KR0133679B1 - Treatment apparatus - Google Patents
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
Abstract
내용 없음.No content.
Description
제1도는 본 발명 장치의 1실시예를 설명하기 위한 처리 장치의 구성도.1 is a configuration diagram of a processing apparatus for explaining an embodiment of the apparatus of the present invention.
제2도는 제1도의 석영 보우트에 얹어 싣는 더미 웨이퍼의 설명도이다.2 is an explanatory diagram of a dummy wafer placed on the quartz boat of FIG.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings
1, 1' : 웨이퍼 2 : 웨이퍼 카세트1, 1 ': wafer 2: wafer cassette
3 : 석영 보우트 4 : 처리 장치3: quartz bow 4: processing device
5 : 얹어 놓는 대 6 : 레일5: rack stand 6: rail
7 : 슬라이드 기구 8 : 밀어 올리는 부7: slide mechanism 8: pushing up portion
9 : 승강 기구 10 : 지지판9: lifting mechanism 10: support plate
11 : 얹어 놓는 대 12 : 레일11: rack stand 12: rail
13 : 반송 기구 14 : 더미(dummy) 웨이퍼13 conveyance mechanism 14 dummy wafer
15 : 중간부15: middle part
본 발명은, 처리 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a processing apparatus.
종래에 있어, 반도체의 제조공정 예를 들면 산화공정, 확산공정(diffusion), CVD 공정(Chemical Vaper Deposition), 어니일 공정(annealing)을 행할 때에는, 열처리 로(爐)가 사용된다.Conventionally, a heat treatment furnace is used to perform a semiconductor manufacturing process, for example, an oxidation process, a diffusion process, a chemical vapor deposition, or an annealing process.
이 열처리 로 내에는 복수매, 예를 들면 150매의 반도체 웨이퍼를 얹어 실은 석영 보우트를 반입수단 예를 들면 소프트 랜딩(soft landing)기술(일본국 특개소 58-62489호 공보 참조)에 의하여 상기한 로의 내부에 반입하고, 미리 정하여진 위치에 설정하여 열처리를 행하고 있다.In the heat-treatment furnace, a plurality of, for example, 150, semiconductor wafers loaded with semiconductor wafers are loaded with a means of importing, for example, by soft landing technology (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 58-62489). It carries in into a furnace, sets it in the predetermined position, and heat-processes it.
이 열처리를 행할 때에, 로의 내부의 길이 방향의 한쪽 끝단측에 형성된 가스 배출구로부터 처리 가스(Process Gas)를 배출(exhaust)하기 때문에, 상기의 석영 보우트(Quartz Boat)위의 가스 배출구쪽에 얹어 실어져 있는 웨이퍼에 직접 상기의 가스가 맞닿고, 또한, 그 이외의 위치 예를 들면 석영 보우트 위의 양쪽 끝단에 얹어 실어져 있는 웨이퍼에는 상기의 처리 가스가 직접 닿지 않는 가스의 난류(亂流)가 발생한다.When this heat treatment is performed, the process gas is discharged from the gas discharge port formed at one end side in the longitudinal direction of the inside of the furnace, so that it is mounted on the gas discharge port above the Quartz Boat. The gas is brought into direct contact with the wafer, and the turbulent flow of the gas which is not directly in contact with the processing gas is generated on the wafer which is mounted on both ends of a position other than that, for example, a quartz boat. do.
그 때문에, 이 양쪽 끝단측에 얹어 실어져 있는 웨이퍼와 상기의 한쪽 끝단측에 얹어 실어져 있는 웨이퍼에서는, 처리속도나 막두께 등이 다르게 되며 일괄하여 처리했음에도 불구하고 균일성이 나쁘게 된다.Therefore, in the wafer mounted on both end sides and the wafer mounted on one end side, the processing speed, the film thickness, and the like are different, and uniformity is poor despite the collective processing.
그 때문에, 이러한 점을 개선하는 수단으로서 앞공정에서부터 웨이퍼 캐리어 내에 반입되어온 반도체 웨이퍼 열처리용의 석영 보우트에 이동전환 장치에 의하여 이동 전환할 때에, 상기한 석영 보우트의 상기의 난류가 발생하는 양쪽 끝단측에 각각 복수매의 더미 웨이퍼(dummy wafer)를 예를 들면 15매씩 얹어 싣고 있다.Therefore, as a means of improving such a point, both end sides of the above-mentioned turbulence of the quartz boat are generated when the movement is switched by the transfer switching device to the quartz boat for heat treatment of the semiconductor wafer brought into the wafer carrier from the previous step. A plurality of dummy wafers, for example, are mounted on each of 15 sheets.
즉, 상기한 난류가 발생하는 양쪽 끝단에 15매의 더미 웨이퍼를 형성하고, 정류 상태의 중간부에 피처리체인 반도체 웨이퍼를 예를 들면 150매를 얹어 싣고 있다.That is, 15 dummy wafers are formed at both ends where the turbulence occurs, and 150 semiconductor wafers, for example, an object to be processed, are placed on the intermediate portion of the rectified state.
바꾸어 말하면, 이 석영 보우트에서는 180매의 웨이퍼를 얹어 싣는 것이 가능하게 되어 있기 때문에, 양쪽 끝단에 각 15매씩의 더미 웨이퍼를 얹어 실은 경우, 중간부에는 150매의 웨이퍼를 얹어 싣는 것이 가능하게 된다.In other words, in this quartz boat, 180 wafers can be loaded and loaded, and when 15 dummy wafers are loaded on both ends, 150 wafers can be loaded in the middle.
종래에, 이 더미 웨이퍼 및 피처리 웨이퍼의 이동 전환시에, 이 더미 웨이퍼의 매수 및 얹어 싣는 위치는 미리 열처리 소프트 웨어(soft ware)와 마찬가지로 ROM(Read Only Memory)내에 기억되어 있다.Conventionally, at the time of moving the dummy wafer and the wafer to be processed, the number of stacking wafers and the mounting positions of the dummy wafers are stored in the ROM (Read Only Memory) in the same way as the heat treatment software.
이와 같이 기억되어 있는 더미 웨이퍼의 매수마다, 오퍼레이터(operator)가 탑승하고 있다.An operator rides on every number of dummy wafers stored in this way.
그리고, 상기와 같이 기억하고 있는 더미 웨이퍼를 얹어 싣는 위치를 옆으로 비킨 위치인 상기한 더미 웨이퍼의 중간부에, 얹어 싣는 것이 가능한 매수의 범위에서 피처리 웨이퍼를 자동적으로 이동 전환하였다.Then, the target wafer was automatically shifted and shifted within the range of the number of sheets that can be placed on the intermediate portion of the above-described dummy wafer which is a position where the dummy wafer stored as described above is placed laterally.
또한, 1대의 열처리 장치에는 통상 열처리 로가 4개의 로를 갖고, 이 4개의 로의 내부에 각각 대응하는 석영 보우트를 반송하였다.Moreover, in one heat processing apparatus, the heat processing furnace normally has four furnaces, and the quartz boat corresponding to each inside of these four furnaces was conveyed.
그러나, 상기한 종래의 기술에서는, 석영 보우트 위에 설정하는 더미 웨이퍼의 매수 및 얹어 싣는 위치를 미리 정하여 ROM에 기억하기 때문에, 도중에서 이 더미 웨이퍼 매수를 설정 변경하는 경우에 ROM의 마아킹(Marking) 공정시의 정정이나 ROM의 교환 등 매우 시간이 걸리는 작업으로 되어 있었다.However, in the conventional technique described above, since the number of dummy wafers set on the quartz boat and the mounting positions thereof are determined in advance in the ROM, marking of the ROM when setting and changing the number of dummy wafers in the middle is performed. It was a very time-consuming work, such as correction at the time of process and replacement of ROM.
또한, 1대의 열처리 장치에 형성되어 있는 4개의 로에 있어서 각각의 로의 처리조건이 다른 경우가 있으며, 이 처리조건에 의하여서도 더미 웨이퍼의 매수를 변경하고자 할 경우가 있다.Moreover, the processing conditions of each furnace may differ in four furnaces formed in one heat treatment apparatus, and the number of dummy wafers may be changed also by this processing condition.
이 각 처리부의 매수 설정수단으로서는, 소프트 웨어에 의하여 미리 정하고 이것을 ROM에 기억하지만, 이 매수를 설정 변경하는 경우에도 마찬가지로 매우 작업 시간이 소요됨과 동시에 제조 오퍼레이터에서는 변경이 불가능하다는 문제가 있었다.As the number setting means of each of the processing units, the software determines the number of sheets in advance and stores them in the ROM. However, when setting and changing the number of sheets, the operation time is very long, and the manufacturing operator cannot change the number.
또한, 상기한 ROM의 마아킹 공정시의 정정이나 ROM의 교환시 등의 사이에, 이동 전환 장치를 정지하여야만 하고, 이 이동 전환 장치로부터 다음 공정의 열처리 장치에로 웨이퍼를 얹어 실은 석영 보우트를 반송할 수가 없으며, 이로 인하여 드루프트(through-put)가 저하되는 문제점이 있었다.In addition, the movement switching device must be stopped between the above-described correction during the ROM marking process and the replacement of the ROM, and the quartz boat loaded with the wafer is transferred from the movement switching device to the heat treatment device of the next step. This is not possible, and this causes a problem in that the droop (through-put) is reduced.
본 발명은, 상기한 바와 같은 점에 대처하여 이루어진 것으로서, 더미 웨이퍼의 매수의 변경을 용이하게 함으로써 작업 효율의 향상을 가능하게 한 처리 장치를 제공하고자 하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in response to the above-described points, and an object of the present invention is to provide a processing apparatus that enables improvement of work efficiency by facilitating change of the number of dummy wafers.
본 발명은, 피처리 웨이퍼를 수납한 처리용 보우트를 처리부에 반입하여 처리하는 처리 장치에 있어서, 상기 처리부의 처리조건에 따라서 더미 웨이퍼의 매수를 사전에 오퍼레이터에 의해서 설정하기 위한 조작수단과, 이 조작수단에 의해서 설정된 더미 웨이퍼의 매수와 상기 처리용 보우트의 웨이퍼 수납용량에 의거하여 처리용 보우트상에 탑재 가능한 피처리 웨이퍼의 매수를 자동적으로 구하는 수단과, 이들 수단에 의해서 설정된 더미 웨이퍼의 매수 및 피처리 웨이퍼의 매수에 의거하여 처리용 보우트로의 웨이퍼의 옮김을 자동적으로 실행하는 수단을 설치한 것을 특징으로 한다.The present invention provides a processing apparatus for carrying a processing boat containing a wafer to be processed into a processing unit, comprising: operation means for setting the number of dummy wafers by an operator in advance according to processing conditions of the processing unit; Means for automatically obtaining the number of wafers to be mounted on the processing boat based on the number of dummy wafers set by the operating means and the wafer storage capacity of the processing boat, the number of dummy wafers set by these means, and And a means for automatically transferring the wafer to the processing boat based on the number of wafers to be processed.
또한, 본 발명은, 피처리 웨이퍼를 수납한 처리용 보우트를 처리부에 반입하여 처리하는 처리 장치에 있어서, 상기 처리부의 처리조건에 따라서 더미 웨이퍼의 매수 및 처리용 보우트상에서의 더미 웨이퍼의 탑재 위치를 사전에 오퍼레이터에 의해서 설정하기 위한 조작수단과, 이 조작수단에 의해서 설정된 어미 웨이퍼의 매수와 상기 처리용 보우트의 웨이퍼 수납용량에 의거하여 처리용 보우트상에 탑재 가능한 피처리 웨이퍼의 매수를 자동적으로 구하는 수단과, 이들 수단에 의해서 설정된 더미 웨이퍼의 매수, 더미 웨이퍼의 탑재위치 및 피처리 웨이퍼의 매수에 의거하여 처리용 보우트로의 웨이퍼의 옮김을 자동적으로 실행하는 수단을 설치한 것을 특징으로 한다.In addition, the present invention provides a processing apparatus for carrying a processing boat containing a wafer to be processed into a processing unit, wherein the number of dummy wafers and the mounting position of the dummy wafer on the processing boat are determined according to the processing conditions of the processing unit. To automatically determine the number of wafers to be mounted on the processing boat based on the operation means for setting by the operator in advance and the number of mother wafers set by the operation means and the wafer storage capacity of the processing boat. And means for automatically transferring the wafer to the processing boat based on the number of dummy wafers set by these means, the mounting position of the dummy wafer, and the number of wafers to be processed.
또한, 본 발명은, 상기 처리 장치에 있어서, 처리부는 복수개로 설치되고, 더미 웨이퍼의 매수는, 처리부마다 설정변경이 자유로운 것을 특징으로 한다.The present invention is also characterized in that in the processing apparatus, a plurality of processing units are provided, and the number of dummy wafers is free to change setting for each processing unit.
처리 내용이 다른 보우트에 따라 더미 웨이퍼의 매수를 미리 설정하고, 피처리 웨이퍼의 매수를 자동적으로 변경하는 수단을 형성함으로서, 상기한 더미 웨이퍼의 매술의 변경을 용이하게 행할 수가 있으므로, 반도체 제조공정의 이상적인 자동화에 대응하는것이 가능하게 된다.By setting the number of dummy wafers in advance and automatically changing the number of wafers to be processed according to the boats having different processing contents, it is possible to easily change the manner of the dummy wafers. It is possible to respond to ideal automation.
또한, 더미 웨이퍼의 매수를 처리부에 따라 설정 변경이 자유롭게 함으로써, 작업 효율을 향상시켜, 짧은 시간내에서 상기한 설정 변경을 할 수 가 있고, 그 결과 장치의 가동시간을 길게 하여, 드루프트를 향상시킬 수가 있다.In addition, by changing the number of dummy wafers freely in accordance with the processing unit, the work efficiency can be improved, and the above-mentioned setting changes can be made within a short time. As a result, the operation time of the device is increased, and the droop is improved. I can do it.
[실시예]EXAMPLE
다음에, 본 발명 장치를 열처리 장치에 적용한 1실시예에 대하여, 첨부한 도면에 따라 상세히 설명하면 다음과 같다.Next, an embodiment in which the apparatus of the present invention is applied to a heat treatment apparatus will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
열처리 장치는 열처리용 보우트에로 웨이퍼를 자동적으로 이동 전환하는 기구와, 웨이퍼를 옮겨 실은 보우트 열처리 로에 로 반입하는 기구와, 열처리 로와, 처리가 끝난 보우트를 반출하는 기구와, 처리가 끝난 웨이퍼를 카세트에 이동 전환하는 기구로 이루어진다.The heat treatment apparatus includes a mechanism for automatically shifting and switching a wafer into a heat treatment boat, a mechanism for moving a wafer into a loaded heat treatment furnace, a mechanism for carrying out a heat treatment furnace, a treated boat, and a processed wafer. It is composed of a mechanism for shifting the cassette to move.
우선, 이동 전환 기구에 대하여 설명한다.First, the movement switching mechanism will be described.
반도체 웨이퍼(1)를 통상의 공정 사이를 반송하는 웨이퍼 카세트(2)로부터 열처리용 예를 들면 석영으로 된 보우트(3)에 이동 전환하는 기구를 제1도에 나타낸다.FIG. 1 shows a mechanism for shifting the
웨이퍼 이동 전환하는 기구를 제1도에 나타낸다.The mechanism for switching wafer movement is shown in FIG.
웨이퍼 이동 전환 장치는 일본국 특개소 54-34774호, 특개소 62-69633호 및 실개소 61-27640호 공보 등에서 주지되어 있다.Wafer transfer switching devices are well known in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 54-34774, 62-69633, and 61-27640.
즉 상기한 카세트(2)는 복수매 예를 들면 25매의 반도체 웨이퍼(1)가 수납이 가능하게 되어 있다.That is, in the
이와 같은 수납 구조는 웨이퍼(1)의 판두께 방향으로 소정 간격을두고서 세로로 늘어선 형상으로 수납이 가능한 구조로 되어 있다. 카세트(2)는 복수개를 얹어 놓는 것이 가능하게 얹어 놓는 대(5)가 형성되어 있다.Such a storage structure has a structure in which the storage structure can be stored in a vertically arranged shape with a predetermined interval in the plate thickness direction of the
이 얹어 놓은 대(5)는, 레일(6)을 따라 슬라이드 이동하는 슬라이드 기구(7)에 고정되어 있다.This
이 얹어 놓는 대(5)의 웨이퍼 카세트(2)를 얹어 싣는 부에는 25매의 웨이퍼를 밀어 올리기 위한 웨이퍼를 밀어 올리는 부(8)에 통과가 가능한 관통구멍이 형성되어 있다.In the portion on which the
이 밀어 올리는 부(8)는 승강 기구(9)에 의하여 상기한 얹어 놓는 대(5)보다 높은 위치 및 낮은 위치에서 상하 운동이 자유롭게 이루어져 있다.The
이 밀어 올리는 부(8)의 윗면은, 상기 웨이퍼 카세트(2)에 수납된 복수매의 웨이퍼(1)와 걸어 맞춤하는 위치에 복수개의 홈이 형성되어 있다.The upper surface of this pushing
이 각각의홈은, 웨이퍼(1)를 아래쪽에서부터 밀어 올려 끼워 넣는 상태에서 가로 방향을 쓰러지지 않을 정도의안정된 깊이로 설정되어 있다.Each of these grooves is set to a stable depth such that the
또한, 상기한 밀어 올리는 부(8)를, 각각의 홈에 센서를 형성하여 웨이퍼 카세트(2)에 수납되어 있는 웨이퍼(1)의 위치 및 매수를 검지할 수 있는 웨이퍼 카운터가 부탁된 구조로 구성하면, 웨이퍼(1) 유무의 감시도 동시에 행할 수가 있다.Further, the push-up
상기한 밀어 올리는 부(8)에서 상기한 웨이퍼 카세트(2)에 수납되어 있는 복수매의 웨이퍼(1)를 웨이퍼 카세트(2)보다 윗쪽으로 밀어 올려, 미리 정하여진(1')위치에 설정하였을 때, 이들 25매의 웨이퍼 배열을 사이에 두고 지지하는 2매의 지지판(10)이 도시하지 아니한 로보트 기구에 의하여 제어되도록 배치되어 있다.In the pushing
상기의 지지판(10)은 25매의 웨이퍼 배열에 대응한 간격으로 홈의 배열이 형성되어 있다.The
상기한 지지판(10)의 한쌍은, 열처리용 석영 보우트(3)의 윗쪽에로 이동시켜 이동 전환이 가능하게 구성되어 있다.The pair of
이 석영 보우트(3)는 레일(12)위에 형성된 반송 기구(13) 위에 형성된 얹어 놓는 대(11) 위에 형성되어 있다.This quartz boat 3 is formed on the mounting
또한, 처리 장치인 열처리부에는 4개의 로가 형성되어 있다.Moreover, four furnaces are formed in the heat processing part which is a processing apparatus.
이 각각의 로는 예를 들면 실리콘 에피택셜(silicon epitaxial)로, 확산로, 산화로, 가열로 등이 형성되어 있다.Each of these furnaces is, for example, silicon epitaxial, a diffusion furnace, an oxidation furnace, a heating furnace, or the like.
이들 중 어느 것인가의 로에로 로우딩하는 보우트 인가에 따라 처리 조건이 달라지면 더미 웨이퍼(14)의 매수나 반입 위치가 달라진다.If the processing conditions vary depending on which of the boats is loaded into any of the furnaces, the number or loading positions of the dummy wafer 14 vary.
따라서 도시하지 아니한 조작 패널(panel)등으로부터 각각의 로 단위로 처리 프로그램을 입력하는 것이 가능하게 되어 있다.Therefore, it is possible to input processing programs in units of furnaces from an operation panel or the like not shown.
또한, 이 각가의 로 단위로 입력된 더미 웨이퍼(14)의 매수로부터, 석영 보우트(3)위에 얹어 실어진 이동 전환 피처리 웨이퍼(1)의 얹어 싣는 것이 가능한 매수를 판단하는 수단이 형성되어 있다.Further, a means for judging the number of sheets of the transfer-converted to-
이와 같이 하여 웨이퍼 이동 전환 장치(4)가 구성되어 있다.In this way, the wafer transfer switching device 4 is configured.
다음에, 보오트 반송기구 및 열처리 로에 대하여 설명한다.Next, the boat transfer mechanism and the heat treatment furnace will be described.
상기와 같이하여 열처리 보우트에 더미 웨이퍼 및 피처리용 웨이퍼를 이동 전환 후에, 상기한 열처리 보우트를 열처리 로의 내부에 반입한다.After the transfer of the dummy wafer and the wafer to be processed to the heat treatment boat as described above, the heat treatment boat is carried into the heat treatment furnace.
이와 같이 하여 웨이퍼 이동 전환 장치(4)가 구성되어 있다.In this way, the wafer transfer switching device 4 is configured.
다음에, 보오트 반송기구 및 열처리 로에 대하여 설명한다.Next, the boat transfer mechanism and the heat treatment furnace will be described.
상기와 같이하여 열처리 보우트에 더미 웨이퍼 및 피처리용 웨이퍼를 이동 전환 후에, 상기한 열처리 보우트를 열처리 로의 내부에 반입한다.After the transfer of the dummy wafer and the wafer to be processed to the heat treatment boat as described above, the heat treatment boat is carried into the heat treatment furnace.
이와 같은 반입 상태의 예는 일본국 특개소 61-224430호 공보에 개시되어 있다.An example of such a carrying-in state is disclosed by Unexamined-Japanese-Patent No. 61-224430.
즉, 석영으로 된 포오크(fork)에, 상기한 열처리용 보우트를 얹어 놓고, 소프트 랜딩 기술에 의하여 열처리 로의 내부에 반입한다.That is, the above-mentioned heat treatment boat is placed on a fork made of quartz and brought into the inside of the heat treatment furnace by a soft landing technique.
이 열처리 로는 횡형로로서, 이 횡형로가 수직 방향으로 예를 들면 4단으로 세워서 구성된다.This heat treatment furnace is a horizontal furnace, and this horizontal furnace is comprised standing vertically, for example by four steps.
각각의 로는 독립적으로 처리를 실행할 수가 있다.Each furnace can execute its processing independently.
다음에, 반도체 웨이퍼의 이동 전환 동작을 설명한다.Next, the movement switching operation of the semiconductor wafer will be described.
우선, 4개의 로의 처리부에서 피처리 반도체 웨이퍼(1)의 열처리를 행하는 각각의 처리조건 예를 들면 막형성, 확산, 가열등의 처리 내용에 의하여, 석영 보우트(3) 위의 예를 들면 양쪽 끝단측 즉 한쪽 끝단측과 다른쪽 끝단측에 얹어 싣는 더미 웨이퍼(14)의 매수를 설정하고, 이 매수를 오퍼레이터등에 의하여 미리 처리 장치(4)의 도시하지 아니한 조작 패널 등을 입력한다.First, for example, on both ends of the quartz boat 3, depending on the processing conditions for performing heat treatment of the
이들 각가의 로의 더미 웨이퍼(14)의 매수 설정은, 처리 내용이 다른 석영 보우트(3) 단위 즉 4개의 로의 처리단위로 설정이 가능하다.The number of sheets of the dummy wafers 14 of each furnace can be set in units of quartz boats 3 having different processing contents, that is, in units of four furnaces.
예를 들면 각각의 처리 로에 대응한 더미 웨이퍼(14)의 매수 및 설정 위치의 지정을 가능하게 한다.For example, it is possible to specify the number of sheets of dummy wafers 14 and setting positions corresponding to the respective processing furnaces.
이때의 상기한 더미 웨이퍼(14) 매수의 설정 변경이 가능한 수단으로서는, 상기한 조작 패널의 설정 변경 스위치 등으로 입력하여 기억기구 예를 들면 EPROM (Erasable and Programable Read Only Memory)이나, 백업 전원이 인가되는 RAM(Random Accesss Memory) 등에 기억하여 필요에 따라 읽어내거나, 또는, 설정 변경이 자유로운 스위치로 소망하는 더미 웨이퍼(14)의 매수를 결정하고, 이것을 필요에 따라 읽어내는 방법이어도 좋다.As a means for changing the setting of the number of the dummy wafers 14 at this time, a storage mechanism such as EPROM (Erasable and Programmable Read Only Memory) or a backup power supply is applied by inputting the setting change switch of the operation panel. It may be stored in a random access memory (RAM) or the like and read as needed, or a desired number of dummy wafers 14 may be determined by a switch whose setting can be freely changed, and the method may be read as needed.
다음에, 상기한 이동 전환 장치(4)를 가동시켜서, 반송 기구(13)를 상기의 얹어 싣는 위치까지 레일912)을 따라 이동시킨다.Next, the above-described movement switching device 4 is operated to move the
이 얹어 싣는 위치에서, 상기의 반송 기구(13)에 형성되어 있는 얹어 놓는 대(11) 위에 상기한 석영 보우트(3)를 얹어 싣는다.In this mounting position, the above-mentioned quartz boat 3 is mounted on the mounting
이 석영 보우트(3)를 얹어 놓는 대(11) 위에서 위치를 결정한다.The position is determined on the
또한, 얹어 놓는 대(5) 위에 피처리 웨이퍼를 수납한 카세트 및 더미 웨이퍼를 수납한 카세트를 위치 결정하여 얹어 놓는다.Moreover, the cassette which accommodated the to-be-processed wafer and the cassette which accommodated the dummy wafer are positioned and mounted on the mounting table 5.
미리 설정된 더미 웨이퍼(14)의 매수에 따라 제2도에 나타낸 바와 같이 석영 보우트(3)의 양쪽 끝단측 예를 들면 한쪽 끝단측에 15매, 다른쪽 끝단측에 15매의 더미 웨이퍼를 자동적으로 얹어 싣거나 오퍼레이터에 의하여 수동으로 얹어 싣는다.According to the number of preset dummy wafers 14, as shown in FIG. 2, 15 dummy wafers at both ends of the quartz boat 3, for example, at one end side and 15 at the other end side are automatically It can be loaded or loaded manually by the operator.
이때에, 상기한 한쪽 끝단측의 더미 웨이퍼(14)와, 다른쪽 끝단측의 더미 웨이퍼(14)의 중간부(15)에는, 예를 들면 이후에 피처리 반도체 웨이퍼(1)를 얹어 싣기 위하여, 이 얹어 싣는 웨이퍼(1) 매수분 만큼 열려 있는 위치에 각각 상기 더미 웨이퍼(14)를 최초로 얹어 싣는다.At this time, the intermediate wafer 15 of the dummy wafer 14 on the one end side and the dummy wafer 14 on the other end side are, for example, for mounting the
이 더미 웨이퍼(14)를 얹어 싣는 동작 중에, 다른쪽의 슬라이드 기구(7)는 웨이퍼 카세트(2)를 얹어 싣는 위치에 설정한다.During the operation of mounting the dummy wafer 14, the other slide mechanism 7 is set at the position where the
위치가 결정된 얹어 놓는 대(5) 위에 피처리 웨이퍼가 수납된 복수개의 웨이퍼 카세트(2)를 얹어 싣는 동작을 동시에 진행한다.The operation of placing and mounting the plurality of
웨이퍼 카세트(2)를 얹어 실은 후에, 반송 기구(7)를 주고 받는 위치에로 이동한다.After loading and loading the
그후에, 밀어 올리는 부(8)를 승강 기구(9)의 구동으로 상승시킨다.Thereafter, the pushing up
즉, 상기한 웨이퍼 카세트(2) 내에 수납되어 있는 25매의 웨이퍼(1)는, 밀어 올리는 부(8)의 윗면에 형성된 각각의 웨이퍼(1)에 걸어맞춤하는 복수개의 홈에 끼워 넣어지고, 상기한 밀어 올리는 부(8)의 상승에 의하여 웨이퍼 카세트(2)보다 윗쪽 즉(1')의 위치에로 밀어 올린다.That is, the 25
이와 같이 밀어 올린 웨이퍼(1)는, 상기한 밀어 올리는 부(8)의 각각의 홈에 형성된 센서 예를 들면 투고형 센서(도시하지 않음)에 의하여 각 웨이퍼(1)의 위치 및 매수를 검지하고, 이 위치 및 매수로부터, 이동 전환 기구에 접속된 2매의 지지판(10)에서 상기한 복수매의 웨이퍼(1)를 사이에 두고 지지하는 위치를 판단하여, 이 지지판(10)의 소망하는 위치에서 사이에 두고 지지한다.The
이 경우에, 상기의 밀어 올리는부(8)에 웨이퍼 카운터 기능을 갖게 하여, 복수매의 웨이퍼(1)를 밀어 올리면서 위치 및 매수의 검지를 행할 수가 있다.In this case, it is possible to provide the wafer counter function to the pushing
상기한 웨이퍼 카운터에 대하여 밀어 올리는 부(8)에 웨이퍼 카운터 기능을 갖지 않고, 다만 밀어 올리는 기능만으로 하여, 상기의 얹어 놓는 대(5)의 웨이퍼 카세트(2)를 얹어 싣는 방향과 평행의 상태에서 상기한 밀어 올리는 부(8)에 나란하게 설치하여 웨이퍼 카운터를 형성하고, 먼저 이 웨이퍼 카운터에서 선도의 웨치퍼 카세트(2) 내에 수납되어 있는 웨이퍼(1)의 위치 및 매수를 검지하고, 이것을 밀어 올리는 부(8)에 의하여 밀어 올려저서 상기한 지지판(10)의 소망하는 사이에 두고 지지하는 위치에서 지지하고 있는 사이에 상기한 웨이퍼 카운터는 다음의 웨이퍼 카세트에 수납되어 있는 웨이퍼의 검지를 행하도록 구성하여도 동일한 효과가 얻어진다.It does not have a wafer counter function in the pushing-up
다음에, 2매의 지지판(10)으로, 사이에 두고 지지한 피처리 웨이퍼를 석영 보우ㅌ(3)의 더미 웨이퍼(14) 배열사이의 윗쪽으로 이동한다.Next, the to-be-processed wafer supported between two
그리고, 이 복수매의 웨이퍼(1')를 사이에 두고 지지한 지지판(10)을 하강시켜서 석영 보우트(3) 위의 더미 웨이퍼(14)의 얹어 싣는 위치 이외인 중간부(15)에 1회에 25매의 웨이퍼(1')를 6회를 이동 전환하여 150매를 얹어 싣는다.Then, the
이 웨이퍼(1)를 얹어 싣는 동작은, 각 처리 단위로서 입력된 더미 웨이퍼(14)의 매수로부터, 석영 보우트(3) 위에 얹어 실어지는 이동 전환하는 피처리 웨이퍼(1)의 얹어 싣는 것이 가능한 매수를 판단하는 수단으로서, 얹어 실을 수 있는 웨이퍼(1)의 매수를 산출하여 상기한 더미 웨이퍼(14)의 얹어 싣는 위치 이외의 위치에로 얹어 싣는다.The operation of placing the
이때에, 얹어 싣는 웨이퍼(1)의 매수에 따라 상기한 이동 저노한 기구의 상기의 동작을 반복하여, 소망의 웨이퍼 매수를 얹어 싣는다.At this time, according to the number of
그리고, 이 웨이퍼(1') 더미 웨이퍼(14)를 얹어 실은 석영 보우트(3)를 반송 기구(13)의 이동에 의하여 주고 받는 위치로 반송한다.And the quartz boat 3 which mounted this wafer 1 'dummy wafer 14, and conveys it is conveyed to the position to which it transfers by the movement of the
이 석영 보우트(3)를 보우트 로우딩용 포오크 위에 얹어 놓고 소프트 랜딩 기술등에 의하여 반응 로의 내부에 반송하여 예를 들면 열처리를 행한다.The quartz boat 3 is placed on the fork fork of the boat loading and conveyed to the inside of the reaction furnace by a soft landing technique, for example, to perform heat treatment.
이 열처리시에, 고온 기밀 상태에서 상기한 웨이퍼(1) 배열 방향의 한쪽 끝단측에서부터 처리 가스를 공급한다.At the time of this heat processing, a process gas is supplied from the one end side of the
이때에 처리가스가 반응 로의 한쪽 끝단측으로부터 다른쪽 끝단측을 향하여 흐르기 때문에, 이 처리 가스의 흐름의 영향으로, 석영 보우트(3)의 끝단부에 배치되어 있는 더미 웨이퍼와 중간부에 배치되어 있는 피처리 웨이퍼에서는 상기한 처리 가스의 공급량에 변동이 있다.At this time, since the processing gas flows from one end side of the reaction furnace to the other end side, under the influence of the flow of the processing gas, the dummy wafer disposed at the end portion of the quartz boat 3 and the intermediate portion are disposed. In the wafer to be processed, there is a variation in the supply amount of the processing gas.
즉, 상기에서와 같이 석영 보우트(3)의 양쪽 끝단측에 각 복수매의, 반도체 소자를 제조하는 목적만은 아닌 더미 에이퍼(14)를 얹어 싣는다.That is, as described above, dummy aperes 14 are mounted on both end sides of the quartz boat 3, not just for the purpose of manufacturing a plurality of sheets of semiconductor elements.
이 더미 웨이퍼(14)의 각 끝단부에서 흩어진 가스가 흐른다.Gas scattered at each end of the dummy wafer 14 flows.
따라서 가스가 흐르는 쪽의 온도 등의 조건에 의하여 더미 웨이퍼의 매수는, 처리 내용등에 의하여 적절히 변화한다.Therefore, the number of dummy wafers varies appropriately depending on the processing contents or the like, depending on conditions such as the temperature of the gas flowing side.
상기한 바와같이, 더미 에이퍼(14)의 매수를 예를 들면 조작 패널 등에서 설정하고, 이 매수에 의하여 더미 웨이퍼(14)를 얹어 싣는 것을 행한다.As described above, the number of dummy aperes 14 is set by, for example, an operation panel and the like, and the dummy wafer 14 is mounted on the number of sheets.
각각의 반응 로의 처리 내용이 달라지는 것이 많은 것이어서, 상기한 더미 웨이퍼(14)의 매수 설정은, 각 처리부에 대응하는 석영 보우트(3)에 대하여 설정이 자유롭게 되어있다.Since the processing contents of each reaction furnace are often different, the number of sheets of the dummy wafer 14 described above is freely set for the quartz boat 3 corresponding to each processing unit.
이와 같은 이동 전환 및 열처리를 연속적으로 행하지만, 미리 설정한 석영 보우트(3)에 얹어 싣는 더미 웨이퍼(14)의 매수를 설정 변경하는 경우, 처리 장치94)의 도시하지 아니한 조각 패널로서 처리내용이 다른 석영 보우트(3) 단위 즉 4개의 장소의 처리부 단위로 변경한다.Such transfer switching and heat treatment are continuously performed, but when setting and changing the number of dummy wafers 14 to be mounted on the quartz boat 3 set in advance, the processing contents are not shown in the engraving panel of the processing apparatus 94. The unit is changed to another quartz boat 3 unit, that is, a processing unit unit of four locations.
이때에, 더미 웨이퍼(14) 매수의 설정 변경이 자유로운 기억기구 또는, 설정 변경이 자유로운 스위치를 사용하고 있기 때문에, 설정 변경이 신속하게 행하여지므로, 장치의 가동시간을 길게할 수가 있다.At this time, since the setting mechanism for changing the number of dummy wafers 14 is freely used or a switch for freely changing the setting, the setting change is performed quickly, and thus the operation time of the apparatus can be lengthened.
즉, 제1의 로에서 열처리가 종료된 후에, 보우트를 언로우드하고, 제2의 로에 적합한 웨이퍼의 이동 전환을 행한 후, 제2의 반응로에 로우딩한다.That is, after the heat treatment is completed in the first furnace, the boat is unloaded, the transfer of the wafer suitable for the second furnace is performed, and then loaded in the second reactor.
상기한 실시예에서는, 석영 보우트에 얹어 싣는 더미 웨이퍼의 매수를 설정 변경이 자유로운 수단으로 설정·기억하는 실시예에 대하여 설명하였지만, 피처리 웨이퍼 매수의 설정·기억, 또는 더미 웨이퍼와 피처리 웨이퍼 양쪽의 매수의 설정·기억에서도 마찬가지로 행할 수가 있다.In the above-described embodiment, the embodiment in which the number of dummy wafers mounted on the quartz boat is set and memorized by means of freely changing the setting is explained. The same can be done in setting and memorizing the number of sheets.
상기한 실시예에서는, 횡형로의 예에 대하여 설명하였지만, 종형로에서도 좋으며, 열처리 로에만 한정하지 않고 다른 처리 예를 들면 린서 드라이어(rinser dryer)등 다른 처리에 적용하여도 좋다.In the above embodiment, an example of a horizontal furnace has been described, but it is also good for a vertical furnace, and may be applied not only to the heat treatment furnace but to other treatments such as a rinser dryer.
이상에서 설명한 바와 같이 본 실시예에 의하면, 처리 내용이 다른 보우트에 따라 설정 또는 변경된 더미 웨이퍼의 매수로서, 이동 전환 피처리 웨이퍼 매수를 자동적으로 변경하는 수단을 형성함으로써, 상기한 더미 웨이퍼의 매수 변경을 용이하게 행할 수가 있으므로, 반도체 제조 공정의 이상적인 자동화에 대응하는 것이 가능하다.As described above, according to this embodiment, the number of dummy wafers is changed by forming a means for automatically changing the number of wafers to be processed for shift switching as the number of dummy wafers whose processing contents are set or changed according to different boats. Since it can be performed easily, it is possible to cope with ideal automation of the semiconductor manufacturing process.
또한, 도미 웨이퍼의 매수를 처리부에 따라 설정 변경을 자유롭게 하므로, 작업 효율을 향상시켜 짧은 시간내에서 상기한 설정 변경을 할 수가 있고, 그 결과 장치의가동시간을 길게하여, 드루프트를 향상시킬 수가 있다.In addition, since the number of bream wafers can be changed freely by the processing unit, the above-mentioned setting can be changed within a short time by improving the work efficiency, and as a result, the operating time of the device can be lengthened and the droop can be improved. have.
Claims (4)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29680487 | 1987-11-24 | ||
JP296804 | 1987-11-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR890008938A KR890008938A (en) | 1989-07-13 |
KR0133679B1 true KR0133679B1 (en) | 1998-04-23 |
Family
ID=17838359
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019880014030A KR0133679B1 (en) | 1987-11-24 | 1988-10-27 | Treatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR0133679B1 (en) |
-
1988
- 1988-10-27 KR KR1019880014030A patent/KR0133679B1/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR890008938A (en) | 1989-07-13 |
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