JPH08335596A - Manufacture of semiconductor package - Google Patents
Manufacture of semiconductor packageInfo
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- JPH08335596A JPH08335596A JP14276095A JP14276095A JPH08335596A JP H08335596 A JPH08335596 A JP H08335596A JP 14276095 A JP14276095 A JP 14276095A JP 14276095 A JP14276095 A JP 14276095A JP H08335596 A JPH08335596 A JP H08335596A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体パ
ッケージの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a resin-sealed semiconductor package.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来より、フォトダイオードやフォトト
ランジスタ、さらにはCCDやLEDといった光デバイ
ス関連の半導体パッケージでは、透明樹脂を用いたパッ
ケージング形態が採用されている。その中でも、特に基
板上に実装された半導体チップを封止する際の樹脂封止
法としては、低粘度の液状樹脂を用いたポッティング法
や、金型を用いたトランスファ成形によるものが広く知
られている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor package related to an optical device such as a photodiode or a phototransistor, or a CCD or an LED, a packaging form using a transparent resin has been adopted. Among them, as a resin encapsulation method for encapsulating a semiconductor chip mounted on a substrate, a potting method using a low-viscosity liquid resin and a transfer molding method using a die are widely known. ing.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来にお
いては、いずれの樹脂封止法を採用しても、光デバイス
関連の半導体パッケージの製造にあたっては、半導体チ
ップを封止する樹脂封止部での異物の混入やボイドの生
成が半導体パッケージの歩留りを低下させる一因になっ
ていた。特に、トランスファ成形の場合は、金型に離型
剤をコーティングして樹脂封止するため、離型剤がパッ
ケージ表層部に入り込んでデバイス特性に悪影響を及ぼ
す虞れがあった。そのため、成形後にパッケージ表面を
研磨して離型剤を取り除く必要があり、一個ずつ樹脂封
止するポッティング方式と同様に生産性の面でも難点が
あった。However, in the past, no matter which resin encapsulation method is adopted, foreign matter in the resin encapsulation portion for encapsulating a semiconductor chip is used in the manufacture of a semiconductor package related to an optical device. The inclusion of voids and the formation of voids have been one of the causes of lowering the yield of semiconductor packages. Particularly, in the case of transfer molding, since the mold is coated with a mold release agent and resin-sealed, the mold release agent may get into the surface layer of the package and adversely affect the device characteristics. Therefore, it is necessary to polish the surface of the package after molding to remove the release agent, and there is a drawback in terms of productivity as in the potting method in which resin is sealed one by one.
【0004】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、その目的は、樹脂封止部での異物の混入や
ボイドの生成を抑制し、しかも生産性に優れた半導体パ
ッケージの製造方法を提供することにある。The present invention has been made to solve the above problems, and an object thereof is to manufacture a semiconductor package which suppresses the mixing of foreign matters and the formation of voids in the resin sealing portion and is excellent in productivity. To provide a method.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、複数の領域に区画され且
つ各々の区画領域に対応してチップ実装面と反対側の面
に外部接続用端子を有するベース基板を用いた半導体パ
ッケージの製造方法であって、ベース基板の各々の区画
領域に半導体チップを実装する第1の工程と、ベース基
板のチップ実装面側に樹脂封止用の簡易型を取り付ける
第2の工程と、予め異物除去フィルタで濾過した液状の
樹脂を真空雰囲気中で簡易型の内部に注入するととも
に、その注入した樹脂を硬化させてベース基板に実装し
た個々の半導体チップを一括して樹脂封止する第3の工
程と、ベース基板から簡易型を取り外したのち、所定の
区画ラインに沿って樹脂封止後のベース基板を切断する
第4の工程とを有するものである。The present invention has been made in order to achieve the above object, and is divided into a plurality of regions and is provided on the surface opposite to the chip mounting surface corresponding to each divided region. A method of manufacturing a semiconductor package using a base substrate having connection terminals, comprising: a first step of mounting a semiconductor chip in each of the divided regions of the base substrate; and resin sealing on the chip mounting surface side of the base substrate. In the second step of attaching the simple mold, the liquid resin previously filtered by the foreign matter removing filter is injected into the simple mold in a vacuum atmosphere, and the injected resin is hardened and mounted on the base substrate. It has a third step of collectively sealing the semiconductor chips with resin, and a fourth step of removing the simple mold from the base substrate and then cutting the resin-sealed base substrate along a predetermined division line. You It is intended.
【0006】[0006]
【作用】本発明の半導体パッケージの製造方法において
は、ベース基板の各々の区画領域に半導体チップを実装
したのち、ベース基板のチップ実装面側に樹脂封止用の
簡易型を取り付けることで、チップ実装面側に樹脂注入
空間が確保される。また、その後の樹脂封止に際して
は、予め異物除去フィルタで濾過した液状の樹脂を使用
することで、樹脂封止部への異物の混入が回避される。
さらに、真空雰囲気中で樹脂を注入することで、真空脱
泡効果により樹脂中に含まれるガスが抜け、樹脂封止部
でのボイドの生成が抑えられる。樹脂封止後は、ベース
基板から簡易型を取り外した状態で、所定の区画ライン
に沿ってベース基板を切断することにより、複数個の半
導体パッケージが同時に得られる。In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the semiconductor chip is mounted on each of the divided regions of the base substrate, and then the simple mold for resin sealing is attached to the chip mounting surface side of the base substrate to obtain the chip. A resin injection space is secured on the mounting surface side. Further, in the subsequent resin sealing, by using a liquid resin which has been filtered by a foreign matter removing filter in advance, it is possible to prevent foreign matter from entering the resin sealing portion.
Furthermore, by injecting the resin in a vacuum atmosphere, the gas contained in the resin escapes due to the vacuum defoaming effect, and the generation of voids in the resin sealing portion is suppressed. After the resin sealing, a plurality of semiconductor packages can be obtained at the same time by cutting the base substrate along a predetermined dividing line with the simple mold removed from the base substrate.
【0007】[0007]
【実施例】本発明に係わる半導体パッケージの製造方法
は、例えばガラスエポキシ基板やセラミック基板等を複
数の領域に区画し、その各々の区画領域に対応してチッ
プ実装面と反対側の面に外部接続用端子を有するベース
基板を用いて半導体パッケージを製造するものであり、
以下にその手順を詳しく説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a semiconductor package according to the present invention is a method in which, for example, a glass epoxy substrate or a ceramic substrate is divided into a plurality of regions, and each of the divided regions has an external surface on the side opposite to the chip mounting surface. A semiconductor package is manufactured using a base substrate having connection terminals,
The procedure will be described in detail below.
【0008】先ず、第1の工程では、図1に示すよう
に、平面視矩形のベース基板1を格子状に9つの領域に
区画し、そのチップ実装面1a側の各々の区画領域に対
して、図示せぬウエハから個片に分割された半導体チッ
プ2をダイボンド材により接合する。次に、チップボン
ディング済のベース基板1をワイヤボンディング装置に
供給し、そこで各々の区画領域に接合された半導体チッ
プ2と基板側の導体パターンとを金線等のワイヤ3にて
電気的に接続する。これにより、個々の半導体チップ2
は、ワイヤ3や基板側の導体パターン、さらにはベース
基板1に設けられたスルーホールを介して、チップ実装
面1aと反対側に設けられたピン状の外部接続用端子4
と導通した状態となる。First, in the first step, as shown in FIG. 1, the base substrate 1 having a rectangular shape in plan view is divided into nine areas in a grid pattern, and the divided areas on the chip mounting surface 1a side are divided into respective areas. Then, the semiconductor chip 2 divided into individual pieces from a wafer (not shown) is bonded by a die bonding material. Next, the chip-bonded base substrate 1 is supplied to a wire bonding apparatus, and the semiconductor chip 2 bonded to each of the divided regions and the conductor pattern on the substrate side are electrically connected by a wire 3 such as a gold wire. To do. As a result, the individual semiconductor chips 2
Is a pin-shaped external connection terminal 4 provided on the side opposite to the chip mounting surface 1a via the wire 3, the conductor pattern on the substrate side, and the through hole provided on the base substrate 1.
It becomes a state of continuity with.
【0009】なお、ベース基板1への半導体チップ2の
実装形態としては、上述したワイヤボンディング方式の
他にも、例えば半導体チップ2の電極部分にバンプを形
成して、これをフェースダウンで基板側導体と接続する
フリップチップ方式を採用することもできる。また、ベ
ース基板1に設けられる外部接続用端子4の形態として
も、BGA(ボールグリッドアレイ)に適用されるはん
だボール等の球状端子を採用することもできる。As a mounting form of the semiconductor chip 2 on the base substrate 1, in addition to the above-mentioned wire bonding method, for example, bumps are formed on the electrode portions of the semiconductor chip 2 and face down to the substrate side. A flip chip method of connecting to a conductor can also be adopted. Further, as the form of the external connection terminal 4 provided on the base substrate 1, a spherical terminal such as a solder ball applied to a BGA (ball grid array) can also be adopted.
【0010】次いで、第2の工程では、図2に示すよう
に、ベース基板1のチップ実装面1a側に樹脂封止用の
簡易型5を取り付ける。この簡易型5は、ベース基板1
の外形に倣った枠体であり、その成形に際しては、後述
するチップ封止材に対して離型効果が高いもの、例えば
チップ封止材がエポキシ樹脂やアクリル樹脂であればシ
リコン樹脂等を成形材料として用いる。さらに第2の工
程では、ベース基板1に簡易型5を取り付けたのち、透
明なプラスチック板6を簡易型5の上に被せ、両者を密
着させる。これにより、ベース基板1のチップ実装面1
a側に、簡易型5とプラスチック板6とによって樹脂注
入空間が確保される。Next, in the second step, as shown in FIG. 2, a simple mold 5 for resin sealing is attached to the chip mounting surface 1a side of the base substrate 1. This simplified type 5 is a base substrate 1
A frame body that follows the outer shape of the above, and at the time of its molding, one that has a high release effect for the chip sealing material described later, for example, if the chip sealing material is an epoxy resin or an acrylic resin, a silicon resin or the like is molded. Used as a material. Further, in the second step, after the simple mold 5 is attached to the base substrate 1, the transparent plastic plate 6 is covered on the simple mold 5 to bring them into close contact with each other. As a result, the chip mounting surface 1 of the base substrate 1
A resin injection space is secured by the simple mold 5 and the plastic plate 6 on the a side.
【0011】続いて、第3の工程では、図3に示すよう
に、簡易型5付きのベース基板1を垂直に立てた状態で
真空槽7の中にセットし、排気系に設けられたバルブ8
を開いて真空ポンプ9の排気作用により真空槽7の内部
を真空雰囲気に保持する。この状態で、樹脂供給系のバ
ルブ10を開いて樹脂供給部11より液状の樹脂12を
送り出す。これにより、樹脂注入部11から送り出され
た樹脂12は簡易型5の側壁部に設けられた樹脂注入孔
5aを通して簡易型5の内部に注入される。このとき、
樹脂12の注入とともに、簡易型5の内部ガスは樹脂注
入口5aの反対側に設けられた抜き孔5bから排出され
る。Subsequently, in the third step, as shown in FIG. 3, the base substrate 1 with the simplified mold 5 is set in a vertically standing state in a vacuum chamber 7 and a valve provided in an exhaust system. 8
And the inside of the vacuum chamber 7 is kept in a vacuum atmosphere by the evacuation action of the vacuum pump 9. In this state, the resin supply system valve 10 is opened and the liquid resin 12 is sent out from the resin supply section 11. As a result, the resin 12 delivered from the resin injection section 11 is injected into the simplified mold 5 through the resin injection hole 5a provided in the side wall of the simplified mold 5. At this time,
With the injection of the resin 12, the internal gas of the simplified mold 5 is discharged from the vent hole 5b provided on the opposite side of the resin injection port 5a.
【0012】ここで本実施例においては、樹脂封止に使
用する樹脂12として低粘度の液状樹脂を採用し、実際
に使用する前に例えば図4に示す濾過装置20を用い
て、異物除去フィルタ(メンブレンフィルタ等)21に
より異物を取り除き、受け部材22を通して樹脂ケース
23に回収されたものを樹脂供給部11より供給するよ
うにした。また、樹脂ケース22にて回収された樹脂1
2は多量のガスを含んでいる虞れがあるため、一旦、樹
脂ケース22を真空雰囲気中に放置して、真空脱泡効果
によりガス抜きを行うようにした。In this embodiment, a liquid resin having a low viscosity is adopted as the resin 12 used for the resin encapsulation, and a foreign matter removing filter is used by using, for example, the filtering device 20 shown in FIG. The foreign matter is removed by a (membrane filter or the like) 21, and the recovered material is supplied from the resin supply section 11 to the resin case 23 through the receiving member 22. In addition, the resin 1 collected in the resin case 22
Since 2 may contain a large amount of gas, the resin case 22 was once left in a vacuum atmosphere and degassed by the vacuum defoaming effect.
【0013】こうした樹脂の注入に際しては、真空槽7
の内部が真空ポンプ9の排気作用によって真空状態に保
持されているため、樹脂注入口5aから吐出した樹脂1
2が真空力によって自然に吸い上げられる。そのため、
樹脂注入空間となる簡易型5の内部に適量の樹脂12を
スムーズに充填させることができる。また、真空雰囲気
中で樹脂12を注入することから、樹脂12中に含まれ
るガスが真空脱泡効果によって樹脂表面から沸き出るた
め、樹脂封止部でのボイドの生成を効果的に抑制するこ
とができる。さらに、予め異物除去フィルタ21で濾過
した液状の樹脂12を使用しているため、封止樹脂部へ
の異物の混入も確実に回避することができる。When injecting such a resin, the vacuum chamber 7
Since the inside of the resin is kept in a vacuum state by the evacuation action of the vacuum pump 9, the resin 1 discharged from the resin injection port 5a
2 is naturally sucked up by the vacuum force. for that reason,
It is possible to smoothly fill an appropriate amount of the resin 12 into the inside of the simple mold 5 serving as the resin injection space. In addition, since the resin 12 is injected in a vacuum atmosphere, the gas contained in the resin 12 is boiled out of the resin surface due to the vacuum defoaming effect, so that the generation of voids in the resin sealing portion is effectively suppressed. You can Furthermore, since the liquid resin 12 that has been filtered by the foreign matter removing filter 21 is used in advance, it is possible to reliably prevent foreign matter from entering the sealing resin portion.
【0014】さらに第3の工程では、真空槽7の中に設
置したヒータ13の加熱作用によって、簡易型5の内部
に注入した樹脂12を熱硬化させる。ヒータ13による
加熱処理は、樹脂注入と同時進行で行ってもよいし、樹
脂注入後に別個に行ってもよい。ちなみに、チップ封止
材に紫外線硬化型樹脂を用いた場合は、プラスチック板
6に紫外線を照射することにより、注入樹脂を硬化させ
る。これにより、ベース基板1に実装された個々の半導
体チップ2は一括して樹脂封止されることになる。Further, in the third step, the resin 12 injected into the simple mold 5 is thermally cured by the heating action of the heater 13 installed in the vacuum chamber 7. The heat treatment by the heater 13 may be performed simultaneously with the resin injection, or may be performed separately after the resin injection. By the way, when an ultraviolet curable resin is used for the chip sealing material, the injected resin is cured by irradiating the plastic plate 6 with ultraviolet rays. As a result, the individual semiconductor chips 2 mounted on the base substrate 1 are collectively resin-sealed.
【0015】その後、第4の工程では、図5に示すよう
に、樹脂封止に使用した簡易型5をプラスチック板6と
ともにベース基板1から取り外したのち、図1に示す区
画ライン(破線)に沿って樹脂封止後のベース基板1を
切断する。これにより、図6に示すように、基板1上に
実装された半導体チップ2を樹脂12にて封止してなる
樹脂封止型の半導体パッケージが個体化されるため、単
一のベース基板1から同時に複数個(図例では9個)の
半導体パッケージが得られる。Thereafter, in the fourth step, as shown in FIG. 5, the simple mold 5 used for resin sealing is removed from the base substrate 1 together with the plastic plate 6, and then the division line (broken line) shown in FIG. Along the way, the base substrate 1 after resin sealing is cut. As a result, as shown in FIG. 6, the resin-encapsulated semiconductor package in which the semiconductor chip 2 mounted on the substrate 1 is encapsulated with the resin 12 is solidified, so that the single base substrate 1 Thus, a plurality (9 in the illustrated example) of semiconductor packages can be obtained at the same time.
【0016】なお、上記第3の工程での樹脂封止に際し
ては、真空槽7の中にベース基板1を水平にセットし、
簡易型5の上方から樹脂を供給することで、必ずしもプ
ラスチック板6を使用する必要はないが、プラスチック
板6を使用した方が真空雰囲気中における樹脂の自然な
吸い上がりによって充填がスムーズに行える他、パッケ
ージ表面も精度良く平滑に仕上がるため、より好適であ
る。また、プラスチック板6に代えてガラス基板を用い
ることも可能であるが、熱収縮に対する追従性を考慮す
るとプラスチック板6を採用した方が好ましい。When the resin is sealed in the third step, the base substrate 1 is set horizontally in the vacuum chamber 7,
It is not always necessary to use the plastic plate 6 by supplying the resin from above the simplified mold 5, but the plastic plate 6 allows the resin to be naturally sucked up in a vacuum atmosphere so that the filling can be smoothly performed. It is more preferable because the package surface is finished accurately and smoothly. Although a glass substrate can be used instead of the plastic plate 6, it is preferable to use the plastic plate 6 in consideration of the followability to heat shrinkage.
【0017】さらに第4の工程においては、プラスチッ
ク板6を簡易型5と一緒に取り外すようにしたが、特に
デバイス特性に悪影響を与える虞れがなければ、プラス
チック板6付きで最終製品形態とすることも可能であ
る。Further, in the fourth step, the plastic plate 6 is removed together with the simplified mold 5. However, if there is no possibility of adversely affecting the device characteristics, the plastic plate 6 is attached to form the final product form. It is also possible.
【0018】[0018]
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
予め異物除去フィルタで濾過した液状の樹脂を、チップ
実装済のベース基板に取り付けた簡易型の内部に真空雰
囲気中で注入することにより、樹脂封止部での異物の混
入とボイドの生成を確実に抑制することができる。ま
た、樹脂封止後にベース基板から簡易型を取り外したの
ち、所定の区画ラインに沿ってベース基板を切断するこ
とで、単一のベース基板から複数個の半導体パッケージ
を同時に得ることができる。その結果、特に光デバイス
関連の半導体パッケージを製造するにあたっては、異物
の混入やボイドの生成に伴うデバイス特性への悪影響を
回避しつつ、生産性に優れた製造方法を提供できること
になる。さらに、本発明の実施にあたっては、簡易型を
成形加工によって安価に入手できることから、設備コス
トが安いうえに高い生産性が得られ、しかも樹脂封止部
での異物の混入やボイドを生成を抑えることで工程歩留
りも向上するため、半導体パッケージの製造コストを大
幅に低減することも可能である。As described above, according to the present invention,
By injecting liquid resin that has been filtered by a foreign matter removal filter in advance into a simple mold mounted on a chip-mounted base substrate in a vacuum atmosphere, it is possible to ensure that foreign matter is mixed in and voids are created in the resin encapsulation part. Can be suppressed. Further, after the simple mold is removed from the base substrate after resin sealing, the base substrate is cut along a predetermined division line, so that a plurality of semiconductor packages can be simultaneously obtained from a single base substrate. As a result, particularly when manufacturing a semiconductor package related to an optical device, it is possible to provide a manufacturing method excellent in productivity while avoiding adverse effects on the device characteristics due to inclusion of foreign matter and generation of voids. Furthermore, in carrying out the present invention, since a simple mold can be obtained at low cost by molding, the equipment cost is low and high productivity can be obtained, and further, contamination of foreign matters and generation of voids in the resin sealing portion are suppressed. As a result, the process yield is also improved, and the manufacturing cost of the semiconductor package can be significantly reduced.
【図1】本発明に係わるパッケージ製造方法の第1の工
程を説明する図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a first step of a package manufacturing method according to the present invention.
【図2】本発明に係わるパッケージ製造方法の第2の工
程を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a second step of the package manufacturing method according to the present invention.
【図3】本発明に係わるパッケージ製造方法の第3の工
程を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a third step of the package manufacturing method according to the present invention.
【図4】異物の除去に用いた濾過装置の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a filtering device used for removing foreign matter.
【図5】本発明に係わるパッケージ製造方法の第4の工
程を説明する図(その1)である。FIG. 5 is a view (No. 1) for explaining the fourth step of the package manufacturing method according to the present invention.
【図6】本発明に係わるパッケージ製造方法の第4の工
程を説明する図(その2)である。FIG. 6 is a view (No. 2) explaining the fourth step of the package manufacturing method according to the present invention.
1 ベース基板 2 半導体チップ 4 外部接続用端子 5 簡易型 12 樹脂 1 base substrate 2 semiconductor chip 4 external connection terminal 5 simple type 12 resin
Claims (1)
域に対応してチップ実装面と反対側の面に外部接続用端
子を有するベース基板を用いた半導体パッケージの製造
方法であって、 前記ベース基板の各々の区画領域に半導体チップを実装
する第1の工程と、 前記ベース基板のチップ実装面側に樹脂封止用の簡易型
を取り付ける第2の工程と、 予め異物除去フィルタで濾過した液状の樹脂を真空雰囲
気中で前記簡易型の内部に注入するとともに、その注入
した樹脂を硬化させて前記ベース基板に実装した個々の
半導体チップを一括して樹脂封止する第3の工程と、 前記ベース基板から前記簡易型を取り外したのち、所定
の区画ラインに沿って前記樹脂封止後のベース基板を切
断する第4の工程とを有することを特徴とする半導体パ
ッケージの製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor package, comprising: a base substrate which is divided into a plurality of regions and has external connection terminals on a surface opposite to a chip mounting surface corresponding to each of the divided areas, A first step of mounting a semiconductor chip on each of the divided regions of the base substrate, a second step of mounting a simple mold for resin sealing on the chip mounting surface side of the base substrate, and a filter for removing foreign matter in advance A third step of injecting a liquid resin into the inside of the simple mold in a vacuum atmosphere, and curing the injected resin to collectively seal the individual semiconductor chips mounted on the base substrate with a resin; A fourth step of removing the simple mold from the base substrate and then cutting the resin-sealed base substrate along a predetermined dividing line. Manufacturing method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14276095A JPH08335596A (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Manufacture of semiconductor package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14276095A JPH08335596A (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Manufacture of semiconductor package |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08335596A true JPH08335596A (en) | 1996-12-17 |
Family
ID=15322947
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14276095A Pending JPH08335596A (en) | 1995-06-09 | 1995-06-09 | Manufacture of semiconductor package |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08335596A (en) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168154A (en) * | 1997-08-25 | 1999-06-22 | Motorola Inc | Semiconductor element and manufacture thereof |
KR20000015593A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-15 | 김규현 | Curing method of liquid phase sealing material for semiconductor package |
US6180435B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor device with economical compact package and process for fabricating semiconductor device |
JP2008205516A (en) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JP2008205515A (en) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012164769A (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing high frequency module |
-
1995
- 1995-06-09 JP JP14276095A patent/JPH08335596A/en active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11168154A (en) * | 1997-08-25 | 1999-06-22 | Motorola Inc | Semiconductor element and manufacture thereof |
US6180435B1 (en) | 1998-06-24 | 2001-01-30 | Nec Corporation | Semiconductor device with economical compact package and process for fabricating semiconductor device |
KR20000015593A (en) * | 1998-08-31 | 2000-03-15 | 김규현 | Curing method of liquid phase sealing material for semiconductor package |
JP2008205516A (en) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Semiconductor device |
JP2008205515A (en) * | 2008-05-29 | 2008-09-04 | Sanyo Electric Co Ltd | Manufacturing method of semiconductor device |
JP2012164769A (en) * | 2011-02-04 | 2012-08-30 | Murata Mfg Co Ltd | Method of manufacturing high frequency module |
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