JPH08240498A - 半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータ - Google Patents

半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータ

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JPH08240498A
JPH08240498A JP6891995A JP6891995A JPH08240498A JP H08240498 A JPH08240498 A JP H08240498A JP 6891995 A JP6891995 A JP 6891995A JP 6891995 A JP6891995 A JP 6891995A JP H08240498 A JPH08240498 A JP H08240498A
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JP
Japan
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gas
sensor chip
adhesive
recess
sensor
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JP6891995A
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Hiroki Kamota
裕樹 加守田
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Omron Corp
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Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 腐食性ガス雰囲気中においても高い信頼性
と、長期安定性を有する半導体圧力センサを提供するこ
と 【構成】 薄肉のダイアフラム1aが一体に形成された
センサチップ1を、ステム2に形成した凹所2a内に実
装する。凹所の底面には測定圧力をダイアフラムへ供給
するための圧力導入孔2bが形成されている。凹所の底
面所定位置には耐薬品性、耐ガス性の大きなエポキシ系
のゲル3を設け、そのゲル上にセンサチップを配置す
る。ゲルはガスによって浸蝕されず、ガスを圧力室4内
に閉塞する。センサチップと凹所の内壁面との間の空間
内には、シリコーン樹脂からなる接着剤5が充填され
る。すなわち、係る接着剤5によりセンサチップのステ
ムに対する固定を行い、圧力室4の密閉・気密性はゲル
により発揮させている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体圧力センサに関
し、より具体的には、都市ガスやプロパンガス(LP
G)等の腐食性ガスの圧力検知に適した半導体圧力セン
サおよびそれを用いたガスメータに関する。
【0002】
【従来の技術】圧力により撓むシリコンダイアフラムを
有するセンサチップを実装する構造の一つとして、セン
サチップを実装基板(例えば金属、または樹脂ステム)
上に直接接着剤を用いて固定する方法がある。そして、
その場合に使用する接着剤としては、従来比較的柔らか
いシリコーン樹脂が用いられている。これは、ダイアフ
ラムが非常に薄いため、実装基板とセンサチップの熱膨
張係数の差に基づいてダイアフラムに応力が加わること
がないように、接着剤の部分で実装基板側の温度変化に
伴う膨脹・収縮を吸収するためである。これによりセン
サの温度特性の改善を図っている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近、家庭用
LPGガスメータ、または家庭用都市ガスメータに搭載
される圧力センサの小型化、薄型化が要求され、従来の
金属ダイヤフラムを用いたいわゆる機械式圧力センサか
ら、半導体圧力センサへの切り替えが検討されてきた。
【0004】ところが、従来のようにシリコーン樹脂を
用いて接着・固定を行っている構造では、シリコーン樹
脂がLPGガス等の腐食性ガスに浸食されやすいため、
それらの圧力計測の用途には使用できないという問題が
あった。
【0005】また、センサチップの実装構造としては、
上記したものの他に、センサチップとガラス台座を陽極
接合して一体化し、そのガラス台座を実装基板に半田付
けなどにより固定するものもある。係る場合には、上記
のようなシリコーン樹脂が介在しないので、上記した腐
食といった問題はない。しかし以下の理由によってやは
りガスメータ用の圧力センサとしては使用できない。す
なわち、台座に固定するまでの工程が複雑であるばかり
でなく、温度特性が樹脂を用いて直接接着する構造のも
のに比べて劣る。さらに温度特性を改善するためには、
かなり厚いガラスを必要とするので、広い温度範囲での
安定した出力と薄型化という要求を満足できない。
【0006】本発明は、上記した背景に鑑みてなされた
もので、その目的とするところは、上記した問題を解決
し、都市ガスやプロパンガス(LPG)等の腐食性ガス
雰囲気中においても高い信頼性と、長期安定性を有する
半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータを提供す
ることにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明に係る半導体圧力センサダイアフラム付
きのセンサチップを接着剤を介して実装基板上に固定さ
れるとともに、前記ダイアフラムに対して測定ガス圧力
を印加可能としてなる半導体圧力センサにおいて、前記
センサチップと前記実装基板との境界部分のうち、前記
測定対象のガスと接触する部分に、前記ガスによって浸
蝕されない所定の樹脂を設けるようにした。そして、係
る所定の樹脂としてはエポキシ系樹脂(硬化物,ゲル状
物)やUV硬化樹脂等がある。
【0008】そして、具体的には、前記実装基板に凹所
を設け、その凹所内に前記センサチップを配置するよう
にし、前記センサチップの底面と前記凹所の底面との間
には、ゲル状のエポキシ系樹脂を介在させ、前記センサ
チップの側面と前記凹所の内周面との間に接着剤を充填
し前記センサチップと前記実装基板との固定を行うよう
にすることができる。
【0009】また、別の構成としては、前記実装基板に
凹所を設け、その凹所内に前記センサチップを配置する
ようにし、前記センサチップの側面と前記凹所の内周面
との間にゲル状のエポキシ系樹脂を充填し、前記センサ
チップの底面と前記凹所の底面との間に接着剤を介在さ
せて前記センサチップと前記実装基板との固定を行うよ
うにしてもよい。
【0010】さらに別の構成としては、前記センサチッ
プと前記実装基板とを固定する接着剤自体に、エポキシ
系樹脂またはUV硬化樹脂を用い、耐ガス性をもたせた
ものを用いるようにしてもよい。
【0011】そして、上記した各接着剤としては、低弾
性率を有するものにするのが好ましい。ここで低弾性率
とは、文字通り弾性率が低いことを意味し、具体的には
実装基板とセンサチップの熱膨張率の差に基づき発生す
る応力を吸収できる(完全に吸収できなくても、測定に
支障がない程度に吸収できていればよい)程度に弾性を
有しておれば足り、使用する実装基板の材質との相関に
よって具体的な数値の限界は決定される。
【0012】また、本発明に係るガスメータでは、少な
くともガス流量とガス圧を検出可能としたガスメータに
おいて、前記ガス圧の検出用センサとして、上記した各
構成の半導体圧力センサを用いるようにした。
【0013】
【作用】測定対象のガスがダイアフラムの片面側に供給
される。すると、ダイアフラムは撓み、その撓みに応じ
た出力がセンサチップから出力される。この時、上記片
面側を含むセンサチップ表面は上記ガスが接触するの
で、センサチップと実装基板との接続境界にも係るガス
が触れる。ところで、本発明では、係るガスが触れる側
の境界部分には、係るガスによって浸蝕されない樹脂が
配置されているので、そのガスは当該樹脂を通って内部
に侵入することはない。したがって、センサチップと実
装基板とを固定する接着剤として、従来から用いられて
いるシリコーン樹脂等の耐ガス性が低いものを用いたと
しても、その接着剤が上記所定の樹脂により覆われてい
れば、接着剤もガスによって浸蝕されず、長期にわたっ
て安定性を失うことがない。
【0014】また、接着剤自体をエポキシ系接着剤、ま
たは変性アクリレート系のUV硬化接着剤を用いて直接
ステム等の実装部に実装することにより、従来の構造と
同一構成をとりつつ、LPG等の腐食性ガスにも浸食さ
れることなく、長期信頼性を確保できる。
【0015】そして、係る半導体圧力センサを用いて構
成されるガスメータにおいても、センサの検出感度は機
械式のものに比べて高く、しかも上記のように長期にわ
たって安定した出力が得られるためそれを用いたガスメ
ータも長期間高信頼性を維持する。
【0016】
【実施例】以下、本発明に係る半導体圧力センサ及びそ
れを用いたガスメータの好適な実施例を添付図面を参照
にして詳述する。図1は、本発明に係る半導体圧力セン
サの第1実施例を示している。同図に示すように、セン
サチップ1は、シリコンなどの半導体基板の中央部分を
エッチングにより除去することにより薄肉のダイアフラ
ム1aが一体に形成されている。なお、図示省略する
が、このダイアフラム1aには、電極(静電容量式)或
いは歪み抵抗(ピエゾ抵抗効果式)等の各種の撓み量を
検出する部材が実装され、撓みに応じた出力信号を出力
可能としているが、係る構成は従来と同様であるのでそ
の詳細な説明を省略する。そして、係るセンサチップ1
が、ステム2上に実装される。
【0017】ステム2は、センサチップ1の平面形状よ
りも一回り大きな平面形状を有する凹所2aが形成さ
れ、その凹所2aの底面には測定圧力をダイアフラム1
aへ供給するための圧力導入孔2bが形成されている。
そして、この凹所2aの底面所定位置には耐薬品性、耐
ガス性の大きなエポキシ系のゲル3をディスペンス、ま
たはスタンピング等の方法で形成し、そのゲル3上にセ
ンサチップ1を配置している。そしてエポキシ系のゲル
3としては、たとえば「CGL7015」(AIテクノ
ロジー社製:商品名)を用いることができる。
【0018】なお、ゲル3の設置部分はセンサチップ1
の底面1bに対向する位置に行い、圧力導入孔2bを閉
塞しないようにする。これにより、センサチップ1の底
面1bと、凹所2aの底面との間にはゲル3が介在して
密着され、ダイアフラム1aの下面側に圧力室4を形成
する。
【0019】また、センサチップ1と凹所2aの内壁面
との間に形成される隙間(空間)内には、ヤング率が約
0.7MPaのUV硬化樹脂、または同程度のシリコー
ン樹脂からなる接着剤5が充填されている。この接着剤
5はUV光照射、または熱硬化により硬化されている。
すなわち、本実施例では係る接着剤5によりセンサチッ
プ1のステム2に対する固定を行い、圧力室4の密閉・
気密性はゲル3により発揮させている。
【0020】上記構成のセンサでは、圧力導入孔2bよ
り侵入したプロパンガス等の腐食性ガスが、圧力室4に
いたり、その圧力に応じてダイアフラム1aを上方に撓
ませるが、この時、センサチップ1とステム2の界面は
エポキシ系ゲル3により完全にシールされているので、
圧力室4から外部に漏れ出ることはない。
【0021】したがってセンサチップ1の周辺部に注入
したUV硬化樹脂またはシリコーン樹脂が、腐食性ガス
に暴露されることはなく、たとえUV硬化樹脂またはシ
リコーン樹脂が腐食性ガスに対して耐性が小さくとも長
期信頼性は確保できる。さらに接着剤5のヤング率を約
20Kgf/cm2 以下にすると、たとえステム2とセ
ンサチップ1の熱膨脹率が異なっていたとしても、ステ
ム2の熱変形を接着剤5で吸収でき、温度特性に優れた
半導体圧力センサを得ることができる。
【0022】図2は、本発明に係る半導体圧力センサの
第2実装例を示している。同図に示すように、本実施例
では、測定圧力である腐食性ガスがセンサチップ1の上
方から流入する場合の例である。
【0023】センサチップ1は、接着剤5′を用いて直
接ステム2の凹所2aの底面所定位置に接合される。こ
の時使用する接着剤5′としては、従来と同様にシリコ
ーン樹脂を使用することができる。ここで本発明では、
センサチップ1と凹所2aの内壁面との間に形成される
隙間(空間)内に、耐薬品性、耐ガス性に優れたエポキ
シ系のゲル3を充填している。
【0024】係る構成にすることにより、測定対象のプ
ロパンガス等の腐食性ガスをセンサチップ1の上方より
導入しダイアフラム1aに印加するとその圧力に応じて
下方に撓む。この時、腐食性ガスに対向するセンサチッ
プ1とステム2との境界面(隙間)にはエポキシ系ゲル
3が介在しているので、当該ゲル3が腐食することがな
く、また、隙間はゲル3により充填され密封されている
ので、腐食性ガスがセンサチップ1とステム2とを接着
するシリコーン樹脂からなる接着剤5′に触れることが
なく、やはり浸蝕されない。なお、本例の場合にステム
2の凹所2aの底面に形成された孔2bは、ダイアフラ
ム1aの下側を大気開放するための経路である。その他
の構成並びに作用効果は上記した第1実施例と同様であ
るのでその説明を省略する。
【0025】図3は本発明の第3実施例を示している。
同図に示すように本実施例では、上記した各実施例と相
違して、平面上のステム2の上にセンサチップ1を実装
している。そして、両者を接着剤6を介して接着一体化
している。ここで本発明では、使用する接着剤6とし
て、耐LPG性等に優れたUV硬化樹脂、またはエポキ
シ樹脂を用いる。そして、この接着剤6のヤング率は、
約20Kgf/cm2 以下のものを用いた。これにより
ステムとセンサチップとの熱膨張係数の差によって生じ
る応力を緩和でき、温度特性に優れた半導体圧力センサ
チップを得ることができる。そしてこのUV硬化樹脂に
あっては、できれば熱硬化性、またはプライマ硬化性、
または2液混合による硬化特性を付与したタイプのもの
が望ましい。その他の構成並びに作用効果は上記した第
1,第2実施例と同様であるのでその説明を省略する。
【0026】図4は本発明に係るガスメータの一実施例
を示している。同図に示すように、ガスメータ10には
流れたガス量(ガス総量)を測定する計量部12やガス
管11内を流れるガスの流量(単位時間当たりのガス流
量)を測定する流量センサ13、ガス管11内のガス圧
を測定する本発明による圧力センサ14、及び地震を検
知する地震計15などから構成されている。
【0027】ガス管11内を流れるガスの総量は計量部
12によって測定されてメータなどの表示部(図示せ
ず)に表示される。また、ガス管11内のガス流量及び
ガス圧は流量センサ13及び圧力センサ14によりそれ
ぞれ測定され、コントローラ18により常時監視されて
いる。万が一、ガス漏れが発生した場合にはガス管11
を流れるガス流量が異常に増加する。また、ガス器具等
の消し忘れなどの場合には異常な時間ガスが流れ続け
る。さらに、ガス漏れやガス管工事復旧前後などにはガ
ス管11を流れるガス圧が低下する。
【0028】このガスメータ10においては、コントロ
ーラ16がこれらガス流量の異常やガス圧の低下を検知
すると、警告ランプ18を点灯させて警報を知らせると
ともに、遮断弁17を閉成する。また、地震計15によ
って地震が検知された場合にも、警告ランプ18を点灯
させて警報を知らせるとともに、遮断弁17を閉成す
る。このようにして、ガス流量やガス圧に異常を生じた
場合などには、自動的にガス管11を閉じて爆発等の危
険を防止することができる。
【0029】特に、本発明の圧力センサ14を用いた場
合には、センサ特性に優れているためわずかの圧力低下
を検知することができ、測定誤差も少ないので誤動作が
少なく、安全性を配慮した信頼性の高いガスメータLを
提供することができる。また、図4に示すように、室内
に取り付けたガス警報器やガス器具に取り付けた不完全
燃焼警報器などから外部信号19を検知することによっ
て遮断弁17を閉成したり、警告ランプ18を点灯する
こととしてもよい。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明に係る半導体圧力
センサ及びそれを用いたガスメータでは、都市ガスやプ
ロパンガス(LPG)等の腐食性ガスに対しての耐性を
有する樹脂を用いてセンサチップと実装基板を接着固定
したり、あるいは、固定は係る耐性のない(少ない)接
着剤で確実に行いつつ、その表面(ガス側)を上記所定
の樹脂で覆い、シールすることで浸蝕を確実に防止す
る。これにより、長期にわたって安定した検出が行え
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る半導体圧力センサの第1実施例を
示す図である。
【図2】本発明に係る半導体圧力センサの第2実施例を
示す図である。
【図3】本発明に係る半導体圧力センサの第3実施例を
示す図である。
【図4】本発明に係るガスメータの一実施例を示す図で
ある。
【符号の説明】 1 センサチップ 1a ダイアフラム 2 ステム(実装基板) 3 エポキシ系ゲル 4 圧力室 5,5′ 接着剤 6 接着剤(エポキシ系)

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ダイアフラム付きのセンサチップを接着
    剤を介して実装基板上に固定するとともに、前記ダイア
    フラムに対して測定ガス圧力を印加可能としてなる半導
    体圧力センサにおいて、 前記センサチップと前記実装基板との境界部分のうち、
    測定対象のガスと接触する部分に、前記ガスによって浸
    蝕されない所定の樹脂を設けてなることを特徴とする半
    導体圧力センサ。
  2. 【請求項2】 前記所定の樹脂が、エポキシ系樹脂また
    はUV硬化樹脂であることを特徴する請求項1に記載の
    半導体圧力センサ。
  3. 【請求項3】 前記実装基板に凹所を設け、その凹所内
    に前記センサチップを配置するようにし、 前記センサチップの底面と前記凹所の底面との間には、
    ゲル状のエポキシ系樹脂を介在させ、 前記センサチップの側面と前記凹所の内周面との間に接
    着剤を充填し前記センサチップと前記実装基板との固定
    を行うようにした請求項1に記載の半導体圧力センサ。
  4. 【請求項4】 前記実装基板に凹所を設け、その凹所内
    に前記センサチップを配置するようにし、 前記センサチップの側面と前記凹所の内周面との間にゲ
    ル状のエポキシ系樹脂を充填し、 前記センサチップの底面と前記凹所の底面との間に接着
    剤を介在させて前記センサチップと前記実装基板との固
    定を行うようにした請求項1に記載の半導体圧力セン
    サ。
  5. 【請求項5】 前記センサチップと前記実装基板とを固
    定する接着剤として、エポキシ系樹脂,UV硬化樹脂ま
    たはシリコーン樹脂を用いたことを特徴とする請求項1
    に記載の半導体圧力センサ。
  6. 【請求項6】 前記接着剤が、低弾性率を有するもので
    ある請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体圧力セ
    ンサ。
  7. 【請求項7】 少なくともガス流量とガス圧を検出可能
    としたガスメータにおいて、 前記ガス圧の検出用センサとして、請求項1〜6のいず
    れか1項に記載の半導体圧力センサを用いたことを特徴
    とするガスメータ。
JP6891995A 1995-03-03 1995-03-03 半導体圧力センサ及びそれを用いたガスメータ Withdrawn JPH08240498A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6169316B1 (en) 1998-04-06 2001-01-02 Denso Corporation Semiconductor pressure sensor including sensor chip fixed to package by adhesive
JP2013506841A (ja) * 2009-10-01 2013-02-28 ローズマウント インコーポレイテッド 圧力センサマウントを備えた圧力トランスミッタ
CN104748905A (zh) * 2015-03-27 2015-07-01 武汉飞恩微电子有限公司 同时检测空调制冷剂温度和压力的传感器装置
CN113418562A (zh) * 2020-12-31 2021-09-21 杭州三花研究院有限公司 传感器

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