JPH08255981A - Formation method of circuit board and circuit board - Google Patents
Formation method of circuit board and circuit boardInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、回路基板形成方法及び
回路基板に関する。更に詳しくは、本発明は、回路基板
を支持する基板としてガラス基板を使用するに際し、感
光性材料の微細なパターン形成を可能とし、加えて、放
熱性(熱伝導性)を向上させた回路基板形成方法及び回
路基板に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit board forming method and a circuit board. More specifically, the present invention makes it possible to form a fine pattern of a photosensitive material when a glass substrate is used as a substrate for supporting a circuit board, and in addition, the circuit board has improved heat dissipation (heat conductivity). The present invention relates to a forming method and a circuit board.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年の電子機器の小型化・軽量化に伴
い、プリント回路基板の多層化や電子部品の表面実装に
代表される実装方式の高密度化が進行している。また、
ICに代表される電子部品の高機能化・小型化や、マル
チチップモジュール(MCM)に代表される回路基板の
高機能化・小型化も進行している。2. Description of the Related Art With the recent miniaturization and weight reduction of electronic devices, the mounting method represented by the multilayered printed circuit board and the surface mounting of electronic components has been increased. Also,
Higher functionality and downsizing of electronic components typified by ICs, and higher functionality and downsizing of circuit boards typified by multi-chip modules (MCM) are also in progress.
【0003】特に、回路基板に関して、多層配線方式及
び狭ピッチ配線方式による薄型化・高機能化が進められ
ている。このような回路基板の薄型化に関して、窒化ア
ルミニウム又はアルミナ(酸化アルミニウム)等のセラ
ミック基板、AlやCu等の金属基板、ガラス基板等の
平滑な板材の上に絶縁層(厚さ数μm)と回路(厚さ数
μm)を交互に積層した多層配線方式の高密度実装用の
回路基板が注目を集めている。In particular, with respect to the circuit board, the thinning and high functionality of the multi-layer wiring method and the narrow pitch wiring method are being advanced. In order to reduce the thickness of such a circuit board, a ceramic substrate such as aluminum nitride or alumina (aluminum oxide), a metal substrate such as Al or Cu, and an insulating layer (several μm thick) on a smooth plate material such as a glass substrate. A circuit board for high-density mounting of a multi-layer wiring system in which circuits (thickness of several μm) are alternately laminated has attracted attention.
【0004】上記、回路基板の製造工程において、微細
なヴィアホールや配線の形成に際し、UV(紫外線)光
による感光性材料の露光処理が必要となるため、製造
上、露光ギャップの観点から、基板は反りが小さい(数
十μm以下)ことを必須条件とする。このような観点か
ら使用する基板は、シリコンウェハやガラス基板が適し
ており、更にコスト的な観点から、ガラス基板が適して
いる。In the manufacturing process of the circuit board described above, the exposure of the photosensitive material with UV (ultraviolet) light is required when forming the fine via holes and wirings. Is an essential condition that the warp is small (several tens of μm or less). From this point of view, a silicon wafer or a glass substrate is suitable as the substrate to be used, and a glass substrate is more suitable from the viewpoint of cost.
【0005】ガラス基板上へは、次のように回路が形成
される。まず、ガラス基板上に絶縁層を形成するための
感光性材料(感光性ポリイミドやフォトレジスト等)を
塗布する。次に、感光性材料にパターニングを施すが、
この際、ガラスマスクを介してUV光により露光処理
し、感光性材料に溶解度の差を生じさせて、現像工程を
経てパターニングすることにより絶縁層を形成する。次
いで、絶縁層上に回路用金属を積層し、パターニングを
施し回路を形成する。なお、絶縁層及び回路の形成は、
繰り返し行われ、多層回路基板が形成される。A circuit is formed on the glass substrate as follows. First, a photosensitive material (photosensitive polyimide, photoresist, or the like) for forming an insulating layer is applied on a glass substrate. Next, the photosensitive material is patterned,
At this time, an insulating layer is formed by exposing the photosensitive material to UV light through a glass mask to cause a difference in solubility in the photosensitive material and patterning it through a developing process. Next, a circuit metal is laminated on the insulating layer and patterned to form a circuit. In addition, the formation of the insulating layer and the circuit,
Repeatedly, a multilayer circuit board is formed.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の方
法では、ガラス基板の上面と下面の間でUV光の多重反
射が生じるため、本来、感光性材料のUV光が照射され
るべきではない部位にUV光が照射されてしまい、その
結果感光性材料の溶解度差が生じにくくなって、微細な
パターンが形成できないという問題が生じていた。そこ
で、ホログラムや液晶ディスプレイの分野では、ガラス
基板下面側にUV光反射防止膜を形成してUV光をガラ
ス基板下面で吸収させることにより多重反射を防いでい
た。However, in the above-mentioned conventional method, since UV light is reflected multiple times between the upper surface and the lower surface of the glass substrate, the UV light of the photosensitive material should not be originally irradiated. UV light is radiated to the site, and as a result, a difference in solubility of the photosensitive material is less likely to occur, which causes a problem that a fine pattern cannot be formed. Therefore, in the field of holograms and liquid crystal displays, multiple reflection is prevented by forming a UV light antireflection film on the lower surface side of the glass substrate and absorbing UV light on the lower surface of the glass substrate.
【0007】また、ガラス基板は、他の基板材料に比べ
て放熱性(熱伝導性)に劣るという問題を抱えていた。
上記課題を鑑み、本発明の発明者らは鋭意検討の結果、
ガラス基板を用いる際のUV光の多重反射を防止し、微
細なパターンの形成を可能にすると共に、ガラス基板の
放熱性(熱伝導性)を向上させた回路基板形成方法及び
回路基板を見いだし本発明に至った。Further, the glass substrate has a problem that it is inferior in heat dissipation (heat conductivity) to other substrate materials.
In view of the above problems, the inventors of the present invention have earnestly studied,
Finding a circuit board forming method and a circuit board which prevent multiple reflection of UV light when using a glass substrate, enable formation of fine patterns, and improve heat dissipation (heat conductivity) of the glass substrate Invented.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】かくして本発明によれ
ば、ガラス基板の表面に光を遮断する膜を形成する工
程、前記膜上に感光性樹脂を塗布し、パターニングし、
硬化さすことにより絶縁層を形成する工程、絶縁層上に
回路用金属を積層し、パターニングすることにより回路
を形成する工程からなり、絶縁層を形成する工程及び回
路を形成する工程をこの順で少なくとも1回行うことを
特徴とする回路基板形成方法が提供される。Thus, according to the present invention, the step of forming a film for blocking light on the surface of the glass substrate, applying a photosensitive resin on the film, patterning,
It consists of a step of forming an insulating layer by hardening, a step of forming a circuit by laminating a circuit metal on the insulating layer and patterning, and a step of forming an insulating layer and a step of forming a circuit in this order. A method for forming a circuit board is provided, which is performed at least once.
【0009】更に、本発明によれば、熱伝導性の良い膜
と回路基板上に形成される電子部品とが、サーマルヴィ
アを介して接続されてなる回路基板も提供される。本発
明に使用されるガラス基板は、特に限定されず、公知の
ガラス基板を使用することができる。このガラス基板
は、表面が梨子地化処理されていることが、光を遮断す
る膜(以下光遮断膜と称する)との密着性(アンカー効
果)が向上するので好ましい。また、梨子地化処理にお
いて、表面粗さは、Ra=10〜50nmが特に好まし
い。なお、ガラス基板への密着性に優れる光遮断膜を使
用する場合は、梨子地化処理を行わなくてもよい。Further, according to the present invention, there is also provided a circuit board in which a film having good thermal conductivity and an electronic component formed on the circuit board are connected via a thermal via. The glass substrate used in the present invention is not particularly limited, and a known glass substrate can be used. It is preferable that the surface of the glass substrate is treated with a pear satin, because the adhesion (anchor effect) with a film that blocks light (hereinafter referred to as a light blocking film) is improved. In addition, in the pear-skin formation treatment, Ra = 10 to 50 nm is particularly preferable as the surface roughness. In addition, when using the light blocking film having excellent adhesion to the glass substrate, it is not necessary to carry out the pear surface treatment.
【0010】次いで、上記ガラス基板は、表面の有機物
の除去を主目的として、イソプロピルアルコール(IP
A)、エタノール、メタノール、アセトン、トリクロロ
エチレン、トリクロロエタン、メチレンクロライド等の
有機溶剤、リン酸塩、けい酸塩、炭酸ナトリウム、水酸
化ナトリウム等のアルカリ水溶液を使用して洗浄処理
(脱脂)に付すことが好ましい。また、洗浄処理時に超
音波を印加すれば、洗浄効率が上がるのでさらに好まし
い。Next, the above-mentioned glass substrate is mainly coated with isopropyl alcohol (IP) for the purpose of removing organic substances on the surface.
A), using an organic solvent such as ethanol, methanol, acetone, trichloroethylene, trichloroethane, methylene chloride, or an alkaline aqueous solution such as phosphate, silicate, sodium carbonate, sodium hydroxide, etc. Is preferred. Further, it is more preferable to apply ultrasonic waves during the cleaning treatment because the cleaning efficiency is improved.
【0011】この後、ガラス基板の表面に光遮断膜が形
成される。光遮断膜は、図2のようにガラス基板の片面
に形成してもよく、図3のようにガラス基板の表面全体
を覆うよう形成してもよい。なお、図2及び3中1はガ
ラス基板、2は光遮断膜を意味する。このように、光遮
断膜をガラス基板上に形成することにより、感光性樹脂
のパターニング時のUV光の多重反射が防止できる。ま
た、光遮断膜が熱伝導性の良い膜である場合には、回路
基板の放熱性(熱伝導性)を向上させることができる。
本発明に使用できる光遮断膜の材質は、UV光の透過を
遮断できれば、特に限定されない。ここで光遮断膜は、
金属からなることが特に好ましい。具体的には、光遮断
膜は、Ti,Cr,Al,Ni、W,Mo,Ta及びC
uからなる金属を少なくとも1つ含むことが好ましい。
更に、上記金属と合金を形成しうるFe,Au等も含ま
せることができる。この内、Ti,Al,Crが特に好
ましい。また、光遮断膜の厚さは、パターニング時のU
V光の波長及び光遮断膜の種類により異なるが、少なく
とも3μm以上、特に3〜10μmとすることが好まし
い。3μm以上とすることにより、UV光の多重反射防
止に加えて、放熱性(熱伝導性)をより向上させること
ができる。After that, a light blocking film is formed on the surface of the glass substrate. The light blocking film may be formed on one surface of the glass substrate as shown in FIG. 2, or may be formed so as to cover the entire surface of the glass substrate as shown in FIG. 2 and 3, 1 means a glass substrate and 2 means a light blocking film. By thus forming the light blocking film on the glass substrate, it is possible to prevent multiple reflection of UV light when patterning the photosensitive resin. Further, when the light blocking film is a film having good thermal conductivity, the heat dissipation property (heat conductivity) of the circuit board can be improved.
The material of the light blocking film that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it can block the transmission of UV light. Here, the light blocking film is
It is particularly preferably made of metal. Specifically, the light blocking film is made of Ti, Cr, Al, Ni, W, Mo, Ta and C.
It is preferable to include at least one metal composed of u.
Further, Fe, Au, etc. capable of forming an alloy with the above metals can be included. Of these, Ti, Al and Cr are particularly preferable. In addition, the thickness of the light blocking film is U when patterning.
Although it depends on the wavelength of the V light and the type of the light blocking film, it is preferably at least 3 μm or more, and particularly preferably 3 to 10 μm. When the thickness is 3 μm or more, in addition to preventing multiple reflection of UV light, heat dissipation (heat conductivity) can be further improved.
【0012】光遮断膜は、化学気相成長法(CVD)、
真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリング等の
真空製膜法、電気めっき、無電界めっき等の湿式めっき
法により形成することができる。ここで、ガラス基板の
片面に光遮断膜を形成するには、真空製膜法が好まし
く、ガラス基板の表面全体を覆うように光遮断膜を形成
するには、湿式めっき法が好ましい。The light blocking film is formed by chemical vapor deposition (CVD),
It can be formed by a vacuum film forming method such as vacuum deposition, ion plating or sputtering, or a wet plating method such as electroplating or electroless plating. Here, a vacuum film forming method is preferable for forming the light blocking film on one surface of the glass substrate, and a wet plating method is preferable for forming the light blocking film so as to cover the entire surface of the glass substrate.
【0013】上記のように光遮断膜が形成されたガラス
基板上には、多層配線を形成するために所望のパターン
からなる絶縁層及び回路が積層される。ここで絶縁層の
形成には、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ベンゾシク
ロブテン(BCB)樹脂等の感光性樹脂が使用できる。
また絶縁層の厚さは、10〜20μmが好ましい。10
μmより小さい場合、十分な絶縁性が得られないので好
ましくなく、20μmより大きい場合、製造時間がかか
ると共に薄膜化の要請に応えられないからである。On the glass substrate on which the light blocking film is formed as described above, an insulating layer and a circuit having a desired pattern are laminated to form a multilayer wiring. Here, a photosensitive resin such as a polyimide resin, an epoxy resin, or a benzocyclobutene (BCB) resin can be used for forming the insulating layer.
Further, the thickness of the insulating layer is preferably 10 to 20 μm. 10
If it is smaller than μm, sufficient insulation cannot be obtained, which is not preferable, and if it is larger than 20 μm, it takes a long time to manufacture and cannot meet the demand for thinning.
【0014】絶縁層の積層方法は、特に限定されず公知
の方法をいずれも使用することができ、例えば、スピン
コータ、ローラコータ、ディップコータ、スプレー等を
用いて塗布し、プリキュア工程に付し、ガラスマスクを
介してUV露光処理を施し、現像及びフルキュア工程に
付すことにより所望のパターンの絶縁層を積層できる。
本発明ではガラス基板上に光遮断膜が形成されているの
で、UV露光処理時に、UV光が多重反射して本来照射
されるべきでない領域に照射されることを防ぐことがで
きる。従って、絶縁層に形成されるヴィアホールの直径
を、光遮断膜がない場合と比較して、約1/3程度にす
ることができる。The method for laminating the insulating layer is not particularly limited, and any known method can be used. For example, a spin coater, a roller coater, a dip coater, a spray is used for coating, a pre-cure step is performed, and a glass is applied. The insulating layer having a desired pattern can be laminated by performing a UV exposure process through a mask and performing a development and a full cure process.
In the present invention, since the light blocking film is formed on the glass substrate, it is possible to prevent the UV light from being multiple-reflected and being applied to a region that should not be originally applied during the UV exposure processing. Therefore, the diameter of the via hole formed in the insulating layer can be reduced to about 1/3 of that in the case where the light blocking film is not provided.
【0015】一方、回路は公知の回路用金属を上記絶縁
層上に積層し、フォトレジスト等を使用したパターニン
グにより形成することができる。なお、この積層工程に
より、絶縁層に形成されているヴィアホールにも回路用
金属が充填される。回路用金属としては、例えば、A
l,Cu,Au,Mo及びW等が挙げられ、これらの合
金も使用することができる。また、Si等を数%添加す
ることも可能である。回路用金属は、Al,Cuが特に
好ましい。回路の厚さは、下地である絶縁層の種類にも
よるが1〜5μmが好ましい。1μmより小さい場合、
絶縁層の影響を受け回路の抵抗が高くなるので好ましく
なく、5μmより大きい場合、製造時間がかかるため好
ましくない。On the other hand, the circuit can be formed by laminating a known circuit metal on the insulating layer and patterning it with a photoresist or the like. By this laminating step, the circuit metal is filled also in the via hole formed in the insulating layer. Examples of the circuit metal include A
1, Cu, Au, Mo, W and the like, and alloys thereof can also be used. It is also possible to add Si or the like in a few%. Al and Cu are particularly preferable as the circuit metal. The thickness of the circuit depends on the type of the underlying insulating layer, but is preferably 1 to 5 μm. If smaller than 1 μm,
The resistance of the circuit increases due to the influence of the insulating layer.
【0016】回路用金属の積層方法は、特に限定されず
公知の方法をいずれも使用することができ、例えば、C
VD、真空蒸着、イオンプレーティング、スパッタリン
グ等の真空製膜法、湿式めっき法等により形成すること
ができる。回路用金属は積層された後、パターニングの
ためにフォトレジストが塗布され、所望のパターンを形
成することによりエッチングマスクが形成され、エッチ
ング処理に付される。エッチング方法は、特に限定され
ず公知の方法を使用することができる。例えば、塩化第
二銅、塩化第二鉄、過酸化水素/硫酸、過硫酸アンモニ
ウム、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム等のエッチャ
ントを使用したウエットエッチングが挙げられる。The method for laminating the circuit metal is not particularly limited, and any known method can be used. For example, C
It can be formed by a vacuum film forming method such as VD, vacuum deposition, ion plating, sputtering, or a wet plating method. After the circuit metal is laminated, a photoresist is applied for patterning, an etching mask is formed by forming a desired pattern, and the circuit metal is subjected to etching treatment. The etching method is not particularly limited, and a known method can be used. For example, wet etching using an etchant such as cupric chloride, ferric chloride, hydrogen peroxide / sulfuric acid, ammonium persulfate, sodium persulfate and potassium persulfate can be mentioned.
【0017】上記、感光性樹脂及び回路用金属は、パタ
ーニングしつつ交互に複数層形成することにより、絶縁
層及び回路からなる多層回路とすることができる。ま
た、最上層には、回路用金属が露出しており、この回路
用金属に電子部品が載置され、接続される。本発明に使
用できる電子部品としては、ICチップ、LSIチッ
プ、抵抗チップ、コンデンサチップ等の回路基板に通常
使用される電子部品が挙げられる。By forming a plurality of layers of the photosensitive resin and the circuit metal alternately while patterning, a multilayer circuit including an insulating layer and a circuit can be formed. Further, the circuit metal is exposed on the uppermost layer, and the electronic component is placed and connected to the circuit metal. Examples of electronic components that can be used in the present invention include electronic components that are normally used for circuit boards such as IC chips, LSI chips, resistor chips, and capacitor chips.
【0018】また、本発明では熱伝導性の良い膜と回路
基板上に形成される電子部品とが、サーマルヴィアを介
して接続されてなる回路基板を提供することができる。
サーマルヴィアを介して電子部品に発生する熱を熱伝導
性の良い膜に伝えることにより逃がすことができる。例
えば、サーマルヴィアを設けることにより、サーマルヴ
ィアの材質、形状及び大きさによっても相違するが約1
0℃程度熱を低減することができる。このサーマルヴィ
アは、回路用金属と同じ材質からなることが好ましく、
絶縁層及び回路と同時に形成することができる。Further, according to the present invention, it is possible to provide a circuit board in which a film having good thermal conductivity and an electronic component formed on the circuit board are connected via a thermal via.
The heat generated in the electronic component can be released to the film having good thermal conductivity via the thermal via. For example, when the thermal via is provided, it depends on the material, shape and size of the thermal via, but it is about 1
The heat can be reduced by about 0 ° C. This thermal via is preferably made of the same material as the circuit metal,
It can be formed at the same time as the insulating layer and the circuit.
【0019】[0019]
【作用】本発明の回路基板形成方法は、ガラス基板の表
面に光遮断膜を形成する工程、前記膜上に感光性樹脂を
塗布し、パターニングし、硬化さすことにより絶縁層を
形成する工程、絶縁層上に回路用金属を積層し、パター
ニングすることにより回路を形成する工程からなり、絶
縁層を形成する工程及び回路を形成する工程をこの順で
少なくとも1回行うことを特徴とするので、微細パター
ンの形成が可能となり、更にガラス基板への放熱性(熱
伝導性)が付与される。この理由は次の通りである。The method of forming a circuit board of the present invention comprises the steps of forming a light blocking film on the surface of a glass substrate, applying a photosensitive resin on the film, patterning, and curing to form an insulating layer. Since a circuit metal is laminated on the insulating layer and patterned to form a circuit, the step of forming the insulating layer and the step of forming the circuit are performed at least once in this order. A fine pattern can be formed, and heat dissipation (heat conductivity) to the glass substrate is imparted. The reason for this is as follows.
【0020】即ち、ガラス基板は厚みが存在しかつUV
光を透過させる。そのため、光遮断膜のないガラス基板
の場合、図9に示すように、ガラス基板下面でUV光が
反射する。この反射光はガラス基板の上面と下面の間で
多重反射し、本来UV光が照射されるべきでない感光性
樹脂の部位にUV光が照射される。このUV光により感
光性樹脂の光反応が促進し、必要でない部位に絶縁膜が
形成され微細なパターンの形成が困難であった。これに
対して、本発明ではガラス基板に光遮断膜が形成されて
いるので、図4に示すように、UV光の多重反射は起こ
らず、所望する微細パターンの形成が可能となる。なお
図4及び図9中4はマスクを意味する。That is, the glass substrate has a thickness and UV
Allows light to pass through. Therefore, in the case of a glass substrate having no light blocking film, UV light is reflected on the lower surface of the glass substrate as shown in FIG. This reflected light is multiple-reflected between the upper surface and the lower surface of the glass substrate, and UV light is irradiated to the portion of the photosensitive resin that should not be originally irradiated with UV light. The UV light accelerates the photoreaction of the photosensitive resin, and an insulating film is formed on an unnecessary portion, making it difficult to form a fine pattern. On the other hand, in the present invention, since the light blocking film is formed on the glass substrate, as shown in FIG. 4, multiple reflection of UV light does not occur and a desired fine pattern can be formed. In addition, 4 in FIG. 4 and FIG. 9 means a mask.
【0021】また、光遮断膜を、真空蒸着、イオンプレ
ーティング、スパッタリング、化学気相成長法(CV
D)、湿式めっき法により形成することにより、簡便に
光遮断膜が形成される。更に、光遮断膜が、Ti,C
r,Al,Ni,W,Mo,Ta及びCuからなる元素
を少なくとも1つ含むことにより、UV光の遮光及びガ
ラス基板の放熱性が向上する。Further, the light blocking film is formed by vacuum deposition, ion plating, sputtering, chemical vapor deposition (CV).
D), the light blocking film can be easily formed by forming it by the wet plating method. Further, the light blocking film is made of Ti, C
By containing at least one element consisting of r, Al, Ni, W, Mo, Ta and Cu, the UV light shielding property and the heat dissipation property of the glass substrate are improved.
【0022】また、光遮断膜がないガラス基板を使用し
た回路基板と比較して、より微細な回路を有し、かつ放
熱性(熱伝導性)が向上した回路基板が提供される。更
に、回路基板が、熱伝導性の良い膜と回路基板上に形成
される電子部品とが、サーマルヴィアを介して接続され
てなることにより、最上層に形成される電子部品で発生
した熱が金属膜に伝わりやすくなるので、放熱性(熱伝
導性)に優れた回路基板が提供される。Also provided is a circuit board having a finer circuit and improved heat dissipation (thermal conductivity) as compared with a circuit board using a glass substrate having no light blocking film. Further, in the circuit board, since the film having good thermal conductivity and the electronic parts formed on the circuit board are connected through the thermal vias, heat generated in the electronic parts formed on the uppermost layer is generated. Since it is easily transferred to the metal film, a circuit board excellent in heat dissipation (heat conductivity) is provided.
【0023】[0023]
実施例 図1は本発明の実施例における断面図であり、光遮断膜
の形成されたガラス基板上に多層回路を形成したもので
ある。図中、1はガラス基板、2は光遮断膜、5は絶縁
層、6は回路、7はサーマルヴィア、8はヴィアホー
ル、9はICチップをそれぞれ示している。以下、図5
(a)〜図8(b)を使用して、図1の回路基板形成方
法を更に詳細に説明する。Example FIG. 1 is a sectional view of an example of the present invention, in which a multilayer circuit is formed on a glass substrate on which a light blocking film is formed. In the figure, 1 is a glass substrate, 2 is a light blocking film, 5 is an insulating layer, 6 is a circuit, 7 is a thermal via, 8 is a via hole, and 9 is an IC chip. Below, FIG.
The circuit board forming method of FIG. 1 will be described in more detail with reference to FIGS.
【0024】まず、光遮断膜とガラス基板との密着性を
向上させるため、濃い強アルカリ溶液(NaOH)にガ
ラス基板1を浸漬して、ガラス基板1の表面を梨子地化
した(表面粗さRa=10〜50nm)。このガラス基
板1の表面の有機物を除去すること(脱脂)を主目的と
して、有機溶剤であるIPAを使用して洗浄処理に付し
た(図5(a)及び図5(b))。First, in order to improve the adhesion between the light blocking film and the glass substrate, the glass substrate 1 was dipped in a strong alkaline solution (NaOH) to make the surface of the glass substrate 1 a satin finish (surface roughness). Ra = 10 to 50 nm). A cleaning treatment was performed using IPA which is an organic solvent, mainly for removing (degreasing) organic substances on the surface of the glass substrate 1 (FIGS. 5A and 5B).
【0025】次に、Alからなる光遮断膜2を、DCス
パッタリングにより、ガラス基板1全面に厚さ5μmで
形成した。形成の際の基板温度は室温とした(図5
(c))。次いで、光遮断膜2上にポリイミドからなる
感光性樹脂3を塗布した(図6(a))。この感光性樹
脂3をプリキュア処理した後、ガラスマスク4を介して
UV露光処理を施し、現像及びフルキュア工程を経た
後、所望のパターンを有する厚さ5μmの絶縁層5を形
成した(図6(b)及び図7(a))。この時、最小の
直径が10μmの微細なサーマルヴィア7(又はヴィア
ホール8)が形成できた。Next, the light blocking film 2 made of Al was formed on the entire surface of the glass substrate 1 by DC sputtering so as to have a thickness of 5 μm. The substrate temperature during formation was room temperature (Fig. 5).
(C)). Then, a photosensitive resin 3 made of polyimide was applied on the light blocking film 2 (FIG. 6A). After the photosensitive resin 3 was pre-cured, UV exposure was applied through the glass mask 4, and after development and full curing steps, an insulating layer 5 having a desired pattern and a thickness of 5 μm was formed (see FIG. 6 ( b) and FIG. 7 (a)). At this time, fine thermal vias 7 (or via holes 8) having a minimum diameter of 10 μm could be formed.
【0026】次に、絶縁層5上にスパッタリングにより
厚さ3μmの回路用金属(Al−Si合金)11を形成
した(図7(b))。回路用金属11上にフォトレジス
トを塗布し、プリキュア処理・UV光露光・現像処理・
フルキュア処理を経て、所望のパターンにフォトレジス
ト10を形成した(図7(c)及び図8(a))。次
に、フォトレジスト10をエッチングマスクとしてエッ
チング処理に付し、所望のパターンの回路6を形成した
(図8(b))。ここでエッチング処理には、リン酸を
主成分とする混合酸溶液が、エッチング用の溶液として
使用された。Then, a circuit metal (Al-Si alloy) 11 having a thickness of 3 μm was formed on the insulating layer 5 by sputtering (FIG. 7B). Photoresist is applied on the circuit metal 11, and pre-cure treatment, UV light exposure, development treatment,
A photoresist 10 was formed into a desired pattern through a full cure process (FIGS. 7C and 8A). Next, using the photoresist 10 as an etching mask, etching was performed to form the circuit 6 having a desired pattern (FIG. 8B). Here, in the etching treatment, a mixed acid solution containing phosphoric acid as a main component was used as a solution for etching.
【0027】この後、図6(a)〜図8(b)の工程を
繰り返し、電子部品としてICチップ9を載置、接続す
ることにより、図1に示す如きサーマルヴィア7を有す
る回路基板を得ることができた。得られた回路基板のサ
ーマルヴィア7を介してICチップ9から発生する熱
を、光遮断膜2に伝え、放熱させたところ、ICチップ
9の温度はチップの補償温度よりも約10℃低くするこ
とができた。Thereafter, the steps of FIGS. 6 (a) to 8 (b) are repeated to mount and connect the IC chip 9 as an electronic component to form a circuit board having the thermal via 7 as shown in FIG. I was able to get it. When the heat generated from the IC chip 9 is transferred to the light blocking film 2 through the thermal vias 7 of the obtained circuit board and is radiated, the temperature of the IC chip 9 becomes about 10 ° C. lower than the compensation temperature of the chip. I was able to.
【0028】比較例 光遮断膜2を形成しないこと以外は、上記実施例と同様
にして回路基板を形成した。得られた回路基板のヴィア
ホール8の最小の直径は30μmであった。Comparative Example A circuit board was formed in the same manner as in the above example except that the light blocking film 2 was not formed. The minimum diameter of the via hole 8 of the obtained circuit board was 30 μm.
【0029】[0029]
【発明の効果】本発明の回路基板形成方法は、ガラス基
板上へ光遮断膜を形成する工程、前記膜上に感光性樹脂
を塗布し、パターニングし、硬化さすことにより絶縁層
を形成する工程、絶縁層上に回路用金属を積層し、パタ
ーニングすることにより回路を形成する工程からなり、
絶縁層を形成する工程及び回路を形成する工程をこの順
で少なくとも1回行うことを特徴とするので、微細パタ
ーンの形成が可能となり、更にガラス基板へ放熱性(熱
伝導性)を付与することができる。According to the method of forming a circuit board of the present invention, a step of forming a light blocking film on a glass substrate, a step of applying a photosensitive resin on the film, patterning and curing the film to form an insulating layer. , A step of forming a circuit by laminating a circuit metal on the insulating layer and patterning,
Since the step of forming the insulating layer and the step of forming the circuit are performed at least once in this order, a fine pattern can be formed, and heat dissipation (heat conductivity) can be imparted to the glass substrate. You can
【0030】また、光遮断膜を、真空蒸着、イオンプレ
ーティング、スパッタリング、化学気相成長法(CV
D)、湿式めっき法により形成することにより、簡便に
光遮断膜を形成することができる。更に、光遮断膜が、
Ti,Cr,Al,Ni,W,Mo,Ta及びCuから
なる元素を少なくとも1つ含むことにより、UV光の遮
光及びガラス基板の放熱性の向上が実現できる。The light blocking film is formed by vacuum vapor deposition, ion plating, sputtering, chemical vapor deposition (CV).
D), the light blocking film can be easily formed by forming by the wet plating method. Furthermore, the light blocking film
By containing at least one element consisting of Ti, Cr, Al, Ni, W, Mo, Ta and Cu, it is possible to realize the shielding of UV light and the improvement of heat dissipation of the glass substrate.
【0031】また、光遮断膜がないガラス基板を使用し
た回路基板と比較して、より微細な回路を有する回路基
板を提供することができる。更に、回路基板が、熱伝導
性の良い膜と回路基板上に形成される電子部品とをサー
マルヴィアを介して接続されている構造を有しているの
で、最上層に形成される電子部品で発生した熱が熱伝導
性の良い膜に伝わりやすくなるので、放熱性(熱伝導
性)に優れた回路基板を提供することができる。Further, it is possible to provide a circuit board having a finer circuit as compared with a circuit board using a glass substrate having no light blocking film. Further, since the circuit board has a structure in which the film having good thermal conductivity and the electronic parts formed on the circuit board are connected via the thermal vias, the electronic parts formed on the uppermost layer Since the generated heat is easily transferred to the film having good thermal conductivity, it is possible to provide a circuit board excellent in heat dissipation (thermal conductivity).
【図1】本発明の回路基板の概略断面図である。FIG. 1 is a schematic sectional view of a circuit board of the present invention.
【図2】本発明の回路基板形成方法において、光遮断膜
が被覆されたガラス基板の一例である。FIG. 2 is an example of a glass substrate coated with a light blocking film in the method for forming a circuit board of the present invention.
【図3】本発明の回路基板形成方法において、光遮断膜
が被覆されたガラス基板の一例である。FIG. 3 is an example of a glass substrate coated with a light blocking film in the method for forming a circuit board of the present invention.
【図4】本発明の回路基板形成方法におけるUV光照射
時のUV光の挙動を示す概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram showing the behavior of UV light during UV light irradiation in the circuit board forming method of the present invention.
【図5】本発明の回路基板形成方法の概略工程図であ
る。FIG. 5 is a schematic process diagram of a circuit board forming method of the present invention.
【図6】本発明の回路基板形成方法の概略工程図であ
る。FIG. 6 is a schematic process diagram of a circuit board forming method of the present invention.
【図7】本発明の回路基板形成方法の概略工程図であ
る。FIG. 7 is a schematic process diagram of a circuit board forming method of the present invention.
【図8】本発明の回路基板形成方法の概略工程図であ
る。FIG. 8 is a schematic process diagram of a circuit board forming method of the present invention.
【図9】従来の回路基板形成方法におけるUV光照射時
のUV光の挙動を示す概略図である。FIG. 9 is a schematic diagram showing the behavior of UV light during UV light irradiation in the conventional circuit board forming method.
1 ガラス基板 2 光遮断膜 3 感光性樹脂 4 マスク 5 絶縁層 6 回路 7 サーマルヴィア 8 ヴィアホール 9 ICチップ 10 フォトレジスト 11 回路用金属 1 Glass Substrate 2 Light Blocking Film 3 Photosensitive Resin 4 Mask 5 Insulating Layer 6 Circuit 7 Thermal Via 8 Via Hole 9 IC Chip 10 Photoresist 11 Circuit Metal
Claims (2)
成する工程、前記膜上に感光性樹脂を塗布し、パターニ
ングし、硬化さすことにより絶縁層を形成する工程、絶
縁層上に回路用金属を積層し、パターニングすることに
より回路を形成する工程からなり、絶縁層を形成する工
程及び回路を形成する工程をこの順で少なくとも1回行
うことを特徴とする回路基板形成方法。1. A step of forming a film for blocking light on a surface of a glass substrate, a step of applying a photosensitive resin on the film to form an insulating layer by patterning and curing, and a circuit on the insulating layer. A method for forming a circuit board, comprising the steps of forming a circuit by laminating and patterning a working metal, and performing the step of forming an insulating layer and the step of forming a circuit at least once in this order.
れる電子部品とが、サーマルヴィアを介して接続されて
なる回路基板。2. A circuit board in which a film having good thermal conductivity and an electronic component formed on the circuit board are connected via a thermal via.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7057465A JPH08255981A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Formation method of circuit board and circuit board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP7057465A JPH08255981A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Formation method of circuit board and circuit board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08255981A true JPH08255981A (en) | 1996-10-01 |
Family
ID=13056440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7057465A Withdrawn JPH08255981A (en) | 1995-03-16 | 1995-03-16 | Formation method of circuit board and circuit board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08255981A (en) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6844955B2 (en) | 2001-06-05 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Electro-optical device, electronic apparatus, and method for manufacturing electro-optical device |
US6933601B2 (en) | 2001-07-12 | 2005-08-23 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor connection substrate |
US7040011B2 (en) | 2001-01-29 | 2006-05-09 | Renesas Technology Corp. | Wiring substrate manufacturing method |
US7504719B2 (en) | 1998-09-28 | 2009-03-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board having a roughened surface formed on a metal layer, and method for producing the same |
US7586755B2 (en) | 2001-07-12 | 2009-09-08 | Hitachi, Ltd. | Electronic circuit component |
-
1995
- 1995-03-16 JP JP7057465A patent/JPH08255981A/en not_active Withdrawn
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US7535095B1 (en) | 1998-09-28 | 2009-05-19 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
US8533943B2 (en) | 1998-09-28 | 2013-09-17 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and method for producing the same |
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