JPH08295749A - Apparatus and method for modifying film surface - Google Patents

Apparatus and method for modifying film surface

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JPH08295749A
JPH08295749A JP10246095A JP10246095A JPH08295749A JP H08295749 A JPH08295749 A JP H08295749A JP 10246095 A JP10246095 A JP 10246095A JP 10246095 A JP10246095 A JP 10246095A JP H08295749 A JPH08295749 A JP H08295749A
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JP
Japan
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film
processed
gas
container
electrode
Prior art date
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Application number
JP10246095A
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Japanese (ja)
Inventor
Tatsuo Hara
龍雄 原
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Shinko Pantec Co Ltd
Original Assignee
Shinko Pantec Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH08295749A publication Critical patent/JPH08295749A/en
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Abstract

PURPOSE: To obtain a method for modifying a film surface whereby a film can be treated efficiently without requiring a high vacuum and a large apparatus by utilizing ultraviolet radiation. CONSTITUTION: A film to be treated is exposed to ultraviolet rays which have desired wavelenghts in the vacuum ultraviolet region and are emitted by electric discharge caused between electrodes in an atmosphere of a gas convertible into an excimer. The apparatus for this treatment comprises: a hermetically sealed container 3 containing a gas convertible into an excimer; at least a pair of electrodes 2 installed in the container 3; an inlet (slit 8) for introducing the film into the container 3 and an outlet (slit 9) for taking the film out of the container 3; film-conveying means (a sending roll 4 and a winding roll 5) for introducing the film through the inlet into and taking the film through the outlet from the container 3; and a sealing member 10 which tightly seals the inlet and the outlet.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はフィルム表面改質装置お
よびフィルム表面改質方法に関する。さらに詳しくは、
フィルム状材料の片面または両面に所望の性質を付与す
るために紫外線を照射してフィルム表面を様々に改質す
る方法およびフィルム表面改質装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film surface modification device and a film surface modification method. For more information,
The present invention relates to a method for irradiating an ultraviolet ray to variously modify a film surface in order to impart desired properties to one surface or both surfaces of a film material, and a film surface modifying apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従
来、フィルム材料の表面改質は、放電化学反応機を用い
て被処理フィルムの雰囲気をプラズマ状態とし、そのプ
ラズマの作用によって行っている。表面改質には以下の
ごとく様々な目的がある。たとえば、フッ素樹脂製フィ
ルムの表面に粘着剤を塗布するときに、粘着剤がフィル
ム表面に付着しやすいように、フィルム表面に電極間放
電によるプラズマを作用させて表面を荒れさせる。また
はフィルム表面そのものに粘着性を付与する。また、合
成樹脂フィルム表面にプラズマを作用させることによ
り、所望の親水性または疎水性を付与する。さらには、
ポリマーフィルムの表面にモノマーを塗布したのち、プ
ラズマを作用させることによってこのモノマーを硬化、
重合せしめる、等である。
2. Description of the Related Art Conventionally, the surface modification of a film material is carried out by the action of the plasma by setting the atmosphere of the film to be processed into a plasma state using a discharge chemical reactor. Surface modification has various purposes as follows. For example, when a pressure-sensitive adhesive is applied to the surface of a fluororesin film, plasma due to inter-electrode discharge is applied to the surface of the film to roughen the surface of the film so that the pressure-sensitive adhesive easily adheres to the film surface. Alternatively, it gives tackiness to the film surface itself. Further, by applying plasma to the surface of the synthetic resin film, desired hydrophilicity or hydrophobicity is imparted. Furthermore,
After applying the monomer to the surface of the polymer film, cure the monomer by applying plasma.
Polymerize, etc.

【0003】しかしながら、被処理フィルムの処理環境
の雰囲気をプラズマ状態に維持するためには高度の真空
状態に維持制御する必要があり、そのためには真空ポン
プ等を含めた減圧装置が必要である。また、被処理フィ
ルムはロールに巻かれているのが通常であるため、被処
理フィルムの雰囲気を長時間プラズマ状態に維持するた
めに処理環境(前記密閉容器内部)へのフィルム挿通口
等、被処理フィルムを閉じ込める密閉容器に対する大が
かりなシール機構が必要となる。たとえ前記ロールを密
閉容器内へ設置するにしても、ロールの回転駆動装置の
出力軸部分の大がかりなシールが必要となる。さらに、
回転駆動装置ともに密閉容器内へ設置するにしても、装
置が一層大がかりとなり、真空引きに時間がかかる。叙
上のごとく、プラズマによる表面改質には設備コストお
よび運転コストが高くなるという問題があった。
However, in order to maintain the atmosphere of the processing environment of the film to be processed in the plasma state, it is necessary to maintain and control it in a high vacuum state, and for that purpose, a pressure reducing device including a vacuum pump and the like is required. Further, since the film to be processed is usually wound on a roll, in order to maintain the atmosphere of the film to be processed in a plasma state for a long time, a film insertion port to a processing environment (inside the closed container) or the like is used. A large-scale sealing mechanism for the closed container for containing the processed film is required. Even if the roll is installed in a closed container, a large-scale seal is required on the output shaft portion of the roll rotation drive device. further,
Even if both the rotary drive device and the rotary drive device are installed in an airtight container, the size of the device is further increased and it takes time to evacuate. As mentioned above, the surface modification by plasma has a problem that the equipment cost and the operation cost are high.

【0004】一方、レーザー光を照射する改質方法も採
用されているが、エネルギ密度が高いので被処理フィル
ムを不用意に変形、変質、溶融、損傷または劣化等する
おそれがあり、しかも、点光源であることに伴って掃引
装置(光源を移動させるための駆動装置や制御装置)を
必要とするため処理装置全体が大がかりとなる。
On the other hand, a modification method of irradiating with a laser beam is also adopted, but since the energy density is high, the film to be processed may be inadvertently deformed, deteriorated, melted, damaged or deteriorated. Since the device is a light source, a sweeping device (a driving device or a control device for moving the light source) is required, so that the entire processing device becomes large.

【0005】また、水銀ランプによって紫外線を照射す
る改質方法も採用されているが、185nm以上の波長
の紫外線しか照射することはできず、被処理フィルムを
不用意に加熱してしまい、溶融、変形等のおそれがあ
る。また、たとえば各種ポリマーのエッチング速度の向
上は期待できない。
A reforming method of irradiating ultraviolet rays with a mercury lamp is also adopted, but only ultraviolet rays having a wavelength of 185 nm or more can be irradiated and the film to be treated is inadvertently heated and melted. It may be deformed. Further, for example, an improvement in the etching rate of various polymers cannot be expected.

【0006】本発明はかかる課題を解決するためになさ
れたものであり、紫外線照射を利用することにより、と
くに高真空を必要とせず、さらに、大がかりな装置も必
要とせず、効率的にフィルムを処理することができるフ
ィルム表面改質装置を提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and by utilizing ultraviolet irradiation, a particularly high vacuum is not required, and a large-scale device is not required, so that a film can be efficiently formed. It is an object of the present invention to provide a film surface modification device that can be processed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第一態様に係る
フィルム表面改質方法は、エキシマ化しうるガス雰囲気
下で電極間に放電を生ぜしめることによって真空紫外域
における所望の波長の紫外線を発光せしめ、該紫外線を
被処理フィルムの表面に照射することによって該表面を
改質することを特徴としている。
The method for modifying a film surface according to the first aspect of the present invention is to generate ultraviolet rays having a desired wavelength in the vacuum ultraviolet region by causing a discharge between electrodes in a gas atmosphere capable of forming an excimer. It is characterized in that the surface is modified by causing it to emit light and irradiating the surface of the film to be treated with the ultraviolet rays.

【0008】本発明の第二態様に係るフィルム表面改質
装置は、エキシマ化しうるガスを封入するための密閉容
器と、該密閉容器内に装着された少なくとも一対の電極
と、密閉容器に配設された被処理フィルムの導入口およ
び導出口と、被処理フィルムを前記導入口から密閉容器
内に挿通し且つ前記導出口から取り出すための被処理フ
ィルム供給手段とからなり、該導入口および導出口に気
密機能を奏するシール部材が配設されてなることを特徴
としている。
A film surface reforming apparatus according to a second aspect of the present invention is a hermetic container for enclosing a gas that can be excimerized, at least a pair of electrodes mounted in the hermetic container, and the hermetic container. And an inlet and an outlet for the processed film, and a treated film supply means for inserting the processed film into the closed container from the inlet and taking out the film from the outlet, the inlet and the outlet. It is characterized in that a seal member having an airtight function is disposed on the.

【0009】本発明の第三態様に係るフィルム表面改質
装置は、エキシマ化しうるガスを封入するための密閉容
器と、該密閉容器内に装着された少なくとも一対の電極
と、密閉容器内に装備された被処理フィルム供給手段と
から構成されている。
A film surface reforming apparatus according to a third aspect of the present invention is equipped with a hermetically sealed container for enclosing a gas that can be excimerized, at least a pair of electrodes mounted in the hermetically sealed container, and a hermetically sealed container. And the processed film supply means.

【0010】本発明の第四態様に係るフィルム表面改質
装置は、エキシマ化しうるガスが封入され且つ電極が内
装されたガラス製密閉容器からなる紫外線ランプと、該
紫外線ランプに被処理フィルムを近接せしめる被処理フ
ィルム供給手段と、前記紫外線ランプと被処理フィルム
との間に不活性ガスを吹き込むための不活性ガス供給手
段とから構成されている。
A film surface reforming apparatus according to a fourth aspect of the present invention is an ultraviolet lamp comprising a glass closed container in which an excimerizable gas is enclosed and electrodes are installed, and a film to be treated is brought close to the ultraviolet lamp. It comprises a processing target film supplying means for pressing and an inert gas supplying means for blowing an inert gas between the ultraviolet lamp and the processing target film.

【0011】前記第二〜四態様のフィルム表面改質装置
において、被処理フィルム供給手段を、被処理フィルム
を送り出すための供給ロールと被処理フィルムを巻き取
るための巻き取りロールとから構成し、少なくとも巻き
取りロールが駆動装置によって回転させられるように構
成するのが、被処理フィルムを連続的に処理しうる点で
好ましい。
In the film surface reforming apparatus of the second to fourth aspects, the film-to-be-treated supplying means comprises a supply roll for feeding the film-to-be-treated and a winding roll for winding the film-to-be-treated. It is preferable that at least the take-up roll is rotated by the driving device, since the film to be processed can be continuously processed.

【0012】そして、第二〜四の態様に係るフィルム表
面改質装置において、前記電極の表面にグラスライニン
グ層を形成するのが、無声放電やコロナ放電がアーク放
電に移行するのを防止するために、剥離のおそれの少な
い保護層を形成しうる点で好ましく、また、前記電極を
中空とし、該電極の空洞に冷却剤を供給し且つ排出する
ための冷却剤供給手段を装備するのが、放電によって加
熱される電極の損傷を防止しうる点で好ましい。
In the film surface modification device according to the second to fourth aspects, the glass lining layer is formed on the surface of the electrode in order to prevent silent discharge or corona discharge from being transferred to arc discharge. In addition, it is preferable in that a protective layer with less risk of peeling can be formed, and the electrode is hollow, and a coolant supply means for supplying and discharging a coolant to the cavity of the electrode is provided. It is preferable in that the electrode heated by the discharge can be prevented from being damaged.

【0013】なお、特許請求の範囲でいう「エキシマ化
しうるガス」とは、放電のエネルギによって励起されて
二量体(いわゆるエキシマ)が生成される分子からなる
ガスをいう。そして、このエキシマが分解するときに単
一波長の紫外線が発光される。
The "excimerizable gas" in the claims means a gas composed of molecules that are excited by the energy of discharge to form a dimer (so-called excimer). Then, when the excimer is decomposed, a single wavelength of ultraviolet light is emitted.

【0014】[0014]

【作用】本発明の第一態様に係るフィルム表面改質方法
によれば、被処理フィルムの表面にプラズマではなく紫
外線を照射するものであるため、とくに高真空を必要と
せず、また、レーザー光のように、エネルギ密度が高く
ないので被処理フィルムを不用意に変形、変質、溶融、
損傷または劣化等するおそれも少なく、点光源であるこ
とに伴う掃引装置を必要とすることもない。したがって
大がかりな装置を必要としないため、設備コストおよび
運転コストの低減が可能となり、しかも効率的にフィル
ムを処理することができる。また、エキシマによる単一
波長の紫外線を照射するものであるため、水銀ランプの
ように長波長の紫外線が混在することによって被処理フ
ィルムを不用意に加熱することもない。
According to the film surface modification method of the first aspect of the present invention, since the surface of the film to be treated is irradiated with ultraviolet rays instead of plasma, a high vacuum is not particularly required, and a laser beam is used. Since the energy density is not high, the film to be processed is inadvertently deformed, altered, melted,
There is little risk of damage or deterioration, and there is no need for a sweeping device associated with a point light source. Therefore, since a large-scale device is not required, the facility cost and the operating cost can be reduced, and the film can be efficiently processed. Further, since the single-wavelength ultraviolet light is emitted by the excimer, the film to be processed is not inadvertently heated due to the mixture of long-wavelength ultraviolet light as in a mercury lamp.

【0015】さらに、水銀ランプによる紫外線照射に比
べてフィルムの処理速度が一桁以上速くなる。
Further, the processing speed of the film is increased by one digit or more as compared with the ultraviolet irradiation by the mercury lamp.

【0016】本発明のフィルム表面改質方法では、単一
波長の紫外線を照射しうるのでガスを選択することによ
って波長の調節が容易であるため、紫外線の波長の選択
により、および照射時間の調整により、表面改質の種類
や程度に応じて最適な条件を容易に設定しうる。
In the film surface modification method of the present invention, since it is possible to irradiate ultraviolet rays having a single wavelength, it is easy to adjust the wavelength by selecting a gas. Therefore, by selecting the wavelength of ultraviolet rays and adjusting the irradiation time. Thus, the optimum conditions can be easily set according to the type and degree of surface modification.

【0017】本発明の第二および第三の態様に係るフィ
ルム表面改質装置によれば、前記第一態様に係るフィル
ム表面改質方法による作用効果を奏するとともに、電極
と被処理フィルムとのあいだに、隔離目的のガラス板が
存在しないため、被処理フィルムに照射される紫外線強
度の低下がなく、しかもガラス板の劣化に伴う交換作業
を必要としない。その結果、装置の運転コスト低減が可
能となり、しかも高効率の改質処理が維持される。
According to the film surface reforming apparatus of the second and third aspects of the present invention, the function and effect of the film surface reforming method of the first aspect can be obtained, and the electrode surface and the film to be treated can be effectively separated from each other. In addition, since there is no glass plate for the purpose of isolation, there is no reduction in the intensity of the ultraviolet rays applied to the film to be processed, and there is no need for replacement work due to deterioration of the glass plate. As a result, it is possible to reduce the operating cost of the device, and moreover, the highly efficient reforming process is maintained.

【0018】また、第四態様のフィルム表面改質装置に
よれば、エキシマランプを用いることによって前記第一
態様のフィルム表面改質方法による作用効果を奏するこ
とが可能であるため、設備コストの低減が可能となる。
Further, according to the film surface modification apparatus of the fourth aspect, the function and effect of the film surface modification method of the first aspect can be obtained by using the excimer lamp, so that the equipment cost can be reduced. Is possible.

【0019】[0019]

【実施例】つぎに、添付の図面を参照しつつ本発明のフ
ィルム表面改質装置の実施例を説明する。
EXAMPLES Examples of the film surface modifying apparatus of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0020】図1は本発明のフィルム表面改質装置の一
実施例を示す概略断面図、図2は本発明のフィルム表面
改質装置の他の実施例を示す概略断面図、図3は図1ま
たは図2のA−A線断面図、図4〜6はそれぞれ本発明
のフィルム表面改質装置のさらに他の実施例を示す概略
断面図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention, FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention, and FIG. 1 or FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA, and FIGS. 4 to 6 are schematic sectional views showing still another embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention.

【0021】図1に示されるフィルム表面改質装置(以
下、単に改質装置という)1は、二対の電極2(図2も
併せて参照)が配設された密閉容器3と、この密閉容器
3にフィルムFを改質処理のために通過させるフィルム
送りロール4および改質済のフィルムFを取り出すフィ
ルム巻き取りロール5と、封入ガスGの循環機構6とか
ら構成されている。巻き取りロール5には回転駆動用の
モータが減速機(ともに図示されていない)を介して連
結されている。両電極2間には高周波高圧電源7が接続
されており(図2参照)、通電によって電極2間に放電
が生じ、この放電のエネルギによって封入ガスGが紫外
線を発光しうるように構成されている。
A film surface reforming apparatus (hereinafter simply referred to as reforming apparatus) 1 shown in FIG. 1 includes a hermetically sealed container 3 in which two pairs of electrodes 2 (see also FIG. 2) are arranged, and the hermetically sealed container 3. The container 3 includes a film feed roll 4 that allows the film F to pass through for reforming, a film take-up roll 5 that takes out the modified film F, and a circulation mechanism 6 for the enclosed gas G. A motor for rotation driving is connected to the winding roll 5 via a speed reducer (both not shown). A high-frequency high-voltage power supply 7 is connected between both electrodes 2 (see FIG. 2), and a discharge is generated between the electrodes 2 by energization. The energy of this discharge causes the enclosed gas G to emit ultraviolet rays. There is.

【0022】本実施例では波長が172nmの紫外線を
発光するようにキセノンガスを用いているが、本発明で
はとくにキセノンガスに限定されることはなく、他の希
ガス、ハロゲンガスまたは両者の混合ガス等、放電エネ
ルギによって紫外線を発光しうる任意のガスを選択する
ことができる。
In the present embodiment, xenon gas is used so as to emit ultraviolet rays having a wavelength of 172 nm. However, the present invention is not limited to xenon gas, and other rare gas, halogen gas or a mixture of both gases can be used. Any gas such as gas that can emit ultraviolet rays depending on discharge energy can be selected.

【0023】図示のごとく、二対の電極2は被処理フィ
ルムFの上方に一対と下方に一対配設され、両対の電極
2の間に被処理フィルムFが通過するようにされ、電極
2と被処理フィルムFとのあいだには空間以外は何者も
介在させてはいない。これは、以下の理由からである。
すなわち、封入ガスG空間と被処理フィルムF挿通空間
とを窓部材で隔離することも考えられるが、窓部材の材
料としては従来一般的に良好な紫外線透過性を有する石
英ガラスやCaF2 等が用いられており、これらは紫外
線が透過するときにその一部を吸収してしまう。それ
に、長期の使用により窓部材がとくに真空紫外線照射に
よって変質、劣化することもあり、窓部材を交換する必
要が生じる。さらに、窓部材の紫外線透過性を向上せし
めるために、石英ガラスの場合には高純度化が必要とな
り、高価なものとなる。CaF2 の場合も単結晶である
ことから高価なものとなり、また大型品を製造すること
はほとんど不可能である。そこで、かかる窓部材を用い
ず密閉容器3を採用することにより、かかる事態が回避
できるのである。
As shown in the figure, the two pairs of electrodes 2 are arranged above and below the film F to be treated, and the film F is allowed to pass between the electrodes 2 of both pairs. Nothing other than a space is interposed between the target film F and the film to be processed F. This is for the following reason.
That is, it is conceivable to separate the enclosed gas G space and the film F insertion space with a window member, but as the material for the window member, quartz glass, CaF 2, or the like, which generally has good ultraviolet transmittance, is conventionally used. They are used, and they absorb a part of them when they transmit ultraviolet rays. In addition, the window member may be deteriorated or deteriorated particularly by irradiation with vacuum ultraviolet rays due to long-term use, and it is necessary to replace the window member. Further, in order to improve the ultraviolet ray transmittance of the window member, in the case of quartz glass, high purity is required, which is expensive. For CaF 2 also becomes expensive since it is a single crystal, also possible to manufacture a large-sized article is almost impossible. Therefore, such a situation can be avoided by adopting the closed container 3 without using the window member.

【0024】なお、電極2は二対に限定されることはな
く、密閉容器3の大きさ等に応じて三対以上配設しても
よい。また、被処理フィルムFの片面のみを改質する目
的で上方または下方のいずれか一方にのみ配設してもよ
い(図4〜6参照)。したがって、電極は一対のみ装着
してもよい。さらに、対になった電極の間に被処理フィ
ルムが介在するように装着してもよい。つまり、電極同
士が被処理フィルムを挟むように位置させてもよいので
ある。
The electrodes 2 are not limited to two pairs, and three or more pairs may be provided depending on the size of the closed container 3. Further, for the purpose of modifying only one surface of the film to be processed F, it may be arranged only on either the upper side or the lower side (see FIGS. 4 to 6). Therefore, only one pair of electrodes may be attached. Further, the film to be processed may be mounted between the pair of electrodes. That is, the electrodes may be positioned so as to sandwich the film to be processed.

【0025】密閉容器3にはフィルムF挿入用のスリッ
ト8およびフィルムF引出用のスリット9が備えられて
おり、さらにフィルムF挿入用のスリット8の密閉容器
3内側とフィルムF引出用のスリット9の密閉容器3外
側とに、それぞれガスシール部材10が装着されている
(図3も併せて参照)。このガスシール部材10は、フ
ィルムFの移動方向に向けて二枚のゴム板等の弾性板1
0aが互いに自身の復元力を作用し合ってフィルムFを
挟圧するような状態で取り付けられたものである。もち
ろん他の公知のシール部材を用いてもよい。
The closed container 3 is provided with a slit 8 for inserting the film F and a slit 9 for drawing out the film F. Further, the inside of the closed container 3 of the slit 8 for inserting the film F and the slit 9 for drawing out the film F. Gas seal members 10 are attached to the outside of the closed container 3 (see also FIG. 3). The gas seal member 10 includes elastic plates 1 such as two rubber plates facing the moving direction of the film F.
0a is attached in such a state that the restoring force of each other acts on each other and the film F is pinched. Of course, other known sealing members may be used.

【0026】また、密閉容器3の内面には、発生する紫
外線を反射するように反射被膜11が形成されている。
この反射被膜11としては、紫外線を望ましくは全反射
するような、たとえば、金属材料の全面にアルミニウム
を蒸着したものや、金属材料の表面を研磨仕上げしたも
の、また、研磨後に高温酸化処理し、酸液によってウェ
ットエッチング処理したもの、反射面に誘電体多層膜を
コーティングした反射鏡、またはガラス部分が石英ガラ
スである鏡等を用いることができる。
A reflective coating 11 is formed on the inner surface of the closed container 3 so as to reflect the generated ultraviolet rays.
As the reflection coating 11, for example, a metal material having aluminum vapor-deposited over its entire surface, a metal material whose surface is polished and finished, or a high-temperature oxidation treatment after polishing, which desirably totally reflects ultraviolet rays, What was wet-etched with an acid solution, a reflecting mirror having a reflecting surface coated with a dielectric multilayer film, or a mirror having a glass portion made of quartz glass can be used.

【0027】一方、密閉容器3には封入ガスG用のガス
注入口12およびガス排出口13が形成されており、こ
れら12、13に前記封入ガスGの循環機構6の配管1
4が接続されている。循環機構6は、前記密閉容器3に
乾燥した封入ガスGを循環させるために、配管14に乾
燥機15およびブロア16を介装している。そして、前
記フィルムF挿入用および挿出用のスリット8、9から
若干漏出するガスの補充のために、前記配管14に封入
ガスGのボンベ17も接続している。18は密閉容器3
の内圧を検出表示するための圧力検出器である。
On the other hand, a gas inlet 12 and a gas outlet 13 for the enclosed gas G are formed in the closed container 3, and the pipe 1 of the circulation mechanism 6 for the enclosed gas G is formed in these gas inlets 12 and 13.
4 are connected. The circulation mechanism 6 has a dryer 15 and a blower 16 in the pipe 14 in order to circulate the dry enclosed gas G in the closed container 3. A cylinder 17 of the enclosed gas G is also connected to the pipe 14 in order to supplement the gas that slightly leaks from the slits 8 and 9 for inserting and inserting the film F. 18 is a closed container 3
It is a pressure detector for detecting and displaying the internal pressure of.

【0028】本改質装置1では、通常は密閉容器3内部
の圧力を大気圧より若干高めに設定(たとえば1.1気
圧)して運転し、外部からの大気の混入を防止してい
る。しかし、必要に応じて、密閉容器3内部の圧力を大
気圧と同等または若干低めに設定する場合には、図2に
示す改質装置19のように、密閉容器3における両スリ
ット8、9の外方部位にそれぞれガスシール室20、2
1を設置するのが好ましい。もちろん、これらガスシー
ル室20、21にもフィルムF挿入用および挿出用のス
リット22、23およびガスシール部材24を装備して
おく。そして、ガスシール室20、21の内圧は封入ガ
ス等を充填することによって大気圧以上に設定しておけ
ば、ガスシール室20、21に大気が混入することはな
く、したがって、密閉容器3が大気圧以下であっても密
閉容器3内に大気が混入することはない。25はガスシ
ール室用の圧力検出器である。
In the present reforming apparatus 1, the internal pressure of the closed vessel 3 is normally set to be slightly higher than atmospheric pressure (for example, 1.1 atmospheric pressure) to prevent air from entering from the outside. However, when the pressure inside the closed container 3 is set to be equal to or slightly lower than the atmospheric pressure as needed, as in the reformer 19 shown in FIG. Gas seal chambers 20 and 2 on the outside
It is preferable to install 1. Of course, the gas seal chambers 20 and 21 are also equipped with slits 22 and 23 for inserting and removing the film F and a gas seal member 24. If the internal pressure of the gas seal chambers 20 and 21 is set to the atmospheric pressure or higher by filling the enclosed gas or the like, the gas seal chambers 20 and 21 will not be mixed with the atmosphere, and therefore the sealed container 3 Atmospheric pressure does not mix the air into the closed container 3. Reference numeral 25 is a pressure detector for the gas seal chamber.

【0029】図4および図5に示されるのは、叙上の実
施例と同様にフィルムFを密閉容器3内で改質する装置
であり、やはり電極2とフィルムFとの間にガラス板が
介在していないものである。両図ともに前記循環機構6
(図1および図2参照)の図示を省略している。図4の
改質装置26ではフィルム供給手段として、前記送りロ
ール4および巻き取りロール5を用いている。一方、図
5の改質装置27ではフィルム供給手段としてフィルム
Fを載置または張設するための架台28を用いている。
図5の改質装置27はいわゆるバッチ式に一枚またはそ
れ以上の枚数のフィルムFを密閉容器3内へ装入する方
式のものである。
FIGS. 4 and 5 show an apparatus for reforming the film F in the closed container 3 similarly to the above-mentioned embodiment, and a glass plate is also provided between the electrode 2 and the film F. It is not intervening. In both figures, the circulation mechanism 6
Illustration (see FIGS. 1 and 2) is omitted. In the reforming device 26 of FIG. 4, the feed roll 4 and the take-up roll 5 are used as film supply means. On the other hand, in the reforming apparatus 27 of FIG. 5, a pedestal 28 on which the film F is placed or stretched is used as the film supply means.
The reforming device 27 shown in FIG. 5 is of a so-called batch type in which one or more films F are loaded into the closed container 3.

【0030】図6に示される改質装置29は、エキシマ
化しうるガスが封入された紫外線ランプ30を被処理フ
ィルムFに近接させ、紫外線を該フィルムFに照射して
改質処理するものである。フィルムの供給手段としては
前記送りロール4と巻き取りロール5とが用いられてい
るが、図5に示されるような架台28を用いてもよい。
また、紫外線ランプ30とフィルムFとの間から酸素等
を含む大気を除去するために、窒素ガスボンベ31と窒
素ガスNを噴出するノズル32とが配設されている。大
気が存在すると紫外線によってオゾンが発生したり、紫
外線そのものも大気に大きく吸収されてしまうからであ
る。なお、大気除去のためにはとくに窒素ガスに限定さ
れることはなく、たとえばアルゴンガス等を用いてもよ
い。本改質装置29によれば、紫外線照射効率は前記改
質装置1、19、26、27程には高くないが、封入ガ
スの使用量の低減および設備が簡素化される点でより一
層の設備コスト低減が可能となる。
The reforming device 29 shown in FIG. 6 is a device for effecting a reforming treatment by bringing an ultraviolet lamp 30 in which a gas capable of forming an excimer is enclosed close to the film F to be treated and irradiating the film F with ultraviolet rays. . Although the feed roll 4 and the take-up roll 5 are used as the film supply means, a frame 28 as shown in FIG. 5 may be used.
Further, in order to remove the atmosphere containing oxygen and the like from between the ultraviolet lamp 30 and the film F, a nitrogen gas cylinder 31 and a nozzle 32 for ejecting nitrogen gas N are provided. This is because in the presence of the atmosphere, ozone is generated by ultraviolet rays, and the ultraviolet rays themselves are largely absorbed by the atmosphere. It should be noted that nitrogen gas is not particularly limited for removing air, and for example, argon gas or the like may be used. According to the present reformer 29, the ultraviolet irradiation efficiency is not as high as that of the reformers 1, 19, 26, 27, but it is more advantageous in that the amount of the enclosed gas used is reduced and the equipment is simplified. Equipment cost can be reduced.

【0031】また、叙上の改質装置1、19、26、2
7、29におけるすべての電極2の外表面にはグラスラ
イニング33が施されている(図1〜図6参照)。正常
なコロナ放電や無声放電を生ぜしめ、アーク放電への移
行を防止するためである。かかる目的からして、グラス
ライニングが剥離、破損のおそれがきわめて少ない点で
最適である。
Further, the above reforming devices 1, 19, 26, 2
A glass lining 33 is applied to the outer surfaces of all the electrodes 2 of 7 and 29 (see FIGS. 1 to 6). This is to cause normal corona discharge and silent discharge and prevent transition to arc discharge. For this purpose, the glass lining is optimal in that the risk of peeling and breakage is extremely small.

【0032】なお、図示されていないが、叙上の改質装
置1、19、26、27、29において、電極2を円筒
または角筒等の中空状にし、その内部空洞に冷却剤が流
れるように形成するのが好ましい。これは、放電によっ
て加えられたエネルギによる電極2の損傷を防止するた
めであり、また、電極2を冷却することによって放電効
率を向上せしめるためである。冷却剤としては、冷水ま
たはエチレングリコール等の公知のものが用いられる。
Although not shown, in the above reforming apparatus 1, 19, 26, 27, 29, the electrode 2 is made hollow such as a cylinder or a square tube so that the coolant flows in the inner cavity. Is preferably formed. This is to prevent the electrode 2 from being damaged by the energy applied by the discharge, and to improve the discharge efficiency by cooling the electrode 2. As the cooling agent, known one such as cold water or ethylene glycol is used.

【0033】[0033]

【発明の効果】本発明の第一態様に係るフィルム表面改
質方法によれば、被処理フィルムの表面にプラズマでは
なく紫外線を照射するものであるため、大がかりな装置
を必要とせず、設備コストおよび運転コストの低減が可
能となり、しかも表面改質の種類や程度に応じて最適な
条件を容易に設定することができ、効率的にフィルムを
処理することができる本発明の第二および第三の態様に
係るフィルム表面改質装置によれば、前記第一態様に係
るフィルム表面改質方法による作用効果を奏するととも
に、電極と被処理フィルムとのあいだに、隔離目的のガ
ラス板が存在しないため、被処理フィルムに照射される
紫外線強度の低下がなく、しかもガラス板の劣化に伴う
交換作業を必要としない。その結果、装置の運転コスト
低減が可能となり、しかも高効率の改質処理が維持され
る。
According to the film surface modification method of the first aspect of the present invention, since the surface of the film to be treated is irradiated with ultraviolet rays instead of plasma, a large-scale device is not required, and the equipment cost is reduced. The second and third aspects of the present invention are capable of reducing the operating cost, easily setting the optimum conditions according to the type and degree of the surface modification, and efficiently processing the film. According to the film surface reforming apparatus according to the aspect of (1), while exhibiting the effect of the film surface reforming method according to the first aspect, there is no glass plate for the purpose of isolation between the electrode and the film to be treated. In addition, there is no reduction in the intensity of ultraviolet rays applied to the film to be processed, and there is no need for replacement work due to deterioration of the glass plate. As a result, it is possible to reduce the operating cost of the device, and moreover, the highly efficient reforming process is maintained.

【0034】また、第四態様のフィルム表面改質装置に
よれば、エキシマランプを用いることによって前記第一
態様のフィルム表面改質方法による作用効果を奏するこ
とが可能であるため、設備コストの低減が可能となる。
Further, according to the film surface modification apparatus of the fourth aspect, since the function and effect of the film surface modification method of the first aspect can be exhibited by using the excimer lamp, the equipment cost can be reduced. Is possible.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のフィルム表面改質装置の一実施例を示
す概略断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing an embodiment of a film surface modifying apparatus of the present invention.

【図2】本発明のフィルム表面改質装置の他の実施例を
示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic sectional view showing another embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention.

【図3】図1または図2のA−A線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line AA of FIG. 1 or FIG.

【図4】本発明のフィルム表面改質装置のさらに他の実
施例を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic sectional view showing still another embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention.

【図5】本発明のフィルム表面改質装置のさらに他の実
施例を示す概略断面図である。
FIG. 5 is a schematic sectional view showing still another embodiment of the film surface modifying apparatus of the present invention.

【図6】本発明のフィルム表面改質装置のさらに他の実
施例を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic sectional view showing still another embodiment of the film surface modification apparatus of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、19、26、27、29・・・改質装置 2・・・電極 3・・・密閉容器 4・・・送りロール 5・・・巻き取りロール 8、9、22、23・・・スリット 10、24・・・ガスシール部材 28・・・架台 30・・・紫外線ランプ 32・・・ノズル 33・・・グラスライニング 1, 19, 26, 27, 29 ... Reforming device 2 ... Electrode 3 ... Airtight container 4 ... Feed roll 5 ... Winding roll 8, 9, 22, 23 ... Slit 10, 24 ... Gas seal member 28 ... Stand 30 ... UV lamp 32 ... Nozzle 33 ... Glass lining

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 エキシマ化しうるガス雰囲気下で電極間
に放電を生ぜしめることによって真空紫外域における所
望の波長の紫外線を発光せしめ、該紫外線を被処理フィ
ルムの表面に照射することによって該表面を改質するこ
とを特徴とするフィルム表面改質方法。
1. An ultraviolet ray having a desired wavelength in the vacuum ultraviolet region is emitted by causing a discharge between electrodes in a gas atmosphere capable of forming an excimer, and the surface of the film to be treated is irradiated with the ultraviolet ray. A method for modifying a film surface, which comprises modifying.
【請求項2】 エキシマ化しうるガスを封入するための
密閉容器と、該密閉容器内に装着された少なくとも一対
の電極と、密閉容器に配設された被処理フィルムの導入
口および導出口と、被処理フィルムを前記導入口から密
閉容器内に挿通し且つ前記導出口から取り出すための被
処理フィルム供給手段とからなり、導入口および導出口
に気密機能を奏するシール部材が配設されてなるフィル
ム表面改質装置。
2. An airtight container for enclosing a gas capable of forming an excimer, at least a pair of electrodes mounted in the airtight container, an inlet and an outlet for a film to be processed, which are disposed in the airtight container. A film comprising a film-to-be-processed supply means for inserting the film to be processed into the closed container from the inlet and taking it out from the outlet, and a film provided with a sealing member having an airtight function at the inlet and the outlet. Surface modification device.
【請求項3】 エキシマ化しうるガスを封入するための
密閉容器と、該密閉容器内に装着された少なくとも一対
の電極と、密閉容器内に装備された被処理フィルム供給
手段とからなるフィルム表面改質装置。
3. A film surface modification comprising a hermetically sealed container for enclosing an excimerizable gas, at least a pair of electrodes mounted in the hermetically sealed container, and a to-be-processed film supply means provided in the hermetically sealed container. Quality equipment.
【請求項4】 エキシマ化しうるガスが封入され且つ電
極が内装されたガラス製密閉容器からなる紫外線ランプ
と、該紫外線ランプに被処理フィルムを近接せしめる被
処理フィルム供給手段と、前記紫外線ランプと被処理フ
ィルムとの間に不活性ガスを吹き込むための不活性ガス
供給手段とからなるフィルム表面改質装置。
4. An ultraviolet lamp comprising a glass closed container in which an excimatizable gas is sealed and an electrode is installed, a film supply means for treating the film to be brought close to the ultraviolet lamp, the ultraviolet lamp and the substrate. A film surface reforming apparatus comprising an inert gas supply means for blowing an inert gas between the film and the treated film.
【請求項5】 前記被処理フィルム供給手段が被処理フ
ィルムを送り出すための供給ロールおよび被処理フィル
ムを巻き取るための巻き取りロールから構成されてお
り、少なくとも巻き取りロールが駆動装置によって回転
させられるように構成されてなる請求項2〜4のうちの
いずれか一項に記載のフィルム表面改質装置。
5. The film-to-be-processed supplying means comprises a supply roll for feeding out the film-to-be-processed and a winding roll for winding the film-to-be-processed, and at least the winding roll is rotated by a drive device. The film surface reforming apparatus according to any one of claims 2 to 4, which is configured as described above.
【請求項6】 前記電極の表面にグラスライニング層が
形成されてなる請求項2〜4記載のうちのいずれか一項
に記載のフィルム表面改質装置。
6. The film surface reforming device according to claim 2, wherein a glass lining layer is formed on the surface of the electrode.
【請求項7】 前記電極が中空にされており、該電極の
空洞に冷却剤を供給し且つ排出するための冷却剤供給手
段が装備されてなる請求項2〜4記載のうちのいずれか
一項に記載のフィルム表面改質装置。
7. The electrode according to claim 2, wherein the electrode is hollow, and the cavity of the electrode is equipped with a coolant supply means for supplying and discharging a coolant. Item 5. The film surface modification apparatus according to item.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970061941A (en) * 1996-02-08 1997-09-12 루이스 노만 에드워드 Transparent silicone gel
JP2010144093A (en) * 2008-12-19 2010-07-01 Ushio Inc Excimer lamp apparatus

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