JPH08231B2 - 高純度シリコン法からの廃棄物の処理法 - Google Patents
高純度シリコン法からの廃棄物の処理法Info
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- JPH08231B2 JPH08231B2 JP62069268A JP6926887A JPH08231B2 JP H08231 B2 JPH08231 B2 JP H08231B2 JP 62069268 A JP62069268 A JP 62069268A JP 6926887 A JP6926887 A JP 6926887A JP H08231 B2 JPH08231 B2 JP H08231B2
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- stc
- overhead
- separation column
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/04—Hydrides of silicon
- C01B33/043—Monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/029—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of monosilane
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Processing Of Solid Wastes (AREA)
- Heat Treatment Of Water, Waste Water Or Sewage (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、高純度シリコンの製造時に蓄積する廃棄物
の処理法に関する。より詳細には、本発明は、冶金等級
シリコンの水素添加で出発して高純度シランを生成し、
このシランを分解して高純度シリコン、および水素添加
セクションへの再循環用水素を得る高純度シリコンの製
法の間において蓄積する廃棄物の処理法に関する。
の処理法に関する。より詳細には、本発明は、冶金等級
シリコンの水素添加で出発して高純度シランを生成し、
このシランを分解して高純度シリコン、および水素添加
セクションへの再循環用水素を得る高純度シリコンの製
法の間において蓄積する廃棄物の処理法に関する。
（発明の背景） 米国特許第4,342,749号明細書に記載のような既知の
超高純度シリコンの製法は、冶金等級シリコン供給原料
を超高純度シリコン粉末製品に改善することを包含す
る。超高純度シリコンを与える方法は、３コンポーネン
ト、即ち水素添加サブセクション（subsection）再分布
反応器／塔サブセクション、およびシラン熱分解／シリ
コン粉末圧密サブセクションを包含する。水素添加サブ
セクションは、冶金等級シリコン供給原料（Fe、Al、Ti
などの不純物約２重量％を有するシリコン）を四塩化ケ
イ素および水素と反応させて中間体クロロシラン、例え
ばトリクロロシラン生成物を生成するこを包含し、この
ような操作時に、シリコン供給原料中の冶金不純物の多
くを含めて廃棄物は、クロロシラン廃棄物流中でプロセ
スから除去されている。トリクロロシラン中間生成物
は、供給原料として反応器および塔セクションに通過
し、そこで樹脂触媒を含有する反応器と蒸溜塔との組み
合わせは、クロロシラン中間生成物は超高純度シラン生
成物、および前記水素添加サブセクションで利用する再
循環四塩化ケイ素流に改質するのに利用されている。前
記方法の最終サブセクションは、前のサブセクションで
得られた超高純度シランを利用して超高純度シリコン生
成物を生成しており、例えば超高純度シラン物質は、米
国特許第4,348,749号明細書に開示されたような自由空
間型の反応器中でのシランの均質分解反応を利用して熱
分解できる。追加の廃棄物は、操作中間および最終サブ
セクションにおいて蓄積され、プロセスから排出されて
いる。
超高純度シリコンの製法は、冶金等級シリコン供給原料
を超高純度シリコン粉末製品に改善することを包含す
る。超高純度シリコンを与える方法は、３コンポーネン
ト、即ち水素添加サブセクション（subsection）再分布
反応器／塔サブセクション、およびシラン熱分解／シリ
コン粉末圧密サブセクションを包含する。水素添加サブ
セクションは、冶金等級シリコン供給原料（Fe、Al、Ti
などの不純物約２重量％を有するシリコン）を四塩化ケ
イ素および水素と反応させて中間体クロロシラン、例え
ばトリクロロシラン生成物を生成するこを包含し、この
ような操作時に、シリコン供給原料中の冶金不純物の多
くを含めて廃棄物は、クロロシラン廃棄物流中でプロセ
スから除去されている。トリクロロシラン中間生成物
は、供給原料として反応器および塔セクションに通過
し、そこで樹脂触媒を含有する反応器と蒸溜塔との組み
合わせは、クロロシラン中間生成物は超高純度シラン生
成物、および前記水素添加サブセクションで利用する再
循環四塩化ケイ素流に改質するのに利用されている。前
記方法の最終サブセクションは、前のサブセクションで
得られた超高純度シランを利用して超高純度シリコン生
成物を生成しており、例えば超高純度シラン物質は、米
国特許第4,348,749号明細書に開示されたような自由空
間型の反応器中でのシランの均質分解反応を利用して熱
分解できる。追加の廃棄物は、操作中間および最終サブ
セクションにおいて蓄積され、プロセスから排出されて
いる。
（発明の概要） 冶金等級シリコンからの高純度シリコンの製造時に通
常蓄積する前記廃棄物は、シリコン、鉄、およびアルミ
ニウムの非常に微細な粒子、アルミニウム、鉄およびチ
タンの塩化物、および痕跡量の他の高沸点塩素化不純物
を総計で約２〜20重量％の量で包含するスラリー〔残部
はトリクロロシラン（TCS）および四塩化ケイ素（STC）
である〕として結局捕集される。組成のこの範囲は、本
発明によって容易に処理できる。前記種類の捕集スラリ
ーは、以前は、そのまま処分すべき全廃棄物であると考
えられてきた。しかしながら、この廃棄物は、実質量の
TCSおよびSTCを含有するので、高純度シリコン製法での
再使用のための有価物を与えながら、TCSおよびSTCので
きるだけ多くを回収することは、有意な経済的利点を有
するであろう。処分すべき廃棄物の容量を減少させると
いう利点もある。
常蓄積する前記廃棄物は、シリコン、鉄、およびアルミ
ニウムの非常に微細な粒子、アルミニウム、鉄およびチ
タンの塩化物、および痕跡量の他の高沸点塩素化不純物
を総計で約２〜20重量％の量で包含するスラリー〔残部
はトリクロロシラン（TCS）および四塩化ケイ素（STC）
である〕として結局捕集される。組成のこの範囲は、本
発明によって容易に処理できる。前記種類の捕集スラリ
ーは、以前は、そのまま処分すべき全廃棄物であると考
えられてきた。しかしながら、この廃棄物は、実質量の
TCSおよびSTCを含有するので、高純度シリコン製法での
再使用のための有価物を与えながら、TCSおよびSTCので
きるだけ多くを回収することは、有意な経済的利点を有
するであろう。処分すべき廃棄物の容量を減少させると
いう利点もある。
シラン製造からの廃棄物からのTCSおよびSTCの回収の
ための本発明の方法は、付随加熱／循環装置を有する蒸
発器、即りリボイラーを利用し、本法は蒸発および蒸溜
によって望ましいクロロシラン、STCおよびTCSを同伴金
属粒子、金属塩化物、および低、中間および高沸点不純
物から連続基準で効率良く分離するという融通性を有す
る。本法の間で、軽蒸気は、ガスバーナーに給送され、
一方「ヘビー（heavies）」（リボイラー中に残渣とし
て残る金属塩化物および金属粒子を含めて）は、それか
ら容易に除去でき、直接中和でき、または好適な炭化水
素、例えば燈油で燃焼することができる。処理スラリー
からの四塩化ケイ素（STC）およびトリクロロシラン（T
CS）は、通常、「廃棄物」の67重量％まで、そしてそれ
以上の程度回収され、プロセスシステムに直接戻して再
循環できる。
ための本発明の方法は、付随加熱／循環装置を有する蒸
発器、即りリボイラーを利用し、本法は蒸発および蒸溜
によって望ましいクロロシラン、STCおよびTCSを同伴金
属粒子、金属塩化物、および低、中間および高沸点不純
物から連続基準で効率良く分離するという融通性を有す
る。本法の間で、軽蒸気は、ガスバーナーに給送され、
一方「ヘビー（heavies）」（リボイラー中に残渣とし
て残る金属塩化物および金属粒子を含めて）は、それか
ら容易に除去でき、直接中和でき、または好適な炭化水
素、例えば燈油で燃焼することができる。処理スラリー
からの四塩化ケイ素（STC）およびトリクロロシラン（T
CS）は、通常、「廃棄物」の67重量％まで、そしてそれ
以上の程度回収され、プロセスシステムに直接戻して再
循環できる。
図面を参照すると、金属粒子、金属塩化物、STCおよ
びTCSの前記蓄積廃スラリーを10においてリボイラー11
に導入する。このリボイラー11は、還流分離塔15と関連
されており、リボイラー11はリボイラー11から塔15への
揮発性スラリー成分の蒸発用加熱装置９を備えている。
２つの他の還流分離塔16および21は、図面に示されるよ
うに関連加熱装置20,22および関連リボイラー19および2
4を備えている。リボイラー11および分離塔15を包含す
る本法の金属塩化物除去塔セクションは、リボイラー11
中のスラリー中の「ヘビー」、即ち高沸点金属塩化物お
よび未反応シリコン粒子および他の金属粒子を濃縮する
ように配置されている。STC、TCSおよびSTC、TCSよりも
「軽いもの（ライター）」、およびTCSとSTCとの間で沸
騰する「中間物」を蒸発し、凝縮し、次いでオーバーヘ
ッド受容器13を経て下流STC回収塔16に給送する。ジク
ロロシランよりも軽い不純物を通常、燃焼用フレアヘッ
ダー（flare header）に蒸気としてベントする。ヘビ
ー、即ちSTCよりも重いもの（金属塩化物、同伴金属固
形分および痕跡量の高沸点塩素化不純物）をリボイラー
11に保持し、リボイラー11からリボイラー11の下に配置
されたポータブル受容器14に周期的にパージする。リボ
イラー11中の液化は、加熱が進行し沸騰温度がゆっくり
と増大するにつれて落下するであろう。その結果、リボ
イラー11中の固形分濃度は、増大する。塔15をSTCより
も高い沸点を有する物質からのオーバーヘッドの分離を
保証するのに十分な還流比、例えば好適には２よりも大
きく、好ましくは約３〜５の還流比で操作する。充填の
約25の理論段階が、塔15中に好適には設けられている。
塔の下部セクションにおいては、追加の５個のディスク
ードーナッツトレーが、好適には固形分同伴を最小限に
するために設けられている。ポータブル受容器14にパー
ジした後、リボイラー11から回収された濃縮金属塩化物
残渣を中和するのか好適な炭化水素、例えば燈油で燃焼
する。
びTCSの前記蓄積廃スラリーを10においてリボイラー11
に導入する。このリボイラー11は、還流分離塔15と関連
されており、リボイラー11はリボイラー11から塔15への
揮発性スラリー成分の蒸発用加熱装置９を備えている。
２つの他の還流分離塔16および21は、図面に示されるよ
うに関連加熱装置20,22および関連リボイラー19および2
4を備えている。リボイラー11および分離塔15を包含す
る本法の金属塩化物除去塔セクションは、リボイラー11
中のスラリー中の「ヘビー」、即ち高沸点金属塩化物お
よび未反応シリコン粒子および他の金属粒子を濃縮する
ように配置されている。STC、TCSおよびSTC、TCSよりも
「軽いもの（ライター）」、およびTCSとSTCとの間で沸
騰する「中間物」を蒸発し、凝縮し、次いでオーバーヘ
ッド受容器13を経て下流STC回収塔16に給送する。ジク
ロロシランよりも軽い不純物を通常、燃焼用フレアヘッ
ダー（flare header）に蒸気としてベントする。ヘビ
ー、即ちSTCよりも重いもの（金属塩化物、同伴金属固
形分および痕跡量の高沸点塩素化不純物）をリボイラー
11に保持し、リボイラー11からリボイラー11の下に配置
されたポータブル受容器14に周期的にパージする。リボ
イラー11中の液化は、加熱が進行し沸騰温度がゆっくり
と増大するにつれて落下するであろう。その結果、リボ
イラー11中の固形分濃度は、増大する。塔15をSTCより
も高い沸点を有する物質からのオーバーヘッドの分離を
保証するのに十分な還流比、例えば好適には２よりも大
きく、好ましくは約３〜５の還流比で操作する。充填の
約25の理論段階が、塔15中に好適には設けられている。
塔の下部セクションにおいては、追加の５個のディスク
ードーナッツトレーが、好適には固形分同伴を最小限に
するために設けられている。ポータブル受容器14にパー
ジした後、リボイラー11から回収された濃縮金属塩化物
残渣を中和するのか好適な炭化水素、例えば燈油で燃焼
する。
金属塩化物燈オーバーヘッド受容器13の内容物、四塩
化ケイ素（STC）およびライターをSTC回収塔16に給送
し、そこでSTCを塔ボトムとして分離し、101において直
径再使用のために回収する。中間沸点不純物、トリクロ
ロシラン（TCS）、およびライターをオーバーヘッド受
容器18中で凝縮し、保ち、次いで更なる分離用のTCS回
収塔21に給送する。塔16は、特定の態様においては比較
的低い圧力110psiaで操作されるように設計されてい
る。しかしながら、それは、より低い圧力、例えば10〜
20psiaで操作できる。塔16には好適には50の分離段階に
等価の充填物が満たされており、塔16は好ましくは連続
的に操作するように設計されている。
化ケイ素（STC）およびライターをSTC回収塔16に給送
し、そこでSTCを塔ボトムとして分離し、101において直
径再使用のために回収する。中間沸点不純物、トリクロ
ロシラン（TCS）、およびライターをオーバーヘッド受
容器18中で凝縮し、保ち、次いで更なる分離用のTCS回
収塔21に給送する。塔16は、特定の態様においては比較
的低い圧力110psiaで操作されるように設計されてい
る。しかしながら、それは、より低い圧力、例えば10〜
20psiaで操作できる。塔16には好適には50の分離段階に
等価の充填物が満たされており、塔16は好ましくは連続
的に操作するように設計されている。
TCS、およびTCSとSTCとの間の中沸点不純物をオーバ
ーヘッド受容器18からTCS分離塔21に給送し、そこでTCS
を分離し、受容器23においてオーバーヘッドとして回収
する。塔オーバーヘッド受容器23から、TCSを102におい
て直接再使用のために回収する。中間沸点不純物（塔21
のボトム）を24からクーラー25を通して排出し、直接廃
棄物処分のためにドラムカンに詰める（drum）。好まし
い態様においては、TCS回収システムを、STC回収塔16と
等価であるように設計された塔21を使用して連続的に操
作するが、STC回収塔16よりも低い圧力、例えば10〜20p
siで操作する。本発明の方法の特定の利点は、次の通り
である。本発明の方法は、資本コストおよび操作費用の
点の両方から比較的安価である。本法は、さもなければ
廃棄物として処分した（このような処分は高価）であろ
う比較的高価な物質を回収する簡単な方法である。本法
は、低沸点から高沸点までの広範囲の不純物を効率良く
かつ連続的に処理することができるので融通性がある。
焼却または燃焼することが必要な廃棄物の量は、小割合
であり、かつ濃縮スラリーとして終始一貫して除去でき
る。
ーヘッド受容器18からTCS分離塔21に給送し、そこでTCS
を分離し、受容器23においてオーバーヘッドとして回収
する。塔オーバーヘッド受容器23から、TCSを102におい
て直接再使用のために回収する。中間沸点不純物（塔21
のボトム）を24からクーラー25を通して排出し、直接廃
棄物処分のためにドラムカンに詰める（drum）。好まし
い態様においては、TCS回収システムを、STC回収塔16と
等価であるように設計された塔21を使用して連続的に操
作するが、STC回収塔16よりも低い圧力、例えば10〜20p
siで操作する。本発明の方法の特定の利点は、次の通り
である。本発明の方法は、資本コストおよび操作費用の
点の両方から比較的安価である。本法は、さもなければ
廃棄物として処分した（このような処分は高価）であろ
う比較的高価な物質を回収する簡単な方法である。本法
は、低沸点から高沸点までの広範囲の不純物を効率良く
かつ連続的に処理することができるので融通性がある。
焼却または燃焼することが必要な廃棄物の量は、小割合
であり、かつ濃縮スラリーとして終始一貫して除去でき
る。
以下の例は、本発明を更に例示するであろう。
例 図面に示される種類の装置を使用して、廃スラリー
は、第一分離塔と関連されたリボイラー中で974ポンド
（約441.8kg）／時の速度で蓄積した。廃スラリーは、
時間平均基準で、STC763ポンド（約346.1kg）、TCS178
ポンド（約80.7kg）、および固体不純物33ポンド（約1
5.0kg）、〔Si5ポンド（約2.27kg）、FeCl318ポンド
（約8.16kg）、AlCl310ポンド（約4.54kg）〕を含有し
ていた。不純物はスラリーの3.4重量％であった。STCお
よびTCSをリボイラーから連続的に蒸発して第一分離塔
に入れ、時間平均基準でSTCとTCSとの合計140ポンド
（約63.5kg）、固体不純物33ポンド（約15.0kg）＋痕跡
量の不純物からなる濃縮スラリーがリボイラー中で生じ
た。この物質を廃棄物として処分した。以下の物質を時
間平均基準で第二および第三分離塔から回収した。
は、第一分離塔と関連されたリボイラー中で974ポンド
（約441.8kg）／時の速度で蓄積した。廃スラリーは、
時間平均基準で、STC763ポンド（約346.1kg）、TCS178
ポンド（約80.7kg）、および固体不純物33ポンド（約1
5.0kg）、〔Si5ポンド（約2.27kg）、FeCl318ポンド
（約8.16kg）、AlCl310ポンド（約4.54kg）〕を含有し
ていた。不純物はスラリーの3.4重量％であった。STCお
よびTCSをリボイラーから連続的に蒸発して第一分離塔
に入れ、時間平均基準でSTCとTCSとの合計140ポンド
（約63.5kg）、固体不純物33ポンド（約15.0kg）＋痕跡
量の不純物からなる濃縮スラリーがリボイラー中で生じ
た。この物質を廃棄物として処分した。以下の物質を時
間平均基準で第二および第三分離塔から回収した。
STC 640ポンド（約290.3kg） TCS 165ポンド（約74.8kg） このように、STCとTCSとの全回収率は、約85％であっ
た。前記のような廃棄物は、合計173ポンド（約78.5k
g）〔固形分33ポンド（約15.0kg）およびSTC＋TCS140ポ
ンド（約63.5kg）のみであった。
た。前記のような廃棄物は、合計173ポンド（約78.5k
g）〔固形分33ポンド（約15.0kg）およびSTC＋TCS140ポ
ンド（約63.5kg）のみであった。
図面は本発明の方法を実施するのに使用する装置のフロ
ーシートである。 9,20,22……加熱装置、11,19,24……リボイラー、15,1
6,21……還流分離塔、13,18,23……受容器。
ーシートである。 9,20,22……加熱装置、11,19,24……リボイラー、15,1
6,21……還流分離塔、13,18,23……受容器。
フロントページの続き (72)発明者 グナー、ヘニングセン アメリカ合衆国アラバマ州、バーミンガ ム、スイス、レーン、2666
Claims (1)
- 【請求項１】シリコン、鉄およびアルミニウムの金属粒
子、鉄およびアルミニウムの塩化物、四塩化ケイ素（ST
C）およびトリクロロシラン（TCS）、STCとTCSの間の沸
点を有する物質、ならびにSTCおよびTCSよりも低い沸点
を有する物質（前記STCおよびTCSは総計でスラリーの主
成分である）を包含する廃スラリーを処理するにあた
り、 （ａ）第一分離塔に前記廃スラリーを供給して、STC、T
CS、STCおよびTCSよりも低い沸点を有する物質、ならび
にSTCとTCSの間の沸点を有する物質を前記第一分離塔か
らのオーバーヘッドとして得るとともに、シリコン、鉄
およびアルミニウムの金属粒子、鉄およびアルミニウム
の塩化物を第一分離塔中のボトムとして得て、これを廃
棄物貯蔵容器へ送り、 （ｂ）第一分離塔からのオーバーヘッドを凝縮させ、こ
の凝縮させたオーバーヘッドを第二分離塔に送って、
（１）STCをボトムとして回収し、かつ（２）STCより低
い温度で沸騰する物質（TCSおよびSTCとTCSの間の温度
で沸騰する物質を包含する）をオーバーヘッドとして回
収し、 （ｃ）第二分離塔からのオーバーヘッドを凝縮させ、こ
の凝縮させたオーバーヘッドを第三分離塔に送って、
（１）TCSをオーバーヘッドとして回収し、かつ（２）S
TCとTCSの間の温度で沸騰する物質をボトム廃ストリー
ムとして回収することを特徴とする、廃スラリーの処理
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/844,361 US4743344A (en) | 1986-03-26 | 1986-03-26 | Treatment of wastes from high purity silicon process |
| US844361 | 1992-03-02 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62277193A JPS62277193A (ja) | 1987-12-02 |
| JPH08231B2 true JPH08231B2 (ja) | 1996-01-10 |
Family
ID=25292510
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62069268A Expired - Lifetime JPH08231B2 (ja) | 1986-03-26 | 1987-03-25 | 高純度シリコン法からの廃棄物の処理法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4743344A (ja) |
| JP (1) | JPH08231B2 (ja) |
| DE (1) | DE3709577A1 (ja) |
| FR (1) | FR2596301B1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5232602A (en) * | 1992-07-01 | 1993-08-03 | Hemlock Semiconductor Corporation | Phosphorous removal from tetrachlorosilane |
| DE10056194A1 (de) * | 2000-11-13 | 2002-05-29 | Solarworld Ag | Verfahren zur Entfernung von Aluminium aus Chlorsilanen |
| DE10056722A1 (de) * | 2000-11-15 | 2002-06-06 | Solarworld Ag | Verfahren zur Inertisierung von staubförmigen siliziummetallhaltigen Rückständen der Trichlorsilansynthese im Wirbelbett |
| DE10061682A1 (de) | 2000-12-11 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Reinstsilicium |
| DE10061680A1 (de) | 2000-12-11 | 2002-06-20 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Silan |
| KR101050970B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2011-07-26 | 알이씨 실리콘 인코포레이티드 | 폐기 금속 염화물의 처리 방법 |
| WO2007084245A2 (en) * | 2006-01-19 | 2007-07-26 | Dow Corning Corporation | Systems and methods for functionalizing particulates silane-containing materials |
| DE102006009954A1 (de) * | 2006-03-03 | 2007-09-06 | Wacker Chemie Ag | Wiederverwertung von hochsiedenden Verbindungen innerhalb eines Chlorsilanverbundes |
| US20090060819A1 (en) * | 2007-08-29 | 2009-03-05 | Bill Jr Jon M | Process for producing trichlorosilane |
| US7736614B2 (en) * | 2008-04-07 | 2010-06-15 | Lord Ltd., Lp | Process for removing aluminum and other metal chlorides from chlorosilanes |
| US20100061912A1 (en) * | 2008-09-08 | 2010-03-11 | Stephen Michael Lord | Apparatus for high temperature hydrolysis of water reactive halosilanes and halides and process for making same |
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