JPH08306719A - Method and apparatus for resin sealing semiconductor device - Google Patents

Method and apparatus for resin sealing semiconductor device

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JPH08306719A
JPH08306719A JP7103758A JP10375895A JPH08306719A JP H08306719 A JPH08306719 A JP H08306719A JP 7103758 A JP7103758 A JP 7103758A JP 10375895 A JP10375895 A JP 10375895A JP H08306719 A JPH08306719 A JP H08306719A
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shutter
gate
lead frame
runner
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Abstract

PURPOSE: To provide die for resin sealing a semiconductor device and a production method in which the resin can be left surely at upper and lower resin sumps while eliminating the gate break step. CONSTITUTION: Upper and lower dies comprises a cavity 17, an air vent 18, gate drawing parts 15, 16a having a drawing angle for molding a resin sump, a runner part 11, and a transfer pot 8. The lower die 2a is provided with a shutter 22a for removing the resin in the runner by moving up and down. The shutter 22a is disposed within a range covering the end part of a lead frame 7a and the starting point of gate drawing angle. More specifically, the shutter 22a is disposed such that the resin sump 12 of lower die 2a is left surely. Since the lead frame mounting a semiconductor chip is held between the dies and clamped, a semiconductor package can be molded without requiring any gate break.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の樹脂封止方
法および樹脂封止装置に係わり、特にランナー部にシャ
ッターを配設してゲートブレイクを改善した樹脂封止装
置および樹脂封止方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a resin encapsulation method and a resin encapsulation apparatus for a semiconductor device, and more particularly to a resin encapsulation apparatus and a resin encapsulation method in which a shutter is provided in a runner portion to improve a gate break. .

【0002】[0002]

【従来の技術】近年の半導体装置は、微細加工技術の進
展に伴いその集積度も向上するとともに、利用分野も工
業用機器、民生用機器を含む幅広い分野の機器に使用さ
れるようになってきた。そのため、小型化、薄型化およ
び多ピン化等のそれぞれの機器に使用し易い形状のパッ
ケージを備えた半導体装置が製品化されている。
2. Description of the Related Art In recent years, semiconductor devices have been improved in the degree of integration with the progress of fine processing technology, and have been used in a wide range of fields including industrial equipment and consumer equipment. It was Therefore, a semiconductor device including a package having a shape that is easy to use for each device such as miniaturization, thinning, and multi-pinning has been commercialized.

【0003】これらの半導体装置に用いられるパッケー
ジ形態のなかに樹脂封止によるDIP(dual in
−line package)型、QFP(quad
flat package)型、およびQUIP(qu
ad in−line)型等がある。
Among the package forms used for these semiconductor devices, resin-sealed DIP (dual in
-Line package) type, QFP (quad)
flat package) type and QUIIP (qu
ad in-line) type.

【0004】これらのパッケージを構成する場合には、
導電性の金属材料を用いたリードフレームが使用され、
このリードフレームのアイランドに半導体チップを搭載
し、その電極とアイランド周辺に配設されたインナリー
ドとを金属細線(ワイヤ)を用いてワイヤボンディング
することによって電気的接続を行ない、これらを樹脂で
封止する構造がとられている。
When constructing these packages,
A lead frame using a conductive metal material is used,
A semiconductor chip is mounted on the island of this lead frame, and the electrode and the inner lead arranged around the island are wire-bonded by using a fine metal wire (wire) to make electrical connection, and these are sealed with resin. The structure to stop is adopted.

【0005】上述した樹脂封止時においては、所定のパ
ッケージの形状に合せて形成された上金型および下金型
の間のキャビティ内に半導体装置が搭載されたリードフ
レームが挟まれて型締めされ、半導体装置を搭載するア
イランドの吊りピンの一方側から樹脂が封入される。そ
の場合、リードフレームの上下両面に均等に樹脂を封入
するために開発された方法の一つに樹脂流入孔と称する
穴部を吊りピン部とコーナー部とを含む領域に形成し、
吊りピンの下面側のランナー部と称する樹脂流経路から
注入した樹脂がこの樹脂流入孔を通って上面側にも流入
し、上下両面に万遍なく樹脂が注入されるように工夫さ
れている。
At the time of resin sealing as described above, a lead frame having a semiconductor device mounted therein is sandwiched in a cavity between an upper mold and a lower mold formed in conformity with a predetermined package shape, and the mold is clamped. Then, the resin is sealed from one side of the hanging pin of the island on which the semiconductor device is mounted. In that case, a hole portion called a resin inflow hole is formed in a region including the hanging pin portion and the corner portion in one of the methods developed to uniformly fill the resin on the upper and lower surfaces of the lead frame,
It is devised that the resin injected from a resin flow path called a runner portion on the lower surface side of the hanging pin also flows into the upper surface side through the resin inflow hole, and the resin is evenly injected into the upper and lower surfaces.

【0006】このとき、下面側のランナー部と樹脂流入
孔を通った樹脂流動を均等にするために、上下金型のラ
ンナー部とキャビティ部との境界に所定の絞り角をもた
せて上ゲートおよび下ゲートと称する突起部と、この上
ゲート部の手前に上樹脂溜り部と称する樹脂流調整用の
スペースを設けている。さらに、下ゲートと下ランナー
部との間には2段目のゲートが設けられこれら両ゲート
間のスペースを下樹脂溜り部と称している。
At this time, in order to equalize the resin flow through the runner portion on the lower surface side and the resin inflow hole, a predetermined narrowing angle is provided at the boundary between the runner portion and the cavity portion of the upper and lower molds and the upper gate and A protrusion called a lower gate and a space for resin flow adjustment called an upper resin reservoir are provided in front of the upper gate. Furthermore, a second-stage gate is provided between the lower gate and the lower runner portion, and the space between these gates is called the lower resin reservoir portion.

【0007】その一例として、半導体チップが搭載され
たリードフレームを樹脂封止する工程で金型およびリー
ドフレームを吊りピン上を対角線方向に切断した断面図
であって、封入前の金型およびリードフレームの断面図
を示した図4(a)、封入開始前で、上金型および下金
型による型締めした状態の断面図を示した図4(b)、
樹脂封入開始状態を断面図で示した図4(c)、樹脂封
入後の状態を断面図で示した図4(d)、封入後のパッ
ケージをイジェクタピンにより金型からパッケージを分
離した状態を断面図で示した図4(e)をそれぞれ併せ
て参照すると、あらかじめ所望する温度に熱せられた上
金型1b、下金型2b上に少なくとも銀ペースト3を用
いてアイランド4に半導体チップ5を固定し、ボンディ
ングワイヤ6を介して、半導体チップ5上に形成された
電極(不図示)とインナリードとをボンディングしたリ
ードフレーム7aをセットする(図4(a))。
[0007] As an example thereof, it is a cross-sectional view of the die and the lead frame cut diagonally on the hanging pins in the step of resin-sealing the lead frame on which the semiconductor chip is mounted. FIG. 4 (a) showing a cross-sectional view of the frame, FIG. 4 (b) showing a cross-sectional view of a state where the upper mold and the lower mold are clamped before the start of encapsulation.
FIG. 4C is a cross-sectional view showing the resin-filled state, FIG. 4D is a cross-sectional view showing the resin-filled state, and FIG. 4D shows the packaged state after the package is separated from the mold by ejector pins. Referring also to FIG. 4 (e) shown in the cross-sectional view, the semiconductor chip 5 is mounted on the island 4 by using at least the silver paste 3 on the upper mold 1b and the lower mold 2b which are heated to a desired temperature in advance. The lead frame 7a is fixed and the electrode (not shown) formed on the semiconductor chip 5 and the inner lead are bonded via the bonding wire 6 (FIG. 4A).

【0008】次に、トランスファポット8内に樹脂タブ
レット9を投入し、下金型2bを押し上げ、リードフレ
ーム7aを挾持した状態で型締めを行う(図4
(b))。
Next, the resin tablet 9 is put into the transfer pot 8, the lower die 2b is pushed up, and the die is clamped while the lead frame 7a is held (FIG. 4).
(B)).

【0009】次に、下金型2bの熱により、樹脂タブレ
ット9が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジャ
ー10が上昇すると、樹脂はランナー部11を流れ、下
2段目ゲート20を通過して、まず下樹脂溜り部12に
流入し、続いてリードフレーム7a内に設けられた樹脂
流入孔13を通って上樹脂溜り部14にそれぞれ流入す
る。
Next, after the resin tablet 9 is softened by the heat of the lower mold 2b and the plunger 10 for pressing the tablet rises, the resin flows through the runner portion 11 and passes through the lower second stage gate 20. First, it flows into the lower resin reservoir 12 and then into the upper resin reservoir 14 through the resin inflow holes 13 provided in the lead frame 7a.

【0010】これらの樹脂溜り部12,14に流入した
樹脂は、上ゲート15および下ゲート16aに向って流
れる。上ゲート15および下ゲート16aを通った樹脂
は、封止前にキャビティ17内にあった空気をエアベン
ト18から抜気しながら、キャビティ17内を充填し、
封止が完了する(図4(c))。
The resin that has flowed into the resin reservoirs 12 and 14 flows toward the upper gate 15 and the lower gate 16a. The resin that has passed through the upper gate 15 and the lower gate 16a fills the inside of the cavity 17 while evacuating the air inside the cavity 17 from the air vent 18 before sealing.
The sealing is completed (FIG. 4 (c)).

【0011】その後、樹脂の硬化が終了するまで型締め
された状態で保持され(図4(d))、樹脂の硬化後に
稼働側の下金型2bが開き、イジェクターピン19が突
き出し、封止済のパッケージを金型から離型する(図4
(e))。
Thereafter, the mold is held in a clamped state until the resin is completely cured (FIG. 4 (d)), and the lower mold 2b on the working side is opened after the resin is cured, and the ejector pin 19 is projected and sealed. The finished package is released from the mold (Fig. 4
(E)).

【0012】封止済のパッケージを金型から取り出し、
下2段目ゲート20の個所でゲートブレイクを行ない、
カル21とパッケージとを分離し、樹脂封止を完了す
る。
Remove the sealed package from the mold,
Make a gate break at the second lower gate 20,
The cull 21 and the package are separated, and the resin sealing is completed.

【0013】なお、封止後の工程としては、タイバー切
断工程、メッキ工程、切断分離工程、選別工程、成形・
吊りピンカット工程の順に行なわれるが、リードフレー
ム7a上に残留した上、下樹脂溜り部14,12は、タ
イバ切断工程、吊りピンカット工程等で除去する。
The steps after sealing include tie bar cutting step, plating step, cutting and separating step, sorting step, molding and
Although the hanging pin cutting process is performed in order, the upper and lower resin pool portions 14 and 12 remaining on the lead frame 7a are removed by a tie bar cutting process, a hanging pin cutting process, and the like.

【0014】一方、ゲート部にシャッターを設けてゲー
トブレイクを省略する一例が特開平3−284921号
公報に記載されている。同公報記載の半導体装置の製造
工程の断面図を、説明を容易にするため本発明の製造工
程図に合せて書き改めた図5を参照すると、図4と同じ
構成要素には同一の符号を付してある。
On the other hand, an example in which a shutter is provided at the gate portion and the gate break is omitted is described in Japanese Patent Laid-Open No. 3-284921. Referring to FIG. 5, which is a cross-sectional view of the manufacturing process of the semiconductor device described in the publication rewritten in accordance with the manufacturing process diagram of the present invention for facilitating the description, the same components as those in FIG. It is attached.

【0015】図4との相違点は、リードフレーム7bに
樹脂流入孔が無く、したがって、金型に絞り角が形成さ
れず平坦化されていることと、下金型2cにシャッター
22cが配設されていることである。それ以外の構成要
素および工程断面図(a)〜(e)は図4と同様である
から説明は省略する。
4 is different from that shown in FIG. 4 in that the lead frame 7b has no resin inflow hole, and therefore the die is flattened without forming a drawing angle, and the lower die 2c is provided with a shutter 22c. That is what is being done. Other components and process cross-sectional views (a) to (e) are the same as those in FIG.

【0016】この従来例では、シャッター22cにより
ランナー部11内の樹脂をリードフレーム7bの中央部
からパッケージの側面までの樹脂を除去している。
In this conventional example, the resin in the runner portion 11 from the central portion of the lead frame 7b to the side surface of the package is removed by the shutter 22c.

【0017】さらに、シャッターの形状を斜にした工程
断面図の一例を示した図6を参照すると、この図でも図
5と同じ構成要素には同一の符号を付してある。
Further, referring to FIG. 6 which shows an example of a process sectional view in which the shape of the shutter is inclined, in this figure, the same components as those in FIG. 5 are denoted by the same reference numerals.

【0018】図5との相違点は、絞り部の絞り角の形状
に合せかつシャッター22cよりも幅の狭いシャッター
22dを用いたことである。それ以外の構成要素および
工程断面図(a)〜(e)は図4と同様であるから説明
は省略する。
The difference from FIG. 5 is that a shutter 22d which has a narrower width than the shutter 22c is used according to the shape of the diaphragm angle of the diaphragm portion. Other components and process cross-sectional views (a) to (e) are the same as those in FIG.

【0019】この従来例では、シャッター22dにより
ゲート部16a内の樹脂をパッケージの側面まで斜めに
除去している。
In this conventional example, the resin in the gate portion 16a is obliquely removed to the side surface of the package by the shutter 22d.

【0020】[0020]

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
の半導体装置の樹脂封止装置においては、上樹脂溜り部
および下樹脂溜り部を確実にリードフレームに残留させ
るためには、ゲートブレイクを行なうときに、下2段目
ゲートからブレイクする。すなわち、従来のゲートブレ
イク後のパッケージの断面図を示した図7(a)および
ゲートブレイク不良の一例を示すパッケージの断面図を
示した図7(b)を参照すると、下2段目ゲートからブ
レイクしたときには、上、下樹脂歩留り部を残して下2
段目ゲートからリードフレームの端部までの樹脂は打ち
落される。
As described above, in the conventional resin encapsulation device for a semiconductor device, in order to ensure that the upper resin puddle and the lower resin puddle remain in the lead frame, the gate break is eliminated. When performing, break from the second lower gate. That is, referring to FIG. 7A showing a cross-sectional view of a package after a conventional gate break and FIG. 7B showing a cross-sectional view of a package showing an example of a defective gate break, from the second lower gate, When a break occurs, the upper and lower resin yield parts are left and the lower 2
The resin from the step gate to the end of the lead frame is dropped off.

【0021】ゲートブレイク不良の一例を示すパッケー
ジの断面図を示した図7(b)を参照すると、ゲートブ
レイクの仕方によっては上、下樹脂歩留り部が欠落して
しまうゲートブレイク不良が発生することがある。
Referring to FIG. 7B, which is a sectional view of a package showing an example of a gate break defect, a gate break defect may occur in which the upper and lower resin yield portions are missing depending on the method of the gate break. There is.

【0022】すなわち、仕上げ工程のうち特にタイバー
切断工程はタイバーを切断するために金型の構造は、歯
の厚さが約0.2mmのくし歯のようになっている。こ
のくし歯に、上述したような不良形状により封止工程以
降の工程中に残った形状不良の樹脂が脱落して樹脂クズ
がはさまると、くし歯が折れて金型を破損する欠点があ
った。
That is, in the finishing step, particularly in the tie bar cutting step, the structure of the die is like a comb tooth having a tooth thickness of about 0.2 mm for cutting the tie bar. This comb tooth has a drawback that if the resin having a bad shape left in the steps after the sealing step comes off due to the bad shape as described above and the resin scrap is caught, the comb tooth is broken and the mold is damaged. .

【0023】また、封止樹脂がキャビティに到達するま
でのランナー内部での経路には下2段目ゲートおよび下
1段目ゲートの2個所のゲートを通過するので、封入樹
脂の受ける熱量が増加し、樹脂の硬化が進行する。その
ため、接触するワイヤーと樹脂流との抵抗が増えてワイ
ヤー流れ、あるいは接触するアイランドとの樹脂流の抵
抗が増えてアイランドシフトが大きくなる欠点があっ
た。
Further, since the encapsulating resin passes through the two gates of the lower second stage gate and the lower first stage gate in the route inside the runner until it reaches the cavity, the amount of heat received by the encapsulating resin increases. Then, the curing of the resin proceeds. Therefore, there is a drawback that the resistance between the contacting wire and the resin flow increases and the resistance of the wire flow or the resin flow with the contacting island increases and the island shift increases.

【0024】一方、ゲート部にシャッターを設けること
によってゲートブレイクを省略するようにした従来例の
場合は、不要な樹脂をリードフレーム裏面に残さないた
めにリードフレームと平行な面をもつシャッターにする
必要がある。
On the other hand, in the case of the conventional example in which the gate break is omitted by providing a shutter in the gate portion, a shutter having a surface parallel to the lead frame is used so that unnecessary resin is not left on the back surface of the lead frame. There is a need.

【0025】すなわち、ゲート絞り部の形状を断面図で
示した図8を参照すると、樹脂をキャビティ部に導くた
めには絞り部を設ける必要があるが、上述したシャッッ
ター形状ではこのような絞り部にすることが出来ず、ラ
ンナー部は平坦化されている。したがって、樹脂を充填
する際に、パッケージの下面の樹脂流は途中の流動抵抗
が減少して流れ易くなるので、リードフレームの上下面
の樹脂充填差によるボイドの多発、あるいはアイランド
シフトが大きくなる欠点がある。
That is, referring to FIG. 8 showing the shape of the gate throttle portion in a sectional view, it is necessary to provide the throttle portion in order to introduce the resin into the cavity portion. The runner part is flattened. Therefore, when the resin is filled, the resin flow on the lower surface of the package becomes easy to flow due to a decrease in the flow resistance in the middle, so that the voids frequently occur due to the difference in the resin filling between the upper and lower surfaces of the lead frame or the island shift becomes large. There is.

【0026】また、ゲート残りの樹脂の発生が無くなる
が、ランナー部の樹脂は残っているので、パッケージと
カルとの分離工程は省略出来ない。
Although the resin remaining in the gate is not generated, the resin in the runner portion remains, so the step of separating the package from the cull cannot be omitted.

【0027】このゲートブレイク工程を省略するために
シャッターを用いてゲートからランナー部が配設された
リードフレーム端部までの全てのランナー部を除去しよ
うとすると、ゲート絞り角を平坦にしなければならずゲ
ートとランナー部との深さは同一となり、キャビティ下
側の樹脂流動が先行することになる。すなわち、ランナ
ー部の樹脂を全て除去するにはシャッターの上面をリー
ドフレームの下面に平行にする必要があり、ランナー部
に絞り角があるとシャッター上面にも絞り角を設けるこ
とになるが、シャッターを上方向に駆動させると当然シ
ャッターの絞り角の先端が先にリードフレームの底面に
到達することになり、それ以上シャッターを閉じること
が不可能になる。
To remove all the runners from the gate to the end of the lead frame where the runners are arranged by using a shutter in order to omit the gate break process, the gate aperture angle must be flattened. The depth of the gate and the runner is the same, and the resin flow under the cavity precedes. In other words, the upper surface of the shutter must be parallel to the lower surface of the lead frame in order to remove all the resin in the runner section. If the runner section has an aperture angle, the shutter upper surface will also have an aperture angle. When is driven upward, the tip of the aperture angle of the shutter naturally reaches the bottom surface of the lead frame first, and it becomes impossible to close the shutter any more.

【0028】絞り角を無視してシャッター上面を全面平
坦にすると、シャッターを下方向に駆動して開いたと
き、下金型の絞り角の斜辺面には、シャッター上面の水
平面と下金型の斜面の角度の差分だけすき間が開口し、
そこから樹脂が漏れ出すことになるから、結局、絞り角
をもった状態のランナー部の樹脂を全部除去することは
出来ない。
If the shutter upper surface is entirely flattened ignoring the diaphragm angle, when the shutter is driven downward to open, the hypotenuse side of the diaphragm angle of the lower mold has the horizontal plane of the shutter upper surface and the lower mold. The gap opens by the difference in the angle of the slope,
Since the resin leaks from there, it is not possible to completely remove the resin in the runner portion having the drawing angle.

【0029】さらに、シャッターを斜にした従来例の場
合は、シャッター上面をゲート形状に合せて斜にしてあ
るので、シャッターを閉じることによりゲートの樹脂切
断をすることは可能であるが、ランナー部の樹脂を除去
することは出来ないので、ランナー部とリードフレーム
枠を除去するために、ゲートブレイク工程を省略するこ
とが出来ないという欠点がある。
Further, in the case of the conventional example in which the shutter is slanted, since the upper surface of the shutter is slanted in conformity with the gate shape, it is possible to cut the resin of the gate by closing the shutter, but the runner portion Since the resin cannot be removed, there is a drawback that the gate break step cannot be omitted in order to remove the runner portion and the lead frame frame.

【0030】本発明の目的は、上述の欠点に鑑みなされ
たものであり、上下の樹脂溜り部の樹脂を確実に残留さ
せるとともに、パッケージとカルの分離工程およびゲー
トブレイク工程の両工程を省略することが出来る半導体
装置の樹脂封止金型および製造方法を提供することにあ
る。
The object of the present invention was made in view of the above-mentioned drawbacks. The resin in the upper and lower resin reservoirs is surely left, and both the package and cull separation step and the gate break step are omitted. It is an object of the present invention to provide a resin-sealing mold for a semiconductor device and a manufacturing method thereof.

【0031】[0031]

【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の樹
脂封止装置の特徴は、あらかじめ所定の半導体パッケー
ジ形状に合せたキャビティ部と前記キャビティ内の圧力
を抜気するエアベント部と樹脂溜り部成型用の絞り角を
もったゲート絞り部とこのゲート絞り部を介して前記キ
ャビティ内への樹脂流経路となるランナー部とがそれぞ
れに形成された上金型および下金型を有し、これら金型
の間に半導体チップを搭載したリードフレームを挟んで
型締め後、このリードフレームの吊りピン側コーナー領
域裏面に配設された前記ランナー部を通って封入された
前記ゲート絞り部の樹脂を、前記下金型の前記ゲート絞
り部に配設されたシャッターを上下方向に駆動させて除
去する半導体装置の樹脂封止装置において、前記シャッ
ターが、前記下金型の前記ランナー部に設けられこのラ
ンナー部の樹脂を前記リードフレームの端部から前記ゲ
ート絞り部の絞り角始点まで除去する第1のシャッター
長を有することにある。
The features of the resin encapsulation device for a semiconductor device of the present invention are: a cavity portion which is preliminarily matched to a predetermined semiconductor package shape; an air vent portion for depressurizing the pressure in the cavity; and a resin reservoir portion. There is an upper die and a lower die in which a gate throttle portion having a throttle angle for molding and a runner portion serving as a resin flow path into the cavity through the gate throttle portion are formed, respectively. After clamping the lead frame mounting the semiconductor chip between the molds, the resin of the gate throttle part sealed through the runner part provided on the back surface of the hanging pin side corner area of the lead frame is sealed. In a resin sealing device for a semiconductor device, in which a shutter provided in the gate diaphragm portion of the lower mold is vertically driven to remove the shutter, the shutter includes the lower metal mold. Certain of the runner portion of the resin is provided on the runner portion have a first shutter length to be removed from the end of the lead frame to stop angle start point of the gate aperture portion.

【0032】また、前記シャッターが、前記ランナー部
の樹脂を前記リードフレームの端部からあらかじめ定め
る長さだけ除去する第2のシャッター長を有することが
できる。
Further, the shutter may have a second shutter length for removing the resin of the runner portion from the end portion of the lead frame by a predetermined length.

【0033】さらに、前記ゲート絞り部が前記下金型に
のみ形成され、この下金型と前記ゲート絞り部が平坦化
された上金型との組み合せでもよい。
Further, the gate narrowing portion may be formed only on the lower die, and the lower die may be combined with the upper die having the flattened gate narrowing portion.

【0034】本発明の半導体装置の樹脂封止方法の特徴
は、あらかじめ所定の半導体パッケージ形状に合せたキ
ャビティ部と前記キャビティ内の圧力を抜気するエアベ
ント部と樹脂溜り部成型用の絞り角をもったゲート絞り
部とこのゲート絞り部を介して前記キャビティ内への樹
脂流経路となるランナー部とがそれぞれに形成された上
金型および下金型を用いて、これら金型の間に半導体チ
ップを搭載したリードフレームを挟んで型締め後、この
リードフレームの吊りピン側コーナー領域裏面に配設さ
れた前記ランナー部を通って封入された前記ゲート絞り
部の樹脂を、前記下金型の前記ゲート絞り部に配設され
たシャッターを上下方向に駆動させて除去する半導体装
置の樹脂封止方法において、前記シャッターに換えて前
記下金型の前記ランナー部に設けられ前記リードフレー
ムの端部から前記ゲート絞り部の絞り角始点までの第1
のシャッター長を有する第1のシャッターを用い、かつ
前記キャビティ内に充填された前記樹脂が硬化する前に
前記第1のシャッターを上方向に駆動して前記リードフ
レームの端部から前記ゲート絞り部の絞り角始点までの
樹脂を除去することにある。
The resin sealing method for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that a cavity portion previously matched to a predetermined semiconductor package shape, an air vent portion for venting the pressure in the cavity, and a squeezing angle for molding a resin reservoir portion are provided. Using the upper die and the lower die in which a gate narrowing portion having a groove and a runner portion serving as a resin flow path into the cavity through the gate narrowing portion are formed respectively, a semiconductor is provided between these molds. After the die is clamped with the lead frame on which the chip is mounted, the resin of the gate throttle portion sealed through the runner portion arranged on the back surface of the hanging pin side corner area of the lead frame is sealed with the resin of the lower die. In a resin sealing method for a semiconductor device, in which a shutter provided in the gate diaphragm is driven up and down to remove the shutter, the shutter of the lower mold is replaced with the shutter of the lower mold. Provided toner portion from the end portion of the lead frame to stop angle start point of the gate aperture portion first
Using a first shutter having a shutter length of, and driving the first shutter in an upward direction before the resin filled in the cavity is cured, the gate throttle unit is moved from an end of the lead frame. The purpose is to remove the resin up to the starting point of the drawing angle.

【0035】また、前記シャッターに換えて前記下金型
の前記ランナー部に設けられた前記リードフレームの端
部からあらかじめ定める第2の所定長を有する第2のシ
ャッターを用いて、前記リードフレームの端部からあら
かじめ定める前記第2のシャッター長だけの樹脂を除去
することができる。
In place of the shutter, a second shutter having a second predetermined length from the end portion of the lead frame provided on the runner portion of the lower mold is used. It is possible to remove the resin for the predetermined second shutter length from the end portion.

【0036】さらに、前記ゲート絞り部が前記下金型に
のみ形成され、この下金型と前記ゲート絞り部が平坦化
された上金型との組み合せで形成されるランナー部内に
おいて、前記第1のシャッターを用いて前記リードフレ
ームの端部から前記ゲート絞り部の絞り角始点までの前
記第1のシャッター長で前記ランナー部の樹脂を除去
し、または前記第2のシャッターを用いて前記リードフ
レームの端部からあらかじめ定める前記第2のシャッタ
ー長だけ前記ランナー部の樹脂を除去することもでき
る。
Further, the gate throttle portion is formed only on the lower die, and in the runner portion formed by the combination of the lower die and the upper die with the gate throttle portion flattened, the first die is formed. Is used to remove the resin in the runner portion with the first shutter length from the end portion of the lead frame to the aperture angle starting point of the gate aperture portion, or the lead frame is used with the second shutter. It is also possible to remove the resin of the runner portion by the second shutter length which is predetermined from the end portion of the.

【0037】[0037]

【実施例】先ず、本発明の第1の実施例を図面を参照し
ながら説明する。
First, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0038】図1(a)は第1の実施例における半導体
チップが搭載されたリードフレームを樹脂封止する工程
で金型およびリードフレームを吊りピン上を対角線方向
に切断した断面図であって、封入前の金型およびリード
フレームの断面図、図1(b)は封入開始前で、上金型
および下金型による型締めした状態の断面図、図1
(c)は樹脂封入開始状態の断面図、図1(d)は樹脂
封入後でシャッターを閉じた状態の断面図、図1(e)
は封入後に閉じたシャッターを開きパッケージをイジェ
クタピンにより金型から分離した状態の断面図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view of the die and the lead frame cut diagonally on the hanging pins in the step of resin-sealing the lead frame on which the semiconductor chip is mounted in the first embodiment. 1 is a cross-sectional view of the mold and the lead frame before encapsulation. FIG. 1 (b) is a cross-sectional view of a mold clamped state by an upper mold and a lower mold before the start of encapsulation.
1C is a cross-sectional view of the resin-filled state, FIG. 1D is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin-filling, and FIG. 1E.
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a state in which a shutter closed after encapsulation is opened and a package is separated from a mold by ejector pins.

【0039】これら図1(a)〜同図(e)をそれぞれ
併せて参照すると、半導体パッケージ形状に合せたキャ
ビティ17と、キャビティ内の圧力を抜気するエアベン
ト18と、樹脂溜り部成型用の絞り角をもったゲート絞
り部15および16aと、ゲート部の樹脂流経路となる
ランナー部11と、樹脂流量調整するためのトランスフ
ァポット8とが形成された上金型1aおよび下金型2a
を有し、下金型2aには上下方向に移動してランナー部
内を開閉しランナー部内の樹脂を除去するシャッター2
2aが配設されている。このシャッター22aの配設さ
れる位置は、シャッター22aがリードフレーム7aの
端部からゲート絞り角の開始点までの間をカバーする長
さをもっているのでそれと対応させる。すなわち、下金
型2aの樹脂溜り部12が確実に残るようにシャッター
22aの配設位置を決めてあることが本実施例における
下金型の構造の特徴である。
Referring to FIGS. 1 (a) to 1 (e) together, a cavity 17 matched to the shape of the semiconductor package, an air vent 18 for venting the pressure in the cavity, and a resin reservoir molding part. An upper die 1a and a lower die 2a, which are formed with gate throttle portions 15 and 16a having a throttle angle, a runner portion 11 serving as a resin flow path of the gate portion, and a transfer pot 8 for adjusting a resin flow rate.
The lower mold 2a has a shutter 2 that moves vertically and opens and closes the inside of the runner to remove the resin inside the runner.
2a is provided. The position where the shutter 22a is provided corresponds to the position where the shutter 22a has a length that covers from the end of the lead frame 7a to the start point of the gate aperture angle. That is, the arrangement of the shutter 22a is determined so that the resin reservoir 12 of the lower mold 2a remains without fail, which is a feature of the structure of the lower mold in this embodiment.

【0040】これら金型の間に従来同様に半導体チップ
を搭載したリードフレームを挟んで型締めし半導体パッ
ケージを成型する。
A lead frame on which a semiconductor chip is mounted is sandwiched between these molds as in the conventional case, and the mold is clamped to mold a semiconductor package.

【0041】上述した本発明の下金型を用いた半導体装
置の樹脂封止方法は、再び図1(a)〜(e)をそれぞ
れ併せて参照すると、あらかじめ所望する温度に熱せら
れた上金型1aおよび下金型2aのうち下金型2a上に
少なくとも銀ペースト3を用いてアイランド4に半導体
チップ5を固定し、ボンディングワイヤ6を介して、半
導体チップ5上に形成された電極(不図示)とインナリ
ードとをボンディングしたリードフレーム7aをセット
する(図1(a))。
The resin molding method for a semiconductor device using the lower mold of the present invention described above, referring again to FIGS. 1 (a) to 1 (e), shows that the upper mold is heated in advance to a desired temperature. The semiconductor chip 5 is fixed to the island 4 by using at least the silver paste 3 on the lower mold 2a of the mold 1a and the lower mold 2a, and the electrodes (not formed) formed on the semiconductor chip 5 through the bonding wires 6. The lead frame 7a is bonded to the inner lead (shown in the figure) (FIG. 1A).

【0042】次に、トランスファポット8内に樹脂タブ
レット9を投入し、下金型2aを押し上げ、リードフレ
ーム7aを挾持した状態で型締めを行う(図1
(b))。
Next, the resin tablet 9 is put into the transfer pot 8, the lower mold 2a is pushed up, and the lead frame 7a is clamped to perform mold clamping (FIG. 1).
(B)).

【0043】次に、下金型2aの熱により、樹脂タブレ
ット9が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジャ
ー10が上昇すると、樹脂はランナー部11を流れ、ま
ず下樹脂溜り部12に流入し、続いてリードフレーム7
a内に設けられた樹脂流入孔13を通って上樹脂溜り部
14にそれぞれ流入する。
Next, after the resin tablet 9 is softened by the heat of the lower mold 2a and the plunger 10 for pressing the tablet rises, the resin flows through the runner portion 11 and first flows into the lower resin reservoir portion 12. , Then lead frame 7
They flow into the upper resin reservoirs 14 through the resin inflow holes 13 provided in a.

【0044】これらの樹脂溜り部12,14に流入した
樹脂は、上ゲート15および下ゲート16aに向って流
れる。上ゲート15および下ゲート16aを通った樹脂
は、封止前にキャビティ17内にあった空気をエアベン
ト18から抜気しながら、キャビティ17内を充填し
(図1(c))、樹脂がキャビティ内に十分に行き渡っ
たところで封止が完了する。
The resin that has flowed into the resin reservoirs 12 and 14 flows toward the upper gate 15 and the lower gate 16a. The resin that has passed through the upper gate 15 and the lower gate 16a fills the inside of the cavity 17 while degassing the air that had been inside the cavity 17 from the air vent 18 before sealing (FIG. 1 (c)). The sealing is completed when the inside is sufficiently spread.

【0045】その後、樹脂が硬化する前にシャッター2
2aを上昇させ、ゲート絞り部の開始点からリードフレ
ームの終端までの樹脂を除去するとともに、樹脂の硬化
が終了するまで型締めされた状態で保持される(図1
(d))。
Thereafter, before the resin is cured, the shutter 2
2a is lifted to remove the resin from the start point of the gate throttle portion to the end of the lead frame, and is held in the mold clamped state until the curing of the resin is completed (FIG. 1).
(D)).

【0046】このときの上面から見たシャッター22a
の横幅は同様に上面から見たランナー部の溝幅と同じ幅
でなければならないが、もしランナー部11の溝幅が狭
ければランナー部内を流れる樹脂が受ける熱量が増える
ので、ランナー部の溝幅は2mm以上必要である。した
がって、シャッター部の横幅も2mm以上あることが望
ましい。
The shutter 22a seen from above at this time
Similarly, the lateral width of the runner must be the same as the groove width of the runner when viewed from the top, but if the groove width of the runner 11 is narrow, the amount of heat received by the resin flowing in the runner will increase, so The width needs to be 2 mm or more. Therefore, it is desirable that the lateral width of the shutter portion is 2 mm or more.

【0047】樹脂の硬化後に可動側の下金型2aが開
き、イジェクターピン19が突き出し、封止済のパッケ
ージを金型から離型する(図1(e))。
After the resin is cured, the lower mold 2a on the movable side is opened, the ejector pins 19 are projected, and the sealed package is released from the mold (FIG. 1 (e)).

【0048】封止済のパッケージを金型から取り出す
と、カル21とパッケージとは樹脂がシャッターにより
除去されているので、ゲートブレイクを行なわなくとも
半導体装置の樹脂封止を実現することが出来る。
When the sealed package is taken out of the mold, the resin of the cull 21 and the package is removed by the shutter, so that the semiconductor device can be resin-sealed without performing a gate break.

【0049】なお、リードフレーム7a上に残留した
上、下樹脂溜り部14,12はタイバ切断工程、吊りピ
ンカット工程等の封止工程以降の工程で除去する。
The upper and lower resin reservoirs 14 and 12 remaining on the lead frame 7a are removed in a step after the sealing step such as a tie bar cutting step and a hanging pin cutting step.

【0050】第2の実施例における半導体チップが搭載
されたリードフレームを樹脂封止する工程であって、封
入前の金型およびリードフレームの断面図を示した図2
(a)、封入開始前で、上金型および下金型による型締
めした状態の断面図を示した図2(b)、樹脂封入開始
状態の断面図を示した図2(c)、樹脂封入後でシャッ
ターを閉じた状態の断面図を示した図2(d)、封入後
に閉じたシャッターを開きパッケージをイジェクタピン
により金型から分離した状態の断面図を示した図2
(e)を参照すると、第1の実施例との相違点は、リー
ドフレーム7bに樹脂流入孔が設けられていないこと
と、そのため上金型1bに上樹脂溜り部およびゲート部
の絞りが設けられていないことである。
FIG. 2 is a sectional view of the die and the lead frame before encapsulation in the step of resin-sealing the lead frame on which the semiconductor chip is mounted in the second embodiment.
(A), FIG. 2 (b) showing a cross-sectional view of a mold clamped by an upper mold and a lower mold before the start of encapsulation, FIG. 2 (c) showing a cross-sectional view of a resin encapsulation start condition, resin FIG. 2D is a cross-sectional view showing a state in which the shutter is closed after encapsulation, and FIG. 2D is a cross-sectional view in which the shutter is closed after encapsulation and the package is separated from the mold by ejector pins.
Referring to (e), the difference from the first embodiment is that the lead frame 7b is not provided with a resin inflow hole, and therefore the upper die 1b is provided with an upper resin reservoir portion and a throttle portion for the gate portion. That is not done.

【0051】それ以外の金型の構成要素は第1の実施例
と同様であり、同一構成要素には同一の符号を付してあ
る。
The other components of the mold are the same as those of the first embodiment, and the same components are designated by the same reference numerals.

【0052】すなわち、図2(a)〜(e)を参照する
と、この実施例は下金型2aにのみゲート部を有する樹
脂封止用金型に関し、第1の実施例で説明したシャッタ
ー22aの構造を適用した例である。
That is, referring to FIGS. 2A to 2E, this embodiment relates to a resin sealing mold having a gate portion only in the lower mold 2a, and the shutter 22a described in the first embodiment. It is an example to which the structure of is applied.

【0053】上述した構造の金型を用いた半導体装置の
樹脂封入方法は、あらかじめ所望する温度に熱せられた
上金型1bおよび下金型2aのうち下金型2a上に少な
くとも銀ペースト3を用いてアイランド4に半導体チッ
プ5を固定し、ボンディングワイヤー6を介して、半導
体チップ5上に設けられた電極とインナーリードとをボ
ンディング接続したリードフレーム7bをセットする
(図2(a))。
In the resin encapsulation method for a semiconductor device using the mold having the above-described structure, at least the silver paste 3 is placed on the lower mold 2a of the upper mold 1b and the lower mold 2a which are heated to a desired temperature in advance. The semiconductor chip 5 is fixed to the island 4 by using it, and the lead frame 7b in which the electrodes provided on the semiconductor chip 5 and the inner leads are bonded and connected is set via the bonding wires 6 (FIG. 2A).

【0054】次に、トランスファポット8内に樹脂タブ
レット9を投入し、下金型2aを押し上げ、リードフレ
ーム7bを挾持した状態で型締めを行う(図2
(b))。
Next, the resin tablet 9 is put into the transfer pot 8, the lower mold 2a is pushed up, and the lead frame 7b is clamped to perform mold clamping (FIG. 2).
(B)).

【0055】次に、下金型2aの熱により、樹脂タブレ
ット9が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジャ
ー10が上昇すると、樹脂はランナー部11を流れ、下
樹脂溜り部12に流入する。
Next, after the resin tablet 9 is softened by the heat of the lower mold 2a and the plunger 10 for pressing the tablet rises, the resin flows through the runner portion 11 and flows into the lower resin reservoir portion 12.

【0056】この樹脂溜り部12に流入した樹脂は、下
ゲート16aに向って流れる。下ゲート16aを通った
樹脂は、封止前にキャビティ17内にあった空気をエア
ベント18から抜気しながら、キャビティ17内を充填
し(図2(c))、樹脂がキャビティ内に十分に行き渡
ったところで封止が完了する。
The resin flowing into the resin reservoir 12 flows toward the lower gate 16a. The resin that has passed through the lower gate 16a fills the inside of the cavity 17 while evacuating the air existing in the cavity 17 from the air vent 18 before sealing (FIG. 2 (c)), and the resin is sufficiently filled in the cavity. The sealing is completed when it is spread.

【0057】その後、樹脂が硬化する前にシャッター2
2aを上昇させ、ゲート絞り部の開始点からリードフレ
ーム7bの端部までの樹脂を除去するとともに、樹脂の
硬化が終了するまで型締めされた状態で保持される(図
2(d))。
After that, before the resin is cured, the shutter 2
2a is raised to remove the resin from the starting point of the gate throttle portion to the end of the lead frame 7b, and is held in a mold clamped state until the curing of the resin is completed (FIG. 2 (d)).

【0058】このときのシャッター22aの横幅は第1
の実施例と同様にランナー部の溝幅と同じ幅で、ランナ
ー部の溝幅は2mm以上必要であり、したがって、シャ
ッター部の横幅も2mm以上あることが望ましい。
The width of the shutter 22a at this time is the first
Similar to the embodiment described above, the groove width of the runner portion needs to be 2 mm or more, and the lateral width of the shutter portion is preferably 2 mm or more.

【0059】樹脂の硬化後に可動側の下金型2aが開
き、イジェクターピン19が突き出し、封止済のパッケ
ージを金型から離型する(図2(e))。
After the resin is cured, the lower mold 2a on the movable side is opened, the ejector pin 19 is projected, and the sealed package is released from the mold (FIG. 2 (e)).

【0060】封止済のパッケージを金型から取り出す
と、カル21とパッケージとは樹脂がシャッターにより
除去されているので、ゲートブレイクを行なわなくとも
半導体装置の樹脂封止を実現することが出来る。
When the sealed package is taken out from the mold, the resin of the cull 21 and the package is removed by the shutter, so that the semiconductor device can be resin-sealed without performing a gate break.

【0061】なお、この場合もリードフレーム7b上に
残留した上、下樹脂溜り部14,12はタイバ切断工
程、吊りピンカット工程等の封止工程以降の工程で除去
する。
In this case as well, the lower resin reservoirs 14 and 12 remaining on the lead frame 7b are removed in a step after the sealing step such as a tie bar cutting step and a hanging pin cutting step.

【0062】第3の実施例における半導体チップが搭載
されたリードフレームを樹脂封止する工程であって、封
入前の金型およびリードフレームの断面図を示した図3
(a)、封入開始前で、上金型および下金型による型締
めした状態の断面図を示した図3(b)、樹脂封入開始
状態の断面図を示した図3(c)、樹脂封入後でシャッ
ターを閉じた状態の断面図を示した図3(d)、封入後
に閉じたシャッターを開きパッケージをイジェクタピン
により金型から分離した状態の断面図を示した図3
(e)を参照すると、第2の実施例との相違点は、シャ
ッター22bのランナー部の溝に沿った長さが第2の実
施例の場合よりも1/5程度に短くなっており、リード
フレーム7bの端部近傍の樹脂が除去出来る位置に対応
してシャッター22aが下金型2aに配設された構造を
有することである。
FIG. 3 is a cross-sectional view of the mold and the lead frame before encapsulation, which is a step of resin-sealing the lead frame on which the semiconductor chip is mounted in the third embodiment.
(A), FIG. 3 (b) showing a cross-sectional view of a mold clamped by an upper mold and a lower mold before the start of encapsulation, FIG. 3 (c) showing a cross-sectional view of a resin encapsulation start condition, resin FIG. 3D is a sectional view showing a state where the shutter is closed after encapsulation, and FIG. 3D is a sectional view showing a state where the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.
Referring to (e), the difference from the second embodiment is that the length along the groove of the runner portion of the shutter 22b is about 1/5 shorter than that of the second embodiment, That is, the shutter 22a is provided in the lower mold 2a so as to correspond to the position where the resin near the end of the lead frame 7b can be removed.

【0063】それ以外の金型の構成要素は第2の実施例
と同様であり、同一構成要素には同一の符号を付してあ
る。
The other components of the mold are the same as those of the second embodiment, and the same components are designated by the same reference numerals.

【0064】上述した構造の金型を用いた半導体装置の
樹脂封入方法は、図3(a)〜(e)を参照すると、こ
の実施例は下金型2aにのみゲート部を有する樹脂封止
用金型に関し、あらかじめ所望する温度に熱せられた上
金型1bおよび下金型2aのうち下金型2a上に少なく
とも銀ペースト3を用いてアイランド4に半導体チップ
5を固定し、ボンディングワイヤー6を介して、半導体
チップ5上に設けられた電極とインナーリードとをボン
ディング接続したリードフレーム7bをセットする(図
3(a))。
Referring to FIGS. 3 (a) to 3 (e), a method of encapsulating a resin in a semiconductor device using the mold having the above-described structure will be described. In this embodiment, the lower mold 2a is sealed with a resin having a gate portion. Regarding the mold for use, the semiconductor chip 5 is fixed to the island 4 by using at least the silver paste 3 on the lower mold 2a of the upper mold 1b and the lower mold 2a which have been heated to a desired temperature, and the bonding wire 6 The lead frame 7b, in which the electrodes provided on the semiconductor chip 5 and the inner leads are bonded and connected, is set via (FIG. 3A).

【0065】次に、トランスファポット9を投入し、下
金型2aを押し上げ、リードフレーム7bを挾持した状
態で型締めを行う(図3(b))。
Next, the transfer pot 9 is charged, the lower mold 2a is pushed up, and the lead frame 7b is clamped, and the mold is clamped (FIG. 3 (b)).

【0066】次に、下金型2aの熱により、樹脂タブレ
ット9が軟化した後に、タブレット加圧用のプランジャ
ー10が上昇すると、樹脂はランナー部11を流れ、下
樹脂溜り部12に流入する。
Next, after the resin tablet 9 is softened by the heat of the lower mold 2a and the plunger 10 for pressing the tablet rises, the resin flows through the runner portion 11 and flows into the lower resin reservoir portion 12.

【0067】この樹脂溜り部12に流入した樹脂は、下
ゲート16aに向って流れる。下ゲート16aを通った
樹脂は、封止前にキャビティ17内にあった空気をエア
ベント18から抜気しながら、キャビティ17内を充填
し(図3(c))、樹脂がキャビティ内に十分に行き渡
ったところで封止が完了する。
The resin that has flowed into the resin reservoir 12 flows toward the lower gate 16a. The resin that has passed through the lower gate 16a fills the inside of the cavity 17 (FIG. 3 (c)) while evacuating the air inside the cavity 17 from the air vent 18 before the sealing (FIG. 3 (c)). The sealing is completed when it is spread.

【0068】その後、樹脂が硬化する前にシャッター2
2bを上昇させ、リードフレーム7bの端部からランナ
ー部の溝に沿った所定の短い距離の樹脂だけを除去する
とともに、樹脂の硬化が終了するまで型締めされた状態
で保持される(図3(d))。
Then, before the resin is cured, the shutter 2
2b is raised to remove only the resin of a predetermined short distance along the groove of the runner portion from the end of the lead frame 7b, and is held in the mold clamped state until the curing of the resin is completed (FIG. 3). (D)).

【0069】このときのシャッター長はリードフレーム
7bの端部近辺のみの一部を除去する程度の長さであり
シャッターの断面積が小さくなるので、シャッター22
bを上昇させるときに必要な駆動力を小さくすることが
出来る。
At this time, the shutter length is such that only a portion near the end of the lead frame 7b is removed, and the cross-sectional area of the shutter becomes small, so the shutter 22
It is possible to reduce the driving force required when raising b.

【0070】但し、リードフレームの端部ギリギリのと
ころで樹脂を除去すると、封入工程以降の工程でリード
フレームを搬送する際に、リードフレームに残ったラン
ナー部11の樹脂が装置に引っかかることがあるので、
少なくともリードフレームの端部からランナー部の溝に
沿って3mm以上の樹脂を除去する必要があり、したが
って、シャッター22bのシャッター長も3mm以上あ
ることが望ましい。
However, if the resin is removed at the end of the lead frame, the resin of the runner portion 11 remaining on the lead frame may be caught by the device when the lead frame is conveyed in the encapsulation process and subsequent steps. ,
At least the resin of 3 mm or more needs to be removed from the end portion of the lead frame along the groove of the runner portion. Therefore, it is preferable that the shutter length of the shutter 22b is 3 mm or more.

【0071】次に、樹脂の硬化後に可動側の下金型2a
が開き、イジェクターピン19が突き出し、封止済のパ
ッケージを金型から離型する(図3(e))。
Next, the lower mold 2a on the movable side after the resin is cured
Opens, the ejector pin 19 projects, and the sealed package is released from the mold (FIG. 3E).

【0072】封止済のパッケージを金型から取り出す
と、カル21とパッケージとは樹脂がシャッター22b
により除去されているので、ゲートブレイクを行なわな
くとも半導体装置の樹脂封止を実現することが出来る。
When the sealed package is taken out of the mold, the resin in the cull 21 and the package is shuttered 22b.
Therefore, the semiconductor device can be resin-sealed without performing a gate break.

【0073】なお、この場合もリードフレーム7b上に
残留した上および下樹脂溜り部14および12はタイバ
切断工程、吊りピンカット工程等の封止工程以降の工程
で除去する。
In this case as well, the upper and lower resin reservoirs 14 and 12 remaining on the lead frame 7b are removed in a step after the sealing step such as a tie bar cutting step and a hanging pin cutting step.

【0074】上述した第1〜第3の実施例によれば、従
来ゲート部に設けられていたシャッターをランナー部に
設けることにより、絞り角を設けたゲート形状であって
もシャッターを閉じることによりゲートブレイク工程を
省略することが出来る。
According to the above-described first to third embodiments, by providing the runner portion with the shutter which is conventionally provided in the gate portion, the shutter can be closed even if the gate shape has the aperture angle. The gate break process can be omitted.

【0075】通常、シャッターはゲート残りを発生させ
ないためにゲート部に設けるが、本発明では封止工程で
確実に除去出来る部分のみシャッターで除去し、ゲート
絞り部は仕上げ工程で除去するように工夫したものであ
りゲートブレイクにおける破断の発生が解消される。
Normally, the shutter is provided in the gate portion so as not to generate the remaining gate, but in the present invention, only the portion that can be surely removed in the sealing step is removed by the shutter, and the gate throttle portion is removed in the finishing step. The breakage at the gate break is eliminated.

【0076】また、従来例では樹脂封入時に、まずシャ
ッターを閉じておき、樹脂をランナー部に充填させた後
でシャッターを開きキャビティ内に樹脂を充填させ、し
かる後に再びシャッターを閉じているが、シャッターを
閉じているときにランナー部内の樹脂に圧力が加わり、
シャッターが開いた瞬間にゲートから勢いよく樹脂が飛
び出すことになり、樹脂流速度が速くなってワイヤーの
変形、アイランドシフトの原因になる。しかし、本実施
例によればシャッターはキャビティ内に樹脂が充填され
てから始めて閉じることになるので上述した樹脂流速度
が速くなることがなく、また従来は、封止樹脂を下2段
目ゲートおよび下ゲートの2回もゲートを通過させてい
たが、ゲート絞り角の始点からリードフレームの先端ま
での間にシャッターを設けることにより、樹脂封止がゲ
ートを通過する回数が1回で済み、樹脂の硬化が進むこ
とを防止することが出来るので、ワイヤー流れおよびア
イランドシフトを小さくすることが出来る。
In the conventional example, when the resin is filled, the shutter is first closed, the runner portion is filled with the resin, then the shutter is opened to fill the resin in the cavity, and then the shutter is closed again. When the shutter is closed, pressure is applied to the resin inside the runner,
At the moment the shutter is opened, the resin jumps out of the gate vigorously, which accelerates the resin flow rate and causes wire deformation and island shift. However, according to this embodiment, since the shutter is closed only after the cavity is filled with the resin, the above-mentioned resin flow velocity does not increase, and conventionally, the sealing resin is used as the lower second stage gate. And the lower gate was also passed through the gate twice, but by providing a shutter from the start point of the gate aperture angle to the tip of the lead frame, the resin sealing only needs to pass through the gate once. Since it is possible to prevent the hardening of the resin from proceeding, it is possible to reduce wire flow and island shift.

【0077】上述したゲートブレイクにおける破断の発
生の解消、および封入樹脂によるワイヤーの流れおよび
アイランドシフトの大幅低減は、下ゲートからの破断発
生率を従来例と比較した表1、ワイヤーの流れおよびア
イランドシフトを従来例と比較した表2をそれぞれ参照
すると、ゲート部のゲートブレイクによる破断発生率は
1.3%から0%になり、ワイヤーの流れが210μか
ら130μへ、およびアイランドシフトが85μから5
3μへそれぞれ低減されている。
Elimination of the occurrence of breakage in the above-mentioned gate break, and a significant reduction in wire flow and island shift due to the encapsulating resin are shown in Table 1 which compares the occurrence rate of breakage from the lower gate with the conventional example. Referring to Table 2 which compares the shift with the conventional example, the fracture occurrence rate due to the gate break of the gate portion is 1.3% to 0%, the wire flow is 210 μ to 130 μ, and the island shift is 85 μ to 5 μ.
It is reduced to 3μ.

【0078】[0078]

【表1】 [Table 1]

【0079】[0079]

【表2】 [Table 2]

【0080】[0080]

【発明の効果】上述したように本発明の半導体装置の樹
脂封止方法および樹脂封止装置は、ゲートブレイク時に
ゲート部の脱落を防止するために従来は樹脂溜り部成型
用の絞り角をもったゲート絞り部がそれぞれ2段形成さ
れていた上金型および下金型を改善し、封入樹脂が半硬
化の状態で、ゲート絞り角の始点からリードフレームの
端部までの間に設けたシャッターを閉じ、リードフレー
ムに確実に残すべき上下の樹脂溜り部以外のランナー部
を除去することにより、ゲートブレイク工程を省略する
ことが出来ようにしたので、ゲートブレイク工程で従来
問題となっていた上下のゲート部に発生する破断の発生
を防止することが可能となった。
As described above, the resin encapsulating method and the resin encapsulating apparatus for a semiconductor device according to the present invention have conventionally been provided with a drawing angle for molding the resin reservoir portion in order to prevent the gate portion from falling off during the gate break. A shutter provided between the starting point of the gate throttle angle and the end of the lead frame with the encapsulating resin being semi-cured. The gate break process can be omitted by removing the runners other than the upper and lower resin reservoirs that should be left securely on the lead frame. It has become possible to prevent the occurrence of breakage at the gate part of the.

【0081】また、従来は、封止樹脂を下2段目ゲート
および下1段目ゲートの2回もゲートを通過させていた
が、下金型のゲート絞り角の始点からリードフレームの
端部までの間のランナー部にシャッターを設けて開閉す
ることにより、樹脂封止がゲートを通過する回数が1回
で済むので、樹脂の硬化が進むことを防止することが出
来、ワイヤー流れおよびアイランドシフトを小さくする
ことが出来るという効果を有する。
Conventionally, the sealing resin has been passed through the gate twice, the lower second-stage gate and the lower first-stage gate, but from the starting point of the gate squeezing angle of the lower mold to the end of the lead frame. By opening and closing the shutter on the runner section up to, the resin encapsulation only needs to pass through the gate once, so it is possible to prevent the curing of the resin from proceeding, wire flow and island shift. It has an effect that can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)は第1の実施例における半導体チップが
搭載されたリードフレームを樹脂封止する工程であっ
て、封入前の金型およびリードフレームの断面図であ
る。(b)は封入開始前で、上金型および下金型による
型締めした状態の断面図である。(c)は樹脂封入開始
状態の断面図である。(d)は樹脂封入後でシャッター
を閉じた状態の断面図である。(e)は封入後に閉じた
シャッターを開きパッケージをイジェクタピンにより金
型から分離した状態の断面図である。
FIG. 1A is a sectional view of a die and a lead frame before encapsulation, which is a step of resin-sealing a lead frame on which a semiconductor chip according to the first embodiment is mounted. (B) is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the encapsulation is started. (C) is a cross-sectional view of a state in which resin encapsulation is started. (D) is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin is sealed. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.

【図2】(a)は封入前の金型およびリードフレームの
断面図である。(b)は封入開始前で、上金型および下
金型による型締めした状態の断面図である。(c)は樹
脂封入開始状態の断面図である。(d)は樹脂封入後で
シャッターを閉じた状態の断面図である。(e)は封入
後に閉じたシャッターを開きパッケージをイジェクタピ
ンにより金型から分離した状態の断面図である。
FIG. 2A is a cross-sectional view of a mold and a lead frame before encapsulation. (B) is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the encapsulation is started. (C) is a cross-sectional view of a state in which resin encapsulation is started. (D) is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin is sealed. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.

【図3】(a)は封入前の金型およびリードフレームの
断面図である。(b)は封入開始前で、上金型および下
金型による型締めした状態の断面図である。(c)は樹
脂封入開始状態の断面図である。(d)は樹脂封入後で
シャッターを閉じた状態の断面図である。(e)は封入
後に閉じたシャッターを開きパッケージをイジェクタピ
ンにより金型から分離した状態の断面図である。
FIG. 3A is a cross-sectional view of a mold and a lead frame before encapsulation. (B) is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the encapsulation is started. (C) is a cross-sectional view of a state in which resin encapsulation is started. (D) is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin is sealed. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.

【図4】(a)は従来例における半導体チップが搭載さ
れたリードフレームを樹脂封止する工程であって、封入
前の金型およびリードフレームの断面図である。(b)
は封入開始前で、上金型および下金型による型締めした
状態の断面図である。(c)は樹脂封入開始状態を断面
図である。(d)は樹脂封入後の状態のを断面図であ
る。(e)は封入後のパッケージをイジェクタピンによ
り金型からパッケージを分離した状態を断面図である。
FIG. 4A is a cross-sectional view of a mold and a lead frame before encapsulation, which is a step of resin-sealing a lead frame on which a semiconductor chip according to a conventional example is mounted. (B)
FIG. 4 is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the start of sealing. (C) is a cross-sectional view showing a state in which resin encapsulation has started. (D) is a cross-sectional view of the state after resin encapsulation. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the package after encapsulation is separated from the mold by ejector pins.

【図5】(a)は他の従来例における半導体チップが搭
載されたリードフレームを樹脂封止する工程であって、
封入前の金型およびリードフレームの断面図である。
(b)は封入開始前で、上金型および下金型による型締
めした状態の断面図である。(c)は樹脂封入開始状態
の断面図である。(d)は樹脂封入後でシャッターを閉
じた状態の断面図である。(e)は封入後に閉じたシャ
ッターを開きパッケージをイジェクタピンにより金型か
ら分離した状態の断面図である。
FIG. 5A is a step of resin-sealing a lead frame on which a semiconductor chip according to another conventional example is mounted,
It is a sectional view of a metallic mold and a lead frame before enclosing.
(B) is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the encapsulation is started. (C) is a cross-sectional view of a state in which resin encapsulation is started. (D) is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin is sealed. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.

【図6】(a)はさらに他の従来例における半導体チッ
プが搭載されたリードフレームを樹脂封止する工程であ
って、封入前の金型およびリードフレームの断面図であ
る。(b)は封入開始前で、上金型および下金型による
型締めした状態の断面図である。(c)は樹脂封入開始
状態の断面図である。(d)は樹脂封入後でシャッター
を閉じた状態の断面図である。(e)は封入後に閉じた
シャッターを開きパッケージをイジェクタピンにより金
型から分離した状態の断面図である。
FIG. 6A is a sectional view of a mold and a lead frame before encapsulation, which is a step of resin-sealing a lead frame on which a semiconductor chip according to still another conventional example is mounted. (B) is a cross-sectional view of a state where the upper die and the lower die are clamped before the encapsulation is started. (C) is a cross-sectional view of a state in which resin encapsulation is started. (D) is a cross-sectional view of the state in which the shutter is closed after the resin is sealed. (E) is a cross-sectional view showing a state in which the shutter closed after encapsulation is opened and the package is separated from the mold by ejector pins.

【図7】(a)は従来のゲートブレイク後のパッケージ
の断面図である。(b)はゲートブレイク不良の一例を
示すパッケージの断面図である。
FIG. 7A is a cross-sectional view of a conventional package after a gate break. (B) is a sectional view of a package showing an example of a gate break defect.

【図8】(a)従来のゲート絞り部の形状説明用の断面
図である。
FIG. 8A is a cross-sectional view for explaining the shape of a conventional gate throttle portion.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a,1b,1c 上金型 2a,2b,2c 下金型 3 銀ペースト 4 アイランド 5 半導体チップ 6 ボンディングワイヤ 7a,7b リードフレーム 8 トランスファポット 9 樹脂タブレット 10 プランジャー 11 ライナー 12 下樹脂溜り部 13 樹脂流入孔 14 上樹脂溜り部 15 上ゲート 16 下ゲート(下1段目ゲート) 17 キャビティ 18 エアベント 19 イジェクターピン 20 下2段目ゲート 21 カル 22a,22b,22c,22d シャッター 1a, 1b, 1c Upper mold 2a, 2b, 2c Lower mold 3 Silver paste 4 Island 5 Semiconductor chip 6 Bonding wire 7a, 7b Lead frame 8 Transfer pot 9 Resin tablet 10 Plunger 11 Liner 12 Lower resin reservoir 13 Resin Inflow hole 14 Upper resin reservoir 15 Upper gate 16 Lower gate (lower first stage gate) 17 Cavity 18 Air vent 19 Ejector pin 20 Lower second stage gate 21 Culls 22a, 22b, 22c, 22d Shutter

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 あらかじめ所定の半導体パッケージ形状
に合せたキャビティ部と前記キャビティ内の圧力を抜気
するエアベント部と樹脂溜り部成型用の絞り角をもった
ゲート絞り部とこのゲート絞り部を介して前記キャビテ
ィ内への樹脂流経路となるランナー部とがそれぞれに形
成された上金型および下金型を有し、これら金型の間に
半導体チップを搭載したリードフレームを挟んで型締め
後、このリードフレームの吊りピン側コーナー領域裏面
に配設された前記ランナー部を通って封入された前記ゲ
ート絞り部の樹脂を、前記下金型の前記ゲート絞り部に
配設されたシャッターを上下方向に駆動させて除去する
半導体装置の樹脂封止装置において、前記シャッター
が、前記下金型の前記ランナー部に設けられこのランナ
ー部の樹脂を前記リードフレームの端部から前記ゲート
絞り部の絞り角始点まで除去する第1のシャッター長を
有することを特徴とする半導体装置の樹脂封止装置。
1. A cavity portion which is preliminarily fitted to a predetermined semiconductor package shape, an air vent portion for venting the pressure in the cavity, a gate throttle portion having a throttle angle for molding a resin reservoir portion, and the gate throttle portion. The upper mold and the lower mold, each of which has a runner part that serves as a resin flow path into the cavity, and a lead frame on which a semiconductor chip is mounted is sandwiched between these molds and the mold is clamped. , The resin of the gate throttle part sealed through the runner part provided on the back surface of the hanging pin side corner area of the lead frame, and the shutter provided in the gate throttle part of the lower mold are moved up and down. In a resin sealing device for a semiconductor device, which is driven in a direction to remove the resin, the shutter is provided in the runner portion of the lower mold, and the resin of the runner portion is removed from the runner portion. A resin sealing device for a semiconductor device, which has a first shutter length for removing from an end portion of a window frame to a start point of a diaphragm angle of the gate diaphragm portion.
【請求項2】 前記シャッターが、前記ランナー部の樹
脂を前記リードフレームの端部からあらかじめ定める長
さだけ除去する第2のシャッター長を有する請求項1記
載の半導体装置の樹脂封止装置。
2. The resin sealing device for a semiconductor device according to claim 1, wherein the shutter has a second shutter length for removing the resin of the runner portion from the end portion of the lead frame by a predetermined length.
【請求項3】 前記ゲート絞り部が前記下金型にのみ形
成され、この下金型と前記ゲート絞り部が平坦化された
上金型との組み合せからなる請求項1または2記載の半
導体装置の樹脂封止装置。
3. The semiconductor device according to claim 1, wherein the gate throttle portion is formed only on the lower die, and the lower die and the gate throttle portion are combined with each other in a flattened upper die. Resin sealing device.
【請求項4】 あらかじめ所定の半導体パッケージ形状
に合せたキャビティ部と前記キャビティ内の圧力を抜気
するエアベント部と樹脂溜り部成型用の絞り角をもった
ゲート絞り部とこのゲート絞り部を介して前記キャビテ
ィ内への樹脂流経路となるランナー部とがそれぞれに形
成された上金型および下金型を用いて、これら金型の間
に半導体チップを搭載したリードフレームを挟んで型締
め後、このリードフレームの吊りピン側コーナー領域裏
面に配設された前記ランナー部を通って封入された前記
ゲート絞り部の樹脂を、前記下金型の前記ゲート絞り部
に配設されたシャッターを上下方向に駆動させて除去す
る半導体装置の樹脂封止方法において、前記シャッター
に換えて前記下金型の前記ランナー部に設けられ前記リ
ードフレームの端部から前記ゲート絞り部の絞り角始点
までの第1のシャッター長を有する第1のシャッターを
用い、かつ前記キャビティ内に充填された前記樹脂が硬
化する前に前記第1のシャッターを上方向に駆動して前
記リードフレームの端部から前記ゲート絞り部の絞り角
始点までの樹脂を除去することを特徴とする半導体装置
の樹脂封止方法。
4. A cavity portion which is preliminarily fitted to a predetermined semiconductor package shape, an air vent portion for venting the pressure in the cavity, a gate throttle portion having a throttle angle for molding a resin reservoir portion, and the gate throttle portion. After the mold is clamped, using the upper mold and the lower mold that have the runner part that becomes the resin flow path into the cavity respectively, sandwich the lead frame mounting the semiconductor chip between these molds. , The resin of the gate throttling portion enclosed through the runner portion disposed on the back surface of the hanging pin side corner area of this lead frame, and the shutter disposed on the gate throttling portion of the lower mold are moved up and down. In a resin sealing method for a semiconductor device, which is driven in a direction to be removed, an end portion of the lead frame provided in the runner portion of the lower mold in place of the shutter. To the start point of the aperture angle of the gate throttle portion, and uses the first shutter having a first shutter length, and drives the first shutter upward before the resin filled in the cavity is cured. Then, the resin from the end portion of the lead frame to the drawing angle starting point of the gate drawing portion is removed, and the resin sealing method for a semiconductor device.
【請求項5】 前記シャッターに換えて前記下金型の前
記ランナー部に設けられた前記リードフレームの端部か
らあらかじめ定める第2の所定長を有する第2のシャッ
ターを用いて、前記リードフレームの端部からあらかじ
め定める前記第2のシャッター長だけの樹脂を除去する
請求項4記載の半導体装置の樹脂封止方法。
5. The lead frame of the lead frame is replaced by a second shutter having a second predetermined length from the end of the lead frame provided in the runner portion of the lower mold in place of the shutter. 5. The resin encapsulation method for a semiconductor device according to claim 4, wherein the resin having a predetermined second shutter length is removed from an end portion.
【請求項6】 前記ゲート絞り部が前記下金型にのみ形
成され、この下金型と前記ゲート絞り部が平坦化された
上金型との組み合せで形成されるランナー部内におい
て、前記第1のシャッターを用いて前記リードフレーム
の端部から前記ゲート絞り部の絞り角始点までの前記第
1のシャッター長で前記ランナー部の樹脂を除去し、ま
たは前記第2のシャッターを用いて前記リードフレーム
の端部からあらかじめ定める前記第2のシャッター長だ
け前記ランナー部の樹脂を除去する請求項4または5記
載の半導体装置の樹脂封止方法。
6. The first die is formed in a runner portion formed by combining the lower die with the gate die formed only in the lower die and the flat die having the flattened gate die. Is used to remove the resin in the runner portion with the first shutter length from the end portion of the lead frame to the aperture angle starting point of the gate aperture portion, or the lead frame is used with the second shutter. 6. The resin encapsulation method for a semiconductor device according to claim 4, wherein the resin of the runner portion is removed by the second shutter length which is predetermined from the end portion of the.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002009096A (en) * 2000-06-20 2002-01-11 Apic Yamada Corp Method and apparatus for resin sealing
US7178779B2 (en) 2000-03-06 2007-02-20 Sharp Kabushiki Kaisha Resin molding die and production method for semiconductor devices using the same
JP2009218415A (en) * 2008-03-11 2009-09-24 Daiichi Seiko Kk Resin sealing apparatus and resin sealing method

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