JPH08242235A - 光ａｔｍ交換器 - Google Patents
光ａｔｍ交換器Info
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- JPH08242235A JPH08242235A JP4314595A JP4314595A JPH08242235A JP H08242235 A JPH08242235 A JP H08242235A JP 4314595 A JP4314595 A JP 4314595A JP 4314595 A JP4314595 A JP 4314595A JP H08242235 A JPH08242235 A JP H08242235A
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- Japan
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- optical
- cell group
- atm cell
- frequency
- atm
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Abstract
(57)【要約】
【目的】周波数多重数が高く、少ないループ数で構成で
きる光セルバッファメモリを用いて小型で大容量の光Ａ
ＴＭ交換器を提供する。 【構成】光カプラ、光ループ、分波器、光周波数変換器
から構成される光セルバッファメモリにおいて、光周波
数変換器を光ループ内に有し、蓄積される新ＡＴＭセル
群の光キャリア周波数と同一の周波数で蓄積されている
ＡＴＭセルについては光周波数変換器によって他の周波
数に変換する。このような操作の後、全てのセルが光ル
ープに合波して蓄積される。
きる光セルバッファメモリを用いて小型で大容量の光Ａ
ＴＭ交換器を提供する。 【構成】光カプラ、光ループ、分波器、光周波数変換器
から構成される光セルバッファメモリにおいて、光周波
数変換器を光ループ内に有し、蓄積される新ＡＴＭセル
群の光キャリア周波数と同一の周波数で蓄積されている
ＡＴＭセルについては光周波数変換器によって他の周波
数に変換する。このような操作の後、全てのセルが光ル
ープに合波して蓄積される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は大容量の情報に対応可能
な光ＡＴＭ交換器に関する。
な光ＡＴＭ交換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信システムは知的情報化社
会の通信インフラストラクチャ構成に重要な役割を果た
すべく技術の高度化が必要とされている。通信技術の発
展の歴史を見ると、例えば、デジタル技術が光伝送技術
に応用されると続いてデジタル交換器が開発導入されて
いる。従って、光伝送技術の実用化はデジタル交換機能
への光技術の導入を予測させる。
会の通信インフラストラクチャ構成に重要な役割を果た
すべく技術の高度化が必要とされている。通信技術の発
展の歴史を見ると、例えば、デジタル技術が光伝送技術
に応用されると続いてデジタル交換器が開発導入されて
いる。従って、光伝送技術の実用化はデジタル交換機能
への光技術の導入を予測させる。
【０００３】光通信技術は急速に進歩し、その伝送速
度、多重度は年ごとに向上している。光交換システムも
入線ＡＴＭセルの出線情報に従って光周波数キャリアを
割り当てるだけで交換機能が実現されるセルフルーチン
グ光回路を用いる交換方式が最も実現性が高いと信じら
れる。
度、多重度は年ごとに向上している。光交換システムも
入線ＡＴＭセルの出線情報に従って光周波数キャリアを
割り当てるだけで交換機能が実現されるセルフルーチン
グ光回路を用いる交換方式が最も実現性が高いと信じら
れる。
【０００４】しかし、Ｎ本の入線とＮ本の出線からなる
セルフルーチング光回路にＮ個の光キャリア周波数を用
いる時、１つの出線に同時に複数のＡＴＭセルが到着す
る可能性がある。これらのＡＴＭセルはそれぞれに異な
る光キャリア周波数で運ばれているため、衝突によりデ
ータが壊れることはないが、出線の通信容量が限られて
いるのでＡＴＭセルを一時的に蓄積し、出線の空きを見
つけて送出する必要がある。これをセルバッファメモリ
と呼ぶ。
セルフルーチング光回路にＮ個の光キャリア周波数を用
いる時、１つの出線に同時に複数のＡＴＭセルが到着す
る可能性がある。これらのＡＴＭセルはそれぞれに異な
る光キャリア周波数で運ばれているため、衝突によりデ
ータが壊れることはないが、出線の通信容量が限られて
いるのでＡＴＭセルを一時的に蓄積し、出線の空きを見
つけて送出する必要がある。これをセルバッファメモリ
と呼ぶ。
【０００５】図３に光周波数ルーチング光回路を用いた
ＡＴＭ光交換器の従来の構成を示す。光交換器のＮ本の
入線に入力された光ＡＴＭセル群はヘッダ処理部１１１
でその行き先を判別され、その行き先情報は制御部１１
３に通知される。また、必要があれば制御部１１３の指
示によりヘッダ情報の書き換えも行う。制御部１１３は
行き先情報に従い光周波数変換部１１２を操作してそれ
ぞれのＡＴＭセルの光キャリア周波数を変換し、光周波
数ルーチング回路１１４の所定の出線に出力される。光
周波数ルーチング回路４はアレー導波路回折格子型フィ
ルタなどのようなパッシブな部品であり、この入線に特
定の光周波数で入力された光信号は特定の出線に出力さ
れる。
ＡＴＭ光交換器の従来の構成を示す。光交換器のＮ本の
入線に入力された光ＡＴＭセル群はヘッダ処理部１１１
でその行き先を判別され、その行き先情報は制御部１１
３に通知される。また、必要があれば制御部１１３の指
示によりヘッダ情報の書き換えも行う。制御部１１３は
行き先情報に従い光周波数変換部１１２を操作してそれ
ぞれのＡＴＭセルの光キャリア周波数を変換し、光周波
数ルーチング回路１１４の所定の出線に出力される。光
周波数ルーチング回路４はアレー導波路回折格子型フィ
ルタなどのようなパッシブな部品であり、この入線に特
定の光周波数で入力された光信号は特定の出線に出力さ
れる。
【０００６】前記光周波数ルーチング回路１１４の出線
に接続された光セルバッファメモリ１１０は光ファイバ
１０１乃至１０３と、光スイッチ１０４、光周波数可変
フィルタ１０７から成る。このセルバッファメモリ１１
０は新規に到着したＡＴＭセルを読みだし側（出力側）
の光ファイバループの空きバッファから順次蓄積してい
く。すなわち、光ループバッファ１０３は光周波数可変
フィルタ１０７を用いてＡＴＭセルを読み出していき、
空になると光スイッチ１０４〜１０６を操作してＡＴＭ
セルを１段ずつシフトする。
に接続された光セルバッファメモリ１１０は光ファイバ
１０１乃至１０３と、光スイッチ１０４、光周波数可変
フィルタ１０７から成る。このセルバッファメモリ１１
０は新規に到着したＡＴＭセルを読みだし側（出力側）
の光ファイバループの空きバッファから順次蓄積してい
く。すなわち、光ループバッファ１０３は光周波数可変
フィルタ１０７を用いてＡＴＭセルを読み出していき、
空になると光スイッチ１０４〜１０６を操作してＡＴＭ
セルを１段ずつシフトする。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たセルバッファメモリは異なる光キャリア周波数からな
る複数のＡＴＭセルを同時に到着した順に一括して取り
扱うので、概して各光ファイバループの平均周波数多重
数が低くセルバッファメモリの規模が大きくなる欠点が
ある。又、セルバッファメモリは全ての出線に接続され
るので、セルバッファメモリが大型であると装置全体は
極めて大型化する問題がある。
たセルバッファメモリは異なる光キャリア周波数からな
る複数のＡＴＭセルを同時に到着した順に一括して取り
扱うので、概して各光ファイバループの平均周波数多重
数が低くセルバッファメモリの規模が大きくなる欠点が
ある。又、セルバッファメモリは全ての出線に接続され
るので、セルバッファメモリが大型であると装置全体は
極めて大型化する問題がある。
【０００８】本発明の光ＡＴＭ交換器はこのような課題
に着目してなされたものであり、その目的とするところ
は、周波数多重数が高く、少ないループ数で構成できる
光セルバッファメモリを有する小型で大容量の光ＡＴＭ
交換器を提供することにある。
に着目してなされたものであり、その目的とするところ
は、周波数多重数が高く、少ないループ数で構成できる
光セルバッファメモリを有する小型で大容量の光ＡＴＭ
交換器を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、第１の発明は、特定の入線から入力された所定の
光キャリア周波数を有するＡＴＭセル群を特定の出線へ
と振り分けて出力するセルフルーチング手段と、このセ
ルフルーチング手段の出線を介して出力された前記ＡＴ
Ｍセル群を一時的に記憶する各出線ごとに設けられた一
時記憶手段と、前記セルフルーチング手段の特定の入線
に新たに入力されるＡＴＭセル群が有する第１の光周波
数と、前記一時記憶手段にあらかじめ記憶されている前
記ＡＴＭセル群の第２の光周波数とが一致するか否かを
判別する判別手段と、この判別手段によって上記第１及
び第２の光周波数が一致すると判別されたときには、前
記新たに入力されるＡＴＭセル群が前記一時記憶手段に
記憶される前に、前記あらかじめ記憶されているＡＴＭ
セル群の第２の光周波数をこの光周波数と異なる他の光
周波数に周波数変換するとともに、前記一時記憶手段か
ら読み出すときに、読み出すべきＡＴＭセル群の光周波
数を読み出し可能な特定の光周波数に周波数変換する周
波数変換手段とを具備する。
めに、第１の発明は、特定の入線から入力された所定の
光キャリア周波数を有するＡＴＭセル群を特定の出線へ
と振り分けて出力するセルフルーチング手段と、このセ
ルフルーチング手段の出線を介して出力された前記ＡＴ
Ｍセル群を一時的に記憶する各出線ごとに設けられた一
時記憶手段と、前記セルフルーチング手段の特定の入線
に新たに入力されるＡＴＭセル群が有する第１の光周波
数と、前記一時記憶手段にあらかじめ記憶されている前
記ＡＴＭセル群の第２の光周波数とが一致するか否かを
判別する判別手段と、この判別手段によって上記第１及
び第２の光周波数が一致すると判別されたときには、前
記新たに入力されるＡＴＭセル群が前記一時記憶手段に
記憶される前に、前記あらかじめ記憶されているＡＴＭ
セル群の第２の光周波数をこの光周波数と異なる他の光
周波数に周波数変換するとともに、前記一時記憶手段か
ら読み出すときに、読み出すべきＡＴＭセル群の光周波
数を読み出し可能な特定の光周波数に周波数変換する周
波数変換手段とを具備する。
【００１０】また、第２の発明は、特定の入線から入力
された所定の光キャリア周波数を有するＡＴＭセル群を
特定の出線へと振り分けて出力するセルフルーチング手
段と、読み出し出力用を含む並列に配列された複数の記
憶部からなる一時記憶手段と、前記セルフルーチング手
段の特定の入線に新たに入力されるＡＴＭセル群が有す
る第１の光周波数と、前記一時記憶手段の読み出し出力
用の記憶部にあらかじめ記憶されている前記ＡＴＭセル
群の第２の光周波数とが一致するか否かを判別する判別
手段と、この判別手段によって前記第１及び第２の光周
波数が一致すると判断されたときは、前記新たに入力さ
れるＡＴＭセル群を前記読み出し出力用以外の記憶部に
振り分け、前記第１及び第２の光周波数が一致しないと
判別されたときには、前記新たに入力されるＡＴＭセル
群を前記読み出し出力用の記憶部に振り分ける振り分け
手段と、前記読み出し出力用の記憶部に記憶された特定
のＡＴＭセル群が読み出されるごとに、前記読み出し出
力用以外の記憶部にこの特定のＡＴＭセル群に対応する
ＡＴＭセル群が存在するか否かを確認し、存在する場合
はこの対応するＡＴＭセル群を抽出して前記読み出し用
の記憶部により近接する記憶部に順次転送する転送手段
とを具備する。
された所定の光キャリア周波数を有するＡＴＭセル群を
特定の出線へと振り分けて出力するセルフルーチング手
段と、読み出し出力用を含む並列に配列された複数の記
憶部からなる一時記憶手段と、前記セルフルーチング手
段の特定の入線に新たに入力されるＡＴＭセル群が有す
る第１の光周波数と、前記一時記憶手段の読み出し出力
用の記憶部にあらかじめ記憶されている前記ＡＴＭセル
群の第２の光周波数とが一致するか否かを判別する判別
手段と、この判別手段によって前記第１及び第２の光周
波数が一致すると判断されたときは、前記新たに入力さ
れるＡＴＭセル群を前記読み出し出力用以外の記憶部に
振り分け、前記第１及び第２の光周波数が一致しないと
判別されたときには、前記新たに入力されるＡＴＭセル
群を前記読み出し出力用の記憶部に振り分ける振り分け
手段と、前記読み出し出力用の記憶部に記憶された特定
のＡＴＭセル群が読み出されるごとに、前記読み出し出
力用以外の記憶部にこの特定のＡＴＭセル群に対応する
ＡＴＭセル群が存在するか否かを確認し、存在する場合
はこの対応するＡＴＭセル群を抽出して前記読み出し用
の記憶部により近接する記憶部に順次転送する転送手段
とを具備する。
【００１１】
【作用】すなわち、第１の発明においては、セルバッフ
ァメモリの光ループ内に光周波数変換器を有し、蓄積さ
れる新セル群の光キャリア周波数と同一の周波数で蓄積
されているＡＴＭセルは他の全ての光周波数と異なるよ
うに周波数変換する。このような操作の後、全てのＡＴ
Ｍセルが光ループに合波して蓄積される。従って、光キ
ャリア周波数の使用数まで収容セル数が増えることがあ
ってもセル損失が生じない単一光ループセルバッファを
実現できる。また、本発明によるＡＴＭ交換器のセルバ
ッファメモリでは平均の光周波数多重数が高く、光ルー
プが単一であるため装置規模が小さくて済む。
ァメモリの光ループ内に光周波数変換器を有し、蓄積さ
れる新セル群の光キャリア周波数と同一の周波数で蓄積
されているＡＴＭセルは他の全ての光周波数と異なるよ
うに周波数変換する。このような操作の後、全てのＡＴ
Ｍセルが光ループに合波して蓄積される。従って、光キ
ャリア周波数の使用数まで収容セル数が増えることがあ
ってもセル損失が生じない単一光ループセルバッファを
実現できる。また、本発明によるＡＴＭ交換器のセルバ
ッファメモリでは平均の光周波数多重数が高く、光ルー
プが単一であるため装置規模が小さくて済む。
【００１２】また、第２の発明においては、新たなＡＴ
Ｍセル群の光周波数情報を検出し、これがセルバッファ
メモリに蓄積されているＡＴＭセル群の光周波数と衝突
する場合には、振り分け光スイッチを操作して衝突が生
じない光ループに振り分け、各光ループのＡＴＭセル群
が衝突しない場合は縮退光スイッチを介して蓄積セル群
を読み出し側に近い光ループに順次移す。従って、衝突
するＡＴＭセル群のみを個々の光ループに蓄積するの
で、読み出し側に近いループほど光周波数多重数が大き
くなり、光バッファメモリの規模を低減できる。
Ｍセル群の光周波数情報を検出し、これがセルバッファ
メモリに蓄積されているＡＴＭセル群の光周波数と衝突
する場合には、振り分け光スイッチを操作して衝突が生
じない光ループに振り分け、各光ループのＡＴＭセル群
が衝突しない場合は縮退光スイッチを介して蓄積セル群
を読み出し側に近い光ループに順次移す。従って、衝突
するＡＴＭセル群のみを個々の光ループに蓄積するの
で、読み出し側に近いループほど光周波数多重数が大き
くなり、光バッファメモリの規模を低減できる。
【００１３】
【実施例】図１は本発明の第１実施例に係る光ＡＴＭ交
換器の構成を示す。光交換器のＮ本の入線に入力された
光ＡＴＭセル群はヘッダ処理部１でＡＴＭセルの行き先
を判別され、その情報は制御部３に通知される。また、
必要があれば制御部３の指示によりヘッダ情報の書き換
えも行う。制御部３は行き先情報に従い光周波数変換部
２を操作してそれぞれのＡＴＭセル群の光キャリア周波
数を変換し、セルフルーチング手段としての光周波数ル
ーチング回路４の所定の出線に出力されるようにする。
光周波数ルーチィング回路４はアレー導波路回折格子型
フィルタなどのようなパッシブな部品であり、この入線
に特定の光周波数で入力された光信号は特定の出線に出
力される。光周波数ルーチング回路４の出線には光カプ
ラ５、光ループ６、分波器７、光周波数変換器８から構
成される一時記憶手段としての光セルバッファメモリ９
が接続されており、ここでは出力端子ｋのＡＴＭセル群
｛ｆK ｝が光ループ６に蓄積される。上記光セルバッフ
ァメモリ９は各出線に設けられている。判別手段として
の制御部３は、ＡＴＭセル群｛ｆK ｝が既に蓄積されて
いるＡＴＭセル群｛ｆstore ｝と衝突しているか否かを
判別し、衝突していない（同一光キャリア周波数に担わ
れたセルが存在していない）ときは、｛ｆk ｝はそのま
ま光ループ６に光カプラ５を通して収容される。
換器の構成を示す。光交換器のＮ本の入線に入力された
光ＡＴＭセル群はヘッダ処理部１でＡＴＭセルの行き先
を判別され、その情報は制御部３に通知される。また、
必要があれば制御部３の指示によりヘッダ情報の書き換
えも行う。制御部３は行き先情報に従い光周波数変換部
２を操作してそれぞれのＡＴＭセル群の光キャリア周波
数を変換し、セルフルーチング手段としての光周波数ル
ーチング回路４の所定の出線に出力されるようにする。
光周波数ルーチィング回路４はアレー導波路回折格子型
フィルタなどのようなパッシブな部品であり、この入線
に特定の光周波数で入力された光信号は特定の出線に出
力される。光周波数ルーチング回路４の出線には光カプ
ラ５、光ループ６、分波器７、光周波数変換器８から構
成される一時記憶手段としての光セルバッファメモリ９
が接続されており、ここでは出力端子ｋのＡＴＭセル群
｛ｆK ｝が光ループ６に蓄積される。上記光セルバッフ
ァメモリ９は各出線に設けられている。判別手段として
の制御部３は、ＡＴＭセル群｛ｆK ｝が既に蓄積されて
いるＡＴＭセル群｛ｆstore ｝と衝突しているか否かを
判別し、衝突していない（同一光キャリア周波数に担わ
れたセルが存在していない）ときは、｛ｆk ｝はそのま
ま光ループ６に光カプラ５を通して収容される。
【００１４】また、｛ｆk ｝が｛ｆstore ｝と衝突して
いるとき（｛ｆk ｝の光キャリア周波数と｛ｆstore ｝
の光キャリア周波数に同一のものが存在するとき）は、
蓄積されている光セルの光周波数を他の光周波数に変換
して衝突を回避する。すなわち、光ループ６に設置され
た分波器７で分波されたＡＴＭセル群｛ｆstore ｝はそ
れぞれ周波数変換器８にて使われていない光周波数に変
換される。
いるとき（｛ｆk ｝の光キャリア周波数と｛ｆstore ｝
の光キャリア周波数に同一のものが存在するとき）は、
蓄積されている光セルの光周波数を他の光周波数に変換
して衝突を回避する。すなわち、光ループ６に設置され
た分波器７で分波されたＡＴＭセル群｛ｆstore ｝はそ
れぞれ周波数変換器８にて使われていない光周波数に変
換される。
【００１５】本実施例では光周波数変換が２つの目的で
実施される。第一は読み出しＡＴＭセルへの変換であ
る。すなわち、分波器７の出力ポートｍは光周波数ｆｍ
なるＡＴＭセルの出力であり、光セルバッファメモリ９
の出力端子である。出力されるＡＴＭセルは一周前に周
波数変換器８によってｆｍへ周波数変換される。第二の
目的は新たに蓄積されるＡＴＭセルの衝突回避である。
すなわち、周波数セルフルーチング光回路４によってＡ
ＴＭ変換されるときに制御部３は出力ポートに現れるＡ
ＴＭセル群の光周波数リストと、光ループ６に蓄積して
いるＡＴＭセル群の光周波数リストを持っているので、
光ループ６で蓄積しているＡＴＭセル群との衝突をあら
かじめ知ることができる。したがって、光セルバッファ
メモリ９に収容する一周前に蓄積セルの光周波数を変換
して衝突を回避する。ここで、光周波数変換器８は光受
信器を集積した光周波数可変レーザおよび光変調器で構
成することができる。すなわち、分波された光ＡＴＭセ
ルは光検出器とアンプから構成される光受信器で識別再
生される。クロック信号は系から供給を受けるものとす
る。制御部３からの信号で光周波数可変レーザの発振周
波数を切り替える。この出力光が変調器で再生信号によ
り変調されて別の光周波数を担う。
実施される。第一は読み出しＡＴＭセルへの変換であ
る。すなわち、分波器７の出力ポートｍは光周波数ｆｍ
なるＡＴＭセルの出力であり、光セルバッファメモリ９
の出力端子である。出力されるＡＴＭセルは一周前に周
波数変換器８によってｆｍへ周波数変換される。第二の
目的は新たに蓄積されるＡＴＭセルの衝突回避である。
すなわち、周波数セルフルーチング光回路４によってＡ
ＴＭ変換されるときに制御部３は出力ポートに現れるＡ
ＴＭセル群の光周波数リストと、光ループ６に蓄積して
いるＡＴＭセル群の光周波数リストを持っているので、
光ループ６で蓄積しているＡＴＭセル群との衝突をあら
かじめ知ることができる。したがって、光セルバッファ
メモリ９に収容する一周前に蓄積セルの光周波数を変換
して衝突を回避する。ここで、光周波数変換器８は光受
信器を集積した光周波数可変レーザおよび光変調器で構
成することができる。すなわち、分波された光ＡＴＭセ
ルは光検出器とアンプから構成される光受信器で識別再
生される。クロック信号は系から供給を受けるものとす
る。制御部３からの信号で光周波数可変レーザの発振周
波数を切り替える。この出力光が変調器で再生信号によ
り変調されて別の光周波数を担う。
【００１６】この実施例では光周波数変換器８を光ルー
プ６内に内蔵しているため、波長選択スイッチの機能も
容易に実現されている。また、光周波数変換器８で再生
・光周波数変換することは光ループ６内に光アンプを挿
入する方式と比較して、波長による利得変化や遅延時間
変動さらには信号対雑音比などがループ内を周回すると
きに受ける累積効果や発振などの不安定性を除くことが
できる。
プ６内に内蔵しているため、波長選択スイッチの機能も
容易に実現されている。また、光周波数変換器８で再生
・光周波数変換することは光ループ６内に光アンプを挿
入する方式と比較して、波長による利得変化や遅延時間
変動さらには信号対雑音比などがループ内を周回すると
きに受ける累積効果や発振などの不安定性を除くことが
できる。
【００１７】図２は本発明の第２実施例に係る光ＡＴＭ
交換器の構成を示す図である。この構成は図１に示す構
成と比較して、光周波数ルーチング回路４以降のみが異
なっている。この実施例では光周波数変換器を用いるこ
となく、セルフバッファメモリ１９が振り分け手段とし
ての振り分け光スイッチ１５と、光ループ＃１−＃ｉ
（１１−１４）と、縮退光スイッチ１６とから構成され
る。
交換器の構成を示す図である。この構成は図１に示す構
成と比較して、光周波数ルーチング回路４以降のみが異
なっている。この実施例では光周波数変換器を用いるこ
となく、セルフバッファメモリ１９が振り分け手段とし
ての振り分け光スイッチ１５と、光ループ＃１−＃ｉ
（１１−１４）と、縮退光スイッチ１６とから構成され
る。
【００１８】光周波数ルーチング回路４の出線＃ｋから
出力されたＡＴＭセルが光ループ＃１（１１）に蓄積さ
れているＡＴＭセル群と衝突していないときは、振り分
け光スイッチ１５で光ループ＃１（１１）に振り分け
る。また衝突するときは光ループ＃２（１２）に振り分
ける。以下同様に制御部１０に存在するメモリテーブル
によってＡＴＭセル群の衝突を調べて振り分けスイッチ
１５を制御し、セル周期ごとに到着するＡＴＭセルを光
ループ群に蓄積する。
出力されたＡＴＭセルが光ループ＃１（１１）に蓄積さ
れているＡＴＭセル群と衝突していないときは、振り分
け光スイッチ１５で光ループ＃１（１１）に振り分け
る。また衝突するときは光ループ＃２（１２）に振り分
ける。以下同様に制御部１０に存在するメモリテーブル
によってＡＴＭセル群の衝突を調べて振り分けスイッチ
１５を制御し、セル周期ごとに到着するＡＴＭセルを光
ループ群に蓄積する。
【００１９】ここで光ループ＃１は光ファイバ、光スイ
ッチ、光周波数選択スイッチから構成され、先に記憶さ
れたＡＴＭセルから順次読み出されて出力１７に送出さ
れる。ここで光ループ＃１は、一時記憶の動作と、読み
出し出力用の記憶動作を行なうものである。ＡＴＭセル
の到着、読み出しによる消滅のすべての情報は制御部１
０に集結される。そして、制御部１０は光ループ＃１に
記憶されたＡＴＭセルが読み出されるごとに光ループ内
の衝突状況を調べて、転送手段としての縮退光スイッチ
１６を介して衝突が回避された光ループ内の蓄積ＡＴＭ
セル群を読み出し側に近い光ループに転送する。このよ
うにして、衝突するセル群のみが＃２以上の光ループに
蓄積されることになる。
ッチ、光周波数選択スイッチから構成され、先に記憶さ
れたＡＴＭセルから順次読み出されて出力１７に送出さ
れる。ここで光ループ＃１は、一時記憶の動作と、読み
出し出力用の記憶動作を行なうものである。ＡＴＭセル
の到着、読み出しによる消滅のすべての情報は制御部１
０に集結される。そして、制御部１０は光ループ＃１に
記憶されたＡＴＭセルが読み出されるごとに光ループ内
の衝突状況を調べて、転送手段としての縮退光スイッチ
１６を介して衝突が回避された光ループ内の蓄積ＡＴＭ
セル群を読み出し側に近い光ループに転送する。このよ
うにして、衝突するセル群のみが＃２以上の光ループに
蓄積されることになる。
【００２０】なお、第２実施例のセル廃棄率をシミュレ
ーションしたところ、一様ランダムなＡＴＭセル流に対
して、負荷率８０％、光ループ３段でセル廃棄率１０-6
を波長数Ｎ＝６０以下で満足することを確認した。した
がって、光ループ数がそれほど多くなくとも十分小さな
セル廃棄率を実現することができる。
ーションしたところ、一様ランダムなＡＴＭセル流に対
して、負荷率８０％、光ループ３段でセル廃棄率１０-6
を波長数Ｎ＝６０以下で満足することを確認した。した
がって、光ループ数がそれほど多くなくとも十分小さな
セル廃棄率を実現することができる。
【００２１】
【発明の効果】本発明によれば、光ループ内の周波数多
重数が高く、少ないループ数で構成できる光セルバッフ
ァメモリを用いるため、小型で大容量の光ＡＴＭ交換器
を提供できる。また、部品点数も少なくて済むため、信
頼性及び安定性に優れた光ＡＴＭ交換器を提供すること
ができる。
重数が高く、少ないループ数で構成できる光セルバッフ
ァメモリを用いるため、小型で大容量の光ＡＴＭ交換器
を提供できる。また、部品点数も少なくて済むため、信
頼性及び安定性に優れた光ＡＴＭ交換器を提供すること
ができる。
【図１】本発明の第１実施例に係る光ＡＴＭ交換器の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図２】本発明の第２実施例に係る光ＡＴＭ交換器の構
成を示す図である。
成を示す図である。
【図３】従来の光ＡＴＭ交換器の構成を示す図である。
１…ヘッダ処理部、２…光周波数変換部、３…制御部、
４…光周波数ルーチング回路、５…光カプラ、６…光ル
ープ、７…分波器、８…光周波数変換器。
４…光周波数ルーチング回路、５…光カプラ、６…光ル
ープ、７…分波器、８…光周波数変換器。
Claims (2)
- 【請求項１】 特定の入線から入力された所定の光キャ
リア周波数を有するＡＴＭセル群を特定の出線へと振り
分けて出力するセルフルーチング手段と、 このセルフルーチング手段の出線を介して出力された前
記ＡＴＭセル群を一時的に記憶する各出線ごとに設けら
れた一時記憶手段と、 前記セルフルーチング手段の特定の入線に新たに入力さ
れるＡＴＭセル群が有する第１の光周波数と、前記一時
記憶手段にあらかじめ記憶されている前記ＡＴＭセル群
の第２の光周波数とが一致するか否かを判別する判別手
段と、 この判別手段によって上記第１及び第２の光周波数が一
致すると判別されたときには、前記新たに入力されるＡ
ＴＭセル群が前記一時記憶手段に記憶される前に、前記
あらかじめ記憶されているＡＴＭセル群の第２の光周波
数をこの光周波数と異なる他の光周波数に周波数変換す
るとともに、前記一時記憶手段から読み出すときに、読
み出すべきＡＴＭセル群の光周波数を読み出し可能な特
定の光周波数に周波数変換する周波数変換手段と、 を具備したことを特徴とする光ＡＴＭ交換器。 - 【請求項２】 特定の入線から入力された所定の光キャ
リア周波数を有するＡＴＭセル群を特定の出線へと振り
分けて出力するセルフルーチング手段と、 読み出し出力用を含む並列に配列された複数の記憶部か
らなる一時記憶手段と、 前記セルフルーチング手段の特定の入線に新たに入力さ
れるＡＴＭセル群が有する第１の光周波数と、前記一時
記憶手段の読み出し出力用の記憶部にあらかじめ記憶さ
れている前記ＡＴＭセル群の第２の光周波数とが一致す
るか否かを判別する判別手段と、 この判別手段によって前記第１及び第２の光周波数が一
致すると判断されたときは、前記新たに入力されるＡＴ
Ｍセル群を前記読み出し出力用以外の記憶部に振り分
け、前記第１及び第２の光周波数が一致しないと判別さ
れたときには、前記新たに入力されるＡＴＭセル群を前
記読み出し出力用の記憶部に振り分ける振り分け手段
と、 前記読み出し出力用の記憶部に記憶された特定のＡＴＭ
セル群が読み出されるごとに、前記読み出し出力用以外
の記憶部にこの特定のＡＴＭセル群に対応するＡＴＭセ
ル群が存在するか否かを確認し、存在する場合はこの対
応するＡＴＭセル群を抽出して前記読み出し用の記憶部
により近接する記憶部に順次転送する転送手段と、 を具備したことを特徴とする光ＡＴＭ交換器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4314595A JPH08242235A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 光ａｔｍ交換器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4314595A JPH08242235A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 光ａｔｍ交換器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08242235A true JPH08242235A (ja) | 1996-09-17 |
Family
ID=12655680
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4314595A Pending JPH08242235A (ja) | 1995-03-02 | 1995-03-02 | 光ａｔｍ交換器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08242235A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017509185A (ja) * | 2013-12-31 | 2017-03-30 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 環状光バッファならびに光信号を記憶するための方法および読み出すための方法 |
-
1995
- 1995-03-02 JP JP4314595A patent/JPH08242235A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017509185A (ja) * | 2013-12-31 | 2017-03-30 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 環状光バッファならびに光信号を記憶するための方法および読み出すための方法 |
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