JPH0833539B2 - 反射型液晶表示デバイス - Google Patents
反射型液晶表示デバイスInfo
- Publication number
- JPH0833539B2 JPH0833539B2 JP63072443A JP7244388A JPH0833539B2 JP H0833539 B2 JPH0833539 B2 JP H0833539B2 JP 63072443 A JP63072443 A JP 63072443A JP 7244388 A JP7244388 A JP 7244388A JP H0833539 B2 JPH0833539 B2 JP H0833539B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- pixel electrode
- reflective pixel
- display device
- reflective
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、プロジェクション表示デバイスに利用する
アクティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関す
るものである。
アクティブ素子を有した反射型液晶表示デバイスに関す
るものである。
従来の技術 近年、アクティブ素子を利用した液晶表示デバイスは
ポケットテレビまたは情報端末として利用されるように
なってきた。
ポケットテレビまたは情報端末として利用されるように
なってきた。
以下に従来の反射型液晶表示デバイスについて説明す
る。
る。
第２図は従来の反射型液晶表示デバイスの断面図であ
り、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素
子、４は絶縁体層、５は反射画素電極、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板、９はブラックマト
リックスである。
り、１は絶縁基板、２は配線電極、３はスイッチング素
子、４は絶縁体層、５は反射画素電極、６は液晶層、７
は対向共通電極、８は対向透明基板、９はブラックマト
リックスである。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスにつ
いて、以下その動作について説明する。
いて、以下その動作について説明する。
まず、スイッチング素子３がオン状態になると反射画
素電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５
と対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加さ
れ、液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするた
めの光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５
で入射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際
に偏光され、偏光されなかった画素との間にコントラス
トの差が生じ、画像が得られる。対向透明電極基板８上
のブラックマトリックス９は反射画素電極５部分以外で
生じる色むらを隠すためのものである。
素電極５に電流が流れる。これにより、反射画素電極５
と対向共通電極７に挟まれた液晶層６に電圧が印加さ
れ、液晶が動作する。このとき、表示を見やすくするた
めの光は対向透明電極側から照射され、反射画素電極５
で入射光は反射される。ここで、光は液晶層６を通る際
に偏光され、偏光されなかった画素との間にコントラス
トの差が生じ、画像が得られる。対向透明電極基板８上
のブラックマトリックス９は反射画素電極５部分以外で
生じる色むらを隠すためのものである。
発明が解決しようとする課題 しかしながら上記の従来の構成では、光が液晶層側か
ら反射電極間の絶縁層を通ってTFT内部に進入するた
め、スイッチング素子に光が作用して、スイッチング素
子を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光伝
導）。これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えられ
た電荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液晶
の配向が変化してコントラストの低下をもたらすという
欠点を有していた。
ら反射電極間の絶縁層を通ってTFT内部に進入するた
め、スイッチング素子に光が作用して、スイッチング素
子を構成する半導体層の電気抵抗を減少させる（光伝
導）。これにより画素電極と対向共通電極とに蓄えられ
た電荷がスイッチング素子を通して漏れ、結果的に液晶
の配向が変化してコントラストの低下をもたらすという
欠点を有していた。
本発明は上記従来の問題点を解決するものでディスプ
レイ画面のコントラスト低下を解消するとともにブラッ
クマトリックスが同時に形成することができ、工程の簡
略化も実現することのできる反射型液晶表示デバイスを
提供することを目的とする。
レイ画面のコントラスト低下を解消するとともにブラッ
クマトリックスが同時に形成することができ、工程の簡
略化も実現することのできる反射型液晶表示デバイスを
提供することを目的とする。
課題を解決するための手段 この目的を達成するために本発明の反射型液晶表示デ
バイスは、反射画素電極群と反射画素電極の少なくとも
下層に設けられ、前記反射画素電極群に信号を供給する
ためのスイッチング素子群を有した基板と、液晶を介し
て一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通電極を有
している基板とで構成されており、前記反射画素電極と
これに隣接する反射画素電極の間の絶縁層上に、反射画
素電極と同一平面上に設けられた光吸収係数の高い絶縁
物から構成されている。
バイスは、反射画素電極群と反射画素電極の少なくとも
下層に設けられ、前記反射画素電極群に信号を供給する
ためのスイッチング素子群を有した基板と、液晶を介し
て一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通電極を有
している基板とで構成されており、前記反射画素電極と
これに隣接する反射画素電極の間の絶縁層上に、反射画
素電極と同一平面上に設けられた光吸収係数の高い絶縁
物から構成されている。
作用 この構成によって、入射光及び反射光が反射電極間の
絶縁層からアレイ内部に進入することを防ぎ、スイッチ
ング素子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことがで
きる。
絶縁層からアレイ内部に進入することを防ぎ、スイッチ
ング素子の光伝導が原因となる漏れ電流を防ぐことがで
きる。
実施例 以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デ
バイスの断面構造を示すものである。第１図において、
11は絶縁基板としてガラス基板、12は配線電極、13はス
イッチング素子として薄膜トランジスタおよび補助容量
（TFT）、14は絶縁体層として非晶質窒化ケイ素膜、15
は反射画素電極、16は液晶層、17は対向共通電極とし
て、スパッタにより成膜されたITOであり、18は対向透
明基板としてガラス基板、19は黒色絶縁体として、スハ
ッタにより形成されたPrMnO3膜である。
バイスの断面構造を示すものである。第１図において、
11は絶縁基板としてガラス基板、12は配線電極、13はス
イッチング素子として薄膜トランジスタおよび補助容量
（TFT）、14は絶縁体層として非晶質窒化ケイ素膜、15
は反射画素電極、16は液晶層、17は対向共通電極とし
て、スパッタにより成膜されたITOであり、18は対向透
明基板としてガラス基板、19は黒色絶縁体として、スハ
ッタにより形成されたPrMnO3膜である。
さらに補助容量は配線電極12上に形成されている。
以上のように構成された反射型液晶表示デバイスにつ
いて、その動作は従来の動作と同様である。
いて、その動作は従来の動作と同様である。
以上のように本実施例によれば、反射画素電極間の絶
縁層上に黒色絶縁体PrMnO3で埋めることにより、光のTF
T側内部への進入を抑えることができ、スイッチング素
子の光伝導による漏れ電流を防ぐことができる。
縁層上に黒色絶縁体PrMnO3で埋めることにより、光のTF
T側内部への進入を抑えることができ、スイッチング素
子の光伝導による漏れ電流を防ぐことができる。
また、黒色絶縁体をTFT側基板の反射画素電極間に形
成することにより、対向透明基板上にブラックマトリッ
クスの形成工程が削減でき、TFT側基板と対向透明基板
とのアライメントが不用となり、製造工程の簡略化が図
れる。
成することにより、対向透明基板上にブラックマトリッ
クスの形成工程が削減でき、TFT側基板と対向透明基板
とのアライメントが不用となり、製造工程の簡略化が図
れる。
なお、黒色絶縁体としてPrMnO3という酸化物を用いた
が、光吸収が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
が、光吸収が高く、絶縁性のよい有機物でもよい。
発明の効果 以上のように本発明は、液晶を表示させるためにマト
リックス状に配列されている反射画素電極群と反射画素
電極の少なくとも下層に設けられ、前記反射画素電極群
に信号を供給するためのスイッチング素子群を有した基
板と、液晶を介して一定の間隔を有して前記基板と対向
し、共通電極を有している基板とで構成されており、前
記反射画素電極とこれに隣接する反射画素電極の間の絶
縁層上に、反射画素電極と同一平面上に設けられた光吸
収係数の高い絶縁物とを備えた反射型液晶表示デバイス
であるため、反射画素電極とこれに隣接する反射画素電
極の間の絶縁体層上に光吸収効果の高い絶縁物を形成す
ることにより、液晶層側からの光が絶縁層を通ってアレ
イ内部へ進入することを防ぎ、スイッチング素子が光伝
導により抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことが
できる。更に、対向透明基板側に形成していたブラック
マトリックスを不要にすることができ、製造工程の簡略
化に大きく貢献し、生産のコストを低減できるなど、数
々の優れた効果を得ることのできる反射型液晶表示デバ
イスを実現できるものである。
リックス状に配列されている反射画素電極群と反射画素
電極の少なくとも下層に設けられ、前記反射画素電極群
に信号を供給するためのスイッチング素子群を有した基
板と、液晶を介して一定の間隔を有して前記基板と対向
し、共通電極を有している基板とで構成されており、前
記反射画素電極とこれに隣接する反射画素電極の間の絶
縁層上に、反射画素電極と同一平面上に設けられた光吸
収係数の高い絶縁物とを備えた反射型液晶表示デバイス
であるため、反射画素電極とこれに隣接する反射画素電
極の間の絶縁体層上に光吸収効果の高い絶縁物を形成す
ることにより、液晶層側からの光が絶縁層を通ってアレ
イ内部へ進入することを防ぎ、スイッチング素子が光伝
導により抵抗が下がることによる漏れ電流を防ぐことが
できる。更に、対向透明基板側に形成していたブラック
マトリックスを不要にすることができ、製造工程の簡略
化に大きく貢献し、生産のコストを低減できるなど、数
々の優れた効果を得ることのできる反射型液晶表示デバ
イスを実現できるものである。
第１図は本発明の一実施例における反射型液晶表示デバ
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図である。 11……ガラス基板、12……配線電極、13……TFT、14…
…非晶質窒化ケイ素膜層、15……反射画素電極、16……
液晶層、17……対向共通電極、18……対向ガラス基板、
19……PrMnO3膜層。
イスの断面図、第２図は従来の反射型液晶表示デバイス
を示す断面図である。 11……ガラス基板、12……配線電極、13……TFT、14…
…非晶質窒化ケイ素膜層、15……反射画素電極、16……
液晶層、17……対向共通電極、18……対向ガラス基板、
19……PrMnO3膜層。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶を表示させるためにマトリックス状に
配列されている反射画素電極群と反射画素電極の少なく
とも下層に設けられ、前記反射画素電極群に信号を供給
するためのスイッチング素子群を有した基板と、液晶を
介して一定の間隔を有して前記基板と対向し、共通電極
を有している基板とで構成されており、前記反射画素電
極とこれに隣接する反射画素電極の間の絶縁層上に、反
射画素電極と同一平面上に設けられた光吸収係数の高い
絶縁物とを備えたことを特徴とする反射型液晶表示デバ
イス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072443A JPH0833539B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 反射型液晶表示デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63072443A JPH0833539B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 反射型液晶表示デバイス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01244426A JPH01244426A (ja) | 1989-09-28 |
| JPH0833539B2 true JPH0833539B2 (ja) | 1996-03-29 |
Family
ID=13489436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63072443A Expired - Lifetime JPH0833539B2 (ja) | 1988-03-25 | 1988-03-25 | 反射型液晶表示デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0833539B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5668437A (en) | 1996-05-14 | 1997-09-16 | Micro Display Technology, Inc. | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
| AU3127397A (en) * | 1996-05-14 | 1997-12-05 | Micron Technologies, Inc. | Praseodymium-manganese oxide layer for use in field emission displays |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5627114A (en) * | 1979-08-10 | 1981-03-16 | Canon Inc | Liquid crystal display cell |
| JPS5677887A (en) * | 1979-11-30 | 1981-06-26 | Citizen Watch Co Ltd | Liquid crystal display unit |
| JPS61109487U (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-11 |
-
1988
- 1988-03-25 JP JP63072443A patent/JPH0833539B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01244426A (ja) | 1989-09-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| EXPY | Cancellation because of completion of term |