JPH08255863A - Lead frame, semiconductor device employing it, and manufacture thereof - Google Patents

Lead frame, semiconductor device employing it, and manufacture thereof

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JPH08255863A
JPH08255863A JP5779695A JP5779695A JPH08255863A JP H08255863 A JPH08255863 A JP H08255863A JP 5779695 A JP5779695 A JP 5779695A JP 5779695 A JP5779695 A JP 5779695A JP H08255863 A JPH08255863 A JP H08255863A
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JP
Japan
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lead
semiconductor chip
lead frame
stage
frame
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JP5779695A
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Japanese (ja)
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Akira Takashima
晃 高島
Hiroshi Yoshimura
洋 吉村
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
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    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/4826Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body

Abstract

PURPOSE: To obtain a lead frame for mounting a semiconductor chip in a lead- on-chip system and a semiconductor device in which the manufacturing cost is reduced while preventing short circuit of the wire. CONSTITUTION: A stage 54 having a smaller size than the mounting surface of a semiconductor chip 55 is disposed at the lower part between the opposite inner end parts of the inner lead 53a of a lead 53. The inner lead 53a is located above the semiconductor chip 55 being mounted in the lead-on-chip system.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、リードオンチップ方式
で半導体チップを搭載するリードフレーム及び半導体装
置に関する。近年、半導体装置は実装効率を向上させる
ためにパッケージ状態がDIP(Dual In-line Packag
e) からSOP(Small Outline Package)、SOJ(Sma
ll Outline J-Lead Package) 、QFP(Quad Flat Pac
kage)へと移行し、さらにTSOP(Thin-SOP) に移行
してきている。そして、さらなる実装効率の向上が要求
されており、そのため高密度パッケージを低コストで実
現する必要がある。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device on which a semiconductor chip is mounted by a lead-on-chip method. In recent years, semiconductor devices have been packaged in a DIP (Dual In-line Packag) in order to improve mounting efficiency.
e) to SOP (Small Outline Package), SOJ (Sma
ll Outline J-Lead Package), QFP (Quad Flat Pac
Kage) and then TSOP (Thin-SOP). Further, further improvement in mounting efficiency is required, and therefore it is necessary to realize a high density package at low cost.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、LSIパッケージは、高機能化、
高密度化に伴ってチップサイズが大きくなる傾向にあ
る。そこで、パッケージを小さくして実装効率を向上さ
せるための方法として、半導体チップ上方にリードを位
置させるいわゆるLOC(Lead On Chip) 方式が採用さ
れてきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, LSI packages have been made highly functional,
The chip size tends to increase as the density increases. Therefore, a so-called LOC (Lead On Chip) method of arranging the leads above the semiconductor chip has been adopted as a method for reducing the size of the package and improving the mounting efficiency.

【0003】図8に、従来のリードオンチップの半導体
装置の断面構成図を示す。図8に示す半導体装置11は
第1及び第2のリードフレーム12,13で構成される
マルチリードフレームを用いたもので、第1のリードフ
レーム12は所定数のリード12aを有し、第2のリー
ドフレーム13はステージ13aを有する。第2のリー
ドフレーム13のステージ13a上には半導体チップ1
4が搭載されており、第1のリードフレーム12が重ね
合わされたときにリード12aのインナリードとなる先
端部分が半導体チップ14の上面の上方に位置させるよ
うに構成される。
FIG. 8 is a sectional view showing the structure of a conventional lead-on-chip semiconductor device. A semiconductor device 11 shown in FIG. 8 uses a multi-lead frame composed of first and second lead frames 12 and 13. The first lead frame 12 has a predetermined number of leads 12a, The lead frame 13 has a stage 13a. The semiconductor chip 1 is mounted on the stage 13a of the second lead frame 13.
4 is mounted, and when the first lead frame 12 is overlaid, the tip portions of the leads 12a, which are inner leads, are located above the upper surface of the semiconductor chip 14.

【0004】すなわち、半導体チップ14の上面には、
上面略中心線上に電極パッド(図に表われず)が形成さ
れおており、この電極パッドの近傍に上記リード12a
の先端部分が位置され、該電極パッドとリード12a間
でワイヤ15により電気的な接続が行われる。ここで、
このような位置付けとワイヤ接続を行い得る組み立て順
序として、第2のリードフレーム13上に半導体チップ
14をダイス付けした後に第1のリードフレーム12を
溶接により重ねわせるものである。そして、モールド樹
脂によりパッケージ16が形成されたものである。
That is, on the upper surface of the semiconductor chip 14,
An electrode pad (not shown in the figure) is formed on the substantially center line of the upper surface, and the lead 12a is formed near the electrode pad.
Is positioned, and electrical connection is made by the wire 15 between the electrode pad and the lead 12a. here,
As an assembly order in which such positioning and wire connection can be performed, the semiconductor chip 14 is diced on the second lead frame 13 and then the first lead frame 12 is overlapped by welding. Then, the package 16 is formed of the mold resin.

【0005】また、図9に、リードオンチップの他の構
造の内部構成図を示す。図9に示す半導体装置21は、
所定数のリード22aのみが形成されたリードフレーム
22におけるインナリードとなる内側先端近傍に例えば
ポリイミド接着テープ23により図8で説明した半導体
チップ14と同様の半導体チップ24が取り付けられて
搭載される。そこで、半導体チップ24の電極パッドと
リード22aとをワイヤ25により電気的接続を行った
ものである。
FIG. 9 shows the internal structure of another structure of the lead-on-chip. The semiconductor device 21 shown in FIG.
A semiconductor chip 24 similar to the semiconductor chip 14 described with reference to FIG. 8 is attached and mounted by, for example, a polyimide adhesive tape 23 in the vicinity of the inner tip that serves as an inner lead in the lead frame 22 in which only a predetermined number of leads 22a are formed. Then, the electrode pad of the semiconductor chip 24 and the lead 22a are electrically connected by the wire 25.

【0006】続いて、図10に、従来のバスバーを有す
るマルチリードフレームによるリードオンチップの半導
体装置の断面構成図を示すと共に、図11に図10のマ
ルチリードフレームの構成説明図を示す。図10に示す
半導体装置31は、図8と同様に第1及び第2のリード
フレーム32,33で構成されるマルチリードフレーム
が用いられる。第1のリードフレーム32は、図11
(A)に示すように、クレドール34a,34b間に所
定数のリード35a,35bが先端を対向させて形成さ
れ、各サイドのリード35a,35bをそれぞれバスバ
ーリード36a,36bで囲むように配置される。
Next, FIG. 10 shows a sectional view of a conventional lead-on-chip semiconductor device using a multi-lead frame having a bus bar, and FIG. 11 shows a view for explaining the multi-lead frame of FIG. A semiconductor device 31 shown in FIG. 10 uses a multi-lead frame composed of first and second lead frames 32 and 33 as in the case of FIG. The first lead frame 32 is shown in FIG.
As shown in (A), a predetermined number of leads 35a, 35b are formed between the cradle 34a, 34b with their tips facing each other, and arranged so that the leads 35a, 35b on each side are surrounded by bus bar leads 36a, 36b, respectively. It

【0007】また、第2のリードフレーム33は、図1
1(B)に示すように、グレドール37a,37b間に
サポートバー38a,38bを介してステージ39が形
成される。この第2のリードフレーム33に、第1のリ
ードフレーム32を重ね合わせた状態が図11(C)に
示される。すなわち、ステージ39の上方に第1のリー
ドフレーム32のリード35a,35bの先端及びバス
バーリード36a,36bが配置される状態となる。
The second lead frame 33 is shown in FIG.
As shown in FIG. 1 (B), a stage 39 is formed between the gredols 37a and 37b via the support bars 38a and 38b. A state in which the first lead frame 32 is superimposed on the second lead frame 33 is shown in FIG. 11 (C). That is, the tips of the leads 35a and 35b of the first lead frame 32 and the bus bar leads 36a and 36b are arranged above the stage 39.

【0008】そこで、図10に戻って説明するに、第2
のリードフレーム33のステージ39上に図8で説明し
た半導体チップ14と同様の半導体チップ40が搭載さ
れる。このとき半導体チップ40上の電極パッド(図に
表われず)の近傍上方にリード35a,35b及びバス
バーリード36a,36bが位置され、対応する同士で
ワイヤ41により電気的に接続される。そして、モール
ド樹脂によりパッケージ42が形成されたものである。
Therefore, referring back to FIG.
A semiconductor chip 40 similar to the semiconductor chip 14 described in FIG. 8 is mounted on the stage 39 of the lead frame 33. At this time, the leads 35a, 35b and the bus bar leads 36a, 36b are located above the vicinity of the electrode pads (not shown in the figure) on the semiconductor chip 40, and they are electrically connected to each other by the wires 41. Then, the package 42 is formed of the mold resin.

【0009】なお、LOC方式の場合、半導体チップ4
0内では電源やグランドの引き廻しを行わずに、リード
フレーム上で引き廻すことからバスバーリード36a,
36bが前記第1のリードフレーム32に形成されるも
のである。
In the case of the LOC system, the semiconductor chip 4
Within 0, the power supply and the ground are not routed, but they are routed on the lead frame.
36b is formed on the first lead frame 32.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】しかし、図8に示すリ
ードオンチップ方式の半導体方式の半導体装置11は第
1及び第2のリードフレーム12,13を使用すること
からコスト高となり、また図9に示すリードオンチップ
方式の半導体装置21は半導体チップ24を搭載するた
めの接着テープがコスト高であって全体的にコスト高に
なるという問題がある。
However, the semiconductor device 11 of the semiconductor system of the lead-on-chip system shown in FIG. 8 uses the first and second lead frames 12 and 13, resulting in high cost, and FIG. The lead-on-chip type semiconductor device 21 shown in (1) has a problem that the cost of the adhesive tape for mounting the semiconductor chip 24 is high and the cost is high as a whole.

【0011】一方、図10に示すリードオンチップ方式
の半導体装置31は、バスバーリード36a,36bを
備えるマルチリードフレームとして、半導体チップ40
とリード35a,35bをワイヤ41で接続するに際し
て該バスバーリード36a,36bを越えて配線させる
ことから、ボンディング時や樹脂モード時にワイヤ短絡
を生じる場合があるという問題がある。
On the other hand, the lead-on-chip type semiconductor device 31 shown in FIG. 10 is a semiconductor chip 40 as a multi-lead frame having bus bar leads 36a and 36b.
When connecting the leads 35a and 35b with the wire 41, the wires are wired over the bus bar leads 36a and 36b, so that there is a problem that a wire short circuit may occur during bonding or in resin mode.

【0012】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、低コスト化を図り、ワイヤ短絡防止を図るリー
ドフレーム及び半導体装置を提供することを目的とす
る。
Therefore, the present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a lead frame and a semiconductor device which can reduce the cost and prevent the wire short circuit.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】請求項1では、搭載され
る半導体チップの上方で内側先端を所定間隔で対向して
位置されて該半導体チップと電気的接続が行われる所定
数のリード部と、前記リード部の対向する内側先端の間
の下方に形成され、前記半導体チップの搭載面より小サ
イズで該半導体チップを搭載するステージ部と、を有し
てリードフレームが構成される。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a predetermined number of lead portions which are positioned above the mounted semiconductor chip so that their inner tips are opposed to each other at a predetermined interval and are electrically connected to the semiconductor chip. And a stage part formed below the inner ends of the lead parts that face each other and having a smaller size than the mounting surface of the semiconductor chip, thereby forming a lead frame.

【0014】請求項2では、請求項1記載のリードフレ
ームと、前記リードフレームのステージ部上に搭載され
る半導体チップと、前記半導体チップと前記リードフレ
ームのリード部との電気的接続を行う接続手段と、前記
半導体チップの周辺を覆い、前記リードフレームの各リ
ード部の一部を外部に延出させて形成させるパッケージ
部と、を有して半導体装置が構成される。
According to a second aspect, the lead frame according to the first aspect, the semiconductor chip mounted on the stage portion of the lead frame, and the connection for electrically connecting the semiconductor chip and the lead portion of the lead frame. A semiconductor device is configured to include a means and a package portion that covers the periphery of the semiconductor chip and forms a part of each lead portion of the lead frame by extending to the outside.

【0015】請求項3では、請求項2記載の半導体チッ
プと、該半導体チップを搭載する前記リードフレームの
ステージ部との間にテープ状の接着部材が介在される。
請求項4では、請求項1記載のリードフレームのステー
ジ部上に半導体チップを搭載するに際し、前記リードフ
レームのリード部の対向する内側先端の間より前記半導
体チップを傾斜させて前記リードフレームのステージ部
側に挿入する工程と、前記リードフレームのステージ部
側に挿入された前記半導体チップを水平にして前記ステ
ージ部上に位置させる工程と、を含んで半導体装置の製
造方法が構成される。
According to a third aspect of the present invention, a tape-shaped adhesive member is interposed between the semiconductor chip according to the second aspect and the stage portion of the lead frame on which the semiconductor chip is mounted.
According to a fourth aspect of the present invention, when mounting the semiconductor chip on the stage portion of the lead frame according to the first aspect, the semiconductor chip is tilted from between inner ends of the lead portions of the lead frame facing each other, and the stage of the lead frame is inclined. The method of manufacturing a semiconductor device includes a step of inserting the semiconductor chip on the side of the stage and a step of horizontally positioning the semiconductor chip inserted on the side of the stage portion of the lead frame on the stage portion.

【0016】請求項5では、請求項1記載のリードフレ
ームのステージ部上に半導体チップを搭載するに際し、
前記リードフレームのリード部と前記ステージ部との間
より略水平状態で前記半導体チップを挿入する工程と、
挿入された前記半導体チップを前記ステージ部上に位置
させる工程と、を含んで半導体装置の製造方法が構成さ
れる。
According to a fifth aspect, in mounting the semiconductor chip on the stage portion of the lead frame according to the first aspect,
Inserting the semiconductor chip in a substantially horizontal state from between the lead portion of the lead frame and the stage portion;
A method of manufacturing a semiconductor device is configured including a step of positioning the inserted semiconductor chip on the stage portion.

【0017】請求項6では、所定数のリードが内側先端
部分を所定間隔で対向して形成される第1のフレーム部
と、前記第1のフレーム部と重ね合わされるものであっ
て、該第1のフレーム部が重ね合わされたときに前記対
向するリード間の下方に配置されて半導体チップを搭載
するためのステージ、及び該ステージの周辺に所定数形
成された所定電気系の引き廻しのためのバス部を備えた
第2のフレーム部と、を有してリードフレームが構成さ
れる。
According to a sixth aspect of the present invention, a predetermined number of leads are superposed on the first frame portion and the first frame portion which is formed with the inner tip portions facing each other at a predetermined interval. A stage for mounting a semiconductor chip which is arranged below the opposing leads when the one frame portion is superposed, and for routing a predetermined electrical system formed in a predetermined number around the stage. A lead frame is configured to have a second frame portion having a bus portion.

【0018】請求項7では、請求項6記載の第1のフレ
ーム部に形成される前記所定数のリードに、所定電気系
の引き廻しを行わせるためのリードを含んで形成され
る。請求項8では、請求項6又は7記載のリードフレー
ムと、前記リードフレームにおける前記第2のリードフ
レームのステージ上に搭載される半導体チップと、前記
半導体チップ、前記第1のフレーム部のリード、及び前
記第2のフレーム部のバス部の対応する間で電気的接続
を行う接続手段と、前記半導体チップの周辺を覆い、前
記第1のフレーム部の各リードの一部を外部に延出させ
て形成されるパッケージ部と、を有して半導体装置が構
成される。
According to a seventh aspect of the present invention, the predetermined number of leads formed on the first frame portion according to the sixth aspect include a lead for routing a predetermined electric system. In claim 8, the lead frame according to claim 6 or 7, a semiconductor chip mounted on the stage of the second lead frame in the lead frame, the semiconductor chip, the lead of the first frame portion, And connecting means for electrically connecting between the corresponding bus parts of the second frame part and the periphery of the semiconductor chip, and extending a part of each lead of the first frame part to the outside. And a package portion formed as described above, and a semiconductor device is configured.

【0019】[0019]

【作用】上述のように請求項1乃至3の発明では、リー
ド部の所定間隔で対向する内側先端の間の下方に、半導
体チップを搭載するための該半導体チップの搭載面より
小サイズのステージ部が形成されたリードフレームと
し、また該リードフレームのステージ部に適宜テープ状
の接着部材を介在させて半導体チップを搭載して接続手
段で電気的接続が行われてパッケージ部を形成する。こ
れにより、リード部を半導体チップの上方に位置させる
場合のリードオンチップ方式におけるリードフレームを
単一で形成することが可能となり、また適宜使用される
テープ状の接着部材も小量でよく、当該リードフレー
ム、ひいては半導体装置の低コスト化を図ることが可能
となる。
As described above, according to the first to third aspects of the invention, the stage having a size smaller than the mounting surface of the semiconductor chip for mounting the semiconductor chip below the inner tips of the lead portions facing each other at a predetermined interval. A semiconductor chip is mounted on a lead frame having a portion formed thereon, and a tape-shaped adhesive member is appropriately interposed on the stage portion of the lead frame, and electrical connection is performed by a connecting means to form a package portion. This makes it possible to form a single lead frame in the lead-on-chip system when the lead portion is located above the semiconductor chip, and a small amount of tape-shaped adhesive member that is appropriately used may be used. It is possible to reduce the cost of the lead frame and eventually the semiconductor device.

【0020】請求項4又は5の発明では、単一で形成さ
れた請求項1記載のリードフレームに対し、リード部の
内側先端の間より半導体チップを傾斜させてステージ部
側に挿入し、又はリード部とステージ部との間より略水
平状態で半導体チップを挿入し、ステージ部上に半導体
チップを位置させる。これにより、単一で形成したリー
ドオンチップ方式のリードフレームに容易に半導体チッ
プを搭載することが可能となり、低コスト化の実現を図
ることが可能となる。
According to the invention of claim 4 or 5, with respect to the lead frame of claim 1, which is formed in a single structure, the semiconductor chip is inclined from the inner tip of the lead portion and inserted into the stage portion, or A semiconductor chip is inserted between the lead portion and the stage portion in a substantially horizontal state, and the semiconductor chip is positioned on the stage portion. This makes it possible to easily mount a semiconductor chip on a single lead-on-chip type lead frame, and to achieve cost reduction.

【0021】請求項6乃至8の発明では、第1のフレー
ム部に適宜所定電気系の引き廻しのためのリードを含む
リードを配置し、第2のフレーム部にステージ及び所定
電気系の引き廻しのためのバス部を配置したリードフレ
ームとし、またこのリードフレームのステージ上に半導
体チップを搭載して対応する所定部分と接続手段で電気
的接続が行われてパッケージ部を形成する。これによ
り、バス部がステージ側に配置されることから、リード
オンチップ方式における半導体チップの電気的接続での
他への短絡を防止することが可能となる。
According to the present invention, the leads including the leads for routing the predetermined electric system are appropriately arranged on the first frame portion, and the stage and the predetermined electric system are routed on the second frame portion. And a semiconductor chip is mounted on the stage of the lead frame, and a corresponding predetermined portion is electrically connected by a connecting means to form a package portion. Accordingly, since the bus section is arranged on the stage side, it is possible to prevent a short circuit to the other in the electrical connection of the semiconductor chip in the read-on-chip method.

【0022】[0022]

【実施例】図1に、本発明の第1実施例の構成図を示
す。図1(A)は半導体装置の縦側断面図、図1(B)
は使用されるリードフレームの連設状態の平面図であ
る。図1(A)に示す半導体装置51は、リードオンチ
ップ方式のもので、リードフレーム52がリード部とし
てのリード53及びステージ部としてのステージ54で
構成されて、該ステージ54上に半導体チップ55が搭
載されたときに、リード53のインナリード53aの先
端部分が該半導体チップ55の上方に配置されるように
形成されたものである。
FIG. 1 shows a configuration diagram of a first embodiment of the present invention. 1A is a vertical cross-sectional view of a semiconductor device, FIG.
FIG. 4 is a plan view of a lead frame used in a continuous arrangement state. A semiconductor device 51 shown in FIG. 1A is of a lead-on-chip type, and a lead frame 52 is composed of a lead 53 as a lead portion and a stage 54 as a stage portion, and a semiconductor chip 55 is provided on the stage 54. Is formed so that the tip portion of the inner lead 53a of the lead 53 is disposed above the semiconductor chip 55 when the semiconductor chip 55 is mounted.

【0023】ここで、リードフレーム52は、図1
(B)に示すように連設リードフレーム61のうちの半
導体装置一個分であり、クレドール62a,62b間に
所定間隔でタイバー63a,63bが架設状態で形成さ
れ、各タイバー63a,63bに所定数のリード53が
形成される。リード53はステージ54側であって、後
述するパッケージ部の内部に位置されるのがインナリー
ド53aとなり、パッケージ部より外部に延出されるの
がアウタリード53bとなる。
Here, the lead frame 52 is shown in FIG.
As shown in (B), it is one semiconductor device of the continuous lead frame 61, and tie bars 63a and 63b are formed in a erected state between the cradle 62a and 62b at a predetermined interval. Leads 53 are formed. The leads 53 are on the stage 54 side, and the inner leads 53a are located inside the package portion, which will be described later, and the outer leads 53b are extended outside the package portion.

【0024】また、クレドール62a,62b間でステ
ージ54がそれぞれ所定数(図1(B)では2本ずつ)
のサポートバー64a,64bにより支持されて形成さ
れる。このステージ54は、リード53におけるインナ
リード53aの先端部分が所定間隔で対向した間に位置
するように配置されると共に、この間隔で平面上ステー
ジ54の全領域が認識できるサイズで形成される。すな
わち、ステージ54のサイズは搭載される半導体チップ
55の搭載面より小に形成される。この場合、インナリ
ード53aの先端部分同士の間隔は、後述する半導体チ
ップ55を傾斜させて搭載するのに必要な距離で設定さ
れる。
A predetermined number of stages 54 are provided between the cradle 62a and 62b (two stages 54 in FIG. 1B).
Is formed by being supported by the support bars 64a and 64b. The stage 54 is arranged such that the front end portions of the inner leads 53a of the leads 53 are located facing each other at a predetermined interval, and is formed in such a size that the entire area of the stage 54 on the plane can be recognized. That is, the size of the stage 54 is formed smaller than the mounting surface of the semiconductor chip 55 to be mounted. In this case, the distance between the tip portions of the inner leads 53a is set to a distance required to mount the semiconductor chip 55, which will be described later, in an inclined manner.

【0025】そして、上記リードフレーム52が所定数
連設されて連設リードフレーム61が単一の金属部材で
一体に形成される。すなわち、ステージ54のサイズが
インナリード53aの対向する先端間に位置されること
から、単一の金属部材で形成することができるものであ
る。この連設リードフレーム61は、例えばニッケル合
金系又は銅合金系の金属部材をエッチング又はプレスに
より形成される。この場合、ステージ54はリード53
に対して少くとも半導体チップ55の厚さ以上の段差位
置に形成されるもので、該連設リードフレーム61がプ
レスで形成される場合には同時に行われる。
Then, a predetermined number of the lead frames 52 are continuously provided so that the continuous lead frame 61 is integrally formed of a single metal member. That is, since the size of the stage 54 is located between the opposing tips of the inner leads 53a, it can be formed of a single metal member. The continuous lead frame 61 is formed, for example, by etching or pressing a nickel alloy-based or copper alloy-based metal member. In this case, the stage 54 is the lead 53
On the other hand, it is formed at a step position of at least the thickness of the semiconductor chip 55, and when the continuous lead frame 61 is formed by pressing, it is performed at the same time.

【0026】そこで、図1(A)に戻って説明するに、
ステージ54上にテープ状の接着部材であるPI(ポリ
イミド)等の接着テープ56(銀ペースト等の接着材で
もよい)を介在させて半導体チップ55が搭載される。
半導体チップ55は、上面のリード配列方向の略中心線
上に電極パッドが所定数(少くともリード53の本数)
形成されており(図に表われず、図7参照)、該電極パ
ッドと対応するインナリード53aとの間で、接続手段
としてのワイヤ57によりボンディングされて電気的接
続される。この状態のときに、図1(B)の連設リード
フレーム61のうちクレドール62,62b、タイバー
63a,63b、サポートバー64a,64b等の不要
な部分が切断され、除去される。
Then, returning to FIG. 1 (A) and explaining,
The semiconductor chip 55 is mounted on the stage 54 with an adhesive tape 56 (may be an adhesive material such as silver paste) made of PI (polyimide), which is a tape-shaped adhesive member, interposed.
The semiconductor chip 55 has a predetermined number of electrode pads (at least the number of leads 53) on the center line in the lead arrangement direction on the upper surface.
It is formed (not shown in the figure, see FIG. 7), and is electrically connected by bonding with a wire 57 as a connecting means between the electrode pad and the corresponding inner lead 53a. In this state, unnecessary parts such as the cradle 62, 62b, the tie bars 63a, 63b, the support bars 64a, 64b of the continuous lead frame 61 of FIG. 1B are cut and removed.

【0027】そして、モールド樹脂によりパッケージン
グされてパッケージ部58が形成される。パッケージ部
58からはリード53のアウタリード53bが延出さ
れ、リード挿入形状、ガルウィング形状、Jリード形状
等の所望の形状に折曲加工される。
Then, the package portion 58 is formed by packaging with a mold resin. The outer lead 53b of the lead 53 extends from the package portion 58 and is bent into a desired shape such as a lead insertion shape, a gull wing shape, or a J lead shape.

【0028】ここで、図2に、図1のチップオンの組立
工程図を示す。図2(A),(B)に示すように、リー
ド53のインナリード53の対向する先端部分の間より
半導体チップ55を傾斜させてステージ54側に挿入す
る。半導体チップ55のステージ54側への挿入が完了
すると、図2(C)に示すように該半導体チップ55が
水平状態にされ、図2(D)に示すようにステージ54
上の正規位置までスライドさせて位置させるものであ
る。なお、図2(A)〜(D)ではステージ54上の接
着テープ56は省略してある。この場合、半導体チップ
55をスライドさせることから、ペースト状の接着剤を
使用すると付着する場合があり、接着テープ56を用い
るのが好ましい。このことは、図3においても同様であ
る。
FIG. 2 shows an assembly process diagram of the chip-on of FIG. As shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor chip 55 is inclined and inserted into the stage 54 side from between the opposing tip portions of the inner leads 53 of the leads 53. When the insertion of the semiconductor chip 55 into the stage 54 side is completed, the semiconductor chip 55 is brought into a horizontal state as shown in FIG. 2C, and the stage 54 as shown in FIG.
The position is slid to the regular position above. 2A to 2D, the adhesive tape 56 on the stage 54 is omitted. In this case, since the semiconductor chip 55 is slid, it may adhere when using a paste-like adhesive, and it is preferable to use the adhesive tape 56. This also applies to FIG.

【0029】また、図3に、図1のチップオンの他の組
立構成図を示す。図3は、リード53のインナリード5
3aと、下方のステージ54との間に半導体チップ55
を略水平状態で挿入し、そのままの状態でスライドさせ
て該ステージ54上の正規位置に半導体チップ55を位
置させるものである。
Further, FIG. 3 shows another assembly configuration diagram of the chip-on of FIG. FIG. 3 shows the inner lead 5 of the lead 53.
3a and the lower stage 54 between the semiconductor chip 55
Is inserted in a substantially horizontal state and is slid in that state to position the semiconductor chip 55 at a regular position on the stage 54.

【0030】図2及び図3に示すように、リードオンチ
ップ方式のリードフレーム52に対して、ステージ54
上に半導体チップ55を容易に位置させることができる
ものである。続いて、図4に、第1実施例の他のリード
フレーム構造の説明図を示す。図4に示すリードフレー
ム52は、ステージ54をクレドール62a,62b間
で支持するのではなく、タイバー63a,63bより延
出させたサポートバー65a,65bで支持した場合を
示したもので、他の構成は図1(B)と同様である。
As shown in FIGS. 2 and 3, a lead 54 of the lead-on-chip system is mounted on a stage 54.
The semiconductor chip 55 can be easily positioned on top. Subsequently, FIG. 4 shows an explanatory view of another lead frame structure of the first embodiment. The lead frame 52 shown in FIG. 4 shows a case where the stage 54 is supported not by the cradle 62a, 62b but by the support bars 65a, 65b extended from the tie bars 63a, 63b. The structure is the same as that in FIG.

【0031】上記第1実施例に示すように、ステージ5
4を小サイズとして対向するインナリード53aの先端
部分間に全領域配置したことにより、リードオンチップ
方式に使用されるリードフレーム52を単一で構成する
ことができ、従来の2枚方式のリードフレームに比べて
低コスト化を図ることができ、ひいては半導体装置51
の低コスト化を図ることができるものである。この場
合、半導体チップ55をステージ54上に搭載するにあ
たり、接着テープ56を使用しているが、小サイズのス
テージ54であり、使用される接着テープ56も小量で
あることからコスト的に影響を与えるものではない。
As shown in the first embodiment, the stage 5
By arranging 4 as a small size and arranging the whole area between the tip portions of the inner leads 53a which face each other, the lead frame 52 used in the lead-on-chip method can be constructed in a single structure, and the lead of the conventional two-sheet method can be used. The cost can be reduced as compared with the frame, and eventually the semiconductor device 51.
It is possible to reduce the cost. In this case, when mounting the semiconductor chip 55 on the stage 54, the adhesive tape 56 is used, but since the stage 54 has a small size and the amount of the adhesive tape 56 used is small, the cost is affected. Does not give.

【0032】次に、図5に、本発明の第2実施例の断面
構成図を示す。図5に示す半導体装置71は、リードオ
ンチップ方式のもので、バス部であるバスバーリードを
有する構造のものである。図5において、所定数のリー
ド72が形成された第1のフレーム部73と、ステージ
74及びバスバーリード75a,75bが形成された第
2のフレーム部76との2枚でマルチリードフレーム7
7が構成される(図6で説明する)。
Next, FIG. 5 shows a cross-sectional structural view of a second embodiment of the present invention. A semiconductor device 71 shown in FIG. 5 is of a lead-on-chip type and has a structure having a bus bar lead which is a bus section. In FIG. 5, the multi-lead frame 7 includes a first frame portion 73 having a predetermined number of leads 72 formed therein and a second frame portion 76 having the stage 74 and bus bar leads 75a and 75b formed therein.
7 is configured (described in FIG. 6).

【0033】ステージ74上には、銀ペースト等の接着
材78a(PI等の接着テープでもよい)により半導体
チップ78が搭載される。半導体チップ78の上面には
後述する図7に示すような電極パッド78bがリード配
列方向に少くともリード72の本数に対応して形成され
ており、該電極パッド78bとリード72における該半
導体チップ78の上方に位置されるインナリード72a
(後述するパッケージ部内に位置される)とが接続手段
であるワイヤ79によりボンディングされて電気的に接
続される。また、所定のインナリード72aとバスバー
リード75a,75bとの間でワイヤ79により電気的
接続が行われる。
A semiconductor chip 78 is mounted on the stage 74 by an adhesive material 78a such as silver paste (or an adhesive tape such as PI). Electrode pads 78b as shown in FIG. 7 to be described later are formed on the upper surface of the semiconductor chip 78 so as to correspond to at least the number of leads 72 in the lead arrangement direction. The electrode pads 78b and the semiconductor chips 78 in the leads 72 are formed. Inner lead 72a positioned above the
(Positioned in a package portion described later) is bonded and electrically connected by a wire 79 that is a connecting means. Further, a wire 79 electrically connects the predetermined inner lead 72a and the bus bar leads 75a and 75b.

【0034】そして、半導体チップ78の周辺(インナ
リード72a,バスバーリード75等)をモールド樹脂
により覆ってパッケージ部80が形成される。このパッ
ケージ部80よりリード72のアウタリード(インナリ
ード72aと一体的)72bが延出され、ガルウィング
形状等の所望の形状に折曲加工される。
Then, the package portion 80 is formed by covering the periphery of the semiconductor chip 78 (the inner leads 72a, the bus bar leads 75, etc.) with a molding resin. Outer leads (integral with the inner leads 72a) 72b of the leads 72 are extended from the package portion 80 and bent into a desired shape such as a gull wing shape.

【0035】ここで、図6に、第2実施例のマルチリー
ドフレームの構成図を示す。図6(A)は第1のフレー
ム部73を示したもので、クレドール81a,81b間
に所定間隔でタイバー82a,82bが架設状態で形成
され、タイバー82a,82bに所定数のリード72が
一体的に形成される。タイバー82a,82b間に位置
されるリードがインナリード72aとなり、外側に位置
されるリードがアウタリード72bとなる。
FIG. 6 shows a block diagram of the multi-lead frame of the second embodiment. FIG. 6A shows the first frame portion 73, in which tie bars 82a and 82b are formed between the cradle 81a and 81b at a predetermined interval in a erected state, and a predetermined number of leads 72 are integrated with the tie bar 82a and 82b. Formed. The lead located between the tie bars 82a and 82b becomes the inner lead 72a, and the lead located outside is the outer lead 72b.

【0036】この第1のフレーム部73は、例えば、ニ
ッケル合金系又は銅合金系の金属部材でエッチング又は
プレスにより一体的に形成される。また、図6(B)は
第2のフレーム部74を示したもので、クレドール83
a,83b間でサポートバー84a,84bで支持され
てステージ74が一体的に形成されると共に、ステージ
74の両側でサポートバー85a,85b,86a,8
6bで支持されてバスバーリード75a,75bが一体
的に形成される。この第2のフレーム部74は、第1の
フレーム部73と同様にニッケル合金系又は銅合金系の
金属部材でエッチング又はプレスにより一体的に形成さ
れると共に、プレスによる場合は図5に示すようにステ
ージ74とバスバーリード75a,75bが所望の段差
位置に同時に形成される。
The first frame portion 73 is made of, for example, a nickel alloy or copper alloy metal member and is integrally formed by etching or pressing. Also, FIG. 6B shows the second frame portion 74, and the credor 83
The stage 74 is integrally formed by being supported by the support bars 84a and 84b between a and 83b, and the support bars 85a, 85b, 86a and 8 are provided on both sides of the stage 74.
The bus bar leads 75a and 75b are integrally formed by being supported by 6b. Like the first frame portion 73, the second frame portion 74 is integrally formed of a nickel alloy-based or copper alloy-based metal member by etching or pressing, and when pressing is performed as shown in FIG. The stage 74 and the bus bar leads 75a and 75b are simultaneously formed at desired step positions.

【0037】そして、図6(C)に示すように、第1の
フレーム部73と第2のフレーム部74とが例えば溶接
により重ね合わされる。なお、溶接は、ステージ74上
に半導体チップ78が搭載された後に行われる。そこ
で、図7に、第2実施例のワイヤボンディングの説明図
を示す。ここで、リード72(インナリード72a)の
うち、所定のリードをダミーリード72a 1 ,72a2
としての役割を持たせている。このダミーリード72a
1 ,72a 2 は所定電気系としての電源系やグランド系
を引き廻すためのもので、バスバーリード75a,75
bと同様の役割としている。そして、半導体チップ78
の対応する電極パッド78bとインナリード72aとの
間でワイヤ79をボンディングすることにより電気的接
続を行う。
Then, as shown in FIG. 6C, the first
The frame portion 73 and the second frame portion 74 are welded together, for example.
Are overlaid by. Welding is on stage 74
This is performed after the semiconductor chip 78 is mounted on. There
FIG. 7 is an explanatory diagram of the wire bonding of the second embodiment.
Is shown. Here, the lead 72 (inner lead 72a)
Among them, the predetermined lead is the dummy lead 72a. 1, 72a2
Has a role as. This dummy lead 72a
1, 72a 2Is a power supply system or ground system as a predetermined electric system
For routing the bus bar leads 75a, 75
It has the same role as b. Then, the semiconductor chip 78
Of the corresponding electrode pad 78b and inner lead 72a of
Electrical connection by bonding the wire 79 between
To continue.

【0038】この場合、ダミーリード72a1 ,72a
2 が、対応する電極パッド(電源系又はグランド系)7
8bとワイヤ79により接続されると共に、バスバーリ
ード75a,75bにワイヤ79により接続されるもの
である。このように、ワイヤ79により電気的接続を行
うに際して近傍にバスバーリード等の他の部材が存在し
ないことから、ワイヤ短絡を生じることを防止すること
ができるものである。
In this case, the dummy leads 72a 1 and 72a
2 is the corresponding electrode pad (power system or ground system) 7
8b and the wire 79 and the bus bar leads 75a and 75b by the wire 79. As described above, since other members such as bus bar leads do not exist in the vicinity when the electrical connection is made by the wire 79, it is possible to prevent the occurrence of wire short circuit.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のように請求項1乃至3の発明によ
れば、リード部の所定間隔で対向する内側先端の間の下
方に、半導体チップを搭載するための該半導体チップの
搭載面より小サイズのステージ部が形成されたリードフ
レームとし、また該リードフレームのステージ部に適宜
テープ状の接着部材を介在させて半導体チップを搭載し
て接続手段で電気的接続が行われてパッケージ部を形成
することにより、リード部を半導体チップの上方に位置
させる場合のリードオンチップ方式におけるリードフレ
ームを単一で形成することが可能となり、また適宜使用
されるテープ状の接着部材も小量でよく、当該リードフ
レーム、ひいては半導体装置の低コスト化を図ることが
できる。
As described above, according to the inventions of claims 1 to 3, the semiconductor chip mounting surface for mounting the semiconductor chip is located below the inner ends of the lead portions facing each other at a predetermined interval. A lead frame having a small-sized stage section is formed, and a semiconductor chip is mounted on the stage section of the lead frame with a tape-shaped adhesive member interposed therebetween to electrically connect the package section by connecting means. By forming it, it is possible to form a single lead frame in the lead-on-chip method when the lead portion is located above the semiconductor chip, and a small amount of tape-shaped adhesive member that is appropriately used may be used. It is possible to reduce the cost of the lead frame and eventually the semiconductor device.

【0040】請求項4又は5の発明によれば、単一で形
成された請求項1記載のリードフレームに対し、リード
部の内側先端の間より半導体チップを傾斜させてステー
ジ部側に挿入し、又はリード部とステージ部との間より
略水平状態で半導体チップを挿入し、ステージ部上に半
導体チップを位置させることにより、単一で形成したリ
ードオンチップ方式のリードフレームに容易に半導体チ
ップを搭載することが可能となり、低コスト化の実現を
図ることができる。
According to the fourth or fifth aspect of the invention, with respect to the lead frame of the first aspect, which is formed in a single piece, the semiconductor chip is inserted into the stage portion side while being inclined from between the inner ends of the lead portions. Alternatively, by inserting the semiconductor chip between the lead part and the stage part in a substantially horizontal state and positioning the semiconductor chip on the stage part, the semiconductor chip can be easily mounted on a single lead-on-chip type lead frame. Can be mounted, and cost reduction can be achieved.

【0041】請求項6乃至8の発明によれば、第1のフ
レーム部に適宜所定電気系の引き廻しのためのリードを
含むリードを配置し、第2のフレーム部にステージ及び
所定電気系の引き廻しのためのバス部を配置したリード
フレームとし、またこのリードフレームのステージ上に
半導体チップを搭載して対応する所定部分と接続手段で
電気的接続が行われてパッケージ部を形成することによ
り、バス部がステージ側に配置されることから、リード
オンチップ方式における半導体チップの電気的接続での
他への短絡を防止することができる。
According to the present invention, the leads including the leads for routing the predetermined electrical system are appropriately arranged in the first frame portion, and the stage and the predetermined electrical system are provided in the second frame portion. By forming a lead frame in which a bus portion for routing is arranged, a semiconductor chip is mounted on the stage of this lead frame, and a corresponding predetermined portion is electrically connected by a connecting means to form a package portion. Since the bus portion is arranged on the stage side, it is possible to prevent a short circuit to the other in the electrical connection of the semiconductor chip in the lead-on-chip system.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of a first embodiment of the present invention.

【図2】図1のチップオン組立工程図である。FIG. 2 is a chip-on assembly process diagram of FIG. 1;

【図3】図1のチップオンの他の組立構成図である。3 is another assembly configuration diagram of the chip-on of FIG. 1. FIG.

【図4】第1実施例の他のリードフレーム構造の説明図
である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of another lead frame structure of the first embodiment.

【図5】本発明の第2実施例の断面構成図である。FIG. 5 is a sectional configuration diagram of a second embodiment of the present invention.

【図6】第2の実施例のマルチリードフレームの構成図
である。
FIG. 6 is a configuration diagram of a multi-lead frame according to a second embodiment.

【図7】第2実施例のワイヤボンディングの説明図であ
る。
FIG. 7 is an explanatory diagram of wire bonding according to the second embodiment.

【図8】従来のリードオンチップの半導体装置の断面構
成図である。
FIG. 8 is a cross-sectional configuration diagram of a conventional lead-on-chip semiconductor device.

【図9】リードオンチップの他の構造の内部構成図であ
る。
FIG. 9 is an internal configuration diagram of another structure of the lead-on-chip.

【図10】従来のバスバーを有するマルチリードフレー
ムによるリードオンチップの半導体装置の断面構成図で
ある。
FIG. 10 is a cross-sectional configuration diagram of a lead-on-chip semiconductor device using a multi-lead frame having a conventional bus bar.

【図11】図10のマルチリードフレームの構成説明図
である。
11 is an explanatory diagram of a configuration of the multi-lead frame of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

51,71 半導体装置 52 リードフレーム 53,72 リード 53a インナリード 53b アウタリード 64,74 ステージ 55,78 半導体チップ 56 接着テープ 57,79 ワイヤ 58,80 パッケージ部 61 連設リードフレーム 73 第1のフレーム部 75a,75b バスバーリード 76 第2のフレーム部 77 マルチリードフレーム 51, 71 semiconductor device 52 lead frame 53, 72 lead 53a inner lead 53b outer lead 64, 74 stage 55, 78 semiconductor chip 56 adhesive tape 57, 79 wire 58, 80 package part 61 continuous lead frame 73 first frame part 75a , 75b Busbar lead 76 Second frame part 77 Multi-lead frame

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 搭載される半導体チップの上方で内側先
端を所定間隔で対向して位置されて該半導体チップと電
気的接続が行われる所定数のリード部と、 前記リード部の対向する内側先端の間の下方に形成さ
れ、前記半導体チップの搭載面より小サイズで該半導体
チップを搭載するステージ部と、 を有することを特徴とするリードフレーム。
1. A predetermined number of lead portions which are located above the mounted semiconductor chip so as to face each other with their inner tips facing each other at a predetermined interval and are electrically connected to the semiconductor chips, and the inner tips where the lead portions face each other. A lead frame formed below the space between the semiconductor chips and having a size smaller than the mounting surface of the semiconductor chip.
【請求項2】 請求項1記載のリードフレームと、 前記リードフレームのステージ部上に搭載される半導体
チップと、 前記半導体チップと前記リードフレームのリード部との
電気的接続を行う接続手段と、 前記半導体チップの周辺を覆い、前記リードフレームの
各リード部の一部を外部に延出させて形成させるパッケ
ージ部と、 を有することを特徴とする半導体装置。
2. The lead frame according to claim 1, a semiconductor chip mounted on a stage part of the lead frame, and a connecting means for electrically connecting the semiconductor chip and the lead part of the lead frame. A semiconductor device, comprising: a package part that covers the periphery of the semiconductor chip and forms a part of each lead part of the lead frame by extending to the outside.
【請求項3】 請求項2記載の半導体チップと、該半導
体チップを搭載する前記リードフレームのステージ部と
の間にテープ状の接着部材が介在されることを特徴とす
る半導体装置。
3. A semiconductor device, wherein a tape-shaped adhesive member is interposed between the semiconductor chip according to claim 2 and a stage portion of the lead frame on which the semiconductor chip is mounted.
【請求項4】 請求項1記載のリードフレームのステー
ジ部上に半導体チップを搭載するに際し、前記リードフ
レームのリード部の対向する内側先端の間より前記半導
体チップを傾斜させて前記リードフレームのステージ部
側に挿入する工程と、 前記リードフレームのステージ部側に挿入された前記半
導体チップを水平にして前記ステージ部上に位置させる
工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. When mounting a semiconductor chip on the stage portion of the lead frame according to claim 1, the semiconductor chip is inclined from between the inner ends of the lead portions of the lead frame facing each other, and the stage of the lead frame is inclined. And a step of horizontally placing the semiconductor chip inserted on the side of the stage portion of the lead frame on the stage portion, and a step of inserting the semiconductor chip on the stage portion.
【請求項5】 請求項1記載のリードフレームのステー
ジ部上に半導体チップを搭載するに際し、前記リードフ
レームのリード部と前記ステージ部との間より略水平状
態で前記半導体チップを挿入する工程と、 挿入された前記半導体チップを前記ステージ部上に位置
させる工程と、 を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. A step of inserting the semiconductor chip in a substantially horizontal state between a lead part of the lead frame and the stage part when mounting the semiconductor chip on the stage part of the lead frame according to claim 1. And a step of positioning the inserted semiconductor chip on the stage portion, the method of manufacturing a semiconductor device.
【請求項6】 所定数のリードが内側先端部分を所定間
隔で対向して形成される第1のフレーム部と、 前記第1のフレーム部と重ね合わされるものであって、
該第1のフレーム部が重ね合わされたときに前記対向す
るリード間の下方に配置されて半導体チップを搭載する
ためのステージ、及び該ステージの周辺に所定数形成さ
れた所定電気系の引き廻しのためのバス部を備えた第2
のフレーム部と、 を有することを特徴とするリードフレーム。
6. A first frame portion, wherein a predetermined number of leads are formed with their inner tip portions facing each other at a predetermined interval, and the first frame portion is superposed on the first frame portion.
A stage for mounting a semiconductor chip, which is arranged below the opposing leads when the first frame portions are overlapped with each other, and a predetermined electric system formed around the stage. Second with a bus section for
A lead frame, comprising:
【請求項7】 請求項6記載の第1のフレーム部に形成
される前記所定数のリードに、所定電気系の引き廻しを
行わせるためのリードを含んで形成されることを特徴と
するリードフレーム。
7. The lead, wherein the predetermined number of leads formed on the first frame portion according to claim 6 includes a lead for routing a predetermined electric system. flame.
【請求項8】 請求項6又は7記載のリードフレーム
と、 前記リードフレームにおける前記第2のリードフレーム
のステージ上に搭載される半導体チップと、 前記半導体チップ、前記第1のフレーム部のリード、及
び前記第2のフレーム部のバス部の対応する間で電気的
接続を行う接続手段と、 前記半導体チップの周辺を覆い、前記第1のフレーム部
の各リードの一部を外部に延出させて形成されるパッケ
ージ部と、 を有することを特徴とする半導体装置。
8. The lead frame according to claim 6, a semiconductor chip mounted on a stage of the second lead frame in the lead frame, the semiconductor chip, a lead of the first frame portion, And connecting means for making electrical connection between the corresponding bus parts of the second frame part, covering the periphery of the semiconductor chip, and extending a part of each lead of the first frame part to the outside. A semiconductor device comprising: a package portion formed by;
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US7138673B2 (en) 2002-08-19 2006-11-21 Nec Electronics Corporation Semiconductor package having encapsulated chip attached to a mounting plate

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