JPH08307217A - Semiconductor integrated circuit device - Google Patents
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- JPH08307217A JPH08307217A JP7112195A JP11219595A JPH08307217A JP H08307217 A JPH08307217 A JP H08307217A JP 7112195 A JP7112195 A JP 7112195A JP 11219595 A JP11219595 A JP 11219595A JP H08307217 A JPH08307217 A JP H08307217A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
装置等の入力回路において、電源電位の変動による誤動
作を防止する入力回路を備えた半導体集積回路装置に関
するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit device having an input circuit for preventing malfunction due to fluctuations in power supply potential in an input circuit such as a semiconductor integrated circuit device.
【0002】[0002]
【従来の技術】図2は、従来の入力回路の一例を示す回
路図である。この入力回路は、入力端子1、及びインバ
ータ2,3で構成されている。入力信号INを入力する
入力端子1は、インバータ2中のPチャネル型MOSト
ランジスタ(以下、PMOSという)2a及びNチャネ
ル型MOSトランジスタ(以下、NMOSという)2b
の各ゲートGに接続されている。PMOS2aのソース
Sは第1の電源電位VDDに接続され、該PMOS2a
のドレインDがNMOS2bのドレインDに接続されて
いる。NMOS2bのソースSは第2の電源電位である
グランド電位GNDに接続されている。更に、PMOS
2aのドレインDは、インバータ3中のPMOS3a及
びNMOS3bの各ゲートGに接続されている。PMO
S3aのソースSは電源電位VDDに接続され、該PM
OS3aのドレインDがNMOS3bのドレインDに接
続されている。NMOS3bのソースSはグランド電位
GNDに接続されている。PMOS3aのドレインD及
びNMOS3bのドレインDから出力信号OUTが出力
されるようになっている。この入力回路では、入力端子
1に入来する例えばTTL等の高レベル(以下、“H”
という)或いは低レベル(以下、“L”という)を、イ
ンバータ2で反転し、更にインバータ3で反転して該イ
ンバータ3の出力側にてMOSレベル、即ち、“H”は
電源電位VDD、“L”はグランド電位GNDとして出
力する。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a circuit diagram showing an example of a conventional input circuit. This input circuit includes an input terminal 1 and inverters 2 and 3. The input terminal 1 for inputting the input signal IN has a P-channel type MOS transistor (hereinafter referred to as PMOS) 2a and an N-channel type MOS transistor (hereinafter referred to as NMOS) 2b in the inverter 2.
Are connected to the respective gates G. The source S of the PMOS 2a is connected to the first power supply potential VDD,
Drain D is connected to the drain D of the NMOS 2b. The source S of the NMOS 2b is connected to the ground potential GND which is the second power source potential. Furthermore, PMOS
The drain D of 2a is connected to each gate G of the PMOS 3a and the NMOS 3b in the inverter 3. PMO
The source S of S3a is connected to the power supply potential VDD,
The drain D of OS3a is connected to the drain D of NMOS3b. The source S of the NMOS 3b is connected to the ground potential GND. An output signal OUT is output from the drain D of the PMOS 3a and the drain D of the NMOS 3b. In this input circuit, for example, a high level (hereinafter, "H") such as TTL coming into the input terminal 1 is input.
Or a low level (hereinafter referred to as “L”) is inverted by the inverter 2 and further inverted by the inverter 3 so that the MOS level at the output side of the inverter 3, that is, “H” is the power supply potential VDD, “ L ″ is output as the ground potential GND.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図2の
入力回路では、次のような課題があった。図3は、グラ
ンド電位GNDが変動した場合の図2の入力回路の誤動
作を説明する図であり、縦軸に電圧、及び横軸に時間が
とられている。この図を参照しつつ、グランド電位GN
Dが変動した場合の図2の入力回路の動作を説明する。
“H”の入力信号INが入力されているとき、例えば外
来ノイズ等の影響により、時間tにおいて、グランド電
位GNDが上昇した場合、電源電位VDDとグランド電
位GNDとの電位差が正常値より狭くなり、“H”の入
力信号が入力されても、この入力回路はこの“H”を
“L”と認識し、出力側から誤った論理レベルの出力信
号OUTを出力する。即ち、図3に示すように、グラン
ド電位GNDの変動により、出力信号の論理レベルが誤
ったものとなることがある。又、図示しないが、電源電
位VDDの変動により、同様に出力信号の論理レベルが
誤ったものとなることがある。However, the input circuit of FIG. 2 has the following problems. FIG. 3 is a diagram for explaining a malfunction of the input circuit of FIG. 2 when the ground potential GND changes, where the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. With reference to this figure, the ground potential GN
The operation of the input circuit of FIG. 2 when D changes will be described.
When the ground potential GND rises at time t when the “H” input signal IN is input due to the influence of external noise, for example, the potential difference between the power supply potential VDD and the ground potential GND becomes narrower than the normal value. , "H" input signal, this input circuit recognizes this "H" as "L" and outputs an output signal OUT having an incorrect logic level from the output side. That is, as shown in FIG. 3, the logic level of the output signal may be incorrect due to fluctuations in the ground potential GND. Although not shown, the logic level of the output signal may be erroneous due to the fluctuation of the power supply potential VDD.
【0004】[0004]
【課題を解決するための手段】第1の発明は、前記課題
を解決するために、第1の電源電位と第2の電源電位と
の間に接続され、入力信号のレベルと該第1の電源電位
又は該第2の電源電位との差に基づいて決定される論理
レベルに応じた論理レベルの出力信号を内部回路へ出力
する入力回路を、備えた半導体集積回路装置において、
次のような手段を設けている。即ち、前記入力回路の入
力信号の論理レベルと該入力回路の出力信号の論理レベ
ルとを比較して該入力信号の論理レベルに対応しない論
理レベルの出力信号が出力されているとき遮断信号を出
力する比較手段と、前記入力回路の出力信号を遅延する
遅延手段とを、設けている。更に、前記比較手段から前
記遮断信号が出力されているとき前記遅延手段の出力信
号を遮断し、該遮断信号が出力されていないとき前記遅
延手段の出力信号を通過させるスイッチ手段と、前記ス
イッチ手段を通過した前記遅延手段の出力信号を保持し
て前記内部回路へ出力するラッチ手段とを、設けてい
る。In order to solve the above-mentioned problems, a first invention is connected between a first power supply potential and a second power supply potential, and the input signal level and the first power supply potential are connected. In a semiconductor integrated circuit device including an input circuit for outputting an output signal of a logic level according to a logic level determined based on a power supply potential or a difference from the second power supply potential to an internal circuit,
The following means are provided. That is, the cutoff signal is output when the logical level of the input signal of the input circuit is compared with the logical level of the output signal of the input circuit and an output signal of a logical level not corresponding to the logical level of the input signal is output. And a delay means for delaying the output signal of the input circuit. Further, switch means for blocking the output signal of the delay means when the cutoff signal is output from the comparison means, and passing the output signal of the delay means when the cutoff signal is not output, and the switch means. Latch means for holding the output signal of the delay means that has passed through and outputting it to the internal circuit.
【0005】第2の発明は、第1の電源電位と第2の電
源電位との間に接続され、入力信号のレベルと該第1の
電源電位又は該第2の電源電位との差に基づいて決定さ
れる論理レベルに応じた論理レベルの出力信号を内部回
路へ出力する入力回路を、備えた半導体集積回路装置に
おいて、次のような手段を設けている。即ち、前記入力
回路の出力信号の論理レベルが変化したとき所定の時間
幅のパルスを発生する単安定マルチバイブレータと、第
1の発明の遅延手段と、前記単安定マルチバイブレータ
が前記パルスを出力しているとき前記遅延手段の出力信
号を遮断し、該パルスを出力していないとき前記遅延手
段の出力信号を通過させるスイッチ手段と、第1の発明
のラッチ手段とを、設けている。A second invention is connected between a first power supply potential and a second power supply potential, and is based on a difference between the level of an input signal and the first power supply potential or the second power supply potential. In the semiconductor integrated circuit device provided with the input circuit for outputting the output signal of the logic level according to the logic level determined by the above to the internal circuit, the following means are provided. That is, a monostable multivibrator that generates a pulse of a predetermined time width when the logic level of the output signal of the input circuit changes, the delay means of the first invention, and the monostable multivibrator outputs the pulse. Switch means for interrupting the output signal of the delay means while the output signal of the delay means is passed when the pulse is not being output, and the latch means of the first invention.
【0006】[0006]
【作用】第1の発明によれば、以上のように半導体集積
回路装置を構成したので、ラッチ手段により入力回路の
出力信号の論理レベルが保持される。その後、第1又は
第2の電源電位が変動して入力回路の出力信号の論理レ
ベルが入力信号の論理レベルに対応したレベルではなく
なった場合、比較手段から遮断信号が出力される。この
とき、この出力信号は遅延手段で遅延されてスイッチ手
段で遮断される。そのため、入力信号の論理レベルに対
応しない論理レベルの出力信号が内部回路へ出力される
ことが防止される。第2の発明によれば、ラッチ手段に
より入力回路の出力信号の論理レベルが保持される。そ
の後、第1又は第2の電源電位が変動して入力回路の出
力信号の論理レベルが入力信号の論理レベルに対応した
レベルではなくなった場合、単安定マルチバイブレータ
から遮断信号が出力される。このとき、この出力信号は
遅延手段で遅延されてスイッチ手段で遮断される。その
ため、入力信号の論理レベルに対応しない論理レベルの
出力信号が内部回路へ出力されることが防止される。従
って、前記課題を解決できるのである。According to the first invention, since the semiconductor integrated circuit device is configured as described above, the logic level of the output signal of the input circuit is held by the latch means. After that, when the first or second power supply potential fluctuates and the logic level of the output signal of the input circuit is not the level corresponding to the logic level of the input signal, the comparison means outputs the cutoff signal. At this time, this output signal is delayed by the delay means and cut off by the switch means. Therefore, it is possible to prevent the output signal of the logic level not corresponding to the logic level of the input signal from being output to the internal circuit. According to the second invention, the logic level of the output signal of the input circuit is held by the latch means. After that, when the first or second power supply potential fluctuates and the logic level of the output signal of the input circuit does not correspond to the logic level of the input signal, the monostable multivibrator outputs a cutoff signal. At this time, this output signal is delayed by the delay means and cut off by the switch means. Therefore, it is possible to prevent the output signal of the logic level not corresponding to the logic level of the input signal from being output to the internal circuit. Therefore, the above problem can be solved.
【0007】[0007]
【実施例】第1の実施例 図1(a),(b)は、本発明の第1の実施例を示す入
力回路及び比較回路の回路図であり、従来の図2中の要
素と共通の要素には共通の符号が付されている。この入
力回路は、例えば半導体集積回路装置等の入力部に設け
られるものであり、入力端子1、インバータ2、インバ
ータ3、遅延回路4、入力開閉器5、ラッチ回路6、及
び出力端子7で構成されている。入力端子1はノードN
1を介してインバータ2の入力側に接続され、該インバ
ータ2の出力側がインバータ3の入力側に接続されてい
る。インバータ2,3には、第1の電源電位VDD及び
第2の電源電位であるグランド電位GNDが供給されて
いる。インバータ3の出力側はノードN2及び遅延手段
である遅延回路4を介してスイッチ手段である入力開閉
器5の入力側に接続され、該入力開閉器5の出力側がノ
ードN3を介して出力端子7に接続されると共に、イン
バータ6aの入力側に接続されている。入力開閉器5
は、例えばFET等によりトランスファゲートで構成さ
れ、正相遮断信号入力端子Aが“L”のとき又は逆相遮
断信号入力端子A/が“H”のとき入力信号を遮断し、
該正相遮断信号入力端子Aが“H”のとき又は該逆相遮
断信号入力端子A/が“L”のとき入力信号を通過させ
る機能を有している。インバータ6aの出力側はインバ
ータ6bの入力側に接続され、該インバータ6bの出力
側がインバータ6aの入力側に接続されている。尚、イ
ンバータ6a,6bでラッチ手段であるラッチ回路6が
構成されている。図1(b)に示す比較回路は、2入力
NAND回路11を備えている。NAND回路11の第
1の入力端子は図1(a)中のノードN1に接続され、
該NAND回路11の第2の入力端子が図1(a)中の
ノードN2に接続されている。NAND回路11の出力
側はインバータ12の入力側に接続され、該インバータ
12の出力側が遅延回路13を介してインバータ14の
入力側に接続され、インバータ14の出力側は図1
(a)中の入力開閉器5の逆相遮断信号入力端子A/に
接続されている。尚、遅延回路13の遅延時間は、図1
中の遅延回路4の遅延時間よりも短く設定されている。EXAMPLES First Embodiment FIG. 1 (a), (b) is a circuit diagram of the input circuit and the comparator circuit illustrating a first embodiment of the present invention, common to conventional elements in FIG. 2 Common elements are denoted by common reference numerals. This input circuit is provided, for example, in an input section of a semiconductor integrated circuit device or the like, and includes an input terminal 1, an inverter 2, an inverter 3, a delay circuit 4, an input switch 5, a latch circuit 6, and an output terminal 7. Has been done. Input terminal 1 is node N
1 is connected to the input side of the inverter 2, and the output side of the inverter 2 is connected to the input side of the inverter 3. The inverters 2 and 3 are supplied with the first power supply potential VDD and the ground power supply GND which is the second power supply potential. The output side of the inverter 3 is connected to the input side of an input switch 5 which is a switch means via a node N2 and a delay circuit 4 which is a delay means, and the output side of the input switch 5 is an output terminal 7 via a node N3. And is connected to the input side of the inverter 6a. Input switch 5
Is composed of a transfer gate such as an FET, and cuts off the input signal when the positive phase cutoff signal input terminal A is "L" or the negative phase cutoff signal input terminal A / is "H",
It has a function of passing an input signal when the positive phase cutoff signal input terminal A is "H" or when the negative phase cutoff signal input terminal A / is "L". The output side of the inverter 6a is connected to the input side of the inverter 6b, and the output side of the inverter 6b is connected to the input side of the inverter 6a. The inverters 6a and 6b constitute a latch circuit 6 which is a latch means. The comparison circuit shown in FIG. 1B includes a 2-input NAND circuit 11. The first input terminal of the NAND circuit 11 is connected to the node N1 in FIG.
The second input terminal of the NAND circuit 11 is connected to the node N2 in FIG. The output side of the NAND circuit 11 is connected to the input side of the inverter 12, the output side of the inverter 12 is connected to the input side of the inverter 14 via the delay circuit 13, and the output side of the inverter 14 is shown in FIG.
It is connected to the reverse phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5 in (a). The delay time of the delay circuit 13 is as shown in FIG.
It is set to be shorter than the delay time of the delay circuit 4 therein.
【0008】図4は、グランド電位GNDが変動した場
合の図1(a)と図1(b)の動作を説明するためのタ
イムチャートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がと
られている。この図を参照しつつ、グランド電位GND
が変動した場合の図1(a)と図1(b)の動作(1)
〜(4)を説明する。 (1) 時間t1において、入力端子1に“H”が入来
し、ノードN1が“H”になっている。この時、ノード
N1の“H”がインバータ2,3を経由してノードN2
が“H”となり、更に、ノードN3の“H”が遅延回路
4及び入力開閉器5を経由してノードN3が“H”とな
る。ノードN3の“H”は、ラッチ回路6でラッチされ
る。 (2) 時間t2において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第2の電源電位であるグランド電位GNDが
上昇したとすると、ノードN1には見掛け上“L”とな
り、その結果ノードN2の論理レベルが“L”となる。 (3) 時間t3において、NAND回路11はノード
N2の“L”とノードN1の“H”を受けて“H”を出
力する。NAND回路11が出力した“H”は、インバ
ータ12を経て遅延回路13で遅延され、更にインバー
タ14で反転されて“H”となって入力開閉器5の逆相
遮断信号入力端子A/に出力され、入力開閉器5が遮断
される。入力開閉器5が遮断された後に該入力開閉器5
の入力側にノードN2の論理レベルが遅延回路4で遅延
されて到達するので、ラッチ回路6で前記グランド電位
GNDが変動する前の論理レベル(即ち、“H”)が保
持される。 (4) 時間t4において、ノードN2の論理レベルは
再び“H”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
1と同様の状態になる。 以上のように、この第1の実施例では、グランド電位G
NDが上昇してノードN2の論理レベルが入力端子1の
論理レベルに対応したレベルではなくなった場合、この
ノードN2の論理レベルを入力開閉器5で遮断し、かつ
ラッチ回路6がグランド電位GNDが変動する前の論理
レベルを保持するので、誤った論理レベルが内部回路へ
出力されることが防止される。FIG. 4 is a time chart for explaining the operation of FIGS. 1 (a) and 1 (b) when the ground potential GND fluctuates, in which the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. Has been. With reference to this figure, the ground potential GND
1 (a) and 1 (b) when the value fluctuates (1)
(4) will be described. (1) At time t1, “H” is input to the input terminal 1 and the node N1 is “H”. At this time, the “H” of the node N1 passes through the inverters 2 and 3 and the node N2
Becomes "H", and further, "H" at the node N3 becomes "H" at the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. The “H” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (2) At time t2, if the ground potential GND which is the second power supply potential of the input circuit rises due to the influence of external noise or the like, the node N1 apparently becomes “L”, and as a result, the logic level of the node N2. Becomes "L". (3) At time t3, the NAND circuit 11 receives "L" of the node N2 and "H" of the node N1 and outputs "H". The "H" output from the NAND circuit 11 is delayed by the delay circuit 13 via the inverter 12 and further inverted by the inverter 14 to become "H", which is output to the reverse phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5. Then, the input switch 5 is cut off. After the input switch 5 is cut off, the input switch 5
Since the logic level of the node N2 reaches the input side of the delay circuit 4 after being delayed by the delay circuit 4, the latch circuit 6 holds the logic level (that is, "H") before the ground potential GND changes. (4) At time t4, the logic level of the node N2 becomes “H” again, so that the input switch 5 is turned on and time t4.
It becomes the same state as 1. As described above, in the first embodiment, the ground potential G
When ND rises and the logic level of the node N2 does not correspond to the logic level of the input terminal 1, the logic level of the node N2 is cut off by the input switch 5, and the latch circuit 6 changes the ground potential GND to the ground potential GND. Since the logic level before being changed is held, an incorrect logic level is prevented from being output to the internal circuit.
【0009】第2の実施例 図5は、本発明の第2の実施例を示す比較回路の回路図
である。この比較回路は、2入力NOR回路21を備え
ている。NOR回路21の第1の入力端子は図1(a)
中のノードN1に接続され、該NOR回路21の第2の
入力端子が図1(a)中のノードN2に接続されてい
る。NOR回路21の出力側はインバータ22の入力側
に接続され、該インバータ22の出力側が遅延回路23
を介してインバータ24の入力側に接続され、インバー
タ24の出力側は図1(a)中の入力開閉器5の逆相制
御信号入力端子A/に接続されている。尚、遅延回路2
3の遅延時間は、図1中の遅延回路4の遅延時間よりも
短く設定されている。図6は、電源電位VDDが変動し
た場合の図1(a)と図5の動作を説明するためのタイ
ムチャートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がとら
れている。この図を参照しつつ、電源電位VDDが変動
した場合の図1(a)と図5の動作(1)〜(4)を説
明する。 Second Embodiment FIG. 5 is a circuit diagram of a comparison circuit showing a second embodiment of the present invention. This comparison circuit includes a 2-input NOR circuit 21. The first input terminal of the NOR circuit 21 is shown in FIG.
1 is connected to the node N1 and the second input terminal of the NOR circuit 21 is connected to the node N2 in FIG. The output side of the NOR circuit 21 is connected to the input side of the inverter 22, and the output side of the inverter 22 is connected to the delay circuit 23.
Is connected to the input side of the inverter 24, and the output side of the inverter 24 is connected to the negative-phase control signal input terminal A / of the input switch 5 in FIG. The delay circuit 2
The delay time of 3 is set shorter than the delay time of the delay circuit 4 in FIG. FIG. 6 is a time chart for explaining the operation of FIGS. 1A and 5 when the power supply potential VDD fluctuates, in which the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. Operations (1) to (4) in FIG. 1A and FIG. 5 when the power supply potential VDD fluctuates will be described with reference to this figure.
【0010】(1) 時間t1において、入力端子1に
“L”が入来し、ノードN1が“L”になっている。こ
の時、ノードN1の“L”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“L”となり、更に、ノードN3の
“L”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“L”となる。ノードN3の“L”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (2) 時間t2において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第1の電源電位VDDが下降したとすると、
ノードN1には見掛け上“H”となり、その結果ノード
N2の論理レベルが“H”となる。 (3) 時間t3において、NOR回路21はノードN
2の“H”とノードN1の“L”を受けて“L”を出力
する。NOR回路21が出力した“L”は、インバータ
12を経て遅延回路13で遅延され、更にインバータ1
4で反転されて“L”となって入力開閉器5の逆相遮断
信号入力端子A/に出力され、入力開閉器5が遮断され
る。入力開閉器5が遮断された後に該入力開閉器5の入
力側にノードN2の論理レベルが遅延回路4で遅延され
て到達するので、ラッチ回路6で前記グランド電位GN
Dが変動する前の論理レベル(即ち、“L”)が保持さ
れる。 (4) 時間t4において、ノードN2の論理レベルは
再び“L”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
1と同様の状態になる。 以上のように、この第2の実施例では、電源電位VDD
が下降してノードN2の論理レベルが入力端子1の論理
レベルに対応したレベルではなくなった場合、このノー
ドN2の論理レベルを入力開閉器5で遮断し、かつラッ
チ回路6が電源電位VDDが変動する前の論理レベルを
保持するので、誤った論理レベルが内部回路へ出力され
ることが防止される。(1) At time t1, "L" is input to the input terminal 1 and the node N1 is "L". At this time, the “L” of the node N1 goes to the “L” at the node N2 via the inverters 2 and 3, and the “L” of the node N3 goes to the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "L". The “L” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (2) At time t2, if the first power supply potential VDD of the input circuit drops due to the influence of external noise, etc.,
The node N1 apparently becomes "H", and as a result, the logic level of the node N2 becomes "H". (3) At time t3, the NOR circuit 21 has the node N
When it receives "H" of 2 and "L" of the node N1, it outputs "L". The “L” output from the NOR circuit 21 is delayed by the delay circuit 13 after passing through the inverter 12 and the inverter 1
The signal is inverted at 4 and becomes "L", which is output to the reverse phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5, and the input switch 5 is cut off. After the input switch 5 is cut off, the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4, so that the latch circuit 6 causes the ground potential GN to be reached.
The logic level (that is, "L") before D changes is retained. (4) At time t4, the logic level of the node N2 becomes “L” again, so that the input switch 5 is turned on and time t4.
It becomes the same state as 1. As described above, in the second embodiment, the power supply potential VDD
When the logic level of the node N2 falls below the level corresponding to the logic level of the input terminal 1, the logic level of the node N2 is cut off by the input switch 5, and the latch circuit 6 changes the power supply potential VDD. Since the previous logic level is retained, an incorrect logic level is prevented from being output to the internal circuit.
【0011】第3の実施例 図7は、本発明の第3の実施例を示す比較回路の回路図
であり、図1(b)及び図5中の要素と共通の要素には
共通の符号が付されている。この比較回路は、図1
(b)に示す比較回路中のインバータ14の出力側をイ
ンバータ25を介して2入力NOR回路26の第1の入
力端子に接続し、図5に示す比較回路中のインバータ2
4の出力側を該NOR回路26の第2の入力端子に接続
したものである。NOR回路26の出力側は、図1
(a)中の入力開閉器5の逆相遮断信号入力端子A/に
接続されている。図8は、電源電位VDD及びグランド
電位GNDが変動した場合の図1(a)と図7の動作を
説明するためのタイムチャートであり、縦軸に電圧、及
び横軸に時間がとられている。この図を参照しつつ、電
源電位VDD及びグランド電位GNDが変動した場合の
図1(a)と図7の動作(1)〜(9)を説明する。 Third Embodiment FIG. 7 is a circuit diagram of a comparison circuit showing a third embodiment of the present invention. Elements common to those in FIGS. 1B and 5 are designated by common reference numerals. Is attached. This comparison circuit is shown in FIG.
The output side of the inverter 14 in the comparison circuit shown in (b) is connected to the first input terminal of the 2-input NOR circuit 26 via the inverter 25, and the inverter 2 in the comparison circuit shown in FIG.
4 is connected to the second input terminal of the NOR circuit 26. The output side of the NOR circuit 26 is shown in FIG.
It is connected to the reverse phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5 in (a). FIG. 8 is a time chart for explaining the operation of FIG. 1A and FIG. 7 when the power supply potential VDD and the ground potential GND fluctuate, in which the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. There is. Operations (1) to (9) in FIG. 1A and FIG. 7 when the power supply potential VDD and the ground potential GND are changed will be described with reference to this figure.
【0012】(1) 時間t1において、入力端子1に
“L”が入来し、ノードN1が“L”になっている。こ
の時、ノードN1の“L”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“L”となり、更に、ノードN3の
“L”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“L”となる。ノードN3の“L”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (2) 時間t2において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の電源電位VDDが下降したとすると、ノード
N1には見掛け上“H”となり、その結果ノードN2の
論理レベルが“H”となる。 (3) 時間t3において、NOR回路21の各入力端
子はノードN1とノードN2にそれぞれ接続されている
ので、ノードN2の“H”を受けて入力開閉器5の逆相
遮断信号入力端子A/に“H”が出力されて入力開閉器
5が遮断される。入力開閉器5が遮断された後に該入力
開閉器5の入力側にノードN2の論理レベルが遅延回路
4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6で前記グラ
ンド電位GNDが変動する前の論理レベル(即ち、
“L”)が保持される。 (4) 時間t4において、ノードN2の論理レベルは
再び“L”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
1と同様の状態になる。 (5) 時間t5において、入力端子1に“H”が入来
してノードN2の論理レベルが“H”になるまでの間、
逆相遮断信号入力端子A/には“H”が出力されて入力
開閉器5が遮断される。(1) At time t1, "L" is input to the input terminal 1 and the node N1 is "L". At this time, the “L” of the node N1 goes to the “L” at the node N2 via the inverters 2 and 3, and the “L” of the node N3 goes to the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "L". The “L” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (2) At time t2, if the power supply potential VDD of the input circuit drops due to the influence of external noise or the like, the node N1 apparently becomes “H”, and as a result, the logic level of the node N2 becomes “H”. (3) At time t3, since the input terminals of the NOR circuit 21 are connected to the node N1 and the node N2, respectively, the negative phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5 is received by receiving "H" of the node N2. "H" is output to and the input switch 5 is shut off. After the input switch 5 is cut off, the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4, so that the logic level before the ground potential GND changes in the latch circuit 6. (That is,
"L") is held. (4) At time t4, the logic level of the node N2 becomes “L” again, so that the input switch 5 is turned on and time t4.
It becomes the same state as 1. (5) At time t5, until “H” is input to the input terminal 1 and the logic level of the node N2 becomes “H”,
"H" is output to the reverse phase cutoff signal input terminal A / and the input switch 5 is cut off.
【0013】(6) 時間t6において、入力端子1に
“H”が入来し、ノードN1が“H”になっている。こ
の時、ノードN1の“H”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“H”となり、更に、ノードN3の
“H”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“H”となる。ノードN3の“H”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (7) 時間t7において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第2の電源電位であるグランド電位GNDが
上昇したとすると、ノードN1には見掛け上“L”とな
り、その結果ノードN2の論理レベルが“L”となる。 (8) 時間t8において、NAND回路11の各入力
端子はノードN1とノードN2にそれぞれ接続されてい
るので、ノードN2の“L”を受けて入力開閉器5の逆
相遮断信号入力端子A/には“H”が出力されて入力開
閉器5が遮断される。入力開閉器5が遮断された後に該
入力開閉器5の入力側にノードN2の論理レベルが遅延
回路4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6で前記
グランド電位GNDが変動する前の論理レベル(即ち、
“H”)が保持される。 (9) 時間t9において、ノードN2の論理レベルは
再び“H”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
6と同様の状態になる。 以上のように、この第3の実施例では、グランド電位G
NDが上昇してノードN2の論理レベルが入力端子1の
論理レベルに対応したレベルではなくなった場合、又は
電源電位VDDが下降してノードN2の論理レベルが入
力端子1の論理レベルに対応したレベルではなくなった
場合、このノードN2の論理レベルを入力開閉器5で遮
断し、かつラッチ回路6が電源電位VDDが変動する前
の論理レベルを保持するので、誤った論理レベルが内部
回路へ出力されることが防止される。(6) At time t6, "H" is input to the input terminal 1 and the node N1 is at "H". At this time, "H" of the node N1 becomes "H" at the node N2 via the inverters 2 and 3, and "H" of the node N3 becomes at the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "H". The “H” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (7) At time t7, if the ground potential GND, which is the second power supply potential of the input circuit, rises due to the influence of external noise or the like, the node N1 apparently becomes “L”, and as a result, the logic level of the node N2. Becomes "L". (8) At time t8, since the input terminals of the NAND circuit 11 are connected to the node N1 and the node N2, respectively, the negative phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 5 is received by receiving "L" of the node N2. "H" is output to and the input switch 5 is shut off. After the input switch 5 is cut off, the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4, so that the logic level before the ground potential GND changes in the latch circuit 6. (That is,
"H") is held. (9) At time t9, the logic level of the node N2 becomes “H” again, so that the input switch 5 is turned on and time t.
It becomes the same state as 6. As described above, in the third embodiment, the ground potential G
When ND rises and the logic level of the node N2 no longer corresponds to the logic level of the input terminal 1, or when the power supply potential VDD falls and the logic level of the node N2 corresponds to the logic level of the input terminal 1. If it disappears, the logic level of the node N2 is cut off by the input switch 5, and the latch circuit 6 holds the logic level before the power supply potential VDD fluctuates, so that an erroneous logic level is output to the internal circuit. Is prevented.
【0014】第4の実施例 図9は、本発明の第4の実施例を示す比較回路の回路図
である。この比較回路は、2入力NAND回路31を備
えている。NAND回路31の第1の入力端子は、図1
(a)中のノードN1に接続され、該NAND回路31
の第2の入力端子が図1(a)中のノードN2に接続さ
れている。NAND回路31の出力側は、2入力NAN
D回路32の第1の入力端子に接続されている。又、こ
の比較回路は、2入力NOR回路33を備えている。N
OR回路34の第1の入力端子は、図1(a)中のノー
ドN1に接続され、該NOR回路34の第2の入力端子
が図1(a)中のノードN2に接続されている。NOR
回路33の出力側は、インバータ34を介してNAND
回路32の第2の入力端子に接続されている。NAND
回路32の出力側は、図1(a)中の入力開閉器4の正
相相制御信号入力端子Aに接続されている。図10は、
電源電位VDD及びグランド電位GNDが変動した場合
の図1(a)と図9の動作を説明するためのタイムチャ
ートであり、縦軸に電圧、及び横軸に時間がとられてい
る。この図を参照しつつ、電源電位VDD及びグランド
電位GNDが変動した場合の図1(a)と図9の動作
(1)〜(9)を説明する。 Fourth Embodiment FIG. 9 is a circuit diagram of a comparison circuit showing a fourth embodiment of the present invention. This comparison circuit includes a 2-input NAND circuit 31. The first input terminal of the NAND circuit 31 is shown in FIG.
The NAND circuit 31 connected to the node N1 in FIG.
The second input terminal of is connected to the node N2 in FIG. The output side of the NAND circuit 31 has a 2-input NAN.
It is connected to the first input terminal of the D circuit 32. The comparison circuit also includes a 2-input NOR circuit 33. N
The first input terminal of the OR circuit 34 is connected to the node N1 in FIG. 1A, and the second input terminal of the NOR circuit 34 is connected to the node N2 in FIG. 1A. NOR
The output side of the circuit 33 is NANDed through the inverter 34.
It is connected to the second input terminal of the circuit 32. NAND
The output side of the circuit 32 is connected to the positive phase control signal input terminal A of the input switch 4 in FIG. Figure 10
10 is a time chart for explaining the operation of FIG. 1A and FIG. 9 when the power supply potential VDD and the ground potential GND fluctuate, in which the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. Operations (1) to (9) in FIG. 1A and FIG. 9 when the power supply potential VDD and the ground potential GND are changed will be described with reference to this figure.
【0015】(1) 時間t1において、入力端子1に
“L”が入来し、ノードN1が“L”になっている。こ
の時、ノードN1の“L”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“L”となり、更に、ノードN3の
“L”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“L”となる。ノードN3の“L”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (2) 時間t2において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第1の電源電位VDDが下降したとすると、
ノードN1には見掛け上“H”となり、その結果ノード
N2の論理レベルが“H”となる。 (3) 時間t3において、比較回路のNOR回路21
の各入力端子はノードN1とノードN2にそれぞれ接続
されているので、ノードN2の“H”を受けて入力開閉
器5の正相遮断信号入力端子Aには“L”が出力されて
入力開閉器5が遮断される。入力開閉器5が遮断された
後に該入力開閉器5の入力側にノードN2の論理レベル
が遅延回路4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6
で前記グランド電位GNDが変動する前の論理レベル
(即ち、“L”)が保持される。 (4) 時間t4において、ノードN2の論理レベルは
再び“L”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
1と同様の状態になる。 (5) 時間t5において、入力端子1に“H”が入来
してノードN2の論理レベルが“H”になるまでの間、
正相逆相遮断信号入力端子Aには“L”が出力されて入
力開閉器5が遮断される。(1) At time t1, "L" is input to the input terminal 1 and the node N1 is "L". At this time, the “L” of the node N1 goes to the “L” at the node N2 via the inverters 2 and 3, and the “L” of the node N3 goes to the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "L". The “L” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (2) At time t2, if the first power supply potential VDD of the input circuit drops due to the influence of external noise, etc.,
The node N1 apparently becomes "H", and as a result, the logic level of the node N2 becomes "H". (3) At time t3, the NOR circuit 21 of the comparison circuit
Since the respective input terminals of are connected to the node N1 and the node N2 respectively, "L" is output to the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 5 in response to the "H" of the node N2 and the input switching is performed. The vessel 5 is shut off. Since the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4 after the input switch 5 is cut off, the latch circuit 6
Holds the logic level (that is, "L") before the ground potential GND fluctuates. (4) At time t4, the logic level of the node N2 becomes “L” again, so that the input switch 5 is turned on and time t4.
It becomes the same state as 1. (5) At time t5, until “H” is input to the input terminal 1 and the logic level of the node N2 becomes “H”,
"L" is output to the positive-phase / negative-phase cutoff signal input terminal A, and the input switch 5 is cut off.
【0016】(6) 時間t6において、入力端子1に
“H”が入来し、ノードN1が“H”になっている。こ
の時、ノードN1の“H”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“H”となり、更に、ノードN3の
“H”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“H”となる。ノードN3の“H”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (7) 時間t7において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第2の電源電位であるグランド電位GNDが
上昇したとすると、ノードN1には見掛け上“L”とな
り、その結果ノードN2の論理レベルが“L”となる。 (8) 時間t8において、NAND回路11の各入力
端子はノードN1とノードN2にそれぞれ接続されてい
るので、ノードN2の“L”を受けて入力開閉器5の正
相遮断信号入力端子Aには“L”が出力されて入力開閉
器5が遮断される。入力開閉器5が遮断された後に該入
力開閉器5の入力側にノードN2の論理レベルが遅延回
路4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6で前記グ
ランド電位GNDが変動する前の論理レベル(即ち、
“H”)が保持される。 (9) 時間t9において、ノードN2の論理レベルは
再び“H”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
6と同様の状態になる。 以上のように、この第4の実施例では、図7の比較回路
よりも比較的少ない素子で構成された比較回路を用いて
第3の実施例と同様の利点が得られる。(6) At time t6, "H" is input to the input terminal 1 and the node N1 is at "H". At this time, "H" of the node N1 becomes "H" at the node N2 via the inverters 2 and 3, and "H" of the node N3 becomes at the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "H". The “H” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (7) At time t7, if the ground potential GND, which is the second power supply potential of the input circuit, rises due to the influence of external noise or the like, the node N1 apparently becomes “L”, and as a result, the logic level of the node N2. Becomes "L". (8) At time t8, the input terminals of the NAND circuit 11 are connected to the node N1 and the node N2, respectively, so that the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 5 is received by receiving "L" of the node N2. "L" is output and the input switch 5 is shut off. Since the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4 after the input switch 5 is cut off, the logic level before the ground potential GND changes in the latch circuit 6. (That is,
"H") is held. (9) At time t9, the logic level of the node N2 becomes “H” again, so that the input switch 5 is turned on and time t.
It becomes the same state as 6. As described above, in the fourth embodiment, the same advantages as those of the third embodiment can be obtained by using the comparison circuit composed of relatively fewer elements than the comparison circuit of FIG.
【0017】第5の実施例 図11は、本発明の第5の実施例を示す単安定マルチバ
イブレータの回路図である。この単安定マルチバイブレ
ータは、インバータ41を備えている。インバータ41
の入力側は、図1(a)中のノードN2に接続され、該
インバータ41の出力側がインバータ42の入力側に接
続されると共に、入力開閉器43の逆相遮断信号入力端
子A/及び入力開閉器44の正相遮断信号入力端子Aに
接続されている。インバータ41の入力側は、インバー
タ45の入力側に接続されると共に、入力開閉器43の
正相遮断信号入力端子A及び入力開閉器44の逆相遮断
信号入力端子A/に接続されている。インバータ42の
出力側は遅延回路46を介して入力開閉器43の入力側
に接続され、インバータ45の出力側は遅延回路47を
介して入力開閉器44の入力側に接続されている。入力
開閉器43,44の各出力側は、共にインバータ48の
入力側に接続され、該インバータ48の出力側が図1
(a)中の入力開閉器5の正相相遮断信号入力端子Aに
接続されている。尚、遅延回路46,47の遅延時間
は、図1中の遅延回路4の遅延時間よりも短く設定され
ている。図12は、電源電位VDD及びグランド電位G
NDが変動した場合の図1(a)と図11の動作を説明
するためのタイムチャートであり、縦軸に電圧、及び横
軸に時間がとられている。この図を参照しつつ、電源電
位VDD及びグランド電位GNDが変動した場合の図1
(a)と図11の動作(1)〜(9)を説明する。 Fifth Embodiment FIG. 11 is a circuit diagram of a monostable multivibrator showing a fifth embodiment of the present invention. The monostable multivibrator includes an inverter 41. Inverter 41
1 is connected to the node N2 in FIG. 1 (a), the output side of the inverter 41 is connected to the input side of the inverter 42, and the reverse phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 43 and the input It is connected to the positive phase cutoff signal input terminal A of the switch 44. The input side of the inverter 41 is connected to the input side of the inverter 45, and is also connected to the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 43 and the negative phase cutoff signal input terminal A / of the input switch 44. The output side of the inverter 42 is connected to the input side of the input switch 43 via the delay circuit 46, and the output side of the inverter 45 is connected to the input side of the input switch 44 via the delay circuit 47. The output sides of the input switches 43 and 44 are both connected to the input side of the inverter 48, and the output side of the inverter 48 is shown in FIG.
It is connected to the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 5 in (a). The delay times of the delay circuits 46 and 47 are set shorter than the delay time of the delay circuit 4 in FIG. FIG. 12 shows the power supply potential VDD and the ground potential G.
FIG. 12 is a time chart for explaining the operation of FIG. 1A and FIG. 11 when the ND changes, where the vertical axis represents voltage and the horizontal axis represents time. FIG. 1 in the case where the power supply potential VDD and the ground potential GND fluctuate with reference to FIG.
The operations (1) to (9) in (a) and FIG. 11 will be described.
【0018】(1) 時間t1において、入力端子1に
“L”が入来し、ノードN1が“L”になっている。こ
の時、ノードN1の“L”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“L”となり、更に、ノードN3の
“L”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“L”となる。ノードN3の“L”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (2) 時間t2において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第1の電源電位VDDが下降したとすると、
ノードN1には見掛け上“H”となり、その結果ノード
N2の論理レベルが“H”となる。 (3) 時間t3において、インバータ41の入力側は
ノードN2に接続されているので、ノードN2の“H”
を受けて入力開閉器43を導通し、入力開閉器5の正相
遮断信号入力端子Aには“L”が出力されて入力開閉器
5が遮断される。入力開閉器5が遮断された後に該入力
開閉器5の入力側にノードN2の論理レベルが遅延回路
4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6で前記グラ
ンド電位GNDが変動する前の論理レベル(即ち、
“L”)が保持される。 (4) 時間t4において、ノードN2の論理レベルは
再び“L”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
1と同様の状態になる。 (5) 時間t5において、入力端子1に“H”が入来
してノードN2の論理レベルが“H”になると、正相遮
断信号入力端子Aには“L”が出力されて入力開閉器5
が遮断されるので、時間t4でのノードN3の“H”が
保持される。(1) At time t1, "L" is input to the input terminal 1 and the node N1 is "L". At this time, the “L” of the node N1 goes to the “L” at the node N2 via the inverters 2 and 3, and the “L” of the node N3 goes to the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "L". The “L” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (2) At time t2, if the first power supply potential VDD of the input circuit drops due to the influence of external noise, etc.,
The node N1 apparently becomes "H", and as a result, the logic level of the node N2 becomes "H". (3) At time t3, since the input side of the inverter 41 is connected to the node N2, “H” of the node N2
In response to this, the input switch 43 is turned on, and "L" is output to the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 5 to cut off the input switch 5. After the input switch 5 is cut off, the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4, so that the logic level before the ground potential GND changes in the latch circuit 6. (That is,
"L") is held. (4) At time t4, the logic level of the node N2 becomes “L” again, so that the input switch 5 is turned on and time t4.
It becomes the same state as 1. (5) At time t5, when "H" is input to the input terminal 1 and the logic level of the node N2 becomes "H", "L" is output to the positive phase cutoff signal input terminal A and the input switch. 5
Is cut off, the “H” of the node N3 at time t4 is held.
【0019】(6) 時間t6において、入力端子1に
“H”が入来し、ノードN1が“H”になっている。こ
の時、ノードN1の“H”がインバータ2,3を経由し
てノードN2が“H”となり、更に、ノードN3の
“H”が遅延回路4及び入力開閉器5を経由してノード
N3が“H”となる。ノードN3の“H”は、ラッチ回
路6でラッチされる。 (7) 時間t7において、外来ノイズ等の影響により
入力回路の第2の電源電位であるグランド電位GNDが
上昇したとすると、ノードN1には見掛け上“L”が印
加され、その結果ノードN2の論理レベルが“L”とな
る。 (8) 時間t8において、インバータ45の入力側は
ノードN2に接続されているので、ノードN2の“L”
を受けて入力開閉器44を導通し、入力開閉器5の正相
遮断信号入力端子Aには“L”が出力されて入力開閉器
5が遮断される。入力開閉器5が遮断された後に該入力
開閉器5の入力側にノードN2の論理レベルが遅延回路
4で遅延されて到達するので、ラッチ回路6で前記グラ
ンド電位GNDが変動する前の論理レベル(即ち、
“H”)が保持される。 (9) 時間t9において、ノードN2の論理レベルは
再び“H”になるので、入力開閉器5が導通して時間t
6と同様の状態になる。 以上のように、この第5の実施例では、入力回路の出力
信号の論理レベルが変化したとき、所定の時間幅のパル
スを発生する単安定マルチバイブレータを用いて第3の
実施例と同様の利点が得られる。尚、本発明は、半導体
集積回路装置に限らず、電子回路全般に適用される。(6) At time t6, "H" is input to the input terminal 1 and the node N1 is at "H". At this time, "H" of the node N1 becomes "H" at the node N2 via the inverters 2 and 3, and "H" of the node N3 becomes at the node N3 via the delay circuit 4 and the input switch 5. It becomes "H". The “H” of the node N3 is latched by the latch circuit 6. (7) At time t7, if the ground potential GND, which is the second power supply potential of the input circuit, rises due to the influence of external noise or the like, an apparent “L” is applied to the node N1, and as a result, the node N2 The logic level becomes "L". (8) At time t8, since the input side of the inverter 45 is connected to the node N2, “L” of the node N2.
In response to this, the input switch 44 is turned on, "L" is output to the positive phase cutoff signal input terminal A of the input switch 5, and the input switch 5 is cut off. After the input switch 5 is cut off, the logic level of the node N2 reaches the input side of the input switch 5 after being delayed by the delay circuit 4, so that the logic level before the ground potential GND changes in the latch circuit 6. (That is,
"H") is held. (9) At time t9, the logic level of the node N2 becomes “H” again, so that the input switch 5 is turned on and time t.
It becomes the same state as 6. As described above, in the fifth embodiment, when the logic level of the output signal of the input circuit changes, the monostable multivibrator that generates a pulse of a predetermined time width is used, which is similar to the third embodiment. Benefits are obtained. The present invention is applicable not only to semiconductor integrated circuit devices but to electronic circuits in general.
【0020】[0020]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1の発明
によれば、比較手段が入力回路の入力信号の論理レベル
と該入力回路の出力信号の論理レベルとを比較して該入
力信号の論理レベルに対応しない論理レベルの出力信号
が出力されているとき遮断信号を出力し、遅延手段が前
記入力回路の出力信号を遅延し、スイッチ手段が前記比
較手段から前記遮断信号が出力されているとき前記遅延
手段の出力信号を遮断し、該遮断信号が出力されていな
いとき前記遅延手段の出力信号を通過させ、ラッチ手段
が前記スイッチ手段を通過した前記遅延手段の出力信号
を保持して内部回路へ出力するようにしたので、第1又
は第2の電源電位の変動によって入力信号の論理レベル
に対応しない論理レベルの出力信号が内部回路へ出力さ
れることを防止できる。第2の発明によれば、単安定マ
ルチバイブレータが入力回路の出力信号の論理レベルが
変化したとき所定の時間幅のパルスを発生し、遅延手段
が前記入力回路の出力信号を遅延し、スイッチ手段が単
安定マルチバイブレータから前記パルスが出力されてい
るとき前記遅延手段の出力信号を遮断し、該パルスが出
力されていないとき前記遅延手段の出力信号を通過さ
せ、ラッチ手段が前記スイッチ手段を通過した前記遅延
手段の出力信号を保持して内部回路へ出力するようにし
たので、第1の発明と同様に、第1又は第2の電源電位
の変動によって入力信号の論理レベルに対応しない論理
レベルの出力信号が内部回路へ出力されることを防止で
きる。As described in detail above, according to the first aspect of the present invention, the comparing means compares the logic level of the input signal of the input circuit with the logic level of the output signal of the input circuit to input the input signal. The output signal of the logic level not corresponding to the logic level is output, the delay means delays the output signal of the input circuit, the switch means outputs the cutoff signal from the comparison means. The output signal of the delay means is blocked when the output signal of the delay means is passed, the output signal of the delay means is passed when the cutoff signal is not output, and the output signal of the delay means passed through the switch means is held by the latch means. Since the output signal is output to the internal circuit, it is possible to prevent the output signal of the logic level which does not correspond to the logic level of the input signal from being output to the internal circuit due to the fluctuation of the first or second power supply potential. That. According to the second invention, the monostable multivibrator generates a pulse having a predetermined time width when the logical level of the output signal of the input circuit changes, the delay means delays the output signal of the input circuit, and the switch means. Shuts off the output signal of the delay means when the pulse is output from the monostable multivibrator, passes the output signal of the delay means when the pulse is not output, and the latch means passes the switch means. Since the output signal of the delay means is held and output to the internal circuit, the logic level does not correspond to the logic level of the input signal due to the fluctuation of the first or second power supply potential, as in the first invention. It is possible to prevent the output signal of 1 from being output to the internal circuit.
【図1】本発明の実施例の入力回路及び比較回路の回路
図である。FIG. 1 is a circuit diagram of an input circuit and a comparison circuit according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の入力回路の回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram of a conventional input circuit.
【図3】図2の誤動作を説明する図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a malfunction of FIG.
【図4】図1(a)と図1(b)のタイムチャートであ
る。FIG. 4 is a time chart of FIGS. 1 (a) and 1 (b).
【図5】本発明の第2の実施例の比較回路の回路図であ
る。FIG. 5 is a circuit diagram of a comparison circuit according to a second embodiment of the present invention.
【図6】図1(a)と図5のタイムチャートである。FIG. 6 is a time chart of FIGS. 1A and 5.
【図7】本発明の第3の実施例の比較回路の回路図であ
る。FIG. 7 is a circuit diagram of a comparison circuit according to a third embodiment of the present invention.
【図8】図1(a)と図7のタイムチャートである。FIG. 8 is a time chart of FIGS. 1A and 7.
【図9】本発明の第4の実施例の比較回路の回路図であ
る。FIG. 9 is a circuit diagram of a comparison circuit according to a fourth embodiment of the present invention.
【図10】図1(a)と図9のタイムチャートである。FIG. 10 is a time chart of FIGS. 1A and 9.
【図11】本発明の第5の実施例の単安定マルチバイブ
レータの回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram of a monostable multivibrator according to a fifth embodiment of the present invention.
【図12】図1(a)と図11のタイムチャートであ
る。FIG. 12 is a time chart of FIGS. 1A and 11.
2,3,12,14,22,24,26,34,41,
42,45,46 インバータ 4 遅延回
路(遅延手段) 5,43,44 入力開
閉器(スイッチ手段) 6 ラッチ
回路(ラッチ手段) 11,25,31,32 NAN
D回路 21,33 NOR
回路2, 3, 12, 14, 22, 24, 26, 34, 41,
42, 45, 46 Inverter 4 Delay circuit (delay means) 5, 43, 44 Input switch (switch means) 6 Latch circuit (latch means) 11, 25, 31, 32 NAN
D circuit 21, 33 NOR
circuit
Claims (2)
に接続され、入力信号のレベルと該第1の電源電位又は
該第2の電源電位との差に基づいて決定される論理レベ
ルに応じた論理レベルの出力信号を内部回路へ出力する
入力回路を備えた半導体集積回路装置において、 前記入力回路の入力信号の論理レベルと該入力回路の出
力信号の論理レベルとを比較して該入力信号の論理レベ
ルに対応しない論理レベルの出力信号が出力されている
とき遮断信号を出力する比較手段と、 前記入力回路の出力信号を遅延する遅延手段と、 前記比較手段から前記遮断信号が出力されているとき前
記遅延手段の出力信号を遮断し、該遮断信号が出力され
ていないとき前記遅延手段の出力信号を通過させるスイ
ッチ手段と、 前記スイッチ手段を通過した前記遅延手段の出力信号を
保持して前記内部回路へ出力するラッチ手段とを、 設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。1. It is connected between a first power supply potential and a second power supply potential and is determined based on a difference between the level of an input signal and the first power supply potential or the second power supply potential. In a semiconductor integrated circuit device having an input circuit for outputting an output signal of a logic level according to a logic level to an internal circuit, the logic level of the input signal of the input circuit is compared with the logic level of the output signal of the input circuit. Comparing means for outputting an interruption signal when an output signal of a logical level not corresponding to the logical level of the input signal is outputted, delay means for delaying an output signal of the input circuit, and the interruption signal from the comparing means. Switch means for blocking the output signal of the delay means when the output signal is output, and for passing the output signal of the delay means when the cutoff signal is not output; A latch means for holding and outputting an output signal of the extending means to the internal circuit, the semiconductor integrated circuit device, characterized in that provided.
に接続され、入力信号のレベルと該第1の電源電位又は
該第2の電源電位との差に基づいて決定される論理レベ
ルに応じた論理レベルの出力信号を内部回路へ出力する
入力回路を、 備えた半導体集積回路装置において、 前記入力回路の出力信号の論理レベルが変化したとき所
定の時間幅のパルスを発生する単安定マルチバイブレー
タと、 請求項1記載の遅延手段と、 前記単安定マルチバイブレータが前記パルスを出力して
いるとき前記遅延手段の出力信号を遮断し、該パルスを
出力していないとき前記遅延手段の出力信号を通過させ
るスイッチ手段と、 請求項1記載のラッチ手段とを、 設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。2. It is connected between a first power supply potential and a second power supply potential and is determined based on a difference between the level of an input signal and the first power supply potential or the second power supply potential. In a semiconductor integrated circuit device having an input circuit for outputting an output signal of a logic level according to a logic level to an internal circuit, a pulse having a predetermined time width is generated when the logic level of the output signal of the input circuit changes. A monostable multivibrator, a delay unit according to claim 1, and an output signal of the delay unit being cut off when the monostable multivibrator is outputting the pulse, and the delay unit being not outputting the pulse. 2. A semiconductor integrated circuit device, comprising: switch means for allowing the output signal of 1. to pass; and latch means according to claim 1.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7112195A JPH08307217A (en) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7112195A JPH08307217A (en) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08307217A true JPH08307217A (en) | 1996-11-22 |
Family
ID=14580650
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7112195A Withdrawn JPH08307217A (en) | 1995-05-11 | 1995-05-11 | Semiconductor integrated circuit device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08307217A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136192A (en) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Honeywell Internatl Inc | Set hardened register |
-
1995
- 1995-05-11 JP JP7112195A patent/JPH08307217A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008136192A (en) * | 2006-10-27 | 2008-06-12 | Honeywell Internatl Inc | Set hardened register |
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