JPH08310028A - Thermal head - Google Patents

Thermal head

Info

Publication number
JPH08310028A
JPH08310028A JP7148070A JP14807095A JPH08310028A JP H08310028 A JPH08310028 A JP H08310028A JP 7148070 A JP7148070 A JP 7148070A JP 14807095 A JP14807095 A JP 14807095A JP H08310028 A JPH08310028 A JP H08310028A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
glaze layer
thermal head
layer
glaze
section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7148070A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hitoshi Iwata
等 岩田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AOI DENSHI KK
Original Assignee
AOI DENSHI KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by AOI DENSHI KK filed Critical AOI DENSHI KK
Priority to JP7148070A priority Critical patent/JPH08310028A/en
Publication of JPH08310028A publication Critical patent/JPH08310028A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001Core members of the connector
    • H01L2224/45099Material
    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a thermal head having high reliability wherein a short circuit does not occur between electrode patterns. CONSTITUTION: A glaze layer 2 having a mountain-shaped cross section is provided on a surface of a ceramic substrate 1 and heating resistors 6 are formed on a top portion of the glaze layer 2. A glaze layer 4 formed from a material of which main component is a glass having a softening point lower than that of the glaze layer 2 is provided at least one of foot sections 2a of the glaze layer 2 such that one part of each foot sections is overlapped to the glaze layer 4. A conductive layer 5 to be individual electrode patterns and a common electrode pattern is formed on a surface of the glaze layer 4. The glaze layer 4 is formed so that it is possible to prevent a short circuit of the electrode patterns due to the irregularities or zigzag lines on the foot sections 2a of the glaze layer 2.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、サーマルヘッドに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head.

【0002】[0002]

【従来の技術及びその問題点】従来より山形断面形状の
グレーズ層の表面に発熱抵抗体を設けたサーマルヘッド
は、部分グレーズサーマルヘッドとして提案されている
(例えば、特公昭63ー19358号公報)。前記サー
マルヘッドを図3に基づいて説明する。
2. Description of the Related Art A thermal head having a heating resistor provided on the surface of a glaze layer having a chevron cross section has been proposed as a partial glaze thermal head (for example, Japanese Patent Publication No. 63-19358). . The thermal head will be described with reference to FIG.

【0003】図3において、セラミック製基板1の表面
に山形断面形状の第1グレーズ層2及び第2グレーズ層
3が形成されている。この第2グレーズ層3は平坦な断
面形状を有している。そして、前記第1及び第2グレー
ズ層表面を含めセラミック製基板1の表面に導体層5を
形成する。この導体層5はフォトエッチング法等にて、
各個別電極、共通電極等の配線パターンとして形成され
ている。
In FIG. 3, a first glaze layer 2 and a second glaze layer 3 each having a chevron cross section are formed on the surface of a ceramic substrate 1. The second glaze layer 3 has a flat cross-sectional shape. Then, the conductor layer 5 is formed on the surface of the ceramic substrate 1 including the surfaces of the first and second glaze layers. This conductor layer 5 is formed by photoetching or the like.
It is formed as a wiring pattern for each individual electrode, common electrode, and the like.

【0004】次に、前記第1グレーズ層2上に発熱抵抗
体6を形成し、その上部に保護膜7が形成されている。
そして、このサーマルヘッド基板上に発熱抵抗体6での
通電を制御するためのドライバーIC8を前記第2のグ
レーズ層3上に実装し、金線9にて前記導体層5からな
る個別電極とドライバーIC8のボンディングパッドと
をワイヤボンディングして接続する。
Next, a heating resistor 6 is formed on the first glaze layer 2, and a protective film 7 is formed on the heating resistor 6.
Then, a driver IC 8 for controlling energization of the heating resistor 6 is mounted on the thermal head substrate on the second glaze layer 3, and a gold wire 9 is provided for the individual electrode and the driver made of the conductor layer 5 and the driver. The bonding pad of the IC 8 is connected by wire bonding.

【0005】この時、平坦断面形状の前記第2グレーズ
層3を配置する目的は、導体層5からなる個別電極のボ
ンディング時の密着強度を増すために具備されている
が、この第2グレーズ層3は必要不可欠とするものでは
ない。さらに、このサーマルヘッド基板は、図示しない
放熱板に取り付けられた外部配線接続基板、コネクタ、
カバー等を取り付けてサーマルヘッドとなる。
At this time, the purpose of arranging the second glaze layer 3 having a flat cross-sectional shape is provided to increase the adhesion strength of the individual electrode composed of the conductor layer 5 at the time of bonding. 3 is not essential. Further, this thermal head substrate is an external wiring connection substrate, connector, and
Attach a cover etc. to make a thermal head.

【0006】このサーマルヘッドを製造する際に、前記
第1グレーズ層2は印刷法によって形成されるが、該第
1グレーズ層2の裾野部2aで前記セラミック製基板1
との境界部分は印刷時のスクリーンマスクのエッジライ
ンの非直線性とセラミック製基板表面の非平滑性によっ
て、凹凸が大きく現れてしまう。
When the thermal head is manufactured, the first glaze layer 2 is formed by a printing method, and the ceramic substrate 1 is formed at the skirt 2a of the first glaze layer 2.
At the boundary portion between and, large irregularities appear due to the non-linearity of the edge line of the screen mask during printing and the non-smoothness of the surface of the ceramic substrate.

【0007】この問題点を図4に基づき詳述すると、前
記第1グレーズ層2の裾野部2aは前記したように凹凸
が大きく、グレーズ裾野ラインも直線ではなくジグザグ
状態になっている。そして、前記個別電極や共通電極を
パターンニングするために、金ペーストを全面に印刷焼
成することで導体膜を形成する。この時、金ペーストは
印刷性を良くするために、印刷後にレベリングするよう
に粘度が調整されている。
Explaining this problem in detail with reference to FIG. 4, the skirt portion 2a of the first glaze layer 2 has large irregularities as described above, and the glaze skirt line is not a straight line but a zigzag state. Then, in order to pattern the individual electrodes and the common electrode, a gold paste is printed and baked on the entire surface to form a conductor film. At this time, the viscosity of the gold paste is adjusted so as to level after printing in order to improve printability.

【0008】このため、印刷後に第1グレーズ層2の裾
野部2aにおいて、その凹部分にレベリングによって金
ペーストが流れ込み、その部分の金ペーストの膜厚が局
部的に厚くなる。
For this reason, after printing, the gold paste flows into the recesses 2a of the first glaze layer 2 by leveling in the recesses, and the thickness of the gold paste locally increases.

【0009】そして、フォトエッチング法にて金導体を
各個別電極10、共通電極11のパターンに形成する
が、前記第1グレーズ層2の裾野部2aの凹部分は金導
体が局部的に厚くなっているためにエッチングしにく
く、前記パターン以外の余分な金が残り、特に個別電極
側でのパターンにショート箇所12が発生する。このた
め、このショート箇所12は電気的に切断する修正作業
が必要となり、その加工費も増大する。
Then, a gold conductor is formed in the pattern of each individual electrode 10 and the common electrode 11 by the photoetching method. The gold conductor is locally thickened in the concave portion of the skirt portion 2a of the first glaze layer 2. Therefore, it is difficult to etch, excess gold other than the above pattern remains, and a short-circuit portion 12 occurs particularly in the pattern on the individual electrode side. For this reason, this short-circuited portion 12 needs a correction work for electrically cutting it, and the processing cost thereof increases.

【0010】また、他の問題点として、前記第1グレー
ズ層2と第2グレーズ層3とに挟まれた部分は、セラミ
ック製基板1の地肌が露出しており、この部分にはセラ
ミック製基板1上に直接、例えば金ペーストを印刷焼成
することで導体層5を形成せざるをえない。
Further, as another problem, the background of the ceramic substrate 1 is exposed in the portion sandwiched between the first glaze layer 2 and the second glaze layer 3, and the ceramic substrate is exposed in this portion. There is no choice but to form the conductor layer 5 directly on the substrate 1 by printing and firing a gold paste, for example.

【0011】この時、セラミック製基板1の表面は、図
5に示すように、平滑性がなく、陥没部分1aが無数に
発生する。この陥没部1aに金ペーストを印刷した場
合、陥没部1aに空気を巻き込んだ状態となり、これを
焼成すると焼成中の加温にて前記巻き込まれた空気が膨
張して導電層5を膨らませる気泡13が発生する。
At this time, as shown in FIG. 5, the surface of the ceramic substrate 1 is not smooth, and countless recesses 1a are formed. When gold paste is printed on the depressions 1a, air is entrapped in the depressions 1a, and when the paste is fired, the entrained air expands due to the heating during firing to expand the conductive layer 5. 13 occurs.

【0012】この気泡13は、導体層5とセラミック製
基板1とが密着しないため、導体層5の膜剥れを引き起
こすこととなり、このような状態の導体層5をエッチン
グして個別電極や共通電極をパターンニングすると、サ
ーマルヘッドの信頼性を損なうことになる。
The bubbles 13 cause the film peeling of the conductor layer 5 because the conductor layer 5 and the ceramic substrate 1 do not adhere to each other, and the conductor layer 5 in such a state is etched so that individual electrodes and a common electrode are formed. Patterning the electrodes will impair the reliability of the thermal head.

【0013】[0013]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記山形断
面形状の第1グレーズ層2の裾野部2aでの凹凸をなく
し、しかも前記気泡13が発生しない電極パターンを形
成できるサーマルヘッドを提供する点にある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides a thermal head capable of forming an electrode pattern which eliminates the unevenness at the skirt portion 2a of the first glaze layer 2 having the chevron cross-section and which does not generate the bubbles 13. In point.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明サーマルヘッド
は、絶縁基板の表面に、山形断面形状のグレーズ層を設
け、該グレーズ層の表面に発熱抵抗体列を具備してなる
サーマルヘッドにおいて、前記山形断面形状のグレーズ
層の裾野部の一方側または両側の一部が重なるようにし
て絶縁基板の表面に前記山形断面形状グレーズ層よりも
軟化点の低いガラスを主成分とする絶縁層を形成し、該
絶縁層の表面に電極を形成してなることを特徴とする。
A thermal head according to the present invention comprises a glaze layer having a chevron cross section on the surface of an insulating substrate, and a heating resistor array on the surface of the glaze layer. An insulating layer mainly composed of glass having a softening point lower than that of the mountain-shaped cross-sectional glaze layer is formed on the surface of the insulating substrate so that one side or both sides of the skirt of the mountain-shaped cross-sectional glaze layer overlap. An electrode is formed on the surface of the insulating layer.

【0015】[0015]

【実施例】図1は、本発明装置の1実施例の断面を示し
ている。なお、前記従来例と変わらない箇所には同一符
号を付して説明する。図1において、セラミック製基板
1の表面に山形断面形状の第1グレーズ層2と平坦断面
形状の第2グレーズ層3が形成されている。
1 shows a cross section of an embodiment of the device according to the invention. The same parts as those in the conventional example will be described with the same reference numerals. In FIG. 1, a first glaze layer 2 having a chevron cross section and a second glaze layer 3 having a flat cross section are formed on the surface of a ceramic substrate 1.

【0016】この第1グレーズ層2及び第2グレーズ層
3の裾野部2a及び3aに一部重なるように第3グレー
ズ層4を形成する。この第3グレーズ層4は、前記第1
グレーズ層2及び第2グレーズ層3よりも軟化点の低い
ガラスを主成分とする絶縁材料にて形成する。
The third glaze layer 4 is formed so as to partially overlap the skirt portions 2a and 3a of the first glaze layer 2 and the second glaze layer 3. The third glaze layer 4 is the first
The glaze layer 2 and the second glaze layer 3 are made of an insulating material whose main component is glass having a lower softening point.

【0017】そして、前記第1グレーズ層2及び第2グ
レーズ層3の材料として、軟化点が900〜950℃の
材料ペーストを印刷し、1300〜1400℃にて焼成
することでグレーズ層を形成する。特に、第1のグレー
ズ層2の断面形状はプラテンローラと発熱抵抗体6の当
たり状態、プラテン圧の集中状態に影響するため、初期
の断面形状を維持する必要がある。
Then, as the material of the first glaze layer 2 and the second glaze layer 3, a material paste having a softening point of 900 to 950 ° C. is printed and baked at 1300 to 1400 ° C. to form a glaze layer. . In particular, since the cross-sectional shape of the first glaze layer 2 affects the contact state between the platen roller and the heating resistor 6 and the concentrated state of the platen pressure, it is necessary to maintain the initial cross-sectional shape.

【0018】このため、前記第3グレーズ層4を前記第
1グレーズ層2及び第2グレーズ層3の軟化点よりも低
い焼成温度にて焼成しなければ、前記第1グレーズ層2
及び第2グレーズ層3が第3グレーズ層4の焼成中に流
れ出して、ダレを起こして所定の形状を維持できなくな
る。
Therefore, unless the third glaze layer 4 is fired at a firing temperature lower than the softening points of the first glaze layer 2 and the second glaze layer 3, the first glaze layer 2
Also, the second glaze layer 3 flows out during firing of the third glaze layer 4, causing sagging, which makes it impossible to maintain a predetermined shape.

【0019】このことから、前記第3グレーズ層4の材
料として、軟化点が780℃以下で焼成温度が900℃
以下のガラス材料を選定する。同時に、該第3グレーズ
層4の表面粗度は平滑性が要求されるため、ガラスを主
成分とした絶縁材料を使用する。ガラスを主成分とする
ことで焼成後の第3グレーズ層4の表面は、平滑性が良
くなり、また、セラミック基板1の地肌の凹凸をならす
ことも同時に行うことができる。
Therefore, as the material of the third glaze layer 4, the softening point is 780 ° C. or lower and the firing temperature is 900 ° C.
Select the following glass materials. At the same time, since the surface roughness of the third glaze layer 4 is required to be smooth, an insulating material containing glass as a main component is used. By using glass as the main component, the surface of the third glaze layer 4 after firing has good smoothness, and the unevenness of the background of the ceramic substrate 1 can be smoothed at the same time.

【0020】そして、前記第1グレーズ層2との重なり
によって該第1グレーズ層2の裾野部2aの凹凸も前記
第3グレーズ層4によって緩和されるため、前記電極パ
ターンのショートの発生(図4の12)を防止すること
ができる。
The unevenness of the skirt portion 2a of the first glaze layer 2 is also eased by the third glaze layer 4 due to the overlap with the first glaze layer 2, so that the short circuit of the electrode pattern occurs (FIG. 4). 12) can be prevented.

【0021】この場合に前記第1グレーズ層2の裾野部
2aでの前記ショートは、特に個別電極側に発生し易い
ので、前記第3グレーズ層4は個別電極側にのみ形成し
ても良い。
In this case, since the short circuit at the skirt portion 2a of the first glaze layer 2 is particularly likely to occur on the individual electrode side, the third glaze layer 4 may be formed only on the individual electrode side.

【0022】また、前記第2グレーズ層3は、前記第1
グレーズ層2よりもグレーズ幅が広く裾野部3aの凹凸
も小さくなるため、第3グレーズ層4との重なりを設け
なくても実施することができる。
Further, the second glaze layer 3 has the first glaze layer.
Since the glaze width is wider than that of the glaze layer 2 and the unevenness of the skirt portion 3a is also small, it is possible to implement without overlapping with the third glaze layer 4.

【0023】次に、例えば金ペーストを印刷焼成するこ
とで導体層5を形成した後、フォトエッチング法などに
よって導体層5を個別電極、共通電極などの各配線パタ
ーンに形成する。そして前記第1グレーズ層2頂上付近
に発熱抵抗体6を配置し、その上から保護膜7を形成す
る。
Next, after the conductor layer 5 is formed by printing and firing a gold paste, for example, the conductor layer 5 is formed into individual wiring patterns such as individual electrodes and common electrodes by a photoetching method or the like. Then, the heating resistor 6 is arranged near the top of the first glaze layer 2, and the protective film 7 is formed thereon.

【0024】このサーマルヘッド基板上にドライバーI
C8を実装し、金線9にてドライバーIC8のボンディ
ングパッドと個別電極ボンディングパッドとをワイヤー
ボンディングにて接続し、このボンディング部を樹脂に
て封止する。さらにサーマルヘッド基板を図示しない放
熱板上に固定し、外部配線基板、コネクタ、カバーなど
を取りつけてサーマルヘッドを構成する。
A driver I is mounted on the thermal head substrate.
C8 is mounted, the bonding pad of the driver IC 8 and the individual electrode bonding pad are connected by wire bonding with the gold wire 9, and this bonding portion is sealed with resin. Further, the thermal head substrate is fixed on a heat dissipation plate (not shown), and an external wiring substrate, a connector, a cover, etc. are attached to form a thermal head.

【0025】前記実施例では第1グレーズ層2及び第2
グレーズ層3を具備したサーマルヘッドの構成について
説明したが、他の実施例として、図2に示すように前記
第1の実施例における第2グレーズ層3を除いてグレー
ズ層14をセラミック製基板1上に連続して設け、該グ
レーズ層14上に導体層5をパターンニングして個別電
極及び共通電極を形成し、ドライバーIC8を前記グレ
ーズ層14上に固定して実施することもできる。なお、
この第2の実施例において、他の構成は前記第1の実施
例と変わらないから、その説明は省略する。
In the above embodiment, the first glaze layer 2 and the second glaze layer 2
Although the structure of the thermal head having the glaze layer 3 has been described, as another embodiment, as shown in FIG. 2, the glaze layer 14 is formed on the ceramic substrate 1 except for the second glaze layer 3 in the first embodiment. Alternatively, the conductive layer 5 may be continuously provided on the glaze layer 14 to form the individual electrodes and the common electrode by patterning the conductor layer 5, and the driver IC 8 may be fixed on the glaze layer 14. In addition,
The other structure of the second embodiment is the same as that of the first embodiment, and the description thereof will be omitted.

【0026】[0026]

【発明の効果】本発明サーマルヘッドによれば、発熱抵
抗体を設けた山形断面形状のグレーズ層の裾野部に一部
重なるように、絶縁層をセラミック基板上に形成したか
ら、前記グレーズ層の裾野部分において電極パターンの
ショートによる不良を防止でき、その結果ショートを修
正するという作業及び加工費用が不要となる。また、前
記絶縁層上に電極を構成する導電膜を形成したから、従
来のようにセラミック基板表面の凹凸に起因する気泡の
発生を防止でき、信頼性の高いサーマルヘッドを供給で
きる。
According to the thermal head of the present invention, since the insulating layer is formed on the ceramic substrate so as to partially overlap with the skirt of the glaze layer having the chevron section provided with the heating resistor, the glaze layer of the glaze layer is formed. It is possible to prevent a defect due to a short circuit of the electrode pattern in the skirt portion, and as a result, the work for correcting the short circuit and the processing cost are unnecessary. Further, since the conductive film forming the electrode is formed on the insulating layer, it is possible to prevent generation of bubbles due to the unevenness of the surface of the ceramic substrate as in the conventional case, and it is possible to supply a highly reliable thermal head.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明サーマルヘッドの第1実施例の断面図で
ある。
FIG. 1 is a sectional view of a first embodiment of a thermal head of the present invention.

【図2】本発明サーマルヘッドの第2実施例の断面図で
ある。
FIG. 2 is a sectional view of a second embodiment of the thermal head of the present invention.

【図3】従来のサーマルヘッドの断面図である。FIG. 3 is a sectional view of a conventional thermal head.

【図4】従来のサーマルヘッドの問題点を説明する要部
斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view of a main part for explaining a problem of a conventional thermal head.

【図5】従来のサーマルヘッドの他の問題点を説明する
要部断面図である。
FIG. 5 is a cross-sectional view of essential parts for explaining another problem of the conventional thermal head.

【符号の説明】 1 セラミック製基板 2 山形断面状グレーズ層 2a 山形断面状グレーズ層の裾野部 4、14 山形断面状グレーズ層よりも軟化点の低いガ
ラス材料で形成した絶縁層 5 導体層 6 発熱抵抗体
[Explanation of symbols] 1 ceramic substrate 2 chevron cross-section glaze layer 2a foot of chevron cross-section glaze layer 4, 14 insulating layer 5 made of glass material having a lower softening point than the chevron cross-section glaze layer 5 conductor layer 6 heat generation Resistor

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 絶縁基板の表面に山形断面形状のグレー
ズ層を設け、該山形断面形状のグレーズ層の表面に発熱
抵抗体を具備してなるサーマルヘッドにおいて、前記山
形断面形状のグレーズ層の裾野部の一方側または両側に
一部重なるようにして前記絶縁基板の表面に絶縁層を形
成し、該絶縁層の表面に電極パターンを形成してなるこ
とを特徴とするサーマルヘッド。
1. A thermal head comprising a glaze layer having a chevron cross section on the surface of an insulating substrate, and a heating resistor provided on the surface of the glaze layer having the chevron cross section, wherein the foot of the glaze layer having the chevron cross section is provided. A thermal head, characterized in that an insulating layer is formed on the surface of the insulating substrate so as to partially overlap one side or both sides of the portion, and an electrode pattern is formed on the surface of the insulating layer.
【請求項2】 絶縁層は、山形断面形状のグレーズ層よ
りも軟化点の低いガラスを主成分とする材料で形成され
た絶縁層であることを特徴とする請求項1のサーマルヘ
ッド。
2. The thermal head according to claim 1, wherein the insulating layer is an insulating layer formed of a material whose main component is glass having a lower softening point than that of the glaze layer having a chevron cross section.
【請求項3】 電極パターンは、個別電極パターン及び
共通電極パターンであることを特徴とする請求項1のサ
ーマルヘッド。
3. The thermal head according to claim 1, wherein the electrode patterns are an individual electrode pattern and a common electrode pattern.
【請求項4】 絶縁基板は、セラミック製基板であるこ
とを特徴とする請求項1のサーマルヘッド。
4. The thermal head according to claim 1, wherein the insulating substrate is a ceramic substrate.
【請求項5】 絶縁層上にドライバーICを固定したこ
とを特徴とする請求項1のサーマルヘッド。
5. The thermal head according to claim 1, wherein a driver IC is fixed on the insulating layer.
【請求項6】 その裾野部の一方が絶縁層に重なるよう
に、絶縁基板上にトライバーICを固定するグレーズ層
を設けたことを特徴とする請求項1のサーマルヘッド。
6. The thermal head according to claim 1, wherein a glaze layer for fixing the triver IC is provided on the insulating substrate so that one of the skirts thereof overlaps the insulating layer.
JP7148070A 1995-05-23 1995-05-23 Thermal head Pending JPH08310028A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7148070A JPH08310028A (en) 1995-05-23 1995-05-23 Thermal head

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7148070A JPH08310028A (en) 1995-05-23 1995-05-23 Thermal head

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08310028A true JPH08310028A (en) 1996-11-26

Family

ID=15444548

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7148070A Pending JPH08310028A (en) 1995-05-23 1995-05-23 Thermal head

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08310028A (en)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272851A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Hokuto Electronics Corp Thermal head
JP2012116064A (en) * 2010-11-30 2012-06-21 Rohm Co Ltd Thermal printing head
JP2013071384A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Toshiba Hokuto Electronics Corp Method for manufacturing thermal print head
JP2015096338A (en) * 2015-01-28 2015-05-21 ローム株式会社 Thermal printing head
JP2016028903A (en) * 2015-10-28 2016-03-03 ローム株式会社 Thermal print head

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006272851A (en) * 2005-03-30 2006-10-12 Toshiba Hokuto Electronics Corp Thermal head
JP2012116064A (en) * 2010-11-30 2012-06-21 Rohm Co Ltd Thermal printing head
JP2013071384A (en) * 2011-09-28 2013-04-22 Toshiba Hokuto Electronics Corp Method for manufacturing thermal print head
JP2015096338A (en) * 2015-01-28 2015-05-21 ローム株式会社 Thermal printing head
JP2016028903A (en) * 2015-10-28 2016-03-03 ローム株式会社 Thermal print head

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6923358B2 (en) Manufacturing method of thermal print head and thermal print head
JPH08310028A (en) Thermal head
JP2001232838A (en) Thermal printing head and manufacturing method
US6753893B1 (en) Thermal head and method for manufacturing the same
JPH08124658A (en) Linear heating element and its manufacture
JPS6042069A (en) Thermal print head
JP3652831B2 (en) Heat generating device and manufacturing method thereof
US5781220A (en) Thermal head
JP3004095B2 (en) Manufacturing method of thermal head
JPH06218969A (en) Thermal head substrate
JPH05338233A (en) Thermal head
JPH04251758A (en) Thermal printing head
JP2832977B2 (en) Thermal head and method of manufacturing the same
JP3434987B2 (en) Thermal head
JP3469997B2 (en) Thermal head
JP2582999Y2 (en) Thermal head
JP2011194663A (en) Insulating substrate for thermal print head, manufacturing method of the same, and thermal print head
JPS60110470A (en) Thermal recording head
JPH028773Y2 (en)
JP2579642Y2 (en) Thermal head
JPH027482Y2 (en)
JP2575554B2 (en) Edge type thermal head
JP3354146B2 (en) Optical print head
JPH0564906A (en) Thermal print head
JPH08330115A (en) Network electronic component