JPH08237082A - ラッチ回路 - Google Patents

ラッチ回路

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JPH08237082A
JPH08237082A JP7036638A JP3663895A JPH08237082A JP H08237082 A JPH08237082 A JP H08237082A JP 7036638 A JP7036638 A JP 7036638A JP 3663895 A JP3663895 A JP 3663895A JP H08237082 A JPH08237082 A JP H08237082A
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JP
Japan
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channel mos
mos transistor
channel
drain
transistor
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JP7036638A
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English (en)
Inventor
Fuminori Tanemura
文法 種村
Hiroyuki Kageyama
博行 景山
Futoshi Umagoe
太 馬越
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 回路規模を大きくすることなくレベルシフト
機能を持たせる。 【構成】 Pchトランジスタ1,2のソースをそれぞれ
DDB 電源に接続し、同ドレインおよびゲートをたすき
掛けに接続し、Pchトランジスタ1のドレインとグラウ
ンドとの間にNchトランジスタ3,7を直列回路とNch
トランジスタ4,8の直列回路とを接続し、Pchトラン
ジスタ2のドレインとグラウンドとの間にNchトランジ
スタ5,9の直列回路とNchトランジスタ6,10の直
列回路とを接続し、Nchトランジスタ3,6のゲートに
制御入力Gを加え、Nchトランジスタ4,5のゲートに
制御入力NGを加え、Nchトランジスタ7のゲートにデ
ータ入力Dを加え、Nchトランジスタ10のゲートに反
転データ入力NDを加え、Nchトランジスタ8のゲート
にPchトランジスタ2のドレインの出力を加え、Nchト
ランジスタ9のゲートにPchトランジスタ1のドレイン
の出力を加える。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、例えばTFTマトリ
クスカラー液晶パネルを駆動する液晶ドライバICの入
力部にTFTマトリクスカラー液晶パネルの列配列に対
応して多数個設けられ、パソコン等から供給されるカラ
ー画像信号等のデジタル信号を保持するラッチ回路に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】図5に液晶パネルを駆動する液晶ドライ
バICの入力部に設けられるラッチ回路とラッチ回路の
出力側に設けられるレベルシフタの回路図を示してい
る。なお、レベルシフタは液晶ドライバに入力されるデ
ジタル信号の電圧レベル(例えば3V)を、液晶パネル
を駆動するアナログ回路の電圧レベル(5V)に変換す
るために設けられている。
【0003】ラッチ回路11は、図5に示すように、電
圧VDDA (例えば、3V)の電源にPチャネルMOS型
電界効果トランジスタ(以下、PチャネルMOSトラン
ジスタと略す)21のソースを接続し、PチャネルMO
Sトランジスタ21のドレインにPチャネルMOSトラ
ンジスタ22のソースを接続し、PチャネルMOSトラ
ンジスタ22のドレインおよびゲートにNチャネルMO
S型電界効果トランジスタ(以下、NチャネルMOSト
ランジスタと略す)23のドレインおよびゲートをそれ
ぞれ接続し、NチャネルMOSトランジスタ23のソー
スにNチャネルMOSトランジスタ24のドレインを接
続し、NチャネルMOSトランジスタ24のソースを接
地している。
【0004】また、電圧VDDA の電源にPチャネルMO
Sトランジスタ25のソースを接続し、PチャネルMO
Sトランジスタ25のドレインおよびゲートにNチャネ
ルMOSトランジスタ26のドレインおよびゲートをそ
れぞれ接続し、NチャネルMOSトランジスタ26のソ
ースを接地し、PチャネルMOSトランジスタ22およ
びNチャネルMOSトランジスタ23の共通接続したド
レインにPチャネルMOSトランジスタ25およびNチ
ャネルMOSトランジスタ26の共通接続したゲートを
接続している。
【0005】また、電圧VDDA の電源にPチャネルMO
Sトランジスタ27のソースを接続し、PチャネルMO
Sトランジスタ27のドレインおよびゲートにNチャネ
ルMOSトランジスタ28のドレインおよびゲートをそ
れぞれ接続し、NチャネルMOSトランジスタ28のソ
ースを接地し、PチャネルMOSトランジスタ25およ
びNチャネルMOSトランジスタ26の共通接続したド
レインにPチャネルMOSトランジスタ27およびNチ
ャネルMOSトランジスタ28の共通接続したゲートを
接続している。
【0006】また、PチャネルMOSトランジスタ27
およびNチャネルMOSトランジスタ28の共通接続し
たドレインにPチャネルMOSトランジスタ29のソー
スおよびNチャネルMOSトランジスタ30のソースを
共通に接続し、PチャネルMOSトランジスタ25およ
びNチャネルMOSトランジスタ26の共通接続したゲ
ートにPチャネルMOSトランジスタ29のドレインお
よびNチャネルMOSトランジスタ30のドレインを共
通に接続している。
【0007】そして、PチャネルMOSトランジスタ2
2およびNチャネルMOSトランジスタ23の共通接続
したゲートをデータ入力信号Dの入力端子とし、Nチャ
ネルMOSトランジスタ24のゲートおよびPチャネル
MOSトランジスタ29のゲートを制御入力信号Gの入
力端子とし、PチャネルMOSトランジスタ21のゲー
トおよびNチャネルMOSトランジスタ30のゲートを
反転制御入力信号NG(NGはGの反転信号を意味す
る)の入力端子としている。
【0008】つぎに、レベルシフタ12は、図5に示す
ように、電圧VDDB (例えば、5V)の電源にPチャネ
ルMOSトランジスタ31のソースおよびPチャネルM
OSトランジスタ32のソースをそれぞれ接続し、Pチ
ャネルMOSトランジスタ31のドレインをPチャネル
MOSトランジスタ32のゲートに接続するとともに、
PチャネルMOSトランジスタ32のドレインをPチャ
ネルMOSトランジスタ31のゲートに接続している。
【0009】また、NチャネルMOSトランジスタ33
のドレインをPチャネルMOSトランジスタ31のドレ
インに接続し、NチャネルMOSトランジスタ33のソ
ースを接地し、NチャネルMOSトランジスタ34のド
レインをPチャネルMOSトランジスタ32のドレイン
に接続し、NチャネルMOSトランジスタ34のそれぞ
れを接地している。
【0010】そして、NチャネルMOSトランジスタ3
3のゲートをラッチ回路11のPチャネルMOSトラン
ジスタ25およびNチャネルMOSトランジスタ26の
共通接続したドレインに接続し、NチャネルMOSトラ
ンジスタ34のゲートをラッチ回路11のPチャネルM
OSトランジスタ27およびNチャネルMOSトランジ
スタ28の共通接続したドレインに接続している。ま
た、PチャネルMOSトランジスタ32のドレインをレ
ベルシフトされたデータ出力信号Qの出力端子としてい
る。なお、PチャネルMOSトランジスタ31のドレイ
ンからはレベルシフトされた反転データ出力信号を取り
出すことができる。
【0011】以上のように構成されたラッチ回路および
レベルシフタの動作を図6を参照しながら説明する。ラ
ッチ回路11は、制御入力信号Gが“H(=VDDA )”
のとき、つまり反転制御入力信号NGが“L(=0)”
のとき)に、データ入力信号Dを取り込むデータ取り込
み動作を行い、制御入力信号Gが“L(=0)”のと
き、つまり、反転制御入力信号NGが“H(=
DDA )”のときに、取り込んだデータ入力信号Dを保
持するデータ保持動作を行う。レベルシフタ12は、ラ
ッチ回路11で保持された信号の“H”の電圧レベルを
電圧VDDA から電圧VDDB にシフトする。
【0012】制御入力信号Gとデータ入力信号Dとが図
6(a),(b)のように変化したとすると、T5 ,T
7 がデータ取り込み期間であり、T6 ,T8 がデータ保
持期間である。データ取り込み期間T5 内の期間T51
53、あるいはデータ取り込み期間T7 の期間T72
は、制御入力信号Gが“H(=VDDA )”でデータ入力
信号Dが“H(=VDDA )”であるので、PチャネルM
OSトランジスタ21がオン、PチャネルMOSトラン
ジスタ22がオフ、NチャネルMOSトランジスタ23
がオン、NチャネルMOSトランジスタ24がオン、P
チャネルMOSトランジスタ29がオフ、NチャネルM
OSトランジスタ30がオフとなる。
【0013】その結果、PチャネルMOSトランジスタ
22およびNチャネルMOSトランジスタ23の共通接
続したドレインの出力が“L(=0)”となり、したが
ってPチャネルMOSトランジスタ25およびNチャネ
ルMOSトランジスタ26の共通接続したゲートへの入
力QAは、図6(c)に示すように、“L(=0)”と
なる。また、PチャネルMOSトランジスタ25がオン
で、NチャネルMOSトランジスタ26がオフとなり、
PチャネルMOSトランジスタ25およびNチャネルM
OSトランジスタ26の共通接続したドレインの出力Q
Bは、図6(d)に示すように、“H(=VDDA )”と
なる。また、PチャネルMOSトランジスタ27がオ
フ、NチャネルMOSトランジスタ28がオンとなり、
PチャネルMOSトランジスタ27およびNチャネルM
OSトランジスタ28の共通接続したドレインの出力は
“L(=0)”となる。
【0014】この結果、レベルシフタ12は、Nチャネ
ルMOSトランジスタ33がオン、NチャネルMOSト
ランジスタ34がオフとなり、PチャネルMOSトラン
ジスタ31がオフ、PチャネルMOSトランジスタ32
がオンとなり、PチャネルMOSトランジスタ32のド
レインに現れるデータ出力信号Qは“H(=VDDB )”
となる。
【0015】また、データ取り込み期間T5 内の期間T
52、あるいはデータ取り込み期間T 7 の期間T71,T73
では、制御入力信号Gが“H(=VDDA )”でデータ入
力信号Dが“L(=0)”であるので、PチャネルMO
Sトランジスタ21がオン、PチャネルMOSトランジ
スタ22がオン、NチャネルMOSトランジスタ23が
オフ、NチャネルMOSトランジスタ24がオン、Pチ
ャネルMOSトランジスタ29がオフ、NチャネルMO
Sトランジスタ30がオフとなる。
【0016】その結果、PチャネルMOSトランジスタ
22およびNチャネルMOSトランジスタ23の共通接
続したドレインの出力が“H(=VDDA )”となり、し
たがってPチャネルMOSトランジスタ25およびNチ
ャネルMOSトランジスタ26のゲートへの入力QA
は、図6(c)に示すように、“H(=VDDA )”とな
る。また、PチャネルMOSトランジスタ25がオフ
で、NチャネルMOSトランジスタ26がオンとなり、
PチャネルMOSトランジスタ25およびNチャネルM
OSトランジスタ26の共通接続したドレインの出力Q
Bは、図6(d)に示すように、“L(=0)”とな
る。また、PチャネルMOSトランジスタ27がオン、
NチャネルMOSトランジスタ28がオフとなり、Pチ
ャネルMOSトランジスタ27およびNチャネルMOS
トランジスタ28の共通接続したドレインの出力は“H
(=VDDA )”となる。
【0017】この結果、レベルシフタ12は、Nチャネ
ルMOSトランジスタ33がオフ、NチャネルMOSト
ランジスタ34がオンとなり、PチャネルMOSトラン
ジスタ31がオン、PチャネルMOSトランジスタ32
がオフとなり、PチャネルMOSトランジスタ32のド
レインに現れるデータ出力信号Qは“L(=0)”とな
る。
【0018】つぎに、データ保持期間T6 ,T8 では、
制御入力信号Gが“L(=0)”であるので、Pチャネ
ルMOSトランジスタ21がオフ、PチャネルMOSト
ランジスタ22がオフ、NチャネルMOSトランジスタ
23がオン、NチャネルMOSトランジスタ24がオ
フ、PチャネルMOSトランジスタ29がオン、Nチャ
ネルMOSトランジスタ30がオンとなる。なお、デー
タ入力信号Dの“H(=VDDA )”、“L(=0)”の
変化に従ってPチャネルMOSトランジスタ22および
NチャネルMOSトランジスタ23が逆相でオンオフを
繰り返すが、ラッチ回路11の出力に影響を及ぼさな
い。
【0019】上記のデータ保持期間T6 の直前のデータ
取り込み期間T5 の最後(期間T53)では、データ入力
信号Dが“H(=VDDA )”となっているので、Pチャ
ネルMOSトランジスタ25およびNチャネルMOSト
ランジスタ26の共通接続したゲートへの入力QAが
“L(=0)”、PチャネルMOSトランジスタ25お
よびNチャネルMOSトランジスタ26の共通接続した
ドレインの出力QBが“H(=VDDA )”、Pチャネル
MOSトランジスタ27およびNチャネルMOSトラン
ジスタ28の共通接続したドレインの出力が“L(=
0)”となっており、この状態で制御入力信号Gが“H
(=VDDA )”から“L(=0)”に反転してPチャネ
ルMOSトランジスタ29およびNチャネルMOSトラ
ンジスタ30がオンとなるので、図6(c)に示すよう
に、データ保持期間T6 が始まると、PチャネルMOS
トランジスタ25およびNチャネルMOSトランジスタ
26の共通接続したゲートへの入力QAが“L(=
0)”の状態が継続する。この結果、PチャネルMOS
トランジスタ25がオンで、NチャネルMOSトランジ
スタ26がオフの状態が継続し、PチャネルMOSトラ
ンジスタ25およびNチャネルMOSトランジスタ26
の共通接続したドレインの出力QBは、図6(d)に示
すように、“H(=VDDA )”の状態を継続する。ま
た、PチャネルMOSトランジスタ27がオフ、Nチャ
ネルMOSトランジスタ28がオンの状態が継続し、P
チャネルMOSトランジスタ27およびNチャネルMO
Sトランジスタ28の共通接続したドレインの出力は
“L(=0)”が継続する。したがって、この期間は、
データ入力信号Dが変化しても、データ保持期間T6
直前のデータ取り込み期間T5 の最後のデータ入力信号
Dの状態が保持される。
【0020】この結果、レベルシフタ12は、Nチャネ
ルMOSトランジスタ33がオン、NチャネルMOSト
ランジスタ34がオフ、PチャネルMOSトランジスタ
31がオフ、PチャネルMOSトランジスタ32がオン
の状態を継続し、PチャネルMOSトランジスタ32の
ドレインに現れるデータ出力信号Qは“H(=
DDB)”の状態を継続する。
【0021】また、データ保持期間T8 の直前のデータ
取り込み期間T7 の最後(期間T73)では、データ入力
信号Dが“L(=0)”となっているので、Pチャネル
MOSトランジスタ25およびNチャネルMOSトラン
ジスタ26の共通接続したゲートへの入力QAが“H
(=VDDA )”、PチャネルMOSトランジスタ25お
よびNチャネルMOSトランジスタ26の共通接続した
ドレインの出力QBが“L(=0)”、PチャネルMO
Sトランジスタ27およびNチャネルMOSトランジス
タ28の共通接続したドレインの出力が“H(=
DDA )”となっており、この状態で制御入力信号Gが
“H(=VDDA )”から“L(=0)”に反転してPチ
ャネルMOSトランジスタ29およびNチャネルMOS
トランジスタ30がオンとなるので、図6(c)に示す
ように、データ保持期間T8 が始まると、PチャネルM
OSトランジスタ25およびNチャネルMOSトランジ
スタ26の共通接続したゲートへの入力QAが“H(=
DDA )”の状態が継続する。この結果、PチャネルM
OSトランジスタ25がオフで、NチャネルMOSトラ
ンジスタ26がオンの状態が継続し、PチャネルMOS
トランジスタ25およびNチャネルMOSトランジスタ
26の共通接続したドレインの出力QBは、図6(d)
に示すように、“L(=0)”の状態を継続する。ま
た、PチャネルMOSトランジスタ27がオン、Nチャ
ネルMOSトランジスタ28がオフの状態が継続し、P
チャネルMOSトランジスタ27およびNチャネルMO
Sトランジスタ28の共通接続したドレインの出力は
“H(=VDDA )”が継続する。したがって、この期間
は、データ入力信号Dが変化しても、データ保持期間T
8 の直前のデータ取り込み期間T7 の最後のデータ入力
信号Dの状態が保持される。
【0022】この結果、レベルシフタ12は、Nチャネ
ルMOSトランジスタ33がオフ、NチャネルMOSト
ランジスタ34がオン、PチャネルMOSトランジスタ
31がオン、PチャネルMOSトランジスタ32がオフ
の状態を継続し、PチャネルMOSトランジスタ32の
ドレインに現れるデータ出力信号Qは“L(=0)”の
状態を継続する。
【0023】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のラッチ
回路は、単にデータを保持するだけで、レベルシフト機
能を有しておらず、保持したデータ出力信号のレベルを
データ入力信号のレベルより高めようとすれば、後段に
レベルシフタが必要となり、ラッチ回路だけではMOS
トランジスタ数は10個であるが、レベルシフタを含め
るとMOSトランジスタ数は14個となって回路規模が
大きくなるという問題があった。
【0024】したがって、この発明の目的は、回路規模
を大きくすることなくレベルシフト機能を持たせること
ができるラッチ回路を提供することである。
【0025】
【課題を解決するための手段】請求項1記載のラッチ回
路は、第1および第2のPチャネルMOSトランジスタ
のソースをそれぞれ電源(正電源)に接続し、第1のP
チャネルMOSトランジスタのドレインを第2のPチャ
ネルMOSトランジスタのゲートに接続し、第2のPチ
ャネルMOSトランジスタのドレインを第1のPチャネ
ルMOSトランジスタのゲートに接続している。
【0026】また、第1および第2のNチャネルMOS
トランジスタのドレインを第1のPチャネルMOSトラ
ンジスタのドレインにそれぞれ接続し、第3および第4
のNチャネルMOSトランジスタのドレインを第2のP
チャネルMOSトランジスタのドレインにそれぞれ接続
し、第1および第4のNチャネルMOSトランジスタの
ゲートを共通接続し、第2および第3のNチャネルMO
Sトランジスタのゲートを共通接続している。
【0027】また、第5,第6,第7および第8のNチ
ャネルMOSトランジスタのドレインを第1,第2,第
3および第4のNチャネルMOSトランジスタのソース
にそれぞれ接続し、第5,第6,第7および第8のNチ
ャネルMOSトランジスタのソースをそれぞれ接地し、
第6のNチャネルMOSトランジスタのゲートを第2の
PチャネルMOSトランジスタのドレインに接続すると
ともに、第7のNチャネルMOSトランジスタのゲート
を第1のPチャネルMOSトランジスタのドレインに接
続している。
【0028】そして、第5のNチャネルMOSトランジ
スタのゲートをデータ入力信号の入力端子とするととも
に、第8のNチャネルMOSトランジスタのゲートを反
転データ入力信号の入力端子とし、第1および第4のN
チャネルMOSトランジスタの共通接続したゲートを制
御入力信号の入力端子とするとともに、第2および第3
のNチャネルMOSトランジスタの共通接続したゲート
を反転制御入力信号の入力端子とし、第2のPチャネル
MOSトランジスタのドレインをデータ出力信号の出力
端子としている。
【0029】請求項2記載のラッチ回路は、第1および
第2のNチャネルMOSトランジスタのソースをそれぞ
れ電源(負電源)に接続し、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのドレインを第2のNチャネルMOSトラン
ジスタのゲートに接続し、第2のNチャネルMOSトラ
ンジスタのドレインを第1のNチャネルMOSトランジ
スタのゲートに接続している。
【0030】また、第1および第2のPチャネルMOS
トランジスタのドレインを第1のNチャネルMOSトラ
ンジスタのドレインにそれぞれ接続し、第3および第4
のPチャネルMOSトランジスタのドレインを第2のN
チャネルMOSトランジスタのドレインにそれぞれ接続
し、第1および第4のPチャネルMOSトランジスタの
ゲートを共通接続し、第2および第3のPチャネルMO
Sトランジスタのゲートを共通接続している。
【0031】また、第5,第6,第7および第8のPチ
ャネルMOSトランジスタのドレインを第1,第2,第
3および第4のPチャネルMOSトランジスタのソース
にそれぞれ接続し、第5,第6,第7および第8のPチ
ャネルMOSトランジスタのソースをそれぞれ接地し、
第6のPチャネルMOSトランジスタのゲートを第2の
NチャネルMOSトランジスタのドレインに接続すると
ともに、第7のPチャネルMOSトランジスタのゲート
を第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに接
続している。
【0032】そして、第5のPチャネルMOSトランジ
スタのゲートをデータ入力信号の入力端子とするととも
に、第8のPチャネルMOSトランジスタのゲートを反
転データ入力信号の入力端子とし、第1および第4のP
チャネルMOSトランジスタの共通接続したゲートを制
御入力信号の入力端子とするとともに、第2および第3
のPチャネルMOSトランジスタの共通接続したゲート
を反転制御入力信号の入力端子とし、第2のNチャネル
MOSトランジスタのドレインをデータ出力信号の出力
端子としている。
【0033】
【作用】請求項1記載の構成によれば、制御入力信号が
“H”(正電圧)のときには、第1および第4のNチャ
ネルMOSトランジスタがオンとなり、第2および第3
のNチャネルMOSトランジスタがオフとなる。この場
合において、データ入力信号が“H”のときは、第5の
NチャネルMOSトランジスタがオンとなり、第8のN
チャネルMOSトランジスタがオフとなるので、第2の
PチャネルMOSトランジスタのゲートが“L”(グラ
ウンド電位)となって第2のPチャネルMOSトランジ
スタがオンとなり、第2のPチャネルMOSトランジス
タのドレインの出力であるデータ出力信号が“H”とな
る。したがって、第1のPチャネルMOSトランジスタ
のゲートが“H”となって第1のPチャネルMOSトラ
ンジスタがオフとなり、第1のPチャネルMOSトラン
ジスタのドレインの出力は“L”となる。このとき、第
6のNチャネルMOSトランジスタがオンで、第7のN
チャネルMOSトランジスタがオフとなっている。
【0034】また、データ入力信号が“L”のときは、
第5のNチャネルMOSトランジスタがオフとなり、第
8のNチャネルMOSトランジスタがオンとなるので、
第1のPチャネルMOSトランジスタのゲートが“L”
となって第1のPチャネルMOSトランジスタがオンと
なり、第1のPチャネルMOSトランジスタのドレイン
の出力が“H”となる。したがって、第2のPチャネル
MOSトランジスタのゲートが“H”となって第2のP
チャネルMOSトランジスタがオフとなり、第2のPチ
ャネルMOSトランジスタのドレインの出力であるデー
タ出力信号が“L”となる。このとき、第6のNチャネ
ルMOSトランジスタがオフで、第7のNチャネルMO
Sトランジスタがオンとなっている。
【0035】また、制御入力信号が“H”から“L”と
なる直前において、データ入力信号が“H”のときは、
第5および第6のNチャネルMOSトランジスタがオ
ン、第7および第8のNチャネルMOSトランジスタが
オフとなっているが、この状態で制御入力信号が“H”
から“L”と変化したときには、第1および第4のNチ
ャネルMOSトランジスタがオンからオフに変化し、第
2および第3のNチャネルMOSトランジスタがオフか
らオンに変化し、第2のNチャネルMOSトランジスタ
がオンとなることによって、第1のPチャネルMOSト
ランジスタのドレインの出力が“L”で第2のPチャネ
ルMOSトランジスタのドレインの出力が“H”の状態
が保持される。
【0036】また、制御入力信号が“H”から“L”と
なる直前において、データ入力信号が“L”のときは、
第5および第6のNチャネルMOSトランジスタがオ
フ、第7および第8のNチャネルMOSトランジスタが
オンとなっているが、この状態で制御入力信号が“H”
から“L”と変化したときには、第1および第4のNチ
ャネルMOSトランジスタがオンからオフに変化し、第
2および第3のNチャネルMOSトランジスタがオフか
らオンに変化し、第3のNチャネルMOSトランジスタ
がオンとなることによって、第1のPチャネルMOSト
ランジスタのドレインの出力が“H”で第2のPチャネ
ルMOSトランジスタのドレインの出力が“L”の状態
が保持される。
【0037】請求項2記載の構成によれば、制御入力信
号が“L”(負電圧)のときには、第1および第4のP
チャネルMOSトランジスタがオンとなり、第2および
第3のPチャネルMOSトランジスタがオフとなる。こ
の場合において、データ入力信号が“L”のときは、第
5のPチャネルMOSトランジスタがオンとなり、第8
のPチャネルMOSトランジスタがオフとなるので、第
2のNチャネルMOSトランジスタのゲートが“H”
(グラウンド電位)となって第2のNチャネルMOSト
ランジスタがオンとなり、第2のNチャネルMOSトラ
ンジスタのドレインの出力であるデータ出力信号が
“L”となる。したがって、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのゲートが“L”となって第1のNチャネル
MOSトランジスタがオフとなり、第1のNチャネルM
OSトランジスタのドレインの出力は“H”となる。こ
のとき、第6のPチャネルMOSトランジスタがオン
で、第7のPチャネルMOSトランジスタがオフとなっ
ている。
【0038】また、データ入力信号が“H”のときは、
第5のPチャネルMOSトランジスタがオフとなり、第
8のPチャネルMOSトランジスタがオンとなるので、
第1のNチャネルMOSトランジスタのゲートが“H”
となって第1のNチャネルMOSトランジスタがオンと
なり、第1のNチャネルMOSトランジスタのドレイン
の出力が“L”となる。したがって、第2のNチャネル
MOSトランジスタのゲートが“L”となって第2のN
チャネルMOSトランジスタがオフとなり、第2のNチ
ャネルMOSトランジスタのドレインの出力であるデー
タ出力信号が“H”となる。このとき、第6のPチャネ
ルMOSトランジスタがオフで、第7のPチャネルMO
Sトランジスタがオンとなっている。
【0039】また、制御入力信号が“L”から“H”と
なる直前において、データ入力信号が“L”のときは、
第5および第6のPチャネルMOSトランジスタがオ
ン、第7および第8のPチャネルMOSトランジスタが
オフとなっているが、この状態で制御入力信号が“L”
から“H”と変化したときには、第1および第4のPチ
ャネルMOSトランジスタがオンからオフに変化し、第
2および第3のPチャネルMOSトランジスタがオフか
らオンに変化し、第2のPチャネルMOSトランジスタ
がオンとなることによって、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのドレインの出力が“H”で第2のNチャネ
ルMOSトランジスタのドレインの出力が“L”の状態
が保持される。
【0040】また、制御入力信号が“L”から“H”と
なる直前において、データ入力信号が“H”のときは、
第5および第6のPチャネルMOSトランジスタがオ
フ、第7および第8のPチャネルMOSトランジスタが
オンとなっているが、この状態で制御入力信号が“L”
から“H”と変化したときには、第1および第4のPチ
ャネルMOSトランジスタがオンからオフに変化し、第
2および第3のPチャネルMOSトランジスタがオフか
らオンに変化し、第3のPチャネルMOSトランジスタ
がオンとなることによって、第1のNチャネルMOSト
ランジスタのドレインの出力が“L”で第2のNチャネ
ルMOSトランジスタのドレインの出力が“H”の状態
が保持される。
【0041】
【実施例】この発明の一実施例を図1および図2に基づ
いて説明する。このラッチ回路は、図1に示すように、
第1および第2のPチャネルMOSトランジスタ1,2
のソースをそれぞれ電圧VDDB (例えば、5V)の電源
(正電源)に接続し、第1のPチャネルMOSトランジ
スタ1のドレインを第2のPチャネルMOSトランジス
タ2のゲートに接続し、第2のPチャネルMOSトラン
ジスタ2のドレインを第1のPチャネルMOSトランジ
スタ1のゲートに接続している。
【0042】また、第1および第2のNチャネルMOS
トランジスタ3,4のドレインを第1のPチャネルMO
Sトランジスタ1のドレインにそれぞれ接続し、第3お
よび第4のNチャネルMOSトランジスタ5,6のドレ
インを第2のPチャネルMOSトランジスタ2のドレイ
ンにそれぞれ接続し、第1および第4のNチャネルMO
Sトランジスタ3,6のゲートを共通接続し、第2およ
び第3のNチャネルMOSトランジスタ4,5のゲート
を共通接続している。
【0043】また、第5,第6,第7および第8のNチ
ャネルMOSトランジスタ7,8,9,10のドレイン
を第1,第2,第3および第4のNチャネルMOSトラ
ンジスタ3,4,5,6のソースにそれぞれ接続し、第
5,第6,第7および第8のNチャネルMOSトランジ
スタ7,8,9,10のソースをそれぞれ接地し、第6
のNチャネルMOSトランジスタ8のゲートを第2のP
チャネルMOSトランジスタ2のドレインに接続すると
ともに、第7のNチャネルMOSトランジスタ9のゲー
トを第1のPチャネルMOSトランジスタ1のドレイン
に接続している。
【0044】そして、第5のNチャネルMOSトランジ
スタ7のゲートをデータ入力信号Dの入力端子とすると
ともに、第8のNチャネルMOSトランジスタ10のゲ
ートを反転データ入力信号ND(NDはDの反転信号を
意味する)の入力端子とし、第1および第4のNチャネ
ルMOSトランジスタ3,6の共通接続したゲートを制
御入力信号Gの入力端子とするとともに、第2および第
3のNチャネルMOSトランジスタ4,5の共通接続し
たゲートを反転制御入力信号NG(NGはGの反転信号
を意味する)の入力端子とし、第2のPチャネルMOS
トランジスタ2のドレインをデータ出力信号Qの出力端
子としている。また、第1のPチャネルMOSトランジ
スタ1のドレインからは反転データ出力信号NQ(NQ
はQの反転信号を意味する)が出力される。
【0045】以上のように構成されたこの実施例のラッ
チ回路の動作を図2を参照しながら説明する。このラッ
チ回路は、制御入力信号Gが“H(=VDDA (図示しな
い前段回路の電源電圧))”のとき、つまり反転制御入
力信号NGが“L(=0)”のとき)に、データ入力信
号Dを取り込むデータ取り込み動作を行い、制御入力信
号Gが“L(=0)”のとき、つまり、反転制御入力信
号NGが“H(=VDDA )”のときに、取り込んだデー
タ入力信号Dを保持するデータ保持動作を行う。
【0046】このラッチ回路には、電圧VDDB が加えら
れているので、データ出力信号Qのレベルは、“H”が
電圧VDDB となり、“L”が接地電位となる。したがっ
て、“H”が電圧VDDA (=3V)で“L”が接地電位
であるデータ入力信号Dは、“H”が電圧VDDB (=5
V)と“L”が接地電位であるデータ出力信号Qにレベ
ルシフトされることになり、レベルシフト機能を有する
ラッチ回路として動作し、電圧VDDB を変更することに
より、データ出力信号Qのレベルを任意に変更すること
ができ、特異な例とし、VDDB =VDDA とすれば、レベ
ルシフトをしないラッチ回路となる。
【0047】制御入力信号Gとデータ入力信号Dとが図
2(a),(b)のように変化したとすると、T1 ,T
3 がデータ取り込み期間であり、T2 ,T4 がデータ保
持期間である。データ取り込み期間T1 内の期間T11
13、あるいはデータ取り込み期間T3 の期間T32
は、制御入力信号Gが“H(=VDDA )”でデータ入力
信号Dが“H(=VDDA )”であるので、NチャネルM
OSトランジスタ3,6がオン、NチャネルMOSトラ
ンジスタ4,5がオフ、NチャネルMOSトランジスタ
7がオン、NチャネルMOSトランジスタ10がオフと
なる。
【0048】その結果、PチャネルMOSトランジスタ
2のゲートが“L(=0)”となって、PチャネルMO
Sトランジスタ2がオンとなり、PチャネルMOSトラ
ンジスタ2のドレインの出力、つまりデータ出力信号Q
が図2(c)に示すように“H(=VDDB )”となり、
したがって、PチャネルMOSトランジスタ1のゲート
が“H(=VDDB )”となって、PチャネルMOSトラ
ンジスタ1がオフとなり、PチャネルMOSトランジス
タ1のドレインの出力、つまり反転データ出力信号NQ
が図2(d)に示すように“L(=0)”となる。この
とき、NチャネルMOSトランジスタ8はオンで、Nチ
ャネルMOSトランジスタ9はオフとなっている。
【0049】また、データ取り込み期間T1 内の期間T
12、あるいはデータ取り込み期間T 3 の期間T31,T33
では、制御入力信号Gが“H(=VDDA )”でデータ入
力信号Dが“L(=0)”であるので、NチャネルMO
Sトランジスタ3,6がオン、NチャネルMOSトラン
ジスタ4,5がオフ、NチャネルMOSトランジスタ7
がオフ、NチャネルMOSトランジスタ10がオンとな
る。
【0050】その結果、PチャネルMOSトランジスタ
1のゲートが“L(=0)”となって、PチャネルMO
Sトランジスタ1がオンとなり、PチャネルMOSトラ
ンジスタ1のドレインの出力、つまり反転データ出力信
号NQが図2(d)に示すように“H(=VDDB )”と
なり、したがって、PチャネルMOSトランジスタ2の
ゲートが“H(=VDDB )”となって、PチャネルMO
Sトランジスタ2がオフとなり、PチャネルMOSトラ
ンジスタ2のドレインの出力、つまりデータ出力信号Q
が図2(c)に示すように“L(=0)”となる。この
とき、NチャネルMOSトランジスタ8はオフで、Nチ
ャネルMOSトランジスタ9はオンとなっている。
【0051】つぎに、データ保持期間T2 ,T4 では、
制御入力信号Gが“L(=0)”であるので、Nチャネ
ルMOSトランジスタ3,6がオフ、NチャネルMOS
トランジスタ4,5がオンとなる。なお、このとき、デ
ータ入力信号Dの“H(=V DDA )”、“L(=0)”
の変化に従って、NチャネルMOSトランジスタ7がオ
フでNチャネルMOSトランジスタ10がオンの状態と
NチャネルMOSトランジスタ7がオンでNチャネルM
OSトランジスタ10がオフの状態とを繰り返すことに
なるが、ラッチ回路の出力に影響を与えない。上記のデ
ータ保持期間T2 の直前のデータ取り込み期間T1 の最
後(期間T13)では、データ入力信号Dが“H(=V
DDA )”となっているので、PチャネルMOSトランジ
スタ1がオフ、PチャネルMOSトランジスタ2がオ
ン、NチャネルMOSトランジスタ3,6,7,8がオ
ン、NチャネルMOSトランジスタ4,5,9,10が
オフとなっており、PチャネルMOSトランジスタ1の
ドレインの出力、つまり反転データ出力信号NQが“L
(=0)”、PチャネルMOSトランジスタ2のドレイ
ンの出力、つまりデータ出力信号Qが“H(=
DDA)”となっている。この状態でデータ保持期間T
2 が始まり制御入力信号Gが“H(=VDDA )”から
“L(=0)”に反転すると、NチャネルMOSトラン
ジスタ4がオフからオンに変化するので、NチャネルM
OSトランジスタ3がオンからオフに変化しても、Pチ
ャネルMOSトランジスタ1のドレインの出力、つまり
反転データ出力信号NQが“L(=0)”の状態が保持
され、また、PチャネルMOSトランジスタ2のドレイ
ンの出力、つまり、データ出力信号Qが“H(=
DDB )”の状態が保持される。
【0052】したがって、この期間は、データ入力信号
Dが変化しても、データ保持期間T 2 の直前のデータ取
り込み期間T1 の最後のデータ入力信号Dの状態が保持
される。また、データ保持期間T4 の直前のデータ取り
込み期間T3 の最後(期間T33)では、データ入力信号
Dが“L(=0)”となっているので、PチャネルMO
Sトランジスタ1がオン、PチャネルMOSトランジス
タ2がオフ、NチャネルMOSトランジスタ3,6,
9,10がオン、NチャネルMOSトランジスタ4,
5,7,8がオフとなっており、PチャネルMOSトラ
ンジスタ1のドレインの出力、つまり反転データ出力信
号NQが“H(=VDDA )”、PチャネルMOSトラン
ジスタ2のドレインの出力、つまりデータ出力信号Qが
“L(=0)”となっている。この状態でデータ保持期
間T4 が始まり制御入力信号Gが“H(=VDDA )”か
ら“L(=0)”に反転すると、NチャネルMOSトラ
ンジスタ5がオフからオンに変化するので、Nチャネル
MOSトランジスタ6がオンからオフに変化しても、P
チャネルMOSトランジスタ2のドレインの出力、つま
りデータ出力信号Qが“L(=0)”の状態が保持さ
れ、また、PチャネルMOSトランジスタ1のドレイン
の出力、つまり、反転データ出力信号NQが“H(=V
DDB )”の状態が保持される。
【0053】したがって、この期間は、データ入力信号
Dが変化しても、データ保持期間T 4 の直前のデータ取
り込み期間T3 の最後のデータ入力信号Dの状態が保持
される。この実施例によれば、レベルシフト機能を持た
ない従来のラッチ回路11と同じ個数のMOSトランジ
スタ1〜10により、レベルシフト機能を持ったラッチ
回路を実現することができる。つまり、従来例に比べて
回路規模を大きくすることなくレベルシフト機能を持た
せることができる。
【0054】また、この実施例のラッチ回路は、回路構
成が左右対象となっているので、集積回路化のパターン
構成が容易であり、特にマトリクスカラー液晶パネルを
駆動する液晶ドライバの場合、マトリクスカラー液晶パ
ネルの各列に対応してラッチ回路を設けることが必要で
あるが、この場合に有利である。なお、従来例では不要
であった反転データ入力信号NQが必要となっている
が、この反転データ入力信号NQは前段の回路から、デ
ータ入力信号Qと同時に出力されているもので、データ
入力信号Qを反転して反転データ入力信号NQを作成す
る回路は必要ではなく、反転データ入力信号NQが必要
となっても、このことでMOSトランジスタ数が増加す
ることはない。
【0055】つぎに、この発明の他の実施例を図3およ
び図4に基づいて説明する。このラッチ回路は、図3に
示すように、第1および第2のNチャネルMOSトラン
ジスタ1′,2′のソースをそれぞれ電圧−VDDB (例
えば、−5V)の電源(負電源)に接続し、第1のNチ
ャネルMOSトランジスタ1′のドレインを第2のNチ
ャネルMOSトランジスタ2′のゲートに接続し、第2
のNチャネルMOSトランジスタ2′のドレインを第1
のNチャネルMOSトランジスタ1′のゲートに接続し
ている。
【0056】また、第1および第2のPチャネルMOS
トランジスタ3′,4′のドレインを第1のNチャネル
MOSトランジスタ1′のドレインにそれぞれ接続し、
第3および第4のPチャネルMOSトランジスタ5′,
6′のドレインを第2のNチャネルMOSトランジスタ
2′のドレインにそれぞれ接続し、第1および第4のP
チャネルMOSトランジスタ3′,6′のゲートを共通
接続し、第2および第3のPチャネルMOSトランジス
タ4′,5′のゲートを共通接続している。
【0057】また、第5,第6,第7および第8のPチ
ャネルMOSトランジスタ7′,8′,9′,10′の
ドレインを第1,第2,第3および第4のPチャネルM
OSトランジスタ3′,4′,5′,6′のソースにそ
れぞれ接続し、第5,第6,第7および第8のPチャネ
ルMOSトランジスタ7′,8′,9′,10′のソー
スをそれぞれ接地し、第6のPチャネルMOSトランジ
スタ8′のゲートを第2のNチャネルMOSトランジス
タ2′のドレインに接続するとともに、第7のPチャネ
ルMOSトランジスタ9′のゲートを第1のNチャネル
MOSトランジスタ1′のドレインに接続している。
【0058】そして、第5のPチャネルMOSトランジ
スタ7′のゲートをデータ入力信号Dの入力端子とする
とともに、第8のPチャネルMOSトランジスタ10′
のゲートを反転データ入力信号ND(NDはDの反転信
号を意味する)の入力端子とし、第1および第4のPチ
ャネルMOSトランジスタ3′,6′の共通接続したゲ
ートを制御入力信号Gの入力端子とするとともに、第2
および第3のPチャネルMOSトランジスタ4′,5′
の共通接続したゲートを反転制御入力信号NG(NGは
Gの反転信号を意味する)の入力端子とし、第2のNチ
ャネルMOSトランジスタ2′のドレインをデータ出力
信号Qの出力端子としている。また、第1のNチャネル
MOSトランジスタ1′のドレインからは反転データ出
力信号NQ(NQはQの反転信号を意味する)が出力さ
れる。
【0059】以上のように構成されたこの実施例のラッ
チ回路の動作を図4を参照しながら説明する。このラッ
チ回路は、制御入力信号Gが“L(=−VDDA (図示し
ない前段回路の電源電圧))”のとき、つまり反転制御
入力信号NGが“H(=0)”のとき)に、データ入力
信号Dを取り込むデータ取り込み動作を行い、制御入力
信号Gが“H(=0)”のとき、つまり、反転制御入力
信号NGが“L(=−VDDA )”のときに、取り込んだ
データ入力信号Dを保持するデータ保持動作を行う。
【0060】このラッチ回路には、電圧−VDDB (負電
源)が加えられているので、データ出力信号Qのレベル
は、“L”が電圧−VDDB となり、“H”が接地電位と
なる。したがって、“L”が電圧−VDDA (=−3V)
で“H”が接地電位であるデータ入力信号Dは、“L”
が電圧−VDDB (=−5V)と“H”が接地電位である
データ出力信号Qにレベルシフトされることになり、レ
ベルシフト機能を有するラッチ回路として動作し、電圧
−VDDB を変更することにより、データ出力信号Qのレ
ベルを任意に変更することができ、特異な例とし、−V
DDB =−VDDAとすれば、レベルシフトをしないラッチ
回路となる。
【0061】制御入力信号Gとデータ入力信号Dとが図
4(a),(b)のように変化したとすると、T1 ′,
3 ′がデータ取り込み期間であり、T2 ′,T4 ′が
データ保持期間である。データ取り込み期間T1 ′内の
期間T11′,T13′、あるいはデータ取り込み期間
3 ′の期間T32′では、制御入力信号Gが“L(=−
DDA )”でデータ入力信号Dが“L(=−VDDA )”
であるので、PチャネルMOSトランジスタ3′,6′
がオン、PチャネルMOSトランジスタ4′,5′がオ
フ、PチャネルMOSトランジスタ7′がオン、Pチャ
ネルMOSトランジスタ10′がオフとなる。
【0062】その結果、NチャネルMOSトランジスタ
2′のゲートが“H(=0)”となって、NチャネルM
OSトランジスタ2′がオンとなり、NチャネルMOS
トランジスタ2′のドレインの出力、つまりデータ出力
信号Qが図4(c)に示すように“L(=−VDDB )”
となり、したがって、NチャネルMOSトランジスタ
1′のゲートが“L(=−VDDB )”となって、Nチャ
ネルMOSトランジスタ1′がオフとなり、Nチャネル
MOSトランジスタ1′のドレインの出力、つまり反転
データ出力信号NQが図4(d)に示すように“H(=
0)”となる。このとき、PチャネルMOSトランジス
タ8′はオンで、PチャネルMOSトランジスタ9′は
オフとなっている。
【0063】また、データ取り込み期間T1 ′内の期間
12′、あるいはデータ取り込み期間T3 ′の期間
31′,T33′では、制御入力信号Gが“L(=−V
DDA )”でデータ入力信号Dが“H(=0)”であるの
で、PチャネルMOSトランジスタ3′,6′がオン、
PチャネルMOSトランジスタ4′,5′がオフ、Pチ
ャネルMOSトランジスタ7′がオフ、PチャネルMO
Sトランジスタ10′がオンとなる。
【0064】その結果、NチャネルMOSトランジスタ
1′のゲートが“H(=0)”となって、NチャネルM
OSトランジスタ1′がオンとなり、NチャネルMOS
トランジスタ1′のドレインの出力、つまり反転データ
出力信号NQが図4(d)に示すように“L(=−V
DDB )”となり、したがって、NチャネルMOSトラン
ジスタ2′のゲートが“L(=−VDDB )”となって、
NチャネルMOSトランジスタ2′がオフとなり、Nチ
ャネルMOSトランジスタ2′のドレインの出力、つま
りデータ出力信号Qが図4(c)に示すように“H(=
0)”となる。このとき、PチャネルMOSトランジス
タ8′はオフで、PチャネルMOSトランジスタ9′は
オンとなっている。
【0065】つぎに、データ保持期間T2 ′,T4 ′で
は、制御入力信号Gが“H(=0)”であるので、Pチ
ャネルMOSトランジスタ3′,6′がオフ、Pチャネ
ルMOSトランジスタ4′,5′がオンとなる。なお、
このとき、データ入力信号Dの“L(=−VDDA )”、
“H(=0)”の変化に従って、PチャネルMOSトラ
ンジスタ7′がオフでPチャネルMOSトランジスタ1
0′がオンの状態とPチャネルMOSトランジスタ7′
がオンでPチャネルMOSトランジスタ10′がオフの
状態とを繰り返すことになるが、ラッチ回路の出力に影
響を与えない。
【0066】上記のデータ保持期間T2 ′の直前のデー
タ取り込み期間T1 ′の最後(期間T13′)では、デー
タ入力信号Dが“L(=−VDDA )”となっているの
で、NチャネルMOSトランジスタ1′がオフ、Nチャ
ネルMOSトランジスタ2′がオン、PチャネルMOS
トランジスタ3′,6′,7′,8′がオン、Pチャネ
ルMOSトランジスタ4′,5′,9′,10′がオフ
となっており、NチャネルMOSトランジスタ1′のド
レインの出力、つまり反転データ出力信号NQが“H
(=0)”、NチャネルMOSトランジスタ2′のドレ
インの出力、つまりデータ出力信号Qが“L(=−V
DDA )”となっている。この状態でデータ保持期間
2 ′が始まり制御入力信号Gが“L(=−VDDA )”
から“H(=0)”に反転すると、PチャネルMOSト
ランジスタ4′がオフからオンに変化するので、Pチャ
ネルMOSトランジスタ3′がオンからオフに変化して
も、NチャネルMOSトランジスタ1′のドレインの出
力、つまり反転データ出力信号NQが“H(=0)”の
状態が保持され、また、NチャネルMOSトランジスタ
2′のドレインの出力、つまり、データ出力信号Qが
“L(=−VDDB )”の状態が保持される。
【0067】したがって、この期間は、データ入力信号
Dが変化しても、データ保持期間T 2 ′の直前のデータ
取り込み期間T1 ′の最後のデータ入力信号Dの状態が
保持される。また、データ保持期間T4 ′の直前のデー
タ取り込み期間T3 ′の最後(期間T33′)では、デー
タ入力信号Dが“H(=0)”となっているので、Nチ
ャネルMOSトランジスタ1′がオン、NチャネルMO
Sトランジスタ2′がオフ、PチャネルMOSトランジ
スタ3′,6′,9′,10′がオン、PチャネルMO
Sトランジスタ4′,5′,7′,8′がオフとなって
おり、NチャネルMOSトランジスタ1′のドレインの
出力、つまり反転データ出力信号NQが“L(=−V
DDA )”、NチャネルMOSトランジスタ2′のドレイ
ンの出力、つまりデータ出力信号Qが“H(=0)”と
なっている。この状態でデータ保持期間T 4 ′が始まり
制御入力信号Gが“L(=−VDDA )”から“H(=
0)”に反転すると、PチャネルMOSトランジスタ
5′がオフからオンに変化するので、PチャネルMOS
トランジスタ6′がオンからオフに変化しても、Nチャ
ネルMOSトランジスタ2′のドレインの出力、つまり
データ出力信号Qが“H(=0)”の状態が保持され、
また、NチャネルMOSトランジスタ1′のドレインの
出力、つまり、反転データ出力信号NQが“L(=−V
DDB )”の状態が保持される。
【0068】したがって、この期間は、データ入力信号
Dが変化しても、データ保持期間T 4 ′の直前のデータ
取り込み期間T3 ′の最後のデータ入力信号Dの状態が
保持される。この実施例の効果は上述したこの発明の一
実施例と同様である。
【0069】
【発明の効果】請求項1記載のラッチ回路によれば、第
1および第2のPチャネルMOSトランジスタと第1な
いし第8のNチャネルMOSトランジスタとを組み合わ
せることにより、従来例に比べて回路規模を大きくする
ことなく正電圧のレベルシフト機能を持たせることがで
きる。
【0070】請求項2記載のラッチ回路によれば、第1
および第2のNチャネルMOSトランジスタと第1ない
し第8のPチャネルMOSトランジスタとを組み合わせ
ることにより、従来例に比べて回路規模を大きくするこ
となく負電圧のレベルシフト機能を持たせることができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の一実施例のレベルシフト機能を有す
るラッチ回路の構成を示す回路図である。
【図2】図1のラッチ回路の動作を示すタイムチャート
である。
【図3】この発明の他の実施例のレベルシフト機能を有
するラッチ回路の構成を示す回路図である。
【図4】図3のラッチ回路の動作を示すタイムチャート
である。
【図5】従来のラッチ回路およびレベルシフタの一例の
構成を示す回路図である。
【図6】図5のラッチ回路の動作を示すタイムチャート
である。
【符号の説明】
1 第1のPチャネルMOSトランジスタ 2 第2のPチャネルMOSトランジスタ 3 第1のNチャネルMOSトランジスタ 4 第2のNチャネルMOSトランジスタ 5 第3のNチャネルMOSトランジスタ 6 第4のNチャネルMOSトランジスタ 7 第5のNチャネルMOSトランジスタ 8 第6のNチャネルMOSトランジスタ 9 第7のNチャネルMOSトランジスタ 10 第8のNチャネルMOSトランジスタ 1′ 第1のNチャネルMOSトランジスタ 2′ 第2のNチャネルMOSトランジスタ 3′ 第1のPチャネルMOSトランジスタ 4′ 第2のPチャネルMOSトランジスタ 5′ 第3のPチャネルMOSトランジスタ 6′ 第4のPチャネルMOSトランジスタ 7′ 第5のPチャネルMOSトランジスタ 8′ 第6のPチャネルMOSトランジスタ 9′ 第7のPチャネルMOSトランジスタ 10′ 第8のPチャネルMOSトランジスタ

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ソースを電源に接続した第1のPチャネ
    ルMOSトランジスタと、 ソースを前記電源に接続し、ドレインを前記第1のPチ
    ャネルMOSトランジスタのゲートに接続し、ゲートを
    前記第1のPチャネルMOSトランジスタのドレインに
    接続した第2のPチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第1のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続した第1のNチャネルMOSトランジス
    タと、 ドレインを前記第1のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続した第2のNチャネルMOSトランジス
    タと、 ドレインを前記第2のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続し、ゲートを前記第2のNチャネルMO
    Sトランジスタのゲートに接続した第3のNチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第2のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続し、ゲートを前記第1のNチャネルMO
    Sトランジスタのゲートに接続した第4のNチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地した第5のNチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第2のNチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地し、ゲートを前記第2の
    PチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第
    6のNチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第3のNチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地し、ゲートを前記第1の
    PチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第
    7のNチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第4のNチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地した第8のNチャネルM
    OSトランジスタとを備え、 前記第5のNチャネルMOSトランジスタのゲートをデ
    ータ入力信号の入力端子とし、前記第8のNチャネルM
    OSトランジスタのゲートを反転データ入力信号の入力
    端子とし、前記第1および第4のNチャネルMOSトラ
    ンジスタの共通接続したゲートを制御入力信号の入力端
    子とし、前記第2および第3のNチャネルMOSトラン
    ジスタの共通接続したゲートを反転制御入力信号の入力
    端子とし、前記第2のPチャネルMOSトランジスタの
    ドレインをデータ出力信号の出力端子としたラッチ回
    路。
  2. 【請求項2】 ソースを電源に接続した第1のNチャネ
    ルMOSトランジスタと、 ソースを前記電源に接続し、ドレインを前記第1のNチ
    ャネルMOSトランジスタのゲートに接続し、ゲートを
    前記第1のNチャネルMOSトランジスタのドレインに
    接続した第2のNチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続した第1のPチャネルMOSトランジス
    タと、 ドレインを前記第1のNチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続した第2のPチャネルMOSトランジス
    タと、 ドレインを前記第2のNチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続し、ゲートを前記第2のPチャネルMO
    Sトランジスタのゲートに接続した第3のPチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第2のNチャネルMOSトランジスタの
    ドレインに接続し、ゲートを前記第1のPチャネルMO
    Sトランジスタのゲートに接続した第4のPチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第1のPチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地した第5のPチャネルM
    OSトランジスタと、 ドレインを前記第2のPチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地し、ゲートを前記第2の
    NチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第
    6のPチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第3のPチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地し、ゲートを前記第1の
    NチャネルMOSトランジスタのドレインに接続した第
    7のPチャネルMOSトランジスタと、 ドレインを前記第4のPチャネルMOSトランジスタの
    ソースに接続し、ソースを接地した第8のPチャネルM
    OSトランジスタとを備え、 前記第5のPチャネルMOSトランジスタのゲートをデ
    ータ入力信号の入力端子とし、前記第8のPチャネルM
    OSトランジスタのゲートを反転データ入力信号の入力
    端子とし、前記第1および第4のPチャネルMOSトラ
    ンジスタの共通接続したゲートを制御入力信号の入力端
    子とし、前記第2および第3のPチャネルMOSトラン
    ジスタの共通接続したゲートを反転制御入力信号の入力
    端子とし、前記第2のNチャネルMOSトランジスタの
    ドレインをデータ出力信号の出力端子としたラッチ回
    路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013009310A (ja) * 2011-05-20 2013-01-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置

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