JPH08235894A - Flash memory and flash memory control device - Google Patents

Flash memory and flash memory control device

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Publication number
JPH08235894A
JPH08235894A JP3967095A JP3967095A JPH08235894A JP H08235894 A JPH08235894 A JP H08235894A JP 3967095 A JP3967095 A JP 3967095A JP 3967095 A JP3967095 A JP 3967095A JP H08235894 A JPH08235894 A JP H08235894A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flash memory
area
areas
storage area
management information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3967095A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Akiyama
靖浩 秋山
Nobuyuki Arasawa
伸幸 荒澤
Takeshi Tottori
猛志 鳥取
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Maxell Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3967095A priority Critical patent/JPH08235894A/en
Publication of JPH08235894A publication Critical patent/JPH08235894A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

PURPOSE: To make the overhead reaching respective operations of an erasing, a writing and a read-in and the variation of access times for every chip small by providing areas where position management information of areas where users are accessible and areas where users are not accessible are stored with prescribed formats in a flash memory. CONSTITUTION: A flash memory 100 is divided into n storage areas 101 to 10n and it an access to the memory 100, an erasing, a writing and a read-in are executed by making each area as one boundary. Position management information of areas where users in the same chip are accessible and areas where users are not accessible area stored with prescribed formats respectively in first and second areas and the third and the fourth areas and succeeding areas 103 to 106 are data storage areas where users can access freely. Thus, since the inspecting of storage areas as a pre-processing performing an access is made unnecessary, the overhead reaching respective operations is made small and the variation for every memory chip is made small.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、所定範囲の記憶領域を
一度に消去することができるフラッシュメモリに係り、
特に、生産時点でフラッシュメモリの欠陥情報の提示お
よびこのようなフラッシュメモリを用いたフラッシュメ
モリ制御装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flash memory capable of erasing a storage area of a predetermined range at a time,
In particular, it relates to presentation of defect information of a flash memory at the time of production and a flash memory control device using such a flash memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】フラッシュメモリは電源を切った状態で
も記憶内容が保持されるという利点があるため、ゲーム
機やOA機器の外部記憶装置として利用するなど需要が
高まっている。しかし、現在の製造技術ではフラッシュ
メモリの消去と書き込み回数に所定の限界があり、限界
を超えた記憶領域部分は、以後、使用することが不可能
になる。また、中には製造・出荷時点で既に数個所の不
良領域が存在するものもある。
2. Description of the Related Art Since a flash memory has an advantage that stored contents are retained even when the power is turned off, there is an increasing demand for it to be used as an external storage device for game machines and OA equipment. However, in the current manufacturing technology, there is a predetermined limit on the number of times of erasing and writing of the flash memory, and the storage area portion exceeding the limit cannot be used thereafter. Further, some of them already have several defective areas at the time of manufacturing and shipping.

【0003】これらの欠点を補うための従来技術の例
は、特開平6−28899号,特開平6− 36579 号公報など
には、フラッシュメモリの記憶領域を予め所定の領域毎
に区分し、その記憶領域に対する消去,書き込み回数を
カウントするなどして、所定の回数を超えた記憶領域の
位置を不良領域として検知している例が示されている。
Examples of conventional techniques for compensating for these drawbacks are disclosed in Japanese Patent Laid-Open Nos. 6-28899 and 6-36579, in which the storage area of a flash memory is divided into predetermined areas in advance, and An example is shown in which the position of the storage area that exceeds a predetermined number of times is detected as a defective area by counting the number of times of erasing and writing to the storage area.

【0004】また、特開平6−12596号公報には、フラッ
シュメモリへのアクセスの際に、所定の記憶領域または
全ての記憶領域について書き込み,読み込み、またはそ
の両方を実施するなどして、その記憶領域が正常か否か
を調べるための検査を行っている例が示されている。
Further, in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 6-12596, when a flash memory is accessed, a predetermined storage area or all storage areas are written and / or read, or both are stored. An example is shown where a test is being performed to see if the area is normal.

【0005】さらに特開平6−131892 号公報には、フラ
ッシュメモリ自体が予め不良領域の位置管理情報を予め
書き込んだ領域を持ち、ユーザは前記位置管理情報を読
み込んでフラッシュメモリのアクセス領域を決定するよ
うにしている例が示されている。
Further, in Japanese Unexamined Patent Publication No. 6-131892, the flash memory itself has an area in which location management information of a defective area is written in advance, and a user reads the location management information to determine an access area of the flash memory. An example of doing so is shown.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】特開平6−28899号,特
開平6−36579号,特開平6−12596号公報による方法で
は、フラッシュメモリの任意の記憶領域をアクセスする
前処理として、必ずその記憶領域がアクセス可能な領域
か否かを検査する必要があり、実際に書き込み,読み込
みの動作に至るまでのオーバーヘッドが大きいという問
題がある。さらに、フラッシュメモリ以外に不良領域の
位置管理情報を格納する揮発性メモリ等を用意する必要
があり、装置を構成する部品点数も多くなる。
In the methods disclosed in JP-A-6-28899, JP-A-6-36579, and JP-A-6-12596, the pre-processing for accessing an arbitrary storage area of the flash memory is always required. It is necessary to check whether or not the storage area is an accessible area, and there is a problem that the overhead until the actual writing and reading operations is large. Further, in addition to the flash memory, it is necessary to prepare a volatile memory or the like for storing the location management information of the defective area, and the number of parts constituting the apparatus increases.

【0007】また前記した特開平6−131892 号公報によ
る方法は、フラッシュメモリ自体が予め不良領域の位置
管理情報を予め書き込んだ領域を備えており、外部に不
良領域の位置管理情報を格納する揮発性メモリ等を備え
る必要はない。しかし、従来技術と同様に、これからア
クセスしようとする記憶領域がたとえ使用可能な記憶領
域であっても、前述のアクセスが不可能な領域の位置管
理情報の全ての情報と不良領域であるか否かの比較を実
施しなければならず、フラッシュメモリの不良領域が多
くなるほどデータの読み込みに至るまでのオーバーヘッ
ドが大きくなる。さらに、フラッシュメモリのチップ毎
の不良領域数は必ずしも一定数とは限らないため、チッ
プ毎のアクセスタイムに大きなばらつきが生じるという
問題もある。
Further, in the method according to the above-mentioned Japanese Patent Laid-Open No. 6-131892, the flash memory itself has an area in which the position management information of the defective area has been written in advance, and the volatile memory for storing the position management information of the defective area is provided outside. It is not necessary to provide a memory for memory. However, as in the prior art, even if the storage area to be accessed from now on is a usable storage area, it is determined whether all the above-mentioned location management information of the inaccessible area and the defective area are defective. The above comparison must be performed, and the more defective areas of the flash memory, the greater the overhead until data reading. Further, since the number of defective areas for each chip of the flash memory is not always a fixed number, there is a problem that the access time varies for each chip.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は前記した課題を
解決するために、フラッシュメモリの製造時、あるいは
遅くともフラッシュメモリがユーザに届くまでに前記フ
ラッシュメモリの所定の部分に所定のフォーマットでア
クセスが不可能な領域の位置管理情報を記憶した領域を
備えることと、さらに前記フラッシュメモリの所定の記
憶領域に所定のフォーマットでアクセス可能な領域の位
置管理情報を記憶した領域を備える。
In order to solve the above problems, the present invention accesses a predetermined portion of the flash memory in a predetermined format at the time of manufacturing the flash memory or at the latest before the flash memory reaches a user. And an area in which location management information of an accessible area in a predetermined format is stored in a predetermined storage area of the flash memory.

【0009】また、前記フラッシュメモリを用いた制御
装置において、前記フラッシュメモリを使用している途
中で不良記憶領域が発生した時、それ以後、前記記憶領
域を使用禁止とするために、任意の記憶領域をアクセス
した後に前記記憶領域の不良診断を実施し、不良を検出
した場合は、前記記憶領域の領域番号を前記アクセスが
不可能な領域の位置管理情報を記憶した領域、およびア
クセス可能な領域の位置管理情報を記憶した領域の情報
を更新するための制御手段を備える。
Further, in the control device using the flash memory, when a defective storage area is generated during the use of the flash memory, an arbitrary memory is used to prohibit the use of the storage area thereafter. When a defect diagnosis of the storage area is performed after the area is accessed and a defect is detected, the area number of the storage area is stored in the area in which the position management information of the inaccessible area is stored, and the accessible area. And a control means for updating the information of the area storing the position management information.

【0010】[0010]

【作用】本発明はフラッシュメモリの所定の領域にアク
セスが不可能な領域の位置管理情報と、さらにアクセス
が可能な領域の位置管理情報とを記憶しているため、フ
ラッシュメモリの任意の記憶領域をアクセスする前処理
として必ずその記憶領域がアクセス可能な領域か否かを
検査する必要がない。これからアクセスしようとする記
憶領域の領域番号は、常にアクセスが可能な領域の位置
管理情報を記憶している部分から読み込むだけでよく、
消去,書き込み,読み込みのそれぞれの動作に至るまで
のオーバーヘッドを小さくすることができ、かつ従来フ
ラッシュメモリのチップ毎に生じていたアクセスタイム
のばらつきも小さくすることができる。
According to the present invention, the location management information of the inaccessible area and the location management information of the accessible area are stored in the predetermined area of the flash memory. It is not always necessary to check whether or not the storage area is an accessible area as a pre-process for accessing. The area number of the storage area to be accessed from now on only needs to be read from the part that stores the position management information of the accessible area,
It is possible to reduce the overhead of each operation of erasing, writing, and reading, and to reduce the variation in access time that has conventionally occurred for each chip of the flash memory.

【0011】さらに、フラッシュメモリに不良記憶領域
が散在する場合でも、見かけ上、連続したメモリ空間と
して扱うことができる。
Furthermore, even if defective storage areas are scattered in the flash memory, they can be treated as a continuous memory space in appearance.

【0012】さらに、フラッシュメモリ以外に改めてア
クセスが不可能な領域、またはアクセスが可能な領域の
位置管理情報を格納する揮発性メモリ等を省略すること
もでき、フラッシュメモリを用いた装置の部品点数を少
なく構成することができる。
Furthermore, it is possible to omit a volatile memory or the like for storing position management information of an inaccessible area or an accessible area other than the flash memory, and the number of parts of the device using the flash memory can be omitted. Can be configured less.

【0013】[0013]

【実施例】図1に示した例は、本発明の一実施例のフラ
ッシュメモリにおける記憶領域の状態を表すブロック図
である。フラッシュメモリ100は、予めn個の記憶領
域10l〜10mに区分されており、フラッシュメモリ
100へのアクセスは各記憶領域を一つの境界として消
去,書き込み,読み込み等が実施される。第一番目の記
憶領域101には、同チップ内のユーザがアクセス不可
能な記憶領域の位置管理情報が、後述する所定のフォー
マットで格納される。第二番目の記憶領域102には、
同チップ内のユーザがアクセス可能な記憶領域の位置管
理情報が、後述する所定のフォーマットで格納される。
この第一番目の記憶領域、および第二番目の記憶領域
は、フラッシュメモリの製造時、あるいは遅くともフラ
ッシュメモリがユーザに届くまでに同フラッシュメモリ
の所定の部分に所定のフォーマットで予め用意されるも
のである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The example shown in FIG. 1 is a block diagram showing the state of a storage area in a flash memory according to an embodiment of the present invention. The flash memory 100 is divided into n storage areas 10l to 10m in advance, and access to the flash memory 100 is performed by erasing, writing, reading, etc. with each storage area as one boundary. In the first storage area 101, position management information of a storage area inaccessible to a user in the same chip is stored in a predetermined format described later. In the second storage area 102,
Position management information of a storage area accessible by the user in the same chip is stored in a predetermined format described later.
The first storage area and the second storage area are prepared in a predetermined format in a predetermined portion of the flash memory at the time of manufacturing the flash memory or at the latest by the time the flash memory reaches the user. Is.

【0014】第三番目以後の記憶領域103〜106は
ユーザが自由にアクセスすることができるデータ記憶領
域である。ただし、フラッシュメモリのチップによって
は第一番目の記憶領域101、および第二番目の記憶領
域102の位置が不良記憶領域である場合も考えられ
る。このような場合は第三番目の記憶領域103,第四
番目の記憶領域104にそれぞれシフトして格納しても
よい。図示しないが、この時、位置管理情報が移動して
格納されていることをユーザに認識させるための手段と
して、記憶領域の先頭部分にデータ記憶領域と区別する
ための識別コードを格納しておいてもよい。
The third and subsequent storage areas 103 to 106 are data storage areas which the user can freely access. However, depending on the chip of the flash memory, the positions of the first storage area 101 and the second storage area 102 may be defective storage areas. In such a case, the data may be shifted and stored in the third storage area 103 and the fourth storage area 104, respectively. Although not shown, at this time, as a means for allowing the user to recognize that the location management information is moved and stored, an identification code for distinguishing it from the data storage area is stored at the beginning of the storage area. You may stay.

【0015】図2に示した例は、フラッシュメモリの記
憶領域101のフォーマットを示す一実施例である。記
憶領域101には、ユーザが同フラッシュメモリ内のア
クセスすることが不可能な記憶領域の位置管理情報が格
納される。
The example shown in FIG. 2 is an embodiment showing the format of the storage area 101 of the flash memory. The storage area 101 stores location management information of a storage area in which the user cannot access the flash memory.

【0016】ここでは一例として、記憶領域101はア
ドレス000(200)からアドレスFFF(20n)
のメモリを持ち、フラッシュメモリの全ての記憶領域の
番号を格納するのに十分な容量を持っているものとす
る。アドレス000(200)には、ユーザが他のフラ
ッシュメモリの管理情報と区別をするためのメモリID
を格納する。ただし、フラッシュメモリを1個だけで使
用する場合で、特にメモリIDを必要としない場合は省
略することもできる。アドレス001(201)には、
フラッシュメモリ内に存在する不良記憶領域の総数を格
納し、アドレス002(202)以降には、不良記憶領
域の領域番号が格納される。
Here, as an example, the storage area 101 has addresses 000 (200) to FFF (20n).
Of the flash memory and has sufficient capacity to store the numbers of all storage areas of the flash memory. At the address 000 (200), the memory ID for the user to distinguish from the management information of other flash memories
To store. However, it can be omitted when only one flash memory is used and the memory ID is not particularly required. At address 001 (201),
The total number of defective storage areas existing in the flash memory is stored, and the area number of the defective storage area is stored after address 002 (202).

【0017】例えば、アドレス001(201)の内容
が001の時はフラッシュメモリに不良記憶領域が1か
所存在していることを示し、アドレス002(202)に
その記憶領域の領域番号が格納される。同図の例では、
フラッシュメモリの第003番目の記憶領域が不良記憶
領域であることを示している。図示しないが、例えば、
アドレス001(201)の内容が003であれば、フ
ラッシュメモリに不良記憶領域が3か所存在しているこ
とを示し、アドレス002(202)、アドレス003
(203)、およびアドレス004(204)にそれぞ
れ不良記憶領域の領域番号が格納される。また、アドレ
ス001(201)の内容が0の場合はフラッシュメモ
リに不良記憶領域が存在しないことを示し、アドレス0
02(202)以降のデータは無意味である。
For example, when the content of the address 001 (201) is 001, it indicates that there is one defective storage area in the flash memory, and the area number of the storage area is stored in the address 002 (202). It In the example of the figure,
This shows that the 003rd storage area of the flash memory is a defective storage area. Although not shown, for example,
If the content of the address 001 (201) is 003, it means that there are three defective storage areas in the flash memory, and the address 002 (202), the address 003.
The area numbers of defective storage areas are stored in (203) and address 004 (204), respectively. If the content of the address 001 (201) is 0, it means that there is no defective storage area in the flash memory.
Data after 02 (202) is meaningless.

【0018】図3に示した例は、図1のフラッシュメモ
リの記憶領域102のフォーマットを示す一実施例であ
る。記憶領域102には、ユーザが同フラッシュメモリ
内のアクセス可能な記憶領域の位置管理情報が格納され
る。前記の記憶領域101と同様に記憶領域はアドレス
000(300)からアドレスFFF(30n)のメモ
リを持ち、フラッシュメモリの全ての記憶領域の番号を
格納するのに十分な容量を持っているものとする。アド
レス000(300)には、フラッシュメモリ内のアク
セス可能な領域の総数を記憶し、アドレス001(30
1)以降にはアクセス可能な記憶領域の領域番号を番号
の小さい順に格納する。ただし、アクセス可能な領域の
総数を、総記憶領域数から前記第一番目の記憶領域(図
1の101)中の不良記憶領域の総数を減算することで求
め、アドレス000(300)の情報は省略してもよ
い。
The example shown in FIG. 3 is an embodiment showing the format of the storage area 102 of the flash memory shown in FIG. The storage area 102 stores location management information of a storage area accessible by the user in the flash memory. Like the storage area 101, the storage area has a memory from address 000 (300) to address FFF (30n), and has a sufficient capacity to store the numbers of all the storage areas of the flash memory. To do. The address 000 (300) stores the total number of accessible areas in the flash memory, and the address 001 (30
After 1), the area numbers of accessible storage areas are stored in ascending order. However, the total number of accessible areas is obtained by subtracting the total number of defective storage areas in the first storage area (101 in FIG. 1) from the total number of storage areas. It may be omitted.

【0019】同図の例は、アクセス可能な領域の総数が
16進数でF00個あり、不良記憶領域の一つが領域番
号003である場合を示している。従って、アドレス0
01(301)以降のメモリには領域番号が001,0
02,004,005というような順番で格納される。
これらの手段によりユーザは、例えフラッシュメモリに
不良領域が散在していても、それらの不良領域の位置を
特に気にすることなく、あたかも連続したメモリ空間と
して使用可能になる。アドレス001(301)の内容が
000の場合はフラッシュメモリにアクセス可能な記憶
領域が存在しないことを示し、フラッシュメモリが全く
使用不可能であることを表す。
The example shown in the figure shows a case where the total number of accessible areas is hexadecimal F00 and one of the defective storage areas is an area number 003. Therefore, the address 0
Area numbers 001, 0 in the memory after 01 (301)
It is stored in the order of 02,004,005.
By these means, even if defective areas are scattered in the flash memory, the user can use them as a continuous memory space without paying particular attention to the positions of the defective areas. When the content of the address 001 (301) is 000, it means that there is no accessible storage area in the flash memory, which means that the flash memory cannot be used at all.

【0020】なお、図示しないがアドレス001(30
1)以降に格納される領域番号の並びは、用途によって
領域番号の大きい順、あるいはその他の所定の順番でも
よく特に順序を限定するものではない。
Although not shown, the address 001 (30
The arrangement of the area numbers stored after 1) may be in the descending order of the area numbers or another predetermined order depending on the use, and the order is not particularly limited.

【0021】図4に示した例は、アクセス可能な記憶領
域の位置管理情報を参照しながらフラッシュメモリをア
クセスする手順の一実施例を示すフローチャートであ
る。まずアクセスに必要なメモリ容量に相当するフラッ
シュメモリの記憶領域数をBn(401)、これからア
クセスしようとするフラッシュメモリのチップ番号をA
cn(402)とする。次にチップ番号Acnの第2の
記憶領域のアドレス000からアクセス可能な総記憶領
域数を読み込み、これをTnとする(403)。もし、こ
こでアクセス可能な記憶領域数Tnが0ならば(40
4)後述するエラー処理(416)を実行する。Tnが0
でなければ、チップ番号Acnの第二の記憶領域からア
クセス可能な記憶領域の領域番号Tbnを1個読み込み
(405)、チップ番号Acnの記憶領域Tbnをアクセ
スする(406)。
The example shown in FIG. 4 is a flow chart showing an embodiment of a procedure for accessing the flash memory while referring to the position management information of the accessible storage area. First, the number of storage areas of the flash memory corresponding to the memory capacity required for access is Bn (401), and the chip number of the flash memory to be accessed from now on is A.
cn (402). Next, the total number of accessible storage areas is read from the address 000 of the second storage area of the chip number Acn, and this is set as Tn (403). If the number of accessible storage areas Tn is 0 (40
4) The error process (416) described later is executed. Tn is 0
If not, one area number Tbn of the accessible storage area is read from the second storage area of the chip number Acn.
(405), the storage area Tbn of the chip number Acn is accessed (406).

【0022】次に各々の記憶領域の消去回数をカウント
するなどの手段によって、アクセスした記憶領域が使用
の限界に達しているアクセス不可能な不良記憶領域か否
かの判定を実施する(407)。もし、ここで記憶領域
Tbnが不良記憶領域と判断したならば、チップ番号A
cnの第一の記憶領域に領域番号Tbnを追加し(41
2)、第一の記憶領域の不良記憶領域の総数に+1加算
する(413)。さらに、同チップの第二の記憶領域か
ら領域番号Tbnを削除し(414)、第二の記憶領域
のアクセス可能な記憶領域の総数に−1加算する(41
5)。なお図示していないが、第二の記憶領域から領域
番号Tbnを削除することによって、不連続な情報とし
ないために領域番号の再配置を実施してもよい。
Next, it is judged whether or not the accessed storage area is an inaccessible defective storage area that has reached the limit of use by means such as counting the number of erases of each storage area (407). . If the storage area Tbn is determined to be a defective storage area, the chip number A
The area number Tbn is added to the first storage area of cn (41
2), +1 is added to the total number of defective storage areas in the first storage area (413). Further, the area number Tbn is deleted from the second storage area of the same chip (414), and -1 is added to the total number of accessible storage areas of the second storage area (41).
5). Although not shown, the area numbers Tbn may be deleted from the second storage area to rearrange the area numbers so that the information does not become discontinuous information.

【0023】この後、アクセス可能な記憶領域数Tnを
更新して処理を再開する。記憶領域Tbnが不良記憶領
域でなければTnを−1加算する(408)。もし、チ
ップ番号Acnの記憶領域がFULL(Tn=0)にな
った場合は、後述するエラー処理(416)を実施す
る。まだFULLでなければ、アクセスに必要な記憶領
域数Bnを−1加算する(410)。ここで、全てのア
クセスが終了していなければ(Bn≠0)、さらにチッ
プ番号Acnの第二の記憶領域からアクセス可能な記憶
領域の領域番号Tbnを1個読み込み、処理を続行す
る。もし、全てのアクセスが終了(Bn=0)したなら
ば本処理を終了する。
After that, the number of accessible storage areas Tn is updated and the processing is restarted. If the storage area Tbn is not a defective storage area, Tn is added by -1 (408). If the storage area of the chip number Acn becomes FULL (Tn = 0), error processing (416) described later is performed. If it is not FULL yet, -1 is added to the number Bn of storage areas required for access (410). If all the accesses have not been completed (Bn ≠ 0), one area number Tbn of the accessible storage area is further read from the second storage area of the chip number Acn, and the processing is continued. If all accesses are completed (Bn = 0), this process is completed.

【0024】ここで、エラー処理(416)の一例を説
明する。例えば当該フラッシュメモリ以外に使用可能な
フラッシュメモリが存在する場合は、アクセスするチッ
プ番号を他のチップ番号に設定し直して、処理を再開し
てもよい。また、他に使用可能なフラッシュメモリがな
い場合は、これまでの処理を中断し、メモリアクセスに
障害が生じたことを外部に表示するなどしてユーザに警
告を促してもよい。
Here, an example of the error processing (416) will be described. For example, when there is a usable flash memory other than the flash memory, the chip number to be accessed may be reset to another chip number and the processing may be restarted. If there is no other available flash memory, the process up to this point may be interrupted, and the user may be warned by externally displaying that a memory access failure has occurred.

【0025】図5に示した例は、本発明によるフラッシ
ュメモリ制御装置の構成の一実施例である。フラッシュ
メモリ503〜506は、予めn個の記憶領域に区分さ
れており、メモリへのアクセスは各記憶領域毎に実施さ
れるものである。入出力部507は、本実施例の装置と
外部に接続される装置の間でデータ、および各種制御情
報などの入出力を行う部分である。不良検出部502
は、フラッシュメモリ503〜506の各々の記憶領域
に対する消去,書き込み回数をカウントしている部分で
あり、フラッシュメモリ503〜506の記憶領域が使
用の限界に達した、不良記憶領域か否かを判断する場合
に参照される部分である。RAM501は、フラッシュメモリ
503〜506に散在する全ての不良記憶領域の領域番
号か、あるいは使用可能な記憶領域の領域番号を各チッ
プ毎に区別して一時的に記憶する部分である。
The example shown in FIG. 5 is an embodiment of the configuration of the flash memory control device according to the present invention. The flash memories 503 to 506 are preliminarily divided into n storage areas, and access to the memory is performed for each storage area. The input / output unit 507 is a unit that inputs and outputs data and various control information between the device of this embodiment and a device connected to the outside. Defect detection unit 502
Is a part that counts the number of erases and writes to each storage area of the flash memories 503 to 506, and determines whether or not the storage areas of the flash memories 503 to 506 have reached the limit of use and are defective storage areas. This is the part that is referred to when doing. The RAM 501 is a portion for temporarily storing the area numbers of all defective storage areas scattered in the flash memories 503 to 506 or the area numbers of usable storage areas for each chip.

【0026】前述したように、アクセスしようとする記
憶領域の領域番号は直接フラッシュメモリから読み込ん
でもよいが、不良記憶領域が発生した場合の管理情報の
更新処理を考慮して、外部にRAM501を設けて管理
情報を一時的にRAM501に退避させて、こちらをア
クセスしてもよい。またフラッシュメモリを使用してい
る途中において、不良検出部502が使用不可能な記憶
領域を検出した場合も、記憶領域の領域番号がRAM5
01に追加記憶される。なお、管理情報を一時的にRA
M501に退避させる場合は、全ての処理を終了し装置
の電源を止める直前にRAM501の管理情報をフラッ
シュメモリ第一番目の記憶領域、または第二番目の記憶
領域へ保存する処理が必要となる。制御部500は、フ
ラッシュメモリ503〜506に対して書き込み,読み
込み,消去を実行する部分であるとともに、不良検出部
502およびRAM501に対する情報の入出力を制御
する部分である。
As described above, the area number of the storage area to be accessed may be read directly from the flash memory, but an external RAM 501 is provided in consideration of the management information update processing when a defective storage area occurs. The management information may be temporarily saved in the RAM 501 and accessed here. Further, even when the defect detection unit 502 detects an unusable storage area while using the flash memory, the area number of the storage area is RAM5.
01 is additionally stored. Note that the management information is temporarily RA
In the case of saving to the M501, a process of saving the management information of the RAM 501 in the first storage area or the second storage area of the flash memory is required immediately before all the processing is finished and the power of the apparatus is stopped. The control unit 500 is a unit that performs writing, reading, and erasing on the flash memories 503 to 506, and a unit that controls input / output of information to / from the defect detection unit 502 and the RAM 501.

【0027】なお、本実施例で用意するフラッシュメモ
リ503〜506の個数は任意であり、特に個数を特定
するものではない。
The number of flash memories 503 to 506 prepared in this embodiment is arbitrary, and the number is not particularly specified.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明によれば、フラッシュメモリの所
定の領域にアクセスが不可能な領域の位置管理情報と、
さらにアクセスが可能な領域の位置管理情報を記憶して
いることにより、フラッシュメモリの任意の記憶領域を
アクセスする前処理として必ずその記憶領域がアクセス
可能な領域か否かを検査する必要がない。これからアク
セスしようとする記憶領域の領域番号は、常にアクセス
が可能な領域の位置管理情報を記憶している部分から読
み込むだけでよく、消去,書き込み,読み込みのそれぞ
れ動作に至るまでのオーバーヘッドを小さくすることが
でき、かつ従来フラッシュメモリのチップ毎に生じてい
たアクセスタイムのばらつきも小さくすることができ
る。
According to the present invention, position management information of an area in which a predetermined area of a flash memory cannot be accessed,
Further, by storing the position management information of the accessible area, it is not necessary to inspect whether or not the storage area is accessible as a pre-process for accessing an arbitrary storage area of the flash memory. The area number of the storage area to be accessed from now on only needs to be read from the portion in which the position management information of the accessible area is stored, and the overhead of the erase, write, and read operations is reduced. In addition, it is possible to reduce the variation in access time that has conventionally occurred for each chip of the flash memory.

【0029】さらに、フラッシュメモリに不良記憶領域
がが散在する場合でも、見かけ上、連続したメモリ空間
として扱うことができる。
Furthermore, even if defective storage areas are scattered in the flash memory, they can be treated as a continuous memory space in appearance.

【0030】さらに、フラッシュメモリ以外に改めてア
クセスが不可能な領域、またはアクセスが可能な領域の
位置管理情報を格納する揮発性メモリ等を省略すること
もでき、フラッシュメモリを用いた装置の部品点数を少
なく構成することができる。
Further, it is possible to omit a volatile memory or the like for storing the position management information of an inaccessible area or an accessible area other than the flash memory, and the number of parts of the apparatus using the flash memory can be omitted. Can be configured less.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のフラッシュメモリの状態を表す説明
図。
FIG. 1 is an explanatory diagram showing a state of a flash memory of the present invention.

【図2】図1の第一番目の記憶領域のフォーマットを示
す説明図。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a format of a first storage area in FIG.

【図3】図1の第二番目の記憶領域のフォーマットを示
す説明図。
3 is an explanatory diagram showing a format of a second storage area in FIG. 1. FIG.

【図4】フラッシュメモリをアクセスする手順の一実施
例を示すフローチャート。
FIG. 4 is a flowchart showing an example of a procedure for accessing a flash memory.

【図5】本発明のフラッシュメモリ制御装置の一実施例
のブロック図。
FIG. 5 is a block diagram of an embodiment of a flash memory control device of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

100…フラッシュメモリ、101,102…記憶領
域、500…制御部、501…RAM、502…不良検
出部、503〜506…フラッシュメモリ、507…入
出力部。
100 ... Flash memory, 101, 102 ... Storage area, 500 ... Control unit, 501 ... RAM, 502 ... Defect detection unit, 503 to 506 ... Flash memory, 507 ... Input / output unit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鳥取 猛志 大阪府茨木市丑寅一丁目1番88号 日立マ クセル株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takeshi Tottori 1-88-1 Tora, Ibaraki City, Osaka Prefecture Hitachi Maxell Co., Ltd.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】フラッシュメモリの所定の記憶領域に所定
のフォーマットでアクセスが不可能な領域の位置管理情
報を格納した領域を有し、前記フラッシュメモリの所定
の記憶領域に所定のフォーマットでアクセスが可能な領
域の位置管理情報を記憶した領域を有することを特徴と
するフラッシュメモリ。
1. A predetermined storage area of a flash memory has an area storing location management information of an inaccessible area in a predetermined format, and a predetermined storage area of the flash memory can be accessed in a predetermined format. A flash memory having an area in which position management information of possible areas is stored.
【請求項2】請求項1において、前記フラッシュメモリ
の1個または複数個の不良領域の位置管理情報を記憶し
た領域から前記フラッシュメモリの不良領域の位置情報
を読み出す手段と、前記不良領域の位置情報を書き込む
手段と、前記フラッシュメモリの使用可能領域の位置管
理情報を記憶した領域から前記フラッシュメモリの使用
可能領域の位置情報を読み出す手段と、前記使用可能領
域の位置情報を書換える手段と、外部とのデータの入出
力を行うための手段と、これらの手段を制御する手段を
備え、前記フラッシュメモリに不良領域がある場合でも
アクセスしようとする領域が使用可能な領域か否かの判
定を省略できるフラッシュメモリ制御装置。
2. A means for reading position information of a defective area of the flash memory from an area storing position management information of one or a plurality of defective areas of the flash memory, and a position of the defective area. Means for writing information, means for reading the position information of the usable area of the flash memory from the area storing position management information of the usable area of the flash memory, and means for rewriting the position information of the usable area, A means for inputting / outputting data to / from the outside and a means for controlling these means are provided, and even if there is a defective area in the flash memory, it is possible to judge whether the area to be accessed is an available area or not. Optional flash memory controller.
JP3967095A 1995-02-28 1995-02-28 Flash memory and flash memory control device Withdrawn JPH08235894A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012014570A (en) * 2010-07-02 2012-01-19 Fujitsu Ltd Controller, control module and control method

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