JPH08316612A - Printed circuit board and manufacturing method - Google Patents

Printed circuit board and manufacturing method

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JPH08316612A
JPH08316612A JP11618895A JP11618895A JPH08316612A JP H08316612 A JPH08316612 A JP H08316612A JP 11618895 A JP11618895 A JP 11618895A JP 11618895 A JP11618895 A JP 11618895A JP H08316612 A JPH08316612 A JP H08316612A
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adhesive layer
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Masanori Tamaki
昌徳 玉木
Isamu Ono
勇 大野
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Abstract

PURPOSE: To provide a manufacturing method for a printed circuit board, in which a catalytic process time is reduced with good adhesiveness and insulation in conductive pattern. CONSTITUTION: An adhesive layer is formed on at least one surface of board. The surface of the adhesive layer is roughened and activated in a solution including catalytic kernel. An electroless plating step is carried out to form a conductive pattern. The catalytic kernel is made of a complex including noble-metal ions and amino-based complexing agent, and the donating quantity of the catalytic kernel is adjusted in a formula on a noble-metal basis, 1.0μg/ cm<2> <=(CV/A)<=5.0μg/cm<2> , where CV is the quantity of catalyst (μg) on a noble- metal basis, and A is a projected area of the board (before roughening, cm<2> ).

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、プリント配線板及びそ
の製造方法に係り、特にはアディティブプロセスによる
導体パターン形成時における触媒付与技術に関するもの
である。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a printed wiring board and a method for manufacturing the same, and more particularly to a technique for applying a catalyst when a conductor pattern is formed by an additive process.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子部品の小型化、高性能化、多
機能化が進められており、これに使用される各種プリン
ト配線板においてもファインパターンの形成による高密
度化、多層化及び高信頼化等が要求されている。
2. Description of the Related Art In recent years, electronic parts have been miniaturized, improved in performance, and increased in functionality, and various printed wiring boards used therein have high density, multi-layered and high-density by forming fine patterns. Reliability is required.

【0003】プリント配線板に導体パターンを形成する
一般的な方法としては、絶縁基板に銅箔を貼着してなる
銅張積層板に対するエッチングによって導体パターンの
形成を行うサブトラクティブプロセス(エッチドフォイ
ルプロセス)が従来より知られている。このプロセスに
は、絶縁基板との密着性に優れた導体パターンが得られ
るという利点ある反面、エッチングによるパターニング
ではエッチング深さが大きいためアンダーカットが生じ
るという欠点がある。それゆえ、このプロセスでは精度
の高い導体パターンを得ることができず、高密度化への
対応が難しいと考えられている。そこで、最近では、サ
ブトラクティブプロセスに代わる別の方法として、フル
アディティブプロセスが特に注目を浴びている。
As a general method for forming a conductor pattern on a printed wiring board, a subtractive process (etched foil) is used to form a conductor pattern by etching a copper clad laminate obtained by sticking a copper foil to an insulating substrate. Process) is conventionally known. This process has an advantage that a conductor pattern having excellent adhesion with an insulating substrate can be obtained, but has a drawback that undercutting occurs because patterning by etching has a large etching depth. Therefore, it is considered that a highly accurate conductor pattern cannot be obtained by this process, and it is difficult to cope with high density. Therefore, recently, a full additive process has attracted particular attention as an alternative method to the subtractive process.

【0004】一般的なフルアディティブプロセスでは、
まず基板表面に接着剤を塗布することにより接着剤層を
形成し、この接着剤層の表面を粗化した後、無電解めっ
きを施すことによって、所望の導体パターンが形成され
る。そして、レジスト形成後に無電解めっきを施すこの
プロセスによると、サブトラクティブプロセスよりも高
密度かつ高精度な導体パターンが得られるという特徴が
ある。
In a typical full additive process,
First, an adhesive layer is formed by applying an adhesive on the surface of the substrate, the surface of the adhesive layer is roughened, and then electroless plating is performed to form a desired conductor pattern. Further, according to this process of performing electroless plating after resist formation, there is a feature that a conductor pattern with higher density and higher precision can be obtained than in the subtractive process.

【0005】導体パターンを形成するための無電解めっ
きを実施する場合、通常、めっきの初期の析出を誘導す
る触媒としての活性パラジウムを基板に付与する工程が
不可欠である。しかし、アディティブプロセスでは前記
触媒付与工程がレジスト形成工程前に実施されるため、
導体パターン間のレジスト下には必ず触媒が残存した状
態となるという問題がある。そのため、パターン間のピ
ッチが100μm以下、特に50μm以下になると、触
媒が導体であるがゆえにパターン間の絶縁性が充分に確
保されなくなる。
When carrying out electroless plating for forming a conductor pattern, usually, a step of applying active palladium as a catalyst for inducing initial deposition of plating to a substrate is indispensable. However, in the additive process, since the catalyst applying step is performed before the resist forming step,
There is a problem that the catalyst always remains under the resist between the conductor patterns. Therefore, when the pitch between the patterns is 100 μm or less, particularly 50 μm or less, the insulating property between the patterns cannot be sufficiently secured because the catalyst is a conductor.

【0006】以上のような事情があったことから、従来
より、Pd−Snコロイド系の触媒を用いて触媒付与量
を低減することによって絶縁性を確保せんとする試みが
なされている。しかし、種類・大きさが同一の触媒核を
使用する場合、触媒付与量を少なくすることは、同時に
活性点の数の減少につながる。従って、上記のような試
みを実施すると、無電解めっきの析出が困難になり、所
望の導体パターンを形成することができなくなる。
Under the circumstances as described above, attempts have been made so far to secure the insulating property by reducing the catalyst application amount using a Pd-Sn colloidal catalyst. However, when using catalyst nuclei of the same type and size, reducing the amount of catalyst applied simultaneously leads to a decrease in the number of active sites. Therefore, if the above-mentioned trial is carried out, it becomes difficult to deposit the electroless plating, and the desired conductor pattern cannot be formed.

【0007】また、Pd触媒の活性度を考慮すると、P
d−Snコロイド系触媒は、還元剤である塩化第1錫を
用いてPd2+をPd0 に還元して金属パラジウムの粒子
核を付与させるものであるため、不純物としての錫イオ
ン等がレジスト下に残留し、表面抵抗が増加するという
欠点がある。従って、無電解めっきの析出量及びパター
ン間の高絶縁性の両方を維持するためには、不純物のな
い活性パラジウムを有効に付与できる触媒を選択するこ
とが重要となる。
Further, considering the activity of the Pd catalyst, P
Since the d-Sn colloidal catalyst is used to reduce Pd 2+ to Pd 0 by using stannous chloride, which is a reducing agent, to give a particle nucleus of metallic palladium, tin ions as impurities are resisted. It has the disadvantage that it remains below and increases the surface resistance. Therefore, in order to maintain both the deposition amount of electroless plating and high insulation between patterns, it is important to select a catalyst that can effectively give active palladium without impurities.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上記の不都合を解消し
うる触媒としては、例えば実務表面技術VOL.34(4) p120
〜124(1987) に示される、Pdコロイドを用いた触媒が
ある。この触媒は、粒子核がPd−Snコロイド系触媒
よりも小さく、しかもPdの酸化数がゼロであるためS
nイオン等が不要であるという特徴を有する。ゆえに、
この改良された触媒を用いれば、表面抵抗の減少を防止
することができ、もって絶縁信頼性の高い導体パターン
を得ることができるものと考えられている。
As a catalyst capable of eliminating the above-mentioned inconvenience, for example, practical surface technology VOL.34 (4) p120
~ 124 (1987), there is a catalyst using a Pd colloid. In this catalyst, the particle nucleus is smaller than that of the Pd-Sn colloidal catalyst, and the oxidation number of Pd is zero.
It has a feature that n-ions and the like are unnecessary. therefore,
It is considered that the use of this improved catalyst can prevent a decrease in surface resistance, and thus a conductor pattern having high insulation reliability can be obtained.

【0009】ところが、上記のようなPdコロイド系の
触媒は電荷を持たないため、接着剤層の粗化面に吸着さ
れにくいという特性を有する。従って、触媒付与時間が
短いと触媒付与量及びめっき析出量にばらつきが生じや
すくなり、結果として導体パターンの形成が困難にな
る。それゆえ、このような不具合を回避するためには、
触媒付与工程における処理の時間を非常に長時間に(通
常は少なくとも1時間ほどに)設定し、充分量の触媒を
粗化面に付与する必要がある。従って、プリント配線板
の生産効率の向上を図るうえで、より短時間で充分量の
触媒を付与できる方法が望まれている。勿論、その場合
には導体パターンの密着性及び絶縁性が損なわれないこ
とも前提条件とされている。
However, since the above Pd colloidal catalyst does not have an electric charge, it has a characteristic that it is difficult to be adsorbed on the roughened surface of the adhesive layer. Therefore, if the catalyst application time is short, the catalyst application amount and the plating deposition amount tend to vary, and as a result, it becomes difficult to form the conductor pattern. Therefore, in order to avoid such problems,
It is necessary to set the treatment time in the catalyst application step to a very long time (usually at least about 1 hour) and apply a sufficient amount of catalyst to the roughened surface. Therefore, in order to improve the production efficiency of the printed wiring board, a method capable of applying a sufficient amount of catalyst in a shorter time is desired. Of course, in that case, it is a precondition that the adhesion and insulation of the conductor pattern are not impaired.

【0010】本発明は上記の課題を解消するためになさ
れたものであり、その目的は、導体パターンの密着性及
び絶縁性を維持しつつ触媒付与工程の時間短縮化を図る
ことができるプリント配線板の製造方法を提供すること
にある。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a printed wiring capable of shortening the time of the catalyst application step while maintaining the adhesion and insulation of the conductor pattern. It is to provide a method for manufacturing a plate.

【0011】また、本発明の別の目的は、高い信頼性を
備えたプリント配線板を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a printed wiring board having high reliability.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明者らが鋭意研究を行ったところ、好適な知
見が得られた。そして、本発明者らは、この知見を基礎
として以下に示すような発明を完成するに到った。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have conducted earnest research, and have obtained suitable findings. Then, the present inventors have completed the following invention based on this knowledge.

【0013】つまり、請求項1に記載の発明では、少な
くとも一方の基板表面に接着剤層を形成し、この接着剤
層の表面を粗化した後、触媒核含有処理液にて活性化処
理を行い、次いで無電解めっきを施すことによって導体
パターンを形成するプリント配線板の製造方法におい
て、前記触媒核として貴金属イオンとアミノ系錯化剤と
からなる錯体を用いるとともに、前記触媒核の付与量を
貴金属換算で下記式を満足するように制御するプリント
配線板の製造方法をその要旨とする。
That is, according to the first aspect of the invention, an adhesive layer is formed on the surface of at least one of the substrates, the surface of the adhesive layer is roughened, and then an activation treatment is performed with a treatment liquid containing a catalyst nucleus. In the method for producing a printed wiring board in which a conductor pattern is formed by performing electroless plating, a complex consisting of a noble metal ion and an amino-based complexing agent is used as the catalyst nucleus, and the amount of the catalyst nucleus provided is The gist is a method for manufacturing a printed wiring board, which is controlled so as to satisfy the following formula in terms of noble metal.

【0014】1.0μg/cm2 ≦(CV /A)≦5.
0μg/cm2 CV :貴金属換算の触媒量(μg) A :基板の投影面積(粗化前の面積,cm2 ) 請求項2に記載の発明では、請求項1において、前記ア
ミノ系錯化剤は、2−アミノピリジンであるとしてい
る。
1.0 μg / cm 2 ≤ (CV / A) ≤5.
0 μg / cm 2 CV: Noble metal equivalent catalyst amount (μg) A: Projected area of substrate (area before roughening, cm 2 ) In the invention according to claim 2, in claim 1, the amino-based complexing agent Is 2-aminopyridine.

【0015】請求項3に記載の発明では、請求項1にお
いて、前記触媒核含有処理液は、パラジウムイオン及び
2−アミノピリジンを含有するアルカリ性溶液であると
している。
According to a third aspect of the present invention, in the first aspect, the catalyst nucleus-containing treatment liquid is an alkaline solution containing palladium ions and 2-aminopyridine.

【0016】請求項4に記載の発明では、請求項1にお
いて、前記粗化された接着剤層の表面はマイナスに帯電
してなるとしている。請求項5に記載の発明は、少なく
とも一方の基板表面に設けた接着剤層の粗化面に付与さ
れた触媒核を介して、無電解めっきによる導体パターン
が形成されてなるプリント配線板において、前記触媒核
は貴金属イオンとアミノ系錯化剤とからなり、前記触媒
核の付与量は貴金属換算で前記基板の投影面積に対して
1.0μg/cm2 〜5.0μg/cm2 であるプリン
ト配線板をその要旨とする。
According to a fourth aspect of the invention, in the first aspect, the surface of the roughened adhesive layer is negatively charged. The invention according to claim 5 is a printed wiring board in which a conductor pattern is formed by electroless plating via a catalyst nucleus provided on a roughened surface of an adhesive layer provided on at least one substrate surface, the catalyst nucleus is composed of a noble metal ions and amino-based complexing agent, application amount of the catalyst nucleus is 1.0μg / cm 2 ~5.0μg / cm 2 with respect to the projection area of the substrate with a noble metal in terms of printing The wiring board is the gist.

【0017】[0017]

【作用】本発明において使用される触媒核含有処理液
は、触媒核として、貴金属イオンとアミノ系錯化剤とか
らなる錯体を含んでいる。また、貴金属イオンがアミノ
系錯化剤によってキレートされてなるこの触媒核の特徴
は、無電荷であるコロイド系の触媒とは異なり、プラス
に帯電していることである。ここで、粗化液を用いて接
着剤層に対する粗化を行った場合、接着剤層の表面が僅
かにマイナスに帯電することが本発明者らの実験等によ
って確かめられている。これは、接着剤層を構成する樹
脂の残留官能基や結合が、酸や酸化剤等の粗化液によっ
て分解されることに起因するものと考えられる。そのた
め、前記触媒核含有処理液による活性化処理を行うと、
錯体が粗化面に対して静電気的に吸着される。従って、
電荷を持たないコロイド系の触媒を用いた場合に比べ
て、短時間のうちに充分量の触媒を接着剤層に付与する
ことができる。また、本発明の触媒はSnを含まないも
のであるため、表面抵抗の減少がなく、パターン間の絶
縁性にも優れている。
The treatment liquid containing the catalyst nucleus used in the present invention contains a complex composed of a noble metal ion and an amino complexing agent as the catalyst nucleus. In addition, a characteristic of this catalyst nucleus formed by chelating a noble metal ion with an amino complexing agent is that it is positively charged, unlike a colloidal catalyst that is uncharged. Here, it has been confirmed by experiments by the present inventors that when the roughening liquid is used to roughen the adhesive layer, the surface of the adhesive layer is slightly negatively charged. It is considered that this is because residual functional groups and bonds of the resin forming the adhesive layer are decomposed by a roughening liquid such as an acid or an oxidizing agent. Therefore, when performing the activation treatment with the treatment liquid containing the catalyst nucleus,
The complex is electrostatically adsorbed on the roughened surface. Therefore,
A sufficient amount of the catalyst can be applied to the adhesive layer in a short time as compared with the case of using a colloidal catalyst having no electric charge. Further, since the catalyst of the present invention does not contain Sn, the surface resistance does not decrease and the insulating property between patterns is excellent.

【0018】さらに、本発明においては、基板の投影面
積(粗化前の面積)当たりの触媒核の付与量を制御す
る。この理由は、以下のとおりである。一般的に、樹脂
絶縁層上に導体パターンを形成する場合、樹脂絶縁層の
表面を粗化した後に触媒を付与する。その際、粗化によ
るアンカー窪み内の面積をも考慮して触媒を付与するこ
とが考えられる。しかし、発明者らの行った実験によれ
ば、前記アンカー窪み内の面積を考慮して触媒を付与す
ると、逆にパターン間の絶縁性を悪化させることが判っ
た。そのため、基板の投影面積(粗化前の面積)当たり
の触媒核の付与量を制御することとしたのである。な
お、貴金属イオンとアミノ系錯化剤とからなる触媒の触
媒核(活性点)の大きさ(平均直径)は約数十Åであ
り、触媒活性度はこの大きさに反比例する。このことか
ら、触媒核の付与量は、この触媒核の大きさに応じて制
御されることが好ましい。例えば、触媒核の平均直径を
1Å〜500Åに、好ましくは5Å〜100Åにするこ
とがよい。1Å未満の触媒核は製造が困難だからであ
る。一方、この値が500Åを超えると、絶縁抵抗が低
下してしまい実用的でなくなってしまう。
Further, in the present invention, the amount of catalyst nuclei applied per projected area of the substrate (area before roughening) is controlled. The reason for this is as follows. Generally, when forming a conductor pattern on a resin insulation layer, a catalyst is applied after roughening the surface of the resin insulation layer. At that time, it is considered that the catalyst is applied in consideration of the area inside the anchor dent due to the roughening. However, according to an experiment conducted by the inventors, it was found that when the catalyst is applied in consideration of the area inside the anchor recess, the insulation between the patterns is deteriorated. Therefore, the amount of catalyst nuclei applied per projected area of the substrate (area before roughening) is controlled. The size (average diameter) of the catalyst nucleus (active point) of the catalyst composed of the noble metal ion and the amino complexing agent is about several tens of liters, and the catalyst activity is inversely proportional to this size. From this, it is preferable that the amount of catalyst nuclei applied is controlled according to the size of the catalyst nuclei. For example, the average diameter of the catalyst nuclei may be set to 1Å to 500Å, preferably 5Å to 100Å. This is because it is difficult to produce catalyst nuclei with a volume of less than 1Å. On the other hand, if this value exceeds 500 Å, the insulation resistance decreases and it becomes impractical.

【0019】本発明において、基板の投影面積(粗化前
の面積)当たりの触媒核の付与量は、貴金属換算で、
0.01μg/cm2 〜10.0μg/cm2 、好まし
くは1.0μg/cm2 〜5.0μg/cm2 の範囲に
制御されることがよい。この量が0.01μg/cm2
未満であると、無電解めっきの析出が不十分になり、パ
ターン形成が困難になる。一方、10.0μg/cm2
を越えると、絶縁抵抗値が小さくなるため、基板に高い
信頼性を確保することができなくなる。
In the present invention, the amount of catalyst nuclei applied per projected area of the substrate (area before roughening) is, in terms of noble metal,
0.01μg / cm 2 ~10.0μg / cm 2 , preferably from being controlled in the range of 1.0μg / cm 2 ~5.0μg / cm 2 . This amount is 0.01 μg / cm 2
If it is less than the above range, the deposition of the electroless plating will be insufficient and pattern formation will be difficult. On the other hand, 10.0 μg / cm 2
If it exceeds, the insulation resistance value becomes small, and it becomes impossible to secure high reliability for the substrate.

【0020】次に、本発明のプリント配線板の製造方法
について説明する。まず、ガラスエポキシ基板やポリイ
ミド基板等の樹脂基板、アルミナ基板や窒化アルミニウ
ム基板等のセラミック基板、りん青銅基板等の金属基板
などの基材の表面に、常法によりアディティブ用の接着
剤層を形成する。ここで、本発明の製造方法で用いられ
る接着剤としては、酸や酸化剤に対して可溶性の予め硬
化処理された耐熱性樹脂微粉末が、硬化処理することに
より酸や酸化剤に対して難溶性となる特性を示す未硬化
の耐熱性樹脂液中に分散されてなるものが望ましい。な
お、前記接着剤層は、基板の片面のみに形成されてもよ
く、基板の両面に形成されてもよい。
Next, a method for manufacturing the printed wiring board of the present invention will be described. First, an additive adhesive layer is formed by a conventional method on the surface of a substrate such as a resin substrate such as a glass epoxy substrate or a polyimide substrate, a ceramic substrate such as an alumina substrate or an aluminum nitride substrate, or a metal substrate such as a phosphor bronze substrate. To do. Here, as the adhesive used in the production method of the present invention, a pre-cured heat-resistant resin fine powder that is soluble in an acid or an oxidant is difficult to resist against an acid or an oxidant by the curing treatment. It is desirable that it be dispersed in an uncured heat-resistant resin liquid that exhibits solubility characteristics. The adhesive layer may be formed on only one side of the substrate, or may be formed on both sides of the substrate.

【0021】次いで、酸や酸化剤等の粗化液を用い、常
法に従って前記接着剤層の表面を化学的に粗化する。こ
の処理を行うと、主として接着剤層中の耐熱性樹脂微粉
末が溶解除去されることによって、接着剤層の表面に多
数の微細なアンカー窪みが形成される。そして、この処
理を経ることによって、基板表面は僅かにマイナスに帯
電する。なお、上記接着剤層の粗化面の面粗度は、JI
S B 0601による測定でRmax =5μm〜20μ
mであることが好ましい。面粗度が5μm未満である
と、所望のピール強度が得られず、導体パターンの密着
性が低下する。一方、面粗度が20μmを超えると、L
/S=100μm/100μm以下のファインパターン
を実現することができなくなる。しかも、この場合には
基板の実質的な表面積が大きくなるため、上述した触媒
核の付与量の設定では、めっきを充分に析出させること
ができなくなる場合がある。
Then, the surface of the adhesive layer is chemically roughened by a conventional method using a roughening liquid such as an acid or an oxidizing agent. When this treatment is performed, the heat-resistant resin fine powder in the adhesive layer is mainly dissolved and removed, so that many fine anchor depressions are formed on the surface of the adhesive layer. Then, through this treatment, the substrate surface is slightly charged negatively. The surface roughness of the roughened surface of the adhesive layer is JI
Rmax = 5 μm to 20 μ as measured by S B 0601
It is preferably m. If the surface roughness is less than 5 μm, the desired peel strength cannot be obtained, and the adhesiveness of the conductor pattern deteriorates. On the other hand, if the surface roughness exceeds 20 μm, L
It becomes impossible to realize a fine pattern of / S = 100 μm / 100 μm or less. Moreover, in this case, since the substantial surface area of the substrate becomes large, it may not be possible to sufficiently deposit the plating by setting the above-mentioned catalyst nucleus application amount.

【0022】次に、粗化された接着剤層の表面を活性化
処理することによって、粗化面に触媒核を固定化する。
本発明における活性化処理は、例えば、1)アルカリ条
件下でのクリーナ処理(脱脂)、2)洗浄、3)酸性条
件下でのクリーナ処理、4)洗浄、5)酸性条件下での
ソフトエッチング、6)洗浄、7)予備浴へのプレディ
ップ、8)アルカリ条件下での触媒核含有処理液の処理
(触媒付与処理)、9)洗浄、10)還元、11)洗
浄、という一連の工程などによって達成される。
Next, the surface of the roughened adhesive layer is activated to fix the catalyst nuclei on the roughened surface.
The activation treatment in the present invention includes, for example, 1) cleaner treatment (degreasing) under alkaline conditions, 2) cleaning, 3) cleaner treatment under acidic conditions, 4) cleaning, and 5) soft etching under acidic conditions. , 6) washing, 7) pre-dip in preliminary bath, 8) treatment of catalyst nucleus-containing treatment liquid under alkaline conditions (catalyst imparting treatment), 9) washing, 10) reduction, 11) washing. It is achieved by

【0023】前記クリーナ処理は、接着剤層に付着して
いた油脂等を除去するために行われる。なお、酸性条件
下でのクリーナ処理を経ることによっても、基板表面に
マイナスの電荷が溜まることが確認されている。ソフト
エッチングは、金属面に付着していた油脂等を除去する
ために行われる。プレディップは、触媒核含有処理液へ
のソフトエッチング液の持ち込みを阻止するために行わ
れる。そして、前記還元工程を行うと、吸着された錯体
が分解される。
The cleaner treatment is carried out to remove oils and fats attached to the adhesive layer. It has been confirmed that negative charges are accumulated on the surface of the substrate even after the cleaner treatment under acidic conditions. The soft etching is performed in order to remove oil and fat attached to the metal surface. The predip is performed to prevent the soft etching solution from being brought into the processing solution containing the catalyst nuclei. Then, when the reducing step is performed, the adsorbed complex is decomposed.

【0024】ここで、本発明における活性化処理は、以
下に示す条件で行われることが好ましい。 (1)前記触媒核含有処理液は、上記のように貴金属イ
オンとアミノ系錯化剤とからなる錯体である必要があ
る。この場合、前記処理液は、Pdイオン及び2−アミ
ノピリジンからなる錯体を含有するアルカリ性溶液であ
ることが最も好ましい。その理由は、酸性領域では錯体
が形成されにくいため、Pd2+が凝集体として基板に付
着してしまうからである。また、アルカリ性の領域で
は、錯体は過度な錯化力であるため、後処理で錯化剤を
脱離させてPd0 を曝露させやすくなるからである。な
お、前記処理液の水素イオン濃度は、pH=10〜13
程度であることがよい。その理由は、pH<10では錯
体を形成しにくく、pH>13では錯化力が強すぎて付
与量が減少してしまううえ、錯化剤を除去できなくなる
からである。また、前記処理液中におけるPdイオンの
量は、0.08g/l〜0.2g/lであることがよ
い。その理由は、0.08g/l未満ではピール強度が
得られず、0.2g/lを越えると絶縁抵抗が低下して
しまうためである。前記処理液中における2−アミノピ
リジンの量は、1.5g/l〜2.5g/lであること
がよい。その理由は、1.5g/l未満の場合は錯化剤
が少なすぎてPd2+が安定して液中に存在できなくな
り、2.5g/lを越える場合は触媒付与量が低下して
しまうからである。
Here, the activation treatment in the present invention is preferably performed under the following conditions. (1) The treatment liquid containing the catalyst nucleus needs to be a complex composed of a noble metal ion and an amino complexing agent as described above. In this case, the treatment liquid is most preferably an alkaline solution containing a complex composed of Pd ions and 2-aminopyridine. The reason is that Pd 2+ adheres to the substrate as an aggregate because the complex is less likely to be formed in the acidic region. In addition, in the alkaline region, the complex has an excessive complexing power, so that the post-treatment makes it easier to remove the complexing agent and expose Pd 0 . The hydrogen ion concentration of the treatment liquid is pH = 10 to 13
It should be about the degree. The reason is that when pH <10, it is difficult to form a complex, and when pH> 13, the complexing force is too strong and the applied amount decreases, and the complexing agent cannot be removed. Further, the amount of Pd ions in the treatment liquid is preferably 0.08 g / l to 0.2 g / l. The reason is that if it is less than 0.08 g / l, the peel strength cannot be obtained, and if it exceeds 0.2 g / l, the insulation resistance is lowered. The amount of 2-aminopyridine in the treatment liquid is preferably 1.5 g / l to 2.5 g / l. The reason is that if the amount is less than 1.5 g / l, the complexing agent is too small to allow Pd 2+ to be stably present in the liquid, and if the amount exceeds 2.5 g / l, the amount of catalyst applied decreases. Because it will be.

【0025】さらに、錯体を構成するための錯化剤とし
てアミノ系錯化剤が選択されるべき理由は、次のとおり
である。即ち、アミノ系錯化剤は、エポキシ樹脂等のよ
うな樹脂材料に対する親和性が高い反面、銅等のような
金属材料に対する親和性が低いからである。このため、
触媒核である錯体は、金属面に対して吸着されにくく、
逆に接着剤層の粗化面に対して選択的に吸着されやす
い。つまり、内層導体パターンとその上に形成される導
体パターンとの界面に吸着される触媒核の量が少なくな
るため、形成されるバイアホールの低抵抗化を図ること
ができる。
Further, the reason why the amino-based complexing agent should be selected as the complexing agent for forming the complex is as follows. That is, the amino-based complexing agent has a high affinity for resin materials such as epoxy resin, but has a low affinity for metal materials such as copper. For this reason,
The complex that is the catalyst nucleus is difficult to be adsorbed on the metal surface,
Conversely, it tends to be selectively adsorbed to the roughened surface of the adhesive layer. That is, since the amount of catalyst nuclei adsorbed at the interface between the inner layer conductor pattern and the conductor pattern formed thereon is small, the resistance of the via hole formed can be reduced.

【0026】このようなアミノ系の錯化剤としては、例
えば2−アミノピリジンが挙げられる。2−アミノピリ
ジンは、貴金属イオンと錯体を形成しやすく、アルカリ
水溶液によく溶けるからである。
Examples of such an amino-based complexing agent include 2-aminopyridine. This is because 2-aminopyridine easily forms a complex with a noble metal ion and is well soluble in an alkaline aqueous solution.

【0027】また、錯体を構成する貴金属イオンとして
Pdイオンを選択すべき理由は、無電解銅ニッケルめっ
きに対する触媒性が最も高いからである。貴金属イオン
としては、Pdイオンの他にも、Pt,Rh等の白金族
金属やAu,Ag等のイオンが選択可能である。
The reason why the Pd ion should be selected as the noble metal ion forming the complex is that it has the highest catalytic property for electroless copper-nickel plating. In addition to Pd ions, platinum group metals such as Pt and Rh and ions such as Au and Ag can be selected as the noble metal ions.

【0028】(2)触媒核含有処理液の処理濃度は、貴
金属換算で1mmol/l 〜5mmol/lであることが好まし
い。この濃度が1mmol/l未満であると、必要とされる
処理時間が長くなるため生産上実用的でないからであ
る。一方、この濃度が5mmol/lを越えると、付与量が
多すぎて、表面抵抗値が低下してしまうからである。
(2) The treatment concentration of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is preferably 1 mmol / l to 5 mmol / l in terms of noble metal. This is because if the concentration is less than 1 mmol / l, the required treatment time becomes long, which is not practical in production. On the other hand, when the concentration exceeds 5 mmol / l, the applied amount is too large and the surface resistance value is lowered.

【0029】(3)触媒核含有処理液の処理温度は、1
0℃〜80℃であることが好ましい。この温度が10℃
未満であると、触媒核の拡散速度が小さくなる。このた
め、処理に要する時間が長くなったり、処理時間を長く
しても充分量の触媒核を付着させることができなくなる
等の不都合が生じる。一方、この温度が80℃を越える
場合、拡散速度の低下に関する問題は生じない反面、ヒ
ーター等による加熱が必要になる。従って、設備投資額
の増大によるコスト高につながるおそれがある。
(3) The treatment temperature of the treatment liquid containing the catalyst nucleus is 1
It is preferably 0 ° C to 80 ° C. This temperature is 10 ℃
When it is less than the above, the diffusion rate of the catalyst nucleus becomes small. For this reason, there arises inconveniences such as an increase in the time required for the treatment, and an inability to adhere a sufficient amount of catalyst nuclei even if the treatment time is extended. On the other hand, when the temperature exceeds 80 ° C., there is no problem with the decrease in diffusion rate, but heating with a heater or the like is required. Therefore, there is a possibility that the cost will increase due to an increase in the amount of capital investment.

【0030】(4)活性化処理において工程と工程との
間に行われる洗浄、特に触媒核含有処理液の処理後に行
われる洗浄は、流水浸漬、バブリング、超音波及びスプ
レーのうちのいずれかの方法によることが好ましい。ま
た、その際には10℃〜80℃,1分間の処理を3回繰
り返すことが好ましい。洗浄温度を前記範囲内に設定す
る理由は、10℃未満であると期待する効果が得られ
ず、80℃を越えると付与された触媒が基板から脱落す
るからである。
(4) The cleaning performed between the steps in the activation treatment, particularly the cleaning performed after the treatment of the catalyst nucleus-containing treatment liquid, is carried out by immersion in running water, bubbling, ultrasonic waves or spraying. The method is preferred. In that case, it is preferable to repeat the treatment at 10 ° C. to 80 ° C. for 1 minute three times. The reason why the cleaning temperature is set within the above range is that the expected effect cannot be obtained below 10 ° C, and the applied catalyst falls off from the substrate above 80 ° C.

【0031】(5)触媒核含有処理液の処理は、水また
はpH7〜pH10の水溶液による洗浄を施した後に行
われることが好ましい。このように、中性または弱アル
カリ性の溶液で洗浄する理由は、粗化面に吸着しない余
分な触媒を除去しやすいからである。酸で洗浄すると、
Pd2+が凝集してしまい、基板に付着してしまう。
(5) The treatment of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is preferably carried out after washing with water or an aqueous solution having a pH of 7 to 10. The reason for cleaning with a neutral or weakly alkaline solution is that it is easy to remove the excess catalyst that is not adsorbed on the roughened surface. When washed with acid,
Pd 2+ aggregates and adheres to the substrate.

【0032】(6)触媒核含有処理液の処理は、1回/
時間〜100回/時間の割合で循環攪拌している処理容
器中において行われることが好ましい。その理由は、循
環攪拌を行うと触媒が全体に行き渡りやすくなり、触媒
付与時間のよりいっそうの短縮につながるからである。
(6) The treatment of the treatment liquid containing the catalyst nucleus is carried out once /
It is preferably carried out in a processing container which is circulated and stirred at a rate of time to 100 times / hour. The reason for this is that if the stirring is circulated, the catalyst will be easily spread over the whole body, and the catalyst application time will be further shortened.

【0033】(7)触媒核含有処理液を処理する浴の負
荷は、0.1dm2 /l〜10dm 2 /lに設定される
ことが好ましい。浴負荷が0.1dm2 /l未満である
と、生産性が悪くなるからである。一方、浴負荷が10
dm2 /lを越えると、液循環が悪くなり、触媒付与量
のばらつきが大きくなるからである。
(7) Negative of bath for treating treatment liquid containing catalyst nucleus
The load is 0.1 dm2 / L-10dm 2 Set to / l
Is preferred. Bath load is 0.1 dm2 / L is less than
That is because productivity becomes worse. On the other hand, the bath load is 10
dm2 If it exceeds / l, the liquid circulation becomes poor and the amount of catalyst applied
This is because the variation of is large.

【0034】(8)活性化処理において、触媒固定化の
ための乾燥温度は40℃〜200℃に設定されることが
好ましい。その理由は、乾燥温度が40℃未満であると
触媒核の固定化状態が不安定となり、乾燥温度が200
℃を越えると基板の耐熱温度を超えてしまうからであ
る。
(8) In the activation treatment, the drying temperature for fixing the catalyst is preferably set to 40 ° C to 200 ° C. The reason is that when the drying temperature is lower than 40 ° C., the immobilized state of the catalyst core becomes unstable, and the drying temperature is 200
This is because if the temperature exceeds ° C, the heat resistant temperature of the substrate will be exceeded.

【0035】なお、帯電量が小さすぎると、基板に錯体
を吸着させる力が弱くなり、触媒付与時間の短縮化を充
分に図ることができなくなるので、粗化処理及びクリー
ナ処理で帯電量を増加せしめることが望ましい。
If the charge amount is too small, the force for adsorbing the complex on the substrate becomes weak and the catalyst application time cannot be sufficiently shortened. Therefore, the charge amount is increased by the roughening treatment and the cleaner treatment. It is desirable to be strict.

【0036】次に、触媒が付与・固定化された接着剤層
の表面にフィルム状のレジストを配置し、加圧・加熱条
件下でそのレジストをラミネートする。レジストが感光
性樹脂組成物からなる場合には、次いで露光・現像、U
Vキュアー及び熱処理を施すことによって、前記レジス
トをパターン状にする。その後、従来公知の手法により
無電解銅めっき浴等を用いた無電解めっきを施すことに
よって、レジスト非形成部分に導体パターンを形成す
る。本発明のプリント配線板は、以上のようにして製造
される。
Next, a film-shaped resist is placed on the surface of the adhesive layer on which the catalyst has been applied and fixed, and the resist is laminated under pressure and heating conditions. When the resist is composed of a photosensitive resin composition, then exposure / development, U
The resist is patterned by V cure and heat treatment. After that, a conductor pattern is formed on the resist non-forming portion by performing electroless plating using an electroless copper plating bath or the like by a conventionally known method. The printed wiring board of the present invention is manufactured as described above.

【0037】このようにして製造された本発明のプリン
ト配線板は、少なくとも一方の基板表面に設けた接着剤
層の粗化面に付与された触媒核を介して、無電解めっき
による導体パターンが形成されてなる。そして、前記触
媒核は貴金属イオンとアミノ系錯化剤とからなり、その
付与量は貴金属換算で前記基板の投影面積に対して1.
0μg/cm2 〜5.0μg/cm2 になっている。ま
た、上述したように、このように製造されたプリント配
線板の導体パターンには、優れた密着性と絶縁性とが確
保されている。よって、前記プリント配線板は、高い信
頼性を備えたものとなる。
The printed wiring board of the present invention produced in this manner has a conductor pattern formed by electroless plating through the catalyst nuclei provided on the roughened surface of the adhesive layer provided on at least one substrate surface. Formed. The catalyst nucleus is composed of a noble metal ion and an amino-based complexing agent, and the amount of addition is 1.
It has become 0μg / cm 2 ~5.0μg / cm 2 . Further, as described above, the conductor pattern of the printed wiring board manufactured in this manner ensures excellent adhesion and insulation. Therefore, the printed wiring board has high reliability.

【0038】[0038]

【実施例】以下、本発明をプリント配線板及びその製造
方法に具体化した実施例を詳細に説明するにあたり、ま
ずベストモードであるサンプル1の作製手順について述
べる。
EXAMPLES In the following, in order to explain in detail the examples in which the present invention is embodied in a printed wiring board and a method for manufacturing the same, the procedure for preparing the best mode sample 1 will be described.

【0039】(サンプル1の作製) 工程(1):ビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シ
ェル製)60重量部、フェノールノボラック型エポキシ
樹脂(油化シェル製)40重量部、イミダゾール系硬化
剤(四国化成製)5重量部、エポキシ樹脂微粉末(東レ
製)を平均粒径5.5μmのものを25重量部,平均粒
径0.5μmのものを10重量部、及び表面調整剤(サ
ンノプコ製)を混合した後、酢酸−n−ブトキシエチル
10重量部を添加しながら3本ローラーにて混練し、接
着剤溶液を調製した。
(Preparation of Sample 1) Step (1): 60 parts by weight of bisphenol A type epoxy resin (made by Yuka Shell), 40 parts by weight of phenol novolac type epoxy resin (made by Yuka Shell), imidazole type curing agent (Shikoku 5 parts by weight of Kasei), 25 parts by weight of an epoxy resin fine powder (made by Toray) having an average particle size of 5.5 μm, 10 parts by weight of an average particle size of 0.5 μm, and a surface conditioner (made by San Nopco) Was mixed and then kneaded with a three-roller while adding 10 parts by weight of acetic acid-n-butoxyethyl acetate to prepare an adhesive solution.

【0040】工程(2):縦方向及び横方向に1回ずつ
バフ研磨したガラスエポキシ樹脂基板上に、前記工程
(1)で調製した接着剤溶液をロールコーター(大日本
スクリーン製)により塗布した。そして、このように塗
布された接着剤溶液を、80℃で3時間、100℃で1
時間、120℃で3時間、150℃で15時間熱処理し
た。この処理により接着剤溶液を硬化させ、60μmの
接着剤層を形成した。
Step (2): The adhesive solution prepared in the step (1) was applied by a roll coater (manufactured by Dainippon Screen) on a glass epoxy resin substrate which was buffed once in the vertical direction and once in the horizontal direction. . Then, the adhesive solution applied in this way is heated at 80 ° C. for 3 hours and then at 100 ° C. for 1 hour.
Heat treatment was performed at 120 ° C. for 3 hours and at 150 ° C. for 15 hours. By this treatment, the adhesive solution was cured to form an adhesive layer of 60 μm.

【0041】工程(3):接着剤層が形成された基板
を、粗化剤である70℃のクロム酸水溶液(CrO3
800 g/l)に30分間浸漬することによって、接着剤
層の表面を粗化した。接着剤層の表面の粗さ(Rmax )
を、表面粗さ計(東京精密製)を用いJIS B 06
01に準拠して測定したところ、Rmax =10±2μm
(6点平均)であった。
Step (3): The substrate on which the adhesive layer is formed is treated with a chromic acid aqueous solution (CrO 3 ,
The surface of the adhesive layer was roughened by immersion in 800 g / l) for 30 minutes. Surface roughness of adhesive layer (Rmax)
JIS B 06 using a surface roughness meter (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.)
When measured according to 01, Rmax = 10 ± 2 μm
(6 points average).

【0042】工程(4):表面粗化がなされた基板を、
以下の1)〜11)の手順によって活性化処理した。 1)アルカリ条件下でのクリーナ処理: 商品名「クリ
ーナセキュリガントHC−F45」(アトテック ジャ
パン 株式会社製)を85ml/l、NaOHを20g
/l含む処理液に、前記基板を60℃,5分間浸漬し
た。
Step (4): The substrate whose surface is roughened is
The activation treatment was performed by the following procedures 1) to 11). 1) Cleaner treatment under alkaline conditions: 85 ml / l of trade name "CLEANER SECURIGANT HC-F45" (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.) and 20 g of NaOH
The substrate was immersed in a treatment liquid containing 1 / l at 60 ° C. for 5 minutes.

【0043】2)洗浄: 前記基板を25℃の流水に1
分浸漬することを3回繰り返した。 3)酸性条件下でのクリーナ処理: 商品名「クリーナ
セキュリガント HC−F45」(アトテック ジャパ
ン 株式会社製)を85ml/l、H2 SO4(98
%)を20ml/l含む35℃の処理液に、前記基板を
浸漬した。なお、前記処理液への基板の浸漬時間は、5
分に設定することとした。
2) Cleaning: The substrate was immersed in running water at 25 ° C. for 1 hour.
The soaking for 3 minutes was repeated 3 times. 3) Cleaner treatment under acidic conditions: Trade name "CLEANER SECURIGANT HC-F45" (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.), 85 ml / l, H 2 SO 4 (98
%) Was immersed in a treatment liquid containing 20 ml / l at 35 ° C. It should be noted that the immersion time of the substrate in the treatment liquid is 5
I decided to set it to minutes.

【0044】4)洗浄: 前記基板を25℃の流水に1
分浸漬することを3回繰り返した。 5)ソフトエッチング: 過硫酸ナトリウムを150g
/l、H2 SO4 (98%)を100ml/l含むソフ
トエッチング液に、前記基板を30℃,1分間浸漬し
た。
4) Washing: The substrate was immersed in running water at 25 ° C. for 1 hour.
The soaking for 3 minutes was repeated 3 times. 5) Soft etching: 150g of sodium persulfate
/ L and H 2 SO 4 (98%) in 100 ml / l of the soft etching solution, the substrate was immersed at 30 ° C for 1 minute.

【0045】6)洗浄: 前記基板を25℃の流水に1
分浸漬することを3回繰り返した。 7)プレディップ: 商品名「プレディップネオガント
B」(アトテックジャパン 株式会社製)を20ml
/l、H2 SO4 (98%)を1ml/l含む処理液
に、前記基板を室温で1分間浸漬した。
6) Cleaning: The substrate was immersed in running water at 25 ° C. for 1 hour.
The soaking for 3 minutes was repeated 3 times. 7) Pre-dip: 20 ml of product name "Pre-dip Neo Gantt B" (manufactured by Atotech Japan Co., Ltd.)
/ L and H 2 SO 4 (98%) at 1 ml / l, the substrate was immersed for 1 minute at room temperature.

【0046】8)触媒付与: Pdイオンを0.2g/
l、2−アミノピリジンを2.0g/l、NaOHを4
g/l、H3 BO3 を5g/l含む、pH=10.5〜
11.5の触媒核含有処理液を作製した。本実施例にお
いては、具体的にはアトテック ジャパン 株式会社製
の商品名「アクチベーターネオガント834コンク」を
使用し、それにNaOHを混ぜることによって、前記処
理液を作製した。そして、この処理液に前記基板を35
℃,5分間浸漬した。また、この処理において、処理浴
の循環攪拌は1回/時間とし、浴負荷は5dm2 /lと
し、触媒核の大きさ(平均直径)は10Åとした(表1
参照)。そして、前記浸漬処理の後に150℃で乾燥す
ることにより、接着剤層に触媒を固定化した。なお、触
媒付与に要する時間が5分程度でよいことから、粗化面
表面がマイナスに帯電していることが確認される。
8) Application of catalyst: 0.2 g of Pd ions /
1, 2-aminopyridine 2.0 g / l, NaOH 4
g / l, the H 3 BO 3 containing 5g / l, pH = 10.5~
A treatment liquid containing 11.5 catalyst nuclei was prepared. In this example, specifically, a trade name "Activator Neogant 834 Conc" manufactured by Atotech Japan Co., Ltd. was used, and NaOH was mixed thereinto to prepare the treatment liquid. Then, the substrate is added to this treatment liquid.
It was immersed at ℃ for 5 minutes. In this treatment, the circulating stirring of the treatment bath was once / hour, the bath load was 5 dm 2 / l, and the size (average diameter) of the catalyst nucleus was 10Å (Table 1
reference). Then, after the immersion treatment, the catalyst was fixed to the adhesive layer by drying at 150 ° C. Since it takes about 5 minutes to apply the catalyst, it is confirmed that the surface of the roughened surface is negatively charged.

【0047】9)洗浄: 前記基板を25℃の流水に1
分浸漬することを3回繰り返した。 10)還元: 商品名「リデューサーネオガント W
A」(アトテック ジャパン 株式会社製)を5ml/
l、H3 BO3 を5g/l含む処理液に、前記基板を3
0℃,5分間浸漬した。
9) Washing: The substrate was immersed in running water at 25 ° C. for 1 hour.
The soaking for 3 minutes was repeated 3 times. 10) Reduction: Product name "Reducer Neo Gantt W
A "(Atotech Japan Co., Ltd.) 5 ml /
l, H 3 BO 3 in a processing solution containing 5 g / l
It was immersed at 0 ° C. for 5 minutes.

【0048】11)洗浄: 前記基板を25℃の流水に
1分浸漬することを3回繰り返した。 以上の各工程を実施することにより、粗化された接着剤
層に対して触媒核を付与しかつ固定化させた。
11) Cleaning: Immersing the substrate in running water at 25 ° C. for 1 minute was repeated 3 times. By carrying out each of the above steps, catalyst nuclei were provided and fixed to the roughened adhesive layer.

【0049】工程(5):前記工程(4)の処理により
基板上に付与されたPd量を、以下の方法に従って測定
した。即ち、.Pdを吸着した5cm×5cmの基板3枚
をビーカー中に投入し、6N塩酸(関東化学製)20m
lを加えた。.2時間放置した後、ビーカー中に還元
溶液(アスコルビン酸25g+塩酸ヒドロキシルアミン
10g/100l)20mlを添加し、次いで10%ヨ
ウ化カリウム(関東化学製)10mlを添加し、さらに
0.5%亜硫酸ナトリウム(関東化学製)1mlを添加
することによって、最終的に100mlに調整した。
.100mlに調整された前記溶液の吸光度を測定し
た。そして、あらかじめPd換算で1mg/l〜10m
g/lに調整されている溶液の吸光度を測定することに
よって作成された検量線をもとにして、前記測定結果か
らPdの濃度を算出した。その結果、Pdの付与量は
1.5μg/cm2 であった(表1参照)。つまり、活性
化処理における触媒核含有処理液への浸漬時間が5分と
いう極めて短い時間であっても、充分量のPdが確実に
付与されていることがわかった。
Step (5): The amount of Pd applied on the substrate by the treatment of the step (4) was measured according to the following method. That is ,. 3 substrates of 5 cm x 5 cm that adsorbed Pd were placed in a beaker, and 6 N hydrochloric acid (manufactured by Kanto Kagaku) 20 m
1 was added. . After standing for 2 hours, 20 ml of a reducing solution (25 g of ascorbic acid + 10 g of hydroxylamine hydrochloride / 100 l) was added to the beaker, 10 ml of 10% potassium iodide (manufactured by Kanto Kagaku) was added, and 0.5% sodium sulfite was added. The final volume was adjusted to 100 ml by adding 1 ml (manufactured by Kanto Kagaku).
. The absorbance of the solution adjusted to 100 ml was measured. And 1 mg / l to 10 m in Pd conversion in advance
The concentration of Pd was calculated from the above measurement results based on a calibration curve prepared by measuring the absorbance of the solution adjusted to g / l. As a result, the applied amount of Pd was 1.5 μg / cm 2 (see Table 1). That is, it was found that a sufficient amount of Pd was surely applied even when the immersion time in the catalyst nucleus-containing treatment liquid during the activation treatment was as short as 5 minutes.

【0050】工程(6):前記工程(4)で触媒付与処
理を行った基板上に、以下の方法によってめっきレジス
ト(サンノプコ製)を形成した。即ち、.フィルム状
のフォトレジストを所定の条件(ラミネート圧3kg,
温度100℃)で基板にラミネートした。.レジスト
がラミネートされた基板に対する、紫外線露光(露光
量:100mj/cm2 )、熱処理(80℃,5分)、現
像(20℃,120秒)及び熱処理(80℃,5分)に
よって、レジストパターンを形成した。.レジストパ
ターンが形成された基板を、紫外線で露光(露光量:6
J/cm2 )しかつ熱処理(120℃,30分)すること
によって、レジストを硬化させた。
Step (6): A plating resist (manufactured by San Nopco) was formed on the substrate subjected to the catalyst application treatment in the step (4) by the following method. That is ,. A film-shaped photoresist is used under specified conditions (laminating pressure 3 kg,
It was laminated on a substrate at a temperature of 100 ° C. . A resist pattern is formed by UV exposure (exposure amount: 100 mj / cm 2 ), heat treatment (80 ° C., 5 minutes), development (20 ° C., 120 seconds) and heat treatment (80 ° C., 5 minutes) on a substrate laminated with a resist. Was formed. . The substrate on which the resist pattern is formed is exposed to ultraviolet rays (exposure amount: 6
J / cm 2 ) and heat treatment (120 ° C., 30 minutes) to cure the resist.

【0051】工程(7):前記基板を湯浴(70℃,5
分)に1回浸漬した後、常法により以下に示す組成の無
電解銅めっき浴に8時間浸漬した。その結果、レジスト
非形成部分に厚さ20μmの無電解銅めっきを析出させ
た。以上のようにして、図1に示すような導体パターン
を備えるサンプル1のプリント配線板を製造した。
Step (7): The substrate is placed in a bath (70 ° C., 5
Minute) and then immersed in an electroless copper plating bath having the following composition for 8 hours by a conventional method. As a result, electroless copper plating with a thickness of 20 μm was deposited on the non-resist portion. As described above, the printed wiring board of Sample 1 having the conductor pattern as shown in FIG. 1 was manufactured.

【0052】 ・硫酸銅:0.06mol/l , ・ホルマリン(37%) :0.30mol/l , ・水酸化ナトリウム:0.35mol/l ,・EDTA:0.35mol/l , ・添加剤:少量, ・めっき温度:70℃, ・pH=12.4. 工程(8):以上のようにして得られた導体パターンに
ついて、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路のピー
ル強度を以下のようにして測定した。
・ Copper sulfate: 0.06 mol / l, ・ Formalin (37%): 0.30 mol / l, ・ Sodium hydroxide: 0.35 mol / l, ・ EDTA: 0.35 mol / l, ・ Additives: Small amount ・ Plating temperature: 70 ° C. ・ pH = 12.4. Step (8): With respect to the conductor patterns obtained as described above, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured as follows.

【0053】即ち、パターン間の絶縁抵抗の測定に
は、L/S=25μm/25μmのくし歯パターン2を
用いた(図1参照)。そして、基板を温度・湿度が一定
(85℃,85%)に保たれた恒温槽内に載置し、前記
くし歯パターン2に一定電圧(24V)を印加した状態
で長時間放置した。この後、1000時間が経過した後
にパターン間の絶縁抵抗(Ω)を測定した。導体−接
着剤層間のピール強度(kg/cm )の測定は、前記くし歯
パターン2に接続された測定端子接続用パッド1の中央
部に銅線をはんだ付けし、その銅線を垂直方向に引っ張
ることによって行った。その結果、ピール強度は1.7
kg/cm , パターン間絶縁性はL/S=25μm/25μ
mで1.7×109 Ωであった。
That is, the comb-teeth pattern 2 of L / S = 25 μm / 25 μm was used to measure the insulation resistance between the patterns (see FIG. 1). Then, the substrate was placed in a constant temperature bath where the temperature and humidity were kept constant (85 ° C., 85%), and left for a long time with a constant voltage (24 V) being applied to the comb tooth pattern 2. Then, the insulation resistance (Ω) between the patterns was measured after 1000 hours had passed. The peel strength (kg / cm 2) between the conductor and the adhesive layer is measured by soldering a copper wire to the central portion of the measuring terminal connecting pad 1 connected to the comb pattern 2 and vertically connecting the copper wire. It was done by pulling. As a result, the peel strength is 1.7.
kg / cm, insulation between patterns is L / S = 25μm / 25μ
It was 1.7 × 10 9 Ω in m.

【0054】以上の結果を総合すると、本実施例のサン
プル1の導体パターンには、触媒付与処理が5分間とい
う極めて短い時間であるにもかかわらず、好適な絶縁性
及びピール強度が確保されていたことがわかった。ちな
みに、このような作製方法を採用した場合、触媒核含有
処理液の処理時間を3分に短縮したときでも、同等の結
果を得ることができた。
In summary of the above results, the conductor pattern of Sample 1 of the present example has a suitable insulating property and peel strength, even though the catalyst application treatment is a very short time of 5 minutes. I found out that By the way, when such a production method was adopted, the same result could be obtained even when the treatment time of the catalyst nucleus-containing treatment liquid was shortened to 3 minutes.

【0055】(サンプル2の作製:触媒核含有処理液の
処理濃度が低い場合)上記工程(4)において、触媒核
含有処理液の濃度をPd換算で0.1 mmol/l に設定し
て触媒核の付与を行ったこと以外については、サンプル
1の作製手法に準拠して、サンプル2の作製を行った。
触媒付与量は0.005μg/cm2 という低い値になっ
た。ところが、無電解めっきの析出が不充分であったた
め、回路を形成することができなかった。よって、ピー
ル強度も絶縁抵抗もを測定不可能であった。なお、この
条件設定でサンプル1と同等のプリント配線板を作製す
るためには、触媒核含有処理液の処理を少なくとも60
分程度行う必要があった。
(Preparation of Sample 2: When the treatment concentration of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is low) In the step (4), the concentration of the catalyst nucleus-containing treatment liquid was set to 0.1 mmol / l in terms of Pd and the catalyst was Sample 2 was prepared in accordance with the method for preparing sample 1 except that the nucleus was added.
The amount of catalyst applied was as low as 0.005 μg / cm 2 . However, the circuit could not be formed because the deposition of the electroless plating was insufficient. Therefore, neither peel strength nor insulation resistance could be measured. In addition, in order to produce a printed wiring board equivalent to Sample 1 under these conditions, at least 60 times the treatment liquid containing the catalyst nucleus was treated.
I had to do it for about a minute.

【0056】(サンプル3の作製:触媒核含有処理液の
処理濃度が高い場合)上記工程(4)において、触媒核
含有処理液の濃度をPd換算で6.0 mmol/に設定して
触媒核の付与を行ったこと以外については、サンプル1
の作製手法に準拠して、サンプル3の作製を行った。し
かし、この処理液は、濃度が高いため絶縁抵抗が低くな
ってしまう。また、触媒核が多すぎるため活性度が非常
に高くなり、荒れためっき表面になってしまう。
(Preparation of Sample 3: When the treatment concentration of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is high) In the above step (4), the concentration of the catalyst nucleus-containing treatment liquid was set to 6.0 mmol / Pd equivalent to the catalyst nucleus. Sample 1 except that
Sample 3 was manufactured according to the manufacturing method described in 1. However, this treatment liquid has a high concentration and thus has a low insulation resistance. Further, since the catalyst nuclei are too much, the activity becomes extremely high, resulting in a rough plating surface.

【0057】(サンプル4の作製:触媒核含有処理液の
処理温度が低い場合)上記工程(4)において、触媒核
含有処理液の処理温度を1℃という低い値に設定したこ
と以外については、サンプル1の作製手法に準拠して、
サンプル4の作製を行った。触媒付与量は0.005μ
g/cm2 という低い値になった。ところが、この条件設
定では無電解めっきの析出が不充分であったため、回路
を形成することができなかった。よって、ピール強度も
絶縁抵抗もを測定不可能であった。
(Preparation of sample 4: When the treatment temperature of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is low) In the above step (4), except that the treatment temperature of the catalyst nucleus-containing treatment liquid was set to a low value of 1 ° C. In accordance with the manufacturing method of Sample 1,
Sample 4 was prepared. The amount of catalyst applied is 0.005μ
The value was as low as g / cm 2 . However, under these conditions, it was not possible to form a circuit because the deposition of electroless plating was insufficient. Therefore, neither peel strength nor insulation resistance could be measured.

【0058】(サンプル5の作製:触媒核含有処理液の
処理温度が高い場合)上記工程(4)において、触媒核
含有処理液の処理温度を85℃という高い値に設定した
こと以外については、サンプル1の作製手法に準拠し
て、サンプル5の作製を行った。触媒付与量は、20μ
g/cm2 という、好適範囲よりも高い値になった。この
場合、めっき表面が荒れてしまい、強度の極めて低いめ
っき膜となったため、ピール強度の測定は不可能であっ
た。L/S=25μm/25μmのときのパターン間絶
縁性は106 Ωであった。なお、このサンプル5を作製
する場合には、触媒核含有処理液をヒーター等により加
熱することが必須であり、そのためには設備投資が必要
であった。
(Preparation of sample 5: When the treatment temperature of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is high) In the above step (4), except that the treatment temperature of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is set to a high value of 85 ° C. Sample 5 was manufactured according to the method of manufacturing sample 1. The amount of catalyst applied is 20μ
The value was g / cm 2 , which was higher than the preferred range. In this case, the plating surface was roughened, resulting in a plating film having extremely low strength, so that the peel strength could not be measured. The insulating property between patterns when L / S = 25 μm / 25 μm was 10 6 Ω. In addition, when producing this sample 5, it was essential to heat the catalyst nucleus-containing treatment liquid with a heater or the like, and for that purpose, capital investment was required.

【0059】(サンプル6の作製:ソフトエッチング後
の水洗を行わない場合)上記工程(4)において、ソフ
トエッチング後の水洗を行わないこと以外については、
サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル6の作製を
行った。そして、上記サンプル1のときと同様に、パタ
ーン間の絶縁抵抗及び導体回路のピール強度を測定し
た。その結果、ピール強度は1.6kg/cm , L/S=2
5μm/25μmのときのパターン間絶縁性は1.1×
1010Ωであった。なお、このサンプル6の作製方法に
よると、内層銅導体との未密着という問題が見られた。
(Preparation of Sample 6: When Water Rinse After Soft Etching Is Not Performed) In the above step (4), except that water rinsing after soft etching is not performed,
Sample 6 was manufactured according to the method of manufacturing sample 1. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, peel strength is 1.6kg / cm, L / S = 2
Inter-pattern insulation at 5 μm / 25 μm is 1.1 ×
It was 10 10 Ω. In addition, according to the manufacturing method of this sample 6, the problem of non-adhesion with the inner layer copper conductor was observed.

【0060】(サンプル7の作製:触媒核含有処理液浸
漬後の水洗を行わない場合)上記工程(4)において、
触媒核含有処理液の浸漬後に水洗を行わないこと以外に
ついては、サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル
7の作製を行った。そして、上記サンプル1のときと同
様に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路のピール強度
を測定した。ところが、無電解銅めっきを行ったとこ
ろ、レジスト上にめっきが析出してしまい、パターン間
でショートが発生した。よって、このサンプル7につい
ては、絶縁抵抗の測定は不可能であった。ピール強度は
1.4kg/cm であった。
(Preparation of Sample 7: When Washing with Water after Immersion of Catalyst Nucleus-Containing Treatment Solution) In the above step (4),
Sample 7 was prepared according to the preparation method of sample 1 except that water washing was not performed after the immersion of the catalyst nucleus-containing treatment liquid. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. However, when electroless copper plating was performed, plating was deposited on the resist, and a short circuit occurred between the patterns. Therefore, it was impossible to measure the insulation resistance of Sample 7. The peel strength was 1.4 kg / cm 2.

【0061】(サンプル8の作製:浴の循環攪拌を行わ
ない場合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液
の攪拌条件を0回/時間に設定すること、即ち攪拌を全
く行わないこと以外については、サンプル1の作製手法
に準拠して、サンプル8の作製を行った。そして、上記
サンプル1のときと同様に、パターン間の絶縁抵抗及び
導体回路のピール強度を測定した。その結果、ピール強
度は1.5kg/cm , L/S=25μm/25μmのとき
のパターン間絶縁性は9.2×109 Ωであった。な
お、この条件設定でサンプル1と同等のプリント配線板
を作製するためには、触媒核含有処理液の処理を20分
〜30分程度行う必要があった。
(Preparation of Sample 8: When Circulating and Stirring of Bath is not Performed) In the step (4), the stirring condition of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is set to 0 times / hour, that is, stirring is not performed at all. Except for the above, Sample 8 was manufactured according to the manufacturing method of Sample 1. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, the peel strength was 1.5 kg / cm, and the insulating property between patterns when L / S = 25 μm / 25 μm was 9.2 × 10 9 Ω. In addition, in order to manufacture a printed wiring board equivalent to Sample 1 under these conditions, it was necessary to perform the treatment with the catalyst nucleus-containing treatment liquid for about 20 to 30 minutes.

【0062】(サンプル9の作製:浴の循環攪拌回数が
多い場合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液
の攪拌条件を200回/時間に設定すること以外につい
ては、サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル9の
作製を行った。そして、上記サンプル1のときと同様
に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路のピール強度を
測定した。その結果、ピール強度は1.6kg/cm , L/
S=25μm/25μmのときのパターン間絶縁性は
9.7×109 Ωであった。なお、この条件設定によっ
て得られるサンプル9の性能は、前記サンプル1の性能
と殆ど変わらなかった。むしろ、ポンプを大きくする必
要があるため設備コストがかかるという欠点があった。
(Preparation of sample 9: When the number of circulation stirring in the bath is large) Preparation of sample 1 was carried out except that the stirring condition of the catalyst nucleus-containing treatment liquid was set to 200 times / hour in the step (4). Sample 9 was prepared according to the method. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, the peel strength is 1.6kg / cm, L /
The inter-pattern insulating property when S = 25 μm / 25 μm was 9.7 × 10 9 Ω. The performance of Sample 9 obtained by setting these conditions was almost the same as the performance of Sample 1. On the contrary, there is a drawback that the equipment cost is required because the pump needs to be large.

【0063】(サンプル10の作製:浴負荷が小さい場
合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液の浴負
荷を0.05dm2 /lに設定すること以外について
は、サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル10の
作製を行った。そして、上記サンプル1のときと同様
に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路のピール強度を
測定した。その結果、ピール強度は1.5kg/cm, L/
S=25μm/25μmのときのパターン間絶縁性は
2.0×1010Ωであった。なお、この条件設定による
とサンプル1と同等のものが得られる反面、生産性が悪
く実用的でなかった。
(Preparation of Sample 10: When Bath Load is Small) Preparation of Sample 1 except that the bath load of the catalyst nucleus-containing treatment liquid is set to 0.05 dm 2 / l in the step (4). Sample 10 was prepared according to the above. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, the peel strength is 1.5kg / cm, L /
The insulating property between patterns when S = 25 μm / 25 μm was 2.0 × 10 10 Ω. It should be noted that according to this condition setting, although the same thing as Sample 1 was obtained, the productivity was poor and it was not practical.

【0064】(サンプル11の作製:浴負荷が大きい場
合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液の浴負
荷を200dm2 /lに設定すること以外についてはサ
ンプル1の作製手法に準拠して、サンプル11の作製を
行った。触媒付与量は0.005μg/cm2 であった。
ところが、無電解めっきの析出が不充分であったため、
回路を形成することができなかった。よって、ピール強
度も絶縁抵抗も測定不可能であった。なお、この条件設
定でサンプル1と同等のプリント配線板を作製するため
には、触媒核含有処理液の処理を30分程度行う必要が
あった。
(Preparation of Sample 11: When bath load is large) In the above step (4), the preparation method of Sample 1 was used except that the bath load of the treatment solution containing catalyst nuclei was set to 200 dm 2 / l. Then, the sample 11 was manufactured. The amount of catalyst applied was 0.005 μg / cm 2 .
However, because the deposition of electroless plating was insufficient,
The circuit could not be formed. Therefore, neither peel strength nor insulation resistance could be measured. In addition, in order to produce a printed wiring board equivalent to Sample 1 under these conditions, it was necessary to treat the catalyst nucleus-containing treatment liquid for about 30 minutes.

【0065】(サンプル12の作製:乾燥温度が低い場
合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液浸漬後
における乾燥の際の温度を30℃にすること以外につい
ては、サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル12
の作製を行った。そして、上記サンプル1のときと同様
に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路のピール強度を
測定した。ところが、無電解銅めっきを行ったところ、
レジスト上にめっきが析出してしまい、パターン間でシ
ョートが発生した。よって、このサンプル12について
は、絶縁抵抗の測定は不可能であった。ピール強度は
1.0kg/cm であった。
(Preparation of Sample 12: When Drying Temperature is Low) In the above step (4), except that the temperature at the time of drying after immersion in the treatment solution containing the catalyst nucleus is 30 ° C., the preparation method of Sample 1 is as follows. In accordance with, sample 12
Was prepared. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. However, when electroless copper plating was performed,
Plating was deposited on the resist, causing a short circuit between the patterns. Therefore, it was impossible to measure the insulation resistance of this sample 12. The peel strength was 1.0 kg / cm 2.

【0066】(サンプル13の作製:乾燥温度が高い場
合)上記工程(4)において、触媒核含有処理液浸漬後
における乾燥の際の温度を250℃にすること以外につ
いては、サンプル1の作製手法に準拠して、サンプル1
3の作製を行った。ところが、この条件設定であると乾
燥時の高熱により基板が燃えてしまい、結局は回路形成
が不可能であった。よって、ピール強度も絶縁抵抗も測
定することができなかった。
(Preparation of Sample 13: When Drying Temperature is High) In the above step (4), except that the temperature at the time of drying after immersion in the treatment liquid containing the catalyst nucleus is 250 ° C., the preparation method of Sample 1 According to, sample 1
3 was prepared. However, under these conditions, the substrate was burned due to high heat during drying, and eventually circuit formation was impossible. Therefore, neither peel strength nor insulation resistance could be measured.

【0067】(サンプル14の作製:Pdコロイド系の
触媒核を使用した場合(1) )サンプル14の作製におい
ては、サンプル1の工程(1)〜工程(3)を実施した
後、以下のような手順によって基板上の粗化面を活性化
処理した。
(Preparation of Sample 14: When Pd Colloid Catalytic Nucleus is Used (1)) In preparation of Sample 14, after carrying out Steps (1) to (3) of Sample 1, The roughened surface on the substrate was activated by various procedures.

【0068】工程(4):1)前記基板を脱脂液(シプ
レイ社製)に50℃,5分間浸漬した。2)前記基板を
25℃,1分で3回水洗した。3)親和液(シプレイ社
製)に、前記基板を25℃,2分間浸漬した。4)前記
基板を25℃,1分で3回水洗した。5)前記基板を銅
箔エッチング液(三菱ガス化学製)に25℃,2分間浸
漬した。6)前記基板を25℃,1分で3回水洗した。
7)銅箔表面洗浄液(関東化学製)に、前記基板を25
℃,2分間浸漬した。8)前記基板を25℃,1分で3
回水洗した。9)Pdコロイド触媒付与液(戸田工業
製,水系のスーパーモナパラジウムコロイド,濃度:P
d換算で2.5mmol/l )に、前記基板を浸漬した。浸漬温
度及び浸漬温度は、サンプル1の作製のときと同じく、
35℃,5分間に設定した。この処理において、処理浴
の循環攪拌は1回/時間とし、浴負荷は5dm2 /lと
し、触媒核の大きさ(平均直径)は30Åとした。そし
て、前記浸漬処理の後に150℃で乾燥することによ
り、接着剤層に触媒を固定化した。10)前記基板を2
5℃,1分で3回水洗した。
Step (4): 1) The substrate was immersed in a degreasing solution (made by Shipley) at 50 ° C. for 5 minutes. 2) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute. 3) The substrate was immersed in an affinity liquid (made by Shipley) at 25 ° C for 2 minutes. 4) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute. 5) The substrate was immersed in a copper foil etching solution (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) at 25 ° C for 2 minutes. 6) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute.
7) Add the above substrate to a copper foil surface cleaning solution (Kanto Kagaku)
It was immersed at ℃ for 2 minutes. 8) Put the above substrate on at 25 ℃ for 3 minutes
It was washed with water twice. 9) Pd colloid catalyst application liquid (manufactured by Toda Kogyo, aqueous supermona palladium colloid, concentration: P
The substrate was dipped in 2.5 mmol / l in terms of d. The immersion temperature and the immersion temperature are the same as in the case of producing the sample 1.
The temperature was set to 35 ° C for 5 minutes. In this treatment, the circulating stirring of the treatment bath was once / hour, the bath load was 5 dm 2 / l, and the size (average diameter) of the catalyst nuclei was 30Å. Then, after the immersion treatment, the catalyst was fixed to the adhesive layer by drying at 150 ° C. 10) The substrate is 2
It was washed 3 times with water at 5 ° C for 1 minute.

【0069】工程(5):以上のような活性化処理の
後、サンプル1の工程(5)の手法に準じて、基板に付
与されたPd量を測定した。その結果、Pd量は0.1
5μg/cm2 という極めて低い値であった。即ち、電荷
を持たないこの触媒液の場合、5分間という短い処理時
間では充分量のPdを付与することができなかった。そ
して、この後に無電解めっきを実施したところ、めっき
の析出が不充分であったため、結局は回路を形成するこ
とができなかった。よって、ピール強度も絶縁抵抗も測
定不可能であった。
Step (5): After the activation treatment as described above, the amount of Pd applied to the substrate was measured according to the method of the step (5) of Sample 1. As a result, the amount of Pd is 0.1
It was an extremely low value of 5 μg / cm 2 . That is, in the case of this catalyst liquid having no electric charge, it was not possible to impart a sufficient amount of Pd in a treatment time as short as 5 minutes. Then, when electroless plating was carried out after this, the deposition of the plating was insufficient, so that eventually a circuit could not be formed. Therefore, neither peel strength nor insulation resistance could be measured.

【0070】(サンプル15の作製:Pdコロイド系の
触媒核を使用した場合(2) )前記サンプル14の工程
(4)において、Pdコロイド触媒付与液の処理時間を
60分間に設定すること以外については、同サンプル1
4の作製手法に準拠した。上記のような条件設定による
と、触媒付与量は2.0μg/cm2 であった。このた
め、無電解めっきを実施することができ、最終的に回路
形成を行うことが可能であった。そして、上記サンプル
1のときと同様に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路
のピール強度を測定した。その結果、ピール強度は1.
7kg/cm ,L/S=25μm/25μmのときのパター
ン間絶縁性は1.2×1010Ωであった。なお、この条
件設定によると、活性化処理における触媒液の処理時間
に10倍以上の長い時間を要することから、サンプル1
の作製のときに比較して生産性が悪く実用的でなかっ
た。
(Preparation of Sample 15: When Pd colloid-based catalyst nucleus is used (2)) In the step (4) of Sample 14, except that the treatment time of the Pd colloid catalyst application liquid is set to 60 minutes. Is the same sample 1
The production method of 4 was applied. Under the above-mentioned condition settings, the catalyst application amount was 2.0 μg / cm 2 . Therefore, electroless plating can be performed, and finally circuit formation can be performed. Then, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, the peel strength was 1.
The insulating property between patterns was 1.2 × 10 10 Ω when 7 kg / cm and L / S = 25 μm / 25 μm. In addition, according to this condition setting, since the treatment time of the catalyst liquid in the activation treatment requires 10 times or more, the sample 1
In comparison with the production of, the productivity was poor and not practical.

【0071】(サンプル16の作製:Pd−Snコロイ
ド触媒を使用した場合)サンプル16の作製において
は、サンプル1の工程(1)〜工程(3)を実施した
後、以下のような手順によって基板の粗化面を活性化処
理した。
(Production of Sample 16: When Pd-Sn Colloid Catalyst is Used) In the production of Sample 16, after carrying out the steps (1) to (3) of Sample 1, the substrate was prepared by the following procedure. The roughened surface of was subjected to activation treatment.

【0072】工程(4):1)前記基板を脱脂液(シプ
レイ社製)に50℃,5分間浸漬した。2)前記基板を
25℃,1分で3回水洗した。3)親和液(シプレイ社
製)に、前記基板を25℃,2分間浸漬した。4)前記
基板を25℃,1分で3回水洗した。5)前記基板を銅
箔エッチング液(三菱ガス化学製)に25℃,2分間浸
漬した。6)前記基板を25℃,1分で3回水洗した。
7)銅箔表面洗浄液(関東化学製)に、前記基板を25
℃,2分間浸漬した。8)前記基板を25℃,1分で3
回水洗した。9)Pd−Snコロイド触媒付与液(シプ
レイ社製、濃度:Pd換算で5.0 mmol/l )に、前記
基板を浸漬した。浸漬温度及び浸漬温度は、サンプル1
の作製のときと同じく、35℃,5分間に設定した。こ
の処理において、処理浴の循環攪拌は1回/時間とし、
浴負荷は5dm2 /lとし、触媒核の大きさ(平均直
径)は500Åとした。そして、前記浸漬処理の後に1
50℃で乾燥することにより、接着剤層に触媒を固定化
した。10)前記基板を25℃,1分で3回水洗した。
11)前記基板を活性化液(シプレイ社製)に25℃,
3分間浸漬した。12)前記基板を25℃,1分で3回
水洗した。
Step (4): 1) The substrate was immersed in a degreasing solution (made by Shipley) at 50 ° C. for 5 minutes. 2) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute. 3) The substrate was immersed in an affinity liquid (made by Shipley) at 25 ° C for 2 minutes. 4) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute. 5) The substrate was immersed in a copper foil etching solution (manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Inc.) at 25 ° C for 2 minutes. 6) The substrate was washed with water 3 times at 25 ° C. for 1 minute.
7) Add the above substrate to a copper foil surface cleaning solution (Kanto Kagaku)
It was immersed at ℃ for 2 minutes. 8) Put the above substrate on at 25 ℃ for 3 minutes
It was washed with water twice. 9) The substrate was immersed in a Pd-Sn colloid catalyst application liquid (manufactured by Shipley, concentration: 5.0 mmol / l in terms of Pd). Sample 1
The temperature was set to 35 ° C. for 5 minutes, as in the case of manufacturing. In this treatment, the circulating stirring of the treatment bath was once / hour,
The bath load was 5 dm 2 / l, and the size (average diameter) of the catalyst nuclei was 500 Å. After the immersion treatment, 1
The catalyst was fixed to the adhesive layer by drying at 50 ° C. 10) The substrate was washed 3 times with water at 25 ° C for 1 minute.
11) The substrate was placed in an activating solution (made by Shipley) at 25 ° C.
Soaked for 3 minutes. 12) The substrate was washed 3 times with water at 25 ° C. for 1 minute.

【0073】そして、工程(5)以降については、基本
的にはサンプル1の作製手法に従った。なお、活性化処
理の後に基板に付与されたPd量を測定したところ、そ
の値は7.0μg/cm2 であった。また、上記サンプル
1のときと同様に、パターン間の絶縁抵抗及び導体回路
のピール強度を測定した。その結果、ピール強度は1.
4kg/cm , L/S=25μm/25μmのときのパター
ン間絶縁性は1.2×105 Ωであった。つまり、この
ような作製方法では、触媒付与時間をそれほど長く設定
する必要はない反面、サンプル1に匹敵する好適な絶縁
性及びピール強度を確保することができなかった。よっ
て、得られたサンプル16のプリント配線板は、サンプ
ル1よりも信頼性に劣るものとなっていた。
After the step (5), the manufacturing method of Sample 1 was basically followed. The Pd amount applied to the substrate after the activation treatment was measured and found to be 7.0 μg / cm 2 . Also, as in the case of Sample 1, the insulation resistance between the patterns and the peel strength of the conductor circuit were measured. As a result, the peel strength was 1.
The insulating property between patterns was 4 × 10 5 Ω when 4 kg / cm and L / S = 25 μm / 25 μm. That is, with such a manufacturing method, it is not necessary to set the catalyst application time so long, but it is not possible to secure suitable insulation and peel strength comparable to Sample 1. Therefore, the obtained printed wiring board of Sample 16 was inferior in reliability to Sample 1.

【0074】[0074]

【表1】 [Table 1]

【0075】なお、本発明は上記実施例のみに限定され
ることはなく、例えば次のように変更することが可能で
ある。 (1)クロム酸以外の粗化剤として、例えばクロム酸塩
や過マンガン酸塩等を使用してもよい。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be modified as follows. (1) As a roughening agent other than chromic acid, for example, chromate or permanganate may be used.

【0076】(2)感光性エポキシ樹脂以外の樹脂、例
えば感光性ポリイミド樹脂や感光性BT樹脂等を使用し
て接着剤層を形成することも可能である。また、これら
の樹脂は、必ずしも感光性を有するものでなくてもよ
い。
(2) It is also possible to form the adhesive layer using a resin other than the photosensitive epoxy resin, for example, a photosensitive polyimide resin or a photosensitive BT resin. Moreover, these resins do not necessarily have photosensitivity.

【0077】ここで、特許請求の範囲に記載された技術
的思想のほかに、前述した実施例及び別例によって把握
される技術的思想をその効果とともに以下に列挙する。 (1)基板表面に形成された接着剤層に触媒核含有処理
液を処理することによって、前記接着剤層に触媒核を付
与する方法であって、前記触媒核としてプラスまたはマ
イナスのいずれかに帯電したものを選択するとともに、
前記触媒核付与処理液の処理の前までに、前記基板表面
を前記触媒核の持つ電荷と異なる符号の電荷に帯電させ
ておく、プリント配線板製造時の触媒核付与方法。この
方法であると、短時間で触媒核を付与することができ
る。
Here, in addition to the technical ideas described in the claims, the technical ideas grasped by the above-mentioned embodiments and other examples will be listed below together with their effects. (1) A method of imparting catalyst nuclei to the adhesive layer by treating the adhesive layer formed on the surface of the substrate with a catalyst nucleus-containing treatment liquid, wherein the catalyst nuclei are either positive or negative. While selecting the charged one,
A method for applying a catalyst nucleus during the production of a printed wiring board, wherein the surface of the substrate is charged to a charge having a sign different from the charge of the catalyst nucleus before the treatment with the catalyst nucleus applying treatment liquid. With this method, the catalyst nucleus can be applied in a short time.

【0078】(2) 請求項1において、前記活性化処
理における前記処理液の処理濃度は貴金属換算で1mm
ol/l〜5mmol/lであること。この方法である
と、触媒核付与処理に要する時間の短縮化を図ることが
できる。
(2) In claim 1, the treatment concentration of the treatment liquid in the activation treatment is 1 mm in terms of noble metal.
ol / l to 5 mmol / l. With this method, the time required for the catalyst nucleus imparting treatment can be shortened.

【0079】(3) 請求項1において、前記活性化処
理における前記処理液の処理温度は10℃〜80℃であ
ること。この方法であると、触媒核付与処理に要する時
間の短縮化を図りつつ、設備コストの増大を防止でき
る。
(3) In claim 1, the treatment temperature of the treatment liquid in the activation treatment is 10 ° C to 80 ° C. With this method, it is possible to prevent an increase in equipment cost while shortening the time required for the catalyst nucleation treatment.

【0080】(4) 請求項1において、前記活性化処
理における前記処理液の処理は、1回/時間〜100回
/時間の割合で前記処理液が循環攪拌されている処理容
器中にて行われること。この方法であると、触媒核付与
処理に要する時間の短縮化を図りつつ、設備コストの増
大を防止できる。
(4) In claim 1, the treatment of the treatment liquid in the activation treatment is performed in a treatment container in which the treatment liquid is circulated and stirred at a rate of 1 time / hour to 100 times / hour. To be seen. With this method, it is possible to prevent an increase in equipment cost while shortening the time required for the catalyst nucleation treatment.

【0081】なお、本明細書中において使用した技術用
語を次のように定義する。 「貴金属イオン: 白金族金属であるパラジウム、白
金、ロジウム等のイオンをいうほか、例えば金イオンや
銀イオン等をいう。」
The technical terms used in this specification are defined as follows. "Noble metal ion: In addition to the ions of the platinum group metals palladium, platinum, rhodium, etc., for example, gold ion, silver ion, etc."

【0082】[0082]

【発明の効果】以上詳述したように、請求項1〜4に記
載の発明によれば、導体パターンの密着性及び絶縁性を
維持しつつ触媒付与工程の時間短縮化を図ることができ
るプリント配線板の製造方法を提供することができる。
請求項5に記載の発明によれば、高い信頼性を備えたプ
リント配線板を提供することができる。
As described above in detail, according to the inventions described in claims 1 to 4, a print which can shorten the time of the catalyst application step while maintaining the adhesiveness and insulating property of the conductor pattern. A method for manufacturing a wiring board can be provided.
According to the invention of claim 5, it is possible to provide a printed wiring board having high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】絶縁抵抗及びピール強度測定用のくし歯パター
ンを示す概略図。
FIG. 1 is a schematic view showing a comb tooth pattern for measuring insulation resistance and peel strength.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…測定端子接続用パッド、2…くし歯パターン。 1 ... Pads for connecting measuring terminals, 2 ... Comb tooth pattern.

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】少なくとも一方の基板表面に接着剤層を形
成し、この接着剤層の表面を粗化した後、触媒核含有処
理液にて活性化処理を行い、次いで無電解めっきを施す
ことによって導体パターンを形成するプリント配線板の
製造方法において、 前記触媒核として貴金属イオンとアミノ系錯化剤とから
なる錯体を用いるとともに、前記触媒核の付与量を貴金
属換算で下記式を満足するように制御するプリント配線
板の製造方法。 1.0μg/cm2 ≦(CV /A)≦5.0μg/cm
2 CV :貴金属換算の触媒量(μg) A :基板の投影面積(粗化前の面積,cm2
1. An adhesive layer is formed on the surface of at least one of the substrates, the surface of the adhesive layer is roughened, an activation treatment is performed with a treatment liquid containing a catalyst nucleus, and then electroless plating is performed. In a method for producing a printed wiring board for forming a conductor pattern by using a complex composed of a noble metal ion and an amino-based complexing agent as the catalyst nucleus, the amount of the catalyst nucleus added should satisfy the following formula in terms of noble metal. Controlling printed wiring board manufacturing method. 1.0 μg / cm 2 ≦ (CV /A)≦5.0 μg / cm
2 CV: amount of catalyst converted to precious metal (μg) A: projected area of substrate (area before roughening, cm 2 )
【請求項2】前記アミノ系錯化剤は、2−アミノピリジ
ンである請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。
2. The method for manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the amino complexing agent is 2-aminopyridine.
【請求項3】前記触媒核含有処理液は、パラジウムイオ
ン及び2−アミノピリジンを含有するアルカリ性溶液で
ある請求項1に記載のプリント配線板の製造方法。
3. The method for producing a printed wiring board according to claim 1, wherein the treatment liquid containing the catalyst nucleus is an alkaline solution containing palladium ions and 2-aminopyridine.
【請求項4】前記粗化された接着剤層の表面はマイナス
に帯電してなる請求項1に記載のプリント配線板の製造
方法。
4. The method of manufacturing a printed wiring board according to claim 1, wherein the surface of the roughened adhesive layer is negatively charged.
【請求項5】少なくとも一方の基板表面に設けた接着剤
層の粗化面に付与された触媒核を介して、無電解めっき
による導体パターンが形成されてなるプリント配線板に
おいて、 前記触媒核は貴金属イオンとアミノ系錯化剤とからな
り、前記触媒核の付与量は貴金属換算で前記基板の投影
面積に対して1.0μg/cm2 〜5.0μg/cm2
であるプリント配線板。
5. A printed wiring board in which a conductor pattern is formed by electroless plating via a catalyst nucleus provided on a roughened surface of an adhesive layer provided on at least one substrate surface, wherein the catalyst nucleus is consists of a noble metal ions and amino-based complexing agent, 1.0 [mu] g / cm 2 with respect to the projected area of the substrate deposition volume in the noble metal in terms of the catalyst nuclei ~5.0μg / cm 2
Printed wiring board.
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