JPH08273159A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高保磁力と高い再生出力を有するとともに、
再生時のノイズが小さい磁気記録媒体を得ることができ
る磁気記録媒体の製造法を提供する。 【構成】 基板１上に、少なくとも下地層２，３，４と
磁性層５とを形成する工程を有する磁気記録媒体の製造
方法において、磁性層５の形成工程は、０．１〜５ｍＴ
ｏｒｒの不活性ガス圧力下におけるスパッタリングによ
って、Ｃｏ_{100-a- b} Ｃｒ_a Ｔａ_b （但し、ａ，ｂは原子
％を示し、１０≦ａ≦１６、２≦ｂ≦６である）の組成
を有する磁性膜を形成するものであることを特徴とす
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置その
他に使用される磁気記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ハードディスク等の磁気記録媒体に対す
る高記録密度記録化の要請は近年ますます厳しいものに
なっている。

【０００３】ここで、一般に、ハードディスク等の磁気
記録媒体は、非磁性基板に下地層、磁性層及び保護層を
順次形成したもので、この上で磁気ヘッドが搭載された
ヘッドスライダーを浮上走行させながら記録及び再生を
行なう。したがって、この磁気記録媒体の高密度記録化
を実現するためには、磁性層の高保磁力化に加えて、ヘ
ッドスライダーの低浮上走行化及びＣＳＳ（contact st
art and stop）に対する高い耐久性等を実現することが
重要である。すなわち、ヘッドスライダーを低浮上走行
させることによって、記録・再生の際の磁気ヘッドと磁
性層との距離を小さくして高密度の記録・再生を可能に
する必要がある。また、この低浮上走行化させると、ヘ
ッドスライダーの走行開始及び停止時における摺動走行
と浮上走行との切替の繰り返し動作（ＣＳＳ）の際に、
磁気ヘッド及び磁気記録媒体に加わる物理的・機械的負
担が急激に増すので、このＣＳＳにおける磁気ヘッド及
び磁気記録媒体の耐久性向上（高ＣＳＳ耐久性）も必要
になる。さらには、高密度記録化にともなって再生時の
ノイズ低減化もより厳しく要求される。

【０００４】ところで、現状の多くのハードディスク
は、非磁性基板としてアルミ合金基板を用い、その表面
にＮｉーＰめっきを施して研磨した後、テクスチャー加
工を施して表面に適度の表面粗さを付与しておき、しか
る後に、下地層、磁性層及び保護層等を順次スパッタ法
で形成したものである。すなわち、テクスチャー加工に
よる表面粗さに起因する凹凸が下地層及び磁性層を介し
て保護層表面に表われるようにして、ＣＳＳの際にヘッ
ドスライダーが磁気記録媒体に吸着したり、あるいは、
両者の間の摩擦力が所定以上に大きくならないようにし
ている。

【０００５】しかしながら、この方式で、上記高保磁力
化、低浮上走行化及び高ＣＳＳ耐久性を実現させるには
限界があることがわかってきた。これは、テクスチャー
による表面凹凸が形成された上に、その凹凸にならって
凹凸のある下地層及び磁性層を形成していくことになる
ので、スパッタ粒子の入射角度が場所によって異なる等
のことが原因で、下地層及び磁性層の成膜過程で成長す
べき結晶が必ずしも良好に形成されないことが原因の１
つであると考えられる。また、アルミ合金基板の硬度等
の機械的物性が、低浮上走行化及び高ＣＳＳ化を図るた
めに必要とされる機械的耐久性を満たすには必ずしも十
分なものでなく、さらに、下地層、磁性層及び保護層等
を良好な特性にするためにより高い温度での加熱処理を
はじめとする物理的・化学的処理を施す必要がでてきて
いるが、アルミ合金基板はこれら処理に対する耐熱性や
耐食性等の物理的・化学的耐性も十分でないことがわか
ってきた。

【０００６】高密度記録化がより容易に実現できる可能
性の高いものとして、最近、非磁性基板にガラス基板を
用いた磁気記録媒体が注目されている。これは、ガラス
の機械的・物理的・化学的耐久性やその表面を比較的容
易に高い平面精度に形成できること等の性質が高密度記
録化実現により適していることがわかってきたためであ
る。すなわち、このガラス基板を用いた磁気記録媒体
は、表面を精密研磨したガラス基板上に、ただちに下地
層、磁性層及び保護層等を順次形成したものであり、ア
ルミ基板を用いた場合と異なり、基板の表面にテクスチ
ャー加工を施さず、保護層自体によって凹凸を付与する
ようにしたものである。このため、下地層や磁性層は、
極めて平滑な面上に形成されていくので、下地層や磁性
層の形成の際の各々の結晶成長の制御等が容易であり、
良好な特性の層を比較的容易に得ることができる。ま
た、保護層表面の粗さについても、アルミ基板を用いた
ものは、基板表面の粗さを下地層や磁性層を介して保護
層上に間接的に表しているので、その粗さ制御が必ずし
も容易でないが、これに比較して、ガラス基板を用いた
ものは、保護層自体によって直接粗さを決定できるの
で、比較的粗さ制御も容易である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述のよう
に、高密度記録化を実現するためには、高保磁力化、低
浮上走行化及び高ＣＳＳ耐久性を実現することが重要で
あるが、これだけでは十分でない。すなわち、高密度記
録化にともなって、より高い再生出力も要請され、さら
には、再生時のノイズについても、従来は問題とならな
かったようなレベルを問題にしなければならず、これら
の特性についても改善しなければならないことがわかっ
てきた。

【０００８】本発明者等の研究によれば、これらの特性
は、磁性膜をスパッタリング法によって成膜する場合、
その磁性膜の組成と、その磁性膜の成膜の際における不
活性ガス圧力の条件によって少なからず左右されること
がわかってきた。

【０００９】本発明は、上述の背景のもとでなされたも
のであり、高保磁力と高い再生出力を有するとともに、
再生時のノイズが小さい磁気記録媒体を提供することを
目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、（構成
１） 基板上に、少なくとも下地層と磁性層とを形成す
る工程を有する磁気記録媒体の製造方法において、前記
磁性層形成工程は、０．１〜５ｍＴｏｒｒの不活性ガス
圧力下におけるスパッタリングによって、Ｃｏ_100-a-b
Ｃｒ_a Ｔａ_b （但し、ａ，ｂは原子％を示し、１０≦ａ
≦１６、２≦ｂ≦６である）の組成を有する磁性膜を形
成するものであることを特徴とする構成とし、この構成
１の態様として、（構成２） 前記下地層形成工程は、
Ａｌ又はＴｉからなる第１下地層を形成する第１下地層
形成工程と、Ｃｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｗ，
Ｖ，Ｔａから選ばれる元素を含む１層以上の層からなる
第２下地層を形成する第２下地層形成工程とを有するこ
とを特徴とする構成とし、構成１又は２の態様として、
（構成３） 前記不活性ガスがＡｒとＫｒとを主成分と
する混合ガスであることを特徴とする構成としたもので
ある。

【００１１】

【作用】上述の構成１によれば、磁性層形成工程におい
て、０．１〜５ｍＴｏｒｒの不活性ガス圧力下における
スパッタリングによって、Ｃｏ_100-a-b Ｃｒ_a Ｔａ
_b （但し、ａ，ｂは原子％を示し、１０≦ａ≦１６、２
≦ｂ≦６である）の組成を有する磁性膜を形成するよう
にしたことにより、高保磁力と高い再生出力を有すると
ともに、再生時のノイズが小さい磁気記録媒体を得るこ
とが可能になった。

【００１２】これは、第１に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａを上記
組成比にしたことによるもので、特にＴａ添加によっ
て、磁性膜中の磁性粒の粒径が小さくなり、記録ビット
の遷移領域に生じるジグザグ磁壁が小さくなったために
媒体ノイズが低減し、同時に、磁性粒間の磁気的分離度
が促進されたことによる保磁力向上が寄与しているもの
と考えられる。

【００１３】また、第２に、磁性層の成膜時に不活性ガ
ス圧力を０．１〜５ｍＴｏｒｒの低い圧力にしたことに
よる。ガス圧力をこの程度に低くすることによって、ス
パッタ粒子がガス成分と衝突する確率が小さくなり、平
均自由工程が長くなる。このため、スパッタ粒子が基板
に衝突するまでのエネルギー損失が小さく、膜への打ち
込み効果によってさらに磁性粒の磁気的分離度が高くな
り、上記組成による分離度側効果との相乗効果によって
保磁力をより高いものにしているものと考えられる。

【００１４】また、構成２によれば、第１下地層の存在
により第２下地層の膜厚を比較的薄くしてもこの上に形
成される磁性層の結晶粒の成長を良好なものにすること
ができ、さらに、構成３のように、不活性ガスとしてＡ
ｒとＫｒとを主成分とする混合ガスを用いることによ
り、構成１又は２の発明による効果をより著しいものに
することが可能になる。

【００１５】

【実施例】

（実施例１）図１は本発明の実施例１にかかる磁気記録
媒体の製造方法で製造された磁気記録媒体の構成を示す
模式的断面図である。以下、図１を用いてまず実施例１
にかかる製造方法で製造した磁気記録媒体を説明し、次
に実施例１の磁気記録媒体の製造方法を説明する。

【００１６】図１に示されるように、この実施例の製造
方法で製造した磁気記録媒体は、要するに、ガラス基板
１の上に、順次、第１下地層２、第２下地層３、第３下
地層４、磁性層５、保護層６及び潤滑層７を形成した磁
気ディスクである。

【００１７】ガラス基板１は、化学強化ガラスを、外径
６５ｍｍφ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．９ｍｍ
のディスク状に形成し、その両主表面を表面粗さがＲｍ
ａｘで３０オングストロームとなるように精密研磨した
ものである。

【００１８】ここで、ガラス基板１を構成する化学強化
ガラスとしては、主たる成分として重量％で、ＳｉＯ₂
が６２〜７５％、Ａｌ₂ Ｏ₃ が５〜１５％、ＬｉＯ₂ が
４〜１０％、Ｎａ₂ Ｏが４〜１２％、ＺｒＯ₂ が５．５
〜１５％それぞれ含有するとともに、Ｎａ₂ Ｏ／ＺｒＯ
₂ の重量比が０．５〜２．０、Ａｌ₂ Ｏ₃ ／ＺｒＯ₂の
重量比が０．４〜２．５である化学強化用ガラスを、Ｎ
ａイオン及び／又はＫイオンを含有する処理浴でイオン
交換処理して化学強化したもの（詳しくは、特開平５ー
３２４３１号公報参照）を用いた。

【００１９】第１下地層２は、厚さ約６０オングストロ
ームのＡｌの薄膜である。

【００２０】第２下地膜３は、厚さ約６００オングスト
ロームのＣｒ膜である。

【００２１】第３下地層４は、厚さ約１２００オングス
トロームのＣｒ膜である。

【００２２】磁性層５は、厚さ約５００オングストロー
ムのＣｏＣｒＴａ膜である。ここで、ＣｏＣｒＴａ膜の
組成は、原子％比で、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８４：１２：
４（ａ＝１２、ｂ＝４）の組成を有している。

【００２３】保護層６は、磁性層５の上に形成された厚
さ約５０オングストロームのＣｒ層６１と、このＣｒ層
６１の上に形成された厚さ約３００オングストロームの
カーボン（Ｃ）膜の２層からなる。

【００２４】潤滑層７は、パーフルオロポリエーテルか
らなる潤滑剤（例えば、モンテジソン社製ＡＭ２００１
がある）を浸漬法により、保護膜６上に塗布して膜厚約
２０オングストロームに形成したものである。

【００２５】次に、上述の実施例の磁気記録媒体の製造
方法を説明する。

【００２６】まず、化学強化ガラスを、外径６５ｍｍ
φ、中心部の穴径２０ｍｍφ、厚さ０．９ｍｍのディス
ク状に形成し、その両主表面を表面粗さがＲｍａｘで３
０オングストロームとなるように精密研磨してガラス基
板１を得る。

【００２７】次に、上記ガラス基板１に、該ガラス基板
１の加熱処理、第１下地層２の成膜、第２下地層３の成
膜、第３下地層４の成膜、磁性層５の成膜及び保護層６
の成膜の各工程をインラインスパッタ装置を用いて連続
的に行う。

【００２８】インラインスパッタ装置としては、周知の
インライン型のＤＣマグネトロンスパッタ装置を用い
た。図示しないが、このインラインスパッタ装置は、搬
送方向に向かって、基板加熱ヒータが設けられた第１の
チャンバー、Ａｌターゲット及びＣｒターゲットが順次
設置された第２のチャンバー、Ｃｒターゲット及びＣｏ
ＣｒＴａターゲットが順次設置された第３のチャンバ
ー、並びに、Ｃｒターゲット及びＣ（カーボン）ターゲ
ットが順次設置された第４のチャンバーがそれぞれ設け
られたものである。

【００２９】そして、ガラス基板１をロードロック室を
介して第１のチャンバー内に導入すると、該ガラス基板
１は、所定の搬送装置によって上記各チャンバー内を次
々と所定の一定の速度で搬送され、その間に以下の成膜
や処理がなされる。

【００３０】すなわち、まず、第１のチャンバー内で
は、基板を３７５℃で２分間加熱する処理がなされる。
第２のチャンバー内では、第１下地層２たる膜厚６０オ
ングストロームのＡｌ膜及び第２下地層３たる膜厚６０
０オングストロームのＣｒ膜が順次成膜される。第３の
チャンバー内では、第３下地層４たる膜厚１２００オン
グストロームのＣｒ膜及び磁性層５たる膜厚５００オン
グストロームのＣｏＣｒＴａ膜が順次成膜される。第４
のチャンバー内では、保護層６を構成する膜厚５０オン
グストロームのＣｒ膜６１及び膜厚３００オングストロ
ームのＣ膜６２が順次成膜される。なお、上記各チャン
バー内は１×１０^-5Ｔｏｒｒ以下の圧力まで減圧され、
スパッタガスとしてアルゴン（Ａｒ；８０〜９８体積
％）とクリプトン（Ｋｒ；２〜２０体積％）との混合ガ
スが用いられる。スパッタガス圧は、第２のチャンバー
内では５ｍＴｏｒｒ、第３のチャンバー内では２ｍＴｏ
ｒｒ、第４のチャンバー内では５ｍＴｏｒｒである。

【００３１】次いで、保護層６の形成までを行った基板
を上記インラインスパッタ装置から取り出し、その保護
層６の表面に、スピンコート法によってパーフルオロポ
リエーテルを塗布し、厚さ２０オングストロームの潤滑
層７を形成して実施例１にかかる磁気記録媒体を得た。

【００３２】（実施例２〜４）上述の実施例１における
磁性層５の形成工程におけるアルゴンとクリプトンとの
混合ガス圧力のみを変えて、１．５ｍＴｏｒｒ、５ｍＴ
ｏｒｒ、１．２ｍＴｏｒｒとしたものを、それぞれ実施
例２，３，４とした。

【００３３】（実施例５）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８６：１２：２に
かえた外は実施例１と同一の構成（磁性層５の成膜時の
ガス圧力は２ｍＴｏｒｒ）を有するものを実施例５とし
た。

【００３４】（実施例６）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８２：１２：６に
変えた外は実施例１と同一の構成（磁性層５の成膜時の
ガス圧力は２ｍＴｏｒｒ）を有するものを実施例６とし
た。

【００３５】（実施例７）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８６：１０：４に
変え、かつ、磁性層５の成膜時のガス圧力を１．５ｍＴ
ｏｒｒに変えた外は実施例１と同一の構成を有するもの
を実施例７とした。

【００３６】（実施例８）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８０：１６：４に
変え、かつ、磁性層５の成膜時のガス圧力を４ｍＴｏｒ
ｒに変えた外は実施例１と同一の構成を有するものを実
施例８とした。

【００３７】（実施例９）上述の実施例１における不活
性ガスをアルゴン（Ａｒ）単独のガスとし、また、磁性
層５の組成比をＣｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８０：１６：４に
し、さらに、磁性層５の成膜時のガス圧力を４ｍＴｏｒ
ｒに変えた外は実施例１と同一の構成を有するものを実
施例９とした。

【００３８】（比較例１〜２）上述の実施例１における
不活性ガスをアルゴン単独のガスとし、磁性層５の形成
工程におけるアルゴンガス圧力を変えて、６ｍＴｏｒ
ｒ、１０ｍＴｏｒｒ（いずれも５ｍＴｏｒｒを越える）
にしたものを、それぞれ比較例１，２とした。

【００３９】（比較例３）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８５：１４：１
（Ｔａが２％未満）に変え、かつ、磁性層５の成膜時の
ガス圧力を５ｍＴｏｒｒに変えた外は実施例１と同一の
構成を有するものを比較例３とした。

【００４０】（比較例４）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝７８：１４：８
（Ｔａが６％を越える）に変え、かつ、磁性層５の成膜
時のガス圧力を４ｍＴｏｒｒに変えた外は実施例１と同
一の構成を有するものを比較例４とした。

【００４１】（比較例５）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝８８：８：４（Ｃ
ｒが１０％未満）に変え、かつ、磁性層５の成膜時のガ
ス圧力を１ｍＴｏｒｒに変えた外は実施例１と同一の構
成を有するものを比較例５とした。

【００４２】（比較例６）上述の実施例１における磁性
層５の組成比を、Ｃｏ：Ｃｒ：Ｔａ＝７６：２０：４
（Ｃｒが１６％を越える）に変え、かつ、磁性層５の成
膜時のガス圧力を３ｍＴｏｒｒに変えた外は実施例１と
同一の構成を有するものを比較例６とした。

【００４３】図２は上述の実施例１〜９及び比較例１〜
６の磁気記録媒体の特性を測定した結果を表にして示し
た図である。

【００４４】なお、保磁力（Ｈｃ）の測定は、製造した
磁気記録媒体から８ｍｍφの試料を切り出して、膜面方
向に磁場を印加し、振動試料型磁力計により最大外部印
加磁場１０ｋＯｅで測定した。

【００４５】また、記録再生特性（再生出力及び媒体ノ
イズ）の測定は、次のようにして行った。すなわち、得
られた磁気ディスクを用いて、磁気ヘッド浮上量が０．
０５５μｍの薄膜ヘッドを用い、薄膜ヘッドと磁気ディ
スクの相対速度を６ｍ／ｓで、線記録密度７０ｋｆｃｃ
（１インチあたり７０，０００ビットの線記録密度）に
おける記録再生出力を測定した。また、キャリア周波数
８．５ＭＨｚで、測定帯域を１５ＭＨｚとしてスペクト
ルアナライザーにより信号記録再生時のノイズスペクト
ラムを測定した。本測定に用いた薄膜ヘッドは、コイル
ターン数５０、トラック幅６μｍ、磁気ヘッドギャップ
長０．２５μｍである。

【００４６】図２の表から明らかなように、磁性層５の
形成工程における不活性ガス圧力が０．１〜５ｍＴｏｒ
ｒであり、かつ、成膜される磁性層５の組成がＣｏ
_100-a-bＣｒ_a Ｔａ_b （但し、ａ，ｂは原子％を示し、
１０≦ａ≦１６、６．２≦ｂ≦６である）である場合に
は、得られた磁気記録媒体は、全て、保磁力が１５８０
Ｏｅ以上、再生出力が１６５μＶ以上、媒体ノイズが
２．８μＶｒｍｓ以下であるという優れた特性を有して
いることがわかる。

【００４７】これに対して、磁性層５の成膜工程時にお
けるアルゴンガス圧力が６ｍＴｏｒｒであって、５ｍＴ
ｏｒｒを越える比較例１では、保磁力が１５００ Ｏ
ｅ、再生出力が１６０μＶでいずれも各実施例に比較し
て低く、逆に、媒体ノイズは２．９μＶｒｍｓといずれ
の実施例よりも大きく、いずれの特性も実施例に比較し
て劣る。

【００４８】同様に、アルゴンガス圧力を１０ｍＴｏｒ
ｒとさらに大きく５ｍＴｏｒｒを越える比較例２では、
保磁力が１４００ Ｏｅ、再生出力が１５５μＶでいず
れも各実施例に比較してさらに低く、逆に、媒体ノイズ
は３．１μＶｒｍｓであってさらに大きくなっており、
実施例に比較してさらに劣る。

【００４９】また、磁性層５の組成におけるＴａの含有
率が１％であって、２％未満である比較例３において
も、保磁力が１５００ Ｏｅ、再生出力が１６０μＶで
いずれも各実施例に比較して低く、逆に、媒体ノイズは
３．０μＶｒｍｓといずれの実施例よりも大きく、いず
れの特性も実施例に比較して劣る。

【００５０】また、磁性層５の組成におけるＴａの含有
率が８％であって、６％を越える比較例４においては、
媒体ノイズは２．３μＶｒｍｓと実施例と同等レベルで
あるが、保磁力が１５７０ Ｏｅ、再生出力が１５５μ
Ｖでいずれも各実施例に比較して低いので総合特性で実
施例に比較して劣る。

【００５１】磁性層５の組成におけるＣｒの含有率が８
％であって、１０％未満である比較例５においては、保
磁力が１３００ Ｏｅ、再生出力が１５５μＶでいずれ
も各実施例に比較して低く、逆に、媒体ノイズは４．１
μＶｒｍｓといずれの実施例よりも大きく、いずれの特
性も実施例に比較して劣る。

【００５２】磁性層５の組成におけるＣｒの含有率が２
０％であって、１６％を越える比較例６においては、保
磁力が１６００ Ｏｅと実施例と同等であり、媒体ノイ
ズも２．２μＶｒｍｓと低く実施例と同等であるが、再
生出力が１５０μＶでいずれも各実施例に比較して低い
ので、総合特性で実施例に比較して劣る。

【００５３】以上実施例により本発明を説明してきた
が、本発明は以下の変形例及び応用例を含むものであ
る。

【００５４】上述の実施例では、基板として、アルミノ
シリケート系の化学強化ガラスを用いた例を掲げたが、
ボロシリケート、アルミノボロシリケート、石英ガラ
ス、ソーダライムガラス等の他のガラスを使用すること
ができる。これらは、その表面を表面粗さがＲｍａｘで
１００オングストローム以下に容易に研磨して仕上げる
ことができるものである。また、基板の外径をより小径
にしまた厚さを薄くしてもよい。さらには、基板はガラ
スでなくてもよく、アルミ基板やセラミックス基板、あ
るいは、高分子フィルムであってもよい。

【００５５】また、実施例では、第１下地層がＡｌであ
る場合を掲げたが、これは、ＴｉＳｉ、Ｐｂ、Ｃｕ、Ｉ
ｎ又はＧａのいずれか１又は２以上を主たる成分とする
ものでもよい。

【００５６】また、実施例では、第２下地層がＣｒであ
る場合を掲げたが、これは、ＴｉＷ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｔ
ａ、Ｗ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ等の非磁
性材料を用いることができる。なお、これら下地層は２
層以上で構成したものでもよい。

【００５７】なお、下地層、磁性層、保護層等の形成
は、インラインスパッタ装置でなく、通常のスパッタ装
置、すなわち、静止対向型スパッタ装置を用いて形成で
きることは勿論である。

【００５８】また、実施例では、保護層をＣｒ層とＣ層
との２層構造で構成する例を掲げたが、保護層として
は、Ｃｒ層の代わりに、他の材料を用いてもよく、その
例として、Ｍｏ、Ｔｉ、ＴｉＷ、ＣｒＭｏ、Ｔａ、Ｗ、
Ｓｉ、Ｇｅ等の非磁性材料、あるいはこれらの酸化物、
窒化物、炭化物等を用いてもよい。また、この層を２層
以上の層にしてもよい。さらには、Ｃ層の代わりに、例
えば、ＳｉＯ₂ 、ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＺｒＯ₂ 膜でもよ
く、あるいは、有機シリコン化合物等の膜材にシリカ微
粒子等の硬質微粒子を分散させたものでもよい。

【００５９】さらに、実施例では潤滑層の材料としてパ
ーフルオロポリエーテルを用いたが、フルオロカーボン
系の液体潤滑剤やスルホン酸のアルカリ金属塩からなる
潤滑剤を用いることもできる。その膜厚は１０〜３０オ
ングストロームであることが好ましく、その理由は１０
オングストローム未満であると耐摩耗性の向上を計るこ
とが充分でなく、また３０オングストロームを越えると
耐摩耗性の向上がみられず、しかもスペーシングロスの
問題が生ずるからである。

【００６０】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明は、磁性層
形成工程において、０．１〜５ｍＴｏｒｒの不活性ガス
圧力下におけるスパッタリングによって、Ｃｏ_100-a-b
Ｃｒ_aＴａ_b （但し、ａ，ｂは原子％を示し、１０≦ａ
≦１６、２≦ｂ≦６である）の組成を有する磁性膜を形
成するようにしたことにより、高保磁力と高い再生出力
を有するとともに、再生時のノイズが小さい磁気記録媒
体を得ることを可能にしたものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１にかかる磁気記録媒体の製造
方法で製造される磁気記録媒体の構成を示す模式的断面
図である。

【図２】実施例１〜９及び比較例１〜６の磁気記録媒体
の特性を測定した結果を表にして示した図である。

【符号の説明】

１…ガラス基板、２…第１下地層、３…第２下地層、４
…第３下地層、５…磁性層、６…保護層、７…潤滑層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 41/18 Ｈ０１Ｆ 41/18 (72)発明者 河角 功 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内 (72)発明者 河合 久雄 東京都新宿区中落合２丁目７番５号 ホー ヤ株式会社内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に、少なくとも下地層と磁性層と
   を形成する工程を有する磁気記録媒体の製造方法におい
   て、 前記磁性層形成工程は、０．１〜５ｍＴｏｒｒの不活性
   ガス圧力下におけるスパッタリングによって、Ｃｏ
   _100-a-b Ｃｒ_a Ｔａ_b （但し、ａ，ｂは原子％を示し、
   １０≦ａ≦１６、２≦ｂ≦６である）の組成を有する磁
   性膜を形成するものであることを特徴とする磁気記録媒
   体の製造方法。
2. 【請求項２】 前記下地層形成工程は、Ａｌ又はＴｉか
   らなる第１下地層を形成する第１下地層形成工程と、Ｃ
   ｒ，Ｍｏ，Ｚｒ，Ｂ，Ｓｉ，Ｚｎ，Ｗ，Ｖ，Ｔａから選
   ばれる元素を含む１層以上の層からなる第２下地層を形
   成する第２下地層形成工程とを有することを特徴とする
   請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
3. 【請求項３】 前記不活性ガスがＡｒとＫｒとを主成分
   とする混合ガスであることを特徴とする請求項１又は２
   に記載の磁気記録媒体の製造方法。