KR100430590B1 - Manufacturing method of barrier ribs for plasma display panel by sandblasting thick films with different etching rate - Google Patents

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KR100430590B1 KR10-2001-0065601A KR20010065601A KR100430590B1 KR 100430590 B1 KR100430590 B1 KR 100430590B1 KR 20010065601 A KR20010065601 A KR 20010065601A KR 100430590 B1 KR100430590 B1 KR 100430590B1
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Abstract

본 발명은 교류형 플라즈마 디스플레이 소자의 후면판 상에 형성된 격벽을 샌드블라스팅 공법을 이용하여 제조함에 있어서, 후막 및 보호막 제조 공정을 단축시켜 생산성 및 생산 수율이 우수한 격벽 제조 방법 및 그의 후막 형성용 조성물에 관한 것이다. 본 발명에서 제공하는 방법에 의하면, 격벽 제조 공정에서 노광 단계를 제거하여 제조 공정을 단순화하는 것이 가능하기 때문에, 제조 공정의 생산성이 매우 높아, 플라즈마 디스플레이 후면판의 제조 원가를 감소시킬 수 있는 잇점이 있다.The present invention is to manufacture a partition formed on the back plate of the AC plasma display device using a sandblasting method, to shorten the thick film and the protective film manufacturing process to excellent productivity and production yield of the partition wall manufacturing method and composition for thick film formation thereof. It is about. According to the method provided by the present invention, since it is possible to simplify the manufacturing process by eliminating the exposure step in the partition fabrication process, the productivity of the manufacturing process is very high, which has the advantage of reducing the manufacturing cost of the plasma display back panel. have.

Description

샌드블라스팅 식각 속도가 다른 후막을 이용한 플라즈마 디스플레이 소자의 후면판 격벽의 제조방법 {Manufacturing method of barrier ribs for plasma display panel by sandblasting thick films with different etching rate}Manufacturing method of barrier ribs for plasma display panel using thick film having different sandblasting etching rate {sanduishing thick films with different etching rate}

본 발명은 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel: PDP)용 후면판상 격벽의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 구체적으로는, 격벽용 후막과 샌드블라스팅 속도가 서로 다른 보호막을 이용하여 격벽을 제조하기 위하여, 유리 분말 및 세라믹 분말과 용매, 분산제, 바인더, 가소제 등을 일정량 함유하는 후막을 적절한 예비 소성(pre-firing) 처리하여 샌드블라스팅 특성을 조절하는 단계와, 후막상부에 샌드블라스팅 식각 속도가 상이한 보호막을 스크린 프린팅법으로 형성하는 단계와, 샌드블라스팅에 의하여 후막을 격벽 형상으로 식각하는 단계와, 형성된 격벽을 소성하는 단계 등을 포함하는 것으로 구성되어 있다.The present invention relates to a method of manufacturing a back plate-shaped partition wall for a plasma display panel (PDP), and more particularly, to manufacture a partition wall using a thick film for partition walls and a protective film having different sandblasting speeds. Adjusting sandblasting properties by appropriate pre-firing of a thick film containing powder and ceramic powder with a certain amount of a solvent, a dispersant, a binder, and a plasticizer, and a protective film having a different sandblasting etching rate on the thick film. Forming by a printing method, etching the thick film into a partition shape by sand blasting, firing the formed partition wall, and the like.

플라즈마 디스플레이 표시 소자는 평판형 표시소자로서 화질이 우수하고, 두께가 얇으며, 무게가 가볍기 때문에 40인치 이상의 대형 표시소자로서 주로 사용되고 있다. 플라즈마 디스플레이 표시 소자는 후면판상에 형성된 격벽과 어드레스 전극(address electrode), 전면판에 형성되어 있는 면방전 전극이 수직으로 교차하는 지점에서 화소가 형성되어 화상을 구현한다. 이러한 플라즈마 디스플레이 표시소자의 구조를 개략적으로 도시하면 도 1과 같다. 전면판(1)의 서스테인 전극(4)과 후면판(8)의 어드레스 전극(5) 사이에 전압이 인가되면, 격벽(6)들간에 형성된 공간에 플라즈마가 형성되고, 면방전 서스테인 전극간에 발생하는 플라즈마로부터 진공 자외선(vacuum ultra violet)이 격벽(6) 및 격벽간 하저면에 코팅되어 있는 형광체(7)를 여기시켜 적색, 녹색, 청색 가시광선이 발생된다.Plasma display display devices are flat display devices, and are mainly used as large display devices of 40 inches or more because of their excellent image quality, thin thickness, and light weight. In the plasma display display device, a pixel is formed at a point where the barrier rib formed on the rear plate, the address electrode, and the surface discharge electrode formed on the front plate vertically intersect to form an image. The structure of the plasma display display device is schematically illustrated in FIG. 1. When a voltage is applied between the sustain electrode 4 of the front plate 1 and the address electrode 5 of the back plate 8, plasma is formed in the space formed between the partition walls 6 and is generated between the surface discharge sustain electrodes. The vacuum ultra violet is excited from the plasma to excite the partition 6 and the phosphor 7 coated on the bottom surface between the partition walls to generate red, green and blue visible light.

격벽은 플라즈마 디스플레이 표시 소자에서 화소(pixel)를 정의하여, 화소간의 혼색을 방지하고 형광체를 도포할 수 있는 공간을 제공하여, 이 표시 소자의 발광 효율을 높이는 중요한 역할을 한다. 이러한 격벽의 형성방법으로는 샌드블라스팅(sand blasting)법이 주로 사용되고 있다. 이 공정을 개략적으로 도시하면 도 2와 같다. 이 방법은 일본 특허출원 제11-120905호, 한국 특허출원 제2000-10322호 등에 자세히 개시되어 있는 바와 같이, 격벽재용 유리 분말과 세라믹 충진제를 포함하고 있는 페이스트를 유리 판재와 같은 후면판 기재상에 도포 및 건조를 6회 내지 7회 반복하여 200㎛ 정도의 두께를 형성시킨 후, 건조된 후막상에 샌드블라스팅에 대한 식각 저항성이 우수한 건식 포토레지스트(Dry Film Resist : DFR)를 라미네이션하여 코팅하고, 격벽이 형성되어야 하는 부분만을 제외한 나머지 부분은 노광, 현상 공정을 거쳐서 제거시킨다. 그런 다음, 탄산칼슘(CaCO3)과 같은 세라믹 분말을 가압된 공기와 함께 분사시켜 포토레지스트가 제거된 부분을 식각함으로써 격벽을 형성한다.The partition wall defines a pixel in the plasma display display element, thereby preventing mixing of the pixels and providing a space in which the phosphor can be applied, thereby increasing the luminous efficiency of the display element. Sand blasting (sand blasting) method is mainly used as a method of forming such a partition. This process is schematically shown in FIG. This method is described in detail in Japanese Patent Application No. 11-120905, Korean Patent Application No. 2000-10322, and the like. The paste containing the glass powder for the partition material and the ceramic filler is coated on a back plate substrate such as a glass plate. After repeating the application and drying 6 to 7 times to form a thickness of about 200㎛, by coating a dry photoresist (DFR) with excellent etching resistance to sandblasting on the dried thick film, The remaining portion except for the portion where the partition wall is to be formed is removed through the exposure and development processes. Then, a ceramic powder, such as calcium carbonate (CaCO 3 ), is sprayed with the pressurized air to etch the portion where the photoresist is removed to form a partition.

이 방법은 공정이 비교적 안정적이어서 기존의 플라즈마 디스플레이 표시 소자용 격벽을 제조하는데 주로 사용되고 있지만, 다음과 같은 단점이 있다.This method is mainly used to manufacture a partition for a conventional plasma display display device because the process is relatively stable, but has the following disadvantages.

첫째, 페이스트를 이용하여 소정 두께를 가진 후막을 형성하기 위해서는, 인쇄 및 건조 과정을 6회 이상 반복하여야 하는데, 이 공정의 생산성이 매우 낮다. 따라서 요구되는 생산량을 만족시키기 위해서는 생산 장비에 많은 투자가 요구되는 문제점이 있다.First, in order to form a thick film having a predetermined thickness using a paste, the printing and drying processes should be repeated six or more times, and the productivity of this process is very low. Therefore, there is a problem that a lot of investment in production equipment is required to satisfy the required production.

둘째, 페이스트 다층 인쇄법으로 격벽용 후막을 형성하는 경우, 인쇄된 후막 각 층의 샌드블라스팅 특성이 상이하여 격벽의 측면 형상이 불균일하게 되어, 플라즈마 디스플레이 표시 소자의 화소 밝기의 불균일을 유발하는 원인이 된다. 즉, 제일 먼저 인쇄된 후막층은 최소 6회(7층 인쇄를 하는 경우) 이상의 반복된 건조 사이클을 겪게 되는 반면, 제일 마지막으로 인쇄된 후막층은 단 1회의 건조 사이클을 경험하게 된다. 이에 따라, 다층 인쇄법으로 성형된 각층은 서로 다른 샌드블라스팅 식각 속도를 가지게 되고, 이것이 식각면의 불균일성을 유발하게 된다. 식각된 격벽의 측면이 불균일한 경우에는 도포되는 형광체의 면적 및 두께에 영향을 미치고, 이것은 화소의 밝기에 궁극적으로 영향을 미치게 되는 것이다. 따라서, 균일한 식각 속도를 가지는 후막의 형성 방법이 필수적이라 하겠다.Second, in the case of forming the thick film for the partition wall by the paste multilayer printing method, the sandblasting characteristics of each layer of the printed thick film are different so that the lateral shape of the partition wall becomes uneven, which causes the unevenness of the pixel brightness of the plasma display device. do. That is, the first printed thick film layer experiences at least six repeated drying cycles (when printing seven layers), while the last printed thick film layer experiences only one drying cycle. Accordingly, each layer formed by the multilayer printing method has a different sandblasting etching rate, which causes non-uniformity of the etching surface. If the side of the etched barrier is nonuniform, it affects the area and thickness of the phosphor to be applied, which ultimately affects the brightness of the pixel. Therefore, a method of forming a thick film having a uniform etching rate is essential.

셋째, 샌드블라스팅 보호막의 형성 공정에 대한 개선이 요구된다. 후막을 샌드블라스팅법으로 식각하여 격벽을 형성하기 위해서는 보호막을 형성시켜야 하는데, 이 과정은 앞에서도 언급한 바와 같이, DFR을 격벽용 후막상에 라미네이션하고, 노광, 현상, 건조과정을 거쳐야 한다. 이 방법은 고가의 대면적 노광 및 현상 설비가 필요하고, 이 보호막 형성 공정 및 샌드블라스팅 후 DFR 제거 공정 중에서결함의 발생 가능성이 매우 높아 제품의 수율을 저하시키는 문제점이 있다. 따라서. 이러한 보호막 성형 공정을 개선하는 것이 필요하다.Third, improvement in the process of forming the sandblasting protective film is required. In order to form the barrier rib by etching the thick film by sandblasting, a protective film must be formed. As described above, the DFR must be laminated on the barrier thick film and subjected to exposure, development, and drying. This method requires expensive large-area exposure and development equipment, and has a problem of lowering the yield of products due to the high possibility of defects during the protective film forming process and the DFR removal process after sandblasting. therefore. It is necessary to improve this protective film forming process.

따라서, 본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 일거에 해결하고 과거로부터 요망되어 온 기술적 과제를 해결함을 목적으로 한다.Accordingly, an object of the present invention is to solve the problems of the prior art as described above and solve the technical problems that have been desired from the past.

이를 구체적으로 살펴보면,Looking specifically at this,

첫째, 샌드블라스팅 식각 공정용 후막을 인쇄법으로 대체하여 생산성이 높은 후막 형성 공정을 제공하며;Firstly, the thick film for sandblasting etching process is replaced by the printing method to provide a highly productive thick film forming process;

둘째, 샌드블라스팅법으로 식각시 격벽 측면의 형상이 균일한 건식 필름의 조성을 제공하고;Secondly, sandblasting provides a composition of a dry film having a uniform shape on the side wall of the barrier rib during etching;

셋째, 샌드블라스팅시 고가의 보호막의 형성 공정인 노광, 현상 공정 대신에, 저가의 장비와 높은 생산성을 갖춘 공정으로 대체하여 플라즈마 디스플레이 패널의 격벽을 경제적이고 고품질로 제조할 수 있는 제조 공정 및 이에 이용되는 건식 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.Third, instead of the exposure and development process, which is an expensive protective film formation process during sandblasting, a manufacturing process capable of manufacturing the partition wall of the plasma display panel with economical and high quality by using a low cost equipment and a high productivity process and its use It is an object to provide a dry film.

도 1은 플라즈마 디스플레이 패널의 구조를 개략적으로 도시한 단면 사시도이고;1 is a cross-sectional perspective view schematically showing the structure of a plasma display panel;

도 2는 종래의 샌드블라스팅법에 의하여 격벽을 제조하는 공정을 개략적으로 도시한 공정도이고;2 is a process diagram schematically showing a process of manufacturing a partition by a conventional sandblasting method;

도 3은 본 발명의 하나의 실시예에 따른 격벽 제조공정의 일부를 개략적으로 도시한 공정도이고;3 is a process diagram schematically showing a part of a partition fabrication process according to an embodiment of the present invention;

도 4a는 예비 소성 온도에 따른 샌드블라스팅 식각 속도를 개략적으로 도시한 그래프이고, 도 4b는 예비 소성 시간에 따른 샌드블라스팅 식각 속도를 개략적으로 도시한 그래프이고;4A is a graph schematically showing a sandblasting etch rate according to a preliminary firing temperature, and FIG. 4B is a graph schematically showing a sandblasting etch rate according to a preliminary firing time;

도 5는 샌드블라스팅의 식각 속도에 영향을 미치는 샌드블라스팅 식각 각도의 영향을 그래프이고;5 is a graph of the effect of sandblasting etch angle on the etch rate of sandblasting;

도 6은 본 발명에서 정의하는 식각 각도를 보여주는 모식도이다.6 is a schematic diagram showing an etching angle defined in the present invention.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 상부판 2 : 상부판 유전체1: top plate 2: top plate dielectric

3 : MgO 보호층 4 : 서스테인 전극3: MgO protective layer 4: Sustain electrode

5 : 어드레스 전극 6 : 격벽5 address electrode 6 partition wall

7 : 형광체 8 : 후면판7: phosphor 8: back panel

9 : 후면판 유전층9: backplane dielectric layer

상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 격벽 제조방법은, 교류형 플라즈마 디스플레이 소자의 후면판상에 격벽을 형성함에 있어서,The partition wall manufacturing method of the present invention for achieving the above object, in forming the partition wall on the back plate of the AC plasma display device,

(A) 유리 및 세라믹 혼합 분말, 유기 바인더, 분산제 등을 용매에 혼합하여 후막 제조용 슬러리를 생성하는 단계;(A) mixing a glass and ceramic mixed powder, an organic binder, a dispersant and the like into a solvent to produce a slurry for thick film production;

(B) 상기 슬러리를 사용하여, 후면판 유전체 및 전극이 인쇄되어 있는 유리기재상에 후막을 형성하고, 이를 소정의 온도 프로파일(profile)로 예비 소성(prefiring)하여 건식 필름을 형성하는 단계;(B) using the slurry to form a thick film on a glass substrate on which a back plate dielectric and an electrode are printed, and prefiring it to a predetermined temperature profile to form a dry film;

(C) 상기 건식 필름상에 보호막으로서 격벽재료를 함유하고 있는 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 격벽의 패턴으로 인쇄한 후 건조하는 단계;(C) printing the paste containing the partition material as a protective film on the dry film in a pattern of the partition by the screen printing method and then drying the paste;

(D) 그렇게 하여 얻어진 후막을 샌드블라스팅법에 의해 기계적으로 식각하여 격벽 성형물을 형성하는 단계; 및,(D) mechanically etching the thick film thus obtained by sandblasting to form partition moldings; And,

(E) 생성된 격벽 성형물을 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것으로 구성되어 있다.(E) baking the resulting partition molding to form a partition.

앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 가장 중요한 특징들 중의 하나는 격벽 제조용 후막을 단 1회의 공정으로 제조한다는 점과, 식각 과정에서 사용된 보호막 성분을 추후 제거할 필요가 없다는 점이다. 따라서, 상기 단계(B)에서의 후막 형성 및 건조는 2회 이상 반복될 필요가 없으며, 단계(D) 또는 그 이후에 보호막을 제거하는 과정을 거칠 필요가 없다.As described above, one of the most important features of the present invention is that the thick film for fabricating the barrier ribs is manufactured in a single process, and that there is no need to remove the protective film component used in the etching process later. Therefore, the thick film formation and drying in step (B) need not be repeated two or more times, and there is no need to go through the process of removing the protective film after step (D) or afterwards.

단계(A)에서, 후막 제조용 슬러리의 조성은,In step (A), the composition of the slurry for thick film production is

(a) 50: 50 내지 95: 5(부피비)의 유리분말과 세라믹 분말의 혼합분말 100 중량부에;(a) 100 parts by weight of a powder mixture of 50:50 to 95: 5 (volume ratio) of the glass powder and the ceramic powder;

(b) 용매 20 내지 40 중량부;(b) 20 to 40 parts by weight of the solvent;

(c) 유기 바인더 2 내지 8 중량부;(c) 2 to 8 parts by weight of the organic binder;

(d) 분산제 0.5 내지 3 중량부;(d) 0.5 to 3 parts by weight of dispersant;

(e) 가소제 0 내지 12 중량부;(e) 0 to 12 parts by weight of a plasticizer;

(f) 기타첨가제 1 내지 3 중량부로 이루어져 있다.(f) 1 to 3 parts by weight of other additives.

상기 유리 분말로는 평균 입도가 0.2 내지 10㎛인 PbO-B2O3-SiO2계, B2O3-SiO2-Bi2O3-P2O5계, Bi2O3-B2O3-ZnO-BaO-SiO2계 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있고, 상기 세라믹 분말로는 평균 입도가 0.2 내지 10㎛인 세라믹 분말 중, 알루미나(Al2O3), 산화티탄(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 산화망간(MnO), 산화동(CuO), 산화철(Fe2O3) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.As the glass powder, PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type , B 2 O 3 -SiO 2 -Bi 2 O 3 -P 2 O 5 type , Bi 2 O 3 -B 2 having an average particle size of 0.2 to 10 μm One or two or more mixtures selected from O 3 -ZnO-BaO-SiO 2 systems and the like may be used, and as the ceramic powder, alumina (Al 2 O 3 ), titanium oxide ( One or more mixtures selected from TiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), manganese oxide (MnO), copper oxide (CuO), iron oxide (Fe 2 O 3 ), and the like may be used.

상기 용매로는 메틸에틸 케톤(methyl ethyl ketone), 에틸 알코올(ethyl alcohol), 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol), 톨루엔(tolune), 디에틸 에테르(diethyl ether), 삼염화 에틸렌(trichloroethylene), 메타놀(methanol) 등의 단일 용액 또는 2 이상의 혼합 용액이 사용될 수 있다.The solvent is methyl ethyl ketone, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, toluene, toluene, diethyl ether, trichloroethylene, methanol A single solution such as) or a mixed solution of two or more may be used.

상기 유기 바인더로는 셀룰로우즈(cellulose), 에틸 셀룰로오즈(ethyl cellulose), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral: PVB), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate: PMMA), 폴리아크릴 에스테르(polyacrylate esters) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있고, 이들의 평균 분자량은 30,000 내지 100,000이다.The organic binder is cellulose, ethyl cellulose, polyvinyl butyral (PVB), polymethyl methacrylate (PMMA), polyacrylate esters, and the like. One or more mixtures selected may be used and their average molecular weight is 30,000 to 100,000.

상기 가소제로는 디에틸 옥살레이트(diethyl oxalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol), 디메틸 프탈레이트(dimethyl phthalate), 디부틸 프탈레이트(dibutyl phthalate), 디옥틸 프탈레이트(dioctyl phthalate) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이 사용될 수 있다.The plasticizer is one selected from diethyl oxalate, polyethylene, polyethylene glycol, dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, and the like. Or mixtures of two or more may be used.

상기 분산제로는 생선 오일(menhaden fish oil), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine), 글리세릴 트리올레이트(glyceryl trioleate), 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 옥수수 기름(corn oil), 글리세린(glycerin), 포스페이트 에스테르(phosphate ester) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상 혼합물이 사용될 수 있다.The dispersant may include fish oil (menhaden fish oil), polyethyleneimine, glyceryl trioleate, polyacrylic acid, corn oil, glycerine, phosphate ester ( phosphate ester) and the like, or a mixture of two or more may be used.

상기의 기타 첨가제로는 서로다른 관능기를 가진 서팩턴트로써(coupling agent), 슬러리 제조시에 파우더와 바인더와의 젖음(wetting) 특성을 향상시켜, 기계적인 식각시 안정된 격벽 형상(Morphology)을 유지하고자 첨가하는데, 이러한 기타 첨가제로는 트리 메톡시 실란 (3-AminopropylTrimethoxy silane), 트리 에톡시 실란(3-Aminopropyltriethoxy silane), 아미노 실란(Amino-silane) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상 혼합물이 사용될 수 있다.The other additives include a functional agent having a different functional group (coupling agent), to improve the wetting properties of the powder and the binder during slurry production, and to maintain a stable morphology during mechanical etching. In addition, as such other additives, one or a mixture of two or more selected from triamino silane (3-AminopropylTrimethoxy silane), triethoxy silane (3-Aminopropyltriethoxy silane), amino silane (Amino-silane) and the like may be used.

이러한 격벽용 조성물에 관한 자세한 내용은 2000년 5월 19일자로 출원된 본 출원인의 특허출원 제2000-27178호에 개시되어 있고, 상기 출원의 내용은 참조로서 본 발명의 내용에 합체된다. 이러한 조성물을 실제 후막용 슬러리로 만드는 하나의 예를 살펴보면 다음과 같다. 혼합 분말, 분산제 및 기타 첨가제를 용매에 첨가하고 8 내지 10시간동안 볼밀한 후, 유기 바인더를 1차 밀링이 끝난 슬러리에 혼합하고, 8 내지 10시간동안 다시 볼밀하여, 안정된 슬러리를 제조할 수 있다.Details of such a partition composition are disclosed in the applicant's patent application No. 2000-27178, filed May 19, 2000, the contents of which are incorporated herein by reference. Looking at one example of making such a composition as a slurry for a thick film as follows. After the mixed powder, dispersant and other additives are added to the solvent and ball milled for 8 to 10 hours, the organic binder can be mixed into the first milled slurry and ball milled again for 8 to 10 hours to produce a stable slurry. .

단계(B)에서, 유리기재상에 후막을 형성하는 방법은 하기 2 방법 중에서 선택될 수 있다.In step (B), the method of forming the thick film on the glass substrate may be selected from the following two methods.

(1) 단계(A)로부터의 슬러리를, 닥터 블레이드(doctor blade), 테이프 캐스터, 롤 코터, 압출(extrusion) 코팅, 다이 캐스팅, 또는 캡코팅(cap coating) 장치 등을 사용하여, 유리기재상에 1회의 코팅 공정으로 후막을 직접 형성하는 방법; 및(1) The slurry from step (A) may be transferred onto a glass substrate using a doctor blade, tape caster, roll coater, extrusion coating, die casting, cap coating apparatus, or the like. A method of directly forming a thick film in one coating process; And

(2) 단계(A)로부터의 슬러리를, 닥터 블레이드법, 테이프 캐스팅법 등의 방법을 이용하여, 마일러 필름과 같은 캐리어 필름상에 1차 후막(건식 필름: green tape)을 형성하고, 건조한 뒤, 라미네이션 공정에 의해 유리기재상에 2차 후막을 형성하는 방법.(2) The slurry from step (A) was formed on a carrier film such as a mylar film by using a doctor blade method, a tape casting method, or the like, and dried. Thereafter, a secondary thick film is formed on the glass substrate by a lamination process.

경우에 따라서는, 상기 방법(2)에 있어서, 유리기재와의 접착성을 향상시키기 위하여, 건식 필름과 유리기재사이에 접착층을 부가할 수도 있다. 이러한 접착층은, 슬러리 제조시 사용되어지는 것과 특성이 비슷한 결합제나 또는 슬러리 제조시 사용되어졌던 결합제를 이용하여 접착제(glue)를 제조하여 유리기재사이에 바름으로써 형성된다. 층의 두께는 공정상 중요한 요소는 아니지만 10㎛ 이하로 균일하게 바르는 것이 바람직하다.In some cases, in the method (2), an adhesive layer may be added between the dry film and the glass substrate in order to improve the adhesion with the glass substrate. This adhesive layer is formed by applying a glue between glass substrates using a binder having similar properties to those used in slurry production or a binder used in slurry production. The thickness of the layer is not an important factor in the process, but it is preferable to apply uniformly to 10 μm or less.

형성된 후막의 샌드블라스팅 식각 속도를 적절한 수준으로 조절하기 위하여 단계(B)에서는 예비소성(prefiring)을 실시한다. 예비소성 온도의 프로파일은 후막의 조성물에 따라서 120 내지 300℃까지 변화시키는데, 바람직하게는 190에서 280℃의 범위에서 변화시킨다. 예비소성 온도가 120℃ 이하이면 후막의 결합제의 특성상 원하는 식각 속도를 얻을 수 없는 문제점이 있고, 280℃ 이상이면 그린 테이프의 안정성, 즉, 원하는 식각속도를 얻기 위한 예비 소성 시간을 조절하는 것이어렵게 되는 문제점과, 공정상 고온 실시로 인한 에너지 낭비의 문제점이 있다. 예비소성 시간은 온도에 따라 다소 달라질 수 있는바, 대략 1 시간 내지 1.5 시간 정도로서, 소성 온도가 높으면 소성 시간을 짧게 하고, 반대로 소성 온도가 낮으면 소성 시간을 길게 한다.In order to adjust the sandblasting etching rate of the formed thick film to an appropriate level, prefiring is performed in step (B). The profile of the prefiring temperature varies from 120 to 300 ° C., preferably in the range of 190 to 280 ° C., depending on the composition of the thick film. If the prefiring temperature is 120 ° C. or less, there is a problem in that a desired etching rate cannot be obtained due to the characteristics of the binder of the thick film. There is a problem, and there is a problem of waste of energy due to high temperature in the process. The prefiring time may vary slightly depending on the temperature, and is approximately 1 hour to 1.5 hours. If the firing temperature is high, the firing time is shortened, and if the firing temperature is low, the firing time is long.

단계(C)에서는, 이와 같이 예비 소성된 유리기재상의 후막상에 스크린 프린터와 같은 인쇄기를 이용하여, 페이스트를 인쇄하여 보호막 패턴을 형성시킨다. 상기 페이스트로는 현재 PDP 제조에 상용적으로 사용되는 격벽재료를 포함한 페이스트(예를 들어, 일본 Okuno, Ashai사 제품)가 사용될 수 있는데, 일반적으로 글라스 분말에 피그먼트와 두가지 이상의 용매, 결합제 및 기타 첨가제를 혼합하여 제조된다. 보호막 형성용 페이스트는 단계(D)에서의 식각 과정에서 보호막 하부의 후막을 보호하는 작용을 하므로, 건조되었을 때 후막의 성분보다 강하고(hard), 취성(brittle)한 특성을 가져야 한다. 보호막은 스트라이프형, 벌집형, 미안더형 등의 패턴이 형성되어 있는 스크린을 이용하여 상기 페이스트를 후막 표면에 인쇄함으로써 형성된다. 형성된 보호막은 적절한 강도와 식각 속도를 가지도록 건조과정을 거친다. 건조 조건은 페이스트의 조성물에 따라서 변화하는바, 대략 25 내지 180℃, 더욱 바람직하게는 90 내지 150℃의 온도 범위에서 10분에서 30분간 실시한다. 건조 온도가 25℃ 이하이면 페이스트 제조시 사용된 용매가 건조되는 시간이 48시간 이상 걸리게 되어 건조시간이 길어지는 문제점이 있고, 180℃ 이상이면 사용된 페이스트내의 결합제 및 기타 첨가제가 재료내에서 제거되기 때문에, 적절한 강도와 식각속도를 얻을 수 없는 문제점이 있다In step (C), a paste is printed on a thick film on the pre-fired glass substrate using a printing machine such as a screen printer to form a protective film pattern. As the paste, a paste including a partition material which is currently used commercially for the production of PDP (for example, manufactured by Okuno, Ashai, Japan) may be used. Generally, a pigment and two or more solvents, a binder, and the like in glass powder are used. It is prepared by mixing additives. The protective film-forming paste serves to protect the thick film under the protective film during the etching process in step (D), and therefore, the protective film-forming paste must have a harder and brittle characteristic than the thick film component when dried. The protective film is formed by printing the paste on the surface of the thick film using a screen on which patterns such as stripe type, honeycomb type, and meander type are formed. The protective film formed is dried to have an appropriate strength and etching rate. The drying conditions vary depending on the composition of the paste, and are carried out for 10 to 30 minutes in a temperature range of approximately 25 to 180 ° C, more preferably 90 to 150 ° C. If the drying temperature is 25 ℃ or less, the solvent used in preparing the paste takes longer than 48 hours to dry, and if the drying time is longer, the binder and other additives in the used paste are removed from the material. Therefore, there is a problem that can not obtain the appropriate strength and etching speed

단계(D)에서, 세라믹 분말 등을 포함하고 있는 후막의 샌드블라스팅시 식각 속도에 영향을 미치는 요인(factors)으로는, 건식 필름의 예비 소성 온도 및 시간, 결합제, 가소제 등 유기 조성물의 종류 및 양, 유리 분말 및 세라믹 분말의 형상, 크기, 함량과 샌드블라스팅 식각 각도 등이 있으며, 이러한 다수의 변수에 의해 식각속도는 영향을 받는다.In step (D), factors affecting the etch rate during sandblasting of the thick film containing ceramic powder and the like, the kind and amount of organic composition such as preliminary firing temperature and time of the dry film, binder, plasticizer, etc. , The shape, size, content and sandblasting etch angle of the glass powder and ceramic powder, and the etch rate is affected by many of these variables.

도 4a 및 도 4b는 예비 소성 온도 및 시간에 따른 샌드블라스팅 식각 속도를 도식적으로 나타내고 있는바, 본 발명자들의 연구에 따르면, 예비 소성 온도가 증가함에 따라 식각 속도는 지수 함수적으로 증가하고(도 4a 참조), 예비 소성 시간에 따라 식각 속도는 대략 직선적으로 증가하는(도 4b 참조) 것으로 확인되었다.4a and 4b schematically show the sandblasting etch rate with the preliminary firing temperature and time, according to the study of the inventors, the etching rate increases exponentially as the preliminary firing temperature increases (FIG. 4a). The etching rate was found to increase approximately linearly with reference to the preliminary firing time (see FIG. 4B).

한편, 샌드블라스팅 각도에 따른 후막의 식각 속도는 후막의 기계적 특성에 따라서 매우 상이한 거동을 하는 것이 일반적이다. 도 5는 두 개의 서로 다른 기계적 특성을 가진 후막의 샌드블라스팅 각도에 따른 식각 속도의 변화를 도식적으로 나타내고 있다. 본 명세서에서의 샌드블라스팅 각도는, 도 6에서 보는 바와 같이, 후막 내지 보호막의 수평면에 대하여 식각 매체가 뿌려지는 평균적 각도(θ)를 의미한다. 분사 방향이 후막 내지 보호막의 수평면에 대해 수직일 때(도 6에서의 아래쪽 형상물)가 90°이고, 수평면에 대해 평행할 때(도 6에서의 좌측 형상물)가 0°이다. 극히 미세한 크기의 격벽 크기를 감안할 때, 샌드블라스팅시 관련 장치로부터 분사되는 식각 매체들은 분출구로부터 방사적으로 분사됨에도 불구하고, 생성될 격벽 크기에 상응하는 후막 내지 보호막에 대하여, 식각 매체들은 서로 거의 평행으로 거동하는 것으로 간주될 수 있다.On the other hand, the etching rate of the thick film according to the sandblasting angle is generally very different behavior depending on the mechanical properties of the thick film. FIG. 5 schematically shows the change in the etching rate according to the sandblasting angle of the thick film having two different mechanical properties. Sandblasting angle in this specification, as shown in Figure 6, means the average angle (θ) that the etching medium is sprayed with respect to the horizontal plane of the thick film to the protective film. It is 90 degrees when the spraying direction is perpendicular to the horizontal plane of the thick film or the protective film (lower feature in FIG. 6), and 0 ° when parallel to the horizontal plane (left feature in FIG. 6). In view of the extremely fine size of the bulkhead, the etching medium is almost parallel to each other for the thick film or the protective film corresponding to the size of the partition to be produced, although the etching medium sprayed from the related apparatus during sandblasting is radially sprayed from the ejection outlet. Can be regarded as behaving.

도 5의 A 그래프는 강하고, 취성이 있는 후막의 샌드블라스팅 특성을 나타내고 있는데, 이 재료의 경우에는 샌드블라스팅 각도가 90°일 때 최대의 식각 속도를 나타내고 있다. 이러한 현상은 샌드블라스팅시 식각 매체가 후막과 충돌에 의하여 균열이 생성되는 메커니즘에 의하여 식각이 이루어지기 때문이다. 이러한 특성을 가진 후막은 예비 소성 온도가 높거나, 예비 소성 시간이 길어서 후막내의 유기물이 다량 증발하여 기공 함량이 증가된 경우, 결합제 유기물이 취성이 있는 경우에 발생한다.The graph A of FIG. 5 shows the sandblasting characteristics of the strong, brittle thick film. In this material, the maximum etching rate is shown when the sandblasting angle is 90 °. This is because the etching is performed by a mechanism in which the etching medium is cracked by the collision with the thick film during sandblasting. The thick film having such characteristics is generated when the binder organic material is brittle when the preliminary firing temperature is high or the preliminary firing time is long and the organic matter in the thick film is evaporated in a large amount, thereby increasing the pore content.

이에 비하여 연성이 높은 후막은 도 5의 B 그래프에서 볼 수 있듯이 샌드블라스팅 각도가 30°부근에서 최대 식각 속도를 나타낸다. 이와 같이 낮은 식각 각도에서 최대의 식각 속도를 나타내는 현상은 샌드블라스팅시 후막이 연삭 매체의 연삭 메커니즘에 의하여 식각이 일어나기 때문이다. 즉, 연삭 매체가 후막 표면과 일정 각도로 충돌하여, 연성이 있는 후막을 깍아내는 방식으로 식각되기 때문이다. 이러한 식각 특성을 가지는 후막은 예비 소성 온도가 낮고, 예비 소성 시간이 짧아서 후막내에 유기물의 함량이 다량 잔류하거나, 유기물의 조성이 가소제가 상대적으로 많이 함유되어 있어 연성을 보유하고 있을 때 나타난다. 이러한 최대 식각 속도를 나타내는 각도는 연성이 증가함에 따라서 0°부근으로 감소하고, 취성이 증가함에 따라서 90°부근으로 증가한다.In comparison, the thick film having a high ductility exhibits a maximum etching rate at a sandblasting angle of about 30 ° as shown in the B graph of FIG. 5. The phenomenon of exhibiting the maximum etching rate at the low etching angle is because the thick film is etched by the grinding mechanism of the grinding medium during sandblasting. In other words, the grinding media collide with the thick film surface at an angle and are etched in such a manner that the soft thick film is scraped off. Thick films having such etching characteristics appear when the preliminary firing temperature is low and the preliminary firing time is short, so that a large amount of organic material remains in the thick film or the organic material contains a relatively large amount of plasticizer and thus has ductility. The angle representing this maximum etching rate decreases to around 0 ° as the ductility increases, and increases to around 90 ° as the brittleness increases.

따라서, 본 발명에서와 같이, 후면판 유전체와 전극이 형성되어 있는 유리기재상에 샌드블라스팅 식각 특성이 상이한 두 개의 층(후막과 보호막)을 형성하면, DFR과 같은 별도의 재료 및 제조 공정을 이용하지 않고도 샌드블라스팅용 보호막을형성하는 것이 가능하다. 즉, 기존에 사용되는 블랙 매트릭스(black matrix)용 페이스트 또는 일반 격벽용 페이스트를 이용하여, 보호막을 형성하는 것이 가능하다.Therefore, as in the present invention, if two layers (thick film and protective film) having different sandblasting etching characteristics are formed on the glass substrate on which the back plate dielectric and the electrode are formed, separate materials and manufacturing processes such as DFR are not used. It is possible to form a protective film for sandblasting without. That is, it is possible to form a protective film by using a black matrix paste or a general partition paste that is conventionally used.

본 발명에서는, 후막용으로 사용된 슬러리는 예비 소성를 거치면서 유기물의 휘발에 의한 기공이 많이 형성되어 재료가 다공성(porous) 구조를 이루고, 보호막용으로 사용된 페이스트는 건조 과정을 거치면서 상대적으로 결합제가 재료내에 많이 함유되어 있기 때문에 후막과 비교하여 상대적으로 조밀한(Dense)한 구조체를 이룬다. 따라서, 이와 같이 서로 다른 샌드블라스팅 식각 특성을 가지는 두 구조체(보호막, 후막)에 대해, 예를 들어, 식각 각도를 35°내지 45°로 하여 샌드블라스팅하면, 그러한 식각 각도에서 상대적으로 높은 식각 속도를 보이는 후막이 우선적으로 식각되고 보호막의 식각은 매우 적게 되므로, 결과적으로 보호막 하부의 후막은 식각되지 않게 되어, 보호막의 형상에 따라 격벽이 형성되게 된다. 또한, 보호막은 그 자체로도 PDP 후면판용 격벽 소재로 사용될 수 있으므로 별도로 제거할 필요가 없게 된다.In the present invention, the slurry used for the thick film is a lot of pores by the volatilization of the organic material is formed during the preliminary firing to form a porous structure, the paste used for the protective film is relatively bonded while the drying process Because I am contained a lot in the material, it forms a relatively dense structure compared to the thick film. Thus, for two structures (protective film, thick film) having such different sandblasting etching characteristics, for example, sandblasting with an etching angle of 35 ° to 45 ° results in a relatively high etching speed at such an etching angle. Since the visible thick film is preferentially etched and the etching of the protective film is very small, as a result, the thick film under the protective film is not etched, so that the partition wall is formed according to the shape of the protective film. In addition, since the protective film can be used as a partition material for the PDP backplane by itself, it does not need to be removed separately.

따라서, 본 발명은, 형성된 후막의 식각 속도를 조절하기 위하여, 앞서 설명한 온도 및 시간의 범위에서 후막의 예비 소성과 보호막의 건조를 행하여, 예비 소성된 후막과 보호막용 페이스트의 식각 속도의 차이를 극대화시키는 것을 포함한다. 그러나, 식각 속도는, 후막을 구성하는 슬러리의 조성과 후막의 예비소성 온도 및 시간 등에 의해서도 달라질 수 있으므로, 식각 각도의 조절만으로 본 발명의 효과를 발휘하는 것은 아니다. 따라서, 본 발명은, 샌드블라스팅법에 의해 식각을 행할 때, 샌드블라스팅 각도를 0 내지 90°의 범위에서 변화시켜 예비 소성된 후막과 보호막용 페이스트의 식각 속도를 최대화시키는 것을 또한 포함한다.Therefore, the present invention, in order to control the etching rate of the formed thick film, by performing the pre-baking of the thick film and drying of the protective film in the range of the temperature and time described above, to maximize the difference between the etching rate of the pre-baked thick film and the protective film paste. It involves making. However, since the etching rate may vary depending on the composition of the slurry constituting the thick film, the prebaking temperature and time of the thick film, and the like, the control of the etching angle does not exert the effects of the present invention. Therefore, the present invention also includes maximizing the etching rate of the prebaked thick film and protective film paste by changing the sandblasting angle in the range of 0 to 90 ° when etching by the sandblasting method.

본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면, 그러한 다양한 조건에 대한 구체적인 예를 모두 열거하지 않더라도 상기 내용을 바탕으로 하여 이를 용이하게 인식할 수 있을 것이다.Those skilled in the art to which the present invention pertains will be able to easily recognize it based on the above contents even if not all specific examples for such various conditions.

도 3에는, 단계(B)에서 상기 방법(1), 즉, 슬러리를 유리기재상에 1회의 코팅 공정으로 후막을 직접 형성하는 방법에 의해, 단계(B) 내지 단계(D)의 과정에 의해 격벽 성형물을 형성하는 과정이 개략적으로 도시되어 있다.In Fig. 3, in step (B), the partition wall is formed by the method (1), that is, a method of directly forming a thick film in a single coating process on a glass substrate, by the process of steps (B) to (D). The process of forming the molding is schematically illustrated.

이하 실시예를 참조하여 본 발명의 구체적인 예를 설명하지만, 본 발명의 내용이 그것에 의해 한정되도록 해석되어서는 안된다.Although specific examples of the present invention will be described with reference to the following examples, the contents of the present invention should not be construed to be limited thereto.

(실시예 1)(Example 1)

유리 분말(PbO-B2O3-SiO2계: 평균 입도 1.5㎛)과 세라믹 분말(평균 입도 2.2㎛)의 70:30(부피비)의 혼합 분말 100 중량부에, 용매로서 메틸에틸케톤(MEK)과 톨루엔(Toluene)의 1:1(부피피)의 혼합 용매 30 중량부, 분산제로서 BYK-110(USA.BYK-Chemie) 3 중량부, 기타 첨가제로서 결합제(coupling Agent/Tri-methoxy silane) 1 중량부를 첨가하여 8 시간동안 볼밀한 후, 유기 바인더로서 에틸렌 셀룰로우즈(Ethyl cellulose) 3 중량부를 1차 밀링이 끝난 슬러리에 혼합한 뒤, 8 시간동안 다시 볼밀하여, 안정된 슬러리를 제조하였다.Methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent in 100 parts by weight of a mixed powder of glass powder (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 system: average particle size: 1.5 μm) and ceramic powder (average particle size: 2.2 μm) of 70:30 (volume ratio) 30 parts by weight of a mixed solvent of 1: 1 (volume) of toluene and 3 parts by weight of BYK-110 (USA.BYK-Chemie) as a dispersant, and a coupling agent (coupling agent / Tri-methoxy silane) as other additives. After adding 1 part by weight to ball mill for 8 hours, 3 parts by weight of ethylene cellulose (Ethyl cellulose) as an organic binder was mixed into the slurry after the first milling, and then ball milled again for 8 hours to prepare a stable slurry.

이렇게 제조된 슬러리를 테이프 캐스터 장치를 사용하여, 전극과 후면판 유전층이 형성되어 있는 유리기재(크기:7.5inch에서 75inch)상에 200㎛ 높이로 직접후막을 형성하고, 280℃에서 1시간 30분 동안 예비 소성을 하였다. 예비 소성 공정이 끝난 건식 필름위에 스크린 프린팅 장치를 이용하여, 격벽 재료를 함유하고 있는 페이스트(Japan. Okuno coperation)를 격벽형상으로 30㎛정도의 두께 및 50㎛의 폭, 420㎛ 피치로 스트라이프 패턴의 보호막을 인쇄하였다. 페이스트가 인쇄된 기재를 후막과 식각 속도차를 가장 크게 할 수 있도록, 120℃에서 20분간 건조시켰다. 이렇게 형성된 후막상에 공지의 샌드블라스팅 공정을 사용하여 45°의 식각 각도로 샌드블라스팅을 실시한 결과, 높이 155㎛, 두께 50㎛의 격벽이 형성되었다. 형성된 격벽을 560℃에서 1시간 정도 동안 소성하여, 소결 수축에 의하여, 높이 123㎛, 두께 42㎛의 플라즈마 디스플레이용 격벽이 생성되었다.The slurry thus prepared was formed on a glass substrate (size: 7.5 inches to 75 inches) on which an electrode and a back plate dielectric layer were formed, using a tape caster, to form a direct thick film at a height of 200 μm, at 280 ° C. for 1 hour 30 minutes. Prebaking during the process. Using a screen printing apparatus on the dry film after preliminary firing process, paste (Japan. Okuno coperation) containing partition material is formed into a partition wall shape with a stripe pattern of about 30 μm thickness, 50 μm width, and 420 μm pitch. The protective film was printed. The substrate on which the paste was printed was dried at 120 ° C. for 20 minutes so as to maximize the etching rate difference with the thick film. Sandblasting was performed on the thick film thus formed using a known sandblasting process at an etching angle of 45 ° to form a partition wall having a height of 155 µm and a thickness of 50 µm. The formed partition was calcined at 560 ° C. for about 1 hour, whereby a partition for plasma display having a height of 123 μm and a thickness of 42 μm was produced by sintering shrinkage.

(실시예 2)(Example 2)

유리 분말(PbO-B2O3-SiO2계: 평균 입도 1.5㎛)과 알루미나 분말(평균 입도 2.2㎛)의 80:20(부피비)의 혼합 분말 100 중량부에, 용매로서 MEK/톨루엔 혼합용매 30 중량부, PMMA계 바인더 중 B-82(Rohm and Hass사) 4 중량부, 가소제로서 DBP 9 중량부, 분산제로서 글리세릴 트리올레이트(glyceryl trioleate) 2 중량부, 윤활제로서 스테아린산(stearic acid) 0.5 중량부를 첨가하여 슬러리를 제조하였다.MEK / toluene mixed solvent as a solvent in 100 parts by weight of 80:20 (volume ratio) of glass powder (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 system: average particle size: 1.5 μm) and alumina powder (average particle size: 2.2 μm) 30 parts by weight, 4 parts by weight of B-82 (Rohm and Hass) in a PMMA binder, 9 parts by weight of DBP as a plasticizer, 2 parts by weight of glyceryl trioleate as a dispersant, stearic acid as a lubricant 0.5 parts by weight was added to prepare a slurry.

이렇게 얻어진 슬러리를 닥터 블레이드를 이용한 테이프 케스팅 장치로 마일러 필름상에 200㎛로 도포한 후 25℃에서 24 시간 동안 건조하였다. 이렇게 얻어진 건식 필름을 후면 유전체와 전극이 인쇄되어 있는 유리기재상에 압력을 가하여 라미네이션시켰다. 실시예 1과 동일한 방법으로, 예비소성, 보호막 패턴 형성, 샌드블라스팅, 소성 등을 행한 결과, 높이 124㎛, 두께 43㎛의 플라즈마 디스플레이용 격벽이 생성되었다.The slurry thus obtained was applied to the mylar film at 200 μm with a tape casting apparatus using a doctor blade, and then dried at 25 ° C. for 24 hours. The dry film thus obtained was laminated by applying pressure on the glass substrate on which the back dielectric and the electrode were printed. In the same manner as in Example 1, prefiring, protective film pattern formation, sand blasting, firing, and the like were produced, whereby a partition for plasma display having a height of 124 µm and a thickness of 43 µm was produced.

본 발명에서 제공하는 플라즈마 디스플레이 후면판상의 격벽 제조 방법은 별도 조성의 보호막과 노광, 현상 등과 같은 별도의 제조 공정이 필요없기 때문에 격벽 제조 장치의 단순화, 형상의 균일화가 가능하다.The barrier rib manufacturing method on the plasma display back plate provided by the present invention does not require a separate manufacturing process such as a protective film, exposure, development, etc., so that the barrier rib manufacturing apparatus can be simplified and the shape can be uniform.

또한, 본 발명의 조성물로 얻어진 보호막은 소성에 의하여 격벽으로 사용하는 것이 가능하기 때문에 DFR 필름을 이형할 때 발생하는 격벽의 파손과 격벽내에 미세 균열의 발생을 억제하는 것이 가능하여, 격벽의 제품 신뢰성을 향상시키고, 제품의 수율 향상 및 품질의 균일성을 향상시키는 것이 가능하다.Moreover, since the protective film obtained by the composition of this invention can be used as a partition by baking, it is possible to suppress the breakage of the partition which arises when a DFR film is released, and the generation | occurrence | production of a micro crack in a partition, and the product reliability of a partition It is possible to improve the yield, improve the yield of the product and improve the uniformity of the quality.

따라서, 본 발명에서 제공하는 격벽 성형공정은 플라즈마 디스플레이 소자용 후면판의 제조원가를 크게 저감시킬 수 있다.Therefore, the partition wall forming process provided in the present invention can greatly reduce the manufacturing cost of the back plate for the plasma display device.

Claims (6)

교류형 플라즈마 디스플레이 소자의 후면판상에 격벽을 제조함에 있어서,In manufacturing the partition on the back plate of the AC plasma display device, (A) 유리 및 세라믹 혼합 분말, 유기 바인더, 분산제 등을 용매에 혼합하여 후막 제조용 슬러리를 생성하는 단계;(A) mixing a glass and ceramic mixed powder, an organic binder, a dispersant and the like into a solvent to produce a slurry for thick film production; (B) 상기 슬러리를 사용하여, 후면판 유전체 및 전극이 인쇄되어 있는 유리기재상에 후막을 형성하고, 이를 소정의 온도 프로파일(profile)로 예비소성하여, 하기 패턴화 보호막보다 상대적으로 다공성의 구조를 가진 건식 필름을 형성하는 단계;(B) By using the slurry, a thick film is formed on the glass substrate on which the back plate dielectric and the electrode are printed, and prebaked to a predetermined temperature profile to form a relatively porous structure than the following patterned protective film. Forming a dry film having; (C) 상기 건식 필름상에 보호막으로서 격벽재료를 함유하고 있는 페이스트를 스크린 인쇄법에 의해 격벽의 패턴으로 인쇄한 후 건조하여, 상기 건식 필름보다 결합제가 많이 잔존하는 상대적으로 조밀한 패턴화 보호막을 형성하는 단계;(C) A paste containing a partition material as a protective film on the dry film is printed by a screen printing method in a pattern of the partition wall and then dried to form a relatively dense patterned protective film in which a binder is more remaining than the dry film. Forming; (D) 상기 패턴화 보호막이 형성된 후막에 대해 샌드블라스팅을 행하여, 후막과 보호막의 식각속도차에 의해 후막을 우선적으로 식각함으로써 격벽 성형물을 형성하는 단계; 및(D) sand blasting the thick film on which the patterned protective film is formed to form a partition molding by preferentially etching the thick film by an etching rate difference between the thick film and the protective film; And (E) 생성된 격벽 성형물을 소성하여 격벽을 형성하는 단계를 포함하는 것으로 구성된 격벽 제조방법.(E) firing the resulting partition molding to form a partition wall. 제 1 항에 있어서, 상기 단계(A)에서, 후막 제조용 슬러리의 조성은,According to claim 1, In the step (A), the composition of the slurry for thick film production, (a) 50: 50 내지 95: 5(부피비)의 유리분말과 세라믹 분말의 혼합분말 100 중량부에;(a) 100 parts by weight of a powder mixture of 50:50 to 95: 5 (volume ratio) of the glass powder and the ceramic powder; (b) 용매 20 내지 40 중량부;(b) 20 to 40 parts by weight of the solvent; (c) 유기 바인더 2 내지 8 중량부;(c) 2 to 8 parts by weight of the organic binder; (d) 분산제 0.5 내지 3 중량부; 및(d) 0.5 to 3 parts by weight of dispersant; And (e) 가소제 0 내지 12 중량부;이고,(e) 0 to 12 parts by weight of a plasticizer; 상기 단계 (C)에서, 보호막 제조용 페이스트는 통상의 PDP 후면판용 격벽 제조 페이스트를 사용하는 것을 특징으로 하는 격벽 제조방법.In the step (C), the protective film production paste is a partition manufacturing method, characterized in that using a conventional PDP backplane partition wall production paste. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 유리 기재상에 후막을 형성하는 방법(단계 (B))은 하기 2 방법 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 격벽 제조방법.The method for producing a partition wall according to claim 1 or 2, wherein the method of forming a thick film on the glass substrate (step (B)) is selected from the following two methods. (1) 단계(A)로부터의 슬러리를, 닥터 블레이드(doctor blade), 테이프 캐스터, 롤 코터, 압출(extrusion) 코팅, 다이 캐스팅, 또는 캡코팅(cap coating) 장치 등을 사용하여, 유리기재상에 1회의 코팅 공정으로 후막을 직접 형성하는 방법; 및(1) The slurry from step (A) may be transferred onto a glass substrate using a doctor blade, tape caster, roll coater, extrusion coating, die casting, cap coating apparatus, or the like. A method of directly forming a thick film in one coating process; And (2) 단계(A)로부터의 슬러리를, 닥터 블레이드법, 테이프 캐스팅법 등의 방법을 이용하여, 마일러 필름과 같은 캐리어 필름상에 1차 후막(건식 필름: green tape)을 형성하고, 건조한 뒤, 라미네이션 공정에 의해 유리 기재상에 2차 후막을 형성하는 방법.(2) The slurry from step (A) was formed on a carrier film such as a mylar film by using a doctor blade method, a tape casting method, or the like, and dried. Thereafter, a secondary thick film is formed on the glass substrate by a lamination process. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 형성된 후막의 식각 속도를 조절하기 위하여, 상기 단계(B)에서 120 내지 300℃의 온도 범위에서 0.5 내지 1.5 시간 동안 예비 소성을 실시하고, 상기 단계(C)에서 보호막으로서 격벽재료를 함유하고 있는 페이스트를 25 내지 190℃의 온도 범위에서 10 내지 30분간 건조하여, 예비 소성된 후막과 보호막용 페이스트간의 식각 속도 차이를 극대화시키는 것을 특징으로 하는격벽 제조방법.The method according to claim 1 or 2, wherein, in order to control the etching rate of the formed thick film, in the step (B), prebaking is performed for 0.5 to 1.5 hours in a temperature range of 120 to 300 ° C, and the step (C) And a paste containing the partition material as a protective film at 10 to 30 minutes in a temperature range of 25 to 190 ° C. to maximize the difference in etching rates between the pre-fired thick film and the protective film paste. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 샌드블라스팅 방법에 의하여 식각할 때, 샌드블라스팅 각도를 0°에서 90°까지의 각도를 변화시켜, 예비 소성된 후막과 보호막용 페이스트간의 식각 속도를 최대화시키는 것을 특징으로 하는 격벽 제조방법.The method according to claim 1 or 2, wherein when etching by the sandblasting method, the sandblasting angle is varied from 0 ° to 90 ° to maximize the etching rate between the prefired thick film and the protective film paste. Partition wall manufacturing method characterized in that. 제 2 항에 있어서, 상기 유리 분말은 평균 입도가 0.2 내지 10㎛ 인 PbO-B2O3-SiO2계, B2O3-SiO2-Bi2O3-P2O5계, Bi2O3-B2O3-ZnO-BaO-SiO2계 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이고,According to claim 2, wherein the glass powder has an average particle size of 0.2 to 10㎛ PbO-B 2 O 3 -SiO 2 system, B 2 O 3 -SiO 2 -Bi 2 O 3 -P 2 O 5 system, Bi 2 One or a mixture of two or more selected from O 3 -B 2 O 3 -ZnO-BaO-SiO 2 , etc., 상기 세라믹 분말은 평균 입도가 0.2내지 10㎛인 세라믹 분말 중, 알루미나(Al2O3), 산화티탄(TiO2), 지르코니아(ZrO2), 산화망간(MnO), 산화동(CuO), 산화철(Fe2O3) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이고,The ceramic powder may be alumina (Al 2 O 3 ), titanium oxide (TiO 2 ), zirconia (ZrO 2 ), manganese oxide (MnO), copper oxide (CuO), or iron oxide (a ceramic powder having an average particle size of 0.2 to 10 μm). Fe 2 O 3 ) and the like, or a mixture of two or more, 상기 용매는 메틸에틸 케톤(methyl ethyl ketone), 에틸 알코올(ethyl alcohol), 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol), 톨루엔(tolune), 디에틸 에테르(diethyl ether), 삼염화 에틸렌(trichloroethylene), 메타놀(methanol) 등의 단일 용액 또는 2 이상의 혼합 용액이고,The solvent is methyl ethyl ketone, ethyl alcohol, isopropyl alcohol, toluene, toluene, diethyl ether, trichloroethylene, methanol A single solution or a mixed solution of two or more, 상기 유기 바인더는 셀룰로우즈(cellulose), 에틸 셀룰로오즈(ethyl cellulose), 폴리비닐 부티랄(polyvinyl butyral: PVB), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethyl methacrylate: PMMA), 폴리아크릴 에스테르(polyacrylate esters) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물로서 평균 분자량이 30,000 내지 100,000이고,The organic binder is selected from cellulose, ethyl cellulose, polyvinyl butyral (PVB), polymethyl methacrylate (PMMA), polyacrylate esters, and the like. One or two or more mixtures having an average molecular weight of 30,000 to 100,000, 상기 가소제는 디에틸 옥살레이트(diethyl oxalate), 폴리에틸렌(polyethylene), 폴리에틸렌 글리콜(polyethylene glycol), 디메틸 프탈레이트(dimethyl phthalate), 디부틸 프탈레이트(dibutyl phthalate), 디옥틸 프탈레이트(dioctyl phthalate) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 혼합물이고,The plasticizer may be selected from diethyl oxalate, polyethylene, polyethylene glycol, dimethyl phthalate, dibutyl phthalate, dioctyl phthalate, or the like. Is a mixture of two or more, 상기 분산제는 생선 오일(menhaden fish oil), 폴리에틸렌이민(polyethyleneimine), 글리세릴 트리올레이트(glyceryl trioleate), 폴리아크릴산(polyacrylic acid), 옥수수 기름(corn oil), 글리세린(glycerin), 포스페이트 에스테르(phosphate ester) 등에서 선택된 하나 또는 둘 이상 혼합물이고, 상기의 기타 첨가제로는 서로다른 관능기를 가진 서팩턴트로서(coupling agent), 트리 메속시 실란 (3-AminopropylTrimethoxy silane), 트리 에속시 실란(3-Aminopropyltriethoxy silane), 아미노 실란(Amino-silane)등에서 선택된 하나 또는 둘 이상 혼합물인 것을 특징으로 하는 격벽 제조방법.The dispersant may include fish oil (menhaden fish oil), polyethyleneimine, glyceryl trioleate, polyacrylic acid, corn oil, glycerine, phosphate ester one or two or more mixtures selected from esters, etc., and the other additives include a coupling agent having different functional groups, tri-methoxypropyl trimethoxysilane, and tri-aminopropyltriethoxy silane. ), A method for producing a partition, characterized in that one or two or more mixtures selected from amino silane (Amino-silane).
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