JPH08306698A - Formation of pattern - Google Patents
Formation of patternInfo
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- JPH08306698A JPH08306698A JP13573695A JP13573695A JPH08306698A JP H08306698 A JPH08306698 A JP H08306698A JP 13573695 A JP13573695 A JP 13573695A JP 13573695 A JP13573695 A JP 13573695A JP H08306698 A JPH08306698 A JP H08306698A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明はパターン形成方法に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pattern forming method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】例えば薄膜トランジスタを製造する場
合、一般に、クロムやアルミニウムなどからなる金属膜
をエッチングして電極や配線パターンなどとなる導電性
のパターンを形成したり、あるいは酸化シリコンや窒化
シリコンなどからなる絶縁膜をエッチングしてイオン注
入マスクなどとなる絶縁性のパターンを形成したりして
いる。2. Description of the Related Art For example, when manufacturing a thin film transistor, generally, a metal film made of chromium or aluminum is etched to form a conductive pattern such as an electrode or a wiring pattern, or silicon oxide or silicon nitride is used. The insulating film is formed by etching to form an insulating pattern serving as an ion implantation mask.
【０００３】次に、従来のこのような薄膜トランジスタ
における導電性パターンの形成方法について、図２
（Ａ）〜（Ｃ）を順に参照しながら説明する。まず、図
２（Ａ）に示すように、ガラスなどからなる基板１の上
面にスパッタなどによりクロムやアルミニウムなどから
なるパターン形成用金属膜２を形成し、その上面にフォ
トリソグラフィによりレジストパターン３を形成する。
次に、図２（Ｂ）に示すように、レジストパターン３を
マスクとしてエッチングすることにより、レジストパタ
ーン３下のみにパターン形成用金属膜２を残存させる。
この後、レジストパターン３を除去すると、図２（Ｃ）
に示すように、レジストパターン３下に残存したパター
ン形成用金属膜２によってパターン２ａが形成される。Next, a conventional method for forming a conductive pattern in such a thin film transistor will be described with reference to FIG.
Description will be made with reference to (A) to (C) in order. First, as shown in FIG. 2A, a pattern forming metal film 2 made of chromium or aluminum is formed on the upper surface of a substrate 1 made of glass or the like by sputtering, and a resist pattern 3 is formed on the upper surface by photolithography. Form.
Next, as shown in FIG. 2B, etching is performed using the resist pattern 3 as a mask to leave the pattern forming metal film 2 only under the resist pattern 3.
After that, when the resist pattern 3 is removed, FIG.
As shown in FIG. 5, the pattern 2 a is formed by the pattern forming metal film 2 remaining under the resist pattern 3.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このように、従来のパ
ターン形成方法では、レジストパターン３をマスクとし
てエッチングすることにより、レジストパターン３下に
残存したパターン形成用金属膜２によってパターン２ａ
を形成しているので、パターン２ａの幅がレジストパタ
ーン３の幅に左右されることになる。しかるに、フォト
リソグラフィの解像度に限界があるので、パターン２ａ
の微細化にも限界があるという問題があった。この発明
の目的は、フォトリソグラフィの解像度以上にパターン
を微細化することができるパターン形成方法を提供する
ことにある。As described above, in the conventional pattern forming method, the pattern forming metal film 2 remaining under the resist pattern 3 is used to etch the pattern 2a by etching using the resist pattern 3 as a mask.
Therefore, the width of the pattern 2a depends on the width of the resist pattern 3. However, since the resolution of photolithography is limited, the pattern 2a
There was a problem that there was a limit to the miniaturization of. An object of the present invention is to provide a pattern forming method capable of making a pattern finer than the resolution of photolithography.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
パターン形成用金属膜上にレジストパターンを形成し、
次いで前記レジストパターンをマスクとして前記パター
ン形成用金属膜をエッチングし、次いで前記レジストパ
ターン下に残存する前記パターン形成用金属膜の側部を
陽極酸化して陽極酸化部を形成し、次いで前記レジスト
パターンを除去し、次いで前記パターン形成用金属膜の
うち前記陽極酸化部を除く部分をエッチングし、これに
より前記陽極酸化部からなるパターンを形成するように
したものである。請求項２記載の発明は、パターン形成
用金属膜上にこの金属膜とは異なる金属からなるマスク
形成用金属膜を形成し、次いで前記マスク形成用金属膜
上にレジストパターンを形成し、次いで前記レジストパ
ターンをマスクとして前記マスク形成用金属膜をエッチ
ングし、次いで前記レジストパターン下に残存する前記
マスク形成用金属膜の側部を陽極酸化して陽極酸化部を
形成し、次いで前記レジストパターンを除去し、次いで
前記マスク形成用金属膜のうち前記陽極酸化部を除く部
分をエッチングし、前記陽極酸化部からなるマスクパタ
ーンを形成し、次いで前記マスクパターンをマスクとし
て前記パターン形成用金属膜をエッチングしてパターン
を形成するようにしたものである。According to the first aspect of the present invention,
Forming a resist pattern on the metal film for pattern formation,
Then, the pattern forming metal film is etched by using the resist pattern as a mask, and then the side portion of the pattern forming metal film remaining under the resist pattern is anodized to form an anodized portion, and then the resist pattern is formed. Is removed, and then the portion of the pattern forming metal film excluding the anodized portion is etched to form a pattern of the anodized portion. According to a second aspect of the invention, a mask forming metal film made of a metal different from the metal film is formed on the pattern forming metal film, a resist pattern is formed on the mask forming metal film, and then the mask forming metal film is formed. The mask forming metal film is etched by using the resist pattern as a mask, and then the side portion of the mask forming metal film remaining under the resist pattern is anodized to form an anodized portion, and then the resist pattern is removed. Then, a portion of the mask forming metal film excluding the anodized portion is etched to form a mask pattern including the anodized portion, and then the pattern forming metal film is etched using the mask pattern as a mask. To form a pattern.
【０００６】[0006]
【作用】請求項１記載の発明によれば、レジストパター
ン下に残存するパターン形成用金属膜の側部を陽極酸化
して陽極酸化部を形成し、この陽極酸化部によってパタ
ーンを形成しているので、フォトリソグラフィの解像度
以上にパターンを微細化することができる。また、請求
項２記載の発明によれば、陽極酸化部からなるマスクパ
ターンをマスクとしてパターン形成用金属膜をエッチン
グしてパターンを形成しているので、この場合も、フォ
トリソグラフィの解像度以上にパターンを微細化するこ
とができる。According to the present invention, the side portion of the pattern forming metal film remaining under the resist pattern is anodized to form an anodized portion, and the pattern is formed by this anodized portion. Therefore, the pattern can be made finer than the resolution of photolithography. According to the second aspect of the present invention, the pattern forming metal film is etched using the mask pattern formed of the anodized portion as a mask to form the pattern. Therefore, in this case as well, the pattern has a resolution higher than the resolution of photolithography. Can be miniaturized.
【０００７】[0007]
【実施例】図１（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれこの発明の一
実施例を適用した導電性パターンの各形成工程を示した
ものである。そこで、これらの図を順に参照しながら、
この実施例のパターン形成方法について説明する。1 (A) to 1 (F) show respective steps of forming a conductive pattern to which an embodiment of the present invention is applied. So, referring to these figures in order,
The pattern forming method of this embodiment will be described.
【０００８】まず、図１（Ａ）に示すように、ガラスな
どからなる基板１１の上面に、スパッタなどにより、陽
極酸化されにくいクロムなどの金属からなるパターン形
成用金属膜１２を形成する。次に、パターン形成用金属
膜１２の上面に、スパッタなどにより、パターン形成用
金属膜１２とは異なる金属であってイオン化傾向がクロ
ムより大の陽極酸化されやすいアルミニウムなどの金属
からなるマスク形成用金属膜１３を形成する。次に、マ
スク形成用金属膜１３の上面にフォトリソグラフィによ
りレジストパターン１４を形成する。First, as shown in FIG. 1A, a pattern forming metal film 12 made of a metal such as chromium which is hard to be anodized is formed on the upper surface of a substrate 11 made of glass or the like by sputtering or the like. Next, on the upper surface of the pattern forming metal film 12, a metal for forming a mask, which is different from the metal for forming the pattern forming metal 12 and has a higher ionization tendency than chromium, such as aluminum, which is easily anodized, is formed on the upper surface of the pattern forming metal film 12. The metal film 13 is formed. Next, a resist pattern 14 is formed on the upper surface of the mask forming metal film 13 by photolithography.
【０００９】次に、図１（Ｂ）に示すように、レジスト
パターン１４をマスクとしてマスク形成用金属膜１３を
エッチングすることにより、レジストパターン１４下の
みにマスク形成用金属膜１３を残存させる。この場合、
パターン形成用金属膜１２は、マスク形成用金属膜１３
とは異なる金属からなっているので、エッチングされる
ことはない。Next, as shown in FIG. 1B, the metal film 13 for forming a mask is etched by using the resist pattern 14 as a mask to leave the metal film for forming a mask 13 only under the resist pattern 14. in this case,
The pattern forming metal film 12 is the mask forming metal film 13.
Since it is made of a different metal, it is not etched.
【００１０】次に、図１（Ｃ）に示すように、レジスト
パターン１４を残存させた状態で陽極酸化処理を行うこ
とにより、レジストパターン１４下に残存するマスク形
成用金属膜１３の側部を陽極酸化して陽極酸化部１３ａ
を形成する。この場合、陽極酸化はマスク形成用金属膜
１３の露出している側面から膜厚方向と直交する方向に
進行し、陽極酸化処理時間や印加電圧等を制御すること
により、陽極酸化部１３ａの幅ｔ1を任意の幅に制御す
ることが容易に行える。この幅ｔ1は、レジストパター
ン１４の幅ｔ2よりも小さくなるように設定することは
いうまでもない。なお、パターン形成用金属膜１２はイ
オン化傾向がアルミニウムより小の陽極酸化されにくい
クロムなどの金属からなり、アルミニウムを陽極酸化
し、クロムを酸化させない程度の印加電圧及び処理時間
に設定されているので、パターン形成用金属膜１２はほ
とんど陽極酸化されない。Next, as shown in FIG. 1 (C), by performing anodizing treatment with the resist pattern 14 left, the side portions of the mask forming metal film 13 remaining under the resist pattern 14 are removed. Anodize and anodize part 13a
To form. In this case, anodization proceeds from the exposed side surface of the mask forming metal film 13 in a direction orthogonal to the film thickness direction, and the width of the anodized portion 13a is controlled by controlling the anodizing time, applied voltage, and the like. It is easy to control t 1 to an arbitrary width. It goes without saying that the width t 1 is set to be smaller than the width t 2 of the resist pattern 14. The pattern-forming metal film 12 is made of a metal such as chromium, which has a smaller ionization tendency than aluminum and is less likely to be anodized. The pattern forming metal film 12 is hardly anodized.
【００１１】次に、レジストパターン１４を除去し、次
いでマスク形成用金属膜１３のうち陽極酸化部１３ａを
除く部分をエッチングして除去すると、図１（Ｄ）に示
すように、陽極酸化部１３ａからなるマスクパターン１
３ｂが形成される。次に、図１（Ｅ）に示すように、マ
スクパターン１３ｂをマスクとしてパターン形成用金属
膜１２をエッチングすることにより、マスクパターン１
３ｂ下のみにパターン形成用金属膜１２を残存させる。
次に、マスクパターン１３ｂをエッチングして除去する
と、図１（Ｆ）に示すように、マスクパターン１３ｂ下
に残存したレジストパターンより高精細なパターン形成
用金属膜１２からなるパターン１２ａが形成される。Next, the resist pattern 14 is removed, and then the portion of the mask forming metal film 13 except the anodized portion 13a is etched and removed. As shown in FIG. 1D, the anodized portion 13a is then removed. Mask pattern consisting of 1
3b is formed. Next, as shown in FIG. 1 (E), the pattern forming metal film 12 is etched by using the mask pattern 13b as a mask, so that the mask pattern 1 is formed.
The pattern forming metal film 12 is left only under 3b.
Next, when the mask pattern 13b is removed by etching, as shown in FIG. 1F, a pattern 12a made of the metal film 12 for pattern formation having a higher definition than the resist pattern remaining under the mask pattern 13b is formed. .
【００１２】このように、このパターン形成方法では、
レジストパターン１４下に残存するマスク形成用金属膜
１３の側部を陽極酸化して陽極酸化部１３ａを形成し、
この陽極酸化部１３ａによってマスクパターン１３ｂを
形成しているので、フォトリソグラフィの解像度以上に
マスクパターン１３ｂを微細化することができる。した
がって、このマスクパターン１３ｂをマスクとしてパタ
ーン形成用金属膜１２をエッチングしてパターン１２ａ
を形成すると、パターン１２ａも微細化することができ
る。なお、導電性のパターンに限らず、絶縁性のパター
ンを形成することもできる。Thus, in this pattern forming method,
The side portion of the mask forming metal film 13 remaining under the resist pattern 14 is anodized to form an anodized portion 13a,
Since the mask pattern 13b is formed by the anodized portion 13a, the mask pattern 13b can be made finer than the resolution of photolithography. Therefore, the pattern forming metal film 12 is etched using the mask pattern 13b as a mask to form the pattern 12a.
When the pattern is formed, the pattern 12a can be miniaturized. In addition to the conductive pattern, an insulating pattern can be formed.
【００１３】[0013]
【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の発
明によれば、レジストパターン下に残存するパターン形
成用金属膜の側部を陽極酸化して陽極酸化部を形成し、
この陽極酸化部によってパターンを形成しているので、
フォトリソグラフィの解像度以上にパターンを微細化す
ることができる。また、請求項２記載の発明によれば、
陽極酸化部からなるマスクパターンをマスクとしてパタ
ーン形成用金属膜をエッチングしてパターンを形成して
いるので、この場合も、フォトリソグラフィの解像度以
上にパターンを微細化することができる。As described above, according to the first aspect of the invention, the side portion of the pattern forming metal film remaining under the resist pattern is anodized to form the anodized portion,
Since the pattern is formed by this anodized portion,
The pattern can be made finer than the resolution of photolithography. According to the invention of claim 2,
Since the pattern forming metal film is etched using the mask pattern formed of the anodized portion as a mask to form the pattern, the pattern can be made finer than the resolution of photolithography in this case as well.
【図１】（Ａ）〜（Ｆ）はそれぞれこの発明の一実施例
を適用した導電性パターンの各形成工程を示す図。1A to 1F are views showing respective steps of forming a conductive pattern to which an embodiment of the present invention is applied.
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ従来の導電性パター
ンの各形成工程を示す図。FIG. 2A to FIG. 2C are diagrams showing respective conventional steps of forming a conductive pattern.
１１ 基板 １２ パターン形成用金属膜 １２ａ パターン １３ マスク形成用金属膜 １３ａ 陽極酸化部 １３ｂ マスクパターン １４ レジストパターン 11 substrate 12 metal film for pattern formation 12a pattern 13 metal film for mask formation 13a anodized portion 13b mask pattern 14 resist pattern
Claims (3)
ーンを形成し、次いで前記レジストパターンをマスクと
して前記パターン形成用金属膜をエッチングし、次いで
前記レジストパターン下に残存する前記パターン形成用
金属膜の側部を陽極酸化して陽極酸化部を形成し、次い
で前記レジストパターンを除去し、次いで前記パターン
形成用金属膜のうち前記陽極酸化部を除く部分をエッチ
ングし、これにより前記陽極酸化部からなるパターンを
形成することを特徴とするパターン形成方法。1. A resist pattern is formed on a pattern forming metal film, the pattern forming metal film is etched using the resist pattern as a mask, and the pattern forming metal film remaining under the resist pattern is formed. The side portion is anodized to form an anodized portion, then the resist pattern is removed, and then the portion of the pattern forming metal film excluding the anodized portion is etched, thereby forming the anodized portion. A pattern forming method, which comprises forming a pattern.
は異なる金属からなるマスク形成用金属膜を形成し、次
いで前記マスク形成用金属膜上にレジストパターンを形
成し、次いで前記レジストパターンをマスクとして前記
マスク形成用金属膜をエッチングし、次いで前記レジス
トパターン下に残存する前記マスク形成用金属膜の側部
を陽極酸化して陽極酸化部を形成し、次いで前記レジス
トパターンを除去し、次いで前記マスク形成用金属膜の
うち前記陽極酸化部を除く部分をエッチングし、前記陽
極酸化部からなるマスクパターンを形成し、次いで前記
マスクパターンをマスクとして前記パターン形成用金属
膜をエッチングしてパターンを形成することを特徴とす
るパターン形成方法。2. A mask forming metal film made of a metal different from this metal film is formed on the pattern forming metal film, a resist pattern is formed on the mask forming metal film, and then the resist pattern is formed. The mask forming metal film is etched as a mask, then the side portion of the mask forming metal film remaining under the resist pattern is anodized to form an anodized portion, then the resist pattern is removed, and then A portion of the mask forming metal film except the anodized portion is etched to form a mask pattern including the anodized portion, and then the pattern forming metal film is etched using the mask pattern as a mask to form a pattern. A pattern forming method comprising: forming.
ク形成用金属膜は前記パターン形成用金属膜よりイオン
化傾向の大きい金属からなることを特徴とするパターン
形成方法。3. The pattern forming method according to claim 2, wherein the mask forming metal film is made of a metal having a greater ionization tendency than the pattern forming metal film.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13573695A JPH08306698A (en) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Formation of pattern |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13573695A JPH08306698A (en) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Formation of pattern |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08306698A true JPH08306698A (en) | 1996-11-22 |
Family
ID=15158675
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13573695A Pending JPH08306698A (en) | 1995-05-10 | 1995-05-10 | Formation of pattern |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08306698A (en) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298458B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 김영환 | Method for forming a electrode line of a semiconductor device |
| US7347924B1 (en) * | 2002-12-24 | 2008-03-25 | Ij Research, Inc. | Anodizing of optically transmissive substrate |
| JP2009065093A (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Toshiba Corp | Manufacturing method for semiconductor device |
| JP2009065000A (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Ltd | Treating method for substrate, program, computer storage medium, and substrate treating system |
| JP2013110176A (en) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
-
1995
- 1995-05-10 JP JP13573695A patent/JPH08306698A/en active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100298458B1 (en) * | 1999-04-15 | 2001-09-26 | 김영환 | Method for forming a electrode line of a semiconductor device |
| US7347924B1 (en) * | 2002-12-24 | 2008-03-25 | Ij Research, Inc. | Anodizing of optically transmissive substrate |
| JP2009065000A (en) * | 2007-09-07 | 2009-03-26 | Tokyo Electron Ltd | Treating method for substrate, program, computer storage medium, and substrate treating system |
| JP2009065093A (en) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Toshiba Corp | Manufacturing method for semiconductor device |
| JP2013110176A (en) * | 2011-11-18 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
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