JPH08251938A - Inverter - Google Patents

Inverter

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JPH08251938A
JPH08251938A JP7047586A JP4758695A JPH08251938A JP H08251938 A JPH08251938 A JP H08251938A JP 7047586 A JP7047586 A JP 7047586A JP 4758695 A JP4758695 A JP 4758695A JP H08251938 A JPH08251938 A JP H08251938A
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JP
Japan
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switching element
current
voltage
flip
flop
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JP7047586A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Usui
浩 臼井
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Sanken Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanken Electric Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To obtain a small-sized, lightweight high frequency inverter. CONSTITUTION: When an overcurrent flows through the reactor 6 and the output capacitor 7 in a filter circuit 46 due to overload, for example, the overcurrent is detected, in the form of a corresponding voltage, by means of first and second current detection resistors 51, 52 connected in series with first and second MOS- FETs 2, 3. When the detected voltage exceeds a predetermined level, first or second overcurrent protective means 53, 54 interrupts the ON/OFF operation of first or second MOS-FET 2, 3. Since the first or second overcurrent protective means 53, 54 has high response rate, a high frequency inverter can be realized easily. Furthermore, the size and weight of inverter can be reduced because a small-sized, lightweight first or second current detection resistor 51, 52 can be employed as a current detection means.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は直流電力を交流電力に変
換するインバータ装置、特に過電流保護機能を有するイ
ンバータ装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an inverter device for converting DC power into AC power, and more particularly to an inverter device having an overcurrent protection function.

【0002】[0002]

【従来の技術】バッテリや乾電池等の直流電源から供給
される直流電力を単相交流電力又は三相以上の多相交流
電力に変換するインバータ装置は、従来から電子機器及
び電気機器の分野で広く用いられている。例えば図10
に示すインバータ装置は、直流電源1と、直流電源1の
出力端子に直列接続された第1及び第2のスイッチング
素子としての第1及び第2のMOS-FET2、3と、
第1及び第2のMOS-FET2、3の両端に直列接続
された第3及び第4のスイッチング素子としての第3及
び第4のMOS-FET4、5と、第1及び第2のMO
S-FET2、3の接続点と第3及び第4のMOS-FE
T4、5の接続点との間に接続されたリアクトル6及び
出力コンデンサ7から成るフィルタ回路46と、第1〜
第4の駆動回路8〜11を介して第1〜第4のMOS-
FET2〜5の各ゲート端子(制御端子)に駆動信号を
付与して第1〜第4のMOS-FET2〜5をオン・オ
フ動作させる制御回路12とを備えている。また、出力
コンデンサ7と第3及び第4のMOS-FET4、5の
接続点との間には、交流出力電流IOUTを検出する商用
周波数電流トランス13が設けられている。図11に示
すように、制御回路12内には、商用周波数トランス1
4、ダイオードブリッジ15、積分回路16、第1の基
準電源17、誤差増幅器18及びダイオード19から成
る出力電圧検出回路20と、ダイオードブリッジ21、
逆流防止用ダイオード22、コンデンサ23、抵抗2
4、25、第2の基準電源26、誤差増幅器27及びダ
イオード28から成りかつ商用周波数電流トランス13
により検出された交流出力電流IOUTをその電流に対応
した電圧として検出する出力電流検出回路29と、商用
周波数(50〜60Hz)の正弦波信号及び正弦波信号
の周波数に同期した周波数の矩形波信号をそれぞれ発生
する発振器30と、出力電圧検出回路20から出力され
るフィードバック信号又は出力電流検出回路29から出
力される出力電流検出信号に応じて発振器30の正弦波
信号の振幅を制御する振幅制御回路31と、振幅制御回
路31により振幅制御された正弦波信号を全波整流する
全波整流回路32と、全波整流回路32により全波整流
された正弦波信号の直流バイアスレベルを調整して基準
正弦波信号を発生する電位変換器33と、PWM変調
(パルス幅変調)用の三角波信号を発生する三角波発振
器34と、電位変換器33の基準正弦波信号の電圧と三
角波発振器34の三角波信号の電圧とを比較することに
より基準正弦波信号をPWM変調するPWMコンパレー
タ35と、PWMコンパレータ35のPWM変調出力信
号と発振器30の矩形波信号との排他的論理和を出力す
るエクスクルーシブORゲート36と、発振器30の矩
形波信号の反転信号を出力する反転増幅器37と、エク
スクルーシブORゲート36の出力信号の反転信号を出
力する反転増幅器38とが設けられている。また、第1
及び第3の駆動回路8、10は図12に示すように電位
変換器39(例えばIR社製のIR2112等)及び増
幅器40から成り、第2及び第4の駆動回路9、11は
図13に示すように増幅器41から成る。
2. Description of the Related Art Inverter devices for converting DC power supplied from a DC power source such as a battery or dry cell into single-phase AC power or multi-phase AC power of three or more phases have been widely used in the field of electronic equipment and electric equipment. It is used. For example, in FIG.
The inverter device shown in FIG. 1 includes a DC power source 1, first and second MOS-FETs 2 and 3 as first and second switching elements connected in series to an output terminal of the DC power source 1,
Third and fourth MOS-FETs 4 and 5 as third and fourth switching elements connected in series at both ends of the first and second MOS-FETs 2 and 3, and first and second MO-FETs.
Connection point of S-FETs 2 and 3 and third and fourth MOS-FE
The filter circuit 46 including the reactor 6 and the output capacitor 7 connected between the connection point of T4 and T5;
Via the fourth drive circuits 8 to 11, the first to fourth MOS-
A control circuit 12 for applying a drive signal to each gate terminal (control terminal) of the FETs 2 to 5 to turn on / off the first to fourth MOS-FETs 2 to 5. Further, a commercial frequency current transformer 13 for detecting the AC output current I OUT is provided between the output capacitor 7 and the connection point of the third and fourth MOS-FETs 4, 5. As shown in FIG. 11, in the control circuit 12, the commercial frequency transformer 1
4, an output voltage detection circuit 20 including a diode bridge 15, an integrating circuit 16, a first reference power supply 17, an error amplifier 18, and a diode 19, and a diode bridge 21,
Backflow prevention diode 22, capacitor 23, resistance 2
4, 25, a second reference power supply 26, an error amplifier 27 and a diode 28, and a commercial frequency current transformer 13
An output current detection circuit 29 for detecting the AC output current I OUT detected by the sine wave signal as a voltage corresponding to the current, a sine wave signal having a commercial frequency (50 to 60 Hz), and a rectangular wave having a frequency synchronized with the frequency of the sine wave signal. Amplitude control for controlling the amplitude of the sine wave signal of the oscillator 30 according to the feedback signal output from the output voltage detection circuit 20 and the output current detection signal output from the output current detection circuit 29. A circuit 31, a full-wave rectification circuit 32 for full-wave rectifying the sine wave signal whose amplitude is controlled by the amplitude control circuit 31, and a DC bias level of the sine wave signal full-wave rectified by the full-wave rectification circuit 32 are adjusted. A potential converter 33 that generates a reference sine wave signal, a triangular wave oscillator 34 that generates a triangular wave signal for PWM modulation (pulse width modulation), and a potential converter The PWM comparator 35 that PWM-modulates the reference sine wave signal by comparing the voltage of the reference sine wave signal of 3 with the voltage of the triangular wave signal of the triangle wave oscillator 34, the PWM modulation output signal of the PWM comparator 35, and the rectangular wave of the oscillator 30. An exclusive OR gate 36 that outputs an exclusive OR with a signal, an inverting amplifier 37 that outputs an inverted signal of the rectangular wave signal of the oscillator 30, and an inverting amplifier 38 that outputs an inverted signal of the output signal of the exclusive OR gate 36. Is provided. Also, the first
As shown in FIG. 12, the third and fourth drive circuits 8 and 10 are each composed of a potential converter 39 (for example, IR2112 manufactured by IR Co., Ltd.) and an amplifier 40, and the second and fourth drive circuits 9 and 11 are shown in FIG. It comprises an amplifier 41 as shown.

【0003】図11に示す制御回路12の動作は以下の
通りである。発振器30から出力された商用周波数の矩
形波信号は、そのまま第4のMOS-FET5の駆動信
号VG4として第4の駆動回路11へ出力されると共に反
転増幅器37により反転され第3のMOS-FET4の
駆動信号VG3として第3の駆動回路10へ出力される。
このときの駆動信号VG3、VG4のE点及びF点における
電圧波形をそれぞれ図14(D)、(E)に示す。一方、発
振器30から出力された図15(E)に示す商用周波数の
正弦波信号VM(M点)は振幅制御回路31に入力さ
れ、出力電圧検出回路20から出力されるフィードバッ
ク信号に応じて正弦波信号の振幅が制御される。フィー
ドバック信号は、交流出力電圧VOUTを商用周波数トラ
ンス14により検出し、商用周波数トランス14の検出
出力をダイオードブリッジ15により整流し、ダイオー
ドブリッジ15の整流出力を積分回路16により直流電
圧に変換し、誤差増幅器18により積分回路16の直流
電圧を第1の基準電源17の基準電圧VR1と比較してそ
の比較出力をダイオード19を通して出力することによ
り形成される。このときの積分回路16の出力信号VI
(I点)及び誤差増幅器18の出力信号VJ(J点)の
各電圧波形をそれぞれ図15(A)及び(B)に示す。振幅
制御回路31により振幅が制御された正弦波信号は、全
波整流回路32により全波整流され、電位変換器33に
より直流バイアスレベルが調整され、基準正弦波信号と
してPWMコンパレータ35の反転入力端子に入力され
る。このときの基準正弦波信号VB(B点)の電圧波形
を図14(A)に示す。三角波発振器34からは図14
(A)に示すように基準正弦波信号VBの周波数より極め
て高い周波数の三角波信号VA(A点)が出力され、P
WMコンパレータ35の非反転入力端子に入力される。
PWMコンパレータ35では、反転入力端子に入力され
た基準正弦波信号VBの電圧と非反転入力端子に入力さ
れた三角波信号VAの電圧とを比較して基準正弦波信号
BをPWM変調する。このときのPWMコンパレータ
35のPWM変調出力信号VPWM(G点)の電圧波形を
図14(F)に示す。PWMコンパレータ35のPWM変
調出力信号VPWMは、図14(E)に示す発振器30の矩
形波信号(F´点)と共にエクスクルーシブORゲート
36に入力され、両信号の排他的論理和が出力される。
この出力信号は、そのまま第1のMOS-FET2の駆
動信号VG1として第1の駆動回路8へ出力されると共に
反転増幅器38により反転され第2のMOS-FET3
の駆動信号VG2として第2の駆動回路9へ出力される。
このときの駆動信号VG1、VG2のC点及びD点における
電圧波形をそれぞれ図14(B)、(C)に示す。
The operation of the control circuit 12 shown in FIG. 11 is as follows. The rectangular wave signal of the commercial frequency output from the oscillator 30 is output as it is to the fourth drive circuit 11 as the drive signal V G4 of the fourth MOS-FET 5, and also inverted by the inverting amplifier 37 to generate the third MOS-FET 4. Is output to the third drive circuit 10 as the drive signal V G3 .
Voltage waveforms at points E and F of the drive signals V G3 and V G4 at this time are shown in FIGS. 14D and 14E, respectively. On the other hand, the sine wave signal V M (M point) of the commercial frequency shown in FIG. 15 (E) output from the oscillator 30 is input to the amplitude control circuit 31 and the feedback signal output from the output voltage detection circuit 20 The amplitude of the sinusoidal signal is controlled. As the feedback signal, the AC output voltage V OUT is detected by the commercial frequency transformer 14, the detected output of the commercial frequency transformer 14 is rectified by the diode bridge 15, and the rectified output of the diode bridge 15 is converted into a DC voltage by the integrating circuit 16, It is formed by comparing the DC voltage of the integrating circuit 16 with the reference voltage V R1 of the first reference power source 17 by the error amplifier 18 and outputting the comparison output through the diode 19. Output signal V I of the integrating circuit 16 at this time
Voltage waveforms of the output signal V J (point J ) of the error amplifier 18 (point I) are shown in FIGS. 15 (A) and 15 (B), respectively. The sine wave signal whose amplitude is controlled by the amplitude control circuit 31 is full-wave rectified by the full-wave rectification circuit 32, the DC bias level is adjusted by the potential converter 33, and the inverted input terminal of the PWM comparator 35 is used as the reference sine wave signal. Entered in. The voltage waveform of the reference sine wave signal V B (point B) at this time is shown in FIG. From the triangular wave oscillator 34, FIG.
As shown in (A), a triangular wave signal V A (point A) having a frequency extremely higher than the frequency of the reference sine wave signal V B is output, and P
It is input to the non-inverting input terminal of the WM comparator 35.
The PWM comparator 35 compares the voltage of the reference sine wave signal V B input to the inverting input terminal with the voltage of the triangular wave signal V A input to the non-inverting input terminal to PWM-modulate the reference sine wave signal V B. . The voltage waveform of the PWM modulation output signal V PWM (point G) of the PWM comparator 35 at this time is shown in FIG. The PWM modulation output signal V PWM of the PWM comparator 35 is input to the exclusive OR gate 36 together with the rectangular wave signal (point F ′) of the oscillator 30 shown in FIG. 14 (E), and the exclusive OR of both signals is output. .
This output signal is output as it is to the first drive circuit 8 as the drive signal V G1 for the first MOS-FET 2 and is inverted by the inverting amplifier 38 to generate the second MOS-FET 3.
Is output to the second drive circuit 9 as the drive signal V G2 .
The voltage waveforms at points C and D of the drive signals V G1 and V G2 at this time are shown in FIGS. 14B and 14C, respectively.

【0004】また、図10に示すインバータ装置の主回
路の動作は以下の通りである。制御回路12から出力さ
れた図14(B)〜(E)に示す駆動信号VG1〜VG4は、そ
れぞれ第1〜第4の駆動回路8〜11を通して第1〜第
4のMOS-FET2〜5の各ゲート端子に付与され
る。このとき、第1及び第3の駆動回路8、10内で
は、大きく電位の異なる第1及び第3のMOS-FET
2、4を駆動するために電位変換器39により駆動信号
G1、VG3の直流バイアスレベルがそれぞれ調整され、
増幅器40により第1及び第3のMOS-FET2、4
を駆動するのに十分な電力まで増幅される。一方、第2
及び第4の駆動回路9、11内では、増幅器41により
第2及び第4のMOS-FET3、5を駆動するのに十
分な電力まで駆動信号VG2、VG4が増幅される。これに
より、第1及び第2のMOS-FET2、3が商用周波
数より極めて高いPWM変調された周波数で交互にオン
・オフ動作され、第3及び第4のMOS-FET4、5
が商用周波数で交互にオン・オフ動作される。第1〜第
4のMOS-FET2〜5のオン・オフ動作により、第
1及び第2のMOS-FET2、3の接続点と第3及び
第4のMOS-FET4、5の接続点との間には、PW
M変調された商用周波数の正弦波交流電圧が発生する。
PWM変調された正弦波交流電圧は、フィルタ回路46
のリアクトル6及び出力コンデンサ7により平滑化さ
れ、出力コンデンサ7の両端にリプル成分が除去された
滑らかな商用周波数の正弦波交流出力が発生する。この
ときの正弦波交流出力電圧VOUTの波形及び出力電流I
OUTの波形をそれぞれ図15(F)及び(G)に示す。図1
5(G)に示す交流出力電流IOUTは、商用周波数電流ト
ランス13により交流出力電流IOUTに対応した電圧と
して検出される。更にこの検出電圧は、図11に示す制
御回路12内の出力電流検出回路29のダイオードブリ
ッジ21により全波整流され、抵抗24により図15
(D)に示すような直流電圧VL(L点)に変換される。
この直流電圧VLにより、コンデンサ23の静電容量及
び抵抗25の抵抗値により決定される時定数で逆流防止
用ダイオード22を介してコンデンサ23がピーク充電
され、図15(C)に示すように直流レベル電圧VK(K
点)に変換される。直流レベル電圧VKは、誤差増幅器
27により第2の基準電源26の基準電圧VR2と比較さ
れ、更に誤差増幅器27の比較出力は出力電流検出信号
としてダイオード28を通して振幅制御回路31に出力
される。
The operation of the main circuit of the inverter device shown in FIG. 10 is as follows. The drive signals V G1 to V G4 shown in FIGS. 14B to 14E output from the control circuit 12 pass through the first to fourth drive circuits 8 to 11, respectively, and the first to fourth MOS-FETs 2 to 2 respectively. 5 to each gate terminal. At this time, in the first and third drive circuits 8 and 10, the first and third MOS-FETs having greatly different potentials are provided.
The DC bias levels of the drive signals V G1 and V G3 are adjusted by the potential converter 39 to drive 2 and 4, respectively.
The first and third MOS-FETs 2 and 4 are provided by the amplifier 40.
Is amplified to sufficient power to drive the. Meanwhile, the second
In the fourth and fourth drive circuits 9 and 11, the drive signals V G2 and V G4 are amplified by the amplifier 41 to a sufficient electric power to drive the second and fourth MOS-FETs 3 and 5. As a result, the first and second MOS-FETs 2 and 3 are alternately turned on / off at a PWM-modulated frequency extremely higher than the commercial frequency, and the third and fourth MOS-FETs 4 and 5 are turned on and off.
Are alternately turned on and off at the commercial frequency. Between the connection point of the first and second MOS-FETs 2 and 3 and the connection point of the third and fourth MOS-FETs 4 and 5 by the on / off operation of the first to fourth MOS-FETs 2 to 5. In the PW
An M-modulated sinusoidal AC voltage having a commercial frequency is generated.
The PWM-modulated sine wave AC voltage is applied to the filter circuit 46.
A smooth sine wave AC output having a smooth commercial frequency, which is smoothed by the reactor 6 and the output capacitor 7 and has the ripple component removed at both ends of the output capacitor 7, is generated. The waveform of the sine wave AC output voltage V OUT and the output current I at this time
Waveforms of OUT are shown in FIGS. 15 (F) and (G), respectively. FIG.
The AC output current I OUT shown at 5 (G) is detected by the commercial frequency current transformer 13 as a voltage corresponding to the AC output current I OUT . Further, this detection voltage is full-wave rectified by the diode bridge 21 of the output current detection circuit 29 in the control circuit 12 shown in FIG.
It is converted into a DC voltage V L (point L ) as shown in (D).
This DC voltage V L causes the capacitor 23 to be peak-charged through the backflow prevention diode 22 with a time constant determined by the capacitance of the capacitor 23 and the resistance value of the resistor 25, as shown in FIG. DC level voltage V K (K
Points). The DC level voltage V K is compared with the reference voltage V R2 of the second reference power supply 26 by the error amplifier 27, and the comparison output of the error amplifier 27 is output as an output current detection signal to the amplitude control circuit 31 through the diode 28. .

【0005】ここで、過負荷や出力短絡等によりフィル
タ回路46のリアクトル6及び出力コンデンサ7に過電
流が流れた場合、商用周波数電流トランス13の検出電
圧が上昇するので、出力電流検出回路29内の抵抗24
の両端の直流電圧VLが上昇し、直流レベル電圧VKが第
2の基準電源26の基準電圧VR2よりも大きくなる。こ
のとき、誤差増幅器27からダイオード28を通して過
電流検出信号が出力され、振幅制御回路31は過電流検
出信号に応じて発振器30からの正弦波信号VMの振幅
を制限する。これにより、基準正弦波信号VBの振幅が
制限されるので、第1及び第2のスイッチング素子2、
3のオン・オフ動作が制御されて交流出力電圧VOUT
降下し、交流出力電流IOUTが一定に保持される。
Here, when an overcurrent flows through the reactor 6 and the output capacitor 7 of the filter circuit 46 due to an overload, an output short circuit, or the like, the detection voltage of the commercial frequency current transformer 13 rises, so that the output current detection circuit 29 Resistance 24
Across the DC voltage V L increases, the DC level voltage V K is greater than the reference voltage V R2 of the second reference power supply 26. At this time, the overcurrent detection signal is output from the error amplifier 27 through the diode 28, and the amplitude control circuit 31 limits the amplitude of the sine wave signal V M from the oscillator 30 according to the overcurrent detection signal. This limits the amplitude of the reference sine wave signal V B , so that the first and second switching elements 2,
The ON / OFF operation of 3 is controlled, the AC output voltage V OUT drops, and the AC output current I OUT is held constant.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のイン
バータ装置では、主回路の出力側と制御回路12とを絶
縁する必要があるため、電流検出手段として商用周波数
電流トランス13を使用している。特に、図10に示す
インバータ装置では商用周波数(50〜60Hz)の交
流出力電流IOUTを検出するため、大形で重量の大きい
電流トランスを使用する必要がある。このため、インバ
ータ装置が大形化すると共に重量が増加する欠点があっ
た。また、商用周波数電流トランス13により過電流を
検出して各スイッチング素子2、3のオン・オフ動作を
制御するまでの間に、制御回路12内の多数の回路を経
由するので、応答速度が極めて遅くなり、インバータ装
置の高周波化が困難である欠点があった。
In the conventional inverter device, the commercial frequency current transformer 13 is used as the current detecting means because it is necessary to insulate the output side of the main circuit from the control circuit 12. Particularly, in the inverter device shown in FIG. 10, it is necessary to use a large and heavy current transformer in order to detect the AC output current I OUT of the commercial frequency (50 to 60 Hz). For this reason, there is a drawback that the inverter device becomes large and the weight increases. In addition, since a large number of circuits in the control circuit 12 are used until the commercial frequency current transformer 13 detects the overcurrent and controls the on / off operations of the switching elements 2 and 3, the response speed is extremely high. There is a drawback that it becomes slow and it is difficult to increase the frequency of the inverter device.

【0007】そこで、本発明は小形、軽量でかつ高周波
化が容易なインバータ装置を提供することを目的とす
る。
[0007] Therefore, an object of the present invention is to provide an inverter device which is small in size, light in weight and easy to operate at high frequencies.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】「請求項1」に係る発明
のインバータ装置は、直流電源と、該直流電源の出力端
子に直列接続された第1及び第2のスイッチング素子
と、該第1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接
続された第3及び第4のスイッチング素子と、前記第1
及び第2のスイッチング素子の接続点と前記第3及び第
4のスイッチング素子の接続点との間に直列接続された
フィルタ回路と、前記第1〜第4のスイッチング素子の
各制御端子に駆動信号を付与して前記各スイッチング素
子をオン・オフ動作させる制御回路とを備え、前記第1
〜第4のスイッチング素子のオン・オフ動作により、前
記フィルタ回路から交流出力を発生する。このインバー
タ装置では、前記第1のスイッチング素子に流れる電流
を該電流に対応した電圧として検出する第1の電流検出
手段と前記第2のスイッチング素子に流れる電流を該電
流に対応した電圧として検出する第2の電流検出手段と
をそれぞれ前記第1及び第2のスイッチング素子と直列
に接続し、前記第1の電流検出手段の検出電圧が所定の
電圧以上になったときに前記第1のスイッチング素子の
オン・オフ動作を停止させる第1の過電流保護手段と、
前記第2の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上に
なったときに前記第2のスイッチング素子のオン・オフ
動作を停止させる第2の過電流保護手段とを設けてい
る。「請求項2」に係る発明のインバータ装置では、前
記第1の過電流保護手段は、前記第1の電流検出手段の
検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出信
号を出力する第1の過電流検出手段と、該第1の過電流
検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前記
制御回路から前記第1のスイッチング素子へ付与される
駆動信号に応じてリセット状態となる第1のフリップフ
ロップと、該第1のフリップフロップがセット状態とな
ったときに出力する信号により前記第1のスイッチング
素子への駆動信号を遮断する第1の遮断手段とを有し、
前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第2の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第2のスイッチング素子へ付与され
る駆動信号に応じてリセット状態となる第2のフリップ
フロップと、該第2のフリップフロップがセット状態と
なったときに出力する信号により前記第2のスイッチン
グ素子への駆動信号を遮断する第2の遮断手段とを有す
る。「請求項3」に係る発明のインバータ装置では、前
記第1のスイッチング素子の駆動信号の立ち下がり時に
前記第1のフリップフロップがリセット状態となり、前
記第2のスイッチング素子の駆動信号の立ち下がり時に
前記第2のフリップフロップがリセット状態となる。
An inverter device of the invention according to claim 1 is a direct current power source, first and second switching elements connected in series to an output terminal of the direct current power source, and the first switching element. And third and fourth switching elements connected in series at both ends of the first and second switching elements, and the first switching element.
And a filter circuit connected in series between the connection point of the second switching element and the connection point of the third and fourth switching elements, and a drive signal to each control terminal of the first to fourth switching elements. And a control circuit for turning on and off each of the switching elements.
~ By the on / off operation of the fourth switching element, an AC output is generated from the filter circuit. In this inverter device, the current flowing through the first switching element is detected as a voltage corresponding to the current, and the current flowing through the second switching element is detected as a voltage corresponding to the current. A second current detection means is connected in series with the first and second switching elements, respectively, and the first switching element is provided when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. First overcurrent protection means for stopping the on / off operation of
Second overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the second switching element when the detection voltage of the second current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage is provided. In the inverter device of the invention according to "claim 2", the first overcurrent protection means outputs an overcurrent detection signal when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. A set state is set according to the output signal of the first overcurrent detection unit and the first overcurrent detection unit, and a reset state is set according to a drive signal applied from the control circuit to the first switching element. A first flip-flop, and a first cut-off unit that cuts off a drive signal to the first switching element by a signal output when the first flip-flop is in a set state,
The second overcurrent protection means includes a second overcurrent detection means that outputs an overcurrent detection signal when the detection voltage of the second current detection means exceeds a predetermined voltage, and the second overcurrent detection means. A second flip-flop which is set according to an output signal of the overcurrent detecting means and is reset according to a drive signal applied from the control circuit to the second switching element; and the second flip-flop. And a second cutoff unit that cuts off the drive signal to the second switching element by a signal output when the set state is set. In the inverter device of the invention according to claim 3, the first flip-flop is in a reset state when the drive signal of the first switching element falls, and when the drive signal of the second switching element falls, The second flip-flop is in the reset state.

【0009】また、「請求項4」に係る発明のインバー
タ装置では、前記第1又は第2のスイッチング素子に流
れる電流を該電流に対応した電圧として検出する第1の
電流検出手段を前記第1又は第2のスイッチング素子と
直列に接続し、前記第3又は第4のスイッチング素子に
流れる電流を該電流に対応した電圧として検出する第2
の電流検出手段を前記第3又は第4のスイッチング素子
と直列に接続し、前記第1の電流検出手段の検出電圧が
所定の電圧以上になったときに前記第1又は第2のスイ
ッチング素子のオン・オフ動作を停止させる第1の過電
流保護手段と、前記第2の電流検出手段の検出電圧が所
定の電圧以上になったときに前記第3又は第4のスイッ
チング素子のオン・オフ動作を停止させる第2の過電流
保護手段とを設けている。「請求項5」に係る発明のイ
ンバータ装置では、前記第1の過電流保護手段は、前記
第1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になっ
たときに過電流検出信号を出力する第1の過電流検出手
段と、該第1の過電流検出手段の出力信号に応じてセッ
ト状態となりかつ前記制御回路から前記第1又は第2の
スイッチング素子へ付与される駆動信号に応じてリセッ
ト状態となる第1のフリップフロップと、該第1のフリ
ップフロップがセット状態となったときに出力する信号
により前記第1又は第2のスイッチング素子への駆動信
号を遮断する第1の遮断手段とを有し、前記第2の過電
流保護手段は、前記第2の電流検出手段の検出電圧が所
定の電圧以上になったときに過電流検出信号を出力する
第2の過電流検出手段と、該第2の過電流検出手段の出
力信号に応じてセット状態となりかつ前記制御回路から
前記第3又は第4のスイッチング素子へ付与される駆動
信号に応じてリセット状態となる第2のフリップフロッ
プと、該第2のフリップフロップがセット状態となった
ときに出力する信号により前記第3又は第4のスイッチ
ング素子への駆動信号を遮断する第2の遮断手段とを有
する。「請求項6」に係る発明のインバータ装置では、
前記第1又は第2のスイッチング素子の駆動信号の立ち
下がり時に前記第1のフリップフロップがリセット状態
となり、前記第3又は第4のスイッチング素子の駆動信
号の立ち下がり時に前記第2のフリップフロップがリセ
ット状態となる。
Further, in the inverter device of the invention according to "claim 4", the first current detecting means for detecting the current flowing through the first or second switching element as a voltage corresponding to the current is provided in the first current detecting means. Or a second switching element connected in series to detect a current flowing through the third or fourth switching element as a voltage corresponding to the current.
Is connected in series with the third or fourth switching element, and when the detected voltage of the first current detecting means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, the first or second switching element of First overcurrent protection means for stopping the on / off operation, and on / off operation of the third or fourth switching element when the detection voltage of the second current detection means exceeds a predetermined voltage. And a second overcurrent protection means for stopping. In the inverter device of the invention according to claim 5, the first overcurrent protection means outputs the overcurrent detection signal when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. A first overcurrent detection means and a reset state in response to a drive signal applied to the first or second switching element from the control circuit in a set state according to an output signal of the first overcurrent detection means A first flip-flop that is in a state, and a first cut-off unit that cuts off a drive signal to the first or second switching element by a signal output when the first flip-flop is in a set state The second overcurrent protection means includes a second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the second current detection means exceeds a predetermined voltage, The second overcurrent detection A second flip-flop which is set according to the output signal of the means and which is reset according to the drive signal applied from the control circuit to the third or fourth switching element; and the second flip-flop. And a second cutoff unit that cuts off the drive signal to the third or fourth switching element by a signal output when the switch is in the set state. In the inverter device of the invention according to claim 6,
When the drive signal of the first or second switching element falls, the first flip-flop is in a reset state, and when the drive signal of the third or fourth switching element falls, the second flip-flop is It goes into a reset state.

【0010】また、「請求項7」に係る発明のインバー
タ装置では、直流電源と、該直流電源の出力端子に直列
接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該第1
及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続された第
1及び第2のハーフブリッジ用コンデンサと、前記第1
及び第2のスイッチング素子の接続点と前記第1及び第
2のハーフブリッジ用コンデンサの接続点との間に接続
されたフィルタ回路と、前記第1及び第2のスイッチン
グ素子の各制御端子に駆動信号を付与して前記各スイッ
チング素子をオン・オフ動作させる制御回路とを備え、
前記第1及び第2のスイッチング素子のオン・オフ動作
により、前記フィルタ回路から交流出力を発生する。こ
のインバータ装置では、前記第1のスイッチング素子に
流れる電流を該電流に対応した電圧として検出する第1
の電流検出手段と前記第2のスイッチング素子に流れる
電流を該電流に対応した電圧として検出する第2の電流
検出手段とをそれぞれ前記第1及び第2のスイッチング
素子と直列に接続し、前記第1の電流検出手段の検出電
圧が所定の電圧以上になったときに前記第1のスイッチ
ング素子のオン・オフ動作を停止させる第1の過電流保
護手段と、前記第2の電流検出手段の検出電圧が所定の
電圧以上になったときに前記第2のスイッチング素子の
オン・オフ動作を停止させる第2の過電流保護手段とを
設けている。「請求項8」に係る発明のインバータ装置
では、前記第1の過電流保護手段は、前記第1の電流検
出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電
流検出信号を出力する第1の過電流検出手段と、該第1
の過電流検出手段の出力信号に応じてセット状態となり
かつ前記制御回路から前記第1のスイッチング素子へ付
与される駆動信号に応じてリセット状態となる第1のフ
リップフロップと、該第1のフリップフロップがセット
状態となったときに出力する信号により前記第1のスイ
ッチング素子への駆動信号を遮断する第1の遮断手段と
を有し、前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流
検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過
電流検出信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第
2の過電流検出手段の出力信号に応じてセット状態とな
りかつ前記制御回路から前記第2のスイッチング素子へ
付与される駆動信号に応じてリセット状態となる第2の
フリップフロップと、該第2のフリップフロップがセッ
ト状態となったときに出力する信号により前記第2のス
イッチング素子への駆動信号を遮断する第2の遮断手段
とを有する。「請求項9」に係る発明のインバータ装置
では、前記第1のスイッチング素子の駆動信号の立ち下
がり時に前記第1のフリップフロップがリセット状態と
なり、前記第2のスイッチング素子の駆動信号の立ち下
がり時に前記第2のフリップフロップがリセット状態と
なる。
Further, in the inverter device of the invention according to "claim 7", the DC power supply, the first and second switching elements connected in series to the output terminal of the DC power supply, and the first
First and second half-bridge capacitors connected in series at both ends of the first and second switching elements;
And a filter circuit connected between a connection point of the second switching element and a connection point of the first and second half-bridge capacitors, and driving to each control terminal of the first and second switching elements. A control circuit for applying a signal to turn on / off each of the switching elements,
An AC output is generated from the filter circuit by the ON / OFF operation of the first and second switching elements. In this inverter device, the first current that flows in the first switching element is detected as a voltage corresponding to the first current.
Current detecting means and second current detecting means for detecting a current flowing through the second switching element as a voltage corresponding to the current are connected in series with the first and second switching elements, respectively, and A first overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the first switching element when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, and a detection by the second current detection means. Second overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the second switching element when the voltage becomes equal to or higher than a predetermined voltage is provided. In the inverter device of the invention according to "claim 8", the first overcurrent protection means outputs an overcurrent detection signal when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. A first overcurrent detection means and the first
A first flip-flop that is set according to the output signal of the overcurrent detection means and that is reset according to the drive signal applied from the control circuit to the first switching element; and the first flip-flop. A first shut-off means for shutting off the drive signal to the first switching element by a signal output when the drive circuit is in the set state, and the second overcurrent protection means includes the second overcurrent protection means. Second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage; and a set state according to the output signal of the second overcurrent detection means, and A second flip-flop which is in a reset state in response to a drive signal applied from the control circuit to the second switching element, and the second flip-flop is in a set state. And a second blocking means for blocking the drive signal to the second switching element by a signal to be output to. In the inverter device of the invention according to claim 9, the first flip-flop is in a reset state when the drive signal of the first switching element falls, and when the drive signal of the second switching element falls, The second flip-flop is in the reset state.

【0011】更に、「請求項10」に係る発明のインバ
ータ装置では、直流電源と、該直流電源の出力端子に直
列接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該第
1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続された
第3及び第4のスイッチング素子と、該第3及び第4の
スイッチング素子の両端に直列接続された第5及び第6
のスイッチング素子と、第1及び第2のスイッチング素
子の接続点と第3及び第4のスイッチング素子の接続点
と第5及び第6のスイッチング素子の接続点にそれぞれ
接続された第1〜第3のリアクトル及び第1〜第3の出
力コンデンサから成る第1〜第3のフィルタ回路と、前
記第1〜第6のスイッチング素子の各制御端子に駆動信
号を付与して前記各スイッチング素子をオン・オフ動作
させる制御回路とを備え、前記第1〜第6のスイッチン
グ素子のオン・オフ動作により、前記3つの接続点から
前記第1〜第3のフィルタ回路を介して三相交流出力を
発生する。このインバータ装置では、前記第1又は第2
のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対応した電
圧として検出する第1の電流検出手段を前記第1又は第
2のスイッチング素子と直列に接続し、前記第3又は第
4のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対応した
電圧として検出する第2の電流検出手段を前記第3又は
第4のスイッチング素子と直列に接続し、前記第5又は
第6のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対応し
た電圧として検出する第3の電流検出手段を前記第5又
は第6のスイッチング素子と直列に接続し、前記第1の
電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったとき
に前記第1又は第2のスイッチング素子のオン・オフ動
作を停止させる第1の過電流保護手段と、前記第2の電
流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったときに
前記第3又は第4のスイッチング素子のオン・オフ動作
を停止させる第2の過電流保護手段と、前記第3の電流
検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったときに前
記第5又は第6のスイッチング素子のオン・オフ動作を
停止させる第3の過電流保護手段とを設けている。「請
求項11」に係る発明のインバータ装置では、前記第1
の過電流保護手段は、前記第1の電流検出手段の検出電
圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出信号を出
力する第1の過電流検出手段と、該第1の過電流検出手
段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前記制御回
路から前記第1又は第2のスイッチング素子へ付与され
る駆動信号に応じてリセット状態となる第1のフリップ
フロップと、該第1のフリップフロップがセット状態と
なったときに出力する信号により前記第1又は第2のス
イッチング素子への駆動信号を遮断する第1の遮断手段
とを有し、前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電
流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったときに
過電流検出信号を出力する第2の過電流検出手段と、該
第2の過電流検出手段の出力信号に応じてセット状態と
なりかつ前記制御回路から前記第3又は第4のスイッチ
ング素子へ付与される駆動信号に応じてリセット状態と
なる第2のフリップフロップと、該第2のフリップフロ
ップがセット状態となったときに出力する信号により前
記第3又は第4のスイッチング素子への駆動信号を遮断
する第2の遮断手段とを有し、前記第3の過電流保護手
段は、前記第3の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧
以上になったときに過電流検出信号を出力する第3の過
電流検出手段と、該第3の過電流検出手段の出力信号に
応じてセット状態となりかつ前記制御回路から前記第5
又は第6のスイッチング素子へ付与される駆動信号に応
じてリセット状態となる第3のフリップフロップと、該
第3のフリップフロップがセット状態となったときに出
力する信号により前記第5又は第6のスイッチング素子
への駆動信号を遮断する第3の遮断手段とを有する。
「請求項12」に係る発明のインバータ装置では、前記
第1又は第2のスイッチング素子の駆動信号の立ち下が
り時に前記第1のフリップフロップがリセット状態とな
り、前記第3又は第4のスイッチング素子の駆動信号の
立ち下がり時に前記第2のフリップフロップがリセット
状態となり、前記第5又は第6のスイッチング素子の駆
動信号の立ち下がり時に前記第3のフリップフロップが
リセット状態となる。
Further, in the inverter device of the invention according to "claim 10", the direct current power source, the first and second switching elements connected in series to the output terminal of the direct current power source, and the first and second switching elements. Third and fourth switching elements connected in series to both ends of the switching element and fifth and sixth switching elements connected in series to both ends of the third and fourth switching elements
No. 1 to No. 3 connected to the connection point of the first and second switching elements, the connection point of the third and fourth switching elements, and the connection point of the fifth and sixth switching elements, respectively. Drive circuits are applied to the first to third filter circuits including the reactor and the first to third output capacitors, and the control terminals of the first to sixth switching elements to turn on the switching elements. A control circuit for performing an off operation, and by the on / off operation of the first to sixth switching elements, a three-phase alternating current output is generated from the three connection points via the first to third filter circuits. . In this inverter device, the first or second
Connecting a first current detecting means for detecting a current flowing through the switching element as a voltage corresponding to the current in series with the first or second switching element, and flowing a current through the third or fourth switching element. Is connected in series with the third or fourth switching element, and the current flowing through the fifth or sixth switching element corresponds to the current. A third current detecting means for detecting a voltage is connected in series with the fifth or sixth switching element, and when the detected voltage of the first current detecting means exceeds a predetermined voltage, the first or The first overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the second switching element, and the third or fourth when the detection voltage of the second current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. Second overcurrent protection means for stopping ON / OFF operation of the switching element, and ON of the fifth or sixth switching element when the detection voltage of the third current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. A third overcurrent protection means for stopping the off operation is provided. In the inverter device of the invention according to “claim 11”, the first
Means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the first current detection means exceeds a predetermined voltage, and the first overcurrent detection means. A first flip-flop which is set according to an output signal of the means and is reset according to a drive signal applied from the control circuit to the first or second switching element; and the first flip-flop. And a second cutoff means for cutting off the drive signal to the first or second switching element by a signal output when the second overcurrent protection means is in the set state. Second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the second current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, and a set state according to the output signal of the second overcurrent detection means And control A second flip-flop that is in a reset state in response to a drive signal applied to the third or fourth switching element from a path, and a signal that is output when the second flip-flop is in the set state. A second cutoff means for cutting off a drive signal to the third or fourth switching element, wherein the third overcurrent protection means has a detection voltage of the third current detection means equal to or higher than a predetermined voltage. The third overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the above condition occurs, and a set state is set in accordance with the output signal of the third overcurrent detection means, and the control circuit outputs the fifth signal.
Alternatively, the third or fifth flip-flop that is in a reset state according to the drive signal applied to the sixth switching element and the signal output when the third flip-flop is in the set state causes the fifth or sixth And a third cutoff unit that cuts off a drive signal to the switching element.
In the inverter device of the invention according to claim 12, the first flip-flop is in a reset state when the drive signal of the first or second switching element falls, and the third or fourth switching element The second flip-flop is in a reset state when the drive signal falls, and the third flip-flop is in a reset state when the drive signal for the fifth or sixth switching element falls.

【0012】[0012]

【作用】過負荷等によりフィルタ回路に過電流が流れる
と、第1のスイッチング素子と直列に接続された第1の
電流検出手段又は第2のスイッチング素子と直列に接続
された第2の電流検出手段により過電流がその電流に対
応した電圧として検出される。この検出電圧が所定の電
圧以上になったとき、第1又は第2の過電流保護手段に
より第1又は第2のスイッチング素子のオン・オフ動作
が停止される。このため、第1又は第2の過電流保護手
段の応答速度が速く、出力側に過電流が流れたときに第
1又は第2のスイッチング素子のオン・オフ動作を瞬時
に停止させることができる。したがって、インバータ装
置の高周波化が容易である。また、第1及び第2の電流
検出手段は断続的なスイッチング電流を検出するため、
小形でかつ軽量のものを使用できる。そのため、インバ
ータ装置の小形化及び軽量化が可能となる。
When an overcurrent flows through the filter circuit due to an overload or the like, the first current detection means connected in series with the first switching element or the second current detection connected in series with the second switching element. The overcurrent is detected by the means as a voltage corresponding to the current. When the detected voltage becomes equal to or higher than a predetermined voltage, the first or second overcurrent protection means stops the on / off operation of the first or second switching element. Therefore, the response speed of the first or second overcurrent protection means is fast, and when the overcurrent flows to the output side, the on / off operation of the first or second switching element can be instantaneously stopped. . Therefore, it is easy to increase the frequency of the inverter device. Further, since the first and second current detecting means detect the intermittent switching current,
Small and lightweight can be used. Therefore, it is possible to reduce the size and weight of the inverter device.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明によるインバータ装置の一実施
例を図1〜図6に基づいて説明する。但し、これらの図
面では図10〜図15に示す箇所と実質的に同一の部分
には同一の符号を付し、その説明を省略する。本実施例
のインバータ装置は、図1に示すように、第1のMOS
-FET2に流れる電流を該電流に対応した電圧として
検出する第1の電流検出手段としての第1の電流検出用
抵抗51を第1のMOS-FET2と直列に接続し、第
2のMOS-FET3に流れる電流を該電流に対応した
電圧として検出する第2の電流検出手段としての第2の
電流検出用抵抗52を第2のMOS-FET3と直列に
接続し、第1の電流検出用抵抗51の検出電圧が所定の
電圧以上になったときに第1のMOS-FET2のオン
・オフ動作を停止させる第1の過電流保護手段53を図
3に示すように第1の駆動回路8の電位変換器39と増
幅器40との間に設け、第2の電流検出用抵抗52の検
出電圧が所定の電圧以上になったときに第2のMOS-
FET3のオン・オフ動作を停止させる第2の過電流保
護手段54を図4に示すように第2の駆動回路9の増幅
器41の前段に設けたものである。その他の回路構成
は、図10に示す商用周波数電流トランス13を省略し
た以外は図10の回路構成と略同一である。図1の制御
回路12内には、図2に示すように、電位変換器33か
ら出力された基準正弦波の振幅が所定の制限電圧レベル
TH(図6)を越えようとするときに基準正弦波の振幅
を制限する振幅制限器55が電位変換器33とPWMコ
ンパレータ35の反転入力端子との間に設けられてい
る。その他の回路構成は、図11に示す出力電流検出回
路29を省略した以外は図11に示す制御回路12内の
回路構成と略同一である。第1の駆動回路8内の第1の
過電流保護手段53は、図3に示すように、第1の電流
検出用抵抗51の検出電圧が第3の基準電源56の基準
電圧VR3以上になったときに過電流検出信号を出力する
第1の過電流検出手段としての第1のコンパレータ57
と、制御回路12から電位変換器39を通して第1のM
OS-FET2へ付与される駆動信号VG1を反転増幅す
る反転増幅器58と、第1のコンパレータ57の出力信
号に応じてセット状態となりかつ反転増幅器58の出力
信号に応じてリセット状態となる第1のフリップフロッ
プ59と、第1のフリップフロップ59がセット状態と
なったときに出力する信号により第1のMOS-FET
2への駆動信号VG1を遮断する第1の遮断手段としての
第1のNORゲート60とから構成されている。したが
って、第1のフリップフロップ59は第1のMOS-F
ET2への駆動信号VG1の立ち下がり時にリセット状態
となる。また、第2の駆動回路9内の第1の過電流保護
手段54は、図4に示すように、第2の電流検出用抵抗
52の検出電圧が第4の基準電源61の基準電圧VR4
上になったときに過電流検出信号を出力する第2の過電
流検出手段としての第2のコンパレータ62と、制御回
路12から第2のMOS-FET3へ付与される駆動信
号VG2を反転増幅する反転増幅器63と、第2のコンパ
レータ62の出力信号に応じてセット状態となりかつ反
転増幅器63の出力信号に応じてリセット状態となる第
2のフリップフロップ64と、第2のフリップフロップ
64がセット状態となったときに出力する信号により第
2のMOS-FET3への駆動信号VG2を遮断する第2
の遮断手段としての第2のNORゲート65とから構成
されている。したがって、第2のフリップフロップ64
は第2のMOS-FET3への駆動信号VG2の立ち下が
り時にリセット状態となる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the inverter device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. However, in these drawings, the portions substantially the same as the portions shown in FIGS. 10 to 15 are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. The inverter device of the present embodiment, as shown in FIG.
-A first current detecting resistor 51 as a first current detecting means for detecting a current flowing through the FET2 as a voltage corresponding to the current is connected in series with the first MOS-FET2, and a second MOS-FET3 is connected. A second current detecting resistor 52 as a second current detecting means for detecting the current flowing through the second current detecting circuit as a voltage corresponding to the current, is connected in series with the second MOS-FET 3, and the first current detecting resistor 51 is connected. As shown in FIG. 3, the first overcurrent protection means 53 for stopping the on / off operation of the first MOS-FET 2 when the detected voltage becomes higher than a predetermined voltage is applied to the first drive circuit 8 as shown in FIG. It is provided between the converter 39 and the amplifier 40, and when the detection voltage of the second current detection resistor 52 becomes equal to or higher than a predetermined voltage, the second MOS-
The second overcurrent protection means 54 for stopping the on / off operation of the FET 3 is provided in the preceding stage of the amplifier 41 of the second drive circuit 9 as shown in FIG. The other circuit configuration is substantially the same as the circuit configuration of FIG. 10 except that the commercial frequency current transformer 13 shown in FIG. 10 is omitted. As shown in FIG. 2, the control circuit 12 of FIG. 1 has a reference when the amplitude of the reference sine wave output from the potential converter 33 exceeds the predetermined limit voltage level V TH (FIG. 6). An amplitude limiter 55 that limits the amplitude of the sine wave is provided between the potential converter 33 and the inverting input terminal of the PWM comparator 35. The other circuit configuration is substantially the same as the circuit configuration in the control circuit 12 shown in FIG. 11 except that the output current detection circuit 29 shown in FIG. 11 is omitted. In the first overcurrent protection unit 53 in the first drive circuit 8, as shown in FIG. 3, the detection voltage of the first current detection resistor 51 becomes equal to or higher than the reference voltage V R3 of the third reference power supply 56. The first comparator 57 as a first overcurrent detection means that outputs an overcurrent detection signal when
And the first M from the control circuit 12 through the potential converter 39.
The inverting amplifier 58, which inverts and amplifies the drive signal V G1 applied to the OS-FET 2, and the first comparator 57, which is in the set state according to the output signal and the inverting amplifier 58 is in the reset state according to the output signal, Of the first MOS-FET by the signal output when the first flip-flop 59 and the first flip-flop 59 are in the set state.
The first NOR gate 60 serves as a first cutoff unit that cuts off the drive signal V G1 for the second signal. Therefore, the first flip-flop 59 is the first MOS-F.
When the drive signal V G1 to ET2 falls, the reset state is set. Further, in the first overcurrent protection means 54 in the second drive circuit 9, as shown in FIG. 4, the detection voltage of the second current detection resistor 52 is the reference voltage V R4 of the fourth reference power supply 61. A second comparator 62 as a second overcurrent detection means that outputs an overcurrent detection signal when the above is reached, and an inversion amplification of the drive signal V G2 applied from the control circuit 12 to the second MOS-FET 3 A second flip-flop 64, which is in a set state according to the output signal of the second comparator 62 and is in a reset state according to the output signal of the inverting amplifier 63, and a second flip-flop 64. A second signal for shutting off the drive signal V G2 to the second MOS-FET 3 by the signal output when the state becomes
And a second NOR gate 65 as a means for shutting off. Therefore, the second flip-flop 64
Becomes a reset state when the drive signal V G2 to the second MOS-FET 3 falls.

【0014】次に、図1に示すインバータ装置の動作に
ついて説明する。通常時の動作については前述の図10
に示すインバータ装置における動作と略同様であるの
で、説明は省略する。図1の回路において、過負荷等に
よりフィルタ回路46のリアクトル6及び出力コンデン
サ7に過電流が流れた場合に、第1のMOS-FET2
がオン状態のときは第1の電流検出用抵抗51にて過電
流がその電流に対応した電圧として検出される。このと
きの制御回路12内の三角波発振器34から出力される
三角波信号VA、振幅制限器55から出力される基準正
弦波信号VB、制御回路12から第1のMOS-FET2
へ出力される駆動信号VG1及び第1の電流検出用抵抗5
1の検出電圧V1の各波形を図5(A)〜(C)に示す。第
1の電流検出用抵抗51の検出電圧V1(図3のS点)
は、第1の駆動回路8内の第1の過電流保護手段53の
第1のコンパレータ57により第3の基準電源56の基
準電圧VR3と比較され、検出電圧V1が基準電圧VR3
上のときは第1のコンパレータ57から過電流検出信号
2が出力される(図3のR点)。このときに第1のコ
ンパレータ57から出力される過電流検出信号V2の電
圧波形を図5(D)に示す。第1のコンパレータ57から
出力された過電流検出信号V2により第1のフリップフ
ロップ59がセット状態になり、図5(F)に示すように
第1のフリップフロップ59の出力信号V3が高レベル
(ハイレベル)になる(図3のT点)。第1のフリップ
フロップ59の出力信号V3は第1のNORゲート60
の一方の入力端子に入力され、他方の入力端子(図3の
O点)には制御回路12から第1のMOS-FET2へ
の駆動信号VG1が電位変換器39を通して入力される。
したがって、第1のフリップフロップ59の出力信号V
3が高レベルのときは図5(G)に示すように第1のNO
Rゲート60の出力信号V4(図3のQ点)は低レベル
(ロウレベル)となり、第1の駆動回路8から第1のM
OS-FET2のゲート端子に付与される駆動信号VG1
が瞬時に遮断される。よって、第1のMOS-FET2
が瞬時にオフ状態となる。その後、図5(B)に示すよう
に制御回路12から第1のMOS-FET2への駆動信
号VG1(図3のO点)が高レベルから低レベルになる
と、図5(E)に示すように反転増幅器58の出力信号V
5(図3のP点)が低レベルから高レベルとなり、第1
のフリップフロップ59がリセット状態となる。このと
き、第1のフリップフロップ59の出力信号V3が図5
(F)に示すように高レベルから低レベルに復帰する。ま
た、第2のMOS-FET3がオン状態のときは第2の
電流検出用抵抗52により過電流がその電流に対応した
電圧として検出される。以降の動作は前述の第1のMO
S-FET2がオン状態のときと同様に、第2の駆動回
路9内の第2の過電流保護手段54の第2のコンパレー
タ62により第4の基準電源61の基準電圧VR4と比較
され、第2の電流検出用抵抗52の検出電圧が基準電圧
R4以上のときは第2のコンパレータ62から過電流検
出信号が出力され、その過電流検出信号により第2のフ
リップフロップ64がセット状態になると共にその出力
信号が高レベルになり、第2のNORゲート65の出力
信号が低レベルとなり、第2の駆動回路9から第2のM
OS-FET3のゲート端子に付与される駆動信号VG2
が瞬時に遮断される。よって、第2のMOS-FET3
が瞬時にオフ状態となる。その後、制御回路12から第
2のMOS-FET3への駆動信号VG2が高レベルから
低レベルになると、反転増幅器63の出力信号が低レベ
ルから高レベルとなり、第2のフリップフロップ64が
リセット状態となると共にその出力信号が高レベルから
低レベルに復帰する。
Next, the operation of the inverter device shown in FIG. 1 will be described. Regarding the operation at the normal time, the operation shown in FIG.
Since the operation is substantially the same as that of the inverter device shown in FIG. In the circuit of FIG. 1, when an overcurrent flows in the reactor 6 and the output capacitor 7 of the filter circuit 46 due to overload or the like, the first MOS-FET 2
Is ON, the overcurrent is detected by the first current detection resistor 51 as a voltage corresponding to the current. At this time, the triangular wave signal V A output from the triangular wave oscillator 34 in the control circuit 12, the reference sine wave signal V B output from the amplitude limiter 55, the first MOS-FET 2 from the control circuit 12
Drive signal V G1 and the first current detection resistor 5 output to
Waveforms of the detection voltage V 1 of No. 1 are shown in FIGS. Detection voltage V 1 of the first current detection resistor 51 (point S in FIG. 3)
Is compared with the reference voltage V R3 of the third reference power supply 56 by the first comparator 57 of the first overcurrent protection means 53 in the first drive circuit 8, and the detected voltage V 1 is equal to or higher than the reference voltage V R3. In this case, the overcurrent detection signal V 2 is output from the first comparator 57 (point R in FIG. 3). The voltage waveform of the overcurrent detection signal V 2 output from the first comparator 57 at this time is shown in FIG. The overcurrent detection signal V 2 output from the first comparator 57 puts the first flip-flop 59 in the set state, and the output signal V 3 of the first flip-flop 59 becomes high as shown in FIG. 5 (F). It becomes a level (high level) (point T in FIG. 3). The output signal V 3 of the first flip-flop 59 is the first NOR gate 60.
The drive signal V G1 from the control circuit 12 to the first MOS-FET 2 is input to the other input terminal (point O in FIG. 3) through the potential converter 39.
Therefore, the output signal V of the first flip-flop 59 is
When 3 is high level, as shown in FIG. 5 (G), the first NO
The output signal V 4 (point Q in FIG. 3) of the R gate 60 becomes low level (low level), and the first drive circuit 8 outputs the first M signal.
Drive signal V G1 applied to the gate terminal of OS-FET2
Is cut off instantly. Therefore, the first MOS-FET2
Turns off instantly. After that, when the drive signal V G1 (point O in FIG. 3) from the control circuit 12 to the first MOS-FET 2 changes from high level to low level as shown in FIG. 5 (B), it is shown in FIG. 5 (E). Output signal V of the inverting amplifier 58
5 (point P in Figure 3) goes from low to high,
The flip-flop 59 is reset. At this time, the output signal V 3 of the first flip-flop 59 is as shown in FIG.
As shown in (F), the high level returns to the low level. When the second MOS-FET 3 is on, the second current detection resistor 52 detects the overcurrent as a voltage corresponding to the current. The operation thereafter is the same as the first MO described above.
Similarly to when the S-FET 2 is in the ON state, the second comparator 62 of the second overcurrent protection means 54 in the second drive circuit 9 compares it with the reference voltage V R4 of the fourth reference power supply 61, When the detection voltage of the second current detection resistor 52 is equal to or higher than the reference voltage V R4, the overcurrent detection signal is output from the second comparator 62, and the overcurrent detection signal puts the second flip-flop 64 into the set state. The output signal of the second NOR gate 65 becomes low level, and the output signal of the second NOR gate 65 becomes low level.
Drive signal V G2 applied to the gate terminal of OS-FET3
Is cut off instantly. Therefore, the second MOS-FET3
Turns off instantly. After that, when the drive signal V G2 from the control circuit 12 to the second MOS-FET 3 changes from high level to low level, the output signal of the inverting amplifier 63 changes from low level to high level, and the second flip-flop 64 is reset. At the same time, the output signal returns from high level to low level.

【0015】ところで、図6(A)に示すように出力短絡
等により交流出力電圧VOUTが著しく低下して基準正弦
波信号VB(図2のH点)の振幅が破線部分に示すよう
に三角波信号VA(図2のA点)の電圧の最大値を越え
るとき、制御回路12から第1(又は第2)のMOS-
FET2(又は3)への駆動信号VG1(又はVG2)の電
圧(図3のO点の電圧)が図6(B)の破線部分に示すよ
うに高レベルに固定され、第1(又は第2)のフリップ
フロップ59(又は64)がリセットされなくなる。し
たがって、第1(又は第2)の過電流保護手段53(又
は54)により一旦駆動信号VG1(又はVG2)が遮断さ
れると、基準正弦波信号VBの振幅が三角波信号VAの電
圧の最大値より小さくなるまで第1(又は第2)のMO
S-FET2(又は3)がオフ状態のままとなり、出力
が回復しなくなる。このため、図1の回路では振幅制限
器55により基準正弦波信号VBの超過電圧分を図6
(A)の実線部分に示すように平坦化して基準正弦波信号
Bの振幅を三角波信号VAの電圧の最大値より若干低い
制限電圧レベルVTHまで制限する(図2のB点)ことに
より、図6(B)に示す駆動信号VG1(又はVG2)の電圧
が低レベルになる期間を設け、第1(又は第2)のフリ
ップフロップ59(又は64)がリセットされなくなる
ことを防止している。
By the way, as shown in FIG. 6A, the AC output voltage V OUT is remarkably reduced due to the output short circuit or the like, and the amplitude of the reference sine wave signal V B (point H in FIG. 2) is as shown by the broken line portion. When the voltage of the triangular wave signal V A (point A in FIG. 2) exceeds the maximum value, the control circuit 12 causes the first (or second) MOS-
The voltage of the drive signal V G1 (or V G2 ) to the FET 2 (or 3) (the voltage at the point O in FIG. 3) is fixed at a high level as shown by the broken line portion in FIG. The second) flip-flop 59 (or 64) is no longer reset. Therefore, once the drive signal V G1 (or V G2 ) is cut off by the first (or second) overcurrent protection means 53 (or 54), the amplitude of the reference sine wave signal V B becomes equal to that of the triangular wave signal V A. The first (or second) MO until it becomes smaller than the maximum value of the voltage
The S-FET2 (or 3) remains off, and the output cannot be recovered. Therefore, in the circuit of FIG. 1, the excess voltage component of the reference sine wave signal V B is adjusted by the amplitude limiter 55 in FIG.
As shown by the solid line portion in (A), the amplitude of the reference sine wave signal V B is limited to a limit voltage level V TH which is slightly lower than the maximum value of the voltage of the triangular wave signal V A (point B in FIG. 2). This provides a period in which the voltage of the drive signal V G1 (or V G2 ) shown in FIG. 6B is at a low level and prevents the first (or second) flip-flop 59 (or 64) from being reset. To prevent.

【0016】図1に示すインバータ装置は変更が可能で
ある。例えば図7に示すインバータ装置は、第1及び第
2の電流検出用抵抗51、52をそれぞれ第2のMOS
-FET3及び第4のMOS-FET5と直列に接続し、
第1の過電流保護手段53及び第2の過電流保護手段5
4をそれぞれ第2の駆動回路9内の増幅器41(図1
3)の前段及び第4の駆動回路11内の増幅器41の前
段に設けたものである。その他の回路構成は、図1に示
すインバータ装置と略同一である。図7に示す回路の場
合、第2及び第4のMOS-FET3、5は商用周波数
より極めて高いPWM変調された周波数で交互にオン・
オフ動作され、第1及び第3のMOS-FET2、4は
商用周波数で交互にオン・オフ動作される。図7に示す
インバータ装置の過電流発生時の保護動作は図1に示す
インバータ装置の場合と略同様に、第2のMOS-FE
T3がオン状態の時は第1の過電流保護手段53により
第2のMOS-FET3がオフ状態となり、第4のMO
S-FET5がオン状態の時は第2の過電流保護手段5
4により第4のMOS-FET5がオフ状態となる。ま
た、図示はしないが図7に示す回路とは逆に第1及び第
2の電流検出用抵抗51、52をそれぞれ第1のMOS
-FET2及び第3のMOS-FET4と直列に接続し、
第1の過電流保護手段53を第1の駆動回路8内の電位
変換器39と増幅器40(図12)との間に設け、第2
の過電流保護手段54を第3の駆動回路10内の電位変
換器39と増幅器40との間に設けてもよい。この場合
は、第1及び第3のMOS-FET2、4は商用周波数
より極めて高いPWM変調された周波数で交互にオン・
オフ動作され、第2及び第4のMOS-FET3、5は
商用周波数で交互にオン・オフ動作される。この回路の
過電流発生時の保護動作は、前述の図7の回路の場合と
は逆に、第1のMOS-FET2がオン状態の時は第1
の過電流保護手段53により第1のMOS-FET2が
オフ状態となり、第3のMOS-FET4がオン状態の
時は第2の過電流保護手段54により第3のMOS-F
ET4がオフ状態となる。
The inverter device shown in FIG. 1 can be modified. For example, in the inverter device shown in FIG. 7, the first and second current detection resistors 51 and 52 are respectively connected to the second MOS.
-Connected in series with the FET3 and the fourth MOS-FET5,
First overcurrent protection means 53 and second overcurrent protection means 5
4 is an amplifier 41 in the second drive circuit 9 (see FIG.
It is provided in the preceding stage of 3) and the preceding stage of the amplifier 41 in the fourth drive circuit 11. The other circuit configuration is substantially the same as that of the inverter device shown in FIG. In the case of the circuit shown in FIG. 7, the second and fourth MOS-FETs 3 and 5 are alternately turned on at a PWM-modulated frequency extremely higher than the commercial frequency.
It is turned off, and the first and third MOS-FETs 2 and 4 are alternately turned on and off at a commercial frequency. The protection operation of the inverter device shown in FIG. 7 when an overcurrent occurs is similar to that of the inverter device shown in FIG.
When T3 is on, the first overcurrent protection means 53 turns off the second MOS-FET 3 and the fourth MO-FET 3 is turned off.
When the S-FET 5 is on, the second overcurrent protection means 5
4 turns off the fourth MOS-FET 5. Although not shown, the first and second current detecting resistors 51 and 52 are connected to the first MOS, respectively, contrary to the circuit shown in FIG.
-Connected in series with the FET2 and the third MOS-FET4,
The first overcurrent protection means 53 is provided between the potential converter 39 and the amplifier 40 (FIG. 12) in the first drive circuit 8, and the second overcurrent protection means 53 is provided.
The overcurrent protection means 54 may be provided between the potential converter 39 and the amplifier 40 in the third drive circuit 10. In this case, the first and third MOS-FETs 2 and 4 are alternately turned on at a PWM-modulated frequency extremely higher than the commercial frequency.
It is turned off, and the second and fourth MOS-FETs 3 and 5 are alternately turned on and off at a commercial frequency. Contrary to the case of the circuit of FIG. 7 described above, the protection operation of this circuit when an overcurrent occurs is the first when the first MOS-FET 2 is in the ON state.
When the first MOS-FET 2 is turned off by the overcurrent protection means 53 and the third MOS-FET 4 is turned on, the second overcurrent protection means 54 causes the third MOS-F 3 to turn off.
ET4 is turned off.

【0017】また、図8に示すインバータ装置は、図1
の回路において第3及び第4のMOS-FET4、5の
代わりに第1及び第2のハーフブリッジ用コンデンサ4
2、43を接続して直流−交流変換ブリッジ回路部をハ
ーフブリッジ型としたものである。その他の回路構成
は、図1に示すインバータ装置と略同一である。図8に
示す回路の場合、制御回路12内の基準正弦波VBのP
WM変調方式が図1に示す回路の場合と若干異なるが、
過電流時の保護動作に関しては図1に示す回路と略同様
である。
Further, the inverter device shown in FIG.
1st and 2nd half-bridge capacitors 4 in place of the 3rd and 4th MOS-FETs 4 and 5 in the circuit of FIG.
2, 43 are connected and the DC-AC conversion bridge circuit section is of a half-bridge type. The other circuit configuration is substantially the same as that of the inverter device shown in FIG. In the case of the circuit shown in FIG. 8, P of the reference sine wave V B in the control circuit 12
Although the WM modulation method is slightly different from that of the circuit shown in FIG. 1,
The protection operation at the time of overcurrent is substantially the same as that of the circuit shown in FIG.

【0018】また、図9は図1に示すインバータ装置を
三相交流出力を発生する三相交流インバータ装置に適用
した例を示す。即ち、図9に示す三相交流インバータ装
置は、図1の回路において第3及び第4のMOS-FE
T4、5の両端に第5及び第6のスイッチング素子とし
ての第5及び第6のMOS-FET44、45を直列に
接続して直流−三相交流変換ブリッジ回路部を構成し、
第1及び第2のMOS-FET2、3の接続点と第3及
び第4のMOS-FET4、5の接続点と第5及び第6
のMOS-FET44、45の接続点にそれぞれ第1〜
第3のリアクトル6a〜6c及び第1〜第3の出力コンデ
ンサ7a〜7cから成る第1〜第3のフィルタ回路46a
〜46cを接続し、第2、第4及び第6のMOS-FET
3、5、45の各々と直列に第1〜第3の電流検出用抵
抗51、52、66をそれぞれ接続し、図4に示す回路
構成の第1〜第3の過電流保護手段53、54、67を
それぞれ第2、第4及び第6の駆動回路9、11、48
内に設けたものである。制御回路12は、第1〜第6の
MOS-FET2〜5、44、45の各ゲート端子に駆
動信号を付与して各MOS-FET2〜5、44、45
をオン・オフ動作させる。その他の回路構成は、図1に
示すインバータ装置と略同一である。図9に示す回路の
場合、第2、第4及び第6のMOS-FET3、5、4
5は商用周波数より極めて高いPWM変調された周波数
にて互いに120°の位相差で逐次オン・オフ動作さ
れ、第1、第3及び第5のMOS-FET2、4、44
は商用周波数にて互いに120°の位相差で逐次オン・
オフ動作される。図9に示す三相交流インバータ装置の
過電流発生時の保護動作は図7に示すインバータ装置の
場合と略同様に、第2のMOS-FET3がオン状態の
時は第1の過電流保護手段53により第2のMOS-F
ET3がオフ状態となり、第4のMOS-FET5がオ
ン状態の時は第2の過電流保護手段54により第4のM
OS-FET5がオフ状態となり、第6のMOS-FET
45がオン状態の時は第3の過電流保護手段67により
第6のMOS-FET45がオフ状態となる。図示は省
略するが、図9の回路においても前述の図7の回路の場
合と同様の変更が可能である。即ち、第1〜第3の電流
検出用抵抗51、52、66をそれぞれ第1、第3及び
第5のMOS-FET2、4、44と直列に接続し、図
3に示す回路構成の第1〜第3の過電流保護手段53、
54、67をそれぞれ第1、第3及び第5の駆動回路
8、10、47内に設けてもよい。この場合は、第1、
第3及び第5のMOS-FET2、4、44が商用周波
数より極めて高いPWM変調された周波数にて互いに1
20°の位相差で逐次オン・オフ動作され、第2、第4
及び第6のMOS-FET3、5、45が商用周波数に
て互いに120°の位相差で逐次オン・オフ動作され
る。この回路の過電流発生時の保護動作は、図9の回路
の場合とは逆に、第1のMOS-FET2がオン状態の
時は第1の過電流保護手段53により第1のMOS-F
ET2がオフ状態となり、第3のMOS-FET4がオ
ン状態の時は第2の過電流保護手段54により第3のM
OS-FET4がオフ状態となり、第5のMOS-FET
44がオン状態の時は第3の過電流保護手段67により
第5のMOS-FET44がオフ状態となる。
FIG. 9 shows an example in which the inverter device shown in FIG. 1 is applied to a three-phase AC inverter device which generates a three-phase AC output. That is, the three-phase AC inverter device shown in FIG. 9 has the third and fourth MOS-FE in the circuit of FIG.
A DC-three-phase AC conversion bridge circuit section is configured by connecting fifth and sixth MOS-FETs 44 and 45 as fifth and sixth switching elements in series at both ends of T4 and T5,
Connection points of the first and second MOS-FETs 2 and 3 and connection points of the third and fourth MOS-FETs 4 and 5 and 5th and 6th
The first to the connection points of the MOS-FETs 44 and 45 of
First to third filter circuits 46a composed of third reactors 6a to 6c and first to third output capacitors 7a to 7c.
To 46c are connected, and the second, fourth and sixth MOS-FETs are connected.
First to third current detecting resistors 51, 52 and 66 are respectively connected in series with 3, 5, 45 respectively, and the first to third overcurrent protection means 53 and 54 of the circuit configuration shown in FIG. , 67 to the second, fourth and sixth drive circuits 9, 11, 48, respectively.
It is provided inside. The control circuit 12 applies a drive signal to each gate terminal of the first to sixth MOS-FETs 2 to 5, 44 and 45 to supply each of the MOS-FETs 2 to 5, 44 and 45.
To turn on and off. The other circuit configuration is substantially the same as that of the inverter device shown in FIG. In the case of the circuit shown in FIG. 9, the second, fourth and sixth MOS-FETs 3, 5, 4
5 is turned on and off sequentially with a phase difference of 120 ° at a PWM-modulated frequency much higher than the commercial frequency, and the first, third and fifth MOS-FETs 2, 4, 44
Are successively turned on at a commercial frequency with a phase difference of 120 °.
It is operated off. The protection operation of the three-phase AC inverter device shown in FIG. 9 when an overcurrent occurs is similar to that of the inverter device shown in FIG. 7, and when the second MOS-FET 3 is in the ON state, the first overcurrent protection means is provided. Second MOS-F by 53
When ET3 is in the off state and the fourth MOS-FET 5 is in the on state, the second overcurrent protection means 54 causes the fourth M-FET to operate.
The OS-FET5 is turned off, and the sixth MOS-FET
When 45 is on, the third overcurrent protection means 67 turns off the sixth MOS-FET 45. Although illustration is omitted, the circuit shown in FIG. 9 can be modified in the same manner as the circuit shown in FIG. That is, the first to third current detecting resistors 51, 52 and 66 are connected in series to the first, third and fifth MOS-FETs 2, 4 and 44, respectively, and the first circuit configuration shown in FIG. ~ Third overcurrent protection means 53,
54 and 67 may be provided in the first, third and fifth drive circuits 8, 10 and 47, respectively. In this case, the first,
The third and fifth MOS-FETs 2, 4 and 44 are 1 at each other at the PWM modulated frequency which is much higher than the commercial frequency.
Sequential on / off operation with a phase difference of 20 °
The sixth and sixth MOS-FETs 3, 5 and 45 are successively turned on and off at a commercial frequency with a phase difference of 120 °. Contrary to the case of the circuit of FIG. 9, the protection operation of this circuit when an overcurrent occurs is the reverse of the case of the circuit of FIG.
When ET2 is in the off state and the third MOS-FET 4 is in the on state, the second overcurrent protection means 54 causes the third M-FET to operate.
The OS-FET4 is turned off, and the fifth MOS-FET is turned on.
When 44 is on, the third overcurrent protection means 67 turns off the fifth MOS-FET 44.

【0019】以上のように、図1〜図9に示す実施例の
インバータ装置では、MOS-FET2〜5、44、4
5毎に近接して設けられた駆動回路8〜11、47、4
8内に簡素な回路構成の過電流保護手段53、54、6
7を設けたので、過電流保護手段53、54、67の応
答速度が速く、出力側に過電流が流れたときにMOS-
FET2〜5、44、45のオン・オフ動作を瞬時に停
止させることができる。したがって、インバータ装置の
高周波化が容易である。また、電流検出用抵抗51、5
2、66は商用周波数より極めて高いPWM変調された
周波数のスイッチング電流を検出するため、小形でかつ
軽量のものを使用できる。そのため、インバータ装置を
小形化及び軽量化して製造コストを削減することが可能
となる。また、過電流保護手段53、54、67はコン
パレータ、フリップフロップ、反転増幅器及びNORゲ
ートを含む程度の簡素なディジタル回路のみで構成でき
るので、集積回路化(IC化)を容易にできる利点があ
る。
As described above, in the inverter device of the embodiment shown in FIGS. 1 to 9, the MOS-FETs 2 to 5, 44 and 4 are used.
Drive circuits 8 to 11, 47, 4 provided close to each other
8 has overcurrent protection means 53, 54, 6 with a simple circuit configuration.
7 is provided, the response speed of the overcurrent protection means 53, 54, 67 is fast, and when the overcurrent flows to the output side, the MOS-
The on / off operation of the FETs 2 to 5, 44 and 45 can be stopped instantaneously. Therefore, it is easy to increase the frequency of the inverter device. In addition, the current detection resistors 51, 5
Since 2, 66 detect a switching current having a PWM-modulated frequency extremely higher than the commercial frequency, a small and lightweight one can be used. Therefore, it is possible to reduce the size and weight of the inverter device and reduce the manufacturing cost. Further, since the overcurrent protection means 53, 54, 67 can be configured only by a simple digital circuit including a comparator, a flip-flop, an inverting amplifier, and a NOR gate, there is an advantage that integration (IC) can be easily performed. .

【0020】本発明の実施態様は前記の各実施例に限定
されず、更に種々の変更が可能である。例えば、上記の
各実施例の電流検出用抵抗51、52、66の代わりに
小形でかつ軽量の高周波用の電流トランスを電流検出手
段として使用してもよい。また、上記の各実施例ではス
イッチング素子としてMOS-FETを使用した例を示
したが、バイポーラ形トランジスタ、接合型FET(J
-FET)、SCR(逆阻止3端子サイリスタ)等の他
のスイッチング素子を使用してもよい。また、各駆動回
路8〜11、47、48を制御回路12内に含めてもよ
い。また、上記の各実施例のフィルタ回路46、46
a、46b、46cは図示の逆L型回路の他に、T型回
路、π型回路又はその他の各種フィルタ回路が使用可能
である。更に、本発明は直流電力を三相以上の多相交流
電力に変換する多相交流インバータ装置等にも適用でき
ることは容易に理解できよう。
The embodiment of the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made. For example, a small and lightweight high-frequency current transformer may be used as the current detection means instead of the current detection resistors 51, 52, 66 of the above-described embodiments. Further, in each of the above-described embodiments, an example in which a MOS-FET is used as a switching element is shown, but a bipolar transistor, a junction FET (J
Other switching elements such as -FET) and SCR (reverse blocking 3-terminal thyristor) may be used. Further, each drive circuit 8-11, 47, 48 may be included in the control circuit 12. In addition, the filter circuits 46, 46 of the above-described embodiments
In addition to the illustrated inverted L-type circuit, T-type circuits, π-type circuits, and other various filter circuits can be used as a, 46b, and 46c. Further, it can be easily understood that the present invention can be applied to a multi-phase AC inverter device or the like for converting DC power into multi-phase AC power having three or more phases.

【0021】[0021]

【発明の効果】本発明によれば、小形、軽量でかつ安価
な電流検出用抵抗等の電流検出手段を使用できるので、
インバータ装置の小型化及び軽量化が可能となると共に
製造コストを削減することができる。また、各スイッチ
ング素子毎に電流検出手段及び過電流保護手段を設けて
回路構成を簡略化すると共に過電流保護手段の応答速度
を高速化したので、出力側に過電流が流れたときに各ス
イッチング素子のオン・オフ動作を瞬時に停止させるこ
とができる。このため、インバータ装置の高周波化、例
えば従来は20kHz以下であった制御回路内のキャリ
ア(三角波信号)の周波数を100kHz程度まで高く
することが可能となる。これにより、フィルタ回路のリ
アクトル及び出力コンデンサを小形にすることができ
る。
According to the present invention, it is possible to use a current detecting means such as a small, lightweight and inexpensive current detecting resistor.
It is possible to reduce the size and weight of the inverter device and reduce the manufacturing cost. Further, since the current detection means and the overcurrent protection means are provided for each switching element to simplify the circuit configuration and to speed up the response speed of the overcurrent protection means, each switching is performed when an overcurrent flows to the output side. The on / off operation of the element can be stopped instantaneously. Therefore, it becomes possible to increase the frequency of the inverter device, for example, to increase the frequency of the carrier (triangular wave signal) in the control circuit, which was 20 kHz or less in the past, to about 100 kHz. As a result, the reactor of the filter circuit and the output capacitor can be downsized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の一実施例を示すインバータ装置の電
気回路図
FIG. 1 is an electric circuit diagram of an inverter device showing an embodiment of the present invention.

【図2】 図1の制御回路の内部構成を示すブロック回
路図
FIG. 2 is a block circuit diagram showing the internal configuration of the control circuit of FIG.

【図3】 図1の第1の駆動回路の内部構成を示す電気
回路図
FIG. 3 is an electric circuit diagram showing the internal configuration of the first drive circuit of FIG.

【図4】 図1の第2の駆動回路の内部構成を示す電気
回路図
FIG. 4 is an electric circuit diagram showing an internal configuration of a second drive circuit shown in FIG.

【図5】 図1〜図3の回路の各部の電圧を示す波形図FIG. 5 is a waveform diagram showing the voltage of each part of the circuits of FIGS.

【図6】 図2の振幅制限器の動作を示す電圧波形図6 is a voltage waveform diagram showing the operation of the amplitude limiter of FIG.

【図7】 本発明の第1の変更実施例を示すインバータ
装置の電気回路図
FIG. 7 is an electric circuit diagram of an inverter device showing a first modified embodiment of the present invention.

【図8】 本発明の第2の変更実施例を示すインバータ
装置の電気回路図
FIG. 8 is an electric circuit diagram of an inverter device showing a second modified embodiment of the present invention.

【図9】 本発明のインバータ装置を三相交流インバー
タ装置へ適用した例を示す電気回路図
FIG. 9 is an electric circuit diagram showing an example in which the inverter device of the present invention is applied to a three-phase AC inverter device.

【図10】 インバータ装置の従来例を示す電気回路図FIG. 10 is an electric circuit diagram showing a conventional example of an inverter device.

【図11】 図10の制御回路の内部構成を示すブロッ
ク回路図
11 is a block circuit diagram showing the internal configuration of the control circuit of FIG.

【図12】 図10の第1及び第3の駆動回路の内部構
成を示す電気回路図
FIG. 12 is an electric circuit diagram showing the internal configuration of the first and third drive circuits of FIG.

【図13】 図10の第2及び第4の駆動回路の内部構
成を示す電気回路図
FIG. 13 is an electrical circuit diagram showing the internal configuration of the second and fourth drive circuits of FIG.

【図14】 図11の回路の各部の電圧を示す波形図FIG. 14 is a waveform diagram showing the voltage of each part of the circuit of FIG.

【図15】 図10及び図11の回路の各部の電圧及び
電流を示す波形図
FIG. 15 is a waveform diagram showing the voltage and current of each part of the circuits of FIGS. 10 and 11.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1...直流電源、2〜5,44,45...第1〜第
6のMOS-FET(第1〜第6のスイッチング素
子)、6...リアクトル、7...出力コンデンサ、
8〜11,47,48...第1〜第6の駆動回路、1
2...制御回路、13...商用周波数電流トラン
ス、42,43...第1,第2のハーフブリッジ用コ
ンデンサ、46...フィルタ回路、46a〜46
c...第1〜第3のフィルタ回路、51,52,6
6...第1〜第3の電流検出用抵抗(第1〜第3の電
流検出手段)、53,54,67...第1〜第3の過
電流保護手段、55...振幅制限器、57,6
2...第1,第2のコンパレータ(第1,第2の過電
流検出手段)、59,64...第1,第2のフリップ
フロップ、60,65...第1,第2のNORゲート
(第1,第2の遮断手段)
1. . . DC power supply, 2 to 5, 44, 45. . . 5. First to sixth MOS-FETs (first to sixth switching elements), . . Reactor, 7. . . Output capacitor,
8-11, 47, 48. . . First to sixth drive circuits, 1
2. . . Control circuit, 13. . . Commercial frequency current transformer, 42, 43. . . First and second half-bridge capacitors, 46. . . Filter circuit, 46a-46
c. . . First to third filter circuits, 51, 52, 6
6. . . First to third current detection resistors (first to third current detection means), 53, 54, 67. . . First to third overcurrent protection means, 55. . . Amplitude limiter, 57, 6
2. . . First and second comparators (first and second overcurrent detecting means), 59, 64. . . First and second flip-flops 60, 65. . . First and second NOR gates (first and second blocking means)

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直流電源と、該直流電源の出力端子に直
列接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該第
1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続された
第3及び第4のスイッチング素子と、前記第1及び第2
のスイッチング素子の接続点と前記第3及び第4のスイ
ッチング素子の接続点との間に接続されたフィルタ回路
と、前記第1〜第4のスイッチング素子の各制御端子に
駆動信号を付与して前記各スイッチング素子をオン・オ
フ動作させる制御回路とを備え、前記第1〜第4のスイ
ッチング素子のオン・オフ動作により、前記フィルタ回
路から交流出力を発生するインバータ装置において、 前記第1のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対
応した電圧として検出する第1の電流検出手段と、前記
第2のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対応し
た電圧として検出する第2の電流検出手段とをそれぞれ
前記第1及び第2のスイッチング素子と直列に接続し、 前記第1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上に
なったときに前記第1のスイッチング素子のオン・オフ
動作を停止させる第1の過電流保護手段と、前記第2の
電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったとき
に前記第2のスイッチング素子のオン・オフ動作を停止
させる第2の過電流保護手段とを設けたことを特徴とす
るインバータ装置。
1. A DC power source, first and second switching elements connected in series to an output terminal of the DC power source, and third and third switching elements connected in series at both ends of the first and second switching elements. 4 switching elements, and the first and second
Applying a drive signal to each of the filter circuits connected between the connection points of the switching elements and the connection points of the third and fourth switching elements and the control terminals of the first to fourth switching elements. A control circuit for turning on / off each of the switching elements, wherein the first to fourth switching elements are turned on / off to generate an AC output from the filter circuit. First current detecting means for detecting a current flowing through the element as a voltage corresponding to the current, and second current detecting means for detecting a current flowing through the second switching element as a voltage corresponding to the current, respectively. It is connected in series with the first and second switching elements, and when the detection voltage of the first current detecting means becomes a predetermined voltage or higher, A first overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the first switching element; and an on / off operation of the second switching element when the detection voltage of the second current detection means exceeds a predetermined voltage. An inverter device comprising: a second overcurrent protection means for stopping an off operation.
【請求項2】 前記第1の過電流保護手段は、前記第1
の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったと
きに過電流検出信号を出力する第1の過電流検出手段
と、該第1の過電流検出手段の出力信号に応じてセット
状態となりかつ前記制御回路から前記第1のスイッチン
グ素子へ付与される駆動信号に応じてリセット状態とな
る第1のフリップフロップと、該第1のフリップフロッ
プがセット状態となったときに出力する信号により前記
第1のスイッチング素子への駆動信号を遮断する第1の
遮断手段とを有し、 前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第2の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第2のスイッチング素子へ付与され
る駆動信号に応じてリセット状態となる第2のフリップ
フロップと、該第2のフリップフロップがセット状態と
なったときに出力する信号により前記第2のスイッチン
グ素子への駆動信号を遮断する第2の遮断手段とを有す
る「請求項1」に記載のインバータ装置。
2. The first overcurrent protection means includes the first overcurrent protection means.
The first overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, and the set state is set according to the output signal of the first overcurrent detection means. And a first flip-flop that is in a reset state in response to a drive signal applied from the control circuit to the first switching element, and a signal that is output when the first flip-flop is in a set state. A second cutoff means for cutting off a drive signal to the first switching element, wherein the second overcurrent protection means has a voltage detected by the second current detection means that is equal to or higher than a predetermined voltage. A second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal at times and a set state in accordance with the output signal of the second overcurrent detection means and being applied from the control circuit to the second switching element. A second flip-flop that is in a reset state according to the drive signal that is generated, and a second flip-flop that shuts off the drive signal to the second switching element by a signal that is output when the second flip-flop is in the set state 2. The inverter device according to claim 1, further comprising:
【請求項3】 前記第1のスイッチング素子の駆動信号
の立ち下がり時に前記第1のフリップフロップがリセッ
ト状態となり、前記第2のスイッチング素子の駆動信号
の立ち下がり時に前記第2のフリップフロップがリセッ
ト状態となる「請求項2」に記載のインバータ装置。
3. The first flip-flop is reset when the drive signal of the first switching element falls, and the second flip-flop is reset when the drive signal of the second switching element falls. The inverter device according to claim 2, which is in a state.
【請求項4】 直流電源と、該直流電源の出力端子に直
列接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該第
1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続された
第3及び第4のスイッチング素子と、前記第1及び第2
のスイッチング素子の接続点と前記第3及び第4のスイ
ッチング素子の接続点との間に接続されたフィルタ回路
と、前記第1〜第4のスイッチング素子の各制御端子に
駆動信号を付与して前記各スイッチング素子をオン・オ
フ動作させる制御回路とを備え、前記第1〜第4のスイ
ッチング素子のオン・オフ動作により、前記フィルタ回
路から交流出力を発生するインバータ装置において、 前記第1又は第2のスイッチング素子に流れる電流を該
電流に対応した電圧として検出する第1の電流検出手段
を前記第1又は第2のスイッチング素子と直列に接続
し、前記第3又は第4のスイッチング素子に流れる電流
を該電流に対応した電圧として検出する第2の電流検出
手段を前記第3又は第4のスイッチング素子と直列に接
続し、 前記第1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上に
なったときに前記第1又は第2のスイッチング素子のオ
ン・オフ動作を停止させる第1の過電流保護手段と、前
記第2の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上にな
ったときに前記第3又は第4のスイッチング素子のオン
・オフ動作を停止させる第2の過電流保護手段とを設け
たことを特徴とするインバータ装置。
4. A DC power supply, first and second switching elements connected in series to an output terminal of the DC power supply, and third and third switching elements connected in series at both ends of the first and second switching elements. 4 switching elements, and the first and second
Applying a drive signal to each of the filter circuits connected between the connection points of the switching elements and the connection points of the third and fourth switching elements and the control terminals of the first to fourth switching elements. A control circuit for turning on / off each of the switching elements, wherein the first to fourth switching elements are turned on / off to generate an AC output from the filter circuit. A first current detection unit that detects a current flowing through the second switching element as a voltage corresponding to the current is connected in series with the first or second switching element, and flows through the third or fourth switching element. A second current detection means for detecting a current as a voltage corresponding to the current is connected in series with the third or fourth switching element, and the first current is detected. First overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the first or second switching element when the detection voltage of the detection means exceeds a predetermined voltage, and detection of the second current detection means An inverter device comprising: second overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the third or fourth switching element when the voltage exceeds a predetermined voltage.
【請求項5】 前記第1の過電流保護手段は、前記第1
の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったと
きに過電流検出信号を出力する第1の過電流検出手段
と、該第1の過電流検出手段の出力信号に応じてセット
状態となりかつ前記制御回路から前記第1又は第2のス
イッチング素子へ付与される駆動信号に応じてリセット
状態となる第1のフリップフロップと、該第1のフリッ
プフロップがセット状態となったときに出力する信号に
より前記第1又は第2のスイッチング素子への駆動信号
を遮断する第1の遮断手段とを有し、 前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第2の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第3又は第4のスイッチング素子へ
付与される駆動信号に応じてリセット状態となる第2の
フリップフロップと、該第2のフリップフロップがセッ
ト状態となったときに出力する信号により前記第3又は
第4のスイッチング素子への駆動信号を遮断する第2の
遮断手段とを有する「請求項4」に記載のインバータ装
置。
5. The first overcurrent protection means is the first overcurrent protection means.
The first overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, and the set state is set according to the output signal of the first overcurrent detection means. And a first flip-flop that is in a reset state in response to a drive signal applied from the control circuit to the first or second switching element, and is output when the first flip-flop is in a set state. A first cut-off unit that cuts off a drive signal to the first or second switching element by a signal, and the second overcurrent protection unit has a predetermined detection voltage of the second current detection unit. Second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the voltage becomes equal to or higher than the voltage of, and a set state is set in accordance with the output signal of the second overcurrent detection means, and the third or Fourth Su A second flip-flop that is in a reset state according to a drive signal applied to the switching element, and a signal that is output when the second flip-flop is in the set state, to the third or fourth switching element. The inverter device according to claim 4, further comprising: a second cutoff unit that cuts off the drive signal of.
【請求項6】 前記第1又は第2のスイッチング素子の
駆動信号の立ち下がり時に前記第1のフリップフロップ
がリセット状態となり、前記第3又は第4のスイッチン
グ素子の駆動信号の立ち下がり時に前記第2のフリップ
フロップがリセット状態となる「請求項5」に記載のイ
ンバータ装置。
6. The first flip-flop is in a reset state when the drive signal of the first or second switching element falls, and the first flip-flop is in the reset state when the drive signal of the third or fourth switching element falls. The inverter device according to claim 5, wherein the second flip-flop is in a reset state.
【請求項7】 直流電源と、該直流電源の出力端子に直
列接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該第
1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続された
第1及び第2のハーフブリッジ用コンデンサと、前記第
1及び第2のスイッチング素子の接続点と前記第1及び
第2のハーフブリッジ用コンデンサの接続点との間に接
続されたフィルタ回路と、前記第1及び第2のスイッチ
ング素子の各制御端子に駆動信号を付与して前記各スイ
ッチング素子をオン・オフ動作させる制御回路とを備
え、前記第1及び第2のスイッチング素子のオン・オフ
動作により、前記フィルタ回路から交流出力を発生する
インバータ装置において、 前記第1のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対
応した電圧として検出する第1の電流検出手段と、前記
第2のスイッチング素子に流れる電流を該電流に対応し
た電圧として検出する第2の電流検出手段とをそれぞれ
前記第1及び第2のスイッチング素子と直列に接続し、 前記第1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上に
なったときに前記第1のスイッチング素子のオン・オフ
動作を停止させる第1の過電流保護手段と、前記第2の
電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったとき
に前記第2のスイッチング素子のオン・オフ動作を停止
させる第2の過電流保護手段とを設けたことを特徴とす
るインバータ装置。
7. A direct current power source, first and second switching elements connected in series to an output terminal of the direct current power source, and first and second serially connected ends of the first and second switching elements. Second half-bridge capacitor, a filter circuit connected between a connection point of the first and second switching elements and a connection point of the first and second half-bridge capacitors, and the first and second A control circuit that applies a drive signal to each control terminal of the second switching element to turn on / off the switching element, and the filter is turned on / off by the first and second switching elements. In an inverter device for generating an AC output from a circuit, a first current detection means for detecting a current flowing through the first switching element as a voltage corresponding to the current. Second current detecting means for detecting a current flowing through the second switching element as a voltage corresponding to the current, and the second current detecting means are respectively connected in series with the first and second switching elements, and the first current detecting means The first overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the first switching element when the detected voltage exceeds a predetermined voltage, and the detected voltage of the second current detection means is a predetermined voltage. An inverter device, comprising: a second overcurrent protection means for stopping the on / off operation of the second switching element when the above is reached.
【請求項8】 前記第1の過電流保護手段は、前記第1
の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になったと
きに過電流検出信号を出力する第1の過電流検出手段
と、該第1の過電流検出手段の出力信号に応じてセット
状態となりかつ前記制御回路から前記第1のスイッチン
グ素子へ付与される駆動信号に応じてリセット状態とな
る第1のフリップフロップと、該第1のフリップフロッ
プがセット状態となったときに出力する信号により前記
第1のスイッチング素子への駆動信号を遮断する第1の
遮断手段とを有し、 前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第2の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第2のスイッチング素子へ付与され
る駆動信号に応じてリセット状態となる第2のフリップ
フロップと、該第2のフリップフロップがセット状態と
なったときに出力する信号により前記第2のスイッチン
グ素子への駆動信号を遮断する第2の遮断手段とを有す
る「請求項7」に記載のインバータ装置。
8. The first overcurrent protection means comprises:
The first overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage, and the set state is set according to the output signal of the first overcurrent detection means. And a first flip-flop that is in a reset state in response to a drive signal applied from the control circuit to the first switching element, and a signal that is output when the first flip-flop is in a set state. A second cutoff means for cutting off a drive signal to the first switching element, wherein the second overcurrent protection means has a voltage detected by the second current detection means that is equal to or higher than a predetermined voltage. A second overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal at times and a set state in accordance with the output signal of the second overcurrent detection means and being applied from the control circuit to the second switching element. A second flip-flop that is in a reset state according to the drive signal that is generated, and a second flip-flop that shuts off the drive signal to the second switching element by a signal that is output when the second flip-flop is in the set state 8. The inverter device according to claim 7, further comprising:
【請求項9】 前記第1のスイッチング素子の駆動信号
の立ち下がり時に前記第1のフリップフロップがリセッ
ト状態となり、前記第2のスイッチング素子の駆動信号
の立ち下がり時に前記第2のフリップフロップがリセッ
ト状態となる「請求項8」に記載のインバータ装置。
9. The first flip-flop is reset when the drive signal of the first switching element falls, and the second flip-flop is reset when the drive signal of the second switching element falls. The inverter device according to claim 8, which is in a state.
【請求項10】 直流電源と、該直流電源の出力端子に
直列接続された第1及び第2のスイッチング素子と、該
第1及び第2のスイッチング素子の両端に直列接続され
た第3及び第4のスイッチング素子と、該第3及び第4
のスイッチング素子の両端に直列接続された第5及び第
6のスイッチング素子と、第1及び第2のスイッチング
素子の接続点と第3及び第4のスイッチング素子の接続
点と第5及び第6のスイッチング素子の接続点にそれぞ
れ接続された第1〜第3のフィルタ回路と、前記第1〜
第6のスイッチング素子の各制御端子に駆動信号を付与
して前記各スイッチング素子をオン・オフ動作させる制
御回路とを備え、前記第1〜第6のスイッチング素子の
オン・オフ動作により、前記第1〜第3のフィルタ回路
から三相交流出力を発生するインバータ装置において、 前記第1又は第2のスイッチング素子に流れる電流を該
電流に対応した電圧として検出する第1の電流検出手段
を前記第1又は第2のスイッチング素子と直列に接続
し、前記第3又は第4のスイッチング素子に流れる電流
を該電流に対応した電圧として検出する第2の電流検出
手段を前記第3又は第4のスイッチング素子と直列に接
続し、前記第5又は第6のスイッチング素子に流れる電
流を該電流に対応した電圧として検出する第3の電流検
出手段を前記第5又は第6のスイッチング素子と直列に
接続し、 前記第1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上に
なったときに前記第1又は第2のスイッチング素子のオ
ン・オフ動作を停止させる第1の過電流保護手段と、前
記第2の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上にな
ったときに前記第3又は第4のスイッチング素子のオン
・オフ動作を停止させる第2の過電流保護手段と、前記
第3の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になっ
たときに前記第5又は第6のスイッチング素子のオン・
オフ動作を停止させる第3の過電流保護手段とを設けた
ことを特徴とするインバータ装置。
10. A DC power supply, first and second switching elements connected in series to an output terminal of the DC power supply, and third and third switching elements connected in series at both ends of the first and second switching elements. 4 switching elements, and the third and fourth
The fifth and sixth switching elements connected in series at both ends of the switching element, the connection points of the first and second switching elements, the connection points of the third and fourth switching elements, and the fifth and sixth switching elements. First to third filter circuits respectively connected to connection points of the switching elements, and the first to third filter circuits
A control circuit for applying a drive signal to each control terminal of a sixth switching element to turn on / off each of the switching elements, and by turning on / off the first to sixth switching elements, In an inverter device for generating a three-phase alternating current output from first to third filter circuits, the first current detection means for detecting a current flowing through the first or second switching element as a voltage corresponding to the current The second or third switching device is connected in series with the first or second switching device, and the second current detection means detects the current flowing through the third or fourth switching device as a voltage corresponding to the current. A third current detecting means, which is connected in series with the element and detects the current flowing through the fifth or sixth switching element as a voltage corresponding to the current, is provided in the fifth or fifth switching element. Is connected in series with a sixth switching element, and stops the on / off operation of the first or second switching element when the detection voltage of the first current detection means becomes equal to or higher than a predetermined voltage. No. 1 overcurrent protection unit, and a second overcurrent for stopping the on / off operation of the third or fourth switching element when the detection voltage of the second current detection unit exceeds a predetermined voltage. When the detection voltage of the protection means and the third current detection means exceeds a predetermined voltage, the fifth or sixth switching element is turned on.
An inverter device comprising: a third overcurrent protection means for stopping an off operation.
【請求項11】 前記第1の過電流保護手段は、前記第
1の電流検出手段の検出電圧が所定の電圧以上になった
ときに過電流検出信号を出力する第1の過電流検出手段
と、該第1の過電流検出手段の出力信号に応じてセット
状態となりかつ前記制御回路から前記第1又は第2のス
イッチング素子へ付与される駆動信号に応じてリセット
状態となる第1のフリップフロップと、該第1のフリッ
プフロップがセット状態となったときに出力する信号に
より前記第1又は第2のスイッチング素子への駆動信号
を遮断する第1の遮断手段とを有し、 前記第2の過電流保護手段は、前記第2の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第2の過電流検出手段と、該第2の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第3又は第4のスイッチング素子へ
付与される駆動信号に応じてリセット状態となる第2の
フリップフロップと、該第2のフリップフロップがセッ
ト状態となったときに出力する信号により前記第3又は
第4のスイッチング素子への駆動信号を遮断する第2の
遮断手段とを有し、 前記第3の過電流保護手段は、前記第3の電流検出手段
の検出電圧が所定の電圧以上になったときに過電流検出
信号を出力する第3の過電流検出手段と、該第3の過電
流検出手段の出力信号に応じてセット状態となりかつ前
記制御回路から前記第5又は第6のスイッチング素子へ
付与される駆動信号に応じてリセット状態となる第3の
フリップフロップと、該第3のフリップフロップがセッ
ト状態となったときに出力する信号により前記第5又は
第6のスイッチング素子への駆動信号を遮断する第3の
遮断手段とを有する「請求項10」に記載のインバータ
装置。
11. The first overcurrent protection means includes a first overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal when the detection voltage of the first current detection means exceeds a predetermined voltage. A first flip-flop which is set according to an output signal of the first overcurrent detection means and is reset according to a drive signal applied from the control circuit to the first or second switching element. And a first cutoff unit that cuts off a drive signal to the first or second switching element by a signal output when the first flip-flop is in a set state. The overcurrent protection means includes a second overcurrent detection means that outputs an overcurrent detection signal when the detection voltage of the second current detection means exceeds a predetermined voltage, and the second overcurrent detection means. According to the output signal of A second flip-flop which is in a reset state in response to a drive signal applied from the control circuit to the third or fourth switching element, and when the second flip-flop is in a set state A second cutoff unit that cuts off a drive signal to the third or fourth switching element according to a signal to be output, wherein the third overcurrent protection unit detects the detection voltage of the third current detection unit. When the voltage exceeds a predetermined voltage, a third overcurrent detection means for outputting an overcurrent detection signal, and a set state according to an output signal of the third overcurrent detection means and the control circuit A third flip-flop that is in a reset state according to the drive signal applied to the fifth or sixth switching element, and a signal that is output when the third flip-flop is in the set state. The inverter apparatus according to "claim 10" and a third shut-off means for interrupting the drive signal to the fifth or sixth switching element by.
【請求項12】 前記第1又は第2のスイッチング素子
の駆動信号の立ち下がり時に前記第1のフリップフロッ
プがリセット状態となり、前記第3又は第4のスイッチ
ング素子の駆動信号の立ち下がり時に前記第2のフリッ
プフロップがリセット状態となり、前記第5又は第6の
スイッチング素子の駆動信号の立ち下がり時に前記第3
のフリップフロップがリセット状態となる「請求項1
1」に記載のインバータ装置。
12. The first flip-flop is in a reset state when the drive signal of the first or second switching element falls, and the first flip-flop is in the reset state when the drive signal of the third or fourth switching element falls. The second flip-flop is in the reset state, and when the driving signal of the fifth or sixth switching element falls, the third flip-flop is reset.
The flip-flop of 1 is brought into a reset state.
1] Inverter device of description.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699589B1 (en) * 2006-04-14 2007-03-23 삼성전기주식회사 Inverter Circuit
JP2011129291A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Electric Corp Induction heating cooker
JP2013188007A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp Power converter
CN114303273A (en) * 2019-10-04 2022-04-08 株式会社Lg新能源 Battery management apparatus

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100699589B1 (en) * 2006-04-14 2007-03-23 삼성전기주식회사 Inverter Circuit
JP2011129291A (en) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Electric Corp Induction heating cooker
JP2013188007A (en) * 2012-03-07 2013-09-19 Mitsubishi Electric Corp Power converter
CN114303273A (en) * 2019-10-04 2022-04-08 株式会社Lg新能源 Battery management apparatus
JP2022542913A (en) * 2019-10-04 2022-10-07 エルジー エナジー ソリューション リミテッド battery management device

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