JPH08316117A - 露光方法 - Google Patents
露光方法Info
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- JPH08316117A JPH08316117A JP7115399A JP11539995A JPH08316117A JP H08316117 A JPH08316117 A JP H08316117A JP 7115399 A JP7115399 A JP 7115399A JP 11539995 A JP11539995 A JP 11539995A JP H08316117 A JPH08316117 A JP H08316117A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposure
- mask
- resist
- pattern
- liquid crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 素子の形状に即座に対応できしかも確実に基
板の周辺部分の金属膜を除去できる露光方法を提供する
こと。 【構成】 本発明は、基板であるウエハ１０上に金属膜
１１を一様に形成した後、必要な金属パターンを残すエ
ッチングを行うため、この金属膜１１上に塗布したレジ
スト１２への露光を行うものであり、先ず、矩形領域内
に所定のパターンＰが形成されたマスク１を介して素子
領域１３と対応する金属膜１１上のレジスト１２への露
光を行い、次いで、透光部３１および遮光部３２を所定
領域に有する液晶パネル３を介して、先のマスク１を介
して露光された部分以外の周辺領域１４における金属膜
１１上のレジスト１２への露光を行う方法である。
板の周辺部分の金属膜を除去できる露光方法を提供する
こと。 【構成】 本発明は、基板であるウエハ１０上に金属膜
１１を一様に形成した後、必要な金属パターンを残すエ
ッチングを行うため、この金属膜１１上に塗布したレジ
スト１２への露光を行うものであり、先ず、矩形領域内
に所定のパターンＰが形成されたマスク１を介して素子
領域１３と対応する金属膜１１上のレジスト１２への露
光を行い、次いで、透光部３１および遮光部３２を所定
領域に有する液晶パネル３を介して、先のマスク１を介
して露光された部分以外の周辺領域１４における金属膜
１１上のレジスト１２への露光を行う方法である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板上に一様に塗布し
た金属膜から所定の金属パターンをエッチング形成する
にあたり、この金属膜上に塗布したレジストへ露光を行
う露光方法に関する。
た金属膜から所定の金属パターンをエッチング形成する
にあたり、この金属膜上に塗布したレジストへ露光を行
う露光方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造においては、アルミニ
ウム等の金属から成る配線が多く使用されている。金属
配線を形成する場合には、ウエハ等の基板上に所定の素
子領域を形成した後、基板上に一様に金属膜を形成す
る。その後、この金属膜上にレジストを塗布し、形成し
たい金属パターンと対応するパターンを備えたマスクや
レチクル（以下、単にマスクと言う。）を用いてレジス
トへの露光を行い、これを現像した後、レジストの除去
された部分の金属膜をエッチングして所望の金属パター
ンを残すようにしている。
ウム等の金属から成る配線が多く使用されている。金属
配線を形成する場合には、ウエハ等の基板上に所定の素
子領域を形成した後、基板上に一様に金属膜を形成す
る。その後、この金属膜上にレジストを塗布し、形成し
たい金属パターンと対応するパターンを備えたマスクや
レチクル（以下、単にマスクと言う。）を用いてレジス
トへの露光を行い、これを現像した後、レジストの除去
された部分の金属膜をエッチングして所望の金属パター
ンを残すようにしている。
【０００３】この露光処理において縮小投影露光装置を
用いる場合には、実際に形成する金属パターンの５〜１
０倍の大きさのパターンが設けられたマスクを使用し、
レンズ系を介してマスクのパターンをレジスト上に縮小
露光する。そして、基板をｘｙ方向に沿ってステップさ
せながらこの露光を繰り返し行うようにする。
用いる場合には、実際に形成する金属パターンの５〜１
０倍の大きさのパターンが設けられたマスクを使用し、
レンズ系を介してマスクのパターンをレジスト上に縮小
露光する。そして、基板をｘｙ方向に沿ってステップさ
せながらこの露光を繰り返し行うようにする。
【０００４】また、露光処理において等倍投影露光装置
を用いる場合には、実際に形成する金属パターンと同じ
大きさのパターンが設けられたマスクを使用し、１対１
でこのマスクのパターンをレジスト上に露光している。
を用いる場合には、実際に形成する金属パターンと同じ
大きさのパターンが設けられたマスクを使用し、１対１
でこのマスクのパターンをレジスト上に露光している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな露光方法において、ウエハ等の基板の周辺部分で露
光されずにアルミニウム等の金属膜が残ってしまった場
合、後の工程でこの金属膜がはがれてダストとなる問題
が生じてしまう。
うな露光方法において、ウエハ等の基板の周辺部分で露
光されずにアルミニウム等の金属膜が残ってしまった場
合、後の工程でこの金属膜がはがれてダストとなる問題
が生じてしまう。
【０００６】このため、縮小投影露光装置において露光
を行う場合に、基板の素子領域以外の周辺部分まで同じ
マスクを用いた露光を行い、素子領域と同様な金属パタ
ーンを形成することが考えられる。これによって、少な
くとも基板のダイシングラインに沿った領域の金属膜は
除去されるため、ダイシング工程でのダスト発生を抑制
できることになる。ところが、基板の周辺部分では正確
な金属パターンが形成されておらず非常にはがれやすい
状態となっており、ダイシング工程以外の工程でもこの
金属パターンのはがれが生じ、ダストを発生させてしま
う。
を行う場合に、基板の素子領域以外の周辺部分まで同じ
マスクを用いた露光を行い、素子領域と同様な金属パタ
ーンを形成することが考えられる。これによって、少な
くとも基板のダイシングラインに沿った領域の金属膜は
除去されるため、ダイシング工程でのダスト発生を抑制
できることになる。ところが、基板の周辺部分では正確
な金属パターンが形成されておらず非常にはがれやすい
状態となっており、ダイシング工程以外の工程でもこの
金属パターンのはがれが生じ、ダストを発生させてしま
う。
【０００７】また、等倍投影露光装置において露光を行
う場合には、素子領域での露光を行った後、マスクを取
り替えて基板の周辺部分のみを露光して不要な金属膜を
除去することが考えられる。しかし、この場合には基板
の周辺部分のみを露光するためのマスクを別途作成して
おく必要があるとともに、素子の形状に応じて周辺部分
を露光するためのマスクを個々に用意する必要が生じ、
生産性の低下およびコストアップを招くことになる。
う場合には、素子領域での露光を行った後、マスクを取
り替えて基板の周辺部分のみを露光して不要な金属膜を
除去することが考えられる。しかし、この場合には基板
の周辺部分のみを露光するためのマスクを別途作成して
おく必要があるとともに、素子の形状に応じて周辺部分
を露光するためのマスクを個々に用意する必要が生じ、
生産性の低下およびコストアップを招くことになる。
【０００８】よって、本発明は、素子の形状に即座に対
応できしかも確実に基板の周辺部分の金属膜を除去でき
る露光方法を提供することを目的とする。
応できしかも確実に基板の周辺部分の金属膜を除去でき
る露光方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の目的を
達成するために成された露光方法である。すなわち、本
発明の露光方法は、基板上に金属膜を一様に形成した
後、必要な金属パターンを残すエッチングを行うため、
この金属膜上に塗布したレジストへの露光を行うもので
あり、先ず、所定領域内に所定のパターンが形成された
マスクを介して金属膜上のレジストへの露光を行い、次
いで、透光部および遮光部を有する液晶パネルを介し
て、先のマスクを介して露光された部分以外の金属膜上
のレジストへの露光を行う方法である。
達成するために成された露光方法である。すなわち、本
発明の露光方法は、基板上に金属膜を一様に形成した
後、必要な金属パターンを残すエッチングを行うため、
この金属膜上に塗布したレジストへの露光を行うもので
あり、先ず、所定領域内に所定のパターンが形成された
マスクを介して金属膜上のレジストへの露光を行い、次
いで、透光部および遮光部を有する液晶パネルを介し
て、先のマスクを介して露光された部分以外の金属膜上
のレジストへの露光を行う方法である。
【００１０】
【作用】本発明では、所定領域内にパターンが形成され
たマスクを介して基板上の金属膜上に塗布されたレジス
トへの露光を行い、基板上の素子領域に対応した金属パ
ターンを形成する。また、先のマスクを介した露光にお
いて露光されなかった部分すなわち素子領域以外の部分
の露光を行うため、透光部および遮光部を有する液晶パ
ネルを介しての露光を行う。この液晶パネルを介した露
光によって素子領域以外の部分における不要な金属膜を
除去できるようになる。
たマスクを介して基板上の金属膜上に塗布されたレジス
トへの露光を行い、基板上の素子領域に対応した金属パ
ターンを形成する。また、先のマスクを介した露光にお
いて露光されなかった部分すなわち素子領域以外の部分
の露光を行うため、透光部および遮光部を有する液晶パ
ネルを介しての露光を行う。この液晶パネルを介した露
光によって素子領域以外の部分における不要な金属膜を
除去できるようになる。
【００１１】また、この液晶パネルにおいては、液晶の
複屈折効果を利用して透光部および遮光部の形状を素子
領域の形状や先のマスクで露光した領域の形状に応じて
決定できる。つまり、異なる素子の露光を行う場合であ
っても液晶パネルの透光部および遮光部の形状を電気的
に変更して即座に対応できるようになる。
複屈折効果を利用して透光部および遮光部の形状を素子
領域の形状や先のマスクで露光した領域の形状に応じて
決定できる。つまり、異なる素子の露光を行う場合であ
っても液晶パネルの透光部および遮光部の形状を電気的
に変更して即座に対応できるようになる。
【００１２】
【実施例】以下に、本発明の露光方法における実施例を
図に基づいて説明する。図１は本発明の露光方法を
（ａ）〜（ｂ）の順に説明する概略斜視図である。本発
明における露光方法は、大別してウエハ１０等から成る
基板上の素子領域１３に対する露光工程と（図１（ａ）
参照）、素子領域１３以外の周辺領域１４に対する露光
工程と（図１（ｂ）参照）から成るものである。
図に基づいて説明する。図１は本発明の露光方法を
（ａ）〜（ｂ）の順に説明する概略斜視図である。本発
明における露光方法は、大別してウエハ１０等から成る
基板上の素子領域１３に対する露光工程と（図１（ａ）
参照）、素子領域１３以外の周辺領域１４に対する露光
工程と（図１（ｂ）参照）から成るものである。
【００１３】先ず、図１（ａ）に示すように、素子領域
１３に対する露光を行うにあたり、例えば縮小投影露光
用のパターンＰが所定の矩形領域に形成されたマスク１
を用意する。なお、図中パターンＰにおける「Ｐ」の文
字は、そこに所定の金属パターンに対応したパターンが
あることを示す符号である。次に、このマスク１を用い
た露光を所定のレンズ２を介して行い、マスク１のパタ
ーンＰを金属膜１１上のレジスト１２に転写する。
１３に対する露光を行うにあたり、例えば縮小投影露光
用のパターンＰが所定の矩形領域に形成されたマスク１
を用意する。なお、図中パターンＰにおける「Ｐ」の文
字は、そこに所定の金属パターンに対応したパターンが
あることを示す符号である。次に、このマスク１を用い
た露光を所定のレンズ２を介して行い、マスク１のパタ
ーンＰを金属膜１１上のレジスト１２に転写する。
【００１４】この場合には、１回の露光で１つの素子領
域１３へのパターン転写が行われるため、ウエハ１０を
ｘｙ方向に沿ってステップさせながら各素子領域１３へ
のパターン露光を繰り返し行うようにする。なお、等倍
投影露光装置を用いる場合には、全ての素子領域１３に
形成する金属パターンに対応したパターンが形成されて
いるマスク１を使用し、１回の露光で全ての素子領域１
３へのパターン露光を行うようにする。
域１３へのパターン転写が行われるため、ウエハ１０を
ｘｙ方向に沿ってステップさせながら各素子領域１３へ
のパターン露光を繰り返し行うようにする。なお、等倍
投影露光装置を用いる場合には、全ての素子領域１３に
形成する金属パターンに対応したパターンが形成されて
いるマスク１を使用し、１回の露光で全ての素子領域１
３へのパターン露光を行うようにする。
【００１５】次に、図１（ｂ）に示すように、ウエハ１
０の周辺領域１４への露光を行う。この周辺領域１４へ
の露光を行うにあたり、本実施例においては液晶パネル
３を使用する。この液晶パネル３には、ウエハ１０の周
辺領域１４の形状に対応した透光部３１と、先の工程で
露光した全素子領域１３の外周形状に対応した遮光部３
２とを備えている。すなわち、液晶の複屈折効果を利用
して透光部３１と遮光部３２とを形成し、先の工程で露
光した全素子領域１３に所定の光が照射されず、周辺領
域１４のみへ所定の光が照射されるようにする。
０の周辺領域１４への露光を行う。この周辺領域１４へ
の露光を行うにあたり、本実施例においては液晶パネル
３を使用する。この液晶パネル３には、ウエハ１０の周
辺領域１４の形状に対応した透光部３１と、先の工程で
露光した全素子領域１３の外周形状に対応した遮光部３
２とを備えている。すなわち、液晶の複屈折効果を利用
して透光部３１と遮光部３２とを形成し、先の工程で露
光した全素子領域１３に所定の光が照射されず、周辺領
域１４のみへ所定の光が照射されるようにする。
【００１６】図２は液晶パネルの制御を説明する図であ
る。この液晶パネル３には、その液晶部分３ａに透光部
３１と遮光部３２とを形成するための露光パターン生成
部４が接続されている。露光パターン生成部４は、図１
（ａ）に示す工程で使用したマスク１のマスクデータ５
と、このマスク１を用いて露光した際の露光データ６
（露光マップデータ）とを受けて、液晶部分３ａに透光
部３１と遮光部３２とを形成するための信号を送ってい
る。
る。この液晶パネル３には、その液晶部分３ａに透光部
３１と遮光部３２とを形成するための露光パターン生成
部４が接続されている。露光パターン生成部４は、図１
（ａ）に示す工程で使用したマスク１のマスクデータ５
と、このマスク１を用いて露光した際の露光データ６
（露光マップデータ）とを受けて、液晶部分３ａに透光
部３１と遮光部３２とを形成するための信号を送ってい
る。
【００１７】露光パターン生成部４では、図１に示すマ
スク１の矩形領域の形状等を図２に示すマスクデータ５
から得て、露光の縮小率およびステップ数、露光位置等
を図２に示す露光データ６から得て、これらに基づき全
素子領域１３の最外周内側の領域を求めてこれを遮光部
３２にするよう液晶パネル３に信号を送る。
スク１の矩形領域の形状等を図２に示すマスクデータ５
から得て、露光の縮小率およびステップ数、露光位置等
を図２に示す露光データ６から得て、これらに基づき全
素子領域１３の最外周内側の領域を求めてこれを遮光部
３２にするよう液晶パネル３に信号を送る。
【００１８】また、他の素子領域１３に対応したマスク
１を使用する場合には、このマスク１のマスクデータ５
および露光データ６に応じた遮光部３２を求め、液晶パ
ネル３へ信号を送るようにする。これによって、種々の
素子領域１３に対応してマスク１が多数ある場合であっ
ても、周辺領域１４を露光するための透光部３１および
遮光部３２を即座に生成できることになる。
１を使用する場合には、このマスク１のマスクデータ５
および露光データ６に応じた遮光部３２を求め、液晶パ
ネル３へ信号を送るようにする。これによって、種々の
素子領域１３に対応してマスク１が多数ある場合であっ
ても、周辺領域１４を露光するための透光部３１および
遮光部３２を即座に生成できることになる。
【００１９】液晶パネル３を使用してウエハ１０の周辺
領域１４のレジスト１２へ露光を行った後は、所定の現
像およびエッチングを行う。この現像およびエッチング
によって、素子領域１３には所定の金属パターン（図示
せず）が形成されるとともに、周辺領域１４の金属膜１
１は全て除去されることになる。すなわち、この後の工
程では、周辺領域１４に不要な金属膜１１が存在しない
状態となり、ダストの発生を防止できることになる。
領域１４のレジスト１２へ露光を行った後は、所定の現
像およびエッチングを行う。この現像およびエッチング
によって、素子領域１３には所定の金属パターン（図示
せず）が形成されるとともに、周辺領域１４の金属膜１
１は全て除去されることになる。すなわち、この後の工
程では、周辺領域１４に不要な金属膜１１が存在しない
状態となり、ダストの発生を防止できることになる。
【００２０】なお、図１（ａ）に示す素子領域１３への
露光工程と図１（ｂ）に示す周辺領域１４への露光工程
とを同一の縮小投影露光装置で行う場合には、マスク１
と液晶パネル３とを切り替える機構（例えば、スライド
式やロータリ式、またはミラー等によって光路を切り替
えるような機構）および縮小率を変更できる機構を設け
ておく。これによって、液晶パネル３を用いた周辺領域
１４への露光を行う際には、マスク１から液晶パネル３
への切り替え、および縮小率を等倍へ切り替えて露光を
行うようにすればよい。
露光工程と図１（ｂ）に示す周辺領域１４への露光工程
とを同一の縮小投影露光装置で行う場合には、マスク１
と液晶パネル３とを切り替える機構（例えば、スライド
式やロータリ式、またはミラー等によって光路を切り替
えるような機構）および縮小率を変更できる機構を設け
ておく。これによって、液晶パネル３を用いた周辺領域
１４への露光を行う際には、マスク１から液晶パネル３
への切り替え、および縮小率を等倍へ切り替えて露光を
行うようにすればよい。
【００２１】次に、本発明の他の例を説明する。図３は
本発明の他の例を説明する概略斜視図である。他の例に
おいては、ウエハ１０の素子領域１３への露光は図１
（ａ）に示す工程と同様であるが、ウエハ１０の周辺領
域１４への露光方法が相違する。つまり、他の例ではウ
エハ１０の周辺領域１４への露光を、縮小投影露光装置
を用いて基板をｘｙ方向にステップさせながら繰り返し
行うようにしている。
本発明の他の例を説明する概略斜視図である。他の例に
おいては、ウエハ１０の素子領域１３への露光は図１
（ａ）に示す工程と同様であるが、ウエハ１０の周辺領
域１４への露光方法が相違する。つまり、他の例ではウ
エハ１０の周辺領域１４への露光を、縮小投影露光装置
を用いて基板をｘｙ方向にステップさせながら繰り返し
行うようにしている。
【００２２】このため、液晶パネル３には、ウエハ１０
の１つの素子領域１３の外形つまり図１（ａ）に示すマ
スク１の矩形領域の形状と対応した透光部３１と、この
透光部３１の外側に設けられた遮光部３２とが形成され
ている。なお、この透光部３１および遮光部３２の形状
は、先と同様に図２に示すマスクデータ５および露光デ
ータ６に基づき露光パターン生成部４が決定している。
の１つの素子領域１３の外形つまり図１（ａ）に示すマ
スク１の矩形領域の形状と対応した透光部３１と、この
透光部３１の外側に設けられた遮光部３２とが形成され
ている。なお、この透光部３１および遮光部３２の形状
は、先と同様に図２に示すマスクデータ５および露光デ
ータ６に基づき露光パターン生成部４が決定している。
【００２３】他の例においてウエハ１０への露光を行う
には、先ず図１（ａ）に示すマスク１を用いて素子領域
１３への露光を行う。この際、ウエハ１０をｘｙ方向に
沿ってステップさせながら繰り返し露光を行い、全素子
領域１３への露光を行う。
には、先ず図１（ａ）に示すマスク１を用いて素子領域
１３への露光を行う。この際、ウエハ１０をｘｙ方向に
沿ってステップさせながら繰り返し露光を行い、全素子
領域１３への露光を行う。
【００２４】次に、図３に示す液晶パネル３を用いてウ
エハ１０の周辺領域１４への露光を行う。液晶パネル３
には先に説明したように、マスク１（図１（ａ）参照）
の矩形領域の形状と対応した透光部３１が設けられてい
る。この液晶パネル３を先に使用したマスク１と入れ替
えて、ウエハ１０の周辺領域１４への露光を基板をｘｙ
方向にステップさせながら繰り返して行う。
エハ１０の周辺領域１４への露光を行う。液晶パネル３
には先に説明したように、マスク１（図１（ａ）参照）
の矩形領域の形状と対応した透光部３１が設けられてい
る。この液晶パネル３を先に使用したマスク１と入れ替
えて、ウエハ１０の周辺領域１４への露光を基板をｘｙ
方向にステップさせながら繰り返して行う。
【００２５】つまり、マスク１を用いた素子領域１３へ
の露光と同様なステップにより、素子領域１３以外の周
辺領域１４への露光を液晶パネル３を用いて繰り返し行
い、周辺領域１４全ての露光を行うようにする。これに
よって、素子領域１３および周辺領域１４への露光が完
了し、現像およびエッチングを行うことによって素子領
域１３には所定の金属パターン（図示せず）が形成さ
れ、周辺領域１４には不要な金属膜１１が残らない状態
となる。
の露光と同様なステップにより、素子領域１３以外の周
辺領域１４への露光を液晶パネル３を用いて繰り返し行
い、周辺領域１４全ての露光を行うようにする。これに
よって、素子領域１３および周辺領域１４への露光が完
了し、現像およびエッチングを行うことによって素子領
域１３には所定の金属パターン（図示せず）が形成さ
れ、周辺領域１４には不要な金属膜１１が残らない状態
となる。
【００２６】このような露光方法により、１台の縮小投
影露光装置で素子領域１３への露光よ周辺領域１４への
露光とを行うことができるようになるとともに、種々の
形状から成る素子領域１３への露光を行う場合であって
も液晶パネル３を用いることでその周辺領域１４への露
光を即座に決定できるようになる。
影露光装置で素子領域１３への露光よ周辺領域１４への
露光とを行うことができるようになるとともに、種々の
形状から成る素子領域１３への露光を行う場合であって
も液晶パネル３を用いることでその周辺領域１４への露
光を即座に決定できるようになる。
【００２７】なお、本実施例においては、金属膜１１と
してアルミニウムを用いる場合を中心に説明したが、本
発明はこれに限定されずタングステンや銅、その他の金
属または合金であっても同様である。また、基板として
ウエハ１０を用いる例を示したが、ウエハ１０以外のガ
ラス基板等を用いる場合であっても同様である。
してアルミニウムを用いる場合を中心に説明したが、本
発明はこれに限定されずタングステンや銅、その他の金
属または合金であっても同様である。また、基板として
ウエハ１０を用いる例を示したが、ウエハ１０以外のガ
ラス基板等を用いる場合であっても同様である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の露光方法
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明で
は、基板の素子領域に対応する金属パターンのみを形成
し、素子領域以外の周辺部分における不要な金属膜を残
すことなく除去できるため、周辺部分の金属膜がはがれ
てダストとなることを防止できるようになる。また、周
辺部分の露光を行う際、透光部および遮光部を有する液
晶パネルを用いているため、異なる素子の露光を行う場
合であってもこの透光部と遮光部との形状を電気的に変
更して周辺部分の露光領域を即座に決定できるようにな
る。つまり、周辺部分を露光するためのマスクを別途個
別に用意する必要がなくなり、生産性の向上およびコス
トダウンを図ることが可能となる。
によれば次のような効果がある。すなわち、本発明で
は、基板の素子領域に対応する金属パターンのみを形成
し、素子領域以外の周辺部分における不要な金属膜を残
すことなく除去できるため、周辺部分の金属膜がはがれ
てダストとなることを防止できるようになる。また、周
辺部分の露光を行う際、透光部および遮光部を有する液
晶パネルを用いているため、異なる素子の露光を行う場
合であってもこの透光部と遮光部との形状を電気的に変
更して周辺部分の露光領域を即座に決定できるようにな
る。つまり、周辺部分を露光するためのマスクを別途個
別に用意する必要がなくなり、生産性の向上およびコス
トダウンを図ることが可能となる。
【図１】本発明の露光方法を（ａ）〜（ｂ）の順に説明
する概略斜視図である。
する概略斜視図である。
【図２】液晶パネルの制御を説明する図である。
【図３】他の例を説明する概略斜視図である。
１ マスク ２ レンズ ３ 液晶パネル ４ 露光パターン生成部 ５ マスクデータ ６ 露光データ １０ ウエハ １１ 金属膜 １２ レジスト １３ 素子領域 １４ 周辺領域 ３１ 透光部 ３２ 遮光部
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上に金属膜を一様に形成した後、必
要な金属パターンを残すエッチングを行うため、該金属
膜上に塗布したレジストへの露光を行う露光方法であっ
て、 所定領域内に所定のパターンが形成されたマスクを介し
て前記金属膜上のレジストへの露光を行う工程と、 透光部および遮光部を有する液晶パネルを介して前記マ
スクによる露光領域以外の金属膜上のレジストへの露光
を行う工程とから成ることを特徴とする露光方法。 - 【請求項２】 前記液晶パネルに形成する透光部および
遮光部の形状は、前記パターンが形成されるマスクの所
定領域の形状および該マスクによる露光領域の形状に基
づいて決定することを特徴とする請求項１記載の露光方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115399A JPH08316117A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7115399A JPH08316117A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08316117A true JPH08316117A (ja) | 1996-11-29 |
Family
ID=14661609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7115399A Pending JPH08316117A (ja) | 1995-05-15 | 1995-05-15 | 露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08316117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6135656A (en) * | 1997-06-26 | 2000-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet printing method and apparatus for performing printing by employing ink and processing liquid making ink insoluble |
-
1995
- 1995-05-15 JP JP7115399A patent/JPH08316117A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6135656A (en) * | 1997-06-26 | 2000-10-24 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet printing method and apparatus for performing printing by employing ink and processing liquid making ink insoluble |
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