JPH08325356A - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半田耐熱性、難燃性、および高温信頼性に優
れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物の提供。 【解決手段】エポキシ樹脂、硬化剤、充填剤、ブロム化
合物、アンチモン化合物からなるエポキシ樹脂組成物で
あって、前記硬化剤がナフトール化合物を必須成分とし
て含有し、充填剤の割合が組成物全体の好ましくは８７
〜９５重量％、前記ブロム化合物、アンチモン化合物を
組成物全体の０．３重量％以下とし、さらに組成物の酸
素指数が４２％以上であることを特徴とする半導体封止
用エポキシ樹脂組成物およびかかるエポキシ樹脂組成物
で封止してなる半導体装置である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半田耐熱性、耐湿
信頼性および流動性に優れる半導体封止用エポキシ樹脂
組成物および半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】エポキシ樹脂は耐熱性、耐湿性、電気特
性、接着性などに優れており、さらに配合処方により種
々の特性が付与できるため、塗料、接着剤、電気絶縁材
料など工業材料として利用されている。

【０００３】たとえば、半導体装置などの電子回路部品
の封止方法として従来より金属やセラミックスによるハ
ーメチックシールとフェノール樹脂、シリコーン樹脂、
エポキシ樹脂などによる樹脂封止が提案されている。し
かし、経済性、生産性、物性のバランスの点からエポキ
シ樹脂による樹脂封止が中心になっている。

【０００４】近年、プリント基板への部品実装において
も高密度化、自動化が進められており、従来のリードピ
ンを基板の穴に挿入する“挿入実装方式”に代わり、基
板表面に部品を半田付けする“表面実装方式”が盛んに
なってきた。それに伴いパッケ−ジも従来のＤＩＰ（デ
ュアル・インライン・パッケージ）から高密度実装、表
面実装に適した薄型のＦＰＰ（フラット・プラスチック
・パッケージ）に移行しつつある。

【０００５】表面実装方式への移行に伴い、従来あまり
問題にならなかった半田付け工程が大きな問題になって
きた。従来のピン挿入実装方式では、半田付け工程はリ
−ド部が部分的に加熱されるだけであったが、表面実装
方式ではパッケージ全体が熱媒に浸され加熱される。表
面実装方式における半田付け方法としては半田浴浸漬、
不活性ガスの飽和蒸気による加熱（ベーパーフェイズ
法）や赤外線リフロー法などが用いられるが、いずれの
方法でもパッケージ全体が２１０〜２７０℃の高温に加
熱されることになる。そのため、従来の封止樹脂で封止
したパッケ−ジは、半田付け時に樹脂部分にクラックが
発生したり、チップと樹脂の間に剥離が生じたりして、
信頼性が低下して製品として使用できないという問題が
おきる。

【０００６】半田付け工程におけるクラックの発生は、
後硬化してから実装工程の間までに吸湿した水分が半田
付け加熱時に爆発的に水蒸気化、膨張することに起因す
るといわれており、その対策として後硬化したパッケ−
ジを完全に乾燥し密封した容器に収納して出荷する方法
が用いられている。

【０００７】一方、半導体などの電子部品は安全性確保
のためＵＬ規格により難燃性の付与が義務づけられてい
る。このため封止用樹脂には通常、ブロム化合物および
三酸化アンチモンなどの難燃剤が添加されている。

【０００８】しかし、難燃性を付与する目的で添加され
てきたブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤は、１５０〜２００℃の高温環境下で半導体が使用さ
れた場合の信頼性、すなわち高温信頼性を低下する原因
になる。

【０００９】封止樹脂の改良も種々検討されている。た
とえば、半田耐熱性を改良する目的で、マトリックス樹
脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル
樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９号公報、特開
昭５９−６７６６０号公報）、マトリックス樹脂にビフ
ェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラルキル樹脂を用
い充填剤を６０〜８５重量％配合する方法（特開平３−
２０７７１４号公報、特開平４−４８７５９号公報、特
開平４−５５４２３号公報）などが提案されている。

【００１０】また、封止樹脂の耐湿性や耐熱性を改良す
るため、ハイドロタルサイト系化合物（特開昭６１−１
９６２５号公報）、四酸化アンチモンの添加（特公昭５
７−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公
報）が提案されている。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかるに乾燥パッケー
ジを容器に封入する方法は、製造工程および製品の取扱
い作業が繁雑になるうえ、製品価格が高価になる欠点が
ある。

【００１２】また、種々の方法で改良された樹脂も、そ
れぞれ効果をあげてきているが、まだ十分ではない。マ
トリックス樹脂にノボラック型エポキシ樹脂とフェノー
ルアラルキル樹脂を配合する方法（特開昭５３−２９９
号公報、特開昭５９−６７６６０号公報）、マトリック
ス樹脂にビフェニル型エポキシ樹脂とフェノールアラル
キル樹脂を用い破砕系充填剤を６０〜８５重量％配合す
る方法（特開平３−２０７７１４号公報、特開平４−４
８７５９号公報、特開平４−５５４２３号公報）は、マ
トリックス樹脂の溶融粘度が高く充填性に問題があるば
かりか、半田付け時の樹脂部分のクラック防止において
も十分なレベルではなかった。

【００１３】高温信頼性は１５０〜２００℃の高温環境
下での半導体の機能を保証するもので、発熱量の大きい
半導体や自動車のエンジンまわりで使用する半導体など
では必須の性能であり、難燃性を付与するために添加し
ているブロム化合物およびアンチモン化合物などの難燃
剤の分解が主原因で低下することが分かっている。

【００１４】このため、難燃性および高温信頼性ともに
優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物は得られていな
かった。

【００１５】一方、封止樹脂の耐湿性を改良するため
に、ハイドロ化合物を添加する方法 (特開昭６１−１９
６２５号公報）は、高温信頼性の向上に有効であるが、
十分ではなく、さらに向上することが望まれていた。

【００１６】また、封止樹脂の耐湿性や耐熱性を改良す
るための四酸化アンチモンを添加する方法（特公昭５７
−３２５０６号公報、特開平２−１７５７４７号公報）
は、高温信頼性の向上に効果がなかった。

【００１７】本発明の目的は、難燃性および高温信頼性
ともに優れる半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半
導体装置を提供することにある。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、マトリッ
クス樹脂にビフェニル骨格を有するエポキシ樹脂、ある
いはナフタレン環を有するエポキシ樹脂とナフトール化
合物硬化剤を用い、充填剤を好ましくは８７〜９５重量
％添加することに加えて、ブロム化合物やアンチモン化
合物の添加量をそれぞれ０．３重量％以下にし、組成物
の酸素指数を４２％以上にすることにより、上記の課題
を達成し、目的に合致したエポキシ樹脂組成物が得られ
ることを見出し、本発明に達した。

【００１９】すなわち本発明は、エポキシ樹脂（Ａ）、
硬化剤（Ｂ）、充填剤（Ｃ）を含んでなるエポキシ樹脂
組成物であって、前記硬化剤（Ｂ）が次の一般式（Ｘ）

【化５】 （式中、ｎは０〜１０の整数を示す。Ｍは１価のナフト
ール基、Ｎは２価のナフトール基。）で表される骨格を
有するナフトール化合物（ｂ）必須成分とする半導体封
止用エポキシ樹脂組成物である。ここでナフトール化合
物（ｂ）としては、

【化６】 （式中、ｎは０〜１０の整数を示す。）で表されるもの
が好ましいものである。

【００２０】さらに前記充填剤（Ｃ）の割合が好ましく
は組成物全体の８６〜９５重量％であり、ブロム化合物
の割合を組成物全体の０．３重量％以下とし、アンチモ
ン化合物の割合を組成物全体の０．３重量％以下とし、
さらに硬化後の組成物の酸素指数が４２％以上であるこ
とを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物および
かかるエポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置で
ある。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の構成を詳述する。
本発明において「重量」とは「質量」を意味する。

【００２２】本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）は、１
分子中にエポキシ基を２個以上有するものであれば特に
限定されない。

【００２３】たとえば、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェ
ニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビス
フェノールＡやレゾルシンなどから合成される各種ノボ
ラック型エポキシ樹脂、線状脂肪族エポキシ樹脂、脂環
式エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、ハロゲン化エ
ポキシ樹脂などがあげられる。

【００２４】用途によっては二種以上のエポキシ樹脂を
併用してもよいが、耐熱性および耐湿性の点から、下記
一般式（ＩＩ）または、（ＩＩＩ）

【化７】

【化８】 で表されるビフェニル型エポキシ樹脂（ａ）、あるいは
ナフタレンエポキシ樹脂（ａ´）を必須成分として含有
することが好ましく、これらのエポキシ樹脂（ａ）ある
いは（ａ´）は全エポキシ樹脂中に５０％以上含むこと
が好ましい。

【００２５】本発明において、エポキシ樹脂（Ａ）の配
合量は通常組成物全体の０．１〜１２重量％、好ましく
は１〜１０重量％である。エポキシ樹脂（Ａ）の配合量
が０．１重量％未満では成形性が不十分であるため好ま
しくない。

【００２６】本発明における硬化剤（Ｂ）は、上記式
（Ｘ）で表される骨格、好ましくは（Ｉ）を有するナフ
トール化合物（ｂ）を必須成分として含有することが重
要である。化合物（ｂ）を含有しない場合は十分な半田
耐熱性向上効果や耐湿信頼性向上効果や成形性向上効果
は発揮されない。

【００２７】また、本発明における硬化剤（Ｂ）は上記
の化合物（ｂ）とともにその化合物（ｂ）以外の他の硬
化剤をも併用して含有することができる。併用できる硬
化剤としては、たとえば、フェノールノボラック樹脂、
クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡやレゾル
シンから合成される各種ノボラック樹脂、各種多価フェ
ノール化合物、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水ピ
ロメリット酸などの酸無水物およびメタフェニレンジア
ミン、ジアミノジフェニルメタン、ジアミノジフェニル
スルホンなどの芳香族アミンなどがあげられる。なかで
も、耐湿信頼性の点からフェノールノボラック樹脂が好
ましい。

【００２８】硬化剤（Ｂ）中に含有される化合物（ｂ）
の割合に関しては特に制限がなく必須成分として化合物
（ｂ）が含有されれば本発明の効果は発揮されるが、よ
り十分な効果を発揮させるためには、化合物（ｂ）を硬
化剤（Ｂ）中に通常５０重量％以上、好ましくは７０重
量％以上含有せしめることが望ましい。

【００２９】本発明において、硬化剤（Ｂ）の配合量は
通常１〜１０重量％、好ましくは１〜７重量％で、さら
に好ましくは１〜５重量％である。さらには、エポキシ
樹脂（Ａ）と硬化剤（Ｂ）の配合比に関しては特に制限
はないが、通常は機械的性質および耐湿信頼性の点から
（Ａ）に対する（Ｂ）の化学当量比が０．２〜２．０、
特に０．５〜１．５の範囲にあることが好ましい。

【００３０】また、本発明においてエポキシ樹脂（Ａ）
と硬化剤（Ｂ）の硬化反応を促進するため硬化触媒を用
いてもよい。硬化触媒は硬化反応を促進するものならば
特に限定されず、たとえば２−メチルイミダゾール、
２，４−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチ
ルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェ
ニル−４−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミ
ダゾールなどのイミダゾール化合物、トリエチルアミ
ン、ベンジルジメチルアミン、α−メチルベンジルジメ
チルアミン、２−（ジメチルアミノメチル）フェノー
ル、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェ
ノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデ
セン−７などの３級アミン化合物、ジルコニウムテトラ
メトキシド、ジルコニウムテトラプロポキシド、テトラ
キス（アセチルアセトナト）ジルコニウム、トリ（アセ
チルアセトナト）アルミニウムなどの有機金属化合物お
よびトリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、
トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ
（ｐ−メチルフェニル）ホスフィン、トリ（ノニルフェ
ニル）ホスフィン、トリフェニルホスフィン・トリフェ
ニルボラン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフ
ェニルボレートなどの有機ホスフィン化合物があげられ
る。なかでも反応性の点から、１，８−ジアザビシクロ
（５，４，０）ウンデセン−７やトリフェニルホスフィ
ンやトリフェニルホスフィン・トリフェニルボランが特
に好ましく用いられる。これらの硬化触媒は、用途によ
っては二種以上を併用してもよく、その添加量はエポキ
シ樹脂（Ａ）１００重量部に対して０．０１〜１０重量
部の範囲が好ましい。

【００３１】本発明における充填剤（Ｃ）としては、非
晶性シリカ、結晶性シリカ、炭酸カルシウム、炭酸マグ
ネシウム、アルミナ、マグネシア、クレー、タルク、ケ
イ酸カルシウム、酸化チタン、酸化アンチモン、アスベ
スト、ガラス繊維などがあげられるが、中でも非晶性シ
リカは線膨張係数を低下させる効果が大きく、低応力化
に有効なため好ましく用いられる。非晶性シリカの例と
しては、石英を溶融して製造した溶融シリカや、各種合
成法で製造された合成シリカが挙げられ、破砕状のもの
や球状のものが用いられる。

【００３２】充填剤（Ｃ）の形状および粒径は特に限定
されないが、平均粒径５μｍ以上３０μｍ以下の球状非
晶性シリカ９９〜５０重量％と平均粒径３μｍ以下の球
状非晶性シリカ１〜５０重量％からなる非晶性シリカ
（ｃ）を充填剤（Ｃ）中に５０重量％以上、好ましくは
７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上含有
することが流動性と半田耐熱性の点から好ましい。

【００３３】非晶性シリカ（ｃ）のなかでも、平均粒径
５μｍ以上１５μｍ以下の球状非晶性シリカ９９〜５０
重量％、特に９５〜７０重量％と平均粒径３μｍ以下、
特に０．１μｍ以上２μｍ以下の球状非晶性シリカ１〜
５０重量％、特に５〜３０重量％からなる、球状非晶性
シリカ（ｃ´）が特に好ましい。

【００３４】ここでいう平均粒径は、累積重量５０％に
なる粒径（メジアン径）を意味し、平均粒径が異なる２
種類以上の破砕または球状非晶性シリカを併用した場合
は、その混合物の破砕または球状非晶性シリカの平均粒
径を意味する。

【００３５】本発明において、充填剤（Ｃ）の割合は半
田耐熱性、成形性および低応力性の点から全体の８７〜
９５重量％、好ましくは８８〜９５重量％で、特に好ま
しくは９０〜９５重量％である。

【００３６】本発明において、充填剤をシランカップリ
ング剤、チタネートカップリング剤などのカップリング
剤であらかじめ表面処理することが、信頼性の点で好ま
しい。カップリング剤としてエポキシシラン、アミノシ
ラン、メルカプトシランなどのシランカップリング剤が
好ましく用いられる。

【００３７】本発明の組成物では、必須成分ではないが
ブロム化合物を配合できる。また実質的に存在するブロ
ム化合物は、通常半導体封止用エポキシ樹脂組成物に難
燃剤として添加されるもので、特に限定されず、公知の
ものであってよい。

【００３８】存在するブロム化合物の好ましい具体例と
しては、ブロム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブ
ロム化フェノールノボラック型エポキシ樹脂などのブロ
ム化エポキシ樹脂、ブロム化ポリカーボネート樹脂、ブ
ロム化ポリスチレン樹脂、ブロム化ポリフェニレンオキ
サイド樹脂、テトラブロモビスフェノールＡ、デカブロ
モジフェニルエーテルなどがあげられ、なかでも、ブロ
ム化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ブロム化フェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂などのブロム化エポキシ
樹脂が、成形性の点から特に好ましい。

【００３９】本発明組成物中にブロム化合物の量は、組
成物全体に対して０．３０重量％以下が難燃性および高
温信頼性の点で好ましい。特に好ましくは０．１重量％
以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下、さらに実
質的に配合されないものである。また、臭素原子の量に
注目すると、組成物全体に対して０．２重量％以下、特
に好ましくは０．０７重量％以下、さらに好ましくは
０．０３重量％以下の量が好ましい。

【００４０】本発明の組成物では、必須成分ではないが
アンチモン化合物を配合できる。これは通常半導体封止
用エポキシ樹脂組成物に難燃助剤として添加されるもの
で、特に限定されず、公知のものが使用できる。アンチ
モン化合物の好ましい具体例としては、三酸化アンチモ
ン、四酸化アンチモン、五酸化アンチモンがあげられ
る。

【００４１】本発明組成物中に存在するアンチモン化合
物の量は、全体の０．３重量％以下が難燃性および高温
信頼性の点で好ましい。特に好ましくは０．１重量％以
下、さらに好ましくは０．０５重量％以下、さらには実
質的に配合されていないものである。アンチモン原子に
注目すると全体の０．２重量％以下、好ましくは０．１
重量％以下、さらに好ましくは０．０５重量％以下であ
る。

【００４２】本発明のエポキシ樹脂組成物には、カーボ
ンブラック、酸化鉄などの着色剤、ハイドロタルサイト
などのイオン補足剤、シリコーンゴム、オレフィン系共
重合体、変性ニトリルゴム、変性ポリブタジエンゴム、
変性シリコーンオイルなどのエラストマー、ポリエチレ
ンなどの熱可塑性樹脂、長鎖脂肪酸、長鎖脂肪酸の金属
塩、長鎖脂肪酸のエステル、長鎖脂肪酸のアミド、パラ
フィンワックスなどの離型剤および有機過酸化物などの
架橋剤を任意に添加することができる。

【００４３】本発明のエポキシ樹脂組成物は溶融混練す
ることが好ましく、たとえばバンバリーミキサー、ニー
ダー、ロール、単軸もしくは二軸の押出機およびコニー
ダーなどの公知の混練方法を用いて溶融混練することに
より、製造される。

【００４４】本発明のエポキシ樹脂組成物はエポキシ樹
脂の硬化後の酸素指数が４２％以上であることが好まし
い。ここで酸素指数はＪＩＳ Ｋ７２０１に従って、燃
焼限界点における各ガス体積濃度を求めた値から次式に
従って算出したものをいう。

【００４５】酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋
［窒素］）×１００ 酸素指数が４２％未満の場合はエポキシ樹脂組成物が以
上で述べた他の条件をすべて満たしたとしても、本発明
の効果、すなわち半田耐熱性、耐湿信頼性、高温信頼
性、難燃性、成形性に優れたエポキシ樹脂組成物を得る
ことはできない。

【００４６】また、本発明の半導体装置は本発明のエポ
キシ樹脂組成物で封止することによって得られる。エポ
キシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止は特に限定
されるものでなく、従来より採用されている成形法、例
えばトランスファ成形、インジェクション成形、注型法
などを採用して行うことができる。この場合、エポキシ
樹脂組成物の成形温度は１５０〜１８０℃、ポストキュ
アーは１５０〜１８０℃で２〜１６時間行うことが好ま
しい。

【００４７】ここで、本発明の半導体装置としては、Ｄ
ＩＰ型、フラットバック型、ＰＬＣＣ型、ＳＯ型等、更
にプリント配線板或いはヒートシンクに半導体素子が直
接固着されたもの、ハイブリッドのＩＣのフルモードタ
イプの半導体装置などが挙げられる。なお、プリント基
板の材質としては、特に制限はなく、例示すると金属酸
化物、ガラス系の無機絶縁物、フェノール、エポキシ、
ポリイミド、ポリエステル等の紙基材、ガラス布基材、
ガラスマット基材、ポリサルフォン、テフロン、ポリイ
ミドフィルム、ポリエステルフィルム等の有機絶縁物、
金属ベース基板、メタルコア基板、ホーロー引き鉄板等
の金属系基板が挙げられる。また、ヒートシンク材料と
しては、銅系、鉄系の金属材料が挙げられる。

【００４８】

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
る。なお、実施例中の％は、重量％を示す。

【００４９】実施例１〜１０、比較例１〜５ 表１に示した成分を、表２に示した組成比でミキサ−に
よりドライブレンドした。これを、ロ−ル表面温度９０
℃のミキシングロ−ルを用いて５分間加熱混練後、冷却
・粉砕して半導体封止用エポキシ樹脂組成物を製造し
た。

【００５０】この組成物を用い、低圧トランスファ−成
形法により１７５℃×２分の条件で成形し、１８０℃×
５時間の条件でポストキュアして次の物性測定法により
各組成物の物性を測定した。

【００５１】半田耐熱性：表面にＡｌ蒸着した模擬素子
を搭載したチップサイズ１２×１２ｍｍの１６０ｐｉｎ
ＱＦＰ ２０個を成形しポストキュアし，８５℃／８５
％ＲＨで吸水率飽和になるまで加湿後、最高温度２４５
℃のＩＲリフロ−炉で加熱処理し、外部クラック、内部
クラックの発生数を調べた。

【００５２】吸水率：半田耐熱試験に用いる１６０ｐｉ
ｎＱＦＰでの吸水率を測定した。

【００５３】高温信頼性：模擬素子を搭載した１６ｐｉ
ｎＤＩＰを用い、２００℃で高温信頼性を評価し、累積
故障率６３％になる時間を求め高温特性寿命とした。

【００５４】難燃性試験：５”×１／２”×１／１６”
の燃焼試験片を成形、ポストキュアし、ＵＬ９４規格に
従い難燃性を評価した。

【００５５】酸素指数：６．５×３．２×１２０ｍｍの
試験片を成形、ポストキュアし、エポキシ樹脂を硬化さ
せた後、ＪＩＳ Ｋ７２０１にしたがって、燃焼限界点
における各ガス体積濃度を求め、次式に従って算出し
た。

【００５６】酸素指数（％）＝［酸素］／（［酸素］＋
［窒素］）×１００ ＰＫＧ充填性：半田耐熱試験に用いる１６０ｐｉｎＱＦ
Ｐを、成形後に目視および顕微鏡を用いて観察し、未充
填、ピンホールの有無を調べた。

【００５７】これらの結果を表２に示す。

【００５８】

【表１】

【００５９】

【表２】

【００６０】表２にみられるように、本発明のエポキシ
樹脂組成物（実施例１〜１０）は、半田耐熱性、難燃
性、高温信頼性、ＰＫＧ充填性に優れている。

【００６１】これに対して、充填剤（Ｃ）の添加量が８
７重量％未満で酸素指数が４２％未満である比較例１
は、本発明の硬化剤を用いているにもかかわらず、半田
耐熱性、難燃性、充填性が劣っている。

【００６２】本発明の硬化剤（Ｂ）中に本発明の硬化剤
（ｂ）を含有しない比較例３は半田耐熱性に劣ってい
る。エポキシ樹脂（ａ）、（ａ´）を用いていない比較
例５は、成形性が著しく低下するため、成形不可能であ
る。酸素指数が４２％未満である比較例４は本発明の硬
化剤、エポキシ樹脂を用いているにもかかわらず難燃性
が劣っている。

【００６３】

【発明の効果】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成
物は、硬化剤に特定の構造を持つ低吸水硬化剤を配合
し、フィラー充填量を８７〜９５重量％と高くすること
に加えて、ブロム化合物やアンチモン化合物の添加量を
０．３重量％以下にし、かつ酸素指数が４２％以上とし
たため、半田耐熱性に優れるばかりか、難燃性、高温信
頼性にも優れている。

Claims (13)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、充
   填剤（Ｃ）を含んでなるエポキシ樹脂組成物であって、
   前記硬化剤（Ｂ）が次の一般式（Ｘ） 【化１】 （式中、ｎは０〜１０の整数を示す。Ｍは１価のナフト
   ール基、Ｎは２価のナフトール基。）で表される骨格を
   有するナフトール化合物（ｂ）を必須成分として含有
   し、さらに該組成物の酸素指数が４２％以上であること
   を特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
2. 【請求項２】 前記ナフトール化合物（ｂ）が次の一般
   式（Ｉ）で表される骨格を有するものである請求項１記
   載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 【化２】 （式中、ｎは０〜１０の整数を示す。）
3. 【請求項３】 前記ナフトール化合物（ｂ）の軟化点が
   １００℃以下で、かつ未反応モノマーが前記ナフトール
   化合物（ｂ）の１重量％以下であることを特徴とする請
   求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
4. 【請求項４】 前記充填剤（Ｃ）の割合が全体の８７〜
   ９５重量％であることを特徴とする請求項１〜３いずれ
   かに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
5. 【請求項５】 請求項１〜２いずれかに記載の組成物で
   あって、ブロム化合物の含有量が組成物全体の０．３重
   量％以下、かつアンチモン化合物の含有量が組成物全体
   の０．３重量％以下で半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
6. 【請求項６】 請求項１〜２いずれかに記載の組成物で
   あって、さらにブロム原子の含有量が組成物全体の０．
   ２重量％以下、アンチモン原子の含有量がを組成物全体
   の０．２重量％以下である半導体封止用エポキシ樹脂組
   成物。
7. 【請求項７】 エポキシ樹脂（Ａ）が次の一般式（Ｉ
   Ｉ） 【化３】 （式中、Ｒ¹ 〜Ｒ⁸ は水素原子、ハロゲン原子、または
   炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で表されるビフェ
   ニル型エポキシ樹脂（ａ）を必須成分として含有する請
   求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成
   物。
8. 【請求項８】 ビフェニル型エポキシ樹脂（ａ）を全エ
   ポキシ樹脂中に５０％以上含む請求項７記載の半導体封
   止用エポキシ樹脂組成物。
9. 【請求項９】 エポキシ樹脂（Ａ）が次の一般式（ＩＩ
   Ｉ） 【化４】 （ただし、Ｒ¹ 〜Ｒ⁸ のうち、２つは２，３−エポキシ
   プロポキシ基を表し、他は、水素原子、ハロゲン原子ま
   たは炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で表されるナ
   フタレンエポキシ樹脂（ａ´）を必須成分として含有す
   る請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組
   成物。
10. 【請求項１０】 ナフタレンエポキシ樹脂（ａ´）を全
    エポキシ樹脂中に５０％以上含む請求項９記載の半導体
    封止用エポキシ樹脂組成物。
11. 【請求項１１】 ナフトール化合物（ｂ）を全硬化剤
    （Ｂ）中に５０重量％以上含む請求項１または２記載の
    半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
12. 【請求項１２】 充填剤（Ｃ）が平均粒径５μｍ以上、
    ３０μｍ以下の球状非晶性シリカ９９〜５０重量％と平
    均粒径３μｍ以下の球状非晶性シリカ１〜５０重量％か
    らなる非晶性シリカ（ｃ）を充填剤（Ｃ）中に５０重量
    ％以上含有する請求項１または２記載の半導体封止用エ
    ポキシ樹脂組成物。
13. 【請求項１３】 請求項１〜１２記載の半導体封止用エ
    ポキシ樹脂組成物で封止してなる半導体装置。