JPH08235655A - 光データ記憶装置 - Google Patents
光データ記憶装置Info
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- JPH08235655A JPH08235655A JP7340540A JP34054095A JPH08235655A JP H08235655 A JPH08235655 A JP H08235655A JP 7340540 A JP7340540 A JP 7340540A JP 34054095 A JP34054095 A JP 34054095A JP H08235655 A JPH08235655 A JP H08235655A
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- G11B7/12—Heads, e.g. forming of the optical beam spot or modulation of the optical beam
- G11B7/135—Means for guiding the beam from the source to the record carrier or from the record carrier to the detector
- G11B7/1365—Separate or integrated refractive elements, e.g. wave plates
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10532—Heads
- G11B11/10541—Heads for reproducing
- G11B11/10543—Heads for reproducing using optical beam of radiation
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B11/10595—Control of operating function
- G11B11/10597—Adaptations for transducing various formats on the same or different carriers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ディスク駆動機構と、複数データ面光磁気
媒体とを備える光データ記憶装置を提供する。 【解決手段】 光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電
体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の
誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１
４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体
層１４４と、反射層１４６とを備えている。光磁気層お
よび誘電体層の厚さは、データ層から受けた信号の光磁
気的読取りを最適とするように選ばれる。ディスク駆動
機構は、光データ層からの信号を改善する位相リターダ
（ｐｈａｓｅ ｒｅｔａｒｄｅｒ）を有している。
媒体とを備える光データ記憶装置を提供する。 【解決手段】 光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電
体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の
誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１
４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体
層１４４と、反射層１４６とを備えている。光磁気層お
よび誘電体層の厚さは、データ層から受けた信号の光磁
気的読取りを最適とするように選ばれる。ディスク駆動
機構は、光データ層からの信号を改善する位相リターダ
（ｐｈａｓｅ ｒｅｔａｒｄｅｒ）を有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、一般には、光デ
ータ記憶装置に関し、特に複数のデータ面を有するデー
タ記憶装置に関するものである。
ータ記憶装置に関し、特に複数のデータ面を有するデー
タ記憶装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】光データ記憶装置は、ディスクに多量の
データを記憶する手段を与える。データは、レーザビー
ムをディスクのデータ層にフォーカスし、反射光ビーム
を検出することによって、アクセスされる。種々の記憶
装置が知られている。ＲＯＭ（読取り専用メモリ）装置
においては、データは、ディスクの製造時にディスクに
マークとして永久に埋込まれる。データは、データマー
ク上をレーザビームが通過するときの反射率の変化とし
て検出される。ＷＯＲＭ（Ｗｒｉｔｅ ＯｎｃｅＲｅａ
ｄ Ｍａｎｙ；１回書込み多数読取り）装置は、ユーザ
が、ピットのような永久マークを作製することによって
データを書込むことを可能にする。ディスクにデータが
一旦記録されると、それを消去することはできない。Ｗ
ＯＲＭ装置のデータは、また、反射率の変化に応じて検
出される。
データを記憶する手段を与える。データは、レーザビー
ムをディスクのデータ層にフォーカスし、反射光ビーム
を検出することによって、アクセスされる。種々の記憶
装置が知られている。ＲＯＭ（読取り専用メモリ）装置
においては、データは、ディスクの製造時にディスクに
マークとして永久に埋込まれる。データは、データマー
ク上をレーザビームが通過するときの反射率の変化とし
て検出される。ＷＯＲＭ（Ｗｒｉｔｅ ＯｎｃｅＲｅａ
ｄ Ｍａｎｙ；１回書込み多数読取り）装置は、ユーザ
が、ピットのような永久マークを作製することによって
データを書込むことを可能にする。ディスクにデータが
一旦記録されると、それを消去することはできない。Ｗ
ＯＲＭ装置のデータは、また、反射率の変化に応じて検
出される。
【０００３】消去可能な光装置も知られている。これら
の装置は、レーザを用いてデータ層を限界温度以上に加
熱して、データを書込みおよび消去する。光磁気記録装
置は、データ層上のスポットの磁区を上向きまたは下向
きに配向させることによって、データを記録し、記録さ
れたマークを形成する。データは、低パワーのレーザを
データ層に照射することによって読取られる。データ層
上の記録されたマークの磁区の磁化方向の差は、光ビー
ムの偏光面を、一方向または他方向に、時計方向にまた
は反時計方向に回転させる。次に、偏光方向のこの変化
が検出される。
の装置は、レーザを用いてデータ層を限界温度以上に加
熱して、データを書込みおよび消去する。光磁気記録装
置は、データ層上のスポットの磁区を上向きまたは下向
きに配向させることによって、データを記録し、記録さ
れたマークを形成する。データは、低パワーのレーザを
データ層に照射することによって読取られる。データ層
上の記録されたマークの磁区の磁化方向の差は、光ビー
ムの偏光面を、一方向または他方向に、時計方向にまた
は反時計方向に回転させる。次に、偏光方向のこの変化
が検出される。
【０００４】光ディスクの記憶容量を増大させるには、
複数のデータ層装置が提案されている。２つ以上のデー
タ層を有する光ディスクは、レンズの焦点を変えること
によって、異なる層において理論的にアクセスすること
ができる。この手法の例は、米国特許第５，２０２，８
７５号明細書，米国特許第５，０９７，４６４号明細
書、米国特許第４，４５０，５５３号明細書に開示され
ている。
複数のデータ層装置が提案されている。２つ以上のデー
タ層を有する光ディスクは、レンズの焦点を変えること
によって、異なる層において理論的にアクセスすること
ができる。この手法の例は、米国特許第５，２０２，８
７５号明細書，米国特許第５，０９７，４６４号明細
書、米国特許第４，４５０，５５３号明細書に開示され
ている。
【０００５】複数データ面光磁気媒体を用いることの１
つの問題は、光磁気材料の光吸収性が高いことである。
複数データ面媒体は、上側データ層が光を下側データ層
に通過させることを必要とする。光磁気材料は、高い割
合で光を吸収する傾向があり、下側データ層が受けた少
量の光は、弱いデータ信号を生じる。必要とされる装置
は、下側データ層からも良好な信号を与え、すべてのデ
ータ層に適切なレーザパワーで書込みおよび消去を可能
とする光磁気複数データ面装置である。
つの問題は、光磁気材料の光吸収性が高いことである。
複数データ面媒体は、上側データ層が光を下側データ層
に通過させることを必要とする。光磁気材料は、高い割
合で光を吸収する傾向があり、下側データ層が受けた少
量の光は、弱いデータ信号を生じる。必要とされる装置
は、下側データ層からも良好な信号を与え、すべてのデ
ータ層に適切なレーザパワーで書込みおよび消去を可能
とする光磁気複数データ面装置である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本願の目的は、光ディ
スク駆動機構と、複数データ面光磁気媒体とを備える光
データ記憶装置を提供することである。
スク駆動機構と、複数データ面光磁気媒体とを備える光
データ記憶装置を提供することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明の好適な実施例
においては、光データ記憶装置は、光ディスク駆動機構
と、複数データ面光磁気媒体とを備えている。光磁気媒
体は、基板と、基板上に設けられた第１の誘電体層と、
第１の誘電体層上に設けられた第１の光磁気層と、第１
の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、第２の誘
電体層上に設けられた透光層と、透光層上に設けられた
第３の誘電体層と、第３の誘電体層上に設けられた第２
の光磁気層と、第２の光磁気層上に設けられた第４の誘
電体層と、第４の誘電体層上に設けられた反射層とから
構成される。光磁気層および誘電体層の厚さは、光磁気
層について信号対雑音比が高くなるように選ばれる。こ
のことは、第１の光磁気層が、高い光透過性を有するこ
とを必要とする。というのは、第２の光磁気層は、第１
の光磁気層に光を透過させることによって、読取られる
からである。
においては、光データ記憶装置は、光ディスク駆動機構
と、複数データ面光磁気媒体とを備えている。光磁気媒
体は、基板と、基板上に設けられた第１の誘電体層と、
第１の誘電体層上に設けられた第１の光磁気層と、第１
の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、第２の誘
電体層上に設けられた透光層と、透光層上に設けられた
第３の誘電体層と、第３の誘電体層上に設けられた第２
の光磁気層と、第２の光磁気層上に設けられた第４の誘
電体層と、第４の誘電体層上に設けられた反射層とから
構成される。光磁気層および誘電体層の厚さは、光磁気
層について信号対雑音比が高くなるように選ばれる。こ
のことは、第１の光磁気層が、高い光透過性を有するこ
とを必要とする。というのは、第２の光磁気層は、第１
の光磁気層に光を透過させることによって、読取られる
からである。
【０００８】この発明の特性および利点は、図面ととも
に以下の詳細な説明によって十分に理解されるであろ
う。
に以下の詳細な説明によって十分に理解されるであろ
う。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の光データ記憶
装置の概略図であり、番号１０で示す。光データ記憶装
置１０は、ディスク形状とするのが好適な光ディスク記
録媒体１２を有している。記録媒体１２は、技術上周知
のようにクランプ・スピンドル１４に取りはずし可能に
設けられている。スピンドル１４はスピンドル・モータ
１６に取付けられ、モータ１６は装置シャーシ２０に取
付けられる。モータ１６は、スピンドル１４および記録
媒体１２を回転する。
装置の概略図であり、番号１０で示す。光データ記憶装
置１０は、ディスク形状とするのが好適な光ディスク記
録媒体１２を有している。記録媒体１２は、技術上周知
のようにクランプ・スピンドル１４に取りはずし可能に
設けられている。スピンドル１４はスピンドル・モータ
１６に取付けられ、モータ１６は装置シャーシ２０に取
付けられる。モータ１６は、スピンドル１４および記録
媒体１２を回転する。
【００１０】光ヘッド２２は、記録媒体１２の下側に配
置される。光ヘッド２２は、アーム２４に取付けられ、
アーム２４は、ボイスコイル・モータ２６のようなアク
チュエータ装置に接続されている。ボイスコイル・モー
タ２６は、シャーシ２０に取付けられている。ボイスコ
イル・モータ２６は、アーム２４および光ヘッド２２
を、記録媒体１２の下側で半径方向に移動させる。
置される。光ヘッド２２は、アーム２４に取付けられ、
アーム２４は、ボイスコイル・モータ２６のようなアク
チュエータ装置に接続されている。ボイスコイル・モー
タ２６は、シャーシ２０に取付けられている。ボイスコ
イル・モータ２６は、アーム２４および光ヘッド２２
を、記録媒体１２の下側で半径方向に移動させる。
【００１１】図２（ａ）は、記録媒体１２の断面図であ
る。記録媒体１２は、基板５０を有している。基板５０
は、フェース・プレートまたはカバー・プレートとして
も知られており、この基板からレーザ・ビームが記録媒
体に入る。外径（ＯＤ）リム５２および内径（ＩＤ）リ
ム５４は、基板５０と基板５６との間に取付けられてい
る。基板５０は、ガラス，ポリカーボネート，または他
のポリマ材料のような透光材料で作られる。基板５６
は、基板５０に類似の材料で作ることができ、あるいは
光が基板５６を通過しない実施例では光を透過しない材
料で作ることができる。好適な実施例では、基板５０
は、１．２ｍｍ厚さであり、基板５６は１．２ｍｍ厚さ
である。あるいはまた、基板５６は、０．２〜１．２ｍ
ｍの厚さを有することができる。ＩＤリムおよびＯＤリ
ムは、約５００μｍ厚さのプラスチック材料で作ること
ができる。あるいはまた、リムは２０〜１０００μｍの
厚さを有することができる。
る。記録媒体１２は、基板５０を有している。基板５０
は、フェース・プレートまたはカバー・プレートとして
も知られており、この基板からレーザ・ビームが記録媒
体に入る。外径（ＯＤ）リム５２および内径（ＩＤ）リ
ム５４は、基板５０と基板５６との間に取付けられてい
る。基板５０は、ガラス，ポリカーボネート，または他
のポリマ材料のような透光材料で作られる。基板５６
は、基板５０に類似の材料で作ることができ、あるいは
光が基板５６を通過しない実施例では光を透過しない材
料で作ることができる。好適な実施例では、基板５０
は、１．２ｍｍ厚さであり、基板５６は１．２ｍｍ厚さ
である。あるいはまた、基板５６は、０．２〜１．２ｍ
ｍの厚さを有することができる。ＩＤリムおよびＯＤリ
ムは、約５００μｍ厚さのプラスチック材料で作ること
ができる。あるいはまた、リムは２０〜１０００μｍの
厚さを有することができる。
【００１２】リムは、接着材，接合材，または他の接合
方法によって、基板に取付けることができる。あるいは
また、リムを基板５０または５６に一体に形成すること
ができる。正しい配置で、リムは基板間に環状スペース
７８を形成する。スピンドル開口８０は、ＩＤリム５４
の内側の記録媒体１２を通過する。複数の通路８２がＩ
Ｄリム５４内に設けられる。この通路は、開口８０とス
ペース７８とを接続し、スペース７８とディスク・ファ
イルの周囲環境（典型的には空気である）との間の圧力
を等しくする。複数の低インピーダンス・フィルタ８４
を、通路８２に取付けて、空気中の微粒子による汚染を
防止する。フィルタ８４は、水晶またはガラスのファイ
バとすることができる。あるいはまた、通路８２および
フィルタ８４を、ＯＤリム上に設けることもできる。
方法によって、基板に取付けることができる。あるいは
また、リムを基板５０または５６に一体に形成すること
ができる。正しい配置で、リムは基板間に環状スペース
７８を形成する。スピンドル開口８０は、ＩＤリム５４
の内側の記録媒体１２を通過する。複数の通路８２がＩ
Ｄリム５４内に設けられる。この通路は、開口８０とス
ペース７８とを接続し、スペース７８とディスク・ファ
イルの周囲環境（典型的には空気である）との間の圧力
を等しくする。複数の低インピーダンス・フィルタ８４
を、通路８２に取付けて、空気中の微粒子による汚染を
防止する。フィルタ８４は、水晶またはガラスのファイ
バとすることができる。あるいはまた、通路８２および
フィルタ８４を、ＯＤリム上に設けることもできる。
【００１３】基板５０はデータ面９０を有し、基板５６
はデータ面９２を有している。データ面９０，９２は、
それぞれ、以下に詳細に説明する光磁気データ層を有し
ている。基板５０，５６は、光トラッキング溝またはマ
ーク、および／またはフォト・ポリマ・プロセスまたは
エンボス・プロセスによって、表面隣接データ面９０，
９２にそれぞれ形成されたヘッダ情報を有している。あ
るいはまた、トラッキング・フィーチャを、基板または
データ層内の記録マスクに形成されたピットとすること
ができる。
はデータ面９２を有している。データ面９０，９２は、
それぞれ、以下に詳細に説明する光磁気データ層を有し
ている。基板５０，５６は、光トラッキング溝またはマ
ーク、および／またはフォト・ポリマ・プロセスまたは
エンボス・プロセスによって、表面隣接データ面９０，
９２にそれぞれ形成されたヘッダ情報を有している。あ
るいはまた、トラッキング・フィーチャを、基板または
データ層内の記録マスクに形成されたピットとすること
ができる。
【００１４】図２（ｂ）は、光記録媒体の他の実施例の
断面図であり、１２０で示されている。光記録媒体１２
の要素に類似の光記録媒体１２０の要素には、ダッシュ
を付した番号で示している。図２（ａ）の光記録媒体と
は異なり、充実透明部材１２２がフェースプレート５
０′と基板５６′とを分離している。好適な実施例で
は、透明部材１２２は光接合材で作られ、これはまた基
板５０′と５６′とを一緒に保持するのに役立ってい
る。透明部材１２２の厚さは、好適には約２０〜３００
ミクロンである。光記録媒体１２０を、光データ記憶装
置１０の記録媒体１２に置き換えることができる。デー
タ面９０′，９２′は、光磁気データ層を有しており、
後に詳細に説明する。
断面図であり、１２０で示されている。光記録媒体１２
の要素に類似の光記録媒体１２０の要素には、ダッシュ
を付した番号で示している。図２（ａ）の光記録媒体と
は異なり、充実透明部材１２２がフェースプレート５
０′と基板５６′とを分離している。好適な実施例で
は、透明部材１２２は光接合材で作られ、これはまた基
板５０′と５６′とを一緒に保持するのに役立ってい
る。透明部材１２２の厚さは、好適には約２０〜３００
ミクロンである。光記録媒体１２０を、光データ記憶装
置１０の記録媒体１２に置き換えることができる。デー
タ面９０′，９２′は、光磁気データ層を有しており、
後に詳細に説明する。
【００１５】図２（ｃ）は、光記録媒体の他の実施例の
断面図であり、１２４で示されている。光記録媒体１２
または１２０の要素に類似の光記録媒体１２４の要素に
は、ツーダッシュを付した番号で示している。光記録媒
体１２４は、前記２つの実施例におけるような、２つの
別個の基板を用いずに、１つの基板５０″上に多層構造
を形成している。データ面９０″，９２″は、充実層１
２６で分離されている。充実層１２６は、データ面９
０″上に積層あるいは堆積（フォト・ポリマまたはスピ
ン・コーティングのような）によって形成される誘電透
光層である。好適な実施例では、透光層１２６は、ポリ
カーボネイトのようなポリマ材料で作られる。透光層１
２６の上面は、フォト・ポリマ・プロセスまたはエンボ
シングによって、その表面に形成された、トラッキング
溝および／またはヘッダ情報を有している。次に、デー
タ層９２″が、透光層１２６の上面に堆積される。次
に、ポリマ材料の最終的な保護層が、データ面９２″上
に堆積される。
断面図であり、１２４で示されている。光記録媒体１２
または１２０の要素に類似の光記録媒体１２４の要素に
は、ツーダッシュを付した番号で示している。光記録媒
体１２４は、前記２つの実施例におけるような、２つの
別個の基板を用いずに、１つの基板５０″上に多層構造
を形成している。データ面９０″，９２″は、充実層１
２６で分離されている。充実層１２６は、データ面９
０″上に積層あるいは堆積（フォト・ポリマまたはスピ
ン・コーティングのような）によって形成される誘電透
光層である。好適な実施例では、透光層１２６は、ポリ
カーボネイトのようなポリマ材料で作られる。透光層１
２６の上面は、フォト・ポリマ・プロセスまたはエンボ
シングによって、その表面に形成された、トラッキング
溝および／またはヘッダ情報を有している。次に、デー
タ層９２″が、透光層１２６の上面に堆積される。次
に、ポリマ材料の最終的な保護層が、データ面９２″上
に堆積される。
【００１６】図３は、光データ記録媒体１２の詳細な断
面図である。記録媒体１２は、基板５０上に第１の誘電
体層１３０を有している。誘電体層１３０は、窒化物，
炭化物，酸化物のような、透明かつ化学的に安定な誘電
体材料で作られる。好適な材料のいくつかは、ＳｉＮ，
ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯX である。誘電体層１３０上に
第１の光磁気層１３２が、設けられている。光磁気層１
３２は、光磁気材料で作られている。数種類の光磁気材
料を用いることができる。１つの例は、少なくとも１つ
の希土類元素と少なくとも１つの遷移金属とを含有する
混合物である。好適な例は、ＴｂＦｅＣｏのアモルファ
ス合金である。あるいはまた、ＮｄまたはＰｒのような
他の希土類元素が添加されたＴｂＦｅＣｏを用いること
ができる。他の種類の光磁気材料は、コバルト−貴金属
系である。貴金属には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕが含まれる。
コバルト−貴金属系は、合金の形態、またはＣｏおよび
貴金属の交互層よりなる多層系とすることができる。他
の種類の光磁気材料は、ガーネット，ＭｎＢｉ，ホイス
ラ合金を含んでいる。第１の光磁気層１３２は、少なく
とも３０％の光透過を許容する厚さとすることができ
る。希土類遷移金属を光磁気層１３２に用いる場合に
は、厚さは４ｎｍ〜１５ｎｍ（好適には１０ｎｍ）でな
ければならない。他の光磁気材料を、光磁気層１３２に
用いることもでき、より大きい層厚を有することができ
るが、いずれにしても、少なくとも３０％の光透過を許
容しなければならない。第２の誘電体層１３４は、光磁
気層１３２上に設けられ、層１３０と同じ誘電体材料で
作られるのが好適である。
面図である。記録媒体１２は、基板５０上に第１の誘電
体層１３０を有している。誘電体層１３０は、窒化物，
炭化物，酸化物のような、透明かつ化学的に安定な誘電
体材料で作られる。好適な材料のいくつかは、ＳｉＮ，
ＡｌＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯX である。誘電体層１３０上に
第１の光磁気層１３２が、設けられている。光磁気層１
３２は、光磁気材料で作られている。数種類の光磁気材
料を用いることができる。１つの例は、少なくとも１つ
の希土類元素と少なくとも１つの遷移金属とを含有する
混合物である。好適な例は、ＴｂＦｅＣｏのアモルファ
ス合金である。あるいはまた、ＮｄまたはＰｒのような
他の希土類元素が添加されたＴｂＦｅＣｏを用いること
ができる。他の種類の光磁気材料は、コバルト−貴金属
系である。貴金属には、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｒｕが含まれる。
コバルト−貴金属系は、合金の形態、またはＣｏおよび
貴金属の交互層よりなる多層系とすることができる。他
の種類の光磁気材料は、ガーネット，ＭｎＢｉ，ホイス
ラ合金を含んでいる。第１の光磁気層１３２は、少なく
とも３０％の光透過を許容する厚さとすることができ
る。希土類遷移金属を光磁気層１３２に用いる場合に
は、厚さは４ｎｍ〜１５ｎｍ（好適には１０ｎｍ）でな
ければならない。他の光磁気材料を、光磁気層１３２に
用いることもでき、より大きい層厚を有することができ
るが、いずれにしても、少なくとも３０％の光透過を許
容しなければならない。第２の誘電体層１３４は、光磁
気層１３２上に設けられ、層１３０と同じ誘電体材料で
作られるのが好適である。
【００１７】誘電体１３４上はエアスペース７８であ
り、あるいは、記録媒体１２４の場合には、充実層１２
６である。エアスペース７８上は、第３の誘電体層１４
０である。誘電体層１４０は、層１３０と同じ材料で作
るのが好適である。第２の光磁気層１４２が、誘電体層
１４０上に設けられる。第２の光磁気層１４２は、層１
３２と同じ材料で作られる。第２の光磁気層１４２の厚
さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍ（好適には２０ｎｍ）であ
る。第４の誘電体層１４４が、第２の光磁気層１４２上
に設けられる。誘電体層１４４は、層１３０と同じ材料
で作るのが好適である。化学的に安定な反射層１４６
が、誘電体層１４４上に設けられている。反射層１４６
は、アルミニウム合金、または貴金属およびこれらの合
金のような反射材料で作られ、基板５６が、反射層１４
６上に設けられる。
り、あるいは、記録媒体１２４の場合には、充実層１２
６である。エアスペース７８上は、第３の誘電体層１４
０である。誘電体層１４０は、層１３０と同じ材料で作
るのが好適である。第２の光磁気層１４２が、誘電体層
１４０上に設けられる。第２の光磁気層１４２は、層１
３２と同じ材料で作られる。第２の光磁気層１４２の厚
さは、１０ｎｍ〜１００ｎｍ（好適には２０ｎｍ）であ
る。第４の誘電体層１４４が、第２の光磁気層１４２上
に設けられる。誘電体層１４４は、層１３０と同じ材料
で作るのが好適である。化学的に安定な反射層１４６
が、誘電体層１４４上に設けられている。反射層１４６
は、アルミニウム合金、または貴金属およびこれらの合
金のような反射材料で作られ、基板５６が、反射層１４
６上に設けられる。
【００１８】好適な製造方法では、誘電体層１３０と光
磁気層１３２と誘電体層１３４とは、基板５０上に連続
的に堆積される。反射層１４６と誘電体層１４２と光磁
気層１４０とは、基板５６上に連続的に堆積される。次
に、基板５０と基板５６とが、図２（ａ）で示したよう
に、リム５２，５４で組合される。図２（ｂ）の記録媒
体１２０の場合、堆積された層を有する基板５０′，５
６′は、光接合材によって互いに接着される。図２
（ｃ）の記録媒体１２４の場合、すべての層が基板５
０″上に連続的に堆積される。
磁気層１３２と誘電体層１３４とは、基板５０上に連続
的に堆積される。反射層１４６と誘電体層１４２と光磁
気層１４０とは、基板５６上に連続的に堆積される。次
に、基板５０と基板５６とが、図２（ａ）で示したよう
に、リム５２，５４で組合される。図２（ｂ）の記録媒
体１２０の場合、堆積された層を有する基板５０′，５
６′は、光接合材によって互いに接着される。図２
（ｃ）の記録媒体１２４の場合、すべての層が基板５
０″上に連続的に堆積される。
【００１９】データ面９０，９２について高い信号対雑
音比を実現するためには、誘電体層１３０，１３４，１
４０，１４４の厚さを、特定の値を有するように選ぶ必
要がある。適切な厚さの範囲を、表１に示す。第１およ
び第３のケースは、記録媒体１２に関するものである。
第２および第４のケースは、共に、記録媒体１２０，１
２４に関するものである。表１の第１および第２のケー
スの実施例は、位相リターダ（ｐｈａｓｅ ｒｅｔａｒ
ｄｅｒ）を有さない光ディスク駆動機構に用いられるよ
うに構成されている。表１の第３および第４のケースの
実施例は、位相リターダを有する光ディスク駆動機構に
用いることができる。光ディスク駆動機構を、以下に詳
細に説明する。第１および第３のケースの各々は、２つ
の異なった実施例を有している。
音比を実現するためには、誘電体層１３０，１３４，１
４０，１４４の厚さを、特定の値を有するように選ぶ必
要がある。適切な厚さの範囲を、表１に示す。第１およ
び第３のケースは、記録媒体１２に関するものである。
第２および第４のケースは、共に、記録媒体１２０，１
２４に関するものである。表１の第１および第２のケー
スの実施例は、位相リターダ（ｐｈａｓｅ ｒｅｔａｒ
ｄｅｒ）を有さない光ディスク駆動機構に用いられるよ
うに構成されている。表１の第３および第４のケースの
実施例は、位相リターダを有する光ディスク駆動機構に
用いることができる。光ディスク駆動機構を、以下に詳
細に説明する。第１および第３のケースの各々は、２つ
の異なった実施例を有している。
【００２０】高い信号対雑音構成は、また、表１に示さ
れる誘電体厚さ範囲に、λ／２ｎ（λはレーザの波長、
ｎは誘電体層の屈折率である）に等しい距離を加算また
は減算することによって実現することができる。表１の
計算において用いられているλ＝６８０ｎｍおよびｎ＝
２．０（ＳｉＮの誘電体層について）に対して、λ／２
ｎ＝１７０ｎｍである。この周期的干渉効果は、Ｔ．
Ｗ．ＭｃＤａｎｉｅｌ，Ｋ．Ａ．Ｒｕｂｉｎ，Ｂ．Ｉ．
Ｆｉｎｋｅｌｓｔｅｉｎによる文献“Ｏｐｔｉｍｕｍ
Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ
Ｍｅｄｉａ Ｆｏｒ Ｄｒｉｖｅ Ｃｏｍｐａｔｉｂ
ｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，Ｖ
ｏｌ．３０，ｐ４４１３−４４１５，Ｎｏｖ．１９９
４．に詳細に説明されている。
れる誘電体厚さ範囲に、λ／２ｎ（λはレーザの波長、
ｎは誘電体層の屈折率である）に等しい距離を加算また
は減算することによって実現することができる。表１の
計算において用いられているλ＝６８０ｎｍおよびｎ＝
２．０（ＳｉＮの誘電体層について）に対して、λ／２
ｎ＝１７０ｎｍである。この周期的干渉効果は、Ｔ．
Ｗ．ＭｃＤａｎｉｅｌ，Ｋ．Ａ．Ｒｕｂｉｎ，Ｂ．Ｉ．
Ｆｉｎｋｅｌｓｔｅｉｎによる文献“Ｏｐｔｉｍｕｍ
Ｄｅｓｉｇｎ ｏｆ Ｏｐｔｉｃａｌ Ｓｔｏｒａｇｅ
Ｍｅｄｉａ Ｆｏｒ Ｄｒｉｖｅ Ｃｏｍｐａｔｉｂ
ｉｌｉｔｙ”，ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．，Ｖ
ｏｌ．３０，ｐ４４１３−４４１５，Ｎｏｖ．１９９
４．に詳細に説明されている。
【００２１】
【表１】
【００２２】表１に示す最適な厚さは、ポリカーボネー
ト基板（屈折率ｎ＝１．５８）、窒化シリコンの誘電体
層（ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１；ここにｊは−１の平
方根に等しい）、ＴｂＦｅＣｏの光磁気層（ｎ+ ＝３．
０６４−ｊ３．０７３，ｎ-＝３．１９６−ｊ３．１８
７；ここに、ｎ+ およびｎ- は、それぞれ１０ｎｍ厚の
第１の光磁気層および２０ｎｍ厚の第２の光磁気層に対
する、右まわりおよび左まわりの円偏光についての屈折
率である）、アルミニウム反射層（ｎ＝１．７９−ｊ
６．８１）を有する光記録媒体に対して選ばれた。光記
録媒体は、波長６８０ｎｍのレーザを用いる光ディスク
駆動機構に用いられた。最適な誘電体層の厚さは、光記
録媒体からの最大戻り信号を得る誘電体層の厚さの値を
計算することにより、決定された。標準的な光理論式を
用いて、光記録媒体中の層の反射率，吸収率，透過率を
それぞれ決定し、および６８０ｎｍの正常入射光につい
ての、光記録媒体から反射された光のカー回転角を決定
する。光磁気層からの戻り光が、比較的大きいカー回転
角および光強度を有する場合に、大きい信号が実現され
た。これらの標準的な光理論式の詳細は、Ｏ．Ｈｅａｖ
ｅｎｓによる文献“Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉ
ｅｓ Ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，Ａ
ｃａｄｅｍｉｃ，Ｎ．Ｙ．，１９９５；Ｐ．Ｙｅｈによ
る文献“Ｏｐｔｉｃｓ Ｏｆ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｌａｙｅｒｅｄ Ｍｅｄｉａ： ＡＮｅｗ ４×４
Ｍａｔｒｉｘ Ａｌｇｅｂｒａ”，Ｓｕｒｆ．Ｓｃ
ｉ．，４１，１９８０；Ｍ．Ｍａｎｓｕｒｉｐｕｒによ
る文献“Ａｎａｌｙｓｉｓ ＯｆＭｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ Ｃｏｎ
ｔａｉｎｉｎｇＭａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ ａｎｄ
ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＭｅｄｉａ Ａｔ Ｏｂｌｉｑ
ｕｅ Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ Ｕｓｉｎｇ ２×２Ｍａｔ
ｒｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃｓ，６４６
６，１９９０；Ｋ．ＥｇａｓｈｉｒａおよびＴ．Ｙａｍ
ａｄａによる文献“Ｋｅｒｒ Ｅｆｆｅｃｔ Ｅｎｈａ
ｎｃｅｍｅｎｔ Ａｎｄ Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ Ｏ
ｆ ＲｅａｄｏｕｔＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ
Ｉｎ ＭｎＢ： Ｆｉｌｍ Ｍｅｍｏｒｙ”，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃ，３６４３，１９７４．に説明され
ている。
ト基板（屈折率ｎ＝１．５８）、窒化シリコンの誘電体
層（ｎ＝２．０２５−ｊ０．０１；ここにｊは−１の平
方根に等しい）、ＴｂＦｅＣｏの光磁気層（ｎ+ ＝３．
０６４−ｊ３．０７３，ｎ-＝３．１９６−ｊ３．１８
７；ここに、ｎ+ およびｎ- は、それぞれ１０ｎｍ厚の
第１の光磁気層および２０ｎｍ厚の第２の光磁気層に対
する、右まわりおよび左まわりの円偏光についての屈折
率である）、アルミニウム反射層（ｎ＝１．７９−ｊ
６．８１）を有する光記録媒体に対して選ばれた。光記
録媒体は、波長６８０ｎｍのレーザを用いる光ディスク
駆動機構に用いられた。最適な誘電体層の厚さは、光記
録媒体からの最大戻り信号を得る誘電体層の厚さの値を
計算することにより、決定された。標準的な光理論式を
用いて、光記録媒体中の層の反射率，吸収率，透過率を
それぞれ決定し、および６８０ｎｍの正常入射光につい
ての、光記録媒体から反射された光のカー回転角を決定
する。光磁気層からの戻り光が、比較的大きいカー回転
角および光強度を有する場合に、大きい信号が実現され
た。これらの標準的な光理論式の詳細は、Ｏ．Ｈｅａｖ
ｅｎｓによる文献“Ｏｐｔｉｃａｌ Ｐｒｏｐｅｒｔｉ
ｅｓ Ｏｆ Ｔｈｉｎ Ｓｏｌｉｄ Ｆｉｌｍｓ”，Ａ
ｃａｄｅｍｉｃ，Ｎ．Ｙ．，１９９５；Ｐ．Ｙｅｈによ
る文献“Ｏｐｔｉｃｓ Ｏｆ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｌａｙｅｒｅｄ Ｍｅｄｉａ： ＡＮｅｗ ４×４
Ｍａｔｒｉｘ Ａｌｇｅｂｒａ”，Ｓｕｒｆ．Ｓｃ
ｉ．，４１，１９８０；Ｍ．Ｍａｎｓｕｒｉｐｕｒによ
る文献“Ａｎａｌｙｓｉｓ ＯｆＭｕｌｔｉｌａｙｅｒ
Ｔｈｉｎ−Ｆｉｌｍ Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ Ｃｏｎ
ｔａｉｎｉｎｇＭａｇｎｅｔｏ−Ｏｐｔｉｃ ａｎｄ
ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＭｅｄｉａ Ａｔ Ｏｂｌｉｑ
ｕｅ Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ Ｕｓｉｎｇ ２×２Ｍａｔ
ｒｉｃｅｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃｓ，６４６
６，１９９０；Ｋ．ＥｇａｓｈｉｒａおよびＴ．Ｙａｍ
ａｄａによる文献“Ｋｅｒｒ Ｅｆｆｅｃｔ Ｅｎｈａ
ｎｃｅｍｅｎｔ Ａｎｄ Ｉｍｐｒｏｖｅｍｅｎｔ Ｏ
ｆ ＲｅａｄｏｕｔＣｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ
Ｉｎ ＭｎＢ： Ｆｉｌｍ Ｍｅｍｏｒｙ”，Ｊ．Ａｐ
ｐｌ．Ｐｈｙｓｉｃ，３６４３，１９７４．に説明され
ている。
【００２３】図４は、この発明の記録媒体の他の実施例
の詳細な断面図であり、１５０で示されている。記録媒
体１２の要素と類似の記録媒体１５０の要素には、ダッ
シュの付された番号によって示されている。記録媒体１
５０は、どのようにしてこの発明の光磁気媒体を、２つ
の光磁気層よりもさらに多くの層に拡張できるかを示し
ている。記録媒体１５０は、８つの光磁気層を示してい
る。追加の中間基板１５２が加えられ、リム５２，５４
に類似の追加のリムを用いて分離して、介在エアスペー
ス７８′を形成する。
の詳細な断面図であり、１５０で示されている。記録媒
体１２の要素と類似の記録媒体１５０の要素には、ダッ
シュの付された番号によって示されている。記録媒体１
５０は、どのようにしてこの発明の光磁気媒体を、２つ
の光磁気層よりもさらに多くの層に拡張できるかを示し
ている。記録媒体１５０は、８つの光磁気層を示してい
る。追加の中間基板１５２が加えられ、リム５２，５４
に類似の追加のリムを用いて分離して、介在エアスペー
ス７８′を形成する。
【００２４】記録媒体１２０，１２４は、また、記録媒
体１５０のように２つのデータ層よりもさらに多くの層
に拡張することができる。このような場合、複数の層１
２２または１２６を、基板１５２およびエアスペース７
８′に代えて用いる。
体１５０のように２つのデータ層よりもさらに多くの層
に拡張することができる。このような場合、複数の層１
２２または１２６を、基板１５２およびエアスペース７
８′に代えて用いる。
【００２５】図５は、光ヘッド２２および記録媒体１２
の略図である。光ヘッド２２は、レーザダイオード２０
０を有している。レーザダイオード２００は、ガリウム
・アルミニウム・インジウム・リン・ダイオードレーザ
とすることができ、これは約６８０ｎｍ波長の１次光ビ
ーム２０２を発生する。光ビーム２０２は、レンズ２０
３によりコリメートされ、サーキュラライズ・プリズム
とすることのできるサーキュラライザ２０４によってサ
ーキュライズされる。光ビーム２０２は、ビームスプリ
ッタ２０５に達する。ビーム２０２の一部は、ビームス
プリッタ２０５により、フォーカスレンズ２０６および
光検出器２０７に反射される。光検出器２０７は、光ビ
ーム２０２のパワーをモニタするために用いられる。残
りの光ビームは、ミラー２０８に達し、反射される。次
に、光ビーム２０２は、フォーカスレンズ２１０および
複数データ面収差補償器２１２を通過して、記録媒体１
２のデータ面の１つ（図示のような面９２）上にフォー
カスされる。レンズ２１０は、ホルダ２１４に取付けら
れている。ホルダー２１４の位置は、ボイスコイル・モ
ータとすることのできるフォーカス・アクチュエータ・
モータ２１６によって記録媒体１２に対して調整され
る。
の略図である。光ヘッド２２は、レーザダイオード２０
０を有している。レーザダイオード２００は、ガリウム
・アルミニウム・インジウム・リン・ダイオードレーザ
とすることができ、これは約６８０ｎｍ波長の１次光ビ
ーム２０２を発生する。光ビーム２０２は、レンズ２０
３によりコリメートされ、サーキュラライズ・プリズム
とすることのできるサーキュラライザ２０４によってサ
ーキュライズされる。光ビーム２０２は、ビームスプリ
ッタ２０５に達する。ビーム２０２の一部は、ビームス
プリッタ２０５により、フォーカスレンズ２０６および
光検出器２０７に反射される。光検出器２０７は、光ビ
ーム２０２のパワーをモニタするために用いられる。残
りの光ビームは、ミラー２０８に達し、反射される。次
に、光ビーム２０２は、フォーカスレンズ２１０および
複数データ面収差補償器２１２を通過して、記録媒体１
２のデータ面の１つ（図示のような面９２）上にフォー
カスされる。レンズ２１０は、ホルダ２１４に取付けら
れている。ホルダー２１４の位置は、ボイスコイル・モ
ータとすることのできるフォーカス・アクチュエータ・
モータ２１６によって記録媒体１２に対して調整され
る。
【００２６】光ビーム２０２の一部は、データ面で反射
され、反射ビーム２２０となる。反射ビーム２２０は、
収差補償器２１２およびレンズ２１０を戻り、ミラー２
０８で反射される。ビームスプリッタ２０５で、光ビー
ム２２０は、複数データ面フィルタ２２２に反射され
る。光ビーム２２０は、位相リターダ２２３に達する。
好適な実施例では、位相リターダ２２３は、光記録媒体
から反射された光のＳ偏光成分とＰ偏光成分との間に位
相シフトを発生させる複屈折結晶である。位相シフトの
相対量は、複屈折結晶を光に対して所望の角度に傾け、
結晶に入射する楕円偏光が、結晶から出射する直線偏光
に変換されるように、調整される。これは、戻り光ビー
ムのカー効果を最適化し、記録データを読取るための最
大信号の実現を助ける。位相リターダの詳細は、刊行物
“Ｏｐｔｉｃｓ”，Ｅ．ＨｅｃｈｔおよびＡｌｆｒｅｄ
Ｚａｊａｃ著，Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ Ｐｕ
ｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，（１９７５），ｐ
２４６．に説明されている。位相リターダ２２３は、戻
り信号が最適になるように、戻り信号の位相を調整す
る。駆動機構が、この発明の複数データ面光磁気ディス
クと、従来技術の光磁気単一層媒体との両方と、協働す
ることのできるように、位相リターダ２２３を調整する
のが望ましい。位相リターダは、また、複数データ層デ
ィスクの信号を最大にするのに必要な一定のリターデイ
ションを有することができ、位相リターデイションを必
要としない標準単一データ層ディスクに対する光路から
移動させることができる。
され、反射ビーム２２０となる。反射ビーム２２０は、
収差補償器２１２およびレンズ２１０を戻り、ミラー２
０８で反射される。ビームスプリッタ２０５で、光ビー
ム２２０は、複数データ面フィルタ２２２に反射され
る。光ビーム２２０は、位相リターダ２２３に達する。
好適な実施例では、位相リターダ２２３は、光記録媒体
から反射された光のＳ偏光成分とＰ偏光成分との間に位
相シフトを発生させる複屈折結晶である。位相シフトの
相対量は、複屈折結晶を光に対して所望の角度に傾け、
結晶に入射する楕円偏光が、結晶から出射する直線偏光
に変換されるように、調整される。これは、戻り光ビー
ムのカー効果を最適化し、記録データを読取るための最
大信号の実現を助ける。位相リターダの詳細は、刊行物
“Ｏｐｔｉｃｓ”，Ｅ．ＨｅｃｈｔおよびＡｌｆｒｅｄ
Ｚａｊａｃ著，Ａｄｄｉｓｏｎ−Ｗｅｓｌｅｙ Ｐｕ
ｂｌｉｓｈｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ，（１９７５），ｐ
２４６．に説明されている。位相リターダ２２３は、戻
り信号が最適になるように、戻り信号の位相を調整す
る。駆動機構が、この発明の複数データ面光磁気ディス
クと、従来技術の光磁気単一層媒体との両方と、協働す
ることのできるように、位相リターダ２２３を調整する
のが望ましい。位相リターダは、また、複数データ層デ
ィスクの信号を最大にするのに必要な一定のリターデイ
ションを有することができ、位相リターデイションを必
要としない標準単一データ層ディスクに対する光路から
移動させることができる。
【００２７】ビーム２２０は、位相リターダ２２３から
ビームスプリッタ２２４へ達する。ビームスプリッタ２
２４では、ビーム２２０の第１部分２３０が、非点収差
レンズ２３２および４分割光検出器２３４に送られる。
ビームスプリッタ２２４では、ビーム２２０の第２部分
２３６が、半波長板２３８を経て偏光ビームスプリッタ
２４０に送られる。ビームスプリッタ２４０は、光ビー
ム２３６を、第１の直交偏光成分２４２と第２の直交偏
光成分２４４とに分割される。レンズ２４６は、光２４
２を光検出器２４８にフォーカスし、レンズ２５０は、
光２４４を光検出器２５２にフォーカスする。
ビームスプリッタ２２４へ達する。ビームスプリッタ２
２４では、ビーム２２０の第１部分２３０が、非点収差
レンズ２３２および４分割光検出器２３４に送られる。
ビームスプリッタ２２４では、ビーム２２０の第２部分
２３６が、半波長板２３８を経て偏光ビームスプリッタ
２４０に送られる。ビームスプリッタ２４０は、光ビー
ム２３６を、第１の直交偏光成分２４２と第２の直交偏
光成分２４４とに分割される。レンズ２４６は、光２４
２を光検出器２４８にフォーカスし、レンズ２５０は、
光２４４を光検出器２５２にフォーカスする。
【００２８】複数データ面収差補償器２１２、複数デー
タ面フィルタ２２２、複数データ面光データ記憶装置の
一般的な動作は、米国特許第５，３０２，８７５号明細
書に詳細に説明されている。
タ面フィルタ２２２、複数データ面光データ記憶装置の
一般的な動作は、米国特許第５，３０２，８７５号明細
書に詳細に説明されている。
【００２９】図６は、４分割光検出器２３４の上面図で
ある。検出器２３４は、４つの同じ部分２３４Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄに分割されている。
ある。検出器２３４は、４つの同じ部分２３４Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄに分割されている。
【００３０】図７は、チャンネル回路２６０の回路図を
示している。回路２６０は、データ回２６２，フォーカ
スエラー回路２６４、トラッキングエラー回路２６６を
備えている。データ回路２６２は、検出器２４８に接続
された増幅器２７０と、検出器２５２に接続された増幅
器２７２とを有している。増幅器２７０，２７２は、ダ
ブルポール・ダブルスロー電子スイッチ２７４に接続さ
れている。スイッチ２７４は、加算増幅器２７６および
差動増幅器２７８に接続されている。
示している。回路２６０は、データ回２６２，フォーカ
スエラー回路２６４、トラッキングエラー回路２６６を
備えている。データ回路２６２は、検出器２４８に接続
された増幅器２７０と、検出器２５２に接続された増幅
器２７２とを有している。増幅器２７０，２７２は、ダ
ブルポール・ダブルスロー電子スイッチ２７４に接続さ
れている。スイッチ２７４は、加算増幅器２７６および
差動増幅器２７８に接続されている。
【００３１】回路２６４は、検出器部分２３４Ａ，Ｂ，
Ｃ，Ｄにそれぞれ接続された複数の増幅器２８０，２８
２，２８４，２８６を有している。加算増幅器２８８
は、増幅器２８０，２８４に接続され、加算増幅器２９
０は、増幅器２８２，２８６に接続されている。差動増
幅器２９２は、加算増幅器２８８，２９０に接続されて
いる。
Ｃ，Ｄにそれぞれ接続された複数の増幅器２８０，２８
２，２８４，２８６を有している。加算増幅器２８８
は、増幅器２８０，２８４に接続され、加算増幅器２９
０は、増幅器２８２，２８６に接続されている。差動増
幅器２９２は、加算増幅器２８８，２９０に接続されて
いる。
【００３２】回路２６６は、１対の加算増幅器２９４，
２９６と、差動増幅器２９８とを備えている。加算増幅
器２９４は、増幅器２８０，２８２に接続され、加算増
幅器２９６は、増幅器２８４，２８６に接続されてい
る。差動増幅器２９８は、ダブルポール・ダブルスロー
電子スイッチ２９７を経て加算増幅器２９４，２９６に
接続されている。スイッチ２９７は、増幅器２９８への
入力を反転させる働きをする。
２９６と、差動増幅器２９８とを備えている。加算増幅
器２９４は、増幅器２８０，２８２に接続され、加算増
幅器２９６は、増幅器２８４，２８６に接続されてい
る。差動増幅器２９８は、ダブルポール・ダブルスロー
電子スイッチ２９７を経て加算増幅器２９４，２９６に
接続されている。スイッチ２９７は、増幅器２９８への
入力を反転させる働きをする。
【００３３】図８は、この発明のコントローラ装置のブ
ロック図であり、３００で示されている。フォーカスエ
ラー信号（ＦＥＳ）ピーク検出器３１０は、フォーカス
エラー信号回路２６４に接続されている。トラックエラ
ー信号（ＴＥＳ）ピーク検出器３１２は、トラッキング
エラー信号回路２６６に接続されている。コントローラ
３１４は、検出器３１０、検出器３１２、検出器２０
７、回路２６２，２６４，２６６に接続されている。コ
ントローラ３１４は、マイクロプロセッサに基づいたデ
ィスク駆動コントローラである。コントローラ３１４
は、また、レーザ２００、ヘッドモータ２６、スピンド
ルモータ１６、フォーカスモータ２１６、スイッチ２７
４，２９７、収差補償器２１２、位相リターダ２２３に
接続されている。
ロック図であり、３００で示されている。フォーカスエ
ラー信号（ＦＥＳ）ピーク検出器３１０は、フォーカス
エラー信号回路２６４に接続されている。トラックエラ
ー信号（ＴＥＳ）ピーク検出器３１２は、トラッキング
エラー信号回路２６６に接続されている。コントローラ
３１４は、検出器３１０、検出器３１２、検出器２０
７、回路２６２，２６４，２６６に接続されている。コ
ントローラ３１４は、マイクロプロセッサに基づいたデ
ィスク駆動コントローラである。コントローラ３１４
は、また、レーザ２００、ヘッドモータ２６、スピンド
ルモータ１６、フォーカスモータ２１６、スイッチ２７
４，２９７、収差補償器２１２、位相リターダ２２３に
接続されている。
【００３４】図９は、位相リターダ２２３の詳細な側面
図である。位相リターダ２２３は、１対の複屈折結晶４
００，４０２よりなる。２つの結晶４００，４０２は、
透明な光接合材によって互いに接合されている。結晶４
００は、その光学軸４１０（結晶の軸）を図示のように
垂直に向くようにして、配列される。結晶４０２は、そ
の光学軸４１２を図９の面に垂直にするように配列され
る。
図である。位相リターダ２２３は、１対の複屈折結晶４
００，４０２よりなる。２つの結晶４００，４０２は、
透明な光接合材によって互いに接合されている。結晶４
００は、その光学軸４１０（結晶の軸）を図示のように
垂直に向くようにして、配列される。結晶４０２は、そ
の光学軸４１２を図９の面に垂直にするように配列され
る。
【００３５】リターダ２２３の中心は、回転軸４２０を
有し、この軸は、フィルタ２２２からの光ビームの軸に
垂直である。リターダ２２３は、軸４２０の周りに角度
θ回転する。リターダは、θが０°のとき、フィルタ２
２２からの光に垂直な外面４３０，４３２を有してい
る。リターダ２２３の全厚さは、次のように選ばれる。
すなわち、フィルタ２２２からの光が、θが０°の場合
に、リターダ２２３を通過するときに、０°の位相シフ
トを受けるようにする。好適な実施例では、結晶４３０
は１ｍｍ厚さであり、結晶４３２は１ｍｍ厚さであり、
全体の厚さは２ｍｍである。
有し、この軸は、フィルタ２２２からの光ビームの軸に
垂直である。リターダ２２３は、軸４２０の周りに角度
θ回転する。リターダは、θが０°のとき、フィルタ２
２２からの光に垂直な外面４３０，４３２を有してい
る。リターダ２２３の全厚さは、次のように選ばれる。
すなわち、フィルタ２２２からの光が、θが０°の場合
に、リターダ２２３を通過するときに、０°の位相シフ
トを受けるようにする。好適な実施例では、結晶４３０
は１ｍｍ厚さであり、結晶４３２は１ｍｍ厚さであり、
全体の厚さは２ｍｍである。
【００３６】図１０は、リターダ２２３の正面図であ
る。リターダ２２３は、軸４２０に沿って配列されたシ
ャフト４４０に接続されている。回転モータ４４２は、
シャフト４４０に連結され、リターダ２２３を軸４２０
の周りに回転させる。モータ４４２は、コントローラ３
１４に接続され、これにより制御される。
る。リターダ２２３は、軸４２０に沿って配列されたシ
ャフト４４０に接続されている。回転モータ４４２は、
シャフト４４０に連結され、リターダ２２３を軸４２０
の周りに回転させる。モータ４４２は、コントローラ３
１４に接続され、これにより制御される。
【００３７】動作中、コントローラ３１４は、リターダ
２２３を調整して、用いられる光磁気媒体の各種類に対
して、適切な角度を有するようにする。角度θは、フィ
ルタ２２２からの楕円偏光が、ビームスプリッタ２２４
に達するときに直線偏光に変換されるように、調整され
る。例えば、表１に記載された記録媒体１２に対して、
９０°の位相シフトは、θを１７°に設定することによ
って実現され、６５°の位相シフトは、θを１４°に設
定することによって実現される。従来技術の単一の光磁
気層媒体に対し、θは０°に設定される。
２２３を調整して、用いられる光磁気媒体の各種類に対
して、適切な角度を有するようにする。角度θは、フィ
ルタ２２２からの楕円偏光が、ビームスプリッタ２２４
に達するときに直線偏光に変換されるように、調整され
る。例えば、表１に記載された記録媒体１２に対して、
９０°の位相シフトは、θを１７°に設定することによ
って実現され、６５°の位相シフトは、θを１４°に設
定することによって実現される。従来技術の単一の光磁
気層媒体に対し、θは０°に設定される。
【００３８】以上により、光データ記録装置１０の一般
的な動作は、理解することができる。コントローラ３１
４は、モータ１６にディスク１２を回転させ、モータ２
６にヘッド２２をディスク１２の下側の適切な位置に移
動させる。図５を参照すると、レーザ２００が付勢され
て、ディスク１２からデータを読取る。光ビーム２０２
は、レンズ２１０によってデータ面９２上にフォーカス
される。反射ビーム２２０が戻され、ビーム２３０，２
４２，２４４に分割される。光ビーム２３０は、検出器
２３４で検出され、フォーカスおよびトラッキング・エ
ラー情報を与えるために用いられる。光ビーム２４２，
２４４は、検出器２４８，２５２でそれぞれ検出され、
データ信号を与えるために用いられる。コントローラ３
１４は、前述したように、リターダ２２３をセットし
て、用いられる記録媒体の種類に対して、最適なデータ
信号を実現する。
的な動作は、理解することができる。コントローラ３１
４は、モータ１６にディスク１２を回転させ、モータ２
６にヘッド２２をディスク１２の下側の適切な位置に移
動させる。図５を参照すると、レーザ２００が付勢され
て、ディスク１２からデータを読取る。光ビーム２０２
は、レンズ２１０によってデータ面９２上にフォーカス
される。反射ビーム２２０が戻され、ビーム２３０，２
４２，２４４に分割される。光ビーム２３０は、検出器
２３４で検出され、フォーカスおよびトラッキング・エ
ラー情報を与えるために用いられる。光ビーム２４２，
２４４は、検出器２４８，２５２でそれぞれ検出され、
データ信号を与えるために用いられる。コントローラ３
１４は、前述したように、リターダ２２３をセットし
て、用いられる記録媒体の種類に対して、最適なデータ
信号を実現する。
【００３９】図６を参照すると、光ビーム２０２がデー
タ面９６に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０
は、検出器２３４上で円形断面３５０を有する。このこ
とは、回路２６４に、零フォーカスエラー信号を出力さ
せる。光ビーム２０２が、一方向あるいは他方向にわず
かにフォーカスがずれると、光ビーム２３０は検出器２
３４上で、長円形パターン３５２または３５４となる。
このことは、回路２６４に、正または負のフォーカスエ
ラー信号を出力させる。コントローラ３１４は、フォー
カスエラー信号を用いて、モータ２１６を制御し、零フ
ォーカス信号が得られるまで、レンズ２１０を移動させ
る。
タ面９６に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０
は、検出器２３４上で円形断面３５０を有する。このこ
とは、回路２６４に、零フォーカスエラー信号を出力さ
せる。光ビーム２０２が、一方向あるいは他方向にわず
かにフォーカスがずれると、光ビーム２３０は検出器２
３４上で、長円形パターン３５２または３５４となる。
このことは、回路２６４に、正または負のフォーカスエ
ラー信号を出力させる。コントローラ３１４は、フォー
カスエラー信号を用いて、モータ２１６を制御し、零フ
ォーカス信号が得られるまで、レンズ２１０を移動させ
る。
【００４０】光ビーム２０２が、データ面のトラック上
に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０が、検出器
部分Ａ，Ｂと検出器部分Ｃ，Ｄとの間で等しい円断面３
５０となる。記録媒体１２のデータ面９０，９２は、技
術上知られているように、円形またはスパイラル状の溝
を有している。光ビームがトラックからずれると、光ビ
ームはこれらトラッキング溝の１つの境界上に照射され
る。その結果、光ビームが回折して、断面３５０が上ま
たは下に動く。検出器部分Ａ，Ｂが、より多くの光を受
けると、部分Ｃ，Ｄの受ける光は少なく、逆に、検出器
部分Ｃ，Ｄが、より多くの光を受けると、部分Ａ，Ｂの
受ける光は少なくなる。
に正確にフォーカスすると、光ビーム２３０が、検出器
部分Ａ，Ｂと検出器部分Ｃ，Ｄとの間で等しい円断面３
５０となる。記録媒体１２のデータ面９０，９２は、技
術上知られているように、円形またはスパイラル状の溝
を有している。光ビームがトラックからずれると、光ビ
ームはこれらトラッキング溝の１つの境界上に照射され
る。その結果、光ビームが回折して、断面３５０が上ま
たは下に動く。検出器部分Ａ，Ｂが、より多くの光を受
けると、部分Ｃ，Ｄの受ける光は少なく、逆に、検出器
部分Ｃ，Ｄが、より多くの光を受けると、部分Ａ，Ｂの
受ける光は少なくなる。
【００４１】逆に、トラッキングエラー信号は、コント
ローラ３１４によって用いられる、ボイスコイル・モー
タ２６を使用してヘッド２２の位置を調整する。コント
ローラ３１４は、光ビームがトラック間のスペースとは
対照のトラッキング溝を追跡するように、スイッチ２９
７をセットすることができる。コントローラ３１４は、
また、光ビーム２０２がデータ面９０にフォーカスする
ようにレンズ２１０を動かして、データをデータ面９０
から読取らせる。複数データ層ディスク駆動機構の一般
的な動作は、前記した米国特許明細書にさらに詳しく説
明されている。
ローラ３１４によって用いられる、ボイスコイル・モー
タ２６を使用してヘッド２２の位置を調整する。コント
ローラ３１４は、光ビームがトラック間のスペースとは
対照のトラッキング溝を追跡するように、スイッチ２９
７をセットすることができる。コントローラ３１４は、
また、光ビーム２０２がデータ面９０にフォーカスする
ようにレンズ２１０を動かして、データをデータ面９０
から読取らせる。複数データ層ディスク駆動機構の一般
的な動作は、前記した米国特許明細書にさらに詳しく説
明されている。
【００４２】ディスク１２は、光データ面を有してい
る。偏光方向を用いて、データを読取る。スイッチ２７
４をセットして、増幅器２７８を接続する。検出器２４
８，２５２で検出された直交偏光の差が、データ信号を
与える。あるいはまた、ＲＯＭまたはＷＲＯＭタイプの
データ面を有する単一または複数のデータ面媒体を読取
ることが必要なときに、反射率の変化によってデータが
検出される場合に、コントローラ３１４がスイッチ２７
４をセットして、増幅器２７６を接続することができ
る。
る。偏光方向を用いて、データを読取る。スイッチ２７
４をセットして、増幅器２７８を接続する。検出器２４
８，２５２で検出された直交偏光の差が、データ信号を
与える。あるいはまた、ＲＯＭまたはＷＲＯＭタイプの
データ面を有する単一または複数のデータ面媒体を読取
ることが必要なときに、反射率の変化によってデータが
検出される場合に、コントローラ３１４がスイッチ２７
４をセットして、増幅器２７６を接続することができ
る。
【００４３】この発明の好適な実施例を詳細に説明した
が、この発明の範囲から逸脱することなく、当業者であ
ればこれら実施例に対し変更および適応を加えることが
できることは明らかである。
が、この発明の範囲から逸脱することなく、当業者であ
ればこれら実施例に対し変更および適応を加えることが
できることは明らかである。
【００４４】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。 （１）基板と、前記基板上に設けられた第１の誘電体層
と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを透
過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第１の光
磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第２の誘
電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射線透過
層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の誘電体
層上に設けられた第２の光磁気層と、を備える光データ
記憶装置。 （２）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１）
に記載の光データ記憶装置。 （３）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、上
記（１）に記載の光データ記憶装置。 （４）前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体
層と、前記第４の誘電体層上に設けられた反射層と、を
さらに備える、上記（１）に記載の光データ記憶装置。 （５）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜
２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λ
は光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは
前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）
に記載の光データ記憶装置。 （６）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２３
〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第
３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメー
タの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０
（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光デ
ータ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘
電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載
の光データ記憶装置。 （７）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１０５
〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （８）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５
〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０
〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （１０）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上
記（４）に記載の光データ記憶装置。 （１１）基板と、前記基板上に設けられた第１の誘電体
層と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを
透過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第１の
光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第２の
誘電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射線透
過層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の誘電
体層上に設けられた第２の光磁気層とを有する光データ
記憶媒体と、放射線ビームを発生する放射線源と、前記
放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる放射
線透過デバイスと、前記光データ記憶媒体からの戻り放
射線ビームを受取り、受取った放射線に応じたデータ信
号を発生する放射線受取りデバイスと、を備える光デー
タ記憶装置。 （１２）前記放射線受取りデバイスは、位相リターダを
有する、上記（１１）に記載の光データ記憶装置。 （１３）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１
１）に記載の光データ記憶装置。 （１４）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、
上記（１１）に記載の光データ記憶装置。 （１５）前記光データ記憶媒体は、前記第１の光磁気層
上に設けられた第４の誘電体層と、前記第４の誘電体層
上に設けられた反射層とをさらに備える、上記（（１
１）に記載の光データ記憶装置。 （１６）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜
２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λ
は光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは
前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （１７）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
２３〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前
記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノ
メータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２
４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは
光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前
記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）
に記載の光データ記憶装置。 （１８）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
１０５〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長で
あり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、
上記（１５）に記載の光データ記憶装置。 （１９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５
〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （２０）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０
〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （２１）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上
記（１５）に記載の光データ記憶装置。 （２２）少なくとも２つの別個の光磁気データ層を有す
る光データ記憶媒体を収容するデバイスと、放射線ビー
ムを発生する放射線源と、前記放射線ビームを前記光デ
ータ記憶媒体に透過させる放射線透過デバイスと、前記
光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取り、受
取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射線受取
りデバイスとを備え、前記放射線受取りデバイスは、戻
りビームの偏光成分の相対位相を調整する位相リターダ
を有する、光データ記憶装置。 （２３）前記位相リターダは、回転可能に設けられた１
対の複屈折結晶を有する上記（２２）に記載の光データ
記憶装置。 （２４）前記位相リターダを調整し制御して、異なった
種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイ
ションを与える、上記（２２）に記載の光データ記憶装
置。 （２５）前記光データ記憶媒体を、前記放射線ビームに
対して動かす駆動装置をさらに備える、上記（２２）に
記載の光データ記憶装置。
の事項を開示する。 （１）基板と、前記基板上に設けられた第１の誘電体層
と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを透
過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第１の光
磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第２の誘
電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射線透過
層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の誘電体
層上に設けられた第２の光磁気層と、を備える光データ
記憶装置。 （２）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１）
に記載の光データ記憶装置。 （３）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、上
記（１）に記載の光データ記憶装置。 （４）前記第２の光磁気層上に設けられた第４の誘電体
層と、前記第４の誘電体層上に設けられた反射層と、を
さらに備える、上記（１）に記載の光データ記憶装置。 （５）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜
２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λ
は光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは
前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）
に記載の光データ記憶装置。 （６）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、２３
〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第
３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノメー
タの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２４０
（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは光デ
ータ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前記誘
電体層の材料の屈折率の実部である、上記（４）に記載
の光データ記憶装置。 （７）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１０５
〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （８）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５
〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０
〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記
（４）に記載の光データ記憶装置。 （１０）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上
記（４）に記載の光データ記憶装置。 （１１）基板と、前記基板上に設けられた第１の誘電体
層と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを
透過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第１の
光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第２の
誘電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射線透
過層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の誘電
体層上に設けられた第２の光磁気層とを有する光データ
記憶媒体と、放射線ビームを発生する放射線源と、前記
放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる放射
線透過デバイスと、前記光データ記憶媒体からの戻り放
射線ビームを受取り、受取った放射線に応じたデータ信
号を発生する放射線受取りデバイスと、を備える光デー
タ記憶装置。 （１２）前記放射線受取りデバイスは、位相リターダを
有する、上記（１１）に記載の光データ記憶装置。 （１３）前記放射線透過層は、空気よりなる、上記（１
１）に記載の光データ記憶装置。 （１４）前記放射線透過層は、充実透光材料よりなる、
上記（１１）に記載の光データ記憶装置。 （１５）前記光データ記憶媒体は、前記第１の光磁気層
上に設けられた第４の誘電体層と、前記第４の誘電体層
上に設けられた反射層とをさらに備える、上記（（１
１）に記載の光データ記憶装置。 （１６）前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜
２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λ
は光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは
前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （１７）前記第１の誘電体層は、０〜７８（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
２３〜６４（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前
記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２ｎ）ナノ
メータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、９０〜２
４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記λは
光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎは前
記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１５）
に記載の光データ記憶装置。 （１８）前記第１の誘電体層は、９５〜１７０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、８０〜１５０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
１０５〜２１５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長で
あり、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、
上記（１５）に記載の光データ記憶装置。 （１９）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、１１０〜２１０（±λ／２ｎ）
ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、２５
〜１２０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （２０）前記第１の誘電体層は、０〜１６０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層は、
３５〜１１５（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記第３の誘電体層は、８０〜１３０（±λ／２ｎ）ナ
ノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、１５０
〜１７０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記
λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であり、ｎ
は前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上記（１
５）に記載の光データ記憶装置。 （２１）前記第１の誘電体層は、１０〜１４０（±λ／
２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、２０〜１３０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、１０５〜２１０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
３０〜１２５（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、上
記（１５）に記載の光データ記憶装置。 （２２）少なくとも２つの別個の光磁気データ層を有す
る光データ記憶媒体を収容するデバイスと、放射線ビー
ムを発生する放射線源と、前記放射線ビームを前記光デ
ータ記憶媒体に透過させる放射線透過デバイスと、前記
光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取り、受
取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射線受取
りデバイスとを備え、前記放射線受取りデバイスは、戻
りビームの偏光成分の相対位相を調整する位相リターダ
を有する、光データ記憶装置。 （２３）前記位相リターダは、回転可能に設けられた１
対の複屈折結晶を有する上記（２２）に記載の光データ
記憶装置。 （２４）前記位相リターダを調整し制御して、異なった
種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リターデイ
ションを与える、上記（２２）に記載の光データ記憶装
置。 （２５）前記光データ記憶媒体を、前記放射線ビームに
対して動かす駆動装置をさらに備える、上記（２２）に
記載の光データ記憶装置。
【図１】この発明の光データ記憶装置の概略図である。
【図２】この発明の光データ記憶装置の断面図であり、
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ異なった光記録媒体
を示している。
（ａ），（ｂ），（ｃ）はそれぞれ異なった光記録媒体
を示している。
【図３】図２（ａ）の記録媒体の詳細な断面図である。
【図４】この発明の他の記録媒体の詳細な断面図であ
る。
る。
【図５】この発明の光ヘッドおよび記録媒体の略図であ
る。
る。
【図６】図５の光検出器の上面図である。
【図７】この発明のチャンネル回路の回路図である。
【図８】この発明のコントローラ回路のブロック図であ
る。
る。
【図９】図５の位相リターダの側面図である。
【図１０】図５の位相リターダの正面図である。
１０ 光データ記憶装置 １２，１２０，１２４，１５０ 光記録媒体 １４ スピンドル １６ スピンドル・モータ ２０ シャーシ ２２ 光ヘッド ２４ アーム ２６ ボイスコイル・モータ ５０，５６ 基板 ５２，５４ リム ７８ 環状スペース ９０，９２ データ面 １２２ 充実透明部材 １２６ 充実透光層 １３０ 誘電体層 １３２ 光データ層 ２００ レーザダイオード ２０２ 光ビーム ２０３ レンズ ２０４ サーキュラライザ ２０５，２２４ ビームスプリッタ ２０６ フォーカスレンズ ２０７ 光検出器 ２０８ ミラー ２１０ レンズ ２１２ 複数データ面収差補償器 ２２０ 反射ビーム ２２２ 複数データ面フィルタ ２２３ 位相リターダ ２３２ 非点収差レンズ ２３４，２４８，２５２ 光検出器 ２３８ 半波長板 ２４０ 偏光ビームスプリッタ ２６０ チャンネル回路 ２６２ データ回路 ２６４ フォーカスエラー回路 ２６６ トラッキングエラー回路 ３００ コントローラ装置 ３１０ ＦＥＳピーク検出器 ３１２ ＴＥＳピーク検出器 ３１４ コントローラ ４００，４０２ 複屈折結晶 ４４０ シャフト ４４２ 回転モータ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ハリス・アンソニー・ノタリーズ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ホセ サウスシー コート 76 (72)発明者 ハル・ジャーヴィス・ローズン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 ロス ガトス パイン アヴェニュー 17131 (72)発明者 カート・アラン・ラビン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 サン ホセ ビゲロウコート 6075
Claims (12)
- 【請求項１】基板と、 前記基板上に設けられた第１の誘電体層と、 前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビームを透過さ
せる厚さを有する第１の光磁気層と、 前記第１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、 前記第２の誘電体層上に設けられた放射線透過層と、 前記放射線透過層上に設けられた第３の誘電体層と、 前記第３の誘電体層上に設けられた第２の光磁気層と、
を備える光データ記憶装置。 - 【請求項２】前記放射線透過層は、空気よりなる、請求
項１記載の光データ記憶装置。 - 【請求項３】前記放射線透過層は、充実透光材料よりな
る、請求項１記載の光データ記憶装置。 - 【請求項４】前記第２の光磁気層上に設けられた第４の
誘電体層と、 前記第４の誘電体層上に設けられた反射層と、 をさらに備える、請求項１記載の光データ記憶装置。 - 【請求項５】前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ
／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、請
求項４記載の光データ記憶装置。 - 【請求項６】基板と、前記基板上に設けられた第１の誘
電体層と、前記第１の誘電体層上に設けられ、放射ビー
ムを透過させる厚さを有する第１の光磁気層と、前記第
１の光磁気層上に設けられた第２の誘電体層と、前記第
２の誘電体層上に設けられた放射線透過層と、前記放射
線透過層上に設けられた第３の誘電体層と、前記第３の
誘電体層上に設けられた第２の光磁気層とを有する光デ
ータ記憶媒体と、 放射線ビームを発生する放射線源と、 前記放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる
放射線透過デバイスと、 前記光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取
り、受取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射
線受取りデバイスと、を備える光データ記憶装置。 - 【請求項７】前記光データ記憶媒体は、前記第１の光磁
気層上に設けられた第４の誘電体層と、前記第４の誘電
体層上に設けられた反射層とをさらに備える、請求項１
１記載の光データ記憶装置。 - 【請求項８】前記第１の誘電体層は、０〜１６６（±λ
／２ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第２の誘電体層
は、８０〜１６０（±λ／２ｎ）ナノメータの厚さを有
し、前記第３の誘電体層は、８０〜２５０（±λ／２
ｎ）ナノメータの厚さを有し、前記第４の誘電体層は、
９０〜２４０（±λ２／ｎ）ナノメータの厚さを有し、
前記λは光データ記憶装置に用いられる光の波長であ
り、ｎは前記誘電体層の材料の屈折率の実部である、請
求項７記載の光データ記憶装置。 - 【請求項９】少なくとも２つの別個の光磁気データ層を
有する光データ記憶媒体を収容するデバイスと、 放射線ビームを発生する放射線源と、 前記放射線ビームを前記光データ記憶媒体に透過させる
放射線透過デバイスと、 前記光データ記憶媒体からの戻り放射線ビームを受取
り、受取った放射線に応じたデータ信号を発生する放射
線受取りデバイスとを備え、 前記放射線受取りデバイスは、戻りビームの偏光成分の
相対位相を調整する位相リターダを有する、光データ記
憶装置。 - 【請求項１０】前記位相リターダは、回転可能に設けら
れた１対の複屈折結晶を有する請求項９記載の光データ
記憶装置。 - 【請求項１１】前記位相リターダを調整し制御して、異
なった種類の光磁気媒体に用いられる可変量の位相リタ
ーデイションを与える、請求項９記載の光データ記憶装
置。 - 【請求項１２】前記光データ記憶媒体を、前記放射線ビ
ームに対して動かす駆動装置をさらに備える、請求項９
記載の光データ記憶装置。
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Family Cites Families (40)
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| US3999009A (en) * | 1971-03-11 | 1976-12-21 | U.S. Philips Corporation | Apparatus for playing a transparent optically encoded multilayer information carrying disc |
| US3946367A (en) * | 1972-12-20 | 1976-03-23 | Videonics Of Hawaii, Inc. | Three dimensional electro-optical retrieval system |
| CA1078060A (en) * | 1974-10-21 | 1980-05-20 | James T. Russell | Multi-layered optical data records and playback apparatus |
| US4219704A (en) * | 1974-10-21 | 1980-08-26 | Eli S. Jacobs | Record playback apparatus for optical data records |
| NL7803069A (nl) * | 1978-03-22 | 1979-09-25 | Philips Nv | Meerlaags informatieschijf. |
| NL7900281A (nl) * | 1979-01-15 | 1980-07-17 | Philips Nv | Optische registratie-inrichting alsmede een werkwijze voor het registreren van informatie langs optische weg. |
| JPS586536A (ja) * | 1981-07-01 | 1983-01-14 | Pioneer Electronic Corp | 光学式デイスク |
| JPS5862838A (ja) * | 1981-10-12 | 1983-04-14 | Hitachi Ltd | 光デイスク記録媒体 |
| JPS59215044A (ja) * | 1983-05-19 | 1984-12-04 | Brother Ind Ltd | 記録再生装置の記録媒体 |
| JPS60160036A (ja) * | 1984-01-28 | 1985-08-21 | Toshiba Corp | 光デイスク |
| JPS60202545A (ja) * | 1984-03-27 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層光記録再生方法 |
| JPS60219647A (ja) * | 1984-04-13 | 1985-11-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 多層光記録媒体 |
| US4922454A (en) * | 1984-10-30 | 1990-05-01 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory medium and apparatus for writing and reading information on and from the medium |
| EP0192244B1 (en) * | 1985-02-18 | 1990-06-13 | Hitachi Maxell Ltd. | An optical disc |
| EP0193931B1 (en) * | 1985-03-06 | 1994-06-08 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical high density recording mediums, method for making same and method for recording optical information in the medium |
| JP2512706B2 (ja) * | 1985-05-27 | 1996-07-03 | 日立マクセル株式会社 | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
| US4668550A (en) * | 1985-08-28 | 1987-05-26 | Hitachi, Ltd. | Optical disc |
| DE3724622A1 (de) * | 1986-07-25 | 1988-01-28 | Ricoh Kk | Optisches informationsspeichermedium |
| US4860273A (en) * | 1986-07-31 | 1989-08-22 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of recording information and information recording medium employed for the same |
| JPS63102031U (ja) * | 1986-12-22 | 1988-07-02 | ||
| US4829505A (en) * | 1987-01-28 | 1989-05-09 | The Regents Of The University Of California | Multiple layer optical memory system using second-harmonic-generation readout |
| US4774615A (en) * | 1987-02-17 | 1988-09-27 | Eastman Kodak Company | Magneto-optic read-out method and apparatus with polarization correction means |
| US4977064A (en) * | 1987-05-01 | 1990-12-11 | Mitsui Toatsu Chemicals, Incorporated | Optical recording medium and process for fabricating the same |
| JPS63276732A (ja) * | 1987-05-08 | 1988-11-15 | Sony Corp | 情報記録媒体 |
| GB2205173B (en) * | 1987-05-29 | 1991-06-19 | Stephen William Hurrell | Three dimensional optical memory |
| JPH01151033A (ja) * | 1987-12-08 | 1989-06-13 | Ricoh Co Ltd | 情報記録媒体 |
| JPS6460841A (en) * | 1987-08-31 | 1989-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | Magneto-optical recording and reproducing device |
| JPS6469753A (en) * | 1987-09-10 | 1989-03-15 | Nissan Motor | Idle revolution speed controller for internal combustion engine |
| US4852077A (en) * | 1988-02-05 | 1989-07-25 | Tandy Corporation | Optical data storage media with spatially variable energy absorptivity |
| CA1333820C (en) * | 1988-09-13 | 1995-01-03 | Masahiko Sekiya | Magneto-optical recording medium |
| JPH0823941B2 (ja) * | 1988-11-08 | 1996-03-06 | パイオニア株式会社 | 光学式情報記録担体及びその製造方法 |
| JPH0354740A (ja) * | 1989-07-24 | 1991-03-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材および光学情報記録再生装置 |
| JPH0380443A (ja) * | 1989-08-22 | 1991-04-05 | Sony Corp | 光デイスク |
| JPH03122847A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-24 | Nec Corp | 光滋気ディスク |
| JP2574911B2 (ja) * | 1990-01-10 | 1997-01-22 | シャープ株式会社 | 光磁気記録方法 |
| JPH0413251A (ja) * | 1990-04-28 | 1992-01-17 | Kyocera Corp | 光磁気記録素子及びその製造方法 |
| US5202875A (en) * | 1991-06-04 | 1993-04-13 | International Business Machines Corporation | Multiple data surface optical data storage system |
| FR2680037A1 (fr) * | 1991-07-31 | 1993-02-05 | Sagem | Support d'enregistrement de donnees a lecture magneto-optique et procede et dispositif d'enregistrement et de lecture en comportant application. |
| JPH06230222A (ja) * | 1993-02-05 | 1994-08-19 | Digital Stream:Kk | 位相補償板及び該位相補償板を用いた光磁気ディスクシステム用光ピックアップ |
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