JPH08321537A - Treatment equipment and treatment method - Google Patents

Treatment equipment and treatment method

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JPH08321537A
JPH08321537A JP14857196A JP14857196A JPH08321537A JP H08321537 A JPH08321537 A JP H08321537A JP 14857196 A JP14857196 A JP 14857196A JP 14857196 A JP14857196 A JP 14857196A JP H08321537 A JPH08321537 A JP H08321537A
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Abstract

PURPOSE: To improve throughput and reliability of treatment, and easily cope with the increase of treatment process, when liquid treatment like the coating treatment of photoresist liquid for a semiconductor wafer and heat treatment are performed. CONSTITUTION: In an equipment main body 102, heat treatment mechanisms 103, 104, a coating mechanism 123, and a developing mechanism 124 are linearly arranged while putting a linear space part 111 between them. A conveying mechanism 131 for carrying a semiconductor wafer W in and from the heat treatment mechanisms 103, 104 is arranged between the heat treatment mechanisms 103 and 104. A main conveying mechanism 112 for carrying the semiconductor wafer W in and from the coating mechanism 123 and the developing mechanism 124 is arranged in the space part 111. Each of the heat treatment mechanisms 103, 104 has lamination structure, under which a stand-by part for making a semiconductor wafer W temporarily await is installed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、処理装置及び処理
方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a processing apparatus and a processing method.

【０００２】[0002]

【従来の技術】例えば半導体製造装置において、半導体
ウエハに回路パターンを形成する工程中の一装置とし
て、例えば、フォトレジスト塗布現像装置が用いられて
いる。そして、このフォトレジスト塗布現像装置は、複
数の処理機構例えば、半導体ウエハ表面の洗浄機構、こ
の洗浄に使用した純水などの水分を乾燥除去する疎水熱
処理機構、半導体ウエハとフォトレジスト膜との密着性
を向上するために行うＨＭＤＳ処理機構、半導体ウエハ
にフォトレジストを塗布するフォトレジスト塗布機構、
塗布されたフォトレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発
させるプリベーク機構、露光されたフォトレジストを現
像する現像機構、現像によってパターン形成されたフォ
トレジストに残留する現像液を蒸発除去し、半導体ウエ
ハとフォトレジストとの密着性を強化するためのポスト
ベーク機構、フォトレジストパターンの耐熱性を向上さ
せるためのレジストキュア機構などを備え、半導体ウエ
ハを連続して処理する構成を有している。そして上記各
機構間を例えばベルトを使用した搬送機構で接続し、半
導体ウエハを連続して処理するように構成されている。2. Description of the Related Art In a semiconductor manufacturing apparatus, for example, a photoresist coating / developing apparatus is used as one apparatus in the process of forming a circuit pattern on a semiconductor wafer. This photoresist coating / developing apparatus has a plurality of processing mechanisms, for example, a cleaning mechanism for the surface of a semiconductor wafer, a hydrophobic heat treatment mechanism for drying and removing water such as pure water used for this cleaning, and a contact between a semiconductor wafer and a photoresist film. HMDS processing mechanism for improving the property, a photoresist coating mechanism for coating a semiconductor wafer with a photoresist,
A pre-baking mechanism that heats and evaporates the solvent remaining in the applied photoresist, a developing mechanism that develops the exposed photoresist, a developer that remains on the photoresist patterned by the development is removed by evaporation, and the semiconductor wafer and the photo resist are removed. The semiconductor device is provided with a post-baking mechanism for enhancing the adhesiveness with the resist, a resist curing mechanism for improving the heat resistance of the photoresist pattern, and the like, and is configured to continuously process semiconductor wafers. The above-mentioned mechanisms are connected by a transfer mechanism using a belt, for example, and the semiconductor wafers are continuously processed.

【０００３】しかしながら、近年ＶＬＳＩの集積度が高
まるにつれ、例えばレジスト処理工程もより複雑とな
り、処理工程数および処理工程の種類も増大している。However, with the recent increase in the degree of integration of VLSI, for example, the resist processing steps have become more complicated, and the number of processing steps and the types of processing steps have increased.

【０００４】上記説明の装置では固定した連続処理は可
能であるが、この連続処理のプロセスの中に例えばレジ
スト多層塗布や他の処理工程を追加したり、またはある
処理工程を削除するというようなことは不可能である。The apparatus described above allows fixed continuous processing. However, for example, a resist multi-layer coating or another processing step is added or a certain processing step is deleted in the continuous processing. Is impossible.

【０００５】このような事情により、処理工程の追加、
削除、変更などが可能で、複雑な処理工程に対応できる
ように、例えば処理機構と搬送機構とを分離した構成の
装置が要望されている。Under these circumstances, additional processing steps are required,
There is a demand for an apparatus having a configuration in which a processing mechanism and a transport mechanism are separated so that they can be deleted and changed, and can cope with complicated processing steps.

【０００６】この装置例として、次に述べるようなもの
がある。図６、図７に示すように、主搬送機構１の周囲
に、半導体ウエハ２のローダー３、アンローダー４、第
１の処理機構５、第２の処理機構６、熱処理機構７など
が配置されている。この熱処理機構７は、例えば４個の
熱板８、９、１０、１１を垂直に多段配置し、この下方
位置に移載用載置台１２が配置されている。また、この
熱処理機構７近傍には、第１の副搬送機構１３、第２の
副搬送機構１４が設けられている。An example of this device is as follows. As shown in FIGS. 6 and 7, a loader 3, an unloader 4, a first processing mechanism 5, a second processing mechanism 6, a heat treatment mechanism 7, etc. for the semiconductor wafer 2 are arranged around the main transfer mechanism 1. ing. In this heat treatment mechanism 7, for example, four hot plates 8, 9, 10, 11 are vertically arranged in multiple stages, and a transfer table 12 is arranged at a lower position thereof. A first sub-transport mechanism 13 and a second sub-transport mechanism 14 are provided near the heat treatment mechanism 7.

【０００７】そしてローダー３から半導体ウエハ２を取
り出して主搬送機機１により該半導体ウエハ２を例えば
第１の処理機構５にセットし、半導体ウエハ２に対して
所定の処理を施す。この処理が終ると主搬送機構１によ
り上記半導体ウエハ２を移載用載置台１２にセットし、
次にこの半導体ウエハ２を第１の副搬送機構１３で熱処
理機構７の熱板８から熱板１１へと、処理に応じて移
す。そして、最上段の熱板１１での熱処理が終了する
と、半導体ウエハ２を第２の副搬送機構１４により搬送
して移載用載置台１２にセットする。この移送用載置台
１２上の半導体ウエハ２を主搬送機構１で搬出してアン
ローダー４に収納する。Then, the semiconductor wafer 2 is taken out from the loader 3, and the semiconductor wafer 2 is set by, for example, the first processing mechanism 5 by the main carrier machine 1, and the semiconductor wafer 2 is subjected to predetermined processing. When this process is completed, the semiconductor wafer 2 is set on the transfer mounting table 12 by the main transfer mechanism 1,
Next, this semiconductor wafer 2 is transferred from the hot plate 8 of the heat treatment mechanism 7 to the hot plate 11 by the first sub-transport mechanism 13 according to the processing. When the heat treatment on the uppermost hot plate 11 is completed, the semiconductor wafer 2 is transferred by the second sub-transfer mechanism 14 and set on the transfer mounting table 12. The semiconductor wafer 2 on the transfer mounting table 12 is unloaded by the main transfer mechanism 1 and stored in the unloader 4.

【０００８】また図８に示したものは、搬送機構１５の
移動経路１６に沿って、例えば手前側にローダー１７、
アンローダー１８、第１の処理機構１９、第２の処理機
構２０が並設されており、また向う側には熱処理機構２
１として４個の熱板２２、２３、２４、２５が並設され
ている。そして、ローダー１７から半導体ウエハ２６を
取り出して搬送機構１５で搬送し、この半導体ウエハ２
６を例えば第１の処理機構１９にセットして所定の処理
を実行する。Further, the one shown in FIG. 8 has a loader 17, for example, on the front side along the moving path 16 of the transfer mechanism 15.
An unloader 18, a first processing mechanism 19, and a second processing mechanism 20 are arranged in parallel, and the heat treatment mechanism 2 is provided on the opposite side.
As one, four hot plates 22, 23, 24, 25 are arranged in parallel. Then, the semiconductor wafer 26 is taken out from the loader 17 and carried by the carrying mechanism 15,
6 is set in, for example, the first processing mechanism 19 and predetermined processing is executed.

【０００９】この処理が終ると搬送機構１５により第１
の処理機構１９から前記半導体ウエハ２６を搬出し、熱
板２２上にセットして熱処理を開始する。続いて、別の
半導体ウエハ２６をローダー１７から取り出し、上記同
様の動作にて熱板２３、２４、２５にセットする。前記
熱処理機構２１における熱処理が終ると、搬送機構１５
により該当する上記熱板、例えば熱板２２から半導体ウ
エハ２６を搬出し、アンローダー１８に収納する。When this process is completed, the first transfer mechanism 15
The semiconductor wafer 26 is unloaded from the processing mechanism 19 and set on the heating plate 22 to start heat treatment. Then, another semiconductor wafer 26 is taken out from the loader 17 and set on the heating plates 23, 24 and 25 by the same operation as described above. When the heat treatment in the heat treatment mechanism 21 is completed, the transport mechanism 15
Then, the semiconductor wafer 26 is unloaded from the corresponding hot plate, for example, the hot plate 22, and stored in the unloader 18.

【００１０】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記装
置にはそれぞれ次に述べるような問題点がある。まず図
６、図７に示したものにおいては、副搬送機構が２個必
要であり、また主搬送機構１のサイクル時間と加熱処理
時間との整合をとるために上記副搬送機構の動作を制御
することが必要となる。例えば、主搬送機構１が動作中
であれば加熱処理が終了した半導体ウエハを加熱処理機
構から搬出できず、結果として上記熱理機構の熱板から
熱板への半導体ウエハの移載の際に待ち時間、すなわち
熱処理を中断する時間が発生する。However, each of the above devices has the following problems. First, in the structure shown in FIGS. 6 and 7, two sub-transport mechanisms are required, and the operation of the sub-transport mechanism is controlled in order to match the cycle time of the main transport mechanism 1 with the heat treatment time. Will be required. For example, if the main transfer mechanism 1 is in operation, the semiconductor wafer after the heat treatment cannot be carried out from the heat treatment mechanism, and as a result, when the semiconductor wafer is transferred from the hot plate of the thermal processing mechanism to the hot plate. A waiting time, that is, a time for interrupting the heat treatment occurs.

【００１１】また装置の配置構成についてみても、主搬
送機機１を中心として、ローダー３、アンローダー４、
第１の処理機構５、第２の処理機構６、熱処理機構７が
円環状に配置されており、処理工程の増加に対応させて
他の処理機構を増やすことがで困難であった。Regarding the arrangement of the apparatus, the main carrier machine 1 is the center of the loader 3, the unloader 4,
The first processing mechanism 5, the second processing mechanism 6, and the heat treatment mechanism 7 are arranged in an annular shape, and it is difficult to increase the number of other processing mechanisms in response to the increase in the number of processing steps.

【００１２】一方、図８に示したものについてみると、
熱処理時間は使用されるレジストに応じて極めて精密に
管理する必要があるために、熱処理時間を管理すべく搬
送機構を動作させようとすると、装置のスループットが
著しく低下する可能性がある。これは搬送機構が１つし
かないことに起因する。On the other hand, looking at what is shown in FIG.
Since the heat treatment time needs to be controlled extremely precisely according to the resist used, if the transport mechanism is operated to control the heat treatment time, the throughput of the apparatus may be significantly reduced. This is due to the fact that there is only one transport mechanism.

【００１３】すなわち、上記熱処理時間は熱板の個数を
変更することによってある範囲内において調整可能であ
るが、熱板の個数をｎとした場合、装置のサイクル時間
Ｔに対しｎＴ時間で限定きれる段階的な時間しか選択で
きず、その中間の時間の制御は不可能である。That is, the heat treatment time can be adjusted within a certain range by changing the number of hot plates, but when the number of hot plates is n, the cycle time T of the apparatus can be limited to nT time. Only stepwise times can be selected, and control of intermediate times is impossible.

【００１４】したがって、装置のサイクル時間Ｔを変え
ることとなるが、装置のサイクル時間Ｔは他の処理機構
の処理時間にも影響されるもので、装置のスループット
は最も遅い処理機構の処理時間に対し、それ以上の時間
の熱処理サイクル時間に設定しなければならない。Therefore, although the cycle time T of the apparatus is changed, the cycle time T of the apparatus is also influenced by the processing times of other processing mechanisms, and the throughput of the apparatus is the processing time of the slowest processing mechanism. On the other hand, a heat treatment cycle time longer than that must be set.

【００１５】例えば、最も遅い処理機構の処理時間が５
１秒で熱処理時間が１５０秒であれば、熱板を３個とし
て５０秒間では処理できず、この場合熱板を２個として
７５秒サイクルとせざるを得ず、著しくスループットが
低下する。For example, the processing time of the slowest processing mechanism is 5
If the heat treatment time is 1 second and the heat treatment time is 150 seconds, the number of heat plates cannot be changed to three and the heat treatment cannot be performed for 50 seconds. In this case, the number of heat plates must be two and the cycle is 75 seconds, which significantly lowers the throughput.

【００１６】しかも前記したように搬送機構が１つしか
ないので、例えばレジスト液塗布後の半導体ウエハと熱
処理直後の半導体ウエハとを同一の搬送機構１５で搬送
することになるので、例えば熱処理直後の半導体ウエハ
の搬送頻度が多くなってくると、半導体ウエハからの熱
で搬送機構自体が加熱されてしまい、レジスト液塗布直
後のレジストが当該熱によって影響され、所定の膜厚の
レジストが形成されないおそれも生ずる。Further, as described above, since there is only one transfer mechanism, for example, the semiconductor wafer after the resist solution coating and the semiconductor wafer immediately after the heat treatment are transferred by the same transfer mechanism 15, so that, for example, immediately after the heat treatment. If the semiconductor wafer is transferred more frequently, the transfer mechanism itself is heated by the heat from the semiconductor wafer, and the resist immediately after the application of the resist solution is affected by the heat, so that a resist having a predetermined film thickness may not be formed. Also occurs.

【００１７】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、まず半導体ウエハなどの被処理体に対して所
定の複数の処理を行うにあたり、１つの装置内でこれら
の複数の処理を行うことを可能にすると共に、処理機構
や搬送機構の配置を見直し、これらを１つの装置内に適
切に配置することで、処理工程や処理機構自体の数の増
加に容易に対応できる処理装置を提供することを第１の
目的とする。またさらに本発明は、液処理が終わった被
処理体を搬送する搬送機構と、熱処理が終わった被処理
体を搬送する搬送機構とを分けることで、搬送機構自体
を介して液処理直後の被処理体に熱が伝達されるのを抑
える処理装置を提供することを第２の目的とする。さら
に本発明は各処理部に対する被処理体の搬入出を効率よ
く実施してスループットの高い処理装置を提供すること
を第３の目的とする。また本発明は、このような処理装
置を用いて被処理体に対して液処理と熱処理を行うにあ
たり、スループットが高く、しかも信頼性の高い処理を
行う処理方法を提供することを第４の目的とする。The present invention has been made in view of the above problems. First, in performing a predetermined plurality of processes on an object to be processed such as a semiconductor wafer, the plurality of processes are performed in one apparatus. In addition to enabling the processing, the arrangement of the processing mechanism and the transport mechanism is reviewed, and by appropriately disposing them in one device, a processing device that can easily cope with an increase in the number of processing steps and the processing mechanism itself is provided. The first purpose is to provide. Still further, according to the present invention, by separating the transport mechanism for transporting the object to be treated after the liquid treatment and the transport mechanism for transporting the object to be treated after the heat treatment, the transport mechanism immediately after the liquid treatment is performed via the transport mechanism itself. A second object is to provide a processing device that suppresses heat transfer to the processing body. A third object of the present invention is to provide a processing apparatus having a high throughput by efficiently carrying in and out the object to be processed with respect to each processing section. A fourth object of the present invention is to provide a processing method for performing a liquid treatment and a heat treatment on an object to be processed using such a processing apparatus, which has high throughput and high reliability. And

【００１８】[0018]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、請求項１によれば、直線状に配置され、被処理体に
所定の温度で熱処理を行う処理部を複数備えた熱処理部
と、この熱処理部に沿って設けられた空間部と、この空
間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って複数設
けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す液処理
部と、前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部
に対して前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の
搬送機構と、前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置さ
れ、少なくとも前記熱処理部に対して前記被処理体を搬
入出可能に構成された第二の搬送機構と、を１つの装置
内に具備したことを特徴とする、処理装置が提供され
る。In order to achieve the above-mentioned object, according to claim 1, a heat treatment unit provided with a plurality of treatment units which are arranged in a straight line and heat-treat an object to be treated at a predetermined temperature, A space portion provided along the heat treatment portion, and a plurality of liquid treatment portions provided along the side facing the heat treatment portion with the space portion sandwiched therebetween, for supplying a liquid to the object to be treated and performing the treatment. A first transport mechanism that is disposed in the space and configured to load and unload the object to be processed with respect to at least the liquid processing unit, and is disposed in or near the heat processing unit and at least the heat processing unit. On the other hand, there is provided a processing device, comprising: a second transport mechanism configured to load and unload the object to be processed in one device.

【００１９】また請求項２によれば、直線状に配置さ
れ、被処理体に所定の温度で熱処理を行う処理部を複数
備えた熱処理部と、この熱処理部に沿って設けられた空
間部と、この空間部を挟んで前記熱処理部と対向する側
に沿って複数設けられ、前記被処理体に液を供給して処
理を施す液処理部と、前記空間部に配置され、少なくと
も前記液処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構
成された第一の搬送機構と、前記熱処理部内又は熱処理
部近傍に配置され、少なくとも前記熱処理部に対して前
記被処理体を搬入出可能に構成された第二の搬送機構
と、前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少な
くとも前記第二の搬送機構側の前記被処理体を前記第一
の搬送機構に受け渡しするための待機部とを有すること
を特徴とする、処理装置が提供される。According to a second aspect of the present invention, there is provided a heat treatment section which is linearly arranged and has a plurality of treatment sections for performing heat treatment on the object to be treated at a predetermined temperature, and a space section provided along the heat treatment section. A plurality of liquid treatment units that are provided along the side facing the heat treatment unit with the space portion interposed therebetween and that supply the liquid to the object to be treated to perform the treatment; and at least the liquid treatment unit. A first transport mechanism configured to load and unload the object to be processed into and out of the heat treatment section, and arranged in or near the heat treatment section to load and unload the object to and from the heat treatment section. A second transport mechanism configured, and a standby unit that is disposed in or near the heat treatment unit and that transfers at least the object to be processed on the second transport mechanism side to the first transport mechanism. Processing equipment characterized by having There is provided.

【００２０】請求項３によれば、複数の被処理体を収納
可能な収納体が配置される収納体が配置されるローダー
・アンローダー部と、直線状に配置され、被処理体に所
定の温度で熱処理を行う処理部を複数備えた熱処理部
と、この熱処理部に沿って設けられた空間部と、この空
間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って複数設
けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す液処理
部と、前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部
に対して前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の
搬送機構と、前記熱処理部内又は近傍に配置され、少な
くとも前記熱処理部に対して前記被処理体を搬入出可能
に構成された第二の搬送機構と、前記熱処理部内又は熱
処理部近傍に配置され、少なくとも前記第二の搬送機構
側の前記被処理体を前記第一の搬送機構に受け渡しする
ための待機部とを有することを特徴とする、処理装置が
提供される。According to a third aspect of the present invention, a loader / unloader section in which a container for accommodating a plurality of objects to be processed is arranged, and a loader / unloader section in a straight line, are provided on the object to be processed in a predetermined manner. A heat treatment unit including a plurality of treatment units for performing heat treatment at a temperature, a space portion provided along the heat treatment unit, and a plurality of portions provided along a side facing the heat treatment unit with the space portion interposed therebetween, A liquid processing unit that supplies a liquid to the processing object to perform processing, a first transport mechanism that is arranged in the space, and is configured to be able to carry in and out the object to be processed with respect to at least the liquid processing section, A second transport mechanism that is disposed in or near the heat treatment section and is configured to be able to carry in and out the object to be processed with respect to at least the heat treatment section, and is disposed in or near the heat treatment section and at least the second Of the object to be processed on the transport mechanism side of And having a standby section for transferring the serial first transfer mechanism, the processing apparatus is provided.

【００２１】前記請求項２又は３に記載の処理装置にお
いて、請求項４に記載したように、第一の搬送機構が垂
直方向に移動することなく待機部に被処理体を搬送可能
に構成してもよい。In the processing apparatus according to the second or third aspect, as described in the fourth aspect, the first transfer mechanism is configured to be able to transfer the object to be processed to the standby portion without moving in the vertical direction. May be.

【００２２】また請求項１〜４に記載された処理装置に
おいて、請求項５に記載したように、熱処理部の処理部
を垂直方向に多段に配置するようにしてもよい。Further, in the processing apparatus described in claims 1 to 4, as described in claim 5, the processing parts of the heat treatment part may be arranged in multiple stages in the vertical direction.

【００２３】さらに請求項２〜４に記載の処理装置にお
ける熱処理部の処理部は、請求項６のように、垂直方向
に多段に配置され、待機部はその下方位置に配置される
ように構成してもよい。Further, as in claim 6, the processing parts of the heat treatment part in the processing device according to claims 2 to 4 are arranged in multiple stages in the vertical direction, and the standby part is arranged below it. You may.

【００２４】請求項１、５の処理装置においては、請求
項７のように、液処理部が、被処理体にレジスト液を供
給して塗布する処理部又はレジスト膜が形成された被処
理体に現像液を供給して現像処理を施す処理部の少なく
とも何れか一方の処理部を具備するようにしてもよい。In the processing apparatus of claims 1 and 5, as in claim 7, the liquid processing section supplies a resist solution to the object to be processed and applies the resist solution, or an object to be processed having a resist film formed thereon. You may make it equip with the at least any one process part of the process part which supplies a developing solution and performs a development process.

【００２５】請求項２、３、４又は６の処理装置におい
ては、請求項８のように、液処理部が、被処理体にレジ
スト液を供給して塗布する処理部又はレジスト膜が形成
された被処理体に現像液を供給して現像処理を施す処理
部の少なくとも何れか一方の処理部を具備するようにし
てもよい。In the processing apparatus of the second, third, fourth or sixth aspect, as in the eighth aspect, the liquid processing section is provided with a processing section or a resist film for supplying and applying a resist solution to the object to be processed. Further, at least one of the processing units for supplying the developing solution to the object to be processed and performing the developing process may be provided.

【００２６】以上のように構成された各処理装置におい
て、請求項９のように、被処理体は、レジスト膜が形成
される及び／又はレジスト膜が形成された被処理体であ
ってもよい。In each processing apparatus configured as described above, the object to be processed may be an object to be processed on which a resist film is formed and / or a resist film is formed. .

【００２７】さらに加えて、請求項１０のように、第二
の搬送機構は、複数の処理部に対して被処理体を同時に
搬入及び／又は搬出可能に構成してもよい。In addition, as in claim 10, the second transfer mechanism may be configured to be able to simultaneously carry in and / or carry out the objects to be processed with respect to a plurality of processing parts.

【００２８】一方本発明が提供する処理方法は、請求項
１１に記載したように、前記請求項１〜１０のいずれか
に記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施す
方法であって、特定の液処理部に、第一の搬送機構で被
処理体を搬送する工程と、前記特定の液処理部で被処理
体に所定の処理を施す工程と、を有することを特徴とし
ている。On the other hand, the processing method provided by the present invention is a method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of claims 1 to 10 as described in claim 11. It is characterized in that it has a step of transporting the object to be processed by the first transport mechanism to the specific liquid processing section, and a step of performing a predetermined process on the object to be processed by the specific liquid processing section. There is.

【００２９】また請求項１２の処理方法は、請求項２、
３、４、６又は８のいずれかに記載の処理装置を用いて
被処理体に対して処理を施す方法であって、特定の液処
理部に、第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、
前記特定の液処理部で被処理体に所定の処理を施す工程
と、処理が施された被処理体を第一の搬送機構で待機部
に搬送する工程とを有することを特徴としている。The processing method of claim 12 is the method of claim 2,
A method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 3, 4, 6 or 8, wherein the object is transferred to a specific liquid processing section by a first transfer mechanism. And the process of
It is characterized by including a step of subjecting the object to be processed to a predetermined process in the specific liquid processing section, and a step of transporting the processed object to the standby section by the first transport mechanism.

【００３０】請求項１３の処理方法は、請求項２、３、
４、６又は８のいずれかに記載の処理装置を用いて被処
理体に対して処理を施す方法であって、特定の液処理部
に、第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、前記
特定の液処理部で被処理体に所定の処理を施す工程と、
処理が施された被処理体を第一の搬送機構で待機部に搬
送する工程と、待機部の被処理体を第二の搬送機構で熱
処理部の特定の処理部に搬送する工程とを有することを
特徴とする。The processing method according to claim 13 is the processing method according to claim 2,
A method of performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 4, 6, or 8, comprising the step of transferring the object to be processed to a specific liquid processing section by a first transfer mechanism. And a step of subjecting the object to be processed in the specific liquid processing section,
It has a step of transporting the processed object to the standby section by the first transfer mechanism, and a step of transferring the object to be processed in the standby section to a specific processing section of the heat treatment section by the second transfer mechanism. It is characterized by

【００３１】請求項１４に記載の処理方法は、請求項８
に記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施す
方法であって、前記液処理部に第一の搬送機構で被処理
体を搬送する工程と、搬送された被処理体に対し、少な
くともレジスト液を供給して塗布する処理又は現像処理
を行う工程とを有することを処理方法。The processing method according to claim 14 is the method according to claim 8.
A method of performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 1, wherein the step of transferring the object to be processed by the first transfer mechanism to the liquid processing section, and the object to be processed being transferred. And a process of supplying at least a resist solution and applying or developing.

【００３２】請求項１５の処理方法は、請求項８に記載
の処理装置を用いて被処理体に処理を施す処理方法であ
って、前記液処理部に第一の搬送機構で被処理体を搬送
する工程と、搬送された被処理体に対し、少なくともレ
ジスト液を供給して塗布する処理又は現像処理を行う工
程と、前記処理が施された被処理体を第一の搬送機構で
待機部に搬送する工程とを有することを特徴としてい
る。A treatment method according to a fifteenth aspect is a treatment method for treating an object to be treated by using the treatment apparatus according to the eighth aspect, wherein the liquid treatment section uses the first transport mechanism to treat the object to be treated. A step of transporting, a step of supplying at least a resist solution to the transported object to be applied or a developing process, and a standby section for the object to be treated which has been subjected to the above-mentioned processing by the first transport mechanism. And the step of transporting to.

【００３３】請求項１６の処理方法は、請求項８に記載
の処理装置を用いて被処理体に処理を施す処理方法であ
って、前記液処理部に第一の搬送機構で被処理体を搬送
する工程と、搬送された被処理体に対し、少なくともレ
ジスト液を供給して塗布する処理又は現像処理を行う工
程と、前記処理が施された被処理体を第一の搬送機構で
待機部に搬送する工程と、待機部の被処理体を第二の搬
送機構で熱処理部の特定の処理部に搬送する工程とを有
することを特徴とする。A processing method according to a sixteenth aspect is a processing method for performing processing on an object to be processed by using the processing apparatus according to the eighth aspect, wherein the liquid processing section applies the object to be processed by a first transfer mechanism. A step of transporting, a step of supplying at least a resist solution to the transported object to be applied or a developing process, and a standby section for the object to be treated which has been subjected to the above-mentioned processing by the first transport mechanism. And a step of transporting the object to be processed in the standby section to a specific processing section of the heat treatment section by the second transfer mechanism.

【００３４】前記請求項１１〜１６に記載の処理方法に
おいて、請求項１７のように、被処理体を収納する収納
体から搬出された被処理体を、第二の搬送機構によって
熱処理部の特定の処理部に搬送する工程を有するように
してもよい。In the processing method according to any one of claims 11 to 16, the object to be processed carried out from the container for accommodating the object to be processed is specified by the second transfer mechanism in the heat treatment section. You may make it have the process of carrying to the process part of this.

【００３５】この場合、さらに請求項１８のように、熱
処理部での処理が終了した被処理体を、第二の搬送機構
によって、待機部に載置する工程を具備するようにして
もよい。In this case, as in the eighteenth aspect, a step of placing the object to be processed, which has been processed in the heat treatment section, in the standby section by the second transport mechanism may be provided.

【００３６】請求項１９の処理方法は、請求項２、３、
４、６又は８のいずれかに記載の処理装置を用いて被処
理体に対して処理を施す方法であって、被処理体を収納
する収納体から搬出された被処理体を、第二の搬送機構
によって熱処理部の特定の処理部に搬送する工程と、前
記特定の処理部で被処理体に所定の熱処理を施す工程と
を有することを特徴としている。The processing method of claim 19 is the processing method of claim 2,
A method for performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 4, 6, or 8, wherein the object to be processed carried out from a container for housing the object to be processed is The present invention is characterized by including a step of carrying to a specific processing section of the heat treatment section by a carrying mechanism and a step of performing a predetermined heat treatment on the object to be processed in the specific processing section.

【００３７】また請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す場合、請求項２０のように、被処理体を収納する収納
体から搬出された被処理体を、第二の搬送機構によって
熱処理部の特定の処理部に搬送する工程と、前記特定の
処理部で被処理体に所定の熱処理を施す工程とを有する
ように構成してもよい。When the object to be processed is processed using the processing apparatus according to any one of claims 2, 3, 4, 6 or 8, the object to be processed is housed as in claim 20. It has a step of carrying the object to be processed carried out from the storage body to a specific processing section of the heat treatment section by the second carrying mechanism, and a step of subjecting the object to be processed to a predetermined heat treatment in the specific processing section. You may comprise.

【００３８】請求項２１の処理方法は、請求項２、３、
４、６又は８のいずれかに記載の処理装置を用いて被処
理体に対して処理を施す方法であって、被処理体を収納
する収納体から搬出された被処理体を、第二の搬送機構
によって熱処理部の特定の処理部に搬送する工程と、前
記特定の処理部で被処理体に所定の熱処理を施す工程
と、処理が施された被処理体を第二の搬送機構で待機部
に搬送する工程とを有することを特徴としている。The processing method of claim 21 is the processing method of claim 2,
A method for performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 4, 6, or 8, wherein the object to be processed carried out from a container for housing the object to be processed is A step of transporting the processed object to a specific processing section of the heat treatment section, a step of performing a predetermined heat treatment on the object to be processed in the specific processing section, and a standby of the processed object in the second transfer mechanism. And a step of transporting it to a section.

【００３９】また請求項２２の処理方法は、請求項２、
３、４、６又は８のいずれかに記載の処理装置を用いて
被処理体に対して処理を施す方法であって、被処理体を
収納する収納体から搬出された被処理体を、第二の搬送
機構によって熱処理部の特定の処理部に搬送する工程
と、前記特定の処理部で被処理体に所定の熱処理を施す
工程と、処理が施された被処理体を第二の搬送機構で待
機部に搬送する工程と、待機部の被処理体を第一の搬送
機構で特定の液処理部に搬送する工程とを有することを
特徴とする。The processing method of claim 22 is the same as that of claim 2,
A method for performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 3, 4, 6 or 8, wherein the object to be processed carried out from a housing for housing the object to be processed is A step of transporting the processed object to a specific processing section of the heat treatment section by the second transfer mechanism, a step of performing a predetermined heat treatment on the object to be processed in the specific processing section, and a second transfer mechanism of the processed object. And a step of transporting the object to be processed in the standby section to a specific liquid processing section by the first transport mechanism.

【００４０】さらに請求項２３の処理方法は、請求項８
に記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施す
方法であって、被処理体を収納する収納体から搬出され
た被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特定
の処理部に搬送する工程と、前記特定の処理部で被処理
体に所定の熱処理を施す工程と、処理が施された被処理
体を第二の搬送機構で待機部に搬送する工程と、待機部
の被処理体を第一の搬送機構で特定の液処理部に搬送す
る工程と、搬送された被処理体に対し、少なくともレジ
スト液を供給して塗布する処理又は現像処理を行う工程
とを有することを特徴としている。Further, the processing method of claim 23 is the method of claim 8.
A method of performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 1, wherein the object to be processed carried out from a container that stores the object to be processed is specified by a second transfer mechanism in a heat treatment unit. A step of carrying the object to be processed to the processing section, a step of performing a predetermined heat treatment on the object to be processed in the specific processing section, a step of carrying the object to be processed to a standby section by a second transfer mechanism, and a standby Part of the object to be processed to a specific liquid processing part by the first transfer mechanism, and a step of supplying at least resist solution to the transferred object to be applied or developing process. It is characterized by having.

【００４１】[0041]

【発明の実施の形態】以下、本発明を塗布現像装置に適
用した一実施形態を図面を参照して説明すると、本実施
形態にかかる処理装置１０１は、半導体ウエハに対して
塗布現像処理が可能なように構成されており、その装置
本体１０２の一側には、被処理体、例えば半導体ウエハ
Ｗに対して所定の温度で熱処理を実施する処理部として
の熱板を複数備えた熱処理機構１０３、１０４が、装置
本体１０２内で直線状に配置されている。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to a coating and developing apparatus will be described with reference to the drawings. A processing apparatus 101 according to the present embodiment is capable of coating and developing a semiconductor wafer. The heat treatment mechanism 103 has a plurality of heat plates as a processing unit for performing heat treatment on an object to be processed, for example, a semiconductor wafer W, on one side of the apparatus main body 102. , 104 are linearly arranged in the apparatus main body 102.

【００４２】前記各熱処理機構１０３、１０４において
は、図２に示したように、半導体ウエハＷに対して所定
の熱処理を行うための処理部が垂直方向に多段に積み重
ねられている。即ち、熱処理機構１０３においては、半
導体ウエハＷを載置してこれを加熱処理する処理部とな
る熱板１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄが、熱
処理機構１０４においては、４つの熱板１０４ａ、１０
４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄが各々積み重ねられている。
これら各熱板１０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３
ｄ、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄは、例え
ばケーシングやチャンバなどの容器内に設けられる。In each of the heat treatment mechanisms 103 and 104, as shown in FIG. 2, processing units for performing a predetermined heat treatment on the semiconductor wafer W are vertically stacked in multiple stages. That is, in the heat treatment mechanism 103, the heat plates 103a, 103b, 103c, and 103d, which are the processing units that place the semiconductor wafer W and heat-treat the semiconductor wafer W, and in the heat treatment mechanism 104, the four heat plates 104a, 10a.
4b, 104c, 104d are respectively stacked.
These hot plates 103a, 103b, 103c, 103
d, 104a, 104b, 104c, 104d are provided in a container such as a casing or a chamber.

【００４３】そして各熱板１０３ａ、１０３ｂ、１０３
ｃ、１０３ｄ、１０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４
ｄは、処理プロセスに応じて、例えば、塗布されたフォ
トレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させるプリベー
ク処理、現像によってパターン形成されたフォトレジス
トに残留する現像液を蒸発除去し半導体ウエハとフォト
レジストとの密着性を強化するためのポストベーク処理
に使用される。Then, the respective heat plates 103a, 103b, 103
c, 103d, 104a, 104b, 104c, 104
Depending on the treatment process, for example, a pre-bake treatment for heating and evaporating the solvent remaining in the applied photoresist, a developer remaining on the photoresist patterned by development are removed by evaporation, and the semiconductor wafer and the photoresist are removed. Used for post-baking treatment to enhance the adhesion with.

【００４４】また前記各熱処理機構１０３、１０４にお
ける最下段の熱熱板１０３ｄ、１０４ｄの下方には、半
導体ウエハＷを載置してこれを一時的に待機させるため
の待機部１０５、１０６が各々設けられている。Under the lowermost heat heating plates 103d and 104d of the heat treatment mechanisms 103 and 104, standby portions 105 and 106 for mounting the semiconductor wafer W and temporarily waiting it are respectively provided. It is provided.

【００４５】前記装置本体１０１内には、さらに前記熱
処理機構１０３、１０４に沿って空間部１１１が設けら
れている。この空間部１１１には、主搬送機構１１２が
設けられている。この主搬送機構１１２は、半導体ウエ
ハＷを吸着保持し伸縮自在に構成されたピンセット（図
示せず）を伸縮自在なアーム部１１２ａに有し、空間部
１１１内に設けられた横（Ｘ）方向の移動経路１１３上
を移動可能で、且つ上記ピンセット（図示せず）をθ回
転可能に構成されている。A space portion 111 is further provided inside the apparatus main body 101 along the heat treatment mechanisms 103 and 104. A main transport mechanism 112 is provided in the space 111. The main transfer mechanism 112 has tweezers (not shown) configured to expand and contract to hold and hold the semiconductor wafer W in an expandable and contractible arm part 112a, and is provided in the space part 111 in the lateral (X) direction. The tweezers (not shown) can be rotated by θ.

【００４６】装置本体１０２内には、さらに前記空間部
１１１を挟んで前記熱処理機構１０３、１０４と対向す
る側に、複数の処理機構、例えば処理前の半導体ウエハ
Ｗを収納するローダー機構１２１、処理終了後の半導体
ウエハＷを収納するアンローダー機構１２２、半導体ウ
エハＷの上にフォトレジストを塗布する液処理部の１つ
である塗布機構１２３、半導体ウエハＷ上の露光された
フォトレジストを現像する液処理部の１つである現像機
構１２４が並置されている。本実施形態にかかる処理装
置１０１においては、空間部１１１に沿った長手方向
に、即ち塗布機構１２３、現像機構１２４の左右に、ロ
ーダー機構１２１、アンローダー機構１２２が並設され
た配置構成となっている。これらローダー機構１２１、
アンローダー機構１２２には、複数の半導体ウエハＷを
収納自在な公知の収納体、例えばカセットＣが載置自在
である。Inside the apparatus main body 102, a plurality of processing mechanisms, for example, a loader mechanism 121 for accommodating unprocessed semiconductor wafers W and a processing are provided on the side facing the heat treatment mechanisms 103 and 104 with the space portion 111 interposed therebetween. An unloader mechanism 122 for housing the semiconductor wafer W after completion, a coating mechanism 123 which is one of liquid processing units for coating a photoresist on the semiconductor wafer W, and the exposed photoresist on the semiconductor wafer W is developed. The developing mechanisms 124, which are one of the liquid processing units, are juxtaposed. In the processing apparatus 101 according to this embodiment, the loader mechanism 121 and the unloader mechanism 122 are arranged side by side in the longitudinal direction along the space 111, that is, on the left and right sides of the coating mechanism 123 and the developing mechanism 124. ing. These loader mechanisms 121,
On the unloader mechanism 122, a well-known storage body that can store a plurality of semiconductor wafers W, for example, a cassette C can be placed.

【００４７】そして主搬送機構１１２は、塗布機構１２
３、現像機構１２４に対して、半導体ウエハＷを任意に
搬送可能であり、また前記待機部１０５、１０６に対し
ても、同様に半導体ウエハＷを任意に搬送可能である。The main transport mechanism 112 is the coating mechanism 12
3. The semiconductor wafer W can be arbitrarily transferred to the developing mechanism 124, and similarly, the semiconductor wafer W can also be arbitrarily transferred to the standby units 105 and 106.

【００４８】一方、前記熱処理機構１０３と熱処理機構
１０４との間には、搬送機構１３１が設けられている。
この搬送機構１３１は、２つの搬送部１３２、１３３と
によって構成されており、各搬送部１３２、１３３は、
いずれも半導体ウエハＷを吸着保持する伸縮自在に構成
されたピンセット（図示せず）を伸縮自在なアーム部１
３２ａ、１３３ａに有し、前記待機部１０５、１０６、
熱処理機構１０３、熱処理機構１０４の各熱板１０３
ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ、１０４ａ、１０４
ｂ、１０４ｃ、１０４ｄとの間で、半導体ウエハＷを任
意に搬入出可能である。On the other hand, a transfer mechanism 131 is provided between the heat treatment mechanism 103 and the heat treatment mechanism 104.
The transport mechanism 131 includes two transport units 132 and 133, and each of the transport units 132 and 133 includes
In either case, a tweezers (not shown) configured to expand and contract to hold the semiconductor wafer W by suction is capable of expanding and contracting.
32a, 133a, and the standby portions 105, 106,
Each heat plate 103 of the heat treatment mechanism 103 and the heat treatment mechanism 104
a, 103b, 103c, 103d, 104a, 104
The semiconductor wafer W can be arbitrarily loaded into and unloaded from the b, 104c, and 104d.

【００４９】したがって、待機部１０５、１０６を介し
て搬送機構１３１と主搬送機構１１２との間で、半導体
ウエハＷの受け渡しが可能である。Therefore, the semiconductor wafer W can be transferred between the transfer mechanism 131 and the main transfer mechanism 112 via the standby sections 105 and 106.

【００５０】次にこの処理装置１０１の動作を説明す
る。まず主搬送機構１１２により、例えば現像処理すべ
き半導体ウエハＷを、ローダー機構１２１に載置されて
いるカセットＣから搬出して、現像機構１２４にセット
し、現像処理を開始する。そして現像機構１２４によっ
て現像処理を終了した半導体ウエハＷを、主搬送機構１
１２によって現像機構１２４から搬出し、移動経路１１
３上を所定の方向に移動して搬送し、上記半導体ウエハ
Ｗを、待機部１０６に載置する。Next, the operation of the processing apparatus 101 will be described. First, the semiconductor wafer W to be developed, for example, is unloaded from the cassette C mounted on the loader mechanism 121 by the main transfer mechanism 112, set in the developing mechanism 124, and the developing process is started. Then, the semiconductor wafer W whose development processing has been completed by the development mechanism 124 is transferred to the main transfer mechanism 1
12 is carried out from the developing mechanism 124, and the moving path 11
3 is moved in a predetermined direction and conveyed, and the semiconductor wafer W is placed on the standby unit 106.

【００５１】そして搬送機構１３１の搬送部１３２によ
って、待機部１０６に載置されている半導体ウエハＷを
保持して搬送し、熱処理機構１０４の中の所定の熱板、
例えば熱板１０４ｄの熱板に、当該半導体ウエハＷをセ
ットしてポストベーク処理を開始する。Then, the transfer section 132 of the transfer mechanism 131 holds and transfers the semiconductor wafer W placed on the standby section 106, and a predetermined hot plate in the heat treatment mechanism 104,
For example, the semiconductor wafer W is set on the hot plate of the hot plate 104d, and the post-baking process is started.

【００５２】一方主搬送機構１１２は、次に現像処理す
べき半導体ウエハＷをローダー機構１２１のカセットＣ
から搬出し、当該半導体ウエハＷを現像機構１２４に搬
入する。そして該現像機構１２４では、所定の現像処理
を開始する。On the other hand, the main transfer mechanism 112 transfers the semiconductor wafer W to be developed next to the cassette C of the loader mechanism 121.
Then, the semiconductor wafer W is carried into the developing mechanism 124. Then, the developing mechanism 124 starts a predetermined developing process.

【００５３】次にこの現像機構１２４によって所定の現
像処理を終了した半導体ウエハＷは、主搬送機構１１２
によって現像機構１２４から搬出され、移動経路１１３
上を所定方向に移動して搬送され、待機部１０６に載置
される。そして搬送機構１３１の搬送部１３２によっ
て、待機部１０６に載置されている半導体ウエハＷを保
持して搬送し、これを熱処理機構１０４の中の所定の熱
板、例えば熱板１０４ｃにセットしてポストベーク処理
を開始する。Next, the semiconductor wafer W, which has undergone the predetermined developing process by the developing mechanism 124, is transferred to the main transfer mechanism 112.
Is carried out from the developing mechanism 124 by the moving path 113.
The paper is moved in a predetermined direction and conveyed, and placed on the standby unit 106. Then, the semiconductor wafer W placed on the standby unit 106 is held and transferred by the transfer unit 132 of the transfer mechanism 131, and this is set on a predetermined hot plate in the heat treatment mechanism 104, for example, the hot plate 104c. Start the post-baking process.

【００５４】また主搬送機構１１２は、さらに次に現像
処理すべき半導体ウエハＷを、ローダー機構１２１から
搬出し、これを現像機構１２４に搬入してセットし、こ
の現像機構１２４では、所定の現像処理が開始される。The main transfer mechanism 112 further carries out the semiconductor wafer W to be developed next from the loader mechanism 121, carries it into the developing mechanism 124, and sets it. The process is started.

【００５５】上記動作を繰返し、熱処理機構１０４の熱
板１０４ｂ、１０４ａにも、半導体ウエハＷがセットさ
れて、ポストベーク処理が行われる。なおこの本実施形
態にかかる処理装置１０１においては、他に熱処理機構
１０３、搬送部１３３、待機部１０５が備えられている
ので、必要により、この熱処理機構１０３側の各熱板１
０３ａ〜１０３ｄにおいても、所定のポストベーク処理
を実施することが可能である。By repeating the above operation, the semiconductor wafer W is set on the heat plates 104b and 104a of the heat treatment mechanism 104, and the post-baking process is performed. The processing apparatus 101 according to the present embodiment further includes a heat treatment mechanism 103, a transport unit 133, and a standby unit 105. Therefore, if necessary, each heat plate 1 on the heat treatment mechanism 103 side.
It is possible to carry out a predetermined post-baking treatment also in 03a to 103d.

【００５６】そして、最初にポストベーク処理を開始し
た熱板１０４ｄにおける所定時間の熱処理が終了する
と、搬送部１３２によって熱処理の終了した半導体ウエ
ハＷを熱処理機構１０４から搬出して、待機部１０６に
載置する。次に、主搬送機構１１２によって、上記待機
部１０６に載置されている上記半導体ウエハＷを搬出
し、アンローダー機構１２２のカセットＣに収納する。
この後前記熱板１０４ｄには、上記説明した動作にした
がって現像処理の終了した他の半導体ウエハＷがセット
され、ポストベーク処理が開始される。When the heat treatment of the hot plate 104d which first started the post-baking treatment is finished for a predetermined time, the semiconductor wafer W, which has been heat-treated by the transport section 132, is unloaded from the heat treatment mechanism 104 and placed on the standby section 106. Place. Then, the semiconductor wafer W placed on the standby unit 106 is unloaded by the main transfer mechanism 112 and stored in the cassette C of the unloader mechanism 122.
Thereafter, another semiconductor wafer W, which has been developed according to the above-described operation, is set on the heating plate 104d, and the post-baking process is started.

【００５７】上記動作において、図３に示すように主搬
送機構１１２のサイクル時間をＴとした場合、例えば次
のようなサイクルにて処理が行われる。すなわち、主搬
送機構１１２が待機部１０６に載置されている熱処理の
終了した熱板１０４ｄからの半導体ウエハＷを搬出し、
次に熱処理すべき他の半導体ウエハＷを上記待機部１０
６に載置するまでの主搬送機構１１２の稼動時間Ｔａ経
過後に、搬送部１３２は上記半導体ウエハＷを保持して
搬送し、搬入時間Ｔｂにて熱板１０４ｄに搬入してセッ
トする。In the above operation, when the cycle time of the main transport mechanism 112 is T as shown in FIG. 3, the processing is performed in the following cycle, for example. That is, the main transfer mechanism 112 carries out the semiconductor wafer W from the hot plate 104d, which has been subjected to the heat treatment, placed on the standby section 106,
Next, another semiconductor wafer W to be heat-treated is placed on the waiting portion 10 described above.
After the operation time Ta of the main transfer mechanism 112 elapses until the main transfer mechanism 112 is mounted on the substrate 6, the transfer unit 132 holds and transfers the semiconductor wafer W, and transfers the semiconductor wafer W to the hot plate 104d and sets it at the transfer time Tb.

【００５８】そして搬送部１３２は、余裕時間Ｔｗ待機
した後、熱板１０４ｃから搬出時間Ｔｃにて半導体ウエ
ハＷを搬出し、待機部１０６に載置する。このサイクル
を熱板１０４ａ〜１０４ｄにおいて繰返す。Then, the transfer section 132 waits for the allowance time Tw, then carries out the semiconductor wafer W from the heat plate 104c for the carry-out time Tc and places it on the standby section 106. This cycle is repeated on the hot plates 104a to 104d.

【００５９】ここで、上記熱板における実質熱処理時間
Ｔｍは、熱板の数をｎ個とすると、Ｔｍ＝ｎＴ−（Ｔ−
Ｔｂ−Ｔｗ）＝（ｎ−１）Ｔ＋（Ｔｂ＋Ｔｗ）となり、
搬送部１３２の余裕時間Ｔｗを調整することにより、熱
処理時間Ｔｍを制御することが可能となる。Here, the substantial heat treatment time Tm in the hot plate is Tm = nT- (T-, where n is the number of hot plates.
Tb-Tw) = (n-1) T + (Tb + Tw),
The heat treatment time Tm can be controlled by adjusting the allowance time Tw of the transport unit 132.

【００６０】上記余裕時間Ｔｗは、主搬送機構１１２の
サイクル時間Ｔより大きくなることはないが、上記主搬
送機構１１２の稼動時間Ｔａ、搬入時間Ｔｂ、搬出時間
Ｔｃを小さくすることにより、かなりの範囲にて調整可
能となる。The margin time Tw does not become longer than the cycle time T of the main transport mechanism 112, but is considerably reduced by reducing the operating time Ta, the carry-in time Tb, and the carry-out time Tc of the main transport mechanism 112. It can be adjusted within the range.

【００６１】したがって、上記サイクル時間Ｔに対し
て、熱板の数ｎと余裕時間Ｔｗの双方を設定制御するこ
とにより、熱処理機構以外の処理機構のサイクル時間と
の同期をとることが可能となり、熱処理機構の熱処理時
間により装置のスループットが低下するのを防ぐことが
できる。Therefore, by setting and controlling both the number n of hot plates and the margin time Tw with respect to the cycle time T, it becomes possible to synchronize with the cycle time of a processing mechanism other than the heat treatment mechanism, It is possible to prevent the throughput of the apparatus from decreasing due to the heat treatment time of the heat treatment mechanism.

【００６２】そのうえ前記処理装置１０１においては、
まず液処理部である塗布機構１２３と現像機構１２４と
における所定の液処理が終了した直後の半導体ウエハを
搬送することに従事する主搬送機構１１２と、熱処理を
実施する熱処理機構１０３、１０４に対して半導体ウエ
ハを搬入出するために用いる搬送機構１１２とは、別の
機構、装置であるから、１つの搬送機構によって両者を
兼ねた場合よりも、主搬送機構１１２が半導体ウエハか
ら受ける熱量が少ない。したがって、温度に対して敏感
なフォトレジストを塗布した直後の半導体ウエハが、熱
処理機構まで搬送する間に、加熱されてその膜厚が影響
を受けてしまうことを抑えることができる。Moreover, in the processing apparatus 101,
First, with respect to the main transfer mechanism 112 that is engaged in transferring the semiconductor wafer immediately after the completion of the predetermined liquid processing in the coating mechanism 123 and the developing mechanism 124, which are liquid processing units, and the heat treatment mechanisms 103 and 104 that perform the heat treatment. Since the transfer mechanism 112 used for loading and unloading the semiconductor wafer is a separate mechanism and device, the amount of heat received from the semiconductor wafer by the main transfer mechanism 112 is smaller than that when one transfer mechanism serves both functions. . Therefore, it is possible to prevent the semiconductor wafer immediately after being coated with the photoresist sensitive to temperature from being heated and being affected by the film thickness while being transported to the heat treatment mechanism.

【００６３】また前記処理装置１０１においては、熱処
理機構１０３、１０４の各熱板１０３ａ〜１０３ｄ、１
０４ａ〜１０４ｄが、垂直多段に積み重ねられているか
ら、装置の床面積が低減される。さらに主搬送機構１１
２と、待機部１０５、１０６の高さを同一にすれば、主
搬送機構１１２の垂直方向への移動を省くことができ、
より高いスループットを実現することができる。In the processing apparatus 101, the heat plates 103a to 103d of the heat treatment mechanisms 103 and 104, 1
Since 04a to 104d are vertically stacked, the floor area of the device is reduced. Further, the main transport mechanism 11
By setting the heights of 2 and the standby portions 105 and 106 to be the same, movement of the main transport mechanism 112 in the vertical direction can be omitted.
Higher throughput can be realized.

【００６４】さらに前記処理装置１０１における搬送機
構１３１の各搬送部１３２、１３３は、装置本体１０２
内において直線状に配置された熱処理機構１０３、１０
４の間に配置されているので、例えばＸ方向、θ回転の
移動なしに、最小限の動作で、熱処理機構１０３、１０
４の各熱板、待機部１０５、１０６との間で、半導体ウ
エハの搬送ができる。この種の搬送機構においては、動
きが多くなるに伴って発塵量が多くなるが、このように
搬送機構１３１の各搬送部１３２、１３３の動きは最小
限に抑えられているから、発塵量は従来より低減でき
る。Further, the transfer sections 132 and 133 of the transfer mechanism 131 in the processing apparatus 101 are provided in the apparatus main body 102.
Heat treatment mechanisms 103, 10 arranged linearly inside
4 are arranged between the heat treatment mechanisms 103, 10 with a minimum operation without movement in the X direction and θ rotation.
The semiconductor wafer can be transferred between the hot plates 4 and the standby parts 105 and 106. In this type of transport mechanism, the amount of dust generation increases as the movement increases, but since the movement of each of the transport units 132 and 133 of the transport mechanism 131 is suppressed to the minimum, the dust generation amount is reduced. The amount can be reduced compared to the conventional one.

【００６５】そのうえ搬送機構１３１の各搬送部１３
２、１３３の動作エリアと、主搬送機構１１２の動作エ
リアとは重複していないので、例えば熱に敏感なフォト
レジストを塗布した直後の半導体ウエハを搬送している
間に、熱雰囲気によって当該半導体ウエハ上のフォトレ
ジストが、搬送機構１３１が配置されているエリアの熱
雰囲気の影響を受けることが抑えられている。即ち搬送
機構１３１が配置されているエリアでは、熱処理直後の
半導体ウエハが頻繁に搬送されるので、当該エリア内
は、比較的高い熱雰囲気となっている。従って、フォト
レジストを塗布した直後の半導体ウエハをこの熱雰囲気
中で搬送すると、当該熱雰囲気でフォトレジストが影響
を受けてしまい、例えばフォトレジストの所定の膜厚が
得られないおそれがある。しかしながら、前記処理装置
１０１においては、搬送機構１３１の各搬送部１３２、
１３３の動作エリアと、主搬送機構１１２の動作エリア
とは重複していないので、かかる熱影響を抑えることが
できる。In addition, each transport unit 13 of the transport mechanism 131
Since the operation areas of Nos. 2, 133 and the operation area of the main transfer mechanism 112 do not overlap with each other, for example, while the semiconductor wafer immediately after being coated with the heat-sensitive photoresist is being transferred, the semiconductor wafer is exposed to a thermal atmosphere. The photoresist on the wafer is suppressed from being affected by the thermal atmosphere in the area where the transfer mechanism 131 is arranged. That is, in the area where the transfer mechanism 131 is arranged, the semiconductor wafer immediately after the heat treatment is frequently transferred, so that the area has a relatively high thermal atmosphere. Therefore, if the semiconductor wafer immediately after being coated with the photoresist is transported in this hot atmosphere, the photoresist is affected in the hot atmosphere, and for example, a predetermined film thickness of the photoresist may not be obtained. However, in the processing apparatus 101, each transport unit 132 of the transport mechanism 131,
Since the operation area of 133 and the operation area of the main transport mechanism 112 do not overlap, it is possible to suppress the thermal influence.

【００６６】しかも熱処理機構１０３、１０４、及び塗
布機構１２３、現像機構１２４は、空間部１１１に沿っ
て直線状に配置されているから、処理工程が増加した
り、処理枚数を増加させる場合、それに対応してこれら
各処理機構を容易に増加させることができる。またこの
点からもスループットの向上を図ることができる。Moreover, since the heat treatment mechanisms 103 and 104, the coating mechanism 123, and the developing mechanism 124 are linearly arranged along the space portion 111, when the number of processing steps is increased or the number of processed sheets is increased, Correspondingly, each of these processing mechanisms can be easily increased. Also from this point, the throughput can be improved.

【００６７】さらに搬送機構１３１の両側に熱処理機構
１０３、１０４が配置され、該搬送機構１３１には、２
つの搬送部１３２、１３３が備えられているので、同時
に熱処理機構１０３、１０４に対して、半導体ウエハの
搬入出動作を実施することかできる。また同時並行して
フォトレジスト塗布処理と現像処理、及び各々に対応す
る熱処理とを行うこともできる。Further, heat treatment mechanisms 103 and 104 are arranged on both sides of the transfer mechanism 131, and the transfer mechanism 131 has two heat treatment mechanisms.
Since the two transfer units 132 and 133 are provided, it is possible to carry out the loading and unloading operations of the semiconductor wafers with respect to the heat treatment mechanisms 103 and 104 at the same time. Further, a photoresist coating process, a developing process, and a heat treatment corresponding to each can be simultaneously performed in parallel.

【００６８】そして待機部１０５、１０６が設けられて
いるから、余裕時間の調整を容易に行え、熱処理機構１
０３、１０４、塗布機構１２３、現像機構１２４の効率
のよい稼働状態を得ることができ、全体としてスループ
ットも良好である。Since the standby portions 105 and 106 are provided, the margin time can be easily adjusted, and the heat treatment mechanism 1
03, 104, the coating mechanism 123, and the developing mechanism 124 can be efficiently operated, and the throughput is good as a whole.

【００６９】次に本発明に関連した他の処理装置の例を
説明すると、図４に示したように、装置本体２０１の中
央部付近には、被処理体例えば半導体ウエハ２０２を吸
着保持し伸縮自在に構成されたピンセット（図示せず）
を有し、横（Ｘ）方向の移動経路２０３上を移動可能で
且つ上記ピンセット（図示せず）を回転（θ）可能に構
成された主搬送機構２０４が設けられている。Next, an example of another processing apparatus related to the present invention will be described. As shown in FIG. 4, an object to be processed, for example, a semiconductor wafer 202 is sucked and held near the center of the apparatus main body 201 to expand and contract. Freely configured tweezers (not shown)
And a main transport mechanism 204 configured to be movable on the moving path 203 in the lateral (X) direction and capable of rotating (θ) the tweezers (not shown).

【００７０】この主搬送機構２０４の移動経路２０３の
手前側には、複数の処理機構例えば処理前の半導体ウエ
ハ２０２を収納するローダー機構２０５、処理終了後の
半導体ウエハ２０６を収納するアンローダー機構２０
７、半導体ウエハ２０２上にフォトレジストを塗布する
塗布機構２０８、半導体ウエハ２０２上の露光されたフ
ォトレジストを現像する現像機構２０９が並置されてい
る。そして、上記主搬送機構２０４により半導体ウエハ
２０２を上記各機構に任意に搬送可能に構成されてい
る。A plurality of processing mechanisms, for example, a loader mechanism 205 for accommodating unprocessed semiconductor wafers 202, and an unloader mechanism 20 for accommodating semiconductor wafers 206 after processing are provided on the front side of the moving path 203 of the main transfer mechanism 204.
7. A coating mechanism 208 for coating a photoresist on the semiconductor wafer 202 and a developing mechanism 209 for developing the exposed photoresist on the semiconductor wafer 202 are juxtaposed. Then, the main transfer mechanism 204 is configured to be able to arbitrarily transfer the semiconductor wafer 202 to each of the above mechanisms.

【００７１】一方、上記移動経路２０３の向う側には、
例えば並置された４個の熱板２１０、２１１、２１２、
２１３を有し、半導体ウエハ２１４を載置して加熱処理
する熱処理機構２１５が配置されている。そして、熱処
理機構２１５は、処理プロセスに応じて例えば、塗布さ
れたフォトレジスト中に残存する溶剤を加熱蒸発させる
プリベーク処理、現像によってパターン形成されたフォ
トレジストに残留する現像液を蒸発除去し半導体ウエハ
とフォトレジストとの密着性を強化するためのポストベ
ーク処理に使用される。On the other hand, on the other side of the moving route 203,
For example, four heat plates 210, 211, 212 arranged side by side,
A heat treatment mechanism 215 which has a semiconductor wafer 214 and which heats the semiconductor wafer 214 is arranged. Then, the heat treatment mechanism 215 evaporates and removes the developing solution remaining in the photoresist patterned by development, for example, a pre-baking process for heating and evaporating the solvent remaining in the applied photoresist, depending on the processing process. It is used for the post-baking process to enhance the adhesion between the photoresist and the photoresist.

【００７２】熱処理機構２１５の近傍には、この熱処理
機構２１５と平行する如く横（Ｘ）方向に移動可能で、
半導体ウエハ２１４を例えば吸着保持し伸縮自在に構成
されたピンセット（図示せず）を有した搬送部２１６、
および上記半導体ウエハ２１４を一時的に待機させる載
置台を有する待機部２１７からなる搬送機構２１８が設
けられている。そして、上記待機部２１７と熱処理機構
２１５間で任意に半導体ウエハ２１４が搬送可能に構成
されている。また、上記待機部２１７を介して上記搬送
機構２１８と主搬送機構２０４間で半導体ウエハ２１４
の受け渡しが可能に構成されている。Near the heat treatment mechanism 215, the heat treatment mechanism 215 is movable in the lateral (X) direction so as to be parallel to the heat treatment mechanism 215.
A carrier unit 216 having tweezers (not shown) configured to expand and contract by holding the semiconductor wafer 214 by suction, for example.
Further, a transfer mechanism 218 including a standby section 217 having a mounting table for temporarily suspending the semiconductor wafer 214 is provided. The semiconductor wafer 214 can be arbitrarily transferred between the standby unit 217 and the heat treatment mechanism 215. Further, the semiconductor wafer 214 is transferred between the transfer mechanism 218 and the main transfer mechanism 204 via the standby section 217.
It is configured to be able to deliver.

【００７３】次に動作を説明する。先ず、主搬送機構２
０４により例えば現像処理すべき半導体ウエハ２０２を
ローダー機構２０５から搬出して、現像機構２０９にセ
ットし、現像処理を開始する。現像機構２０９によって
現像処理を終了した半導体ウエハ２０２を主搬送機構２
０４によって現像機構２０９より搬出し、移動経路２０
３上を左方向に搬送し、上記半導体ウエハ２０２を搬送
機構２１８の待機部２１７に載置する。Next, the operation will be described. First, the main transport mechanism 2
By 04, for example, the semiconductor wafer 202 to be developed is unloaded from the loader mechanism 205, set in the developing mechanism 209, and the developing process is started. The semiconductor wafer 202, which has been developed by the developing mechanism 209, transfers the semiconductor wafer 202 to the main transport mechanism 2
The transfer path 20 is carried out from the developing mechanism 209 by 04.
3 is transferred in the left direction, and the semiconductor wafer 202 is placed on the standby section 217 of the transfer mechanism 218.

【００７４】そして、搬送機構２１８の搬送部２１６に
よって待機部２１７に載置されている半導体ウエハ２０
２を保持して搬送し、熱処理機構２１５の例えば熱板２
１３にセットしてポストベーク処理を開始する。Then, the semiconductor wafer 20 placed on the standby section 217 by the transfer section 216 of the transfer mechanism 218.
2 is held and conveyed, for example, the hot plate 2 of the heat treatment mechanism 215.
Set to 13 and start the post-baking process.

【００７５】一方、主搬送機構２０４で、次に現像処理
すべき半導体ウエハ２０２をローダー機構２０５から搬
出し、現像機構２０９に搬送セットして現像処理を開始
する。次に、現像機構２０９によって現像処理を終了し
た半導体ウエハ２０２を主搬送機構２０４によって現像
機構２０９より搬出し、移動経路２０３上を左方向に搬
送し、上記半導体ウエハ２０２を搬送機構２１８の待機
部２１７に載置する。そして、搬送機構２１８の搬送部
２１６によって待機部２１７に載置されている半導体ウ
エハ２０２を保持して搬送し、熱処理機構２１５の例え
ば熱板２１２にセットしてポストベーク処理を開始す
る。On the other hand, the main carrying mechanism 204 carries out the semiconductor wafer 202 to be developed next from the loader mechanism 205, carries it to the developing mechanism 209, and starts the developing process. Next, the semiconductor wafer 202, which has undergone the developing process by the developing mechanism 209, is carried out of the developing mechanism 209 by the main transport mechanism 204 and is transported leftward on the moving path 203, and the semiconductor wafer 202 is waited by the transport mechanism 218. 217. Then, the semiconductor wafer 202 placed on the standby unit 217 is held and transferred by the transfer unit 216 of the transfer mechanism 218, set on, for example, the hot plate 212 of the heat treatment mechanism 215, and the post-baking process is started.

【００７６】一方、主搬送機構２０４で、次に現像すべ
き半導体ウエハ２０２をローダー機構２０５から搬出
し、現像機構２０９に搬送セットして現像処理を開始す
る。On the other hand, the main transport mechanism 204 carries out the semiconductor wafer 202 to be developed next from the loader mechanism 205, transports it to the developing mechanism 209, and starts the developing process.

【００７７】上記動作を繰返し、熱処理機構２１５の熱
板２１１、２１０にも半導体ウエハ２０２をセットして
ポストベーク処理を行う。By repeating the above operation, the semiconductor wafer 202 is set on the heat plates 211 and 210 of the heat treatment mechanism 215 and the post-baking process is performed.

【００７８】そして、最初にポストベーク処理を開始し
た熱板２１３における所定時間の熱処理が終了すると、
搬送部２１６によって熱処理の終了した半導体ウエハ２
１４を熱処理機構２１５から搬出して、待機部２１７に
載置する。次に、主搬送機構２０４によって、上記待機
部２１７に載置されている上記半導体ウエハ２１４を搬
出し、アンローダー機構２０７に収納する。このあと、
熱板２１３には、上記説明した動作にしたがって現像処
理の終了した半導体ウエハ２０２をセットしてポストベ
ーク処理を開始する。When the heat treatment for the predetermined time on the hot plate 213 which first started the post-baking treatment is completed,
The semiconductor wafer 2 that has been heat-treated by the transfer unit 216
14 is carried out from the heat treatment mechanism 215 and placed on the standby unit 217. Then, the semiconductor wafer 214 placed on the standby unit 217 is unloaded by the main transfer mechanism 204 and stored in the unloader mechanism 207. after this,
According to the above-described operation, the semiconductor wafer 202 that has undergone the development processing is set on the heating plate 213, and the post-baking processing is started.

【００７９】上記動作において、図５に示すように主搬
送機構２０４のサイクル時間をＴとした場合、次のよう
なサイクルにて処理を行う。すなわち、主搬送機構２０
４が待機部２１７に載置されている熱処理の終了した熱
板２１３からの半導体ウエハ２１４を搬出し、次に熱処
理すべき半導体ウエハ２０２を上記待機部２１７に載置
するまでの主搬送機構稼動時間Ｔａ経過後に、搬送部２
１６は上記半導体ウエハ２０２を保持して搬送し搬入時
間Ｔｂにて熱板２１３に搬入セットする。In the above operation, when the cycle time of the main transport mechanism 204 is T as shown in FIG. 5, the processing is performed in the following cycle. That is, the main transport mechanism 20
4 carries out the semiconductor wafer 214 from the heat plate 213 on which the heat treatment is finished, which is placed on the standby portion 217, and operates the main transfer mechanism until the semiconductor wafer 202 to be heat treated next is placed on the standby portion 217. After the time Ta has elapsed, the transport unit 2
16 holds and transports the semiconductor wafer 202 and sets it in the hot plate 213 at the carry-in time Tb.

【００８０】そして、搬送機構２１８の搬送部２１６は
余裕時間Ｔｗ待機した後、熱板２１２から搬出時間Ｔｃ
にて半導体ウエハ２１４を搬出し、待機部２１７に載置
する。このサイクルを熱板２１３〜２１０において繰返
す。Then, the carrying section 216 of the carrying mechanism 218 waits for the allowance time Tw, and then the carry-out time Tc from the hot plate 212.
Then, the semiconductor wafer 214 is unloaded and placed on the standby unit 217. This cycle is repeated for the hot plates 213 to 210.

【００８１】ここで、上記熱板における実質熱処理時間
Ｔｍは、熱板の数をｎ個とすると、Ｔｍ＝ｎＴ−（Ｔ−
Ｔｂ−Ｔｗ）＝（ｎ−１）Ｔ＋（Ｔｂ＋Ｔｗ）となり、
搬送部２１６の余裕時間Ｔｗを調整することにより熱処
理時間Ｔｍを制御することが可能となる。Here, the substantial heat treatment time Tm in the hot plate is Tm = nT- (T-, where n is the number of hot plates.
Tb-Tw) = (n-1) T + (Tb + Tw),
The heat treatment time Tm can be controlled by adjusting the allowance time Tw of the transport unit 216.

【００８２】上記余裕時間Ｔｗは、主搬送機構２０４の
サイクル時間Ｔより大きくなることはないが、上記主搬
送稼動時間Ｔａ、搬入時間Ｔｂ、搬出時間Ｔｃを小さく
することにより、かなりの範囲にて調整可能となる。し
たがって、上記サイクル時間Ｔに対して、熱板数ｎと余
裕時間Ｔｗの双方を設定制御することにより、熱処理機
構以外の処理機構のサイクル時間との同期をとることが
可能となり、熱処理機構の熱処理時間により装置のスル
ープットが低下するのを防ぐことができる。The margin time Tw does not become longer than the cycle time T of the main transport mechanism 204. However, by reducing the main transport operation time Ta, the carry-in time Tb, and the carry-out time Tc, a considerable range can be obtained. It will be adjustable. Therefore, by setting and controlling both the number of hot plates n and the margin time Tw with respect to the cycle time T, it becomes possible to synchronize with the cycle time of a processing mechanism other than the heat treatment mechanism, and the heat treatment of the heat treatment mechanism is performed. It is possible to prevent the throughput of the device from decreasing with time.

【００８３】なお、上記実施形態では、複数の処理機構
として塗布機構、現像機構、熱処理機構を配置したもの
について説明したが、本発明はかかる実施例に限定され
るものではなく他の処理機構、例えば洗浄機構、疎水熱
処理機構、ＨＭＤＳ処理機構、レジストキュア機構な
ど、実際のプロセスに対応して組合せ配置してもよい。In the above embodiment, the coating mechanism, the developing mechanism, and the heat treatment mechanism are arranged as a plurality of processing mechanisms, but the present invention is not limited to the embodiments, and other processing mechanisms can be used. For example, a cleaning mechanism, a hydrophobic heat treatment mechanism, an HMDS treatment mechanism, a resist cure mechanism, and the like may be combined and arranged according to an actual process.

【００８４】また上記実施形態にかかる装置では、現像
処理を行う場合について説明したが、フォトレジスト塗
布処理の場合には、塗布機構１２３を使用し、熱処理機
構１０３、１０４をプリベーク処理として使用し、上記
説明と同様な動作で処理を行うことができる。もちろん
現像処理、フォトレジスト塗布処理の双方を実施するこ
とも可能である。In the apparatus according to the above embodiment, the case where the developing process is performed has been described. However, in the case of the photoresist coating process, the coating mechanism 123 is used and the heat treatment mechanisms 103 and 104 are used as the prebaking process. The processing can be performed by the same operation as described above. Of course, it is possible to carry out both the development processing and the photoresist coating processing.

【００８５】[0085]

【発明の効果】本発明の処理装置では、例えば半導体ウ
エハなどの被処理体に対して所定の液処理（例えばレジ
スト塗布処理、現像処理）と、熱処理を実行する所定の
処理部に、前記被処理体を搬入出する際、各処理部での
処理時間に対応した最適な搬入出動作を実行することが
できる。したがって、スループットが良好である。また
第一の搬送機構と第二の搬送機構とを熱処理部と液処理
部とに応じて備えているので、複数の被処理体を連続し
てかつ並行して処理を行う際の制御も容易である。熱処
理と液処理を行った後の被処理体を搬送する際に、各々
異なった搬送機構を使用することができるので、搬送機
構自体や被処理体に与える熱、液の相互作用による影響
を抑えることも可能である。従って、意図した所定のレ
ジスト塗布処理を好適に行うことが可能である。さらに
待機部を付加した場合には、さらに必要に応じたより適
切な時間調整が行え、搬送機構や液処理部、熱処理部の
さらなる効率的運用が可能になる。またこの待機部に対
して垂直方向に移動することなしに被処理体を搬送可能
とすれば、さらにスループットを向上させることができ
る。もちろん熱処理部と液処理部を直線状に配置してい
るので、各処理部を容易に増加させることができ、この
点からもスループットを向上させたり、種々の処理に対
応することが可能である。そして本願発明の処理方法で
は、前記した処理装置を用いて処理するので、スループ
ットが良好でかつ信頼性が高い処理（熱処理と液処理）
を１つの装置内で実施することができる。According to the processing apparatus of the present invention, for example, a predetermined liquid processing (for example, resist coating processing, developing processing) and a predetermined processing unit for performing heat treatment on a processing object such as a semiconductor wafer are provided with the processing target. When loading / unloading the processing body, it is possible to execute an optimal loading / unloading operation corresponding to the processing time in each processing unit. Therefore, the throughput is good. In addition, since the first transport mechanism and the second transport mechanism are provided in accordance with the heat treatment section and the liquid treatment section, it is easy to control when processing a plurality of objects to be processed continuously and in parallel. Is. When transporting the object to be treated after heat treatment and liquid treatment, different transport mechanisms can be used, so the effects of heat and liquid interaction on the transport mechanism itself and the workpiece can be suppressed. It is also possible. Therefore, it is possible to suitably perform the intended predetermined resist coating process. When the standby unit is further added, more appropriate time adjustment can be performed as necessary, and the transport mechanism, the liquid processing unit, and the heat treatment unit can be operated more efficiently. Further, if the object to be processed can be transported without moving in the vertical direction with respect to the standby portion, the throughput can be further improved. Of course, since the heat treatment section and the liquid treatment section are linearly arranged, it is possible to easily increase the number of each treatment section. From this point as well, it is possible to improve throughput and cope with various treatments. . Further, in the treatment method of the present invention, since the treatment is performed using the above-mentioned treatment apparatus, the throughput is good and the reliability is high (heat treatment and liquid treatment).
Can be carried out in one device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施形態にかかる塗布現像装置の平面
説明図である。FIG. 1 is an explanatory plan view of a coating and developing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図２】図１の塗布現像装置における熱処理機構の側面
説明図である。2 is a side view of a heat treatment mechanism in the coating and developing apparatus of FIG.

【図３】図１の塗布現像装置の動作説明図である。FIG. 3 is an operation explanatory view of the coating and developing apparatus of FIG.

【図４】他の処理装置例の平面説明図である。FIG. 4 is a plan view of another example of the processing apparatus.

【図５】図４の処理装置の動作説明図である。5 is an operation explanatory diagram of the processing device of FIG. 4;

【図６】従来技術にかかる装置における熱処理機構の側
面説明図である。FIG. 6 is a side view for explaining a heat treatment mechanism in an apparatus according to a conventional technique.

【図７】従来技術にかかる装置の平面説明図である。FIG. 7 is an explanatory plan view of an apparatus according to the related art.

【図８】従来技術にかかる他の装置の平面説明図であ
る。FIG. 8 is an explanatory plan view of another device according to the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１０１ 処理装置 １０２ 装置本体 １０３、１０４ 熱処理機構 １０３ａ、１０３ｂ、１０３ｃ、１０３ｄ 熱板 １０４ａ、１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ 熱板 １０５、１０６ 待機部 １１１ 空間部 １１２ 主搬送機構 １２１ ローダー機構 １２２ アンローダー機構 １２３ 塗布機構 １２４ 現像機構 １３１ 搬送機構 １３２、１３３ 搬送部 Reference Signs List 101 processing apparatus 102 apparatus body 103, 104 heat treatment mechanism 103a, 103b, 103c, 103d hot plate 104a, 104b, 104c, 104d hot plate 105, 106 standby section 111 space section 112 main transfer mechanism 121 loader mechanism 122 unloader mechanism 123 coating Mechanism 124 Developing Mechanism 131 Transport Mechanism 132, 133 Transport Unit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 木村 義雄 熊本県菊池郡菊陽町津久礼2655番地 テル 九州株式会社内 (72)発明者 牛島 満 東京都新宿区西新宿１丁目26番２号 東京 エレクトロン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Yoshio Kimura Yoshimura Kimura 2655 Tsukyu, Kikuyo-cho, Kikuchi-gun, Kumamoto Ter Kyushu Co., Ltd. Within the corporation

Claims (23)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 直線状に配置され、被処理体に所定の温
度で熱処理を行う処理部を複数備えた熱処理部と、 この熱処理部に沿って設けられた空間部と、 この空間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って
複数設けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す
液処理部と、 前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部に対し
て前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の搬送機
構と、 前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少なくと
も前記熱処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構
成された第二の搬送機構と、を１つの装置内に具備した
ことを特徴とする、処理装置。1. A heat treatment section which is linearly arranged and has a plurality of treatment sections for performing heat treatment on a target object at a predetermined temperature, a space section provided along the heat treatment section, and a space section sandwiched between the heat treatment sections. A plurality of liquid treatment units are provided along the side facing the heat treatment unit, the liquid treatment unit supplying a liquid to the object to be treated to perform the treatment; A first transport mechanism configured to load and unload the object to be processed, and a second transport mechanism arranged in or near the heat processing section and configured to load and unload the object to at least the heat processing section. A processing apparatus, comprising: a transport mechanism in one apparatus. 【請求項２】 直線状に配置され、被処理体に所定の温
度で熱処理を行う処理部を複数備えた熱処理部と、 この熱処理部に沿って設けられた空間部と、 この空間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って
複数設けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す
液処理部と、 前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部に対し
て前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の搬送機
構と、 前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少なくと
も前記熱処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構
成された第二の搬送機構と、 前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少なくと
も前記第二の搬送機構側の前記被処理体を前記第一の搬
送機構に受け渡しするための待機部と、を有することを
特徴とする、処理装置。2. A heat treatment section which is linearly arranged and has a plurality of treatment sections for performing heat treatment on a target object at a predetermined temperature, a space section provided along the heat treatment section, and a space section sandwiched between the heat treatment sections. A plurality of liquid treatment units are provided along the side facing the heat treatment unit, and the liquid treatment unit supplies a liquid to the object to be treated to perform the treatment; A first transport mechanism configured to load and unload the object to be processed, and a second transport mechanism arranged in or near the heat processing section and configured to load and unload the object to at least the heat processing section. A transfer mechanism, and a standby unit that is disposed in or near the heat treatment unit and that transfers at least the object to be processed on the side of the second transfer mechanism to the first transfer mechanism. The processing device. 【請求項３】 複数の被処理体を収納可能な収納体が配
置される収納体が配置されるローダー・アンローダー部
と、直線状に配置され、被処理体に所定の温度で熱処理
を行う処理部を複数備えた熱処理部と、 この熱処理部に沿って設けられた空間部と、 この空間部を挟んで前記熱処理部と対向する側に沿って
複数設けられ、前記被処理体に液を供給して処理を施す
液処理部と、 前記空間部に配置され、少なくとも前記液処理部に対し
て前記被処理体を搬入出可能に構成された第一の搬送機
構と、 前記熱処理部内又は近傍に配置され、少なくとも前記熱
処理部に対して前記被処理体を搬入出可能に構成された
第二の搬送機構と、 前記熱処理部内又は熱処理部近傍に配置され、少なくと
も前記第二の搬送機構側の前記被処理体を前記第一の搬
送機構に受け渡しするための待機部と、を有することを
特徴とする、処理装置。3. A loader / unloader unit in which a container for accommodating a plurality of objects to be processed is arranged, and a loader / unloader unit arranged in a straight line, and the object to be processed is heat-treated at a predetermined temperature. A heat treatment section having a plurality of treatment sections, a space section provided along the heat treatment section, and a plurality of sections arranged along the side facing the heat treatment section with the space section sandwiched between the heat treatment section and the treatment object. A liquid processing unit that supplies and processes the liquid, and a first transport mechanism that is disposed in the space and configured to carry in and out the object to be processed with respect to at least the liquid processing unit, and in or near the heat processing unit. And a second transfer mechanism configured to be able to carry in and out the object to be processed with respect to at least the heat treatment section, and arranged in or near the heat treatment section and at least on the second transfer mechanism side. The first transfer of the object to be processed It characterized by having a a standby section for transferring the configuration, processor. 【請求項４】 前記第一の搬送機構が垂直方向に移動す
ることなく待機部に被処理体を搬送可能に構成されたこ
とを特徴とする、請求項２又は３に記載の処理装置。4. The processing apparatus according to claim 2, wherein the first transfer mechanism is configured to transfer an object to be processed to a standby unit without moving in the vertical direction. 【請求項５】 前記熱処理部の処理部は垂直方向に多段
に配置されていることを特徴とする、請求項１、２、３
又は４のいずれかに記載の処理装置。5. The processing units of the heat treatment unit are arranged in multiple stages in the vertical direction.
Or the processing device according to any one of 4 above. 【請求項６】 前記熱処理部の処理部は垂直方向に多段
に配置され、前記待機部はその下方位置に配置されてい
ることを特徴とする、請求項２、３又は４のいずれかに
記載の処理装置。6. The treatment unit of the heat treatment unit is arranged in multiple stages in the vertical direction, and the standby unit is arranged at a lower position thereof, according to claim 2, 3 or 4. Processing equipment. 【請求項７】 前記液処理部は、被処理体にレジスト液
を供給して塗布する処理部又はレジスト膜が形成された
被処理体に現像液を供給して現像処理を施す処理部の少
なくとも何れか一方の処理部を具備していることを特徴
とする請求項１又は５の処理装置。7. The liquid processing section is at least a processing section for supplying a resist solution to a target object and applying it, or a processing section for supplying a developing solution to the target object on which a resist film is formed to perform a developing process. The processing apparatus according to claim 1, further comprising one of the processing units. 【請求項８】 前記液処理部は、被処理体にレジスト液
を供給して塗布する処理部又はレジスト膜が形成された
被処理体に現像液を供給して現像処理を施す処理部の少
なくとも何れか一方の処理部を具備していることを特徴
とする請求項２、３、４又は６のいずれかに記載の処理
装置。8. The liquid processing section is at least a processing section for supplying a resist solution to a target object to apply it, or a processing section for supplying a developing solution to the target object on which a resist film is formed to perform a developing process. 7. The processing apparatus according to claim 2, comprising one of the processing units. 【請求項９】 前記被処理体は、レジスト膜が形成され
る及び／又はレジスト膜が形成された被処理体であるこ
とを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７又は
８のいずれかに記載の処理装置。9. The object to be processed is an object to be processed on which a resist film is formed and / or a resist film is formed, 1, 2, 3, 4, 5, 6, The processing device according to any one of 7 and 8. 【請求項１０】 前記第二の搬送機構は、複数の処理部
に対して被処理体を同時に搬入及び／又は搬出可能に構
成されたことを特徴とする、請求項１、２、３、４、
５、６、７、８又は９のいずれかに記載の処理装置。10. The second transport mechanism is configured to be able to simultaneously carry in and / or carry out an object to be processed from a plurality of processing sections. ,
The processing device according to any one of 5, 6, 7, 8 and 9. 【請求項１１】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９又は１０のいずれかに記載の処理装置を用いて被
処理体に対して処理を施す方法であって、特定の液処理
部に、第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、前
記特定の液処理部で被処理体に所定の処理を施す工程
と、を有することを特徴とする、処理方法。11. The method according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
A method of performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to any one of 8, 9, and 10, wherein the object is to be transferred to a specific liquid processing section by a first transfer mechanism. And a step of performing a predetermined treatment on the object to be treated in the specific liquid treatment section. 【請求項１２】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、特定の液処理部に、第一の搬送機構で
被処理体を搬送する工程と、前記特定の液処理部で被処
理体に所定の処理を施す工程と、処理が施された被処理
体を第一の搬送機構で待機部に搬送する工程とを有する
ことを特徴とする、処理方法。12. A method for applying a treatment to an object to be treated by using the treatment apparatus according to claim 2, wherein the specific liquid treatment section includes: The step of transporting the object to be processed by the transport mechanism, the step of performing a predetermined process on the object to be treated in the specific liquid treatment section, and the treated object to the standby section by the first transport mechanism. And a step of transporting the same. 【請求項１３】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、特定の液処理部に、第一の搬送機構で
被処理体を搬送する工程と、前記特定の液処理部で被処
理体に所定の処理を施す工程と、処理が施された被処理
体を第一の搬送機構で待機部に搬送する工程と、待機部
の被処理体を第二の搬送機構で熱処理部の特定の処理部
に搬送する工程と、を有することを特徴とする、処理方
法。13. A method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 2, wherein the specific liquid processing section includes The step of transporting the object to be processed by the transport mechanism, the step of performing a predetermined process on the object to be treated in the specific liquid treatment section, and the treated object to the standby section by the first transport mechanism. A processing method comprising: a step of carrying and a step of carrying an object to be processed in a standby section to a specific processing section of a heat treatment section by a second carrying mechanism. 【請求項１４】 請求項８に記載の処理装置を用いて被
処理体に対して処理を施す方法であって、前記液処理部
に第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、搬送さ
れた被処理体に対し、少なくともレジスト液を供給して
塗布する処理又は現像処理を行う工程と、を有すること
を特徴とする、処理方法。14. A method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 8, wherein the object to be processed is transferred to the liquid processing section by a first transfer mechanism, A process for supplying at least a resist solution to apply the applied liquid or a developing process to the transported object to be processed. 【請求項１５】 請求項８に記載の処理装置を用いて被
処理体に処理を施す処理方法であって、前記液処理部に
第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、搬送され
た被処理体に対し、少なくともレジスト液を供給して塗
布する処理又は現像処理を行う工程と、前記処理が施さ
れた被処理体を第一の搬送機構で待機部に搬送する工程
と、を有することを特徴とする、処理方法。15. A processing method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 8, comprising a step of transferring the object to be processed to the liquid processing section by a first transfer mechanism, The object to be treated, at least a step of performing a treatment or a developing treatment of supplying a resist solution to apply, and a step of conveying the treated object to the standby portion by the first conveying mechanism, A processing method comprising: 【請求項１６】 請求項８に記載の処理装置を用いて被
処理体に処理を施す処理方法であって、前記液処理部に
第一の搬送機構で被処理体を搬送する工程と、搬送され
た被処理体に対し、少なくともレジスト液を供給して塗
布する処理又は現像処理を行う工程と、前記処理が施さ
れた被処理体を第一の搬送機構で待機部に搬送する工程
と、待機部の被処理体を第二の搬送機構で熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程と、を有することを特徴とす
る、処理方法。16. A processing method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 8, comprising a step of transferring the object to be processed to the liquid processing section by a first transfer mechanism; The object to be treated, at least a step of performing a treatment or a developing treatment of supplying a resist solution to apply, and a step of conveying the treated object to the standby portion by the first conveying mechanism, And a step of transporting the object to be treated in the standby portion to a specific treatment portion of the heat treatment portion by the second transport mechanism. 【請求項１７】 被処理体を収納する収納体から搬出さ
れた被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程を有することを特徴とする、
請求項１１、１２、１３、１４、１５又は１６のいずれ
かに記載の処理方法。17. The method according to claim 17, further comprising a step of transporting the object to be processed carried out from a container for housing the object to be processed to a specific processing part of the heat treatment part by a second transfer mechanism.
The processing method according to claim 11, 12, 13, 14, 15 or 16. 【請求項１８】 熱処理部での処理が終了した被処理体
を、第二の搬送機構によって、待機部に載置する工程を
有することを特徴とする、請求項１７に記載の処理方
法。18. The processing method according to claim 17, further comprising the step of placing the object to be processed, which has been processed in the heat treatment section, in the standby section by the second transport mechanism. 【請求項１９】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、被処理体を収納する収納体から搬出さ
れた被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程と、前記特定の処理部で被処
理体に所定の熱処理を施す工程と、を有することを特徴
とする、処理方法。19. A method for performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 2, wherein the object to be processed is stored in a container. It has a step of transporting the carried-out object to be processed to a specific processing section of the heat treatment section by a second transfer mechanism, and a step of subjecting the object to be processed to a predetermined heat treatment in the specific processing section. And the processing method. 【請求項２０】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、被処理体を収納する収納体から搬出さ
れた被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程と、前記特定の処理部で被処
理体に所定の熱処理を施す工程と、を有することを特徴
とする、処理方法。20. A method of performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 2, comprising: storing the object to be processed. It has a step of transporting the carried-out object to be processed to a specific processing section of the heat treatment section by a second transfer mechanism, and a step of subjecting the object to be processed to a predetermined heat treatment in the specific processing section. And the processing method. 【請求項２１】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、被処理体を収納する収納体から搬出さ
れた被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程と、前記特定の処理部で被処
理体に所定の熱処理を施す工程と、処理が施された被処
理体を第二の搬送機構で待機部に搬送する工程と、を有
することを特徴とする、処理方法。21. A method of performing processing on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 2, wherein the object to be processed is stored. A process of carrying the carried-out processed object to a specific processing section of the heat treatment section by the second transfer mechanism, a step of subjecting the processed object to a predetermined heat treatment in the specific processing section, and a process And a step of transporting the object to be processed to the standby portion by the second transport mechanism. 【請求項２２】 請求項２、３、４、６又は８のいずれ
かに記載の処理装置を用いて被処理体に対して処理を施
す方法であって、被処理体を収納する収納体から搬出さ
れた被処理体を、第二の搬送機構によって熱処理部の特
定の処理部に搬送する工程と、前記特定の処理部で被処
理体に所定の熱処理を施す工程と、処理が施された被処
理体を第二の搬送機構で待機部に搬送する工程と、待機
部の被処理体を第一の搬送機構で特定の液処理部に搬送
する工程と、を有することを特徴とする、処理方法。22. A method of applying a treatment to an object to be treated using the treatment apparatus according to claim 2, wherein the object to be treated is stored in the accommodation body. A process of carrying the carried-out processed object to a specific processing section of the heat treatment section by the second transfer mechanism, a step of subjecting the processed object to a predetermined heat treatment in the specific processing section, and a process A step of transporting the object to be processed to the standby section by the second transfer mechanism, and a step of transporting the object to be processed in the standby section to the specific liquid processing section by the first transfer mechanism, Processing method. 【請求項２３】 請求項８に記載の処理装置を用いて被
処理体に対して処理を施す方法であって、被処理体を収
納する収納体から搬出された被処理体を、第二の搬送機
構によって熱処理部の特定の処理部に搬送する工程と、
前記特定の処理部で被処理体に所定の熱処理を施す工程
と、処理が施された被処理体を第二の搬送機構で待機部
に搬送する工程と、待機部の被処理体を第一の搬送機構
で特定の液処理部に搬送する工程と、搬送された被処理
体に対し、少なくともレジスト液を供給して塗布する処
理又は現像処理を行う工程と、を有することを特徴とす
る、処理方法。23. A method of performing a process on an object to be processed using the processing apparatus according to claim 8, wherein the object to be processed carried out from a housing for housing the object to be processed is a second object. A step of transferring to a specific processing section of the heat treatment section by a transfer mechanism,
The step of subjecting the object to be processed to a predetermined heat treatment in the specific processing section, the step of transferring the processed object to the standby section by the second transfer mechanism, and the step of first processing the object to be processed in the standby section Characterized in that it has a step of carrying to a specific liquid processing section by the carrying mechanism of, and a step of performing a process of supplying or applying at least a resist solution to the carried object to be processed or a developing process. Processing method.
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