JPH08340039A - Heat treatment equipment - Google Patents

Heat treatment equipment

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JPH08340039A
JPH08340039A JP16815695A JP16815695A JPH08340039A JP H08340039 A JPH08340039 A JP H08340039A JP 16815695 A JP16815695 A JP 16815695A JP 16815695 A JP16815695 A JP 16815695A JP H08340039 A JPH08340039 A JP H08340039A
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Iwao Kumasaka
岩夫 熊坂
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Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Tokyo Electron Ltd
Tokyo Electron Tohoku Ltd
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Abstract

PURPOSE: To increase the selection freedom of holding position of a wafer to be treated on a boat wafer, and enable high reliability monitoring, when a monitor wafer is carried in a vertical heat treatment equipment together with the wafer to be treated, heat treatment is performed, and the state of treatment of a product wafer or the state of the equipment is monitored. CONSTITUTION: A lot region variation mode capable of the following is prepared. A wafer group in a carrier is set as one lot. Lot regions P1-P4 of, e.g. four lots, are assigned on a wafer boat 23. In the case of four lots or less, or when the number of wafers in one lot is small, the lot regions P1-P4 can be compressed while the numerical order of a set trench is made a center. On the other hand, as to the transferring of a monitor wafer, a mode for transferring the wafer between the lot regions, and a mode capable of designating the trench number are prepared. The former mode is selected in the case of product monitoring. The latter mode is selected in the case of equipment monitoring.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、熱処理装置に関する。FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a heat treatment apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハを製造するにあたって重要
な工程の一つとして熱処理工程がある。この熱処理とし
ては、例えば酸化膜の形成、ドーパントの拡散、アニー
ルあるいはCVDなどが挙げられ、最近では空気の巻き
込みが少ないなどの利点から横型炉に代って縦型の熱処
理装置が多く使用されてきている。
2. Description of the Related Art A heat treatment step is one of the important steps in manufacturing a semiconductor wafer. This heat treatment includes, for example, formation of an oxide film, diffusion of a dopant, annealing, CVD, and the like, and recently, a vertical heat treatment apparatus has been often used instead of a horizontal furnace because of advantages such as less entrainment of air. ing.

【0003】この縦型の熱処理装置は、図9に示すよう
に縦型の熱処理炉11と、多数のウエハWを上下に間隔
をおいて棚状に配列して保持するウエハ保持具であるウ
エハボート12と、ウエハWの受け渡しのためにウエハ
キャリア(以下単に「キャリア」という)Cを載置する
受け渡し台13と、その他図示しないがキャリアの搬入
出ポートやキャリアストッカなどとを備えており、受け
渡し台13に載置されたキャリアC内のウエハWを搬送
アーム14によりウエハボート12に移載し、ウエハボ
ート12に所定枚数のウエハが搭載された後、ウエハボ
ート12を熱処理11内に図示しないボートエレベータ
により搬入し、熱処理11内でウエハWに対して所定の
熱処理を行うように構成されている。
As shown in FIG. 9, this vertical heat treatment apparatus includes a vertical heat treatment furnace 11 and a wafer holding tool for holding a large number of wafers W arranged in a rack shape with vertical intervals. The boat 12 includes a boat 12, a transfer table 13 on which a wafer carrier (hereinafter, simply referred to as “carrier”) C is placed for transferring the wafer W, and other carrier loading / unloading ports and carrier stockers (not shown). The wafer W in the carrier C placed on the delivery table 13 is transferred to the wafer boat 12 by the transfer arm 14 and a predetermined number of wafers are loaded in the wafer boat 12, and then the wafer boat 12 is shown in the heat treatment 11 in the drawing. The wafer W is carried in by a boat elevator, and the wafer W is subjected to a predetermined heat treatment in the heat treatment 11.

【0004】そしてウエハボート12の上下両端部は熱
処理炉の構造上他の部分に比べて温度が低くなるのでウ
エハW間の処理の不均一性を避けるため、この部分には
ダミーウエハが配置され、上下両端部以外の部分に通常
の被処理ウエハが搭載されることになる。ウエハボート
12における被処理ウエハの保持領域については、図1
0に示すように例えば25枚のウエハを1ロットとする
と、4ロット分のロット領域P1〜P4が指定されてお
り、例えば4個のキャリアからウエハボート12に被処
理ウエハを移載する場合、4キャリア内のウエハが夫々
ロット領域P1〜P4に移載される。なお図10中Dは
ダミーウエハの保持領域である。
Since the upper and lower ends of the wafer boat 12 are lower in temperature than the other portions due to the structure of the heat treatment furnace, dummy wafers are arranged in these portions in order to avoid non-uniformity of processing between the wafers W. A normal wafer to be processed is mounted on the portions other than the upper and lower ends. The holding area of the wafer to be processed in the wafer boat 12 is shown in FIG.
As shown in 0, for example, when 25 wafers are regarded as one lot, lot areas P1 to P4 for four lots are designated. For example, when transferring the wafers to be processed from the four carriers to the wafer boat 12, The wafers in the four carriers are transferred to the lot areas P1 to P4, respectively. Note that D in FIG. 10 is a holding area for the dummy wafer.

【0005】一方各ロットの被処理ウエハの処理の状態
を監視するために製品モニタウエハをそのロットの被処
理ウエハと共に熱処理することが行われる。この製品モ
ニタウエハは、例えば熱処理装置のキャリアストッカ内
にモニタウエハを収納したキャリアを置いておき、この
キャリア内から取り出されて例えばウエハボート12上
の前記ロット領域P1〜P4の間の夫々(P1の1段上
の保持位置も含む)に保持される。
On the other hand, in order to monitor the processing state of the processed wafer of each lot, the product monitor wafer is heat-treated together with the processed wafer of the lot. For this product monitor wafer, for example, a carrier containing the monitor wafer is placed in a carrier stocker of a heat treatment apparatus, and the product monitor wafer is taken out from the carrier and, for example, between the lot regions P1 to P4 on the wafer boat 12 (P1). (Including the holding position one step above).

【0006】製品モニタウエハを用いるためには、熱処
理装置の操作パネルにてモニタウエハ使用モードのスイ
ッチを押すことにより前記保持領域P1〜P4間に製品
モニタウエハが移載される。この場合各保持領域P1〜
P4には被処理ウエハが、更に保持領域P1〜P4間
(図10中二重線の領域MA)にはモニタウエハが保持
されることになり、また1キャリア内のウエハが25枚
に満たない場合には、ウエハが欠けているまま(空き溝
のまま)としておくかあるいは補充用ウエハを用いて空
き溝ができないようにしている。
In order to use the product monitor wafer, the product monitor wafer is transferred between the holding areas P1 to P4 by pressing the monitor wafer use mode switch on the operation panel of the heat treatment apparatus. In this case, each holding area P1
The wafer to be processed is held in P4, and the monitor wafer is held between the holding areas P1 to P4 (area MA of the double line in FIG. 10), and the number of wafers in one carrier is less than 25. In this case, the wafer is left chipped (vacant groove is left) or a replenishing wafer is used to prevent the empty groove.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとしている課題】ここで例えば4キ
ャリア分のウエハを搭載することができるウエハボート
を用いた装置において、1回の処理を行うときにキャリ
ア数が4キャリアに満たないことや1キャリア内のウエ
ハが25枚に満たないことがある。このような場合に
は、ロット領域を固定せずウエハボートの保持領域の中
で装置の特性が優れている領域、例えば加熱温度の面間
均一性がより一層高い領域を使用することが得策であ
り、本発明者は例えばウエハボート上のある溝の番号を
指定したときにその溝を中心にして、1バッチの処理に
係る全被処理ウエハを圧縮して(空き溝がないようにし
て)配列するようにし、こうして被処理ウエハの保持位
置の選択の自由度を大きくすることを実現しようとして
いる。
Here, for example, in an apparatus using a wafer boat capable of mounting wafers for four carriers, the number of carriers is less than four when performing one process. The number of wafers in the carrier may be less than 25. In such a case, it is advisable to use a region in which the characteristics of the device are excellent, for example, a region in which the heating temperature is evenly uniform among the holding regions of the wafer boat, without fixing the lot region. The present inventor, for example, compresses all the wafers to be processed in one batch with the number of a certain groove on the wafer boat designated (centering on the groove) (with no empty groove). They are arranged so that the degree of freedom in selecting the holding position of the wafer to be processed is increased.

【0008】ところで熱処理装置は常に安定しているわ
けではなく、突発的にあるいは徐々に悪くなることがあ
る。従って無駄な処理を続けて行わないようにするため
に、あるいは通常の運転時間帯に装置を停止させないよ
うにするために、熱処理装置の状態を監視することが重
要である。一般に製品モニタウエハは、熱処理装置が十
分安定している場合には必ずしも毎回使用する必要性は
なく、例えば何回かの処理のうち1回用いれば足りるこ
ともあり、本発明者は、モニタウエハキャリア内のモニ
タウエハを装置モニタ用のウエハとしても使用すること
を検討している。ただし装置モニタウエハは装置の状態
を調べるためのものであるから、膜厚の両面均一性やパ
ーティクル数などの検査について製品モニタウエハの検
査とは基準レベルが異なり、従って熱処理後においては
製品モニタウエハとは別の検査工程に送られることにな
る。
By the way, the heat treatment apparatus is not always stable and may be suddenly or gradually deteriorated. Therefore, it is important to monitor the state of the heat treatment apparatus in order to prevent the wasteful processing from being continuously performed or to prevent the apparatus from being stopped during the normal operation time. In general, the product monitor wafer does not always have to be used every time when the heat treatment apparatus is sufficiently stable, and for example, it may be sufficient to use the product monitor wafer once every several times. We are considering using the monitor wafer in the carrier as a wafer for device monitoring. However, since the equipment monitor wafer is for checking the equipment condition, the reference level for the inspection of film thickness uniformity on both sides and the number of particles is different from the inspection level of the product monitor wafer. Will be sent to another inspection process.

【0009】このように装置の状態を監視する装置モニ
タウエハは加熱炉内の同じ位置で熱処理されることが、
つまりウエハボート上の同じ溝に保持されることが望ま
しく、従来のようにロット領域が当てられて固定されて
いる場合には、ロット領域P1〜P4のうち例えばP
1、P4に対応するスイッチを押せば、保持領域P1、
P4のすぐ一段上に装置モニタウエハが保持され、常に
同じ位置で装置の状態を監視することができる。しかし
ながら本発明者が検討しているように、1バッチに係る
被処理ウエハの枚数が処理能力限度枚数よりも少ないと
きに空き溝がないように圧縮して配列するモードを取り
入れると、ロット単位保持領域が変動するため、今まで
のモニタウエハの位置設定方法では装置モニタを行う場
合に装置モニタウエハの保持位置が固定されなくなり、
装置の監視結果についての信頼性が低くなるという問題
がある。
Thus, the apparatus monitor wafer for monitoring the state of the apparatus may be heat-treated at the same position in the heating furnace.
That is, it is desirable to hold the wafers in the same groove on the wafer boat. When the lot areas are fixed and fixed as in the conventional case, for example, P among the lot areas P1 to P4 is used.
If the switches corresponding to 1 and P4 are pressed, the holding area P1,
The device monitor wafer is held immediately above P4, and the condition of the device can be constantly monitored at the same position. However, as studied by the present inventor, if a mode of compressing and arranging so that there are no empty grooves when the number of wafers to be processed in one batch is smaller than the processing capacity limit number is adopted, lot unit holding is performed. Since the area changes, the conventional monitor wafer position setting method does not fix the holding position of the device monitor wafer when performing the device monitor,
There is a problem that the reliability of the monitoring result of the device becomes low.

【0010】本発明は、このような事情の下になされた
ものであり、その目的は装置の運用の自由度の高い熱処
理装置を提供することにある。他の目的は装置の状態を
高い信頼性で監視することのできる熱処理装置を提供す
ることにある。
The present invention has been made under such circumstances, and an object thereof is to provide a heat treatment apparatus having a high degree of freedom in operating the apparatus. Another object is to provide a heat treatment apparatus which can monitor the state of the apparatus with high reliability.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、複数
の被処理基板をロット単位で保持具に並列に保持させ、
加熱炉の反応管内に搬入して熱処理を行うと共に、モニ
タ基板を専用の収納部から移載機により取り出して前記
保持具に保持させ、前記被処理基板と共に熱処理を行う
熱処理装置において、前記保持具の基板保持領域にバッ
チ処理毎にロットの基板保持領域であるロット領域を割
り当て、このロット領域を基準とした相対位置を指定し
てモニタ基板を保持させる相対位置指定モードと、前記
保持具の基板保持領域の中で何段目の保持位置であるか
を指定してモニタ基板を保持させる絶対位置指定モード
と、のうちの一方のモードを選択するモニタ基板移載モ
ード選択部と、前記相対位置指定モードが選択されたと
きにモニタ基板の保持位置がいずれのロット領域に対応
する位置であるかを指定する相対位置指定部と、前記絶
対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板の保持
位置が何段目の保持位置であるかを指定する絶対位置指
定部と、を備えたことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, a plurality of substrates to be processed are held in parallel in a holder in lot units,
In the heat treatment apparatus for carrying in a reaction tube of a heating furnace to perform heat treatment, taking out a monitor substrate from a dedicated storage unit by a transfer machine and holding it in the holder, and performing heat treatment together with the substrate to be processed, the holder A relative position designation mode in which a lot region, which is a substrate holding region of a lot, is assigned to the substrate holding region for each batch processing, and a monitor substrate is held by designating a relative position based on this lot region, and a substrate of the holder. A monitor board transfer mode selection unit that selects one of the absolute position specification mode in which the monitor board is held by designating the number of the holding position in the holding area, and the relative position The relative position designating unit that designates which lot area the holding position of the monitor substrate corresponds to when the designated mode is selected, and the absolute position designating mode. Characterized in that and a absolute positioning portion holding position of the monitor substrate to specify whether the holding position of what stage when selected.

【0012】請求項2の発明は、複数の被処理基板をロ
ット単位で保持具に並列に保持させ、加熱炉の反応管内
に搬入して熱処理を行うと共に、モニタ基板を専用の収
納部から移載機により取り出して前記保持具に保持さ
せ、前記被処理基板と共に熱処理を行う熱処理装置にお
いて、前記保持具の基板保持領域にロット毎にロット領
域を割り当て、前記ロット領域の夫々に各ロットの被処
理基板を移載するロット領域固定モードと、前記保持具
の基板保持領域の中の何段目の保持位置を基準とするか
を指定し、この保持位置を基準として1回のバッチ処理
に係る全ロットの被処理基板を詰めた状態で保持具に移
載するロット領域変動モードと、のうちの一方のモード
を選択する被処理基板移載モード選択部と、前記ロット
領域を基準とした相対位置を指定してモニタ基板を保持
させる相対位置指定モードと前記保持具の基板保持領域
の中で何段目の保持位置であるかを指定してモニタ基板
を保持させる絶対位置指定モードと、のうちの一方のモ
ードを選択するモニタ基板移載モード選択部と、前記相
対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板の保持
位置がいずれのロット領域に対応する位置であるかを指
定する相対位置指定部と、前記絶対位置指定モードが選
択されたときにモニタ基板の保持位置が何段目の保持位
置であるかを指定する絶対位置指定部と、を備えたこと
を特徴とする熱処理装置。
According to a second aspect of the present invention, a plurality of substrates to be processed are held in parallel by a holder in lot units, carried into a reaction tube of a heating furnace for heat treatment, and a monitor substrate is transferred from a dedicated storage section. In a heat treatment apparatus for taking out by a loading machine and holding it in the holder, and performing heat treatment together with the substrate to be processed, a lot area is assigned to each lot in the substrate holding area of the holder, and each lot area is covered by a lot area. A lot area fixing mode for transferring the processed substrate and a step number of the holding position in the substrate holding area of the holder are designated, and the batch processing is performed once based on the holding position. The lot area variation mode in which the substrates to be processed of all lots are packed and transferred to the holder, and the substrate transfer mode selection unit for selecting one of the modes, and the phase based on the lot area A relative position designation mode for designating a position to hold the monitor substrate and an absolute position designation mode for designating what stage the holding position is in the substrate holding area of the holder and holding the monitor substrate. A monitor board transfer mode selection unit that selects one of the modes, and a relative position that specifies which lot area the monitor substrate holding position corresponds to when the relative position specification mode is selected. A heat treatment apparatus comprising: a designating unit and an absolute position designating unit that designates a holding position of the monitor substrate when the absolute position designating mode is selected.

【0013】請求項3の発明は、請求項1または2記載
の熱処理装置において、相対位置指定部は、モニタ基板
の保持位置がいずれのロット領域の間であるかを指定す
るロット間指定部であることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the heat treatment apparatus according to the first or second aspect, the relative position designating unit is a lot-to-lot designating unit that designates between which lot regions the monitor substrate holding position is located. It is characterized by being.

【0014】請求項4の発明は、請求項1、2または3
記載の熱処理装置においてモニタ基板は、被処理基板の
処理状態を監視するための製品モニタ基板または装置の
状態を監視するための装置モニタ基板のうちの一方であ
り、モニタ基板移載モードは、製品モニタ基板を使用す
るときには相対位置指定モードが、また装置モニタ基板
を使用するときには絶対位置指定モードが選択されるこ
とを特徴する。
The invention of claim 4 is the invention of claim 1, 2 or 3.
In the heat treatment apparatus described, the monitor substrate is one of a product monitor substrate for monitoring the processing state of the substrate to be processed or an apparatus monitor substrate for monitoring the state of the device, and the monitor substrate transfer mode is the product The relative position designation mode is selected when the monitor substrate is used, and the absolute position designation mode is selected when the device monitor substrate is used.

【0015】[0015]

【作用】例えば4ロット分の被処理基板例えばウエハを
最大4ロット分の被処理ウエハを搭載できる保持具に移
載する場合、ロット領域固定モードを選択すると、第1
ロットの被処理ウエハは、この被処理ウエハの枚数にか
かわらず予め決められたロット領域例えばダミー被処理
ウエハの保持領域を除いた最上領域に移載され、第2ロ
ット以降の被処理ウエハもその下方側のロット領域に夫
々移載される。ここで製品モニタウエハあるいは装置モ
ニタウエハを使用する場合相対位置指定モ−ド例えばロ
ット間指定モードを選択すると、製品モニタあるいは装
置モニタはロット間(ただし第1ロットの上側も本発明
でいう「ロット間」に含まれるものとする)に移載さ
れ、各ロットの被処理ウエハの処理状態あるいは装置の
状態が監視される。
For example, when transferring the substrates to be processed for 4 lots such as wafers to a holder capable of mounting the wafers to be processed for up to 4 lots, if the lot area fixing mode is selected,
The wafers to be processed in the lot are transferred to a predetermined lot area regardless of the number of wafers to be processed, for example, the uppermost area excluding the holding area for the dummy wafers to be processed, and the wafers to be processed in the second lot and thereafter are also transferred to the lot area. Each is transferred to the lower lot area. When using the product monitor wafer or the equipment monitor wafer, if the relative position designation mode, for example, the lot-to-lot designation mode is selected, the product monitor or the equipment monitor is displayed between lots (however, the upper side of the first lot is also referred to as "lot" in the present invention). The processing state of the wafer to be processed in each lot or the state of the apparatus is monitored.

【0016】一方例えば2ロット分の熱処理を行うにあ
たってロット領域変動モードを選択すると、保持具のウ
エハ保持領域における基準位置を例えば中心として2ロ
ット分の全被処理ウエハが圧縮して配列される。このと
き装置モニタウエハを使用する場合には絶対位置指定モ
ードを選択することにより、今までの保持位置と同じ保
持位置例えばロット領域固定モードで被処理ウエハを移
載していたときにおける第1ロットの直ぐ上の位置に装
置モニタウエハを保持させることができる。従って被処
理ウエハの移載モードの自由度を大きくとりながら装置
モニタウエハを常に同じ位置で熱処理することができ、
信頼性の高い装置の監視を行うことができる。
On the other hand, for example, when the lot area variation mode is selected when performing heat treatment for two lots, all the processed wafers for two lots are arranged in a compressed manner with the reference position in the wafer holding area of the holder as the center. At this time, when the apparatus monitor wafer is used, by selecting the absolute position designation mode, the same holding position as the existing holding position, for example, the first lot when the wafer to be processed is transferred in the lot area fixing mode The device monitor wafer can be held at a position immediately above. Therefore, it is possible to always heat-treat the device monitor wafer at the same position while increasing the degree of freedom of the transfer mode of the wafer to be processed,
It is possible to monitor the device with high reliability.

【0017】[0017]

【実施例】図1及び図2は本発明の実施例に係る熱処理
装置を示す図であり、この熱処理装置は、装置本体の奥
側に、図では見えない反応チューブの外にヒータを囲撓
して設けてなる縦型の熱処理炉21と、多数の被処理基
板例えばウエハを上下に間隔をおいて各々水平に積層し
て搭載し、ボートエレベータ22により熱処理炉21に
対してウエハW(図2参照)をロード、アンロードする
ためのウエハボート23と、このウエハボート23にウ
エハを着脱するための、例えば進退自在、昇降自在、回
転自在なピンセットを備えたウエハ移載機24とを有し
てなる。
1 and 2 are views showing a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention, in which the heater is bent on the inner side of the apparatus body and outside a reaction tube which cannot be seen in the figure. The vertical heat treatment furnace 21 and the plurality of substrates to be processed, such as wafers, are vertically stacked and horizontally stacked and mounted on the heat treatment furnace 21 by the boat elevator 22 (see FIG. 2) for loading and unloading the wafer boat 23, and a wafer transfer machine 24 for loading and unloading the wafer to and from the wafer boat 23. I will do it.

【0018】前記ウエハボート23は、例えば石英製の
4本の支柱をウエハの輪郭に沿って底板に植設し、これ
ら各支柱の対応する高さ位置にウエハ周縁を保持する保
持溝を形成して構成される。また前記ウエハ移載機24
は、例えば5枚のウエハを一括して搬送できるように5
枚のピンセットを備えると共に、そのうちの1枚のピン
セットが他の4枚とは独立して進退できるように構成さ
れ、1枚のウエハを搬送できるようにもなっている。な
お図1中25は、ウエハボート23とキャリアCとの間
でウエハの移載が行われている間、熱処理炉21の下端
開口部を塞ぐための蓋体である。またウエハボート23
の下降位置とウエハ移載機24を介して対向するように
ウエハ受け渡し部31が配設されており、このウエハ受
け渡し部31は、例えばウエハWを収納するキャリアC
を3段置くことができるように構成されている。
In the wafer boat 23, four columns made of, for example, quartz are planted in the bottom plate along the contour of the wafer, and holding grooves for holding the peripheral edge of the wafer are formed at corresponding height positions of these columns. Consists of Further, the wafer transfer machine 24
Is designed so that, for example, 5 wafers can be collectively transported.
A pair of tweezers is provided, and one of the tweezers can be moved forward and backward independently of the other four, so that one wafer can be transferred. It should be noted that reference numeral 25 in FIG. 1 denotes a lid for closing the lower end opening of the heat treatment furnace 21 while the wafer is being transferred between the wafer boat 23 and the carrier C. The wafer boat 23
A wafer transfer unit 31 is arranged so as to face the lowered position of the wafer transfer device 24 via the wafer transfer device 24. The wafer transfer unit 31 stores, for example, a carrier C that stores a wafer W therein.
Are configured so that they can be placed in three stages.

【0019】前記ウエハ受け渡し部31の上方領域に
は、キャリア収納棚(キャリアストッカ)32が設けら
れており、このキャリア収納棚32は例えばキャリアC
を4列、4段、最大数16個収納できるように構成され
ている。キャリア収納棚32に収納されるキャリアCと
しては、被処理ウエハを収納したキャリア、ダミーウエ
ハを収納したキャリア、補充用ウエハを収納したキャリ
ア及びモニタウエハを収納したキャリアなどが含まれ
る。
A carrier storage shelf (carrier stocker) 32 is provided in the upper region of the wafer transfer section 31, and the carrier storage shelf 32 is, for example, the carrier C.
4 rows and 4 stages, the maximum number of 16 can be stored. The carriers C stored in the carrier storage shelves 32 include carriers that store wafers to be processed, carriers that store dummy wafers, carriers that store replenishment wafers, carriers that store monitor wafers, and the like.

【0020】前記ウエハ受け渡し部31及びキャリア収
納棚32に臨む位置にはキャリア移載機4の移動領域が
確保されており、この移動領域を挟んで装置本体の手前
側にキャリアステージ33が設けられている。このキャ
リアステージ33は、ウエハを収納したキャリアCが外
部との間で搬出入される入出力ポートの役割を果たす個
所であり、キャリアCのウエハ取り出し口が上に向いた
状態つまりウエハが垂直な状態でキャリアCが例えば4
個横に(x方向に)並べて載置される。
A moving area of the carrier transfer machine 4 is secured at a position facing the wafer transfer section 31 and the carrier storage rack 32, and a carrier stage 33 is provided on the front side of the apparatus main body across the moving area. ing. The carrier stage 33 is a portion that plays a role of an input / output port for loading and unloading a carrier C containing a wafer, and a state in which the wafer take-out port of the carrier C faces upward, that is, the wafer is vertical. Carrier C is 4 in this state
They are placed side by side (in the x direction).

【0021】なおこのキャリアステージ33は図1では
概念的に1枚のステージで描いてあるが、実際には4つ
のキャリアCに対して夫々設けられ、このキャリアステ
ージ33には、載置されたキャリアCを図2に示すよう
に水平な軸のまわりに奥側に回動して横倒しにする機構
が組み合わせられており、キャリアCは横倒しの状態で
前記キャリア移載機4により移載されることになる。前
記キャリア移載機4は、X方向に移動自在な支柱41に
沿って昇降する昇降台42に、キャリアCを保持して移
載するためのZ軸まわりに回動自在なアーム43を取り
付けて構成される。図2中Fはエアフィルタ部である。
Although the carrier stage 33 is conceptually shown as a single stage in FIG. 1, it is actually provided for each of the four carriers C and mounted on the carrier stage 33. As shown in FIG. 2, the carrier C is combined with a mechanism for rotating the carrier C to the inner side by rotating the carrier C to the inner side, and the carrier C is transferred by the carrier transfer device 4 in the sideways position. It will be. In the carrier transfer machine 4, an arm 43 rotatable about the Z-axis for holding and transferring the carrier C is attached to an elevating table 42 that moves up and down along a column 41 that is movable in the X direction. Composed. In FIG. 2, F is an air filter part.

【0022】そして装置本体の正面パネルには、この装
置を運転するための操作用のタッチパネル5が、設けら
れており、このタッチパネル5は、操作部及び表示部を
兼用している。そして本実施例の熱処理装置は、図3に
示すように被処理ウエハをウエハボート23にどのよう
に移載するかを設定する被処理ウエハ移載モード設定部
6と、モニタウエハをウエハボート23上にどのように
移載するかを設定するモニタウエハ移載モード設定部7
と、後で詳述する被処理ウエハ及びモニタウエハの移載
手順を定めたプログラムが格納される記憶部8と、この
記憶部8内のプログラムに基づいてウエハ移載機24の
駆動制御を行う駆動制御部20とを備えている。ただし
図3では主要部を示しているのであって、実際には制御
系は中央処理部やバスラインなどを含んでいる。前記移
載モード設定部6、7はこの実施例ではタッチパネル5
の操作画面により構成される。
On the front panel of the main body of the apparatus, a touch panel 5 for operating the apparatus is provided, and the touch panel 5 also serves as an operating section and a display section. The heat treatment apparatus according to the present embodiment, as shown in FIG. 3, sets the wafer-to-be-processed transfer mode setting unit 6 for setting how to transfer the wafer-to-be-processed to the wafer boat 23, and the monitor wafer to the wafer boat 23. Monitor wafer transfer mode setting unit 7 for setting how to transfer onto the wafer
And a storage unit 8 storing a program that defines a transfer procedure of wafers to be processed and monitor wafers, which will be described in detail later, and drive control of the wafer transfer machine 24 based on the program in the storage unit 8. And a drive control unit 20. However, FIG. 3 shows the main part, and the control system actually includes a central processing unit, a bus line, and the like. The transfer mode setting units 6 and 7 are the touch panel 5 in this embodiment.
It is composed of the operation screen.

【0023】前記被処理ウエハ移載モード設定部6をな
す操作画面の一例を図4に示すとこの移載モード設定部
6は、ロット領域固定モードを選択するためのスイッチ
部61と、ロット領域変動モードを選択するためのスイ
ッチ部62とを備えている。ロット領域固定モードと
は、ウエハボート23のウエハ保持領域にロット毎にロ
ット領域を割り当て、これらロット領域に夫々のロット
の被処理ウエハを移載するモードである。例えば150
段の保持溝を有するウエハボート23を用い、上下23
段づつダミーウエハを配置してその間(104段)に被
処理ウエハを保持させる場合、「従来技術」の項の説明
に用いた図10を参照すると、25段を一区分とする4
区分の夫々がロット領域P1〜P4に相当し、1ロット
に対応する1キャリア内のウエハが25枚である場合、
または24枚以下である場合のいずれでも1キャリア分
のウエハは25段を一区分とする1ロット領域内に保持
される。つまりロット領域固定モードとは、ロット領域
P1〜P4の位置が固定されるモードである。
FIG. 4 shows an example of an operation screen that constitutes the wafer transfer mode setting unit 6 to be processed. The transfer mode setting unit 6 includes a switch unit 61 for selecting a lot region fixing mode, and a lot region. And a switch unit 62 for selecting the variation mode. The lot area fixing mode is a mode in which lot areas are assigned to the wafer holding areas of the wafer boat 23 for each lot and the wafers to be processed of the respective lots are transferred to these lot areas. For example 150
Using the wafer boat 23 having stepped holding grooves,
When dummy wafers are arranged in stages and wafers to be processed are held between them (104 stages), referring to FIG. 10 used in the description of the “prior art”, 25 stages are divided into 4 sections.
When each of the divisions corresponds to the lot regions P1 to P4 and the number of wafers in one carrier corresponding to one lot is 25,
In any case where the number of wafers is 24 or less, the wafer for one carrier is held in one lot area having 25 stages as one section. That is, the lot area fixing mode is a mode in which the positions of the lot areas P1 to P4 are fixed.

【0024】これに対しロット領域変動モードとは、1
ロットに対応する1キャリア内のウエハの枚数に応じて
あるいは1バッチ処理時のロット数(キャリア数)に応
じてロット領域P1〜P4の位置が変動するモードであ
る。前記移載モード設定部6は、図に示すように更にテ
ンキー63及び中心位置の溝番号表示部64を備えてお
り、ロット領域変動モードのスイッチ部62を押した場
合には、テンキー63により中心位置の溝番号を押して
1バッチ処理に係る全ウエハの配列の中心位置の溝番号
を指定することになる。
On the other hand, the lot area variation mode is 1
This is a mode in which the positions of the lot regions P1 to P4 are changed according to the number of wafers in one carrier corresponding to the lot or according to the number of lots (the number of carriers) in one batch processing. As shown in the figure, the transfer mode setting section 6 is further provided with a ten key 63 and a groove number display section 64 at the center position. When the switch section 62 in the lot area variation mode is pressed, By pressing the groove number of the position, the groove number of the center position of the array of all the wafers related to one batch process is designated.

【0025】次いで前記モニタウエハ移載モード設定部
7をなす操作画面の一例を図5に示すと、このモニタウ
エハ移載モード設定部7は、ロット間指定モードスイッ
チ部71と溝指定モードスイッチ部72とを備えてお
り、これらスイッチ部71、72により図3に示すモニ
タウエハ移載モード選択部73が構成される。更にこの
操作画面には2つのウエハボート23の概略図74、7
5が描かれており、一方のウエハボートの図74には4
つのロット領域Pと上下両端に位置するダミーウエハの
保持領域Dとが描かれている。
Next, an example of an operation screen forming the monitor wafer transfer mode setting unit 7 is shown in FIG. 5. The monitor wafer transfer mode setting unit 7 includes a lot designation mode switch unit 71 and a groove designation mode switch unit. 72, and the monitor wafer transfer mode selection unit 73 shown in FIG. 3 is configured by these switch units 71 and 72. Further, in this operation screen, schematic views 74 and 7 of the two wafer boats 23 are shown.
No. 5 is depicted, and one wafer boat in FIG.
One lot area P and dummy wafer holding areas D located at both upper and lower ends are drawn.

【0026】このウエハボートの図74の直ぐ横には、
図3に示すロット間指定部76であるスイッチ部S1〜
S7が各ロット領域P間、ロット領域とダミーウエハ保
持領域Dとの間、及びダミーウエハ保持領域Dの両端側
の各位置に対応して設けられている。これらスイッチ部
S1〜S7は、押すことにより、対応する位置を指定す
るものであり、ロット間指定モードを選択したときに使
用される。ここで「ロット間指定」とは、被処理ウエハ
のロット毎のロット領域P間のみならず、ロット領域P
とダミーウエハ保持領域Dとの間も含むものである。た
だしこの例では上側のダミーウエハ保持領域Dの上側及
び下側のダミー保持領域Dの下側についても夫々スイッ
チ部S1及びS7により指定できるようになっている。
Immediately next to FIG. 74 of this wafer boat,
The switch units S1 to S1 which are the lot-to-lot designating units 76 shown in FIG.
S7 is provided between each lot area P, between the lot area and the dummy wafer holding area D, and at each position on both ends of the dummy wafer holding area D. These switch parts S1 to S7 are for specifying the corresponding positions by pressing, and are used when the lot-to-lot specifying mode is selected. Here, the "lot-to-lot designation" means not only the lot area P for each lot of the wafer to be processed but also the lot area P.
And the dummy wafer holding area D. However, in this example, the upper side of the upper dummy wafer holding area D and the lower side of the lower dummy holding area D can be designated by the switch sections S1 and S7, respectively.

【0027】前記ウエハボートの図74の隣りの図75
は、ウエハボートの溝の位置とその位置が何段目である
かという表示を対応して描いたものであり、この図75
の横には溝を指定するために番号が配列された図3に示
す溝指定部77に相当するスイッチ部78が設けられて
いる。このスイッチ部78は、溝指定モード72を選択
したときにはこのスイッチ部78の番号を囲む領域を押
すことによりその番号に対応する図75のウエハボート
の溝の位置が指定される。
FIG. 75 next to FIG. 74 of the wafer boat.
In FIG. 75, the position of the groove of the wafer boat and the display of the position of the groove are correspondingly drawn.
A switch unit 78 corresponding to the groove designating unit 77 shown in FIG. 3 in which numbers are arrayed for designating a groove is provided next to. When the groove designation mode 72 is selected, the switch section 78 pushes the area surrounding the number of the switch section 78 to designate the position of the groove of the wafer boat of FIG. 75 corresponding to the number.

【0028】一方前記記憶部8内には、被処理ウエハ移
載モードがロット領域固定モードであるとき及びロット
領域変動モードであるときに夫々使用されるロット領域
固定モードプログラム81及びロット領域変動モードプ
ログラム82が格納されると共に、モニタウエハ移載モ
ードがロット間指定モードであるとき及び溝指定モード
であるときに夫々使用されるロット間指定モードプログ
ラム83及び溝指定モードプログラム84が格納されて
いる。
On the other hand, in the storage unit 8, a lot area fixing mode program 81 and a lot area changing mode which are used when the processing wafer transfer mode is the lot area fixing mode and the lot area changing mode, respectively. The program 82 is stored, and a lot-to-lot specification mode program 83 and a groove-to-groove specification mode program 84 which are used when the monitor wafer transfer mode is the lot-to-lot specification mode and the groove-to-groove specification mode, respectively. .

【0029】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずモニタウエハを製品モニタ用として使用する場合につ
いて説明すると、被処理ウエハ移載モードとして図4に
示す操作画面によりスイッチ部61を押してロット領域
固定モードを選択すると共に、モニタウエハの移載モー
ドとして図5に示す画面によりスイッチ部72を押して
相対位置指定モ−ドであるロット間指定モード72を選
択し、かつスイッチ部S2〜S5を押してモニタウエハ
の保持位置を指定する。
Next, the operation of the above embodiment will be described. First, a case where the monitor wafer is used for product monitoring will be described. As the transfer mode of the wafer to be processed, the switch area 61 is pressed by the operation screen shown in FIG. 4 to select the lot area fixing mode, and the transfer mode of the monitor wafer is set. On the screen shown in FIG. 5, the switch unit 72 is pressed to select the lot-to-lot specifying mode 72 which is the relative position specifying mode, and the switch units S2 to S5 are pressed to specify the holding position of the monitor wafer.

【0030】一方ウエハを収納したキャリアCは図1及
び図2に示すようにキャリアステージ33に搬入される
と、キャリア移載機4により一旦キャリア収納棚32に
収納された後、あるいは直接に受け渡し台31に搬送さ
れる。次いで受け渡し台31に載置されたキャリアCか
ら、ウエハ移載機24によりウエハWを取り出してウエ
ハボート23に移載する。図6は被処理ウエハPW及び
モニタウエハMWをウエハボート23に移載する方法を
示す説明図であり、PCは被処理ウエハ用キャリア、M
Cはモニタウエハの専用の収納部であるモニタウエハ用
キャリアである。
On the other hand, when the carrier C containing the wafer is carried into the carrier stage 33 as shown in FIGS. 1 and 2, the carrier C is once stored in the carrier storage rack 32 by the carrier transfer machine 4 or is directly delivered. It is transported to the table 31. Next, the wafer W is taken out from the carrier C mounted on the transfer table 31 by the wafer transfer device 24 and transferred to the wafer boat 23. FIG. 6 is an explanatory view showing a method for transferring the wafer PW to be processed and the monitor wafer MW to the wafer boat 23, where PC is a carrier for the wafer to be processed, M
C is a monitor wafer carrier that is a dedicated storage unit for monitor wafers.

【0031】今、これから熱処理すべき被処理ウエハP
Wを収納しているキャリアPCについて、いずれも25
枚のウエハPWが収納されているとすると、4個のキャ
リアPC内の被処理ウエハは、図6に示すように夫々ウ
エハボート23上のロット領域P1〜P4に移載され
る。ただしウエハボート23の上下両端部のダミーウエ
ハ保持領域Dには、例えば夫々づつダミーウエハが配置
されている。
Now, the wafer P to be processed to be heat-treated from now on.
For carrier PCs containing W, 25
Assuming that one wafer PW is stored, the wafers to be processed in the four carrier PCs are transferred to the lot areas P1 to P4 on the wafer boat 23, respectively, as shown in FIG. However, dummy wafers are arranged in the dummy wafer holding areas D at the upper and lower ends of the wafer boat 23, respectively.

【0032】そしてモニタウエハMWについては、キャ
リアMCからウエハ移載機24によりウエハボート23
におけるスイッチ部S2〜S5で指定された位置(図6
では二重線で示してある)、つまりP1〜P4の間、及
びP1とDとの間の位置に移載される。なおウエハボー
ト23の右側の数値は、モニタウエハMWの保持位置が
何段目の溝であるかを示したものである。
The monitor wafer MW is transferred from the carrier MC to the wafer boat 23 by the wafer transfer device 24.
The positions designated by the switches S2 to S5 in FIG.
Is indicated by a double line), that is, between P1 and P4, and between P1 and D. Note that the numerical value on the right side of the wafer boat 23 indicates what level of groove the holding position of the monitor wafer MW is.

【0033】そしてウエハボート23へのウエハWの搭
載を終了した後ウエハボート23が上昇して熱処理炉2
1内にロードされ、例えば酸化、CVD、拡散などの所
定の熱処理が行われる。しかる後ウエハボート23が下
降してウエハWがアンロードされ、ウエハ移載機24に
よりウエハボート23からウエハ受け渡し部31のキャ
リアCへウエハWが移載される。処理済みのウエハWの
入ったキャリアCは、キャリア収納棚32の空きの状態
などに応じて、キャリア収納棚32に一旦収納される
か、場合によってはキャリアステージ33に直接移載さ
れる。一方モニタウエハMWは、検査工程に送られて検
査され、これによりそのモニタウエハWに係るロットの
被処理ウエハPW、例えばモニタウエハWの直ぐ下のロ
ット領域に含まれる被処理ウエハの処理状態がモニタウ
エハMWを通して把握されている。
After the loading of the wafer W on the wafer boat 23 is completed, the wafer boat 23 is raised and the heat treatment furnace 2
1 is subjected to a predetermined heat treatment such as oxidation, CVD, and diffusion. Thereafter, the wafer boat 23 descends to unload the wafer W, and the wafer transfer device 24 transfers the wafer W from the wafer boat 23 to the carrier C of the wafer transfer unit 31. The carrier C containing the processed wafer W is temporarily stored in the carrier storage shelf 32 or is directly transferred to the carrier stage 33 in some cases depending on the empty state of the carrier storage shelf 32. On the other hand, the monitor wafer MW is sent to the inspection process and is inspected, so that the processed wafer PW of the lot related to the monitor wafer W, for example, the processed state of the processed wafer contained in the lot region immediately below the monitor wafer W is detected. It is grasped through the monitor wafer MW.

【0034】ここでキャリアPC内の被処理ウエハWが
25枚に満たない場合には、ウエハ移載モードとしてロ
ット領域固定モードを選択していれば、各ロット領域P
1〜P4において、ウエハWが欠けている分だけ空き溝
が生じるかあるいは、図示しないキャリアから補充ウエ
ハを移載して空き溝が埋められる。従ってキャリアPC
内の被処理ウエハPWの枚数にかかわらずモニタウエハ
MWの保持位置は一定である。
Here, when the number of wafers W to be processed in the carrier PC is less than 25, if the lot area fixing mode is selected as the wafer transfer mode, each lot area P is selected.
In 1 to P4, a vacant groove is formed as much as the wafer W is missing, or a vacant groove is filled by transferring a supplementary wafer from a carrier (not shown). Therefore carrier PC
The holding position of the monitor wafer MW is constant regardless of the number of processed wafers PW in the inside.

【0035】次にモニタウエハの移載モードについては
上述と同様の設定とし、ウエハ移載モードとして、図4
の操作画面によりスイッチ部62を押してロット領域変
動モードを選択する場合について述べる。先ず4個のキ
ャリアPCのいずれにも25枚の被処理ウエハPWが収
納されているときにはウエハボート23上のウエハPW
及びMWの並びは上述と全く同様であるが、キャリアP
C内のウエハPWが25枚に満たないときには次のよう
に移載される。
Next, the monitor wafer transfer mode is set in the same manner as described above, and the wafer transfer mode is set as shown in FIG.
A case will be described in which the switch section 62 is pressed on the operation screen of 1 to select the lot area variation mode. First, when 25 wafers PW to be processed are stored in each of the four carrier PCs, the wafer PW on the wafer boat 23 is stored.
The arrangement of MW and MW is exactly the same as described above, but the carrier P
When the number of wafers PW in C is less than 25, they are transferred as follows.

【0036】例えば図4に示す操作画面により中心位置
の溝番号を「75」に設定すると、図7に示すように4
個のキャリアPC内の全ウエハPWがウエハボート23
の75段目の溝を中心として上下に圧縮されて、つまり
キャリアPC内のウエハPWの欠けた分の空き溝ができ
ないように互いに詰めて配列される。なお全ウエハの枚
数が偶数の時は(n/2+1)または(n/2−1)が
中心位置の溝番号に位置するように配列される。図7の
例では、4個のキャリアPC内に夫々10枚、15枚、
15枚、15枚のウエハPWが収納され、これら全ウエ
ハが75段目を中心として上下に配列された状態を示し
ており、ウエハボート23の保持領域の中でロット領域
P1〜P4の位置が図6に示す位置に対して変動してい
る。この場合スイッチ部S2〜S5で指定されたロット
間位置(二重線の位置)についても図6と比較すれば明
らかなように変動している。こうして決められたロット
間位置にモニタウエハMWが移載され、同様にして熱処
理が行われる。
For example, if the groove number at the center position is set to "75" on the operation screen shown in FIG.
All wafers PW in one carrier PC are wafer boats 23
Are compressed vertically with respect to the groove of the 75th stage, that is, they are arranged so as to be filled with each other so that no vacant groove of the wafer PW in the carrier PC is formed. When the number of all wafers is an even number, (n / 2 + 1) or (n / 2-1) is arranged so as to be located at the groove number at the center position. In the example of FIG. 7, four sheets of carrier PCs each have 10 sheets, 15 sheets,
15 and 15 wafers PW are stored, and all the wafers are arranged vertically with the 75th stage as the center. In the holding area of the wafer boat 23, the positions of the lot areas P1 to P4 are shown. It fluctuates with respect to the position shown in FIG. In this case, the position between lots (the position of the double line) designated by the switches S2 to S5 also fluctuates as is clear from comparison with FIG. The monitor wafer MW is transferred to the thus determined lot-to-lot position, and heat treatment is similarly performed.

【0037】次にモニタウエハ用キャリアMC内のモニ
タウエハWを装置モニタウエハとして使用する場合につ
いて述べる。装置モニタはバッチ処理を所定回数例えば
4回行う毎に1回実施される。なお製品モニタについて
は、熱処理装置が安定していれば、特に毎回実施しなく
てもよい。装置モニタを行う場合にはモニタウエハの移
載位置モードを図5に示す操作画面によりスイッチ部7
2を押して溝指定モードを選択し、更にスイッチ部78
によりモニタウエハMWを保持すべき溝の番号を指定す
る。図8は、被処理ウエハWの移載モードとしては図7
の例と同様とし、モニタウエハの保持位置として「12
7段目」と「49段目」とを設定した場合のウエハボー
ト23へのウエハの移載状態を示した図である。
Next, a case where the monitor wafer W in the monitor wafer carrier MC is used as an apparatus monitor wafer will be described. The device monitor is performed once every time the batch process is performed a predetermined number of times, for example, four times. It should be noted that the product monitor does not have to be carried out every time as long as the heat treatment apparatus is stable. When the apparatus is monitored, the monitor wafer transfer position mode is switched to the switch unit 7 by the operation screen shown in FIG.
Press 2 to select the groove designation mode, and then switch 78
Specifies the number of the groove for holding the monitor wafer MW. FIG. 8 shows the transfer mode of the wafer W to be processed as shown in FIG.
In the same way as the above example, the monitor wafer holding position is set to "12.
It is a figure showing the transfer state of the wafer to wafer boat 23 when "7th stage" and "49th stage" are set up.

【0038】このように設定すれば、被処理ウエハの移
載モードがロット領域固定モードまたはロット領域変動
モードのいずれであっても、またロット数や1ロット内
のウエハの枚数に左右されずにウエハボート23の指定
された溝番号にモニタウエハMWが移載され、モニタウ
エハMWの保持位置は常に一定になる。ただし被処理ウ
エハの移載モードとしてロット領域固定モードを使用し
続ける場合や、各キャリアCに25枚のウエハPWが入
った4個分のキャリアCについて、連続して処理する場
合には、ロット間の位置、つまり選択されたモニタウエ
ハの保持位置は各バッチ処理において一定になるのでロ
ット間指定モードを選択してもよい。
With this setting, regardless of whether the wafer transfer mode is the lot area fixed mode or the lot area variable mode, the wafer is not affected by the number of lots or the number of wafers in one lot. The monitor wafer MW is transferred to the designated groove number of the wafer boat 23, and the holding position of the monitor wafer MW is always constant. However, when the lot area fixed mode is continuously used as the transfer mode of the wafers to be processed, or when four carriers C each containing 25 wafers PW in each carrier C are continuously processed, Since the position between them, that is, the holding position of the selected monitor wafer is constant in each batch processing, the lot-to-lot designation mode may be selected.

【0039】上述実施例によれば、キャリアPC内の被
処理ウエハPWの枚数が25枚に満たない場合や1バッ
チの処理を3ロット以下で行う場合など、ウエハボート
23の保持容量以下の量のウエハを処理する場合に、ロ
ット領域変動モードを選択することによりウエハボート
23上の保持領域の中で使用したい領域例えば熱処理に
ついて面間均一性の高い領域を設定することができる。
According to the above-described embodiment, when the number of wafers PW to be processed in the carrier PC is less than 25 or when one batch is processed in three lots or less, the amount of the wafer boat 23 is less than the holding capacity. In the case of processing the above wafers, by selecting the lot area variation mode, it is possible to set an area to be used in the holding area on the wafer boat 23, for example, an area having high inter-surface uniformity in heat treatment.

【0040】そしてモニタウエハの保持位置を設定する
にあたっては、ロット領域に応じて決まるいわばロット
領域に対して相対位置を指定するロット間指定と、ウエ
ハボート23上の絶対位置である溝指定モードとの一方
を選択できるので、ロット領域変動モードを選択して被
処理ウエハPWの移載を行っても、ウエハボート23上
のモニタウエハMWの保持位置を各バッチ処理で一定に
することができる。
In setting the holding position of the monitor wafer, there are a lot-to-lot designation for designating a relative position with respect to the lot region, which is determined according to the lot region, and a groove designation mode which is an absolute position on the wafer boat 23. Since either one can be selected, the holding position of the monitor wafer MW on the wafer boat 23 can be made constant in each batch process even when the lot area variation mode is selected and the target wafer PW is transferred.

【0041】従って製品モニタを行う場合にはロット間
指定モードを選択することにより各ロットの近傍に、対
応する製品モニタウエハを位置させることができる一
方、装置モニタを行う場合には溝指定モードを選択する
ことにより装置モニタウエハを一定位置に置くことがで
きる。こうして製品モニタウエハは、監視すべきロット
のウエハの処理状態を正確に監視することができ、また
装置モニタウエハは、加熱炉内の監視位置が一定してい
るので信頼性の高い監視を行うことができ、ヒータの劣
化などを一早く見つけることができる。
Therefore, when product monitoring is performed, the corresponding product monitor wafer can be positioned in the vicinity of each lot by selecting the lot-to-lot designating mode. On the other hand, when performing device monitoring, the groove designating mode is selected. By selecting, the device monitor wafer can be placed at a fixed position. In this way, the product monitor wafer can accurately monitor the processing state of the wafer of the lot to be monitored, and the device monitor wafer can be monitored with high reliability because the monitoring position in the heating furnace is constant. The deterioration of the heater can be found quickly.

【0042】以上において製品のモニタウエハをウエハ
ボート23に移載する場合に溝指定モードを利用しても
よい。また製品モニタウエハと装置モニタウエハとは同
じものであっても異種なもの(例えば装置モニタウエハ
として電極を埋め込んだ特殊なものとするなど)であっ
てもよい。更にロット領域変動モードにおいては、指定
された溝を中心とする代りに、例えば指定された溝を上
端位置として、その下方側に被処理ウエハを配列しても
よいし、モニタウエハをロット領域に対して所定の相対
位置に保持させるモードとしてはロット間指定モードに
限らず、例えばロット領域内の所定位置に保持させるモ
ードであってもよい。
In the above, when the monitor wafer of the product is transferred to the wafer boat 23, the groove designation mode may be used. The product monitor wafer and the device monitor wafer may be the same or different (for example, a special device monitor wafer having electrodes embedded therein). Further, in the lot area variation mode, instead of centering on the designated groove, for example, the designated groove may be used as the upper end position and the wafers to be processed may be arranged below it, or the monitor wafer may be placed in the lot area. On the other hand, the mode for holding at a predetermined relative position is not limited to the lot-to-lot designation mode, but may be a mode for holding at a predetermined position in the lot area, for example.

【0043】そしてまた1キャリア分のウエハを1ロッ
トとする代りに2キャリア分以上のウエハを1ロットと
してもよいし、ウエハボートの被処理ウエハの保持領域
における最大収容ロット数は上述実施例の如く4ロット
に限られたものではない。なお本発明は、上述実施例で
述べた縦型熱処理装置に限らず横型熱処理装置であって
もよい。
Further, instead of using one wafer for one carrier as one lot, wafers for two or more carriers may be used as one lot, and the maximum number of lots to be accommodated in the wafer boat holding area of the wafer boat is the same as that of the above-described embodiment. As such, it is not limited to 4 lots. The present invention is not limited to the vertical heat treatment apparatus described in the above embodiment, but may be a horizontal heat treatment apparatus.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1、3、4の発明によれば、保持
具上においてモニタ基板の保持位置をロットに対応させ
て設定することもできるし、あるいは絶対位置として設
定することもできるので運用の自由度が大きく、例えば
製品モニタ基板と装置モニタ基板とを、夫々の用途に応
じて位置設定することができ、製品モニタを行う場合で
も、また装置モニタを行う場合でも信頼性の高い監視を
行うことができる。
According to the present invention, the holding position of the monitor substrate on the holder can be set corresponding to the lot, or can be set as the absolute position. The degree of freedom in operation is great. For example, the product monitor board and the equipment monitor board can be set in position according to their respective applications, and highly reliable monitoring is performed both when performing product monitoring and when performing equipment monitoring. It can be performed.

【0045】更に請求項2、3、4の発明によれば、保
持具上に対する被処理基板の移載の自由度が大きく、こ
のような利点を得ながら、更に上述の効果を得ることが
できる。
Further, according to the inventions of claims 2, 3 and 4, the degree of freedom in transferring the substrate to be processed onto the holder is large, and the above effects can be further obtained while obtaining such advantages. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例に係る熱処理装置全体を示す斜
視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing an entire heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例に係る熱処理装置全体を示す縦
断断面図である。
FIG. 2 is a vertical cross-sectional view showing the entire heat treatment apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例に係る熱処理装置の主要部を示
すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a main part of a heat treatment apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図4】被処理ウエハ移載モードの設定画面を示す説明
図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram showing a setting screen of a wafer transfer mode to be processed.

【図5】モニタウエハ移載モードの設定画面を示す説明
図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram showing a setting screen of a monitor wafer transfer mode.

【図6】本発明の実施例の作用を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory view showing the operation of the embodiment of the present invention.

【図7】本発明の実施例の作用を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing the operation of the embodiment of the present invention.

【図8】本発明の実施例の作用を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory view showing the operation of the embodiment of the present invention.

【図9】従来の熱処理装置の概略を示す側面図である。FIG. 9 is a side view showing the outline of a conventional heat treatment apparatus.

【図10】従来の熱処理装置に用いられるウエハボート
におけるウエハの保持領域及びモニタウエハの保持位置
を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a wafer holding region and a monitor wafer holding position in a wafer boat used in a conventional heat treatment apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

21 熱処理炉 23 ウエハボート 24 ウエハ移載機 31 受け渡し台 32 キャリア収納棚 4 キャリア移載機 5 タッチパネル 6 被処理ウエハ移載モード設定部 7 モニタウエハ移載モード設定部 8 記憶部 W ウエハ PW 被処理ウエハ MW モニタウエハ 21 heat treatment furnace 23 wafer boat 24 wafer transfer machine 31 transfer table 32 carrier storage rack 4 carrier transfer machine 5 touch panel 6 processed wafer transfer mode setting unit 7 monitor wafer transfer mode setting unit 8 storage unit W wafer PW processed Wafer MW monitor wafer

フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/31 H01L 21/31 E 21/324 21/324 Z Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI Technical display location H01L 21/31 H01L 21/31 E 21/324 21/324 Z

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の被処理基板をロット単位で保持具
に並列に保持させ、加熱炉の反応管内に搬入して熱処理
を行うと共に、モニタ基板を専用の収納部から移載機に
より取り出して前記保持具に保持させ、前記被処理基板
と共に熱処理を行う熱処理装置において、 前記保持具の基板保持領域にバッチ処理毎にロットの基
板保持領域であるロット領域を割り当て、このロット領
域を基準とした相対位置を指定してモニタ基板を保持さ
せる相対位置指定モードと、前記保持具の基板保持領域
の中で何段目の保持位置であるかを指定してモニタ基板
を保持させる絶対位置指定モードと、のうちの一方のモ
ードを選択するモニタ基板移載モード選択部と、 前記相対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板
の保持位置がいずれのロット領域に対応する位置である
かを指定する相対位置指定部と、 前記絶対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板
の保持位置が何段目の保持位置であるかを指定する絶対
位置指定部と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
1. A plurality of substrates to be processed are held in parallel in a holder in lot units, carried into a reaction tube of a heating furnace for heat treatment, and a monitor substrate is taken out from a dedicated storage unit by a transfer machine. In a heat treatment apparatus which is held by the holder and performs a heat treatment together with the substrate to be processed, a lot area which is a substrate holding area of a lot is assigned to the substrate holding area of the holder for each batch processing, and this lot area is used as a reference. A relative position designation mode in which a relative position is designated to hold the monitor substrate, and an absolute position designation mode in which the monitor substrate is held by designating a holding position of the stage in the substrate holding area of the holder. And a monitor substrate transfer mode selection unit that selects one of the two modes, and which lot region the monitor substrate holding position corresponds to when the relative position designation mode is selected. A relative position designating section for designating whether the position is a position to be held, and an absolute position designating section for designating the number of stages of the holding position of the monitor substrate when the absolute position designating mode is selected. A heat treatment apparatus characterized by being provided.
【請求項2】 複数の被処理基板をロット単位で保持具
に並列に保持させ、加熱炉の反応管内に搬入して熱処理
を行うと共に、モニタ基板を専用の収納部から移載機に
より取り出して前記保持具に保持させ、前記被処理基板
と共に熱処理を行う熱処理装置において、 前記保持具の基板保持領域にロット毎にロット領域を割
り当て、前記ロット領域の夫々に各ロットの被処理基板
を移載するロット領域固定モードと、前記保持具の基板
保持領域の中の何段目の保持位置を基準とするかを指定
し、この保持位置を基準として1回のバッチ処理に係る
全ロットの被処理基板を詰めた状態で保持具に移載する
ロット領域変動モードと、のうちの一方のモードを選択
する被処理基板移載モード選択部と、 前記ロット領域を基準とした相対位置を指定してモニタ
基板を保持させる相対位置指定モードと前記保持具の基
板保持領域の中で何段目の保持位置であるかを指定して
モニタ基板を保持させる絶対位置指定モードと、のうち
の一方のモードを選択するモニタ基板移載モード選択部
と、 前記相対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板
の保持位置がいずれのロット領域に対応する位置である
かを指定する相対位置指定部と、 前記絶対位置指定モードが選択されたときにモニタ基板
の保持位置が何段目の保持位置であるかを指定する絶対
位置指定部と、を備えたことを特徴とする熱処理装置。
2. A plurality of substrates to be processed are held in parallel in a holder in lot units, carried into a reaction tube of a heating furnace for heat treatment, and a monitor substrate is taken out from a dedicated storage unit by a transfer machine. In a heat treatment apparatus for holding the holder and performing heat treatment together with the substrate to be processed, a lot area is assigned to each lot in the substrate holding area of the holder, and the substrate to be processed of each lot is transferred to each of the lot areas. The lot area fixing mode to be set and the number of the holding position in the substrate holding area of the holder to be used as a reference are specified, and all lots to be processed in one batch process with this holding position as a reference. Lot area variation mode in which the substrates are packed and transferred to the holder, and a substrate transfer mode selection unit for selecting one of the modes, and a relative position based on the lot area is designated. One of the relative position designation mode for holding the Nita substrate and the absolute position designation mode for holding the monitor substrate by designating the holding position of the stage in the substrate holding area of the holder. A monitor board transfer mode selecting section for selecting the relative position specifying section, and a relative position specifying section for specifying which lot area the holding position of the monitor board corresponds to when the relative position specifying mode is selected, A heat treatment apparatus, comprising: an absolute position designating unit that designates a holding position of the monitor substrate when the absolute position designating mode is selected.
【請求項3】 相対位置指定部は、モニタ基板の保持位
置がいずれのロット領域の間であるかを指定するロット
間指定部であることを特徴とする請求項1または2記載
の熱処理装置。
3. The heat treatment apparatus according to claim 1, wherein the relative position designating unit is a lot-to-lot designating unit that designates between which lot regions the holding position of the monitor substrate is located.
【請求項4】 モニタ基板は、被処理基板の処理状態を
監視するための製品モニタ基板または装置の状態を監視
するための装置モニタ基板のうちの一方であり、モニタ
基板移載モードは、製品モニタ基板を使用するときには
相対位置指定モードが、また装置モニタ基板を使用する
ときには絶対位置指定モードが選択されることを特徴す
る請求項1、2または3記載の熱処理装置。
4. The monitor substrate is one of a product monitor substrate for monitoring a processing state of a substrate to be processed and an apparatus monitor substrate for monitoring a state of an apparatus, and the monitor substrate transfer mode is a product substrate. 4. The heat treatment apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein the relative position designation mode is selected when the monitor substrate is used, and the absolute position designation mode is selected when the device monitor substrate is used.
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