JPH08264991A - Transparent electromagnetic wave shield substrate - Google Patents
Transparent electromagnetic wave shield substrateInfo
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- JPH08264991A JPH08264991A JP7088796A JP8879695A JPH08264991A JP H08264991 A JPH08264991 A JP H08264991A JP 7088796 A JP7088796 A JP 7088796A JP 8879695 A JP8879695 A JP 8879695A JP H08264991 A JPH08264991 A JP H08264991A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、電磁波を遮断して電磁
波障害（ＥＭＩ）を防止する電磁波シールド基板に係
り、特に、各種ディスプレイの表示画面表面や建築用窓
等に適用されてその透明性を損なうことなく、高い電磁
波シールド効果を長期間に亘って安定して発揮できる電
磁波シールド基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic wave shield substrate that blocks electromagnetic waves to prevent electromagnetic interference (EMI), and is particularly applied to the display screen surface of various displays, windows for construction, etc. The present invention relates to an electromagnetic wave shield substrate that can stably exhibit a high electromagnetic wave shield effect over a long period of time without damaging the above.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年の電子機器の発達に伴い、これら電
子機器が外部電磁波から悪影響を受けて誤動作を引起こ
す問題が懸念されており、これら電子機器を外部電磁波
から保護したり電子機器から発生する電磁波を遮断する
電磁波シールド技術が注目を集めている。2. Description of the Related Art With the recent development of electronic devices, there is a concern that these electronic devices may be adversely affected by external electromagnetic waves and cause malfunctions. These electronic devices may be protected from external electromagnetic waves or generated from electronic devices. The electromagnetic wave shield technology for blocking the generated electromagnetic waves has been attracting attention.
【０００３】この電磁波シールド効果は一般に下記
（１）式で表現される。すなわち、この式から分かるよ
うに電磁波シールド効果はその材料の導電性に関連して
おり、近年の高い要求（３０ｄＢ程度の電磁波シールド
効果）に応えるためには５Ω／□程度の低い表面抵抗率
が求められている。This electromagnetic wave shielding effect is generally expressed by the following equation (1). That is, as can be seen from this equation, the electromagnetic wave shielding effect is related to the conductivity of the material, and in order to meet the recent high demand (electromagnetic wave shielding effect of about 30 dB), a low surface resistivity of about 5Ω / □ is required. It has been demanded.
【０００４】 電磁波シールド効果（ｄＢ）＝２０×log（Ｅｉ／Ｅｔ） （１） （但し、式中、Ｅｉは電磁波シールド材料に入射した電
磁波の電界強度、Ｅｔはこの電磁波シールド材料を透過
した電磁波の電界強度をそれぞれ示す） このため、従来、電磁波シールド技術としては、金属
箔、導電性塗料の塗膜、あるいは溶射された亜鉛膜等の
高導電膜を利用する方法が知られており、例えば、電子
機器の箱体にこれら導電膜を施して電子機器を外部電磁
波から保護したり、電子機器から発生する電磁波の外部
への漏出を防止している。Electromagnetic wave shield effect (dB) = 20 × log (Ei / Et) (1) (where, Ei is the electric field strength of the electromagnetic wave incident on the electromagnetic wave shield material, and Et is the electromagnetic wave transmitted through this electromagnetic wave shield material. Therefore, conventionally, as an electromagnetic wave shielding technique, a method of using a metal foil, a coating film of a conductive paint, or a high conductive film such as a sprayed zinc film is known. By applying these conductive films to the box of the electronic device, the electronic device is protected from external electromagnetic waves and the electromagnetic waves generated from the electronic devices are prevented from leaking to the outside.
【０００５】他方、透明性が要求される部位（例えば、
各種ディスプレイの表示画面）からの電磁波の透過を防
止する方法としては、透明導電膜として知られるＩＴＯ
薄膜を適用する方法が提案されている（例えば、特開昭
６２−２１５２０２号公報、Thin Solid Film 226(199
3) 104-109 参照）が、これらに適用されるＩＴＯ薄膜
の比抵抗はせいぜい２．４×１０-4Ω・cmに過ぎない。
このため、厚さ３００ｎｍ程度のＩＴＯ薄膜を適用する
特開昭６２−２１５２０２号記載の発明においては十分
な電磁波シールド効果を得ることができず、他方、厚み
１０００ｎｍのＩＴＯ薄膜を適用する『Thin Solid Fil
m 226(1993) 104-109 』に記載の手段においても、２３
ｄＢ程度の電磁波シールド効果が得られるものの、可視
光線透過率が７５％まで低下しその透明性を犠牲にして
いる。また、ＩＴＯ薄膜は高い屈折率を有するためこの
表面の光反射率が高く、各種ディスプレイの表示画面表
面にＩＴＯ薄膜を適用した場合、蛍光灯等の外部光源が
表示画面中に映り込んでその視認性を低下させ易かっ
た。On the other hand, a portion where transparency is required (for example,
As a method for preventing the transmission of electromagnetic waves from the display screens of various displays, ITO known as a transparent conductive film is used.
A method of applying a thin film has been proposed (for example, JP-A-62-215202, Thin Solid Film 226 (199).
3) See 104-109), but the resistivity of the ITO thin film applied to them is at most 2.4 × 10 −4 Ω · cm.
Therefore, in the invention described in JP-A-62-215202 in which an ITO thin film having a thickness of about 300 nm is applied, a sufficient electromagnetic wave shielding effect cannot be obtained, while on the other hand, an ITO thin film having a thickness of 1000 nm is applied to "Thin Solid". Fil
m 226 (1993) 104-109 ”.
Although an electromagnetic wave shielding effect of about dB can be obtained, the visible light transmittance is reduced to 75%, but its transparency is sacrificed. Also, since the ITO thin film has a high refractive index, the light reflectance of this surface is high, and when the ITO thin film is applied to the display screen surface of various displays, an external light source such as a fluorescent lamp is reflected in the display screen and its visibility It was easy to reduce the sex.
【０００６】また、透明部位に適用する電磁波シールド
膜として導電性の高い銀薄膜を利用しかつその被膜を５
〜３０ｎｍ程度に薄膜化させて透明性を確保し、これに
ＩＴＯ等の透明な誘電体薄膜を積層して構成される多層
構造の電磁波シールド膜も提案されている（特開昭６３
−１７３３９５号公報参照）。そして、この手段により
８３％程度の可視光線透過率を維持したまま２３ｄＢ程
度の電磁波シールド効果が確保されている。Further, a highly conductive silver thin film is used as an electromagnetic wave shielding film applied to a transparent part, and its coating film is
An electromagnetic wave shield film having a multi-layered structure has been proposed, which has a transparency of about 30 nm to ensure transparency and is laminated with a transparent dielectric thin film such as ITO (Japanese Patent Application Laid-Open No. 63-63).
-173395 gazette). By this means, the electromagnetic wave shielding effect of about 23 dB is secured while maintaining the visible light transmittance of about 83%.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記特開昭６
３−１７３３９５号公報に記載された電磁波シールド膜
においては、空気中の水分とＩＴＯ及び銀薄膜とが反応
し易く、銀薄膜に経時的にシミ状の変質が生じてその透
明性が損なわれると共に電磁波シールド効果も低下する
問題点があった。However, the above-mentioned Japanese Unexamined Patent Application Publication No.
In the electromagnetic wave shield film described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-173395, moisture in the air easily reacts with the ITO and the silver thin film, and the silver thin film undergoes stain-like deterioration with time and its transparency is impaired. There is a problem that the electromagnetic wave shielding effect is also reduced.
【０００８】本発明はこのような問題点に着目してなさ
れたもので、その課題とするところは、電磁波シールド
効果と可視光線透過率が高く、しかも経時劣化がなく長
期間に亘って安定した高いシールド効果と光透過性能と
を発揮できる電磁波シールド基板を提供することにあ
る。The present invention has been made by paying attention to such a problem, and its problem is that it has a high electromagnetic wave shielding effect and a high visible light transmittance, and is stable over a long period without deterioration over time. An object is to provide an electromagnetic wave shield substrate that can exhibit a high shield effect and light transmission performance.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】すなわち、請求項１に係
る発明は、透明基板上に、透明酸化物薄膜、厚さ５〜３
０ｎｍの銀系薄膜及び透明酸化物薄膜の三層をこの順で
備える透明電磁波シールド基板を前提とし、上側の上記
透明酸化物薄膜上に防湿性を有する透明樹脂層が設けら
れていることを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 1 is such that a transparent oxide thin film and a thickness of 5 to 3 are formed on a transparent substrate.
Assuming a transparent electromagnetic wave shield substrate having three layers of a 0 nm silver-based thin film and a transparent oxide thin film in this order, a moisture-proof transparent resin layer is provided on the upper transparent oxide thin film. It is what
【００１０】そして、請求項１に係る発明においては上
側の透明酸化物薄膜上に防湿性を有する透明樹脂層が設
けられているため、この透明樹脂層が空気中の水分から
銀系薄膜を保護してその経時劣化を防止することが可能
となる。In the invention according to claim 1, since the transparent resin layer having moisture resistance is provided on the upper transparent oxide thin film, this transparent resin layer protects the silver-based thin film from moisture in the air. Then, it becomes possible to prevent the deterioration over time.
【００１１】ここで、請求項１記載の発明に係る透明樹
脂層としては、空気中の水分の透過を防止する防湿性を
有するものであれば任意の樹脂が利用できるが、その表
面の光反射を防止して高い透明性を確保するため、屈折
率１．３〜１．６程度の低屈折率のものが好適に利用で
きる。また、その厚みは、十分な透明性を確保し、か
つ、コストを低く抑えるため、０．１〜５μｍ程度が望
ましい。Here, as the transparent resin layer according to the first aspect of the invention, any resin can be used as long as it has a moisture-proof property for preventing the permeation of moisture in the air, but the light reflection on the surface thereof can be used. In order to prevent the above phenomenon and ensure high transparency, one having a low refractive index of about 1.3 to 1.6 can be suitably used. The thickness is preferably about 0.1 to 5 μm in order to secure sufficient transparency and keep the cost low.
【００１２】尚、この透明樹脂層に指紋や水滴等が付着
することを防止して長期間に亘ってその透明性を高く維
持するため、この透明樹脂層として撥水性を有する樹脂
を適用することが望ましい。請求項２に係る発明はこの
ような技術的理由からなされている。It should be noted that in order to prevent fingerprints, water droplets and the like from adhering to the transparent resin layer and maintain high transparency for a long period of time, a resin having water repellency should be applied as the transparent resin layer. Is desirable. The invention according to claim 2 is made for such a technical reason.
【００１３】すなわち、請求項２に係る発明は、請求項
１記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、上記透明樹脂層が撥水性を有することを特徴とする
ものである。That is, the invention according to claim 2 is premised on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to claim 1 and is characterized in that the transparent resin layer has water repellency.
【００１４】このような撥水性の透明樹脂層としては、
例えば、フッ素系樹脂、オルガノポリシラン樹脂やポリ
シロキサン樹脂等シリコン基を有する樹脂、エポキシ樹
脂等が挙げられる。As such a water-repellent transparent resin layer,
For example, a fluorine-based resin, a resin having a silicon group such as an organopolysilane resin or a polysiloxane resin, an epoxy resin, etc. may be mentioned.
【００１５】また、上記透明樹脂層としては、透明酸化
物薄膜表面や銀系薄膜表面からの正反射光を防止してそ
のぎらつきを防止するため、光散乱性を有するものを適
用することが好ましい。光散乱性を有する透明樹脂とし
てはその表面に光の波長程度の凹凸を有するものが適用
できるが、上記透明樹脂層の厚みが０．１〜５μｍ程度
であることから、この透明樹脂層に粒径０．１〜０．９
μｍの透明粉末を分散させることによりその表面に上記
凹凸を設けることが可能である。請求項３及び４に係る
発明はこのような技術的理由からなされたものである。Further, as the transparent resin layer, one having a light scattering property may be applied in order to prevent specular reflection light from the surface of the transparent oxide thin film or the surface of the silver-based thin film and prevent the glare thereof. preferable. As the transparent resin having a light scattering property, a resin having irregularities on the surface of the wavelength of light can be applied. However, since the thickness of the transparent resin layer is about 0.1 to 5 μm, the transparent resin layer has particles. Diameter 0.1-0.9
It is possible to provide the irregularities on the surface by dispersing a transparent powder of μm. The inventions according to claims 3 and 4 are made from such technical reasons.
【００１６】すなわち、請求項３に係る発明は、請求項
１又は２記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前
提とし、上記透明樹脂層が光散乱性を有することを特徴
とし、他方、請求項４に係る発明は、請求項３記載の発
明に係る透明電磁波シールド基板を前提とし、上記透明
樹脂層が平均粒径０．１〜０．９μｍの透明粉末を含有
することを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 3 is premised on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention according to claim 1 or 2, characterized in that the transparent resin layer has a light scattering property. The invention according to 4 is based on the transparent electromagnetic wave shielding substrate according to the invention of claim 3, and is characterized in that the transparent resin layer contains a transparent powder having an average particle size of 0.1 to 0.9 μm. is there.
【００１７】そして、これら請求項３〜４に係る発明に
よれば、透明酸化物薄膜表面や銀系薄膜表面からの正反
射光が防止されてそのぎらつきを防止できるため、電磁
波シールド基板を通してその反対側を良好に透視するこ
とが可能となる。従って、例えば、液晶表示装置の表示
画面表面に電磁波シールド基板が適用された場合、その
表示画面を明るくまた高いコントラストで観察すること
が可能となる。According to the inventions according to claims 3 to 4, specular reflection light from the surface of the transparent oxide thin film or the surface of the silver-based thin film is prevented and the glare can be prevented. It is possible to see through the opposite side well. Therefore, for example, when the electromagnetic wave shield substrate is applied to the display screen surface of the liquid crystal display device, the display screen can be observed brightly and with high contrast.
【００１８】尚、請求項４に係る透明粉末としては、透
明樹脂層の透明性を維持するため、透明樹脂層の屈折率
と同程度の屈折率を有するものが好ましい。すなわち、
透明樹脂層の屈折率が１．３〜１．６程度であることか
ら、上記透明粉末も１．３〜１．６程度の屈折率を有す
るものが好適に利用できる。そして、透明樹脂と透明粉
末の屈折率が共に１．３〜１．６の範囲にある場合、光
透過率を高く維持したままその光反射とぎらつきとが防
止されて、透明性の高い電磁波シールド基材を得ること
が可能となる。他方、これに反して透明粉末の屈折率が
透明樹脂の屈折率と異なる場合には、その透明性は劣る
もののペーパーホワイト状に光散乱を呈するようになる
ため、その色彩を生かした用途に適用することができ
る。例えば、反射型液晶表示装置の表示画面表面に適用
されてその視野角を増大させることが可能となる。The transparent powder according to claim 4 preferably has a refractive index similar to that of the transparent resin layer in order to maintain the transparency of the transparent resin layer. That is,
Since the transparent resin layer has a refractive index of about 1.3 to 1.6, it is also possible to suitably use the transparent powder having a refractive index of about 1.3 to 1.6. When both the transparent resin and the transparent powder have a refractive index in the range of 1.3 to 1.6, light reflection and glare are prevented while maintaining high light transmittance, and electromagnetic waves with high transparency are obtained. It is possible to obtain a shield substrate. On the other hand, if the refractive index of the transparent powder is different from that of the transparent resin, the transparency will be poor, but light scattering will occur in the form of paper white, so it will be applied to applications that take advantage of that color. can do. For example, it can be applied to the display screen surface of a reflective liquid crystal display device to increase its viewing angle.
【００１９】次に、請求項４記載の発明に係る透明粉末
としては、例えば、透明顔料が利用でき、このような透
明顔料としては、酸化チタン、酸化珪素、酸化亜鉛、酸
化アルミニウム等の無機酸化物；硫酸バリウム等の無機
硫化物；フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等のフ
ッ化物等が挙げられる。また、上記透明粉末として、ポ
リジビニルベンゼン、ポリスチレン、ポリテトラフルオ
ロエチレン等の樹脂粉末；これらの樹脂から構成される
中空のビーズ；あるいはこれらの樹脂又はその中空ビー
スの表面に表面処理を施した粉末等を利用することもで
きる。このような透明粉末は、上記透明樹脂層中で０．
１〜０．９μｍの平均粒径を有するものであればよく、
その製造工程中の粒径を問わない。例えば、０．１μｍ
より小さい平均粒径の透明粉末を含有する樹脂塗料や印
刷インキを使用し、この塗料を透明酸化物薄膜上に塗布
又は印刷しその乾燥工程中で上記透明粉末を二次凝集さ
せて、平均粒径０．１〜０．９μｍの透明粉末を形成す
ることも可能である。Next, as the transparent powder according to the fourth aspect of the present invention, for example, a transparent pigment can be used. Examples of such a transparent pigment include inorganic oxides such as titanium oxide, silicon oxide, zinc oxide and aluminum oxide. Substances; inorganic sulfides such as barium sulfate; fluorides such as magnesium fluoride and calcium fluoride. Further, as the above-mentioned transparent powder, resin powder of polydivinylbenzene, polystyrene, polytetrafluoroethylene or the like; hollow beads composed of these resins; or powder obtained by surface-treating the surface of these resins or their hollow beads. Etc. can also be used. Such a transparent powder is contained in the transparent resin layer in an amount of 0.
As long as it has an average particle diameter of 1 to 0.9 μm,
The particle size during the manufacturing process does not matter. For example, 0.1 μm
Use a resin coating or printing ink containing a transparent powder with a smaller average particle size, apply or print this coating on a transparent oxide thin film, and secondary agglomerate the transparent powder in the drying process to obtain an average particle size. It is also possible to form a transparent powder having a diameter of 0.1 to 0.9 μm.
【００２０】尚、請求項１〜４記載の発明に係る透明樹
脂層は、バーコーティング、ロールコーティング、グラ
ビアコーティング、カーテンコーティング、スピンコー
ティング、フレキソ印刷、スクリーン印刷等の方法で塗
布又は印刷して形成することが可能である。The transparent resin layer according to any one of claims 1 to 4 is formed by coating or printing by a method such as bar coating, roll coating, gravure coating, curtain coating, spin coating, flexographic printing, screen printing. It is possible to
【００２１】次に、銀系薄膜の両面に設けられる上記透
明酸化物薄膜としては、銀系薄膜の導電性を補ってその
電磁波シールド効果を増大させると共に、銀系薄膜との
化学反応が起こり難いものが好ましい。このような透明
酸化物薄膜としては、酸化インジウムから成る第１の基
材と、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい元素の
酸化物から成る第２の基材との混合酸化物にて構成され
るものが挙げられる。請求項５に係る発明はこのような
技術的理由からなされている。Next, as the above-mentioned transparent oxide thin film provided on both sides of the silver-based thin film, the conductivity of the silver-based thin film is complemented to increase its electromagnetic wave shielding effect, and a chemical reaction with the silver-based thin film hardly occurs. Those are preferable. As such a transparent oxide thin film, a mixed oxide of a first base material made of indium oxide and a second base material made of an oxide of an element having no or a small solid solution area with silver. There is one that is composed of. The invention according to claim 5 is made for such a technical reason.
【００２２】すなわち、請求項５に係る発明は、請求項
１〜４記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提
とし、上記透明酸化物薄膜が、酸化インジウムから成る
第１の基材と、銀との固溶域をもたないか若しくは小さ
い元素の酸化物から成る第２の基材との混合酸化物にて
構成されていることを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 5 is premised on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to any one of claims 1 to 4, wherein the transparent oxide thin film is a first base material made of indium oxide, and silver. And a mixed oxide with a second base material which is made of an oxide of a small element or has no solid solution area with.
【００２３】そして、請求項５記載の発明に係る透明電
磁波シールド基板によれば、透明酸化物薄膜が酸化イン
ジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域をもたない
か若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の基材との
混合酸化物にて構成され、銀系薄膜の導電性を補ってそ
の電磁波シールド効果を増大させ、しかも銀系薄膜との
化学反応を起こすことなく銀系薄膜を安定に保つため、
その透明性と電磁波シールド効果を長期間に亘って維持
することが可能となる。According to the transparent electromagnetic wave shield substrate of the invention of claim 5, the transparent oxide thin film has no or a small solid solution area of silver with the first base material made of indium oxide. It is composed of a mixed oxide with the second base material, which is an oxide of the element, and supplements the conductivity of the silver-based thin film to increase its electromagnetic wave shielding effect, and without causing a chemical reaction with the silver-based thin film. To keep the silver-based thin film stable,
The transparency and the electromagnetic wave shielding effect can be maintained for a long period of time.
【００２４】尚、銀との固溶域をもたないか若しくは小
さい上記元素としては、例えば、チタン、ジルコニウ
ム、ハフニウム、タンタル、セリウム、珪素、ビスマ
ス、クロム等が使用でき、これらの中でも、チタン、ジ
ルコニウム、ハフニウム、タンタル又はセリウムが好ま
しく利用できる。請求項６に係る発明は、上記元素を特
定した発明に関する。As the above element having no or a small solid solution area with silver, for example, titanium, zirconium, hafnium, tantalum, cerium, silicon, bismuth, chromium and the like can be used. Among them, titanium is used. , Zirconium, hafnium, tantalum or cerium can be preferably used. The invention according to claim 6 relates to the invention in which the above elements are specified.
【００２５】すなわち、請求項６に係る発明は、請求項
５記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素
が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タンタル及び
セリウムから選択された１又は２以上の元素にて構成さ
れていることを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 6 is premised on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention according to claim 5, and the above elements having no or a small solid solution area with silver are titanium, zirconium, It is characterized by being composed of one or more elements selected from hafnium, tantalum and cerium.
【００２６】そして、請求項６記載の発明に係る透明電
磁波シールド基板によれば、銀との固溶域をもたないか
若しくは小さい元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニ
ウム、タンタル及びセリウムから選択された１又は２以
上の元素にて構成されているため、透明酸化物薄膜がＩ
ＴＯ薄膜により構成されている場合に較べてその屈折率
を約２．１〜２．３へと大きく増大させることができ
る。従って、この透明酸化物薄膜が銀系薄膜の反射防止
膜として作用し、光反射率を低下させてその光透過率を
増大させるため、高い透明性を維持したまま銀系薄膜の
膜厚を増大させてその導電率と電磁波シールド効果とを
増大させることが可能となる。例えば、銀系薄膜の厚さ
を１４ｎｍとすると面積抵抗率が２．８Ω／□、１６ｎ
ｍとすると２Ω／□程度の高導電率でしかも可視光線の
全域に亘って８０％以上の高透過率を有する透明電磁波
シールド膜を得ることが可能となる。According to the transparent electromagnetic wave shield substrate of the present invention, the element having no or a small solid solution area with silver is selected from titanium, zirconium, hafnium, tantalum and cerium. Since it is composed of one or more elements, the transparent oxide thin film is I
The refractive index can be greatly increased to about 2.1 to 2.3 as compared with the case of being composed of a TO thin film. Therefore, this transparent oxide thin film acts as an antireflection film for the silver-based thin film, lowers the light reflectance and increases the light transmittance, and thus the thickness of the silver-based thin film is increased while maintaining high transparency. By doing so, it is possible to increase the conductivity and the electromagnetic wave shielding effect. For example, if the thickness of the silver-based thin film is 14 nm, the sheet resistivity is 2.8Ω / □, 16n
When m, it is possible to obtain a transparent electromagnetic wave shield film having a high conductivity of about 2Ω / □ and a high transmittance of 80% or more over the entire visible light range.
【００２７】尚、銀との固溶域をもたないか若しくは小
さい上記元素の含有割合がインジウムに対し５atom％
（原子％）未満である場合にはその耐湿性や屈折率が不
足して保存安定性や光透過率の改善が不十分である。他
方、５０atom％を越えると、その成膜に適用されるター
ゲットの加工が困難で割れ易くなり、また成膜速度が著
しく低下する。これに対し、５〜５０atom％の場合に
は、スパッタリング法を適用し、高屈折率で高品質の透
明酸化物薄膜を高速度で効率的に成膜することができ
る。このため、銀との固溶域をもたないか若しくは小さ
い上記元素の含有割合は５〜５０atom％が望ましい。It should be noted that the content ratio of the above element having no or small solid solution area with silver is 5 atom% with respect to indium.
When it is less than (atomic%), the moisture resistance and the refractive index are insufficient, and the storage stability and the light transmittance are not sufficiently improved. On the other hand, if it exceeds 50 atom%, the processing of the target applied to the film formation is difficult and the target is easily cracked, and the film formation rate is remarkably reduced. On the other hand, in the case of 5 to 50 atom%, the sputtering method can be applied to efficiently form a high-quality transparent oxide thin film with a high refractive index at a high speed. For this reason, the content ratio of the above element having no or small solid solution area with silver is preferably 5 to 50 atom%.
【００２８】ここで、上記スパッタリング法としては、
ＤＣスパッタリングやＲＦ−ＤＣスパッタリング等の直
流スパッタリング法、ＲＦ（高周波）スパッタリング法
が利用できる。但し、銀との固溶域をもたないか若しく
は小さい上記元素の含有割合がインジウムに対し３０at
om％を越えた場合、その成膜に必要なターゲットの導電
性が失われるため、ＤＣスパッタリングやＲＦ−ＤＣス
パッタリング等の直流スパッタリングによる成膜は不可
能となる。この場合、ＲＦスパッタリングによる成膜は
可能であるが、ＲＦスパッタリングにおいては成膜につ
れて透明酸化物薄膜を支持する基板が加熱されるため、
上記基板がプラスチックフィルムである場合、上記加熱
やスパッタリング時に生じる酸素プラズマにより銀系薄
膜が凝集してその導電率が低下することがある。Here, as the above-mentioned sputtering method,
A DC sputtering method such as DC sputtering or RF-DC sputtering, or an RF (high frequency) sputtering method can be used. However, the content ratio of the above element which does not have a solid solution area with silver or is small is 30 att with respect to indium.
When it exceeds om%, the conductivity of the target necessary for the film formation is lost, so that the film formation by DC sputtering such as DC sputtering or RF-DC sputtering becomes impossible. In this case, film formation by RF sputtering is possible, but since the substrate supporting the transparent oxide thin film is heated during film formation in RF sputtering,
When the substrate is a plastic film, the oxygen-based plasma generated during the heating or sputtering may cause the silver-based thin film to agglomerate and reduce its conductivity.
【００２９】次に、銀との固溶域をもたないか若しくは
小さい上記元素がチタンとこれより少量のセリウムとか
ら構成されている場合、スパッタリング速度が大きく増
大し（上記元素がチタンのみから構成される場合と較べ
て２０〜３０％増大する）、しかもスパッタリング装置
内の酸素分圧の変動に影響され難く光透過率や導電率が
安定した透明酸化物薄膜を形成することができる。請求
項７に係る発明は、このような技術的理由に基づいてな
されたものである。Next, when the above element having no or a small solid solution area with silver is composed of titanium and a smaller amount of cerium, the sputtering rate is greatly increased (from the above mentioned element alone, titanium is not included). (It increases by 20 to 30% as compared with the case where it is configured), and it is possible to form a transparent oxide thin film that is not easily affected by fluctuations in oxygen partial pressure in the sputtering apparatus and has stable light transmittance and conductivity. The invention according to claim 7 is based on such a technical reason.
【００３０】すなわち、請求項７に係る発明は、請求項
６記載の発明に係る透明電磁波シールド基板を前提と
し、銀との固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素
が、チタンとこれより少量のセリウムとで構成されてい
ることを特徴とするものである。That is, the invention according to claim 7 is premised on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention according to claim 6, wherein the element having no or a small solid solution area with silver is titanium and titanium. It is characterized by being composed of a small amount of cerium.
【００３１】尚、本発明に係る透明酸化物薄膜は、これ
を単層の薄膜にて構成できる他、多層の薄膜にて構成す
ることも可能である。例えば、銀系薄膜に接触させて、
酸化インジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域を
もたないか若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の
基材との混合酸化物にて構成される薄膜を設け、この上
に酸化珪素薄膜を設けてこれら２層の薄膜により上記透
明酸化物薄膜を構成してもよい。また、上記透明酸化物
薄膜として、その組成が膜厚方向に連続的に変化する薄
膜を利用することもできる。この様な透明酸化物薄膜と
しては、銀系薄膜に接触する面が、酸化インジウムから
成る第１の基材と、銀との固溶域をもたないか若しくは
小さい元素の酸化物から成る第２の基材との混合酸化物
にて構成され、銀系薄膜から遠ざかるに従って連続的に
酸化珪素の濃度が増大する薄膜等が例示される。The transparent oxide thin film according to the present invention can be composed of a single-layer thin film or a multi-layered thin film. For example, contact with a silver-based thin film,
A thin film made of a mixed oxide of a first base material made of indium oxide and a second base material made of an oxide of an element having no or no solid solution with silver is provided. The above-mentioned transparent oxide thin film may be formed by providing a silicon oxide thin film on top of these two thin films. Further, as the transparent oxide thin film, a thin film whose composition continuously changes in the film thickness direction can be used. As such a transparent oxide thin film, the surface in contact with the silver-based thin film has a first base material made of indium oxide and a first base material made of an oxide of an element which does not have a solid solution area with silver or is small. An example is a thin film or the like which is composed of a mixed oxide with the base material of 2, and in which the concentration of silicon oxide continuously increases as the distance from the silver-based thin film increases.
【００３２】次に、本発明に係る銀系薄膜としては、銀
単体の薄膜の他、銀の拡散を防止し、あるいはその硬度
を増大させるため、銀の固溶限度以下の濃度で他の元素
を添加した合金が利用できる。このような添加元素とし
ては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ａｕ又
はＳｎ等が例示できるが、上記透明酸化物薄膜との化学
反応に起因した銀系薄膜の損傷を防止するため、銀との
固溶域をもたないか若しくは小さい上記元素に対して固
溶域のない金属元素を使用することが望ましい。このよ
うな金属元素としては、Ａｌ、Ｃｕ又はＮｉが挙げられ
る。Next, as the silver-based thin film according to the present invention, in addition to a thin film of silver alone, in order to prevent the diffusion of silver or increase its hardness, other elements are contained at a concentration below the solid solution limit of silver. Alloys with added can be used. Examples of such an additional element include Al, Cu, Ni, Zn, Cd, Au, Sn, and the like, for preventing damage to the silver-based thin film due to a chemical reaction with the transparent oxide thin film. It is desirable to use a metal element that does not have a solid solution area with silver or has a small solid solution area for the above elements. Examples of such a metal element include Al, Cu or Ni.
【００３３】尚、上記銀系薄膜が膜厚５ｎｍに満たない
場合その導電性が低く、また３０ｎｍを越える場合その
光透過率が低く、いずれの場合も上記透明電磁波シール
ド基板に適さない。When the thickness of the silver-based thin film is less than 5 nm, its conductivity is low, and when it exceeds 30 nm, its light transmittance is low, and in any case, it is not suitable for the transparent electromagnetic wave shield substrate.
【００３４】また、上記銀系薄膜と透明酸化物薄膜と
は、いずれもスパッタリング法によって成膜できる他、
真空蒸着法やイオンプレーティング法等の真空成膜法に
よって成膜することが可能であるが、その生産性の点か
ら上述したスパッタリング法が好ましく利用できる。そ
して、成膜の際、成膜装置内部の酸素量を制御すること
により上記透明酸化物薄膜中の酸素元素含有量を制御し
てその屈折率をコントロールすることができる。また、
この際、銀系薄膜の劣化を防止するため成膜装置内部の
水分は少ない方が好ましく、また、１８０℃以下又は室
温の基板温度で成膜することが望ましい。そして、銀系
薄膜と透明酸化物薄膜の全体を１８０℃以下又は室温の
基板温度で成膜した後、２００℃以上の温度でアニーリ
ング処理を施すことによりこれら膜全体の導電性を増大
させることが可能である。Both the silver-based thin film and the transparent oxide thin film can be formed by a sputtering method.
The film can be formed by a vacuum film forming method such as a vacuum vapor deposition method or an ion plating method, but the above-mentioned sputtering method can be preferably used from the viewpoint of productivity. Then, at the time of film formation, the oxygen content in the transparent oxide thin film can be controlled by controlling the amount of oxygen inside the film forming apparatus to control the refractive index thereof. Also,
At this time, in order to prevent the deterioration of the silver-based thin film, it is preferable that the water content inside the film forming apparatus is small, and it is desirable that the film is formed at a substrate temperature of 180 ° C. or lower or room temperature. Then, the entire silver-based thin film and the transparent oxide thin film are formed at a substrate temperature of 180 ° C. or lower or room temperature, and then an annealing treatment is performed at a temperature of 200 ° C. or higher to increase the conductivity of the entire films. It is possible.
【００３５】次に、本発明に係る透明基板としては、例
えば、ガラス、プラスチックボード、プラスチックフィ
ルム等が利用できる。また、本発明に係る透明基板とし
て、偏光フィルムを有する液晶表示装置のパネル基板
や、その反対面に透明電極や液晶駆動素子あるいはカラ
ーフィルター層等を備える液晶表示装置のパネル基板等
を利用することもでき、また、上記偏光フィルム、位相
差フィルム、又はこれらの保護フィルムを透明基板とし
てこの上に銀系薄膜や透明酸化物薄膜及び透明樹脂層を
積層して本発明に係る透明電磁波シールド基板を構成さ
せ、この透明電磁波シールド基板を上記パネル基板に積
層することも可能である。尚、上記保護フィルムとして
は、トリアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンテ
レフタレートフィルム等が使用できる。Next, as the transparent substrate according to the present invention, for example, glass, plastic board, plastic film or the like can be used. Further, as the transparent substrate according to the present invention, a panel substrate of a liquid crystal display device having a polarizing film, or a panel substrate of a liquid crystal display device having a transparent electrode, a liquid crystal driving element, a color filter layer or the like on the opposite surface thereof It is also possible to use the above polarizing film, retardation film, or a protective film thereof as a transparent substrate to laminate a silver thin film, a transparent oxide thin film and a transparent resin layer on the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the present invention. It is also possible to configure and laminate this transparent electromagnetic wave shield substrate on the panel substrate. As the protective film, a triacetyl cellulose film, a polyethylene terephthalate film or the like can be used.
【００３６】[0036]
【作用】請求項１〜７記載の発明に係る透明電磁波シー
ルド基板によれば、厚さ５〜３０ｎｍの銀系薄膜上に設
けられた透明酸化物薄膜の上に防湿性を有する透明樹脂
層を備えるため、この透明樹脂層が空気中の水分から銀
系薄膜を保護してその経時劣化を防止することが可能と
なり、請求項２記載の発明に係る透明電磁波シールド基
板によれば、上記透明樹脂層が撥水性を有しているた
め、この透明樹脂層に指紋や水滴等が付着することを防
止して長期間に亘ってその透明性を高く維持することが
可能となる。According to the transparent electromagnetic wave shield substrate of the present invention, the moisture-proof transparent resin layer is formed on the transparent oxide thin film provided on the silver-based thin film having a thickness of 5 to 30 nm. Since this transparent resin layer can protect the silver-based thin film from moisture in the air and prevent its deterioration over time, the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention of claim 2 Since the layer has water repellency, it is possible to prevent fingerprints, water droplets, etc. from adhering to the transparent resin layer and maintain the transparency high for a long period of time.
【００３７】また、請求項３〜４記載の発明に係る透明
電磁波シールド基板によれば、上記透明樹脂層が光散乱
性を有していることから、透明酸化物薄膜表面や銀系薄
膜表面からの正反射光が防止されてそのぎらつきを防止
でき、電磁波シールド基板を通してその反対側を良好に
透視することが可能となる。Further, according to the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention of claims 3 to 4, since the transparent resin layer has a light-scattering property, the transparent oxide thin film surface or the silver-based thin film surface is The specularly reflected light can be prevented and the glare can be prevented, and the opposite side can be satisfactorily seen through the electromagnetic wave shield substrate.
【００３８】次に、請求項５〜７記載の発明に係る透明
電磁波シールド基板によれば、透明酸化物薄膜が酸化イ
ンジウムから成る第１の基材と、銀との固溶域をもたな
いか若しくは小さい元素の酸化物から成る第２の基材と
の混合酸化物にて構成され、銀系薄膜の導電性を補って
その電磁波シールド効果を増大させ、しかも銀系薄膜と
の化学反応を起こすことなく銀系薄膜を安定に保つた
め、その透明性と電磁波シールド効果を長期間に亘って
維持することが可能となる。Next, according to the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the invention of claims 5 to 7, the transparent oxide thin film does not have a solid solution region of silver with the first base material made of indium oxide. It is composed of a mixed oxide with a second base material, which is composed of an oxide of a small element, or supplements the conductivity of the silver-based thin film to increase its electromagnetic wave shielding effect, and further the chemical reaction with the silver-based thin film. Since the silver-based thin film is kept stable without causing it, the transparency and the electromagnetic wave shielding effect can be maintained for a long period of time.
【００３９】また、請求項６〜７記載の発明に係る透明
電磁波シールド基板によれば、銀との固溶域をもたない
か若しくは小さい元素が、チタン、ジルコニウム、ハフ
ニウム、タンタル及びセリウムから選択された１又は２
以上の元素にて構成されているため、透明酸化物薄膜が
ＩＴＯ薄膜により構成されている場合に較べてその屈折
率を約２．１〜２．３へと大きく増大させることができ
る。従って、この透明酸化物薄膜が銀系薄膜の反射防止
膜として作用し、光反射率を低下させてその光透過率を
増大させるため、高い透明性を維持したまま銀系薄膜の
膜厚を増大させその導電率と電磁波シールド効果とを増
大させることが可能となる。According to the transparent electromagnetic wave shield substrate of the present invention, the element having no or a small solid solution area with silver is selected from titanium, zirconium, hafnium, tantalum and cerium. 1 or 2
Since the transparent oxide thin film is composed of the above elements, its refractive index can be greatly increased to about 2.1 to 2.3 as compared with the case where the transparent oxide thin film is composed of the ITO thin film. Therefore, this transparent oxide thin film acts as an antireflection film for the silver-based thin film, lowers the light reflectance and increases the light transmittance, and thus the thickness of the silver-based thin film is increased while maintaining high transparency. It is possible to increase the conductivity and the electromagnetic wave shielding effect.
【００４０】[0040]
【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例につい
て詳細に説明する。Embodiments of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings.
【００４１】［実施例１］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板１は、図１に示すように偏光フィルムを透
明基板１０とし、この透明基板１０上に順次積層された
厚さ４０ｎｍの透明酸化物薄膜１１と、厚さ１４ｎｍの
銀系薄膜１２及び厚さ４０ｎｍの透明酸化物薄膜１３
と、この透明酸化物薄膜１３上に積層された厚さ約０．
２５μｍの透明樹脂層１４とでその主要部が構成されて
いる。尚、上記透明酸化物薄膜１１，１３は、いずれも
ジルコニア（ＺｒＯ2 ）を１８atom％含有する酸化イン
ジウムの薄膜（ＩＺＯ）にて構成されており、他方、銀
系薄膜１２は銅（Ｃｕ）を２atom％含有する銀により構
成されている。また、透明樹脂層１４は平均粒径０．２
μｍのフッ化マグネシウム粉末を均一に分散させたフッ
素系アクリル樹脂にて構成されている。Example 1 A transparent electromagnetic wave shield substrate 1 according to this example uses a polarizing film as a transparent substrate 10 as shown in FIG. 1, and a transparent oxide having a thickness of 40 nm is sequentially laminated on the transparent substrate 10. Object thin film 11, silver-based thin film 12 having a thickness of 14 nm, and transparent oxide thin film 13 having a thickness of 40 nm
And a thickness of about 0.
The main portion is composed of the transparent resin layer 14 having a thickness of 25 μm. The transparent oxide thin films 11 and 13 are both made of indium oxide thin film (IZO) containing 18 atom% of zirconia (ZrO 2 ), while the silver-based thin film 12 is made of copper (Cu). It is composed of silver containing 2 atom%. The transparent resin layer 14 has an average particle size of 0.2.
It is composed of a fluorine-based acrylic resin in which μm magnesium fluoride powder is uniformly dispersed.
【００４２】そして、上記透明酸化物薄膜１１、銀系薄
膜１２及び透明酸化物薄膜１３の全体の面積抵抗を測定
したところ、約４．５Ω／□であった。また、波長５５
０ｎｍの可視光線の反射率は約０．５％であった。Then, the total sheet resistance of the transparent oxide thin film 11, the silver-based thin film 12, and the transparent oxide thin film 13 was measured and found to be about 4.5 Ω / □. Also, the wavelength 55
The reflectance of 0 nm visible light was about 0.5%.
【００４３】次に、この実施例に係る透明電磁波シール
ド基板１を空気中で１ケ月間放置して観察したところ、
その表面に外観の変化はまったく観察されなかった。Next, when the transparent electromagnetic wave shield substrate 1 according to this embodiment was left standing in the air for one month and observed,
No change in appearance was observed on the surface.
【００４４】［実施例２］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板２は、図２に示すようにガラス基板２０上
に順次積層された厚さ４０ｎｍのＩＺＯ薄膜２１と、厚
さ１２ｎｍの銀系薄膜２２及び厚さ４０ｎｍのＩＺＯ薄
膜２３と、このＩＺＯ薄膜２３上に積層された厚さ約
０．２μｍの透明樹脂層２４とでその主要部が構成され
ている。尚、銀系薄膜２２はアルミニウム（Ａｌ）を１
atom％含有する銀により構成されている。また、透明樹
脂層２４は平均粒径０．１μｍの酸化珪素（ＳｉＯ2 ）
粉末を均一に分散させたエポキシ樹脂にて構成されてい
る。[Embodiment 2] A transparent electromagnetic wave shield substrate 2 according to this embodiment comprises an IZO thin film 21 having a thickness of 40 nm and a silver base material having a thickness of 12 nm, which are sequentially laminated on a glass substrate 20 as shown in FIG. The thin film 22 and the IZO thin film 23 having a thickness of 40 nm, and the transparent resin layer 24 having a thickness of about 0.2 μm laminated on the IZO thin film 23 constitute the main part. The silver-based thin film 22 is made of aluminum (Al) 1
It is composed of silver containing atom%. The transparent resin layer 24 is made of silicon oxide (SiO 2 ) having an average particle size of 0.1 μm.
It is composed of an epoxy resin in which powder is uniformly dispersed.
【００４５】そして、上記ＩＺＯ薄膜２１、銀系薄膜２
２及びＩＺＯ薄膜２３の全体の面積抵抗を測定したとこ
ろ、約４．０Ω／□であった。また、波長５５０ｎｍの
可視光線の反射率は約０．８％であった。Then, the IZO thin film 21 and the silver-based thin film 2
2 and the area resistance of the entire IZO thin film 23 was measured and found to be about 4.0 Ω / □. The reflectance of visible light having a wavelength of 550 nm was about 0.8%.
【００４６】次に、この透明電磁波シールド基板２を空
気中で１ケ月間放置して観察したところ、実施例１と同
様にその表面に外観の変化はまったく観察されなかっ
た。Next, when this transparent electromagnetic wave shield substrate 2 was left to stand in the air for one month and observed, no change in appearance was observed on its surface, as in Example 1.
【００４７】［比較例］実施例１及び２と比較するた
め、ガラス基板を透明基板とし、この上に、順次、厚さ
４０ｎｍの酸化インジウム薄膜、厚さ１２ｎｍの銀薄膜
及び厚さ４０ｎｍの酸化インジウム薄膜を積層した。Comparative Example For comparison with Examples 1 and 2, a glass substrate was used as a transparent substrate, and an indium oxide thin film having a thickness of 40 nm, a silver thin film having a thickness of 12 nm and an oxide having a thickness of 40 nm were sequentially formed on the transparent substrate. An indium thin film was laminated.
【００４８】そして、上記酸化インジウム薄膜を露出さ
せたまま空気中で１ケ月間放置して観察したところ、実
施例に係る透明電磁波シールド基板と相違して肉眼で観
察できるシミが多数発生していることが確認できた。Then, when the indium oxide thin film was left exposed in the air for one month for observation, a large number of stains observable with the naked eye were generated unlike the transparent electromagnetic wave shield substrate according to the example. I was able to confirm that.
【００４９】［実施例３］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板３は、図３に示すように厚さ０．７ｍｍの
ガラス基板３０と、この上に順次積層された厚さ３５ｎ
ｍの透明酸化物薄膜３１と、厚さ１４ｎｍの銀系薄膜
（但し、銅を０．８atom％含有する）３２及び厚さ３５
ｎｍの透明酸化物薄膜３３と、この透明酸化物薄膜３３
上に積層された厚さ約０．２５μｍの透明樹脂層３４と
でその主要部が構成されている。尚、上記透明酸化物薄
膜３１，３３は、いずれも、酸化チタン（ＴｉＯ2 ）を
含有する酸化インジウムの薄膜にて構成されており、酸
化チタンの含有量は、チタン元素がインジウム元素の２
０atom％となる量である。また、透明樹脂層３４は平均
粒径０．２μｍのフッ化マグネシウム粉末を均一に分散
させたフッ素系アクリル樹脂にて構成されている。[Embodiment 3] As shown in FIG. 3, a transparent electromagnetic wave shield substrate 3 according to this embodiment has a glass substrate 30 having a thickness of 0.7 mm and a thickness of 35 n sequentially laminated thereon.
m transparent oxide thin film 31, a 14 nm-thick silver-based thin film (however, containing 0.8 atom% of copper) 32, and a thickness 35.
nm transparent oxide thin film 33, and this transparent oxide thin film 33
The transparent resin layer 34 having a thickness of about 0.25 μm laminated on the upper part constitutes the main part thereof. The transparent oxide thin films 31 and 33 are both composed of an indium oxide thin film containing titanium oxide (TiO 2 ), and the content of titanium oxide is 2 when the titanium element is indium element.
The amount is 0 atom%. The transparent resin layer 34 is made of a fluorine-based acrylic resin in which magnesium fluoride powder having an average particle diameter of 0.2 μm is uniformly dispersed.
【００５０】そして、この透明電磁波シールド基板３
は、以下のような方法で製造されたものである。The transparent electromagnetic wave shield substrate 3
Is manufactured by the following method.
【００５１】まず、ガラス基板３０の表面をアルカリ系
界面活性剤と水とで洗浄した後、真空槽内に収容し、逆
スパッタリングと呼ばれるプラズマ処理を施してさらに
洗浄した。First, the surface of the glass substrate 30 was washed with an alkaline surface active agent and water, and then housed in a vacuum chamber and subjected to a plasma treatment called reverse sputtering for further washing.
【００５２】次に、ガラス基板３０を真空槽中から取り
出すことなく、このガラス基板３０を室温に維持した状
態で、スパッタリング法により、透明酸化物薄膜３１、
銀薄膜３２及び透明酸化物薄膜３３を順次成膜した。Next, without removing the glass substrate 30 from the vacuum chamber, the transparent oxide thin film 31, by a sputtering method, while maintaining the glass substrate 30 at room temperature.
A silver thin film 32 and a transparent oxide thin film 33 were sequentially formed.
【００５３】次に、２２０℃、１時間のアニール処理を
施し、続いて上記透明樹脂層３４を塗布乾燥して、上記
透明電磁波シールド基板３を製造した。Next, an annealing treatment at 220 ° C. for 1 hour was performed, and then the transparent resin layer 34 was applied and dried to manufacture the transparent electromagnetic wave shield substrate 3.
【００５４】そして、上記透明酸化物薄膜３１、銀薄膜
３２及び透明酸化物薄膜３３の全体の面積抵抗を測定し
たところ、約２．７Ω／□であった。また、その可視光
線透過率について下記表１に示す。Then, the total sheet resistance of the transparent oxide thin film 31, the silver thin film 32 and the transparent oxide thin film 33 was measured and found to be about 2.7 Ω / □. The visible light transmittance is shown in Table 1 below.
【００５５】次に、この実施例に係る透明電磁波シール
ド基板３を空気中で８週間間放置して観察したところ、
実施例１と同様にその表面に外観の変化はまったく観察
されなかった。Next, the transparent electromagnetic wave shield substrate 3 according to this example was observed by leaving it in the air for 8 weeks.
As in Example 1, no change in appearance was observed on the surface.
【００５６】［実施例４］この実施例に係る透明電磁波
シールド基板３は、透明酸化物薄膜３１，３３として、
酸化チタン（ＴｉＯ2 ）及び酸化セリウム（ＣｅＯ2 ）
を含有する酸化インジウムの薄膜が適用されている点を
除き実施例３と略同一である。尚、酸化チタンの含有量
は、チタン元素がインジウム元素の１６atom％となる量
であり、酸化セリウムの含有量は、セリウム元素がイン
ジウム元素の４atom％となる量である。[Embodiment 4] The transparent electromagnetic wave shield substrate 3 according to this embodiment has the transparent oxide thin films 31 and 33.
Titanium oxide (TiO 2 ) and cerium oxide (CeO 2 )
Example 3 is substantially the same as Example 3 except that a thin film of indium oxide containing is applied. Incidentally, the content of titanium oxide is such that titanium element is 16 atom% of indium element, and the content of cerium oxide is such that cerium element is 4 atom% of indium element.
【００５７】そして、透明酸化物薄膜３１、銀系薄膜３
２及び透明酸化物薄膜３３の全体の面積抵抗は約２．７
Ω／□であった。またその可視光線透過率を表１に示
す。Then, the transparent oxide thin film 31 and the silver-based thin film 3
2 and the total area resistance of the transparent oxide thin film 33 is about 2.7.
It was Ω / □. The visible light transmittance is shown in Table 1.
【００５８】また、この透明導電膜３を空気中で８週間
間放置して観察したところ、実施例１と同様にその表面
に外観の変化はまったく観察されなかった。Further, when this transparent conductive film 3 was left to stand in the air for 8 weeks and observed, no change in appearance was observed on the surface as in Example 1.
【００５９】[0059]
【表１】 [Table 1]
【００６０】[0060]
【発明の効果】請求項１〜７に係る発明によれば、厚さ
５〜３０ｎｍの銀系薄膜上に設けられた透明酸化物薄膜
の上に防湿性を有する透明樹脂層を備えるため、この透
明樹脂層が空気中の水分から銀系薄膜を保護してその経
時劣化を防止することが可能となる。According to the invention of claims 1 to 7, since a transparent resin layer having moisture resistance is provided on a transparent oxide thin film provided on a silver-based thin film having a thickness of 5 to 30 nm, The transparent resin layer can protect the silver-based thin film from moisture in the air and prevent its deterioration over time.
【００６１】従って、本発明に係る透明電磁波シールド
基板が各種ディスプレイの表示画面表面や建築用窓等に
適用された場合、その透明性を損なうことなくしかも高
い電磁波シールド効果を長期間に亘って安定して発揮で
きる効果を有する。Therefore, when the transparent electromagnetic wave shielding substrate according to the present invention is applied to the display screen surfaces of various displays, windows for construction, etc., a high electromagnetic wave shielding effect is stable for a long period of time without impairing its transparency. It has the effect that can be demonstrated.
【図１】実施例１に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。FIG. 1 is a sectional view of a transparent electromagnetic wave shield substrate according to a first embodiment.
【図２】実施例２に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。FIG. 2 is a sectional view of a transparent electromagnetic wave shield substrate according to a second embodiment.
【図３】実施例３に係る透明電磁波シールド基板の断面
図。FIG. 3 is a sectional view of a transparent electromagnetic wave shield substrate according to a third embodiment.
【符号の説明】 １ 透明電磁波シールド基板 １０ 透明基板 １１ 透明酸化物薄膜 １２ 銀系薄膜 １３ 透明酸化物薄膜 １４ 透明樹脂層 ２ 透明電磁波シールド基板 ２０ ガラス基板 ２１ 透明酸化物薄膜 ２２ 銀系薄膜 ２３ 透明酸化物薄膜 ２４ 透明樹脂層 ３ 透明電磁波シールド基板 ３０ ガラス基板 ３１ 透明酸化物薄膜 ３２ 銀系薄膜 ３３ 透明酸化物薄膜 ３４ 透明樹脂層[Explanation of symbols] 1 transparent electromagnetic wave shield substrate 10 transparent substrate 11 transparent oxide thin film 12 silver thin film 13 transparent oxide thin film 14 transparent resin layer 2 transparent electromagnetic wave shield substrate 20 glass substrate 21 transparent oxide thin film 22 silver thin film 23 transparent Oxide thin film 24 Transparent resin layer 3 Transparent electromagnetic wave shield substrate 30 Glass substrate 31 Transparent oxide thin film 32 Silver-based thin film 33 Transparent oxide thin film 34 Transparent resin layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古賀 修 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Osamu Koga 1-5-1 Taito, Taito-ku, Tokyo Toppan Printing Co., Ltd.
Claims (7)
３０ｎｍの銀系薄膜及び透明酸化物薄膜の三層をこの順
で備える透明電磁波シールド基板において、 上側の上記透明酸化物薄膜上に防湿性を有する透明樹脂
層が設けられていることを特徴とする透明電磁波シール
ド基板。1. A transparent oxide thin film having a thickness of 5 to 5 on a transparent substrate.
A transparent electromagnetic wave shield substrate including three layers of a 30 nm silver-based thin film and a transparent oxide thin film in this order, characterized in that a moisture-proof transparent resin layer is provided on the transparent oxide thin film on the upper side. Transparent electromagnetic wave shield substrate.
特徴とする請求項１記載の透明電磁波シールド基板。2. The transparent electromagnetic wave shield substrate according to claim 1, wherein the transparent resin layer has water repellency.
を特徴とする請求項１又は２記載の透明電磁波シールド
基板。3. The transparent electromagnetic wave shield substrate according to claim 1 or 2, wherein the transparent resin layer has a light scattering property.
９μｍの透明粉末を含有することを特徴とする請求項３
記載の透明電磁波シールド基板。4. The transparent resin layer has an average particle size of 0.1 to 0.
4. A transparent powder of 9 μm is contained.
The transparent electromagnetic wave shield substrate described.
ら成る第１の基材と、銀との固溶域をもたないか若しく
は小さい元素の酸化物から成る第２の基材との混合酸化
物にて構成されていることを特徴とする請求項１〜４の
いずれかに記載の透明電磁波シールド基板。5. The transparent oxide thin film is a mixture of a first base material composed of indium oxide and a second base material composed of an oxide of an element having no or a small solid solution area with silver. The transparent electromagnetic wave shield substrate according to any one of claims 1 to 4, which is composed of an oxide.
上記元素が、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、タン
タル及びセリウムから選択された１又は２以上の元素に
て構成されていることを特徴とする請求項５記載の透明
電磁波シールド基板。6. The above element having no or a small solid solution area with silver is composed of one or more elements selected from titanium, zirconium, hafnium, tantalum and cerium. The transparent electromagnetic wave shield substrate according to claim 5.
上記元素が、チタンとこれより少量のセリウムとで構成
されていることを特徴とする請求項６記載の透明電磁波
シールド基板。7. The transparent electromagnetic wave shield substrate according to claim 6, wherein the element having no or a small solid solution area with silver is composed of titanium and cerium in a smaller amount than titanium.
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Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000085047A (en) * | 1998-09-16 | 2000-03-28 | Reiko Co Ltd | Transparent electromagnetic wave shielding film |
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-
1995
- 1995-03-22 JP JP7088796A patent/JP2848266B2/en not_active Expired - Fee Related
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