JPH08268812A - 水田用除草剤組成物 - Google Patents
水田用除草剤組成物Info
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- JPH08268812A JPH08268812A JP7073632A JP7363295A JPH08268812A JP H08268812 A JPH08268812 A JP H08268812A JP 7073632 A JP7073632 A JP 7073632A JP 7363295 A JP7363295 A JP 7363295A JP H08268812 A JPH08268812 A JP H08268812A
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Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 より少量の有効成分の使用で、処理適期幅が
広く水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤組
成物を提供する。 【構成】 一般式(I) 〔式中、R1はC2H5等;R2はO−CH3等;(R
3)m,R4はH等;(R5)pは6−CHO,6−C
N,6−COOCH3等;を示し、mは0〜4,nは0
〜2,pは1〜3の整数である〕で表されるフロベンゾ
ピラン誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N
−(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル
ブチルアミド、1−(α,α−ジメチルベンジル)−3
−(4−メチルフェニル)ウレアおよび1−(α,α−
ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウレ
アから選ばれた少なくとも一種以上を有効成分として含
有する水田用除草剤組成物。
広く水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤組
成物を提供する。 【構成】 一般式(I) 〔式中、R1はC2H5等;R2はO−CH3等;(R
3)m,R4はH等;(R5)pは6−CHO,6−C
N,6−COOCH3等;を示し、mは0〜4,nは0
〜2,pは1〜3の整数である〕で表されるフロベンゾ
ピラン誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N
−(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル
ブチルアミド、1−(α,α−ジメチルベンジル)−3
−(4−メチルフェニル)ウレアおよび1−(α,α−
ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウレ
アから選ばれた少なくとも一種以上を有効成分として含
有する水田用除草剤組成物。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は新規なフロベンゾピラン
誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N−
(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル ブ
チルアミドまたは1−(α,α−ジメチルベンジル)−
3−(4−メチルフェニル)ウレアまたは1−(α,α
−ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウ
レアから選ばれた少なくとも1種以上とを有効成分とし
て含有することを特徴とする水田用除草剤組成物に関す
るものである。
誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N−
(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル ブ
チルアミドまたは1−(α,α−ジメチルベンジル)−
3−(4−メチルフェニル)ウレアまたは1−(α,α
−ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウ
レアから選ばれた少なくとも1種以上とを有効成分とし
て含有することを特徴とする水田用除草剤組成物に関す
るものである。
【0002】
【従来の技術】従来水田用除草剤としては種々の化合物
や、混合剤が知られている。さらに最近では一発処理剤
と称する一回の処理で種々の雑草を防除できる混合剤が
開発されている。しかしながらこれらの除草剤は比較的
多量の有効成分を必要としたり、一発剤と言いながら一
回の処理で重要雑草を的確に防除できなかったり、効果
の持続期間が短い、処理適期が限られているなどといっ
た問題を有している場合も少なくない。そのためより少
量の有効成分で、重要雑草を的確にかつ長期間防除し、
処理適期幅が広い水田用除草剤の開発が望まれている。
や、混合剤が知られている。さらに最近では一発処理剤
と称する一回の処理で種々の雑草を防除できる混合剤が
開発されている。しかしながらこれらの除草剤は比較的
多量の有効成分を必要としたり、一発剤と言いながら一
回の処理で重要雑草を的確に防除できなかったり、効果
の持続期間が短い、処理適期が限られているなどといっ
た問題を有している場合も少なくない。そのためより少
量の有効成分で、重要雑草を的確にかつ長期間防除し、
処理適期幅が広い水田用除草剤の開発が望まれている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、より少量の
有効成分で、処理適期幅が広く田植前の雑草の発生前か
ら生育期までの任意の時期に使用可能で、一回の処理で
水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤を提供
することを課題とする。
有効成分で、処理適期幅が広く田植前の雑草の発生前か
ら生育期までの任意の時期に使用可能で、一回の処理で
水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤を提供
することを課題とする。
【0004】
【課題を解決するための手段および作用】本発明者ら
は、上記課題を解決すべく新規のフロベンゾピラン誘導
体の混合剤について鋭意研究を重ねた結果、フロベンゾ
ピラン誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N
−(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル
ブチルアミド、1−(α,α−ジメチルベンジル)−3
−(4−メチルフェニル)ウレアおよび1−(α,α−
ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウレ
アから選ばれた少なくとも1種以上の混合により、それ
ぞれ単独の効果からは予期できない相乗作用を示し、よ
り少ない有効成分での使用で、処理適期幅が広く田植前
の雑草発生前から生育期までの任意の時期に使用でき、
水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤が得ら
れることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、本
発明は一般式(I)(化2)
は、上記課題を解決すべく新規のフロベンゾピラン誘導
体の混合剤について鋭意研究を重ねた結果、フロベンゾ
ピラン誘導体の少なくとも1種以上と、2−ブロモ−N
−(α,α−ジメチルベンジル)−3,3−ジメチル
ブチルアミド、1−(α,α−ジメチルベンジル)−3
−(4−メチルフェニル)ウレアおよび1−(α,α−
ジメチルベンジル)−3−(2−クロロベンジル)ウレ
アから選ばれた少なくとも1種以上の混合により、それ
ぞれ単独の効果からは予期できない相乗作用を示し、よ
り少ない有効成分での使用で、処理適期幅が広く田植前
の雑草発生前から生育期までの任意の時期に使用でき、
水田の重要雑草を長期間防除できる水田用除草剤が得ら
れることを見いだし、本発明を完成した。すなわち、本
発明は一般式(I)(化2)
【0005】
【化2】 [式中R1 は低級アルキル基を表し、R2 は低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン
置換低級アルキル基を表し、R3 は低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アル
キル基、フェノキシ基またはベンジルオキシ基を表し、
R4 は水素原子または低級アルキル基を表し、R5 はシ
アノ基、ニトロ基、フェニル基、基−S(O)qR6、基
−0S02R6、基−XC(=O)R6、基−XR7、基−
XCH(R9)C(=O)R8、基−XP(=X)(XR
6)2、基−N(R9)R10、基−N(R9)C(=X)R
11、基−N(R9)SO2R6、基−C(R9)2OR10、
基−CH(R9)S(O)qR6、基−CH(R9)XC
(=0)R11、基−CH(R9)N(R9)R10、基−C
H(R9)N(R9)C(=X)R11、基−CH(R9)
XP(=X)(XR6)2、基−C(=X)R8、基−C
H(XR12)XR13、基−C(=X)N(R14)R15、
基−CH=NR8、基−CH=CR16R17、基−O{C
(R18)2}r−O−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子
を結んで5または6員環を形成する)または基−{C
(R18)2}s−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子を結
んで5または6員環を形成する)を表し、{式中R6 は
低級アルキル基または(低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基を
表し、R7 は水素原子、ハロゲン置換低級アルキル基ま
たはアルコキシアルキル基を表し、R8 は水素原子、ヒ
ドロキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
アルキルチオ基またはフェノキシ基を表し、R9 は水素
原子または低級アルキル基を表し、R10は水素原子、低
級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基またはアラ
ルキル基を表し、R11は低級アルキル基、ハロゲン置換
低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基、低
級アルコキシ基、フェノキシ基、低級アルキルアミノ基
またはアニリノ基を表し、R12、R13はそれぞれ水素原
子または低級アルキル基またはR12とR13が一緒になっ
て環化し−(CH2)2−または−(CH2)3−を表し、
R14は水素原子または低級アルキル基を表し、R15は水
素原子、低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル
基またはR14とR15が一緒になって酸素原子、硫黄原子
または窒素原子を含んでいても良い5または6員環を表
し、R16は水素原子、シアノ基または低級アルコキシカ
ルボニル基を表し、R17は水素原子、低級アルキル基、
ニトロ基、シアノ基または低級アルコキシカルボニル基
を表し、R18は水素原子、低級アルキル基またはハロゲ
ン原子を表し、Xは酸素原子または硫黄原子を表し、q
は0〜2の整数を、rは1または2を、sは3または4
を表す。} mは0〜4の整数を、nは0〜2の整数を、pは1〜3
の整数を表し、m、nおよびpが2以上の時、R2 、R
3 およびR5 はそれぞれ同じでも異なっていても良
い。]で表されるフロベンゾピラン誘導体の少なくとも
1種以上と、2−ブロモ−N−(α,α−ジメチルベン
ジル)−3,3−ジメチル ブチルアミド、1−(α,
α−ジメチルベンジル)−3−(4−メチルフェニル)
ウレアおよび1−(α,α−ジメチルベンジル)−3−
(2−クロロベンジル)ウレアから選ばれた少なくとも
一種以上を有効成分として含有することを特徴とする水
田用除草剤組成物である。本発明の組成物に含まれる化
合物のうち、一般式(I)で表される新規化合物の製造
法を下記反応式1(化3)に示した。
ル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン
置換低級アルキル基を表し、R3 は低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アル
キル基、フェノキシ基またはベンジルオキシ基を表し、
R4 は水素原子または低級アルキル基を表し、R5 はシ
アノ基、ニトロ基、フェニル基、基−S(O)qR6、基
−0S02R6、基−XC(=O)R6、基−XR7、基−
XCH(R9)C(=O)R8、基−XP(=X)(XR
6)2、基−N(R9)R10、基−N(R9)C(=X)R
11、基−N(R9)SO2R6、基−C(R9)2OR10、
基−CH(R9)S(O)qR6、基−CH(R9)XC
(=0)R11、基−CH(R9)N(R9)R10、基−C
H(R9)N(R9)C(=X)R11、基−CH(R9)
XP(=X)(XR6)2、基−C(=X)R8、基−C
H(XR12)XR13、基−C(=X)N(R14)R15、
基−CH=NR8、基−CH=CR16R17、基−O{C
(R18)2}r−O−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子
を結んで5または6員環を形成する)または基−{C
(R18)2}s−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子を結
んで5または6員環を形成する)を表し、{式中R6 は
低級アルキル基または(低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基を
表し、R7 は水素原子、ハロゲン置換低級アルキル基ま
たはアルコキシアルキル基を表し、R8 は水素原子、ヒ
ドロキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
アルキルチオ基またはフェノキシ基を表し、R9 は水素
原子または低級アルキル基を表し、R10は水素原子、低
級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基またはアラ
ルキル基を表し、R11は低級アルキル基、ハロゲン置換
低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基、低
級アルコキシ基、フェノキシ基、低級アルキルアミノ基
またはアニリノ基を表し、R12、R13はそれぞれ水素原
子または低級アルキル基またはR12とR13が一緒になっ
て環化し−(CH2)2−または−(CH2)3−を表し、
R14は水素原子または低級アルキル基を表し、R15は水
素原子、低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル
基またはR14とR15が一緒になって酸素原子、硫黄原子
または窒素原子を含んでいても良い5または6員環を表
し、R16は水素原子、シアノ基または低級アルコキシカ
ルボニル基を表し、R17は水素原子、低級アルキル基、
ニトロ基、シアノ基または低級アルコキシカルボニル基
を表し、R18は水素原子、低級アルキル基またはハロゲ
ン原子を表し、Xは酸素原子または硫黄原子を表し、q
は0〜2の整数を、rは1または2を、sは3または4
を表す。} mは0〜4の整数を、nは0〜2の整数を、pは1〜3
の整数を表し、m、nおよびpが2以上の時、R2 、R
3 およびR5 はそれぞれ同じでも異なっていても良
い。]で表されるフロベンゾピラン誘導体の少なくとも
1種以上と、2−ブロモ−N−(α,α−ジメチルベン
ジル)−3,3−ジメチル ブチルアミド、1−(α,
α−ジメチルベンジル)−3−(4−メチルフェニル)
ウレアおよび1−(α,α−ジメチルベンジル)−3−
(2−クロロベンジル)ウレアから選ばれた少なくとも
一種以上を有効成分として含有することを特徴とする水
田用除草剤組成物である。本発明の組成物に含まれる化
合物のうち、一般式(I)で表される新規化合物の製造
法を下記反応式1(化3)に示した。
【0006】
【化3】 (式中R1 、R2 、R3 、R4 、R5 、m、n及びpは
前記の意味を表し、R19は低級アルキル基または低級ア
シル基を、Zはハロゲン原子、エステル残基等の反応性
残基を表す。) すなわち一般式(I)の化合物は、一般式(II)で表
されるテトラヒドロフラン誘導体を分子内環化反応させ
ることにより製造できる。また別法として、得られたフ
ロベンゾピラン誘導体に対して、通常用いられる置換基
の導入あるいは変換を行うことにより一般式(I)の別
の化合物へ導くこともできる。その1例として、置換基
R5 の導入あるいは変換例を下記反応式2(化4)、反
応式3(化5)に示した。
前記の意味を表し、R19は低級アルキル基または低級ア
シル基を、Zはハロゲン原子、エステル残基等の反応性
残基を表す。) すなわち一般式(I)の化合物は、一般式(II)で表
されるテトラヒドロフラン誘導体を分子内環化反応させ
ることにより製造できる。また別法として、得られたフ
ロベンゾピラン誘導体に対して、通常用いられる置換基
の導入あるいは変換を行うことにより一般式(I)の別
の化合物へ導くこともできる。その1例として、置換基
R5 の導入あるいは変換例を下記反応式2(化4)、反
応式3(化5)に示した。
【0007】
【化4】
【0008】
【化5】 [式中R1 、R2 、R3 、R4 、R8、R9、R11、
R14、R15、m、nは前記の意味を表す。] 以下に、詳細な説明を加える。
R14、R15、m、nは前記の意味を表す。] 以下に、詳細な説明を加える。
【0009】反応式1において、一般式(III)で表
される化合物は公知化合物であり、J.Org.Che
m.,50,4786(1985)、および米国特許U
SP4,534,785に記載の方法により容易に合成
できる。通常これらはα−体とβ−体の混合物として得
られるが、シリカゲルクロマトグラフィー等にて異性体
を分離し次の反応に用いることも可能である。
される化合物は公知化合物であり、J.Org.Che
m.,50,4786(1985)、および米国特許U
SP4,534,785に記載の方法により容易に合成
できる。通常これらはα−体とβ−体の混合物として得
られるが、シリカゲルクロマトグラフィー等にて異性体
を分離し次の反応に用いることも可能である。
【0010】一般式(II)の化合物は工程Aにより、
一般式(III)の化合物をn−ヘキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ジエチルエ−テル、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、クロルベンゼン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、メチルエチルケトン、アセトン、アセトニトリ
ル等の不活性溶媒中、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウ
ム、ナトリウムアミド等の無機塩基を用い、等量かやや
過剰の一般式(IV)の置換ベンジル誘導体と反応させ
ることにより得られる。また別法としてベンゼン、トル
エン等の有機溶媒と水との2層系で、四級アンモニウム
塩、リン酸塩等の相関移動触媒存在下反応させることも
可能である。反応温度は−30℃から溶媒の沸点まで可
能だが、好ましくは室温から60℃の範囲で反応させる
方が有利である。反応終了後は常法どおり後処理を行
い、再結晶あるいはカラムクロマトグラフィーにより目
的化合物を精製することができる。なお一般式(II)
の化合物のうちR19がアシル基の化合物は、一般式(I
I)の化合物のR19がアルキル基の化合物から周知の一
般的な方法(例えば、Chem.Ind.,27,54
7(1968))により容易に合成できる。
一般式(III)の化合物をn−ヘキサン、ベンゼン、
トルエン、キシレン、ジエチルエ−テル、ジオキサン、
テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、クロルベンゼン、塩化メチレン、クロロ
ホルム、メチルエチルケトン、アセトン、アセトニトリ
ル等の不活性溶媒中、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、
水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水素化ナトリウ
ム、ナトリウムアミド等の無機塩基を用い、等量かやや
過剰の一般式(IV)の置換ベンジル誘導体と反応させ
ることにより得られる。また別法としてベンゼン、トル
エン等の有機溶媒と水との2層系で、四級アンモニウム
塩、リン酸塩等の相関移動触媒存在下反応させることも
可能である。反応温度は−30℃から溶媒の沸点まで可
能だが、好ましくは室温から60℃の範囲で反応させる
方が有利である。反応終了後は常法どおり後処理を行
い、再結晶あるいはカラムクロマトグラフィーにより目
的化合物を精製することができる。なお一般式(II)
の化合物のうちR19がアシル基の化合物は、一般式(I
I)の化合物のR19がアルキル基の化合物から周知の一
般的な方法(例えば、Chem.Ind.,27,54
7(1968))により容易に合成できる。
【0011】ここで得られる一般式(II)の化合物は
R4 が水素原子の場合、原料である一般式(III)の
化合物とほぼ同じ比率のα及びβアノマーの2異性体混
合物になる。これらはシリカゲルクロマトグラフィー等
にて異性体分離が可能であり、分離後次の反応に用いる
ことも可能である。R4 が低級アルキル基の場合は、下
記化学構造式(化6)に示したように4種類のジアステ
レオマーになる。このうち、αとβアノマーに関しては
シリカゲルクロマトグラフィー等にて分離が可能であ
り、分離後次の反応に用いることも可能である。
R4 が水素原子の場合、原料である一般式(III)の
化合物とほぼ同じ比率のα及びβアノマーの2異性体混
合物になる。これらはシリカゲルクロマトグラフィー等
にて異性体分離が可能であり、分離後次の反応に用いる
ことも可能である。R4 が低級アルキル基の場合は、下
記化学構造式(化6)に示したように4種類のジアステ
レオマーになる。このうち、αとβアノマーに関しては
シリカゲルクロマトグラフィー等にて分離が可能であ
り、分離後次の反応に用いることも可能である。
【0012】
【化6】 一般式(I)の化合物は工程Bにより、一般式(II)
の化合物をn−ヘキサン、ニトロベンゼン、クロルベン
ゼン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,
2−ジクロロエタン、二硫化炭素、アセトニトリル等の
不活性溶媒中、四塩化スズ、四塩化チタン、塩化アルミ
ニウム、塩化第二鉄、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル
錯体等のルイス酸あるいは硫酸、硝酸、塩酸、クロロス
ルホン酸、りん酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸等の鉱酸あるいは有機酸存在下に分子
内環化反応させることにより得られる。反応温度は−7
0℃から溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは、比
較的低温域で反応させる方が有利であり、好適な温度
は、−70℃から30℃である。反応終了後は常法どお
り後処理を行い、再結晶あるいはカラムクロマトグラフ
ィーにより精製して目的化合物を得ることができる。こ
こで得られる一般式(I)の化合物はR4 が水素原子の
場合単一の光学活性体であるが、低級アルキル基の場合
下記化学構造式(化7)に示した2つのジアステレオマ
ーとして得られる。
の化合物をn−ヘキサン、ニトロベンゼン、クロルベン
ゼン、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素、1,
2−ジクロロエタン、二硫化炭素、アセトニトリル等の
不活性溶媒中、四塩化スズ、四塩化チタン、塩化アルミ
ニウム、塩化第二鉄、三フッ化ホウ素ジエチルエーテル
錯体等のルイス酸あるいは硫酸、硝酸、塩酸、クロロス
ルホン酸、りん酸、ベンゼンスルホン酸、トリフルオロ
メタンスルホン酸等の鉱酸あるいは有機酸存在下に分子
内環化反応させることにより得られる。反応温度は−7
0℃から溶媒の沸点まで可能であるが、好ましくは、比
較的低温域で反応させる方が有利であり、好適な温度
は、−70℃から30℃である。反応終了後は常法どお
り後処理を行い、再結晶あるいはカラムクロマトグラフ
ィーにより精製して目的化合物を得ることができる。こ
こで得られる一般式(I)の化合物はR4 が水素原子の
場合単一の光学活性体であるが、低級アルキル基の場合
下記化学構造式(化7)に示した2つのジアステレオマ
ーとして得られる。
【0013】
【化7】 このジアステレオマー混合物はシリカゲルクロマトグラ
フィー等にて分離が可能であり、両化合物とも高い除草
活性を有している。また、光学活性な一般式(II)の
化合物を用いることにより望む単一の光学活性体を得る
ことも可能である。光学活性な一般式(II)の化合物
を得るには、例えば工程(A)において光学活性な一般
式(IV)の化合物を反応させることによる。
フィー等にて分離が可能であり、両化合物とも高い除草
活性を有している。また、光学活性な一般式(II)の
化合物を用いることにより望む単一の光学活性体を得る
ことも可能である。光学活性な一般式(II)の化合物
を得るには、例えば工程(A)において光学活性な一般
式(IV)の化合物を反応させることによる。
【0014】R4 が低級アルキル基の場合、得られる2
種のジアステレオマーをシリカゲルクロマトグラフィー
で分離し、シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;
n−ヘキサン:酢酸エチル)で先に溶出したジアステレ
オマーを化合物(一般式(I)−A)、後に溶出したジ
アステレオマーを化合物(一般式(I)−B)とした。
表2に一般式(I)で表される化合物の 1H−NMRを
表示したが、ジアステレオマー(一般式(I)−A)と
(一般式(I)−B)はその5−位のプロトンの帰属か
らも分類が可能である。例えばR4 がメチル基の場合、
5−位のプロトンはジアステレオマー(一般式(I)−
A)では4.6ppm付近に、(一般式(I)−B)で
は5.0ppm付近に観測される。ジアステレオマー
(一般式(I)−A)と(一般式(I)−B)は前述の
ように、いずれも除草活性を有している。
種のジアステレオマーをシリカゲルクロマトグラフィー
で分離し、シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;
n−ヘキサン:酢酸エチル)で先に溶出したジアステレ
オマーを化合物(一般式(I)−A)、後に溶出したジ
アステレオマーを化合物(一般式(I)−B)とした。
表2に一般式(I)で表される化合物の 1H−NMRを
表示したが、ジアステレオマー(一般式(I)−A)と
(一般式(I)−B)はその5−位のプロトンの帰属か
らも分類が可能である。例えばR4 がメチル基の場合、
5−位のプロトンはジアステレオマー(一般式(I)−
A)では4.6ppm付近に、(一般式(I)−B)で
は5.0ppm付近に観測される。ジアステレオマー
(一般式(I)−A)と(一般式(I)−B)は前述の
ように、いずれも除草活性を有している。
【0015】一般式(I)の化合物の別途合成法とし
て、分子内環化反応により得られたフロベンゾピラン誘
導体に対し、新たな置換基の導入あるいは変換を行うこ
とがあげられる。ここで用いられる置換基の導入あるい
は変換は、通常よく知られている有機合成手法で実施で
きる。その1例である前記反応式2、反応式3を、以下
で説明する。
て、分子内環化反応により得られたフロベンゾピラン誘
導体に対し、新たな置換基の導入あるいは変換を行うこ
とがあげられる。ここで用いられる置換基の導入あるい
は変換は、通常よく知られている有機合成手法で実施で
きる。その1例である前記反応式2、反応式3を、以下
で説明する。
【0016】反応式2は、置換基R5 がアミノ誘導体で
ある場合の導入例である。例えば一般式(VI)の化合
物は、分子内環化反応により得られる一般式(V)の化
合物を工程(C)により硝酸と硫酸の混酸等を用いる通
常のニトロ化反応により得られる。ついで置換基R5 が
アミノ基である一般式(VII)の化合物は、工程
(D)により一般式(VI)の化合物を常圧水添反応等
の還元反応を行うことにより得られる。一般式(VII
I)の化合物は、工程(E)により一般式(VII)の
化合物を不活性溶媒中、有機あるいは無機塩基存在下低
級アルキルハライド類あるいは酸クロライド類と反応さ
せることにより容易に得られる。
ある場合の導入例である。例えば一般式(VI)の化合
物は、分子内環化反応により得られる一般式(V)の化
合物を工程(C)により硝酸と硫酸の混酸等を用いる通
常のニトロ化反応により得られる。ついで置換基R5 が
アミノ基である一般式(VII)の化合物は、工程
(D)により一般式(VI)の化合物を常圧水添反応等
の還元反応を行うことにより得られる。一般式(VII
I)の化合物は、工程(E)により一般式(VII)の
化合物を不活性溶媒中、有機あるいは無機塩基存在下低
級アルキルハライド類あるいは酸クロライド類と反応さ
せることにより容易に得られる。
【0017】反応式3には、置換基R5 がカルボン酸誘
導体である場合の置換基導入例を示した。例えば一般式
(X)の化合物は、分子内環化反応により得られる置換
基R 3 の1つがクロロメチル基である一般式(IX)の
化合物を、工程(F)により不活性溶媒中、ソジウムメ
トキシド等の塩基存在下2−ニトロプロパンと反応させ
ることにより得られる。一般式(XI)の化合物は、工
程(G)により一般式(X)の化合物をクロム酸、過酸
化水素等を用いる酸化反応を行うことにより得られる。
一般式(XII)の化合物は、工程(H)により一般式
(X)の化合物を不活性溶媒中、アミン誘導体と脱水反
応を行うことにより得られる。一般式(XIII)の化
合物は、工程(J)により一般式(XI)の化合物をチ
オニルクロライド等を用いて酸クロライドにするか、カ
ルボニルジイミダゾール等を用いてカルボニル基を活性
化した中間体と、不活性溶媒中で無機あるいは有機塩基
存在下にアミン誘導体と反応させることにより得られ
る。なお、一般式(XIII)の化合物でXが硫黄原子
の場合は、Xが酸素原子の化合物をローソン試薬等を用
いて反応させることにより容易に得られる。
導体である場合の置換基導入例を示した。例えば一般式
(X)の化合物は、分子内環化反応により得られる置換
基R 3 の1つがクロロメチル基である一般式(IX)の
化合物を、工程(F)により不活性溶媒中、ソジウムメ
トキシド等の塩基存在下2−ニトロプロパンと反応させ
ることにより得られる。一般式(XI)の化合物は、工
程(G)により一般式(X)の化合物をクロム酸、過酸
化水素等を用いる酸化反応を行うことにより得られる。
一般式(XII)の化合物は、工程(H)により一般式
(X)の化合物を不活性溶媒中、アミン誘導体と脱水反
応を行うことにより得られる。一般式(XIII)の化
合物は、工程(J)により一般式(XI)の化合物をチ
オニルクロライド等を用いて酸クロライドにするか、カ
ルボニルジイミダゾール等を用いてカルボニル基を活性
化した中間体と、不活性溶媒中で無機あるいは有機塩基
存在下にアミン誘導体と反応させることにより得られ
る。なお、一般式(XIII)の化合物でXが硫黄原子
の場合は、Xが酸素原子の化合物をローソン試薬等を用
いて反応させることにより容易に得られる。
【0018】本発明に係わる化合物A、B、Cは何れも
公知化合物でありそれぞれ特開昭55−43014号公
報、特公昭48−35454号公報、特開昭60−17
2910号公報等に開示されており、さらに化合物Aは
一般名ブロモブチドとして、化合物Bはダイムロンとし
て市販され実用に供されている。
公知化合物でありそれぞれ特開昭55−43014号公
報、特公昭48−35454号公報、特開昭60−17
2910号公報等に開示されており、さらに化合物Aは
一般名ブロモブチドとして、化合物Bはダイムロンとし
て市販され実用に供されている。
【0019】一般式(I)で表される化合物群は水田用
除草剤として優れた活性を持ち、特にヒエ、コナギ、一
年生広葉雑草等については活性が高いが、ホタルイ等多
年生雑草に対する効果はやや低い。一方化合物A、B、
Cはホタルイ等カヤツリグサ科雑草に効果が高い除草剤
として知られているが、ヒエや広葉雑草に対する効果が
やや低く、必要とされる有効成分もかなり多い。このよ
うに一般式(I)で表される化合物群及び化合物A、
B、Cはそれぞれ単独での使用では充分満足できる除草
効果が期待できない場合があり、特に化合物A、B、C
は低薬量での使用では高い効果が期待できない。
除草剤として優れた活性を持ち、特にヒエ、コナギ、一
年生広葉雑草等については活性が高いが、ホタルイ等多
年生雑草に対する効果はやや低い。一方化合物A、B、
Cはホタルイ等カヤツリグサ科雑草に効果が高い除草剤
として知られているが、ヒエや広葉雑草に対する効果が
やや低く、必要とされる有効成分もかなり多い。このよ
うに一般式(I)で表される化合物群及び化合物A、
B、Cはそれぞれ単独での使用では充分満足できる除草
効果が期待できない場合があり、特に化合物A、B、C
は低薬量での使用では高い効果が期待できない。
【0020】そこで本発明者らは一般式(I)の化合物
と化合物A、B、Cの混合使用を検討したところ、当初
予想できなかった様な相乗作用を示し、その結果それぞ
れ単独の使用に比べはるかに少量の使用で、水稲に害を
与えることなく、水田の重要雑草を的確にかつ長期間防
除できる除草剤組成物を見いだした。かくして得られる
本発明に係わる除草剤組成物は、処理する植物に対して
原体をそのまま使用しても良いが、一般には不活性な液
体または固体と混合し、通常用いられる製剤形態、たと
えば粉剤、粒剤、水和剤、乳剤、フロアブル製剤等に調
整して使用される。さらに製剤上必要ならば補助剤を添
加することもできる。
と化合物A、B、Cの混合使用を検討したところ、当初
予想できなかった様な相乗作用を示し、その結果それぞ
れ単独の使用に比べはるかに少量の使用で、水稲に害を
与えることなく、水田の重要雑草を的確にかつ長期間防
除できる除草剤組成物を見いだした。かくして得られる
本発明に係わる除草剤組成物は、処理する植物に対して
原体をそのまま使用しても良いが、一般には不活性な液
体または固体と混合し、通常用いられる製剤形態、たと
えば粉剤、粒剤、水和剤、乳剤、フロアブル製剤等に調
整して使用される。さらに製剤上必要ならば補助剤を添
加することもできる。
【0021】担体としては、通常農園芸用薬剤に使用さ
れるものであるならば固体または液体のいずれでも使用
でき、特定の物に限定されるものではない。例えば固体
担体としては、クレー、タルク、ベントナイト、炭酸カ
ルシウム、ケイソウ土、ホワイトカーボン等の如き鉱物
質粉末、大豆粉、デンプンの如き植物性粉末、石油樹
脂、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール
等の如き高分子化合物、尿素、ワックス類等があげられ
る。また液体担体としては各種オイル類、各種有機溶媒
類、水等があげられる。
れるものであるならば固体または液体のいずれでも使用
でき、特定の物に限定されるものではない。例えば固体
担体としては、クレー、タルク、ベントナイト、炭酸カ
ルシウム、ケイソウ土、ホワイトカーボン等の如き鉱物
質粉末、大豆粉、デンプンの如き植物性粉末、石油樹
脂、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール
等の如き高分子化合物、尿素、ワックス類等があげられ
る。また液体担体としては各種オイル類、各種有機溶媒
類、水等があげられる。
【0022】補助剤としては、通常農園芸用薬剤に使用
される界面活性剤、結合剤、安定剤等を必要に応じて単
独または組合せて使用できる。さらに場合によっては防
菌防黴のために工業用殺菌剤、防菌防黴剤を添加するこ
ともできる。界面活性剤としては、非イオン性、陰イオ
ン性、陽イオン性及び両イオン性のものを適宜使用でき
る。好ましい例としては、アルキルフェノール、高級ア
ルコール、アルキルナフトール、高級脂肪酸、脂肪酸エ
ステル、ジアルキルリン酸アミン等にエチレンオキシド
とプロピレンオキシドを重合させたもの、アルキル硫酸
エステル塩(ラウリル硫酸ナトリウム等)、アルキルス
ルホン酸塩(2- エチルヘキセンスルフォン酸ナトリウ
ム等)、アリールスルホン酸塩(リグニンスルホン酸ナ
トリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等)
があげられる。
される界面活性剤、結合剤、安定剤等を必要に応じて単
独または組合せて使用できる。さらに場合によっては防
菌防黴のために工業用殺菌剤、防菌防黴剤を添加するこ
ともできる。界面活性剤としては、非イオン性、陰イオ
ン性、陽イオン性及び両イオン性のものを適宜使用でき
る。好ましい例としては、アルキルフェノール、高級ア
ルコール、アルキルナフトール、高級脂肪酸、脂肪酸エ
ステル、ジアルキルリン酸アミン等にエチレンオキシド
とプロピレンオキシドを重合させたもの、アルキル硫酸
エステル塩(ラウリル硫酸ナトリウム等)、アルキルス
ルホン酸塩(2- エチルヘキセンスルフォン酸ナトリウ
ム等)、アリールスルホン酸塩(リグニンスルホン酸ナ
トリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム等)
があげられる。
【0023】本発明に係わる除草剤組成物の含有成分で
ある一般式(〓)で表されるフロベンゾピラン誘導体と
化合物A、B、Cとの混合割合は広い範囲で優れた除草
効果を期待できる。しかし両者の混合割合は、通常フロ
ベンゾピラン誘導体1重量部に対し、化合物A、B、C
それぞれ0.5〜100重量部、好ましくはフロベンゾ
ピラン誘導体1重量部に対し、化合物A、B、Cそれぞ
れ1〜50重量部である。
ある一般式(〓)で表されるフロベンゾピラン誘導体と
化合物A、B、Cとの混合割合は広い範囲で優れた除草
効果を期待できる。しかし両者の混合割合は、通常フロ
ベンゾピラン誘導体1重量部に対し、化合物A、B、C
それぞれ0.5〜100重量部、好ましくはフロベンゾ
ピラン誘導体1重量部に対し、化合物A、B、Cそれぞ
れ1〜50重量部である。
【0024】本発明に係わる除草剤組成物は、湛水土壌
処理、土壌処理、土壌混層処理、茎葉散布処理等あらゆ
る処理法に於いて有効であるが、湛水土壌処理での使用
が好ましい。施用量としては混合物を、0.001kg
から50kg/haの広い範囲で使用可能であるが、標
準的には0.01kg〜5kg/haの範囲での使用が
好ましい。
処理、土壌処理、土壌混層処理、茎葉散布処理等あらゆ
る処理法に於いて有効であるが、湛水土壌処理での使用
が好ましい。施用量としては混合物を、0.001kg
から50kg/haの広い範囲で使用可能であるが、標
準的には0.01kg〜5kg/haの範囲での使用が
好ましい。
【0025】本発明に係わる除草剤組成物は、他の除草
剤の一種または二種以上、殺虫剤、植物生長調節剤等の
如き農薬、土壌改良剤または肥効性物質と混合使用可能
であるのはもちろんのこと、これらとの混合製剤とする
ことも可能であり、場合によっては相乗効果も期待でき
る。
剤の一種または二種以上、殺虫剤、植物生長調節剤等の
如き農薬、土壌改良剤または肥効性物質と混合使用可能
であるのはもちろんのこと、これらとの混合製剤とする
ことも可能であり、場合によっては相乗効果も期待でき
る。
【0026】
【実施例】次に本発明を実施例によって更に詳細に説明
する。まず、参考例として一般式(I)で表される新規
化合物の製造例を記載する。 参考例1 (2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−6−メ
トキシメチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)−
3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,
2−c][2]ベンゾピラン(化合物番号1)の製造 1)メチル 5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−
(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシドの製造 5−デオキシ−1,2−O−イソプロピリデン−5−C
−メチル−3−O−(2−メチルベンジル)−α−D−
キシロフラノ−ス70.97gをメタノール(300m
l)に溶解した後に、p−トルエンスルホン酸0.5g
を加え10時間加熱還流した。放冷後、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液で反応液を中和し、減圧下溶媒を留去した。
これを水に加え、エーテルと酢酸エチル(1:1)混合
溶媒で抽出した後、有機層を水洗した。これを無水硫酸
ナトリウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去し油状の粗
製物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー(展
開溶媒;n−ヘキサン:酢酸エチル=3:1)にて精製
し、目的化合物64.21gをα体とβ体のアノメリッ
ク混合物として得た。(収率99.2%) 2)メチル 5−デオキシ−2−O−(2−メトキシメ
チルベンジル)−5−C−メチル−3−O−(2−メチ
ルベンジル)−D−キシロフラノシドの製造1)で得た
メチル 5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−(2
−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド25.0g
をテトラヒドロフラン200mlに溶解し、攪拌下に油
性水素化ナトリウム4.44g(流動パラフィン40%
含有品)を徐々に加えた。これにヨウ化テトラブチルア
ンモニウム1.0gと(2−メトキシメチル)ベンジル
ブロミド22.2gを加え、室温で4時間攪拌した。氷
冷下少量の水を加えた後に減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた粗製物を水に加えエーテルで抽出した。有機層を充
分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧下
に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:酢
酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物3
4.7gをα体とβ体のアノメリック混合物として得
た。(収率92.4%) 3)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−6
−メトキシメチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)
−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ
[3,2−c][2]ベンゾピランの製造 2)によって得られたメチル 5−デオキシ−2−O−
(2−メトキシメチルベンジル)−5−C−メチル−3
−O−(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド
(α,β体混合物)0.62gをアセトニトリル10m
lに溶解し氷冷下四塩化スズ(1.0Mのジクロロメタ
ン溶液)4.97mlを加えた。これを室温で3時間攪
拌した後に、氷を入れた飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
に注いだ。有機層を充分に水洗した後無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去して油状の粗製物を
得た。粗製物はシリカゲルクロマトグラフィー(展開溶
媒;n−ヘキサン:酢酸エチル=5:1)にて精製を行
い、目的化合物0.56gを得た(収率98.5%)。
する。まず、参考例として一般式(I)で表される新規
化合物の製造例を記載する。 参考例1 (2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−6−メ
トキシメチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)−
3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,
2−c][2]ベンゾピラン(化合物番号1)の製造 1)メチル 5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−
(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシドの製造 5−デオキシ−1,2−O−イソプロピリデン−5−C
−メチル−3−O−(2−メチルベンジル)−α−D−
キシロフラノ−ス70.97gをメタノール(300m
l)に溶解した後に、p−トルエンスルホン酸0.5g
を加え10時間加熱還流した。放冷後、炭酸水素ナトリ
ウム水溶液で反応液を中和し、減圧下溶媒を留去した。
これを水に加え、エーテルと酢酸エチル(1:1)混合
溶媒で抽出した後、有機層を水洗した。これを無水硫酸
ナトリウムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去し油状の粗
製物を得た。これをシリカゲルクロマトグラフィー(展
開溶媒;n−ヘキサン:酢酸エチル=3:1)にて精製
し、目的化合物64.21gをα体とβ体のアノメリッ
ク混合物として得た。(収率99.2%) 2)メチル 5−デオキシ−2−O−(2−メトキシメ
チルベンジル)−5−C−メチル−3−O−(2−メチ
ルベンジル)−D−キシロフラノシドの製造1)で得た
メチル 5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−(2
−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド25.0g
をテトラヒドロフラン200mlに溶解し、攪拌下に油
性水素化ナトリウム4.44g(流動パラフィン40%
含有品)を徐々に加えた。これにヨウ化テトラブチルア
ンモニウム1.0gと(2−メトキシメチル)ベンジル
ブロミド22.2gを加え、室温で4時間攪拌した。氷
冷下少量の水を加えた後に減圧下に溶媒を留去し、得ら
れた粗製物を水に加えエーテルで抽出した。有機層を充
分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧下
に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:酢
酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物3
4.7gをα体とβ体のアノメリック混合物として得
た。(収率92.4%) 3)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−6
−メトキシメチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)
−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ
[3,2−c][2]ベンゾピランの製造 2)によって得られたメチル 5−デオキシ−2−O−
(2−メトキシメチルベンジル)−5−C−メチル−3
−O−(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド
(α,β体混合物)0.62gをアセトニトリル10m
lに溶解し氷冷下四塩化スズ(1.0Mのジクロロメタ
ン溶液)4.97mlを加えた。これを室温で3時間攪
拌した後に、氷を入れた飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
に注いだ。有機層を充分に水洗した後無水硫酸ナトリウ
ムにて乾燥し、減圧下に溶媒を留去して油状の粗製物を
得た。粗製物はシリカゲルクロマトグラフィー(展開溶
媒;n−ヘキサン:酢酸エチル=5:1)にて精製を行
い、目的化合物0.56gを得た(収率98.5%)。
【0027】参考例2 (2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3−
(2−メチルベンジルオキシ)−6−ホルミル−3,3
a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−
c][2]ベンゾピラン(化合物番号2)の製造 1)メチル 2−O−(2−クロロメチルベンジル)−
5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−(2−メチル
ベンジル)−D−キシロフラノシドの製造 参考例1の1)で得たメチル 5−デオキシ−5−C−
メチル−3−O−(2−メチルベンジル)−D−キシロ
フラノシド2.5gをジメチルホルムアミド15mlに
溶解し、攪拌下に水酸化ナトリウムム0.44gを加え
た。これにα,α’−ジクロロ−o−キシレン1.81
gを加え、40℃で5時間攪拌した。参考例1の2)と
同様の後処理を行うことにより得られる粗製物をシリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:酢
酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物3.
50gをα体とβ体のアノメリック混合物として得た。
(収率92.0%) 2)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3
−(2−メチルベンジルオキシ)−6−クロロメチル−
3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,
2−c][2]ベンゾピランの製造 1)によって得られたメチル 2−O−(2−クロロメ
チルベンジル)−5−デオキシ−5−C−メチル−3−
O−(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド
1.02gをクロロホルム12mlに溶解し氷冷下四塩
化チタン(1.0Mのジクロロメタン溶液)8.17m
lを加えた。これを室温で2時間攪拌した後に、氷を入
れた飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に注いだ。有機層を
充分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧
下に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリ
カゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:
酢酸エチル=5:1)にて精製を行い、目的化合物1.
00gを得た。(収率97.6%) 3)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3
−(2−メチルベンジルオキシ)−6−ホルミル−3,
3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−
c][2]ベンゾピラン(化合物番号2)の製造 2−ニトロプロパン0.4gのメタノール溶液(15m
l)に氷冷下ソジウムメトキシド0.82gを加え、室
温で30分攪拌した後に、2)で得られた(2R,3
S,3aS,9bR)−2−エチル−6−クロロメチル
−3−(2−メチルベンジルオキシ)−3,3a,5,
9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−c][2]
ベンゾピラン1.5gのメタノール溶液(15ml)を
加え3時間還流した。反応液を減圧下で濃縮し、得られ
た残査に水を加えジクロロメタンで抽出した。有機層を
充分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧
下に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリ
カゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:
酢酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物を
1.22g(収率87%)得た。
(2−メチルベンジルオキシ)−6−ホルミル−3,3
a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−
c][2]ベンゾピラン(化合物番号2)の製造 1)メチル 2−O−(2−クロロメチルベンジル)−
5−デオキシ−5−C−メチル−3−O−(2−メチル
ベンジル)−D−キシロフラノシドの製造 参考例1の1)で得たメチル 5−デオキシ−5−C−
メチル−3−O−(2−メチルベンジル)−D−キシロ
フラノシド2.5gをジメチルホルムアミド15mlに
溶解し、攪拌下に水酸化ナトリウムム0.44gを加え
た。これにα,α’−ジクロロ−o−キシレン1.81
gを加え、40℃で5時間攪拌した。参考例1の2)と
同様の後処理を行うことにより得られる粗製物をシリカ
ゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:酢
酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物3.
50gをα体とβ体のアノメリック混合物として得た。
(収率92.0%) 2)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3
−(2−メチルベンジルオキシ)−6−クロロメチル−
3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,
2−c][2]ベンゾピランの製造 1)によって得られたメチル 2−O−(2−クロロメ
チルベンジル)−5−デオキシ−5−C−メチル−3−
O−(2−メチルベンジル)−D−キシロフラノシド
1.02gをクロロホルム12mlに溶解し氷冷下四塩
化チタン(1.0Mのジクロロメタン溶液)8.17m
lを加えた。これを室温で2時間攪拌した後に、氷を入
れた飽和炭酸水素ナトリウム水溶液に注いだ。有機層を
充分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧
下に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリ
カゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:
酢酸エチル=5:1)にて精製を行い、目的化合物1.
00gを得た。(収率97.6%) 3)(2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3
−(2−メチルベンジルオキシ)−6−ホルミル−3,
3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−
c][2]ベンゾピラン(化合物番号2)の製造 2−ニトロプロパン0.4gのメタノール溶液(15m
l)に氷冷下ソジウムメトキシド0.82gを加え、室
温で30分攪拌した後に、2)で得られた(2R,3
S,3aS,9bR)−2−エチル−6−クロロメチル
−3−(2−メチルベンジルオキシ)−3,3a,5,
9b−テトラヒドロ−2H−フロ[3,2−c][2]
ベンゾピラン1.5gのメタノール溶液(15ml)を
加え3時間還流した。反応液を減圧下で濃縮し、得られ
た残査に水を加えジクロロメタンで抽出した。有機層を
充分に水洗した後無水硫酸ナトリウムにて乾燥し、減圧
下に溶媒を留去して油状の粗製物を得た。粗製物はシリ
カゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサン:
酢酸エチル=10:1)にて精製を行い、目的化合物を
1.22g(収率87%)得た。
【0028】参考例3 (2R,3S,3aS,9bR)−2−エチル−3−
(2−メチルベンジルオキシ)−6−(1−ヒドロキシ
エチル)−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−
フロ[3,2−c][2]ベンゾピラン(化合物番号
3)の製造 参考例2によって得られた(2R,3S,3aS,9b
R)−2−エチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)
−6−ホルミル−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−
2H−フロ[3,2−c][2]ベンゾピラン0.6g
をテトラヒドロフラン(10ml)に溶解し、氷冷下メ
チルマグネシウムブロミド(1.0Mのテトラヒドロフ
ラン溶液)3.40mlを滴下した。室温で1時間攪拌
した後に、氷冷した希塩酸に注ぎ酢酸エチルで抽出し
た。有機層を水、ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。これ
を減圧下に溶媒留去し、油状の粗製物を得た。粗製物は
シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサ
ン:酢酸エチル=5:1)にて精製を行い、目的化合物
を0.48g(収率77.4%)得た。参考例1〜3と
同様にして、本発明に係わる一般式(I)で表されるそ
の他の化合物を合成した。これらの化合物を第1表(表
1〜9)に、またそれらの物性値を第2表(表10〜2
8)に示した。
(2−メチルベンジルオキシ)−6−(1−ヒドロキシ
エチル)−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−2H−
フロ[3,2−c][2]ベンゾピラン(化合物番号
3)の製造 参考例2によって得られた(2R,3S,3aS,9b
R)−2−エチル−3−(2−メチルベンジルオキシ)
−6−ホルミル−3,3a,5,9b−テトラヒドロ−
2H−フロ[3,2−c][2]ベンゾピラン0.6g
をテトラヒドロフラン(10ml)に溶解し、氷冷下メ
チルマグネシウムブロミド(1.0Mのテトラヒドロフ
ラン溶液)3.40mlを滴下した。室温で1時間攪拌
した後に、氷冷した希塩酸に注ぎ酢酸エチルで抽出し
た。有機層を水、ついで飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
で洗浄した後、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。これ
を減圧下に溶媒留去し、油状の粗製物を得た。粗製物は
シリカゲルクロマトグラフィー(展開溶媒;n−ヘキサ
ン:酢酸エチル=5:1)にて精製を行い、目的化合物
を0.48g(収率77.4%)得た。参考例1〜3と
同様にして、本発明に係わる一般式(I)で表されるそ
の他の化合物を合成した。これらの化合物を第1表(表
1〜9)に、またそれらの物性値を第2表(表10〜2
8)に示した。
【0029】
【表1】
【0030】
【表2】
【0031】
【表3】
【0032】
【表4】
【0033】
【表5】
【0034】
【表6】
【0035】
【表7】
【0036】
【表8】
【0037】
【表9】
【0038】
【表10】
【0039】
【表11】
【0040】
【表12】
【0041】
【表13】
【0042】
【表14】
【0043】
【表15】
【0044】
【表16】
【0045】
【表17】
【0046】
【表18】
【0047】
【表19】
【0048】
【表20】
【0049】
【表21】
【0050】
【表22】
【0051】
【表23】
【0052】
【表24】
【0053】
【表25】
【0054】
【表26】
【0055】
【表27】
【0056】
【表28】 次に本発明に係わる除草剤の製剤例及び除草活性試験例
を示す。
を示す。
【0057】製剤例1 (水和剤) 一般式(I)の化合物(1):10重量部、化合物
(A):25重量部、ネオペレックス(商品名、花王
製;ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム):2重量
部、ノイゲンEA80(商品名、第一工業製薬製;ポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル):1重量部、
ホワイトカーボン:5重量部および珪藻土57重量部を
よく粉砕混合して水和剤を得た。
(A):25重量部、ネオペレックス(商品名、花王
製;ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム):2重量
部、ノイゲンEA80(商品名、第一工業製薬製;ポリ
オキシエチレンノニルフェニルエーテル):1重量部、
ホワイトカーボン:5重量部および珪藻土57重量部を
よく粉砕混合して水和剤を得た。
【0058】製剤例2 (フロアブル剤) 一般式(I)の化合物(20):5重量部、化合物
(B):20重量部、リグニンスルホン酸ナトリウム:
2重量部、及びポリオキシエチレンアルキルアリールエ
ーテル:1重量部に、水:71.7重量部を加えて混合
しサンドグラインダーを用いて微粉砕した後に、キサン
タンガム:0.3重量部を加えフロアブル剤を得た。
(B):20重量部、リグニンスルホン酸ナトリウム:
2重量部、及びポリオキシエチレンアルキルアリールエ
ーテル:1重量部に、水:71.7重量部を加えて混合
しサンドグラインダーを用いて微粉砕した後に、キサン
タンガム:0.3重量部を加えフロアブル剤を得た。
【0059】製剤例3 (フロアブル剤) 一般式(I)の化合物(131):10重量部と化合物
(A):20重量部、水40重量部に溶解したサンエキ
スP252(商品名、前記と同様):10重量部を湿式
粉砕混合し、その後水19.6重量部に溶解したケルザ
ンS(商品名、ケルコ製;キサンタンガム):0.2重
量部とデルトップ(商品名、武田薬品工業製:有機ヨウ
素系防黴剤):0.2重量部を加えて混合し、フロアブ
ル剤を得た。
(A):20重量部、水40重量部に溶解したサンエキ
スP252(商品名、前記と同様):10重量部を湿式
粉砕混合し、その後水19.6重量部に溶解したケルザ
ンS(商品名、ケルコ製;キサンタンガム):0.2重
量部とデルトップ(商品名、武田薬品工業製:有機ヨウ
素系防黴剤):0.2重量部を加えて混合し、フロアブ
ル剤を得た。
【0060】製剤例4 (粉剤) 一般式(I)の化合物(122):1重量部、化合物
(B):5重量部、エマルゲン910(商品名、花王
製;ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル):
0.5重量部およびカオリンクレー:93.5重量部を
よく粉砕混合して粉剤を得た。
(B):5重量部、エマルゲン910(商品名、花王
製;ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル):
0.5重量部およびカオリンクレー:93.5重量部を
よく粉砕混合して粉剤を得た。
【0061】製剤例5 (粉剤) 一般式(I)の化合物(20):3重量部、化合物
(A):5重量部、リグニンスルホン酸ナトリウム:3
重量部、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテ
ル:2重量部及びクレー:87重量部を混合粉砕して粉
剤を得た。
(A):5重量部、リグニンスルホン酸ナトリウム:3
重量部、ポリオキシエチレンアルキルアリールエーテ
ル:2重量部及びクレー:87重量部を混合粉砕して粉
剤を得た。
【0062】製剤例6 (ドライフロアブル剤) 微粉砕した一般式(I)の化合物(135A):20重
量部、化合物(B):40重量部、アルキルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム:5重量部及びポリプロピレングリ
コールポリエチレングリコールエーテル:35重量部を
混合し、ドライフロアブル剤を得た。
量部、化合物(B):40重量部、アルキルベンゼンス
ルホン酸ナトリウム:5重量部及びポリプロピレングリ
コールポリエチレングリコールエーテル:35重量部を
混合し、ドライフロアブル剤を得た。
【0063】製剤例7 (粒剤) 一般式(I)の化合物(131):3重量部、化合物
(A):5重量部、ネオペレックス(商品名、前記と同
様):2重量部、サンエキスP252(商品名、山陽国
策パルプ製;リグニンスルホン酸ナトリウム):2重量
部、ベントナイト:65重量部およびタルク:23重量
部をよく混合した後、適当量の水を加えて湿潤させ、次
に横押し出し造粒機で押し出し造粒した。これを30〜
60℃で風乾し解砕した後、整粒機で0.3〜2mmに
整粒して粒剤を得た。
(A):5重量部、ネオペレックス(商品名、前記と同
様):2重量部、サンエキスP252(商品名、山陽国
策パルプ製;リグニンスルホン酸ナトリウム):2重量
部、ベントナイト:65重量部およびタルク:23重量
部をよく混合した後、適当量の水を加えて湿潤させ、次
に横押し出し造粒機で押し出し造粒した。これを30〜
60℃で風乾し解砕した後、整粒機で0.3〜2mmに
整粒して粒剤を得た。
【0064】製剤例8 (粒剤) 一般式(I)の化合物(135A)1重量部、化合物
(C):4重量部、ゴーセノール(Gosenol)G
L−05s (日本合成化学製 PVA):2重量部、
サンエキスP252(山陽国策パルプ製リグニンスルホ
ン酸ソーダ):2重量部及びクレー:91重量部を良く
混合した後、適当量の水を加えて湿潤させ、次に横押し
出し造粒機で押し出し造粒した。これを60〜90℃で
風乾し解砕した後、整粒機で0.3〜1mmに整粒して
粒剤を得た。
(C):4重量部、ゴーセノール(Gosenol)G
L−05s (日本合成化学製 PVA):2重量部、
サンエキスP252(山陽国策パルプ製リグニンスルホ
ン酸ソーダ):2重量部及びクレー:91重量部を良く
混合した後、適当量の水を加えて湿潤させ、次に横押し
出し造粒機で押し出し造粒した。これを60〜90℃で
風乾し解砕した後、整粒機で0.3〜1mmに整粒して
粒剤を得た。
【0065】製剤例9 (乳剤) 一般式(I)の化合物(122):5重量部、化合物
(A):10重量部、ソルポール800A(商品名、東
邦化学製;非イオン性界面活性剤と陰イオン性界面活性
剤の混合物):10重量部およびo−キシレン:75重
量部を混合溶解して乳剤を得た。
(A):10重量部、ソルポール800A(商品名、東
邦化学製;非イオン性界面活性剤と陰イオン性界面活性
剤の混合物):10重量部およびo−キシレン:75重
量部を混合溶解して乳剤を得た。
【0066】試験例1 湛水土壌処理試験(発生前処
理) 1/5000アールワグネルポットに土壌を詰め、タイ
ヌビエ、コナギ、ホタルイ、アゼナの種子を播種して湛
水状態とした。これに予め育苗しておいた水稲苗(2〜
3葉期)2本を1株とし、その2株を移植して温室内で
生育させた。1日後(雑草発生前に)、供試組成物の所
定量を前記製剤例7に記載した方法に準じて調製した粒
剤を用いて処理し、30日後に雑草の発生状況及び水稲
に対する薬害状況を観察調査した。その結果を第3表
(表29〜33)に示した。表中、被検植物の被害程度
及び作物に対する薬害程度は、植物の生育状態を無処理
の場合と比較して以下の基準で表示した。
理) 1/5000アールワグネルポットに土壌を詰め、タイ
ヌビエ、コナギ、ホタルイ、アゼナの種子を播種して湛
水状態とした。これに予め育苗しておいた水稲苗(2〜
3葉期)2本を1株とし、その2株を移植して温室内で
生育させた。1日後(雑草発生前に)、供試組成物の所
定量を前記製剤例7に記載した方法に準じて調製した粒
剤を用いて処理し、30日後に雑草の発生状況及び水稲
に対する薬害状況を観察調査した。その結果を第3表
(表29〜33)に示した。表中、被検植物の被害程度
及び作物に対する薬害程度は、植物の生育状態を無処理
の場合と比較して以下の基準で表示した。
【0067】
【表29】
【0068】
【表30】
【0069】
【表31】
【0070】
【表32】
【0071】
【表33】 試験例2 湛水土壌処理試験(生育期処理) 1/5000アールワグネルポットに土壌を詰め、タイ
ヌビエ、コナギ、ホタルイ、アゼナの種子を播種して湛
水状態とした。これに予め育苗しておいた水稲苗(2〜
3葉期)2本を1株とし、その2株を移植して温室内で
生育させた。ヒエが2.5葉になった時に、供試組成物
の所定量を前記製剤例7に記載した方法に準じて調製し
た粒剤を用いて処理し、30日後に雑草の発生状況及び
水稲に対する薬害状況を観察調査した。その結果を第4
表(表34〜38)に示した。表中、被検植物の被害程
度及び作物に対する薬害程度は、試験例1と同様に表示
した。
ヌビエ、コナギ、ホタルイ、アゼナの種子を播種して湛
水状態とした。これに予め育苗しておいた水稲苗(2〜
3葉期)2本を1株とし、その2株を移植して温室内で
生育させた。ヒエが2.5葉になった時に、供試組成物
の所定量を前記製剤例7に記載した方法に準じて調製し
た粒剤を用いて処理し、30日後に雑草の発生状況及び
水稲に対する薬害状況を観察調査した。その結果を第4
表(表34〜38)に示した。表中、被検植物の被害程
度及び作物に対する薬害程度は、試験例1と同様に表示
した。
【0072】表中、被検植物の被害程度及び作物に対す
る薬害程度は、試験例1と同様に表示した。また、混合
による相乗作用をより明確にするために、各混合時に予
想される効果を以下のような式(数1)で計算し、実測
値と共に第5表(表39〜表44)に示した。試験によ
る効果の実測値が計算値を上回れば、相乗的な作用が有
ると判断できる。
る薬害程度は、試験例1と同様に表示した。また、混合
による相乗作用をより明確にするために、各混合時に予
想される効果を以下のような式(数1)で計算し、実測
値と共に第5表(表39〜表44)に示した。試験によ
る効果の実測値が計算値を上回れば、相乗的な作用が有
ると判断できる。
【0073】
【数1】効果の予測に使用した計算式(0から10まで
の段階評価) E=X+Y−(XY/10) X:除草剤Iをαkg/ha使用した時の効果 Y:除草剤IIをβkg/ha使用した時の効果 E:除草剤Iをαkg/ha、除草剤IIをβkg/h
a使用した時に予想される効果 (S.R.Colby.,"Caluculating Synerigistic and Antagon
istic Responses ofHerbicide Combinations" Weeds 1
5, 20-22(1973)参照)
の段階評価) E=X+Y−(XY/10) X:除草剤Iをαkg/ha使用した時の効果 Y:除草剤IIをβkg/ha使用した時の効果 E:除草剤Iをαkg/ha、除草剤IIをβkg/h
a使用した時に予想される効果 (S.R.Colby.,"Caluculating Synerigistic and Antagon
istic Responses ofHerbicide Combinations" Weeds 1
5, 20-22(1973)参照)
【0074】
【表34】
【0075】
【表35】
【0076】
【表36】
【0077】
【表37】
【0078】
【表38】
【0079】
【表39】
【0080】
【表40】
【0081】
【表41】
【0082】
【表42】
【0083】
【表43】
【0084】
【表44】
【0085】
【発明の効果】本発明に係わる除草剤組成物は、一般式
(I)で表されるフロベンゾピラン誘導体、化合物A、
B、Cのそれぞれを単独で使用したときに期待できる除
草効果に比べ、極めて高い相乗性により、より低い薬量
で、水田の重要雑草に長い期間高い効果を発揮してい
る。その結果、本発明に係わる除草剤組成物は1回の処
理で水田の重要雑草を長期間的確に防除でき、水田用除
草剤としての適用性が高く、本発明は極めて有用な除草
剤を提供するものである。
(I)で表されるフロベンゾピラン誘導体、化合物A、
B、Cのそれぞれを単独で使用したときに期待できる除
草効果に比べ、極めて高い相乗性により、より低い薬量
で、水田の重要雑草に長い期間高い効果を発揮してい
る。その結果、本発明に係わる除草剤組成物は1回の処
理で水田の重要雑草を長期間的確に防除でき、水田用除
草剤としての適用性が高く、本発明は極めて有用な除草
剤を提供するものである。
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 (A01N 43/90 47:28) (A01N 43/90 47:30) (72)発明者 新井 清司 千葉県茂原市東郷1144番地 三井東圧化学 株式会社内 (72)発明者 垣元 剛 千葉県茂原市東郷1144番地 三井東圧化学 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】一般式(I)(化1) 【化1】 [式中R1 は低級アルキル基を表し、R2 は低級アルキ
ル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子またはハロゲン
置換低級アルキル基を表し、R3 は低級アルキル基、低
級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン置換低級アル
キル基、フェノキシ基またはベンジルオキシ基を表し、
R4 は水素原子または低級アルキル基を表し、R5 はシ
アノ基、ニトロ基、フェニル基、基−S(O)qR6、基
−0S02R6、基−XC(=O)R6、基−XR7、基−
XCH(R9)C(=O)R8、基−XP(=X)(XR
6)2、基−N(R9)R10、基−N(R9)C(=X)R
11、基−N(R9)SO2R6、基−C(R9)2OR10、
基−CH(R9)S(O)qR6、基−CH(R9)XC
(=0)R11、基−CH(R9)N(R9)R10、基−C
H(R9)N(R9)C(=X)R11、基−CH(R9)
XP(=X)(XR6)2、基−C(=X)R8、基−C
H(XR12)XR13、基−C(=X)N(R14)R15、
基−CH=NR8、基−CH=CR16R17、基−O{C
(R18)2}r−O−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子
を結んで5または6員環を形成する)または基−{C
(R18)2}s−(ベンゼン環上の隣合った炭素原子を結
んで5または6員環を形成する)を表し、{式中R6 は
低級アルキル基または(低級アルキル基、低級アルコキ
シ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基を
表し、R7 は水素原子、ハロゲン置換低級アルキル基ま
たはアルコキシアルキル基を表し、R8 は水素原子、ヒ
ドロキシ基、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級
アルキルチオ基またはフェノキシ基を表し、R9 は水素
原子または低級アルキル基を表し、R10は水素原子、低
級アルキル基、ハロゲン置換低級アルキル基またはアラ
ルキル基を表し、R11は低級アルキル基、ハロゲン置換
低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アルコキシ
基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル基、低
級アルコキシ基、フェノキシ基、低級アルキルアミノ基
またはアニリノ基を表し、R12、R13はそれぞれ水素原
子または低級アルキル基またはR12とR13が一緒になっ
て環化し−(CH2)2−または−(CH2)3−を表し、
R14は水素原子または低級アルキル基を表し、R15は水
素原子、低級アルキル基、(低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン原子で置換されてもよい)フェニル
基またはR14とR15が一緒になって酸素原子、硫黄原子
または窒素原子を含んでいても良い5または6員環を表
し、R16は水素原子、シアノ基または低級アルコキシカ
ルボニル基を表し、R17は水素原子、低級アルキル基、
ニトロ基、シアノ基または低級アルコキシカルボニル基
を表し、R18は水素原子、低級アルキル基またはハロゲ
ン原子を表し、Xは酸素原子または硫黄原子を表し、q
は0〜2の整数を、rは1または2を、sは3または4
を表す。} mは0〜4の整数を、nは0〜2の整数を、pは1〜3
の整数を表し、m、nおよびpが2以上の時、R2 、R
3 およびR5 はそれぞれ同じでも異なっていても良
い。]で表されるフロベンゾピラン誘導体の少なくとも
1種以上と、2−ブロモ−N−(α,α−ジメチルベン
ジル)−3,3−ジメチル ブチルアミド、1−(α,
α−ジメチルベンジル)−3−(4−メチルフェニル)
ウレアおよび1−(α,α−ジメチルベンジル)−3−
(2−クロロベンジル)ウレアから選ばれた少なくとも
一種以上を有効成分として含有することを特徴とする水
田用除草剤組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7073632A JPH08268812A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 水田用除草剤組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7073632A JPH08268812A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 水田用除草剤組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08268812A true JPH08268812A (ja) | 1996-10-15 |
Family
ID=13523887
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7073632A Pending JPH08268812A (ja) | 1995-03-30 | 1995-03-30 | 水田用除草剤組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08268812A (ja) |
-
1995
- 1995-03-30 JP JP7073632A patent/JPH08268812A/ja active Pending
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