JPH08320554A - ポジ型フォトレジスト組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 スカムの生じない高い解像力、及び高い感度
を有するポジ型フォトレジスト組成物を提供することに
ある。 【構成】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）１，２−
ナフトキノンジアジド−５（及び／又は−４）−スルホ
ン酸エステル化合物、（Ｃ）酸分解性基を少なくとも１
つ有する分子量３，０００以下の低分子化合物、（Ｄ）
光酸発生剤 及び（Ｅ）露光波長に吸収を持ち、且つア
ルカリ可溶性基を持つ増感剤を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は輻射線に感応するポジ型
フォトレジスト組成物に関するものであり、特に高い解
像力と感度、更に良好なパターンの断面形状を備えた微
細加工用フォトレジスト組成物に関するものである。本
発明に成るポジ型フォトレジストは、半導体ウエハー、
ガラス、セラミックスもしくは金属等の基板上にスピン
塗布法もしくはローラー塗布法で０．５〜３μｍの厚み
に塗布される。その後、加熱、乾燥し、露光マスクを介
して回路パターン等を紫外線照射等により焼き付け、現
像してポジ画像が形成される。

【０００２】更にこのポジ画像をマスクとしてエッチン
グすることにより、基板上にパターンの加工を施すこと
ができる。代表的な応用分野にはＩＣ等の半導体製造工
程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他
のフォトファブリケーション工程等がある。

【０００３】

【従来の技術】ポジ型フォトレジスト組成物としては、
露光に使われる光や電子線などの放射線に対して高い感
度をもっていることが望ましい。感度が高ければ、それ
だけ少ない照射量でレジストを感じさせることができて
実用的であり、更に、特に電子線レジストの場合には、
半導体素子性能の劣化を防ぐこともできる。

【０００４】半導体の加工は微細化の一途をたどってい
るため、それに用いられるレジストにも高い解像度が望
まれる。一般にアルカリ可溶性樹脂と感光物としてのナ
フトキノンジアジド化合物とを含む組成物が用いられて
いるが、超ＬＳＩなどの半導体基板の製造においては従
来のナフトキノンジアジド系感光物を用いたポジ型フォ
トレジストでは対応できないのが実状である。

【０００５】これに対して、高感度、高解像力を有する
ものとして化学増幅型ポジ型レジスト組成物が開示され
ている。例えば、特開平３−２７６１５７号にはポリ
（ｐ−ヒドロキシスチレン）の水酸基の一部を酸分解性
基で保護したバインダー樹脂及び光酸発生剤から成る２
成分系化学増幅型レジストに、スーダンオレンジなどの
染料やナフトキノンジアジドエステルをフォトブリーチ
する染料として利用する技術が開示されている。また、
特開平２−１４４５３８号には水性アルカリ性溶液に可
溶の高分子結合剤、１，２−キノンジアジド及び／又は
強酸生成化合物、開烈性Ｃ−Ｏ−Ｃ結合含有化合物にス
ピロ−インドリノ−ベンゾピラン染料を含有させた感放
射線混合物及び複写材料が記載されている。また、特開
平３−１００５５１号にもアルカリ可溶な結合剤樹脂、
ｏ−キノンジアジドなどの感光剤、酸発生化合物、Ｃ−
Ｏ−Ｃ結合を含む感光性成分に、疎水性可塑剤を含む感
光性組成物が記載されている。また、特開平４−２１３
４５９号には、アルカリ可溶性重合体結合剤、１，２−
キノンジアジド及び／又は露光による酸形成化合物とＣ
−Ｏ−Ｃ結合を含む化合物を含有し、更に増感剤を用い
てもよいことが記載されている。

【０００６】しかしながら、これらに記載の技術では、
まだ感度が十分でなく、更に、スカムが発生し易く十分
な解像度を得ることができない。従って、既述の如く高
感度及び高解像度のポジ型フォトレジスト組成物が望ま
れる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、特に半導体デバイスの製造において、（１）スカム
の生じない高い解像力を有するポジ型フォトレジスト組
成物、（２）高い感度を有するポジ型フォトレジスト組
成物、を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記諸特
性に留意し、鋭意検討した結果下記構成（１）〜（３）
によって達成することができる。 （１）（Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）１，２−ナフ
トキノンジアジド−５（及び／又は−４）−スルホン酸
エステル化合物、（Ｃ）酸分解性基を少なくとも１つ有
する分子量３，０００以下の低分子化合物、（Ｄ）光酸
発生剤 及び（Ｅ）露光波長に吸収を持ち、且つアルカ
リ可溶性基を持つ増感剤、を含み、且つ成分（Ｂ）の配
合割合が０〜９５ｗｔ％であることを特徴とするポジ型
フォトレジスト組成物。

【０００９】（２）前記成分（Ｂ）の配合割合が、０＜
（Ｂ）≦９５ｗｔ％であることを特徴とする前記（１）
記載のポジ型フォトレジスト組成物。 （３）前記成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の配合割合が、 ５≦〔Ｂ＋Ｃ〕≦７０（ｗｔ％）…組成物中の固形分合
計量に対するｗｔ％、 且つ ３０≦１００Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）≦９５（ｗｔ％） の関係式を満足することを特徴とする前記（１）記載の
ポジ型フォトレジスト組成物。

【００１０】以下、本発明を詳細に説明する。本発明
は、アルカリ可溶性樹脂、酸分解性溶解阻止化合物
［（Ｃ）成分］及び光酸発生剤から成る３成分系化学増
幅型レジストに、露光波長に吸収を持ち且つアルカリ可
溶性基を持つ増感剤を用いることにより、より良好な高
感度及び高解像度（スカムの発生のない）を得ることが
できる。

【００１１】更に本発明は、酸分解性溶解阻止化合物と
ナフトキノンジアジド型溶解阻止化合物［（Ｂ）成分］
を併用することにより、それぞれ単独の溶解阻止化合物
を用いた場合では得られない、予想以上の優れた性能
（高γ値、高解像力）をうることができる。更に又、本
発明は、本発明の３成分系化学増幅型レジストに、露光
波長に吸収を持ち且つアルカリ可溶性基を持つ増感剤及
びナフトキノンジアジド型溶解阻止化合物を用いること
により、単に組み合わせた場合に予想し得る以上の優れ
た効果を得ることができる。

【００１２】既述の従来公知のポジ型レジストにおいて
は、紫外線に吸収を持つ染料、増感剤、またネガ型レジ
ストでは増感剤としてアントラセンなどを用いている
が、これらはスカムが発生し、解像度が低下し、更に十
分な感度を得ることができない。本発明は、種々検討し
た結果、露光波長に吸収を持ち且つアルカリ可溶性基を
持つ増感剤を用いることで、スカムの発生なく高解像度
及び高感度を得ることができる。更に、露光波長に吸収
を持ち且つアルカリ可溶性基を持つ増感剤に加えて、溶
解阻止化合物として酸分解性溶解阻止化合物とナフトキ
ノンジアジド型溶解阻止化合物を併用するすることによ
り、より一層優れた解像度及び感度を得ることができ
る。

【００１３】本発明において、成分（Ｂ）の配合割合
は、０≦（Ｂ）≦９５ｗｔ％、好ましくは０＜（Ｂ）≦
９５ｗｔ％である。また、本発明においては、成分
（Ｂ）及び成分（Ｃ）の配合割合は、 ５≦〔Ｂ＋Ｃ〕≦７０（wt％) ３０≦１００Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）≦９５（wt％) である。

【００１４】更に好ましくは、 １０≦〔Ｂ＋Ｃ〕≦６５（wt％) ４０≦１００Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）≦９０（wt％) であり、特に好ましくは、 ２０≦〔Ｂ＋Ｃ〕≦６０（wt％) ５０≦１００Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）≦９０（wt％) である。〔Ｂ＋Ｃ〕の割合が５重量％未満では残膜率が
著しく低下し、また７０重量％を超えると感度及び溶剤
への溶解性が低下する。

【００１５】本発明において、成分（Ｅ）の成分（Ｄ）
に対する使用量は、０．０１≦Ｅ／（Ｄ＋Ｅ）≦１０
（モル比）、好ましくは０．１≦Ｅ／（Ｄ＋Ｅ）≦５
（モル比）、より好ましくは０．２≦Ｅ／（Ｄ＋Ｅ）≦
２（モル比）である。成分（Ｅ）の使用量がこの範囲で
あると、感度と解像力のバランスに優れスカムが発生し
にくい点で好ましい。

【００１６】本発明に用いる１，２−ナフトキノンジア
ジド−５（及び／又は−４）−スルホン酸エステル化合
物（ナフトキノンジアジド型溶解阻止化合物）として
は、以下に示すポリヒドロキシ化合物の１，２−ナフト
キノンジアジド−５（及び／又は−４）スルホニルクロ
リドとのエステル化物を挙げることができるが、これら
に限定されるものではない。

【００１７】ポリヒドロキシ化合物の例としては、２，
３，４−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，４′
−トリヒドロキシベンゾフエノン、２，４，６−トリヒ
ドロキシベンゾフエノン、２，３，４−トリヒドロキシ
−２′−メチルベンゾフエノン、２，３，４，４′−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′−
テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６，３′，
４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，
２′，４′−ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，
３，４，２′，５′−ペンタヒドロキシベンゾフェノ
ン、２，４，６，３′，４′，５′−ヘキサヒドロキシ
ベンゾフェノン、２，３，４，３′，４′，５′−ヘキ
サヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾ
フエノン類、

【００１８】２，３，４−トリヒドロキシアセトフエノ
ン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルペンチルケト
ン、２，３，４−トリヒドロキシフエニルヘキシルケト
ン等のポリヒドロキシフエニルアルキルケトン類、

【００１９】ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）メ
タン、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）メ
タン、ビス（２，４−ジヒドロキシフエニル）プロパン
−１、ビス（２，３，４−トリヒドロキシフエニル）プ
ロパン−１、ノルジヒドログアイアレチン酸等のビス
（（ポリ）ヒドロキシフエニル）アルカン類、

【００２０】３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸プロ
ピル、２，３，４−トリヒドロキシ安息香酸フエニル、
３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸フエニル等のポリ
ヒドロキシ安息香酸エステル類、

【００２１】ビス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾ
イル）メタン、ビス（３−アセチル−４，５，６−トリ
ヒドロキシフエニル）メタン、ビス（２，３，４−トリ
ヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ビス（２，４，６−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒ
ドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキ
シベンゾイル）アリール類、

【００２２】エチレングリコール−ジ（３，５−ジヒド
ロキシベンゾエート）、エチレングリコール−ジ（３，
４，５−トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン
−ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、

【００２３】２，３，４−ビフエニルトリオール、３，
４，５−ビフエニルトリオール、３，５，３′，５′−
ビフエニルテトロール、２，４，２′，４′−ビフエニ
ルテトロール、２，４，６，３′，５′−ビフエニルペ
ントール、２，４，６，２′，４′，６′−ビフエニル
ヘキソール、２，３，４，２′，３′，４′−ビフエニ
ルヘキソール等のポリヒドロキシビフエニル類、

【００２４】４′，４′−チオビス（１，３−ジヒドロ
キシ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフィド
類、

【００２５】２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジ
フエニルエーテル等のビス（ポリヒドロキシフエニル）
エーテル類、

【００２６】２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジ
フエニルスルフォキシド等のビス（ポリヒドロキシフエ
ニル）スルフォキシド類、

【００２７】２，２′，４，４′−ジフエニルスルフォ
ン等のビス（ポリヒドロキシフェニル）スルフォン類、

【００２８】トリス（４−ヒドロキシフエニル）メタ
ン、４，４′，４″−トリヒドロキシ−３，５，３′，
５′−テトラメチルトリフェニルメタン、４，４′，
３″，４″−テトラヒドロキシ−３，５，３′，５′−
テトラメチルトリフェニルメタン、４，４′，２″，
３″，４″−ペンタヒドロキシ−３，５，３′，５′−
テトラメチルトリフエニルメタン、２，３，４，２′，
３′，４′−ヘキサヒドロキシ−５，５′−ジアセチル
トリフエニルメタン、２，３，４，２′，３′，４′，
３″，４″−オクタヒドロキシ−５，５′−ジアセチル
トリフエニルメタン、２，４，６，２′，４′，６′−
ヘキサヒドロキシ−５，５′−ジプロピオニルトリフエ
ニルメタン等のポリヒドロキシトリフエニルメタン類、

【００２９】３，３，３′，３′−テトラメチル−１，
１′−スピロビ−インダン−５，６，５′，６′−テト
ロール、３，３，３′，３′−テトラメチル−１，１′
−スピロビ−インダン−５，６，７，５′，６′，７′
−ヘキソオール、３，３，３′，３′−テトラメチル−
１，１′−スピロビ−インダン−４，５，６，４′，
５′，６′−ヘキソオール、３，３，３′，３′−テト
ラメチル−１，１′−スピロビ−インダン−４，５，
６，５′，６′，７′−ヘキソオール等のポリヒドロキ
シスピロビ−インダン類、

【００３０】３，３−ビス（３，４−ジヒドロキシフエ
ニル）フタリド、３，３−ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシフエニル）フタリド、３′，４′，５′，６′−
テトラヒドロキシスピロ〔フタリド−３，９′−キサン
テン〕等のポリヒドロキシフタリド類、

【００３１】モリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ
色素類、

【００３２】α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシ
フエニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、
α，α′，α″−トリス（３，５−ジメチル−４−ヒド
ロキシフエニル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン、α，α′，α″−トリス（３，５−ジエチル−４−
ヒドロキシフエニル）１，３，５−トリイソプロピルベ
ンゼン、α，α′，α″−トリス（３，５−ジｎ−プロ
ピル−４−ヒドロキシフエニル）１，３，５−トリイソ
プロピルベンゼン、α，α′，α″−トリス（３，５−
ジイソプロピル−４−ヒドロキシフエニル）１，３，５
−トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″−トリス
（３，５−ジｎ−ブチル−４−ヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，α′，
α″−トリス（３−メチル−４−ヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，α′，
α″−トリス（３−メトキシ−４−ヒドロキシフエニ
ル）１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、α，
α′，α″−トリス（２，４−ジヒドロキシフエニル）
１，３，５−トリイソプロピルベンゼン、１，３，５−
トリス（３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフエニル）
ベンゼン、１，３，５−トリス（５−メチル−２−ヒド
ロキシフエニル）ベンゼン、２，４，６−トリス（３，
５−ジメチル−４−ヒドロキシフエニルチオメチル）メ
シチレン、１−〔α−メチル−α−（４′−ヒドロキシ
フエニル）エチル〕−４−〔α，α′−ビス（４″−ヒ
ドロキシフエニル）エチル〕ベンゼン、１−〔α−メチ
ル−α−（４′−ヒドロキシフエニル）エチル〕−３−
〔α，α′−ビス（４″−ヒドロキシフエニル）エチ
ル〕ベンゼン、１−〔α−メチル−α−（３′，５′−
ジメチル−４′−ヒドロキシフエニル）エチル〕−４−
〔α，α′−ビス（３″，５″−ジメチル−４″−ヒド
ロキシフエニル）エチル〕ベンゼン、１−〔α−メチル
−α−（３′−メチル−４′−ヒドロキシフエニル）エ
チル〕−４−〔α′，α′−ビス（３″−メチル−４″
−ヒドロキシフエニル）エチル〕ベンゼン、１−〔α−
メチル−α−（３′−メトキシ−４′−ヒドロキシフエ
ニル）エチル〕−４−〔α′，α′−ビス（３″−メト
キシ−４″−ヒドロキシフエニル）エチル〕ベンゼン、
１−〔α−メチル−α−（２′、４′−ジヒドロキシフ
エニル）エチル〕−４−〔α′，α′−ビス（４″−ヒ
ドロキシフエニル）エチル〕ベンゼン、１−〔α−メチ
ル−α−（２′、４′−ジヒドロキシフエニル）エチ
ル〕−３−〔α′，α′−ビス（４″−ヒドロキシフエ
ニル）エチル〕ベンゼン等の特開平４−２５３０５８号
公報に記載のポリヒドロキシ化合物、

【００３３】ｐ−ビス（２，３，４−トリヒドロキシベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，４，６−トリヒド
ロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス（２，３，４−
トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ−ビス（２，
４，６−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビ
ス（２，５−ジヒドロキシ−３−ブロムベンゾイル）ベ
ンゼン、ｐ−ビス（２，３，５−トリヒドロキシ−５−
メチルベンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，３，４−
トリヒドロキシ−５−メトキシベンゾイル）ベンゼン、
ｐ−ビス（２，３，４−トリヒドロキシ−５−ニトロベ
ンゾイル）ベンゼン、ｐ−ビス（２，３，４−トリヒド
ロキシ−５−シアノベンゾイル）ベンゼン、１，３，５
−トリス（２，５−ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼ
ン、１，３，５−トリス（２，３，４−トリヒドロキシ
ベンゾイル）ベンゼン、１，２，３−トリス（２，３，
４−トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１，２，４
−トリス（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）ベ
ンゼン、１，２，４，５−テトラキス（２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、α，α′−ビス
（２，３，４−トリヒドロキシベンゾイル）−ｐ−キシ
レン、α，α′，α′−トリス（２，３，４−トリヒド
ロキシベンゾイル）メシチレン、

【００３４】２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−３′，
５′−ジメチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２，６
−ビス（２′−ヒドロキシ−５′−メチル−ベンジル）
−ｐ−クレゾール、２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−
３′，５′−ジ−ｔ−ブチル−ベンジル）−ｐ−クレゾ
ール、２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−５′−エチル
−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２，６−ビス（２′，
４′−ジヒドロキシ−ベンジル）−ｐ−クレゾール、
２，６−ビス（２′−ヒドロキシ−３′−ｔ−ブチル−
５′−メチル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２，６−
ビス（２′，３′，４′−トリヒドロキシ−５′−アセ
チル−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２，６−ビス
（２′，４′，６′−トリヒドロキシ−ベンジル）−ｐ
−クレゾール、２，６−ビス（２′，３′，４′−トリ
ヒドロキシ−ベンジル）−ｐ−クレゾール、２，６−ビ
ス（２′，３′，４′−トリヒドロキシ−ベンジル）−
３，５−ジメチル−フエノール、４，６−ビス（４′−
ヒドロキシ−３′，５′−ジメチル−ベンジル）−ピロ
ガロール、４，６−ビス（４′−ヒドロキシ−３′，
５′−ジメトキシ−ベンジル）−ピロガロール、２，６
−ビス（４′−ヒドロキシ−３′，５′−ジメチル−ベ
ンジル）−１，３，４−トリヒドロキシ−フエノール、
４，６−ビス（２′，４′，６′−トリヒドロキシ−ベ
ンジル）−２，４−ジメチル−フエノール、４，６−ビ
ス（２′，３′，４′−トリヒドロキシ−ベンジル）−
２，５−ジメチル−フエノール、ノボラック樹脂等フエ
ノール樹脂の低核体及び次の一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）
で表わされるポリヒドロキシ化合物を挙げることができ
る。

【００３５】これらのポリヒドロキシ化合物のナフトキ
ノンジアジドエステル化合物は単独で、もしくは２種以
上の組合せで用いられる。

【００３６】一般式（Ｉ）

【００３７】

【化１】

【００３８】Ｒ₁ 〜Ｒ₄ ；単結合、Ｃ₁ 〜Ｃ₆ の直鎖も
しくは分岐アルキレン基、 Ｒ₅ 〜Ｒ₈ ；Ｃ₁ 〜Ｃ₄ アルキル、アルコキシ、アシル
基、ハロゲン、シアノ基、ニトロ基、 ｌ〜Ｑ；０〜３の整数。

【００３９】一般式（II）

【００４０】

【化２】

【００４１】ここで、Ｒ₉ 〜Ｒ₁₂；同一でも異なっても
良く、水素原子もしくは炭素数１〜８のアルキル基、 Ａ：−Ｓ−もしくは−ＳＯ₂ −、 を表わす。

【００４２】一般式（III)

【００４３】

【化３】

【００４４】ここで、Ｒ₁₃〜Ｒ₂₂；同一でも異なっても
良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール
基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、アラルキ
ル基、アルコキシカルボニル基、アリールカルボニル
基、アシロキシ基、ニトロ基もしくはシアノ基、（但
し、Ｒ₁₃，Ｒ₁₄のどちらか１つ又はいずれも水素原子以
外の基である場合はＲ₁₅，Ｒ₁₆のうち少なくとも１つは
水素原子ではなく、且つ、Ｒ₁₇，Ｒ₁₈のどちらか１つ又
はいずれも水素原子以外の基である場合はＲ₁₉，Ｒ₂₀の
うち少なくとも１つは水素原子ではない） ａ，ｂ：１もしくは２、 を表わす。

【００４５】一般式（IV)

【００４６】

【化４】

【００４７】ここで、Ｒ₂₃〜Ｒ₂₆；同一でも異なっても
良く、水素原子、水酸基、ハロゲン原子、アルキル基、
アリール基、アルコキシ基、アシル基、アルケニル基、
アラルキル基、アルコキシカルボニル基、アリールカル
ボニル基、アシロキシ基、ニトロ基、シアノ基もしく
は、

【００４８】

【化５】

【００４９】Ｒ₃₁〜Ｒ₃₄；同一でも異なっても良く、水
素原子、アルキル基もしくはアルコキシ基、 Ｒ₂₇〜Ｒ₃₀；同一でも異なっても良く、水素原子、水酸
基、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキ
シ基、アシル基、アルケニル基、アラルキル基。

【００５０】一般式（Ｖ）

【００５１】

【化６】

【００５２】ここで、Ｒ₃₅〜Ｒ₃₇；同一でも異なっても
良く、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基も
しくはアルコキシ基、 ｍ，ｎ，ｏ：１〜３の整数、 を表わす。

【００５３】一般式（VI）

【００５４】

【化７】

【００５５】一般式（VII)

【００５６】

【化８】

【００５７】ここで、Ｒ₃₈〜Ｒ₄₈；同一でも異なっても
良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキ
シ基もしくはシクロアルキル基を表わす。但し、少なく
とも１つはシクロアルキル基、 Ｒ₄₉〜Ｒ₅₉；同一でも異なっても良く、水素原子、ハロ
ゲン原子、アルキル基、アルコキシ基もしくはシクロア
ルキル基を表わす。但し、少なくとも１つはシクロアル
キル基、 を表わす。

【００５８】一般式（Ｉ）〜（ＶＩＩ）で表わされる化
合物の具体例としては、以下のものを挙げることができ
る。

【００５９】

【化９】

【００６０】

【化１０】

【００６１】

【化１１】

【００６２】

【化１２】

【００６３】

【化１３】

【００６４】

【化１４】

【００６５】

【化１５】

【００６６】

【化１６】

【００６７】本発明に用いるナフトキノンジアジド型溶
解阻止化合物は、例えば前記ポリヒドロキシ化合物の水
酸基の一部又は全部を、１，２−ナフトキノンジアジド
−５−（及び／又は−４−）スルホニルクロリドと、塩
基性触媒の存在下で、通常のエステル化反応を行うこと
により得られる。即ち、所定量のポリヒドロキシ化合物
と１，２−ナフトキノンジアジド−５−（及び／又は−
４−）スルホニルクロリド、ジオキサン・アセトン・メ
チルエチルケトン・Ｎ−メチルピロリドン等の溶媒をフ
ラスコ中に仕込み、塩基性触媒、例えば水酸化ナトリウ
ム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、トリエチル
アミン等を滴下して縮合させる。得られた生成物は、水
洗後精製し乾燥する。

【００６８】通常のエステル化反応においては、エステ
ル化数及びエステル化位置が種々異なる混合物が得られ
るが、合成条件またはポリヒドロキシ化合物の構造を選
択すれば、ある特定の異性体のみを選択的にエステル化
させることもできる。本発明でいうエステル化率は、こ
の混合物の平均値として定義される。

【００６９】このように定義されたエステル化率は、原
料であるポリヒドロキシ化合物と１，２−ナフトキノン
ジアジド−５−（及び／又は−４−）スルホニルクロリ
ドとの混合比により制御できる。即ち、添加された１，
２−ナフトキノンジアジド−５−（及び／又は−４−）
スルホニルクロリドは、実質上総てエステル化反応を起
こすので、所望のエステル化率の混合物を得るために
は、原料のモル比を調整すれば良い。

【００７０】必要に応じて、１，２−ナフトキノンジア
ジド−５−スルホン酸エステルと１，２−ナフトキノン
ジアジド−４−スルホン酸エステルを併用することもで
きる。また、前記方法における反応温度は、通常−２０
〜６０℃、好ましくは０〜４０℃である。

【００７１】前記のような方法で合成される本発明のナ
フトキノンジアジド型溶解阻止化合物は、樹脂組成物と
して使用する際に、単独でもしくは２種以上混合してア
ルカリ可溶性樹脂に配合して使用される。本発明に用い
る酸分解性基を有する分子量３，０００以下の低分子化
合物としては、以下に示す化合物を挙げることができる
が、これらに限定されるものではない。

【００７２】

【化１７】

【００７３】

【化１８】

【００７４】

【化１９】

【００７５】

【化２０】

【００７６】

【化２１】

【００７７】

【化２２】

【００７８】

【化２３】

【００７９】

【化２４】

【００８０】

【化２５】

【００８１】

【化２６】

【００８２】

【化２７】

【００８３】

【化２８】

【００８４】

【化２９】

【００８５】

【化３０】

【００８６】

【化３１】

【００８７】

【化３２】

【００８８】

【化３３】

【００８９】

【化３４】

【００９０】

【化３５】

【００９１】上記化合物（１）〜（６３）において、Ｒ
は水素原子、

【００９２】

【化３６】

【００９３】を表わす。但し、少なくとも２個、もしく
は構造により３個は水素原子以外の基であり、各置換基
Ｒは同一の基でなくても良い。

【００９４】本発明に用いられるアルカリ可溶性樹脂と
しては、例えばノボラック樹脂、水素化ノボラック樹
脂、アセトン−ピロガロール樹脂、ポリヒドロキシスチ
レン、ハロゲンもしくはアルキル置換ポリヒドロキシス
チレン、ヒドロキシスチレン−Ｎ−置換マレイミド共重
合体、ポリヒドロキシスチレンの一部Ｏ−アルキル化物
もしくはＯ−アシル化物、スチレン−無水マレイン酸共
重合体、カルボキシル基含有メタクリル系樹脂及びその
誘導体を挙げることができるが、これらに限定されるも
のではない。

【００９５】特に好ましいアルカリ可溶性樹脂はノボラ
ック樹脂及びポリヒドロキシスチレンである。該ノボラ
ック樹脂は所定のモノマーを主成分として、酸性触媒の
存在下、アルデヒド類と付加縮合させることにより得ら
れる。

【００９６】所定のモノマーとしては、フエノール、ｍ
−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−クレゾール等のク
レゾール類、２，５−キシレノール、３，５−キシレノ
ール、３，４−キシレノール、２，３−キシレノール等
のキシレノール類、ｍ−エチルフエノール、ｐ−エチル
フエノール、ｏ−エチルフエノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
エノール、ｐ−オクチルフエノール、２，３，５−トリ
メチルフエノール等のアルキルフエノール類、ｐ−メト
キシフエノール、ｍ−メトキシフエノール、３，５−ジ
メトキシフエノール、２−メトキシ−４−メチルフエノ
ール、ｍ−エトキシフエノール、ｐ−エトキシフエノー
ル、ｍ−プロポキシフエノール、ｐ−プロポキシフエノ
ール、ｍ−ブトキシフエノール、ｐ−ブトキシフエノー
ル等のアルコキシフエノール類、２−メチル−４−イソ
プロピルフエノール等のビスアルキルフエノール類、ｍ
−クロロフエノール、ｐ−クロロフエノール、ｏ−クロ
ロフエノール、ジヒドロキシビフェニル、ビスフエノー
ルＡ、フェニルフエノール、レゾルシノール、ナフトー
ル等のヒドロキシ芳香化合物を単独もしくは２種類以上
混合して使用することができるが、これらに限定される
ものではない。

【００９７】アルデヒド類としては、例えばホルムアル
デヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プ
ロピルアルデヒド、ベンズアルデヒド、フェニルアセト
アルデヒド、α−フェニルプロピルアルデヒド、β−フ
ェニルプロピルアルデヒド、ｏ−ヒドロキシベンズアル
デヒド、ｍ−ヒドロキシベンズアルデヒド、ｐ−ヒドロ
キシベンズアルデヒド、ｏ−クロロベンズアルデヒド、
ｍ−クロロベンズアルデヒド、ｐ−クロロベンズアルデ
ヒド、ｏ−ニトロベンズアルデヒド、ｍ−ニトロベンズ
アルデヒド、ｐ−ニトロベンズアルデヒド、ｏ−メチル
ベンズアルデヒド、ｍ−メチルベンズアルデヒド、ｐ−
メチルベンズアルデヒド、ｐ−エチルベンズアルデヒ
ド、ｐ−ｎ−ブチルベンズアルデヒド、フルフラール、
クロロアセトアルデヒド及びこれらのアセタール体、例
えばクロロアセトアルデヒドジエチルアセタール等を使
用することができるが、これらの中で、ホルムアルデヒ
ドを使用するのが好ましい。

【００９８】これらのアルデヒド類は、単独でもしくは
２種類以上組み合わせて用いられる。酸性触媒としては
塩酸、硫酸、ギ酸、酢酸、シュウ酸等を使用することが
できる。こうして得られたノボラック樹脂の重量平均分
子量は、１，０００〜３０，０００の範囲であることが
好ましい。１，０００未満では未露光部の現像後の膜減
りが大きく、３０，０００を越えると現像速度が小さく
なってしまう。特に好適なのは２，０００〜２０，００
０の範囲である。

【００９９】ここで、重量平均分子量はゲルバーミエー
ションクロマトグラフィーのポリスチレン換算値をもっ
て定義される。本発明に於けるこれらのアルカリ可溶性
樹脂は２種類以上混合して使用しても良い。アルカリ可
溶性樹脂の使用量は、感光性組成物の全重量（溶媒を除
く）を基準として、３０〜９５重量％、好ましくは３５
〜９０重量％である。

【０１００】本発明で使用される光酸発生剤は、活性光
線または放射線の照射により分解して酸を発生する化合
物であり、そのような化合物としては、光カチオン重合
の光開始剤、光ラジカル重合の光開始剤、色素類の光消
色剤、光変色剤、あるいはマイクロレジスト等に使用さ
れている公知の光により酸を発生する化合物およびそれ
らの混合物を適宜に選択して使用することができる。

【０１０１】たとえば、Ｓ．Ｉ．Ｓｃｈｌｅｓｉｎｇｅ
ｒ，Ｐｈｏｔｏｇｒ．Ｓｃｉ．Ｅｎｇ．，１８，３８７
（１９７４）、Ｔ．Ｓ．Ｂａｌ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ，２１，４２３（１９８０）等に記載のジアゾニウ
ム塩、米国特許第４，０６９，０５５号、同４，０６
９，０５６号、同Ｒｅ２７，９９２号各明細書、特願平
３−１４０１４０号公報等に記載のアンモニウム基、
Ｄ．Ｃ．Ｎｅｃｋｅｒ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅ
ｃｕｌｅｓ，１７，２４６８（１９８４）、Ｃ．Ｓ．Ｗ
ｅｎ ｅｔａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎｆ．Ｒａ
ｄ．Ｃｕｒｉｎｇ ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏｋｙｏ，
Ｏｃｔ（１９８８）、米国特許第４，０６９，０５５
号、同４，０６９，０５６号各明細書等に記載のホスホ
ニウム基、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｍａ
ｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１
９７７）、Ｃｈｅｍ，＆ Ｅｎｇ，Ｎｅｗｓ，Ｎｏｖ．
２８，ｐ３１（１９８８）、欧州特許第１０４，１４３
号、米国特許第３３９，０４９号、同第４１０，２０１
号各明細書、特開平２−１５０，８４８号、特開平２−
２９６，５１４号公報等に記載のヨードニウム塩、Ｊ．
Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｊ．１７，７３（１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌ
ｏ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，３０５
５（１９７８）、Ｗ．Ｒ．Ｗａｔｔ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．
Ｅｄ．，２２，１７８９（１９８４）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉ
ｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｂｕｌｌ．，
１４，２７９（１９８５）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ
ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅｃｕｌｅｓ，１４
（５），１１４１（１９８１）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌ
ｌｏ ｅｔａｌ，Ｊ．ＰｏｌｙｍｅｒＳｃｉ．，Ｐｏｌ
ｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１７，２８７７（１９７
９）、欧州特許第３７０，６９３号、同３，９０２，１
１４号、同２３３，５６７号、同２９７，４４３号、同
２９７，４４２号、米国特許第４，９３３，３７７号、
同１６１，８１１号、同４１０，２０１号、同３３９，
０４９号、同４，７６０，０１３号、同４，７３４，４
４４号、同２，８３３，８２７号、独国特許第２，９０
４，６２６号、同３，６０４，５８０号、同３，６０
４，５８１号各明細書等に記載のスルホニウム基、Ｊ．
Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｒｅ
ｃｕｌｅｓ，１０（６），１３０７（１９７７）、Ｊ．
Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ
Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１
７，１０４７（１９７９）等に記載のセレノニウム塩、
Ｃ．Ｓ．Ｗｅｎ ｅｔａｌ，Ｔｅｈ，Ｐｒｏｃ．Ｃｏｎ
ｆ．Ｒａｄ．Ｃｕｒｉｎｇ ＡＳＩＡ，ｐ４７８ Ｔｏ
ｋｙｏ，Ｏｃｔ（１９８８）等に記載のアルミニウム塩
等のオニウム塩、米国特許第３，９０５，８１５号明細
書、特公昭４６−４６０５号、特開昭４８−３６２８１
号、特開昭５５−３２０７０号、特開昭６０−２３９７
３６号、特開昭６１−１６９８３５号、特開昭６１−１
６９８３７号、特開昭６２−５８２４１号、特開昭６２
−２１２４０１号、特開昭６３−７０２４３号、特開昭
６３−２９８３３９号各公報等に記載の有機ハロゲン化
合物、Ｋ．Ｍｅｉｅｒ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｒａｄ．Ｃｕｒ
ｉｎｇ，１３（４），２６（１９８６）、Ｔ．Ｐ．Ｇｉ
ｌｌ，ｅｔａｌ，Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，１９，３０
０７（１９８０）、Ｄ．Ａｓｔｒｕｃ，Ａｃｃ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｒｅｓ．，１９（１２），３７７（１８９６）、特
開平２−１６１４４５号公報等に記載の有機金属／有機
ハロゲン化物、Ｓ．Ｈａｙａｓｅ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｐｏ
ｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，２５，７５３（１９８７）、
Ｅ．Ｒｅｉｃｈｍａｎｉｓ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙｍ
ｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｈｏｌｙｍｅｒ Ｃｈｅｍ．Ｅ
ｄ．，２３，１（１９８５）、Ｑ．Ｑ．Ｚｈｕ ｅｔａ
ｌ，Ｊ．Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍ．，３６，８５，３９，３
１７（１９８７）、Ｂ．Ａｍｉｔ ｅｔａｌ，Ｔｅｔｒ
ａｈｅｄｒｏｎＬｅｔｔ．，（２４）２２０５（１９７
３）、Ｄ．Ｈ．Ｒ．Ｂａｒｔｏｎ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｃｈ
ｅｍ Ｓｏｃ．，３５７１（１９６５）、Ｐ．Ｍ．Ｃｏ
ｌｌｉｎｓ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｐｅ
ｒｋｉｎ Ｉ，１６９５（１９７５）、Ｍ．Ｒｕｄｉｎ
ｓｔｅｉｎ ｅｔａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅ
ｔｔ．，（１７），１４４５（１９７５）、Ｊ．Ｗ．Ｗ
ａｌｋｅｒ ｅｔａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，１１０，７１７０（１９８８）、Ｓ．Ｃ．Ｂｕｓ
ｍａｎ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｉｍａｇｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，１１（４），１９１（１９８５）、Ｈ．Ｍ．Ｈｏ
ｕｌｉｈａｎ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ
ｓ，２１，２００１（１９８８）、Ｐ．Ｍ．Ｃｏｌｌｉ
ｎｓ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，Ｃｈｅｍ．
Ｃｏｍｍｕｎ．，５３２（１９７２）、Ｓ．Ｈａｙａｓ
ｅ ｅｔａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅｃｕｌｅ
ｓ，１８，１７９９（１９８５）、Ｅ．Ｒｅｉｃｈｍａ
ｎｉｓ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．，Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏ
ｌ．，１３０（６）、Ｆ．Ｍ．Ｈｏｕｌｉｈａｎ ｅｔ
ａｌ，Ｍａｃｒｏｍｏｌｃｕｌｅｓ，２１，２００１
（１９８８）、欧州特許第０２９０，７５０号、同０４
６，０８３号、同１５６，５３５号、同２７１，８５１
号、同０，３８８，３４３号、米国特許第３，９０１，
７１０号、同４，１８１，５３１号各明細書、特開昭６
０−１９８５３８号、特開昭５３−１３３０２２号各公
報等に記載のｏ−ニトロベンジル型保護基を有する光酸
発生剤、Ｍ．ＴＵＮＯＯＫＡ ｅｔａｌ，Ｐｏｌｙｍｅ
ｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ Ｊａｐａｎ，３５（８）、
Ｇ．Ｂｅｒｎｅｒ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｒｅｄ．Ｃｕｒｉｎ
ｇ，１３（４）、Ｗ．Ｊ．Ｍｉｊｓｅｔａｌ，Ｃｏａｔ
ｉｎｇ Ｔｅｃｈｎｏｌ．，５５（６９７），４５（１
９８３）、Ａｋｚｏ、Ｈ．Ａｄａｃｈｉ ｅｔａｌ，Ｐ
ｏｌｙｍｅｒ Ｐｒｅｐｒｉｎｔｓ Ｊａｐａｎ，３７
（３）、欧州特許第０１９９，６７２号、同８４，５１
５号、同１９９，６７２号、同０４４，１１５号、同０
１０１，１２２号、米国特許第４，６１８，５６４号、
同４，３７１，６０５号、同４，４３１，７７４号各明
細書、特開昭６４−１８１４３号、特開平２−２４５７
５６号各公報、特願平３−１４０１０９号明細書等に記
載のイミノスルフォネート等に代表される光分解してス
ルホン酸を発生する化合物、特開昭６１−１６６５４４
号公報等に記載のジスルホン化合物を挙げることができ
る。

【０１０２】また、これらの光により酸を発生する基、
あるいは化合物をポリマーの主鎖または側鎖に導入した
化合物、例えば、Ｍ．Ｅ．Ｗｏｏｄｈｏｕｓｅ ｅｔａ
ｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１０４，５５８６
（１９８２）、Ｓ．Ｐ．Ｐａｐｐａｓ ｅｔａｌ，Ｊ．
Ｉｍａｇｉｎｇ Ｓｃｉ．，３０（５），２１８（１９
８６）、Ｓ．Ｋｏｎｄｏ ｅｔａｌ，Ｍａｋｒｏｍｏ
ｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｒａｐｉｄ Ｃｏｍｍｕｎ．，９，６
２５（１９８８）、Ｙ．Ｙａｍａｄａ ｅｔａｌ，Ｍａ
ｋｒｏｍｏｌ，Ｃｈｅｍ．，１５２，１５３，１６３
（１９７２）、Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，
Ｊ．Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉ．，Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｃｈ
ｅｍ．Ｅｄ．，１７，３８４５（１９７９）、米国特許
第３，８４９，１３７号、独国特許第３，９１４，４０
７号各明細書、特開昭６３−２６６５３号、特開昭５５
−１６４８２４号、特開昭６２−６９２６３号、特開昭
６３−１４６０３８号、特開昭６３−１６３４５２号、
特開昭６２−１５３８５３号、特開昭６３−１４６０２
９号公報等に記載の化合物を用いることができる。

【０１０３】さらに、Ｖ．Ｎ．Ｒ．Ｐｉｌｌａｉ，Ｓｙ
ｎｔｈｅｓｉｓ，（１），１（１９８０）、Ａ．Ａｂａ
ｄ ｅｔａｌ，Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，
（４７）４５５５（１９７１）、Ｄ．Ｈ．Ｒ．Ｂａｒｔ
ｏｎ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，（Ｃ），３
２９（１９７０）、米国特許第３，７７９，７７８号、
欧州特許第１２６，７１２号各明細書等に記載の光によ
り酸を発生する化合物も使用することができる。

【０１０４】上記活性光線または放射線の照射により分
解して酸を発生する化合物の中で、特に有効に用いられ
るものについて以下に説明する。 （１）トリハロメチル基が置換した下記一般式（ＰＡＧ
１）で表されるオキサゾール誘導体または一般式（ＰＡ
Ｇ２）で表されるＳ−トリアジン誘導体。

【０１０５】

【化３７】

【０１０６】式中、Ｒ¹ は置換もしくは未置換のアリー
ル基、アルケニル基、Ｒ² は置換もしくは未置換のアリ
ール基、アルケニル基、アルキル基、−ＣＹ₃ をしめ
す。Ｙは塩素原子または臭素原子を示す。具体的には以
下の化合物を挙げることができるがこれらに限定される
ものではない。

【０１０７】

【化３８】

【０１０８】

【化３９】

【０１０９】

【化４０】

【０１１０】（２）下記の一般式（ＰＡＧ３）で表され
るヨードニウム塩、または一般式（ＰＡＧ４）で表され
るスルホニウム塩。

【０１１１】

【化４１】

【０１１２】ここで式Ａｒ¹ 、Ａｒ² は各々独立に置換
もしくは未置換のアリール基を示す。好ましい置換基と
しては、アルキル基、ハロアルキル基、シクロアルキル
基、アリール基、アルコキシ基、ニトロ基、カルボキシ
ル基、アルコキシカルボニル基、ヒロドキシ基、メルカ
プト基およびハロゲン原子が挙げられる。

【０１１３】Ｒ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ は各々独立に、置換もし
くは未置換のアルキル基、アリール基を示す。好ましく
は炭素数６〜１４のアリール基、炭素数１〜８のアルキ
ル基およびそれらの置換誘導体である。好ましい置換基
としては、アリール基に対しては炭素数１〜８のアルコ
キシ基、炭素数１〜８のアルキル基、ニトロ基、カルボ
キシル基、ヒドロキシ基およびハロゲン原子であり、ア
ルキル基に対しては炭素数１〜８のアルコキシ基、カル
ボキシル基、アルコキシカルボニル基である。

【０１１４】Ｚ^- は対アニオンを示し、例えばＢ
Ｆ₄ ^- ，ＡｓＦ₆ ^- ，ＰＦ₆ ^- ，ＳｂＦ₆ ^- ，ＳｉＦ₆
^2-，ＣｌＯ₄ ^- ，ＣＦ₃ ＳＯ₃ ^- 等のパーフルオロアル
カンスルホン酸アニオン、ペンタフルオロベンゼンスル
ホン酸アニオン、ナフタレン−１−スルホン酸アニオン
等の縮合多核芳香族スルホン酸アニオン、アントラキノ
ンスルホン酸アニオン、スルホン酸基含有染料等を挙げ
ることができるがこれらに限定されるものではない。

【０１１５】またＲ³ ，Ｒ⁴ ，Ｒ⁵ のうちの２つおよび
Ａｒ¹ ，Ａｒ² はそれぞれの単結合または置換基を介し
て結合してもよい。具体例としては以下に示す化合物が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【０１１６】

【化４２】

【０１１７】

【化４３】

【０１１８】

【化４４】

【０１１９】

【化４５】

【０１２０】

【化４６】

【０１２１】

【化４７】

【０１２２】

【化４８】

【０１２３】

【化４９】

【０１２４】

【化５０】

【０１２５】

【化５１】

【０１２６】

【化５２】

【０１２７】

【化５３】

【０１２８】一般式（ＰＡＧ３）、（ＰＡＧ４）で示さ
れる上記オニウム塩は公知であり、たとえば、Ｊ．Ｗ．
Ｋｎａｐｃｚｙｋ ｅｔａｌ，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓ
ｏｃ．，９１，１４５（１９６９）、Ａ．Ｌ．Ｍａｙｃ
ｏｋ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，３５，２５
３２（１９７０）、Ｅ．Ｇｏｅｔｈａｓ ｅｔａｌ，Ｂ
ｕｌｌ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｂｅｌｇ．，７３，５４６
（１９６４）、Ｈ．Ｍ．Ｌｅｉｃｅｓｔｅｒ、Ｊ．Ａｍ
ｅ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．５１，３５８７（１９２９）、
Ｊ．Ｖ．Ｃｒｉｖｅｌｌｏ ｅｔａｌ，Ｊ．Ｐｏｌｙ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｅｄ．，１８，２６７７（１９８０）、
米国特許第２，８０７，６４８号および同４，２４７，
４７３号各明細書、特開昭５３−１０１３３１号公報等
に記載の方法により合成することができる。

【０１２９】（３）下記一般式（ＰＡＧ５）で表される
ジスルホン誘導体または一般式（６ＡＧ５）で表される
イミノスルホネート誘導体。

【０１３０】

【化５４】

【０１３１】式中、Ａｒ³ ，Ａｒ⁴ は各々独立に置換も
しくは未置換のアリール基を示す。Ｒ⁶ は置換もしくは
未置換のアルキル基、アリール基を示す。Ａは置換もし
くは未置換のアルキレン基、アルケニレン基、アリーレ
ン基を示す。具体例としては以下に示す化合物が挙げら
れるが、これらに限定されるものではない。

【０１３２】

【化５５】

【０１３３】

【化５６】

【０１３４】

【化５７】

【０１３５】

【化５８】

【０１３６】

【化５９】

【０１３７】これらの活性光線または放射線の照射によ
り分解して酸を発生する化合物の添加量は、感光性組成
物の全重量（塗布溶媒を除く）を基準として通常０．０
０１〜４０重量％の範囲で用いられ、好ましくは０．０
１〜２０重量％、更に好ましくは０．１〜５重量％の範
囲で使用される。

【０１３８】本発明に係るポジ型フォトレジスト組成物
で使用できる増感剤としては露光波長に吸収を持ち、且
つ分子内に少なくとも１つのアルカリ可溶性基を有する
化合物が挙げられる。増感剤のアルカリ可溶性置換基と
しては、−ＯＨ、−ＣＯ₂ Ｈ、−ＳＯ₃ Ｈ、−Ｘ¹ −Ｃ
Ｏ₂ Ｈ、−Ｘ¹ −ＳＯ₃ Ｈ、−Ｘ² −ＣＯ₂ Ｈ、−Ｘ ²
−ＳＯ₃ Ｈ、−Ｘ² −ＯＨが挙げられる。Ｘ¹ は炭素数
１〜８の直鎖又は分岐したアルチレン基、置換アルキレ
ン基、アルケニレン基、及び−Ｏ−Ｘ³ 、−ＮＨ−
Ｘ³ 、−Ｓ−Ｘ³ 、−ＯＣＯ−Ｘ³ 、−ＮＨ−ＣＯ−Ｘ
³ −、−Ｓ−ＣＯＸ ³ 、−ＯＣＯＯ−Ｘ³ （Ｘ³ は炭素
数１〜６のアルキレン基を示す）、Ｘ² は炭素数６〜１
４の無置換または置換アリーレン基を表す。

【０１３９】増感剤としては、例えば

【０１４０】

【化６０】

【０１４１】

【化６１】

【０１４２】（式中Ｒ¹ 〜Ｒ¹²は、それぞれ独立に前記
アルカリ可溶性基、水素、ハロゲン、シアノ基、炭素数
１〜６のアルキル基、アルコキシ基、チオアルコキシ
基、アルキルアミノ基、ヒドロキシアルキル基、−ＣＯ
₂ Ｘ⁴ 、−ＳＯ₃ Ｘ⁴ 、−ＯＣＯ−Ｘ⁴ 、−ＮＨＣＯ−
Ｘ⁴ 、−Ｓ−ＣＯ−Ｘ⁴ 、−ＯＣＨ₂ ＣＯ₂ Ｘ⁴ 、−Ｎ
ＨＣＨ₂ ＣＯ₂ Ｘ⁴ 、−ＳＣＨ₂ ＣＯ₂ Ｘ⁴ 、炭素数６
〜１０のアリール基を表わす。−Ｘ⁴ は炭素数１〜６の
アルキル基、ヒドロキシアルキル基を表す。ただし、上
記化６０、化６１に示された化合物は、１分子中に少な
くとも１つアルカリ可溶性基を有する。）等が挙げられ
るが、他の増感剤にアルカリ可溶性基を導入したもので
も良い。

【０１４３】好ましい増感剤の具体例としては、

【０１４４】

【化６２】

【０１４５】

【化６３】

【０１４６】

【化６４】

【０１４７】

【化６５】

【０１４８】（式中Ｒは炭素数１〜８の直鎖または分岐
したアルキル基、環状アルキル基、炭素数６〜１４のア
リール基を表す。例えば、メチル基、エチル基、シクロ
ヘキシル基、フェニル基、アントラニル基をあげること
ができる。）等が挙げられるが、これらに限定されるも
のではない。

【０１４９】本発明の感光性組成物には必要に応じて、
更に染料、顔料、可塑剤、界面活性剤、光増感剤及び現
像液に対する溶解性を促進させるフエノール性ＯＨ基を
２個以上有する化合物などを含有させることができる。
好適な染料としては油性染料及び塩基性染料がある。具
体的にはオイルイエロー＃１０１、オイルイエロー＃１
０３、オイルピンク＃３１２、オイルグリーンＢＧ、オ
イルブルーＢＯＳ、オイルブルー＃６０３、オイルブラ
ックＢＹ、オイルブラックＢＳ、オイルブラックＴ−５
０５（以上オリエント化学工業株式会社製）、クリスタ
ルバイオレット（ＣＩ４２５５５）、メチルバイオレッ
ト（ＣＩ４２５３５）、ローダミンＢ（ＣＩ４５１７０
Ｂ）、マラカイトグリーン（ＣＩ４２０００）、メチレ
ンブルー（ＣＩ５２０１５）等を挙げることができる。

【０１５０】本発明の組成物は、更に現像液への溶解促
進のために、ポリヒドロキシ化合物を含有することがで
きる。好ましいポリヒドロキシ化合物としては、フエノ
ール類、レゾルシン、フロログルシン、２，３，４−ト
リヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，４′−テト
ラヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，
４′，５′−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、アセト
ン−ピロガロール縮合樹脂、フロログルシド、２，４，
２′，４′−ビフェニルテトロール、４，４′−チオビ
ス（１，３−ジヒドロキシ）ベンゼン、２，２′，４，
４′−テトラヒドロキシジフェニルエーテル、２，
２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェニルスルフォ
キシド、２，２′，４，４′−テトラヒドロキシジフェ
ニルスルフォン、トリス（４−ヒドロキシフェニル）メ
タン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロ
ヘキサン、４，４′−（α−メチルベンジリデン）ビス
フエノール、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシ
ジフェニル）−１，３，５−トリイソプロピルベンゼ
ン、α，α′，α″−トリス（４−ヒドロキシジフェニ
ル）−１−エチル−４−イソプロピルベンゼン等を挙げ
ることができる。

【０１５１】これらのポリヒドロキシ化合物は、キノン
ジアジド化合物１００重量部に対して、通常１００重量
部以下、好ましくは５〜５０重量部以下の割合で配合す
ることができる。

【０１５２】本発明のアルカリ可溶性樹脂などのレジス
ト組成物を溶解させる溶剤としては、エチレングリコー
ルモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチル
エーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソ
ルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエー
テル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロ
ピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレ
ングリコールプロピルエーテルアセテート、トルエン、
キシレン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２
−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２
−メチルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒ
ドロキシ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタ
ン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メ
トキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸
エチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、ピルビン酸
メチル、ピルビン酸エチル、酢酸エチル、酢酸ブチル等
を用いることができる。これらの有機溶剤は単独で、又
は２種以上の組み合わせで使用される。

【０１５３】更に、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−
ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジ
メチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル等の高沸
点溶剤を混合して使用することができる。

【０１５４】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物に
は、ストリエーション等の塗布性を更に向上させるため
に、界面活性剤を配合する事ができる。界面活性剤とし
ては、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポ
リオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチ
レンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエー
テル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリ
オキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキ
シエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエ
チレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン
・ポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビ
タンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソ
ルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエー
ト、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステア
レート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエ
チレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレン
ソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソル
ビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタ
ントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリ
ステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸
エステル類等のノニオン系界面活性剤、エフトップＥＦ
３０１，ＥＦ３０３，ＥＦ３５２（新秋田化成（株）
製）、メガファックＦ１７１，Ｆ１７３（大日本インキ
（株）製）、フロラードＦＣ４３０，ＦＣ４３１（住友
スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サー
フロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０
３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子
（株）製）等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサ
ンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）やアク
リル酸系もしくはメタクリル酸系（共）重合ポリフロー
Ｎｏ．７５，Ｎｏ．９５（共栄社油脂化学工業（株）
製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤の配
合量は、本発明の組成物中のアルカリ可溶性樹脂及びキ
ノンジアジド化合物１００重量部当たり、通常、２重量
部以下、好ましくは１重量部以下である。

【０１５５】これらの界面活性剤は単独で添加してもよ
いし、また、いくつかの組み合わせで添加することもで
きる。

【０１５６】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物の
現像液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、
炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリ
ウム、アンモニア水等の無機アルカリ類、エチルアミ
ン、ｎ−プロピルアミン等の第一アミン類、ジエチルア
ミン、ジ−ｎ−ブチルアミン等の第二アミン類、トリエ
チルアミン、メチルジエチルアミン等の第三アミン類、
ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン等の
アルコールアミン類、テトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第
四級アンモニウム塩、ピロール、ピペリジン等の環状ア
ミン類、等のアルカリ類の水溶液を使用することができ
る。更に、上記アルカリ類の水溶液にアルコール類、界
面活性剤を適当量添加して使用することもできる。

【０１５７】本発明のポジ型フォトレジスト用組成物に
は、必要に応じ、染料、可塑剤、接着助剤を配合するこ
とができる。その具体例としては、メチルバイオレッ
ト、クリスタルバイオレット、マラカイトグリーン等の
染料、ステアリン酸、アセタール樹脂、フェノキシ樹
脂、アルキッド樹脂等の可塑剤、ヘキサメチルジシラザ
ン、クロロメチルシラン等の接着助剤がある。

【０１５８】上記ポジ型フォトレジスト用組成物を精密
集積回路素子の製造に使用されるような基板（例：シリ
コン／二酸化シリコン被覆）上にスピナー、コーター等
の適当な塗布方法により塗布後プリベークして、所定の
マスクを通して露光し、必要に応じて後加熱（ＰＥＢ：
Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ）を行い、現
像、リンス、乾燥することにより良好なレジストを得る
ことができる。

【０１５９】

【実施例】以下、実施例により本発明に係るポジ型フォ
トレジスト組成物をより明確にする。

【０１６０】合成例（１） ノボラック樹脂（Ａ１）の
合成 ｍ−クレゾール６０ｇ、ｐ−クレゾール２０ｇ、２，５
−キシレノール２２ｇ、３７％ホルマリン水溶液５３ｇ
及びシュウ酸０．１５ｇを三つ口フラスコに仕込み、攪
拌しながら１００℃まで昇温し１２時間反応させた。そ
の後温度を２００℃まで上げ、徐々に１ｍｍＨｇまで減
圧し、水、未反応のモノマー、ホルムアルデヒド、シュ
ウ酸等を除去した。次いで溶融したノボラック樹脂を室
温に戻して回収した。得られたノボラック樹脂は重量平
均分子量４５００（ポリスチレン換算）であった。次い
でこのノボラック樹脂２０ｇをメタノール６０ｇに完全
に溶融した後、これに水３０ｇを攪拌しながら徐々に加
え、樹脂成分を沈澱させた。上層をデカンテーションに
より除去し、沈澱した樹脂分を回収して４０℃に加熱
し、減圧下で２４時間乾燥させてアルカリ可溶性ノボラ
ック樹脂Ａ１を得た。得られたノボラック樹脂は、重量
平均分子量９８００（ポリスチレン換算）であった。

【０１６１】合成例（２） ノボラック樹脂（Ａ２）の
合成 ２，３−ジメチルフェノール１７５．６２ｇ、２，３，
５−トリメチルフェノール６８．１０ｇ、メチレンビス
−ｐ−クレゾール３５．６７ｇ、２，６−ジメチルフェ
ノール２４．４３ｇおよびｏ−クレゾール５．４１ｇ
と、ホルマリン水溶液（３７．１０％）１６５．０７ｇ
および３−エトキシプロピオン酸エチル５０．０ｇと
を、攪拌機、還流冷却管及び温度計を取り付けた１リッ
トルの三つ口フラスコに仕込み、６０℃で攪拌下、脱イ
オン水２４．００ｇに溶解したシュウ酸２水和物９．４
６ｇを添加した。６０℃で１時間攪拌した後、油浴の温
度を１時間かけて１３０℃に昇温させ内容物をリフラッ
クスさせた。浴温が１３０℃に到達してから１０時間攪
拌を続けたところで、３−エトキシプロピオン酸エチル
２５．００ｇを添加した。さらに６時間１３０℃で加熱
を続けた後、再度３−エトキシプロピオン酸エチル２
５．００ｇを加えてから還流冷却管をリービッヒコンデ
ンサーに取り替え、浴温を２時間３０分かけて２００℃
まで昇温させ、未反応のホルマリン、水等を除去した。
浴温が２００℃に到達した後さらに２時間３０分留去を
続け、その後浴温を１８０℃まで冷却した。内温が１８
０℃以下になったところで２−ヒドロキシプロピオン酸
エチル５８０．００ｇをゆっくり添加しノボラック樹脂
溶液を得た。得られたノボラック樹脂Ａ２の重量平均分
子量（ＧＰＣポリスチレン換算）は２０１０であった。

【０１６２】合成例（３） 感光物（Ｂ１）の合成 下記化合物（Ｂ１′）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニルクロリド６．５ｇ及びアセトン
８０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解した。
次いでトリエチルアミン／アセトン＝２．６ｇ／１５ｍ
ｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応させ
た。反応混合液を１％塩酸水溶液４００ｍｌ中に注ぎ、
生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行い感
光物（Ｂ１）を得た。

【０１６３】

【化６６】

【０１６４】合成例（４） 感光物（Ｂ２）の合成 下記化合物（Ｂ２′）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニルクロリド１６．５ｇ及びアセト
ン２００ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解し
た。次いでトリエチルアミン／アセトン＝６．３ｇ／２
７ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応さ
せた。反応混合液を１％塩酸水溶液９００ｍｌ中に注
ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行
い感光物（Ｂ２）を得た。

【０１６５】

【化６７】

【０１６６】合成例（５） 感光物（Ｂ３）の合成 下記化合物（Ｂ３′）１０ｇ、１，２−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホニルクロリド１０．４ｇ及びアセト
ン１３０ｍｌを３つ口フラスコに仕込み、均一に溶解し
た。次いでトリエチルアミン／アセトン＝４．１ｇ／２
５ｍｌの混合液を徐々に滴下し、２５℃で３時間反応さ
せた。反応混合液を１％塩酸水溶液６５０ｍｌ中に注
ぎ、生じた沈澱物を濾別し、水洗・乾燥（４０℃）を行
い感光物（Ｂ３）を得た。

【０１６７】

【化６８】

【０１６８】合成例（６） 化合物（Ｃ）の合成 下記化合物（Ｃ′）４４ｇ（０．１０モル）をＮ，Ｎ−
ジメチルアセトアミド３００ｍｌに溶解し、これに炭酸
カリウム７０．２ｇ（０．４９７モル）、及びブロモ酢
酸ｔ−ブチル８９．８ｇ（０．４６４モル）を添加し
た。その後、１２０℃にて７時間攪拌した。その後、反
応混合物を水１．５リットルに投入し、酢酸エチルにて
抽出した。硫酸マグネシウムにて乾燥後、抽出液を濃縮
し、カラムクロマトグラフィー（担体：シリカゲル、展
開溶媒：酢酸エチル／ｎ−ヘキサン＝２／８（体積
比））にて精製した結果、淡黄色粉体１３５ｇを得た。
ＮＭＲにより、これが化合物例（６０：Ｒは総て−ＣＨ
₂ ＣＯＯ−Ｃ₄ Ｈ₉ ^t 基）であることを確認した。

【０１６９】

【化６９】

【０１７０】〔実施例１〜６〕上記化合物で示した化合
物、及び下記アルカリ溶解促進剤（Ｅ）増感剤（Ｆ１〜
Ｆ３）を用いシジストを調製した。その時の処方を表−
１に示した。

【０１７１】

【化７０】

【０１７２】〔比較例１及び２〕実施例で用いた化合物
のうち、増感剤（Ｆ１〜Ｆ３）の代わりに下記（Ｆ４）
を用いレジスト液を調製した。その処方を表−１に示し
た。

【０１７３】

【化７１】

【０１７４】

【表１】

【０１７５】〔感光性組成物の調製と評価〕表−１に示
した各素材をジエチレングリコールジメチルエーテル３
０ｇに溶解し、０．２μｍのフィルターで濾過してレジ
スト液を調製した。このレジスト組成物をスピナーを用
いてシリコンウエハーに塗布し、真空吸着式ホットプレ
ートで１２０℃、６０秒間乾燥して、膜厚０．９７μｍ
のレジスト膜を得た。

【０１７６】この膜に縮小投影露光装置（ニコン社製縮
小投影露光装置ＮＳＲ−２００５ｉ９Ｃ）を用い露光し
た後、１１０℃で６０秒間ＰＥＢを行い、３．０％のテ
トラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液で１分間現
像し、３０秒間水洗して乾燥した。このようにして得ら
れたシリコンウエハーのレジストパターンを走査型電子
顕微鏡で観察し、レジストを評価した。結果を表−２並
びに表−３に示す。

【０１７７】感度は０．６０μｍのマスクパターンを再
現する露光量の逆数をもって定義し、比較例１における
感度に対する相対値で示した。解像力は、０．６０μｍ
のマクスパターンを再現する露光量における限界解像力
を表す。スカムは０．６０μｍのマクスパターンを再現
する露光量におけるパターン上の残渣を目視で評価し、
全くなし…◎、パターン上にのみ残存…○、スペースに
残存…×とした。

【０１７８】

【表２】

【０１７９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るポジ
型フォトレジスト組成物は、スカムの生じない高い解像
力を有し、更に高い感度を有する。

フロントページの続き (72)発明者 小久保 忠嘉 静岡県榛原郡吉田町川尻4000番地 富士写 真フイルム株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 （Ａ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）１，
   ２−ナフトキノンジアジド−５（及び／又は−４）−ス
   ルホン酸エステル化合物、（Ｃ）酸分解性基を少なくと
   も１つ有する分子量３，０００以下の低分子化合物、
   （Ｄ）光酸発生剤 及び（Ｅ）露光波長に吸収を持ち、
   且つアルカリ可溶性基を持つ増感剤、を含み、且つ上記
   成分（Ｂ）の配合割合が０〜９５ｗｔ％であることを特
   徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
2. 【請求項２】 前記成分（Ｂ）の配合割合が、０＜
   （Ｂ）≦９５ｗｔ％であることを特徴とする請求項１記
   載のポジ型フォトレジスト組成物。
3. 【請求項３】 前記成分（Ｂ）および成分（Ｃ）の配合
   割合が、 ５≦〔Ｂ＋Ｃ〕≦７０（ｗｔ％）…組成物中の固形分合
   計量に対するｗｔ％、 且つ ３０≦１００Ｂ／（Ｂ＋Ｃ）≦９５（ｗｔ％） の関係式を満足することを特徴とする請求項１記載のポ
   ジ型フォトレジスト組成物。