JPH08250485A - シリコンにテーパ状開口を形成する方法 - Google Patents
シリコンにテーパ状開口を形成する方法Info
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 テーパ状側面を形成することによって溝充填
における空隙形成を根絶する、テーパ状開口を形成する
方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板内にテーパ状開口を形成す
る方法は、NF3およびHBrを用いる。NF3/HBrプラズマ・
エッチングによって、８５゜ないし６０゜の良好なテー
パ状側面、および約２５００ないし３０００オングスト
ローム／分の良好なエッチング速度の双方が可能とな
る。特定の溝サイズに限定されるものではないが、本発
明の方法は、０．４５μｍ未満の開口の形成に特に適し
ている。
における空隙形成を根絶する、テーパ状開口を形成する
方法を提供する。 【解決手段】 シリコン基板内にテーパ状開口を形成す
る方法は、NF3およびHBrを用いる。NF3/HBrプラズマ・
エッチングによって、８５゜ないし６０゜の良好なテー
パ状側面、および約２５００ないし３０００オングスト
ローム／分の良好なエッチング速度の双方が可能とな
る。特定の溝サイズに限定されるものではないが、本発
明の方法は、０．４５μｍ未満の開口の形成に特に適し
ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一般的に半導体処
理に関し、更に特定すれば半導体基板にテーパ状開口を
形成する方法に関するものである。
理に関し、更に特定すれば半導体基板にテーパ状開口を
形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】現行の半導体処理においては、浅い溝の
形成による溝分離部の形成は通常のことであり、かかる
溝の形成が望まれている場合が多い。今日では、このよ
うな溝はサブミクロン単位の寸法に縮小されている。溝
の側面は、漏れが少なくかつ降伏電圧が高い溝状分離部
を得るために、高い精度で制御しなければならない。
形成による溝分離部の形成は通常のことであり、かかる
溝の形成が望まれている場合が多い。今日では、このよ
うな溝はサブミクロン単位の寸法に縮小されている。溝
の側面は、漏れが少なくかつ降伏電圧が高い溝状分離部
を得るために、高い精度で制御しなければならない。
【０００３】溝分離技術には、テトラ・エチル・オルト
・シリケート(TEOS)のような誘電体で溝を充填する工程
が含まれる。TEOSを溝に沈積させる(deposition)際に、
空隙が形成されるという問題がしばしば発生し、溝の全
容積が完全に充填される前に、溝の最上部が塞がってし
まうことがある。典型的に空隙が生じるのは、溝の側壁
が≧８５゜で規定されるような直線状即ち垂直な場合で
ある。かかる空隙は、後続の処理工程において、糸状ポ
リシリコン(polysilicon stringer)が空隙内に残り、電
気的短絡の原因となり得るため、信頼性の問題を起こす
ものである。この空隙形成問題を解決する１つの方法
は、溝の幅を広げることである。しかし、この解決法は
実用的でなく、素子のサイズが、拡大ではなく、むしろ
増々縮小させる方向に進歩しつつある技術とは相反する
ものである。したがって、シリコン基板上の有効領域(r
eal estate)は貴重であり、無駄にすることはできな
い。空隙形成に対する別の解決法は、溝の側壁をテーパ
状とすることにより、均一な充填を促進することであ
る。０．４５μｍ幅の溝状開口に均一に充填するには、
水平面から測定して８５゜未満のテーパ角が望まれる。
・シリケート(TEOS)のような誘電体で溝を充填する工程
が含まれる。TEOSを溝に沈積させる(deposition)際に、
空隙が形成されるという問題がしばしば発生し、溝の全
容積が完全に充填される前に、溝の最上部が塞がってし
まうことがある。典型的に空隙が生じるのは、溝の側壁
が≧８５゜で規定されるような直線状即ち垂直な場合で
ある。かかる空隙は、後続の処理工程において、糸状ポ
リシリコン(polysilicon stringer)が空隙内に残り、電
気的短絡の原因となり得るため、信頼性の問題を起こす
ものである。この空隙形成問題を解決する１つの方法
は、溝の幅を広げることである。しかし、この解決法は
実用的でなく、素子のサイズが、拡大ではなく、むしろ
増々縮小させる方向に進歩しつつある技術とは相反する
ものである。したがって、シリコン基板上の有効領域(r
eal estate)は貴重であり、無駄にすることはできな
い。空隙形成に対する別の解決法は、溝の側壁をテーパ
状とすることにより、均一な充填を促進することであ
る。０．４５μｍ幅の溝状開口に均一に充填するには、
水平面から測定して８５゜未満のテーパ角が望まれる。
【０００４】現在、塩素および臭化水素化学薬品(C12/H
Br:chlorine and hydrogen bromidechemistry)を用いた
エッチング・プロセスが、シリコンに溝状開口を形成す
るために用いられている。この化学薬品は、約２６００
オングストローム／分という良好なエッチング速度をも
たらし、製造環境にも受け入れ可能なものである。この
化学薬品に伴う問題は、０．４５μｍ未満の開口では、
得られる溝状開口の側面が十分にテーパ状にならないこ
とである。この方法で作成できるのは、殆ど垂直な約８
５゜の側壁テーパ角を有する溝状開口のみである。この
角度では溝状開口が０．４５μｍ未満の場合に望まれ
る、溝内に均一に充填することによる空隙形成問題の解
決を図ることはできない。したがって、C12/HBr化学薬
品は溝を大きく形成するには十分であるが、幾何学的形
状の縮小化については望ましい結果を得ることはできな
い。
Br:chlorine and hydrogen bromidechemistry)を用いた
エッチング・プロセスが、シリコンに溝状開口を形成す
るために用いられている。この化学薬品は、約２６００
オングストローム／分という良好なエッチング速度をも
たらし、製造環境にも受け入れ可能なものである。この
化学薬品に伴う問題は、０．４５μｍ未満の開口では、
得られる溝状開口の側面が十分にテーパ状にならないこ
とである。この方法で作成できるのは、殆ど垂直な約８
５゜の側壁テーパ角を有する溝状開口のみである。この
角度では溝状開口が０．４５μｍ未満の場合に望まれ
る、溝内に均一に充填することによる空隙形成問題の解
決を図ることはできない。したがって、C12/HBr化学薬
品は溝を大きく形成するには十分であるが、幾何学的形
状の縮小化については望ましい結果を得ることはできな
い。
【０００５】別のエッチング・プロセスに、三フッ化窒
素およびアルゴン(NF3/Ar)化学薬品を用いてシリコンに
溝状開口を形成するものがある。この方法は、良好な側
面と見なされる約８２゜の側壁テーパ角を有する開口を
形成するが、この方法にはスループットが非常に低いと
いう欠点がある。NF3/Ar化学薬品を用いると、典型的に
所望の深さである、深さ０．５μｍの開口を形成するに
は約９分を要する。更に、この化学薬品を用いた場合、
テーパ状側面の調節は、容易には達成できない、即ち、
容易に制御することはできない。
素およびアルゴン(NF3/Ar)化学薬品を用いてシリコンに
溝状開口を形成するものがある。この方法は、良好な側
面と見なされる約８２゜の側壁テーパ角を有する開口を
形成するが、この方法にはスループットが非常に低いと
いう欠点がある。NF3/Ar化学薬品を用いると、典型的に
所望の深さである、深さ０．５μｍの開口を形成するに
は約９分を要する。更に、この化学薬品を用いた場合、
テーパ状側面の調節は、容易には達成できない、即ち、
容易に制御することはできない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】側壁テーパ角の僅かな
角度のためにあれこれ努力することは些細なことに思わ
れるかもしれないが、サブミクロン・レベルでは、わず
か２゜の変化でも非常に重大なことであり、好結果が得
られるプロセスとなるかあるいは受容できないプロセス
になってしまうかの別れ目となる。しかしながら、テー
パ角の僅かな変化を達成する方法を決定することは、そ
れに関連する幾何学的形状、材料、および化学薬品にお
ける制約があるため、簡単ではないことが多い。とは言
え、受容可能なスループットが得られ、かつ良好なテー
パ状側面が形成でき溝充填における空隙形成を根絶す
る、テーパ状の溝を形成する方法を見出することが望ま
れている。
角度のためにあれこれ努力することは些細なことに思わ
れるかもしれないが、サブミクロン・レベルでは、わず
か２゜の変化でも非常に重大なことであり、好結果が得
られるプロセスとなるかあるいは受容できないプロセス
になってしまうかの別れ目となる。しかしながら、テー
パ角の僅かな変化を達成する方法を決定することは、そ
れに関連する幾何学的形状、材料、および化学薬品にお
ける制約があるため、簡単ではないことが多い。とは言
え、受容可能なスループットが得られ、かつ良好なテー
パ状側面が形成でき溝充填における空隙形成を根絶す
る、テーパ状の溝を形成する方法を見出することが望ま
れている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、特定のエッチ
ング用化学薬品を用いて、シリコン基板にテーパ状開口
を形成する方法を提供するものである。三フッ化窒素と
臭化水素(NF3/HBr)とを組み合わせ、プラズマ・エッチ
ングを行うことによって、良好なテーパ状側面および良
好なエッチング速度を可能とし、制御可能性および短い
サイクル時間を有する望ましい製造プロセスを得る。溝
のサイズに限定される訳ではないが、本発明の方法は、
特に、０．４５μｍ未満の開口に適している。これらお
よびその他の特徴、ならびに利点は、添付図面と関連付
けて記載された以下の詳細な説明から、より明瞭に理解
されよう。
ング用化学薬品を用いて、シリコン基板にテーパ状開口
を形成する方法を提供するものである。三フッ化窒素と
臭化水素(NF3/HBr)とを組み合わせ、プラズマ・エッチ
ングを行うことによって、良好なテーパ状側面および良
好なエッチング速度を可能とし、制御可能性および短い
サイクル時間を有する望ましい製造プロセスを得る。溝
のサイズに限定される訳ではないが、本発明の方法は、
特に、０．４５μｍ未満の開口に適している。これらお
よびその他の特徴、ならびに利点は、添付図面と関連付
けて記載された以下の詳細な説明から、より明瞭に理解
されよう。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明の実施例を説明する。図は必ずしも一定比率で描かれ
ている訳ではなく、本発明には具体的には図示していな
い他の実施例もあることを指摘するのは重要であろう。
明の実施例を説明する。図は必ずしも一定比率で描かれ
ている訳ではなく、本発明には具体的には図示していな
い他の実施例もあることを指摘するのは重要であろう。
【０００９】NF3/HBrのプラズマを利用すれば、テーパ
状開口１８をエッチングする際に、シリコン処理のため
に望まれる利点が全て得られることがわかった。まず、
シリコン基板１４を、プラズマ・エッチング装置のプロ
セス・チャンバ内部に配置する。本発明を実施するのに
適したエッチング装置の一例は、Applied Materials社
のPrecision 5000TMである。この装置の操作は、当業者
には既知であり、装置に用意されている操作マニュアル
を参照することもできる。シリコン基板は既にいくつか
の処理工程を経て、その上面に１層または数層の絶縁体
としての誘電体層、誘電体層を覆う硬質マスク１６、こ
れら誘電体層および硬質マスクに形成され下地のシリコ
ン基板の一部を露出させる開口を有するものでよい。硬
質マスクは、下地の誘電体層とは異なる他の有機誘電体
物質を含有するものでもよい。硬質マスクの目的は、プ
ラズマ・エッチングの間下地の基板を保護することであ
る。
状開口１８をエッチングする際に、シリコン処理のため
に望まれる利点が全て得られることがわかった。まず、
シリコン基板１４を、プラズマ・エッチング装置のプロ
セス・チャンバ内部に配置する。本発明を実施するのに
適したエッチング装置の一例は、Applied Materials社
のPrecision 5000TMである。この装置の操作は、当業者
には既知であり、装置に用意されている操作マニュアル
を参照することもできる。シリコン基板は既にいくつか
の処理工程を経て、その上面に１層または数層の絶縁体
としての誘電体層、誘電体層を覆う硬質マスク１６、こ
れら誘電体層および硬質マスクに形成され下地のシリコ
ン基板の一部を露出させる開口を有するものでよい。硬
質マスクは、下地の誘電体層とは異なる他の有機誘電体
物質を含有するものでもよい。硬質マスクの目的は、プ
ラズマ・エッチングの間下地の基板を保護することであ
る。
【００１０】装置の電力を予め選択した値に設定する。
Applied Materials社のPrecision 5000TM上でＲＦ電力
を変化させたところ、得られるテーパ状開口の側面に影
響を与えることがわかった。電力を増大させるに連れ
て、開口のテーパ角qは減少し、この角度が小さい程、
テーパ状開口の傾斜が鋭くなる。本発明を実施するのに
好適な電力範囲は、約３００ないし５５０ワットであ
る。この範囲の電力設定を用いると６０゜ないし８５゜
という最適な範囲のテーパ角qを有するテーパ状開口が
得られることになる。
Applied Materials社のPrecision 5000TM上でＲＦ電力
を変化させたところ、得られるテーパ状開口の側面に影
響を与えることがわかった。電力を増大させるに連れ
て、開口のテーパ角qは減少し、この角度が小さい程、
テーパ状開口の傾斜が鋭くなる。本発明を実施するのに
好適な電力範囲は、約３００ないし５５０ワットであ
る。この範囲の電力設定を用いると６０゜ないし８５゜
という最適な範囲のテーパ角qを有するテーパ状開口が
得られることになる。
【００１１】電力の設定に加えて、プロセスの圧力も設
定可能である。実際には、予め選択された１００millit
orrの圧力を用いたが、この値はいかなる意味でも限定
として捕らえられるべきものではない。更に、圧力設定
を変化させて開口１８に得られる側面を調節することも
可能である。
定可能である。実際には、予め選択された１００millit
orrの圧力を用いたが、この値はいかなる意味でも限定
として捕らえられるべきものではない。更に、圧力設定
を変化させて開口１８に得られる側面を調節することも
可能である。
【００１２】NF3およびHBrのフローをプロセス・チャン
バ内に導入する。これらのフローは、本発明を実施する
場合、同時に導入される必要はない。しかしながら、実
際上の問題として、これら２種類のフローは、互いの６
０秒以内のように、互いにかなりの短時間の間に導入さ
れる。実際には、これらのフローの導入は、同時にまた
は互いの５ないし１０秒の間に行われる。これら２種類
のフローの導入順序は、重要ではない。実際には、毎分
５立方センチメートル(CC)の流速でNF3を用い、一方HBr
の流速は４０cc/minであった。これから、NF3/HBr比は
１：８となる。しかしながら、これらの流速を変えるこ
とによってテーパの側面を調節することが可能であるの
で、本発明を実施する者は、かかる具体的な流速または
この比率には限定されない。特に、HBrのフローに対し
てNF3のフローを増大させると、テーパ角qが減少し、よ
り鋭いテーパの開口が得られることがわがった。例え
ば、実際に、NF3の流速を２倍とする一方他のパラメー
タを全て一定に保持すると、テーパ角は８２゜から６０
゜に減少することがわかった。NF3/HBr比の実用可能な
設定は、１：８ないし１：４の範囲である。
バ内に導入する。これらのフローは、本発明を実施する
場合、同時に導入される必要はない。しかしながら、実
際上の問題として、これら２種類のフローは、互いの６
０秒以内のように、互いにかなりの短時間の間に導入さ
れる。実際には、これらのフローの導入は、同時にまた
は互いの５ないし１０秒の間に行われる。これら２種類
のフローの導入順序は、重要ではない。実際には、毎分
５立方センチメートル(CC)の流速でNF3を用い、一方HBr
の流速は４０cc/minであった。これから、NF3/HBr比は
１：８となる。しかしながら、これらの流速を変えるこ
とによってテーパの側面を調節することが可能であるの
で、本発明を実施する者は、かかる具体的な流速または
この比率には限定されない。特に、HBrのフローに対し
てNF3のフローを増大させると、テーパ角qが減少し、よ
り鋭いテーパの開口が得られることがわがった。例え
ば、実際に、NF3の流速を２倍とする一方他のパラメー
タを全て一定に保持すると、テーパ角は８２゜から６０
゜に減少することがわかった。NF3/HBr比の実用可能な
設定は、１：８ないし１：４の範囲である。
【００１３】一旦NF3およびHBr双方のフローが安定し、
装置の他の全パラメータを設定することによって定常状
態が得られたなら、NF3およびHBr入力ガスによって発生
したプラズマに、プロセス・チャンバ内において点火を
行う。このプラズマは、硬質マスク１６に覆われていな
いシリコン基板１４の部分に、テーパ状開口１８を刻設
(etch)する。開口の幅はサブミクロン単位に限定される
訳では全くないが、本発明は、０．４５μｍ未満の幅w
を有し、しかも８５゜ないし６０゜のテーパ角qを有す
る開口のエッチングに特に効果的であることがわかっ
た。本発明は、約２５００ないし３０００オングストロ
ーム／分のエッチング速度を有する。したがって、約
０．５μｍの深さを有する開口には、エッチングに約
１．５分かかることになる。勿論、開口の幅dは物理的
に0.5・w・tan qに限定され、これは、テーパ角が８２゜
で幅が０．４５μｍの開口では、約１．６μｍに相当す
る(translate)。しかしながら、実際には、開口の幅
は、典型的な半導体素子に適用する場合は、０．３μｍ
ないし１．０μｍの範囲となる。
装置の他の全パラメータを設定することによって定常状
態が得られたなら、NF3およびHBr入力ガスによって発生
したプラズマに、プロセス・チャンバ内において点火を
行う。このプラズマは、硬質マスク１６に覆われていな
いシリコン基板１４の部分に、テーパ状開口１８を刻設
(etch)する。開口の幅はサブミクロン単位に限定される
訳では全くないが、本発明は、０．４５μｍ未満の幅w
を有し、しかも８５゜ないし６０゜のテーパ角qを有す
る開口のエッチングに特に効果的であることがわかっ
た。本発明は、約２５００ないし３０００オングストロ
ーム／分のエッチング速度を有する。したがって、約
０．５μｍの深さを有する開口には、エッチングに約
１．５分かかることになる。勿論、開口の幅dは物理的
に0.5・w・tan qに限定され、これは、テーパ角が８２゜
で幅が０．４５μｍの開口では、約１．６μｍに相当す
る(translate)。しかしながら、実際には、開口の幅
は、典型的な半導体素子に適用する場合は、０．３μｍ
ないし１．０μｍの範囲となる。
【００１４】プラズマ・エッチングにおいてNF3およびH
Brを組み合わせてテーパ状開口を形成すれば、良好なエ
ッチング速度およびテーパ状側面に対する良好な制御性
を有するという、製造上望ましいプロセスが得られる。
Brを組み合わせてテーパ状開口を形成すれば、良好なエ
ッチング速度およびテーパ状側面に対する良好な制御性
を有するという、製造上望ましいプロセスが得られる。
【００１５】まず、NF3/HBrプラズマのエッチング速度
は、従来のC12/HBrプラズマのそれと比肩し得るもので
ある。NF3のみを用いた場合、かなり高速のエッチング
・プロセスが得られることが観察されているので、プラ
ズマの中にNF3が存在することによって、良好なエッチ
ング速度を有するプロセスが可能になる。しかしなが
ら、NF3のみでは、開口内に、望ましくないアンダーカ
ット(undercut)の問題が発生する。しかしながら、本プ
ロセスではHBrの存在によって、NF3によって発生するア
ンダーカットの問題が解決されると思われる。本発明を
実施すると、幅が０．４５μｍ未満の開口に所望のテー
パ状側面が得られる。これは、従来技術のC12/HBrプラ
ズマでは不可能であった。先に述べたように、良好なテ
ーパ状側面を得るには、以前はNF3/Arプラズマを必要と
したが、これを行うことは、その化学薬品のエッチング
速度が遅いことから、サイクル時間に多大な犠牲が及ぶ
ことを意味する。これに対して、本発明は高いエッチン
グ速度を提供する。したがって、本発明を実施すれば、
従来技術で得られる利点全てが得られるが、その欠点が
生じることは全くない。
は、従来のC12/HBrプラズマのそれと比肩し得るもので
ある。NF3のみを用いた場合、かなり高速のエッチング
・プロセスが得られることが観察されているので、プラ
ズマの中にNF3が存在することによって、良好なエッチ
ング速度を有するプロセスが可能になる。しかしなが
ら、NF3のみでは、開口内に、望ましくないアンダーカ
ット(undercut)の問題が発生する。しかしながら、本プ
ロセスではHBrの存在によって、NF3によって発生するア
ンダーカットの問題が解決されると思われる。本発明を
実施すると、幅が０．４５μｍ未満の開口に所望のテー
パ状側面が得られる。これは、従来技術のC12/HBrプラ
ズマでは不可能であった。先に述べたように、良好なテ
ーパ状側面を得るには、以前はNF3/Arプラズマを必要と
したが、これを行うことは、その化学薬品のエッチング
速度が遅いことから、サイクル時間に多大な犠牲が及ぶ
ことを意味する。これに対して、本発明は高いエッチン
グ速度を提供する。したがって、本発明を実施すれば、
従来技術で得られる利点全てが得られるが、その欠点が
生じることは全くない。
【００１６】本明細書に含まれるこれまでの説明および
例示は、本発明に関する利点の多くを論証するものであ
る。したがって、本発明によれば、前述の必要性を満た
しかつ利点が得られる、シリコン基板に開口を形成する
方法が提供されたことは明白である。以上、具体的実施
例を参照しつつ本発明を説明し図示したが、本発明はか
かる例示実施例に限定されることを意図するものではな
い。当業者は、本発明の精神から逸脱することなく、変
更や改変が可能であることを認めよう。例えば、電力、
圧力、およびNF3/HBr比は全て、テーパ状側面の微調整
のために変えることができる。また、１つの設定のみを
変更し、残りのパラメータは一定に保持してテーパの側
面を調節することも可能である。したがって、特許請求
の範囲に該当するかかる改変や変更は全て、本発明に包
含されることを意図するものである。
例示は、本発明に関する利点の多くを論証するものであ
る。したがって、本発明によれば、前述の必要性を満た
しかつ利点が得られる、シリコン基板に開口を形成する
方法が提供されたことは明白である。以上、具体的実施
例を参照しつつ本発明を説明し図示したが、本発明はか
かる例示実施例に限定されることを意図するものではな
い。当業者は、本発明の精神から逸脱することなく、変
更や改変が可能であることを認めよう。例えば、電力、
圧力、およびNF3/HBr比は全て、テーパ状側面の微調整
のために変えることができる。また、１つの設定のみを
変更し、残りのパラメータは一定に保持してテーパの側
面を調節することも可能である。したがって、特許請求
の範囲に該当するかかる改変や変更は全て、本発明に包
含されることを意図するものである。
【図１】本発明によってシリコン基板内の開口に形成さ
れた望ましいテーパ状側面を示す断面図。
れた望ましいテーパ状側面を示す断面図。
１４ 基板 １６ 硬質マスク １８ テーパ状開口
Claims (3)
- 【請求項１】半導体基板内に開口を形成する方法であっ
て：誘電体層（１６）によって一方の表面が覆われたシ
リコン基板（１４）であって、前記誘電体層の第１開口
によって前記表面の一部が露出せられた前記シリコン基
板（１４）を用意する段階；およびNF3およびHBrのみを
入力ガスとして、前記シリコン基板の表面の一部にプラ
ズマを形成し、前記表面の一部に第２開口をエッチング
する段階；から成ることを特徴とする方法。 - 【請求項２】半導体基板内にテーパ状開口を形成する方
法であって：誘電体層によって一方のシリコン表面が覆
われた基板であって、前記誘電体層の第１開口によって
前記シリコン表面の一部が露出せられた前記基板を、プ
ラズマ・エッチング機械のプロセス・チャンバ内に配置
する段階；前記プラズマ・エッチング機械上で電力値を
設定する段階；前記プロセス・チャンバに圧力を設定す
る段階；前記プロセス・チャンバにNF3の第１入力ガス
を導入する段階；前記プロセス・チャンバにHBrの第２
入力ガスを導入する段階であって、前記プロセス・チャ
ンバには他の入力ガスを導入しない段階；前記第１およ
び第２入力ガスの双方によって発生されたプラズマに点
火する段階；および前記シリコン表面の部分にテーパ状
第２開口をエッチングする段階；から成ることを特徴と
する方法。 - 【請求項３】半導体基板内にテーパ状開口を形成する方
法であって：誘電体層によって一方のシリコン表面が覆
われた基板であって、前記誘電体層の第１開口によって
前記シリコン表面の一部が露出せられた前記基板を、プ
ラズマ・エッチング機械のプロセス・チャンバ内に配置
する段階；前記プラズマ・エッチング機械上において、
電力を３００ないし５５０ワットの範囲の値に設定する
段階；前記プロセス・チャンバに圧力を設定する段階；
前記プロセス・チャンバにNF3の第１入力ガスを導入す
る段階；前記プロセス・チャンバにHBrの第２入力ガス
を導入する段階であって、該第２入力ガスを導入する段
階は、前記第１入力ガスを導入する段階の６０秒以内に
行い、その他のガスを前記プロセス・チャンバには導入
しない段階；前記第１および第２入力ガス双方によって
発生されたプラズマに点火する段階；および前記シリコ
ン基板の一部内に、水平基準線に対して約８５゜ないし
６０゜の側面を有するテーパ状第２開口をエッチングす
る段階；から成ることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US39924595A | 1995-03-06 | 1995-03-06 | |
| US399245 | 1995-03-06 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08250485A true JPH08250485A (ja) | 1996-09-27 |
Family
ID=23578769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8073216A Pending JPH08250485A (ja) | 1995-03-06 | 1996-03-04 | シリコンにテーパ状開口を形成する方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5651858A (ja) |
| JP (1) | JPH08250485A (ja) |
| KR (1) | KR960035858A (ja) |
| SG (1) | SG40837A1 (ja) |
| TW (1) | TW297919B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149944A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Headway Technologies Inc | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
| USRE39824E1 (en) | 1990-08-29 | 2007-09-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| USRE39756E1 (en) * | 1990-08-29 | 2007-08-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing operating method with wafers, substrates and/or semiconductors |
| US7089680B1 (en) | 1990-08-29 | 2006-08-15 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and operating method therefor |
| TW388100B (en) | 1997-02-18 | 2000-04-21 | Hitachi Ulsi Eng Corp | Semiconductor deivce and process for producing the same |
| US6008131A (en) * | 1997-12-22 | 1999-12-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Bottom rounding in shallow trench etching using a highly isotropic etching step |
| US7183217B2 (en) * | 2001-06-22 | 2007-02-27 | Tokyo Electron Limited | Dry-etching method |
| US7514328B2 (en) * | 2003-06-26 | 2009-04-07 | Mears Technologies, Inc. | Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with a superlattice therebetween |
| US7332737B2 (en) * | 2004-06-22 | 2008-02-19 | Micron Technology, Inc. | Isolation trench geometry for image sensors |
| US9985094B2 (en) * | 2013-12-27 | 2018-05-29 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Super junction with an angled trench, transistor having the super junction and method of making the same |
| US9865471B2 (en) * | 2015-04-30 | 2018-01-09 | Tokyo Electron Limited | Etching method and etching apparatus |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4702795A (en) * | 1985-05-03 | 1987-10-27 | Texas Instruments Incorporated | Trench etch process |
| US4855017A (en) * | 1985-05-03 | 1989-08-08 | Texas Instruments Incorporated | Trench etch process for a single-wafer RIE dry etch reactor |
| JPS62224687A (ja) * | 1986-03-25 | 1987-10-02 | Anelva Corp | エツチング方法 |
| US5118384A (en) * | 1990-04-03 | 1992-06-02 | International Business Machines Corporation | Reactive ion etching buffer mask |
-
1996
- 1996-01-24 TW TW085100837A patent/TW297919B/zh active
- 1996-02-29 KR KR1019960005640A patent/KR960035858A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-03-04 JP JP8073216A patent/JPH08250485A/ja active Pending
- 1996-03-05 SG SG1996006407A patent/SG40837A1/en unknown
- 1996-07-26 US US08/690,192 patent/US5651858A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013149944A (ja) * | 2012-01-19 | 2013-08-01 | Headway Technologies Inc | テーパエッチング方法および近接場光発生器の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5651858A (en) | 1997-07-29 |
| TW297919B (ja) | 1997-02-11 |
| SG40837A1 (en) | 1997-06-14 |
| KR960035858A (ko) | 1996-10-28 |
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