JPS6119131A - Resist processor - Google Patents

Resist processor

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Publication number
JPS6119131A
JPS6119131A JP14005284A JP14005284A JPS6119131A JP S6119131 A JPS6119131 A JP S6119131A JP 14005284 A JP14005284 A JP 14005284A JP 14005284 A JP14005284 A JP 14005284A JP S6119131 A JPS6119131 A JP S6119131A
Authority
JP
Japan
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substrate
resist
processed
devices
cooling
Prior art date
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Pending
Application number
JP14005284A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihide Kato
加藤 芳秀
Kei Kirita
桐田 慶
Toshiaki Shinozaki
篠崎 俊昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP14005284A priority Critical patent/JPS6119131A/en
Publication of JPS6119131A publication Critical patent/JPS6119131A/en
Pending legal-status Critical Current

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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE:To avoid any uneven temperature decline on a substrate to be processed in transit by a method wherein at least two processors among a series of resist processors are made movable from the substrate to be processed. CONSTITUTION:A substrate 3 to be processed which is coated with resist and delivered within a cassette is taken out one by one and forwarded to the position of a specimen stage mechanism 1 to be placed on a rotary specimen stage 2. Next a heater 5 is shifted to the position of mechanism 1 to make a heating housing 15 engage with a housing 8 for heating the substrate 3 by the heater 5. Later the heater 5 is shifted from the mechanism 1 and a refrigerator 6 is advanced to the position of mechanism 1 to make a cooling housing 17 of refrigerator 6 engage with the housing 8 so that refrigerant may be jetted from multiple nozzles 21 to the substrate 3 for rapidly cooling the substrate 3. After finishing the refrigeration, a shutter 22 is closed to block the nozzles 21. When the heating and cooling operations are finished through these procedures, the refrigerator may be shifted.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の属する技術分野〕 本発明は、レジスト処理装置に係シ、特に、レジストの
感度を向上させ、均一かつ寸法精度の良好なレジストパ
ターンを実現するためのレジスト処理装置に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical field to which the invention pertains] The present invention relates to a resist processing apparatus, and in particular to resist processing for improving resist sensitivity and realizing a resist pattern with uniformity and good dimensional accuracy. Regarding equipment.

〔発明の技術的背景とその問題点〕[Technical background of the invention and its problems]

半導体チクノロノーの進歩と共に、超LSIをはじめ、
半導体装置の高集積化が進められてきておシ、高精度の
微細i4ターン形成技術が要求されている。
Along with the progress of semiconductor technology, including super LSI,
As semiconductor devices have become more highly integrated, a highly accurate micro I4 turn formation technique is required.

寸だ、一方で、このようなノeターン形成技術を量産ラ
インで使用するには高速性が必要でチシ、レジストをよ
り高感度にするための工夫がさまざまなかたちでなされ
てきている。
On the other hand, in order to use this type of turn forming technology on a mass production line, high speed is required, and various efforts have been made to make the resist more sensitive.

ところで、レジスト(フォトレジスト、 IBレジスト
、X線レジスト等)を用いた微細aJ?ターンの形成は
、通常、被処理基板上にレジストを塗布するレジスト塗
布工程、塗布されたレジストの膜中から溶剤を除去すべ
く、現像前に被処理基板を加熱(ベーキング)するプリ
ペーク工程、このようにして形成されたレジスト膜を選
択的に露光する露光工程、現像−リンス−(定着)工程
、形成されたレジストパターンの残渣を除去するスカム
除去工程、該レジストパターンをマスクとしてエツチン
グするエツチング工程等を経てなされるわけであるが、
本発明者らは、ベーキング後のレジストの冷却速度とレ
ジストの感度との関係について着目し、研究を重ねた結
果、次のような事実を発見した。−従来のグロセスに従
い、時間をかけて徐冷したレジストの感度は低いのに対
し、レジストをシリベークした後急冷することによシ、
レジストの感度は飛開的に高する。−この事実に基づき
、プリベーク(現像前加熱)後急冷することによるレジ
スト高感度化法を提案している。(特願昭58−587
7) 更に、本発明者らは、鋭意実験及び研究を重ねた結果、
従来のプリベーク、自然放冷を経たレジストでも、露光
後、現像処理前に該レジストのガラス転移点’rgを越
える温度で加熱処理(Iストベーク)を行なった後、急
冷することによって大幅な感度上昇が起ることも見出し
た。(特願昭通常、上述の如き一連のレジスト処理は、
各工程毎に、被処理基板を各装置に搬送することによシ
行なわれる。
By the way, fine aJ using resist (photoresist, IB resist, X-ray resist, etc.)? The formation of turns is usually done through a resist coating process in which a resist is applied onto a substrate to be processed, a pre-pake process in which the substrate is heated (baked) before development in order to remove the solvent from the applied resist film, and this process. An exposure step for selectively exposing the resist film formed in this manner, a development-rinsing (fixing) step, a scum removal step for removing the residue of the formed resist pattern, and an etching step for etching using the resist pattern as a mask. This is done through steps such as
The present inventors focused on the relationship between the cooling rate of the resist after baking and the sensitivity of the resist, and as a result of repeated research, discovered the following fact. - While the sensitivity of resists that are slowly cooled over time according to conventional gross processing is low,
The sensitivity of the resist increases dramatically. - Based on this fact, we have proposed a method for increasing resist sensitivity by rapidly cooling after pre-baking (heating before development). (Special application 58-587
7) Furthermore, as a result of extensive experiments and research, the present inventors found that
Even with resists that have been subjected to conventional pre-baking and natural cooling, after exposure and before development processing, heat treatment (I-st bake) at a temperature exceeding the glass transition point 'rg of the resist is performed, followed by rapid cooling, resulting in a significant increase in sensitivity. We also found that this occurs. (Tokugansho) Normally, the series of resist processing as described above is
Each step is carried out by transporting the substrate to be processed to each device.

すなわち、これらのレジスト処理のだめの装置は、例え
ば、上述のベーキング後急速に冷却することによシレソ
ストの高感度化をはかる方法に基づくシリベーク用加熱
装置(オープン)および冷却装置の1例を第6図に示す
如くである。さてレジスト塗布後、カセット101に収
納され、搬送されてきた被処理基板102は、カセy 
l’101から1枚ずつとり出されて第1の4ルトコン
村ア103によシオープン104に搬送される。
That is, these resist processing devices are, for example, an example of a heating device (open) and a cooling device for resist processing based on the above-mentioned method of increasing the sensitivity of the resist by rapidly cooling it after baking. As shown in the figure. Now, after applying the resist, the substrate 102 to be processed that has been stored in the cassette 101 and transported is placed in the cassette y.
The sheets are taken out one by one from l' 101 and conveyed to the opening 104 through the first four-way control village A 103.

オープン104内には、ベーク用のヒータ105が配設
されており、第1のベルトコンベア103によりて搬送
されてきた被処理基板10.2は、該ヒータ105の下
方を低速で走行する第2のベルトコンベア106上に載
置されて、オープン104内を走行せしめられ、所定時
間、所定温度で加熱される。
A baking heater 105 is disposed inside the open 104, and the substrate 10.2 to be processed, which has been conveyed by the first belt conveyor 103, is transferred to a second substrate running at a low speed below the heater 105. It is placed on a belt conveyor 106, made to run inside the open 104, and heated at a predetermined temperature for a predetermined time.

このようにしてグリベーク処理の終了した被処理基板1
02は、第3のベルトコンベア107に移され冷却装置
108へと搬入される。冷却装置108は冷却室109
と乾燥用の回転試料台110とより構成されておシ、第
3のベルトコンベア107によって搬入されてきた被処
理基板は、低速で走行する第4のベルトコンベア111
に移され、冷却室内を走行せしめられる。この間、冷却
室109の上方に設けられた液体冷媒室112から、冷
媒113が隔壁114に設けられた多孔ノズル115を
介して被処理基板102上に噴出され、該被処〜理基板
を急速に冷却する。
The substrate 1 to be processed after the Gribake process has been completed in this way
02 is transferred to the third belt conveyor 107 and carried into the cooling device 108. The cooling device 108 is a cooling chamber 109
The substrate to be processed, which has been carried in by the third belt conveyor 107, is transferred to the fourth belt conveyor 111 which runs at a low speed.
It was then moved to a cooling room and made to run inside a cooling room. During this time, a refrigerant 113 is ejected from a liquid refrigerant chamber 112 provided above the cooling chamber 109 onto the substrate to be processed 102 through a multi-hole nozzle 115 provided in the partition wall 114, rapidly moving the substrate to be processed. Cooling.

この後、被処理基板102は第5のベルトコンベア11
6により、回転試料台110に移されて、回転によって
乾燥される。
After that, the substrate to be processed 102 is transferred to the fifth belt conveyor 11.
6, the sample is transferred to the rotating sample stage 110 and dried by rotation.

そして、真空チャック117により、第6のベルトコン
ベア118に移され、カセット119の位置まで搬送さ
れて順次、該カセット119に収納されていく。
Then, they are transferred to a sixth belt conveyor 118 by a vacuum chuck 117, transported to a cassette 119, and sequentially stored in the cassette 119.

このような処理装置では、加熱装置から冷却装置へと、
被処理基板を搬送しなければならず、急速冷却を実施す
る前に搬送中の熱放散やベルトコンベアを介しての熱伝
導によって、被処理基板に不均一な温度変化が生じるの
を避は難く、急速冷却を実現しにくいという問題があっ
た。
In such processing equipment, from the heating device to the cooling device,
The substrate to be processed must be transported, and before rapid cooling is performed, it is difficult to avoid uneven temperature changes on the substrate due to heat dissipation during transportation and heat conduction via the belt conveyor. However, there was a problem in that it was difficult to achieve rapid cooling.

また、従来のレジスト処理装置ではこの他、レジスト塗
布工程、露光工程、スカム除去工程、現像工程等におい
ても、いずれも、被処理基板を各処理装置へと、順次搬
送せねばならず、この搬送機構および搬送に要する時間
が、レジスト処理工程における障害となっている。
In addition, in conventional resist processing equipment, the substrate to be processed must be sequentially transported to each processing equipment in the resist coating process, exposure process, scum removal process, development process, etc. Mechanism and transport time are obstacles in the resist processing process.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、レジスト
の感度の向上と、レジストパターンの形成に要する時間
の短縮化をはかることを目的とする。
The present invention has been made in view of the above-mentioned circumstances, and aims to improve the sensitivity of a resist and shorten the time required to form a resist pattern.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

上記目的を達成するため、本発明のレジスト処理装置で
は、レジスト塗布装置、加熱装置、急速冷却装置、露光
装置、現像装置、スカム除去装置、エツチング装置、レ
ジスト剥離装置等の一連のレジスト処理装置のうち、少
なくとも2つ以上の装置が被処理基板に対して移動可能
であり、装置間で被処理基板を搬送することなく、少な
くとも2つ以上の処理を施すことが可能となるように構
成されている。
In order to achieve the above object, the resist processing apparatus of the present invention includes a series of resist processing apparatuses such as a resist coating apparatus, a heating apparatus, a rapid cooling apparatus, an exposure apparatus, a developing apparatus, a scum removal apparatus, an etching apparatus, and a resist stripping apparatus. At least two or more of the devices are movable with respect to the substrate to be processed, and are configured so that at least two or more processes can be performed without transporting the substrate to be processed between devices. There is.

また、加熱装置および急速冷却装置か被処理基板の位置
まで移動可能とし、被処理基板を副装置間で搬送するこ
となく加熱工程から急速冷却工程へと速やかに移行でき
るようにしたレノスト処理装置も有効である。
In addition, there is also a Renost processing system in which the heating device and rapid cooling device can be moved to the position of the substrate to be processed, allowing a rapid transition from the heating process to the rapid cooling process without having to transport the substrate to be processed between sub-devices. It is valid.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

かかる構成によシ、本発明では、各処理装置間で被処理
基板を搬送するのに要する時間が短縮されると共に、被
処理基板の搬送機構が簡略化されて、装置の占有する面
積を小さくし得、コンパクト化をはかることができる。
With this configuration, in the present invention, the time required to transport the substrate to be processed between each processing device is shortened, and the transport mechanism for the substrate to be processed is simplified, thereby reducing the area occupied by the device. It can be made more compact.

また、高りリーンネスのクリーンルームに導入する装置
としてのスペースコストの軽減が可能となる。
In addition, it is possible to reduce the space cost as a device to be introduced into a clean room with high leanness.

更に、加熱装置および急速冷却装置を移動可能とし、副
装置間で被処理基板を搬送することなく処理できるよう
にした前記構成によれば、従来のレジスト処理装置では
避けることのできなかった加熱工程から急速冷却工程に
移行する際の搬送時における被処理基板の不均一な温度
低下を皆無にすることができ、速やかに急速冷却工程に
入ることができる。従って、レジストの感度が向上し、
露光時間も短縮されて、寸法精度の良好なレジストパタ
ーンの形成が極めて作業性良く行なわれる。
Furthermore, according to the above configuration in which the heating device and the rapid cooling device are movable and processing can be performed without transporting the substrate to be processed between sub-devices, the heating process that could not be avoided with conventional resist processing equipment can be avoided. It is possible to eliminate any non-uniform temperature drop of the substrate to be processed during transport when transitioning from the process to the rapid cooling process, and the rapid cooling process can be started promptly. Therefore, the sensitivity of the resist is improved,
Exposure time is also shortened, and resist patterns with good dimensional accuracy can be formed with extremely good workability.

例えば、従来のレジスト処理装置では、処理速度が1時
間当910枚程度だったのに対し、本発明のレジスト処
理装置では300枚程変色なシ、作業能率が大幅に向上
する。
For example, while the conventional resist processing apparatus has a processing speed of about 910 sheets per hour, the resist processing apparatus of the present invention can discolor about 300 sheets per hour, greatly improving work efficiency.

加えて、移動可能な加熱装置、冷却装置の他、現像装置
等信の装置も移動可能とすることによシ、更に、スペー
スコストを一層軽減することが可能となる。
In addition, by making movable heating and cooling devices as well as other devices such as a developing device movable, it is possible to further reduce space costs.

〔実施例〕〔Example〕

以下、本発明の実施例について、図面を参照しつつ詳細
に説明する。
Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.

このレジスト処理装置は、第1(a)図、第1(b)図
および第2図に示す如く、ゾリペーク工程又はポストペ
ーク工程等の加熱処理工程と、その後の急速冷却工程と
を連続して実行しようとするもので、試料台8′a11
とその内部に設けられた回転試料台2上に載置される被
処理基板3に対し、順次、加熱処理および急速冷却処理
を行なうべくシフト機構4によってシフト可能であり、
夫々、該試料台機構1に保合可能なように配設された加
熱装置t5および冷却装置旦とよ多構成されている。
As shown in FIG. 1(a), FIG. 1(b), and FIG. 2, this resist processing apparatus continuously performs a heat treatment process such as a zoli-pake process or a post-pake process, and a subsequent rapid cooling process. sample stage 8'a11
It can be shifted by a shift mechanism 4 to sequentially perform heat treatment and rapid cooling treatment on a substrate 3 to be processed placed on a rotating sample stage 2 provided therein,
Each of the sample stage mechanisms 1 is configured with a heating device t5 and a cooling device, which are arranged so as to be able to be attached to the sample stage mechanism 1.

そして、前記試料台機構1は、その底部に開閉自在の排
出ロアを有するハウジング8と、該ハウジング8内に配
設された回転試料台2とよ多構成されておシ、この試料
一台機構1の近傍にはカセット9から被処理基板3をと
シ出し、回転試料台2の近傍まで搬送するベルトコンベ
ア10と、該被処理基板を回転試料台に載置する真空チ
ャック11とから々る移送機構↓スが配設されている。
The sample stage mechanism 1 is composed of a housing 8 having a discharge lower that can be opened and closed at the bottom thereof, and a rotating sample stage 2 disposed inside the housing 8. 1 includes a belt conveyor 10 for taking out a substrate 3 to be processed from a cassette 9 and transporting it to the vicinity of the rotating sample stage 2, and a vacuum chuck 11 for placing the substrate to be processed on the rotating sample stage 2. A transfer mechanism ↓ is provided.

また、前記シフト機構±は、モータ13によって駆動さ
れ、所定の周期で、前記加熱装置!および前記冷却装置
旦を順次前記試料台機構1の位置まで移送するように構
成されている。なお14鉱軸受けである。
Further, the shift mechanism ± is driven by the motor 13, and the heating device! The cooling device is configured to sequentially transport the cooling device to the position of the sample stage mechanism 1. Note that this is a 14-mineral bearing.

更に、前記加熱装@旦は、前記試料台機構1のハウジン
グ8に係合するように形成された加熱用ハウジング15
と該加熱用ハウジングの土壁に配設されたヒータ16と
よりi成され、所定の温度、時間、雰囲気の条件の下で
被処理基板3を加熱処理するものである。
Furthermore, the heating device includes a heating housing 15 formed to engage with the housing 8 of the sample stage mechanism 1.
and a heater 16 disposed on the clay wall of the heating housing, and heat-processes the substrate 3 to be processed under predetermined conditions of temperature, time, and atmosphere.

加えて、前記冷却装置旦は、前記試料台機構1のハウジ
ング8に係合するように形成された冷却用ハウジング1
7と、この上方に配設された液体冷媒室18と、供給ラ
イン19から、該液体冷媒室に供給される冷媒20を多
孔ノズル21によって下方に噴射し、下方の被処理基板
を冷却し、冷却が終了すると該多孔ノズル21を塞ぎ噴
射を止めるようにしたシャッター22と、該シャッター
の開閉を制御するシャッター開閉器23とよ多構成され
ている。
In addition, the cooling device includes a cooling housing 1 formed to engage with the housing 8 of the sample stage mechanism 1.
7, a liquid refrigerant chamber 18 disposed above the liquid refrigerant chamber 18, and a refrigerant 20 supplied to the liquid refrigerant chamber from the supply line 19 downwardly by a porous nozzle 21 to cool the substrate to be processed below, It is composed of a shutter 22 that closes the porous nozzle 21 and stops the injection when cooling is completed, and a shutter opener 23 that controls opening and closing of the shutter.

次に、このレジスト処理装置の動作を簡単に説明する。Next, the operation of this resist processing apparatus will be briefly explained.

まず、レジスト塗布後、カセット9に収納されて搬送さ
れてきた被処理基板を1枚ずつとル出し、ベルトコンベ
ア10によりて試料台機構1の位置まで搬送し、真空チ
ャックによル、回転試料台2に載置する。
First, after applying the resist, the substrates to be processed that have been stored in the cassette 9 and transported are taken out one by one, transported to the position of the sample stage mechanism 1 by the belt conveyor 10, and then placed on the vacuum chuck and transferred to the rotating sample. Place it on stand 2.

次いで、シフト機構±によシ、試料台機構1の位置まで
加熱装置がシフトされ、第1(a)図に示す如く、ハウ
ジング8に加熱用ハウジング15が係合する。(このと
きハウジング8の底部に設けられている排出ロアは閉じ
たままである。)そして回転試料台2を所定の回転速度
で回転することによシ被処理基板を回転しつつ、ヒータ
16によシ所定時間加熱する。
Next, the heating device is shifted by the shift mechanism ± to the position of the sample stage mechanism 1, and the heating housing 15 is engaged with the housing 8, as shown in FIG. 1(a). (At this time, the discharge lower provided at the bottom of the housing 8 remains closed.) Then, by rotating the rotating sample stage 2 at a predetermined rotation speed, the substrate to be processed is rotated, and the heater 16 is turned on. Heat for a specified period of time.

この後、シフト機構工によシ加熱装置旦を試料台機構よ
から平行に移動し、次いで冷却装置旦が第1(b)図に
示す如く、試料台機構1の位置に進められ、ハウジング
8と冷却装置旦の冷却用ハウジング17とが係合し、回
転試料台の回転が開始される。と同時に、シャッター開
閉器23によシシャッター22が開かれて、冷媒が多孔
ノズル21から、回転試料台2上で回転して諭る被処理
基板上に噴射されて、該被処理基板3を急速に冷却する
。不要となった冷媒は、ハウジング8の底部に達し、そ
の自重で開かれる排出ロアから排出される。冷却が終了
するとシャッター開閉器23によシシャッター22が再
び閉じられて、多孔ノズル21を塞ぐ。そして、必要に
応じて冷却稜の被処理基板3を乾燥するために、所定の
時間、回転試料台2の回転は続行される。
Thereafter, the shift mechanism moves the heating device parallel to the sample stage mechanism, and then the cooling device is advanced to the position of the sample stage mechanism 1, as shown in FIG. 1(b), and the housing 8 The cooling housing 17 of the cooling device engages with the cooling housing 17 of the cooling device, and rotation of the rotating sample stage is started. At the same time, the shutter 22 is opened by the shutter opener 23, and the refrigerant is injected from the porous nozzle 21 onto the substrate to be processed that is rotating on the rotating sample stage 2. Cool rapidly. The refrigerant that is no longer needed reaches the bottom of the housing 8 and is discharged from the discharge lower that opens under its own weight. When the cooling is completed, the shutter 22 is closed again by the shutter opener 23 to close the porous nozzle 21. Then, the rotation of the rotating sample stage 2 is continued for a predetermined period of time in order to dry the substrate 3 to be processed on the cooling ridge as necessary.

このようにして、冷却および乾燥が終了すると、冷却装
置旦はシフト機構4によってシフトされ、被処理基板3
は再び所定の搬送シーケンスの下K。
In this way, when cooling and drying are completed, the cooling device is shifted by the shift mechanism 4, and the substrate to be processed is
is again under the predetermined transport sequence.

前記移送機構12によってカセット9に収納される。It is stored in the cassette 9 by the transfer mechanism 12.

このようなレジスト処理装置を使用することによシ、被
処理基板に対して、加熱−急速冷却とい52つの工程が
被処理基板を搬送することなく容易に速やかに達成され
得、レジストの感度が向上すると共に、これによj)露
光時間の短縮をはかることができ、短時間で寸法精度の
良好なレジストパターンを得ることが可能となる。
By using such a resist processing apparatus, the 52 steps of heating and rapid cooling can be easily and quickly performed on the substrate to be processed without transporting the substrate, and the sensitivity of the resist can be improved. j) Exposure time can be shortened, and a resist pattern with good dimensional accuracy can be obtained in a short time.

なお、シフト機構については、実施例に示されている水
平シフトの他、第3図に示す如く、モータ24によって
矢印Aの方向に加熱装置旦および冷却装C6を移動せし
め、これらを順次試料台桜拾1の位船まで搬送するよう
にした回転シフh 6枯ヱユ等を用いてもよい。
Regarding the shift mechanism, in addition to the horizontal shift shown in the embodiment, as shown in FIG. It is also possible to use a rotary shifter, such as a rotary shifter, which transports the cherry blossoms to the ship.

また、冷却装置についても、実施例に示された′シャワ
一式に限定されることなく、1個またはそれ以上のノズ
ルを用いたスプレ一式あるいけ冷却プレート式等、被処
理基板の搬送を行なわないという主旨を逸脱しない範囲
で種々の変形が可能である。
In addition, the cooling device is not limited to the 'shower set' shown in the example, but may also include a spray set using one or more nozzles, a cooling plate type, etc., which do not transport the substrate to be processed. Various modifications are possible without departing from the spirit.

加えて、このレジスト処理装置は、露光前の加熱処理工
程すなわちプリペーク工程と、これに後続する急速冷却
工程、の他、ヒーターの設定温度を変えることによシ、
露光後の加熱処理工程でちるポストベーク工程とこれに
後続する急速冷却工程にも使用可能である。
In addition, this resist processing apparatus performs a heat treatment process before exposure, that is, a pre-pake process, and a rapid cooling process that follows this process, as well as a heat treatment process by changing the set temperature of the heater.
It can also be used in a post-bake process, which is a heat treatment process after exposure, and a rapid cooling process that follows this.

〔発明の他の実施例〕[Other embodiments of the invention]

次に、本発明による他の実施例を第4(a)図、第4(
b)図に示す。
Next, other embodiments according to the present invention are shown in FIGS. 4(a) and 4(a).
b) As shown in the figure.

このレジスト処理装置は、前記実施例に示された装置に
、更に移動可能な現像処理装置1亙を付加したもので、
第4(a)の図は、水平シフト機構を用いたもの、第4
(b)図は回転シフト機構を用いたものである。
This resist processing apparatus is obtained by adding a movable development processing apparatus 1 to the apparatus shown in the above embodiment.
The fourth (a) diagram shows one using a horizontal shift mechanism;
The figure (b) uses a rotary shift mechanism.

加熱装置、冷却装置、シフト機構、試料台機構について
は前記実施例と同様であり、加熱装置によシベーキング
を行った後、冷却装置によシ急速に冷却し、乾燥する工
程までは同様の手順が採用され、その彼、現像処理装置
26がシフト機構±(第4(b)図においては25)に
よってシフトされて、試料台機構1に係合し、現像処理
が行なわれるようになっている。
The heating device, cooling device, shift mechanism, and sample stage mechanism are the same as those in the previous embodiment. The procedure is adopted, and then the development processing device 26 is shifted by the shift mechanism ± (25 in FIG. 4(b)) to engage the sample stage mechanism 1 and development processing is performed. There is.

なお、現像処理装置−色」−の構造については、前記実
施例に示された冷却装置と同様であり、供給ラインから
は冷媒に代えて、現像液およびリンス液が順次供給され
るよう罠なっている点が異なるだけである。
Note that the structure of the development processing device (color) is similar to the cooling device shown in the above embodiment, and a trap is installed so that the developer and rinse solution are sequentially supplied from the supply line instead of the refrigerant. The only difference is that

このようにして、現像処理が行なわれた後、シャッター
を閉じて回転試料台を駆動することによシ、被処理基板
は乾燥され、この後、移送機構旦によりクセ2ト9に再
び収納される。
After the development process has been performed in this way, the substrate to be processed is dried by closing the shutter and driving the rotating sample stage, and is then stored in the closet 9 again by the transfer mechanism. Ru.

この装置では、露光後の加熱工程、冷却工程、現像処理
工程が、連続的に行なわれ、大幅に作業能率が改善され
る。
In this apparatus, the heating process, cooling process, and development process after exposure are performed continuously, and the working efficiency is greatly improved.

更に、水平シフトと回転シフトの組合わせによる一層効
率的なレジスト処理装置を第5図に示す。
Furthermore, a more efficient resist processing apparatus using a combination of horizontal shift and rotational shift is shown in FIG.

この装置は、夫々複数の加熱装置旦、冷却装置旦、現像
処理装置26を順次シフト機構30に支持せしめ、矢印
B方向に、所定の周期でこれらをシフトすると共に、多
数個の試料台機構1を所定の間隔で配設し、多数の被処
理基板を効率良く、同時処理しようとするものである。
This apparatus sequentially supports a plurality of heating devices, cooling devices, and development processing devices 26 on a shift mechanism 30, and shifts these at a predetermined period in the direction of arrow B. The aim is to efficiently process a large number of substrates simultaneously by arranging them at predetermined intervals.

ここで、搬入用カセット31に収納されてきた被処理基
板3は搬入用ベルトコンベア32によシドーナツ状の転
送用ベルトコンベア33上に載置される。(なお、搬入
用カセット31から転送用ベルトコンベア33への移送
機構については省略する。)そして、この転送用ベルト
コンベア33上に載置された被処理基板はホストコンビ
ーータ(図示せず)の指示に従い、空の状態の試料台機
構1を選択して、各試料台機構に配設された導出入ベル
トコンベア34によシ、該試料台機構1の回転試料台に
載置される。
Here, the substrate 3 to be processed, which has been accommodated in the carry-in cassette 31, is placed on the donut-shaped transfer belt conveyor 33 by the carry-in belt conveyor 32. (The transfer mechanism from the carry-in cassette 31 to the transfer belt conveyor 33 is omitted.)The substrate to be processed placed on the transfer belt conveyor 33 is transferred to a host conveyor (not shown). In accordance with the instructions, an empty sample stage mechanism 1 is selected and placed on the rotating sample stage of the sample stage mechanism 1 by the lead-in/out belt conveyor 34 provided in each sample stage mechanism.

試料台機構1に載置された被処理基板3上には、第4(
a)図および第4(b)図で説明した手順に従い、加熱
装置、冷却装置、現像処理装置が所定のシーケンスによ
シ矢印Bの方向に移動されてきて、加熱処理工程、冷却
工程、現像処理工程、(乾燥工程)からなる一連のレジ
スト処理が実行される。
On the substrate to be processed 3 placed on the sample stage mechanism 1, a fourth (
a) According to the procedure explained in FIG. A series of resist processing consisting of a processing step and a (drying step) is performed.

そして、これらの処理の終了した被処理基板3は導出入
ベルトコンベア34によシ再び転送用ベルトコンベア3
3に戻され、更に搬出用ベルトコンベア35を介して搬
出用カセット36に収納される。
Then, the substrate 3 to be processed after these processes is transferred to the delivery/input belt conveyor 34 and transferred again to the transfer belt conveyor 3.
3, and is further stored in a carry-out cassette 36 via a carry-out belt conveyor 35.

以上のサイクルを順次繰シ返すことによシ、多薮個(第
5図では24個)の試料台機構に対し、搬出入、加熱処
理、冷却処理、現像処理を同時に進行する形で処理する
ことが可能となり、作業能率は著しく向上した@ なお、このレジスト処理装置では、移動可能な処理装置
として、加熱装置、冷却装置、現像処理装置を導入して
いるが、試料台上の基板3をレジスト処理工程中搬送す
ることなく装置の方を移動可能とするという主旨を逸脱
しない範囲で、他の処理(レジスト塗布、露光、スカム
除去、エツチング、レジスト剥離等)を組み込むことも
可能である。
By repeating the above cycle in sequence, loading and unloading, heating treatment, cooling treatment, and development treatment are performed simultaneously on a large number of sample table mechanisms (24 in Figure 5). This enabled the work efficiency to be significantly improved.@ This resist processing equipment is equipped with a heating device, a cooling device, and a development processing device as movable processing devices. It is also possible to incorporate other processes (resist coating, exposure, scum removal, etching, resist stripping, etc.) without departing from the purpose of making the apparatus movable without being transported during the resist processing process.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1(a)図、第1 (b)図は、本発明実施例のレジ
スト処理装置の側面図、第2図は同装置の平面図、第3
図は、同装置におけるシフト機構の変形例を示す図、第
4(a)図および第4(b)図は本発明の他の実施例の
レジスト処理装置を示す図、第5図は本発明の更に他の
実施例のレジスト処理装置を示す図、第6図は従来例の
レジスト処理装置を示す図である。 101・・・カセッ)、102・・・被処理基板、10
3′・・・第1のベルトコンベア、104・・・オープ
ン、105・・・ヒータ、106・・・第2のベルトコ
ンベア、107・・・第3のベルトコンベア、108・
・冷却装置i、109・・・冷却室、110・・・回転
試料台、111・・・第4のベルトコンベア、112・
・・液体冷媒室、113・・・冷媒、114・・・隔壁
、115・・・多孔ノズル、116・・・第5のベルト
コンベア、117・・・真空チャック、118・・・第
6のベルトコンベア、119・・・カセット、1・・・
試料台機構、2・・・回転域試料台、3・・・被処理基
板、±・・シフト機構、旦・・・加熱装置、旦・・冷却
装置、7・・・排出口、8・・・ハウジング、9・・・
カセット、10・・・ベルトコンベア、11・・・真空
チャック、上l・・・移送機構、13・・・モータ、1
4・・・軸受け、15・・・加熱用ノ・ウジング、16
・・・ヒータ、17・・・冷却用ノーウジング、18・
・・液体冷媒室、19・・・供給ライン、20・・・冷
i、21・・・多孔ノズル、22・・・シャッター、2
3・・・シャッター開閉器、24・・・モータ、25・
・・F11転シフト機構、又J・・・現像処理装置、3
0・・・シフトa構、31・・・搬入用カセット、32
・・・搬入用ベルトコンベア、33・・・転送用ベルト
コンベア、34・・・導出入ベルトコンベア、35・・
・m出用ベルトコンベア、36・・・搬出用カセット。 第2図 第4(b)図
1(a) and 1(b) are side views of a resist processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a plan view of the same apparatus, and FIG.
4(a) and 4(b) are views showing a resist processing apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a view showing a modification of the shift mechanism in the same apparatus. FIG. 6 is a diagram showing a resist processing apparatus according to still another embodiment of the present invention, and FIG. 6 is a diagram showing a conventional resist processing apparatus. 101... cassette), 102... substrate to be processed, 10
3'...First belt conveyor, 104...Open, 105...Heater, 106...Second belt conveyor, 107...Third belt conveyor, 108...
- Cooling device i, 109... Cooling chamber, 110... Rotating sample stand, 111... Fourth belt conveyor, 112...
... Liquid refrigerant chamber, 113 ... Refrigerant, 114 ... Partition wall, 115 ... Porous nozzle, 116 ... Fifth belt conveyor, 117 ... Vacuum chuck, 118 ... Sixth belt Conveyor, 119...Cassette, 1...
Sample stage mechanism, 2... Rotation area sample stage, 3... Substrate to be processed, ±... Shift mechanism, Dan... Heating device, Dan... Cooling device, 7... Discharge port, 8...・Housing, 9...
Cassette, 10... Belt conveyor, 11... Vacuum chuck, Upper l... Transfer mechanism, 13... Motor, 1
4...Bearing, 15...Heating nozzle, 16
...Heater, 17...Nothing for cooling, 18.
...Liquid refrigerant chamber, 19... Supply line, 20... Cooling i, 21... Porous nozzle, 22... Shutter, 2
3...Shutter switch, 24...Motor, 25.
...F11 rotation shift mechanism, and J...development processing device, 3
0...Shift a structure, 31...Cassette for carrying in, 32
... Belt conveyor for carrying in, 33... Belt conveyor for transfer, 34... Input/output belt conveyor, 35...
- Belt conveyor for m output, 36...cassette for unloading. Figure 2 Figure 4(b)

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)被処理基板上にレジストを塗布するレジスト装置
、該レジストの塗布された被処理基板を加熱する加熱装
置、加熱された被処理基板を冷却する冷却装置、形成さ
れたレジスト膜を選択的に露光する露光装置、現像処理
装置、スカム除去装置、形成されたレジストパターンを
マスクとして被処理基板をエッチング除去するエッチン
グ装置、レジストパターンを除去するレジスト剥離装置
のうち少なくとも2つの装置が被処理基板に対して移動
可能であり、装置間で被処理基板を搬送することなく、
これらの装置を用いた処理を施すことができるようにし
たことを特徴とするレジスト処理装置。
(1) A resist device that applies a resist onto a substrate to be processed, a heating device that heats the substrate to be processed on which the resist is applied, a cooling device that cools the heated substrate to be processed, and a resist device that selectively cools the formed resist film. At least two of the following devices are installed on the substrate to be processed: an exposure device that exposes the substrate to light, a development device, a scum removal device, an etching device that etches and removes the substrate using the formed resist pattern as a mask, and a resist stripping device that removes the resist pattern. The substrate can be moved between devices without having to transport the substrate to be processed between devices.
A resist processing apparatus characterized by being able to perform processing using these apparatuses.
(2)少なくとも2つの前記装置が加熱装置と冷却装置
であり、被処理基板を両装置間で搬送することなく、加
熱工程から急速冷却工程へと速やかに移行できるように
したことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載の
レジスト処理装置。
(2) At least two of the devices are a heating device and a cooling device, and the substrate to be processed can be quickly transferred from the heating step to the rapid cooling step without transferring the substrate between the two devices. A resist processing apparatus according to claim (1).
(3)少なくとも2つの前記装置が加熱装置、冷却装置
、現像処理装置からなり、これらの装置間では被処理基
板を搬送することなく加熱工程から冷却工程、現像処理
工程へと順次移行できるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第(1)項記載のレジスト処理装置。
(3) At least two of the devices include a heating device, a cooling device, and a development processing device, and the substrate to be processed can be sequentially transferred from a heating process to a cooling process and a development process without transporting the substrate between these devices. A resist processing apparatus according to claim (1), characterized in that:
(4)移動可能な少なくとも2つの前記装置は水平シフ
ト機構もしくは回転シフト機構又は両者の組み合わせに
よるシフト機構によって移動されるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項乃至第(3)項のい
ずれかに記載のレジスト処理装置。
(4) At least two of the movable devices are moved by a horizontal shift mechanism, a rotary shift mechanism, or a combination of both. The resist processing apparatus according to any one of item 3).
(5)移動可能な少なくとも2つの前記装置は、被処理
基板を載置する試料台機構の位置まで移動可能であり、
被処理基板の収納されたカセットと該試料台機構との間
で該被処理基板を搬送する搬送機構を具備したことを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項乃至第(4)項のい
ずれかに記載のレジスト処理装置。
(5) the at least two movable devices are movable to the position of the sample stage mechanism on which the substrate to be processed is placed;
Claims (1) to (4) are characterized in that the method includes a transport mechanism for transporting the substrate to be processed between a cassette containing the substrate to be processed and the sample stage mechanism. The resist processing device according to any one of the above.
(6)移動可能な前記装置が、シフト機構を介して、夫
々複数個、順次配列されており、複数の被処理基板に対
して同時処理を行なうことができるようにしたことを特
徴とする特許請求の範囲第(1)項乃至第(5)項のい
ずれかに記載のレジスト処理装置。
(6) A patent characterized in that a plurality of the movable devices are sequentially arranged via a shift mechanism, so that simultaneous processing can be performed on a plurality of substrates to be processed. A resist processing apparatus according to any one of claims (1) to (5).
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