低くなる。表面の電気抵抗が小さくなる
のは、製造工程において、表面の水素が内部よりも除去
されやすいからである。本発明の窒化ガリウム系化合物
半導体素子は、ｐ型層の表面に、ワイヤーボンドするた
めに局部的に設けられるｐ型電極に電気接続して、ｐ型
層の表面に延長するように積層されてなる補助電極を設
けている。補助電極は、製造工程において電気抵抗が小
さくなる性質のある、ｐ型層の表面に電気接続される。
この状態でｐ型層の表面に電気接続された補助電極は、
ワイヤーボンドされるｐ型層に供給される電流を、ｐ型
層の全面に理想的な状態で均一に分散して流す。このた
め、この発明の窒化ガリウム系化合物半導体素子は、ｐ
型層の全体を効率よく発光できる特長が実現される。さ
らに、電流を均一に分散できるこの発明の窒化ガリウム
系化合物半導体素子は、ｐ型層の全体に流すトータルの
電流値を大きくして、素子全体としての発光出力を大き
くできる特長がある。半導体素子は、局部的に集中して
電流が流れると、最大電流が流れる部分の温度が異常に
上昇して、最大電流を制限する。この発明の窒化ガリウ
ム系化合物半導体素子は、補助電極でｐ型層の全体に均
一に分散して電流を流すことができるので、局部的な最
大電流を小さくして、ｐ型層の全体に流れる電流を大き
くでき、これによって、最大発光出力を大きくできる特
長がある。さらにまた、半導体素子は、特定の電流密度
の領域においては、電流密度に比例して、ほぼ直線的に
発光出力も大きくなるが、電流密度が非常に大きくなる
と飽和して、電流密度を大きくしても、発光出力はほと
んど増加しなくなる。このため、局部的に集中して電流
が流れる従来の半導体素子は、大電流が流れる部分で飽
和して、電流に比例して発光出力が強くならず、電流に
対する発光効率が低下してしまう。この発明の窒化ガリ
ウム系化合物半導体素子は、ｐ型層の電流密度を均一に
分散させて、発光出力を大きくするので、局部的に発生
する飽和現象を防止して、ｐ型層の全面をより均一に、
しかもより強く発光できる極めて優れた特長を実現す
る。また、窒化ガリウム系化合物半導体素子は、高抵抗
な層であるｐ型層に、局部的に集中する電極を設ける
と、電界が集中して、比較的小さい電圧で素子が破壊し
やすい弊害がある。この発明の窒化ガリウム系化合物半
導体素子は、ｐ型層の表面に延長して補助電極を設け、
この補助電極をｐ型電極に接続しているので、補助電極
で、電界が局部的に集中するのを有効に防止できる。し
たがって、局部的に電界が集中して、素子が破壊するの
も有効に防止できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の一実施例の窒化ガリウム系化合物半
導体素子の構造を示す平面図。

【図２】 本発明の一実施例の窒化ガリウム系化合物半
導体素子の構造を示す概略断面図。

【図３】 従来の窒化ガリウム系化合物半導体素子の構
造を示す機略断面図。

【図４】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【図５】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【図６】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【図７】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【図８】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【図９】 実施例の各工程で得られる窒化ガリウム系化
合物半導体素子の構造を示す概略断面図。

【符号の説明】

１・・・サファイア基板 ２・・・ｎ型層 ３・・・ｐ型層 ４・・・ｎ型電極 ５・・・ｐ型電極 ６・・・補助電極 ７Ａ・・コーナーエッチング部 ７Ｂ・・外周エッ
チング部 ８・・・境界縁 １’・・サファイア基板 ２’・・ｎ型層 ３’・・ｉ型層 ４’・・ｎ型電極 ５’・・ｉ型電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 方形状の絶縁性基板(1)に、窒化ガリウ
   ム系化合物半導体のｎ型層(2)およびｐ型層(3)が順番に
   設けられており、ｎ型層(2)は全体の形状を方形状と
   し、 ｐ型層(3)は、外周縁とひとつの隅部が連続する同一面
   にエッチング除去されて、方形状からひとつの隅部を除
   いた形状に形成され、このｐ型層(3)のエッチング除去
   部によって、下層のｎ型層(2)を表出させる外周エッチ
   ング部(7B)とコーナーエッチング部(7A)を設けており、
   外周エッチング部(7B)とコーナーエッチング部(7A)で囲
   まれる内側に、ｐ型層(3)が設けられており、コーナー
   エッチング部(7A)の表面にはｎ型電極(4)を電気的に接
   続しており、 さらに、ｐ型層(3)は、表面にｐ型電極(5)を電気的に接
   続して設けて、ｐ型電極(5)とｎ型電極(4)を、窒化ガリ
   ウム系化合物半導体素子の同一面側に設けて、ｐ型電極
   (5)とｎ型電極(4)はワイヤーボンドされて通電されるよ
   うに構成されており、 さらにまた、ｐ型電極(5)に接続して、ｐ型層(3)の表面
   に積層して補助電極(6)が設けられており、この補助電
   極(6)はｐ型電極(5)に電気接続されると共に、ｐ型電極
   (5)からｐ型層(3)の表面に延長して設けられており、こ
   の補助電極(6)でもって、ｐ型電極(5)に供給される電流
   がｐ型層(3)に拡散して通電されるように構成されてお
   り、 ｐ型電極(5)とｎ型電極(4)とに電圧が印加されると、ｐ
   型層(3)には、ｐ型電極(5)から供給される電流が、補助
   電極(6)でｐ型層(3)の広い面積に拡散して供給されるよ
   うに構成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体素子。
2. 【請求項２】 補助電極(6)が線状電極である請求項１
   に記載される窒化ガリウム系化合物半導体素子。