JPH08330237A - Manufacturing equipment of semiconductor - Google Patents
Manufacturing equipment of semiconductorInfo
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- JPH08330237A JPH08330237A JP7133196A JP13319695A JPH08330237A JP H08330237 A JPH08330237 A JP H08330237A JP 7133196 A JP7133196 A JP 7133196A JP 13319695 A JP13319695 A JP 13319695A JP H08330237 A JPH08330237 A JP H08330237A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体ウェハに化学反
応により成膜させるＣＶＤ装置に関し、特に反応ガスの
供給及び排気の手段に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CVD apparatus for forming a film on a semiconductor wafer by a chemical reaction, and more particularly to a means for supplying and exhausting a reaction gas.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ＣＶＤ装置は、半導体基板（以下
ウェハ）表面に多結晶シリコン膜，二酸化シリコン（Ｓ
ｉＯ2）膜，窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜などの形成を
行う化学気相成長工程に使用されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a CVD apparatus has a polycrystalline silicon film, a silicon dioxide (S
It is used in a chemical vapor deposition process for forming an iO 2 ) film, a silicon nitride (Si 3 N 4 ) film and the like.
【０００３】図４は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図であ
る。図に示すように成膜処理室１の外周には、抵抗加熱
等によるヒーター２が配設されている。又、内部にはボ
ート（図示せず）等により保持されたウェハ３と反応ガ
スを供給する供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３
の近傍に対向して配設されている。FIG. 4 is a diagram showing a conventional vertical CVD apparatus. As shown in the figure, a heater 2 for resistance heating or the like is arranged on the outer periphery of the film forming chamber 1. Further, the wafer 3 held by a boat (not shown) or the like, a supply nozzle 4 for supplying a reaction gas, and an exhaust nozzle 5 are provided inside the wafer 3.
Is disposed so as to face the vicinity of.
【０００４】以上のような構成において、ウェハ３上に
化学気相成長による成膜をさせるには、ヒーター２によ
り所要の温度に加熱されたウェハ３の表面へ、反応ガス
供給系より供給ノズル４に設けられた噴射孔４ａを通っ
て反応ガスを供給することにより、化学反応を起こさ
せ、前述の各種膜形成を行っていた。In the above structure, in order to form a film on the wafer 3 by chemical vapor deposition, the reaction gas supply system supplies the supply nozzle 4 to the surface of the wafer 3 which is heated to a required temperature by the heater 2. By supplying the reaction gas through the injection holes 4a provided in the above, a chemical reaction is caused to form the various films described above.
【０００５】一方、反応が終わった未反応ガスは排気ノ
ズル５より外部に設けられた排気系（真空ポンプ等）に
より排気される。このような技術は、特開平３−２５５
６１９号等に開示されている。On the other hand, the unreacted gas after the reaction is exhausted from the exhaust nozzle 5 by an exhaust system (a vacuum pump or the like) provided outside. Such a technique is disclosed in JP-A-3-255.
No. 619 is disclosed.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の縦型Ｃ
ＶＤ装置では、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排
気ノズル５の位置とがウェハ３の近傍で対向して配設さ
れていること、ウェハ３の全周からの供給で無く部分的
な供給であること、又、排気ノズル５についてもウェハ
３に対し部分的な方向のみでの排気傾向にあること、更
に、ウェハ３は通常オリエンテーションフラット部（以
下、ＯＦ部という）を備えており、完全な円形で無いこ
とにより反応ガスが供給・滞留・排気される空間が異な
ってくること等、ウェハに対し均一な化学気相成長を行
わす環境が不十分である。SUMMARY OF THE INVENTION The conventional vertical C described above.
In the VD device, the injection hole 4a of the reaction gas supply nozzle 4 and the position of the exhaust nozzle 5 are arranged to face each other in the vicinity of the wafer 3, and the supply is not partial from the entire circumference of the wafer 3 but partial supply. In addition, the exhaust nozzle 5 also tends to exhaust in only a partial direction with respect to the wafer 3, and the wafer 3 is usually provided with an orientation flat portion (hereinafter referred to as an OF portion). Due to the non-circular shape, the space in which the reaction gas is supplied, accumulated, and exhausted differs, and the environment for performing uniform chemical vapor deposition on the wafer is insufficient.
【０００７】即ち、このような環境での成膜処理は、ウ
ェハに対して、反応ガスの供給・滞留・排気のバラツキ
を生じさせ、ウェハ表面上での膜厚分布の均一性を悪化
させるという問題点を含んでいた。That is, the film forming process in such an environment causes variations in supply / retention / exhaust of reaction gas with respect to the wafer, thereby deteriorating the uniformity of the film thickness distribution on the wafer surface. It contained problems.
【０００８】特に、反応ガス供給ノズルに近いウェハ表
面上で膜厚が厚くなり、排気ノズルに近い方では逆に薄
くなる傾向が出たりする。又、ＯＦ部では、円弧部に比
べ反応ガスが滞留する空間が大きくガス密度が高くな
り、その結果膜厚が厚くなる等の不均一を発生させてい
た。通常、従来の方式によれば、直径６インチサイズの
ウェハの膜厚分布は±７％前後となり、直径８インチ等
の大口径のウェハでは更に顕著に悪化してくる。In particular, there is a tendency that the film thickness becomes thicker on the surface of the wafer near the reaction gas supply nozzle, and conversely becomes thinner near the exhaust nozzle. Further, in the OF portion, the space in which the reaction gas stays is larger than in the arc portion, and the gas density is high, resulting in nonuniformity such as an increase in film thickness. Normally, according to the conventional method, the film thickness distribution of a wafer having a diameter of 6 inches is about ± 7%, which is significantly deteriorated for a wafer having a large diameter of 8 inches.
【０００９】本発明の目的は、反応ガスの供給及び排気
のバラツキによる膜厚均一性の悪化を防止した半導体製
造装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide a semiconductor manufacturing apparatus which prevents deterioration of film thickness uniformity due to variations in supply and exhaust of reaction gas.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る半導体製造装置は、反応ガス供給ノズ
ルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内に設置された
ウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造装置であっ
て、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室
内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置され
たものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心か
ら等距離の位置に、反応ガスをウェハに向けて供給する
開口を有するものであり、排気ノズルは、ウェハの中心
から等距離の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する
開口を有するものである。In order to achieve the above object, a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has a reaction gas supply nozzle and an exhaust nozzle, and is provided on the surface of a wafer installed in a film forming chamber. In a semiconductor manufacturing apparatus for performing film formation processing, a reaction gas supply nozzle and an exhaust nozzle are installed in a film formation processing chamber and are arranged so as to surround the entire circumference of the wafer. , An opening for supplying a reactive gas toward the wafer at a position equidistant from the center of the wafer, and an exhaust nozzle exhausts unreacted gas on the wafer to a position equidistant from the center of the wafer. It has an opening.
【００１１】また本発明に係る半導体製造装置は、反応
ガス供給ノズルと、排気ノズルとを有し、成膜処理室内
に設置されたウェハの表面に成膜処理を施す半導体製造
装置であって、反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、
成膜処理室内に設置され、前記ウェハの全周を取り囲ん
で配置されたものであり、反応ガス供給ノズルは、ウェ
ハの中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハに向け
て供給する開口を有し、開口は周方向に等間隔で配置さ
れ、かつウェハの中心に向けて穴明けした噴射孔からな
るものであり、排気ノズルは、ウェハの中心から等距離
の位置に、ウェハ上の未反応ガスを排気する開口を有
し、開口は周方向に等間隔で配置され、かつウェハの中
心から放射方向に向けて穴明けした排気孔からなるもの
である。A semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention is a semiconductor manufacturing apparatus which has a reaction gas supply nozzle and an exhaust nozzle and which performs a film forming process on a surface of a wafer installed in a film forming process chamber. The reaction gas supply nozzle and the exhaust nozzle are
The reaction gas supply nozzle is installed in a film forming chamber and surrounds the entire circumference of the wafer.The reaction gas supply nozzle has an opening for supplying the reaction gas toward the wafer at a position equidistant from the center of the wafer. And the openings are arranged at equal intervals in the circumferential direction and consist of injection holes drilled toward the center of the wafer, and the exhaust nozzle is located on the wafer at a position equidistant from the center of the wafer. The exhaust gas has openings for exhausting the reaction gas, and the openings are arranged at equal intervals in the circumferential direction and are exhaust holes formed in the radial direction from the center of the wafer.
【００１２】また前記噴射孔と前記排気孔とは、内外２
重に配列したものである。In addition, the injection hole and the exhaust hole are provided inside and outside 2
They are arranged in double layers.
【００１３】前記噴射孔と前記排気孔とは、同一円周上
に交互に配列したものである。The injection holes and the exhaust holes are arranged alternately on the same circumference.
【００１４】また前記排気ノズルの内周側に配置された
反応ガス供給ノズルの内径は、ウェハのオリエンテーシ
ョンフラットを含むウェハの外形形状と相似形状をなす
ものである。The inner diameter of the reaction gas supply nozzle arranged on the inner peripheral side of the exhaust nozzle has a shape similar to the outer shape of the wafer including the orientation flat of the wafer.
【００１５】また同一円周上に配置した前記反応ガス供
給ノズルと排気ノズルとは、同一ブロックに設置され、
該ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラ
ットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすものであ
る。Further, the reaction gas supply nozzle and the exhaust nozzle arranged on the same circumference are installed in the same block,
The inner diameter of the block is similar to the outer shape of the wafer including the orientation flat of the wafer.
【００１６】[0016]
【作用】本発明においては、ウェハに対し全周囲より均
等に反応ガスを供給し、且つ、ウェハエッジ周辺部の空
間をＯＦ部を考慮した空間に保つことにより、反応ガス
の滞留・密度を均等にし、更に、未反応ガスを均等に排
気すべく構造とし、ウェハ表面の成膜をより均一にする
環境を作っている。このため、従来の方式での膜厚分布
悪化防止を可能にしている。In the present invention, the reaction gas is supplied to the wafer more uniformly than the entire circumference, and the space around the wafer edge is maintained in a space considering the OF portion, so that the residence and density of the reaction gas are made uniform. Furthermore, the structure is made to uniformly exhaust the unreacted gas to create an environment that makes the film formation on the wafer surface more uniform. Therefore, it is possible to prevent the film thickness distribution from being deteriorated by the conventional method.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を図により説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１８】（実施例１）図１（ａ）は本発明の実施例
１を示す図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図、図２は
図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。(Embodiment 1) FIG. 1 (a) is a diagram showing Embodiment 1 of the present invention, (b) is a sectional view taken along the line AA of (a), and FIG. 2 is B- of FIG. 1 (a). It is a B line sectional view.
【００１９】図において本発明に係る半導体製造装置は
基本的構成として、反応ガス供給ノズル４と、排気ノズ
ル５とを有し、成膜処理室１内に設置されたウェハの表
面に成膜処理を施すものである。In the figure, the semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention has, as a basic configuration, a reaction gas supply nozzle 4 and an exhaust nozzle 5, and a film formation process is performed on the surface of a wafer installed in a film formation process chamber 1. Is to be applied.
【００２０】各構成の機能について説明すると、反応ガ
ス供給ノズル４と排気ノズル５とは、成膜処理室１内に
設置され、ウェハ３の全周を取り囲んで配置されてい
る。Explaining the function of each structure, the reaction gas supply nozzle 4 and the exhaust nozzle 5 are installed in the film forming processing chamber 1 and are arranged so as to surround the entire circumference of the wafer 3.
【００２１】そして反応ガス供給ノズル４は、ウェハ３
の中心から等距離の位置に、反応ガスをウェハ３に向け
て供給する開口を有するものであり、排気ノズル５は、
ウェハ３の中心から等距離の位置に、ウェハ上の未反応
ガスを排気する開口を有するものである。The reaction gas supply nozzle 4 is connected to the wafer 3
Has an opening for supplying the reaction gas toward the wafer 3 at a position equidistant from the center of the exhaust nozzle 5.
An opening for exhausting unreacted gas on the wafer is provided at a position equidistant from the center of the wafer 3.
【００２２】次に本発明を具体例を用いて説明する。Next, the present invention will be described with reference to specific examples.
【００２３】図１，図２において本発明の実施例１に係
る半導体製造装置は、成膜処理を行うための石英等から
なる成膜処理室１の外周に抵抗加熱等によるヒーター２
が配設されており、成膜処理室１内の中央部にボート等
（図示せず）を介して保持されたウェハ３を膜種にあっ
た所要のプロセス温度（約６００〜８００℃）に加熱可
能なようになっている。1 and 2, in a semiconductor manufacturing apparatus according to the first embodiment of the present invention, a heater 2 by resistance heating or the like is provided on the outer circumference of a film forming chamber 1 made of quartz or the like for performing a film forming process.
Is provided and the wafer 3 held in the center of the film forming chamber 1 via a boat or the like (not shown) is brought to a required process temperature (about 600 to 800 ° C.) suitable for the film type. It can be heated.
【００２４】またウェハ３の外周部近傍全周にわたっ
て、ウェハ３へ反応ガスを供給する供給ノズル４が配設
されている。この供給ノズル４は、ウェハ３の中心に向
かって反応ガスを均等に供給すべく、例えば図のように
円周を４５°で８分割し、且つウェハ３の中心部から等
間隔の位置に複数個（図では８ケ所）の噴射孔４ａが、
ウェハのボート等による保持間隔と同一間隔で水平に複
数具備されている。A supply nozzle 4 for supplying a reaction gas to the wafer 3 is arranged over the entire periphery of the wafer 3 in the vicinity of the outer peripheral portion. This supply nozzle 4 divides the circumference into eight at 45 ° as shown in the figure and supplies a plurality of nozzles at equal intervals from the center of the wafer 3 in order to uniformly supply the reaction gas toward the center of the wafer 3. The individual injection holes 4a (8 places in the figure)
A plurality of wafers are horizontally provided at the same intervals as the wafers are held by a boat or the like.
【００２５】更に反応供給ノズル４の内径形状は、ウェ
ハ３のエッジとの空間をＯＦ部を考慮した空間を保つよ
うにウェハエッジ形状と相似形になっている。Further, the inner diameter shape of the reaction supply nozzle 4 is similar to the wafer edge shape so that the space with the edge of the wafer 3 can be kept in consideration of the OF portion.
【００２６】排気ノズル５は、ウェハ３の外周部近傍全
周にわたって、中心部より等距離に等間隔（図では供給
ノズル４と同じ円周４５°／８分割／８ケ所が供給ノズ
ル４の噴射孔４ａに対し、２２．５°シフト回転した位
置）に排気孔５ａが配設されている。The exhaust nozzles 5 are equally spaced from the central portion over the entire periphery of the outer peripheral portion of the wafer 3 (in the figure, the same circumference of the supply nozzle 4 is 45 ° / 8 divisions / 8 locations are ejected from the supply nozzle 4). The exhaust hole 5a is arranged at a position rotated by 22.5 ° with respect to the hole 4a.
【００２７】以上のような構成において、まずウェハ保
持用治具（ボート等：図示せず）に搭載されたウェハ３
が成膜処理室１内の指定位置に載置されたのち、成膜処
理室１を密閉し、排気ノズル５を通して外部に配設され
た真空排気系（ポンプ等）により所要の圧力（例えば１
０ｍｍＴｏｒｒ）まで減圧する。それと並行して、ヒー
ター２による輻射熱によりウェハ３を所要の温度（例え
ば７５０℃）に加熱する。In the above-mentioned structure, first, the wafer 3 mounted on the wafer holding jig (boat or the like: not shown).
After being placed at a designated position in the film-forming processing chamber 1, the film-forming processing chamber 1 is hermetically closed, and a required pressure (for example, 1
Reduce the pressure to 0 mmTorr). At the same time, the wafer 3 is heated to a required temperature (for example, 750 ° C.) by the radiant heat from the heater 2.
【００２８】次に反応ガス（例えば窒化膜の場合ＳｉＨ
4とＮＨ3）を供給ノズル４の噴射孔４ａよりウェハ３の
表面に均等に供給しながら、圧力制御（通常１〜１０Ｔ
ｏｒｒ）を行うと、熱分解により化学気相成長で膜形成
が行われる。このとき未反応ガスは、排気ノズル５の排
気孔５ａより排気系を通して排気される。Next, a reaction gas (eg, SiH in the case of a nitride film)
4 and NH 3 ) are evenly supplied to the surface of the wafer 3 through the injection holes 4a of the supply nozzle 4, while controlling the pressure (usually 1 to 10 T).
orr), a film is formed by chemical vapor deposition by thermal decomposition. At this time, the unreacted gas is exhausted from the exhaust hole 5a of the exhaust nozzle 5 through the exhaust system.
【００２９】（実施例２）図３は、本発明の実施例２に
係る半導体製造装置を示す図である。図３においては、
反応ガス供給ノズル４と排気ノズル５とがウェハ３の外
周部近傍全周にわたり同一ブロックＢに交互に配設さ
れ、反応ガス供給ノズル４の噴射孔４ａと排気ノズル５
の排気孔５ａとは、ウェハ３の中心から等距離の位置
で、かつ同一円周上に交互に等間隔で配置されている。
その他の構成は実施例１と同様である。(Second Embodiment) FIG. 3 is a diagram showing a semiconductor manufacturing apparatus according to a second embodiment of the present invention. In FIG.
The reaction gas supply nozzles 4 and the exhaust nozzles 5 are alternately arranged in the same block B over the entire circumference in the vicinity of the outer peripheral portion of the wafer 3, and the injection holes 4a of the reaction gas supply nozzles 4 and the exhaust nozzles 5 are arranged.
The exhaust holes 5a are arranged equidistantly from the center of the wafer 3 and alternately arranged on the same circumference at equal intervals.
Other configurations are the same as those in the first embodiment.
【００３０】本実施例によれば、実施例１と同様な効果
がより小型化した供給・排気機構を構成することができ
ること、及び未反応ガスが成膜処理室１の壁面方向に回
り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面への付着
堆積を更に防止することができるという利点を有する。According to this embodiment, it is possible to construct a more compact supply / exhaust mechanism with the same effect as that of the first embodiment, and to control the amount of unreacted gas flowing in the wall surface direction of the film forming processing chamber 1. There is an advantage that the amount of the reaction product can be further reduced to prevent the deposition of the reaction product on the wall surface of the processing chamber.
【００３１】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ウ
ェハに対して外周部近傍全周囲より、均等に反応ガスを
供給し、且つ未反応ガスを均等に排気する構造になって
いるため、ウェハに対しその形状を考慮して反応ガス
を、均等に供給・滞留・排気を行わせることができ、ウ
ェハ表面により均一なＣＶＤ膜を成膜することができ
る。この結果、従来の方式では膜厚の均一性がおよそ±
７％前後だったものが、本発明によると±３％以下の性
能に向上することができる。また未反応ガスを均等に効
率良く排気でき、反応生成物の成膜処理室等への付着・
堆積を少なくし、ゴミの発生を抑える等の効果を併せも
つため、膜質的にも且つ経済的にも大きな優位性を得る
ことができる。As described above, according to the present invention, the reaction gas is uniformly supplied to the wafer from the entire periphery in the vicinity of the outer peripheral portion and the unreacted gas is uniformly exhausted. The reaction gas can be uniformly supplied / retained / exhausted to the wafer in consideration of its shape, and a more uniform CVD film can be formed on the wafer surface. As a result, the film thickness uniformity is about ±
According to the present invention, the performance of about 7% can be improved to ± 3% or less. In addition, the unreacted gas can be exhausted uniformly and efficiently, and the reaction products can be attached to the film forming chamber, etc.
Since it also has the effects of reducing deposition and suppressing the generation of dust, it is possible to obtain a great advantage in terms of film quality and economically.
【００３２】またウェハエッジ周辺部の空間をウェハの
形状、特にＯＦ部も考慮した空間とすることにより、反
応ガスの滞留・密度を均等にし、更に未反応ガスを均等
に排気することができ、このためウェハ表面での成膜を
より均一にすることができる。Further, by making the space around the wafer edge into a space in which the shape of the wafer, especially the OF part is taken into consideration, the residence and density of the reaction gas can be made uniform, and the unreacted gas can be exhausted evenly. Therefore, the film formation on the wafer surface can be made more uniform.
【００３３】また各ノズルの噴射孔と排気孔とは、内外
２重に配列する、或いは同一円周上に交互に配列するこ
ともでき、汎用性を高めることができる。Further, the injection holes and the exhaust holes of each nozzle can be arranged in double inside and outside, or can be arranged alternately on the same circumference, and the versatility can be enhanced.
【００３４】また各ノズルの噴射孔と前記排気孔とは、
同一ブロックに設置して同一円周上に交互に配列し、該
ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラッ
トを含むウェハの外形形状と相似形状をなすようにする
ことにより、より小型化した供給・排気機構を構成する
ことができること、及び未反応ガスが成膜処理室の壁面
方向に回り込む量を少なくして反応生成物の処理室壁面
への付着堆積を更に防止することができる。Further, the injection hole of each nozzle and the exhaust hole are
Installed in the same block and arranged alternately on the same circumference, and the inner diameter of the block is made similar to the outer shape of the wafer including the orientation flat of the wafer, thereby making the supply and exhaust more compact. The mechanism can be configured, and the amount of unreacted gas flowing around the wall surface of the film formation processing chamber can be reduced to further prevent the deposition of reaction products on the wall surface of the processing chamber.
【図１】（ａ）は本発明の実施例１を示す図、（ｂ）は
（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。1A is a diagram showing a first embodiment of the present invention, and FIG. 1B is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図２】図１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】本発明の実施例２を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図４】（ａ）は従来の縦型ＣＶＤ装置を示す図、
（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 4A is a view showing a conventional vertical CVD apparatus,
(B) is the sectional view on the AA line of (a).
１ 成膜処理室 ２ ヒーター ３ ウェハ ４ 反応ガス供給ノズル ４ａ 噴射孔 ５ 排気ノズル ５ａ 排気孔 1 Deposition Process Chamber 2 Heater 3 Wafer 4 Reactive Gas Supply Nozzle 4a Injection Hole 5 Exhaust Nozzle 5a Exhaust Hole
Claims (6)
有し、成膜処理室内に設置されたウェハの表面に成膜処
理を施す半導体製造装置であって、 反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室内に
設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置されたも
のであり、 反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置
に、反応ガスをウェハに向けて供給する開口を有するも
のであり、 排気ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置に、ウェ
ハ上の未反応ガスを排気する開口を有するものであるこ
とを特徴とする半導体製造装置。1. A semiconductor manufacturing apparatus having a reaction gas supply nozzle and an exhaust nozzle, for performing a film forming process on a surface of a wafer installed in a film forming process chamber, the reaction gas supplying nozzle and the exhaust nozzle. Is installed in a film forming chamber and is arranged so as to surround the entire circumference of the wafer. The reaction gas supply nozzle supplies the reaction gas toward the wafer at a position equidistant from the center of the wafer. A semiconductor manufacturing apparatus having an opening, wherein the exhaust nozzle has an opening at a position equidistant from the center of the wafer for exhausting unreacted gas on the wafer.
有し、成膜処理室内に設置されたウェハの表面に成膜処
理を施す半導体製造装置であって、 反応ガス供給ノズルと排気ノズルとは、成膜処理室内に
設置され、前記ウェハの全周を取り囲んで配置されたも
のであり、 反応ガス供給ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置
に、反応ガスをウェハに向けて供給する開口を有し、開
口は周方向に等間隔で配置され、かつウェハの中心に向
けて穴明けした噴射孔からなるものであり、 排気ノズルは、ウェハの中心から等距離の位置に、ウェ
ハ上の未反応ガスを排気する開口を有し、開口は周方向
に等間隔で配置され、かつウェハの中心から放射方向に
向けて穴明けした排気孔からなるものであることを特徴
とする請求項１に記載の半導体製造装置。2. A semiconductor manufacturing apparatus having a reaction gas supply nozzle and an exhaust nozzle for performing film formation processing on a surface of a wafer installed in a film formation processing chamber, the reaction gas supply nozzle and the exhaust nozzle being provided. Is installed in a film forming chamber and is arranged so as to surround the entire circumference of the wafer. The reaction gas supply nozzle supplies the reaction gas toward the wafer at a position equidistant from the center of the wafer. It has openings, and the openings are arranged at equal intervals in the circumferential direction, and consist of injection holes that are drilled toward the center of the wafer.The exhaust nozzle is located on the wafer at a position equidistant from the center of the wafer. The exhaust holes for exhausting the unreacted gas, the openings being arranged at equal intervals in the circumferential direction, and comprising exhaust holes perforated in the radial direction from the center of the wafer. 1. The semiconductor manufacturing equipment according to 1. Place.
に配列したものであることを特徴とする請求項２に記載
の半導体製造装置。3. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the injection hole and the exhaust hole are arranged in an inner and outer double arrangement.
上に交互に配列したものであることを特徴とする請求項
２に記載の半導体製造装置。4. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 2, wherein the injection holes and the exhaust holes are arranged alternately on the same circumference.
応ガス供給ノズルの内径は、ウェハのオリエンテーショ
ンフラットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすも
のであることを特徴とする請求項３に記載の半導体製造
装置。5. The reaction gas supply nozzle arranged on the inner peripheral side of the exhaust nozzle has an inner diameter similar to the outer shape of the wafer including the orientation flat of the wafer. The semiconductor manufacturing apparatus according to.
ノズルと排気ノズルとは、同一ブロックに設置され、 該ブロックの内径は、ウェハのオリエンテーションフラ
ットを含むウェハの外形形状と相似形状をなすものであ
ることを特徴とする請求項４に記載の半導体製造装置。6. The reaction gas supply nozzle and the exhaust nozzle arranged on the same circumference are installed in the same block, and the inner diameter of the block is similar to the outer shape of the wafer including the orientation flat of the wafer. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the apparatus is a semiconductor manufacturing apparatus.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133196A JP2773683B2 (en) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | Semiconductor manufacturing equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7133196A JP2773683B2 (en) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | Semiconductor manufacturing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08330237A true JPH08330237A (en) | 1996-12-13 |
| JP2773683B2 JP2773683B2 (en) | 1998-07-09 |
Family
ID=15098968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7133196A Expired - Lifetime JP2773683B2 (en) | 1995-05-31 | 1995-05-31 | Semiconductor manufacturing equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2773683B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| JP2017175142A (en) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335776A (en) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | Chemical vapor deposition device |
-
1995
- 1995-05-31 JP JP7133196A patent/JP2773683B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6335776A (en) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | Chemical vapor deposition device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6413884B1 (en) | 1997-06-05 | 2002-07-02 | Nec Corporation | Method of producing thin films using current of process gas and inert gas colliding with each other |
| JP2017175142A (en) * | 2017-04-28 | 2017-09-28 | 光洋サーモシステム株式会社 | Heat treatment apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2773683B2 (en) | 1998-07-09 |
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