JPH08273543A - Method for forming barrier for plasma display panel - Google Patents
Method for forming barrier for plasma display panelInfo
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- JPH08273543A JPH08273543A JP7789695A JP7789695A JPH08273543A JP H08273543 A JPH08273543 A JP H08273543A JP 7789695 A JP7789695 A JP 7789695A JP 7789695 A JP7789695 A JP 7789695A JP H08273543 A JPH08273543 A JP H08273543A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマディスプレイ
パネル（以下、ＰＤＰと記す）の製造工程に係わるもの
であり、詳しくはＰＤＰの障壁形成方法に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a manufacturing process of a plasma display panel (hereinafter referred to as PDP), and more particularly to a method for forming a barrier of PDP.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ガス放電パネルであるＰＤＰは、２枚の
ガラス等の基板に挟まれた微小な放電空間としてのセル
を多数備えており、セルごとに放電して発光するか、或
いは生じた紫外線により蛍光体を発光させるようになっ
ている。これらの微小セルの間には、セル間の干渉を防
ぐため、また両基板の間隔を一定に保つために、一般に
障壁が設けられる。そして、ＰＤＰにおいては、放電空
間をできるだけ大きくして高輝度の発光を得るため、壁
面が垂直に切り立ち、幅が狭く高さの高い障壁が要求さ
れている。特に高精細のディスプレイでは、高さ１００
μｍに対して、幅３０〜５０μｍといった高アスペクト
比の障壁が望ましい。2. Description of the Related Art A PDP, which is a gas discharge panel, has a large number of cells as minute discharge spaces sandwiched between two substrates such as glass, and discharges or emits light for each cell. The phosphor is made to emit light by ultraviolet rays. A barrier is generally provided between these minute cells in order to prevent interference between the cells and to keep the distance between both substrates constant. Further, in the PDP, in order to make the discharge space as large as possible to obtain high-intensity light emission, a barrier having a narrow wall and a narrow width and a high height is required. Especially for high-definition displays, height 100
A barrier having a high aspect ratio of 30 to 50 μm with respect to μm is desirable.
【０００３】ところで、障壁の形成にはスクリーン印刷
によるパターン形成が一般的に行われているが、スクリ
ーン印刷では一回の印刷で形成できる膜厚がせいぜい数
１０μｍであるため、印刷と乾燥を多数回、一般には１
０回程度も繰り返すことで目的の膜厚を得ていた。しか
しながら、スクリーン印刷で形成される塗膜は周辺部が
窪んで凸状になるため、多数回の重ね刷りを行うと、ダ
レが蓄積されて底部が広がってしまう問題があり、障壁
のファインピッチ化には限界あった。また、スクリーン
印刷では、印刷版の歪みのためピッチ精度に限界があ
り、パネルの大型化にも問題があった。By the way, a pattern is generally formed by screen printing for forming the barrier. However, in screen printing, the film thickness that can be formed by one printing is several tens of μm at most, and therefore, many printings and dryings are performed. Times, generally 1
The target film thickness was obtained by repeating about 0 times. However, since the coating film formed by screen printing has a concave peripheral portion and a convex shape, when overprinting a large number of times, there is a problem that sagging accumulates and the bottom portion spreads, and a fine pitch barrier is used. There was a limit. Further, in screen printing, there is a limit in pitch accuracy due to distortion of the printing plate, and there is a problem in increasing the size of the panel.
【０００４】このような問題を解決し得る方法として、
サブトラクティブ法を用いた障壁形成方法が提案されて
いる（電子材料、１９３８年、Ｎｏ．１１、ｐ１３
８）。すなわち、障壁形成層を形成した後、上面にサブ
トラクティブ用レジストパターンを印刷やフォトリソグ
ラフィーにより形成し、レジスト開口部の障壁形成材料
を除去する方法である。その中でも、圧縮気体と混合さ
れた微粒子を高速で噴射して物理的にエッチングを行
う、いわゆるサンドブラスト加工法がとりわけ期待され
ている。このサンドブラスト加工法を用いれば、壁面が
垂直に切り立ち、幅が狭く高さの高い望ましい形状に障
壁材を加工することが可能である。また、レジストのパ
ターニングにフォトリソ工程を採用することによりパタ
ーン精度を高くでき、パネルの大型化にも適応できる。As a method capable of solving such a problem,
A barrier formation method using a subtractive method has been proposed (Electronic Materials, 1938, No. 11, p13).
8). That is, this is a method in which after forming the barrier forming layer, a subtractive resist pattern is formed on the upper surface by printing or photolithography, and the barrier forming material in the resist opening is removed. Among them, what is called a sandblasting method, in which fine particles mixed with a compressed gas are jetted at high speed to physically perform etching, is particularly expected. By using this sandblasting method, it is possible to process the barrier material into a desired shape in which the wall surface is cut vertically and the width is narrow and the height is high. Further, by adopting a photolithography process for patterning the resist, it is possible to increase the pattern accuracy, and it is possible to adapt to a larger panel.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上記のような利点を持
つサンドブラスト法であるが、研削に多量のエネルギー
と粉体（研削材）を必要とし、研削に要する時間も長い
ため、コストが高くなるという問題点がある。また、障
壁パターンの間隙、或いはパネル周辺部に露出した電極
や誘電体層やガラス基板などの構成材料がサンドブラス
トによりダメージを受けてしまうという問題がある。こ
のため、研削されるべき障壁形成層はなるべく容易に研
削されることが求められる。Although the sandblasting method has the above advantages, it requires a large amount of energy and powder (grinding material) for grinding, and the time required for grinding is long, resulting in high cost. There is a problem. In addition, there is a problem that constituent materials such as the electrodes of the barrier pattern, the electrodes exposed in the peripheral portion of the panel, the dielectric layer, and the glass substrate are damaged by sandblasting. Therefore, the barrier forming layer to be ground is required to be ground as easily as possible.
【０００６】ところで、障壁形成材料は、焼成過程で軟
化しないアルミナ、ジルコニアなどの無機粉体と、焼成
過程で流動して固着するための低融点ガラス粉末を主成
分としている。さらに、焼成前のこれら粉体を塗膜化す
るために、焼成により気化、燃焼、分解等をして焼失し
得る樹脂を少量含んだガラスペーストが一般的に用いら
れる。このような構成の障壁形成材料が容易に研削され
るためには、粉体がなるべく疎に充填されていて空隙率
が高く、さらに粉体どうしの固着力が弱い状態であるこ
とが好ましい。これを達成するため、具体的には次のよ
うな手段が採られる。 （１）用いる樹脂量を極力少なくする。 （２）大きな粉体を用いたり、針状、鱗片状といった充
填率の低い粉体を混合して使用する。 （３）柔軟性が低く、もろい樹脂を用いる。By the way, the barrier forming material is mainly composed of an inorganic powder such as alumina or zirconia that does not soften in the firing process and a low melting point glass powder that flows and adheres in the firing process. Further, in order to form a coating film of these powders before firing, a glass paste containing a small amount of a resin that can be burned off by being vaporized, burned, decomposed or the like by firing is generally used. In order for the barrier-forming material having such a structure to be easily ground, it is preferable that the powder is filled as loosely as possible, the porosity is high, and the adhesion force between the powders is weak. In order to achieve this, the following measures are specifically taken. (1) Minimize the amount of resin used. (2) Use a large powder, or mix and use a powder having a low filling rate such as needle-like or scale-like powder. (3) Use a brittle resin having low flexibility.
【０００７】しかしながら、これらの手法により研削さ
れやすくした障壁形成材料は、機械的強度が低く、特に
水やアルカリ水溶液が浸透した際の強度が極端に低下す
るために、レジストの現像や剥離工程において破壊され
やすくなり、欠陥が発生しやすくなるという問題を生じ
る。また、このような障壁形成材料ではレジストとの密
着性も低下するため、サンドブラスト加工工程において
レジストマスクが剥離してしまい加工が不可能になると
いう問題も生じる。However, the barrier-forming material that is easily ground by these methods has low mechanical strength, and especially when water or an alkaline aqueous solution permeates, the barrier-forming material extremely decreases in strength. There is a problem in that it is easily broken and defects are easily generated. Further, since such a barrier forming material also has low adhesiveness with the resist, there arises a problem that the resist mask is peeled off in the sandblasting step and the processing becomes impossible.
【０００８】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであり、その目的とするところは、サンドブラス
ト加工法によりＰＤＰの障壁を形成するに際し、障壁形
成層の研削速度を速くするとともに、欠陥が発生するこ
とのないようにしたＰＤＰの障壁形成方法を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to increase the grinding speed of the barrier forming layer when forming the barrier of the PDP by the sandblasting method, and It is an object of the present invention to provide a method for forming a barrier of a PDP that does not cause defects.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、無機粉体と低融点ガラス粉末を主成分と
し、焼成により焼失し得る樹脂を少量含む障壁形成材料
をインキ化したガラスペーストを塗布することにより基
板上に障壁形成層を形成する工程と、障壁形成層上にレ
ジストマスクを形成する工程と、レジストマスクの開口
部に対応する障壁形成材料をサンドブラスト加工により
除去する工程と、レジストマスクを剥離する工程と、焼
成により障壁形成材料を焼結する工程とを含むプラズマ
ディスプレイパネルの障壁形成方法において、前記障壁
形成層を２層以上で構成し、次の条件のうちの少なくと
も１つを満たすようにしたことを特徴としている。 （１）下層よりも上層の方の樹脂含有率を高くする。 （２）下層よりも上層の方に柔軟性が大きく耐磨耗性の
高い樹脂を使用する。 （３）下層よりも上層の方の空隙率を低くする。In order to achieve the above object, the present invention uses an ink as a barrier-forming material containing an inorganic powder and a low-melting glass powder as main components and containing a small amount of a resin that can be burned off by firing. A step of forming a barrier forming layer on the substrate by applying a glass paste, a step of forming a resist mask on the barrier forming layer, and a step of removing the barrier forming material corresponding to the opening of the resist mask by sandblasting. And a step of removing the resist mask, and a step of sintering the barrier forming material by firing, in the method for forming a barrier of a plasma display panel, the barrier forming layer is composed of two or more layers, and The feature is that at least one of them is satisfied. (1) The resin content of the upper layer is made higher than that of the lower layer. (2) A resin having higher flexibility and higher abrasion resistance is used in the upper layer than in the lower layer. (3) The porosity of the upper layer is made lower than that of the lower layer.
【００１０】上記の樹脂含有率とは、乾燥によりインキ
の溶剤を除去した後の重量分率であり、下層の方は１．
０〜３．５重量％とし、上層の方は１．５〜３．５重量
％にすることが好ましい。The above-mentioned resin content is the weight fraction after the solvent of the ink is removed by drying, and the lower layer has 1.
It is preferably 0 to 3.5% by weight, and the upper layer is preferably 1.5 to 3.5% by weight.
【００１１】用いられる樹脂は、低温で燃焼し、炭化物
が障壁中に残存しないことが必要であり、セルロース系
樹脂やアクリル系樹脂が好ましく用いられる。柔軟性が
小さくもろい樹脂としては、メチル（メタ）アクリレー
ト、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メ
タ）アクリレート等の重合体、若しくはこれらの共重合
体が特に好ましい。柔軟性が大きく耐磨耗性の高い樹脂
としては、メチルセルロース、エチルセルロース、ニト
ロセルロース、カルボキシエチルセルロース、醋酸セル
ロース等が好ましく用いられる。ここで、樹脂の耐磨耗
性とは、実際の被研削物中における状態でのそれを指
し、例えば可塑剤や残留溶剤によって可塑化されている
場合は、それらを含んだ状態での耐磨耗性を示す。ま
た、１５０℃以上といった高温乾燥では樹脂の劣化も進
行するため、劣化後のそれを示す。従って本発明では、
上層と下層で全く同じインキを用いて障壁形成層を形成
した場合でも、乾燥条件を変えることにより上層の耐磨
耗性を下層より大きくすることができる。It is necessary that the resin used burns at a low temperature so that carbides do not remain in the barrier, and cellulosic resins and acrylic resins are preferably used. Polymers such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, and isopropyl (meth) acrylate, or copolymers thereof are particularly preferable as the flexible and brittle resin. As the resin having large flexibility and high abrasion resistance, methyl cellulose, ethyl cellulose, nitrocellulose, carboxyethyl cellulose, cellulose acetate and the like are preferably used. Here, the abrasion resistance of the resin refers to that in the actual state of the object to be ground.For example, when the resin is plasticized with a plasticizer or residual solvent, the abrasion resistance in the state containing them is considered. Shows wear resistance. In addition, since deterioration of the resin also progresses at high temperature drying such as 150 ° C. or higher, that after deterioration is shown. Therefore, in the present invention,
Even when the barrier forming layer is formed using exactly the same ink for the upper layer and the lower layer, the abrasion resistance of the upper layer can be made higher than that of the lower layer by changing the drying conditions.
【００１２】空隙率は、樹脂量によって変える以外に、
粉体の形状や大きさによっても変えることができる。例
えば、上層には粒径の均一で小さな粉体を用い、下層に
は大きな粉体、若しくは針状、鱗片状の粉体を用いて上
下で空隙率を異ならせることができる。The porosity can be changed by changing the amount of resin.
It can also be changed depending on the shape and size of the powder. For example, a powder having a uniform particle size and a small size is used for the upper layer, and a large powder, or a needle-like or scale-like powder is used for the lower layer, so that the porosity can be different between the upper and lower layers.
【００１３】障壁形成層は、揮発性溶剤を用いてインキ
化された塗工液を用いて塗布し、加熱乾燥することによ
り形成される。塗布はガラス基板上に行うことが一般的
であるが、場合によってはフィルム上に塗布し、これを
ガラス基板に転写することも可能である。また、フィル
ム側に障壁形成層とフォトレジスト層とを形成してお
き、ガラス基板に同時に転写することも可能である。上
層と下層の膜厚は、上層の方が下層よりも小さくなるこ
とが全体の研削速度を速める上で望ましい。上層の厚さ
は焼成前において２０〜７０μｍが好ましい。上層の塗
布は、下層をある程度乾燥してから行うことが一般的で
あるが、未乾燥で積層することも可能である。また、障
壁形成層は２層で構成する他、研削速度の異なる３層以
上を積層して形成することも可能である。The barrier forming layer is formed by applying a coating solution which is made into an ink using a volatile solvent, and heating and drying. The application is generally performed on a glass substrate, but in some cases, it is also possible to apply it on a film and transfer it to the glass substrate. It is also possible to form a barrier forming layer and a photoresist layer on the film side and transfer them simultaneously to the glass substrate. It is desirable that the upper layer and the lower layer have a smaller film thickness than that of the lower layer in order to increase the overall grinding speed. The thickness of the upper layer is preferably 20 to 70 μm before firing. The coating of the upper layer is generally performed after the lower layer is dried to some extent, but it is also possible to laminate the coating without drying. Further, the barrier forming layer may be formed of two layers, or may be formed by laminating three or more layers having different grinding speeds.
【００１４】障壁形成層の塗布方式としては、スクリー
ン印刷、ブレードコーティング、コンマコーティング、
リバースロールコーティング、フォワードロールコーテ
ィング、スプレーコーティング、グラビアロールコーテ
ィング、イクストルージョンコーティング等が好ましく
用いられる。As the coating method of the barrier forming layer, screen printing, blade coating, comma coating,
Reverse roll coating, forward roll coating, spray coating, gravure roll coating, extrusion coating and the like are preferably used.
【００１５】レジストマスクの形成方法は、印刷により
直接パターニングすることも可能であるが、大面積で高
精細の加工を行う場合には、レジスト材料としてフォト
レジストを用い、フォトリソグラフィー法を用いること
が好ましい。フォトレジストとしては、ドライフィルム
レジスト、液状レジストのいずれもが使用可能で、併用
することも可能である。また、レジスト現像時に障壁形
成材料がダメージを受けないように、水現像型かアルカ
リ水溶液現像型のレジストが好ましい。レジストの剥離
は、剥離液を用いて行うことが好ましい。スプレーによ
りパネル上方から剥離液を噴霧して行う方法が量産安定
性を得るために好ましく行われる。As a method of forming a resist mask, it is possible to directly pattern by printing, but in the case of performing high-definition processing in a large area, a photoresist is used as a resist material and a photolithography method is used. preferable. As the photoresist, either a dry film resist or a liquid resist can be used, and they can be used in combination. Further, a water developing type or alkaline aqueous solution developing type resist is preferred so that the barrier forming material is not damaged during resist development. The stripping of the resist is preferably performed using a stripping solution. A method of spraying the stripping liquid from above the panel is preferably performed to obtain stability in mass production.
【００１６】[0016]
【作用】上記の条件のうちの少なくとも１つを満たす障
壁形成層は、下層の機械的強度が弱く、サンドブラスト
により容易に研削されるため、サンドブラスト加工時に
下部面に与えるダメージが少なくて済む。また、上層は
下層に比べて機械的強度が高く、サンドブラストによる
研削速度は遅いものの、レジストの現像工程や剥離工程
におけるスプレー処理時に耐水性を発揮して障壁が破壊
されるのを防止する。すなわち、樹脂含有率を高くする
ことにより、無機粉体と低融点ガラス粉末とを結着する
力が強くなるのでスプレー処理時に崩れにくくなる。ま
た、柔軟性が大きく耐磨耗性の高い樹脂を使用すること
により、脆さが減少するのでスプレー処理時に崩れにく
くなる。また、空隙率を低くすることにより、粉体同士
の結着力が強固になるのでスプレー処理時に崩れにくく
なる。The barrier forming layer satisfying at least one of the above conditions has a lower mechanical strength and is easily ground by sandblasting, so that damage to the lower surface during sandblasting can be reduced. Further, although the upper layer has higher mechanical strength than the lower layer and the grinding speed by sandblasting is slow, it exhibits water resistance and prevents the barrier from being broken during the spray processing in the resist developing step and the peeling step. That is, by increasing the resin content, the binding force between the inorganic powder and the low-melting glass powder becomes stronger, so that it is less likely to collapse during the spraying process. Further, by using a resin having a large flexibility and a high abrasion resistance, the brittleness is reduced, so that the resin does not easily collapse during the spraying process. Further, by lowering the porosity, the binding force between the powders becomes stronger, and thus the powders are less likely to collapse during the spraying process.
【００１７】[0017]
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例とともに説明
する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below together with comparative examples.
【００１８】（実施例１）まず、図１（ａ）に示すよう
に、Ａｇペーストを用いてガラス基板１上にスクリーン
印刷によりパターン状に電極２を形成する。そして、図
１（ｂ）に示すように、そのガラス基板１上に下記組成
Ａ（重量％）からなる樹脂低含有率のガラスペーストを
リバースロールコーターにより塗布した後、ホットプレ
ートにより１２０℃にて３０分間乾燥させ、平均膜厚が
１２０μｍの下層３を形成した。Example 1 First, as shown in FIG. 1A, an electrode 2 is formed in a pattern by screen printing on a glass substrate 1 using Ag paste. Then, as shown in FIG. 1B, a glass paste having a low resin content of the following composition A (% by weight) was applied on the glass substrate 1 by a reverse roll coater, and then at 120 ° C. by a hot plate. It was dried for 30 minutes to form a lower layer 3 having an average film thickness of 120 μm.
【００１９】 〔組成Ａ〕 ガラスフリット（日本電気ガラス製、ＧＡ−２１） ４６．７ 粉砕褐色アルミナ（富士見研磨材工業製、ＷＡ＃８０００） １１．３ 黒色顔料（根元特殊化学製、耐熱ブラック４２００） ２０．１ エチルセルロース（日新化成製、エトセルｓｔｄ．２０） １．３ テルピネオール １０．２６ ブチルカルビトールアセテート １０．２７ リン酸トリフェニル ０．０２ ジ・２−エチルヘキシルフタレート ０．０５[Composition A] Glass Frit (Nippon Electric Glass, GA-21) 46.7 Grinded Brown Alumina (Fujimi Abrasives Industry, WA # 8000) 11.3 Black Pigment (Root Special Chemicals, Heat Resistant Black 4200) ) 20.1 Ethyl cellulose (Ethcel std.20 manufactured by Nisshin Kasei) 1.3 Terpineol 10.26 Butyl carbitol acetate 10.27 Triphenyl phosphate 0.02 Di-2-ethylhexyl phthalate 0.05
【００２０】さらに図１（ｃ）に示すように、この下層
３の上に下記組成Ｂ（重量％）からなる樹脂高含有率の
ガラスペーストをリバースロールコーターにより塗布
し、ホットプレートにより１５０℃にて２０分間乾燥さ
せ、平均膜厚が４０μｍの上層４を形成した。これによ
り２層構成で総膜厚が１６０μｍの障壁形成層が形成さ
れた。Further, as shown in FIG. 1 (c), a glass paste having a high resin content consisting of the following composition B (% by weight) was coated on the lower layer 3 by a reverse roll coater and heated to 150 ° C. by a hot plate. And dried for 20 minutes to form an upper layer 4 having an average film thickness of 40 μm. As a result, a barrier forming layer having a two-layer structure and a total film thickness of 160 μm was formed.
【００２１】 〔組成Ｂ〕 ガラスフリット（日本電気ガラス製、ＧＡ−２１） ４６．７ 粉砕褐色アルミナ（富士見研磨材工業製、ＷＡ＃８０００） １１．３ 黒色顔料（根元特殊化学製、耐熱ブラック４２００） ２０．１ エチルセルロース（日新化成製、エトセルｓｔｄ．２０） ２．０ テルピネオール ９．９１ ブチルカルビトールアセテート ９．９２ リン酸トリフェニル ０．０２ ジ・２−エチルヘキシルフタレート ０．０５[Composition B] Glass frit (Nippon Electric Glass, GA-21) 46.7 Grinding brown alumina (Fujimi Abrasives Industry, WA # 8000) 11.3 Black pigment (Nippon Denki Kagaku, heat-resistant black 4200) ) 20.1 Ethyl cellulose (manufactured by Nisshin Kasei, Etocel std.20) 2.0 Terpineol 9.91 Butyl carbitol acetate 9.92 Triphenyl phosphate 0.02 Di-2-ethylhexyl phthalate 0.05
【００２２】続いて、ガラス基板１を８０℃に加熱し、
図２（ａ）に示すようにレジスト層５としてドライフィ
ルムレジスト（日本合成化学工業製、ＮＣＰ２２５）を
ラミネートした後、図２（ｂ）に示すように、線幅８０
μｍ、ピッチ２２０μｍのラインパターンマスク６を介
して紫外線により露光を行った。露光条件は３６４ｎｍ
において強度２００μＷ／ｃｍ2 、照射量１２０ｍＪ／
ｃｍ2 である。露光後、ドライフィルムレジストのベー
スフィルムを剥離し、炭酸ナトリウム１ｗｔ％水溶液を
用いて液温３０℃でスプレー現像を行った。以上の工程
により、図２（ｃ）に示すように、線幅８０μｍ、ピッ
チ２２０μｍのサンドブラスト用レジストマスク７が得
られた。Subsequently, the glass substrate 1 is heated to 80 ° C.,
After laminating a dry film resist (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., NCP225) as the resist layer 5 as shown in FIG. 2 (a), a line width of 80 is obtained as shown in FIG. 2 (b).
Exposure was performed with ultraviolet rays through the line pattern mask 6 having a pitch of 220 μm and a pitch of 220 μm. Exposure condition is 364 nm
Intensity 200 μW / cm 2 , irradiation dose 120 mJ /
cm 2 . After the exposure, the base film of the dry film resist was peeled off, and spray development was performed using a 1 wt% aqueous solution of sodium carbonate at a liquid temperature of 30 ° C. Through the above steps, as shown in FIG. 2C, a sandblasting resist mask 7 having a line width of 80 μm and a pitch of 220 μm was obtained.
【００２３】障壁形成層中に残存した水分を除去すると
ともに、レジストと障壁形成層の密着性を高める目的で
８０℃のオーブン中で２時間乾燥、エージングした後、
図２（ｄ）に示すように、レジストマスク７の開口部の
障壁形成材料をサンドブラスト加工により除去した。こ
の場合、研磨材として褐色溶融アルミナ＃１０００を用
い、ノズルとガラス基板１との距離を７ｃｍとし、噴出
圧力３ｋｇ／ｃｍ2 でブラスト処理を行った。対角２０
インチ基板の研削時間は１５分間であった。After removing moisture remaining in the barrier forming layer and drying and aging for 2 hours in an oven at 80 ° C. for the purpose of enhancing the adhesion between the resist and the barrier forming layer,
As shown in FIG. 2D, the barrier forming material in the opening of the resist mask 7 was removed by sandblasting. In this case, brown fused alumina # 1000 was used as the abrasive, the distance between the nozzle and the glass substrate 1 was set to 7 cm, and the blast treatment was performed at a jet pressure of 3 kg / cm 2 . Diagonal 20
The grinding time for the inch substrate was 15 minutes.
【００２４】サンドブラスト処理を終了した後、剥離液
によりレジスト剥離を行った。剥離液は水酸化ナトリウ
ム２．０ｗｔ％水溶液で３０℃にてスプレー剥離した。
そして、水洗を施してから８０℃のオーブン中で１５分
間乾燥させ、最後にピーク温度５６０℃にて焼成し、障
壁形成材料をガラス基板１に結着させた。これにより図
２（ｅ）に示すように、欠けなどのない良好な障壁８が
得られた。また、電極２の断線も発生しなかった。After the sandblast treatment was completed, the resist was stripped with a stripping solution. The stripping solution was a 2.0 wt% aqueous solution of sodium hydroxide and was spray stripped at 30 ° C.
Then, it was washed with water, dried in an oven at 80 ° C. for 15 minutes, and finally baked at a peak temperature of 560 ° C. to bind the barrier forming material to the glass substrate 1. As a result, as shown in FIG. 2 (e), a good barrier 8 without chipping was obtained. Moreover, the disconnection of the electrode 2 did not occur.
【００２５】（比較例１）実施例１の場合と同じ電極形
成済みのガラス基板を用意し、そのガラス基板上に前記
組成Ａのガラスペーストをリバースロールコーターによ
り塗布し、１２０℃にて３０分間乾燥させた後、１５０
℃で２０分間乾燥させ、平均膜厚が１６０μｍの障壁形
成層を形成した。(Comparative Example 1) The same glass substrate on which electrodes were formed as in Example 1 was prepared, and the glass paste having the above-mentioned composition A was applied onto the glass substrate by a reverse roll coater, and the temperature was maintained at 120 ° C for 30 minutes. After drying, 150
It was dried at 0 ° C. for 20 minutes to form a barrier forming layer having an average film thickness of 160 μm.
【００２６】そして、実施例１の場合と同様にして障壁
形成層上にレジストマスクを形成し、実施例１と同じ研
削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不要
部分を除去した。この場合、１２分間の研削時間で実施
例１と同程度の研削ができた。サンドブラスト処理を終
了した後、実施例１の場合と同様の手順を経てガラス基
板上に障壁を形成した。この障壁を顕微鏡で観察する
と、５０μｍ以上の欠けが多数発見された。Then, a resist mask was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the same degree of grinding as in Example 1 could be achieved with a grinding time of 12 minutes. After the sandblast treatment was completed, a barrier was formed on the glass substrate through the same procedure as in Example 1. When observing this barrier with a microscope, many defects of 50 μm or more were found.
【００２７】（比較例２）実施例１の場合と同じ電極形
成済みのガラス基板を用意し、そのガラス基板上に前記
組成Ｂのガラスペーストをリバースロールコーターによ
り塗布し、１２０℃にて３０分間乾燥させた後、１５０
℃で２０分間乾燥させ、平均膜厚が１６０μｍの障壁形
成層を形成した。(Comparative Example 2) A glass substrate having the same electrodes as in Example 1 was prepared, and the glass paste having the composition B was coated on the glass substrate by a reverse roll coater, and the temperature was 120 ° C. for 30 minutes. After drying, 150
It was dried at 0 ° C. for 20 minutes to form a barrier forming layer having an average film thickness of 160 μm.
【００２８】そして、実施例１の場合と同じにして障壁
形成層上にレジストマスクを形成し、実施例１と同じ研
削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不要
部分を除去した。この場合、実施例１と同程度の研削を
行うのに要した研削時間は３５分であった。サンドブラ
スト処理を終了した後、実施例１の場合と同様の手順を
経てガラス基板上に障壁を形成した。この障壁には欠陥
が発見されなかったが、サンドブラスト処理によるダメ
ージにより電極の断線が発生した。Then, a resist mask was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the grinding time required to perform the same degree of grinding as in Example 1 was 35 minutes. After the sandblast treatment was completed, a barrier was formed on the glass substrate through the same procedure as in Example 1. No defects were found in this barrier, but the electrodes were broken due to damage due to the sandblast treatment.
【００２９】（実施例２）実施例１の場合と同じ電極２
形成済みのガラス基板１を用意し、そのガラス基板１上
に低柔軟性樹脂を用いた下記組成Ｃ（重量％）のガラス
ペーストをリバースロールコーターにより塗布した後、
ホットプレートにより１２０℃にて３０分間乾燥させ、
平均膜厚が１２０μｍの下層３を形成した。(Example 2) The same electrode 2 as in Example 1
After preparing the formed glass substrate 1 and applying a glass paste of the following composition C (wt%) using a low-flexibility resin on the glass substrate 1 by a reverse roll coater,
Dry on a hot plate at 120 ° C for 30 minutes,
A lower layer 3 having an average film thickness of 120 μm was formed.
【００３０】 〔組成Ｃ〕 ガラスフリット（日本電気ガラス製、ＧＡ−２１） ４６．７ 粉砕褐色アルミナ（富士見研磨材工業製、ＷＡ＃８０００） １１．３ 黒色顔料（根元特殊化学製、耐熱ブラック４２００） ２０．１ ポリメチルメタクリレート ２．０ テルピネオール ９．９４ ブチルカルビトールアセテート ９．９４ リン酸トリフェニル ０．０２[Composition C] Glass Frit (Nippon Electric Glass, GA-21) 46.7 Grinding Brown Alumina (Fujimi Abrasives Industry, WA # 8000) 11.3 Black Pigment (Root Special Chemicals, Heat Resistant Black 4200) ) 20.1 Polymethylmethacrylate 2.0 Terpineol 9.94 Butyl carbitol acetate 9.94 Triphenyl phosphate 0.02
【００３１】さらに、この下層３の上に高柔軟性樹脂を
用いた前記組成Ｂからなるガラスペーストをリバースロ
ールコーターにより塗布し、ホットプレートにより１５
０℃にて２０分間乾燥させ、平均膜厚が４０μｍの上層
４を形成した。これにより２層構成で総膜厚が１６０μ
ｍの障壁形成層が形成された。Further, a glass paste of the above composition B using a highly flexible resin is applied on the lower layer 3 by a reverse roll coater, and is applied by a hot plate 15
It was dried at 0 ° C. for 20 minutes to form the upper layer 4 having an average film thickness of 40 μm. As a result, the total film thickness is 160μ with the two-layer structure
m barrier forming layer was formed.
【００３２】そして、実施例１の場合と同様にして障壁
形成層上にレジストマスク７を形成し、実施例１と同じ
研削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不
要部分を除去した。この場合、１６分間の研削時間で実
施例１と同程度の研削ができた。サンドブラスト処理を
終了した後、実施例１の場合と同様の手順を経てガラス
基板１上に障壁８を形成した。これにより、欠けなどの
ない良好な障壁８が得られた。また、電極２の断線も発
生しなかった。Then, a resist mask 7 was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the same degree of grinding as in Example 1 could be achieved with a grinding time of 16 minutes. After the sandblasting treatment was completed, the barrier 8 was formed on the glass substrate 1 through the same procedure as in Example 1. As a result, a good barrier 8 without chipping was obtained. Moreover, the disconnection of the electrode 2 did not occur.
【００３３】（比較例３）実施例１の場合と同じ電極形
成済みのガラス基板を用意し、そのガラス基板上に前記
組成Ｃのガラスペーストをリバースロールコーターによ
り塗布し、１２０℃にて３０分間乾燥させた後、１５０
℃で２０分間乾燥させ、平均膜厚が１６０μｍの障壁形
成層を形成した。(Comparative Example 3) A glass substrate having the same electrodes as in Example 1 was prepared, and the glass paste having the above composition C was applied to the glass substrate by a reverse roll coater, and the temperature was maintained at 120 ° C for 30 minutes. After drying, 150
It was dried at 0 ° C. for 20 minutes to form a barrier forming layer having an average film thickness of 160 μm.
【００３４】そして、実施例１の場合と同様にして障壁
形成層上にレジストマスクを形成し、実施例１と同じ研
削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不要
部分を除去した。この場合、１３分間の研削時間で実施
例１と同程度の研削ができた。サンドブラスト処理を終
了した後、水酸化ナトリウム２．０ｗｔ％水溶液を用い
て３０℃にてスプレー法によりレジストを剥離したとこ
ろ、部分的に障壁の破壊が目視で観察された。Then, a resist mask was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the same degree of grinding as in Example 1 could be achieved with a grinding time of 13 minutes. After the sandblasting treatment was completed, the resist was peeled off by a spray method using a 2.0 wt% sodium hydroxide aqueous solution at 30 ° C. When the resist was partially broken, it was visually observed.
【００３５】（実施例３）実施例１の場合と同じ電極２
形成済みのガラス基板１を用意し、そのガラス基板１上
に大粒子系フィラーを用いた下記組成Ｄ（重量％）のガ
ラスペーストをリバースロールコーターにより塗布した
後、ホットプレートにより１２０℃にて３０分間乾燥さ
せ、平均膜厚が１２０μｍの下層３を形成した。(Embodiment 3) The same electrode 2 as in Embodiment 1
A glass substrate 1 having been formed is prepared, and a glass paste having the following composition D (% by weight) using a large particle type filler is applied on the glass substrate 1 by a reverse roll coater, and then at 30 ° C. at 120 ° C. by a hot plate. After being dried for a minute, a lower layer 3 having an average film thickness of 120 μm was formed.
【００３６】 〔組成Ｄ〕 ガラスフリット（日本電気ガラス製、ＧＡ−２１） ４６．７ 粉砕褐色アルミナ（富士見研磨材工業製、ＷＡ＃６０００） ４．３ アルミナビーズ（昭和電工製、ＣＢ−Ａ０１） ７．０ 黒色顔料（根元特殊化学製、耐熱ブラック４２００） ２０．１ エチルセルロース（日新化成製、エトセルｓｔｄ．２０） ２．０ テルピネオール ９．９１ ブチルカルビトールアセテート ９．９２ リン酸トリフェニル ０．０２ ジ・２−エチルヘキシルフタレート ０．０５[Composition D] Glass frit (Nippon Electric Glass, GA-21) 46.7 Grinded brown alumina (Fujimi Abrasives Industry, WA # 6000) 4.3 Alumina beads (Showa Denko, CB-A01) 7.0 Black pigment (Nippon Specialty Chemicals, heat-resistant black 4200) 20.1 Ethyl cellulose (Nisshin Kasei, Etocel std.20) 2.0 Terpineol 9.91 Butyl carbitol acetate 9.92 Triphenyl phosphate 0.9. 02 di-2-ethylhexyl phthalate 0.05
【００３７】さらに、この下層３の上に前記組成Ｂから
なるガラスペーストをリバースロールコーターにより塗
布し、ホットプレートにより１５０℃にて２０分間乾燥
させ、平均膜厚が４０μｍの上層４を形成した。これに
より２層構成で総膜厚が１６０μｍの障壁形成層が形成
された。Further, a glass paste having the above composition B was coated on the lower layer 3 by a reverse roll coater and dried by a hot plate at 150 ° C. for 20 minutes to form an upper layer 4 having an average film thickness of 40 μm. As a result, a barrier forming layer having a two-layer structure and a total film thickness of 160 μm was formed.
【００３８】そして、実施例１の場合と同様にして障壁
形成層上にレジストマスク７を形成し、実施例１と同じ
研削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不
要部分を除去した。この場合、１１分間の研削時間で実
施例１と同程度の研削ができた。サンドブラスト処理を
終了した後、実施例１の場合と同様の手順を経てガラス
基板１上に障壁８を形成した。これにより、欠けなどの
ない良好な障壁８が得られた。また、電極２の断線も発
生しなかった。Then, a resist mask 7 was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the same degree of grinding as in Example 1 could be achieved with the grinding time of 11 minutes. After the sandblasting process was completed, the barrier 8 was formed on the glass substrate 1 through the same procedure as in Example 1. As a result, a good barrier 8 without chipping was obtained. Moreover, the disconnection of the electrode 2 did not occur.
【００３９】（比較例４）実施例１の場合と同じ電極形
成済みのガラス基板を用意し、そのガラス基板上に前記
組成Ｄのガラスペーストをリバースロールコーターによ
り塗布し、１２０℃にて３０分間乾燥させた後、１５０
℃で２０分間乾燥させ、平均膜厚が１６０μｍの障壁形
成層を形成した。(Comparative Example 4) A glass substrate having the same electrodes as in Example 1 was prepared, and the glass paste having the above composition D was applied to the glass substrate by a reverse roll coater, and the temperature was maintained at 120 ° C for 30 minutes. After drying, 150
It was dried at 0 ° C. for 20 minutes to form a barrier forming layer having an average film thickness of 160 μm.
【００４０】そして、実施例１の場合と同様にして障壁
形成層上にレジストマスクを形成し、実施例１と同じ研
削条件でサンドブラスト加工を行って障壁形成層の不要
部分を除去した。この場合、９分間の研削時間で実施例
１と同程度の研削ができた。サンドブラスト処理を終了
した後、実施例１の場合と同様の手順を経てガラス基板
上に障壁を形成した。この障壁を顕微鏡で観察すると、
５０μｍ以上の欠けが多数発見された。Then, a resist mask was formed on the barrier forming layer in the same manner as in Example 1, and sandblasting was performed under the same grinding conditions as in Example 1 to remove unnecessary portions of the barrier forming layer. In this case, the same degree of grinding as in Example 1 could be achieved with a grinding time of 9 minutes. After the sandblast treatment was completed, a barrier was formed on the glass substrate through the same procedure as in Example 1. When observing this barrier with a microscope,
Many chips with a size of 50 μm or more were found.
【００４１】[0041]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る障壁
形成方法によれば、下層は機械的強度が低いので、サン
ドブラスト加工の研削速度を速くすることができ、しか
も下部面に対するダメージが少なくて済む。さらに、上
層はスプレー処理に対する耐水性があるので、レジスト
の現像工程や剥離工程におけるスプレー処理時に障壁が
破壊されるのが防止され、形状の良好な障壁を形成する
ことができる。As described above, according to the barrier forming method of the present invention, since the lower layer has low mechanical strength, the grinding speed of sandblasting can be increased and the lower surface is less damaged. Complete. Furthermore, since the upper layer is water resistant to the spraying process, the barrier is prevented from being destroyed during the spraying process in the resist developing process and the peeling process, and the barrier having a good shape can be formed.
【図１】本発明に係る障壁形成方法の実施例を説明する
ための前半の工程図である。FIG. 1 is a process diagram of a first half for explaining an embodiment of a barrier forming method according to the present invention.
【図２】図１に続く後半の工程図である。FIG. 2 is a process diagram of the latter half of FIG.
１ ガラス基板 ２ 電極 ３ 下層 ４ 上層 ５ レジスト層 ６ ラインパターンマスク ７ レジストマスク ８ 障壁 1 glass substrate 2 electrode 3 lower layer 4 upper layer 5 resist layer 6 line pattern mask 7 resist mask 8 barrier
Claims (1)
し、焼成により焼失し得る樹脂を少量含む障壁形成材料
をインキ化したガラスペーストを塗布することにより基
板上に障壁形成層を形成する工程と、障壁形成層上にレ
ジストマスクを形成する工程と、レジストマスクの開口
部に対応する障壁形成材料をサンドブラスト加工により
除去する工程と、レジストマスクを剥離する工程と、焼
成により障壁形成材料を焼結する工程とを含むプラズマ
ディスプレイパネルの障壁形成方法において、前記障壁
形成層を２層以上で構成し、次の条件のうちの少なくと
も１つを満たすようにしたことを特徴とするプラズマデ
ィスプレイパネルの障壁形成方法。 （１）下層よりも上層の方の樹脂含有率を高くする。 （２）下層よりも上層の方に柔軟性が大きく耐磨耗性の
高い樹脂を使用する。 （３）下層よりも上層の方の空隙率を低くする。1. A barrier forming layer is formed on a substrate by applying a glass paste, which contains an inorganic powder and a low melting point glass powder as main components, and which is made into an ink with a barrier forming material containing a small amount of a resin that can be burned out by firing. A step of forming a resist mask on the barrier forming layer, a step of removing the barrier forming material corresponding to the opening of the resist mask by sandblasting, a step of peeling the resist mask, and a step of baking to form the barrier forming material. A method of forming a barrier for a plasma display panel, comprising a step of sintering, wherein the barrier forming layer is composed of two or more layers, and at least one of the following conditions is satisfied. Barrier formation method. (1) The resin content of the upper layer is made higher than that of the lower layer. (2) A resin having higher flexibility and higher abrasion resistance is used in the upper layer than in the lower layer. (3) The porosity of the upper layer is made lower than that of the lower layer.
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2330943A (en) * | 1997-10-31 | 1999-05-05 | Sony Corp | A method of manufacturing a flat display panel device |
| KR100513180B1 (en) * | 1997-11-12 | 2005-10-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Method for Forming Pattern on Substrate and Transfer Film |
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| KR100513180B1 (en) * | 1997-11-12 | 2005-10-25 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | Method for Forming Pattern on Substrate and Transfer Film |
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