JPH08264571A - Manufacture of solid-state image pickup element - Google Patents

Manufacture of solid-state image pickup element

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JPH08264571A
JPH08264571A JP8066279A JP6627996A JPH08264571A JP H08264571 A JPH08264571 A JP H08264571A JP 8066279 A JP8066279 A JP 8066279A JP 6627996 A JP6627996 A JP 6627996A JP H08264571 A JPH08264571 A JP H08264571A
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lead
solid
sensor chip
resin
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Yasuhiro Asano
泰宏 浅野
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Sanyo Electric Co Ltd
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  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
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Abstract

PURPOSE: To reduce a manufacturing cost by forming a package of a solid-state image pickup element of resin. CONSTITUTION: A sensor chip 10 is die-bonded to an island part 11 of a lead frame, and a lead part and an outer frame of a lead frame is bent vertically to the island part 11. After a lead frame whereon a sensor chip 10 is mounted is contained in a recessed part 13 of a die 12, the recessed part 13 is filled with thermosetting light transmitting resin 20 and heated to form a package. An unnecessary part of a lead frame is cut and a part of an outer frame is left in a side surface part of a package together with a lead part.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はCCDイメージセン
サの如き固体撮像素子の製造方法に関する。
The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state imaging device such as a CCD image sensor.

【0002】[0002]

【従来の技術】図5は、従来の固体撮像素子の一部を断
面にした斜視図である。セラミックパッケージ1には、
予め内部リード3aと、これに連続する外部リード3b
とが複数本埋設されており、外側に露出した外部リード
3bに素子を駆動する駆動回路等が接続される。また、
セラミックパッケージ1には凹部が形成されており、光
電変換素子が一面に形成されたセンサチップ2がその凹
部に収納される。そして、センサチップ2の電極パッド
が凹部内に露出する内部リード3aの先端とワイヤボン
ディングにより接続される。さらに、センサチップ2の
収納された凹部は、ガラス板4が装着されて封止され
る。
2. Description of the Related Art FIG. 5 is a perspective view showing a cross section of a part of a conventional solid-state image pickup device. In the ceramic package 1,
The internal lead 3a and the external lead 3b connected to this
And a drive circuit for driving the element is connected to the external lead 3b exposed to the outside. Also,
A concave portion is formed in the ceramic package 1, and a sensor chip 2 having a photoelectric conversion element formed on one surface is housed in the concave portion. Then, the electrode pads of the sensor chip 2 are connected to the tips of the internal leads 3a exposed in the recesses by wire bonding. Further, the concave portion in which the sensor chip 2 is stored is sealed by mounting the glass plate 4 thereon.

【0003】しかしながら、上述の如き固体撮像素子に
於ては、セラミックパッケージ1の凹部内にセンサチッ
プ2をダイボンディングし、続いてセンサチップ2と内
部リード3aとをワイヤボンディングすること等、多く
の組立工程が必要となる。さらに、カラー撮像を行う場
合には、カラーフィルタを装着すること等の工程の付加
されるため、組立工程はさらに多くなる。このため、コ
スト高を招くと共に、組立工程でセンサチップ2の受光
面にゴミや傷が付着する頻度も高くなる。また、セラミ
ックパッケージ1自体が高価なため、組立工程に於ての
歩留りの低下はコストアップの大きな要因の一つとな
る。
However, in the solid-state image pickup device as described above, there are many cases in which the sensor chip 2 is die-bonded in the recess of the ceramic package 1 and then the sensor chip 2 and the internal lead 3a are wire-bonded. An assembly process is required. Further, in the case of performing color imaging, a step of attaching a color filter or the like is added, so that the number of assembly steps is further increased. Therefore, the cost is increased, and the frequency of dust and scratches attached to the light receiving surface of the sensor chip 2 during the assembly process is increased. In addition, since the ceramic package 1 itself is expensive, the reduction in yield in the assembly process is one of the major factors for cost increase.

【0004】そこで、センサチップを透光性の樹脂でモ
ールドすることが、例えば実開平1−113347号公
報に提案されている。このような透光性の樹脂によって
センサチップをモールドすれば、セラミックパッケージ
1を用いる場合に比して組立工程が簡単になり、安価な
固体撮像素子を提供することができる。
Therefore, it has been proposed, for example, in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-113347 to mold the sensor chip with a transparent resin. If the sensor chip is molded with such a translucent resin, the assembly process is simplified as compared with the case where the ceramic package 1 is used, and an inexpensive solid-state imaging device can be provided.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】透光性の樹脂によりセ
ンサチップをモールドする場合、トラスファ成形と称す
る通常のモールド方法を用いると、樹脂内への気泡の混
入を避けることは困難であり、この気泡の混入が固体撮
像素子に於ては大きな問題となる。即ち、固体撮像素子
では、透光性の樹脂を透過してセンサチップに光が照射
されるため、樹脂内に不要な気泡等があると光が散乱さ
れ、センサチップ上に映像が正しく形成されない。従っ
て、映像の歪みや、カラー撮像の場合には、色再現性の
低下等を招くことになる。
When a sensor chip is molded with a translucent resin, it is difficult to avoid air bubbles from entering the resin by using a normal molding method called transfer molding. The inclusion of air bubbles is a serious problem in a solid-state imaging device. That is, in the solid-state imaging device, since light is emitted to the sensor chip through the translucent resin, light is scattered when unnecessary bubbles or the like are present in the resin, and an image is not correctly formed on the sensor chip. . Therefore, the distortion of the image and the deterioration of the color reproducibility in the case of color image pickup will be caused.

【0006】また、センサチップを樹脂でモールドする
場合には、センサチップとモールド樹脂との位置関係が
正確に得られないために、センサチップの位置を光学系
に対して正確に決定することができないといった問題も
生じる。
Further, when the sensor chip is molded with resin, the position of the sensor chip must be accurately determined with respect to the optical system because the positional relationship between the sensor chip and the molding resin cannot be obtained accurately. There is also a problem that it cannot be done.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上述の課題を
解決するためになされたもので、その特徴とするところ
は、複数の光電変換素子がマトリクス状に配列されてな
る半導体チップをリードフレーム上にダイボンディング
し、上記半導体チップを上記リードフレームと共に樹脂
モールドする固体撮像素子の製造方法に於て、位置決め
用の切り欠きを有する上記リードフレームのアイランド
部に上記半導体チップをダイボンディングする工程と、
上記リードフレームのリード部及びこのリード部を取り
囲む外枠を上記半導体チップに対して略垂直に折り曲げ
る工程と、上記固体撮像素子のパッケージ形状を成し、
上記リードフレームを所定位置に固定する位置決めピン
を有する凹部に上記半導体チップの装着された上記リー
ドフレームを収納し、上記凹部内を熱硬化性の透光性樹
脂で満たす工程と、上記凹部内に満たされた上記透光性
樹脂を加熱して硬化させる工程と、上記透光性樹脂を熱
硬化させた後、上記リードフレームの外枠を一定の長さ
を残して切断する工程と、を備え、上記リードフレーム
の外枠の残存部分によって取り付け位置の基準を得るこ
とにある。
The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems, and is characterized in that a semiconductor chip formed by arranging a plurality of photoelectric conversion elements in a matrix is read. A method of manufacturing a solid-state imaging device, which comprises die-bonding on a frame and resin-molding the semiconductor chip together with the lead frame, wherein the semiconductor chip is die-bonded to an island portion of the lead frame having a notch for positioning. When,
Bending the lead portion of the lead frame and an outer frame surrounding the lead portion substantially perpendicularly to the semiconductor chip, forming a package shape of the solid-state imaging device;
A step of accommodating the lead frame having the semiconductor chip mounted therein in a recess having a positioning pin for fixing the lead frame at a predetermined position, and filling the interior of the recess with a thermosetting translucent resin; And a step of heating and curing the filled translucent resin, and a step of thermally curing the translucent resin and then cutting the outer frame of the lead frame leaving a fixed length. The reference of the mounting position is obtained by the remaining portion of the outer frame of the lead frame.

【0008】これにより、モールド時に樹脂内の気泡が
十分に追い出されると共に、樹脂の内部応力が緩和され
るため、パッケージを通して半導体チップに照射される
光が不要に屈折されることがなくなる。同時に、樹脂モ
ールドした固体撮像素子を回路基板に取り付ける際に
は、リード部と並列して残される外枠の残存部分で固体
撮像素子を支えるようにして回路基板と固体撮像素子と
が平行に維持される。
As a result, air bubbles in the resin are sufficiently expelled at the time of molding and the internal stress of the resin is reduced, so that the light applied to the semiconductor chip through the package is not unnecessarily refracted. At the same time, when attaching the resin-molded solid-state imaging device to the circuit board, the circuit board and the solid-state imaging device are maintained in parallel by supporting the solid-state imaging device with the remaining portion of the outer frame left in parallel with the lead. Is done.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】図1は本発明の固体撮像素子の製
造方法を説明する工程順の断面図で、図2は本発明の製
造方法に用いるリードフレームの平面図である。また、
図3は本発明の製造方法によって形成された固体撮像素
子の構造を示す斜視断面図である。尚、図1では、図面
を簡略化するためリードフレームのリード部を省略して
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a sectional view in the order of steps for explaining a method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a lead frame used in the manufacturing method according to the present invention. Also,
FIG. 3 is a perspective sectional view showing the structure of the solid-state imaging device formed by the manufacturing method of the present invention. In FIG. 1, the lead portions of the lead frame are omitted to simplify the drawing.

【0010】リードフレームは、センサチップ10がダ
イボンディングされるアイランド部11及びアイランド
部11の周辺に配列されたリード部17からなり、この
アイランド部11とリード部17とを取り囲むように外
枠18が設けられている。まず図1(a)に示すよう
に、複数の受光素子がマトリクス状に配列形成されたセ
ンサチップ10をリードフレームのアイランド部11の
略中央にダイボンディングし、センサチップ10とリー
ド部17とをワイヤボンディングする。このダイボンデ
ィングの際には、アイランド部11に設けられた切り欠
き16を位置決めの基準としている。次に、リード部1
7及び外枠18をアイランド部11に対して略垂直に折
り曲げ、このリードフレームを所定の形状をなす凹部1
3が設けられた型12にセンサチップ10側を底面に向
けて収納する。
The lead frame includes an island portion 11 to which the sensor chip 10 is die-bonded and a lead portion 17 arranged around the island portion 11. An outer frame 18 surrounds the island portion 11 and the lead portion 17. Is provided. First, as shown in FIG. 1A, a sensor chip 10 in which a plurality of light receiving elements are arranged in a matrix is die-bonded to a substantially center of an island portion 11 of a lead frame, and the sensor chip 10 and the lead portion 17 are connected. Wire bonding. At the time of this die bonding, the notch 16 provided in the island portion 11 is used as a reference for positioning. Next, lead part 1
7 and the outer frame 18 are bent substantially perpendicularly to the island portion 11, and this lead frame is formed into a recess 1 having a predetermined shape.
The sensor chip 10 side is housed in the mold 12 provided with 3 with the bottom surface facing the bottom.

【0011】金型12の凹部13は、図4に示す如く、
リードフレームを凹部13底面から離間させるための段
差14を有しており、この段差14の中央部には位置決
め用のピン15が設けられている。このピン15は、ア
イランド部11に設けられた切り欠き16に噛み合って
アイランド部11を凹部13内の所定位置に固定する。
The recess 13 of the mold 12 is formed as shown in FIG.
There is a step 14 for separating the lead frame from the bottom surface of the recess 13, and a positioning pin 15 is provided at the center of the step 14. The pin 15 meshes with a notch 16 provided in the island portion 11 to fix the island portion 11 at a predetermined position in the concave portion 13.

【0012】続いて、図1(b)に示すように、凹部1
3内に透光性樹脂20を充填し、この透光性樹脂20を
過熱して硬化させる。このように透光性樹脂20を熱硬
化させると、透光性樹脂20内に含まれている気泡が透
光性樹脂20外に追い出されることになるため、透光性
樹脂20内に気泡が発生することがなくなる。従って、
透光性樹脂20を通してセンサチップ10に照射される
光が気泡によって不要に屈折することがなくなりセンサ
チップ10に歪みのない光が供給される。
Subsequently, as shown in FIG.
3 is filled with a light-transmitting resin 20, and the light-transmitting resin 20 is heated and cured. When the translucent resin 20 is heat-cured as described above, the bubbles contained in the translucent resin 20 are expelled to the outside of the translucent resin 20, so that the bubbles are formed in the translucent resin 20. It will not occur. Therefore,
Light applied to the sensor chip 10 through the translucent resin 20 is not unnecessarily refracted by bubbles, so that light without distortion is supplied to the sensor chip 10.

【0013】そして、図2に破線で示すリードフレーム
の外枠18の不要部分19を切断する。このとき、外枠
18の一部が透光性樹脂20の外部に残るように切断
し、この残存部分を位置決め用として用いる。即ち、透
光性樹脂20の表側の形状は、型12によって決定され
ているが、裏側については熱硬化の際に変形するために
形状が決定されず、固体撮像素子を基板に取り付ける基
準面が正確に得られない。そこで、透光性樹脂20外に
残した外枠18の一部から基準面を得るように構成して
いる。
Then, unnecessary portions 19 of the outer frame 18 of the lead frame shown by broken lines in FIG. 2 are cut. At this time, the outer frame 18 is cut so that a part thereof remains outside the translucent resin 20, and the remaining part is used for positioning. That is, the shape of the front side of the translucent resin 20 is determined by the mold 12, but the shape of the back side is not determined due to deformation during thermosetting, and the reference surface for attaching the solid-state imaging device to the substrate is not determined. Not exactly obtained. Therefore, the reference surface is obtained from a part of the outer frame 18 left outside the translucent resin 20.

【0014】以上の製造方法によれば、セラミックパッ
ケージに比して極めて安価な透光性樹脂によりセンサチ
ップをモールドして固体撮像素子を得ることができるた
めに固体撮像素子のコストの低減が図れる。
According to the above-described manufacturing method, the solid-state imaging device can be obtained by molding the sensor chip with a translucent resin which is extremely inexpensive as compared with the ceramic package, so that the cost of the solid-state imaging device can be reduced. .

【0015】[0015]

【発明の効果】本発明によれば、極めて安価で軽量な固
体撮像素子を実現することができる。しかも、センサチ
ップに歪みのない光が照射されるため、画像の歪みやカ
ラー撮像の際の色再現性の低下が防止されており、安定
して高い画質の映像を供給することができる。
According to the present invention, an extremely inexpensive and lightweight solid-state imaging device can be realized. In addition, since the sensor chip is irradiated with light having no distortion, distortion of an image and reduction in color reproducibility during color imaging are prevented, and a high-quality image can be supplied stably.

【0016】また、パッケージ内のセンサチップの位置
を正確に設定でき、同時に、パッケージを回路基板に取
り付ける際には、回路基板とセンサチップとが水平に維
持されるようになる。従って、センサチップと光学系と
の位置決めが正確且つ容易に達成される。
Further, the position of the sensor chip in the package can be set accurately, and at the same time, when the package is mounted on the circuit board, the circuit board and the sensor chip can be maintained horizontally. Therefore, the positioning between the sensor chip and the optical system can be accurately and easily achieved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の固体撮像素子の製造方法を説明する断
面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a method for manufacturing a solid-state imaging device according to the present invention.

【図2】本発明の製造方法に用られるリードフレームの
構造を示す平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a structure of a lead frame used in the manufacturing method of the present invention.

【図3】本発明の製造方法により製造された固体撮像素
子のパッケージ形状を示す斜視断面図である。
FIG. 3 is a perspective sectional view showing a package shape of a solid-state imaging device manufactured by the manufacturing method of the present invention.

【図4】本発明の製造方法に用いられる金型の構造を示
す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing the structure of a mold used in the manufacturing method of the present invention.

【図5】従来の固体撮像素子の構造を示す斜視断面図で
ある。
FIG. 5 is a perspective sectional view showing a structure of a conventional solid-state image sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 セラミックパッケージ 2、10 センサチップ 3a、3b リード 4 ガラス板 11 アイランド部 12 金型 13 凹部 14 段差 15 位置決めピン 16 切り欠き 17 リード部 18 外枠 19 外枠の不要部分 20 透光性樹脂 1 Ceramic Package 2, 10 Sensor Chip 3a, 3b Lead 4 Glass Plate 11 Island Part 12 Mold 13 Recess 14 Step 15 Positioning Pin 16 Notch 17 Lead Part 18 Outer Frame 19 Unnecessary Part of Outer Frame 20 Translucent Resin

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の光電変換素子がマトリクス状に配
列されてなる半導体チップをリードフレーム上にダイボ
ンディングし、上記半導体チップを上記リードフレーム
と共に樹脂モールドする固体撮像素子の製造方法に於
て、 位置決め用の切り欠きを有する上記リードフレームのア
イランド部に上記半導体チップをダイボンディングする
工程と、上記リードフレームのリード部及びこのリード
部を取り囲む外枠を上記半導体チップに対して略垂直に
折り曲げる工程と、上記固体撮像素子のパッケージ形状
を成し、上記リードフレームを所定位置に固定する位置
決めピンを有する凹部に上記半導体チップの装着された
上記リードフレームを収納し、上記凹部内を熱硬化性の
透光性樹脂で満たす工程と、上記凹部内に満たされた上
記透光性樹脂を加熱して硬化させる工程と、上記透光性
樹脂を熱硬化させた後、上記リードフレームの外枠を一
定の長さを残して切断する工程と、を備え、上記リード
フレームの外枠の残存部分によって取り付け位置の基準
を得ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
1. A method for manufacturing a solid-state image pickup device, comprising: bonding a semiconductor chip having a plurality of photoelectric conversion elements arranged in a matrix on a lead frame; and resin-molding the semiconductor chip together with the lead frame. A step of die bonding the semiconductor chip to an island portion of the lead frame having a notch for positioning, and a step of bending a lead portion of the lead frame and an outer frame surrounding the lead portion substantially perpendicularly to the semiconductor chip. And forming the package shape of the solid-state imaging device, storing the lead frame on which the semiconductor chip is mounted in a concave portion having positioning pins for fixing the lead frame in a predetermined position, and setting the inside of the concave portion with a thermosetting resin. A step of filling with a translucent resin, and a step of filling the translucent resin filled in the concave portion. A step of heating and curing, and a step of thermally curing the translucent resin and then cutting the outer frame of the lead frame with a certain length left, and the remaining portion of the outer frame of the lead frame. A method for manufacturing a solid-state imaging device, characterized in that a reference for a mounting position is obtained by.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008226913A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2011044601A (en) * 2009-08-21 2011-03-03 Tokai Rika Co Ltd Lead frame, package type electronic component and electronic apparatus
JP2012124311A (en) * 2010-12-08 2012-06-28 Denso Corp Sensor device and manufacturing method of the same

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008226913A (en) * 2007-03-08 2008-09-25 Sanyo Electric Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
JP2011044601A (en) * 2009-08-21 2011-03-03 Tokai Rika Co Ltd Lead frame, package type electronic component and electronic apparatus
JP2012124311A (en) * 2010-12-08 2012-06-28 Denso Corp Sensor device and manufacturing method of the same

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