JPH08339983A - 半導体ウエハ研削装置 - Google Patents

半導体ウエハ研削装置

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JPH08339983A
JPH08339983A JP17038295A JP17038295A JPH08339983A JP H08339983 A JPH08339983 A JP H08339983A JP 17038295 A JP17038295 A JP 17038295A JP 17038295 A JP17038295 A JP 17038295A JP H08339983 A JPH08339983 A JP H08339983A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
grinding
chuck table
finish
rough
Prior art date
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Pending
Application number
JP17038295A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yoshida
雅弘 吉田
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 粗研削工程から仕上げ研削工程へウエハを搬
送する場合にウエハに反りを生じさせない状態で搬送可
能とするウエハ研削装置を提供する。 【構成】 ウエハ5を粗研削するための粗研削手段6と
仕上げ研削するための仕上げ研削手段7とを備え、前記
粗研削手段にはウエハを固定する粗研削用チャックテー
ブル12が具備され、前記仕上げ研削手段にはウエハを
固定する仕上げ研削用チャックテーブル12が具備さ
れ、前記粗研削用チャックテーブルから仕上げ研削用チ
ャックテーブルへウエハを搬送するための吸着パッド1
5を有する搬送アーム9を備えた半導体ウエハ研削装置
において、前記吸着パッド15の径を前記半導体ウエハ
5の径と略同一とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウエハの研削装
置に関する。詳しく半導体ウエハの研削工程で使用する
ウエハ搬送アームの吸着パッドに係る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置製造の最終工程において、ウ
エハに形成された各素子毎にウエハがスクライブ(ダイ
シング)されるが、このスクライブ工程の前に切断を容
易にし、且つ所定の厚さのチップを得るためにウエハの
裏面(素子形成面と反対側の面)が研削される。この研
削工程はウエハ表面(素子形成面)に保護テープを張り
付けた状態で粗研削と仕上げ研削の2ステップで行われ
る。この場合、各ステップはそれぞれ別の研削テーブル
で行われるため、ウエハは搬送アームにより粗研削テー
ブルから仕上げ研削テーブルに搬送される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウエハ
の裏面を研削すると研削面に歪が発生し、表面側を下に
して上に凸の反りが発生する。この反りは粗研削直後が
最大となり、径が6インチで600μm厚のウエハでは
300〜400μmに達する。この反りは研削時に平面
のチャックテーブルに吸着している状態では現れない
が、吸着を解除した状態では顕著に現れる。
【0004】図4はこのような従来のウエハ研削に係る
研削工程の各ステップを順番に示すフロー説明図であ
る。
【0005】図において、ICパターンが形成されたウ
エハ5は、前工程の処理を終了しウエハ厚を所定の寸法
に研削するため、表面側に保護テープ20が貼られて研
削装置へ搬送される。キャリアにより研削装置へ搬送さ
れたウエハ5は、第1搬送アーム8の真空吸着式吸着パ
ッド14により吸着され、(a)図に示すように粗研削
用のチャックテーブル12上に搬送されウエハの裏面を
上にしてこのチャックテーブル12上に真空吸着により
固定保持される。
【0006】次に(b)図に示すように、チャックテー
ブル12上で粗研削盤6のグラインダー16により水を
かけながら裏面を粗研削する。ここで使用するグライン
ダーのブレード(砥石)17は粗研削用の所要の粗さを
持っている。この粗研削によりウエハ裏面に歪による内
部応力が発生する。この内部応力は(b)図に示すよう
にウエハ5がチャックテーブル12上に吸着している状
態では表われない。
【0007】この粗研削を終了したウエハ5は、(c)
図に示すように、第2搬送アーム9の吸着パット40に
より吸着されて粗研削テーブルから仕上げ研削テーブル
へと運ばれる。このときウエハには、上に反ろうとする
内部応力が発生している。従って、ウエハが粗研削のチ
ャックテーブルから吸着解除されると、それまでチャッ
クテーブルの吸着力により強制的に平坦を保っていたウ
エハに反りが表われる。この反りを発生した状態でウエ
ハ5は第2搬送アーム9の吸着パッド40に吸着され搬
送される。このように反った状態のウエハ5は、(d)
図に示すように仕上げ研削用のチャックテーブル12上
にセットされる。このときウエハの反りの発生のため、
仕上げテーブルへウエハを吸着させる時に、(d)図に
示すように保護テープ20のみがチャックテーブル12
の真空吸引力Fに引かれるので、保護テープ20がウエ
ハ5から剥れ、保護テープ20とウエハ5との間に隙間
21が形成される。このウエハ表面と保護テープの間に
生じた隙間21に研削水がしみ込んでウエハを不良にす
る。続いて、ウエハ5の裏面は仕上げ用の研削盤7で研
削される。仕上げ用研削盤7のグラインダー16に取付
けられるブレード(砥石)18はウエハ5を滑らかにす
るため目の細い砥石が使用される。この仕上げ研削にお
いて、ウエハ5は(e)図に示すように研削盤7により
チャックテーブル12に対し押し付けられて研削される
ためチャックテーブル12上で平坦形状となってその裏
面が研削される。
【0008】研削を終了したウエハ5は図示しない第3
搬送アームにより取り出されて、スピンドライヤーに搬
送され洗浄乾燥処理が行われる。この洗浄乾燥工程にお
いて、ウエハは裏面側を上にしてスピンドライヤー上に
真空チャッキングされ、回転しながら水で洗浄される。
その後、水の供給を停止して回転のみを行って乾燥させ
る。
【0009】洗浄乾燥後のウエハは反転アームにより裏
面側を吸着される。反転アームはキャリアのベルトの上
方で反転し、2本のベルト間に下降してウエハを2本の
ベルト上に載せる。次にベルトの駆動によりウエハを表
面を上にした状態でキャリアに収納する。
【0010】以上のように、従来のウエハ研削装置では
粗研削テーブルから仕上げ研削テーブルにウエハを移動
するときウエハに反りが生じた状態で搬送される。
【0011】このため仕上げ研削テーブル上で真空吸着
されたときに表面の保護テープが剥れウエハ素子形成面
に研削水が侵入するという問題を生ずる。
【0012】また、ウエハが反った状態で研削が開始さ
れるため、均一で信頼性の高い研削が図られない。ま
た、ウエハが反った状態で吸着して搬送するため、吸着
力が弱く落下のおそれがあった。
【0013】本発明は上記従来技術の欠点に鑑みなされ
たものであって、粗研削工程から仕上げ研削工程へウエ
ハを搬送する場合にウエハに反りを生じさせない状態で
搬送可能とするウエハ研削装置の提供を目的とする。
【0014】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、ウエハを粗研削するための粗研削手段
と仕上げ研削するための仕上げ研削手段とを備え、前記
粗研削手段はウエハを固定する粗研削用チャックテーブ
ルを具備し、前記仕上げ研削手段はウエハを固定する仕
上げ研削用チャックテーブルを具備し、前記粗研削用チ
ャックテーブルから仕上げ研削用チャックテーブルへウ
エハを搬送するための吸着パッドを有する搬送アームを
備えた半導体ウエハ研削装置において、前記吸着パッド
の大きさを前記半導体ウエハの大きさと略同一又はそれ
以上としたことを特徴とする半導体ウエハ研削装置を提
供する。
【0015】好ましい実施例においては、前記パッドは
真空吸着手段からなることを特徴としている。
【0016】
【作用】粗研削テーブルから仕上げ研削テーブルへウエ
ハを搬送するための搬送アームの吸着パッドの径を搬送
するウエハの径と略同一にしたことにより、粗研削でウ
エハの反りが発生しても、搬送時には平板状の吸着パッ
ドにウエハ全体が吸着されるので、ウエハは吸着パッド
の平面部分に倣い、反りが無い状態で搬送される。
【0017】
【実施例】以下図面を参照して、本発明の実施例ついて
説明する。図1は本発明による半導体ウエハ研削装置の
実施例の平面図、図2はその研削工程の工程図、図3は
搬送アームの吸着パッドの断面図である。
【0018】まず図1において、例えば6インチ径・6
00μm厚のウエハ5は前工程で素子が形成された表面
側にこの表面を保護するために保護テープが貼られて、
キャリア2a,2b内に表面を上にして複数段に積み重
ねて収容される。これらのキャリア2a,2bは研削装
置1のロードステーションAの所定の位置にセットされ
る。
【0019】ロードステーションAでは各キャリアごと
に2本のベルト3が備り、搬入されたウエハ5は1枚づ
つベルト3によりキャリアから取り出される。このウエ
ハは反転アーム4により表裏を反転され、裏面を上にし
た状態で所定位置に置かれる。ウエハはこの位置から第
1搬送アーム8の真空吸着パッド14によりその裏面側
を吸着保持され粗研削ステーションB上に搬送される。
この第1搬送アーム8の吸着パッド14の径は従来と同
じ40〜50mmである。この吸着パッド14に保持さ
れたウエハ5はターンテーブル11のチャックテーブル
12上に降ろされ、図2(a)に示すように、このチャ
ックテーブル12上に真空吸着されて固定保持される。
テーブル面に接するウエハ表面には保護テープ20が貼
付され素子形成面が保護されている。ターンテーブル1
1を回転してチャックテーブル12上のウエハ5を粗研
削盤6の研削位置に移動させると、粗研削盤6およびチ
ャックテーブル12を回転させながら、図2(b)に示
すようにウエハ5の裏面側を粗研削する。粗研削盤6の
グラインダー16の下面側の周縁部にはリング状の粗研
削用のブレード(砥石)17が取付けられている。粗研
削を終了するとターンテーブル11を回転して粗研削を
終了したウエハをアーム搬送位置(図の下側のチャック
テーブル位置)に移動させる。
【0020】次に、第2搬送アーム9が、粗研削ステー
ションBのチャックテーブル12上に保持されたウエハ
を真空吸着により持上げ、これを仕上げ研削ステーショ
ンCに移動させる。この第2搬送アーム9の吸着パッド
15は、図2(c)に示すように、ウエハ5の外形とほ
ぼ同じ大きさである。このときウエハ5には粗研削によ
り発生した歪に起因する内部応力が生じ、吸着を解除す
れば反りが発生する状態である。しかしながら、本実施
例では、吸着パッド15がウエハ5の裏面全面をカバー
して吸着保持するため、ウエハ5は強制的に平坦に保た
れ、平坦性を保持した状態で、図2(d)に示すよう
に、仕上げ研削ステーションCのチャックテーブル12
上に移送されそのまま吸着保持される。従って、ウエハ
5には反りは全く発生せず、前述の図4(d)の従来技
術のようにチャックテーブルへの吸着時に保護テープだ
けが吸着されてウエハから剥がれるようなことはない。
【0021】このようにウエハ5の平坦性が確保され、
これによりチャックテーブル12と保護テープ20およ
びウエハ5との密着性が確保された状態で、図2(e)
に示すように、仕上げ研削盤7によりウエハ裏面の仕上
げ研削が行われる。仕上げ研削盤7のグラインダー16
には仕上げ用のリング状のブレード(砥石)18が装着
され、グラインダー16およびチャックテーブル12を
それぞれ逆方向に回転させながらウエハ裏面を研削す
る。
【0022】仕上げ研削が終了したウエハ5はターンテ
ーブル11の回転により所定の搬送位置(図1の下側の
チャックテーブル12の位置)に移送され、ここから第
3搬送アーム10により洗浄乾燥ステーションDのスピ
ンドライヤー13上に移送される。この第3アーム10
の真空吸着パッド14は、仕上げ研削後のウエハの反り
量は非常に小さいため、従来と同じ小径のものでよい。
【0023】ウエハは裏面側を上にしてスピンドライヤ
ー13上に真空チャッキングされ、回転しながら水で洗
浄される。その後、水を停止して回転のみを行って乾燥
させる。洗浄乾燥後のウエハは反転アーム4により裏面
側を吸着されアンロードステーションEに搬送される。
反転アーム4はキャリア2cまたは2dのベルト3の上
方で反転し、2本のベルト3間に下降してウエハを2本
のベルト3上に載せる。次にベルト3の駆動によりウエ
ハの表面を上にした状態でキャリア2cまたは2d内に
収納する。
【0024】図3は、上記本発明に係る第2搬送アーム
9の構成図である。ウエハ5は素子形成部である表面5
a側に保護テープ20が貼付され、裏面5bを上にして
吸着パッド15に吸着保持される。吸着パッド15には
溝状または孔状の複数の吸着ポート22が形成され真空
パイプ21を介して図示しない真空ポンプに連結され
る。吸着パッド15の外形は、予め分かっている処理す
べきウエハの外形に合わせてウエハの外形とほぼ同じか
または吸着ポート22がウエハから外れない範囲でウエ
ハより大きく形成しておく。これにより、ウエハ5が平
坦性を維持したまま真空吸着される。
【0025】このような吸着パッド15は、研削処理す
るウエハに合わせて交換可能に構成してもよい。また、
第1搬送アーム8および第3搬送アーム10について
も、第2搬送アーム9と同様にウエハとほぼ同じ大きさ
の外形を有する吸着パッドを用いてもよい。
【0026】
【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、粗研削と仕上げ研削とを別の場所で行う研削装置に
おいて、粗研削から仕上げ研削にウエハを移送する際の
吸着パッドをウエハとほぼ同じ大きさにしたため、ウエ
ハに反りを生じさせることなく平坦状態に保ったまま移
送することができ、ウエハに形成された素子に対するス
トレスが低減され品質や特性劣化のおそれがなくなる。
また、平坦性を保ったまま仕上げ研削が行われるため、
ウエハに対するチャックテーブルの吸着力が高まり、研
削中安定して確実にウエハを保持することができ、研削
が円滑に行われ均一で信頼性の高い研削面が得られる。
【0027】さらに、ウエハ表面に貼付した保護テープ
の密着性が向上しテープが剥がれなくなるため、ウエハ
表面への研削水の侵入が防止され不良品の発生が防止さ
れ歩留りの向上が図られる。また、ウエハを安定して確
実に吸着保持できるため、搬送中の落下のおそれがなく
なり搬送の信頼性が高められる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施例に係る研削装置の構成図であ
る。
【図2】 図1の研削装置における研削工程を順番に示
すフロー説明図である。
【図3】 本発明に係る吸着パッドの構成説明図であ
る。
【図4】 従来の研削装置における研削工程を順番に示
すフロー説明図である。
【符号の説明】
1:研削装置、5:ウエハ、6:粗研削盤、7:仕上げ
研削盤、8:第1搬送アーム、9:第2搬送アーム、1
0:第3搬送アーム、11:ターンテーブル、12:チ
ャックテーブル、14,15:吸着パッド。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ウエハを粗研削するための粗研削手段と
    仕上げ研削するための仕上げ研削手段とを備え、 前記粗研削手段にはウエハを固定する粗研削用チャック
    テーブルを具備し前記仕上げ研削手段にウエハを固定す
    る仕上げ研削用チャックテーブルを具備し、 前記粗研削用チャックテーブルから仕上げ研削用チャッ
    クテーブルへウエハを搬送するための吸着パッドを有す
    る搬送アームを備えた半導体ウエハ研削装置において、 前記吸着パッドの大きさを前記半導体ウエハの大きさと
    略同一又はそれ以上としたことを特徴とする半導体ウエ
    ハ研削装置。
  2. 【請求項2】 前記吸着パッドは真空吸着手段からなる
    ことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエハ研削装
    置。
JP17038295A 1995-06-13 1995-06-13 半導体ウエハ研削装置 Pending JPH08339983A (ja)

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JP17038295A JPH08339983A (ja) 1995-06-13 1995-06-13 半導体ウエハ研削装置

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JP17038295A JPH08339983A (ja) 1995-06-13 1995-06-13 半導体ウエハ研削装置

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JPH08339983A true JPH08339983A (ja) 1996-12-24

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ID=15903905

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JP17038295A Pending JPH08339983A (ja) 1995-06-13 1995-06-13 半導体ウエハ研削装置

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JP (1) JPH08339983A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199781A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
CN107316833A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 株式会社迪思科 晶片的加工方法

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017199781A (ja) * 2016-04-27 2017-11-02 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
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