JPH08331490A - Image display device - Google Patents

Image display device

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Publication number
JPH08331490A
JPH08331490A JP13792995A JP13792995A JPH08331490A JP H08331490 A JPH08331490 A JP H08331490A JP 13792995 A JP13792995 A JP 13792995A JP 13792995 A JP13792995 A JP 13792995A JP H08331490 A JPH08331490 A JP H08331490A
Authority
JP
Japan
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electron
signal
display device
image display
image
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP13792995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Izumi Kanai
泉 金井
Hideaki Mitsutake
英明 光武
Hidetoshi Suzuki
英俊 鱸
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP13792995A priority Critical patent/JPH08331490A/en
Publication of JPH08331490A publication Critical patent/JPH08331490A/en
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  • Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide an image display device with which the luminance of emitted light can be increased without increasing a voltage to be impressed on an electron source or a voltage for accelerating electrons. CONSTITUTION: A polarity is electrically switched corresponding to a switch signal from a switching circuit 5, and two rows of a display panel 12 are simultaneously selected corresponding to a scan signal outputted by a scanning row selection circuit 7. Corresponding to a video signal outputted through an MOS- FET gate 11 for which the polarity of that output signal is switched by a switching circuit 10, elements in the column direction of the display panel 12 are driven. In this case, the electric polarities of the scan signal and video signal are made mutually different so that a phosphor corresponding to one display picture element of the display panel 12 can be driven and emitted by the electrons discharged from plural electron discharging elements.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、電子源として複数の表
面伝導型放出素子を用い、これらを2次元平面上に複数
個配置した画像表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image display device using a plurality of surface conduction electron-emitting devices as electron sources and arranging a plurality of these devices on a two-dimensional plane.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、電子放出素子としては、熱陰
極素子と冷陰極素子の2種類が知られている。このうち
冷陰極素子では、例えば、表面伝導型電子放出素子や、
電界放出型素子(以下FE型と記す)や、金属/絶縁層
/金属型放出素子(以下MIM型と記す)などが知られ
ている。
2. Description of the Related Art Conventionally, two types of electron-emitting devices are known, a hot cathode device and a cold cathode device. Among them, in the cold cathode device, for example, a surface conduction electron-emitting device,
A field emission type element (hereinafter referred to as FE type), a metal / insulating layer / metal type emission element (hereinafter referred to as MIM type), and the like are known.

【0003】FE型の例としては、例えば、W. P. Dyke
&W. W. Dolan,“Field emission”,Advance in Elec
tron Physics, 8, 89 (1956)や、或は、C. A. Spindt,
“Physical Properties of thin-film field emission
catheodes with molybdenumcones”,J. Appl. Phys.,
47, 5248 (1976)等が知られている。
As an example of the FE type, for example, WP Dyke
& W. W. Dolan, “Field emission”, Advance in Elec
tron Physics, 8, 89 (1956) or CA Spindt,
“Physical Properties of thin-film field emission
catheodes with molybdenumcones ”, J. Appl. Phys.,
47, 5248 (1976) and the like are known.

【0004】また、MIM型の例としては、例えば、C.
A. Mead, “Operation of tunnel-emission Devices,
J. Appl. Phys., 32,646 (1961)などが知られている。
Further, as an example of the MIM type, for example, C.I.
A. Mead, “Operation of tunnel-emission Devices,
J. Appl. Phys., 32,646 (1961) and the like are known.

【0005】また表面伝導型電子放出素子としては、例
えば、M. I. Elinson Radio Eng. Electron Phys., 10,
1290. (1965)や、後述する他の例が知られている。
As the surface conduction electron-emitting device, for example, MI Elinson Radio Eng. Electron Phys., 10,
1290. (1965) and other examples described later are known.

【0006】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子放出が生ずる現象を利用するものである。この
表面伝導型電子放出素子としては、前記エリンソン(Eli
nson)等によるSnO2 薄膜を用いたものの他に、Au
薄膜によるもの[G. Dittmer:“Thin Solid Films”,,
9,317(1972)]や、In2 O3 /SnO2 薄膜によるも
の[M. Hartwell and C. G. Fonstad:“IEEE Trans. ED
Conf.”,519 (1975)]や、カーボン薄膜によるもの
[荒木久 他:真空、第26巻、第1号、22(198
3)]等が報告されている。
The surface conduction electron-emitting device utilizes a phenomenon in which electron emission occurs in a small-area thin film formed on a substrate by passing a current in parallel with the film surface. As the surface conduction electron-emitting device, the above-mentioned Elison (Elison
nson) et al. using a SnO2 thin film,
By thin film [G. Dittmer: “Thin Solid Films” ,,
9,317 (1972)] and In2O3 / SnO2 thin film [M. Hartwell and CG Fonstad: "IEEE Trans. ED
Conf. ”, 519 (1975)] and carbon thin films [Hiraki Araki et al .: Vacuum, Vol. 26, No. 1, 22 (198).
3)] etc. have been reported.

【0007】これらの表面伝導型電子放出素子の素子構
成の典型的な例として、M. Hartwellらによる素子の平
面図を図21に示す。同図において、3001は基板
で、3004はスパッタで形成された金属酸化物よりな
る導電性薄膜である。この導電性薄膜3004は図示の
ようにH字形の平面形状に形成されている。この導電性
薄膜3004に後述の通電フォーミングと呼ばれる通電
処理を施すことにより、電子放出部3005が形成され
る。尚、図中の間隔Lは、0.5〜1[mm],Wは
0.1[mm]で設定されている。また、図示の便宜か
ら、電子放出部3005は導電性薄膜3004の中央に
矩形の形状で示したが、これは模式的なものであり、実
際の電子放出部の位置や形状を忠実に表現しているわけ
ではない。
As a typical example of the device configuration of these surface conduction electron-emitting devices, a plan view of the device by M. Hartwell et al. Is shown in FIG. In the figure, 3001 is a substrate, and 3004 is a conductive thin film made of metal oxide formed by sputtering. The conductive thin film 3004 is formed in an H-shaped plane shape as shown in the drawing. An electron-emitting portion 3005 is formed by subjecting this conductive thin film 3004 to an energization process called energization forming described later. The interval L in the figure is set to 0.5 to 1 [mm], and W is set to 0.1 [mm]. Further, for convenience of illustration, the electron emitting portion 3005 is shown as a rectangular shape in the center of the conductive thin film 3004, but this is a schematic one, and the actual position and shape of the electron emitting portion are faithfully expressed. It doesn't mean that.

【0008】M. Hartwellらによる素子を初めとして上
述の表面伝導型電子放出素子においては、電子放出を行
う前に導電性薄膜3004に通電フォーミングと呼ばれ
る通電処理を施すことにより電子放出部3005を形成
するのが一般的であった。即ち、通電フォーミングと
は、導電性薄膜3004の両端に一定の直流電圧、もし
くは、例えば1V/分程度の非常にゆっくりとしたレー
トで昇圧する直流電圧を印加して通電し、導電性薄膜3
004を局所的に破壊もしくは変形もしくは変質せし
め、電気的に高抵抗な状態の電子放出部3005を形成
することである。尚、局所的に破壊もしくは変形もしく
は変質した導電性薄膜3004の一部には亀裂が発生す
る。そして、この通電フォーミング後に導電性薄膜30
04に適宜の電圧を印加した場合には、その亀裂付近に
おいて電子放出が行われる。
In the surface conduction electron-emitting device described above including the device by M. Hartwell et al., The electron-emitting portion 3005 is formed by subjecting the conductive thin film 3004 to an energization process called energization forming before the electron emission. It was common to do. That is, the energization forming is performed by applying a constant DC voltage or a DC voltage that is boosted at a very slow rate of, for example, about 1 V / min to both ends of the conductive thin film 3004 to conduct electricity, and the conductive thin film 3
That is, 004 is locally destroyed, deformed, or altered to form an electron emitting portion 3005 having a high electrical resistance. A crack occurs in a part of the conductive thin film 3004 which is locally destroyed, deformed or altered. After this energization forming, the conductive thin film 30 is formed.
When an appropriate voltage is applied to 04, electrons are emitted near the crack.

【0009】上述の表面伝導型電子放出素子は、冷陰極
素子の中でも特に構造が単純で製造も容易であることか
ら、大面積に亙って多数の素子を形成できる利点があ
る。そこで、例えば本件出願人による特開昭64−31
332号公報において開示されるように、多数の素子を
配列して駆動するための方法が研究されている。
The surface conduction electron-emitting device described above has an advantage that a large number of devices can be formed over a large area because it has a simple structure and is easy to manufacture among cold cathode devices. Therefore, for example, JP-A-64-31 by the applicant of the present application
As disclosed in Japanese Patent No. 332, a method for arranging and driving a large number of elements has been studied.

【0010】また、表面伝導型放出素子の応用について
は、例えば、画像表示装置、画像記録装置などの画像形
成装置や、荷電ビーム源、等が研究されている。
Regarding the application of the surface conduction electron-emitting device, for example, an image forming apparatus such as an image display apparatus and an image recording apparatus, a charged beam source, and the like have been studied.

【0011】特に、画像表示装置への応用としては、例
えば本件出願人によるUSP 5,066,883や特開平2−25
7551号公報や特開平4−28137号公報において
開示されているように、表面伝導型電子放出素子と電子
ビームの照射により発光する蛍光体とを組み合わせて用
いた画像表示装置が研究されている。このような表面伝
導型電子放出素子と蛍光体とを組み合わせて用いた画像
表示装置は、従来の他の方式の画像表示装置よりも優れ
た特性が期待されている。例えば、近年普及してきた液
晶表示装置と比較しても、自発光型であるためバックラ
イトを必要としない点や、視野角が広い点が優れている
と言える。
Particularly, as an application to an image display device, for example, USP 5,066,883 by the applicant of the present application and JP-A-2-25
As disclosed in Japanese Patent No. 7551 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 4-28137, an image display device using a combination of a surface conduction electron-emitting device and a phosphor that emits light when irradiated with an electron beam has been studied. An image display device using such a combination of a surface conduction electron-emitting device and a phosphor is expected to have better characteristics than other conventional image display devices. For example, it can be said that it is superior in that it does not require a backlight because it is a self-luminous type and that it has a wide viewing angle, even compared with liquid crystal display devices that have become popular in recent years.

【0012】図22は、従来の表面伝導型放出素子を用
いた表示装置における電子放出素子と蛍光体との位置関
係を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a positional relationship between an electron-emitting device and a phosphor in a display device using a conventional surface conduction electron-emitting device.

【0013】図示のように、蛍光体5000はフェース
プレート5001の内側に塗布されている。電子放出素
子5004は一対の電極5005に挟まれており、これ
ら一対の電極5005間に、ある値以上の電圧を印加す
ることにより、電子放出部5006から電子が放出され
る。こうして放出された電子は、図に示すような電子軌
道5003を描いて蛍光体5000に照射される。この
とき、電子放出部5006より放出された電子をフェー
スプレート5001方向に加速して蛍光体5000に照
射するための加速電圧をVa[V]とし、電子放出部5
006より電子を放出させるために電極5005に印加
する電圧をVf[V]としている。
As shown, the phosphor 5000 is applied to the inside of the face plate 5001. The electron-emitting device 5004 is sandwiched between a pair of electrodes 5005, and when a voltage of a certain value or more is applied between the pair of electrodes 5005, electrons are emitted from the electron-emitting portion 5006. The electrons emitted in this way irradiate the phosphor 5000 in an electron orbit 5003 as shown in the figure. At this time, the acceleration voltage for accelerating the electrons emitted from the electron emitting portion 5006 toward the face plate 5001 and irradiating the phosphor 5000 is Va [V], and the electron emitting portion 5
The voltage applied to the electrode 5005 in order to emit electrons from 006 is Vf [V].

【0014】従来、このような表示装置の輝度を上げる
方法としては、電子放出部5006から放出される電子
量Ie[A]を増やすか、或いは蛍光体5000に照射
する電子を加速するための加速電圧Va[V]を高くす
るといった方法がとられている。尚、放出電子量Ieを
増加させるためには、電極5005間に印加する電圧V
f[V]を高くしてもよい。
Conventionally, as a method of increasing the brightness of such a display device, the amount of electrons Ie [A] emitted from the electron emission portion 5006 is increased, or the acceleration for accelerating the electrons irradiating the phosphor 5000 is accelerated. A method of increasing the voltage Va [V] is adopted. In order to increase the emitted electron amount Ie, the voltage V applied between the electrodes 5005 is
f [V] may be increased.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本願発明者らは、上記
従来技術に記載したものを初めとして、種々の材料、製
法、構造の表面伝導型放出素子を試みてきた。さらに、
多数の表面伝導型放出素子を配列したマルチ電子ビーム
源、並びにこのマルチ電子ビーム源を応用した画像表示
装置について研究を行ってきた。この一例を図23に示
す。図23は、これら表面伝導型電子放出素子をマトリ
クス状に配線したマルチ電子ビーム源を示す図である。
ここでは、表面伝導型放出素子を2次元的に多数個配列
し、これらの素子を図示のようにマトリクス状に配線し
ている。
The inventors of the present application have tried surface-conduction type emission devices having various materials, manufacturing methods and structures, including those described in the above-mentioned prior art. further,
We have conducted research on a multi-electron beam source in which a large number of surface conduction electron-emitting devices are arranged, and an image display device to which this multi-electron beam source is applied. An example of this is shown in FIG. FIG. 23 is a diagram showing a multi-electron beam source in which these surface conduction electron-emitting devices are arranged in a matrix.
Here, a large number of surface conduction electron-emitting devices are two-dimensionally arranged and these devices are wired in a matrix as shown in the drawing.

【0016】図中、4001は表面伝導型放出素子を模
式的に示したもの、4002は行方向配線、4003は
列方向配線を示している。これら行方向配線4002及
び列方向配線4003は、実際には有限の電気抵抗を有
するものであるが、図においては配線抵抗4004及び
4005として示されている。上述のような配線方法
を、以下単純マトリクス配線と呼ぶ。尚、図示の便宜
上、このマルチ電子源を6×6のマトリクスで示してい
るが、マトリクスの規模はむろんこれに限ったわけでは
なく、例えば画像表示装置用のマルチ電子ビーム源の場
合には、所望の画像表示を行うのに足りるだけの素子を
配列し配線するものである。
In the figure, 4001 schematically shows a surface conduction electron-emitting device, 4002 shows row-direction wiring, and 4003 shows column-direction wiring. These row-direction wirings 4002 and column-direction wirings 4003 actually have finite electric resistance, but they are shown as wiring resistances 4004 and 4005 in the figure. The wiring method as described above is hereinafter referred to as simple matrix wiring. Incidentally, for convenience of illustration, this multi-electron source is shown as a 6 × 6 matrix, but the scale of the matrix is not limited to this, and in the case of a multi-electron beam source for an image display device, for example, it is desired. The elements are arranged and wired in a number sufficient to display the image.

【0017】このように表面伝導型放出素子を単純マト
リクス配線したマルチ電子ビーム源においては、所望の
電子ビームを出力させるため、行方向配線4002およ
び列方向配線4003に適宜の電気信号を印加する。例
えば、マトリクスの中の任意の1行の表面伝導型放出素
子を駆動するには、選択する行の行方向配線4002に
は選択電圧Vsを印加し、同時に非選択の行の行方向配
線4002には非選択電圧Vnsを印加する。これと同
期して列方向配線4003に電子ビームを出力するため
の駆動電圧Veを印加する。この方法によれば、配線抵
抗4004及び4005による電圧降下を無視すれば、
選択する行の表面伝導型放出素子には、(Ve−Vs)
の電圧が印加され、また非選択行の表面伝導型放出素子
には(Ve−Vns)の電圧が印加される。これら電圧
値Ve,Vs,Vnsを適宜の大きさに設定すれば、選
択する行の表面伝導型放出素子だけから所望の強度の電
子ビームが出力されるはずであり、また列方向配線の各
々に異なる駆動電圧Veを印加すれば、選択する行の素
子の各々から異なる強度の電子ビームが出力されるはず
である。また、表面伝導型放出素子の応答速度は高速で
あるため、駆動電圧Veを印加する時間の長さを変えれ
ば、電子ビームが出力される時間の長さも変えることが
できるはずである。
In the multi-electron beam source in which the surface conduction electron-emitting devices are wired in a simple matrix as described above, appropriate electric signals are applied to the row-direction wirings 4002 and the column-direction wirings 4003 in order to output a desired electron beam. For example, in order to drive the surface conduction electron-emitting device of any one row in the matrix, the selection voltage Vs is applied to the row-direction wiring 4002 of the selected row, and simultaneously the row-direction wiring 4002 of the non-selected row is applied. Applies the non-selection voltage Vns. In synchronization with this, a drive voltage Ve for outputting an electron beam is applied to the column-direction wiring 4003. According to this method, if the voltage drop due to the wiring resistances 4004 and 4005 is ignored,
The surface conduction electron-emitting device of the selected row has (Ve-Vs)
The voltage of (Ve-Vns) is applied to the surface conduction electron-emitting devices of the non-selected rows. If these voltage values Ve, Vs, and Vns are set to appropriate magnitudes, an electron beam with a desired intensity should be output from only the surface conduction electron-emitting devices of the selected row, and the column-direction wirings are also provided. If different drive voltages Ve are applied, electron beams of different intensities should be output from the elements of the selected row. Further, since the response speed of the surface conduction electron-emitting device is high, if the length of time for applying the drive voltage Ve is changed, the length of time for outputting the electron beam should be changed.

【0018】従って、表面伝導型放出素子を単純マトリ
クス配線したマルチ電子ビーム源はいろいろな応用可能
性があり、例えば画像情報に応じた電気信号を適宜印加
すれば、画像表示装置用の電子源として好適に用いるこ
とができる。
Therefore, the multi-electron beam source in which the surface conduction electron-emitting devices are wired in a simple matrix has various applications. For example, if an electric signal according to image information is appropriately applied, it can be used as an electron source for an image display device. It can be preferably used.

【0019】このような表面伝導型放出素子を電子ビー
ム源に用いた画像表示装置において輝度を上げるために
は、図22の電極1005間に印加する電圧値を高くし
て電子放出部1006から放出される電子量Ieを増や
すという方法がある。しかし、この方法をとると、選択
する行の行方向配線4002に大電流が流れ、配線抵抗
4004による電圧効果が大きくなり、画面上で輝度が
一定にならないという問題がある。また、表示される輝
度を上げるために、蛍光体1000に照射する電子の加
速電圧Vaを高くするという方法がある。しかし、この
加速電圧を所定値以上に上げると、電子放出部1006
と蛍光体1000との間で絶縁破壊が起こってしまうた
め、この方法にも限界がある。
In order to increase the brightness in an image display device using such a surface conduction electron-emitting device as an electron beam source, the voltage value applied between the electrodes 1005 of FIG. There is a method of increasing the amount of electrons Ie generated. However, when this method is adopted, a large current flows in the row-direction wiring 4002 of the selected row, the voltage effect by the wiring resistance 4004 becomes large, and there is a problem in that the brightness is not constant on the screen. Further, there is a method of increasing the acceleration voltage Va of the electrons with which the phosphor 1000 is irradiated in order to increase the displayed brightness. However, if the accelerating voltage is increased to a predetermined value or higher, the electron emission unit 1006
Since this causes dielectric breakdown between the phosphor 1000 and the phosphor 1000, this method is also limited.

【0020】本発明は上記従来例に鑑みてなされたもの
で、電子源に印加する電圧或は電子を加速するための電
圧を上昇させることなく、発光輝度を上げることができ
る画像表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above conventional example, and provides an image display device capable of increasing the emission brightness without increasing the voltage applied to the electron source or the voltage for accelerating the electrons. The purpose is to do.

【0021】また本発明の目的は、1つの蛍光体を複数
の電子源よりの電子により発光させることにより、その
発光輝度を高めることができる画像表示装置を提供する
ことにある。
Another object of the present invention is to provide an image display device capable of increasing the emission brightness by causing one phosphor to emit light by electrons from a plurality of electron sources.

【0022】又本発明の他の目的は、例え1つの電子源
に不良が発生しても、他の電子源で補償できる画像表示
装置を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide an image display device in which even if a defect occurs in one electron source, it can be compensated by another electron source.

【0023】又本発明の他の目的は、1回目の表示走査
時と2回目の表示走査とで、電子源に印加する電圧方向
を変更することにより、簡単に飛び越し走査を行って表
示することができる画像表示装置を提供することにあ
る。
Another object of the present invention is to easily perform interlaced scanning for display by changing the voltage direction applied to the electron source during the first display scanning and the second display scanning. It is to provide an image display device capable of

【0024】[0024]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の画像表示装置は以下のような構成を備える。
即ち、一対の電極と電子放出部とを具備する表面伝導型
放出素子を複数の行に亙って接続しマトリクス状に形成
したマルチ電子ビーム源と、前記電子ビーム源より放出
される電子により発光する蛍光体とを備えた画像表示装
置において、前記マルチ電子ビーム源が備える表面伝導
型放出素子の複数の行の中の任意の2行を選択する走査
行選択手段と、前記走査行選択手段により選択された表
面伝導型放出素子の2行に駆動信号を印加するための走
査駆動手段と、前記一対の電極に印加する各駆動信号の
電圧値を所定の期間ごとに反転させるための極性反転手
段とを有する。
In order to achieve the above object, the image display device of the present invention has the following configuration.
That is, a multi-electron beam source in which a surface conduction electron-emitting device having a pair of electrodes and an electron-emitting portion is connected in a plurality of rows to form a matrix, and light is emitted by electrons emitted from the electron beam source. In the image display device including the phosphor, the scanning row selecting means for selecting any two rows out of a plurality of rows of the surface conduction electron-emitting device included in the multi-electron beam source, and the scanning row selecting means. Scan drive means for applying a drive signal to two rows of the selected surface conduction electron-emitting device, and polarity inversion means for inverting the voltage value of each drive signal applied to the pair of electrodes at predetermined intervals. Have and.

【0025】[0025]

【作用】以上の構成において、マルチ電子ビーム源が備
える表面伝導型放出素子の複数の行の中の任意の2行を
選択し、それら選択された表面伝導型放出素子の2行に
駆動信号を印加する。そして、これら一対の電極に印加
する各駆動信号の電圧値を所定の期間ごとに反転させる
ことにより、1つの蛍光体を複数の表面伝導型電子放出
素子より放出される電子により駆動して発光させる。
In the above structure, any two rows of the surface conduction electron-emitting devices included in the multi-electron beam source are selected, and a drive signal is applied to the two rows of the selected surface conduction electron-emitting devices. Apply. Then, by inverting the voltage value of each drive signal applied to the pair of electrodes every predetermined period, one phosphor is driven by electrons emitted from a plurality of surface conduction electron-emitting devices to emit light. .

【0026】[0026]

【実施例】以下、添付図面を参照して本発明の好適な実
施例を詳細に説明する。 <第1実施例>図1は、本発明の一実施例の画像表示装
置の構成を示すブロック図である。尚、この第1実施例
では、飛び越し走査を行わない場合で説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the accompanying drawings. <First Embodiment> FIG. 1 is a block diagram showing the arrangement of an image display apparatus according to an embodiment of the present invention. In the first embodiment, a case where interlaced scanning is not performed will be described.

【0027】同期分離回路14は、NTSC信号s1の
同期信号と映像信号を分離する。この同期分離回路14
で分離された同期信号はタイミング制御回路3へ、映像
信号は信号処理部1へ送られる。信号処理部1は、映像
信号にA/D変換などの信号処理を施した後、これを変
調信号発生部2へ送る。変調信号発生部2では、1ライ
ン分の映像信号をシリアル−パラレル変換し、パルス幅
変調信号s4として、MOS−FET11のゲートヘ出
力している。
The sync separation circuit 14 separates the sync signal of the NTSC signal s1 from the video signal. This sync separation circuit 14
The sync signal separated by 1 is sent to the timing control circuit 3, and the video signal is sent to the signal processing unit 1. The signal processing unit 1 performs signal processing such as A / D conversion on the video signal, and then sends this to the modulation signal generation unit 2. The modulation signal generator 2 serial-parallel converts the video signal for one line and outputs it as a pulse width modulation signal s4 to the gate of the MOS-FET 11.

【0028】スイッチング回路4は、ゲート11より出
力される映像信号s5の極性を反転させるための回路で
ある。ディスプレイパネル12内の電子放出素子13
は、後述する図3に示すように、対向する一対の電極5
6,57間に電子放出部53が挟まれた構造をしてい
る。この一対の電極56,57にかける電圧の極性を反
転することにより、電子放出素子13は電子を放出する
方向を、例えば図3に示すように図面の右方向に放出し
たり、或はその逆に左方向に放出させることができる。
尚、タイミング制御回路3よりの制御信号s2は、映像
信号s5の極性を反転するタイミングを制御する信号で
ある。また、10は映像信号s5の極性を反転させるた
めのスイッチで、後述するスイッチ8と連動して切り替
えられる。
The switching circuit 4 is a circuit for inverting the polarity of the video signal s5 output from the gate 11. Electron emitting device 13 in display panel 12
Is a pair of electrodes 5 facing each other, as shown in FIG.
The structure is such that the electron emitting portion 53 is sandwiched between 6 and 57. By reversing the polarity of the voltage applied to the pair of electrodes 56, 57, the electron-emitting device 13 emits electrons in the right direction of the drawing, as shown in FIG. 3, or vice versa. Can be emitted to the left.
The control signal s2 from the timing control circuit 3 is a signal for controlling the timing of inverting the polarity of the video signal s5. Further, 10 is a switch for inverting the polarity of the video signal s5, which is switched in conjunction with a switch 8 described later.

【0029】スイッチング回路5は、走査信号s6の極
性を反転させるための回路である。パルス発生器6は、
同じ極性のパルス信号s7を発生し続ける。そして、タ
イミング制御回路3よりの信号s3によりスイッチ8が
切り替わることにより、パルス発生器6よりのパルス信
号s7が反転器9を通ると、そのパルス信号s7の極性
が反転し、通らなければ反転しない。そして、このスイ
ッチング回路5を通ったパルス信号s7は、走査行選択
回路7によって表示駆動する行が選択された走査信号s
6としてディスプレイパネル12に送られる。
The switching circuit 5 is a circuit for inverting the polarity of the scanning signal s6. The pulse generator 6 is
The pulse signal s7 having the same polarity is continuously generated. When the pulse signal s7 from the pulse generator 6 passes through the inverter 9 by switching the switch 8 by the signal s3 from the timing control circuit 3, the polarity of the pulse signal s7 is inverted, and if it does not pass, it is not inverted. . The pulse signal s7 that has passed through the switching circuit 5 is the scanning signal s for which the row to be display-driven is selected by the scanning row selection circuit 7.
6 is sent to the display panel 12.

【0030】図2は、本実施例のディスプレイパネル1
2の構成を説明するための図である。
FIG. 2 shows the display panel 1 of this embodiment.
It is a figure for demonstrating the structure of 2.

【0031】電子放出素子13は、対向する2つの電極
56、57と、これら電極56,57に挟まれた電子放
出部53とを有している。これら電極56,57間に、
ある値以上の電圧をかけることにより電子放出部53か
ら電子が放出される。図示のように、電極57は列方向
配線54と接続されており、映像信号s5の電位と同電
位になる。また電極56は行方向配線55に接続されて
おり、このラインが選択されて表示走査されている間は
走査信号s6の電位と同電位になる。ここで、映像信号
s5と走査信号s6の極性を反転すれば、電極56,5
7に加わる電位の極性も反転する。従って、電子放出部
53に印加される電圧の極性も反転する。こうして電子
放出部53に印加される電圧の極性が反転すると、その
電子放出部53から放出される電子の軌道は、図3に示
すように変化する。
The electron-emitting device 13 has two electrodes 56 and 57 facing each other and an electron-emitting portion 53 sandwiched between these electrodes 56 and 57. Between these electrodes 56 and 57,
Electrons are emitted from the electron emitting portion 53 by applying a voltage equal to or higher than a certain value. As shown in the figure, the electrode 57 is connected to the column direction wiring 54 and has the same potential as the potential of the video signal s5. The electrode 56 is connected to the row-direction wiring 55, and has the same potential as the scanning signal s6 while the line is selected and the display scanning is performed. Here, if the polarities of the video signal s5 and the scanning signal s6 are reversed, the electrodes 56, 5
The polarity of the potential applied to 7 is also inverted. Therefore, the polarity of the voltage applied to the electron emitting portion 53 is also inverted. When the polarity of the voltage applied to the electron emitting portion 53 is reversed in this way, the trajectory of the electrons emitted from the electron emitting portion 53 changes as shown in FIG.

【0032】図3は、図2の断面Aで切った場合の1つ
の電子放出素子の構成を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing the structure of one electron-emitting device when it is cut along the section A in FIG.

【0033】フェースプレート101の内側には、図示
にように蛍光体110,111が塗布されている。電極
56,57は、それぞれ行方向配線55、列方向配線5
4と接続されており、ある値以上の電圧(例えばVf
[v])が印加されると電子放出部53から電子が放出
される。電子が放出されると、フェースプレート101
と電子放出部53との間に印加された電圧Va[V]に
よって電子はフェースプレート方向に加速され、フェー
スプレート101の蛍光体110又は111にに照射さ
れる。このとき電子は、中心軸100に沿って真上に進
むのではなく電子軌道102、或いは電子軌道103を
描いて進む。いま、電極56が負極性で電極57が正極
性となるように電圧Vfを印加したとき(図の実線)
は、電子放出部53から放出された電子は、電子軌道1
03(実線)に示す軌道上を進む。逆に、電極56が正
極性で、電極57が負極性となるように電圧Vfが印加
された時は(図の点線)、電子放出部53から放出され
る電子の軌道は電子軌道102(点線)で示すようにな
る。この時の中心軸100と電子のランディング位置と
の距離Lefは、次式(1)により算出できる。
On the inside of the face plate 101, phosphors 110 and 111 are applied as shown in the figure. The electrodes 56 and 57 are provided in the row direction wiring 55 and the column direction wiring 5, respectively.
4 is connected to a voltage higher than a certain value (for example, Vf
When [v]) is applied, electrons are emitted from the electron emitting portion 53. When electrons are emitted, the face plate 101
Electrons are accelerated in the face plate direction by the voltage Va [V] applied between the electron emitting portion 53 and the electron emitting portion 53, and the phosphor 110 or 111 of the face plate 101 is irradiated with the electrons. At this time, the electron does not go straight up along the central axis 100 but goes along the electron orbit 102 or the electron orbit 103. Now, when the voltage Vf is applied so that the electrode 56 has a negative polarity and the electrode 57 has a positive polarity (solid line in the figure).
Means that the electrons emitted from the electron emitting portion 53 have an electron orbit 1
Proceed on the orbit indicated by 03 (solid line). On the contrary, when the voltage Vf is applied so that the electrode 56 has the positive polarity and the electrode 57 has the negative polarity (dotted line in the figure), the orbit of the electron emitted from the electron emitting portion 53 is the electron orbit 102 (dotted line). ). The distance Lef between the central axis 100 and the electron landing position at this time can be calculated by the following equation (1).

【0034】 Lef=2×K×Lh×SQRT(Vf/Va) (1) 但し、Lh[m]は、電子放出素子13と蛍光体110
あるいは111との距離を示し、Kは、電子放出素子1
3の種類や形状により決まる定数である。また、SQR
T(Vf/Va)は、Vf/Vaの平方根を示してい
る。
Lef = 2 × K × Lh × SQRT (Vf / Va) (1) where Lh [m] is the electron-emitting device 13 and the phosphor 110.
Alternatively, it indicates the distance from 111, and K is the electron-emitting device 1
It is a constant determined by the type and shape of 3. Also, SQR
T (Vf / Va) indicates the square root of Vf / Va.

【0035】次に、本実施例の表示装置の動作を、図1
を用いて説明する。
Next, the operation of the display device of this embodiment will be described with reference to FIG.
Will be explained.

【0036】例えばTV受像回路等より入力されるNT
SC信号は、同期分離回路14で同期信号と映像信号に
分けられる。同期信号はタイミング制御回路3に送ら
れ、映像信号は信号処理部1へ送られる。信号処理部1
では、R,G,B色の復調やA/D変換等を行い、ディ
ジタルの映像信号を変調信号発生部2へ送る。この変調
信号発生部2では、信号処理部1から送られてきた映像
信号の1ライン分のデータをシリアル−パラレル変換
し、パルス幅変調信号s4としてMOS−FET11の
ゲートへ送り出す。
NT input from, for example, a TV image receiving circuit
The SC signal is separated by the sync separation circuit 14 into a sync signal and a video signal. The synchronization signal is sent to the timing control circuit 3, and the video signal is sent to the signal processing unit 1. Signal processing unit 1
Then, R, G, and B color demodulation and A / D conversion are performed, and a digital video signal is sent to the modulation signal generation unit 2. In this modulation signal generation unit 2, data of one line of the video signal sent from the signal processing unit 1 is serial-parallel converted and sent as a pulse width modulation signal s4 to the gate of the MOS-FET 11.

【0037】スイッチング回路4は、映像信号s5の極
性を反転させるための回路で、スイッチ10には、タイ
ミング制御回路3からスイッチ切替え信号s2が入力さ
れており、この切替え信号s2に従って、スイッチ10
の接続がa端子とb端子との間で切り換えられる。いま
スイッチ10がa端子と接続されている時は、負極性の
映像信号s5がディスプレイパネル12に送られ、逆に
スイッチ10が端子bと接続されているときは、正極性
の映像信号s5が出力されることになる。この正と負の
極性の切り換えは、1水平同期期間(1H)ごとに行わ
れる。
The switching circuit 4 is a circuit for inverting the polarity of the video signal s5. The switch switching signal s2 is input from the timing control circuit 3 to the switch 10, and the switch 10 is switched in accordance with the switching signal s2.
Connection is switched between the a terminal and the b terminal. Now, when the switch 10 is connected to the terminal a, the negative video signal s5 is sent to the display panel 12, and conversely, when the switch 10 is connected to the terminal b, the positive video signal s5 is sent. Will be output. The switching between the positive polarity and the negative polarity is performed every horizontal synchronization period (1H).

【0038】スイッチング回路5は、ディスプレイパネ
ル12に入力される走査信号s6の極性を反転させるた
めの回路である。まず、パルス発生器6が同じ極性(例
えば正極性)で1H周期のパルス信号s7を発生する。
スイッチ8は、タイミング制御回路3よりのスイッチ切
替え信号s3により、1Hごとに切り替えられる。即
ち、スイッチ8が端子cと接続しているときは、パルス
信号s7はそのままスイッチング回路5を通過して走査
行選択回路7に入力される。一方、スイッチ8が端子d
と接続されている時は、パルス信号s7は反転器9によ
り極性を反転され(負極性となり)て、走査行選択回路
7へ送られる。こうして1水平同期期間ごとに極性が反
転され、走査行選択回路7に選択された走査信号s6が
ディスプレイパネル12の選択行に送られる。
The switching circuit 5 is a circuit for inverting the polarity of the scanning signal s6 input to the display panel 12. First, the pulse generator 6 generates a pulse signal s7 having the same polarity (for example, positive polarity) and a 1H cycle.
The switch 8 is switched every 1H by a switch switching signal s3 from the timing control circuit 3. That is, when the switch 8 is connected to the terminal c, the pulse signal s7 directly passes through the switching circuit 5 and is input to the scanning row selection circuit 7. On the other hand, switch 8 has terminal d
When the pulse signal s7 is connected to the scanning line selection circuit 7, the polarity of the pulse signal s7 is inverted (becomes negative) by the inverter 9. In this way, the polarity is inverted every horizontal synchronization period, and the scanning signal s6 selected by the scanning row selection circuit 7 is sent to the selected row of the display panel 12.

【0039】本実施例では、画像を表示する際、ディス
プレイパネル12の連続する2行を走査行選択回路7に
より同時に選択する。これら選択された2行には、同じ
極性の走査信号が同時に流れる。これを図2を用いて説
明すると、まず期間1Hで(配線i、配線j)の2行を
選択し、それ以外の行は非選択となる。そして次の1H
で(配線j、配線k)の2行を選択し、それ以外は非選
択とする。以下同様にして、(配線k、配線l)、…、
(配線m、配線n)の2行ずつを選択する。
In this embodiment, when an image is displayed, two consecutive rows of the display panel 12 are simultaneously selected by the scanning row selection circuit 7. The scanning signals of the same polarity flow simultaneously in these two selected rows. This will be described with reference to FIG. 2. First, two rows (wiring i, wiring j) are selected in the period 1H, and the other rows are unselected. And next 1H
2 rows (wiring j, wiring k) are selected, and the other rows are unselected. Similarly, (wiring k, wiring l), ...
Two lines (wiring m, wiring n) are selected.

【0040】次に、本実施例の動作を図4のタイミング
チャートを用いて説明する。尚、図中の記号は図1と同
じものである。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. The symbols in the figure are the same as those in FIG.

【0041】NTSC信号s1の映像信号は、信号処理
部1及び偏重信号発生部2により信号処理されてパルス
幅変調信号s4となる。図4におけるパルス幅変調信号
s4は、ある一本の列方向の信号線に注目し、そこを流
れる信号を示したものである。このパルス幅変調信号s
4の幅Lが長いほど、電子放出部53から電子が放出さ
れる時間が長くなるため、それにより発光される画素の
輝度が明るく感じられる。スイッチング回路4を切替え
るスイッチ切替え信号s2は、1Hごとに発生され、こ
のスイッチ切替え信号s2によりスイッチ10が切り換
えられる。
The video signal of the NTSC signal s1 is subjected to signal processing by the signal processing section 1 and the bias signal generation section 2 to become a pulse width modulation signal s4. The pulse width modulation signal s4 in FIG. 4 shows a signal flowing through a certain signal line in the column direction. This pulse width modulation signal s
As the width L of 4 is longer, the time for which electrons are emitted from the electron emitting portion 53 is longer, so that the brightness of the pixel to be emitted is felt brighter. A switch switching signal s2 for switching the switching circuit 4 is generated every 1H, and the switch 10 is switched by this switch switching signal s2.

【0042】図4におけるスイッチ切替え信号s2の
a,bは、スイッチ10における端子との接続状態を示
している。即ち、スイッチ10が端子aと接続されてい
る時は映像信号s5が負極性に、端子bと接続されてい
る時は、映像信号s5が正極性になる。このときの映像
信号s5の様子が、図4の映像信号s5で示されてい
る。尚、映像信号s5を示す細実線は接地電位(=0
[V])を表している。この映像信号s5のパルス幅
は、パルス幅変調信号s4の幅Lと等しくなる。
The switch switching signals s2 a and b in FIG. 4 indicate the connection state with the terminals of the switch 10. That is, the video signal s5 has a negative polarity when the switch 10 is connected to the terminal a, and the video signal s5 has a positive polarity when the switch 10 is connected to the terminal b. The state of the video signal s5 at this time is shown by the video signal s5 in FIG. The thin solid line indicating the video signal s5 is the ground potential (= 0.
[V]) is represented. The pulse width of the video signal s5 is equal to the width L of the pulse width modulation signal s4.

【0043】また、パルス発生器6より出力されるパル
ス信号s7も又前述のように1H周期で発生する。本実
施例では、パルス信号s7は正極性とする。タイミング
制御回路3より出力されるスイッチ8を切り換えるため
の信号s3もまた1H周期で発生しており、これにより
スイッチ8は、1Hごとに端子cと端子dに切り替えら
れて接続される。図4における信号s3のc,dは、ス
イッチ8における端子,dとの接続状態を示している。
これに伴って走査信号s6は、図4に示すように、1H
ごとに極性が反転された信号となる。また本実施例で
は、ディスプレイパネル12において、連続する2行を
同時に走査して駆動しており、このとき常に映像信号s
5と走査信号s6との極性は反対でなければならない。
The pulse signal s7 output from the pulse generator 6 is also generated in the 1H cycle as described above. In this embodiment, the pulse signal s7 has a positive polarity. The signal s3 for switching the switch 8 output from the timing control circuit 3 is also generated in the 1H cycle, and thus the switch 8 is switched and connected to the terminal c and the terminal d every 1H. The c and d of the signal s3 in FIG. 4 indicate the connection state with the terminals and d of the switch 8.
As a result, the scanning signal s6 becomes 1H as shown in FIG.
Each time, the signal has the inverted polarity. In this embodiment, the display panel 12 is driven by scanning two consecutive rows at the same time, and at this time, the video signal s
5 and the scanning signal s6 must have opposite polarities.

【0044】図5(a)(b)は、以上説明したように
して表示装置を駆動した際、各々の電子放出部53か
ら、どのように蛍光体120に電子が照射されるかを示
した図である。
FIGS. 5A and 5B show how the phosphor 120 is irradiated with electrons from each electron emitting portion 53 when the display device is driven as described above. It is a figure.

【0045】この図は、図9を参照して後述するような
表示パネル12で示すようにX,Y,Z座標系を決めた
とき、ある垂直方向(Y方向)の放出素子1列に沿っ
て、Y−Z平面で切った断面を示したものである。
In this figure, when the X, Y, and Z coordinate systems are determined as shown in the display panel 12 which will be described later with reference to FIG. 9, one line of emission elements is arranged in a certain vertical direction (Y direction). 3 shows a cross section taken along the YZ plane.

【0046】蛍光体120はフェースプレート155の
内側で電子放出部53に対向する面に設けられており、
電子放出部53、配線i〜配線l、電極56,57はリ
アプレート154上に設けられている。電極56は行方
向配線55(配線i〜配線lのみを示す)と接続されて
おり、電極57は列方向配線54に接続されている。図
5(a)における軌道i,j,j1,k1,k,lは、
電子放出部53から放出された電子が蛍光体120に到
達する電子軌道を示している。こうして蛍光体120に
電子が衝突することにより、蛍光体120が発光する。
The phosphor 120 is provided on the surface facing the electron emission portion 53 inside the face plate 155,
The electron emitting portion 53, the wiring i to the wiring 1, and the electrodes 56 and 57 are provided on the rear plate 154. The electrode 56 is connected to the row-direction wiring 55 (only wirings i to 1 are shown), and the electrode 57 is connected to the column-direction wiring 54. Trajectories i, j, j1, k1, k, l in FIG.
The electron trajectories by which the electrons emitted from the electron emission portion 53 reach the phosphor 120 are shown. When the electrons collide with the phosphor 120 in this manner, the phosphor 120 emits light.

【0047】図5(a)を参照して、あるフィールドの
信号を表示する様子を説明する。
With reference to FIG. 5A, how a signal in a certain field is displayed will be described.

【0048】ある1H期間で、配線i、配線jを選択
し、これらの配線に正極性の走査信号s6が流れている
とする。このとき、列方向配線54には、負極性の映像
信号s5が印加されている。このとき電極56の電位は
正極性となり、電極57の電位は負極性となる。この状
態で電子放出部53より放出された電子は、軌道i、軌
道jを描いて蛍光体120に照射される。このようにし
て放出された電子は、配線i,jに接続された電極56
に接続されている上下2つの電子放出部53から放出さ
れ、蛍光体120a上に一つの輝点を作ることになる。
It is assumed that the wiring i and the wiring j are selected in a certain 1H period, and the positive scanning signal s6 flows through these wirings. At this time, the negative direction video signal s5 is applied to the column-direction wiring 54. At this time, the potential of the electrode 56 becomes positive and the potential of the electrode 57 becomes negative. In this state, the electrons emitted from the electron emitting portion 53 draw the orbit i and the orbit j and are applied to the phosphor 120. The electrons emitted in this manner are transmitted to the electrodes 56 connected to the wirings i and j.
The electrons are emitted from the upper and lower two electron emitting portions 53 connected to each other to form one bright spot on the phosphor 120a.

【0049】そして次の1H期間では、配線j、配線k
を選択し、これらの配線j,kに負極性の走査信号s6
を印加する。このとき列方向配線54には、正極性の映
像信号s5が流れている。即ち、電極56の電位は負極
性になり、電極57の電位は正極性となる。こうして放
出された対応する電子放出部53より放出された電子
は、軌道j1、軌道k1を描いて蛍光体120bに照射
されて1つの輝点を形成する。以下同様に、行方向の配
線k、配線lを選択し、電極56を正極性に、電極57
を負の極性にすることにより、電子放出部53より放出
された電子は軌道k、軌道lを描いて蛍光体120cに
衝突して1つの輝点を形成する。
Then, in the next 1H period, the wiring j, the wiring k
Is selected, and the negative scanning signal s6 is applied to these wirings j and k.
Is applied. At this time, the video signal s5 having a positive polarity flows through the column-direction wiring 54. That is, the potential of the electrode 56 becomes negative and the potential of the electrode 57 becomes positive. The electrons emitted from the corresponding electron emitting portion 53 emitted in this way illuminate the phosphor 120b in a trajectory j1 and a trajectory k1 to form one bright spot. Similarly, the wiring k and the wiring l in the row direction are selected, and the electrode 56 is made positive and the electrode 57 is made positive.
Is set to a negative polarity, the electrons emitted from the electron emitting portion 53 draw the orbits k and 1 and collide with the phosphor 120c to form one bright spot.

【0050】このように、1水平走査期間で2本の行方
向配線を同時に駆動し、その行方向配線に接続され、上
下に位置している電子放出部に印加する電界方向を互い
に反転させることにより、各電子放出部は2種類の軌道
で電子を放出して同じ蛍光体に照射されるようにする。
これにより各蛍光体は、上下2箇所の電子放出部からの
電子の照射を受けることになり、2箇所の電子放出部か
ら1つの輝点を形成することにより、その輝点の輝度を
通常の2倍にまで上げることができる。
As described above, two row-direction wirings are simultaneously driven in one horizontal scanning period, and the electric field directions applied to the electron-emitting portions located above and below and connected to the row-direction wirings are mutually inverted. As a result, each electron emission unit emits electrons in two types of trajectories and irradiates the same phosphor.
As a result, each phosphor is irradiated with electrons from the electron emitting portions at the two upper and lower positions, and one bright spot is formed from the two electron emitting portions, so that the brightness of the bright spots is reduced to the normal level. It can be doubled.

【0051】また、図5(b)に示すように、電子軌道
を図の上下方向に更に引き伸ばすことにより、電子放出
部と蛍光体の組み合わせが、図5(a)とは異なるよう
な構成をとることも可能である。このような電子軌道の
変化は、前述した式(1)におけるVa,Vfの値を変
える、即ち、(Vf/Va)を大きくすることで可能と
なる。
Further, as shown in FIG. 5B, the electron orbit is further extended in the vertical direction of the figure so that the combination of the electron emitting portion and the phosphor is different from that of FIG. 5A. It is also possible to take. Such a change in the electron orbit is possible by changing the values of Va and Vf in the above-mentioned formula (1), that is, by increasing (Vf / Va).

【0052】<第2実施例>次に本発明の第2実施例と
して、NTSC信号を飛び越し走査して表示する方法を
説明する。尚、この第2実施例も、前述の第1実施例と
同様に、図1の回路で実現できる。但し、図1における
スイッチ8、スイッチ10の切り換えの周期は1水平走
査期間(1H)ではなく1フィールド期間である。ま
た、この第2実施例では、電子放出素子は前述の第1実
施例と同じものを用い、図2に示すように配線する。
<Second Embodiment> Next, as a second embodiment of the present invention, a method of displaying an NTSC signal by interlaced scanning will be described. Incidentally, this second embodiment can also be realized by the circuit of FIG. 1 similarly to the above-mentioned first embodiment. However, the switching cycle of the switches 8 and 10 in FIG. 1 is not one horizontal scanning period (1H) but one field period. Further, in this second embodiment, the same electron-emitting device as that of the above-mentioned first embodiment is used, and wiring is performed as shown in FIG.

【0053】次に、本実施例における動作を図6のタイ
ミングチャートを用いて説明する。なお、図中の記号は
図1と同じものを採用している。
Next, the operation of this embodiment will be described with reference to the timing chart of FIG. The symbols in the figure are the same as those in FIG.

【0054】NTSC信号s1の映像信号は、信号処理
部1及び変調信号発生部2で信号処理されてパルス幅変
調信号s4となる。このパルス幅変調信号s4は、ある
一本の列方向信号に注目し、そこを流れる信号を示した
ものである。このパルス幅変調信号s4の幅Lが長いほ
ど、電子放出部53から電子が放出される時間が長くな
るため、その輝点(画素)が明るく感じる。スイッチ切
替え信号s2は1フィールド期間ごとに発生されてスイ
ッチ10の接続を切り換える。図6のa,bはスイッチ
10が接続される端子を表している。いま、スイッチ1
0が端子aに接続されている時は映像信号s5が負極性
に、端子bに接続されている時は映像信号s5が正極性
になる。この映像信号s5の様子が、図6に示されてい
る。図中の細実線は、接地電位(=0[V])を表す。
この映像信号s5のパルス幅は、パルス幅変調信号s4
の幅Lと等しくなる。
The video signal of the NTSC signal s1 is subjected to signal processing by the signal processing section 1 and the modulation signal generation section 2 to become a pulse width modulation signal s4. This pulse width modulation signal s4 is a signal flowing through the one column-direction signal when paying attention to it. The longer the width L of the pulse width modulation signal s4, the longer the time for which electrons are emitted from the electron emitting portion 53, so that the bright spot (pixel) feels bright. The switch switching signal s2 is generated every one field period to switch the connection of the switch 10. 6A and 6B represent terminals to which the switch 10 is connected. Switch 1 now
The video signal s5 has a negative polarity when 0 is connected to the terminal a, and the video signal s5 has a positive polarity when connected to the terminal b. The state of the video signal s5 is shown in FIG. The thin solid line in the figure represents the ground potential (= 0 [V]).
The pulse width of the video signal s5 is the pulse width modulation signal s4.
Is equal to the width L of.

【0055】又、パルス信号s7は、1H周期で発生し
ており、この実施例では、パルス信号s7は正極性とす
る。そして、スイッチ8を切り換えるための信号s3は
1フィールド期間の周期で発生する。これによりスイッ
チ8は、1フィールド期間ごとに端子cと端子dに接続
されるように切り替えられる。これに伴って、走査信号
s6は、図6に示すようにフィールドごとに極性が反転
した信号となる。またこの第2実施例では、前述の第1
実施例と同様に、ディスプレイパネル12の連続する2
行を同時に駆動する。このときも映像信号s5と走査信
号s6の極性は常に反対でなければならない。
Further, the pulse signal s7 is generated in a 1H cycle, and in this embodiment, the pulse signal s7 has a positive polarity. The signal s3 for switching the switch 8 is generated in a cycle of one field period. Thereby, the switch 8 is switched so as to be connected to the terminal c and the terminal d every one field period. Along with this, the scanning signal s6 becomes a signal whose polarity is inverted for each field as shown in FIG. Further, in the second embodiment, the first
Similar to the embodiment, two consecutive display panels 12 are provided.
Drive rows simultaneously. Also at this time, the polarities of the video signal s5 and the scanning signal s6 must always be opposite.

【0056】図7(a),(b)は、図6に示すような
タイミングで表示装置を駆動した際に各々の電子放出部
53から蛍光体120に向けてどのように電子が放出さ
れるかを示した図である。
7A and 7B show how electrons are emitted from each electron emitting portion 53 toward the phosphor 120 when the display device is driven at the timing shown in FIG. FIG.

【0057】これら図7(a)(b)は、後述する図9
に示すようにX,Y,Z座標系を定めた時、ある垂直方
向(Y方向)の放出素子1列に沿って、YZ平面で切っ
た断面図を示した図である。前述の第1実施例と同様
に、蛍光体120はフェースプレート155のリアプレ
ート154に対向する面に設けられており、電子放出部
53、配線i〜配線n、電極56,57はリアプレート
154の、フェースプレート155に対向する面上に設
けられている。電極56は行方向配線55(配線i〜配
線n)と接続されており、他方電極57は列方向配線5
4と接続されている。そして、軌道i〜軌道n、軌道i
1〜軌道n1のそれぞれは、各電子放出部53から放出
された電子が、蛍光体120に照射される電子軌道を示
したものである。こうして蛍光体120に電子が照射さ
れることにより蛍光体120が発光する。
7 (a) and 7 (b) are shown in FIG.
FIG. 9 is a diagram showing a cross-sectional view taken along the YZ plane along one row of the emitting devices in a certain vertical direction (Y direction) when the X, Y, Z coordinate system is determined as shown in FIG. Similar to the first embodiment described above, the phosphor 120 is provided on the surface of the face plate 155 facing the rear plate 154, and the electron emitting portion 53, the wirings i to n, and the electrodes 56 and 57 are the rear plate 154. On the surface facing the face plate 155. The electrode 56 is connected to the row-directional wiring 55 (wiring i to wiring n), while the electrode 57 is connected to the column-directional wiring 5
It is connected with 4. And orbit i to orbit n, orbit i
Each of 1 to orbit n1 shows an electron orbit with which electrons emitted from each electron emitting portion 53 irradiate the phosphor 120. In this way, when the phosphor 120 is irradiated with electrons, the phosphor 120 emits light.

【0058】図7(a)は、あるフィールドを表示する
ときの電子軌道を示し、図7(b)は次のフィールドを
表示しているときの電子軌道を示している。
FIG. 7A shows an electron orbit when displaying a certain field, and FIG. 7B shows an electron orbit when displaying the next field.

【0059】まず、図7(a)を用いて、あるフィール
ドの信号を表示する様子を説明する。このフィールドで
は、列方向配線54を流れる映像信号s5は、常に負極
性である。即ち、列方向配線54に接続された電極57
の電位は常に負極性である。ある1水平走査期間(1
H)で、行方向配線i、配線jを選択し、これら配線
i,jに正極性の走査信号s6が流れているとする。即
ち、行方向配線に接続された電極56の電位は正極性と
なり、電極57の電位は負極性となる。このとき放出さ
れた電子は、軌道i、軌道jを描いて蛍光体120に照
射される。こうして配線i,jが選択された時、これら
配線i,jの上下に位置している各電子放出部53から
放出された電子は、蛍光体120a上に1つの輝点を形
成することになる。
First, with reference to FIG. 7A, the manner of displaying a signal in a certain field will be described. In this field, the video signal s5 flowing through the column wiring 54 is always negative. That is, the electrodes 57 connected to the column wiring 54
The potential of is always negative. One horizontal scanning period (1
In H), it is assumed that the row-direction wiring i and the wiring j are selected, and the positive scanning signal s6 flows through these wirings i and j. That is, the potential of the electrode 56 connected to the row wiring has a positive polarity, and the potential of the electrode 57 has a negative polarity. The electrons emitted at this time are applied to the phosphor 120 in a trajectory i and a trajectory j. Thus, when the wirings i and j are selected, the electrons emitted from the electron emitting portions 53 located above and below the wirings i and j form one bright spot on the phosphor 120a. .

【0060】そして次の1H期間では、配線k、配線l
を選択し、これら行方向配線55に正極性の走査信号s
6を印加する。即ち、これら行方向配線と接続された電
極56の電位は正極性となり、電極57の電位は負極性
となる。このとき配線k,lの上下に位置している各電
子放出部53より放出された電子は、軌道k、軌道lを
描いて蛍光体120b上に照射される。以下同様に、配
線m、配線nを選択し、配線m,nの上下に位置してい
る各電子放出部53より放出される電子が軌道m、軌道
nを描くように放出されて蛍光体120c上に輝点が形
成される。このようにして順次蛍光体120を発光させ
ることにより、1行おきの飛び越し走査を行って画像を
表示することができる。
Then, in the next 1H period, the wiring k and the wiring l
And the scanning signal s of positive polarity is applied to these row-direction wirings 55.
6 is applied. That is, the potential of the electrode 56 connected to these row-direction wirings becomes positive, and the potential of the electrode 57 becomes negative. At this time, the electrons emitted from the electron emitting portions 53 located above and below the wirings k and l are drawn on the phosphor 120b in the orbits k and l. Similarly, after selecting the wiring m and the wiring n, the electrons emitted from the electron emitting portions 53 located above and below the wirings m and n are emitted so as to draw the trajectories m and n, and the phosphor 120c. A bright spot is formed on the top. In this manner, the phosphors 120 are sequentially made to emit light, so that an image can be displayed by performing interlaced scanning every other row.

【0061】次に、図7(b)を参照して、次のフィー
ルドの信号を表示する様子を説明する。このフィールド
では、列方向配線54を流れる映像信号s5は常に正極
性である。即ち、列方向配線に接続された電極57の電
位は常に正極性である。ある1H期間で、配線j、配線
kを選択し、これらの配線j,kに負極性の走査信号s
5が流れているとする。即ち、電極56(配線j、配線
kに接続されている)の電位は負極性となり、電極56
の電位は正極性となる。このとき配線j,kで挟まれた
各電子放出部53より放出された電子は、軌道j1、軌
道k1を描いて蛍光体120d上に照射されて、一つの
輝点を形成することになる。
Next, with reference to FIG. 7B, the manner of displaying the signal of the next field will be described. In this field, the video signal s5 flowing through the column wiring 54 is always positive. That is, the potential of the electrode 57 connected to the column wiring is always positive. In a certain 1H period, the wiring j and the wiring k are selected, and the negative scanning signal s is applied to these wirings j and k.
Suppose 5 is flowing. That is, the potential of the electrode 56 (connected to the wiring j and the wiring k) becomes negative, and the electrode 56
Has a positive polarity. At this time, the electrons emitted from each electron emitting portion 53 sandwiched by the wirings j and k are irradiated onto the phosphor 120d in a trajectory j1 and a trajectory k1 to form one bright spot.

【0062】そして次の1H期間では、行方向配線l、
配線mを選択し、これらの配線l,mに負極性の走査信
号s6を印加する。即ち、電極56(配線l、配線mに
接続されている)の電位は負極性となり、電極57の電
位は正極性となる。このとき配線l,mで挟まれた各電
子放出部53より放出された電子は、軌道l1、軌道m
1を描いて蛍光体120eに照射される。このようにし
て、先のフィールドで表示されなかった行の画像が表示
されることになる。
Then, in the next 1H period, the row-direction wiring l,
The wiring m is selected, and the negative scanning signal s6 is applied to these wirings l and m. That is, the potential of the electrode 56 (connected to the wiring 1 and the wiring m) has a negative polarity, and the potential of the electrode 57 has a positive polarity. At this time, the electrons emitted from each electron emitting portion 53 sandwiched by the wirings l and m are orbits l1 and m.
1 is drawn and the phosphor 120e is irradiated. In this way, the image of the line that was not displayed in the previous field is displayed.

【0063】また、図8(a)(b)のように電子軌道
を変更することにより、電子放出部53と蛍光体120
との組み合わせを、図7(a)(b)とは異なるように
構成することも可能である。このような電子軌道の変化
は、前述の式(1)のVa,Vfの各値を変更すること
で可能となる。
Further, by changing the electron trajectories as shown in FIGS. 8A and 8B, the electron emitting portion 53 and the phosphor 120 are changed.
It is also possible to configure the combination with and so as to be different from those in FIGS. Such a change in the electron orbit can be made by changing each value of Va and Vf in the above-mentioned formula (1).

【0064】図8(a)では、行方向の配線i,lに正
極性の走査信号s6を印加し、この行方向配線に接続さ
れている電極56の電位を正極性にする。又、列方向配
線に印加される映像信号s5を負の極性として電極57
の電位を負極性とする。これにより配線iに接続された
電子放出部53より軌道iで示すように電子が放出さ
れ、配線lに接続された電子放出部53より軌道lで示
すような軌跡で電子が放出される。これにより蛍光体1
20aに1つの輝点が形成される。
In FIG. 8A, a scanning signal s6 having a positive polarity is applied to the wirings i and l in the row direction to make the potential of the electrode 56 connected to the wiring in the row direction positive. In addition, the video signal s5 applied to the column wiring is set to have a negative polarity and the electrode 57
The potential of is negative. As a result, electrons are emitted from the electron emitting portion 53 connected to the wiring i as shown by the trajectory i, and electrons are emitted from the electron emitting portion 53 connected to the wiring 1 in the trajectory shown by the trajectory l. As a result, the phosphor 1
One bright spot is formed on 20a.

【0065】又、図8(b)に示すように、配線j,m
に接続される電極56を負の極性にし、列方向配線に接
続される電極57の電位を正極性とすることにより、蛍
光体120cの上に1つの輝点を形成することができ
る。
Further, as shown in FIG. 8B, wirings j and m
One bright spot can be formed on the phosphor 120c by setting the electrode 56 connected to the negative polarity to a negative polarity and setting the potential of the electrode 57 connected to the column direction wiring to a positive polarity.

【0066】この場合も前述の図7の場合と同様に、図
8(a)のフィールドで表示されなかった行が、図8
(b)に示す次のフィールドで、表示されることにな
る。
Also in this case, as in the case of FIG. 7 described above, the lines not displayed in the field of FIG.
It will be displayed in the next field shown in (b).

【0067】以上説明した実施例で使用されるディスプ
レイパネル12の構成、及び電子放出素子の構成につい
て説明する。
The structure of the display panel 12 and the structure of the electron-emitting device used in the above-described embodiments will be described.

【0068】[ディスプレイパネル12の構成と製造
法]次に、本実施例に適用した画像表示装置のディスプ
レイパネル12の構成と、その製造法について、具体的
な例を示して説明する。
[Structure and Manufacturing Method of Display Panel 12] Next, the structure and manufacturing method of the display panel 12 of the image display apparatus applied to this embodiment will be described with reference to specific examples.

【0069】図9は、本実施例に用いたディスプレイ
(表示)パネル12の斜視図であり、その内部構造を示
すためにパネル12の1部を切り欠いて示している。
FIG. 9 is a perspective view of the display panel 12 used in this embodiment, and a part of the panel 12 is cut away to show its internal structure.

【0070】図中、1005はリアプレートで、前述の
リアプレート154に対応している。1006は側壁、
1007はフェースプレートで、このフェースプレート
1007は前述のフェースプレート155に対応してい
る。これら1005〜1007により、表示パネル12
の内部を真空に維持するための気密容器を形成してい
る。このような気密容器を組み立てるにあたっては、各
部材の接合部に十分な強度と気密性を保持させるため封
着する必要があるが、例えばフリットガラスを接合部に
塗布し、大気中あるいは窒素雰囲気中で、摂氏400〜
500度で10分以上焼成することにより封着を達成し
た。気密容器内部を真空に排気する方法については後述
する。
In the figure, reference numeral 1005 denotes a rear plate, which corresponds to the above-mentioned rear plate 154. 1006 is a side wall,
A face plate 1007 corresponds to the above-mentioned face plate 155. By these 1005-1007, the display panel 12
An airtight container for maintaining a vacuum inside is formed. In assembling such an airtight container, it is necessary to seal the joints of the respective members so as to maintain sufficient strength and airtightness. For example, frit glass is applied to the joints and the joints are exposed to air or nitrogen atmosphere. And 400 ~ Celsius
Sealing was achieved by firing at 500 degrees for 10 minutes or more. A method of evacuating the inside of the airtight container will be described later.

【0071】リアプレート1005には基板1001が
固定されているが、この基板1001上には表面伝導型
放出素子1002がN×M個形成されている。(N,M
は2以上の正の整数であり、目的とする表示画素数に応
じて適宜設定される。例えば、高品位テレビジョンの表
示を目的とした表示装置においては、N=3000,M
=1000以上の数を設定することが望ましい。本実施
例においては、N=3072,M=1024とした)。
N×M個の表面伝導型放出素子1002は、M本の行方
向配線1003とN本の列方向配線1004により単純
マトリクス配線されている。前記1001〜1004に
よって構成される部分をマルチ電子ビーム源と呼ぶ。な
お、マルチ電子ビーム源の製造方法や構造については、
後で詳しく述べる。
A substrate 1001 is fixed to the rear plate 1005, and N × M surface conduction electron-emitting devices 1002 are formed on the substrate 1001. (N, M
Is a positive integer of 2 or more and is appropriately set according to the target number of display pixels. For example, in a display device intended for high-definition television display, N = 3000, M
It is desirable to set a number of 1000 or more. In this example, N = 3072 and M = 1024).
The N × M surface conduction electron-emitting devices 1002 are arranged in a simple matrix by M row-direction wirings 1003 and N column-direction wirings 1004. A portion constituted by the above 1001 to 1004 is called a multi-electron beam source. Regarding the manufacturing method and structure of the multi-electron beam source,
More on this later.

【0072】本実施例においては、気密容器のリアプレ
ート1005にマルチ電子ビーム源の基板1001を固
定する構成としたが、マルチ電子ビーム源の基板100
1が十分な強度を有するものである場合には、気密容器
のリアプレートとしてマルチ電子ビーム源の基板100
1自体を用いてもよい。
In this embodiment, the multi-electron beam source substrate 1001 is fixed to the rear plate 1005 of the airtight container. However, the multi-electron beam source substrate 100 is fixed.
1 has a sufficient strength, the substrate 100 of the multi-electron beam source is used as the rear plate of the airtight container.
You may use 1 itself.

【0073】また、フェースプレート1007の下面に
は、蛍光膜1008(前述の実施例の蛍光体120に相
当)が形成されている。本実施例はカラー表示装置であ
るため、蛍光膜1008の部分にはCRTの分野で用い
られる赤、緑、青、の3原色の蛍光体が塗り分けられて
いる。各色の蛍光体は、例えば図10に示すように、ス
トライプ状に塗り分けられ、各色の蛍光体のストライプ
の間には黒色の導電材1010が設けられている。黒色
の導電材1010を設ける目的は、電子ビームの照射位
置に多少のずれがあっても表示色にずれが生じないよう
にするためや、外光の反射を防止して表示コントラスト
の低下を防ぐため、更には電子ビームによる蛍光膜のチ
ャージアップを防止するためなどである。この黒色の導
電体1010には、黒鉛を主成分として用いたが、上記
の目的に適するものであればこれ以外の材料を用いても
良い。
Further, a phosphor film 1008 (corresponding to the phosphor 120 of the above-mentioned embodiment) is formed on the lower surface of the face plate 1007. Since the present embodiment is a color display device, the fluorescent film 1008 is separately coated with phosphors of three primary colors of red, green and blue used in the field of CRT. For example, as shown in FIG. 10, the phosphors of the respective colors are separately applied in stripes, and a black conductive material 1010 is provided between the stripes of the phosphors of the respective colors. The purpose of providing the black conductive material 1010 is to prevent the display color from deviating even if the irradiation position of the electron beam is slightly deviated, and to prevent the reflection of external light to prevent the deterioration of the display contrast. Therefore, it is also for preventing charge-up of the fluorescent film due to the electron beam. Although graphite was used as a main component for the black conductor 1010, other materials may be used as long as they are suitable for the above purpose.

【0074】尚、モノクロームの表示パネルを作成する
場合には、単色の蛍光体を蛍光膜1008に用いればよ
く、また黒色導電材1010は必ずしも必要としない。
In the case of producing a monochrome display panel, a monochromatic fluorescent substance may be used for the fluorescent film 1008, and the black conductive material 1010 is not always necessary.

【0075】また、蛍光膜1008のリアプレート10
05側の面には、CRTの分野では公知のメタルバック
1009を設けてある。このメタルバック1009を設
けた目的は、蛍光膜1008が発する光の一部を鏡面反
射して光の利用率を向上させるためや、負イオンの衝突
から蛍光膜1008を保護するため、電子ビームの加速
電圧を印加するための電極として作用させるためや、更
には蛍光膜1008を励起した電子の導電路として作用
させるためなどである。このようなメタルバック100
9は、蛍光膜1008をフェースプレート1007上に
形成した後、蛍光膜表面を平滑化処理し、その上にAl
(アルミニウム)を真空蒸着する方法により形成した。
なお、蛍光膜1008に低電圧用の蛍光体材料を用いた
場合にはメタルバック1009は用いない。
The rear plate 10 of the fluorescent film 1008 is also provided.
A metal back 1009 known in the field of CRTs is provided on the surface on the 05 side. The purpose of providing the metal back 1009 is to reflect a part of the light emitted from the fluorescent film 1008 by specular reflection to improve the light utilization rate and to protect the fluorescent film 1008 from the collision of negative ions. The purpose is to act as an electrode for applying an accelerating voltage, and also to act as a conductive path for electrons that have excited the fluorescent film 1008. Such a metal back 100
In No. 9, after the fluorescent film 1008 is formed on the face plate 1007, the surface of the fluorescent film is smoothed, and Al is applied thereon.
(Aluminum) was formed by vacuum vapor deposition.
The metal back 1009 is not used when a low voltage fluorescent material is used for the fluorescent film 1008.

【0076】また、本実施例では用いなかったが、加速
電圧の印加用や蛍光膜の導電性向上を目的として、フェ
ースプレート1007と蛍光膜1008との間に、例え
ばITOを材料とする透明電極を設けてもよい。
Although not used in this embodiment, a transparent electrode made of, for example, ITO is provided between the face plate 1007 and the fluorescent film 1008 for the purpose of applying an accelerating voltage and improving the conductivity of the fluorescent film. May be provided.

【0077】また、Dx1〜Dxm,Dy1〜Dyn及びHv
は、この表示パネル12と不図示の電気回路とを電気的
に接続するために設けた気密構造の電気接続用端子であ
る。これらDx1〜Dxmは、マルチ電子ビーム源の行方向
配線55と接続され、Dy1〜Dynはマルチ電子ビーム源
の列方向配線54と接続され、Hvはフェースプレート
1007のメタルバック1009と電気的に接続されて
いる。
Further, Dx1 to Dxm, Dy1 to Dyn and Hv
Is an electric connection terminal of an airtight structure provided for electrically connecting the display panel 12 and an electric circuit (not shown). These Dx1 to Dxm are connected to the row wiring 55 of the multi electron beam source, Dy1 to Dyn are connected to the column wiring 54 of the multi electron beam source, and Hv is electrically connected to the metal back 1009 of the face plate 1007. Has been done.

【0078】また、気密容器内部を真空に排気するに
は、気密容器を組み立てた後、不図示の排気管と真空ポ
ンプとを接続し、気密容器内を10のマイナス7乗[T
orr]程度の真空度まで排気する。その後、排気管を
封止するが、気密容器内の真空度を維持するために、封
止の直前或はその封止後に、気密容器内の所定の位置に
ゲッター膜(不図示)を形成する。このゲッター膜と
は、例えばBaを主成分とするゲッター材料をヒータも
しくは高周波加熱により加熱し、蒸着して形成した膜で
あり、該ゲッター膜の吸着作用により気密容器内は1×
10マイナス5乗ないしは1×10マイナス7乗[To
rr]の真空度に維持される。
In order to evacuate the inside of the airtight container to a vacuum, after assembling the airtight container, an exhaust pipe (not shown) and a vacuum pump are connected to each other, and the inside of the airtight container is reduced to 10 −7 [T
orr]. After that, the exhaust pipe is sealed, but in order to maintain the degree of vacuum in the airtight container, a getter film (not shown) is formed at a predetermined position in the airtight container immediately before or after the sealing. . The getter film is, for example, a film formed by heating a getter material containing Ba as a main component by a heater or high-frequency heating and vapor deposition, and the inside of the airtight container is 1 × due to the adsorption action of the getter film.
10 minus 5th power or 1 × 10 minus 7th power [To
rr] vacuum is maintained.

【0079】以上、本発明の一実施例の表示パネル12
の基本構成とその製法について説明した。
As described above, the display panel 12 according to the embodiment of the present invention.
The basic configuration of the and its manufacturing method were explained.

【0080】次に、前記実施例の表示パネル12に用い
たマルチ電子ビーム源の製造方法について説明する。本
実施例の画像表示装置に用いるマルチ電子ビーム源は、
表面伝導型放出素子を単純マトリクス配線した電子源で
あれば、表面伝導型放出素子の材料や形状あるいは製法
に制限はない。しかしながら、本願発明者らは、表面伝
導型放出素子の中で、電子放出部もしくはその周辺部を
微粒子膜から形成したものが電子放出特性に優れ、しか
も製造が容易に行えることを見出している。従って、こ
のようなマルチ電子ビーム源は、高輝度で大画面の画像
表示装置に用いる場合に最も好適であると言える。そこ
で、上記実施例の表示パネル12においては、電子放出
部53もしくはその周辺部を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子1002を用いている。そこで、まず好
適な表面伝導型放出素子について基本的な構成と製法お
よび特性を説明し、その後で多数の素子を単純マトリク
ス配線したマルチ電子ビーム源の構造について述べる。
Next, a method of manufacturing the multi-electron beam source used for the display panel 12 of the above embodiment will be described. The multi-electron beam source used in the image display device of the present embodiment is
There is no limitation on the material, shape, or manufacturing method of the surface conduction electron-emitting device as long as it is an electron source in which the surface conduction electron-emitting device is wired in a simple matrix. However, the inventors of the present application have found that among the surface conduction electron-emitting devices, those in which the electron-emitting portion or its peripheral portion is formed of a fine particle film have excellent electron-emitting characteristics and can be easily manufactured. Therefore, it can be said that such a multi-electron beam source is most suitable for use in an image display device having a high brightness and a large screen. Therefore, in the display panel 12 of the above embodiment, the surface conduction electron-emitting device 1002 in which the electron emitting portion 53 or its peripheral portion is formed of a fine particle film is used. Therefore, the basic configuration, manufacturing method, and characteristics of a suitable surface conduction electron-emitting device will be described first, and then the structure of a multi-electron beam source in which many devices are wired in a simple matrix will be described.

【0081】[表面伝導型放出素子の好適な素子構成と
その製法]電子放出部もしくはその周辺部を微粒子膜か
ら形成する表面伝導型放出素子の代表的な構成には、平
面型と垂直型の2種類があげられる。
[Preferable Element Configuration of Surface Conduction Type Emitting Element and Manufacturing Method Thereof] A typical configuration of the surface conduction type emitting element in which the electron emitting portion or its peripheral portion is formed of a fine particle film is a plane type or a vertical type. There are two types.

【0082】<平面型の表面伝導型放出素子>まず最初
に、平面型の表面伝導型放出素子の素子構成と、その製
法について説明する。
<Plane Type Surface Conduction Type Emitting Element> First, the element structure of the plane type surface conduction type emitting element and its manufacturing method will be described.

【0083】図11(a)(b)に示すのは、平面型の
表面伝導型放出素子の構成を説明するための平面図
(a)および断面図(b)である。
11 (a) and 11 (b) are a plan view (a) and a sectional view (b) for explaining the structure of the flat surface conduction electron-emitting device.

【0084】図中、1101は基板、1102と110
3は素子電極、1104は導電性薄膜、1105は通電
フォーミング処理により形成した電子放出部、1113
は通電活性化処理により形成した薄膜を示している。基
板1101としては、例えば、石英ガラスや青板ガラス
等の各種ガラス基板や、アルミナ等の各種セラミクス基
板、あるいは上述の各種基板上に例えばSiO2 を材料
とする絶縁層を積層した基板などを用いることができ
る。
In the figure, 1101 is a substrate, 1102 and 110.
3 is a device electrode, 1104 is a conductive thin film, 1105 is an electron emission portion formed by energization forming processing, 1113.
Indicates a thin film formed by the energization activation treatment. As the substrate 1101, for example, various glass substrates such as quartz glass and soda lime glass, various ceramics substrates such as alumina, or substrates obtained by laminating an insulating layer made of, for example, SiO2 on the above various substrates are used. it can.

【0085】また、基板1101上に基板面と平行に対
向して設けられた素子電極1102と1103は、導電
性を有する材料によって形成されている。例えば、N
i,Cr,Au,Mo,W,Pt,Ti,Cu,Pd,
Ag等の金属、あるいはこれらの金属の合金、あるいは
In2 O3 −SnO2 等の金属酸化物、ポリシリコンな
どの半導体、などの中から適宜材料を選択して用いれば
よい。これら電極1102,1103を形成するには、
例えば真空蒸着などの製膜技術とフォトリソグラフィ、
エッチングなどのパターニング技術を組み合わせて用い
れば容易に形成できるが、それ以外の方法(例えば印刷
技術)を用いて形成してもさしつかえない。
Further, the device electrodes 1102 and 1103 provided on the substrate 1101 so as to face each other in parallel with the substrate surface are made of a conductive material. For example, N
i, Cr, Au, Mo, W, Pt, Ti, Cu, Pd,
A material may be appropriately selected from metals such as Ag, alloys of these metals, metal oxides such as In2 O3 --SnO2, semiconductors such as polysilicon, and the like. To form these electrodes 1102, 1103,
For example, film forming technology such as vacuum deposition and photolithography,
It can be easily formed by using a combination of patterning techniques such as etching, but it may be formed by using other methods (for example, printing techniques).

【0086】素子電極1102と1103の形状は、当
該電子放出素子の応用目的に合わせて適宜設計される。
一般的には、電極間隔Lは、通常は数百オングストロー
ムから数百マイクロメータの範囲から適当な数値を選ん
で設計されるが、中でも表示装置に応用するために好ま
しいのは数マイクロメータより数十マイクロメータの範
囲である。また、素子電極の厚さdについては、通常は
数百オングストロームから数マイクロメータの範囲から
適当な数値が選ばれる。また、導電性薄膜1104の部
分には、微粒子膜を用いる。ここで述べた微粒子膜と
は、構成要素として多数の微粒子を含んだ膜(島状の集
合体も含む)のことを指す。微粒子膜を微視的に調べれ
ば、通常は、個々の微粒子が離間して配置された構造
か、あるいは微粒子が互いに隣接した構造か、或は微粒
子が互いに重なり合った構造が観測される。
The shapes of the device electrodes 1102 and 1103 are appropriately designed according to the application purpose of the electron-emitting device.
Generally, the electrode interval L is designed by selecting an appropriate value from the range of several hundreds angstroms to several hundreds of micrometers, but it is preferable that the electrode interval L is more than several micrometers for application to a display device. It is in the range of 10 micrometers. In addition, as for the thickness d of the device electrode, an appropriate numerical value is usually selected from the range of several hundred angstroms to several micrometers. A fine particle film is used for the conductive thin film 1104. The fine particle film described here refers to a film (including an island-shaped aggregate) containing a large number of fine particles as a constituent element. When the fine particle film is microscopically examined, usually, a structure in which individual fine particles are spaced apart from each other, a structure in which the fine particles are adjacent to each other, or a structure in which the fine particles overlap each other are observed.

【0087】微粒子膜に用いた微粒子の粒径は、数オン
グストロームから数千オングストロームの範囲に含まれ
るものであるが、なかでも好ましいのは10オングスト
ロームから200オングストロームの範囲のものであ
る。また、微粒子膜の膜厚は、以下に述べるような諸条
件を考慮して適宜設定される。即ち、素子電極1102
或は1103と電気的に良好に接続するのに必要な条
件、後述する通電フォーミングを良好に行うのに必要な
条件、微粒子膜自身の電気抵抗を後述する適宜の値にす
るために必要な条件などである。
The particle diameter of the fine particles used for the fine particle film is in the range of several angstroms to several thousand angstroms, and the range of 10 angstroms to 200 angstroms is particularly preferable. Further, the film thickness of the fine particle film is appropriately set in consideration of various conditions as described below. That is, the device electrode 1102
Alternatively, the conditions necessary for making good electrical connection with 1103, the conditions necessary for favorably performing the energization forming described later, and the conditions necessary for setting the electric resistance of the fine particle film itself to the appropriate value described later. And so on.

【0088】具体的には、数オングストロームから数千
オングストロームの範囲のなかで設定するが、なかでも
好ましいのは10オングストロームから500オングス
トロームの間である。
Specifically, it is set within the range of several angstroms to several thousand angstroms, but the range of 10 angstroms to 500 angstroms is particularly preferable.

【0089】また、微粒子膜を形成するのに用いられう
る材料としては、例えば、Pd,Pt,Ru,Ag,A
u,Ti,In,Cu,Cr,Fe,Zn,Sn,T
a,W,Pb,等の金属や、PdO,SnO2 ,In2
O3 ,PbO,Sb2 O3 ,等の酸化物や、HfB2 ,
ZrB2 ,LaB6 ,CeB6 ,YB4 ,GdB4 ,等
の硼化物や、TiC,ZrC,HfC,TaC,Si
C,WC,等の炭化物や、TiN,ZrN,HfN,等
の窒化物や、Si,Ge,等の半導体や、カーボン、な
どがあげられ、これらの中から適宜選択される。
Materials that can be used for forming the fine particle film include, for example, Pd, Pt, Ru, Ag, and A.
u, Ti, In, Cu, Cr, Fe, Zn, Sn, T
Metals such as a, W, Pb, PdO, SnO2, In2
O3, PbO, Sb2 O3, oxides such as HfB2,
Borides of ZrB2, LaB6, CeB6, YB4, GdB4, etc., TiC, ZrC, HfC, TaC, Si
Examples thereof include carbides such as C, WC, nitrides such as TiN, ZrN, HfN, semiconductors such as Si and Ge, carbon, and the like, which are appropriately selected from these.

【0090】以上述べたように、導電性薄膜1104を
微粒子膜で形成したが、そのシート抵抗値については、
10の3乗から10の7乗[オーム/sq]の範囲に含
まれるよう設定した。
As described above, the conductive thin film 1104 is formed of a fine particle film, and its sheet resistance value is
It was set to fall within the range of 10 3 to 10 7 [ohm / sq].

【0091】なお、導電性薄膜1104と素子電極11
02および1103とは、電気的に良好に接続されるの
が望ましいため、互いの一部が重なりあうような構造を
とっている。その重なり方は、図11の例においては、
下から、基板1101、素子電極1102,1103、
導電性薄膜1104の順序で積層したが、場合によって
は下から基板、導電性薄膜、素子電極の順序で積層して
も差し支えない。
The conductive thin film 1104 and the device electrode 11
Since 02 and 1103 are preferably electrically connected well, they have a structure in which some of them overlap each other. In the example of FIG. 11, the overlapping manner is
From the bottom, the substrate 1101, the device electrodes 1102 and 1103,
The conductive thin films 1104 are stacked in this order, but in some cases, the substrate, the conductive thin film, and the device electrodes may be stacked in this order from the bottom.

【0092】また、電子放出部1105は、導電性薄膜
1104の一部に形成された亀裂状の部分であり、電気
的には周囲の導電性薄膜よりも高抵抗な性質を有してい
る。この亀裂部分は、導電性薄膜1104に対して、後
述する通電フォーミングの処理を行うことにより形成さ
れる。この亀裂内には、数オングストロームから数百オ
ングストロームの粒径の微粒子が配置される場合があ
る。なお、実際の電子放出部の位置や形状を精密かつ正
確に図示するのは困難であるため、図11においては模
式的に示した。
Further, the electron emitting portion 1105 is a crack-like portion formed in a part of the conductive thin film 1104, and has an electrically higher resistance than the surrounding conductive thin film. The cracked portion is formed by subjecting the conductive thin film 1104 to a later-described energization forming process. Fine particles having a particle diameter of several angstroms to several hundred angstroms may be arranged in the cracks. Since it is difficult to accurately and accurately show the actual position and shape of the electron emitting portion, the electron emitting portion is schematically shown in FIG.

【0093】また、薄膜1113は、炭素もしくは炭素
化合物よりなる薄膜で、電子放出部1105及びその近
傍を被覆している。薄膜1113は、通電フォーミング
処理後に、後述する通電活性化の処理を行うことにより
形成する。
The thin film 1113 is a thin film made of carbon or a carbon compound and covers the electron emitting portion 1105 and its vicinity. The thin film 1113 is formed by performing the energization activation process described later after the energization forming process.

【0094】薄膜1113は、単結晶グラファイト、多
結晶グラファイト、非晶質カーボン、のいずれかか、も
しくはその混合物であり、膜厚は500[オングストロ
ーム]以下とするが、300[オングストローム]以下
とするのより好ましい。
The thin film 1113 is made of single crystal graphite, polycrystalline graphite, amorphous carbon, or a mixture thereof, and has a film thickness of 500 [angstrom] or less, but 300 [angstrom] or less. Is more preferable.

【0095】なお、実際の薄膜1113の位置や形状を
精密に図示するのは困難なため、図11においては模式
的に示し、平面図(a)においては、薄膜1113の一
部を除去した素子を図示した。
Since it is difficult to accurately illustrate the actual position and shape of the thin film 1113, the thin film 1113 is schematically shown in FIG. 11, and in the plan view (a), an element obtained by removing a part of the thin film 1113 is shown. Is illustrated.

【0096】以上、好ましい素子の基本構成を述べた
が、実施例においては以下のような素子を用いた。
The basic structure of the preferable element has been described above, but the following elements were used in the examples.

【0097】即ち、基板1101には青板ガラスを用
い、素子電極1102と1103にはNi薄膜を用い
た。これら素子電極1102,1103の厚さdは、1
000[オングストローム]、電極間隔Lは2[マイク
ロメータ]とした。微粒子膜の主要材料としてPdもし
くはPdOを用い、微粒子膜の厚さは約100[オング
ストローム]、幅Wは100[マイクロメータ]とし
た。
That is, soda lime glass was used for the substrate 1101, and Ni thin films were used for the device electrodes 1102 and 1103. The thickness d of these device electrodes 1102 and 1103 is 1
000 [angstrom] and the electrode interval L was 2 [micrometer]. Pd or PdO was used as the main material of the fine particle film, and the thickness of the fine particle film was about 100 [angstrom] and the width W was 100 [micrometer].

【0098】次に、好適な平面型の表面伝導型放出素子
の製造方法について説明する。
Next, a method for manufacturing a suitable flat surface-conduction type electron-emitting device will be described.

【0099】図12(a)〜(d)は、本実施例の表面
伝導型放出素子の製造工程を説明するための断面図で、
各部材の表記は前記図11と同一である。
FIGS. 12A to 12D are sectional views for explaining the manufacturing process of the surface conduction electron-emitting device of this embodiment.
The notation of each member is the same as in FIG.

【0100】(1)まず、図12(a)に示すように、
基板1101上に素子電極1102及び1103を形成
する。これら素子電極を形成するにあたっては、予め基
板1101を洗剤、純水、有機溶剤を用いて十分に洗浄
後、素子電極1102,1103の材料を堆積させる。
この堆積させる方法としては、例えば、蒸着法やスパッ
タ法などの真空成膜技術を用ればよい。その後、その堆
積した電極材料を、フォトリソグラフィ・エッチング技
術を用いてパターニングし、図12(a)に示した一対
の素子電極(1102と1103)を形成する。
(1) First, as shown in FIG.
The device electrodes 1102 and 1103 are formed on the substrate 1101. In forming these device electrodes, the substrate 1101 is thoroughly washed in advance with a detergent, pure water, and an organic solvent, and then the materials for the device electrodes 1102 and 1103 are deposited.
As the method of depositing, for example, a vacuum film forming technique such as a vapor deposition method or a sputtering method may be used. Then, the deposited electrode material is patterned by using a photolithography / etching technique to form a pair of device electrodes (1102 and 1103) shown in FIG.

【0101】(2)次に、図12(b)に示すように、
導電性薄膜1104を形成する。
(2) Next, as shown in FIG.
A conductive thin film 1104 is formed.

【0102】この導電性薄膜1104を形成するにあた
っては、まず図12(a)の基板1101に有機金属溶
液を塗布して乾燥し、加熱焼成処理して微粒子膜を成膜
した後、フォトリソグラフィ・エッチングにより所定の
形状にパターニングする。ここで有機金属溶液とは、導
電性薄膜1104に用いる微粒子の材料を主要元素とす
る有機金属化合物の溶液である。具体的には、本実施例
では主要元素としてPdを用いた。また、実施例では塗
布方法として、ディッピング法を用いたが、それ以外の
例えばスピンナー法やスプレー法を用いてもよい。
In forming this conductive thin film 1104, first, an organic metal solution is applied to the substrate 1101 of FIG. 12A, dried, and heated and baked to form a fine particle film, and then photolithography. Patterning is performed into a predetermined shape by etching. Here, the organometallic solution is a solution of an organometallic compound whose main element is the material of the fine particles used for the conductive thin film 1104. Specifically, Pd was used as the main element in this example. Further, although the dipping method is used as the coating method in the examples, other methods such as a spinner method and a spray method may be used.

【0103】また、微粒子膜で作られる導電性薄膜11
04の成膜方法としては、本実施例で用いた有機金属溶
液の塗布による方法以外の、例えば真空蒸着法やスパッ
タ法或は化学的気相堆積法などを用いる場合もある。
The conductive thin film 11 made of a fine particle film
As a film forming method of 04, other than the method of applying the organic metal solution used in this embodiment, for example, a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like may be used.

【0104】(3)次に、同図(c)に示すように、フ
ォーミング用電源1110から素子電極1102と11
03の間に適宜の電圧を印加し、通電フォーミング処理
を行って電子放出部1105を形成する。
(3) Next, as shown in FIG. 7C, the forming power supply 1110 to the device electrodes 1102 and 11
An appropriate voltage is applied during the period 03 to perform an energization forming process to form the electron emitting portion 1105.

【0105】この通電フォーミング処理とは、微粒子膜
で作られた導電性薄膜1104に通電を行って、その一
部を適宜に破壊、変形、もしくは変質せしめ、電子放出
を行うのに好適な構造に変化させる処理のことである。
この微粒子膜で作られた導電性薄膜のうち電子放出を行
うのに好適な構造に変化した部分(即ち、電子放出部1
105)においては、薄膜に適当な亀裂が形成されてい
る。なお、電子放出部1105が形成される前と比較す
ると、形成された後は素子電極1102と1103の間
で計測される電気抵抗は大幅に増加する。
This energization forming treatment is performed by energizing the electroconductive thin film 1104 made of a fine particle film to appropriately destroy, deform, or alter a part of the electroconductive thin film 1104, thereby forming a structure suitable for electron emission. It is the process of changing.
Of the conductive thin film made of this fine particle film, the portion changed to a structure suitable for emitting electrons (that is, the electron emitting portion 1
In 105), appropriate cracks are formed in the thin film. Note that the electric resistance measured between the element electrodes 1102 and 1103 after the formation is significantly increased as compared with before the formation of the electron emission portion 1105.

【0106】このフォーミングのための通電方法をより
詳しく説明するために、図13に、フォーミング用電源
1110から印加する適宜の電圧波形の一例を示す。
In order to explain the energizing method for forming in more detail, FIG. 13 shows an example of an appropriate voltage waveform applied from the forming power supply 1110.

【0107】微粒子膜で作られた導電性薄膜1104を
フォーミングする場合には、パルス状の電圧が好まし
く、本実施例の場合には同図に示したようにパルス幅T
1の三角波パルスをパルス間隔T2で連続的に印加し
た。その際には、三角波パルスの波高値Vpfを、順次
昇圧した。また、電子放出部1105の形成状況をモニ
タするためのモニタ・パルスPmを、適宜の間隔で三角
波パルスの間に挿入し、その際に流れる電流を電流計1
111(図12(c))で計測した。
When forming the conductive thin film 1104 made of a fine particle film, a pulsed voltage is preferable, and in the case of the present embodiment, the pulse width T as shown in FIG.
One triangular wave pulse was continuously applied at a pulse interval T2. At that time, the peak value Vpf of the triangular wave pulse was sequentially increased. Also, monitor pulses Pm for monitoring the formation state of the electron emission portion 1105 are inserted between the triangular wave pulses at appropriate intervals, and the current flowing at that time is measured by the ammeter 1.
111 (FIG. 12C).

【0108】本実施例においては、例えば10のマイナ
ス5乗[torr]程度の真空雰囲気下において、例え
ばパルス幅T1を1[ミリ秒]、パルス間隔T2を10
[ミリ秒]とし、波高値Vpfを1パルスごとに0.1
[V]ずつ昇圧した。そして、三角波を5パルス印加す
る毎に1回の割合で、モニタ・パルスPmを挿入した。
ここでフォーミング処理に悪影響を及ぼすことがないよ
うに、モニタ・パルスPmの電圧Vpmは0.1[V]
に設定した。そして、素子電極1102と1103の間
の電気抵抗が1×10の6乗[オーム]になった段階、
即ち、モニタ・パルスの印加時に、電流計1111で計
測される電流が1×10のマイナス7乗[A]以下にな
った段階で、フォーミング処理にかかわる通電を終了し
た。
In the present embodiment, for example, in a vacuum atmosphere of about 10 −5 [torr], for example, the pulse width T1 is 1 [millisecond] and the pulse interval T2 is 10.
[Millisecond], and the peak value Vpf is set to 0.1 for each pulse.
The voltage was increased by [V]. Then, the monitor pulse Pm was inserted once every five pulses of the triangular wave were applied.
Here, the voltage Vpm of the monitor pulse Pm is 0.1 [V] so that the forming process is not adversely affected.
Set to. Then, when the electric resistance between the device electrodes 1102 and 1103 becomes 1 × 10 6 [ohm],
That is, when the monitor pulse is applied, when the current measured by the ammeter 1111 becomes 1 × 10 −7 [A] or less, the energization related to the forming process is terminated.

【0109】なお、上記の方法は、本実施例の表面伝導
型放出素子に関する好ましい方法であり、例えば微粒子
膜の材料や膜厚、或は素子電極間隔Lなど、表面伝導型
放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて通電
の条件を適宜変更するのが望ましい。
The above method is a preferable method for the surface conduction electron-emitting device of this embodiment. For example, the design of the surface conduction electron-emitting device such as the material and film thickness of the fine particle film or the element electrode spacing L is performed. When it is changed, it is desirable to appropriately change the energization condition accordingly.

【0110】(4)次に、図12(d)に示すように、
活性化用電源1112から素子電極1102と1103
の間に適宜の電圧を印加し、通電活性化処理を行って、
電子放出特性の改善を行う。
(4) Next, as shown in FIG.
From the activation power source 1112 to the device electrodes 1102 and 1103
Appropriate voltage is applied between the two to perform energization activation treatment,
The electron emission characteristics are improved.

【0111】この通電活性化処理とは、通電フォーミン
グ処理により形成された電子放出部1105に適宜の条
件で通電を行って、その近傍に炭素もしくは炭素化合物
を堆積せしめる処理のことである。図においては、炭素
もしくは炭素化合物よりなる堆積物を部材1113とし
て模式的に示した。尚、このような通電活性化処理を行
うことにより、この活性化処理を行う前と比較して、同
じ印加電圧における放出電流を典型的には100倍以上
に増加させることができる。
The energization activation process is a process of energizing the electron-emitting portion 1105 formed by the energization forming process under appropriate conditions to deposit carbon or a carbon compound in the vicinity thereof. In the figure, a deposit made of carbon or a carbon compound is schematically shown as the member 1113. It should be noted that by performing such energization activation processing, the emission current at the same applied voltage can typically be increased by 100 times or more as compared with before performing this activation processing.

【0112】具体的には、10のマイナス4乗ないし1
0のマイナス5乗[torr]の範囲内の真空雰囲気中
で、電圧パルスを定期的に印加することにより、真空雰
囲気中に存在する有機化合物を起源とする炭素もしくは
炭素化合物を堆積させる。堆積物1113は、単結晶グ
ラファイト、多結晶グラファイト、非晶質カーボン、の
いずれかか、もしくはその混合物であり、膜厚は500
[オングストローム]以下、より好ましくは300[オ
ングストローム]以下である。
Specifically, it is 10 −4 or 1
By periodically applying a voltage pulse in a vacuum atmosphere within a range of 0 minus 5 [torr], carbon or a carbon compound originating from an organic compound existing in the vacuum atmosphere is deposited. The deposit 1113 is one of single crystal graphite, polycrystalline graphite, amorphous carbon, or a mixture thereof, and has a film thickness of 500.
[Angstrom] or less, more preferably 300 [Angstrom] or less.

【0113】この時の通電方法をより詳しく説明するた
めに、図14(a)に、活性化用電源1112から印加
する適宜の電圧波形の一例を示す。本実施例において
は、一定電圧の矩形波を定期的に印加して通電活性化処
理を行ったが、具体的には,矩形波の電圧Vacは14
[V],パルス幅T3は、1[ミリ秒],パルス間隔T
4を10[ミリ秒]とした。尚、上述の通電条件は、本
実施例の表面伝導型放出素子に関する好ましい条件であ
り、表面伝導型放出素子の設計を変更した場合には、そ
れに応じて条件を適宜変更するのが望ましい。
In order to explain the energization method at this time in more detail, FIG. 14A shows an example of an appropriate voltage waveform applied from the activation power supply 1112. In this embodiment, the energization activation process is performed by periodically applying a rectangular wave having a constant voltage. Specifically, the rectangular wave voltage Vac is 14
[V], pulse width T3 is 1 [millisecond], pulse interval T
4 was set to 10 [millisecond]. The above-mentioned energization conditions are preferable conditions for the surface conduction electron-emitting device of this embodiment, and when the design of the surface conduction electron emission device is changed, it is desirable to appropriately change the conditions accordingly.

【0114】図12(d)に示す1114は、該表面伝
導型放出素子から放出される放出電流Ieを捕捉するた
めのアノード電極で、直流高電圧電源1115および電
流計1116が接続されている。尚、基板1101を表
示パネル12の中に組み込んでから活性化処理を行う場
合には、表示パネル12の蛍光面をアノード電極111
4として用いる。活性化用電源1112から電圧を印加
する間、電流計1116により放出電流Ieを計測して
通電活性化処理の進行状況をモニタし、活性化用電源1
112の動作を制御する。
Reference numeral 1114 shown in FIG. 12 (d) is an anode electrode for trapping the emission current Ie emitted from the surface conduction electron-emitting device, to which a DC high voltage power supply 1115 and an ammeter 1116 are connected. When the substrate 1101 is incorporated into the display panel 12 and then activated, the fluorescent surface of the display panel 12 is set to the anode electrode 111.
Used as 4. While applying the voltage from the activation power supply 1112, the emission current Ie is measured by the ammeter 1116 to monitor the progress of the energization activation process, and the activation power supply 1
Control the operation of 112.

【0115】この電流計1116で計測された放出電流
Ieの一例を図14(b)に示すが、活性化電源111
2からパルス電圧を印加しはじめると、時間の経過とと
もに放出電流Ieは増加するが、やがて飽和してほとん
ど増加しなくなる。このように、放出電流Ieがほぼ飽
和した時点で活性化用電源1112からの電圧印加を停
止し、通電活性化処理を終了する。
An example of the emission current Ie measured by the ammeter 1116 is shown in FIG.
When the pulse voltage is started to be applied from 2, the emission current Ie increases with the passage of time, but eventually becomes saturated and hardly increases. As described above, when the emission current Ie is almost saturated, the voltage application from the activation power supply 1112 is stopped, and the energization activation process is ended.

【0116】なお、上述の通電条件は、本実施例の表面
伝導型放出素子に関する好ましい条件であり、表面伝導
型放出素子の設計を変更した場合には、それに応じて条
件を適宜変更するのが望ましい。
The above energization conditions are preferable conditions for the surface conduction electron-emitting device of the present embodiment, and when the design of the surface conduction electron emission device is changed, the conditions should be changed accordingly. desirable.

【0117】以上のようにして、図12(e)に示す平
面型の表面伝導型放出素子を製造した。
As described above, the plane type surface conduction electron-emitting device shown in FIG. 12 (e) was manufactured.

【0118】[垂直型の表面伝導型放出素子]次に、電
子放出部もしくはその周辺を微粒子膜から形成した表面
伝導型放出素子のもうひとつの代表的な構成、即ち、垂
直型の表面伝導型放出素子の構成について説明する。
[Vertical Surface Conduction Type Emitting Element] Next, another typical structure of the surface conduction type emitting element in which the electron emitting portion or its periphery is formed of a fine particle film, that is, the vertical type surface conduction type The structure of the emitting element will be described.

【0119】図15は、垂直型の基本構成を説明するた
めの模式的な断面図である。
FIG. 15 is a schematic sectional view for explaining the basic structure of the vertical type.

【0120】図中、1201は基板、1202と120
3は素子電極、1206は段差形成部材、1204は微
粒子膜を用いた導電性薄膜、1205は通電フォーミン
グ処理により形成した電子放出部、1213は通電活性
化処理により形成した薄膜、である。
In the figure, reference numeral 1201 designates substrates 1202 and 120.
Reference numeral 3 is an element electrode, 1206 is a step forming member, 1204 is a conductive thin film using a fine particle film, 1205 is an electron emission portion formed by an energization forming process, and 1213 is a thin film formed by an energization activation process.

【0121】垂直型が先に説明した平面型と異なる点
は、素子電極のうちの片方(1202)が段差形成部材
1206上に設けられており、導電性薄膜1204が段
差形成部材1206の側面を被覆している点にある。従
って、前記図11の平面型における素子電極間隔Lは、
垂直型においては段差形成部材1206の段差高Lsと
して設定される。なお、基板1201、素子電極120
2および1203、微粒子膜を用いた導電性薄膜120
4、については、前記平面型の説明中に列挙した材料を
同様に用いることが可能である。また、段差形成部材1
206には、例えばSiO2 のような電気的に絶縁性の
材料を用いる。
The vertical type is different from the above-described flat type in that one of the device electrodes (1202) is provided on the step forming member 1206, and the conductive thin film 1204 covers the side surface of the step forming member 1206. The point is that they are covered. Therefore, the device electrode spacing L in the flat type shown in FIG.
In the vertical type, it is set as the step height Ls of the step forming member 1206. The substrate 1201 and the device electrode 120
2 and 1203, a conductive thin film 120 using a fine particle film
For 4, it is possible to use the materials listed in the description of the planar type in the same manner. Also, the step forming member 1
For 206, an electrically insulating material such as SiO2 is used.

【0122】次に、垂直型の表面伝導型放出素子の製法
について説明する。図16(a)〜(f)は、本実施例
における製造工程を説明するための断面図で、各部材の
表記は図15と同一で、以下の(1)〜(7)に従って
製造される。
Next, a method for manufacturing the vertical type surface conduction electron-emitting device will be described. 16 (a) to 16 (f) are cross-sectional views for explaining the manufacturing process in the present embodiment, the notation of each member is the same as that in FIG. 15, and it is manufactured according to the following (1) to (7). .

【0123】(1)まず、図16(a)に示すように、
基板1201上に素子電極1203を形成する。
(1) First, as shown in FIG.
A device electrode 1203 is formed on the substrate 1201.

【0124】(2)同図(b)に示すように、段差形成
部材を形成するための絶縁層1206を積層する。この
絶縁層1206は、例えばSiO2 をスパッタ法で積層
すればよいが、例えば真空蒸着法や印刷法などの他の成
膜方法を用いてもよい。
(2) As shown in FIG. 13B, an insulating layer 1206 for forming a step forming member is laminated. The insulating layer 1206 may be formed by laminating SiO2 by a sputtering method, but other film forming methods such as a vacuum vapor deposition method and a printing method may be used.

【0125】(3)同図(c)に示すように、絶縁層1
206の上に素子電極1202を形成する。
(3) As shown in FIG. 7C, the insulating layer 1
A device electrode 1202 is formed on 206.

【0126】(4)同図(d)に示すように、絶縁層1
206の一部を、例えばエッチング法を用いて除去し、
素子電極1203を露出させる。
(4) As shown in FIG.
A part of 206 is removed by using, for example, an etching method,
The device electrode 1203 is exposed.

【0127】(5)同図(e)に示すように、微粒子膜
を用いた導電性薄膜1204を形成する。この導電性薄
膜1204を形成するには、前記平面型の場合と同じ
く、例えば塗布法などの成膜技術を用いればよい。
(5) As shown in FIG. 7E, a conductive thin film 1204 using a fine particle film is formed. To form the conductive thin film 1204, a film forming technique such as a coating method may be used as in the case of the flat type.

【0128】(6)平面型の場合と同じく、通電フォー
ミング処理を行い、電子放出部1205を形成する。
(図12(c)を用いて説明した平面型の通電フォーミ
ング処理と同様の処理を行えばよい。) (7)平面型の場合と同じく、通電活性化処理を行い、
電子放出部1205近傍に炭素もしくは炭素化合物12
06を堆積させる。(図12(d)を用いて説明した平
面型の通電活性化処理と同様の処理を行えばよい。) 以上のようにして、図16(f)に示す垂直型の表面伝
導型放出素子を製造した。 [表示装置に用いた表面伝導型放出素子の特性]以上、
平面型と垂直型の表面伝導型放出素子について素子構成
と製法を説明したが、次にこの表面伝導型電子放出素子
を表示装置に用いた場合の特性について述べる。
(6) As in the case of the flat type, the energization forming process is performed to form the electron emitting portion 1205.
(The same process as the planar energization forming process described with reference to FIG. 12C may be performed.) (7) The energization activation process is performed as in the case of the planar type.
Carbon or carbon compound 12 near the electron emission portion 1205
06 is deposited. (The same process as the planar energization activation process described with reference to FIG. 12D may be performed.) As described above, the vertical surface conduction electron-emitting device shown in FIG. Manufactured. [Characteristics of surface conduction electron-emitting device used in display device]
The device configuration and the manufacturing method of the planar type and the vertical type surface conduction electron-emitting device have been described. Next, the characteristics when the surface conduction electron emission device is used in a display device will be described.

【0129】図17は、本実施例の表面伝導型電子放出
素子を表示装置に用いた素子の(放出電流Ie)対(素
子印加電圧Vf)特性、および(素子電流If)対(素
子印加電圧Vf)特性の典型的な例を示す図である。
尚、放出電流Ieは素子電流Ifに比べて著しく小さ
く、同一尺度で図示するのが困難である上、これらの特
性は素子の大きさや形状等の設計パラメータを変更する
ことにより変化されるものであるため、2本のグラフは
各々任意の単位で図示した。
FIG. 17 shows characteristics of (emission current Ie) vs. (element applied voltage Vf) of an element using the surface conduction electron-emitting device of this embodiment for a display device, and (element current If) vs. (element applied voltage). It is a figure which shows the typical example of Vf) characteristic.
Note that the emission current Ie is significantly smaller than the device current If and is difficult to be illustrated on the same scale, and these characteristics are changed by changing design parameters such as the size and shape of the device. Therefore, the two graphs are shown in arbitrary units.

【0130】本実施例の表示装置に用いた電子放出素子
は、放出電流Ieに関して以下に述べる3つの特性を有
している。
The electron-emitting device used in the display device of this example has the following three characteristics regarding the emission current Ie.

【0131】第1に、ある電圧(これを閾値電圧Vth
と呼ぶ)以上の大きさの電圧を素子に印加すると急激に
放出電流Ieが増加するが、一方、閾値電圧Vth未満
の電圧では放出電流Ieはほとんど検出されない。即
ち、放出電流Ieに関して、明確な閾値電圧Vthを持
った非線形素子である。
First, a certain voltage (this is the threshold voltage Vth
The emission current Ie sharply increases when a voltage of the above magnitude is applied to the element, while the emission current Ie is hardly detected at a voltage lower than the threshold voltage Vth. That is, it is a non-linear element having a clear threshold voltage Vth with respect to the emission current Ie.

【0132】第2に、放出電流Ieは素子に印加する電
圧Vfに依存して変化するため、電圧Vfで放出電流I
eの大きさを制御できる。
Secondly, since the emission current Ie changes depending on the voltage Vf applied to the element, the emission current Ie at the voltage Vf.
The size of e can be controlled.

【0133】第3に、素子に印加する電圧Vfに対して
素子から放出される電流Ieの応答速度が速いため、電
圧Vfを印加する時間の長さによって素子から放出され
る電子の電荷量を制御できる。
Thirdly, since the response speed of the current Ie emitted from the element is fast with respect to the voltage Vf applied to the element, the charge amount of electrons emitted from the element depends on the length of time for which the voltage Vf is applied. You can control.

【0134】以上のような特性を有するため、表面伝導
型放出素子を表示装置に好適に用いることができた。例
えば多数の素子を表示画面の画素に対応して設けた表示
装置において、第1の特性を利用すれば、表示画面を順
次走査して表示を行うことが可能である。即ち、駆動中
の素子には所望の発光輝度に応じて閾値電圧Vth以上
の電圧を適宜印加し、非選択状態の素子には閾値電圧V
th未満の電圧を印加する。こうして駆動する素子を順
次切り替えてゆくことにより、表示画面を順次走査して
表示を行うことが可能である。
Due to the above-mentioned characteristics, the surface conduction electron-emitting device could be preferably used in a display device. For example, in a display device in which a large number of elements are provided corresponding to the pixels of the display screen, by utilizing the first characteristic, it is possible to sequentially scan and display the display screen. That is, a voltage equal to or higher than the threshold voltage Vth is appropriately applied to the driven element according to the desired light emission luminance, and the threshold voltage Vth is applied to the non-selected element.
A voltage less than th is applied. By sequentially switching the elements to be driven in this manner, it is possible to sequentially scan the display screen for display.

【0135】また、前述した第2の特性か、又は第3の
特性を利用することにより、発光輝度を制御することが
できるため、諧調表示を行うことが可能である。
Further, since the emission brightness can be controlled by utilizing the above-mentioned second characteristic or the third characteristic, it is possible to carry out gradation display.

【0136】[多数素子を単純マトリクス配線したマル
チ電子ビーム源の構造]次に、上述の表面伝導型放出素
子を基板上に配列して単純マトリクス配線したマルチ電
子ビーム源の構造について述べる。
[Structure of multi-electron beam source in which a large number of elements are wired in a simple matrix] Next, the structure of a multi-electron beam source in which the above-mentioned surface conduction electron-emitting devices are arranged on a substrate and wired in a simple matrix will be described.

【0137】図18に示すのは、前記図9の表示パネル
12に用いたマルチ電子ビーム源の平面図である。前述
したように、基板1001上には、図11で示したもの
と同様な表面伝導型放出素子が配列され、これらの素子
は行方向配線55と列方向配線54に接続され、単純マ
トリクスに配線されている。行方向配線55と列方向配
線54とが交差する部分には、電極間に絶縁層(不図
示)が形成されており、電気的な絶縁が保たれている。
FIG. 18 is a plan view of the multi-electron beam source used for the display panel 12 of FIG. As described above, the surface conduction electron-emitting devices similar to those shown in FIG. 11 are arranged on the substrate 1001, and these devices are connected to the row-direction wirings 55 and the column-direction wirings 54 and wired in a simple matrix. Has been done. An insulating layer (not shown) is formed between the electrodes at the intersection of the row wiring 55 and the column wiring 54 to maintain electrical insulation.

【0138】図18のA−A’に沿った断面形状を図1
9に示す。
FIG. 1 is a sectional view taken along the line AA 'in FIG.
9 shows.

【0139】なお、このような構造のマルチ電子源は、
予め基板1001上に行方向配線55、列方向配線5
4、電極間絶縁層(不図示)、および表面伝導型放出素
子の素子電極と導電性薄膜とを形成した後、行方向配線
55および列方向配線54を介して、各素子に給電して
通電フォーミング処理と通電活性化処理を行うことによ
り製造した。
The multi-electron source having such a structure is
The row-direction wiring 55 and the column-direction wiring 5 are previously formed on the substrate 1001.
4. After forming the inter-electrode insulating layer (not shown), the element electrode of the surface conduction electron-emitting device and the conductive thin film, each element is supplied with electricity through the row-direction wiring 55 and the column-direction wiring 54 to conduct electricity. It was manufactured by performing a forming treatment and an energization activation treatment.

【0140】図20は、本実施例の表面伝導型放出素子
を電子ビーム源として用いたディスプレイパネル12
に、例えばテレビジョン放送等の種々の画像情報源より
提供される画像情報を表示できるように構成した多機能
表示装置の一例を示すためのブロック図である。
FIG. 20 shows a display panel 12 using the surface conduction electron-emitting device of this embodiment as an electron beam source.
2 is a block diagram showing an example of a multi-function display device configured to be able to display image information provided from various image information sources such as television broadcasting.

【0141】図中、12は前述したディスプレイパネ
ル、2101はディスプレイパネル12の駆動回路で、
2101aは映像信号を出力する駆動回路、2101b
は走査信号を出力する駆動回路を示している。尚、本実
施例の表示装置は、例えばテレビジョン信号のように映
像情報と音声情報の両方を含む信号を受信する場合に
は、当然映像の表示と同時に音声を再生するものである
が、本実施例の特徴と直接関係しない音声情報の受信、
分離、再生、処理、記憶などに関する回路やスピーカな
どについては説明を省略する。
In the figure, 12 is the above-mentioned display panel, 2101 is a drive circuit for the display panel 12,
2101a is a drive circuit for outputting a video signal, 2101b
Indicates a drive circuit that outputs a scanning signal. Incidentally, when the display device of the present embodiment receives a signal including both video information and audio information, such as a television signal, it naturally reproduces audio at the same time as displaying video. Reception of voice information not directly related to the features of the embodiment,
Descriptions of circuits, speakers, etc. relating to separation, reproduction, processing, storage, etc. are omitted.

【0142】以下、画像信号の流れに沿って各部の機能
を説明してゆく。
The functions of the respective parts will be described below along the flow of image signals.

【0143】まず、TV信号受信回路2113は、例え
ば電波や空間光通信などのような無線伝送系を用いて伝
送されるTV画像信号を受信するための回路である。受
信するTV信号の方式は特に限られるものではなく、例
えば、NTSC方式、PAL方式、SECAM方式など
の処方式でもよい。また、これらより更に多数の走査線
よりなるTV信号(例えばMUSE方式等のいわゆる高
品位TV)は、大面積化や大画素数化に適した前記ディ
スプレイパネル12の利点を生かすのに好適な信号源で
ある。TV信号受信回路2113で受信されたTV信号
は、デコーダ2104に出力される。
First, the TV signal receiving circuit 2113 is a circuit for receiving a TV image signal transmitted using a wireless transmission system such as radio waves or spatial optical communication. The TV signal system to be received is not particularly limited, and may be a prescription system such as an NTSC system, a PAL system, or a SECAM system. Further, a TV signal (for example, a so-called high-definition TV such as the MUSE system) having a larger number of scanning lines than these is a signal suitable for taking advantage of the display panel 12 suitable for a large area and a large number of pixels. Is the source. The TV signal received by the TV signal receiving circuit 2113 is output to the decoder 2104.

【0144】また、TV信号受信回路2112は、例え
ば同軸ケーブルや光ファイバなどのような有線伝送系を
用いて伝送されるTV画像信号を受信するための回路で
ある。前記TV信号受信回路2113と同様に、受信す
るTV信号の方式は特に限られるものではなく、また本
回路で受信されたTV信号もデコーダ2104に出力さ
れる。また、画像入力インターフェース回路2111
は、例えばTVカメラや画像読み取りスキャナなどの画
像入力装置から供給される画像信号を取り込むための回
路で、取り込まれた画像信号はデコーダ2104に出力
される。
The TV signal receiving circuit 2112 is a circuit for receiving a TV image signal transmitted by using a wired transmission system such as a coaxial cable or an optical fiber. Similar to the TV signal receiving circuit 2113, the system of the TV signal to be received is not particularly limited, and the TV signal received by this circuit is also output to the decoder 2104. Also, the image input interface circuit 2111
Is a circuit for capturing an image signal supplied from an image input device such as a TV camera or an image reading scanner, and the captured image signal is output to the decoder 2104.

【0145】画像メモリインターフェース回路2110
は、ビデオテープレコーダ(以下VTRと略す)に記憶
されている画像信号を取り込むための回路で、取り込ま
れた画像信号はデコーダ2104に出力される。画像メ
モリインターフェース回路2109は、ビデオディスク
に記憶されている画像信号を取り込むための回路で、取
り込まれた画像信号はデコーダ2104に出力される。
画像メモリインターフェース回路2108は、いわゆる
静止画ディスクのように、静止画像データを記憶してい
る装置から画像信号を取り込むための回路で、取り込ま
れた静止画像データはデコーダ2104に出力される。
Image memory interface circuit 2110
Is a circuit for capturing an image signal stored in a video tape recorder (hereinafter abbreviated as VTR), and the captured image signal is output to the decoder 2104. The image memory interface circuit 2109 is a circuit for capturing the image signal stored in the video disc, and the captured image signal is output to the decoder 2104.
The image memory interface circuit 2108 is a circuit for capturing an image signal from a device that stores still image data, such as a so-called still image disc, and the captured still image data is output to the decoder 2104.

【0146】入出力インターフェース回路2105は、
本表示装置と、外部のコンピュータもしくはコンピュー
タネットワークもしくはプリンタなどの出力装置とを接
続するための回路である。画像データや文字データ・図
形情報の入出力を行うのはもちろんのこと、場合によっ
ては本表示装置の備えるCPU2106と外部との間で
制御信号や数値データの入出力などを行うことも可能で
ある。画像生成回路2107は、前記入出力インターフ
ェース回路2105を介して外部から入力される画像デ
ータや文字・図形情報や、あるいはCPU2106より
出力される画像データや文字・図形情報に基づき表示用
画像データを生成するための回路である。本回路の内部
には、例えば画像データや文字・図形情報を蓄積するた
めの書き換え可能メモリや、文字コードに対応する画像
パターンが記憶されている読みだし専用メモリや、画像
処理を行うためのプロセッサなどの画像の生成に必要な
回路が組み込まれている。
The input / output interface circuit 2105 is
It is a circuit for connecting the display device to an external computer, a computer network, or an output device such as a printer. It is of course possible to input and output image data, character data, and graphic information, and in some cases, input and output control signals and numerical data between the CPU 2106 of the display device and the outside. . The image generation circuit 2107 generates display image data based on image data or character / graphic information input from the outside via the input / output interface circuit 2105 or image data or character / graphic information output from the CPU 2106. It is a circuit for doing. Inside this circuit, for example, a rewritable memory for accumulating image data and character / graphic information, a read-only memory in which image patterns corresponding to character codes are stored, and a processor for performing image processing The circuits necessary for image generation are incorporated.

【0147】本実施例の回路により生成された表示用画
像データは、デコーダ2104に出力されるが、場合に
よっては前記入出力インターフェース回路2105を介
して外部のコンピュータネットワークやプリンタ入出力
することも可能である。
The display image data generated by the circuit of this embodiment is output to the decoder 2104, but in some cases, it is also possible to input / output to / from an external computer network or printer via the input / output interface circuit 2105. Is.

【0148】また、CPU2106は、主として本表示
装置の動作制御や、表示画像の生成や選択や編集に関わ
る作業を行う。例えば、マルチプレクサ2103に制御
信号を出力し、ディスプレイパネルに表示する画像信号
を適宜選択したり組み合わせたりする。また、その際に
は表示する画像信号に応じてディスプレイパネル・コン
トローラ2102に対して制御信号を発生し、画面表示
周波数や走査方法(例えばインターレースかノンインタ
ーレースか)や一画面の走査線の数など表示装置の動作
を適宜制御する。前記画像生成回路2107に対して画
像データや文字・図形情報を直接出力したり、あるいは
前記入出力インターフェース回路2105を介して外部
のコンピュータやメモリをアクセスして画像データや文
字・図形情報を入力する。
Further, the CPU 2106 mainly performs operations related to operation control of the display device and generation, selection and editing of a display image. For example, a control signal is output to the multiplexer 2103 to appropriately select or combine image signals to be displayed on the display panel. At that time, a control signal is generated to the display panel controller 2102 according to the image signal to be displayed, the screen display frequency, the scanning method (for example, interlace or non-interlace), the number of scanning lines in one screen, and the like. The operation of the display device is controlled as appropriate. Image data or character / graphic information is directly output to the image generation circuit 2107, or an external computer or memory is accessed via the input / output interface circuit 2105 to input image data or character / graphic information. .

【0149】なお、CPU2106は、むろんこれ以外
の目的の作業にも関わるものであっても良い。例えば、
パーソナルコンピュータやワードプロセッサなどのよう
に、情報を生成したり処理する機能に直接関わっても良
い。あるいは、前述したように入出力インターフェース
回路2105を介して外部のコンピュータネットワーク
と接続し、例えば数値計算などの作業を外部機器と協同
して行っても良い。
It should be noted that the CPU 2106 may of course be involved in work for purposes other than this. For example,
It may be directly related to the function of generating and processing information, such as a personal computer or a word processor. Alternatively, as described above, the computer may be connected to an external computer network via the input / output interface circuit 2105, and work such as numerical calculation may be performed in cooperation with an external device.

【0150】また、入力部2114は、前記CPU21
06に使用者が命令やプログラム、あるいはデータなど
を入力するためのものであり、例えばキーボードやマウ
スのほか、ジョイスティック,バーコードリーダ,音声
認識装置など多様な入力機器を用いることが可能であ
る。
The input unit 2114 is the CPU 21
A user inputs commands, programs, data, etc. at 06. For example, various input devices such as a joystick, a bar code reader, and a voice recognition device can be used in addition to a keyboard and a mouse.

【0151】デコーダ2104は、前記2107ないし
2113より入力される種々の画像信号を3原色信号、
または輝度信号とI信号,Q信号に逆変換するための回
路である。なお、同図中に点線で示すように、デコーダ
2104は内部に画像メモリを備えるのが望ましい。こ
れは、例えばMUSE方式をはじめとして、逆変換する
に際して画像メモリを必要とするようなテレビ信号を扱
うためである。また、画像メモリを備えることにより、
静止画の表示が容易になる、あるいは前記画像生成回路
2107およびCPU2106と協動して画素の間引
き、補間、拡大、縮小、合成等の画像処理や編集が容易
に行えるようになるという利点が生まれるからである。
The decoder 2104 converts various image signals input from the above 2107 to 2113 into three primary color signals,
Alternatively, it is a circuit for inversely converting the luminance signal into the I signal and the Q signal. Note that it is desirable that the decoder 2104 includes an image memory therein, as indicated by a dotted line in the figure. This is to handle a television signal that requires an image memory for reverse conversion, such as the MUSE method. Also, by providing an image memory,
There is an advantage that a still image can be easily displayed, or image processing and editing such as pixel thinning, interpolation, enlargement, reduction, and synthesis can be easily performed in cooperation with the image generation circuit 2107 and the CPU 2106. Because.

【0152】マルチプレクサ2103は、前記CPU2
106より入力される制御信号に基づき表示画像を適宜
選択するものである。即ち、マルチプレクサ2103は
デコーダ2104から入力される逆変換された画像信号
のうちから所望の画像信号を選択して駆動回路2101
a,2101bに出力する。その場合には、一画面表示
時間内で画像信号を切り替えて選択することにより、い
わゆる多画面テレビのように、一画面を複数の領域に分
けて領域によって異なる画像を表示することも可能であ
る。また、ディスプレイパネルコントローラ2102
は、前記CPU2106より入力される制御信号に基づ
き駆動回路2101a,2101bの動作を制御するた
めの回路である。
The multiplexer 2103 is the CPU 2
A display image is appropriately selected based on a control signal input from 106. That is, the multiplexer 2103 selects a desired image signal from the inversely converted image signals input from the decoder 2104 and selects the drive circuit 2101.
a, 2101b. In that case, by switching and selecting image signals within one screen display time, it is possible to divide one screen into a plurality of areas and display different images depending on the areas, as in a so-called multi-screen television. . Also, the display panel controller 2102
Is a circuit for controlling the operation of the drive circuits 2101a and 2101b based on the control signal input from the CPU 2106.

【0153】まず、ディスプレイパネル12の基本的な
動作にかかわるものとして、例えばディスプレイパネル
の駆動用電源(図示せず)の動作シーケンスを制御する
ための信号を駆動回路2101a,2101bに対して
出力する。
First, as a component related to the basic operation of the display panel 12, for example, a signal for controlling an operation sequence of a power source (not shown) for driving the display panel is output to the drive circuits 2101a and 2101b. .

【0154】また、ディスプレイパネルの駆動方法に関
わるものとして、例えば画面表示周波数や走査方法(例
えばインターレースかノンインターレースか)を制御す
るための信号を駆動回路2101a,2101bに対し
て出力する。
Further, regarding the driving method of the display panel, for example, a signal for controlling the screen display frequency and the scanning method (for example, interlace or non-interlace) is output to the drive circuits 2101a and 2101b.

【0155】また、場合によっては表示画像の輝度やコ
ントラストや色調やシャープネスといった画質の調整に
関わる制御信号を駆動回路2101a,2101bに対
して出力する場合もある。駆動回路2101a,bは、
ディスプレイパネル12に印加する駆動信号を発生する
ための回路であり、前記マルチプレクサ2103から入
力される画像信号と、前記ディスプレイパネルコントロ
ーラ2102より入力される制御信号に基づいて動作す
るものである。
In some cases, control signals relating to image quality adjustment such as brightness, contrast, color tone and sharpness of a display image may be output to the drive circuits 2101a and 2101b. The drive circuits 2101a and 2101 are
It is a circuit for generating a drive signal to be applied to the display panel 12, and operates based on an image signal input from the multiplexer 2103 and a control signal input from the display panel controller 2102.

【0156】以上、各部の機能を説明したが、図20に
例示した構成により、本表示装置においては多様な画像
情報源より入力される画像情報をディスプレイパネル1
2に表示することが可能である。即ち、テレビジョン放
送等の各種の画像信号はデコーダ2104において逆変
換された後、マルチプレクサ2103において適宜選択
され、駆動回路2101a,2101bに入力される。
一方、ディスプレイコントローラ2102は、表示する
画像信号に応じて駆動回路2101a,2101bの動
作を制御するための制御信号を発生する。駆動回路21
01a,2101bは、画像信号と制御信号に基づいて
ディスプレイパネル12に駆動信号を印加する。
The function of each unit has been described above. With the configuration illustrated in FIG. 20, the display panel 1 displays image information input from various image information sources in this display device.
2 can be displayed. That is, various image signals such as television broadcast are inversely converted by the decoder 2104, appropriately selected by the multiplexer 2103, and input to the drive circuits 2101a and 2101b.
On the other hand, the display controller 2102 generates a control signal for controlling the operation of the drive circuits 2101a and 2101b according to the image signal to be displayed. Drive circuit 21
01a and 2101b apply a drive signal to the display panel 12 based on an image signal and a control signal.

【0157】これにより、ディスプレイパネル12にお
いて画像が表示される。これらの一連の動作は、CPU
2106により統括的に制御される。また、本表示装置
においては、前記デコーダ2104に内蔵する画像メモ
リや、画像生成回路2107およびCPU2106が関
与することにより、単に複数の画像情報の中から選択し
たものを表示するだけでなく、表示する画像情報に対し
て、例えば拡大、縮小、回転、移動、エッジ強調、間引
き、補間、色変換、画像の縦横比変換等の画像処理や、
合成、消去、接続、入れ換え、はめ込み等の画像編集を
行うことも可能である。また、本実施例の説明では特に
触れなかったが、上記画像処理や画像編集と同様に、音
声情報に関しても処理や編集を行うための専用回路を設
けても良い。
As a result, the image is displayed on the display panel 12. These series of operations are performed by the CPU
It is controlled by 2106 as a whole. Further, in the present display device, the image memory built in the decoder 2104, the image generation circuit 2107 and the CPU 2106 are involved, so that not only the one selected from the plurality of image information is displayed but also the selected one is displayed. For image information, for example, image processing such as enlargement, reduction, rotation, movement, edge enhancement, thinning, interpolation, color conversion, and aspect ratio conversion of images,
It is also possible to perform image editing such as composition, deletion, connection, replacement, and fitting. Although not particularly mentioned in the description of this embodiment, a dedicated circuit for processing and editing audio information may be provided as in the case of the above-mentioned image processing and image editing.

【0158】従って、本表示装置は、テレビジョン放送
の表示機器、テレビ会議の端末機器、静止画像および動
画像を扱う画像編集機器、コンピュータの端末機器、ワ
ードプロセッサ等の事務用端末機器、ゲーム機などの機
能を一台で兼ね備えることが可能で、産業用あるいは民
生用として極めて応用範囲が広い。
Therefore, the present display device is a display device for television broadcasting, a terminal device for a video conference, an image editing device for handling still images and moving images, a computer terminal device, an office terminal device such as a word processor, a game machine, etc. It is possible to combine the functions of a single unit, and it has an extremely wide range of applications for industrial or consumer use.

【0159】なお、図20は、表面伝導型放出素子を電
子ビーム源とするディスプレイパネルを用いた表示装置
の構成の一例を示したにすぎず、これのみに限定される
ものではない事は言うまでもない。例えば、図20の構
成要素のうち使用目的上必要のない機能に関わる回路は
省いても差し支えない。またこれとは逆に、使用目的に
よってはさらに構成要素を追加しても良い。例えば、本
表示装置をテレビ電話機として応用する場合には、テレ
ビカメラ、音声マイク、照明機、モデムを含む送受信回
路などを構成要素に追加するのが好適である。
Note that FIG. 20 merely shows an example of the configuration of a display device using a display panel having a surface conduction electron-emitting device as an electron beam source, and it is needless to say that it is not limited to this. Yes. For example, of the components shown in FIG. 20, circuits relating to functions that are unnecessary for the purpose of use may be omitted. On the contrary, the constituent elements may be added depending on the purpose of use. For example, when the display device is applied as a videophone, it is preferable to add a television camera, a voice microphone, an illuminator, a transmission / reception circuit including a modem, and the like to the constituent elements.

【0160】本表示装置においては、とりわけ表面伝導
型放出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルが
容易に薄形化できるため、表示装置全体の奥行きを小さ
くすることが可能である。それに加えて、表面伝導型放
出素子を電子ビーム源とするディスプレイパネルは大画
面化が容易で輝度が高く視野角特性にも優れるため、本
実施例の表示装置は臨場感あふれ迫力に富んだ画像を視
認性良く表示する事が可能である。
In the present display device, in particular, since the display panel using the surface conduction electron-emitting device as the electron beam source can be easily thinned, the depth of the entire display device can be reduced. In addition, a display panel using a surface conduction electron-emitting device as an electron beam source can easily have a large screen, has high brightness, and has excellent viewing angle characteristics. Therefore, the display device of the present embodiment has a realistic and powerful image. Can be displayed with good visibility.

【0161】尚、本発明は、複数の機器から構成される
システムに適用しても、1つの機器から成る装置に適用
しても良い。また、本発明はシステム或は装置に本発明
を実施するプログラムを供給することによって達成され
る場合にも適用できる。
The present invention may be applied to a system composed of a plurality of devices or an apparatus composed of one device. The present invention can also be applied to the case where it is achieved by supplying a program for implementing the present invention to a system or an apparatus.

【0162】以上説明したように本実施例によれば、2
つの電子放出部から放出される電子が1つの蛍光体に照
射されて発光するため、その蛍光体の発光輝度を約2倍
に上げることができる。
As described above, according to this embodiment, 2
Since the electrons emitted from the one electron emitting portion irradiate one phosphor to emit light, the emission brightness of the phosphor can be approximately doubled.

【0163】また本実施例によれば、行方向配線或は列
方向の配線に流す電流値を上げる必要もなく、また電子
をフェースプレート方向に加速するための加速電圧を上
げる必要もない。
Further, according to the present embodiment, it is not necessary to increase the value of the current flowing through the wiring in the row direction or the wiring in the column, and it is not necessary to increase the acceleration voltage for accelerating the electrons in the face plate direction.

【0164】また本実施例によれば、1つの電子放出部
により2箇所の蛍光体に電子を照射しているため、蛍光
体数と電子放出部の数はほぼ同じよい。そのため、解像
度が劣化することもない。
Further, according to the present embodiment, since the phosphors at two locations are irradiated with electrons by one electron emitting portion, the number of phosphors and the number of electron emitting portions may be substantially the same. Therefore, the resolution does not deteriorate.

【0165】更に本実施例によれば、2つの電子放出部
のうち片方の電子放出部になんらかの原因で障害が発生
して電子を放出しなくなっても、他方の電子放出部が正
常で電子を放出できれば、発光しない蛍光体が発生する
ことがなくなり、これにより表示画素の抜けの発生を抑
制できる。
Further, according to this embodiment, even if one of the two electron-emitting portions fails to emit electrons due to some reason, the other electron-emitting portion normally emits electrons. If it can be emitted, the phosphor that does not emit light will not be generated, and thus the occurrence of omission of the display pixel can be suppressed.

【0166】[0166]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、電
子源に印加する電圧或は電子を加速するための電圧を上
昇させることなく、発光輝度を上げることができるとい
う効果がある。
As described above, according to the present invention, it is possible to increase the emission brightness without increasing the voltage applied to the electron source or the voltage for accelerating the electrons.

【0167】また本発明によれば、1つの蛍光体を複数
の電子源よりの電子により発光させることにより、その
発光輝度を高めることができる効果がある。
Further, according to the present invention, by making one phosphor emit light by the electrons from a plurality of electron sources, there is an effect that the emission brightness can be increased.

【0168】又本発明によれば、例え1つの電子源に不
良が発生しても、他の電子源で補償できるという効果が
ある。
According to the present invention, even if a defect occurs in one electron source, it can be compensated by another electron source.

【0169】又本発明によれば、1回目の表示走査時と
2回目の表示走査とで、電子源に印加する電圧方向を変
更することにより、簡単に飛び越し走査を行って表示す
ることができるという効果がある。
According to the present invention, by changing the voltage direction applied to the electron source between the first display scanning and the second display scanning, it is possible to easily perform the interlaced scanning for display. There is an effect.

【0170】[0170]

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本実施例の表示装置の表示駆動回路の構成を示
すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a display drive circuit of a display device of this embodiment.

【図2】本実施例の表示パネルにおける電子放出素子の
配列を説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating an arrangement of electron-emitting devices in the display panel of this embodiment.

【図3】本実施例の電子放出素子の電子放出部から放出
された電子の軌道を表す図である。
FIG. 3 is a diagram showing trajectories of electrons emitted from an electron emitting portion of the electron emitting device of the present embodiment.

【図4】本発明の第1実施例における、飛び越し走査を
せずに表示装置を駆動する際のタイミングチャートであ
る。
FIG. 4 is a timing chart when the display device is driven without performing interlaced scanning in the first embodiment of the present invention.

【図5】第1実施例において、飛び越し走査をしない場
合に電子放出部から電子が放出され蛍光体に照射される
様子を示した図である。
FIG. 5 is a diagram showing a state in which electrons are emitted from an electron emitting portion and are applied to a phosphor in the first embodiment when interlaced scanning is not performed.

【図6】本発明の第2実施例における、飛び越し走査を
して表示装置を駆動する際のタイミングチャートであ
る。
FIG. 6 is a timing chart when the display device is driven by performing interlaced scanning in the second embodiment of the present invention.

【図7】第2実施例における、飛び越し走査をしない場
合に電子放出部から電子が放出されて蛍光体に照射され
る様子を示した図である。
FIG. 7 is a diagram showing a state in which electrons are emitted from an electron emitting portion and are applied to a phosphor in the second embodiment when interlaced scanning is not performed.

【図8】第2実施例の飛び越し走査をしない場合、電子
放出部から電子が放出され、蛍光体に照射される様子を
示した図である。
FIG. 8 is a diagram showing a state in which electrons are emitted from an electron emitting portion and are applied to a phosphor when the interlaced scanning is not performed in the second embodiment.

【図9】本発明の実施例の画像形成装置の表示パネルの
構成を示す一部分解斜視図である。
FIG. 9 is a partially exploded perspective view showing the configuration of the display panel of the image forming apparatus according to the exemplary embodiment of the present invention.

【図10】従来の画像形成装置の蛍光面の模式図であ
る。
FIG. 10 is a schematic view of a fluorescent screen of a conventional image forming apparatus.

【図11】本実施例で用いた平面型の表面伝導型放出素
子の平面図(a)と、その断面図(b)である。
FIG. 11 is a plan view (a) and a cross-sectional view (b) of the planar surface conduction electron-emitting device used in this example.

【図12】本実施例の平面型の表面伝導型放出素子の製
造工程を示す断面図である。
FIG. 12 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the planar surface conduction electron-emitting device of the present embodiment.

【図13】本実施例における通電フォーミング処理の印
加電圧波形を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing an applied voltage waveform of an energization forming process in the present embodiment.

【図14】本実施例における通電活性化処理の際の印加
電圧波形(a)と、放出電流Ieの変化(b)を示す図
である。
FIG. 14 is a diagram showing an applied voltage waveform (a) and a change in emission current Ie (b) during energization activation processing in the present embodiment.

【図15】本実施例で用いた垂直型の表面伝導型放出素
子の平面図である。
FIG. 15 is a plan view of a vertical surface conduction electron-emitting device used in this example.

【図16】本実施例の垂直型の表面伝導型放出素子の製
造工程を示す断面図である。
FIG. 16 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the vertical surface conduction electron-emitting device of the present embodiment.

【図17】本実施例で用いた表面伝導型放出素子の典型
的な特性を示すグラフ図である。
FIG. 17 is a graph showing typical characteristics of the surface conduction electron-emitting device used in this example.

【図18】本実施例のマルチ電子源の配列を説明する図
である。
FIG. 18 is a diagram illustrating an array of multiple electron sources according to the present embodiment.

【図19】図18のA−A’で示したマルチ電子ビーム
源の基板の断面図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view of the substrate of the multi-electron beam source shown by AA ′ in FIG.

【図20】本発明の実施例の画像形成装置の構成を示す
ブロック図である。
FIG. 20 is a block diagram showing a configuration of an image forming apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.

【図21】従来の表面伝導型放出素子の一例を示す図で
ある。
FIG. 21 is a diagram showing an example of a conventional surface conduction electron-emitting device.

【図22】従来の表面伝導型電子放出素子より電子が放
出される様子を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing how electrons are emitted from a conventional surface conduction electron-emitting device.

【図23】本実施例における電子放出素子の配線方法を
説明する等価回路図である。
FIG. 23 is an equivalent circuit diagram illustrating a wiring method of electron-emitting devices according to the present embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 信号処理部 2 変調信号発生部 3 タイミング制御回路 4,5 スイッチング回路 6 パルス発生器 7 走査行選択回路 8,10 スイッチ 9 反転器 11 MOS−FETゲート 12 ディスプレイパネル 13,1002 電子放出素子 53 電子放出部 54 列方向配線 55 行方向配線 56,57 電極 110,111,120 蛍光体 154,1005 リアプレート 155,1007 フェースプレート 1001 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 signal processor 2 modulation signal generator 3 timing control circuit 4, 5 switching circuit 6 pulse generator 7 scanning row selection circuit 8, 10 switch 9 inverter 11 MOS-FET gate 12 display panel 13,1002 electron-emitting device 53 electron Emission part 54 Column direction wiring 55 Row direction wiring 56,57 Electrode 110,111,120 Phosphor 154,1005 Rear plate 155,1007 Face plate 1001 Substrate

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 一対の電極と電子放出部とを具備する表
面伝導型放出素子を複数の行に亙って接続しマトリクス
状に形成したマルチ電子ビーム源と、前記電子ビーム源
より放出される電子により発光する蛍光体とを備えた画
像表示装置において、 前記マルチ電子ビーム源が備える表面伝導型放出素子の
複数の行の中の任意の2行を選択する走査行選択手段
と、 前記走査行選択手段により選択された表面伝導型放出素
子の2行に駆動信号を印加するための走査駆動手段と、 前記一対の電極に印加する各駆動信号の電圧値を所定の
期間ごとに反転させるための極性反転手段と、を有する
ことを特徴とする画像表示装置。
1. A multi-electron beam source in which a surface conduction electron-emitting device having a pair of electrodes and an electron-emitting portion is connected in a plurality of rows to form a matrix, and a multi-electron beam source is emitted from the electron beam source. In an image display device including a phosphor that emits electrons, a scanning row selection unit that selects any two rows from a plurality of rows of the surface conduction electron-emitting device included in the multi-electron beam source; and the scanning row. A scan driving unit for applying a driving signal to the two rows of the surface conduction electron-emitting devices selected by the selecting unit, and a voltage value of each driving signal applied to the pair of electrodes for inverting every predetermined period. An image display device comprising: a polarity reversing unit.
【請求項2】 前記駆動信号は、行方向の走査信号と列
方向の映像信号とを含むことを特徴とする請求項1に記
載の画像表示装置。
2. The image display device according to claim 1, wherein the drive signal includes a scanning signal in a row direction and a video signal in a column direction.
【請求項3】 前記反転は、前記走査信号と前記映像信
号の電気的極性を反転させるものであることを特徴とす
る請求項2に記載の画像表示装置。
3. The image display device according to claim 2, wherein the inversion is to invert electrical polarities of the scanning signal and the video signal.
【請求項4】 前記マルチ電子ビーム源は、複数の表面
伝導型放出素子をマトリクス状に配線するための行方向
配線と列方向配線とを備え、前記行方向配線には前記走
査行選択手段が接続されていることを特徴とする請求項
1乃至3のいずれか1項に記載の画像表示装置。
4. The multi-electron beam source includes row-direction wirings and column-direction wirings for wiring a plurality of surface conduction electron-emitting devices in a matrix, and the scanning row selection means is provided in the row-direction wirings. The image display device according to any one of claims 1 to 3, wherein the image display device is connected.
【請求項5】 前記列方向配線に前記映像信号を入力す
る手段と、前記所定の期間ごとに走査信号と映像信号の
電圧値を反転させるための手段を更に有することを特徴
とする請求項4に記載の画像表示装置。
5. The method according to claim 4, further comprising means for inputting the video signal to the column-direction wiring, and means for inverting the voltage values of the scanning signal and the video signal at each predetermined period. The image display device according to.
【請求項6】 前記走査信号と前記映像信号の電圧の絶
対値が等しく、かつ電気的極性が逆で、これら2つの信
号の電圧値の反転が電気的極性の反転であることを特徴
とする請求項4に記載の画像表示装置。
6. The scan signal and the video signal have the same absolute value of voltage and opposite electrical polarities, and the inversion of the voltage value of these two signals is the inversion of the electrical polarity. The image display device according to claim 4.
【請求項7】 前記極性反転手段は、画像の1水平走査
期間ごとに前記一対の電極に印加する各駆動信号の電圧
値の極性を反転することを特徴とする請求項1乃至6の
いずれか1項に記載の画像表示装置。
7. The polarity inverting means inverts the polarity of the voltage value of each drive signal applied to the pair of electrodes for each horizontal scanning period of an image, according to any one of claims 1 to 6. The image display device according to item 1.
【請求項8】 前記極性反転手段は、画像の1フィール
ド期間ごとに前記一対の電極に印加する各駆動信号の電
圧値の極性を反転することを特徴とする請求項1乃至6
のいずれか1項に記載の画像表示装置。
8. The polarity inversion means inverts the polarity of the voltage value of each drive signal applied to the pair of electrodes for each field period of an image.
The image display device according to any one of 1.
【請求項9】 前記行方向配線は上下2本ずつ組になっ
ており、該組になっている2本は配線の間隔が狭く、組
になっていない上下の配線とは間隔があいて配置されて
いることを特徴とする請求項4に記載の画像表示装置。
9. The row-direction wirings are paired in upper and lower pairs, the two wirings in the pair have a narrow wiring interval, and the two wirings in the upper and lower rows are spaced from each other. The image display device according to claim 4, wherein the image display device is provided.
【請求項10】 画像信号を入力して表示する画像表示
装置であって、 画像信号を入力する入力手段と、 前記入力手段により入力された画像信号から映像信号と
タイミング信号とを分離する分離手段と、 一対の電極と、前記一対の電極に接続された電子放出部
とを具備する表面伝導型放出素子を複数の行に亙って複
数形成したマルチ電子ビーム源と、前記マルチ電子ビー
ム源より放出される電子により発光する蛍光体とを有す
る表示手段と、 前記分離手段により分離された映像信号に基づいて前記
表示手段の列方向に配置された前記表面伝導型電子放出
素子を駆動する列駆動手段と、 前記分離手段により分離されたタイミング信号に基づい
て前記表示手段の行方向に配列された前記表面伝導型電
子放出素子の2行分を同時に駆動する行駆動手段と、 前記列駆動手段より出力される前記映像信号と前記行駆
動手段により出力される前記タイミング信号の電気的極
性を互いに反転させるスイッチ手段と、を有することを
特徴とする画像表示装置。
10. An image display device for inputting and displaying an image signal, comprising: input means for inputting an image signal; and separating means for separating a video signal and a timing signal from the image signal input by the input means. A multi-electron beam source in which a plurality of surface conduction electron-emitting devices each having a pair of electrodes and an electron-emitting portion connected to the pair of electrodes are formed in a plurality of rows; Display means having a phosphor that emits light by emitted electrons, and a column drive for driving the surface conduction electron-emitting devices arranged in the column direction of the display means based on the video signal separated by the separating means. Means and a row drive for simultaneously driving two rows of the surface conduction electron-emitting devices arranged in the row direction of the display means based on the timing signal separated by the separating means. The image display apparatus characterized by comprising: a stage, and a switching means for inverting each other the electrical polarity of the timing signal output by the video signal output from said column drive means and the row drive means.
【請求項11】 前記行駆動手段は、互いに隣接する行
同士を駆動することを特徴とする請求項10に記載の画
像表示装置。
11. The image display device according to claim 10, wherein the row driving unit drives rows adjacent to each other.
【請求項12】 前記蛍光体のそれぞれは、前記行駆動
手段及び列駆動手段により同時に駆動される少なくとも
2つの表面電子放出素子より放出される電子に基づいて
発光駆動されることを特徴とする請求項10又は11に
記載の画像表示装置。
12. The phosphors are driven to emit light based on electrons emitted from at least two surface electron-emitting devices that are simultaneously driven by the row driving means and the column driving means. Item 10. The image display device according to item 10 or 11.
【請求項13】 前記スイッチ手段は、飛び越し走査の
第1走査目と第2走査目とで前記映像信号と前記タイミ
ング信号の電気的極性を反転させることを特徴とする請
求項10乃至12のいずれか1項に記載の画像表示装
置。
13. The switching means reverses the electrical polarities of the video signal and the timing signal in the first and second scans of the interlaced scan. 2. The image display device according to item 1.
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US7227521B2 (en) 2002-10-09 2007-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Image display apparatus
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