JPH08268791A

JPH08268791A - 縦型結晶成長方法およびそれに使用される結晶成長容器

Info

Publication number: JPH08268791A
Application number: JP7547795A
Authority: JP
Inventors: Tomoki Inada; 知己稲田; Michinori Wachi; 三千則和地
Original assignee: Hitachi Cable Ltd
Current assignee: Hitachi Cable Ltd
Priority date: 1995-03-31
Filing date: 1995-03-31
Publication date: 1996-10-15
Anticipated expiration: 2017-01-28
Also published as: JP3250409B2

Abstract

(57)【要約】【目的】単結晶成長に最適な縦型結晶成長方法および
それに使用される結晶成長容器を提供する。【構成】容器１内に収容された結晶融液を融液下方に
配した種結晶３から徐々に断面積を増加させた後略その
断面形状が一定となるように下方より固化させる縦型結
晶成長方法において、容器１を窒化ホウ素を主組成とし
て気相成長法により形成し、容器１の配向度を上下方向
で漸次異ならせたことを特徴としている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、縦型結晶成長方法およ
びそれに使用される結晶成長容器に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、集積回路の需要の増加に伴い、化
合物半導体デバイスの需要も増加している。化合物半導
体デバイスを製造する上で化合物半導体の結晶が不可欠
である。化合物半導体の結晶を製造する方法として縦型
ブリッジマン法や縦型徐冷法が挙げられる。

【０００３】これらの方法の特徴として定形の結晶、特
に円柱状の単結晶が比較的小型の設備で作製できるこ
と、結晶成長が容易であることから、半導体製造産業分
野や学術研究分野で古くから広く行われている。例え
ば、発光ダイオード、レーザダイオード、電界効果トラ
ンジスタ、集積回路等の工業上重要な製品に使用される
ＧａＡｓ結晶もこの製法で作られている。

【０００４】縦型成長法は、容器（ルツボ）内に収容さ
れた結晶融液を融液下方に配した種結晶から徐々に断面
積（径、あるいは幅）を増加させた後断面形状が略一定
となるように下方より固化させる容器内での成長法であ
る。

【０００５】この方法では、容器に供される材料として
耐熱性、成形性、目的とする結晶材料との反応性の観点
から、結晶に応じて石英ガラス、窒化ケイ素、窒化ホウ
素、アルミナ、白金などが使用されている。このうち窒
化ホウ素からなるルツボでは、気相成長法により作製さ
れるｐＢＮ（パイロリティックＢＮ）ルツボがＧａＡｓ
やＩｎＰ等のIII-Ｖ族化合物半導体やＺｎＳｅやＺｎＳ
等のII−VI族化合物半導体結晶の縦型成長用に使用され
ている。このルツボは、高純度の三塩化ホウ素ガスや三
フッ化物ホウ素ガスと同じく高純度のアンモニアガスと
の直接反応により精製されるため高純度であり、また薄
膜が密に配向した構造となっていることから肉薄の割り
に機械的な強度が高いなどの特徴を有している。このた
めルツボとの反応性の小さい高純度結晶の製造に使用さ
れている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところで上述した材料
の結晶成長にｐＢＮルツボを使用する場合、最大の隘路
は単結晶の成長にある。前述した結晶は、その多くが臨
界剪断応力が小さいため結晶欠陥である転位が発生しや
すい。そのため転位の集積により多結晶化しやすい。ま
た、積層欠陥エネルギーが小さいため双晶が発生しやす
いなど、単結晶化が極めて難しい。これらの問題を解決
するには、容器を収容する炉内の温度分布の調整が必要
である。そのため、固液界面形状を成長方向にやや突き
出した凸形状になるように融液の熱流を制御することが
行われている。

【０００７】しかし、固液界面形状は成長中に多種多様
な変化をするため、融液の熱流を制御するだけでは不十
分である。すなわち、結晶に接しているルツボ材を介し
た熱流の制御を行うことが必要である。

【０００８】ｐＢＮルツボは結晶軸のｃ軸（ルツボの面
の長さ方向に平行な軸）と、ａ軸（ルツボの面の厚さ方
向の軸）の熱伝導度ではｃ軸の方が大きいという特異性
を持ちながらも、従来はあまりルツボ材による結晶の温
度分布への影響については、縦型成長法の結晶成長では
殆ど検討されていなかった。それは、一般にｐＢＮルツ
ボは１ｍｍ程度の厚さしかなく、その程度では巨視的、
微視的な熱流の変化は小さいと考えられてきたためであ
る。

【０００９】従来はｐＢＮルツボの開発に関しては、単
結晶を阻害するもうひとつの要因であるルツボと結晶の
「ぬれ」の改善が注力されていた。ぬれ性は高価なルツ
ボの寿命を左右する重要な要因でもある。「ぬれ」の改
善ではルツボ内壁の処理方法や内面の微細構造に関する
発明がなされている。

【００１０】ルツボ特性に関しては、引上法による結晶
成長においてルツボ材の特性に関する発明がなされてい
る、縦型成長法を同じく単結晶を得る目的の成長法では
あるが熱流の挙動が両者では全く異なるため参考とはな
らない。すなわち、引上法では融液を収容することを目
的としてルツボが使用されるが、縦型成長法では結晶成
長容器としてルツボが使用される点が大きな相違点であ
る。また、縦型成長法において、熱流制御の目的でルツ
ボの厚さや形状を変化させる方法が多く発明されている
が、特殊な製造法を必要とするかあるいは副次的な加工
が必要になる程経済性の点で大きな欠点を有する。

【００１１】したがって、縦型成長法に特有な熱流を制
御するための新たな特性を有するルツボの開発が必要で
ある。

【００１２】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、単結晶成長に最適な縦型結晶成長方法およびそれに
使用される結晶成長容器を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の縦型結晶成長方法は、容器内に収容された結
晶融液を融液下方に配した種結晶から徐々に断面積を増
加させた後略その断面形状が一定となるように下方より
固化させる縦型結晶成長方法において、容器を窒化ホウ
素を主組成として気相成長法により形成し、容器の配向
度を上下方向で漸次異ならせたものである。

【００１４】本発明は上記構成に加え、配向度を、種結
晶と結晶本体とが接触する部位に応答する容器下部の配
向度を１とした場合に、結晶の断面形状が略一定となる
部位の下端に相当する容器の部位で３倍以上となるよう
に下方より徐々に配向度を増加させ、さらに結晶の断面
形状が略一定の形状となっている部分の上端に相当する
容器の部位で４倍以上となるように下方より徐々に増加
させたものである。

【００１５】本発明は上記構成に加え、配向度を、種結
晶と結晶本体とが接触する部位に相当する容器下部の配
向度を１とした場合に、結晶の断面形状が略一定となる
部位の下端に相当する容器の部位で１／３倍以下となる
ように下方より徐々に配向度を低下させ、さらに結晶の
断面形状が略一定となる部分の上端に相当する容器の部
位で１／４倍以下となるように徐々に低下させたもので
ある。

【００１６】本発明の結晶成長容器は、容器内に収容さ
れた結晶融液を融液下方に配した種結晶から徐々に断面
積を増加させた後略その断面形状が一定となるように下
方より固化させる縦型結晶成長に用いる結晶成長容器に
おいて、種結晶を収容する種結晶収容部と、この種結晶
収容部から徐々に上方に断面積が増加するように形成さ
れた肩部と、肩部の上方にその断面形状が一定となるよ
うに形成された胴部とからなり、窒化ホウ素を主組成と
して配向度を上下方向で漸次異ならせたものである。

【００１７】

【作用】ルツボの特性と縦型成長法での結晶成長の単結
晶化の相関について研究したところ、ルツボの配向度と
単結晶化率との間に相関があることを発見し、本発明に
至った。すなわち、ルツボの配向度を、ルツボ下部から
上部にかけて徐々に高配向度となるようにするか、ある
いは徐々に低高配度となるようにすると、極めて単結晶
化率が高くなる傾向をもち、さらに配向度分布を形状に
合わせて規定することで略完全に再現性よく単結晶が得
られることを見出した。

【００１８】ｐＢＮルツボの配向度は、作製中の炉内温
度分布、原料ガスの流量、ルツボ薄膜の成長速度などを
制御することにより変化させることができ、Ｘ線回折法
で測定される。測定は、まずａ軸とｃ軸とについて結晶
の回折面の（００２）面の回折強度と（１００）面のＸ
線回折強度とを測定し、その強度比を求める。ａ軸方向
の強度比を（Ｉ₀₀₂／Ｉ₁₀₀）ａとし、ｃ軸方向の強度
比を（Ｉ₀₀₂／Ｉ₁₀ ₀）ａとすると、配向度は｛（Ｉ
₀₀₂／Ｉ₁₀₀）ａ／（Ｉ₀₀₂／Ｉ₁₀₀）ｃ｝で定義され
る。

【００１９】縦型成長法に供されるｐＢＮルツボは、一
般に図２に示すような形状を有している。ルツボ下部に
種結晶を収容する円柱状の「種結晶収容部」があり、そ
の上部に徐々に幅の広がった結晶の「肩部」に相当する
部分があり、さらにその上部の結晶の製品ウエハを採取
できる略一定形状の「胴部」からなる。「肩部」は円柱
状の結晶では円錘、多角形結晶ではなだらかに幅を広げ
る形状をしており、「胴部」は円柱状の結晶では一定
径、多角結晶では一定幅となっている。「種結晶収容
部」は一体化しているものと、最下端を開放させキャッ
プをはめるものとがある。

【００２０】本発明ではｐＢＮルツボの「肩部」の下端
より上部へ徐々に配向度を増加させるか、あるいは減少
させ、さらに「胴部」においても下端より上部へ徐々に
配向度を増加させるか、あるいは減少させる構造とする
ことに特徴がある。

【００２１】配向度は、種結晶と「肩部」の接点位置に
相当する部位の容器下部の配向度を「１」とした場合
に、「胴部」の下端に相当する容器の部位において３倍
以上となるように下方より徐々に配向度を増加させ、さ
らに結晶が略一定の形状になっている部分の上端に相当
する容器の部位では４倍以上となるように下方より徐々
に配向度を増加させることにより形成されるか、あるい
は「胴部」の下端に相当する容器の部位において１／３
倍以下となるように下方より徐々に配向度を減少させ、
さらに結晶が略一定の形状になっている部分の上端に相
当する容器の部位では１／４倍以下となるように下方よ
り徐々に配向度を減少させることにより形成される。

【００２２】通常、上述した定義に基づいて測定された
配向度は、通常は基準位置で１０〜２０（４０〜８０）
の値となる。従って「肩部」終端で３０〜６０以上（１
３〜２７以下）となり、「胴部」終端では４０〜８０
（１０〜２０以下）となるが、数値そのものを制限する
ものではなく、基準位置に対する比の値および下方より
徐々に高配向度（低配向度）となる分布を満たすことが
要件である。

【００２３】ｐＢＮルツボは、一般に高純度の三塩化ホ
ウ素ガスや三フッ化ホウ素と、同じく高純度のアンモニ
アガスとの直接反応により精製されるが、特にその原料
ガス、製法を規定するものではなく、得られたルツボの
配向度のみを規定する。

【００２４】種結晶収容部の配向度は、下部から順に高
配向度となるか、あるいは下部から順に低配向度となる
ことが好ましいが、特に限定されるものではない。

【００２５】単結晶成長において重要な点は、いかにす
れば固液界面を理想形状の成長方向に凸−縦型成長法で
は上方に凸−の形状にすることができるかということで
ある。固液界面形状は、融液内の等温線を意味し、熱流
は等温線に垂直に流れることから、縦型成長法で凸形状
とするには、下部より固化する結晶の中心部に向かう熱
流を制御しなければならない。そのために、通常上部よ
り下部、外周より中心の温度をそれぞれ低くする工夫が
なされている。これには、すでに述べたように制御の限
界がある。

【００２６】そこでｐＢＮルツボの配向度を下方より徐
々に増加させた場合には、種結晶から肩部の部位での熱
流の制御が上部より相対的に良くなり、また、胴部でも
上部より下部の熱流の制御がよくなるため、その結果下
部の中心部への熱流が増大傾向を示すと考えられる。そ
れにより界面形状が凸状に保たれやすくなる。

【００２７】この現象をルツボの配向度と対比させて説
明する。

【００２８】一般に配向度が高くなると、輻射熱の熱流
が悪くなり熱流の制御が困難となる。換言すると配向度
の低い部分は輻射熱の流出流入が良くなり、このため所
定の温度分布が作りやすくなる。その結果、単結晶成長
に必要な形状を維持できるのでないかと考えられる。

【００２９】配向度を、種結晶と「肩部」の接点位置に
相当する部位の容器下部の配向度を「１」とした場合
に、「胴部」の下端に相当する容器の部位において３倍
以上（１／３倍以下）となるように下方より徐々に配向
度を増加（減少）させるようにしたのは、「肩部」より
も種結晶側に３倍以上の相対差をつけないと、種結晶側
の冷却効果が小さく、熱流の制御性が悪くなり、固液界
面形状が凸状になりにくくなり単結晶化が困難であるた
めである。

【００３０】さらに「胴部」の一定の形状になっている
部分の上端に相当する容器の部位で４倍以上となるよう
に下方より徐々に配向度を増加させたのは、せっかく肩
部で理想形状となってもそれが維持できずに、結果とし
て多結晶となってしまうからである。

【００３１】また、一般に高配向度となるとｃ軸方向の
熱伝導が良くなると考えられ、輻射の透過率が下がるこ
とが考えられる。そこでｐＢＮルツボの配向度を下方よ
り徐々に減少させた場合には、種結晶から肩部の部位が
上部より相対的に冷却されやすくなる。また、胴部でも
上部より下部の方が冷却されやすくなる。その結果、下
部の中心部への熱流が増大傾向を示すと考えられる。そ
れにより界面形状が凸に保たれ易くなる。この場合温度
の制御性は悪化する場合が考えられるが、相補的な効果
以上の界面形状の改善が図られる。

【００３２】この配向度を、種結晶と「肩部」の接点位
置に相当する部位の容器下部の配向度を「１」とした場
合に、「胴部」の下端に相当する容器の部位において１
／３倍以下となるように下方より徐々に配向度を低下さ
せるようにしたのは、肩部よりも種結晶側に３倍以上の
相対差をつけないと、種結晶側の冷却効果が小さく、固
液界面形状が凸となりにくく単結晶化が困難であるから
である。更に「胴部」の一定の形状になっている部分の
上端に相当する容器の部位に対し種結晶が４倍以上の相
対差がつくように下方より徐々に配向度を低下させるこ
ととしたのは、せっかく肩部で理想形状となっても、よ
り下部が冷却されないと理想形状が胴部で維持できずに
結果として多結晶となってしまうからである。

【００３３】現在、縦型成長用ｐＢＮルツボは、径２イ
ンチから４インチまでが製品化されているが、本発明の
要件はルツボ径によらず成り立つことが分かった。ま
た、６インチ径までのルツボを試作したところ本発明の
要件が適用できることが分かった。これは、縦型成長法
ではルツボ長さ方向の熱流制御が支配的であることによ
ると考えられる。

【００３４】

【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面に基づい
て詳述する。

【００３５】（実施例１）図１は本発明の縦型結晶成長
方法の一実施例を説明するための説明図であり、図２は
図１に示した容器の拡大断面図である。

【００３６】図１において、１はルツボであり、ルツボ
１内にはＧａＡｓ結晶２が収容されており、ＧａＡｓ結
晶２の下方には種結晶３が収容されている。ルツボ１は
ルツボ支持台４で石英アンプル５の中央部に支持されて
いる。石英アンプル５の底部には砒素６が配置されてい
る。石英アンプル５の外周上側には高温ヒータ７が配置
され、石英アンプル５の外周下側には低温ヒータ８が配
置されている。

【００３７】図１および図２に示すように結晶成長容器
としてのルツボ１は、ｐＢＮからなる円筒状に形成され
ており、種結晶３を収容する種結晶収容部１０と、この
種結晶収容部１０から徐々に上方に断面積が増加するよ
うに形成された肩部１１と、肩部１１の上方にその断面
形状が一定となるように形成された胴部１２とで構成さ
れている。

【００３８】種結晶収容部１０の長さは４０ｍｍ、肩部
１１の長さは３０ｍｍ、胴部１２の長さは４００ｍｍ、
胴部１２の内径は約７８ｍｍ、厚さは約１ｍｍであるが
限定されるものではない。

【００３９】このようなルツボ１を使用してＧａＡｓの
単結晶を作成した。使用したｐＢＮルツボ１の配向度の
測定結果を表１および表２に示す。

【００４０】

【表１】

【００４１】

【表２】

【００４２】注１：測定部位ｂの配向度を「１」とした
ときの各部位ａ〜ｆの配向度との比注２：図２の測定部位ａ〜ｆに対応注３：測定部位ｂの配向度を「１」としたときの各部位
ａ〜ｆの配向度との比注４：図２の測定部位ａ〜ｆに対応内径１００ｍｍ、長さ１０００ｍｍの石英アンプル５に
図１に示すように上部に２００ｍｍ程度の空間をあけ
て、ルツボ支持台４に配したＧａＡｓ結晶と種結晶とを
収容したｐＢＮルツボ１を設置し、石英アンプル５の下
部に砒素６を配して、全体を高真空に排気した後、石英
アンプル５を溶接で封じ、高温ヒータ７および低温ヒー
タ８からなる炉内にセットした。

【００４３】ＧａＡｓ結晶は予め合成した無添加のＧａ
Ａｓ多結晶を６８００ｇを使用した。種結晶は水平面が
（１００）面である。石英アンプル５内の砒素ガス圧を
補償しアンプルの変形を防止するため、６ナイングレー
ド（純度９９．９９９９％）５０ｇの砒素６を石英アン
プル５下部に配し、この部分は低温ヒータ８で約６００
℃に加熱した。

【００４４】以上の配置で縦型ブリッジマン法で石英ア
ンプル５を毎時８ｍｍの速度で下方に移動し、ルツボ１
内で種結晶３から徐々に固化させたところ、（１００）
方向に成長された約３インチ径で定径部長さ約２５０ｍ
ｍのＧａＡｓ単結晶を成長させることができた。結晶の
欠陥を調べたところ、多結晶の粒塊や双晶あるいは転位
の集積部は見られず良好な単結晶が得られた。

【００４５】（実施例２）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。結果は表１に示す
ように良好であった。

【００４６】（実施例３）実施例１と全く同一条件で、
種結晶部のみルツボの配向度を変えて成長させた。結果
は表１に示すように良好であった。

【００４７】（比較例１）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ肩部の配向
度が本発明の要件からはずれる配向度である。結果は表
１に示すように単結晶化率が甚だしく悪化することが分
かった。

【００４８】（比較例２）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ胴部の配向
度が本発明の要件からはずれる配向度である。結果は表
１に示すように単結晶化率が甚だしく悪化することが分
かった。

【００４９】（比較例３）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ全体の配向
度が本発明の要件からはずれる配向度である。結果は表
１に示すように単結晶化率が甚だしく悪化することが分
かった。

【００５０】（実施例４）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。結果は表２に示す
ように良好であった。

【００５１】（実施例５）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。結果は表２に示す
ように良好であった。

【００５２】（実施例６）実施例１と全く同一条件で、
種結晶部のルツボの配向度を変えて成長させた。結果は
表２に示すように良好であった。

【００５３】（比較例４）実施例１と全く同一条件で、
種結晶部のルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ
肩部の配向度が本発明の要件からはずれる配向度であ
る。結果は表２に示すように単結晶化率が甚だしく悪化
することがわかった。

【００５４】（比較例５）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ胴部の配向
度が本発明の要件からはずれる配向度である。結果は表
２に示すように単結晶化率が甚だしく悪化することが分
かった。

【００５５】（比較例６）実施例１と全く同一条件で、
ルツボの配向度を変えて成長させた。ルツボ全体の配向
度が本発明の要件からはずれる配向度である。結果は表
２に示すように単結晶化率が甚だしく悪化することが分
かった。

【００５６】（最適条件の根拠）以上の結果から縦型成
長法の一種である縦型ブリッジマン法で、本発明の要件
において良好な単結晶が得られることが確認できた。

【００５７】尚、ＧａＡｓ材料にＳｉを添加して、キャ
リア濃度１×１０¹⁷〜８×１０¹⁸ｃｍ^-3までのｎ型結晶
を本発明の要件の配向度を有するルツボで結晶成長させ
ても良好な単結晶化率が得られた。また、ＧａＡｓ材料
に亜鉛Ｚｎを添加して、キャリア濃度５×１０¹⁷〜５×
１０¹⁸ｃｍ^-3までのｐ型ＧａＡｓ結晶を本発明の要件の
配向度を有するルツボで結晶成長させても良好な単結晶
化率が得られた。このことから、ｎ、ｐ型の電気特性に
よらず適用できることを確認した。

【００５８】また、結晶融液表面に約２ｍｍの三酸化ホ
ウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を加え、比抵抗１×１０⁷Ω・ｃｍの
半絶縁性ＧａＡｓ結晶を本発明の要件の配向度を有する
ルツボで結晶成長させても良好な単結晶化率が得られ
た。このことから、三酸化ホウ素の添加の有無によら
ず、また、電気特性によらず適用できることを確認し
た。

【００５９】結晶成長法としてアンプルではなく炉体を
上方に移動する縦型ブリッジマン法や、アンプル位置を
移動させず炉体温度を徐冷することで結晶成長させる縦
型徐冷法（ＶＧＦ法）でも全く同一の結果が得られた。
いわゆる縦型成長法での本発明の要件の妥当性が検証で
きた。

【００６０】本発明による方法で得られるＧａＡｓ結晶
は、従来法よりも単結晶化率が高いだけでなく、従来法
で得られた単結晶に比べ転位の集積部が少ない傾向があ
る。これは、温度分布がより精密に制御されたことに基
づくと考えられる。本発明で得られるＧａＡｓ結晶ウエ
ハは、これを用いて素子を作製した場合、転位に基づく
素子歩留の低下が防止される。

【００６１】また、ｐＢＮルツボの形状に関しては、様
々な発明がなされているが、本発明はそれらの要件を阻
害するものではなく、それらの形状においても極めて高
い効果が期待される。

【００６２】ＧａＡｓの材料もＧａもＡｓも貴重な資源
であり、高純度に精製されるため高価である。本発明で
はＧａＡｓ単結晶を再現性よく製造できるため、資源の
有効活用、ＧａＡｓ結晶ウエハのコスト低減等、地球環
境、工業生産で経済効果を発揮する。

【００６３】

【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。

【００６４】縦型結晶成長方法で用いられる容器を、窒
化ホウ素を主組成として気相成長法により形成し、その
容器の配向度を上下方向で漸次異ならせたので、単結晶
成長が最適化されて良好な単結晶が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の縦型結晶成長方法の一実施例を説明す
るための説明図である。

【図２】図１に示した容器の拡大断面図である。

【符号の説明】

１容器（ルツボ）２ＧａＡｓ結晶３種結晶４ルツボ支持台５石英アンプル６砒素７高温ヒータ８低温ヒータ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】容器内に収容された結晶融液を融液下方
に配した種結晶から徐々に断面積を増加させた後略その
断面形状が一定となるように下方より固化させる縦型結
晶成長方法において、上記容器を窒化ホウ素を主組成と
して気相成長法により形成し、上記容器の配向度を上下
方向で漸次異ならせたことを特徴とする縦型結晶成長方
法。
【請求項２】上記配向度を、種結晶と結晶本体とが接
触する部位に応答する容器下部の配向度を１とした場合
に、結晶の断面形状が略一定となる部位の下端に相当す
る容器の部位で３倍以上となるように下方より徐々に配
向度を増加させ、さらに結晶の断面形状が略一定の形状
となっている部分の上端に相当する容器の部位で４倍以
上となるように下方より徐々に増加させた請求項１記載
の縦型結晶成長方法。
【請求項３】上記配向度を、種結晶と結晶本体とが接
触する部位に相当する容器下部の配向度を１とした場合
に、結晶の断面形状が略一定となる部位の下端に相当す
る容器の部位で１／３倍以下となるように下方より徐々
に配向度を低下させ、さらに結晶の断面形状が略一定と
なる部分の上端に相当する容器の部位で１／４倍以下と
なるように徐々に低下させた請求項１記載の縦型結晶成
長方法。
【請求項４】容器内に収容された結晶融液を融液下方
に配した種結晶から徐々に断面積を増加させた後略その
断面形状が一定となるように下方より固化させる縦型結
晶成長に用いる結晶成長容器において、種結晶を収容す
る種結晶収容部と、この種結晶収容部から徐々に上方に
断面積が増加するように形成された肩部と、肩部の上方
にその断面形状が一定となるように形成された胴部とか
らなり、窒化ホウ素を主組成として配向度を上下方向で
漸次異ならせたことを特徴とする結晶成長容器。